KR20180060121A - 데이터 저장 장치 및 데이터 처리 시스템 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 불휘발성 메모리 장치를 저장 매체로써 사용하는 데이터 저장 장치를 포함하는 데이터 처리 시스템에 관한 것이다. 상기 데이터 처리 시스템은, 호스트 장치; 및 전압 강하 상태를 감지한 경우, 상기 호스트 장치와 약속된 키 값을 비정상적인 키 값으로 변경하고, 상기 비정상적인 키 값을 사용하여 비정상적인 순환 중복 검사(CRC) 데이터를 생성하고, 상기 비정상적인 순환 중복 검사(CRC) 데이터를 상기 호스트 장치로 전송하는 데이터 저장 장치를 포함한다.

Description

데이터 저장 장치 및 데이터 처리 시스템{DATA STORAGE DEVICE AND DATA PROCESSING SYSTEM}
본 발명은 불휘발성 메모리 장치를 저장 매체로서 사용하는 데이터 저장 장치를 포함하는 데이터 처리 시스템에 관한 것이다.
최근 컴퓨터 환경에 대한 패러다임(paradigm)이 언제, 어디서나 컴퓨터 시스템을 사용할 수 있도록 하는 유비쿼터스 컴퓨팅(ubiquitous computing)으로 전환되고 있다. 이로 인해 휴대폰, 디지털 카메라, 노트북 컴퓨터 등과 같은 휴대용 전자 장치의 사용이 급증하고 있다. 이와 같은 휴대용 전자 장치는 일반적으로 메모리 장치를 이용하는 데이터 저장 장치를 사용한다. 데이터 저장 장치는 휴대용 전자 장치에서 사용되는 데이터를 저장하기 위해서 사용된다.
메모리 장치를 이용한 데이터 저장 장치는 기계적인 구동부가 없어서 안정성 및 내구성이 뛰어나며 정보의 액세스 속도가 매우 빠르고 전력 소모가 적다는 장점이 있다. 이러한 장점을 갖는 데이터 저장 장치는 USB(Universal Serial Bus) 메모리 장치, 다양한 인터페이스를 갖는 메모리 카드, UFS(Universal Flash Storage) 장치, 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive)를 포함한다.
본 발명의 실시 예는 전압 강하 상태를 순환 중복 검사(cyclical redundancy check) 방식을 이용해서 호스트 장치로 통지할 수 있는 데이터 저장 장치와, 전압 강하 상태의 데이터 저장 장치에 대한 리커버리 절차를 수행할 수 있는 호스트 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 데이터 처리 시스템은, 호스트 장치; 및 전압 강하 상태를 감지한 경우, 상기 호스트 장치와 약속된 키 값을 비정상적인 키 값으로 변경하고, 상기 비정상적인 키 값을 사용하여 비정상적인 순환 중복 검사(CRC) 데이터를 생성하고, 상기 비정상적인 순환 중복 검사(CRC) 데이터를 상기 호스트 장치로 전송하는 데이터 저장 장치를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 데이터 처리 시스템은, 불휘발성 메모리 장치를 저장 매체로서 사용하는 데이터 저장 장치; 및 상기 데이터 저장 장치로 리퀘스트와 데이터를 전송하는 호스트 장치를 포함하되, 상기 데이터 저장 장치는, 상기 호스트 장치로부터 제공되는 동작 전압의 레벨이 기준 전압 레벨보다 작은 경우 전압 강하 신호를 발생하는 전압 감지기; 상기 호스트 장치와 약속된 키 값을 사용하여 상기 데이터에 대한 순환 중복 검사(CRC) 데이터를 생성하는 순환 중복 검사(CRC) 블럭; 및 상기 전압 강하 신호에 근거하여 전압 강하 상태를 인식하고, 상기 키 값을 비정상적인 키 값으로 변경하도록 상기 CRC 블럭을 제어하는 컨트롤 유닛을 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따르면 전압 강하 상태에 대한 리커버리 절차를 호스트 장치가 수행할 수 있기 때문에 데이터 저장 장치의 신뢰성과 성능이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 데이터 처리 시스템을 예시적으로 보여주는 블럭도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 순환 중복 검사 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 데이터 저장 장치를 설명하기 위한 블럭도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 리퀘스트를 전송하는 호스트 장치와 전송된 리퀘스트에 대한 응답을 전송하는 데이터 저장 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 비정상적인 상태의 데이터 저장 장치에 대한 리커버리 절차를 수행할 수 있는 호스트 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)를 포함하는 데이터 처리 시스템을 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 7은 도 6에 도시된 컨트롤러를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 데이터 저장 장치를 포함하는 데이터 처리 시스템을 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 데이터 저장 장치를 포함하는 데이터 처리 시스템을 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 데이터 저장 장치를 포함하는 네트워크 시스템을 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 데이터 저장 장치에 포함된 불휘발성 메모리 장치를 예시적으로 보여주는 블럭도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 통해 설명될 것이다. 그러나 본 발명은 여기에서 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 단지, 본 실시 예들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여 제공되는 것이다.
