KR20180066381A - 기판 검사 시스템 - Google Patents

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KR20180066381A
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김태중
김광수
요이치로 이와
전병환
김영덕
박완성
안태흥
주재철
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 기판에 광을 조사하여 상기 기판을 검사하는 기판 검사 장치를 갖는 기판 검사 시스템에 있어서, 상기 기판 검사 장치는 상기 기판으로 광을 조사하는 광원, 상기 기판으로부터의 광을 수광하는 검출기 및 상기 광원 및 상기 검출기를 제어하여 상기 기판 검사 장치의 검사 모드를 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 검사 모드는 상기 기판 상의 파티클 유무를 검사하는 제1 검사 모드 및 상기 기판의 두께를 검사하는 제2 검사 모드를 포함한다.

Description

기판 검사 시스템{Substrate Inspecting System}
본 발명은 기판 검사 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상의 파티클 유무를 분석하는 광학계와 기판의 두께를 분석하는 광학계를 함께 제공하는 기판 검사 시스템에 관한 것이다.
반도체 공정이 미세화 및 복잡화됨에 따라, 반도체 소자에 생성된 결함을 검사하는 것이 필수적이다. 반도체 소자 상의 결함을 검사함으로써, 반도체 소자의 신뢰성을 향상시키고, 공정 수율을 높일 수 있다. 이 때, 반도체 기판 상의 결함은 광(optic)을 이용하여 검사될 수 있다.
본 발명은 풋 프린트(foot print)가 감소되고 공정 효율이 증가되는 기판 검사 시스템을 제공한다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 기판에 광을 조사하여 상기 기판을 검사하는 기판 검사 장치를 갖는 기판 검사 시스템에 있어서, 상기 기판 검사 장치는 상기 기판으로 광을 조사하는 광원, 상기 기판으로부터의 광을 수광하는 검출기 및 상기 광원 및 상기 검출기를 제어하여 상기 기판 검사 장치의 검사 모드를 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 검사 모드는 상기 기판 상의 파티클 유무를 검사하는 제1 검사 모드 및 상기 기판의 두께를 검사하는 제2 검사 모드를 포함한다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 기판에 대해 처리 공정을 수행하는 기판 처리 장치, 상기 기판이 수용된 용기와 상기 기판 처리 장치 간에 상기 기판을 이송하는 기판 이송 장치 및 상기 기판 이송 장치에 결합되어, 상기 기판에 대해 검사 공정을 수행하는 기판 검사 장치를 포함하되, 상기 기판 검사 장치는 상기 기판으로부터의 산란광을 획득하여 상기 기판 상의 파티클 유무를 검사하는 제1 광학계 및 상기 기판 상의 스펙트럼을 획득하여 상기 기판의 두께를 검사하는 제2 광학계를 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 기판 검사 시스템은 기판 상의 파티클 유무를 검사하는 제1 광학계 및 기판의 두께를 검사하는 제2 광학계를 하나의 기판 검사 장치에 제공할 수 있다. 이에 따라, 별도의 기판 검사 공정을 위한 기판 검사 장치들이 생략되므로, 풋 프린트(foot print)가 감소되고 공정 효율이 증가될 수 있다.
또한, 기판 검사 장치가 로드 포트와 동일한 크기로 제공되어, 기판 이송 장치에 탈부착될 때 호환성이 증가될 수 있다. 이와 달리, 기판 검사 장치는 다른 설비에 결합되지 않고 독립적인 설비로 제공될 수 있다. 또한, 기판 검사 장치가 다양한 광학 검사 모드들을 포함함으로써, 각 공정 종류 및 단계에 맞는 검사 공정을 선택적으로 검사할 수 있다.
본 발명의 효과는 상술한 효과들로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 검사 시스템을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 I-I'에 따른 단면도이다.
도 3은 도 2의 광학계를 보여주는 도면이다.
도 4는 기판 검사 장치의 제1 검사 모드를 도시한다.
도 5는 기판 검사 장치의 제2 검사 모드 중 스팟 검사 모드를 도시한다.
