KR20180104450A - 음극 활물질의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 음극 활물질의 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로 상기 음극 활물질의 제조 방법은 중공형 SiO2 입자를 준비하는 단계; 상기 중공형 SiO2 입자와 NaCl 입자를 혼합하여 제1 혼합물을 제조하는 단계; 상기 제1 혼합물 내 상기 중공형 SiO2 입자를 금속 환원제를 사용하여 환원시키는 단계; 및 환원된 상기 중공형 SiO2 입자를 대기 분위기 또는 산소 분위기 하에서 450℃ 내지 550℃, 및 0.5시간 내지 7시간 조건으로 열처리하는 단계를 포함할 수 있다.

Description

음극 활물질의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING ANODE ACTIVE MATERIAL}
본 발명은 음극 활물질의 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로 상기 음극 활물질의 제조 방법은 환원된 중공형 SiO2 입자를 대기 분위기 또는 산소 분위기 하에서 450℃ 내지 550℃, 및 0.5시간 내지 7시간 조건으로 열처리하는 단계를 포함할 수 있다.
화석연료 사용의 급격한 증가로 인하여 대체 에너지나 청정에너지의 사용에 대한 요구가 증가하고 있으며, 그 일환으로 가장 활발하게 연구되고 있는 분야가 전기화학 반응을 이용한 발전, 축전 분야이다.
현재 이러한 전기화학적 에너지를 이용하는 전기화학 소자의 대표적인 예로 이차 전지를 들 수 있으며, 점점 더 그 사용 영역이 확대되고 있는 추세이다. 최근에는 휴대용 컴퓨터, 휴대용 전화기, 카메라 등의 휴대용 기기에 대한 기술 개발과 수요가 증가함에 따라 에너지원으로서 이차전지의 수요가 급격히 증가하고 있고, 그러한 이차 전지 중 높은 에너지 밀도, 즉 고용량의 리튬 이차전지에 대해 많은 연구가 행해져 왔고, 또한 상용화되어 널리 사용되고 있다.
일반적으로 이차 전지는 양극, 음극, 전해질, 및 분리막으로 구성된다. 음극은 양극으로부터 나온 리튬 이온을 삽입하고 탈리시키는 음극 활물질을 포함할 수 있다. 또한, 고용량의 전지를 제조하기 위해, 상기 음극 활물질로 실리콘계 활물질을 사용하고 있다.
다만, 실리콘계 활물질은 전지의 충방전 과정에서 부피가 지나치게 크게 변화하여, 전지의 수명과 안전성이 낮아지는 문제가 있다. 이와 같은 문제를 해결하기 위해, 대한민국 공개특허 제10-2014-0135512호는 중공형의 실리콘계 활물질을 사용하여, 상기 실리콘계 활물질의 부피 팽창이 활물질 내부로 향하도록 유도하여, 전극의 부피 변화를 줄이는 것을 개시하고 있다. 그러나, 이러한 시도에도 상기 실리콘계 활물질의 외부 방향으로의 부피 팽창은 여전히 존재하는 문제가 있다.
한편, 상기 실리콘계 활물질의 고용량을 위하여, SiO2를 Mg 등의 환원제를 사용하여 환원시켜 Si 입자를 제조할 수 있다. 다만, 환원 과정에서 Mg2Si 등의 부산물들이 발생하며, 이러한 부산물들은 수분이나 산과 반응하여 수소 가스를 발생시킨다. 즉, 상기 부산물의 제거를 위한 산처리 과정에서 가스가 다량 발생할 수 있어서 공정 안전성이 저하될 수 있으며, 최종 제조물에 남아있는 부산물에 의해 전지의 성능 저하 및 폭발 등의 안전성 문제가 발생할 수 있다.
따라서, 충방전 시의 부피 변화가 적고, Mg2Si 등 안전성을 저해하는 부산물이 제거된 실리콘계 활물질의 제조 방법이 요구되고 있다.
대한민국 공개특허 제10-2014-0135512호
본 발명이 해결하고자 하는 일 과제는 충방전 시의 부피 변화가 적고, Mg2Si 등 안전성을 저해하는 부산물이 제거된 음극 활물질의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 중공형 SiO2 입자를 준비하는 단계; 상기 중공형 SiO2 입자와 NaCl 입자를 혼합하여 제1 혼합물을 제조하는 단계; 상기 제1 혼합물 내 상기 중공형 SiO2 입자를 금속 환원제를 사용하여 환원시키는 단계; 및 환원된 상기 중공형 SiO2 입자를 대기 분위기 또는 산소 분위기 하에서 450℃ 내지 550℃, 및 0.5시간 내지 7시간 조건으로 열처리하는 단계를 포함하는 음극 활물질의 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 음극 활물질 제조 방법에 따르면, 상기 음극 활물질 제조 과정에서, Mg2Si 등의 부산물이 원활하게 제거될 수 있으므로, 공정 안전성이 향상될 수 있으며, 제조된 이차 전지의 성능 및 안전성이 개선될 수 있다. 또한, 상기 제조방법에 의해 제조된 음극 활물질은 SiO2를 포함하는 제2 쉘부를 적절한 양으로 포함할 수 있다. 따라서, 음극 활물질의 외부 방향으로의 부피 팽창이 효과적으로 제어되어 전극의 두께 팽창률이 감소할 수 있으며, 이차 전지의 수명 특성이 개선될 수 있다.
도 1은 실시예 1의 음극 활물질 사진이다.