도면들에 있어서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니며 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 본 명세서에서 특정한 용어들이 사용되었으나. 이는 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이며, 의미 한정이나 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 권리 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다.
본 명세서에서 '및/또는'이란 표현은 전후에 나열된 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용된다. 또한, '연결되는/결합되는'이란 표현은 다른 구성 요소와 직접적으로 연결되거나 다른 구성 요소를 통해서 간접적으로 연결되는 것을 포함하는 의미로 사용된다. 본 명세서에서 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 또한, 명세서에서 사용되는 '포함한다' 또는 '포함하는'으로 언급된 구성 요소, 단계, 동작 및 소자는 하나 이상의 다른 구성 요소, 단계, 동작 및 소자의 존재 또는 추가를 의미한다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 데이터 처리 시스템을 예시적으로 보여주는 블럭도이다.
데이터 처리 시스템(1000)은 호스트 장치(1100) 및 데이터 저장 장치(1200)를 포함할 수 있다. 데이터 저장 장치(1200)는 휴대폰, MP3 플레이어, 랩탑 컴퓨터, 데스크탑 컴퓨터, 게임기, TV, 차량용 인포테인먼트(in-vehicle infotainment) 시스템 등과 같은 호스트 장치(1100)에 의해서 액세스되는 데이터를 저장하고, 호스트 장치(1100)로 데이터를 서비스할 수 있다. 데이터 저장 장치(1200)는 메모리 시스템이라고도 불릴 수 있다.
데이터 저장 장치(1200)는 호스트 장치(1100)와 연결되는 호스트 인터페이스(HIF)에 따라서 다양한 종류의 저장 장치들 중 어느 하나로 구성될 수 있다. 예를 들면, 데이터 저장 장치(1200)는 솔리드 스테이트 드라이브(solid state drive, SSD), MMC, eMMC, RS-MMC, micro-MMC 형태의 멀티 미디어 카드(multi media card), SD, mini-SD, micro-SD 형태의 시큐어 디지털(secure digital) 카드, USB(universal storage bus) 저장 장치, UFS(universal flash storage) 장치, PCMCIA(personal computer memory card international association) 카드 형태의 저장 장치, PCI(peripheral component interconnection) 카드 형태의 저장 장치, PCI-E(PCI express) 카드 형태의 저장 장치, CF(compact flash) 카드, 스마트 미디어(smart media) 카드, 메모리 스틱(memory stick) 등과 같은 다양한 종류의 저장 장치들 중 어느 하나로 구성될 수 있다.
데이터 저장 장치(1200)는 다양한 종류의 패키지(package) 형태들 중 어느 하나로 제조될 수 있다. 예를 들면, 데이터 저장 장치(1200)는 POP(package on package), SIP(system in package), SOC(system on chip), MCP(multi chip package), COB(chip on board), WFP(wafer-level fabricated package), WSP(wafer-level stack package) 등과 같은 다양한 종류의 패키지 형태들 중 어느 하나로 제조될 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 순환 중복 검사 방식을 설명하기 위한 도면이다. 도 1의 호스트 장치(1100)와 데이터 저장 장치(1200)는 순환 중복 검사(cyclical redundancy check)(이하, CRC라 칭함) 방식을 이용해서 데이터를 전송할 수 있다. 호스트 장치(1100)는 CRC 방식을 이용해서 리퀘스트를 데이터 저장 장치(1200)로 전송할 수 있다. 또한, 데이터 저장 장치(1200)는 CRC 방식을 이용해서 호스트 장치(1100)의 리퀘스트에 응답할 수 있다.
예시적으로, CRC 방식을 이용해서 데이터를 전송하는 송신 장치(sender device), 즉, 호스트 장치(1100)와, 그러한 호스트 장치(1100)에 응답하는 수신 장치(receiver device), 즉, 데이터 저장 장치(1200)의 동작 흐름이 도 2에 도시된다.
