KR20180071077A - 기판 처리장치 - Google Patents

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KR20180071077A
KR20180071077A KR1020160173860A KR20160173860A KR20180071077A KR 20180071077 A KR20180071077 A KR 20180071077A KR 1020160173860 A KR1020160173860 A KR 1020160173860A KR 20160173860 A KR20160173860 A KR 20160173860A KR 20180071077 A KR20180071077 A KR 20180071077A
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박광수
구분회
김승환
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주성엔지니어링(주)
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Abstract

기판 처리장치의 일 실시예는, 챔버; 상기 챔버 내부에 구비되는 서셉터; 상기 서셉터 하부에 구비되는 가열부; 및 상기 서셉터 하면과 상기 가열부 사이에 구비되는 돌출부를 포함하고, 상기 돌출부의 수평방향으로 측정되는 제1폭은, 상기 가열부의 수평방향으로 측정되는 제2폭과 같거나 상기 제2폭보다 작은 것일 수 있다.

Description

기판 처리장치{Substrate processing apparatus}
실시예는, 서셉터 전체의 온도분포를 균일하게 조절할 수 있는 구조를 가진 기판 처리장치에 관한 것이다.
이 부분에 기술된 내용은 단순히 실시예에 대한 배경 정보를 제공할 뿐 종래기술을 구성하는 것은 아니다.
일반적으로 반도체 메모리 소자, 액정표시장치, 유기발광장치 등은 기판상에 복수회의 반도체 공정을 실시하여 원하는 형상의 구조물을 적층하여 제조한다.
반도체 제조공정은 기판상에 소정의 박막을 증착하는 공정, 박막의 선택된 영역을 노출시키는 포토리소그래피(photolithography) 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하는 식각 공정 등을 포함한다. 이러한 반도체를 제조하는 기판 처리공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경이 조성된 챔버를 포함하는 기판 처리장치에서 진행된다.
챔버에는 가공의 대상인 기판과 상기 기판이 안착되는 서셉터가 구비되고, 상기 기판에 소스물질을 함유하는 공정가스가 분사된다. 이러한 공정가스에 함유된 소스물질에 의해 기판에 증착, 식각공정 등이 진행된다.
가열부를 사용하여 상기 서셉터를 가열함으로써, 기판 처리공정을 신속하고 원활하게 진행될 수 있다. 다만, 가열부에 의해 서셉터가 가열되는 경우, 서셉터 전체의 온도분포가 불균일해 질 수 있다. 이에 대한 해결책이 요구된다.
따라서, 실시예는, 서셉터 전체의 온도분포를 균일하게 조절할 수 있는 구조를 가진 기판 처리장치에 관한 것이다.
실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 실시예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
기판 처리장치의 일 실시예는, 챔버; 상기 챔버 내부에 구비되는 서셉터; 상기 서셉터 하부에 구비되는 가열부; 및 상기 서셉터 하면과 상기 가열부 사이에 구비되는 돌출부를 포함하고, 상기 돌출부의 수평방향으로 측정되는 제1폭은, 상기 가열부의 수평방향으로 측정되는 제2폭과 같거나 상기 제2폭보다 작은 것일 수 있다.
상기 가열부는, 상기 서셉터와 상하방향으로 일정거리 이격되도록 구비되는 것일 수 있다.
상기 가열부는, 유도코일(induction coil)로 구비되는 것일 수 있다.
상기 돌출부는, 상기 서셉터 하면으로부터 돌출형성되고, 상기 가열부와 상하방향으로 일정거리 이격되도록 구비되는 것일 수 있다.
상기 돌출부는, 상기 서셉터의 엣지(edge)에 배치되고, 상기 가열부와 상하방향으로 대향되도록 배치되는 것일 수 있다.
기판 처리장치의 일 실시예는, 상기 가열부 및 상기 돌출부는 수평방향으로 일정간격을 가지고 복수로 배치되고, 각각의 상기 돌출부는 복수의 상기 가열부 중 인접하는 상기 가열부의 각 대향면 사이에 배치되는 것일 수 있다.
상기 돌출부의 상기 제1폭은, 복수의 상기 가열부 중 서로 인접하는 상기 가열부의 각 대향면 사이의 수평방향 거리로 측정되는 제3폭과 동일하거나 상기 제3폭보다 작은 것일 수 있다.
