KR20180074949A - 표시장치 및 그 구동방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 다수의 구동프레임 동안 제n게이트전압1, 제n게이트전압2 및 데이터전압을 생성하는 구동부와, 다수의 구동프레임 동안 제n게이트전압1, 제n게이트전압2 및 데이터전압을 이용하여 문턱전압을 저장하고, 다수의 프레임 이후의 다수의 유지프레임 동안 데이터전압과 문턱전압의 합을 이용하여 영상을 표시하는 표시패널을 포함하고, 다수의 구동프레임 중 하나의 구동프레임의 상기 문턱전압의 저장을 위한 샘플링구간은 다수의 구동프레임 중 나머지 구동프레임 중 적어도 하나의 샘플링구간보다 짧은 표시장치를 제공하는데, 최초의 구동프레임의 샘플링 구간의 길이를 나머지 구동프레임의 샘플링 구간의 길이와 상이하게 설정함으로써, 현재의 문턱전압 감지에 대한 정확성이 개선되고, 다수의 구동프레임의 개수가 감소하여 영상의 표시품질이 개선됨과 동시에 소비전력이 절감된다.

Description

표시장치 및 그 구동방법 {Display Device And Method Of Driving The Same}
본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 저주파 구동 시 다수의 구동프레임을 포함하는 표시장치 및 그 구동방법에 관한 것이다.
근래, 사회가 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 대량의 정보를 처리 및 표시하는 디스플레이 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 여러 가지 다양한 표시장치가 개발되어 각광받고 있는데, 표시장치의 예로는 액정표시장치(liquid crystal display device: LCD device), 플라즈마 표시장치(plasma display panel device: PDP device), 유기발광다이오드 표시장치(organic light emitting diode device: OLED device) 등을 들 수 있다.
이들 표시장치 중에서, 유기발광다이오드 표시장치는 높은 휘도, 낮은 구동전압, 자체 발광형, 짧은 응답시간, 넓은 시야각, 저온 동작 및 간단한 공정 등의 장점이 있어서 널리 연구 개발되고 있다.
일반적으로, 표시장치는 외부의 시스템으로부터 60Hz의 주파수로 클럭을 인가받게 되고, 이 주파수에 따라 동작하게 된다.
이와 같은 경우에, 동영상과 같이 프레임간 계조의 변화가 큰 영상뿐만 아니라 정지영상과 같이 프레임간 계조의 변화가 크지 않은 영상에 대해서도 실질적으로 동일한 구동 주파수로 표시장치가 동작하게 되므로, 전력 소모가 상당하다.
이를 개선하기 위해, 프레임간 계조의 변화가 상대적으로 큰 영상은 입력주파수 또는 입력주파수보다 큰 주파수로 구동하고, 프레임간 계조의 변화가 상대적으로 작은 영상은 입력주파수보다 낮은 저주파수로 표시장치를 구동하여, 소비 전력을 절감하는 소위 가변 리프레쉬 레이트(variable refresh rate: VRR) 구동방식이 제안되었다.
가변 리프레쉬 레이트 구동방식은 산화물 반도체를 사용한 박막트랜지스터와 같이 오프전류(off current) 특성이 우수한 경우에 더 효과적으로 적용될 수 있다.
이러한 표시장치의 구동방법에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 종래의 표시장치의 저주파 구동 시의 게이트전압1 및 데이터전압을 도시한 도면이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 1Hz의 주파수로 구동되는 종래의 표시장치에서는, 1초를 구성하는 제1 내지 제60프레임(F1 내지 F60) 중 제1프레임(F1)에서, 표시패널의 제n수평라인에 대응되는 제n게이트전압1(Vgal(n))은 하이레벨을 갖고, 표시패널의 화소에 데이터전압(Vda)이 인가되고, 제2 내지 제60프레임(F2 내지 F60)에서, 제n게이트전압1(Vga1(n))은 로우레벨을 갖고, 표시패널의 화소는 스토리지 커패시터에 저장된 데이터전압(Vda)을 이용하여 동일한 영상을 지속적으로 표시한다.
즉, 구동프레임인 제1프레임(F1) 동안 구동부가 동작하여 하이레벨의 제n게이트전압1(Vgal(n))과 데이터전압(Vda)을 출력하고 출력된 하이레벨의 제n게이트전압1(Vgal(n))과 데이터전압(Vda)이 표시패널에 공급된다. 그 후에 유지프레임인 제2 내지 제60프레임(F2 내지 F60) 동안 구동부가 동작을 중지하여 하이레벨의 제n게이트전압1(Vgal(n))과 데이터전압(Vda)을 출력하지 않고 하이레벨의 제n게이트전압1(Vgal(n))과 데이터전압(Vda)이 표시패널에 공급되지 않게 된다. 그 결과 표시장치의 소비전력을 절감할 수 있다.
한편, 유기발광다이오드 표시장치에서는 발광다이오드가 발광하여 계조를 표시하는 상대적으로 긴 시간 동안 데이터전압이 게이트에 인가되어 구동 박막트랜지스터가 지속적으로 턴-온 된 상태를 유지하는데, 이러한 장시간 턴-온 동작에 의하여 구동 박막트랜지스터는 열화(deterioration) 될 수 있다.
즉, 동일한 극성의 데이터전압이 구동 박막트랜지스터의 게이트에 장시간 인가(gate bias stress)되어 구동 박막트랜지스터의 게이트와 게이트절연층 사이의 계면특성을 악화시키고, 그 결과 구동 박막트랜지스터의 문턱전압(threshold voltage: Vth)이 변하고, 발광다이오드가 발광하는 빛의 계조가 변하여 영상의 표시품질이 저하된다.
구동 박막트랜지스터의 문턱전압 변동을 보상하기 위하여, 현재의 문턱전압을 스토리지 커패시터에 저장하여 데이터전압에 합산하는 내부보상 화소구조가 제안되었다.
이러한 내부보상 화소구조에서는 현재의 문턱전압을 감지하기 위한 샘플링 구간이 필요한데, 1Hz의 주파수로 구동되는 종래의 유기발광다이오드 표시장치에서는 제1프레임(F1)에서만 제n게이트전압1(Vgal(n))과 데이터전압(Vda)이 공급되므로, 제1프레임(F1)의 샘플링 구간 동안 현재의 문턱전압을 감지하여야 한다.
