KR20180074351A - Method of processing ALD - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an ALD method. An ALD apparatus includes a process chamber in which a reaction space is formed to perform thin film deposition; a substrate support unit which is installed in the process chamber and supports a substrate; an inner zone gas supply unit which supplies a first source gas, a first reaction gas and a first purge gas to an inner zone of the substrate; an outer zone gas supply unit which supplies a second source gas, a second reaction gas, and a second purge gas to an outer zone of the substrate, which is the outside region surrounding the inner zone of the substrate. An ALD method using the ALD apparatus comprises a source gas supplying step of supplying the first source gas to the inner zone of the substrate and the second source gas to the outer zone of the substrate; a source gas purging step of purging the first source gas and the second source gas; a reaction gas supplying step of supplying the first reaction gas to the inner zone of the substrate and the second reaction gas to the outer zone of the substrate; and a reaction gas purging step of purging the first reaction gas and the second reaction gas. A response can be made for various kinds of substrates having a high selection ratio and a low selection ratio.

Description

ALD 박막 증착 방법 {Method of processing ALD}[0001] ALD thin film deposition method [0002]

본 발명은 ALD 박막 증착 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 기판에 원자층 등의 박막을 증착할 수 있는 ALD 박막 증착 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an ALD thin film deposition method, and more particularly, to a ALD thin film deposition method capable of depositing a thin film such as an atomic layer on a substrate.

DRAM, Flash memory, V-NAND와 같은 반도체 디바이스 제조에 있어서, ALD(atomic layer deposition, 원자층 증착) 박막 증착 장치가 이용되고 있다. 최근 들어 ALD 공정 및 증착 장치는 적용 스텝 및 범위가 점점 더 확대되고 있다. 대표적으로 TiN, WN, TaN, W과 같은 금속 질화막이나 금속 박막, Al2O3, SiO2, ZrO2, TiO2와 같은 금속 산화막 증착 공정에 ALD 공정이 사용되고 있으며 디바이스 내 그 적용 스텝이 점점 더 확대되고 있는 추세이다.ALD (atomic layer deposition) thin film deposition apparatuses are used in the manufacture of semiconductor devices such as DRAM, Flash memory, and V-NAND. In recent years, the application steps and ranges of ALD process and deposition apparatus have been increasing. Typically, an ALD process is used to deposit a metal nitride film such as TiN, WN, TaN, W or a metal thin film, a metal oxide film such as Al 2 O 3 , SiO 2 , ZrO 2 or TiO 2 , The trend is expanding.

ALD 공정에 대한 사용처가 많아지고 공정 난이도 또한 함께 높아지고 있는데 300mm 웨이퍼 내에서의 박막 증착 균일도, 박막의 순도, 밀도, 스텝커버리지 개선을 위하여 칩 메이커들은 끊임없이 노력하고 있으며 ALD 증착 설비의 공정 능력을 더욱 향상시키는 작업도 활발히 이루어지고 있다. 그런데 두께나 막질의 웨이퍼 내 균일성 개선, 스텝커버리지 개선은 20nm 이하 선폭의 반도체 디바이스 시대로 접어들면서 그 어느 때 보다도 개선이 쉽지 않다.The use of the ALD process is increasing and the process difficulty is also increasing. In order to improve the uniformity of the thin film deposition, the purity of the thin film, the density and the step coverage of the 300mm wafer, chip makers are constantly making efforts to improve the process capability of ALD deposition equipment. Is being actively carried out. However, it is not easy to improve the uniformity and step coverage of the wafer due to its thickness or film quality, as it has entered the age of semiconductor devices with a line width of less than 20 nm.

첫 번째로 해당 ALD process증착 전에 형성된 wafer pattern의 스텝커버리지 난이도가 웨이퍼 edge에서 더 난해하게 형성되어 있는 경우는 단순하게 두께나 step coverage의 균일도를 매우 좋게 형성한다고 해서 최외곽 edge step coverage 개선 문제가 해결되지는 않는다. 이런 경우는 wafer edge에 wafer center 대비 상대적으로 더 많고 강한 압력으로 분사하는 process gas의 주입이 필요하다. 두 번째로 동일한 ALD 박막을 증착하지만 device step별로 다른 showerhead구조나 chamber 구조가 필요한 경우이다.First, if the step coverage difficulty of the wafer pattern formed prior to the deposition of the ALD process is more difficult to form at the wafer edge, simply forming the thickness or step coverage uniformity may improve the outermost edge step coverage improvement. It does not. In this case, it is necessary to inject a process gas that is injected at a wafer edge with a relatively higher pressure relative to the wafer center. Second, the same ALD film is deposited but different showerhead structures or chamber structures are required for each device step.

본 발명은 상기와 같은 문제점들을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 동일한 공정 챔버를 이용하여 보다 넓은 프로세스 윈도우(process window)를 가짐으로써 공정 마진을 넓혀서 낮은 선택비는 물론이고, 높은 선택비를 갖는 다양한 종류의 기판에 대한 대응을 가능하게 하는 ALD 박막 증착 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.Disclosure of Invention Technical Problem [8] Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a process chamber having a wider process window by using the same process chamber, The present invention also provides a method for depositing an ALD thin film, However, these problems are exemplary and do not limit the scope of the present invention.

본 발명의 일 관점에 따르면, ALD 박막 증착 방법이 제공된다. 상기 ALD 박막 증착 방법은, 박막을 증착하기 위한 반응 공간이 형성되는 공정 챔버, 상기 공정 챔버에 설치되고 기판을 지지하는 기판 지지부, 상기 기판의 이너 존(inner zone)으로 제 1 소스 가스와 제 1 반응 가스 및 제 1 퍼지 가스를 공급하는 이너 존 가스 공급부, 상기 기판의 상기 이너 존을 둘러싸는 외측 영역인 상기 기판의 아우터 존(outer zone)으로 제 2 소스 가스와 제 2 반응 가스 및 제 2 퍼지 가스를 공급하는 아우터 존 가스 공급부를 포함하는 ALD 박막 증착 장치를 이용한 ALD 박막 증착 방법에 있어서, 상기 제 1 소스 가스를 상기 기판의 상기 이너 존으로 공급하고 상기 제 2 소스 가스를 상기 기판의 상기 아우터 존으로 공급하는 소스 가스 공급 단계; 상기 제 1 소스 가스 및 상기 제 2 소스 가스를 퍼지하기 위한 소스가스 퍼지 단계; 상기 제 1 반응 가스를 상기 기판의 상기 이너 존으로 공급하고 상기 제 2 반응 가스를 상기 기판의 상기 아우터 존으로 공급하는 반응 가스 공급 단계; 및 상기 제 1 반응 가스 및 상기 제 2 반응 가스를 퍼지하기 위한 반응가스 퍼지 단계;를 포함할 수 있다.According to one aspect of the present invention, an ALD thin film deposition method is provided. The ALD thin film deposition method includes: a process chamber in which a reaction space for depositing a thin film is formed; a substrate supporting unit installed in the process chamber and supporting the substrate; a first source gas and a second source gas, An inner zone gas supply part for supplying a reaction gas and a first purge gas, an outer zone surrounding the inner zone of the substrate, an outer zone of the substrate, a second source gas, A method for depositing an ALD thin film using an ALD thin film deposition apparatus including an outer zone gas supply unit for supplying a gas to a substrate, the method comprising: supplying the first source gas to the inner zone of the substrate; Supplying a source gas to the zone; A source gas purging step for purging the first source gas and the second source gas; A reaction gas supply step of supplying the first reaction gas to the inner zone of the substrate and supplying the second reaction gas to the outer zone of the substrate; And a reactive gas purge step for purifying the first reaction gas and the second reaction gas.

또한, 상기 ALD 박막 증착 방법에서, 상기 소스 가스 공급 단계에서, 상시 제 1 소스 가스의 공급과 상기 제 2 소스 가스의 공급은 동시에 수행될 수 있다.Further, in the ALD thin film deposition method, in the source gas supply step, the supply of the first source gas and the supply of the second source gas may be performed at the same time.

또한, 상기 ALD 박막 증착 방법에서, 상기 소스 가스 공급 단계에서, 상시 제 1 소스 가스의 공급과 상기 제 2 소스 가스의 공급은 이 순서 또는 그 역순으로 순차적으로 수행될 수 있다.In the ALD thin film deposition method, in the source gas supply step, the supply of the first source gas and the supply of the second source gas may be performed sequentially in this order or vice versa.

또한, 상기 ALD 박막 증착 방법에서, 상기 반응 가스 공급 단계에서, 상시 제 1 반응 가스의 공급과 상기 제 2 반응 가스의 공급은 동시에 수행될 수 있다.In the ALD thin film deposition method, the supply of the first reaction gas and the supply of the second reaction gas may be performed at the same time in the reaction gas supply step.