복수의 상기 돌출부는, 적어도 일부가 상기 서셉터의 엣지에 상기 가열부와 상하방향으로 대향되도록 배치되는 것일 수 있다.
기판 처리장치의 다른 실시예는, 챔버; 상기 챔버 내부에 구비되는 서셉터; 상기 서셉터 하부에 구비되는 가열부; 및 상기 서셉터 하면과 상기 가열부 사이에 구비되는 돌출부를 포함하고, 상기 돌출부의 수평방향으로 측정되는 제1폭은, 상기 가열부의 수평방향으로 측정되는 제2폭과 같거나 상기 제2폭보다 작고, 수평방향으로 일정간격을 가지고 복수로 배치되는 상기 가열부 중 인접하는 상기 가열부의 각 대향면 사이의 수평방향 거리로 측정되는 제3폭과 동일하거나 상기 제3폭보다 작은 것일 수 있다.
실시예에서 서셉터에 돌출부가 형성됨으로써 서셉터의 엣지와 중앙부의 온도차를 줄여 서셉터 전체의 온도를 균일화할 수 있다.
실시예에서 돌출부의 제1폭을 가열부의 제2폭과 같거나 작게하여, 서셉터 전체의 온도 불균일 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.
실시예에서 돌출부의 제1폭을 가열부의 제3폭과 같거나 작게하여, 서셉터 전체의 온도 불균일 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.
도 1은 일 실시예의 기판 처리장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 일 실시예의 돌출부 배치를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 다른 실시예의 돌출부 배치를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 또 다른 실시예의 돌출부 배치를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 실시예의 돌출부 배치와 다른 돌출부 배치를 나타낸 도면이다. 즉, 도 5는 실시예의 돌출부 배치와 비교를 위한 것이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 실시예를 상세히 설명한다. 실시예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 실시예를 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 실시예의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
"제1", "제2" 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는 데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 또한, 실시예의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 실시예를 설명하기 위한 것일 뿐이고, 실시예의 범위를 한정하는 것이 아니다.
실시예의 설명에 있어서, 각 element의 "상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
또한, 이하에서 이용되는 "상/상부/위" 및 "하/하부/아래" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서 이용될 수도 있다.
도 1은 일 실시예의 기판 처리장치를 나타낸 도면이다. 기판 처리장치는 반응 공간이 구비된 챔버(100), 상기 챔버(100) 내에 구비되어 적어도 하나의 기판(10)을 지지하는 서셉터(susceptor)(200)를 포함할 수 있다.
또한, 기판 처리장치는 상기 서셉터(200)와 대향되는 챔버(100) 내의 타측에 구비되어 공정가스를 분사하는 가스 분배장치(300), 상기 챔버(100) 외측에 구비되어 가스 분배장치(300)로 공정가스를 공급하는 가스 공급부(400)를 포함할 수 있다. 또한, 기판 처리장치는 챔버(100) 내부를 배기하기 위한 배기부(500)를 더 포함할 수 있다.
챔버(100)는 내부에 기판(10)의 증착을 위한 공간이 구비되는 통 형상으로 구비될 수 있다. 이러한 챔버(100)는 기판(10)의 형상에 따라 다양한 형상으로 구비될 수 있다.
이러한 챔버(100)의 내부에는 서셉터(200)와 가스 분배장치(300)가 서로 대향되도록 구비될 수 있다. 예를 들어, 서셉터(200)가 챔버(100)의 하측에 구비되고, 가스 분배장치(300)가 챔버(100)의 상측에 구비될 수 있다.
또한, 챔버(100)에는 기판(10)이 인입 및 인출되는 기판 출입구(110)가 구비될 수 있다. 그리고, 챔버(100)에는 챔버(100) 내부로 공정가스를 공급하는 가스 공급부(400)와 연결된 가스 유입구(120)가 구비될 수 있다.
또한, 챔버(100)에는 챔버(100)의 내부 압력을 조절하거나, 공정가스 기타 챔버(100) 내부의 이물질 등을 배기하기 위해, 배기구(130)가 구비되고 배기구(130)에 배기부(500)가 연결될 수 있다.