호스트 장치(1100)는 키 값(key value)(K)에 근거하여 데이터 저장 장치(1200)로 전송될 데이터(D)에 대한 CRC 데이터(CRCS)를 생성할 수 있다(절차 ①).
호스트 장치(1100)는 CRC 데이터(CRCS)가 부가된 데이터(D)를 데이터 저장 장치(1200)로 전송할 수 있다(절차 ②).
호스트 장치(1100)는 전송된 데이터(D)가 올바르게 수신되었는지를 체크하기 위한 상태 체크 명령(STC)을, 데이터 저장 장치(1200)로부터 응답(RSP)이 올 때까지, 지속적으로 전송할 수 있다(절차 ③ 내지 ③n).
데이터 저장 장치(1200)는 키 값(K)에 근거하여 전송된 데이터(D)에 대한 CRC 데이터(CRCR)를 생성할 수 있다(절차 ④). 데이터 저장 장치가 사용한 키 값(K)은 호스트 장치(1100)가 사용한 키 값(K)과 동일한 값일 것이다. 즉, 호스트 장치(1100)와 데이터 저장 장치(1200)는 사전에 약속된 동일한 키 값(K)을 사용하여 CRC 데이터를 각각 생성할 수 있다.
데이터 저장 장치(1200)는 호스트 장치(1100)로부터 전송된 CRC 데이터(CRCS)와 자신이 생성한 CRC 데이터(CRCR)를 서로 비교할 수 있다(절차 ⑤). 호스트 장치(1100)로부터 전송된 CRC 데이터(CRCS)와 자신이 생성한 CRC 데이터(CRCR)가 동일한 경우, 데이터 저장 장치(1200)는 데이터(D)가 정상적으로 전송된 것으로 판단할 수 있다. 반면, 호스트 장치(1100)로부터 전송된 CRC 데이터(CRCS)와 자신이 생성한 CRC 데이터(CRCR)가 동일하지 않은 경우, 데이터 저장 장치(1200)는 데이터(D)가 비정상적으로 전송된 것으로 판단할 수 있다.
데이터 저장 장치(1200)는, 데이터(D)가 전송된 이후부터 지속적으로 전송된 상태 체크 명령(STC)에 응답하여, 데이터(D)의 전송 상태를 호스트 장치(1100)로 전송할 수 있다. 즉, 데이터 저장 장치(1200)는 자신이 생성한 CRC 데이터(CRCR)가 부가된 응답 정보(RSP)를 호스트 장치(1100)로 전송할 수 있다(절차 ⑥). 예시적으로, 응답 정보(RSP)는 데이터(D)의 전송 상태에 대한 정보(이하, 전송 상태 정보라 칭함)를 포함할 수 있다. 또한, 응답 정보(RSP)는 응답 정보(RSP)에 부가된 CRC 데이터(CRCR)가 유효한 CRC 데이터인지, 무효한 CRC 데이터인지를 나타내는 정보(이하, CRC 유효 정보라 칭함)를 포함할 수 있다.
호스트 장치(1100)는 데이터 저장 장치(1200)로부터 전송된 CRC 데이터(CRCR)와 자신이 생성한 CRC 데이터(CRCS)를 서로 비교할 수 있다(절차 ⑦). 호스트 장치(1100)는, 응답 정보(RSP)에 포함된 CRC 유효 정보를 참조하여, 전송된 CRC 데이터(CRCR)가 유효하다고 판단되는 경우 비교 동작을 수행할 수 있다. 데이터 저장 장치(1200)로부터 전송된 CRC 데이터(CRCR)와 자신이 생성한 CRC 데이터(CRCS)가 동일한 경우, 호스트 장치(1100)는 데이터(D)가 정상적으로 전송된 것으로 판단할 수 있다. 반면, 데이터 저장 장치(1200)로부터 전송된 CRC 데이터(CRCR)와 자신이 생성한 CRC 데이터(CRCS)가 동일하지 않은 경우, 호스트 장치(1100)는 데이터(D)가 비정상적으로 전송된 것으로 판단할 수 있다. 이 경우, 호스트 장치(1100)는 데이터(D)를 재전송할 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 데이터 저장 장치를 설명하기 위한 블럭도이다.
데이터 저장 장치(1200)는 컨트롤러(1210) 및 불휘발성 메모리 장치(1230)를 포함할 수 있다.