도 6은 기판 검사 장치의 제2 검사 모드 중 라인 검사 모드를 도시한다.
도 7은 기판 검사 장치의 제2 검사 모드 중 영역 검사 모드를 도시한다.
도 8은 제2 광학계의 광의 입사각에 따른 파장별 반사도를 나타내는 도면이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 검사 시스템(1)을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2는 도 1의 I-I'에 따른 단면도이다. 기판 검사 시스템(1)은 기판 이송 장치(100), 기판 처리 장치(200), 및 기판 검사 장치(300)를 포함할 수 있다. 기판 이송 장치(100) 및 기판 처리 장치(200)는 제1 방향(D1)을 따라 배열될 수 있다. 제1 방향(D1)에 수직한 제2 방향(D2), 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)에 수직한 제3 방향(D3)이 정의될 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 이송 장치(100)는 용기(10)와 기판 처리 장치(200) 간에 기판(W)을 이송할 수 있다. 기판(W)은 반도체 웨이퍼일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 기판 이송 장치(100)는 로드 포트(Load port, 20)와 제1 하우징(40)을 포함할 수 있다. 로드 포트(20)는 수직 프레임(22)과 받침 부재(24)를 가질 수 있다. 수직 프레임(22)은 제1 하우징(40)의 전면(front surface)에 형성된 개구부(도 2의 41)에 삽입되어, 제1 하우징(40)을 밀폐시킬 수 있다. 받침 부재(24)는 수직 프레임(22)으로부터 돌출되어, 용기(10)가 놓이는 공간을 제공할 수 있다. 도 1에서는 제2 방향(D2)을 따라 배열된 3개의 로드 포트들(20)을 예로 들어 도시하였으나, 로드 포트(20)의 개수 및 배치 관계는 이에 제한되지 않는다.
제1 하우징(40)은 기판 처리 장치(200)의 전면에 결합될 수 있다. 제1 하우징(40)은 제1 개구부(41), 반송 로봇(42), 도어 오프너(44), 팬(46), 및 필터(48)를 포함할 수 있다. 반송 로봇(42)은 용기(10)와 기판 처리 장치(200) 간에 기판(W)을 이송할 수 있다. 반송 로봇(42)은 직각 좌표계 및/또는 극좌표계를 기준으로 회전/이동할 수 있다. 반송 로봇(42)은 용기(10) 내에서 기판(W)을 반출/반입하여, 기판 처리 장치(200)로 기판(W)을 반입/반출할 수 있다. 마찬가지로, 반송 로봇(42)은 기판 검사 장치(300), 용기(10), 그리고 기판 처리 장치(200) 간에 기판(W)을 이송할 수 있다.
도어 오프너(44)는 용기(10)의 도어(미도시)를 개폐할 수 있다. 도시하지 않았으나, 용기(10) 내에는 복수 개의 기판들(W)이 수납될 수 있다. 용기(10)는 이송 중에 대기 중의 이물질이나 화학적인 오염으로부터 기판을 보호할 수 있다. 일 예로, 용기(10)는 전방 개방 일체식 포드(FOUP: Front Open Unified Pod)일 수 있다. 팬(46)과 필터(48)는 제1 하우징(40)의 상부에 배치될 수 있다. 팬(46)은 제1 하우징(40) 내의 상부에서 하부로 공기가 흐르도록 하고, 필터(48)는 공기 중의 파티클을 제거할 수 있다.
기판 처리 장치(200)는 기판(W)에 대해 처리 공정을 수행할 수 있다. 일 예로, 처리 공정은 식각 공정일 수 있으나, 이에 제한되지 않고 다양한 반도체 공정들을 수행할 수 있다.
기판 검사 장치(300)는 기판(10)에 대해 검사 공정을 수행할 수 있다. 일 예로, 기판 검사 장치(300)는 기판(10)에 대해 광학 검사 공정을 수행할 수 있다. 기판 검사 장치(300)는 제2 하우징(310), 지지부(320), 광학계(OS), 및 제어기(380)를 포함할 수 있다.