도 2는 비교예 1의 음극 활물질 사진이다.
도 3은 실시예 1의 음극 활물질 제조 과정에서 얻어진 혼합물에 대한 XRD 분석 결과이다.
도 4는 비교예 2의 음극 활물질 제조 과정에서 얻어진 혼합물에 대한 XRD 분석 결과이다.
도 5는 이차 전지의 용량 대비 전압 그래프이다.
이하, 본 발명에 대한 이해를 돕기 위해 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 명세서에서 사용되는 용어는 단지 예시적인 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도는 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 명세서에서, "포함하다", "구비하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 실시된 특징, 숫자, 단계, 구성 요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 구성 요소, 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 음극 활물질의 제조 방법은 중공형 SiO2 입자를 준비하는 단계; 상기 중공형 SiO2 입자와 NaCl 입자를 혼합하여 제1 혼합물을 제조하는 단계; 상기 제1 혼합물 내 상기 중공형 SiO2 입자를 금속 환원제를 사용하여 환원시키는 단계; 및 환원된 상기 중공형 SiO2 입자를 대기 분위기 또는 산소 분위기 하에서 450℃ 내지 550℃, 및 0.5시간 내지 7시간 조건으로 열처리하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 중공형 SiO2 입자를 준비하는 단계는 시판되는 상기 중공형 SiO2 입자를 구입하는 것을 포함할 수 있고, 이와 달리 상기 중공형 SiO2 입자를 제조하는 것을 포함할 수도 있다. 반드시 이에 한정되는 것은 아니나, 상기 중공형 SiO2 입자는 다음과 같은 방법으로 제조될 수 있다.
상기 중공형 SiO2 입자를 제조하는 방법은 실리콘계 전구체를 사용하여 고분자 탬플릿(template) 표면에 SiO2 입자를 코팅하는 단계; 및 상기 고분자 탬플릿을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 SiO2 입자를 코팅하는 단계에 있어서, 상기 고분자 탬플릿은 폴리 아크릴로니트릴계, 폴리에틸렌계, 폴리스티렌계, 폴리비닐클로라이드계, 폴리(메타)아크릴산계, 폴리 메틸 (메타)아크릴레이트계, 폴리 에틸(메타)아크릴레이트계, 폴리 부틸(메타)아크릴레이트계, 폴리 헥실(메타)아크릴레이트계, 폴리 도데실(메타)아크릴레이트계, 폴리 스테아릴(메타)아크릴레이트계, 폴리 벤질 (메타)아크릴레이트계, 폴리 사이클로헥실 (메타)아크릴레이트계, 폴리 아크릴아마이드계, 폴리 비닐아세테이트계 및 비닐계 단량체를 중합한 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들 중 2종 이상의 혼합물일 수 있다.
상기 실리콘계 전구체는 방향족 실리콘 알콕사이드 화합물 또는 선형 실리콘 알콕사이드 화합물일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 고분자 탬플릿과 상기 실리콘계 전구체를 유기 용매와 함께 혼합하고 약 10분 내지 72시간 동안 교반하고 건조하여 고분자 탬플릿 표면에 SiO2를 형성할 수 있다. 상기 교반은 대기 분위기 하에서, 또는 아르곤 등의 비활성 분위기에서 수행될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 유기 용매는 예를 들어 알코올 또는 테트라하이드로퓨란(THF) 등을 사용할 수 있다.
상기 방향족 실리콘 알콕사이드 화합물은 바람직하게는 페닐트리에톡시실란(Phenyl Tri Ethoxy Silane; PTES), 페닐트리메톡시실란(Phenyl Tri Methoxy Silane; PTMS), 디페닐디에톡시실란(Di Phenyl Di Ethoxy Silane; DDES) 및 디페닐 디 메톡시 실란(Diphenyl Di Methoxy Silanel DDMS)으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들 중 2종 이상의 혼합물일 수 있다. 상기 선형 실리콘 알콕사이드 화합물은 테트라 에틸 오르소 실리케이트(Tetra Ethyl Ortho Silicate; TEOS), 테트라 메틸 오르소 실리케이트(Tetra Methyl Ortho Silicate; TMOS), 테트라 프로필 오르소 실리케이트(Tetra Propyl Ortho Silicate; TPOS) 및 테트라 부틸 오르소 실리케이트(Tetra Butyl Ortho Silicate; TBOS)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들 중 2종 이상의 혼합물일 수 있으며, 바람직하게는 테트라 에틸 오르소 실리케이트(Tetra Ethyl Ortho Silicate; TEOS) 또는 테트라 메틸 오르소실리케이트(Tetra Methyl Ortho Silicate; TMOS)일 수 있다.
상기 고분자 탬플릿을 제거하는 단계에 있어서, 상기 고분자 탬플릿을 제거하여 실리콘 입자 내에 중공을 형성하는 방법은 약 300 ℃ 내지 1400 ℃의 열처리에 의해 고분자 탬플릿을 제거하는 것을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 고분자 탬플릿 표면에 코팅된 SiO2 입자를 대기 조건에서 1시간 내지 24시간 동안 300 ℃ 내지 1400 ℃, 바람직하게는 300 ℃ 내지 1000 ℃, 더욱 바람직하게는 400 ℃ 내지 800 ℃에서 열처리를 수행하여 고분자 탬플릿을 제거할 수 있다.