또한, 상기 ALD 박막 증착 방법에서, 상기 반응 가스 공급 단계에서, 상시 제 1 반응 가스의 공급과 상기 제 2 반응 가스의 공급은 이 순서 또는 그 역순으로 순차적으로 수행될 수 있다.In the ALD thin film deposition method, the supply of the first reaction gas and the supply of the second reaction gas may be performed sequentially in this order or in the reverse order in the reaction gas supply step.

또한, 상기 ALD 박막 증착 방법에서, 상기 소스 가스 동시 공급 단계 이전에, 상기 이너 존 가스 공급부의 상기 제 1 소스 가스와 상기 제 1 반응 가스 및 상기 제 1 퍼지 가스 각각의 가스 공급량을 독립적으로 설정하고, 상기 아우터 존 가스 공급부의 상기 제 2 소스 가스와 상기 제 2 반응 가스 및 상기 제 2 퍼지 가스 각각의 가스 공급량을 독립적으로 설정하는 가스 공급량 설정 단계;를 포함할 수 있다.Further, in the ALD thin film deposition method, the gas supply amount of the first source gas, the first reaction gas, and the first purge gas of the inner zone gas supply unit are independently set before the simultaneous supply of the source gas And a gas supply amount setting step of independently setting a gas supply amount of each of the second source gas, the second reaction gas, and the second purge gas of the outer zone gas supply unit.

또한, 상기 ALD 박막 증착 방법에서, 상기 제 2 소스 가스의 가스 공급량은 상기 제 1 소스 가스의 공급량보다 크거나 같을 수 있다.In the ALD thin film deposition method, the gas supply amount of the second source gas may be equal to or greater than the supply amount of the first source gas.

또한, 상기 ALD 박막 증착 방법에서, 상기 제 2 반응 가스의 가스 공급량은 상기 제 1 반응 가스의 공급량보다 크거나 같을 수 있다.In the ALD thin film deposition method, the gas supply amount of the second reaction gas may be equal to or greater than the supply amount of the first reaction gas.

또한, 상기 ALD 박막 증착 방법은, 상기 소스 가스 공급 단계에서, 상기 제 1 소스 가스는 중심 유로를 따라 수직으로 배출될 수 있다.In addition, in the ALD thin film deposition method, in the source gas supplying step, the first source gas may be discharged vertically along the center flow path.

또한, 상기 ALD 박막 증착 방법은, 상기 소스 가스 공급 단계에서, 상기 제 2 소스 가스는 상기 중심 유로를 둘러싸는 형상으로 형성되는 상부 환형 유로를 따라 1차 분산되고, 경사 유로를 따라 2차 분산되며, 하부 환형 유로를 따라 3차 분산되어 가스 배출구로 배출될 수 있다.Further, in the ALD thin film deposition method, in the source gas supplying step, the second source gas is primarily dispersed along an upper annular flow path formed in a shape surrounding the center flow path, and is secondarily dispersed along an inclined flow path , Can be thirdarily dispersed along the lower annular flow path and can be discharged to the gas outlet.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따른 ALD 박막 증착 방법에 따르면, 기판의 이너 존과 아우터 존에 각각 독립적으로 가스를 공급할 수 있어서 기판의 이너 존과 아우터 존 간의 공정 편차를 줄여서 패턴 형성의 정밀도와 신뢰도를 향상시킬 수 있고, 이로 인하여 동일한 공정 챔버를 이용하여 보다 넓은 프로세서 윈도우(process window)를 가짐으로써 공정 마진을 넓혀서 낮은 선택비는 물론이고, 높은 선택비가 요구되는 다양한 종류의 기판에 대한 대응을 가능하게 하는 효과를 갖는 것이다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to the ALD thin film deposition method of the present invention as described above, gas can be independently supplied to the inner zone and the outer zone of the substrate, thereby reducing the process deviation between the inner zone and the outer zone of the substrate, Thereby increasing the precision and reliability of the process chamber and thus widening the process margin by having a wider process window using the same process chamber, It is possible to cope with the problem. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 ALD 박막 증착 방법을 나타내는 순서도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 ALD 박막 증착 방법을 나타내는 순서도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 ALD 박막 증착 방법을 나타내는 순서도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 1의 ALD 박막 증착 장치의 공정 챔버를 확대하여 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 ALD 박막 증착 장치의 공정 챔버를 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치의 공정 챔버를 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치의 이너 존 가스 공급부 및 아우터 존 가스 공급부를 나타내는 사시도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치의 이너 존 가스 공급부 및 아우터 존 가스 공급부를 나타내는 사시도이다.
도 10은 도 1의 ALD 박막 증착 장치의 경사 유로를 나타내는 평면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치의 경사 유로를 나타내는 평면도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치의 하부 환형 유로를 나타내는 평면도이다.
도 13은 도 1의 ALD 박막 증착 방법을 나타내는 그래프이다.
도 14는 도 2의 ALD 박막 증착 방법을 나타내는 그래프이다.1 is a flow chart illustrating a method of depositing an ALD thin film according to an embodiment of the present invention.
2 is a flow chart illustrating a method of depositing an ALD thin film according to another embodiment of the present invention.
3 is a flow chart illustrating a method of depositing an ALD thin film according to another embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view conceptually showing an ALD thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
5 is an enlarged cross-sectional view of the process chamber of the ALD thin film deposition apparatus of FIG.
6 is a cross-sectional view illustrating a process chamber of an ALD thin film deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view illustrating a process chamber of an ALD thin film deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.
8 is a perspective view illustrating an inner zone gas supply unit and an outer zone gas supply unit of the ALD thin film deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.
9 is a perspective view showing an inner zone gas supply unit and an outer zone gas supply unit of an ALD thin film deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.
10 is a plan view showing an inclined flow path of the ALD thin film deposition apparatus of FIG.
11 is a plan view showing an inclined flow path of an ALD thin film deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.
12 is a plan view showing a lower annular flow path of an ALD thin film deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.
13 is a graph showing the ALD thin film deposition method of FIG.
14 is a graph showing the ALD thin film deposition method of FIG.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are described in order to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified into various other forms, It is not limited to the embodiment. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be more thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the thickness and size of each layer are exaggerated for convenience and clarity of explanation.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 ALD 박막 증착 방법을 나타내는 순서도이다.1 is a flow chart illustrating a method of depositing an ALD thin film according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 ALD 박막 증착 방법은, 크게 가스 공급량 설정 단계(S11)와, 이너 존/아우터 존 소스 가스 동시 공급 단계(S12)와, 소스가스 퍼지 단계(S13)와, 이너 존/아우터 존 반응 가스 동시 공급 단계(S14) 및 반응가스 퍼지 단계(S15)를 포함할 수 있다.First, as shown in FIG. 1, the ALD thin film deposition method according to an embodiment of the present invention includes a gas supply amount setting step S11, an inner zone / outer zone source gas simultaneous supply step S12, Gas purging step S13, an inner zone / outer zone reaction gas simultaneous supply step S14, and a reactive gas purging step S15.

이러한, 상기 단계들을 더욱 구체적으로 설명하기 위하여, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치(100)는, 크게 공정 챔버(10)와, 기판 지지부(20)와, 이너 존 가스 공급부(30)와, 아우터 존 가스 공급부(40) 를 포함할 수 있다.4 and 5, an ALD thin film deposition apparatus 100 according to an embodiment of the present invention roughly includes a process chamber 10, An inner zone gas supply unit 30, and an outer zone gas supply unit 40. The inner zone gas supply unit 30,

예컨대, 상기 공정 챔버(10)는 내부에 박막을 증착하기 위한 반응 공간이 형성되는 것으로서, 상기 기판 지지부(20)와, 상기 이너 존 가스 공급부(30)와, 상기 아우터 존 가스 공급부(40) 등을 지지할 수 있는 충분한 강도와 내구성을 가진 밀폐가 가능한 구조체일 수 있다.For example, the process chamber 10 has a reaction space for depositing a thin film therein. The substrate support 20, the inner zone gas supply unit 30, the outer zone gas supply unit 40, Which is of sufficient strength and durability to support the < RTI ID = 0.0 >

더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 공정 챔버(10)는 일측에 기판(1)이 출입할 수 있는 게이트(G)(gate)가 형성될 수 있고, 이외에도, 도시하지 않았지만, 상기 반응 공간에 진공 압력 등 증착 환경을 제공하기 위한 각종 진공 펌프나 플라즈마 발생 장치 등 공정을 위해 필요한 다양한 장치들이 추가로 설치될 수 있다.More specifically, for example, in the process chamber 10, a gate G for allowing the substrate 1 to enter and exit can be formed on one side. In addition, although not shown, a vacuum pressure And various devices necessary for the process such as various vacuum pumps and plasma generators for providing a deposition environment can be additionally installed.