제2 하우징(310)은 검사 공정이 수행되는 내부 공간(312,314)을 제공할 수 있다. 제2 하우징(310)은 격벽(315)을 포함하여, 격벽(315)에 의해 서로 분리된 제1 공간(312) 및 제2 공간(314)을 가질 수 있다. 도 2에는 제2 하우징(310)의 상부 공간인 제1 공간(312)에 지지부(320) 및 광학계(OS)가 배치되고, 제2 하우징(310)의 하부 공간인 제2 공간(314)에 제어기(380)가 배치되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 구체적인 제2 하우징(310)의 형상, 구조 및 구성 요소들의 배치 관계는 이에 한정되지 않는다. 제2 하우징(310)의 일측에는 제1 개구부(41)와 대향되는 제2 개구부(311)가 형성될 수 있다. 제2 개구부(311)는 개폐 가능할 수 있다.
제2 하우징(310)은 기판 이송 장치(100)에 결합될 수 있다. 일 예로, 도 1과 같이, 제2 하우징(310)은 기판 이송 장치(100)의 전면(front surface)에 결합될 수 있다. 기판 검사 장치(300), 기판 이송 장치(100), 및 기판 처리 장치(200)는 제1 방향(D1)을 따라 순차적으로 배열될 수 있다. 제2 하우징(310)은 상술한 로드 포트(20)와 동일한 폭을 가질 수 있다. 따라서, 제2 하우징(310)은 기판 이송 장치(100)에 로드 포트(20) 대신 결합될 수 있다. 이와 달리, 제2 하우징(310)은 기판 이송 장치(100)의 측면(side surface)에 결합될 수 있다. 그러나, 이와 달리, 제2 하우징(310)은 다른 설비와 결합되지 않고 독립적인 설비로 제공될 수 있다.
지지부(320) 상에 기판(W)이 놓일 수 있다. 지지부(320)는 기판(W)을 이동 및/또는 회전시킬 수 있다. 일 예로, 지지부(320)는 기판(W)을 극좌표계를 기준으로 이동시킬 수 있으나, 이에 제한되지 않고 직각 좌표계를 기준으로 이동시킬 수 있다. 도시하지 않았으나, 지지부(320)는 기판(W)을 정렬하는 얼라이너(aligner)를 포함할 수 있다.
도 3은 도 2의 광학계(OS)를 보여주는 도면이다. 도 3은 광학계의 구성 및 배치관계를 예시적으로 도시한 것으로, 이에 제한되지 않는다. 또한, 도 3은 설명의 명확화를 위해 일부 과장/생략된 것으로, 실제 구성요소들의 크기 및 비율과 상이할 수 있다. 이하, 설명의 명확화를 위해, 광원들에 의해 기판(W)에 조사되는 광은 조명광으로 표기하고, 기판(W) 상에서 산란되는 광은 산란광으로 표기하며, 기판(W) 상에서 반사되는 광은 반사광으로 표기하여, 서로 구분하여 명명한다. 광학계(OS)는 제1 광학계(OS1) 및 제2 광학계(OS2)를 포함할 수 있다. 제1 광학계(OS1)는 기판(W)으로부터 산란광을 획득하여 기판(W) 상의 파티클 유무를 분석할 수 있고, 제2 광학계(OS2)는 기판(W)으로부터의 반사광을 획득하여 기판(W)의 두께를 분석할 수 있다. 이 때, 기판(W)의 두께는 기판(W)의 전체 두께일 수 있고, 이와 달리, 기판(W) 상의 특정 막(들)의 두께일 수 있다. 일 예로, 제1 광학계(OS1)는 암시야(Dark field) 광학계일 수 있고, 제2 광학계(OS2)는 스펙트럼 반사계(Spectral Reflectometer) 광학계일 수 있다.
