KR20180078139A - Chuck for exfoliating substrate and method for exfoliating thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 기판 척 및 이의 박리 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 점착 지지된 기판을 박리하는 기판 척 및 이의 박리 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
기판 처리 장치는 기판의 식각 및 합착 등과 같이 기판을 처리하기 위해 사용된다. 예를 들어, 두 기판을 합착하는 기판 처리 장치는 기판을 안정적으로 지지하기 위한 척(chuck)을 포함한다. 이러한 척은 방식에 따라 여러 종류가 있으며, 상세하게 정전력을 이용한 방식, 진공 흡착력을 이용한 방식 및 점착력을 이용한 방식 등이 사용된다.The substrate processing apparatus is used for processing the substrate such as etching and coalescing of the substrate. For example, a substrate processing apparatus for bonding two substrates includes a chuck for stably supporting the substrate. There are various kinds of chucks according to the method, and a method using electrostatic force, a method using vacuum attraction force and a method using adhesive force are used in detail.
여기서, 정전 척이나 진공 척을 사용하는 경우에는 기판을 박리하기 위해서 정전력을 차단하거나 진공을 해제하면 박리가 가능하지만 점착력을 이용한 점착 척을 사용하는 경우에는 외부로부터 제공된 물리력이 필요하다.Here, when an electrostatic chuck or a vacuum chuck is used, peeling can be performed by shutting off the electrostatic force or releasing the vacuum to peel off the substrate, but in the case of using the sticking chuck, the physical force provided from the outside is required.
한편, 점착 척을 이용한 기판 처리 장치에서 기판을 박리하는 종래의 기술은 본 출원인에 의해 출원되고 공개된 "대한민국 공개특허공보 제2011-0038995호"에 의해 개시된 바 있다.On the other hand, a conventional technique for peeling a substrate in a substrate processing apparatus using an adhesive chuck has been disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 2011-0038995 filed and filed by the present applicant.
종래의 기술인 상기 "대한민국 공개특허공보 제2011-0038995호"는 점착 척으로부터 기판을 박리하기 위해 기체의 공급 및 배출에 따라 팽창 및 수축되는 탄성막을 이용한다. 탄성막은 기체의 공급에 따라 팽창되어 기판에 접촉 가압력을 제공함으로써, 점착 척에 점착 지지된 기판은 점착 척으로부터 박리된다.The above-mentioned " Korean Unexamined Patent Publication No. 2011-0038995 ", which is a conventional technique, uses an elastic film which expands and contracts in accordance with the supply and discharge of gas for separating the substrate from the adhesive chuck. The elastic film expands according to the supply of the gas to provide the contact pressing force to the substrate, so that the substrate adhered and supported on the adhesive chuck is peeled from the adhesive chuck.
그런데, 종래의 탄성막은 단일로 마련되며, 탄성막이 중앙 영역으로부터 팽창하게 되면 중앙 영역에 압력이 집중됨에 따라 기판과 접촉된 탄성막의 중앙 영역에 의해 기판 상에 자국이 생성되는 문제점이 있다. 상세하게 엘시디(LCD; Liquid Crystal Display)에 사용되는 유리 기판과 같이 경질의 기판에서는 탄성막의 중앙 영역에 압력이 집중되어도 기판 상에 자국이 생성되지 않을 뿐만 아니라 엘시디의 구조 상 내부에 액정층이 채워지므로 자국이 형성되어도 큰 문제가 되지 않는다. 반면, 유기발광다이오드(OLED; Organic Light emitting diode)에 사용되는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET; polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN; polyethylene naphthalate), 폴리카보네이트(PC; polycarbonate), 폴리에테르술폰(PES; polyethersulfone), 폴리이미드(PI; polyimid), ActLit 등과 같은 합성수지 소재로 이루어지는 연질의 기판 상에는 탄성막의 자국이 형성될 수 있으며, 유기발광다이오드 구조는 소자의 바로 위에 기판이 위치하므로 기판 상에 남은 자국은 제품의 품질을 저하시키는 문제점이 있다.However, the conventional elastic membrane is provided singly, and when the elastic membrane expands from the central region, a pressure is concentrated in the central region, and thus a mark is formed on the substrate by the central region of the elastic membrane contacted with the substrate. In a rigid substrate such as a glass substrate used for an LCD (liquid crystal display), a pressure is concentrated on a central region of the elastic film, a mark is not formed on the substrate, and a liquid crystal layer is filled in the structure of the LCD So it is not a big problem even if the country is formed. On the other hand, in the case of organic light emitting diodes (OLEDs) such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), polyethersulfone (PES) a trace of an elastic film may be formed on a flexible substrate made of a synthetic resin material such as polyethersulfone, polyimide (PI), ActLit or the like. Since the organic light emitting diode structure has a substrate just above the device, Thereby deteriorating the quality of the product.
또한, 종래의 기술과 같이 탄성막이 중앙 영역으로부터 팽창하게 되면 기판이 박리되는 과정에서 탄성막의 볼록한 꼭짓점을 축으로 기판이 회전되어 공정 효율이 저하되는 문제점도 있다.Also, when the elastic membrane expands from the central region as in the conventional art, there is a problem that the process efficiency is lowered due to the rotation of the substrate about the convex vertex of the elastic membrane during the peeling of the substrate.
본 발명의 목적은 기판의 박리 시 다이아프램(diaphragm)과 같은 탄성막과 기판 사이에 회전 운동력이 발생되는 저지할 수 있도록 구조가 개선된 기판 척 및 이의 박리 방법도 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate chuck having an improved structure for preventing rotation force from being generated between an elastic film such as a diaphragm and a substrate during peeling of the substrate and a method for peeling thereof.
또한 본 발명의 다른 목적은 기판의 박리 시에 기판 상에 작용하는 압력을 분산시킬 수 있도록 구조가 개선된 기판 척 및 이의 박리 방법도 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate chuck having improved structure capable of dispersing a pressure acting on a substrate at the time of peeling off a substrate and a peeling method therefor.