그러나, 이러한 상기 공정 챔버(10)의 형상은 도면에 반드시 국한되지 않고, 장비나 공정 환경이나 스팩 등에 따라서 화학 기상 증착용 챔버나 원자층 증착용 챔버 등 매우 다양한 형상 및 종류의 공정 챔버가 모두 적용될 수 있다.However, the shape of the process chamber 10 is not limited to the drawings, and various types of process chambers such as a chemical vapor deposition chamber and an atomic layer deposition chamber may be applied, depending on equipment, process environment, .

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치(200)의 공정 챔버(10)를 나타내는 단면도이다.6 is a sectional view showing a process chamber 10 of an ALD thin film deposition apparatus 200 according to another embodiment of the present invention.

도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치(200)는, 상기 샤워 헤드(31)의 상기 가스 확산 영역(A)을 이너 존 대응 영역(A1)과 아우터 존 대응 영역(A2)으로 구획할 수 있도록 상기 탑 플레이트(311)와 상기 분사판(312) 사이에 영역 구획 격벽(70)이 설치될 수 있다.6, an ALD thin film deposition apparatus 200 according to another embodiment of the present invention includes a gas diffusion region A of the shower head 31, which is divided into an inner zone corresponding region A1, An area partition wall 70 may be provided between the top plate 311 and the ejection plate 312 so as to be partitioned into a corresponding area A2.

따라서, 상기 영역 구획 격벽(70)을 상기 샤워 헤드(31)의 가스 확산 영역(A)에 설치하여 상기 기판(1)의 상기 이너 존(Z1)과 상기 아우터 존(Z2)에 더욱 독립적으로 가스를 공급할 수 있다.Therefore, the region partitioning wall 70 is provided in the gas diffusion region A of the shower head 31 so that gas is supplied to the inner zone Z1 and the outer zone Z2 of the substrate 1 independently of gas Can be supplied.

이외에도, 도 7에 도시된 바와 같이, 예컨대, 텅스텐 증착 공정의 경우, 상기 공정 챔버(10)는 상기 기판(1)의 출입 경로로부터 공정 공간을 구획할 수 있는 에지링(ER)이나 퍼지링(PR) 등이 추가로 설치될 수 있는 등 다양한 형태로 적용될 수 있다.7, in the case of, for example, a tungsten deposition process, the process chamber 10 may include an edge ring ER or a purge ring (not shown) capable of separating a process space from the entry / exit path of the substrate 1 PR) can be additionally installed.

또한, 예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 기판 지지부(20)는, 상기 공정 챔버(10)에 설치되고 기판(1)을 지지할 수 있는 서셉터나 테이블이나 턴테이블 등의 기판 지지 구조체일 수 있다.4, the substrate support 20 may be a substrate support structure such as a susceptor, a table, or a turntable, which is installed in the process chamber 10 and can support the substrate 1 .

더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 기판 지지부(20)는, 상면에 안착되는 상기 기판(1)을 일정 온도로 가열시킬 수 있고, 또는 공정 가스를 플라즈마화 하기 위한 하부 전극으로의 기능을 할 수 있다. More specifically, for example, the substrate supporter 20 can heat the substrate 1, which is seated on the upper surface, to a predetermined temperature or function as a lower electrode for plasmatizing the process gas .

또한, 상기 기판 지지부(20)는, 상기 기판(1)이 안착되어 지지할 수 있는 적절한 강도와 내구성을 갖는 구조체일 수 있다. 예컨대, 이러한 상기 기판 지지부(20)는, 알루미늄 및 질화 알루미늄 등의 재질로 이루어지는 구조체일 수 있다. 그러나, 상기 기판 지지부(20)는, 도면에 반드시 국한되지 않고, 상기 기판(1)을 지지할 수 있는 매우 다양한 형태나 종류나 재질의 다양한 부재들이 모두 적용될 수 있다.In addition, the substrate support 20 may be a structure having appropriate strength and durability that the substrate 1 can support and support. For example, the substrate support 20 may be a structure made of aluminum or aluminum nitride. However, the substrate supporting portion 20 is not limited to the drawings, and various members of various shapes, kinds and materials capable of supporting the substrate 1 can be applied.

또한, 예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 이너 존 가스 공급부(30)는, 상기 기판(1)의 이너 존(Z1)(inner zone)으로 적어도 하나 이상의 제 1 가스가 공급될 수 있도록 상기 공정 챔버(10)에 설치되는 장치일 수 있다.4, the inner zone gas supply unit 30 may include at least one inner zone Z1 (inner zone) of the substrate 1, Or may be an apparatus installed in the process chamber 10.

더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 이너 존 가스 공급부(30)는, 내부에 가스 확산 영역(A)이 형성되도록 상부에 탑 플레이트(311)가 설치되고, 하부에 분사판(312)이 형성되는 샤워 헤드(31)와, 상기 기판(1)의 상기 이너 존(Z1)과 대응되도록 상기 샤워 헤드(31)의 상기 탑 플레이트(311)의 중심부에 수직으로 형성되는 중심 유로(32) 및 상기 중심 유로(32)와 연결되고, 상기 제 1 가스를 공급하는 제 1 가스 공급 라인(33)을 포함할 수 있다.More specifically, for example, the inner zone gas supply unit 30 includes a shower plate 311 having a top plate 311 at an upper portion thereof and a spray plate 312 at a lower portion thereof so as to form a gas diffusion region A therein A center channel 32 vertically formed at a central portion of the top plate 311 of the shower head 31 so as to correspond to the inner zone Z1 of the substrate 1, And a first gas supply line 33 connected to the first gas supply line 32 and supplying the first gas.

여기서, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 샤워 헤드(31)는, 상기 탑 플레이트(311)는 상기 공정 챔버(10)의 상부 구조물의 역할을 담당할 수 있고, 상기 분사판(312)은 복수개의 가스 배출구가 형성되어 상기 가스 배출구를 통해 상기 기판(1)에 소스 가스나 반응 가스나 퍼지 가스 등 각종의 공정 가스를 공급함으로써 상기 기판(1)에 원자층 등의 박막이 형성될 수 있다. 그러나, 이러한 상기 샤워 헤드(31)의 형상은 도면에 반드시 국한되지 않고, 장비나 공정 환경이나 스팩 등에 따라서 매우 다양한 형상 및 종류의 샤워 헤드가 모두 적용될 수 있다.4 and 5, the showerhead 31 may serve as an upper structure of the process chamber 10, and the injection plate 312 Is formed with a plurality of gas outlets, and a thin film of an atomic layer or the like is formed on the substrate 1 by supplying various process gases such as a source gas, a reaction gas, and a purge gas to the substrate 1 through the gas outlets . However, the shape of the showerhead 31 is not limited to the drawings, and showerheads of various shapes and types can be applied according to equipment, process environment, specifications, and the like.

또한, 예컨대, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 중심 유로(32)는 상기 기판(1)의 상기 이너 존(Z1)과 대응되도록 상기 샤워 헤드(31)의 상기 탑 플레이트(311)의 중심부에 수직으로 형성되는 일종의 내부 중공부일 수 있다. 이러한 상기 중심 유로에는 각종의 분산판 등이 추가로 설치되어 상기 가스 확산 영역(A)으로 공급되는 각종 공정 가스들의 확산 범위를 보다 넓게 하고, 확산 속도를 더욱 신속하게 할 수 있다.4 and 5, the central flow path 32 is connected to the top plate 311 of the shower head 31 so as to correspond to the inner zone Z1 of the substrate 1, And may be a kind of inner hollow that is formed vertically in the center portion of the body. Various dispersion plates are additionally provided in the center channel to widen the diffusion range of various process gases supplied to the gas diffusion region A and to accelerate the diffusion rate more rapidly.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치(300)의 공정 챔버(10)를 나타내는 단면도이고, 도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치(400)의 이너 존 가스 공급부(30) 및 아우터 존 가스 공급부(40)를 나타내는 사시도이다.FIG. 7 is a cross-sectional view showing a process chamber 10 of an ALD thin film deposition apparatus 300 according to another embodiment of the present invention. FIG. 5 is a cross-sectional view of an ALD thin film deposition apparatus 400 according to another embodiment of the present invention. A zone gas supply unit 30 and an outer zone gas supply unit 40. FIG.

또한, 예컨대, 도 4 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 가스 공급 라인(33)은, 상기 중심 유로(32)와 연결되는 제 1 메인 공급 라인(34)와, 제 1 ALD 밸브(V1)가 설치되고, 소스 가스 저장소(SG)와 연결되어 상기 제 1 메인 공급 라인(34)에 제 1 소스 가스를 공급하는 제 1 소스 가스 공급 라인(35)와, 제 2 ALD 밸브(V2)가 설치되고, 반응 가스 저장소(RG)와 연결되어 상기 제 1 메인 공급 라인(34)에 제 1 반응 가스를 공급하는 제 1 반응 가스 공급 라인(36) 및 퍼지 가스 저장소(PG)와 연결되어 상기 제 1 메인 공급 라인(34)에 제 1 퍼지 가스를 공급하는 제 1 퍼지 가스 공급 라인(37)을 포함할 수 있다.4 to 8, the first gas supply line 33 includes a first main supply line 34 connected to the central flow path 32, a first main supply line 34 connected to the first main supply line 34, A first source gas supply line 35 connected to the source gas reservoir SG for supplying a first source gas to the first main supply line 34 and a second source gas supply line 35 connected to the second ALD valve V2, A first reaction gas supply line 36 connected to the reaction gas reservoir RG for supplying a first reaction gas to the first main supply line 34 and a purge gas reservoir PG connected to the purge gas reservoir PG, And a first purge gas supply line 37 for supplying a first purge gas to the first main supply line 34.