제1 광학계(OS1)는 제1 광원(332) 및 제1 검출기(334)를 포함할 수 있다. 제1 광원(332)은 일 예로, 레이저 다이오드(laser diode)일 수 있다. 제1 광원(332)은 기판(W) 상에 조명광을 조사할 수 있다. 조명광은 가시광선일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 제1 검출기(334)는 제1 광원(332)이 조사한 조명광의 기판(W) 상에서의 산란광을 수집할 수 있다. 제1 검출기(334)가 수집한 산란광에 대한 정보는 제어기(380)로 전송될 수 있고, 제어기(380)는 이로부터 기판(W) 상의 파티클 유무를 판단할 수 있다.
제2 광학계(OS2)는 제2 광원(340), 제2 검출기(350), 및 광학 소자들(360)을 포함할 수 있다. 제2 광원(340)은 다파장 광원(342a) 및 단색화부(342b)를 가질 수 있다. 다파장 광원(342a)은 다파장 광(Broadband light)을 조사할 수 있고, 단색화부(342b)는 다파장 광에서 특정 파장의 광만 분리할 수 있다. 단색화부(342b)는 일 예로, 단색화 장치(Monochromator)일 수 있다. 제어기(380)는 후술하는 바와 같이, 검사 모드에 따라 단색화부(342b)의 작동 여부를 제어할 수 있다.
제2 검출기(350)는 분광계(352), 제1 카메라(354) 및 제2 카메라(356)를 포함할 수 있다. 분광계(352)는 기판(W) 상의 일 스팟에 대한 정보를 얻을 수 있고, 제1 카메라(354)는 기판(W) 상의 일 라인에 대한 정보를 얻을 수 있으며, 제2 카메라(356)는 기판(W) 상의 일 영역에 대한 정보를 얻을 수 있다. 이에 대해서는 이하 후술한다. 본 명세서에서, 일 스팟, 일 라인, 및 일 영역은 각각 상대적인 크기를 가지며, 일 라인은 일 스팟보다 크되 일 영역보다 작은 크기를 가질 수 있다.
광학 소자들(360)은 구면 거울들(361,363), 폴딩 미러들(362,365), 렌즈들(364,367,369), 슬릿(366), 및 그레이팅(368)을 포함할 수 있다. 폴딩 미러들(362,365)은 이동 가능하게 제공될 수 있다.
본 명세서에서, 일 스팟, 일 라인, 또는 일 영역에 대한 검사 공정들은 각각 광학 소자들(360)의 서로 다른 조합으로 수행될 수 있다. 본 명세서에서, 제2 광학계(OS2)가 일 스팟에 대한 두께를 검사(즉, 스팟 검사 모드일 때)할 때 사용되는 일부 광학 소자들(361,362,364)은 제1 광학 소자부라 정의하고(도 5 참조), 제2 광학계(OS2)가 일 라인에 대한 두께를 검사(즉, 라인 검사 모드일 때)할 때 사용되는 일부 광학 소자들(361,363,365,366,367,368,369)은 제2 광학 소자부라 정의하며(도 6 참조), 제3 광학계(OS)가 일 영역에 대한 두께를 검사(즉, 영역 검사 모드일 때)할 때 사용되는 일부 광학 소자들(361,363)은 제3 광학 소자부라 정의할 수 있다(도 7 참조). 그러나, 본 명세서에 도시된 광학 소자들(360)의 종류, 크기 및 배치는 일 예에 불과할 뿐, 이에 제한되지 않는다.
다시 도 2를 참조하면, 제어기(380)는 광학계(OS)를 제어할 수 있다. 제어기(380)는 제1 광학계(OS1)와 제2 광학계(OS2)를 선택적으로 제어할 수 있다. 제어기(380)는 광원들(332,340), 검출기들(334,350), 및 광학 소자들(360)을 제어할 수 있다. 제어기(380)는 기판 검사 장치(300)의 검사 모드를 제어할 수 있다. 검사 모드는 제1 검사 모드 및 제2 검사 모드를 포함할 수 있고, 제2 검사 모드는 스팟 검사 모드, 라인 검사 모드, 및 영역 검사 모드를 포함할 수 있다. 제어기(380)는 소프트웨어부(미도시) 및 디스플레이부(미도시) 등을 포함할 수 있다.