상기 중공형 SiO2 입자를 준비하는 단계를 통해 준비된 상기 중공형 SiO2 입자는, 중공을 둘러싸며 SiO2를 포함하는 SiO2 층을 포함하며, 상기 SiO2 층의 두께는 10nm 내지 500nm일 수 있다. 구체적으로, 상기 SiO2 층의 두께는 40nm 내지 150nm일 수 있다. 상기 두께 범위를 만족하는 경우, 환원 과정에서 크랙 발생이 방지될 수 있으며, 수율이 개선될 수 있다.
상기 중공의 평균 입경과 상기 SiO2 층의 두께의 비는 1:1 내지 40:1일 수 있으며, 구체적으로 6:1 내지 20:1일 수 있다. 상기 두께 비를 만족하는 경우, 환원 과정에서 입자의 형상이 효과적으로 유지될 수 있다.
상기 중공형 SiO2 입자의 평균 입경(D50)은 30nm 내지 21㎛일 수 있으며, 구체적으로 100nm 내지 800nm일 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우, 음극 제조 과정에서 음극 활물질이 파쇄되는 것이 방지되며, 동시에 SiO2의 환원이 충분히 이루어질 수 있다.
상기 제1 혼합물을 제조하는 단계는 상기 중공형 SiO2 입자를 용매에 첨가한 뒤 교반하여 SiO2 용액을 제조하는 단계; 상기 NaCl 입자를 상기 SiO2 용액에 첨가하고 교반하는 단계; 및 상기 용매를 제거하여 제1 혼합물을 얻는 단계를 포함할 수 있다.
상기 SiO2 용액을 제조하는 단계에서 사용된 용매는 물일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 물 대신, 또는 물과 함께, NaCl이 용해될 수 있는 다른 용매를 사용할 수도 있다.
상기 NaCl 입자는 흡열재 역할을 할 수 있다. 구체적으로, 상기 NaCl은 상기 중공형 SiO2 입자를 환원시키는 후속 공정에서 발생하는 열을 환원되고 있는 상기 중공형 SiO2 입자로부터 흡수하여, 상기 중공형 SiO2 입자의 형태가 붕괴되거나 상기 중공형 SiO2 입자들끼리의 응집을 방지할 수 있다.
상기 SiO2 용액을 제조하는 단계의 상기 중공형 SiO2 입자와 상기 NaCl 입자를 상기 SiO2 용액에 첨가하고 교반하는 단계의 NaCl 입자의 중량비는 1:2 내지 1:20일 수 있으며, 구체적으로 1:5 내지 1:10일 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우, 상기 중공형 SiO2 입자의 형상이 원활하게 유지될 수 있으며, NaCl의 과도한 양에 의한 Si 수득률 저하가 방지될 수 있다.
상기 환원시키는 단계에서는, 상기 제1 혼합물 내 상기 중공형 SiO2 입자를 금속 환원제를 사용하여 환원시킨다.
상기 금속 환원제는 금속 파우더 형태일 수 있다. 상기 금속 파우더는 Mg 및 Al 중 적어도 어느 하나일 수 있으며, 구체적으로 Mg일 수 있다.
상기 환원시키는 단계는 상기 제1 혼합물과 상기 금속 파우더를 혼합한 뒤, 열처리하는 것을 포함할 수 있으며, 구체적으로 상기 제1 혼합물과 상기 Mg을 혼합한 뒤, 열처리하는 것을 포함할 수 있다.
이 때, 상기 제1 혼합물 내의 상기 중공형 SiO2 입자와 상기 Mg의 중량비는 1:0.8 내지 1:1.3일 수 있으며, 구체적으로 1:0.9 내지 1:1일 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우, 상기 환원이 충분히 이루어지면서도 Mg2Si 등의 부산물의 발생을 최소화할 수 있다.
상기 환원시키는 단계에서 수행되는 열처리는 500℃ 내지 800℃, 구체적으로 650℃ 내지 700℃에서 수행될 수 있다. 상기 열처리는 0.5시간 내지 5시간, 구체적으로 0.5시간 내지 3시간 동안 수행될 수 있다. 나아가, 상기 열처리는 비활성 분위기에서 수행될 수 있으며, 상기 비활성 분위기는 Ar 분위기일 수 있다.
상기 환원된 상기 중공형 SiO2 입자를 열처리하는 단계에서는 상기 환원시키는 단계를 거친 상기 제1 혼합물을 대기 분위기 또는 산소 분위기 하에서 450℃ 내지 550℃, 구체적으로 450℃ 내지 500℃의 온도로 0.5시간 내지 7시간 동안 열처리할 수 있다. 상기 열처리 온도가 550℃를 초과하는 경우, 과도한 산화반응으로 인해 음극 활물질 내 SiO2의 함량이 지나치게 증가하게 되므로, 이차 전지의 초기 용량 및 초기 효율이 크게 감소된다. 상기 열처리 온도가 450℃ 미만인 경우, 금속 환원제에 의한 부산물, 예컨대 Mg2Si가 MgO로 충분히 산화되지 않는다. 따라서, 상기 부산물의 제거를 위한 산처리 과정에서 가스가 다량 발생할 수 있어서 공정 안전성이 저하될 수 있고, 최종 제조물에 남아있는 부산물에 의해 전지의 성능 저하 및 폭발 등의 안전성 문제가 발생할 수 있다. 또한, 상술한 표면층이 충분하게 형성되지 않아 음극 활물질의 외부 방향으로의 부피 팽창이 제어될 수 없다.