상기 과제의 해결 수단은, 본 발명에 따라 지지부와, 상기 지지부에 배치되어 기판을 점착 지지하는 점착부와, 상기 지지부에 의해 지지되고 환형(環形)으로 팽창되어 상기 기판과의 접촉에 의해 상기 점착부로부터 상기 기판을 박리하는 탄성막을 가지며 상기 기판과 접촉되는 상기 탄성막의 환형 영역에는 돌출된 N개의 패턴이 형성된 박리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 척에 의해 이루어진다.According to a preferred embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: providing a supporting portion, an adhesive portion disposed on the supporting portion to adhere the substrate to the substrate and supporting the substrate, And a peeling portion having an elastic film for peeling the substrate from the substrate and having a protruded N pattern formed in an annular region of the elastic film in contact with the substrate.
상기 박리부에 연결되며, 상기 박리부가 상기 기판의 판면과 평행한 판면을 형성하는 이격위치와 상기 기판에 접촉되어 상기 점착부로부터 상기 기판을 박리시키는 박리위치 사이에서 팽창 및 수축 되도록 상기 박리부로 제공되는 압력을 조절하는 압력조절부를 더 포함 할 수 있다.The peeling unit is connected to the peeling unit so as to expand and contract between a separation position where the peeling unit forms a plate surface parallel to the plate surface of the substrate and a peeling position where the peeling unit contacts the substrate and peels off the substrate from the adhesive unit. And a pressure regulator for regulating the pressure to be supplied.
여기서, 상기 압력조절부로부터 상기 박리부로 제공되는 압력은 유체압을 포함 할 수 있다.Here, the pressure supplied from the pressure regulating portion to the peeling portion may include fluid pressure.
상기 탄성막은 상기 박리위치에서 상기 기판과 환형의 단면으로 접촉되는 박리 영역을 가지며 상기 박리 영역에는 상기 N개의 패턴이 방사형으로 돌출 형성되어 있을 수 있다.The elastic membrane may have a peeling region contacting the substrate at an annular cross section at the peeling position, and the N patterns may protrude radially from the peeling region.
방사형으로 돌출 형성된 상기 N개의 패턴은 상기 박리위치에서 상기 기판과 접촉되어 상기 점착부로부터 상기 기판을 박리하는 가압력을 제공 할 수 있다.The N patterns radially protruding may contact the substrate at the peeling position to provide a pressing force for peeling the substrate from the adherend.
또한, 상기 박리부는 상기 지지부에 지지되고 상기 탄성막의 중앙 영역과 테두리부를 각각 구속하여 상기 박리위치와 상기 이격위치 사이에서 상기 탄성막을 환형으로의 형상 변형을 안내하는 탄성막지지체를 더 포함 할 수 있다.The peeling section may further include an elastic cladding member supported by the support section and restraining a central region and a rim portion of the elastic film to guide an annular shape change of the elastic film between the peeling position and the separation position .
상기 탄성막은 탄성재질의 막 구조로 마련되어 환형으로 형상 변형되는 베이스와, 상기 베이스의 중앙 영역으로부터 돌출되어 상기 탄성막지지체에 구속되는 포스트(post)와, 상기 베이스의 테두리 영역으로부터 연장되어 상기 탄성막지지체에 구속되는 사이드 월(side wall)을 포함 할 수 있다.Wherein the elastic membrane comprises a base which is formed in a film structure of an elastic material and is deformed in an annular shape, a post protruded from a central region of the base and restrained to the elastic membrane retention support, And a side wall constrained to the lag.
상기 베이스에는 상기 N개의 패턴이 형성된 상기 박리 영역이 형성되어 있을 수 있다.And the base may have the peeling area formed with the N patterns.
상기 박리 영역을 갖는 상기 베이스와 상기 압력조절부는 상호 연통될 수 있다.The base having the peeling area and the pressure regulating part can communicate with each other.
상기 박리 영역은 상기 베이스가 상기 박리위치에서 환형의 형상을 가질 때, N개의 상기 패턴은 상기 점착부로부터 상기 기판의 박리 시 상기 기판의 회전 운동을 저지 할 수 있다.When the base has an annular shape at the peeling position, the N pieces of the pattern can prevent rotational movement of the substrate upon peeling of the substrate from the peeling area.
상기 압력조절부는 상기 탄성막지지체에 관통 배치되어 상기 탄성막으로 제공되는 유체압의 유로를 형성하는 복수 개의 연통관과, 상기 연통관에 연결되며 외부로부터 상기 연통관으로 공급되는 유체압을 유로를 형성하는 조절관, 상기 연통관과 상기 조절관 사이에 배치되어 상기 조절관을 통해 공급 및 배기되는 유체압을 복수 개의 상기 연통관으로 분배시키는 버퍼챔버를 포함할 수 있다.The pressure regulator includes a plurality of communicating tubes disposed in the elastic membrane retentive member to form a fluid pressure passage provided in the elastic membrane, and a pressure regulating member connected to the communicating pipe, And a buffer chamber disposed between the communicating tube and the adjusting tube and distributing the fluid pressure supplied and exhausted through the adjusting tube to the plurality of communicating tubes.
또한, 상기 압력조절부는 상기 포스트에 관통 형성되는 중앙 연통부와, 상기 탄성막지지체 형성되며 상기 중앙 연통부에 연통되는 중앙 조절부와, 상기 중앙 조절부에 연결되어 상기 버퍼챔버에 연결되는 상기 조절관 및 상기 중앙 연통부의 내부 압력을 조절하는 보조 조절부와, 상기 중앙 조절부에 연결되어 대기압이 유입되는 유로를 형성하는 흡기부를 더 포함 할 수 있다.In addition, the pressure regulator may include a central communicating part formed through the post, a central regulating part formed with the resilient closure and communicating with the central communicating part, and a control part connected to the central regulating part, An auxiliary regulating portion for regulating the internal pressure of the pipe and the central communicating portion and an intake portion connected to the central regulating portion to form a flow path for the atmospheric pressure.
상기 버퍼챔버는 상기 연통관과 상기 조절관 사이의 압력 변화에 따른 완충 역할 할 수 있다.The buffer chamber may serve as a buffer for the pressure change between the communicating tube and the control tube.
한편, 상기 과제의 해결 수단은, 본 발명에 따라 기판을 점착 지지하는 점착부와, 방사형으로 돌출된 N개의 패턴이 형성된 박리부를 갖는 기판 척을 포함하고, 상기 박리부에 압력을 공급하는 단계와, 상기 박리부가 환형으로 팽창되며 방사형으로 돌출된 N개의 패턴이 상기 점착부에 점착 지지된 상기 기판에 접촉하는 단계와, 상기 점착부로부터 상기 기판을 박리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 척의 박리 방법에 의해서도 이루어진다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a step of applying a pressure to the peeling section, the peeling section including an adhesive portion for sticking and supporting a substrate according to the present invention; and a substrate chuck having a peeling portion formed with N patterns radially projecting thereon, , Wherein said peeling portion is annularly expanded and radially projecting N patterns are brought into contact with said substrate which is adhered and held on said adhesive portion, and peeling off said substrate from said adhesive portion But also by a peeling method.