그러나, 문턱전압 변동량이 상대적으로 큰 경우에는 1회의 샘플링 구간만으로는 현재의 문턱전압을 정확히 감지하지 못하여 문턱전압 변동에 대한 충분한 보상이 이루어지지 않는 문제가 있으며, 그 결과 영상이 어둡거나 흐릿하게 보이는 불량이 발생하여 영상의 표시품질이 저하되는 문제가 있다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 제시된 것으로, 저주파 구동 시 초기의 다수의 구동프레임 각각의 샘플링 구간 동안 문턱전압을 감지함으로써, 현재의 문턱전압 감지에 대한 정확성이 개선되어 문턱전압 변동이 충분히 보상되고, 어둡거나 흐린 영상이 최소화되어 영상의 표시품질이 개선되는 표시장치 및 그 구동방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
그리고, 본 발명은, 저주파 구동 시 초기의 다수의 구동프레임 중 하나 구동프레임의 샘플링 구간의 길이를 나머지 구동프레임의 샘플링 구간의 길이와 상이하게 설정함으로써, 현재의 문턱전압 감지에 대한 정확성이 개선되고, 다수의 구동프레임의 개수가 감소하여 영상의 표시품질이 개선됨과 동시에 소비전력이 절감되는 표시장치 및 그 구동방법을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명은, 다수의 구동프레임 동안 제n게이트전압1, 제n게이트전압2 및 데이터전압을 생성하는 구동부와, 상기 다수의 구동프레임 동안 상기 제n게이트전압1, 상기 제n게이트전압2 및 상기 데이터전압을 이용하여 문턱전압을 저장하고, 상기 다수의 구동프레임 이후의 다수의 유지프레임 동안 상기 데이터전압과 상기 문턱전압의 합을 이용하여 영상을 표시하는 표시패널을 포함하고, 상기 다수의 구동프레임 중 하나의 구동프레임의 상기 문턱전압의 저장을 위한 샘플링구간은 상기 다수의 구동프레임 중 나머지 구동프레임 중 적어도 하나의 샘플링구간보다 짧은 표시장치를 제공한다.
그리고, 상기 구동부는 제n에미션전압 및 제(n-1)에미션전압을 생성하고, 상기 표시패널은 상기 문턱전압의 감지에 상기 제n에미션전압 및 상기 제(n-1)에미션전압을 이용할 수 있다.
또한, 상기 다수의 구동프레임 중 하나의 구동프레임은 상기 다수의 구동프레임 중 최초의 구동프레임일 수 있다.
그리고, 상기 표시패널은, 상기 제n게이트전압1에 따라 스위칭 되고 초기화전압이 인가되는 제1박막트랜지스터와, 상기 제n게이트전압1에 따라 스위칭 되는 제2박막트랜지스터와, 상기 제n에미션전압에 따라 스위칭 되고 고전위전압이 인가되는 제3박막트랜지스터와, 상기 제(n-1)에미션전압에 따라 스위칭 되는 제4박막트랜지스터와, 상기 제n게이트전압2에 따라 스위칭 되고 상기 데이터전압이 인가되는 스위칭 박막트랜지스터와, 상기 제2 내지 제4박막트랜지스터에 연결되는 구동 박막트랜지스터와, 상기 제1박막트랜지스터와 상기 구동 박막트랜지스터에 연결되는 스토리지 커패시터와, 상기 제4박막트랜지스터에 연결되고, 저전위전압이 인가되는 발광부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 다수의 구동프레임 중 최초의 구동프레임은, 상기 스토리지 커패시터를 초기화 하기 위한 제1초기화구간, 상기 문턱전압을 감지하기 위한 제1샘플링구간 및 상기 발광부를 발광시키기 위한 제1에미션구간을 포함하고, 상기 다수의 구동프레임 중 나머지 구동프레임 중 적어도 하나는, 상기 스토리지 커패시터를 초기화 하기 위한 제2초기화구간, 상기 문턱전압을 감지하기 위한 제2샘플링구간 및 상기 발광부를 발광시키기 위한 제2에미션구간을 포함할 수 있다.
그리고, 상기 제n게이트전압1은 상기 제1초기화구간 및 상기 제1샘플링구간과 상기 제2초기화구간 및 상기 제2샘플링구간에서 제1하이레벨구간 동안 하이레벨을 갖고, 상기 제n게이트전압2는, 상기 제1샘플링구간에서 제2하이레벨구간 동안 하이레벨을 갖고, 상기 제2샘플링구간에서 상기 제2하이레벨구간 보다 긴 제3하이레벨구간 동안 하이레벨을 가질 수 있다.
또한, 상기 제2하이레벨구간은 상기 제3하이레벨구간의 10% ~ 40%일 수 있다.
한편, 본 발명은, 다수의 구동프레임 동안 제n게이트전압1, 제n게이트전압2 및 데이터전압을 생성하는 단계와, 상기 다수의 구동프레임 동안 상기 제n게이트전압1, 상기 제n게이트전압2 및 상기 데이터전압을 이용하여 문턱전압을 감지하는 단계와, 상기 다수의 프레임 이후의 다수의 유지프레임 동안 상기 데이터전압과 상기 문턱전압의 합을 이용하여 영상을 표시하는 단계를 포함하고, 상기 다수의 구동프레임 중 하나의 구동프레임의 샘플링구간은 상기 다수의 구동프레임 중 나머지 구동프레임 중 적어도 하나의 샘플링구간보다 짧은 표시장치의 구동방법을 제공한다.
그리고, 상기 제n게이트전압1, 상기 제n게이트전압2 및 상기 데이터전압을 생성하는 단계는 제n에미션전압 및 제(n-1)에미션전압을 생성하는 단계를 포함하고, 상기 문턱전압을 감지하는 단계는 상기 제n에미션전압 및 상기 제(n-1)에미션전압을 이용하여 상기 문턱전압을 감지하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 다수의 구동프레임 중 하나의 구동프레임은 상기 다수의 구동프레임 중 최초의 구동프레임일 수 있다.
그리고, 상기 다수의 구동프레임 중 최초의 구동프레임은, 스토리지 커패시터를 초기화 하기 위한 제1초기화구간, 상기 문턱전압을 감지하기 위한 제1샘플링구간 및 상기 발광부를 발광시키기 위한 제1에미션구간을 포함하고, 상기 다수의 구동프레임 중 나머지 구동프레임 중 적어도 하나는, 상기 스토리지 커패시터를 초기화 하기 위한 제2초기화구간, 상기 문턱전압을 감지하기 위한 제2샘플링구간 및 발광부를 발광시키기 위한 제2에미션구간을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제n게이트전압1은 상기 제1초기화구간 및 상기 제1샘플링구간과 상기 제2초기화구간 및 상기 제2샘플링구간에서 제1하이레벨구간 동안 하이레벨을 갖고, 상기 제n게이트전압2는, 상기 제1샘플링구간에서 제2하이레벨구간 동안 하이레벨을 갖고, 상기 제2샘플링구간에서 상기 제2하이레벨구간 보다 긴 제3하이레벨구간 동안 하이레벨을 가질 수 있다.