도 4는 기판 검사 장치(300)의 제1 검사 모드를 도시하고, 도 5 내지 도 7은 기판 검사 장치(300)의 제2 검사 모드들을 도시한다. 보다 구체적으로, 도 5는 기판 검사 장치(300)의 스팟 검사 모드를 도시하고, 도 6은 기판 검사 장치(300)의 라인 검사 모드를 도시하며, 도 7은 기판 검사 장치(300)의 영역 검사 모드를 도시한다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 제어기(380)는 제1 검사 모드일 때, 제1 광학계(OS1)를 제어하여 제1 검사 모드를 수행할 수 있다. 제어기(380)는 제1 광원(332)으로부터 기판(W) 상에 조명광을 조사하고, 제1 검출기(334)로 기판(W)으로부터의 산란광을 수집할 수 있다. 제1 검출기(334)는 산란광에 대한 정보를 제어기(380)로 전송하고, 제어기(380)는 이로부터 기판(W) 상의 파티클 유무를 검사할 수 있다.
도 3 및 도 5를 참조하면, 제어기(380)는 제2 검사 모드 중 스팟 검사 모드일 때, 제2 광학계(OS2)를 제어하여 스팟 검사 모드를 수행할 수 있다. 스팟 검사 모드일 때, 제어기(380)는 다파장 광원(342a)으로부터 기판(W)에 조명광을 조사하고, 반사광을 분광계(352)로 수집하도록 다파장 광원(342a), 분광계(352), 및 제1 광학 소자부(361,362,364)를 제어할 수 있다. 분광계(352)는 반사 스펙트럼에 대한 정보를 제어기(380)로 전송하고, 제어기(380)는 이로부터 기판(W)의 두께를 검사할 수 있다. 스팟 검사 모드를 통해, 제어기(380)는 기판(W) 상의 일 스팟의 두께를 검사할 수 있다. 일 스팟은 일 예로, 약 20umX20um의 크기를 가질 수 있다. 제1 광학 소자부(361,362,364)는 다파장 광원(342a)으로부터 조사된 광을 분광계(352)로 유도할 수 있다. 상술한 바와 같이, 제1 광학 소자부(361,362,364)는 구면 미러(361), 폴딩 미러(362), 및 렌즈(364)를 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
도 3 및 도 6을 참조하면, 제어기(380)는 제2 검사 모드 중 라인 검사 모드일 때, 제2 광학계(OS2)를 제어하여 라인 검사 모드를 수행할 수 있다. 라인 검사 모드일 때, 제어기(380)는 다파장 광원(342a)으로부터 기판(W)에 조명광을 조사하고, 반사광을 제1 카메라(354)로 수집하도록 다파장 광원(342a), 제1 카메라(354), 및 제2 광학 소자부(361,363,365,366,367,368,369)를 제어할 수 있다. 제1 카메라(354)는 반사 스펙트럼에 대한 데이터를 제어기(380)로 전송하고, 제어기(380)는 이로부터 기판(W)의 두께를 검사할 수 있다. 라인 검사 모드를 통해, 제어기(380)는 기판(W) 상의 일 라인의 두께를 검사할 수 있다. 일 라인은 일 예로, 약 20umX1mm의 크기를 가질 수 있다. 일 예로, 일 라인은 기판(W) 상의 일 패턴과 대응될 수 있다. 제2 광학 소자부(361,363,365,366,367,368,369)는 다파장 광원(342a)으로부터 조사된 광을 제1 카메라(354)로 유도할 수 있다. 일 예로, 제2 광학 소자부(361,363,365,366,367,368,369)는 구면 미러들(361,363), 폴딩 미러(365), 슬릿(366), 그레이팅(368), 및 렌즈들(367,369)을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 그레이팅(368)을 지난 광은 파장별로 분광되어, 제1 카메라(354)는 일 라인에 대한 파장별 데이터를 획득할 수 있다.