여기서, 방사형으로 돌출된 상기 N개의 패턴은 상기 기판과의 접촉 영역에 배치될 수 있다.Here, the N patterns protruding radially may be arranged in a contact area with the substrate.
기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.
본 발명에 따른 기판 척 및 이의 박리 방법의 효과들은 다음과 같다.The effects of the substrate chuck and the peeling method according to the present invention are as follows.
첫째, 기판과 접촉되는 환형으로 형상 변형된 탄성막의 접촉 영역에 돌출 형성된 N개의 패턴을 형성하여 점착부로부터 기판의 박리 시 탄성막의 접촉 영역에 대해 기판이 회전 운동되는 것을 저지할 수 있으므로, 제품의 공정효율을 향상시킬 수 있다.First, since N patterns protruding from the contact area of the annular shape-deformed elastic film in contact with the substrate can be formed to prevent the substrate from rotating with respect to the contact area of the elastic film when peeling off the substrate from the adhesive part, The process efficiency can be improved.
둘째, 기판의 제공되는 압력을 분산시켜 탄성막과 기판의 접촉 영역에 자국이 형성되는 것을 방지할 수 있으므로, 제품의 품질을 향상시킬 수 있다.Second, it is possible to prevent the marks from being formed in the contact area between the elastic membrane and the substrate by dispersing the pressure of the substrate, thereby improving the quality of the product.
도 1은 본 발명의 제 1실시 예에 따른 기판 척을 포함한 기판 처리 장치의 일부 단면도,
도 2는 도 1에 도시된 기판 척의 단면 사시도,
도 3은 본 발명의 제 1실시 예에 따른 기판 척을 포함한 기판 처리 장치의 일부 제 1작동 단면도,
도 4는 본 발명의 제 1실시 예에 따른 기판 척을 포함한 기판 처리 장치의 일부 제 2작동 단면도,
도 5는 본 발명의 제 1실시 예에 따른 기판 척의 탄성막과 N개의 패턴이 배치된 제 1평면도,
도 6은 본 발명의 제 1실시 예에 따른 기판 척의 탄성막과 N개의 패턴이 배치된 제 2평면도,
도 7은 본 발명의 제 1실시 예에 따른 기판 척의 탄성막과 N개의 패턴이 배치된 제 3평면도,
도 8은 본 발명의 제 2실시 예에 따른 기판 척을 포함한 기판 처리 장치의 일부 단면도,
도 9는 도 8에 도시된 기판 척의 단면 사시도,
도 10은 본 발명의 제 2실시 예에 따른 기판 척을 포함한 기판 처리 장치의 제 1작동 단면도,
도 11은 본 발명의 제 2실시 예에 따른 기판 척을 포함한 기판 처리 장치의 제 2작동 단면도,
도 12는 본 발명의 제 2실시 예에 따른 기판 척의 탄성막과 N개의 패턴이 배치된 제 1평면도,
도 13은 본 발명의 제 2실시 예에 따른 기판 척의 탄성막과 N개의 패턴이 배치된 제 2평면도,
도 14는 본 발명의 제 2실시 예에 따른 기판 척의 탄성막과 N개의 패턴이 배치된 제 3평면도,
도 15는 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 척의 박리 방법에 대한 흐름도이다.1 is a partial sectional view of a substrate processing apparatus including a substrate chuck according to a first embodiment of the present invention,
FIG. 2 is a cross-sectional perspective view of the substrate chuck shown in FIG. 1,
3 is a partial first operating sectional view of a substrate processing apparatus including a substrate chuck according to the first embodiment of the present invention,
4 is a partial second operational cross-sectional view of a substrate processing apparatus including a substrate chuck according to the first embodiment of the present invention;
5 is a first plan view in which an elastic film and N patterns of a substrate chuck according to the first embodiment of the present invention are arranged,
6 is a second plan view in which an elastic film and N patterns of a substrate chuck according to the first embodiment of the present invention are arranged,
7 is a third plan view in which an elastic film of the substrate chuck and N patterns are arranged according to the first embodiment of the present invention,
8 is a partial sectional view of a substrate processing apparatus including a substrate chuck according to a second embodiment of the present invention,
FIG. 9 is a cross-sectional perspective view of the substrate chuck shown in FIG. 8,
10 is a first operational cross-sectional view of a substrate processing apparatus including a substrate chuck according to a second embodiment of the present invention,
11 is a second operational cross-sectional view of a substrate processing apparatus including a substrate chuck according to a second embodiment of the present invention,
12 is a first plan view in which an elastic film of a substrate chuck and N patterns are arranged according to a second embodiment of the present invention,
13 is a second plan view in which an elastic film of the substrate chuck and N patterns are arranged according to the second embodiment of the present invention,
14 is a third plan view in which an elastic film and N patterns of a substrate chuck according to a second embodiment of the present invention are disposed,
15 is a flowchart of a method of peeling off a substrate chuck according to embodiments of the present invention.
이하, 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 척 및 이의 박리 방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a substrate chuck and a peeling method thereof according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
설명하기에 앞서, 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 척은 기판 처리 장치의 포함된 구성 요소임을 미리 밝혀둔다. 그리고, 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 척으로부터 박리되는 기판은 엘시디 공정용 기판 및 유기발광다이오드 공정용 기판을 모두 포함할 수 있음을 미리 밝혀둔다.Before describing, it is to be noted that the substrate chuck according to the embodiments of the present invention is an included component of the substrate processing apparatus. It is to be noted that the substrate to be peeled off from the substrate chuck according to the embodiments of the present invention may include both the substrate for the LCD process and the substrate for the organic light emitting diode process.
또한, 본 발명의 제 1 및 제 2실시 예에 따른 기판 처리 장치는 동일한 구성 요소에 대해서 동일한 도면 부호로 기재하였음도 미리 밝혀둔다.It should be noted that the substrate processing apparatuses according to the first and second embodiments of the present invention are described with the same reference numerals for the same constituent elements.