그리고, 상기 제2하이레벨구간은 상기 제3하이레벨구간의 10% ~ 40%일 수 있다.
본 발명은, 저주파 구동 시 초기의 다수의 구동프레임 각각의 샘플링 구간 동안 문턱전압을 감지함으로써, 현재의 문턱전압 감지에 대한 정확성이 개선되어 문턱전압 변동이 충분히 보상되고, 어둡거나 흐린 영상이 최소화되어 영상의 표시품질이 개선되는 효과를 갖는다.
그리고, 본 발명은, 저주파 구동 시 초기의 다수의 구동프레임 중 최초의 구동프레임의 샘플링 구간의 길이를 나머지 구동프레임의 샘플링 구간의 길이와 상이하게 설정함으로써, 현재의 문턱전압 감지에 대한 정확성이 개선되고, 다수의 구동프레임의 개수가 감소하여 영상의 표시품질이 개선됨과 동시에 소비전력이 절감되는 효과를 갖는다.
도 1은 종래의 표시장치의 저주파 구동 시의 게이트전압1 및 데이터전압을 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 하나의 화소를 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 저주파 구동 시의 게이트전압1 및 데이터전압을 도시한 도면.
도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 하나의 구동프레임의 다수의 전압을 도시한 도면.
도 6a 내지 도 6c는 각각 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 하나의 구동프레임의 초기화구간, 샘플링구간 및 에미션구간의 화소의 동작상태를 도시한 도면.
도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 저주파 구동 시의 게이트전압1 및 데이터전압을 도시한 도면.
도 8a는 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 최초 구동프레임의 다수의 전압을 도시한 도면.
도 8b는 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 최초 이외의 하나의 구동프레임의 다수의 전압을 도시한 도면.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명에 따른 표시장치 및 그 구동방법을 설명하는데, 유기발광다이오드 표시장치를 예로 들어 설명한다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 도면이고, 도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 하나의 화소를 도시한 도면이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)는, 타이밍제어부(120), 데이터구동부(130) 및 게이트구동부(140)의 구동부와 표시패널(150)을 포함한다.
타이밍제어부(120)는, 그래픽카드 또는 TV시스템과 같은 외부시스템으로부터 전달되는 영상신호(IS)와 데이터인에이블신호(DE), 수평동기신호(HSY), 수직동기신호(VSY), 클럭(CLK) 등의 다수의 타이밍신호를 이용하여, 게이트제어신호(GCS), 데이터제어신호(DCS) 및 영상데이터(RGB)를 생성하고, 생성된 데이터제어신호(DCS) 및 영상데이터(RGB)는 데이터구동부(130)에 공급하고, 생성된 게이트제어신호(GCS)는 게이트구동부(140)에 공급한다.
데이터구동부(130)는, 타이밍제어부(120)로부터 공급되는 데이터제어신호(DCS) 및 영상데이터(RGB)를 이용하여 데이터전압을 생성하고, 생성된 데이터전압을 표시패널(150)의 데이터배선(DL)에 공급한다.
게이트구동부(140)는, 타이밍제어부(120)로부터 공급되는 게이트제어신호(GCS)를 이용하여 게이트전압1, 게이트전압2 및 에미션전압을 생성하고, 생성된 게이트전압1, 게이트전압2 및 에미션전압을 각각 표시패널(150)의 게이트배선1(GL1), 게이트배선2(GL2) 및 에미션배선(EL)에 공급한다.
표시패널(150)은, 게이트전압1, 게이트전압2, 에미션전압 및 데이터전압을 이용하여 영상을 표시하는데, 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트배선1(GL1), 게이트배선2(GL2), 에미션배선(EL) 및 데이터배선(DL)과, 각각이 게이트배선1(GL1), 게이트배선2(GL2), 에미션배선(EL) 및 데이터배선(DL)에 연결되는 다수의 화소(P)를 포함한다.
게이트배선1(GL1) 및 게이트배선2(GL2)을 통하여 각각 게이트전압1 및 게이트전압2가 각 화소(P)에 공급되고, 에미션배선(EL)을 통하여 에미션전압이 각 화소(P)에 공급되고, 데이터배선(DL)을 통하여 데이터전압이 각 화소(P)에 공급된다.
도시하지는 않았지만, 표시패널(150)은 고전위전압(Vdd)을 전달하는 파워배선과 초기화전압(Vin)을 전달하는 초기화배선을 더 포함할 수 있다.
다수의 화소(P)는 동일한 구조를 가지므로, n번째 수평라인에 배치되는 화소(P)를 예로 들어 설명한다.
도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)의 표시패널(150)의 하나의 화소(P)는, 스위칭 박막트랜지스터(Ts), 구동 박막트랜지스터(Td), 제1 내지 제4박막트랜지스터(T1 내지 T4), 발광다이오드(De) 및 스토리지 커패시터(Cs)를 포함한다.
스위칭 박막트랜지스터(Ts)는 제n게이트배선2(GL2(n))의 제n게이트전압2(Vga2(n))에 따라 스위칭(턴-온(turn-on) 또는 턴-오프(turn-off)) 되는데, 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 게이트, 소스 및 드레인은 각각 제n게이트배선2(GL2(n)), 데이터배선(DL) 및 구동 박막트랜지스터(Td)의 소스(s)에 연결된다.
구동 박막트랜지스터(Td)는 스토리지 커패시터(Cs)의 제1전극의 전압에 따라 스위칭 되는데, 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트(g), 소스(s) 및 드레인(d)은 각각 스토리지 커패시터(Cs)의 제1전극, 제4박막트랜지스터(T4)의 드레인 및 제3박막트랜지스터(T3)의 소스에 연결된다.
제1박막트랜지스터(T1)는 제n게이트전압1(Vga1(n))에 따라 스위칭 되는데, 제1박막트랜지스터(T1)의 게이트, 소스 및 드레인은 각각 제n게이트배선1(GL1(n)), 초기화배선(미도시) 및 스토리지 커패시터(Cs)의 제2전극에 연결된다.
제2박막트랜지스터(T2)는 제n게이트전압1(Vga1(n))에 따라 스위칭 되는데, 제2박막트랜지스터(T2)의 게이트, 소스 및 드레인은 각각 제n게이트배선1(GL1(n)), 구동 박막트랜지스터(Td)의 드레인(d) 및 스토리지 커패시터(Cs)의 제1전극에 연결된다.
