KR20180071307A - 원통형 이방적 열 전도성을 갖는 복합 장치 - Google Patents

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Abstract

처리 챔버 안에서 기판을 지지하고 또한 그 기판의 표면 온도를 조절하기 위한 장치가 제공된다. 이 장치는, 기판을 지지하도록 되어 있는 표면을 포함하는 베이스 지지부, 및 베이스 지지부 가까이에 배치되고 기판을 가열하기 위한 가열기를 포함한다. 베이스 지지부는 매트릭스 내부에 내장되어 있는 복수의 열전도성 아치형 부재를 포함하는 복합 재료로 만들어지고, 복합 재료가 베이스 지지부의 원통 좌표계에서 반경 방향(ρ), 방위 방향(φ) 및 축방향(z)으로 이방적인(anisotropic) 열전도성을 제공하도록, 복수의 열전도성 아치형 부재 각각은 동심으로 배치되고 또한 미리 정해진 반경 방향 간격을 규정한다.

Description

원통형 이방적 열 전도성을 갖는 복합 장치
본 개시는, 작업 중에 열 손실 및/또는 편차를 보상할 수 있도록, 정확한 온도 프로파일을 가열 대상물에 전달할 수 있는 가열기 시스템을 포함하는 장치에 관한 것이다. 이 장치는, 반도체 처리공정을 포함한 다양한 분야에 응용될 수 있다.
이 절에서 설명된 사항들은 단지 본 개시에 관련된 배경 정보를 제공하기 위한 것이므로, 종래 기술을 구성하지 않을 수 있다.
반도체 처리공정의 기술에서, 예를 들면, 처리공정 중에 기판(또는 웨이퍼)을 유지시키고 또한 균일한 온도 프로파일을 기판에 제공하기 위해 척(chuck) 또는 서셉터(susceptor)가 사용된다. 이러한 지지 어셈블리는 내장형 전극을 갖는 정전(electrostatic) 척과, 접착제 층을 통해 정전 척에 결합되는 가열기 판을 포함할 수 있다. 가열기는 가열기 판에 고정되는데, 일예로 가열기는 에칭된 포일 가열기일 수 있다.
이 가열기 어셈블리는 다시 접착제 층을 통해 냉각 판에 결합된다. 기판은 정전 척 상에 배치되고, 전극은, 정전기력이 발생되도록 전압원에 연결되고, 그 정전기력에 의해 기판이 제자리에 유지된다. 지지 어셈블리를 둘러싸는 플라즈마 반응기 챔버 내부에서 무선 주파수(RF) 또는 마이크로파 전원이 정전 척에 연결될 수 있다. 따라서 가열기는, 플라즈마 강화 필름(plasma enhanced film)의 증착 또는 에칭을 포함하는 다양한 챔버내 플라즈마 반도체 처리공정 동안에 기판의 온도를 유지하기 위해 필요한 열을 제공한다.
기판의 처리공정의 모든 단계에 있어, 총 처리공정 시간을 줄이는 한편, 에칭되는 기판 내에서의 가공 편차를 감소시키기 위해, 정전 척의 온도 프로파일은 엄격하게 제어된다. 다른 응용 분야 중에서도, 기판의 온도 균일성을 개선하기 위한 장치 및 방법이, 반도체 처리 기술에서 지속적으로 요망되고 있다.
본 개시의 일 형태에서, 처리 챔버 안에서 기판을 지지하고 또한 그 기판의 표면 온도를 조절하기 위한 장치가 제공된다. 이 장치는, 기판을 지지하도록 되어 있는 표면을 포함하는 베이스 지지부, 및 베이스 지지부 가까이에 배치되고 기판을 가열하기 위한 가열기를 포함한다. 상기 베이스 지지부는 매트릭스 내부에 내장되어 있는 복수의 열전도성 아치형 부재를 포함하는 복합 재료로 만들어진다. 상기 복합 재료가 상기 베이스 지지부의 원통 좌표계에서 반경 방향(ρ), 방위 방향(φ) 및 축방향(z)으로 이방적인(anisotropic) 열전도성을 제공하도록, 상기 복수의 열전도성 아치형 부재 각각은 동심으로 배치되고 또한 미리 정해진 반경 방향 간격을 규정한다. 열전도성 부재는, 방위 방향의 열전도성이 반경 방향 또는 축방향 보다 높도록 배치될 수 있다. 일 형태에서, 가열기는 층상 가열기이다.