<제 1실시 예>≪
도 1은 본 발명의 제 1실시 예에 따른 기판 척을 포함한 기판 처리 장치의 일부 단면도, 도 2는 도 1에 도시된 기판 척의 단면 사시도, 도 3은 본 발명의 제 1실시 예에 따른 기판 척을 포함한 기판 처리 장치의 일부 제 1작동 단면도, 그리고 도 4는 본 발명의 제 1실시 예에 따른 기판 척을 포함한 기판 처리 장치의 일부 제 2작동 단면도이다.1 is a cross-sectional perspective view of a substrate chuck shown in Fig. 1, Fig. 3 is a cross-sectional view of a substrate chuck according to a first embodiment of the present invention, Fig. And FIG. 4 is a second, partially operational, cross-sectional view of a substrate processing apparatus including a substrate chuck in accordance with a first embodiment of the present invention.
도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는 정반(3), 실링부재(5) 및 본 발명의 실시 예에 따른 기판 척(10)을 포함한다.1 to 4, the
정반(3)은 기판(S) 및 기판 척(10)을 지지하도록 마련된다. 실링부재(5)는 정반(3)과 기판 척(10) 사이의 실링, 상세하게 설명하면 후술할 탄성막지지체(520)와 정반(3) 사이에 배치된 버퍼챔버(750)의 기밀을 유지하기 위해 배치된다.The base (3) is provided to support the substrate (S) and the substrate chuck (10). The sealing
본 발명의 제 1실시 예에 따른 기판 척(10)은 지지부(100), 점착부(300) 및 박리부(500)를 포함한다. 또한, 본 발명의 제 1실시 예에 따른 기판 척(10)은 압력조절부(700)를 더 포함한다.The substrate chuck 10 according to the first embodiment of the present invention includes a
지지부(100)는 기판(S)을 향하는 정반(3)의 일면에 설치된다. 지지부(100)에는 정반(3)의 일면으로부터 노출되어 기판(S)을 지지하기 위한 지지면이 형성되어 있다. 지지부(100)에는 박리부(500)를 지지하기 위한 설치 영역이 형성되어 있다. 이러한 설치 영역은 계단과 같은 단턱을 가지고 있음으로써 중력 방향으로 박리부(500)가 이탈되는 것을 저지함과 함께 박리부(500)를 견고하게 지지한다.The supporting
점착부(300)는 지지부(100)의 지지면에 배치되어 기판(S)을 점착 지지한다. 점착부(300)는 다양한 기판 처리 장치(1)에서 사용되고 공지된 기술임에 따라 이하에서 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
다음으로 도 5는 본 발명의 제 1실시 예에 따른 기판 척의 탄성막과 N개의 패턴이 배치된 제 1평면도, 도 6은 본 발명의 제 1실시 예에 따른 기판 척의 탄성막과 N개의 패턴이 배치된 제 2평면도, 그리고 도 7은 본 발명의 제 1실시 예에 따른 기판 척의 탄성막과 N개의 패턴이 배치된 제 3평면도이다.5 is a first plan view in which an elastic membrane and N patterns of the substrate chuck according to the first embodiment of the present invention are arranged, FIG. 6 is a view showing an elastic membrane of the substrate chuck according to the first embodiment of the present invention and N patterns And FIG. 7 is a third plan view in which an elastic film and N patterns of the substrate chuck according to the first embodiment of the present invention are disposed.
박리부(500)는 지지부(100)에 의해 지지되고 공급 및 배출되는 압력에 따라 기판(S)과 접촉하여 점착부(300)로부터 기판(S)을 박리시킨다. 본 발명의 일 실시 예로서, 박리부(500)는 탄성막지지체(520) 및 탄성막(540)을 포함한다.The
탄성막지지체(520)는 지지부(100)에 지지되고 탄성막(540)의 중앙 영역과 테두리 영역을 각각 구속한다. 탄성막지지체(520)는 탄성막(540)이 기판(S)의 판면과 평행한 판면을 형성하는 이격위치와 기판(S)에 접촉되어 점착부(300)로부터 기판(S)을 박리시키는 박리위치 사이에서 탄성막(540)이 형상 변형되도록 탄성막(540)을 지지한다.The elastic
탄성막(540)은 환형(環形)으로 팽창되어 기판(S)과의 접촉에 의해 점착부(300)로부터 기판(S)을 박리한다. 즉, 탄성막(540)은 도 4에 도시된 바와 같이, 압력조절부(700)로부터 공급된 압력에 의해 팽창되어 환형으로 형상 변형된다. 탄성막(540)은 박리위치에서 환형으로 팽창되고 박리위치로부터 이격위치로 수축된다. 탄성막(540)은 박리위치에서 기판(S)과 환형의 단면으로 접촉되는 박리 영역(E)을 갖는다. 박리 영역(E)에는 N개의 패턴(P)이 방사형으로 돌출 형성되어 있다. 본 발명의 일 실시 예로서, 탄성막(540)은 베이스(542), 포스트(post)(544) 및 사이드 월(side wall)(546)을 포함한다.The
베이스(542)는 탄성 재질의 막 구조로 마련된다. 베이스(542)는 압력조절부(700)에 의해 조절되는 압력에 따라 팽창 및 수축되어 점착부(300)로부터 기판(S)을 박리시키는 박리 영역(E) 및 방사형으로 돌출 형성된 N개의 패턴(P)을 포함한다. 즉, 베이스(542)는 압력조절부(700)로부터 공급되는 압력에 따라 환형으로 팽창되고, 환형으로 팽창된 베이스(542)는 박리 영역(E)이 된다.The
박리 영역(E)은 압력조절부(700)와 연통되어 압력조절부(700)로부터 제공된 압력을 공급 받거나 공급된 압력이 해제되는 영역이다. 탄성막(500)의 포스트(544)와 사이드 월(546)은 탄성막지지체(520)에 의해 구속되고 베이스(542)는 압력 조절에 따라 팽창 및 수축된다. 박리 영역(E)은 포스트(544)와 사이드 월(546)이 탄성막지지체(520)에 의해 구속됨에 따라 압력 공급 시 팽창되어 환형으로 형상 변형되는 영역이다. 압력조절부(700)로부터 제공된 압력에 의해 베이스(542)에는 환형의 박리 영역(E)이 형성되고, 환형의 박리 영역(E)은 기판(S)에 대해 가압력을 분산 제공함으로써 점착부(300)로부터 기판(S)의 박리 시 자국을 형성하지 않는 장점이 있다.The peeling area E is an area communicated with the
한편, 기판(S)과 직접적으로 접촉되는 박리 영역(E)에는 N개의 패턴(P)이 형성된다. N개의 패턴(P)은 박리 영역(E)에 대해 방사형으로 돌출 형성된다. 즉, 실질적으로 박리 영역(E)과 기판(S)의 접촉 시 방사형으로 돌출 형성된 N개의 패턴(P)이 기판(S)과 접촉되어 기판(S)과 박리 영역(E) 사이에서 발생될 수 있는 기판(S)의 회전 운동력을 감소할 수 있다.On the other hand, N patterns P are formed in the peeling area E that is in direct contact with the substrate S. The N patterns P are formed radially protruding from the peeling area E. That is, the N patterns P radially protruding from the substrate S in contact with the peeling area E can be generated between the substrate S and the peeling area E by contacting the substrate S It is possible to reduce the rotational force of the substrate S.