제3박막트랜지스터(T3)는 제n에미션전압(Vem(n))에 따라 스위칭 되는데, 제3박막트랜지스터(T3)의 게이트, 소스 및 드레인은 각각 제n에미션배선(EL(n)), 구동 박막트랜지스터(Td)의 드레인(d) 및 파워배선(미도시)에 연결된다.
제4박막트랜지스터(T4)는 제(n-1)에미션전압(Vem(n-1))에 따라 스위칭 되는데, 제4박막트랜지스터(T4)의 게이트, 소스 및 드레인은 각각 제(n-1)에미션배선(EL(n-1)), 스토리지 커패시터(Cs)의 제2전극 및 구동 박막트랜지스터(Td)의 소스(s)에 연결된다.
발광다이오드(De)의 양극(anode)은 제4박막트랜지스터(T4)의 소스에 연결되고, 발광다이오드(De)의 음극(cathode)은 저전위전압(Vss)에 연결된다.
스토리지 커패시터(Cs)의 제1전극은 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트(g)에 연결되고, 스토리지 커패시터(Cs)의 제2전극은 초기화배선에 연결된다.
예를 들어, 제n게이트전압1(Vga1(n))은 제1 및 제2박막트랜지스터(T1, T2)를 턴-온 및 턴-오프 하는 하이레벨 및 로우레벨을 갖고, 제n게이트전압2(Vga2(n))은 스위칭 박막트랜지스터(Ts)를 턴-온 및 턴-오프 하는 하이레벨 및 로우레벨을 갖고, 제n에미션전압(Vem(n))은 제3박막트랜지스터(T3)를 턴-온 및 턴-오프 하는 하이레벨 및 로우레벨을 갖고, 제(n-1)에미션전압(Vem(n-1))은 제4박막트랜지스터(T4)를 턴-온 및 턴-오프 하는 하이레벨 및 로우레벨을 갖고, 초기화전압(Vin)은 스토리지 커패시터(Cs)의 제2전극의 초기값을 일정하게 유지하는 전압일 수 있다.
이러한 유기발광다이오드 표시장치(110)의 저주파 구동방법 및 문턱전압 감지방법을 도면을 참조하여 설명한다.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 저주파 구동 시의 게이트전압1 및 데이터전압을 도시한 도면이고, 도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 하나의 구동프레임의 다수의 전압을 도시한 도면이고, 도 6a 내지 도 6c는 각각 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 하나의 구동프레임의 초기화구간, 샘플링구간 및 에미션구간의 화소의 동작상태를 도시한 도면으로, 도 2 및 도 3을 함께 참조하여 설명한다.
도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)가 저주파수로 구동될 경우, 1초를 구성하는 제1 내지 제60프레임(F1 내지 F60) 중 제1 내지 제r프레임(F1 내지 F(r))(r은 60보다 작은 자연수)에서, 표시패널(150)의 제n게이트배선1(GL1(n))에 인가되는 제n게이트전압1(Vgal(n))은 하이레벨을 갖고, 표시패널(150)의 데이터배선(DL)에 데이터전압(Vda)이 인가되고, 제(r+1) 내지 제60프레임(F(r+1) 내지 F60)에서, 제n게이트전압1(Vga1(n))은 로우레벨을 갖고, 표시패널(150)의 화소(P)는 스토리지 커패시터(Cs)에 저장된 데이터전압(Vda)과 문턱전압(Vth)의 합(Vdata+Vth)을 이용하여 동일한 영상을 지속적으로 표시한다.
즉, 구동프레임인 제1 내지 제r프레임(F1 내지 F(r)) 동안 타이밍제어부(120), 데이터구동부(130) 및 게이트구동부(140)가 동작하여 하이레벨의 제n게이트전압1(Vgal(n)) 및 데이터전압(Vda)이 출력된다. 출력된 하이레벨의 제n게이트전압1(Vgal(n)) 및 데이터전압(Vda)이 표시패널(150)의 제n게이트배선1(GL1(n)) 및 데이터배선(DL)에 공급된다. 그리고, 유지프레임인 제(r+1) 내지 제60프레임(F(r+1) 내지 F60) 동안 타이밍제어부(120), 데이터구동부(130) 및 게이트구동부(140)는 동작을 중지한다. 이 때, 데이터구동부(130) 및 게이트구동부(140)는 로우레벨의 제n게이트전압1(Vgal(n))을 출력하고 로우레벨의 제n게이트전압1(Vgal(n))이 표시패널(150)의 제n게이트배선1(GL1(n))에 공급된다. 그 결과 유기발광다이오드 표시장치(110)의 소비전력을 절감할 수 있다.
그리고, 구동프레임인 제1 내지 제r프레임(F1 내지 F(r)) 동안 문턱전압(Vth)을 감지하므로, 현재의 문턱전압(Vth)을 정확하게 검출할 수 있다.
여기서, r은 현재의 문턱전압(Vth)을 정확하게 검출할 수 있는 최소의 프레임 수로 결정되며, 예를 들어, r은 5, 6, 7 중 하나일 수 있다.
도 5에 도시한 바와 같이, 구동프레임인 제1프레임(F1)은 스토리지 커패시터(Cs) 등을 초기화 하기 위한 초기화구간(ITP), 문턱전압(Vth)을 감지하기 위한 샘플링구간(STP) 및 발광다이오드(De)의 발광을 위한 에미션구간(ETP)으로 구성된다.
여기서, 구동프레임인 제2 내지 제r프레임(F2 내지 F(r))도 제1프레임(F1)과 동일하게 구동되는데, 제1 내지 제r프레임(F1 내지 F(r))의 샘플링구간(STP)의 길이는 서로 동일하며, 특히 제1 내지 제r프레임(F1 내지 F(r))에서 제n게이트전압1(Vga1(n))의 제1하이레벨구간(HL1)의 길이는 서로 동일하고, 제n게이트전압2(Vga2(n))의 제2하이레벨구간(HL2)의 길이는 서로 동일하다.
예를 들어, 제2하이레벨구간(HL2)은 제1하이레벨구간(HL1)의 약 40% ~ 약 70%일 수 있다.