예를 들어, 기판 출입구(110)는 챔버(100)의 일 측면에 기판(10)이 출입할 수 있는 정도의 크기로 구비될 수 있고, 가스 유입구(120)는 챔버(100)의 상부벽을 관통하여 구비될 수 있으며, 배기구(130)는 서셉터(200)보다 낮은 위치의 챔버(100)의 측벽(140) 또는 하부벽을 관통하여 구비될 수 있다.
서셉터(200)는 챔버(100)의 내부에 구비되어 챔버 (100) 내부로 유입되는 적어도 하나의 기판(10)이 안착된다. 이러한 서셉터(200)는 가스 분배장치(300)와 대향하는 위치에 구비될 수 있다.
서셉터(200)는 챔버(100)의 상부에서 상기 서셉터(200)을 바라볼 경우 대략 원형 또는 사각형 판으로 형성될 수 있다.
예를 들어, 챔버(100) 내부의 하측에 서셉터(200)가 구비되고, 챔버(100) 내부의 상측에 가스 분배장치(300)가 구비될 수 있다.
서셉터(200) 하부에는 서셉터(200)를 상하로 이동시키는 승강장치(210)가 구비될 수 있다. 승강장치(210)는 서셉터(200)의 적어도 일 영역, 예를 들어 중앙부를 지지하도록 구비되고, 서셉터(200) 상에 기판(10)이 안착되면 서셉터(200)를 가스 분배장치(300)와 근접하도록 이동시킨다.
또한, 서셉터(200) 하부에는 가열부(700)가 구비될 수 있다. 상기 가열부(700)는 정해진 온도로 발열하여 기판(10)을 가열함으로써 박막 증착 공정, 식각 공정 등이 기판(10) 상에서 용이하게 실시되도록 할 수 있다.
상기 가열부(700)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 서셉터(200)와 상하방향으로 일정거리 이격되도록 구비되고, 수평방향으로 정해진 간격으로 복수로 배치될 수 있다. 이때, 챔버(100)의 상부에서 가열부(700)를 바라볼 경우, 상기 가열부(700)의 배치형상은 상기 서셉터(200)의 형상에 대응하도록 배치될 수 있다.
즉, 상기 서셉터(200)가 원형 판으로 구비되는 경우, 복수의 서셉터(200)는 상기 서셉터(200)를 중심으로 동심원으로 배치되고, 서로 일정간격을 가지도록 배치될 수 있다.
또한, 상기 서셉터(200)가 사각 판으로 구비되는 경우, 복수의 서셉터(200)는 직선 형상으로 형성되고, 상기 서셉터(200)의 가로 또는 세로로 서로 일정간격을 가지도록 배치될 수 있다.
상기 가열부(700)는 예를 들어, 유도코일(induction coil)로 구비될 수 있다. 따라서, 상기 유도코일에 전류가 인가되면 유도코일은 발열하고, 상기 유도코일로부터 복사열이 방출되어 서셉터(200)를 가열할 수 있다.
한편, 가열부(700)는 도 1 내지 도 5에서 단면이 사각형인 것으로 도시되었으나, 다른 실시예로 상기 가열부(700)는 단면이 원형, 타원형 기타 다각형으로 구비될 수도 있다. 이하에서 가열부의 제2폭(D2)는 가열부(700)의 수평방향으로 측정되는 최대의 폭을 의미한다.
가스 분배장치(300)는 챔버(100) 내부의 상측에 구비되어 서셉터(200) 상에 안치된 기판(10)을 향해 공정가스를 분사한다. 이러한 가스 분배장치(300)는 서셉터(200)와 마찬가지로 기판(10) 형상에 대응되는 형상으로 제작될 수 있는데, 대략 원형 또는 사각형 판으로 제작될 수 있다.
한편, 가스 분배장치(300)는 상부판(310), 샤워헤드(320), 측벽판(330)을 포함할 수 있다. 상부판(310)은 상기 챔버(100)의 상부벽과 마찬가지로 가스 유입구(120)가 형성되어 가스 공급부(400)와 연결될 수 있다.
샤워헤드(320)는 상기 상부판(310)과 상하방향으로 일정거리 이격되어 구비되고, 복수의 분사홀이 형성될 수 있다. 측벽판(330)은 상기 상부판(310)과 샤워헤드(320) 사이의 공간을 밀폐하도록 구비될 수 있다.