여기서, 상기 제 1 퍼지 가스 공급 라인(37)은, 제 3 제어 밸브(V3)가 설치되고, 상기 제 1 소스 가스 공급 라인(35)에 상기 제 1 퍼지 가스를 공급하는 제 1-1 퍼지 가스 공급 라인(371) 및 제 4 제어 밸브(V4)가 설치되고, 상기 제 1 반응 가스 공급 라인(36)에 상기 제 1 퍼지 가스를 공급하는 제 1-2 퍼지 가스 공급 라인(372)을 포함할 수 있다. 그러나, 이에 반드시 국한되지 않고 상기 제 1 퍼지 가스 공급 라인(37)은 하나의 라인에서 분지되어 상기 제 1 소스 가스 공급 라인(35) 및 상기 제 1 반응 가스 공급 라인(36)에 각각 공급되는 것도 가능하다.The first purge gas supply line 37 is provided with a third control valve V3 and supplies the first purge gas to the first source gas supply line 35, And a first 1-2 purge gas supply line 372 for supplying the first purge gas to the first reaction gas supply line 36 is provided with a supply line 371 and a fourth control valve V4 . However, the present invention is not limited to this, and the first purge gas supply line 37 may be branched from one line and supplied to the first source gas supply line 35 and the first reaction gas supply line 36 It is possible.

여기서, 상술된 상기 제 1 소스 가스 공급 라인(35)은 주로 액상의 유기물을 기상으로 만들어 주는 기화기 등을 포함하는 상기 소스 가스 저장소(SG)가 설치될 수 있고, 상기 제 1 소스 가스 공급 라인(35) 및 상기 제 1 반응 가스 공급 라인(36)는 각각 기화된 가스의 공급량을 조절할 수 있는 MFC(mass flow controller)나 기화된 가스가 저장되는 리저버(R) 등 각종의 장치들이 부수적으로 설치될 수 있다. 이외에도 이러한 가스 공급 라인들에는 압력계 등 각종 장치들이 추가로 설치될 수 있다.Here, the first source gas supply line 35 may include a source gas reservoir SG including a vaporizer or the like that mainly converts liquid organic materials into vapor, and the first source gas supply line 35 and the first reaction gas supply line 36 are provided with various devices such as a mass flow controller (MFC) capable of controlling the supply amount of the vaporized gas and a reservoir (R) storing the vaporized gas, . In addition, various devices such as a pressure gauge may be additionally installed in the gas supply lines.

그러나, 이러한 상기 제 1 가스 공급 라인(33)은 도면에 반드시 국한되지 않고, 공정 환경이나 설치 환경 등에 따라 다양한 형태와 종류의 가스 공급 라인이 적용될 수 있다.However, the first gas supply line 33 is not limited to the drawings, and various types and types of gas supply lines may be applied depending on the process environment, the installation environment, and the like.

따라서, 이러한 상기 제 1 가스 공급 라인(33)을 이용하여 상기 기판(1)의 상기 이너 존(Z1) 방향으로 예컨대, 제 1 소스 가스-제 1 반응 가스의 순서로 교호적으로 공급될 수 있다.한편, 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 아우터 존 가스 공급부(40)는, 상기 기판의 상기 이너 존(Z1)(inner zone)을 둘러싸는 테두리 영역인 상기 기판(1)의 아우터 존(Z2)(outer zone)으로 적어도 하나 이상의 제 2 가스가 공급될 수 있도록 상기 공정 챔버(10)에 설치되는 장치일 수 있다.Thus, the first source gas-first reaction gas may be alternately supplied in the direction of the inner zone Z1 of the substrate 1 using the first gas supply line 33 2 and 4, the outer zone gas supply unit 40 includes an outer zone Z1 (outer zone) surrounding the inner zone Z1 (inner zone) of the substrate, And an apparatus installed in the process chamber 10 so that at least one second gas can be supplied to the outer zone Z2.

여기서, 상기 아우터 존 가스 공급부(40)는, 상기 기판(1)의 상기 아우터 존(Z2)으로 제 2 소스 가스, 제 2 반응 가스 및 어느 하나를 교호적으로 공급할 수 있다.Here, the outer zone gas supply unit 40 may alternatively supply the second source gas, the second reaction gas, or any one of them to the outer zone Z2 of the substrate 1.

예컨대, 도 4 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 아우터 존 가스 공급부(40)는, 상기 기판(1)의 상기 아우터 존(Z2)과 대응되도록 상기 샤워 헤드(31)의 상기 탑 플레이트(311)에 상기 중심 유로(32)를 둘러싸는 형상으로 형성되고, 하면에 다수 개의 가스 배출구(H1)가 형성되며, 상면에 다수 개의 가스 유입구(H2)가 형성되는 하부 환형 유로(41) 및 상기 하부 환형 유로(41)와 연결되고, 상기 제 2 가스를 공급하는 제 2 가스 공급 라인(44)을 포함할 수 있다.4 to 8, the outer zone gas supply unit 40 may be disposed on the top plate 311 of the shower head 31 so as to correspond to the outer zone Z2 of the substrate 1, for example, A lower annular flow path 41 in which a plurality of gas outlets H1 are formed on a lower surface and a plurality of gas inlets H2 are formed on an upper surface of the lower annular flow path 41, And a second gas supply line 44 connected to the annular flow path 41 and supplying the second gas.

여기서, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 가스 공급 라인(44)은, 상기 하부 환형 유로(41)의 상기 가스 유입구(H2)와 연결되고, 상기 가스 유입구(H2)로부터 상기 중심 유로(32) 방향으로 기울어지게 형성되는 다수 개의 경사 유로(42)와, 상기 중심 유로(32)를 둘러싸는 형상으로 형성되고, 하면에 상기 경사 유로와 연결되는 다수 개의 가스 배출구(H3)가 형성되고, 상면에 가스가 유입되는 다수 개의 가스 유입구(H4)가 형성되는 상부 환형 유로(43)와, 상기 가스 유입구(H4)와 연결되는 제 2 메인 공급 라인(45)과, 제 5 ALD 밸브(V5)가 설치되고, 소스 가스 저장소(SG)와 연결되어 상기 제 2 메인 공급 라인(45)에 제 2 소스 가스를 공급하는 제 2 소스 가스 공급 라인(46)과, 제 6 ALD 밸브(V6)가 설치되고, 반응 가스 저장소(RG)와 연결되어 상기 제 2 메인 공급 라인(45)에 제 2 반응 가스를 공급하는 제 2 반응 가스 공급 라인(47) 및 퍼지 가스 저장소(PG)와 연결되어 상기 제 2 메인 공급 라인(45)에 제 2 퍼지 가스를 공급하는 제 2 퍼지 가스 공급 라인(48)을 포함할 수 있다.8, the second gas supply line 44 is connected to the gas inlet H2 of the lower annular channel 41 and is connected to the center channel H2 from the gas inlet H2. A plurality of gas discharge ports H3 formed on the lower surface of the gas discharge port H3 so as to surround the central flow passage 32 and connected to the inclined flow path, A second main supply line 45 connected to the gas inlet H4 and a fifth main supply line 45 connected to the fifth ALD valve V5. A second source gas supply line 46 connected to the source gas reservoir SG and supplying a second source gas to the second main supply line 45; Is connected to the reaction gas reservoir (RG), and the second main supply line (45) is connected to the second half A second purge gas supply line 48 connected to the purge gas reservoir PG and supplying a second purge gas to the second main supply line 45, .

도 8에 도시된 바와 같이, 이러한, 상기 경사 유로(42)를 통해 상기 하부 환형 유로(41)로 유입되는 가스들의 분사 압력이 골고루 분산될 수 있도록 상기 하부 환형 유로(41)의 상기 가스 배출구(H1)와 이웃하는 가스 배출구(H1) 사이의 중간 지점의 상방에 상기 가스 유입구(H2)가 형성될 수 있다.As shown in FIG. 8, the gas outlet (not shown) of the lower annular flow path 41 may be formed so that the injection pressure of the gases flowing into the lower annular flow path 41 through the inclined flow path 42 can be evenly distributed. The gas inlet H2 may be formed above the intermediate point between the gas outlet H1 and the neighboring gas outlet H1.