열전도성 아치형 부재는 연속적인 링을 형성할 수 있다. 아치형 부재는 또한 영역에 배치되는 대칭형 부분을 형성할 수 있다. 아치형 부재는 동일하거나 서로 다른 재료로 만들어질 수 있고, 또한 유사하거나 서로 다른 길이를 가질 수 있다. 아치형 부재는 또한 가변적인 폭을 갖거나 가변적인 트레이스(trace) 기하 구조를 형성할 수 있으며, 함께/또는, 호(arc) 외의 다른 기하 구조, 예컨대 다각형 또는 다양한 형상의 불연속적인 부분으로 제공될 수 있다.
본 개시의 다른 양태에 따르면, 매트릭스는 비한정적으로 폴리이미드 재료일 수 있다. 이 폴리이미드 재료는 폴리-옥시디페닐렌-파이로멜리티미드 재료일 수 있고 이에 한정되지 않는다.
본 개시의 또 다른 양태에 따르면, 열전도성 부재는 흑연 섬유이다. 베이스 지지부의 약 10 중량%가 상기 흑연 섬유를 포함하는 경우, 일 형태에서 베이스 지지부의 반경 방향 및 축방향 열전도성은 적어도 0.4 W/mK 이다. 베이스 지지부의 약 88 중량%가 상기 흑연 섬유를 포함하는 경우, 일 형태에서 베이스 지지부의 반경 방향 및 축방향 열전도성은 6.0 W/mK 미만이다.
대안적으로, 베이스 지지부의 약 8 중량%가 상기 흑연 섬유를 포함하는 경우, 일 형태에서 베이스 지지부의 방위 방향 열전도성은 적어도 80 W/mK 이다. 베이스 지지부의 약 90 중량%가 상기 흑연 섬유를 포함하는 경우, 일 형태에서 베이스 지지부의 방위 방향 열전도성은 900 W/mK 미만이다.
본 개시의 다른 형태에서, 타겟 부분에 열을 공급하는 장치가 제공된다. 이 장치는, 매트릭스 내부에 내장되어 있는 적어도 하나의 열전도성 아치형 부재를 포함하는 복합 재료로 만들어진 베이스 지지부를 포함하고, 그 복합 재료는 베이스 지지부의 원통 좌표계에서 반경 방향(ρ), 방위 방향(φ) 및 축방향(z)으로 이방적인 열전도성을 제공한다. 원하는 경우, 장치는, 동심으로 배치되고 또한 미리 정해진 반경 방향 간격을 규정하는 복수의 열전도성 아치형 부재를 더 포함할 수 있다. 이들 아치형 부재는, 위에서 언급되어 있고 여기서 더 도시되고 설명되는 바와 같은 연속적인 링 또는 다른 구성을 형성할 수 있다.
본 개시의 또 다른 형태에서, 타겟 부분에 열을 제공하는 방법이 제공된다. 이 방법은 복합 재료로 만들어진 베이스 지지부를 제공하는 단계, 및 인접 부품을 통해 상기 베이스 지지부에 열을 가하는 단계를 포함한다. 복합 재료는 매트릭스 내부에 내장되어 있는 복수의 열전도성 아치형 부재를 포함하고, 복수의 열전도성 아치형 부재 각각은 동심으로 배치되고 또한 미리 정해진 반경 방향 간격을 규정한다. 복합 재료는 베이스 지지부의 원통 좌표계에서 반경 방향(ρ), 방위 방향(φ) 및 축방향(z)으로 이방적인 열전도성을 제공한다.
추가 적용 영역은 여기에 제공되어 있는 설명으로부터 명백하게 될 것이다. 설명 및 특정한 예는 단지 실례를 들기 위한 것이고 본 개시의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다.