도 5 및 도 6a에 도시한 바와 같이, 초기화구간(ITP) 동안 로우레벨의 제n게이트전압2(Vga2(n)) 및 제(n-1)에미션전압(Vem(n-1))에 의하여 스위칭 박막트랜지스터(Ts) 및 제4박막트랜지스터(T4)는 턴-오프 되고, 하이레벨의 제n게이트전압1(Vga1(n)) 및 제n에미션전압(Vem(n))에 의하여 제1박막트랜지스터(T1), 제2박막트랜지스터(T2) 및 제3박막트랜지스터(T3)는 턴-온 된다.
이에 따라, 스토리지 커패시터(Cs)의 제2전극과 발광다이오드(De)의 양극의 전압은 초기화전압(Vin)이 되고, 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트(g) 및 드레인(d)의 전압(Vg, Vd)은 고전위전압(Vdd)이 되고, 구동 박막트랜지스터(Td)의 소스(s)의 전압(Vs)은 고전위전압(Vdd)과 구동 박막트랜지스터(Td)의 문턱전압(Vth)의 차(Vdd-Vth)가 될 수 있다.
도 5 및 도 6b에 도시한 바와 같이, 샘플링구간(STP) 동안 로우레벨의 제n에미션전압(Vem(n))및 제(n-1)에미션전압(Vem(n-1))에 의하여 제3박막트랜지스터(T3) 및 제4박막트랜지스터(T4)는 턴-오프 되고, 하이레벨의 제n게이트전압1(Vga1(n)) 및 제n게이트전압2(Vga2(n))에 의하여 스위칭 박막트랜지스터(Ts), 제1박막트랜지스터(T1) 및 제2박막트랜지스터(T2)는 턴-온 된다.
이에 따라, 스토리지 커패시터(Cs)의 제2전극의 전압과 발광다이오드(De)의 양극의 전압은 초기화전압(Vin)이 되고, 구동 박막트랜지스터(Td)의 소스(s)의 전압(Vs)은 데이터전압(Vda)이 되는데, 이때 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트(g)의 전압(Vg)인 고전위전압(Vdd)에 의하여 구동 박막트랜지스터(Td)가 턴-온 되어, 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트(g)로부터 구동 박막트랜지스터(Td)의 드레인(d)을 통하여 구동 박막트랜지스터(Td)의 소스(s)로 전류가 흐르게 된다.
이러한 전류의 흐름에 의하여 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트(g) 및 드레인(d)의 전압(Vg, Vd)은 점점 감소하는데, 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트(g)의 전압(Vg)이 데이터전압(Vda)과 문턱전압(Vth)의 합(Vda+Vth)이 되면 구동 박막트랜지스터(Td)가 턴-오프 되어 전류의 흐름이 차단되고, 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트(g)의 전압(Vg)인 데이터전압(Vda)과 문턱전압(Vth)의 합(Vda+Vth)은 스토리지 커패시터(Cs)에 저장된다.
한편, 샘플링구간(STP)의 뒷부분에서는 제(n-1)에미션전압(Vem(n-1))이 하이레벨이 되어 제4박막트랜지스터(T4)가 턴-온 되고, 구동 박막트랜지스터(Td)의 소스(s)의 전압(Vs)은 초기화전압(Vin)이 된다.
도 5 및 도 6c에 도시한 바와 같이, 에미션구간(ETP) 동안 로우레벨의 제n게이트전압1(Vga1(n)) 및 제n게이트전압2(Vga2(n))에 의하여 스위칭 박막트랜지스터(Ts), 제1박막트랜지스터(T1) 및 제2박막트랜지스터(T2)는 턴-오프 되고, 하이레벨의 제n에미션전압(Vem(n)) 및 제(n-1)에미션전압(Vem(n-1))에 의하여 제3박막트랜지스터(T3) 및 제4박막트랜지스터(T4)는 턴-온 된다.
그리고, 구동 박막트랜지스터(Td)는 데이터전압(Vda)과 문턱전압(Vth)의 합(Vda+Vth)에 의하여 데이터전압(Vda)에 대응되도록 턴-온 된다.
이에 따라, 고전위전압(Vdd)을 전원으로 하여 데이터전압(Vda)에 대응되는 전류가 구동 박막트랜지스터(Td)를 흐르고 이 전류는 제4박막트랜지스터(T4)를 통과하여 발광다이오드(De)에 인가되어 발광다이오드(De)가 데이터전압(Vda)에 대응되는 휘도의 빛을 발광한다.
구체적으로, 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트(g)의 전압(Vg)이 데이터전압(Vda)과 문턱전압(Vth)의 합(Vda+Vth)이고, 구동 박막트랜지스터(Td)의 소스(s)의 전압(Vs)이 초기화전압(Vin)이므로, 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트(g) 및 소스(s)의 전압차(Vgs)는 데이터전압(Vda)과 문턱전압(Vth)의 합(Vda+Vth)에서 초기화전압(Vin)을 뺀 값(Vda+Vth-Vin)이 되고, 구동 박막트랜지스터(Td)의 온 전류(Ion)는 데이터전압(Vda)과 초기화전압(Vin)의 차(Vda-Vin)의 제곱에 비례한다.
즉, 구동 박막트랜지스터(Td)를 통과하여 발광다이오드(De)에 공급되는 전류는 문턱전압(Vth)과 무관한 값이 되므로, 유기발광다이오드 표시장치(110)는 문턱전압(Vth) 변동을 보상하여 균일한 휘도의 영상을 표시할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)에서는, 저주파 구동 시 초기의 다수의 구동프레임 동안 게이트전압1(Vga1), 게이트전압2(Vga2), 에미션전압(Vem), 데이터전압(Vda)을 표시패널(150)의 화소(P)에 공급하고, 다수의 구동프레임의 샘플링구간(STP) 동안 현재의 문턱전압(Vth)의 감지를 반복 수행한 후 데이터전압(Vda)과 문턱전압(Vth)의 합(Vda+Vth)을 스토리지 커패시터(Cs)에 저장하고, 나머지 다수의 유지프레임 동안 스토리지 커패시터(Cs)에 저장된 데이터전압(Vda)과 문턱전압(Vth)의 합(Vda+Vth)으로 구동 박막트랜지스터(Td)를 스위칭 하여 영상을 표시한다.
즉, 1초를 구성하는 60개의 프레임 중 다수의 구동프레임(F1 내지 F(r)) 동안 타이밍제어부(120), 데이터구동부(130) 및 게이트구동부(140)가 동작하여 문턱전압(Vth)을 감지하고, 나머지 다수의 유지프레임(F(r+1) 내지 F60) 동안 타이밍제어부(120), 데이터구동부(130) 및 게이트구동부(140)가 동작을 중지한 상태에서 영상을 표시함으로써, 소비전력이 절감된다.