컨트롤러(1210)는 CRC 블럭(1211C)을 포함하는 호스트 인터페이스 유닛(1211), 컨트롤 유닛(1212), 동작 메모리(1213), 메모리 컨트롤 유닛(1215), 태스크 큐(1216) 및 전압 감지기(1217)를 포함할 수 있다.
호스트 인터페이스 유닛(1211)은 호스트 장치(도 1의 1100)와 데이터 저장 장치(1200)를 인터페이싱할 수 있다. 예시적으로, 호스트 인터페이스 유닛(1211)은 USB(universal serial bus), UFS(universal flash storage), MMC(multimedia card), PATA(parallel advanced technology attachment), SATA(serial advanced technology attachment), SCSI(small computer system interface), SAS(serial attached SCSI), PCI(peripheral component interconnection), PCI-E(PCI expresss)와 같은 표준 전송 프로토콜들 중 어느 하나, 즉, 호스트 인터페이스(HIF)를 이용해서 호스트 장치(1100)와 통신할 수 있다.
호스트 인터페이스 유닛(1211)은 CRC 블럭(1211C)을 포함할 수 있다. CRC 블럭(1211C)은 CRC 동작을 수행할 수 있다. 즉, CRC 블럭(1211C)은, 도 2에서 설명된 바와 같이, 키 값(K)에 근거하여 CRC 데이터(CRCR)를 생성하고, 전송된 CRC 데이터(CRCS)와 생성한 CRC 데이터(CRCR)를 비교하고, 응답 정보(RSP)를 호스트 장치(1100)로 전송할 수 있다. CRC 블럭(1211C)은 응답 정보(RSP)와 함께 CRC 데이터(CRCR)를 전송할 수 있다.
또한, CRC 블럭(1211C)은, 전압 강하 상태를 인지한 컨트롤 유닛(1212)의 제어에 따라서, 키 값(K)을 비정상적인 값으로 변경하고, 비정상적인 키 값(K_ABN)에 근거하여 CRC 데이터(CRCR)를 새롭게 생성할 수 있다. 전압 강하 상태에서의 CRC 블럭(1211C)의 동작은 도 5를 참조하여 상세히 설명될 것이다.
컨트로 유닛(1212)은 컨트롤러(1210)의 제반 동작을 제어할 수 있다. 컨트롤 유닛(1212)은 동작 메모리(1213)에 로딩된 코드 형태의 명령(instruction) 또는 알고리즘, 즉, 소프트웨어를 구동하고, 내부의 기능 블럭들의 동작을 제어할 수 있다. 컨트롤 유닛(1212)은 마이크로 컨트롤 유닛(micro control unit)(MCU), 중앙 처리 장치(central processing unit)(CPU)로 구성될 수 있다.
동작 메모리(1213)는 컨트롤 유닛(1212)에 의해서 구동되는 소프트웨어를 저장할 수 있다. 또한, 동작 메모리(1213)는 소프트웨어의 구동에 필요한 데이터를 저장할 수 있다. 동작 메모리(1213)는 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM) 또는 정적 랜덤 액세스 메모리(SRAM)와 같은 랜덤 액세스 메모리로 구성될 수 있다.
메모리 컨트롤 유닛(1215)은 컨트롤 유닛(1212)의 제어에 따라서 불휘발성 메모리 장치(1230)를 제어할 수 있다. 메모리 컨트롤 유닛(1215)은 메모리 인터페이스 유닛으로도 불릴 수 있다. 메모리 컨트롤 유닛(1215)은 제어 신호들을 불휘발성 메모리 장치(1230)로 제공할 수 있다. 제어 신호들은 불휘발성 메모리 장치(1230)를 제어하기 위한 명령, 어드레스, 제어 신호 등을 포함할 수 있다. 메모리 컨트롤 유닛(1215)은 데이터를 불휘발성 메모리 장치(1230)로 제공하거나, 불휘발성 메모리 장치(1230)로부터 독출된 데이터를 제공 받을 수 있다.
태스크 큐(1216)는 호스트 장치(1100)로부터 전송된 리퀘스트에 근거하여 생성된 태스크(task)를 저장할 수 있다. 태스크는 호스트 장치(1100)로부터 전송된 리퀘스트를 처리하기 위해서 데이터 저장 장치(1200) 또는 컨트롤 유닛(1212)이 수행해야하는 작업 리스트, 커맨드 등을 의미할 수 있다. 태스크 큐(1216)는 커맨드 큐라고도 불릴 수 있다. 태스크 큐(1216)는 호스트 인터페이스 유닛(1211)에 포함될 수 있다.