본 개시를 잘 이해할 수 있도록, 이제, 첨부 도면을 참조하여, 예로 주어진 본 개시의 다양한 형태를 설명한다.
도 1은 본 개시의 교시에 따라 구성된 장치의 측단면도이다.
도 2a 내지 2d는 매트릭스 복합 재료 내부에 내장되어 있고 본 개시의 교시에 따라 구성된 다양한 형태의 열전도성 부재를 나타내는 베이스 지지부의 평면도이다.
도 3은 참조 목적으로 제공된 원통 좌표(ρ,φ, z)와 관련된 기하학적 공간을 그래픽적으로 나타낸 것이다.
도 4는 본 개시의 일 형태에서 흑연 섬유의 중량%의 함수로 나타나 있는, 상이한 방향으로 베이스 지지부에 의해 나타나는 열전도성을 보여주는 시험 데이타의 그래프이다.
도 5a는 매트릭스 재료만 포함하는 지지 베이스에 대해 측정된 열 프로파일의 평면도이다.
도 5b는 본 개시의 교시에 따라 준비된 복합 지지 베이스에 대한 열 프로파일의 평면도이다.
도 6은 본 개시의 교시에 따라 타겟 부분에 열을 제공하는 방법을 개략적으로 나타낸다.
여기서 설명되는 도면은 단지 도시의 목적을 위한 것이고 본 개시의 범위를 어떤 식으로든 한정하고자 하는 것은 아니다.
이하의 설명은 단지 예시적인 것이고, 본 개시, 용례 또는 사용을 한정하고자 하는 것은 아니다. 예컨대, 본 개시의 이하의 형태는 반도체 처리에 사용되는 척(chuck), 또한 어떤 경우에는 정전 척을 위한 지지 어셈블리에 대한 것이다. 그러나, 여기서 제공되는 지지 어셈블리 및 시스템은 다양한 용례에서 사용될 수 있고 반도체 처리 용례에 한정되지 않음을 이해해야 한다. 도면 전체에 걸쳐, 대응하는 참조 번호는 유사하거나 대응하는 부분 및 특징적 요소를 나타냄을 이해해야 한다.
도 1을 참조하면, 처리 챔버 안에서 기판(10)을 지지하고 또한 그 기판(10)의 표면 온도를 조절하기 위한 장치(20)가 대략적으로 제공되어 있다. 이 장치(20)는, 기판(10)을 지지하도록 되어 있는 표면(24)을 포함하는 베이스 지지부(22), 및 기판(10)을 가열하기 위해 베이스 지지부(22) 가까이에 배치되어 있는 가열기(26)를 포함한다. 본 개시에 관련된 이러한 가열기 및 그의 재료에 대한 추가 설명은 미국 특허 7,196,295 및 계류 중인 미국 특허 출원 11/475,534 및 13/599,648에 개시되어 있고, 이것들은 본 출원과 함께 본 출원인에게 양도되어 있고, 그의 개시 내용은 전체적으로 본 명세서에 참조로 관련되어 있다.
일 형태에서, 가열기는 층상 가열기일 수 있다. 여기서 사용되는 바와 같이, 층상 가열기는 층상 공정으로 형성되는 적어도 하나의 층을 포함하는 가열기로서 정의된다. 다시 말해, 여기서 사용되는 바와 같이, "층상 가열기" 라는 용어는, 적어도 하나의 기능적인 층(예컨대, 특히, 결합 코팅 층, 유전성 층, 저항 가열 층, 보호 층, 상위 코팅 층)을 포함하는 가열기를 포함하는 것으로 해석되어야 하고, 층은 특히 후막, 박막, 열 스프레이(thermal spraying) 또는 졸-겔(sol-gel)과 관련된 공정을 사용하여 재료를 기판 또는 다른 층에 도포하거나 축적하여 형성된다. 이들 공정을 또한 "층상 공정", "층상화 공정" 또는 "층상 가열기 공정" 이라고도 한다. 이들 종류의 층상 가열기 사이의 주된 차이는 층이 형성되는 방법이다. 예컨대, 후막 가열기를 위한 층은 일반적으로, 특히, 스크린 인쇄, 전사 인쇄, 또는 막 인쇄 헤드와 같은 공정을 사용하여 형성된다. 박막 가열기를 위한 층은 일반적으로 특히 이온 도금, 스퍼터링, 화학적 기상 증착(CVD), 및 물리적 기상 증착(PVD)과 같은 증착 공정을 사용하여 형성된다. 박막 및 후막 기술 외의 또 다른 일련의 공정은 열 스프레이 공정으로 알려져 있는 것인데, 이 용사 공정은 예컨대, 특히, 화염 스프레이(flame spraying), 플라즈마 스프레이(plasma spraying), 와이어 아크 스프레이(wire arc spraying) 및 HVOF(High Velocity Oxygen Fuel)를 포함할 수 있다.