상세하게 환형의 박리 영역(E)은 기판(S)과의 박리 시 자국을 형성하지 않으나, N개의 패턴(P)이 배치되지 않을 때 면 접촉에 의해 기판(S)의 회전 운동을 허용할 수 있다. 반면, 박리 영역(E)에 형성된 N개의 패턴(P)은 기판(S)과의 박리 시 자국을 형성하지 않을 뿐 아니라 기판(S)의 판면에 대해 각각 점 접촉함에 따라 기판(S)이 회전 운동되는 것을 저지할 수 있다.The annular peeling area E in detail does not form a mark when peeling off the substrate S but allows the rotation of the substrate S by surface contact when the N patterns P are not disposed have. On the other hand, the N patterns P formed in the peeling area E not only do not form a mark when peeling off the substrate S, but also cause point S contact of the substrate S with respect to the plate surface of the substrate S, It can prevent the movement.
한편, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 박리 영역(E)에 방사형으로 돌출 형성되는 N개의 패턴(P)은 다른 형상을 가질 수 있다. 즉, 본 발명의 제 2 및 제 3평면도의 N개의 패턴(P)은 박리 영역(E)에 일정 간격을 두고 원주 방향을 따라 배치되는 개수가 달라질 수 있다. 물론, N개의 패턴(P) 배치 형상도 달라질 수도 있고, 이에 한정되지 않고 다양한 패턴(P)으로 배치될 수 있다.On the other hand, as shown in Figs. 6 and 7, the N patterns P radially protruding from the exfoliation region E may have different shapes. That is, the number of N patterns P in the second and third plan views of the present invention may be varied in the circumferential direction at regular intervals in the peeling area E. Of course, the arrangement pattern of the N patterns (P) may be different or may be arranged in various patterns (P) without being limited thereto.
포스트(544)는 베이스(542)의 중앙 영역으로부터 돌출되어 탄성막지지체(520)에 구속된다. 사이드 월(546)은 베이스(542)의 테두리 영역으로부터 연장되어 탄성막지지체(520)에 구속된다. 이러한 포스트(544)와 사이드 월(546)이 탄성막지지체(520)에 구속됨에 따라 판재 형상의 베이스(542)에는 환형의 박리 영역(E)이 형성된다.The
압력조절부(700)는 박리부(500)에 연결되며 박리부(500)가 기판(S)의 판면과 평행한 판면을 형성하는 이격위치와 기판(S)에 접촉되어 점착부(300)로부터 기판(S)을 박리시키는 박리위치 사이에서 팽창 및 수축될 수 있도록 박리부(500)로 제공되는 압력을 조절한다. 상세하게 압력조절부(700)는 탄성막(540) 내부의 압력을 조절한다. 압력조절부(700)는 탄성막(540) 내부의 압력을 조절하기 위해 유체압을 사용한다. 본 발명의 일 실시 예로서, 압력조절부(700)는 탄성막(540) 내부의 압력을 조절하기 위해 기체를 사용한다. 보다 상세하게 압력조절부(700)는 점착부(300)에 지지된 기판(S)을 박리 하기 위해 탄성막(540) 내부로 기체를 공급하여 탄성막(540)이 지지부(100)의 지지면에 대해 외측으로 돌출되도록 한다. 압력조절부(700)는 점착부(300)에 기판(S)을 점착 지지시키기 위해 탄성막(540) 내부의 기체를 흡입하여 탄성막(540)이 지지부(100)의 지지면 내측에 위치되도록 한다. 본 발명의 압력조절부(700)는 연통관(710), 조절관(730) 및 버퍼챔버(750)를 포함한다.The
연통관(710)은 탄성막지지체(520)에 관통되어 탄성막(540)의 중앙부와 테두리부의 사이에 배치된다. 연통관(710)은 박리 영역(E)이 형성되는 베이스(542)와 연통되도록 복수 개로 배치된다. 조절관(730)은 연통관(710)에 연결되고 외부로부터 압력, 즉 기체가 공급되는 공급로 및 탄성막(540)으로부터 기체가 배기되는 배기로를 형성한다. 여기서, 조절관(730)과 연통관(710) 사이에는 버퍼챔버(750)가 형성된다. 버퍼챔버(750)는 조절관(730)을 통해 공급 및 배기되는 기체가 연통관(710)으로 분배되도록 하며, 연통관(710)을 통한 탄성막(540) 내부 압력의 급변에 따른 충격을 완충시키는 역할을 한다.The communicating
<제 2실시 예>≪ Embodiment 2 >
도 8은 본 발명의 제 2실시 예에 따른 기판 척을 포함한 기판 처리 장치의 일부 단면도, 도 9는 도 8에 도시된 기판 척의 단면 사시도, 도 10은 본 발명의 제 2실시 예에 따른 기판 척을 포함한 기판 처리 장치의 제 1작동 단면도, 그리고 도 11은 본 발명의 제 2실시 예에 따른 기판 척을 포함한 기판 처리 장치의 제 2작동 단면도이다.FIG. 8 is a partial cross-sectional view of a substrate processing apparatus including a substrate chuck according to a second embodiment of the present invention, FIG. 9 is a sectional perspective view of the substrate chuck shown in FIG. 8, And Fig. 11 is a second operational cross-sectional view of a substrate processing apparatus including a substrate chuck according to a second embodiment of the present invention.