도 3 및 도 7을 참조하면, 제어기(380)는 제2 검사 모드 중 영역 검사 모드일 때, 제2 광학계(OS2)를 제어하여 영역 검사 모드를 수행할 수 있다. 영역 검사 모드일 때, 제어기(380)는 다파장 광원(342a)으로부터 방출되어 단색화부(342b)를 통해 단색화된 조명광을 기판(W)에 조사하고, 반사광을 제2 카메라(356)로 수집하도록 다파장 광원(342a), 단색화부(342b), 제2 카메라(356), 및 제3 광학 소자부(361,363)를 제어할 수 있다. 제2 카메라(356)는 반사 스펙트럼에 대한 데이터를 제어기(380)로 전송하고, 제어기(380)는 이로부터 기판(W)의 두께를 검사할 수 있다. 영역 검사 모드를 통해, 제어기(380)는 기판(W) 상의 일 영역의 두께를 검사할 수 있다. 일 영역은 일 예로, 약 1mmX1mm의 크기를 가질 수 있다. 제3 광학 소자부(361,363)는 단색화부(342b)로부터 조사된 광을 제2 카메라(356)로 유도할 수 있다. 일 예로, 제3 광학 소자부(361,363)는 구면 미러들(361,363)을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
도 8은 제2 광학계(OS2)의 광의 입사각(Θ)에 따른 파장별 반사도를 나타내는 도면이다. 도 8의 ①은 입사각(Θ)이 0인 경우(기판(W)에 광을 수직 입사하는 경우), ②는 입사각(Θ)이 약 5°인 경우, ③은 입사각(Θ)이 약 10°인 경우를 나타낸다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 제어기(380)는 제2 광학계(OS2)에서 기판(W)으로 입사되는 광의 입사각(Θ)을 특정 각도 이내로 제어할 수 있다. 일 예로, 제어기(380)는 광의 입사각(Θ)을 약 5° 이내로 제어할 수 있다. 도 8의 ① 및 ②를 참조하면, 입사각(Θ)이 약 5°인 경우 기판(W) 상에 수직하게 광이 조사되는 경우와 파장에 따른 반사도가 거의 일치함을 확인할 수 있다. 반면에, ③을 참조하면, 입사각(Θ)이 약 10°인 경우, 파장에 따른 반사도의 오차가 커질 수 있다.
일반적으로, 스펙트럼 반사계 광학계의 경우, 기판 상에 광을 수직하게 조사한다. 기판 상으로 광을 수직하게 입사시키기 위해서, 빔 스플리터(Beam splitter)가 필요할 수 있다. 일 예로, 광원으로부터 기판으로 광을 유도하기 위한 제1 스플리터 및 기판으로부터의 반사광을 검출기로 유도하기 위한 제2 스플리터가 필요할 수 있고, 이 경우 입사광의 약 25%만 수광되어 광 손실이 발생할 수 있다. 그러나, 본 발명의 개념에 따르면, 반사 미러 등을 이용하여 기판 상에 입사각(Θ)을 약 5°이내로 입사하여도 스펙트럼 반사계를 구현할 수 있으므로, 광 손실을 줄일 수 있다.
본 발명의 개념에 따르면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 검사 시스템은 기판 상의 파티클 유무를 검사하는 제1 광학계 및 기판의 두께를 검사하는 제2 광학계를 하나의 기판 검사 장치에 제공할 수 있다. 이에 따라, 별도의 기판 검사 공정을 위한 기판 검사 장치들이 생략되므로, 풋 프린트(foot print)가 감소되고 공정 효율이 증가될 수 있다.
또한, 기판 검사 장치가 로드 포트와 동일한 폭으로 제공되어, 기판 이송 장치에 탈부착될 때 호환성이 증가될 수 있다. 이와 달리, 기판 검사 장치는 다른 설비에 결합되지 않고 독립적인 설비로 제공될 수 있다. 또한, 기판 검사 장치가 다양한 광학 검사 모드들을 포함함으로써, 각 공정 종류 및 단계에 맞는 검사 공정을 선택적으로 검사할 수 있다.