이제 도 2A 내지 2D를 참조하면, 베이스 지지부(22)는 매트릭스 재료(32) 내부에 내장되어 있는 복수의 열전도성 아치형 부재(30)를 포함하는 복합 재료(28)이다. 일 형태에서, 아치형 부재(30)는 도면에 나타나 있는 바와 같이 연속적인 링을 형성한다. 대안적 형태의 아치형 부재(30)는 도 2B 및 2C에서 보듯이, 영역들에 배치되는 대칭형 부분을 형성한다. 예컨대, 도 2B에서, 아치형 부재(30)는 불연속적인 동심 호(arc)로 나타나 있는데, 이들 동심 호는 서로 다른 가열기 영역을 형성하도록 배치되어 있고, 이러한 가열기 영역은 또한 영역들 사이의 혼선(cross-talk)(연속적인 동심 링/부분 사이에 바람직하지 않은 전류가 전달되는 것)을 줄일 수 있다. 도 2C에서, 아치형 부재(30)는, 불연적인 동심 호의 반경 방향 겹침이 있도록 분포되어 있는데, 이러한 겹침 또한 혼선을 줄여준다. 이들 배치 각각은 열전도성 아치형 부재(30)가 취할 수 있는 상이한 형태를 단지 예시하는 것이며, 본 개시의 범위를 한정하는 것으로 해석되어서는 아니 된다. 추가로, 열전도성 아치형 부재(30)는 본 개시의 대안적인 형태에서 호 형태에 한정되지 않을 수 있다. 다른 기하학적 형태는 예컨대, 특히, 타원형, B-곡선(당업계에는 베지어(Bezier) 곡선으로도 알려져 있음), 선(lines), 스플라인(spline), 및 이것들의 조합을 포함할 수 있다. 따라서, 여기서 도시되어 있고 설명되는 바와 같은 열전도성 아치형 부재(30)에 대한 형태로서 기하학적 호(geometric arc)는 본 개시의 범위를 한정하는 것으로 해석되어서는 아니 된다.
도 2B 내지 2D를 계속 참조하면, 열전도성 아치형 부재(30)는 동일한 또는 서로 다른 재료로 만들어질 수 있고, 베이스 지지부(22) 내부에서 유사한 또는 다른 길이(30c, 30d)를 가질 수 있다. 열전도성 아치형 부재(30) 각각은 또한 가변적인 폭(30a, 30b)을 갖거나 가변적인 트레이스(trace) 기하 구조 또는 경로(30e, 30f)를 형성할 수 있다. 열전도성 부재에 대한 이들 형태/기하 구조는 단지 예시적인 것이며, 본 개시의 범위를 한정하는 것으로 해석되어서는 아니 된다.
일 형태에서, 열전도성 아치형 부재(30)는 흑연 섬유를 포함하는데, 하지만, 어떤 열전도성 재료라도 본 개시의 범위 내에서 사용될 수 있다. 이러한 재료는, 예컨대, 전도성 금속, 전도성 재료로 코팅되어 있거나 그 내부에 내장되어 있는 비전도성 재료를 포함할 수 있고, 또한 일 예시적인 형태에서, 함께 직조되거나 결합되는 복수의 필라멘트 또는 스트랜드(strand)를 포함할 수 있다. 이들 대안적인 재료 및 그의 형태는 단지 예시적인 것이고, 본 개시의 범위를 한정하는 것으로 해석되어서는 아니 된다.