전압 감지기(1217)는 외부 장치, 예를 들면, 호스트 장치(1100)로부터 제공되는 데이터 저장 장치(1200)의 동작 전압의 레벨을 감지할 수 있다. 전압 감지기(1217)는 호스트 장치(1100)로부터 제공되는 전압의 레벨을 감지한 결과에 근거하여 전압 강하 신호(VD)를 컨트롤 유닛(1212)으로 제공할 수 있다. 예를 들면, 호스트 장치(1100)로부터 제공되는 전압의 레벨이 기준 전압 레벨보다 작은 경우, 전압 감지기(1217)는 전압 강하 신호(VD)를 컨트롤 유닛(1212)으로 제공할 수 있다.
불휘발성 메모리 장치(1230)는 명령, 어드레스, 제어 신호들과 데이터를 전송할 수 있는 신호 라인(또는 신호 라인들)을 의미하는 채널(CH)을 통해서 컨트롤러(1210)와 연결될 수 있다. 불휘발성 메모리 장치(1230)는 데이터 저장 장치(1200)의 저장 매체로서 사용될 수 있다.
불휘발성 메모리 장치(1230)는 낸드(NAND) 플래시 메모리 장치, 노어(NOR) 플래시 메모리 장치, 강유전체 커패시터를 이용한 강유전체 램(ferroelectric random access memory: FRAM), 티엠알(tunneling magneto-resistive: TMR) 막을 이용한 마그네틱 램(magnetic random access memory: MRAM), 칼코겐 화합물(chalcogenide alloys)을 이용한 상 변화 램(phase change random access memory: PCRAM), 전이 금속 산화물(transition metal oxide)을 이용한 저항성 램(resistive random access memory: RERAM) 등과 같은 다양한 형태의 불휘발성 메모리 장치들 중 어느 하나로 구성될 수 있다. 강유전체 램(FRAM), 마그네틱 램(MRAM), 상 변화 램(PCRAM) 및 저항성 램(RERAM)는 메모리 셀에 대한 랜덤 액세스가 가능한 불휘발성 랜덤 액세스 메모리 장치의 한 종류이다. 불휘발성 메모리 장치(12130)는 낸드 플래시 메모리 장치와 위에서 언급한 다양한 형태의 불휘발성 랜덤 액세스 메모리 장치의 조합으로 구성될 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 리퀘스트를 전송하는 호스트 장치와 전송된 리퀘스트에 대한 응답을 전송하는 데이터 저장 장치를 설명하기 위한 도면이다. 설명의 편의를 위해서, 5개의 리퀘스트들(RQ1 내지 RQ5)을 전송하는 호스트 장치(1100)와, 리퀘스트들(RQ1 내지 RQ5) 각각에 대응하는 태스크들(TSK1 내지 TSK5)을 처리하는 데이터 저장 장치가 예시될 것이다.
호스트 장치(1100)는 리퀘스트들(RQ1 내지 RQ5)을 데이터 저장 장치(1200)로 전송할 수 있다. 호스트 장치(1100)는 리퀘스트들(RQ1 내지 RQ5)을 순차적으로 또는 무작위로 전송할 수 있다. 호스트 장치(1100)는 전송된 리퀘스트(또는 리퀘스트들)의 완료 여부와 무관하게 다른 리퀘스트를 전송할 수 있다. 도 4에서는 리퀘스트들(RQ1 내지 RQ5) 모두가 순차적으로 전송된 상태를 가정할 것이다.
데이터 저장 장치(1200)는 전송된 리퀘스트들(RQ1 내지 RQ5)에 근거하여 태스크들(TSK1 내지 TSK5)을 생성할 수 있다. 생성된 태스크들(TSK1 내지 TSK5)은 태스크 큐(1216)에 저장될 수 있다. 데이터 저장 장치(1200)는 생성된 태스크들(TSK1 내지 TSK5)을 순차적으로 또는 무작위로 처리할 수 있다. 예를 들면, 데이터 저장 장치(1200)는 먼저 전송된 태스크를 우선적으로 처리하거나, 우선 순위가 높은 태스크를 우선적으로 처리하거나 또는 처리하는데 소모되는 시간이 가장 짧은 태스크를 우선적으로 처리할 수 있다.