본 발명의 제 2실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)는 도 8 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 정반(3), 실링부재(5) 및 기판 척(10)을 포함한다. 여기서, 정반(3) 및 실링부재는 (5)는 본 발명의 제 1실시 예의 정반(3) 및 실링부재(5)와 동일하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.A
본 발명의 제 2실시 예에 따른 기판 척(10)은 지지부(100), 점착부(300) 및 박리부(500)를 포함한다. 또한, 본 발명의 제 2실시 예에 따른 기판 척은 압력조절부(700)를 더 포함한다.The
지지부(100) 및 점착부(300)는 상술한 본 발명의 제 1실시 예의 지지부(100) 및 점착부(300)와 동일한 구성이므로 상세한 설명은 생략한다.The supporting
다음으로 도 12는 본 발명의 제 2실시 예에 따른 기판 척의 탄성막과 N개의 패턴이 배치된 제 1평면도, 도 13은 본 발명의 제 2실시 예에 따른 기판 척의 탄성막과 N개의 패턴이 배치된 제 2평면도, 그리고 도 14는 본 발명의 제 2실시 예에 따른 기판 척의 탄성막과 N개의 패턴이 배치된 제 3평면도이다.12 is a first plan view in which an elastic membrane and N patterns of a substrate chuck according to a second embodiment of the present invention are arranged, FIG. 13 is a cross-sectional view of an elastic membrane of the substrate chuck according to the second embodiment of the present invention, And FIG. 14 is a third plan view in which N elastic patterns and N patterns of the substrate chuck according to the second embodiment of the present invention are disposed.
박리부(500)는 지지부(100)에 의해 지지되고 공급 및 배출되는 압력에 따라 기판(S)과 접촉하여 점착부(300)로부터 기판(S)을 박리시킨다. 본 발명의 일 실시 예로서, 박리부(500)는 탄성막지지체(520) 및 탄성막(540)을 포함한다.The
탄성막지지체(520)는 지지부(100)에 지지되고 탄성막(540)의 중앙 영역과 테두리 영역을 각각 구속한다. 탄성막지지체(520)는 탄성막(540)이 기판(S)의 판면과 평행한 판면을 형성하는 이격위치와 기판(S)에 접촉되어 점착부(300)로부터 기판(S)을 박리시키는 박리위치 사이에서 탄성막(540)이 형상 변형되도록 탄성막(540)을 지지한다.The elastic
탄성막(540)은 환형(環形)으로 팽창되어 기판(S)과의 접촉에 의해 점착부(300)로부터 기판(S)을 박리한다. 즉, 탄성막(540)은 압력조절부(700)로부터 공급된 압력에 의해 팽창되어 환형으로 형상 변형된다. 탄성막(540)은 공급 및 배출되는 압력에 의해 박리위치에서 환형으로 팽창되고 박리위치로부터 이격위치로 수축된다. 탄성막(540)은 박리위치에서 기판(S)과 환형의 단면으로 접촉되는 박리 영역(E)을 갖는다. 박리 영역(E)에는 N개의 패턴(P)이 방사형으로 돌출 형성되어 있다. 본 발명의 일 실시 예로서, 탄성막(540)은 베이스(542), 포스트(post)(544) 및 사이드 월(side wall)(546)을 포함한다.The
베이스(542) 및 사이드 월(546)은 본 발명의 제 1실시 예와 동일하다. 그러나, 본 발명의 제 2실시 예의 포스트(544)는 본 발명의 제 1실시 예의 포스트(544)와 달리 내부가 중공된다. 즉, 포스트(544)의 내부는 후술할 압력조절부(700)의 중앙 연통부(760)에 의해 중공이 형성된다. 본 발명의 제 2실시 예의 포스트(544)는 사이드 월(546)과 같이 탄성막지지체(520)에 지지된다.The
박리 영역(E)은 압력조절부(700)와 연통되어 압력조절부(700)로부터 제공된 압력을 공급 받거나 공급된 압력이 해제되는 영역이다. 박리 영역(E)은 포스트(544)와 사이드 월(546)이 탄성막지지체(520)에 의해 구속됨에 따라 압력의 공급 시 팽창되어 환형으로 형상 변형되는 영역이다. 박리 영역(E)는 본 발명의 제 1실시 예에서 설명한 박리 영역(E)과 동일한 역할을 수행한다.The peeling area E is an area communicated with the
한편, 도 12 내 도 14에 도시된 바와 같이, 박리 영역(E)에 방사형으로 돌출 형성되는 N개의 패턴(P)은 다른 형상을 가질 수 있다. 여기서, 본 발명의 제 2실시 예의 탄성막(540)은 도 5 내지 도 7의 본 발명의 제 1실시 예의 탄성막(540)과 달리 중앙 영역이 중공되어 있다. 즉, 본 발명의 제 2실시 예의 탄성막(540)의 중앙 영역에는 중앙 연통부(760)가 형성된다.On the other hand, as shown in Fig. 14 in Fig. 12, the N patterns P radially protruding from the exfoliation region E may have different shapes. Here, unlike the
압력조절부(700)는 박리부(500)에 연결되며 박리부(500)가 기판(S)의 판면과 평행한 판면을 형성하는 이격위치와 기판(S)에 접촉되어 점착부(300)로부터 기판(S)을 박리시키는 박리위치 사이에서 팽창 및 수축될 수 있도록 박리부(500)로 제공되는 압력을 조절한다. 압력조절부(700)는 연통관(710), 조절관(730) 및 버퍼챔버(750)를 포함한다. 그리고, 본 발명의 제 2실시 예의 압력조절부(700)는 중앙 연통부(760), 중앙 조절부(770), 보조 조절부(780) 및 흡기부(790)를 더 포함한다. 여기서, 연통관(710), 조절관(730) 및 버퍼챔버(750)은 본 발명의 제 1실시 예와 동일하므로 생략하기로 한다.The
중앙 연통부(760)는 포스트(544)에 관통 형성된다. 중앙 조절부(770)는 탄성막지지체(520)에 형성되고 중앙 연통부(760)에 연통된다. 그리고, 보조 조절부(780)는 중앙 조절부(770)에 연결되어 버퍼챔버(750)에 연결되는 조절관(730) 및 중앙 연통부(760)의 내부 압력을 조절한다. 흡기부(790)는 중앙 조절부(770)에 연결되어 대기압이 유입되는 유로를 형성한다.The
중앙 조절부(770)는 보조 조절부(780)에 연결되고, 조절관(730)에 의해 기판(S)과 탄성막(540) 사이로 기체가 공급되어 기판(S)과 탄성막(540) 사이의 진공을 파괴하는 것으로 설명하고 있다. 다른 실시 예로, 흡기부(790)는 기판(S)의 박리 시 대기압을 유입시킨다면 보조 조절부(780)의 구성은 생략되어도 좋다.The
마지막으로 도 15는 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 척의 박리 방법에 대한 흐름도이다.15 is a flowchart of a method of peeling off a substrate chuck according to embodiments of the present invention.