그리고, 하나의 구동프레임 대신 다수의 구동프레임을 이용하여 문턱전압(Vth)을 감지함으로써, 현재의 문턱전압(Vth) 감지에 대한 정확성이 개선되고 어둡거나 흐린 영상이 방지되어 영상의 표시품질이 개선된다.
그런데, 구동 박막트랜지스터(Td)의 문턱전압(Vth)은 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트(g) 및 소스(s)의 전압차(Vgs)(즉, 소스(s)에 인가되는 데이터전압(Vda))에 따라 다르게 감지될 수 있다.
예를 들어, 화이트에 대응되는 데이터전압(Vda)인 약 3V가 인가되는 경우에는 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트(g) 및 소스(s)의 전압차(Vgs)가 양(+)이 되어 정상적으로 현재의 문턱전압(Vth)을 감지하지만, 블랙에 대응되는 데이터전압(Vda)인 약 0V가 인가되는 경우에는 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트(g) 및 소스(s)의 전압차(Vgs)가 음(-)이 되어 현재의 문턱전압(Vth)보다 낮은 값을 문턱전압(Vth)으로 감지하게 된다.
이것은 구동 박막트랜지스터(Td)의 히스테리시스(hysteresis)에 의한 것으로, 이 경우 최초의 샘플링구간(STP)에서 문턱전압(Vth)을 정확하게 감지하지 못하게 되므로, 정확한 문턱전압(Vth) 감지를 위한 구동프레임의 개수가 증가하게 되어 소비전력 절감의 효과가 감소하게 된다.
이를 방지하기 위하여, 다른 실시예에서는 최초의 구동프레임의 샘플링구간의 길이를 감소시켜 최초로 감지되는 문턱전압(Vth)을 인위적으로 증가시킴으로써, 문턱전압(Vth) 감지를 위한 구동프레임의 개수를 감소시킬 수 있는데, 이를 도면을 참조하여 설명한다.
도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 저주파 구동 시의 게이트전압1 및 데이터전압을 도시한 도면이고, 도 8a는 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 최초 구동프레임의 다수의 전압을 도시한 도면이고, 도 8b는 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 최초 이외의 하나의 구동프레임의 다수의 전압을 도시한 도면으로, 제2실시예의 유기발광다이오드 표시장치의 구성 및 하나의 화소의 구조는 제1실시예와 동일하므로, 도 2 및 도 3을 함께 참조하여 설명한다.
도 7에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)가 저주파수로 구동될 경우, 1초를 구성하는 제1 내지 제60프레임(F1 내지 F60) 중 제1 내지 제s프레임(F1 내지 F(s))(s는 60보다 작은 자연수로서 제1실시예의 r보다 작은 자연수(s<r))에서, 표시패널(150)의 제n게이트배선1(GL1(n))에 인가되는 제n게이트전압1(Vgal(n))은 하이레벨을 갖고, 표시패널(150)의 데이터배선(DL)에 데이터전압(Vda)이 인가된다. 또한, 제(s+1) 내지 제60프레임(F(s+1) 내지 F60)에서, 제n게이트전압1(Vga1(n))은 로우레벨을 갖고, 표시패널(150)의 화소(P)는 스토리지 커패시터(Cs)에 저장된 데이터전압(Vda)과 문턱전압(Vth)의 합(Vdata+Vth)을 이용하여 동일한 영상을 지속적으로 표시한다.
즉, 구동프레임인 제1 내지 제s프레임(F1 내지 F(s)) 동안 타이밍제어부(120), 데이터구동부(130) 및 게이트구동부(140)가 동작하여 하이레벨의 제n게이트전압1(Vgal(n)) 및 데이터전압(Vda)을 출력하고 출력된 하이레벨의 제n게이트전압1(Vgal(n)) 및 데이터전압(Vda)이 표시패널(150)의 제n게이트배선1(GL1(n)) 및 데이터배선(DL)에 공급된다. 이후에는 유지프레임인 제(s+1) 내지 제60프레임(F(s+1) 내지 F60) 동안 타이밍제어부(120), 데이터구동부(130) 및 게이트구동부(140)가 동작을 중지하여 하이레벨의 제n게이트전압1(Vgal(n)) 및 데이터전압(Vda)을 출력하지 않고 하이레벨의 제n게이트전압1(Vgal(n)) 및 데이터전압(Vda)이 표시패널(150)의 제n게이트배선1(GL1(n)) 및 데이터배선(DL)에 공급되지 않는다. 그 결과 유기발광다이오드 표시장치(110)의 소비전력이 절감될 수 있다.
그리고, 구동프레임인 제1 내지 제s프레임(F1 내지 F(s)) 동안 문턱전압(Vth)을 감지하는데, 최초의 제1프레임의 샘플링구간(STP)의 길이를 제2 내지 제s프레임(F2 내지 F(s)) 중 적어도 하나의 샘플링구간(STP)의 길이보다 짧게 설정함으로써, 제1실시예의 r개의 제1 내지 제r프레임(F1 내지 F(r))보다 작은 s개의 제1 내지 제s프레임(F1 내지 F(s))만으로 현재의 문턱전압(Vth)을 정확하게 검출할 수 있다.
여기서, s는 현재의 문턱전압(Vth)을 정확하게 검출할 수 있는 최소의 프레임 수로 결정되며, 예를 들어, s는 2, 3, 4 중 하나일 수 있다.
도 8a 및 8b에 도시한 바와 같이, 구동프레임인 제1프레임(F1)은 스토리지 커패시터(Cs) 등을 초기화 하기 위한 제1초기화구간(ITP1), 문턱전압(Vth)을 감지하기 위한 제1샘플링구간(STP1) 및 발광을 위한 제1에미션구간(ETP1)으로 구성된다. 구동프레임인 제2프레임(F2)은 스토리지 커패시터(Cs) 등을 초기화 하기 위한 제2초기화구간(ITP2), 문턱전압(Vth)을 감지하기 위한 제2샘플링구간(STP2) 및 발광을 위한 제2에미션구간(ETP2)으로 구성된다.
여기서, 구동프레임인 제1 및 제2프레임(F1, F2)은 제1 및 제2초기화구간(ITP1, ITP2)의 길이와 제1 및 제2샘플링구간(STP1, STP2)의 길이가 상이한 것을 제외하고는 서로 동일하게 구동되고, 제3 내지 제s프레임(F3 내지 F(s))은 제2프레임(F2)과 동일하게 구동된다.