이상, 본 명세서에서는 광학계(OS) 및 제어기(380)가 로드 포트와 동일한 폭을 갖는 제2 하우징(310) 내에 제공된 것을 예로 들어 설명하였으나, 이는 일 예에 불과할 뿐 이에 제한되지 않는다.
이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명에 대하여까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.

Claims (10)

  1. 기판에 광을 조사하여 상기 기판을 검사하는 기판 검사 장치를 갖는 기판 검사 시스템에 있어서,
    상기 기판 검사 장치는:
    상기 기판으로 광을 조사하는 광원;
    상기 기판으로부터의 광을 수광하는 검출기; 및
    상기 광원 및 상기 검출기를 제어하여 상기 기판 검사 장치의 검사 모드를 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 검사 모드는:
    상기 기판 상의 파티클 유무를 검사하는 제1 검사 모드; 및
    상기 기판의 두께를 검사하는 제2 검사 모드를 포함하는 기판 검사 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 광원은 제1 및 제2 광원들을 포함하고, 상기 검출기는 제1 및 제2 검출기들을 포함하되,
    상기 제어기는 상기 제1 검사 모드일 때 상기 제1 광원 및 상기 제1 검출기를 제어하여 상기 제1 검사 모드를 수행하고, 상기 제2 검사 모드일 때 상기 제2 광원 및 상기 제2 검출기를 제어하여 상기 제2 검사 모드를 수행하는 기판 검사 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제2 광원은 다파장 광원을 포함하고, 상기 제2 검출기는 분광계를 포함하되,
    상기 다파장 광원으로부터 상기 분광계로 광을 유도하는 제1 광학 소자부를 더 포함하는 기판 검사 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제2 검사 모드는 상기 기판의 일 스팟의 두께를 검사하는 스팟 검사 모드를 포함하되,
    상기 제어기는 상기 스팟 검사 모드일 때 상기 다파장 광원, 상기 제1 광학 소자부, 및 상기 분광계를 제어하여 상기 일 스팟의 두께를 검사하는 기판 검사 시스템.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 제2 광원은 다파장 광원을 포함하고, 상기 제2 검출기는 제1 카메라를 포함하되,
    상기 다파장 광원으로부터 상기 제1 카메라로 광을 유도하는 제2 광학 소자부를 더 포함하는 기판 검사 시스템.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제2 검사 모드는 상기 기판의 일 라인의 두께를 검사하는 라인 검사 모드를 포함하되,
    상기 제어기는 상기 라인 검사 모드일 때 상기 다파장 광원, 상기 제2 광학 소자부, 및 상기 제1 카메라를 제어하여 상기 일 라인의 두께를 검사하는 기판 검사 시스템.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 제2 광원은 다파장 광원 및 상기 다파장 광원으로부터 단색화된 광을 추출하는 단색화부를 포함하고, 상기 제2 검출기는 제2 카메라를 포함하되,
    상기 단색화부로부터 상기 제2 카메라로 광을 유도하는 제3 광학 소자부를 더 포함하는 기판 검사 시스템.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제2 검사 모드는 상기 기판의 일 영역의 두께를 검사하는 영역 검사 모드를 포함하되,
    상기 제어기는 상기 영역 검사 모드일 때 상기 다파장 광원, 상기 단색화부, 상기 제3 광학 소자부, 및 상기 제2 카메라를 제어하여 상기 일 영역의 두께를 검사하는 기판 검사 시스템.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 제2 검사 모드일 때, 상기 기판으로 조사되는 광의 입사각을 약 5° 이내로 제어하는 기판 검사 시스템.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판에 대해 처리 공정을 수행하는 기판 처리 장치; 및
    상기 기판이 수용된 용기와 상기 기판 처리 장치 간에 상기 기판을 이송하는 기판 이송 장치를 더 포함하되,
    상기 기판 검사 장치는 상기 기판 이송 장치에 결합되는 기판 검사 시스템.
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