일 형태에서, 매트릭스 재료(32)는 폴리이미드 재료이다. 폴리이미드 재료는, 비한정적으로, 폴리-(4,4'-옥시디페닐렌 파이로-멜리티미드) 또는 Kapton®(미국의 듀퐁사)와 같은 폴리-옥시디페닐렌 파이로-멜리티미드 재료일 수 있다. 폴리이미드 재료는 단지 예시적인 것이며 예컨대 알루미늄과 같은 다른 매트릭스 재료가 본 개시의 범위 내에서 사용될 수 있음을 이해해야 한다. 이러한 재료는 예컨대 폴리머 재료 또는 세라믹 재료를 포함할 수 있다.
본 개시의 교시에 따르면, 그리고 도 2A 내지 2C에 나타나 있는 바와 같이, 일 형태에서, 베이스 지지부(22)의 원통 좌표계에서 복합 재료(28)가 반경 방향(ρ), 방위 방향(φ) 및 축방향(z)으로 이방적(anisotropic)인 열전도성을 제공하도록, 아치형 부재(30)는 동심으로 배치되고 또한 미리 정해진 반경 방향 간격(l)을 규정한다. 원하는 경우, 열전도성 아치형 부재(30)는, 방위 방향(φ)의 열전도성이 반경 방향(ρ) 또는 축방향(z) 보다 높도록 배치될 수 있다. 또한, 간격(l)은 베이스 지지부(22)를 가로질러 일정하거나 동일할 필요는 없고, 대신에, 간격(l)의 크기 또는 거리는 본 개시의 다른 형태에 따라 달라질 수 있다.
이제 도 3을 참조하면, 원통 좌표계에서의 반경 방향(ρ), 방위 방향(φ) 및 축방향(z)이 참조로 나타나 있다. 원통 좌표계는, 선택된 기준 축으로부터의 거리, 선택된 기준 방향에 대한 그 기준 축으로부터의 방향 및 기준 축에 수직인 선택된 기준면으로부터의 거리로 점(x)의 위치를 특정하는 3차원 좌표계를 나타낸다. 원통 좌표계에서 점(x)은 나타나 있는 바와 같이 좌표(ρ,φ, z)로 식별될 수 있고, 여기서ρ는 반경 방향 좌표이고 φ는 각도 좌표 또는 방위각이고 z는 높이, 길이 방향 또는 축방향 좌표이다.
일 형태에서, 베이스 지지부(22)는 열전도성 아치형 부재(30)를 원하는 형태 또는 기하 구조로 정렬하거나 배치하여 준비되며, 그런 다음에 그 아치형 부재는 매트릭스 재료(36) 내부에 내포된다. 예컨대, 열전도성 아치형 부재(30)는 적어도 하나의 매트릭스 재료 층 상에 배치되고, 그런 다음에 적어도 하나의 층이 그 열전도성 아치형 부재(30) 위에 배치되어 복합 재료(28)를 형성하게 된다.
본 개시와 관련된 이점을 더 충분히 설명하기 위해, 이하의 예가, 동심원으로 배치되는 열전도성 아치형 부재(30)인 흑연 섬유를 Kapton® 브랜드 폴리이미드 매트릭스 재료와 함께 포함하는 베이스 지지부(22)를 사용하여 제공된다. 전술한 바와 같이, 다른 패턴으로 성형되어 있고 대안적인 조성의 매트릭스 재료 내부에 내포되는 다른 열전도성 부재의 포함 및 사용도 본 개시의 범위 내에 있는 것으로 생각된다.