즉, 제1프레임(F1)의 제1초기화구간(ITP1)의 길이는 제2프레임(F2)의 제2초기화구간(ITP2)의 길이보다 길고, 제1프레임(F1)의 제1샘플링구간(STP1)의 길이는 제2프레임(F2)의 제2샘플링구간(STP2)의 길이보다 짧다.
특히, 제1프레임(F1)의 제n게이트전압1(Vga1(n))과 제2프레임(F2)의 제n게이트전압1(Vga1(n))은 동일한 길이의 제3하이레벨구간(HL3)을 갖는 반면, 제1프레임(F1)의 제n게이트전압2(Vga2(n))의 제4하이레벨구간(HL4)의 길이는 제2프레임(F2)의 제n게이트전압2(Vga2(n))의 제5하이레벨구간(HL5)의 길이보다 짧다.
예를 들어, 제4하이레벨구간(HL4)은 제3하이레벨구간(HL3)의 약 5% ~ 약 30%이고, 제5하이레벨구간(HL5)은 제3하이레벨구간(HL3)의 약 40% ~ 약 70%이고, 제4하이레벨구간(HL4)은 제5하이레벨구간(HL5)의 약 10% ~ 약 40%일 수 있으며, 제1샘플링구간(STP1)은 제2샘플링구간(STP2)의 약 70% ~ 약 80%일 수 있다.
여기서, 제4하이레벨구간(HL4)이 제5하이레벨구간(HL5)의 약 10%보다 작으면 목표휘도보다 큰 휘도가 표시되고, 제4하이레벨구간(HL4)이 제5하이레벨구간(HL5)의 약 40%보다 크면 목표휘도보다 작은 휘도가 표시되어 영상의 표시품질이 저하될 수 있다.
이와 같이, 최초의 구동프레임인 제1프레임(F1)의 제1샘플링구간(STP1)의 길이를 나머지 구동프레임 중 하나인 제2프레임(F2)의 제2샘플링구간(STP2)의 길이보다 짧게 설정함으로써, 제1프레임(F1)에서 스토리지 커패시터(Cs)에 저장되는 전압이 최종적으로 스토리지 커패시터(Cs)에 저장되어야 하는 전압보다 높아지고, 제1프레임(F1)에서 감지되는 문턱전압(Vth)이 최종적으로 감지되어야 하는 문턱전압(Vth)보다 높은 값을 갖도록 할 수 있다.
즉, 제1샘플링구간(STP1)에서는 하이레벨의 제n게이트전압2(Vga2(n))에 의하여 스위칭 박막트랜지스터(Ts)가 턴-온 된 후, 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트(g)의 전압(Vg)이 고전위전압(Vdd)으로부터 데이터전압(Vda)과 문턱전압(Vth)의 합(Vda+Vth)으로 감소할 때까지 구동 박막트랜지스터(Td)가 턴-온 상태를 유지한다. 한편, 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트(g)의 전압(Vg)이 데이터전압(Vda)과 문턱전압(Vth)의 합(Vda+Vth)이 되기 전에 제n게이트전압1(Vga1(n))이 로우레벨이 되어 구동 박막트랜지스터(Td)가 턴-오프 되도록 제1샘플링구간(STP1)의 길이를 상대적으로 짧게 설정한다.
이에 따라, 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트(g)의 전압(Vg)이 고전위전압(Vdd)으로부터 감소하다가 데이터전압(Vda)과 문턱전압(Vth)의 합(Vda+Vth)보다 높은 전압(Vda+Vth+a, a는 임의의 값)에서 더 이상 전류가 흐르지 않게 된다. 따라서, 스토리지 커패시터(Cs)에는 데이터전압(Vda)과 문턱전압(Vth)의 합(Vda+Vth)보다 높은 전압(Vda+Vth+a)이 저장된다.
이와 같이, 최초의 제1프레임(F1)에서 제1샘플링구간(STP1)을 감소시킴으로써, 구동 박막트랜지스터(Td)의 히스테리시스(hysteresis)에 의한 문턱전압(Vth)보다 높은 전압(Vth+a)을 문턱전압(Vth)으로 감지하게 되므로, 이후의 제2 내지 제s프레임(F2 내지 F(s))에서의 문턱전압(Vth) 감지만으로도 현재의 문턱전압(Vth)을 신속하고 정확하게 감지할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)에서는, 저주파 구동 시 초기의 다수의 구동프레임 동안 게이트전압1(Vga1), 게이트전압2(Vga2), 에미션전압(Vem), 데이터전압(Vda)이 표시패널(150)의 화소(P)에 공급된다. 그리고 다수의 구동프레임의 샘플링구간(STP) 동안 현재의 문턱전압(Vth)의 감지를 반복 수행한 후 데이터전압(Vda)과 문턱전압(Vth)의 합(Vda+Vth)이 스토리지 커패시터(Cs)에 저장된다. 그리고 나머지 다수의 유지프레임 동안 스토리지 커패시터(Cs)에 저장된 데이터전압(Vda)과 문턱전압(Vth)의 합(Vda+Vth)으로 구동 박막트랜지스터(Td)를 스위칭 하여 영상이 표시된다.
즉, 1초를 구성하는 60개의 프레임 중 다수의 구동프레임(F1 내지 F(s)) 동안 타이밍제어부(120), 데이터구동부(130) 및 게이트구동부(140)가 동작하여 문턱전압(Vth)을 감지하고, 나머지 다수의 유지프레임(F(s+1) 내지 F60) 동안 타이밍제어부(120), 데이터구동부(130) 및 게이트구동부(140)가 동작을 중지한 상태에서 영상을 표시함으로써, 소비전력이 절감된다.
그리고, 하나의 구동프레임 대신 다수의 구동프레임을 이용하여 문턱전압(Vth)을 감지함으로써, 현재의 문턱전압(Vth) 감지에 대한 정확성이 개선되고 어둡거나 흐린 영상이 방지되어 영상의 표시품질이 개선된다.
또한, 다수의 구동프레임 중 최초의 구동프레임의 샘플링구간을 감소함으로써, 최초의 구동프레임에서 문턱전압(Vth)보다 높은 전압(Vth+a)이 감지될 수 있고 나머지 구동프레임에서 현재의 문턱전압(Vth)이 신속하고 정확하게 감지될 수 있다.
본 발명의 제2실시예에서는 제1프레임(F1)의 샘플링구간(STP1)의 길이가 제2프레임(F2)의 샘플링구간(STP2)의 길이보다 짧은 것을 예로 들었으나, 다른 실시예에서는 제1 및 제2프레임(F1, F2)의 샘플링구간(STP1, STP2)의 길이가 서로 동일하고, 제1 및 제2프레임(F1, F2)의 샘플링구간(STP1, STP2)의 길이가 각각 제3프레임(F3)의 샘플링구간(STP3)의 길이보다 짧을 수도 있다.