또한, 예컨대, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 메인 공급 라인(45) 및 상기 가스 유입구(H4)를 통해 유입되는 가스들의 분사 압력이 골고루 분산될 수 있도록 상기 상부 환형 유로(43)의 상기 가스 배출구(H3)와 이웃하는 가스 배출구(H3) 사이의 중간 지점의 상방에 상기 가스 유입구(H4)가 형성되고, 상기 제 2 메인 공급 라인(45)은 상기 상부 환형 유로(43)의 복수개의 상기 가스 유입구(H4)와 각각 연결되도록 분지된 제 2-1 메인 공급 라인(451) 및 제 2-2 메인 공급 라인(452)을 포함할 수 있다.8, in order to uniformly distribute the injection pressure of the gases introduced through the second main supply line 45 and the gas inlet H4, The gas inlet H4 is formed above the intermediate point between the gas outlet H3 and the adjacent gas outlet H3 and the second main supply line 45 communicates with a plurality of Main-supply line 451 and second-2 main supply line 452 branched to be connected to the gas inlet H4.

또한, 예컨대, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 퍼지 가스 공급 라인(48)은, 제 8 제어 밸브(V8)가 설치되고, 상기 제 2 소스 가스 공급 라인(46)에 상기 제 2 퍼지 가스를 공급하는 제 2-1 퍼지 가스 공급 라인(482) 및 제 7 제어 밸브(V7)가 설치되고, 상기 제 2 반응 가스 공급 라인(47)에 상기 제 2 퍼지 가스를 공급하는 제 2-2 퍼지 가스 공급 라인(481)을 포함할 수 있다.8, the second purge gas supply line 48 is provided with an eighth control valve V8, and the second purge gas supply line 48 is connected to the second purge gas supply line 46. In addition, A second purge gas supply line 482 and a seventh control valve V7 for supplying the second purge gas to the second reaction gas supply line 47 are provided in the second reaction gas supply line 47, And a purge gas supply line 481.

따라서, 이러한 상기 제 2 메인 공급 라인(45)을 이용하여 상기 기판(1)의 상기 아우터 존(Z2) 방향으로 예컨대, 제 2 소스 가스-제 2 반응 가스가 교호적으로 공급될 수 있다.Therefore, for example, the second source gas-second reaction gas may alternatively be supplied in the direction of the outer zone Z2 of the substrate 1 using the second main supply line 45. [

그러므로, 상기 기판(1)의 상기 이너 존(Z1)과 상기 아우터 존(Z2)에 각각 독립적으로 가스들을 공급할 수 있어서 상기 기판(1)의 상기 이너 존(Z1)과 상기 아우터 존(Z2) 간의 공정 편차를 줄여서 패턴 형성의 정밀도와 신뢰도를 향상시킬 수 있고, 이로 인하여 동일한 공정 챔버를 이용하여 보다 넓은 프로세서 윈도우(process window)를 가짐으로써 공정 마진을 넓혀서 낮은 선택비는 물론이고, 높은 선택비가 요구되는 다양한 종류의 기판에 대한 대응을 가능하게 할 수 있다.Therefore, it is possible to independently supply gases to the inner zone Z1 and the outer zone Z2 of the substrate 1, respectively, so that the gap between the inner zone Z1 and the outer zone Z2 of the substrate 1 It is possible to improve the precision and reliability of the pattern formation by reducing the process deviation, thereby widening the process margin by using a wider process window by using the same process chamber, so that not only a low selectivity ratio but also a high selectivity ratio It is possible to cope with various types of substrates.

도 9은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치(500)의 이너 존 가스 공급부(30) 및 아우터 존 가스 공급부(40)를 나타내는 사시도이다.9 is a perspective view showing an inner zone gas supply unit 30 and an outer zone gas supply unit 40 of the ALD thin film deposition apparatus 500 according to another embodiment of the present invention.

예컨대, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 가스 공급 라인은, 상기 중심 유로(32)를 둘러싸는 형상으로 형성되고, 하면에 상기 경사 유로(42)와 연결되는 다수 개의 가스 배출구(H3)가 형성되고, 상면에 가스가 유입되는 다수 개의 가스 유입구(H4)가 형성되는 상부 환형 유로(43)와, 제 9 ALD 밸브(V9)가 설치되고, 소스 가스 저장소(SG)와 연결되어 상기 상부 환형 유로(43)에 제 2 소스 가스를 공급하는 제 2 소스 가스 공급 라인(49)과, 제 10 ALD 밸브(V10)가 설치되고, 반응 가스 저장소(RG)와 연결되어 상기 상부 환형 유로(43)에 제 2 반응 가스를 공급하는 제 2 반응 가스 공급 라인(50)과, 제 11 제어 밸브(V11)가 설치되고, 상기 제 2 소스 가스 공급 라인(49)에 상기 제 2 퍼지 가스를 공급하는 제 2-1 퍼지 가스 공급 라인(51) 및 제 12 제어 밸브(V12)가 설치되고, 상기 제 2 반응 가스 공급 라인(50)에 상기 제 2 퍼지 가스를 공급하는 제 2-2 퍼지 가스 공급 라인(52)을 포함할 수 있다.9, the second gas supply line is formed to surround the central flow path 32, and has a plurality of gas outlets H3 connected to the slant flow path 42 on a lower surface thereof, An upper annular flow path 43 in which a plurality of gas inlets H4 for introducing gas into the upper surface are formed and a ninth ALD valve V9 are provided and connected to the source gas reservoir SG, A second source gas supply line 49 for supplying a second source gas to the annular flow path 43 and a tenth ALD valve V10 are provided and connected to the reaction gas reservoir RG, A second reaction gas supply line 50 for supplying a second reaction gas to the first source gas supply line 49 and an eleventh control valve V11 for supplying the second purge gas to the second source gas supply line 49, A second purge gas supply line 51 and a twelfth control valve V12 are provided, And a second-2 purge gas supply line 52 for supplying the second purge gas to the gas supply line 50.

여기서, 상기 제 2 소스 가스 공급 라인(49)은 상기 상부 환형 유로(43)의 복수개의 상기 가스 유입구(H4)들 중 일부분과 각각 연결되도록 분지된 제 2-1 소스 가스 공급 라인(491) 및 제 2-2 소스 가스 공급 라인(492)을 포함할 수 있고, 상기 제 2 반응 가스 공급 라인(50)은 상기 상부 환형 유로(43)의 복수개의 상기 가스 유입구(H4)들 중 타부분과 각각 연결되도록 분지된 제 2-1 반응 가스 공급 라인(501) 및 제 2-2 반응 가스 공급 라인(502)을 포함할 수 있다.The second source gas supply line 49 includes a second-1 source gas supply line 491 branched to be connected to a portion of the plurality of gas inlets H4 of the upper annular channel 43, And the second reaction gas supply line 50 may include a second portion of the plurality of gas inlets H4 of the upper annular flow path 43, The second-1 reaction gas supply line 501 and the second-2 reaction gas supply line 502 branched to be connected to each other.

따라서, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 소스 가스와 상기 제 2 반응 가스가 각각 동일한 경로를 통해서 2 갈래로 분지되어 상기 상부 환형 유로(43)로 균등하게 유입될 수도 있고, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 소스 가스와 상기 제 2 반응 가스가 각각 별도의 경로를 통해서 2 갈래씩 총 4 갈래로 교차 분지되어 상기 상부 환형 유로(43)로 더욱 균등하게 유입될 수 있다. 그러나, 이에 반드시 국한되지 않고, 매우 다양한 경로를 통해 상기 상부 환형 유로(43)로 유입되게 할 수 있다.8, the second source gas and the second reaction gas may be branched into two bifurcations through the same path and may be uniformly introduced into the upper annular flow path 43, and as shown in Fig. 8 As shown in the figure, the second source gas and the second reaction gas may be branched into four quadrants in a bifurcated manner through separate paths, and may be more evenly introduced into the upper annular flow path 43. However, the present invention is not limited to this, and it is possible to flow into the upper annular flow path 43 through a very wide variety of paths.

도 10은 도 1의 ALD 박막 증착 장치(100)의 경사 유로(42)를 나타내는 평면도이고, 도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치(600)의 경사 유로(42)를 나타내는 평면도이고, 도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치(700)의 하부 환형 유로(41)를 나타내는 평면도이다.FIG. 10 is a plan view showing an inclined channel 42 of the ALD thin film deposition apparatus 100 of FIG. 1, and FIG. 11 is a plan view of the inclined channel 42 of the ALD thin film deposition apparatus 600 according to another embodiment of the present invention. 12 is a plan view showing the lower annular flow path 41 of the ALD thin film deposition apparatus 700 according to another embodiment of the present invention.