가스 공급부(400)는 복수의 공정가스를 각각 공급하는 가스 공급원(410), 가스 공급원(410)으로부터 공정가스를 챔버(100) 내부로 공급하는 가스 공급관(420)을 포함할 수 있다. 공정가스는 박막증착 가스, 식각 가스 등을 포함할 수 있다.
배기부(500)는 배기장치(510)와 챔버(100)의 배기구(130)와 연결된 배기관(520)을 포함할 수 있다. 배기장치(510)는 진공 펌프 등이 사용될 수 있으며, 이에 따라 챔버(100) 내부를 진공에 가까운 압력, 예를 들어 0.1mTorr 이하의 압력까지 진공 흡입할 수 있도록 구성될 수 있다.
배기부(500)를 작동하여, 챔버(100) 내부가 원하는 압력으로 유지되도록 제어되도록 할 수 있다.
한편, 기판 처리장치에는 RF전원(620), 임피던스 매칭박스(I.M.B (Impedance Matching Box), 610)를 구비하는 RF 전력공급부(600)가 더 포함될 수 있다. RF 전력공급부(600)는 상기 가스 분배장치(300)의 상부판(310)을 플라즈마 전극으로 사용하여 공정가스에 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
이를 위해 상부판(310)에는 RF전력을 공급하는 RF전원(620)이 연결되고, 상부판(310)과 RF전원(620)의 사이에는 최대 전력이 인가될 수 있도록 임피던스를 매칭하는 임피던스 매칭박스(610)가 위치할 수 있다.
도 2는 일 실시예의 돌출부(201) 배치를 설명하기 위한 도면이다. 도 5는 실시예의 돌출부(201) 배치와 다른 돌출부(201) 배치를 나타낸 도면이다. 즉, 도 5는 실시예의 돌출부(201) 배치와 비교를 위한 것이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 서셉터(200) 하면과 상기 가열부(700) 사이에 돌출부(201)가 구비될 수 있다. 이때, 상기 돌출부(201)는 상기 서셉터(200) 하면으로부터 돌출형성되고, 상기 서셉터(200)와 일체로 형성될 수 있다.
또한, 상기 돌출부(201)는 상기 가열부(700)와 상하방향으로 일정거리 이격되도록 구비되어 상기 가열부(700)로부터 방출되는 복사열에 의해 가열될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 돌출부(201)는 상기 서셉터(200)의 엣지(edge)에 배치되고, 상기 가열부(700)와 상하방향으로 대향되도록 배치될 수 있다.
서셉터(200)의 엣지는 챔버(100)의 측벽에 근접하여 배치되므로 상기 측벽을 통해 챔버(100)의 외부로 열전달이 발생할 수 있는 점, 서셉터(200)의 측면이 포함되므로 서셉터(200)의 중앙부보다 방열면적이 큰 점 등의 이유로, 서셉터(200)의 중앙부보다 냉각이 활발하게 일어날 수 있다.
이러한 이유로 서셉터(200)의 엣지는 서셉터(200)의 중앙부보다 온도가 낮아질 수 있다. 이때, 상기 돌출부(201)는 서셉터(200)의 엣지와 중앙부 간 온도 불균일을 줄이는 역할을 할 수 있다.
서셉터(200)의 수평방향 온도분포가 불균일한 경우, 서셉터(200)에 장착되는 기판(10)의 수평방향 온도 불균일이 발생할 수 있다. 이로 인해 기판(10)에 식각 또는 증착공정을 진행하는 경우, 이러한 온도 불균일 때문에 기판의 수평방향 식각 또는 증착두께가 달라질 수 있고, 온도차로 인한 열응력이 기판(10)에 발생하여 기판(10)의 파손, 제품불량이 발생할 수 있다.
따라서, 실시예에서는 돌출부(201)를 배치하여 서셉터(200)의 수평방향 온도차 발생을 효과적으로 줄여, 서셉터(200) 전체의 온도분포를 균일화할 수 있다.
돌출부(201)의 질량에 비례하여 엣지는 열용량(heat capacity)이 증가하고, 열용량이 증가함으로써 돌출부(201)가 형성되는 엣지는 냉각속도가 느려져 쉽게 냉각되지 않는다. 따라서, 실시예에서 서셉터(200)에 돌출부(201)가 형성됨으로써 서셉터(200)의 엣지와 중앙부의 온도차를 줄여 서셉터(200) 전체의 온도를 균일화할 수 있다.