데이터 저장 장치(1200)는 처리가 완료된 태스크에 대해서 호스트 장치로 응답을 전송할 수 있다. 도 4를 참조하여 예를 들면, 데이터 저장 장치(1200)는 태스크들(TSK1 및 TSK4)에 대한 처리가 완료되었음을 통지하기 위해서 응답을 전송할 수 있다.
호스트 장치(1100)는, 데이터 저장 장치(1200)의 응답에 근거하여, 대응하는 리퀘스트들(RQ1 및 RQ4)의 처리가 완료되었음을 인식할 수 있다. 호스트 장치(1100)는, 응답이 전송되지 않은 리퀘스트들(RQ2, RQ3 및 RQ5)에 대해서, 아직 처리되지 않은 것으로 인식할 수 있다. 데이터 저장 장치(1200)로부터 비정상적인 상태가 통지된 경우, 호스트 장치(1100)는 미완료된 리퀘스트들(RQ2, RQ3 및 RQ5)을 처리하기 위한 리커버리 절차를 수행할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 비정상적인 상태의 데이터 저장 장치에 대한 리커버리 절차를 수행할 수 있는 호스트 장치를 설명하기 위한 도면이다. 도 5를 설명함에 있어서, 도 4의 태스크들(TSK1 내지 TSK5)을 처리하는 데이터 저장 장치(1200)가 예시될 것이다. 즉, 태스크들(TSK1 및 TSK4)의 처리를 완료하고, 태스크(TSK3)를 처리중이거나 태스크들(TSK2 및 TSK5)에 대한 처리를 예정중인 데이터 저장 장치(1200)가 예시될 것이다.
호스트 장치(1100)는 리퀘스트가 처리되었는지를 체크하기 위한 상태 체크 명령(STC)을, 데이터 저장 장치(1200)로부터 응답 정보(RSP)가 전송될 때까지, 지속적으로 전송할 수 있다(절차 ① 내지 ①n).
데이터 저장 장치(1200)는 전압 강하를 감지할 수 있다(절차 ②). 예시적으로, 데이터 저장 장치(1200)의 컨트롤 유닛(1212)은, 태스크(TSK3)를 처리중이거나 태스크들(TSK2 및 TSK5)에 대한 처리를 예정중인 동안, 전압 감지기(1217)로부터 전압 강하 신호(VD)가 전송되면 전압 강하 상태인 것으로 인식할 수 있다.
전압 강하 상태로 인식되면, 데이터 저장 장치(1200)는 CRC 데이터 생성에 사용되는 키 값을 강제적으로 변경할 수 있다(절차 ③). 즉, 데이터 저장 장치(1200)의 컨트롤 유닛(1212)은 CRC 데이터의 생성에 사용되는 키 값(K)이 변경되도록 호스트 인터페이스 유닛(1211)의 CRC 블럭(1211C)을 제어할 수 있다. CRC 블럭(1211C)은, 컨트롤 유닛(1212)의 제어에 따라서, 호스트 장치(1100)와 사전에 약속된 키 값(K)을 비정상적인 키 값(K_ABN)으로 변경할 수 있다.
데이터 저장 장치(1200)는 비정상적인 키 값(K_ABN)을 사용하여 비정상적인 CRC 데이터(CRCR)를 생성할 수 있다.(절차 ④). 예시적으로, 호스트 인터페이스 유닛(1211)의 CRC 블럭(1211C)은, 비정상적인 키 값(K_ABN)에 근거하여, 처리중인 태스크에 대응하는 데이터(D) 또는 처리 예정 중인 태스크에 대응하는 데이터(D)에 대한 CRC 데이터(CRCR)를 생성할 수 있다. 호스트 장치(1100)와 사전에 약속된 키 값(K)과는 다른 비정상적인 키 값(K_ABN)에 근거하여 CRC 데이터가 생성되었기 때문에, 생성된 CRC 데이터(CRCR)는 처리중인 태스크에 대응하는 데이터(D) 또는 처리 예정중인 태스크에 대응하는 데이터(D)가 전송될 때 함께 전송된 CRC 데이터(CRCS)와 불일치될 것이다. 즉, 비정상적인 상태를 호스트 장치(1100)로 통지하기 위해서, 의도적으로 변형된 CRC 데이터(CRCR)가 생성될 수 있다.
데이터 저장 장치(1200)는, 지속적으로 전송된 상태 체크 명령(STC)에 응답하여, 자신이 생성한 CRC 데이터(CRCR)가 부가된 응답 정보(RSP)를 호스트 장치(1100)로 전송할 수 있다(절차 ⑤). 예시적으로, 응답 정보(RSP)는 리퀘스트의 처리가 완료되었음을 나타내는 정보(이하, 처리 상태 정보라 칭함)를 포함할 수 있다. 또한, 응답 정보(RSP)는 CRC 유효 정보를 포함할 수 있다.