도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 예컨대, 상기 하부 환형 유로(41)는, 상기 중심 유로(32)의 축을 중심으로 일정한 거리에 형성되는 전체적으로 원형인 원형링 유로(411)일 수 있다. 그러나, 이에 반드시 국한되지 않고, 공정 환경이나 장비 환경 등에 따라서, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 하부 환형 유로(41)는 상기 중심 유로(32)의 축을 중심으로 일정한 거리에 형성되는 부분적으로 원형인 부분링 유로(412)일 수 있다.10 and 11, for example, the lower annular passage 41 may be a generally circular ring passage 411 formed at a predetermined distance around the axis of the central passage 32. [ 11, the lower annular flow path 41 is formed in a partially circular shape formed at a predetermined distance around the axis of the central flow path 32. However, as shown in FIG. 11, Which is a part of the ring flow channel 412.

또한, 예컨대, 도 10 및 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 경사 유로(42)는, 상기 중심 유로(32)를 기준으로 방사 형태로 배치되는 일자형 직선 유로(421)일 수 있다. 그러나, 이에 반드시 국한되지 않고, 공정 환경이나 장비 환경 등에 따라서, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 중심 유로(32)를 기준으로 방사 형태로 배치되고, 가스를 보다 균일하게 분산시킬 수 있도록 복수개(도면에서는 2 갈래)로 분지된 형태의 분지 유로(422)일 수 있다10 and 12, the inclined passage 42 may be a straight linear passage 421 disposed radially with respect to the center passage 32. [0064] As shown in FIGS. However, the present invention is not limited to this, but may be arranged in a radial manner with respect to the central flow path 32, as shown in Fig. 11, depending on the process environment, equipment environment, May be a branched flow path 422 branched into two

여기서, 이러한 상기 유로들의 형상은 공정 종류 및 사용되는 가스에 따라 최소 요구되는 퍼지 시간 및 퍼지 속도가 다르기 때문에 각 케이스 마다 짧은 퍼지시간을 유지하고 박막의 공정 산포를 좋게 하기 위하여 예컨대, 도6 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 다양한 실시예 중에서 선택적으로 적용될 수 있다.Since the shapes of the flow paths are different in purge time and purging speed which are required to be minimum according to the type of process and the gas to be used, in order to maintain a short purge time for each case and to improve process dispersion of the thin film, As shown in FIG. 8, it can be selectively applied to various embodiments.

이하에서는 전술한 ALD 박막 증착 장치(100)(200)(300)(400)(500)(600)(700)들을 이용한 ALD 박막 증착 방법에 대해서 더욱 상세하게 설명한다. Hereinafter, an ALD thin film deposition method using the ALD thin film deposition apparatuses 100, 200, 300, 400, 500, 600, 700 will be described in detail.

예를 들어, 상술된 바와 같이, 본 발명의 일 실시에에 따른 ALD 박막 증착 방법은 상기 이너 존 가스 공급부(30)를 이용하여 상기 제 1 소스 가스를 상기 기판의 상기 이너 존으로 공급하고 상기 아우터 존 가스 공급부(40)를 이용하여 상기 제 2 소스 가스를 상기 기판의 상기 아우터 존으로 공급하는 소스 가스 공급 단계와, 상기 제1 소스 가스 및 상기 제2 소스 가스를 퍼지하기 위한 소스가스 퍼지 단계, 상기 이너 존 가스 공급부(30)를 이용하여 상기 제 1 반응 가스를 상기 기판의 상기 이너 존으로 공급하고 상기 아우터 존 가스 공급부(40)를 이용하여 상기 제 2 반응 가스를 상기 기판의 상기 아우터 존으로 공급하는 반응 가스 공급 단계와, 상기 제1 반응 가스 및 상기 제2 반응 가스를 퍼지하기 위한 반응가스 퍼지 단계를 포함할 수 있다.For example, as described above, the ALD thin film deposition method according to one embodiment of the present invention supplies the first source gas to the inner zone of the substrate using the inner zone gas supply unit 30, A source gas supply step of supplying the second source gas to the outer zone of the substrate by using a zone gas supply unit 40, a source gas purge step of purging the first source gas and the second source gas, The first reaction gas is supplied to the inner zone of the substrate by using the inner zone gas supply unit 30 and the second reaction gas is supplied to the outer zone of the substrate by using the outer zone gas supply unit 40 And a reactive gas purging step for purging the first reaction gas and the second reaction gas.

이러한 소스 공급 단계에서, 제 1 소스 가스와 제 2 소스 가스는 동시에 공급되거나, 또는 이 순서 또는 그 역순으로 순차적으로 공급될 수 있다. 또한, 이러한 반응 가스 공급 단계에서 제 1 반응 가스와 제 2 반응 가스는 동시에 공급되거나, 또는 이 순서 또는 그 역순으로 순차적으로 공급될 수 있다.In this source supply step, the first source gas and the second source gas may be supplied simultaneously, or sequentially in this order or vice versa. Also, in this reaction gas supply step, the first reaction gas and the second reaction gas may be supplied at the same time, or sequentially in this order or in the reverse order.

예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 ALD 박막 증착 방법은, 크게 가스 공급량 설정 단계(S11)와, 이너 존/아우터 존 소스 가스 동시 공급 단계(S12)와, 소스가스 퍼지 단계(S13)와, 이너 존/아우터 존 반응 가스 동시 공급 단계(S14) 및 반응가스 퍼지 단계(S15)를 포함할 수 있다.For example, as shown in FIG. 1, an ALD thin film deposition method according to an embodiment of the present invention includes a gas supply amount setting step S11, an inner zone / outer zone source gas simultaneous supply step S12, Gas purging step S13, an inner zone / outer zone reaction gas simultaneous supply step S14, and a reactive gas purging step S15.

이 때, 상기 이너 존/아우터 존 소스 가스 동시 공급 단계(S12)와, 상기 이너 존/아우터 존 반응 가스 동시 공급 단계(S14)에서 이너 존과 아우터 존에는 각각 소스 가스와 반응 가스가 동시에 공급될 수 있다.At this time, in the inner zone / outer zone source gas simultaneous supply step (S12) and the inner zone / outer zone reactive gas simultaneous supply step (S14), the source gas and the reaction gas are simultaneously supplied to the inner zone and the outer zone .

나아가, 제 1 소스 가스와 제 2 소스 가스의 가스 공급량은 별도로 제어될 수 있고, 예컨대 박막의 균일성을 높이기 위해서 아우터 존으로 공급되는 제 2 소스 가스의 가스 공급량을 이너 존으로 공급되는 제 1 소스 가스의 가스 공급량보다 크게 할 수 있다. 또한, 제 1 반응 가스와 제 2 반응 가스의 가스 공급량은 별도로 제어될 수 있고, 예컨대 박막의 균일성을 높이기 위해서 아우터 존으로 공급되는 제 2 반응 가스의 가스 공급량을 이너 존으로 공급되는 제 1 반응 가스의 가스 공급량보다 크게 할 수 있다.Further, the gas supply amount of the first source gas and the second source gas may be controlled separately. For example, in order to increase the uniformity of the thin film, the gas supply amount of the second source gas supplied to the outer zone may be controlled, It is possible to make the amount of gas larger than that of the gas. In addition, the gas supply amount of the first reaction gas and the second reaction gas may be controlled separately. For example, in order to increase the uniformity of the thin film, the gas supply amount of the second reaction gas supplied to the outer zone may be controlled by a first reaction It is possible to make the amount of gas larger than that of the gas.

이를 보다 구체적으로 설명하면, 상기 가스 공급량 설정 단계(S11)는 상기 이너 존 가스 공급부(30)의 상기 제 1 소스 가스와 상기 제 1 반응 가스 및 상기 제 1 퍼지 가스 각각의 가스 공급량을 독립적으로 설정하고, 상기 아우터 존 가스 공급부(40)의 상기 제 2 소스 가스와 상기 제 2 반응 가스 및 상기 제 2 퍼지 가스 각각의 가스 공급량을 독립적으로 설정하는 단계일 수 있다.More specifically, the gas supply amount setting step S11 sets the gas supply amounts of the first source gas, the first reaction gas, and the first purge gas of the inner zone gas supply unit 30 independently And independently setting the gas supply amounts of the second source gas, the second reaction gas, and the second purge gas of the outer zone gas supply unit 40, respectively.

도 13은 도 1의 ALD 박막 증착 방법을 나타내는 그래프이다.13 is a graph showing the ALD thin film deposition method of FIG.

이어서, 상기 이너 존/아우터 존 소스 가스 동시 공급 단계(S12)는, 도 13의 실선으로 예시된 바와 같이, 상기 이너 존 가스 공급부(30)를 이용하여 상기 제 1 소스 가스를 상기 기판(1)의 상기 이너 존(Z1)으로 공급하는 동시에, 도 13의 점선으로 예시된 바와 같이, 상기 아우터 존 가스 공급부(40)를 이용하여 상기 제 2 소스 가스를 상기 기판(1)의 상기 아우터 존(Z2)으로 공급할 수 있다.The simultaneous supply of the inner zone / outer zone source gas S12 may be performed by using the inner zone gas supply unit 30 to supply the first source gas to the substrate 1, And the second source gas is supplied to the inner zone Z1 of the outer zone Z2 of the substrate 1 using the outer zone gas supply unit 40 as illustrated by the dotted line in Fig. ).