한편, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 돌출부(201)의 수평방향으로 측정되는 제1폭(D1)은, 상기 가열부(700)의 수평방향으로 측정되는 제2폭(D2)과 같거나 상기 제2폭(D2)보다 작게 구비될 수 있다.
상기 제1폭(D1)이 상기 제2폭(D2)보다 크게 구비되는 경우, 도 5를 참조하면, 상하방향으로 서셉터(200), 돌출부(201) 및 가열부(700)가 중첩되는 부위와, 돌출부(201) 없는 서셉터(200)만 존재하는 부위 간 큰 온도차가 발생하여, 서셉터(200) 전체의 온도 불균일이 발생할 수 있다.
따라서, 실시예에서 돌출부(201)의 제1폭(D1)을 가열부(700)의 제2폭(D2)과 같거나 작게하여, 서셉터(200) 전체의 온도 불균일 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.
도 3은 다른 실시예의 돌출부(201) 배치를 설명하기 위한 도면이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 가열부(700) 및 상기 돌출부(201)는 수평방향으로 일정간격을 가지고 복수로 배치되고, 각각의 상기 돌출부(201)는 복수의 상기 가열부(700) 중 인접하는 상기 가열부(700)의 각 대향면 사이에 배치될 수 있다.
이때, 상기 돌출부(201)의 상기 제1폭(D1)은, 복수의 상기 가열부(700) 중 서로 인접하는 상기 가열부(700)의 각 대향면 사이의 수평방향 거리로 측정되는 제3폭(D3)과 동일하거나 상기 제3폭(D3)보다 작게 구비될 수 있다.
상기 제1폭(D1)이 상기 제3폭(D3)보다 크게 구비되는 경우, 도 5를 참조하면, 상하방향으로 서셉터(200), 돌출부(201) 및 가열부(700)가 중첩되는 부위와, 돌출부(201) 없는 서셉터(200)만 존재하는 부위 간 큰 온도차가 발생하여, 서셉터(200) 전체의 온도 불균일이 발생할 수 있다.
따라서, 실시예에서 돌출부(201)의 제1폭(D1)을 가열부(700)의 제3폭(D3)과 같거나 작게하여, 서셉터(200) 전체의 온도 불균일 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.
도 4는 또 다른 실시예의 돌출부(201) 배치를 설명하기 위한 도면이다. 도 4에 도시된 실시예는 도 2 및 도 3에 도시된 돌출부(201) 배치를 결합한 형태일 수 있다.
즉, 상기 가열부(700) 및 상기 돌출부(201)는 수평방향으로 일정간격을 가지고 복수로 배치되고, 각각의 상기 돌출부(201)는 복수의 상기 가열부(700) 중 인접하는 상기 가열부(700)의 각 대향면 사이에 배치될 수 있다.
또한, 상기 돌출부(201)는 상기 서셉터(200)의 엣지에 상기 가열부(700)와 상하방향으로 대향되도록 배치될 수도 있다.
이때, 상기 돌출부(201)의 제1폭(D1)은 상기 가열부(700)의 제2폭(D2) 및 제3폭(D3)과 같거나 작을 수 있다. 이하에서는 도 5를 참조하여 돌출부(201)의 제1폭(D1)이 가열부(700)의 제2폭(D2) 및 제3폭(D3)보다 큰 경우 서셉터(200)의 온도분포를 살펴본다.
도 5는 실시예의 돌출부(201) 배치와 다른 돌출부(201) 배치를 나타낸 도면이다. 즉, 도 5는 실시예의 돌출부(201) 배치와 비교를 위한 것이다.
도 5에서 상부의 그래프는 서셉터(200)의 수평방향으로 측정되고, 각 지점에서의 평균온도의 차이를 상대적으로 나타낸 온도 프로파일(Temperature profile)이다.
도 5를 참조하면, 서셉터(200)에서는 서셉터(200), 돌출부(201) 및 가열부(700)가 상하방향으로 중첩되는 부위가 최고온도를 가지고, 돌출부(201) 없는 서셉터(200)만 존재하는 부위에서 최저온도를 가진다.