상기 음극 활물질의 제조 방법은, 환원되고 열처리된 상기 중공형 SiO2 입자로부터 NaCl을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 때, 상기 NaCl은 환원된 상기 중공형 SiO2 입자를 열처리하는 단계를 거친 제1 혼합물을 물로 세척하는 것을 통해 제거될 수 있다.
상기 음극 활물질의 제조 방법은, 환원되고 열처리된 상기 중공형 SiO2 입자를 산처리하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 산처리는 환원되고 열처리된 상기 중공형 SiO2 입자를 산 수용액에 첨가하여 교반하는 것을 포함할 수 있다. 이 ?, 환원되고 열처리된 상기 중공형 SiO2 입자는 NaCl이 제거된 것일 수 있다. 상기 산처리에 사용되는 산은 HCl일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 단계 이후, 입자를 다량의 물 및/또는 에탄올로 세척한 뒤, 건조시키는 공정이 추가될 수 있다.
상기와 같은 방법에 의해 제조된 본 발명에 따른 음극 활물질은 중공 코어부를 둘러싸는 쉘부를 포함하며, 상기 쉘부는, 상기 중공 코어부를 둘러싸며 Si를 포함하는 제1 쉘부; 및 상기 제1 쉘부를 덮으며 SiO2를 포함하는 제2 쉘부를 포함할 수 있다.
상기 쉘부는 중공(hollow) 코어부를 둘러싸는 형태일 수 있다. 상기 중공 코어부에 의해, 상기 쉘부는 속이 비어있는 입자 형태가 될 수 있다. 이에 따라, 전지의 충방전 과정에 있어서, 상기 쉘부를 포함하는 음극 활물질의 부피 팽창이 내부 방향으로도 유도될 수 있다. 따라서, 충방전 과정에서, 중공 코어부를 포함하지 않는 음극 활물질에 비해 외부 방향으로의 부피 변화가 적을 수 있으므로, 이차 전지의 용량, 수명, 및 안전성이 향상될 수 있다.
상기 쉘부의 두께는 10nm 내지 500nm일 수 있으며, 구체적으로 40nm 내지 150nm일 수 있다. 상기 두께 범위를 만족하는 경우, 환원 과정에서 쉘부에 크랙이 발생하는 것이 방지될 수 있으며, 충방전 시 쉘부의 구조가 유지될 수 있어서 수명 특성이 개선될 수 있다.
상기 중공 코어부의 평균 입경과 상기 쉘부의 두께의 비는 1:1 내지 40:1일 수 있으며, 구체적으로 6:1 내지 20:1일 수 있다. 상기 비를 만족하는 경우, 전극 제조 시 압연 과정에서 입자의 형상이 유지되면서, 충방전 시 음극 활물질의 내부 방향으로의 부피 팽창을 충분히 수용할 수 있다.
상기 쉘부는 제1 쉘부 및 제2 쉘부를 포함할 수 있다. 상기 제1 쉘부는 Si를 포함할 수 있다. 나아가, 상기 제1 쉘부는 SiOx(0<x<2)를 더 포함할 수도 있다.
상기 제2 쉘부는 상기 제2 쉘부를 덮으며 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 쉘부는 상기 제1 쉘부의 표면의 일부 또는 전부를 덮을 수 있다. 상기 제2 쉘부는 SiO2를 포함할 수 있다. 상기 제2 쉘부에 의해, 충방전 시 음극 활물질의 외부 방향으로의 부피 팽창이 줄어들 수 있다. 따라서, 이차 전지의 용량, 수명, 및 안전성이 더욱 향상될 수 있다.
상기 음극 활물질의 평균 입경(D50)은 30nm 내지 21㎛일 수 있으며, 구체적으로 100nm 내지 800nm일 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우, 음극 제조 과정 및 취급 과정에서, 음극 활물질의 파쇄가 방지될 수 있다. 상기 음극 활물질의 평균 입경(D50)과 관련하여, 본 명세서에서 평균 입경(D50)은 입자의 입경 분포의 50% 기준에서의 입경으로 정의할 수 있다. 상기 평균 입경(D50)은 예를 들어, 레이저 회절법(laser diffraction method)을 이용하여 측정할 수 있다. 상기 레이저 회절법은 일반적으로 서브미크론(submicron) 영역에서부터 수 mm 정도의 입경의 측정이 가능하며, 고 재현성 및 고 분해성의 결과를 얻을 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 음극은 음극 집전체 및 상기 집전체 상에 배치된 음극 활물질층을 포함할 수 있다.
상기 음극은 집전체를 포함할 수 있다. 상기 집전체는 당해 전지에 화학적 변화를 유발하지 않으면서 도전성을 가진 것이라면 되고, 특별히 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 집전체로는 구리, 스테인리스 스틸, 알루미늄, 니켈, 티탄, 소성 탄소, 또는 알루미늄이나 스테인리스 스틸의 표면에 카본, 니켈, 티탄, 은 등으로 표면 처리한 것 등이 사용될 수 있다. 구체적으로는, 구리, 니켈과 같은 탄소를 잘 흡착하는 전이 금속을 집전체로 사용할 수 있다. 상기 집전체의 두께는 6㎛ 내지 20㎛일 수 있으나, 상기 집전체의 두께가 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 음극 활물질층은 음극 활물질을 포함할 수 있으며, 여기서 상기 음극 활물질은 상술한 일 실시예에 따른 음극 활물질이다.