호스트 장치(1100)는 데이터 저장 장치(1200)로부터 전송된 CRC 데이터(CRCR)와 자신이 생성한 CRC 데이터(CRCS)를 서로 비교하고, CRC 데이터들(CRCS 및 CRCR)이 서로 다름을 판단할 수 있다(절차 ⑥). 즉, 데이터 저장 장치(1200)로부터 전송된 CRC 데이터(CRCR)와 자신이 생성한 CRC 데이터(CRCS)가 동일하지 않은 경우, 호스트 장치(1100)는 데이터 저장 장치가 비정상적인 상태(예를 들면, 전압 강하 상태)인 것으로 판단할 수 있다.
데이터 저장 장치(1200)가 비정상적인 상태인 것으로 판단되면, 호스트 장치(1100)는 리커버리 절차를 수행할 수 있다(절차 ⑦). 예시적으로, 호스트 장치(1100)는 초기화 명령 또는 초기화 신호를 제공하여 데이터 저장 장치(1200)를 초기화 시킬 수 있다. 데이터 저장 장치(1200)가 초기화된 이후, 호스트 장치(1100)는 데이터 저장 장치(1200)로부터 응답 정보(RSP)가 전송되지 않은 미완료된 리퀘스트들(즉, 도 4의 미완료 리퀘스트들(RQ2, RQ3 및 RQ5))을 데이터 저장 장치(1200)로 재전송할 수 있다.
이러한 절차와 같이, 데이터 저장 장치(1200)는 CRC 방식을 이용해서 비정상적인 상태(예를 들면, 전압 강하 상태)를 호스트 장치(1100)로 통지할 수 있다. 또한, 호스트 장치(1100)는 비정상적인 상태의 데이터 저장 장치에 대한 리커버리 절차를 수행할 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)를 포함하는 데이터 처리 시스템을 예시적으로 보여주는 도면이다. 도 6을 참조하면, 데이터 처리 시스템(2000)은 호스트 장치(2100)와 솔리드 스테이트 드라이브(solid state drive)(2200)(이하, SSD라 칭함)를 포함할 수 있다.
SSD(2200)는 컨트롤러(2210), 버퍼 메모리 장치(2220), 불휘발성 메모리 장치들(2231~223n), 전원 공급기(2240), 신호 커넥터(2250) 및 전원 커넥터(2260)를 포함할 수 있다.
컨트롤러(2210)는 SSD(2200)의 제반 동작을 제어할 수 있다.
버퍼 메모리 장치(2220)는 불휘발성 메모리 장치들(2231~223n)에 저장될 데이터를 임시 저장할 수 있다. 또한, 버퍼 메모리 장치(2220)는 불휘발성 메모리 장치들(2231~223n)로부터 읽혀진 데이터를 임시 저장할 수 있다. 버퍼 메모리 장치(2220)에 임시 저장된 데이터는 컨트롤러(2210)의 제어에 따라 호스트 장치(2100) 또는 불휘발성 메모리 장치들(2231~223n)로 전송될 수 있다.
불휘발성 메모리 장치들(2231~223n)은 SSD(2200)의 저장 매체로 사용될 수 있다. 불휘발성 메모리 장치들(2231~223n) 각각은 복수의 채널들(CH1~CHn)을 통해 컨트롤러(2210)와 연결될 수 있다. 하나의 채널에는 하나 또는 그 이상의 불휘발성 메모리 장치가 연결될 수 있다. 하나의 채널에 연결되는 불휘발성 메모리 장치들은 동일한 신호 버스 및 데이터 버스에 연결될 수 있다.
전원 공급기(2240)는 전원 커넥터(2260)를 통해 입력된 전원(PWR)을 SSD(2200) 내부에 제공할 수 있다. 전원 공급기(2240)는 보조 전원 공급기(2241)를 포함할 수 있다. 보조 전원 공급기(2241)는 서든 파워 오프(sudden power off)가 발생되는 경우, SSD(2200)가 정상적으로 종료될 수 있도록 전원을 공급할 수 있다. 보조 전원 공급기(2241)는 전원(PWR)을 충전할 수 있는 대용량 캐패시터들(capacitors)을 포함할 수 있다.