이제 도 4를 참조하면, 도 2A에 도시되어 있는 바와 같은 본 개시의 일 형태에서, 방위 방향(φ)으로 베이스 지지부(22)에 의해 제공되는 열전도성은 반경 방향(ρ) 또는 축방향(z)으로 제공되는 열전도성 보다 크다. 보다 구체적으로, 베이스 지지부(22)의 약 10 중량%가 흑연 섬유를 포함하는 경우, 베이스 지지부(22)의 반경 방향 및 축방향 열전도성은 적어도 0.4 W/mK 이다. 베이스 지지부(22)의 약 88 중량%가 흑연 섬유를 포함하는 경우, 베이스 지지부(22)의 반경 방향 및 축방향 열전도성은 6.0 W/mK 미만이다. 대안적으로, 베이스 지지부(22)의 약 8 중량%가 흑연 섬유를 포함하는 경우, 베이스 지지부(22)의 방위 방향 열전도성은 적어도 80 W/mK 이다. 베이스 지지부(22)의 약 90 중량%가 흑연 섬유를 포함하는 경우, 베이스 지지부의 방위 방향 열전도성은 900 W/mK 미만이다. 이들 값은 본 개시의 원리를 설명하는 단지 예시적인 것이며, 본 개시의 범위를 한정하는 것으로 해석되어서는 아니 된다.
이제 도 5A를 참조하면, 장치가 약 60℃의 목표 온도로 가열된 경우에, Kapton® 재료 매트릭스(예컨대, 비열전도성 부재)만으로 된 베이스 지지부(22)를 포함하는 장치에 대해 측정된 열분포가 나타나 있다. 이 열분포는, 더 어두운/붉은 영역으로 나타나 있는 바와 같이, 다수의 열점(hotspot)(H)을 보이고 있다.
비교를 위해, 도 5B에는, Kapton® 재료 매트릭스에 내장되어 있는 동심 정렬 흑연 섬유(즉, 열전도성 아치형 부재(30)의 일 형태)의 복합 재료를 포함하는 지지 베이스를 포함하는 장치에 대한 본 개시에 의해 제공되는 바와 같은 열분포가 나타나 있다. 열전도성 부재에 의해 제공되는 열전도성의 증가로 인해, 지지 베이스는 도 5a의 장치와 비교하여 상대적으로 균일한 온도를 나타낸다.
본 개시에 따라 준비되는 복합 재료를 포함하는 지지 베이스는 원통 좌표계에서 반경 방향, 방위 방향 및 축방향(z)으로 이방적인 열전도성을 나타낸다. 다시 말해, 전도성 섬유가 매트릭스 재료 내에 포함됨으로써, 반경 방향, 방위 방향 및 축방향의 열전도성이 서로 다르게 된다. 지지 베이스가 가열기 장치(예컨대, 웨이퍼 증착/에칭 챔버에서 사용되는 가열 장치)에서 시용되는 경우, 이 지지 베이스는, 반경 방향 또는 축방향을 따른 온도 프로파일에 큰 영향을 줌이 없이, 방위 방향의 온도 균일성을 크게 개선시킬 것이다.
본 개시의 다른 형태에서, 타겟 부분에 열을 공급하는 장치가 제공된다. 이 장치는 매트릭스(32) 내부에 내장되는 적어도 하나의 열전도성 아치형 부재(30)를 포함하는 복합 재료(28)로 만들어진 베이스 지지부(22)를 포함하고, 그 복합 재료(28)는 베이스 지지부의 반경 방향, 방위 방향 및 축방향으로 이방적인 열전도성을 제공한다. 원하는 경우, 상기 장치는, 동심으로 배치되고/배치되거나 미리 정해진 반경 방향 간격을 규정하는 복수의 열전도성 아치형 부재(30)를 더 포함할 수 있다. 이들 아치형 부재(30)는 연속적인 링을 형성할 수 있다.
본 개시의 또 다른 형태에서, 타겟 부분에 열을 제공하는 방법(100)이 제공된다. 이제 도 6을 참조하면, 이 방법(100)은, 복합 재료로 만들어진 베이스 지지부를 제공하는 단계(105) 및 인접한 부품을 통해 베이스 지지부에 열을 가하는 단계(110)를 포함한다. 복합 재료는 매트릭스 재료 내부에 내장되는 복수의 열전도성 부재를 포함할 수 있고, 복수의 열전도성 부재 각각은 동심으로 배치되고 미리 정해진 반경 방향 간격을 규정한다. 복합 재료는 또한 베이스 지지부의 반경 방향, 방위 방향 및 축방향으로 이방적인 열전도성을 제공할 수 있다.