상기 음극 활물질층은 바인더를 더 포함할 수 있다. 상기 바인더는 폴리비닐리덴플루오라이드-헥사플루오로프로필렌 코폴리머(PVDF-co-HFP), 폴리비닐리덴플루오라이드(polyvinylidenefluoride), 폴리아크릴로니트릴(polyacrylonitrile), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate), 폴리비닐알코올, 카르복시메틸셀룰로오스(CMC), 전분, 히드록시프로필셀룰로오스, 재생 셀룰로오스, 폴리비닐피롤리돈, 테트라플루오로에틸렌, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리아크릴산, 에틸렌-프로필렌-디엔 모노머(EPDM), 술폰화 EPDM, 스티렌 부타디엔 고무(SBR), 불소 고무, 폴리 아크릴산 (poly acrylic acid) 및 이들의 수소를 Li, Na 또는 Ca 등으로 치환된 물질로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으며, 또한 이들의 다양한 공중합체를 포함할 수 있다.
상기 음극 활물질층은 도전재를 더 포함할 수 있다. 상기 도전재는 당해 전지에 화학적 변화를 유발하지 않으면서 도전성을 가진 것이라면 특별히 제한되는 것은 아니며, 예를 들어, 천연 흑연이나 인조 흑연 등의 흑연; 카본블랙, 아세틸렌 블랙, 케첸 블랙, 채널 블랙, 파네스 블랙, 램프 블랙, 서멀 블랙 등의 카본블랙; 탄소 섬유나 금속 섬유 등의 도전성 섬유; 탄소 나노 튜브 등의 도전성 튜브; 플루오로카본, 알루미늄, 니켈 분말 등의 금속 분말; 산화아연, 티탄산 칼륨 등의 도전성 위스커; 산화 티탄 등의 도전성 금속 산화물; 폴리페닐렌 유도체 등의 도전성 소재 등이 사용될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 이차 전지는, 음극, 양극, 상기 양극 및 음극 사이에 개재된 분리막, 및 전해질을 포함할 수 있으며, 상기 음극은 상술한 음극과 동일하다. 상기 음극에 대해서는 상술하였으므로, 구체적인 설명을 생략한다.
상기 양극은 양극 활물질을 포함할 수 있다. 상기 양극 활물질은 통상적으로 사용되는 양극 활물질일 수 있다. 구체적으로, 상기 양극 활물질은 리튬 코발트 산화물(LiCoO2), 리튬 니켈 산화물(LiNiO2) 등의 층상 화합물이나 1 또는 그 이상의 전이금속으로 치환된 화합물; LiFe3O4 등의 리튬 철 산화물; 화학식 Li1 + c1Mn2 - c1O4 (0≤c1≤0.33), LiMnO3, LiMn2O3, LiMnO2 등의 리튬 망간 산화물; 리튬 동 산화물(Li2CuO2); LiV3O8, V2O5, Cu2V2O7 등의 바나듐 산화물; 화학식 LiNi1 - c2Mc2O2 (여기서, M은 Co, Mn, Al, Cu, Fe, Mg, B 및 Ga으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나이고, 0.01≤c2≤0.3를 만족한다)으로 표현되는 Ni 사이트형 리튬 니켈 산화물; 화학식 LiMn2 - c3Mc3O2 (여기서, M은 Co, Ni, Fe, Cr, Zn 및 Ta 으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나이고, 0.01≤c3≤0.1를 만족한다) 또는 Li2Mn3MO8 (여기서, M은 Fe, Co, Ni, Cu 및 Zn으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나이다.)으로 표현되는 리튬 망간 복합 산화물; 화학식의 Li 일부가 알칼리토금속 이온으로 치환된 LiMn2O4 등을 들 수 있지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다. 상기 양극은 Li-metal일 수도 있다.
분리막으로는 음극과 양극을 분리하고 리튬 이온의 이동 통로를 제공하는 것으로, 통상 이차 전지에서 분리막으로 사용되는 것이라면 특별한 제한 없이 사용가능하며, 특히 전해질의 이온 이동에 대하여 저저항이면서 전해액 함습 능력이 우수한 것이 바람직하다. 구체적으로는 다공성 고분자 필름, 예를 들어 에틸렌 단독중합체, 프로필렌 단독중합체, 에틸렌/부텐 공중합체, 에틸렌/헥센 공중합체 및 에틸렌/메타크릴레이트 공중합체 등과 같은 폴리올레핀계 고분자로 제조한 다공성 고분자 필름 또는 이들의 2층 이상의 적층 구조체가 사용될 수 있다. 또 통상적인 다공성 부직포, 예를 들어 고융점의 유리 섬유, 폴리에틸렌테레프탈레이트 섬유 등으로 된 부직포가 사용될 수도 있다. 또, 내열성 또는 기계적 강도 확보를 위해 세라믹 성분 또는 고분자 물질이 포함된 코팅된 분리막이 사용될 수도 있으며, 선택적으로 단층 또는 다층 구조로 사용될 수 있다.
상기 전해질은 전해질로는 리튬 이차전지 제조시 사용 가능한 유기계 액체 전해질, 무기계 액체 전해질, 고체 고분자 전해질, 겔형 고분자 전해질, 고체 무기 전해질, 용융형 무기 전해질 등을 들 수 있으며, 이들로 한정되는 것은 아니다.
구체적으로, 상기 전해질은 비수계 유기용매와 금속염을 포함할 수 있다.