제1 및 제2실시예에서는 유기발광다이오드 표시장치의 구동에 본 발명을 적용하였으나, 다른 실시에에서는 다양한 종류의 표시장치의 구동에 본 발명을 적용할 수도 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
110: 표시장치 120: 타이밍제어부
130: 데이터구동부 140: 게이트구동부
150: 표시패널 ITP: 초기화구간
STP: 샘플링구간 ETP: 에미션구간

Claims (13)

  1. 다수의 구동프레임 동안 제n게이트전압1, 제n게이트전압2 및 데이터전압을 생성하는 구동부와;
    상기 다수의 구동프레임 동안 상기 제n게이트전압1, 상기 제n게이트전압2 및 상기 데이터전압을 이용하여 문턱전압을 저장하고, 상기 다수의 구동프레임 이후의 다수의 유지프레임 동안 상기 데이터전압과 상기 문턱전압의 합을 이용하여 영상을 표시하는 표시패널
    을 포함하고,
    상기 다수의 구동프레임 중 하나의 구동프레임의 상기 문턱전압의 저장을 위한 샘플링구간은 상기 다수의 구동프레임 중 나머지 구동프레임 중 적어도 하나의 샘플링구간보다 짧은 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 구동부는 제n에미션전압 및 제(n-1)에미션전압을 생성하고,
    상기 표시패널은 상기 문턱전압의 감지에 상기 제n에미션전압 및 상기 제(n-1)에미션전압을 이용하는 표시장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 다수의 구동프레임 중 하나의 구동프레임은 상기 다수의 구동프레임 중 최초의 구동프레임인 표시장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 표시패널은,
    상기 제n게이트전압1에 따라 스위칭 되고 초기화전압이 인가되는 제1박막트랜지스터와;
    상기 제n게이트전압1에 따라 스위칭 되는 제2박막트랜지스터와;
    상기 제n에미션전압에 따라 스위칭 되고 고전위전압이 인가되는 제3박막트랜지스터와;
    상기 제(n-1)에미션전압에 따라 스위칭 되는 제4박막트랜지스터와;
    상기 제n게이트전압2에 따라 스위칭 되고 상기 데이터전압이 인가되는 스위칭 박막트랜지스터와;
    상기 제2 내지 제4박막트랜지스터에 연결되는 구동 박막트랜지스터와;
    상기 제1박막트랜지스터와 상기 구동 박막트랜지스터에 연결되는 스토리지 커패시터와;
    상기 제4박막트랜지스터에 연결되고, 저전위전압이 인가되는 발광부
    를 포함하는 표시장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 다수의 구동프레임 중 최초의 구동프레임은, 상기 스토리지 커패시터를 초기화 하기 위한 제1초기화구간, 상기 문턱전압을 감지하기 위한 제1샘플링구간 및 상기 발광부를 발광시키기 위한 제1에미션구간을 포함하고,
    상기 다수의 구동프레임 중 나머지 구동프레임 중 적어도 하나는, 상기 스토리지 커패시터를 초기화 하기 위한 제2초기화구간, 상기 문턱전압을 감지하기 위한 제2샘플링구간 및 상기 발광부를 발광시키기 위한 제2에미션구간을 포함하는 표시장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제n게이트전압1은 상기 제1초기화구간 및 상기 제1샘플링구간과 상기 제2초기화구간 및 상기 제2샘플링구간에서 제1하이레벨구간 동안 하이레벨을 갖고,
    상기 제n게이트전압2는, 상기 제1샘플링구간에서 제2하이레벨구간 동안 하이레벨을 갖고, 상기 제2샘플링구간에서 상기 제2하이레벨구간 보다 긴 제3하이레벨구간 동안 하이레벨을 갖는 표시장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제2하이레벨구간은 상기 제3하이레벨구간의 10% ~ 40%인 표시장치.
  8. 다수의 구동프레임 동안 제n게이트전압1, 제n게이트전압2 및 데이터전압을 생성하는 단계와;
    상기 다수의 구동프레임 동안 상기 제n게이트전압1, 상기 제n게이트전압2 및 상기 데이터전압을 이용하여 문턱전압을 감지하는 단계와;
    상기 다수의 프레임 이후의 다수의 유지프레임 동안 상기 데이터전압과 상기 문턱전압의 합을 이용하여 영상을 표시하는 단계
    를 포함하고,
    상기 다수의 구동프레임 중 하나의 구동프레임의 샘플링구간은 상기 다수의 구동프레임 중 나머지 구동프레임 중 적어도 하나의 샘플링구간보다 짧은 표시장치의 구동방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제n게이트전압1, 상기 제n게이트전압2 및 상기 데이터전압을 생성하는 단계는 제n에미션전압 및 제(n-1)에미션전압을 생성하는 단계를 포함하고,
    상기 문턱전압을 감지하는 단계는 상기 제n에미션전압 및 상기 제(n-1)에미션전압을 이용하여 상기 문턱전압을 감지하는 단계를 포함하는 표시장치의 구동방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 다수의 구동프레임 중 하나의 구동프레임은 상기 다수의 구동프레임 중 최초의 구동프레임인 표시장치의 구동방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 다수의 구동프레임 중 최초의 구동프레임은, 스토리지 커패시터를 초기화 하기 위한 제1초기화구간, 상기 문턱전압을 감지하기 위한 제1샘플링구간 및 발광부를 발광시키기 위한 제1에미션구간을 포함하고,
    상기 다수의 구동프레임 중 나머지 구동프레임 중 적어도 하나는, 상기 스토리지 커패시터를 초기화 하기 위한 제2초기화구간, 상기 문턱전압을 감지하기 위한 제2샘플링구간 및 상기 발광부를 발광시키기 위한 제2에미션구간을 포함하는 표시장치의 구동방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제n게이트전압1은 상기 제1초기화구간 및 상기 제1샘플링구간과 상기 제2초기화구간 및 상기 제2샘플링구간에서 제1하이레벨구간 동안 하이레벨을 갖고,
    상기 제n게이트전압2는, 상기 제1샘플링구간에서 제2하이레벨구간 동안 하이레벨을 갖고, 상기 제2샘플링구간에서 상기 제2하이레벨구간 보다 긴 제3하이레벨구간 동안 하이레벨을 갖는 표시장치의 구동방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제2하이레벨구간은 상기 제3하이레벨구간의 10% ~ 40%인 표시장치의 구동방법.
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