우선, 기판(S)을 정반(3)에 지지하기 위하여 기판(S)이 로딩되면 압력조절부(700)는 탄성막(540)의 내부 압력을 부압으로 만든다. 즉, 압력조절부(700)는 탄성막(540) 내부의 기체를 흡입한다. 정반(3)의 승강 구동 또는 기판(S)의 승강 구동에 의해 기판(S)이 점착부(300)에 접촉되면, 기판(S)은 점착부(300)에 점착 지지된다.First, when the substrate S is loaded in order to support the substrate S on the
이와 같이 기판이 점착부(300)에 지지되면, 기판(S)의 합착과 같은 기판(S)에 대한 공정 처리 또는 처리가 종료된 기판(S)을 언로딩 하기 위해 박리부(500)는 점착부(300)에 점착지지된 기판(S)을 점착면으로부터 박리시킨다.When the substrate is supported on the adhered
압력조절부(700)를 이용하여 박리부(500)에 압력을 공급한다(S10). 본 발명의 제 1실시 예에서는 외부로부터 조절관(730)을 통해 압력, 즉 기체를 공급하면 버퍼챔버(750)로 유입된 기체는 복수 개의 연통관(710)을 통해 박리부(500)로 공급된다. 반면, 본 발명의 제 2실시 예에서는 조절관(730)을 통해 유입되는 기체 및 중앙 조절부(770)를 통해 중앙 연통부(760)로 공급되는 기체는 환형으로 탄성막(540)을 팽창시키고, 기판(S)과의 접촉면 사이에서 형성될 수 있는 진공압을 해제시킬 수 있다.A pressure is supplied to the
그러면 상술한 본 발명의 제 1 및 제 2실시 예와 같이 탄성막(540) 내부로 공급된 기체에 의해 탄성막(540) 내부의 압력이 상승되고 탄성막(540)은 환형으로 팽창하여 기판(S)과 접촉한다(S30).The pressure inside the
S30 단계에서 탄성막(540)의 환형 팽창에 의해 점착부(300)로부터 기판(S)은 박리된다(S50). 여기서, 본 발명의 제 1 및 제 2실시 예의 탄성막(540)의 박리 영역(E)에는 N개의 패턴이 형성되어 있다. 환형으로 팽창된 탄성막(540)과 방사형으로 돌출 형성된 N개의 패턴(P)은 압력을 분산시켜 기판(S)에 자국이 남는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 점착부(300)와 기판(S)의 박리 시 기판(S)이 상대 회전되는 것을 방지할 수 있다.In step S30, the substrate S is peeled from the adhesive 300 by the annular expansion of the elastic film 540 (S50). Here, N patterns are formed in the peeling area E of the
이에, 기판과 접촉되는 환형으로 형상 변형된 탄성막의 접촉 영역에 돌출 형성된 N개의 패턴을 형성하여 점착부로부터 기판의 박리 시 탄성막의 접촉 영역에 대해 기판이 회전 운동되는 것을 저지할 수 있으므로, 제품의 공정효율을 향상시킬 수 있다.In this case, since N patterns protruding from the contact area of the annularly deformed elastic film in contact with the substrate can be formed, it is possible to prevent the substrate from rotating with respect to the contact area of the elastic film when peeling off the substrate from the adhesive part, The process efficiency can be improved.
또한, 기판의 박리를 위해 제공되는 압력을 분산시켜 탄성막과 기판의 접촉 영역에 자국이 형성되는 것을 방지할 수 있으므로, 제품의 품질을 향상시킬 수 있다.Further, it is possible to prevent the marks from being formed in the contact area between the elastic membrane and the substrate by dispersing the pressure provided for peeling the substrate, thereby improving the quality of the product.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징들이 변경되지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것으로 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, . Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.
10: 기판 척
100: 지지부
300: 점착부
500: 박리부
520: 탄성막지지체
540: 탄성막
542: 베이스
544: 포스트
546: 사이드 월
700: 압력조절부
E: 박리 영역
P: 패턴10: Substrate chuck 100: Support
300: adhesive portion 500: peeling portion
520: Elastic closure retarder 540: Elastic membrane
542: Base 544: Post
546: side wall 700: pressure regulating portion
E: peeling area P: pattern
Claims (15)
상기 지지부에 배치되어, 기판을 점착 지지하는 점착부와;
상기 지지부에 의해 지지되고, 환형(環形)으로 팽창되어 상기 기판과의 접촉에 의해 상기 점착부로부터 상기 기판을 박리하는 탄성막을 가지며 상기 기판과 접촉되는 상기 탄성막의 환형 영역에는 돌출된 N개의 패턴이 형성된 박리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 척.
A support;
An adhesive portion disposed on the support portion for adhering and supporting the substrate;
And an annular region of the elastic membrane which is supported by the support portion and has an elastic film which is annularly expanded and peeled off the substrate from the adhesive portion by contact with the substrate, And a peeling portion formed on the substrate.
상기 박리부에 연결되며, 상기 박리부가 상기 기판의 판면과 평행한 판면을 형성하는 이격위치와 상기 기판에 접촉되어 상기 점착부로부터 상기 기판을 박리시키는 박리위치 사이에서 팽창 및 수축 되도록 상기 박리부로 제공되는 압력을 조절하는 압력조절부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 척.
The method according to claim 1,
The peeling unit is connected to the peeling unit so as to expand and contract between a separation position where the peeling unit forms a plate surface parallel to the plate surface of the substrate and a peeling position where the peeling unit contacts the substrate and peels off the substrate from the adhesive unit. And a pressure regulating portion for regulating a pressure applied to the substrate chuck.
상기 압력조절부로부터 상기 박리부로 제공되는 압력은 유체압을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 척.
3. The method of claim 2,
Wherein the pressure provided from the pressure regulating portion to the peeling portion includes fluid pressure.
상기 탄성막은 상기 박리위치에서 상기 기판과 환형의 단면으로 접촉되는 박리 영역을 가지며,
상기 박리 영역에는 상기 N개의 패턴이 방사형으로 돌출 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 척.