상기 비수계 유기용매로는, 예를 들어, N-메틸-2-피롤리디논, 프로필렌 카보네이트, 에틸렌 카보네이트, 부틸렌 카보네이트, 디메틸 카보네이트, 디에틸 카보네이트, 감마-부틸로 락톤, 1,2-디메톡시 에탄, 테트라히드록시 프랑(franc), 2-메틸 테트라하이드로푸란, 디메틸술폭시드, 1,3-디옥소런, 포름아미드, 디메틸포름아미드, 디옥소런, 아세토니트릴, 니트로메탄, 포름산 메틸, 초산메틸, 인산 트리에스테르, 트리메톡시 메탄, 디옥소런 유도체, 설포란, 메틸 설포란, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 프로필렌 카보네이트 유도체, 테트라하이드로푸란 유도체, 에테르, 피로피온산 메틸, 프로피온산 에틸 등의 비양자성 유기용매가 사용될 수 있다.
특히, 상기 카보네이트계 유기 용매 중 고리형 카보네이트인 에틸렌 카보네이트 및 프로필렌 카보네이트는 고점도의 유기 용매로서 유전율이 높아 리튬염을 잘 해리시키므로 바람직하게 사용될 수 있으며, 이러한 고리형 카보네이트에 디메틸카보네이트 및 디에틸카보네이트와 같은 저점도, 저유전율 선형 카보네이트를 적당한 비율로 혼합하여 사용하면 높은 전기 전도율을 갖는 전해질을 만들 수 있어 더욱 바람직하게 사용될 수 있다.
상기 금속염은 리튬염을 사용할 수 있고, 상기 리튬염은 상기 비수 전해액에 용해되기 좋은 물질로서, 예를 들어, 상기 리튬염의 음이온으로는 F-, Cl-, I-, NO3 -, N(CN)2 -, BF4 -, ClO4 -, PF6 -, (CF3)2PF4 -, (CF3)3PF3 -, (CF3)4PF2 -, (CF3)5PF-, (CF3)6P-, CF3SO3 -, CF3CF2SO3 -, (CF3SO2)2N-, (FSO2)2N-, CF3CF2(CF3)2CO-, (CF3SO2)2CH-, (SF5)3C-, (CF3SO2)3C-, CF3(CF2)7SO3 -, CF3CO2 -, CH3CO2 -, SCN- 및 (CF3CF2SO2)2N-로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.
상기 전해질에는 상기 전해질 구성 성분들 외에도 전지의 수명특성 향상, 전지 용량 감소 억제, 전지의 방전 용량 향상 등을 목적으로 예를 들어, 디플루오로 에틸렌카보네이트 등과 같은 할로알킬렌카보네이트계 화합물, 피리딘, 트리에틸포스파이트, 트리에탄올아민, 환상 에테르, 에틸렌 디아민, n-글라임(glyme), 헥사인산 트리아미드, 니트로벤젠 유도체, 유황, 퀴논 이민 염료, N-치환옥사졸리디논, N,N-치환 이미다졸리딘, 에틸렌 글리콜 디알킬 에테르, 암모늄염, 피롤, 2-메톡시 에탄올 또는 삼염화 알루미늄 등의 첨가제가 1종 이상 더 포함될 수도 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 이차 전지를 단위 셀로 포함하는 전지 모듈 및 이를 포함하는 전지 팩을 제공한다. 상기 전지 모듈 및 전지 팩은 고용량, 높은 율속 특성 및 사이틀 특성을 갖는 상기 이차 전지를 포함하므로, 전기자동차, 하이브리드 전기자동차, 플러그-인 하이브리드 전기자동차 및 전력 저장용 시스템으로 이루어진 군에서 선택되는 중대형 디바이스의 전원으로 이용될 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 상기 실시예는 본 기재를 예시하는 것일 뿐 본 기재의 범주 및 기술사상 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것은 당연한 것이다.
실시예 및 비교예
제조예 1: 중공형 SiO 2 입자의 준비
고분자 탬플릿으로 폴리스티렌(polystyrene) 입자 1g을 10ml의 증류수에 분산시킨 후, 이를 20ml의 에탄올 용매에 넣고 1분간 교반하였다. 이 후, 여기에 암모니아 수용액을 3ml 첨가하고 교반한 뒤, 테트라 에틸 오르소 실리케이트(TEOS) 1ml를 천천히 순차적으로 투입시켰다. 상기 용액을 4시간 동안 교반한 뒤, 입자를 분리하여 70℃에서 건조시켰다. 이 후, 상기 건조된 입자를 500℃에서 2시간 열처리하여 상기 고분자 탬플릿을 제거하였다. 이를 통해, 200nm 의 평균 입경을 가지는 중공을 둘러싸며, 50nm의 두께를 가지는 SiO2층을 포함하는 중공형 SiO2 입자(평균 입경(D50)이 300nm)를 제조하였다.
실시예 1: 음극 활물질의 제조
제조예 1에서 제조한 중공형 SiO2 입자 2g을 100ml의 물에 첨가 후 2시간 교반하여, SiO2 수용액을 제조하였다. 상기 SiO2 수용액에 10g의 NaCl을 첨가 후 1시간 교반한 뒤, 수분을 제거하여 제1 혼합물을 제조하였다. 상기 제1 혼합물에 1.9g의 Mg 파우더를 혼합한 뒤, 튜브 퍼니스(tube furnace) 내에서 Ar 분위기 하에 650℃로 3시간 동안 제1 열처리하였다. 이 과정까지 진행된 상기 제1 혼합물에 대해 X선 회절(XRD) 분석을 진행하여 도 3(도 3의 A)에 나타내었다.