본 개시는 예시적으로 설명되고 도시된 실시 형태에 한정되지 않는다. 다양한 변형예가 설명되어 있고 또한 당업자의 지식의 일부분이다. 이들 및 추가 변형예 및 기술적 등가 대체예가 본 개시와 본 출원의 보호 범위에서 벗어남이 없이 설명과 도면에 추가될 수 있다.

Claims (15)

  1. 처리 챔버 안에서 기판을 지지하고 또한 그 기판의 표면 온도를 조절하기 위한 장치로서,
    상기 기판을 지지하도록 되어 있는 표면을 포함하는 베이스 지지부; 및
    상기 베이스 지지부 가까이에 배치되고 상기 기판을 가열하기 위한 가열기를 포함하고,
    상기 베이스 지지부는 매트릭스 내부에 내장되어 있는 복수의 열전도성 아치형 부재를 포함하는 복합 재료로 만들어지고, 상기 복합 재료가 상기 베이스 지지부의 원통 좌표계에서 반경 방향(ρ), 방위 방향(φ) 및 축방향(z)으로 이방적인(anisotropic) 열전도성을 제공하도록, 상기 복수의 열전도성 아치형 부재 각각은 동심으로 배치되고 또한 미리 정해진 반경 방향 간격을 규정하는, 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 열전도성 아치형 부재는 연속적인 링을 형성하는, 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 열전도성 아치형 부재는 영역들에 배치되는 대칭형 부분을 형성하는, 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 열전도성 아치형 부재는 서로 다른 길이를 갖는, 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 열전도성 아치형 부재는 서로 다른 재료를 갖는, 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 열전도성 아치형 부재 중의 적어도 하나는 가변적인 폭을 갖는, 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 열전도성 아치형 부재 중의 적어도 하나는 가변적인 트레이스(trace) 기하 구조를 형성하는, 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 매트릭스는 폴리이미드 재료인, 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 열전도성 아치형 부재는, 방위 방향의 열전도성이 반경 방향 또는 축방향 보다 높도록 배치되어 있는, 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 열전도성 아치형 부재는 흑연 섬유인, 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 베이스 지지부의 약 10 중량%가 상기 흑연 섬유를 포함하는 경우, 베이스 지지부의 반경 방향 및 축방향 열전도성은 적어도 0.4 W/mK 인, 장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 베이스 지지부의 약 88 중량%가 상기 흑연 섬유를 포함하는 경우, 베이스 지지부의 반경 방향 및 축방향 열전도성은 6.0 W/mK 미만인, 장치.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 베이스 지지부의 약 8 중량%가 상기 흑연 섬유를 포함하는 경우, 베이스 지지부의 방위 방향 열전도성은 적어도 80 W/mK 인, 장치.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 베이스 지지부의 약 90 중량%가 상기 흑연 섬유를 포함하는 경우, 베이스 지지부의 방위 방향 열전도성은 900 W/mK 미만인, 장치.
  15. 타겟 부분에 열을 제공하는 방법으로서,
    매트릭스 내부에 내장되어 있는 복수의 열전도성 아치형 부재를 포함하는 복합 재료로 만들어진 베이스 지지부를 제공하는 단계 - 상기 복수의 열전도성 아치형 부재 각각은 동심으로 배치되고 또한 미리 정해진 반경 방향 간격을 규정함 -; 및
    인접 부품을 통해 상기 베이스 지지부에 열을 가하는 단계를 포함하고,
    상기 복합 재료는 상기 베이스 지지부의 원통 좌표계에서 반경 방향(ρ), 방위 방향(φ) 및 축방향(z)으로 이방적인 열전도성을 제공하는, 타겟 부분에 열을 제공하는 방법.
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