The method of claim 3,
Wherein the elastic film has a peeling area in an annular cross section in contact with the substrate at the peeling position,
And the N patterns are radially protruded from the peeling area.
방사형으로 돌출 형성된 상기 N개의 패턴은 상기 박리위치에서 상기 기판과 접촉되어, 상기 점착부로부터 상기 기판을 박리하는 가압력을 제공하는 것을 특징으로 하는 기판 척.
5. The method of claim 4,
Wherein the N radially projecting patterns contact the substrate at the peeling position to provide a pressing force for peeling the substrate from the adherend.
상기 박리부는,
상기 지지부에 지지되고 상기 탄성막의 중앙 영역과 테두리부를 각각 구속하여, 상기 박리위치와 상기 이격위치 사이에서 상기 탄성막을 환형으로의 형상 변형을 안내하는 탄성막지지체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 척.
The method according to claim 4 or 5,
The peeling section
Further comprising an elastic film carrier supported by the support and restricting a center region and a rim portion of the elastic film to guide the shape deformation of the elastic film in an annular shape between the peeling position and the spacing position, .
상기 탄성막은,
탄성재질의 막 구조로 마련되어 환형으로 형상 변형되는 베이스와;
상기 베이스의 중앙 영역으로부터 돌출되어 상기 탄성막지지체에 구속되는 포스트(post)와;
상기 베이스의 테두리 영역으로부터 연장되어, 상기 탄성막지지체에 구속되는 사이드 월(side wall)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 척.
The method according to claim 6,
The elastic membrane
A base provided with a film structure of an elastic material and deformed into an annular shape;
A post projecting from a central region of the base and being constrained to the elastic closure;
And a sidewall extending from an edge region of the base and being constrained to the resilient cladding.
상기 베이스에는 상기 N개의 패턴이 형성된 상기 박리 영역이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 척.
8. The method of claim 7,
Wherein the base is provided with the peeling area in which the N patterns are formed.
상기 박리 영역을 갖는 상기 베이스와 상기 압력조절부는 상호 연통되는 것을 특징으로 하는 기판 척.
8. The method of claim 7,
Wherein the base having the peeling area and the pressure regulating part are in communication with each other.
상기 박리 영역은 상기 베이스가 상기 박리위치에서 환형의 형상을 가질 때, N개의 상기 패턴은 상기 점착부로부터 상기 기판의 박리 시 상기 기판의 회전 운동을 저지하는 것을 특징으로 하는 기판 척.
8. The method of claim 7,
Wherein when the base has an annular shape at the peeling position, the N pieces of the pattern inhibit rotational movement of the substrate upon peeling of the substrate from the peeling area.
상기 압력조절부는,
상기 탄성막지지체에 관통 배치되어, 상기 탄성막으로 제공되는 유체압의 유로를 형성하는 복수 개의 연통관과;
상기 연통관에 연결되며, 외부로부터 상기 연통관으로 공급되는 유체압의 유로를 형성하는 조절관과;
상기 연통관과 상기 조절관 사이에 배치되어, 상기 조절관을 통해 공급 및 배기되는 유체압을 복수 개의 상기 연통관으로 분배시키는 버퍼챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 척.
8. The method of claim 7,
The pressure regulator may include:
A plurality of communicating tubes disposed in the elastic membrane retentive member to form a fluid pressure passage provided in the elastic membrane;
An adjusting tube connected to the communicating tube and forming a fluid pressure passage supplied from the outside to the communicating tube;
And a buffer chamber disposed between the communicating tube and the regulating tube for distributing the fluid pressure supplied and exhausted through the regulating tube to the plurality of communicating tubes.
상기 압력조절부는,
상기 포스트에 관통 형성되는 중앙 연통부와;
상기 탄성막지지체 형성되며, 상기 중앙 연통부에 연통되는 중앙 조절부와;
상기 중앙 조절부에 연결되어, 상기 버퍼챔버에 연결되는 상기 조절관 및 상기 중앙 연통부의 내부 압력을 조절하는 보조 조절부와;
상기 중앙 조절부에 연결되어, 대기압이 유입되는 유로를 형성하는 흡기부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 척.
12. The method of claim 11,
The pressure regulator may include:
A central communicating portion formed through the post;
A central regulating part formed in the elastic cover and communicating with the central communicating part;
An auxiliary regulator connected to the central regulator for regulating an internal pressure of the regulator and the central communicating part connected to the buffer chamber;
Further comprising an intake part connected to the central control part to form a flow path through which the atmospheric pressure is introduced.
상기 버퍼챔버는 상기 연통관과 상기 조절관 사이의 압력 변화에 따른 완충 역할하는 것을 특징으로 하는 기판 척.
12. The method of claim 11,
Wherein the buffer chamber serves as a buffer for the pressure change between the communicating tube and the control tube.
상기 박리부에 압력을 공급하는 단계와;
상기 박리부가 환형으로 팽창되며, 방사형으로 돌출된 N개의 패턴이 상기 점착부에 점착 지지된 상기 기판에 접촉하는 단계와;
상기 점착부로부터 상기 기판을 박리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 척의 박리 방법.
A substrate chuck having a sticking portion for sticking and supporting the substrate and a peeling portion in which N patterns protruding radially are formed,
Supplying pressure to the peeling section;
Wherein the peeling portion is annularly expanded, and N radially projecting patterns are contacted to the substrate adhered to the adhesive portion;
And peeling off the substrate from the adhesive portion.
방사형으로 돌출된 상기 N개의 패턴은 상기 기판과의 접촉 영역에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 척의 박리 방법.15. The method of claim 14,
Wherein the N radially projecting patterns are disposed in contact areas with the substrate.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160182823 | 2016-12-29 | ||
KR20160182823 | 2016-12-29 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180078139A true KR20180078139A (en) | 2018-07-09 |
Family
ID=62919316
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170166795A KR20180078139A (en) | 2016-12-29 | 2017-12-06 | Chuck for exfoliating substrate and method for exfoliating thereof |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20180078139A (en) |
CN (1) | CN208208796U (en) |
-
2017
- 2017-12-06 KR KR1020170166795A patent/KR20180078139A/en not_active Application Discontinuation
- 2017-12-28 CN CN201721880947.1U patent/CN208208796U/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN208208796U (en) | 2018-12-07 |
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