이 후, 제1 열처리된 제1 혼합물을 대기 분위기에서 450℃로 5시간 제2 열처리하였다. 이 과정까지 진행된 상기 제1 혼합물에 대해 X선 회절(XRD) 분석을 진행하여 도 3(도 3의 B)에 나타내었다.
이 후, 대기 분위기에서 열처리된 상기 제1 혼합물을 다량의 물로 세척하여, 상기 NaCl을 제거하여 제2 혼합물을 제조하였다. 이 후, 상기 제2 혼합물을 10중량%의 HCl 수용액에 첨가하고, 5시간 동안 교반시킨 뒤, 상기 제2 혼합물을 다량의 물과 에탄올로 세척하고, 진공오븐에서 10시간 건조시켰다. 이를 통해, 실시예 1의 음극 활물질을 제조하였다. 상기 음극 활물질은 중공 코어부를 포함하는 쉘부를 포함하고, 상기 쉘부는 Si를 포함하는 제1 쉘부 및 상기 제1 쉘부 상에 배치되며 SiO2를 포함하는 제2 쉘부를 포함하였다. 제조된 음극 활물질은 표 1과 같은 물성을 나타내었다.
비교예 1: 음극 활물질의 제조
제조예 1에서 제조한 중공형 SiO2 입자 2g과 1.9g의 Mg 파우더를 혼합하여 혼합물을 제조한 뒤, 튜브 퍼니스(tube furnace) 내에서 Ar 분위기 하에 650℃로 3시간 제1 열처리하였다. 이 후, 제1 열처리된 혼합물을 대기 분위기에서 450℃로 5시간 제2 열처리하였다. 이 후, 상기 10중량%의 HCl 수용액에 소량씩 순차적으로 첨가하고, 5시간 동안 교반시킨 뒤, 상기 혼합물을 다량의 물과 에탄올로 세척하고, 진공오븐에서 10시간 건조시켰다. 이를 통해, 비교예 1의 음극 활물질을 제조하였다.
비교예 2: 음극 활물질의 제조
제조예 1에서 제조한 중공형 SiO2 입자 2g을 100ml의 물에 첨가 후 2시간 교반하여, SiO2 수용액을 제조하였다. 상기 SiO2 수용액에 10g의 NaCl을 첨가 후 1시간 교반한 뒤, 수분을 제거하여 제1 혼합물을 제조하였다. 상기 제1 혼합물에 4g의 Mg 파우더를 혼합한 뒤, 튜브 퍼니스(tube furnace) 내에서 Ar 분위기 하에 650℃로 3시간 제1 열처리하였다.
이 후, 제1 열처리된 제1 혼합물을 대기 분위기에서 600℃로 5시간 수차례 제2 열처리하였다. 이 후, 대기 분위기에서 열처리된 상기 제1 혼합물을 다량의 물로 세척하여, 상기 NaCl을 제거하여 음극 활물질을 제조하였다.
아울러, 상기 제조 과정에 있어서, 제1 혼합물을 대기 분위기에서 600℃로 5시간 열처리하는 상기 공정을 두 번 진행한 후의 제1 혼합물의 XRD 결과와 세 번 진행한 후의 제1 혼합물의 XRD 결과를 도 4(각각 도 4의 C, D)에 나타내었다.
비교예 3: 음극 활물질의 제조
제조예 1에서 제조한 중공형 SiO2 입자 2g을 100ml의 물에 첨가 후 2시간 교반하여, SiO2 수용액을 제조하였다. 상기 SiO2 수용액에 10g의 NaCl을 첨가 후 1시간 교반한 뒤, 수분을 제거하여 제1 혼합물을 제조하였다. 상기 제1 혼합물에 1.9g의 Mg 파우더를 혼합한 뒤, 튜브 퍼니스(tube furnace) 내에서 Ar 분위기 하에 650℃로 3시간 제1 열처리하였다. 이 후, 제1 열처리된 제1 혼합물을 대기 분위기에서 600℃로 5시간 제2 열처리하였다. 이 후, 대기 분위기에서 열처리된 상기 제1 혼합물을 다량의 물로 세척하여, 상기 NaCl을 제거하여 제2 혼합물을 제조하였다. 이 후, 상기 제2 혼합물을 10중량%의 HCl 수용액에 첨가하고, 5시간 동안 교반시킨 뒤, 상기 제2 혼합물을 다량의 물과 에탄올로 세척하고, 진공오븐에서 10시간 건조시켰다. 이를 통해, 비교예 3의 음극 활물질을 제조하였다. 상기 음극 활물질은 중공 코어부를 포함하는 Si 내부 입자 및 상기 내부 입자 표면에 배치된 SiO2 표면층을 포함한다.
쉘부의 두께
(nm)		 중공 코어부 크기(nm) 음극 활물질의 평균 입경(D50)
실시예 1 40 220 300
비교예 3 40 220 300
상기 중공 코어부의 크기, 음극 활물질의 평균 입경은 각각 TEM의 방법으로 측정되었다.
도 1은 실시예 1의 음극 활물질이며, 도 2는 비교예 1의 음극 활물질이다. 도 1을 참조하면, 실시예 1의 음극 활물질은 중공형의 입자 형태를 유지하고 있는 것을 알 수 있다. 반면, 도 2를 참조하면, 비교예 1의 음극 활물질은 중공형의 입자 형태가 아닌 것을 알 수 있다. 이를 통해, 비교예 1과 달리, 실시예 1은 음극 활물질 제조 과정에서 사용된 NaCl이 흡열제 기능을 하여, 지나친 열에 의해 음극 활물질 구조의 붕괴 및 응집을 방지할 수 있는 것을 확인할 수 있다.