도 13의 “Purge Gas”그래프로 예시된 바와 같이, 상기 소스가스 퍼지 단계(S13)는, 상기 제1 소스가스 및 상기 제2 소스가스가 공급되는 동안 지속적으로 공급될 수 있다.As illustrated by the "Purge Gas" graph in FIG. 13, the source gas purging step (S13) may be continuously supplied while the first source gas and the second source gas are being supplied.

이어서, 상기 이너 존/아우터 존 반응 가스 동시 공급 단계(S14)는, 도 13의 일점 쇄선으로 예시된 바와 같이, 상기 이너 존 가스 공급부(30)를 이용하여 상기 제 1 반응 가스를 상기 기판(1)의 상기 이너 존(Z1)으로 공급하는 동시에, 도 13의 이점 쇄선으로 예시된 바와 같이, 상기 아우터 존 가스 공급부(40)를 이용하여 상기 제 2 반응 가스를 상기 기판(1)의 상기 아우터 존(Z2)으로 공급하는 단계일 수 있다.The simultaneous supply of the inner zone / outer zone reaction gas (S14) may include supplying the first reaction gas to the substrate 1 (1) by using the inner zone gas supply unit 30 as exemplified by the one- And the second reaction gas is supplied to the inner zone Z1 of the substrate 1 using the outer zone gas supply unit 40 as illustrated by the chain double-dashed line in FIG. 13, (Z2).

이어서, 도 13의 “Purge Gas”그래프로 예시된 바와 같이, 상기 반응가스 퍼지 단계(S15)는, 상기 제1 반응가스 및 상기 제2 반응가스가 공급되는 동안 지속적으로 공급될 수 있다.Then, as illustrated by the "Purge Gas" graph of FIG. 13, the reactive gas purging step (S15) may be continuously supplied while the first reaction gas and the second reaction gas are supplied.

도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른ALD 박막 증착 방법을 나타내는 그래프이다.14 is a graph showing a method of depositing an ALD thin film according to another embodiment of the present invention.

도 2 및 도 14에 도시된 바와 같이, 상술된 본 발명의 여러 실시예들에 따른 ALD 박막 증착 장치(100)(200)(300)(400)(500)(600)(700)들을 이용한 ALD 박막 증착 방법은 상술된 상기 공정 챔버(10), 상기 기판 지지부(20), 상기 이너 존 가스 공급부(30), 상기 아우터 존 가스 공급부(40)를 포함하는 ALD 박막 증착 장치(100)를 이용한 ALD 박막 증착 방법으로서, 크게 공급량 설정 단계(S21)와, 이너 존/아우터 존 소스 가스 순차 공급 단계(S22)와, 소스가스 퍼지 단계(S23)와, 이너 존/아우터 존 반응 가스 순차 공급 단계(S24) 및 반응가스 퍼지 단계(S25)를 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 2 and 14, the ALD thin film deposition apparatuses 100, 200, 300, 400, 500, 600, 700 according to the embodiments of the present invention described above, The ALD thin film deposition apparatus 100 including the process chamber 10, the substrate supporter 20, the inner zone gas supply unit 30, and the outer zone gas supply unit 40, A source gas purge step S23, an inner zone / outer zone reaction gas sequential supply step S24 (step S24), an inner zone / outer zone gas supply step S22 And a reactive gas purge step S25.

이 때, 상기 이너 존/아우터 존 소스 가스 순차 공급 단계(S22)와, 상기 이너 존/아우터 존 반응 가스 순차 공급 단계(S24)에서 먼저 이너 존에 제 1 소스 가스가 공급된 후, 나중에 아우터 존에 제 2 소스 가스가 순차적으로 공급될 수 있고, 이너 존에 제 1 반응 가스가 공급된 후, 나중에 아우터 존에 제 2 반응 가스가 순차적으로 공급될 수 있다.At this time, after the first source gas is first supplied to the inner zone in the inner zone / outer zone source gas sequential supply step S22 and the inner zone / outer zone reaction gas sequential supply step S24, The second source gas may be sequentially supplied and the second reaction gas may be sequentially supplied to the outer zone after the first reaction gas is supplied to the inner zone.

여기서, 상기 가스 공급량 설정 단계(S21)는 상기 이너 존 가스 공급부(30)의 상기 제 1 소스 가스와 상기 제 1 반응 가스 및 상기 제 1 퍼지 가스 각각의 가스 공급량을 독립적으로 설정하고, 상기 아우터 존 가스 공급부(40)의 상기 제 2 소스 가스와 상기 제 2 반응 가스 및 상기 제 2 퍼지 가스 각각의 가스 공급량을 독립적으로 설정하는 단계일 수 있다.Here, the gas supply amount setting step S21 independently sets the gas supply amounts of the first source gas, the first reaction gas, and the first purge gas of the inner zone gas supply unit 30, And independently setting the gas supply amounts of the second source gas, the second reaction gas, and the second purge gas of the gas supply unit 40, respectively.

이어서, 상기 이너 존/아우터 존 소스 가스 순차 공급 단계(S22)는, 도 14의 실선으로 예시된 바와 같이, 상기 이너 존 가스 공급부(30)를 이용하여 상기 제 1 소스 가스를 상기 기판의 상기 이너 존으로 공급하고, 도 14의 점선으로 예시된 바와 같이, 그 이전 또는 그 이후에 상기 아우터 존 가스 공급부를 이용하여 상기 제 2 소스 가스를 상기 기판의 상기 아우터 존으로 순차적으로 공급하는 단계일 수 있다.Subsequently, the inner zone / outer zone source gas supply step (S22) is performed by using the inner zone gas supply unit (30) to supply the first source gas to the inner Zone and sequentially supplying the second source gas to the outer zone of the substrate using the outer zone gas supply before or after it, as illustrated by the dotted line in Fig. 14 .

이어서, 도 14의 “Purge Gas”그래프로 예시된 바와 같이, 상기 소스 가스 퍼지 단계(S23)는, 상기 제1 소스가스 및 상기 제2 소스가스가 공급되는 동안 지속적으로 공급될 수 있다.Then, as illustrated by the "Purge Gas" graph in FIG. 14, the source gas purging step (S23) can be continuously supplied while the first source gas and the second source gas are supplied.

이어서, 상기 반응 가스 순차 공급 단계(S24)는, 도 14의 일점 쇄선으로 예시된 바와 같이, 상기 이너 존 가스 공급부(30)를 이용하여 상기 제 1 반응 가스를 상기 기판(1)의 상기 이너 존(Z1)으로 공급하고, 도 12의 이점 쇄선으로 예시된 바와 같이, 그 이전 또는 그 이후에 상기 아우터 존 가스 공급부(40)를 이용하여 상기 제 2 반응 가스를 상기 기판(1)의 상기 아우터 존(Z2)으로 순차적으로 공급하는 단계일 수 있다.14, the first reaction gas is supplied to the inner zone (not shown) of the substrate 1 by using the inner zone gas supply unit 30, And the second reaction gas is supplied to the outer zone (Z1) of the substrate (1) by using the outer zone gas supply unit (40) before or after that as illustrated by the chain double- (Z2).

이어서, 도 14의 “Purge Gas”그래프로 예시된 바와 같이, 상기 반응가스 퍼지 단계(S25)는, 상기 제1 반응가스 및 상기 제2 반응가스가 공급되는 동안 지속적으로 공급될 수 수 있다.Then, as illustrated by the "Purge Gas" graph of FIG. 14, the reactive gas purging step (S25) can be continuously supplied while the first reaction gas and the second reaction gas are supplied.

또한, 예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 ALD 박막 증착 방법은, 크게 가스 공급량 설정 단계(S31)와, 아우터 존/이너 존 소스 가스 순차 공급 단계(S32)와, 퍼지 가스 공급 단계(S33)와, 아우터 존/이너 존 반응 가스 순차 공급 단계(S34) 및 퍼지 가스 공급 단계(S35)를 포함할 수 있다.3, the ALD thin film deposition method according to another embodiment of the present invention includes a gas supply amount setting step S31, an outer zone / inner zone source gas sequential supply step S32, A purge gas supply step S33, an outer zone / inner zone reaction gas sequential supply step S34, and a purge gas supply step S35.