또한, 서셉터(200)는 상하방향으로 서셉터(200)와 돌출부(201)가 중첩되는 부위에서 상기 최고온도보다 작고 상기 최저온도보다 큰 중간온도를 가진다. 한편, 서셉터(200)는 상하방향으로 서셉터(200)와 가열부(700)가 중첩되는 부위는 서셉터(200)와 돌출부(201)가 중첩되는 부위와 유사한 온도를 가진다.
도 5에 도시된 바와 같이, 특히 서셉터(200), 돌출부(201) 및 가열부(700)가 상하방향으로 중첩되는 부위의 최고온도와 돌출부(201) 없는 서셉터(200)만 존재하는 부위에서 최저온도는 비교적 큰 차이를 가진다.
따라서, 돌출부(201)의 제1폭(D1)이 가열부(700)의 제2폭(D2) 및 제3폭(D3)보다 큰 경우, 서셉터(200)는 수평방향으로 온도 불균일이 발생한다.
실시예에서는, 도 2 내지 도 4를 참조하면, 돌출부(201)의 제1폭(D1)이 가열부(700)의 제2폭(D2) 및 제3폭(D3)과 동일하거나 이들보다 크도록 하여, 서셉터(200)의 수평방향 온도 불균일 발생을 효과적으로 억제하여, 서셉터(200) 전체의 수평방향 온도분포를 균일하게 할 수 있다.
실시예와 관련하여 전술한 바와 같이 몇 가지만을 기술하였지만, 이외에도 다양한 형태의 실시가 가능하다. 앞서 설명한 실시예들의 기술적 내용들은 서로 양립할 수 없는 기술이 아닌 이상은 다양한 형태로 조합될 수 있으며, 이를 통해 새로운 실시형태로 구현될 수도 있다.
100: 챔버
200: 서셉터
201: 돌출부
300: 가스 분배장치
400: 가스 공급부
500: 배기부
600: RF 전력공급부
700: 가열부
D1: 제1폭
D2: 제2폭
D3: 제3폭

Claims (9)

  1. 챔버;
    상기 챔버 내부에 구비되는 서셉터;
    상기 서셉터 하부에 구비되는 가열부; 및
    상기 서셉터 하면과 상기 가열부 사이에 구비되는 돌출부
    를 포함하고,
    상기 돌출부의 수평방향으로 측정되는 제1폭은, 상기 가열부의 수평방향으로 측정되는 제2폭과 같거나 상기 제2폭보다 작은 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가열부는,
    상기 서셉터와 상하방향으로 일정거리 이격되도록 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 가열부는,
    유도코일(induction coil)로 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 돌출부는,
    상기 서셉터 하면으로부터 돌출형성되고, 상기 가열부와 상하방향으로 일정거리 이격되도록 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 돌출부는,
    상기 서셉터의 엣지(edge)에 배치되고, 상기 가열부와 상하방향으로 대향되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 가열부 및 상기 돌출부는 수평방향으로 일정간격을 가지고 복수로 배치되고,
    각각의 상기 돌출부는 복수의 상기 가열부 중 인접하는 상기 가열부의 각 대향면 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 돌출부의 상기 제1폭은,
    복수의 상기 가열부 중 서로 인접하는 상기 가열부의 각 대향면 사이의 수평방향 거리로 측정되는 제3폭과 동일하거나 상기 제3폭보다 작은 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  8. 제7항에 있어서,
    복수의 상기 돌출부는,
    적어도 일부가 상기 서셉터의 엣지에 상기 가열부와 상하방향으로 대향되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  9. 챔버;
    상기 챔버 내부에 구비되는 서셉터;
    상기 서셉터 하부에 구비되는 가열부; 및
    상기 서셉터 하면과 상기 가열부 사이에 구비되는 돌출부
    를 포함하고,
    상기 돌출부의 수평방향으로 측정되는 제1폭은,
    상기 가열부의 수평방향으로 측정되는 제2폭과 같거나 상기 제2폭보다 작고,
    수평방향으로 일정간격을 가지고 복수로 배치되는 상기 가열부 중 인접하는 상기 가열부의 각 대향면 사이의 수평방향 거리로 측정되는 제3폭과 동일하거나 상기 제3폭보다 작은 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
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