도 3을 참조하면, 제2 열처리 전 제1 혼합물에서는 Mg2Si가 검출되나, 제2 열처리를 통해 Mg2Si가 제거된 것을 알 수 있다. 반면, 도 4를 참조하면, 제2 열처리를 통하더라도, Mg2Si가 여전히 검출되는 것을 알 수 있다. 즉, Mg이 지나치게 사용되는 경우(비교예 2), Mg2Si가 과량으로 생성되어 제2 열처리를 통하더라도 제거될 수 없음을 확인할 수 있다.
실시예 2: 이차 전지의 제조
(1) 음극의 제조
실시예 1의 음극 활물질 0.8g과 탄소 나노 튜브 0.1g 및 폴리아크릴로니트릴(PAN) 0.1g을 용매인 NMP에 첨가 및 혼합하여 음극 슬러리를 제조하였다. 상기 상기 음극 혼합물 슬러리를 두께가 20㎛인 음극 집전체인 구리(Cu) 금속 박막에 350mg/25cm2의 로딩으로 도포, 건조하였다. 이때 순환되는 공기의 온도는 100℃였다. 이어서, 상기 슬러리가 도포, 건조된 음극 집전체를 압연(roll press)하고 100℃의 진공 오븐에서 12시간 동안 건조시켜 음극을 제조하였다.
(2) 이차 전지의 제조
상기 음극을 각각 1.4875cm2의 원형으로 절단하여 이를 음극으로 하고, 양극은 Li-metal을 사용하였다. 상기 양극과 음극 사이에 다공성 폴리에틸렌의 분리막을 개재하고, 카보네이트계 유기 용매에 1M 농도의 LiPF6이 용해된 전해액을 주입하여 Li-metal 및 음극이 1장씩 포함된 코인 하프 전지(coin-half-cell)을 제조하였다.
비교예 4: 이차 전지의 제조
실시예 1의 음극 활물질 대신 비교예 3의 음극 활물질을 사용한 것을 제외하고, 실시예 2와 동일한 방법으로 이차 전지를 제조하였다.
시험예 1: 초기 용량 및 초기 효율 평가
실시예 2 및 비교예 4의 이차 전지 각각에 대하여, 0.1C로 충방전 한 뒤, 초기 방전 용량 및 초기 효율을 평가하여 도 5 및 표 2에 나타내었다.
초기 방전 용량(mAh/g) 초기 효율(%)
실시예 2 2430 64
비교예 4 1500 50
상기 도 5 및 표 2를 참조하면, 비교예 4는 실시예 2에 비해 초기 용량과 초기 효율이 모두 열악한 것을 알 수 있다. 비교예 4에서 사용된 음극 활물질은 제조 과정에서 600℃의 상대적으로 높은 온도에서 제2 열처리되었으므로, 과도한 산화 반응을 야기한다. 이에 따라, 제조된 음극 활물질이 SiO2를 과도하게 포함하게 되어, 비교예 4의 이차 전지의 초기 용량 및 초기 효율이 저하되는 것을 알 수 있다.

Claims (9)

  1. 중공형 SiO2 입자를 준비하는 단계;
    상기 중공형 SiO2 입자와 NaCl 입자를 혼합하여 제1 혼합물을 제조하는 단계;
    상기 제1 혼합물 내 상기 중공형 SiO2 입자를 금속 환원제를 사용하여 환원시키는 단계; 및
    환원된 상기 중공형 SiO2 입자를 대기 분위기 하에서 450℃ 내지 550℃, 및 0.5시간 내지 7시간 조건으로 열처리하는 단계를 포함하는 음극 활물질의 제조 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 금속 환원제는 금속 파우더 형태이며,
    상기 환원시키는 단계는 상기 제1 혼합물과 상기 금속 파우더를 혼합한 뒤, 열처리하는 것을 포함하며,
    상기 금속 파우더는 Mg 및 Al 중 적어도 어느 하나인 음극 활물질의 제조 방법.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 금속 파우더는 Mg이며,
    상기 환원시키는 단계에 있어서, 상기 중공형 SiO2 입자와 상기 Mg의 중량비는 1:0.8 내지 1:1.3인 음극 활물질의 제조 방법.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 환원시키는 단계에서 수행되는 상기 열처리는 500℃ 내지 800℃에서 0.5시간 내지 5시간 동안 비활성 분위기에서 수행되는 음극 활물질의 제조 방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    환원되고 열처리된 상기 중공형 SiO2 입자로부터 NaCl을 제거하는 단계를 더 포함하는 음극 활물질의 제조 방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    환원되고 열처리된 상기 중공형 SiO2 입자를 산처리하는 단계를 더 포함하는 음극 활물질의 제조 방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 중공형 SiO2 입자는,
    중공을 둘러싸며 SiO2를 포함하는 SiO2 층을 포함하며,
    상기 SiO2 층의 두께는 10nm 내지 500nm인 음극 활물질의 제조 방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 중공의 평균 입경과 상기 상기 SiO2 층의 두께의 비는 1:1 내지 40:1인 음극 활물질의 제조 방법.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 중공형 SiO2 입자의 평균 입경(D50)은 30nm 내지 21㎛인 음극 활물질의 제조 방법.
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