이 때, 상기 아우터 존/이너 존 소스 가스 순차 공급 단계(S32)와, 상기 아우터 존/이너 존 반응 가스 순차 공급 단계(S34)에서 먼저 아우터 존에 제 1 소스 가스가 공급된 후, 나중에 이너 존에 제 2 소스 가스가 순차적으로 공급될 수 있고, 아우터 존에 제 1 반응 가스가 공급된 후, 나중에 이너 존에 제 2 반응 가스가 순차적으로 공급될 수 있다.At this time, the first source gas is first supplied to the outer zone in the outer zone / inner zone source gas sequential supply step S32 and the outer zone / inner zone reaction gas sequential supply step S34, The second source gas can be sequentially supplied to the outer zone, and the second reaction gas can be sequentially supplied to the inner zone later after the first reaction gas is supplied to the outer zone.

그러므로, 상기 기판(1)의 상기 이너 존(Z1)과 상기 아우터 존(Z2)에 각각 독립적으로 가스들을 공급할 수 있어서 상기 기판(1)의 상기 이너 존(Z1)과 상기 아우터 존(Z2) 간의 공정 편차를 줄여서 패턴 형성의 정밀도와 신뢰도를 향상시킬 수 있고, 이로 인하여 동일한 공정 챔버를 이용하여 보다 넓은 프로세서 윈도우(process window)를 가짐으로써 공정 마진을 넓혀서 낮은 선택비는 물론이고, 높은 선택비가 요구되는 다양한 종류의 기판에 대한 대응을 가능하게 할 수 있다.Therefore, it is possible to independently supply gases to the inner zone Z1 and the outer zone Z2 of the substrate 1, respectively, so that the gap between the inner zone Z1 and the outer zone Z2 of the substrate 1 It is possible to improve the precision and reliability of the pattern formation by reducing the process deviation, thereby widening the process margin by using a wider process window by using the same process chamber, so that not only a low selectivity ratio but also a high selectivity ratio It is possible to cope with various types of substrates.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

1: 기판
10: 공정 챔버
20: 기판 지지부
30: 이너 존 가스 공급부
31: 샤워 헤드
32: 중심 유로
40: 아우터 존 가스 공급부
41: 하부 환형 유로
42: 경사 유로
43:상부 환형 유로
70: 영역 구획 격벽
100, 200, 300, 400, 500, 600, 700: ALD 박막 증착 장치1: substrate
10: Process chamber
20:
30: inner zone gas supply part
31: Shower head
32:
40: outer zone gas supply part
41: Lower annular channel
42:
43: upper annular flow path
70: area partition wall
100, 200, 300, 400, 500, 600, 700: ALD thin film deposition apparatus

Claims (10)

박막을 증착하기 위한 반응 공간이 형성되는 공정 챔버, 상기 공정 챔버에 설치되고 기판을 지지하는 기판 지지부, 상기 기판의 이너 존(inner zone)으로 제 1 소스 가스와 제 1 반응 가스 및 제 1 퍼지 가스를 공급하는 이너 존 가스 공급부, 상기 기판의 상기 이너 존을 둘러싸는 외측 영역인 상기 기판의 아우터 존(outer zone)으로 제 2 소스 가스와 제 2 반응 가스 및 제 2 퍼지 가스를 공급하는 아우터 존 가스 공급부를 포함하는 ALD 박막 증착 장치를 이용한 ALD 박막 증착 방법에 있어서,
상기 제 1 소스 가스를 상기 기판의 상기 이너 존으로 공급하고 상기 제 2 소스 가스를 상기 기판의 상기 아우터 존으로 공급하는 소스 가스 공급 단계;
상기 제 1 소스 가스 및 상기 제 2 소스 가스를 퍼지하기 위한 소스가스 퍼지 단계;
상기 제 1 반응 가스를 상기 기판의 상기 이너 존으로 공급하고 상기 제 2 반응 가스를 상기 기판의 상기 아우터 존으로 공급하는 반응 가스 공급 단계; 및
상기 제 1 반응 가스 및 상기 제 2 반응 가스를 퍼지하기 위한 반응가스 퍼지 단계;
를 포함하는, ALD 박막 증착 방법.A process chamber in which a reaction space for depositing a thin film is formed, a substrate support disposed in the process chamber and supporting the substrate, a first source gas, a first reaction gas, and a first purge gas An outer zone gas supply part for supplying the second source gas, the second reaction gas and the second purge gas to the outer zone of the substrate which is an outer area surrounding the inner zone of the substrate, In an ALD thin film deposition method using an ALD thin film deposition apparatus including a supply section,
A source gas supplying step of supplying the first source gas to the inner zone of the substrate and supplying the second source gas to the outer zone of the substrate;
A source gas purging step for purging the first source gas and the second source gas;
A reaction gas supply step of supplying the first reaction gas to the inner zone of the substrate and supplying the second reaction gas to the outer zone of the substrate; And
A reactive gas purging step for purging the first reaction gas and the second reaction gas;
Lt; RTI ID = 0.0 > ALD < / RTI > 제 1 항에 있어서,
상기 소스 가스 공급 단계에서, 상시 제 1 소스 가스의 공급과 상기 제 2 소스 가스의 공급은 동시에 수행되는, ALD 박막 증착 방법.The method according to claim 1,
Wherein in the source gas supply step, the supply of the first source gas and the supply of the second source gas are always performed at the same time. 제 1 항에 있어서,
상기 소스 가스 공급 단계에서, 상시 제 1 소스 가스의 공급과 상기 제 2 소스 가스의 공급은 이 순서 또는 그 역순으로 순차적으로 수행되는, ALD 박막 증착 방법.The method according to claim 1,
Wherein in the source gas supply step, the supply of the first source gas and the supply of the second source gas are always performed in this order or in the reverse order. 제 1 항에 있어서,
상기 반응 가스 공급 단계에서, 상시 제 1 반응 가스의 공급과 상기 제 2 반응 가스의 공급은 동시에 수행되는, ALD 박막 증착 방법.The method according to claim 1,
Wherein the supply of the first reaction gas and the supply of the second reaction gas are always performed simultaneously in the reaction gas supply step. 제 1 항에 있어서,
상기 반응 가스 공급 단계에서, 상시 제 1 반응 가스의 공급과 상기 제 2 반응 가스의 공급은 이 순서 또는 그 역순으로 순차적으로 수행되는, ALD 박막 증착 방법.The method according to claim 1,
Wherein the supply of the first reaction gas and the supply of the second reaction gas are sequentially performed in this order or in the reverse order in the reaction gas supply step. 제 1 항에 있어서,
상기 소스 가스 동시 공급 단계 이전에,
상기 이너 존 가스 공급부의 상기 제 1 소스 가스와 상기 제 1 반응 가스 및 상기 제 1 퍼지 가스 각각의 가스 공급량을 독립적으로 설정하고, 상기 아우터 존 가스 공급부의 상기 제 2 소스 가스와 상기 제 2 반응 가스 및 상기 제 2 퍼지 가스 각각의 가스 공급량을 독립적으로 설정하는 가스 공급량 설정 단계;
를 포함하는, ALD 박막 증착 방법.The method according to claim 1,
Before the simultaneous supply of the source gas,
The gas supply amount of each of the first source gas, the first reaction gas and the first purge gas of the inner zone gas supply unit is independently set, and the second source gas of the outer zone gas supply unit and the second reaction gas And a gas supply amount setting step of independently setting a gas supply amount of each of the second purge gases;
Lt; RTI ID = 0.0 > ALD < / RTI > 제 6 항에 있어서,
상기 제 2 소스 가스의 가스 공급량은 상기 제 1 소스 가스의 공급량보다 크거나 같은 것을 특징으로 하는 ALD 박막 증착 방법.The method according to claim 6,
Wherein the gas supply amount of the second source gas is greater than or equal to the supply amount of the first source gas. 제 7 항에 있어서,
상기 제 2 반응 가스의 가스 공급량은 상기 제 1 반응 가스의 공급량보다 크거나 같은 것을 특징으로 하는 ALD 박막 증착 방법.8. The method of claim 7,
Wherein the gas supply amount of the second reaction gas is greater than or equal to the supply amount of the first reaction gas. 제 1 항에 있어서,
상기 소스 가스 공급 단계에서,
상기 제 1 소스 가스는 중심 유로를 따라 수직으로 배출되는, ALD 박막 증착 방법.The method according to claim 1,
In the source gas supply step,
Wherein the first source gas is discharged vertically along a center flow path. 제 9 항에 있어서,
상기 소스 가스 공급 단계에서,
상기 제 2 소스 가스는 상기 중심 유로를 둘러싸는 형상으로 형성되는 상부 환형 유로를 따라 1차 분산되고, 경사 유로를 따라 2차 분산되며, 하부 환형 유로를 따라 3차 분산되어 가스 배출구로 배출되는, ALD 박막 증착 방법.10. The method of claim 9,
In the source gas supply step,
Wherein the second source gas is primarily dispersed along an upper annular flow path formed to surround the central flow path, is secondarily dispersed along an inclined flow path, is thirdarily dispersed along a lower annular flow path, ALD thin film deposition method.
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