컨트롤러(2210)는 신호 커넥터(2250)를 통해서 호스트 장치(2100)와 신호(SGL)를 주고 받을 수 있다. 여기에서, 신호(SGL)는 커맨드, 어드레스, 데이터 등을 포함할 수 있다. 신호 커넥터(2250)는 호스트 장치(2100)와 SSD(2200)의 인터페이스 방식에 따라 다양한 형태의 커넥터로 구성될 수 있다.
도 7은 도 6에 도시된 컨트롤러를 예시적으로 보여주는 도면이다. 도 7을 참조하면, 컨트롤러(2210)는 호스트 인터페이스 유닛(2211), 컨트롤 유닛(2212), 랜덤 액세스 메모리(2213), 에러 정정 코드(ECC) 유닛(2214) 및 메모리 인터페이스 유닛(2215)을 포함할 수 있다.
호스트 인터페이스 유닛(2211)은, 호스트 장치(2100)의 프로토콜에 따라서, 호스트 장치(2100)와 SSD(2200)를 인터페이싱할 수 있다. 예를 들면, 호스트 인터페이스 유닛(2211)은, 시큐어 디지털(secure digital), USB(universal serial bus), MMC(multi-media card), eMMC(embedded MMC), PCMCIA(personal computer memory card international association), PATA(parallel advanced technology attachment), SATA(serial advanced technology attachment), SCSI(small computer system interface), SAS(serial attached SCSI), PCI(peripheral component interconnection), PCI-E(PCI Expresss), UFS(universal flash storage) 프로토콜들 중 어느 하나를 통해서 호스트 장치(2100)와 통신할 수 있다. 또한, 호스트 인터페이스 유닛(2211)은 호스트 장치(2100)가 SSD(2200)를 범용 데이터 저장 장치, 예를 들면, 하드 디스크 드라이브(HDD)로 인식하도록 지원하는 디스크 에뮬레이션(disk emulation) 기능을 수행할 수 있다.
컨트롤 유닛(2212)은 호스트 장치(2100)로부터 입력된 신호(SGL)를 분석하고 처리할 수 있다. 컨트롤 유닛(2212)은 SSD(2200)를 구동하기 위한 펌웨어 또는 소프트웨어에 따라서 내부 기능 블럭들의 동작을 제어할 수 있다. 랜덤 액세스 메모리(2213)는 이러한 펌웨어 또는 소프트웨어를 구동하기 위한 동작 메모리로서 사용될 수 있다.
에러 정정 코드(ECC) 유닛(2214)은 불휘발성 메모리 장치들(2231~223n)로 전송될 데이터의 패리티 데이터를 생성할 수 있다. 생성된 패리티 데이터는 데이터와 함께 불휘발성 메모리 장치들(2231~223n)에 저장될 수 있다. 에러 정정 코드(ECC) 유닛(2214)은 패리티 데이터에 근거하여 불휘발성 메모리 장치들(2231~223n)로부터 독출된 데이터의 에러를 검출할 수 있다. 만약, 검출된 에러가 정정 범위 내이면, 에러 정정 코드(ECC) 유닛(2214)은 검출된 에러를 정정할 수 있다.
메모리 인터페이스 유닛(2215)은, 컨트롤 유닛(2212)의 제어에 따라서, 불휘발성 메모리 장치들(2231~223n)에 커맨드 및 어드레스와 같은 제어 신호를 제공할 수 있다. 그리고 메모리 인터페이스 유닛(2215)은, 컨트롤 유닛(2212)의 제어에 따라서, 불휘발성 메모리 장치들(2231~223n)과 데이터를 주고받을 수 있다. 예를 들면, 메모리 인터페이스 유닛(2215)은 버퍼 메모리 장치(2220)에 저장된 데이터를 불휘발성 메모리 장치들(2231~223n)로 제공하거나, 불휘발성 메모리 장치들(2231~223n)로부터 읽혀진 데이터를 버퍼 메모리 장치(2220)로 제공할 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 데이터 저장 장치를 포함하는 데이터 처리 시스템을 예시적으로 보여주는 도면이다. 도 8을 참조하면, 데이터 처리 시스템(3000)은 호스트 장치(3100)와 데이터 저장 장치(3200)를 포함할 수 있다.
호스트 장치(3100)는 인쇄 회로 기판(printed circuit board)과 같은 기판(board) 형태로 구성될 수 있다. 비록 도시되지 않았지만, 호스트 장치(3100)는 호스트 장치의 기능을 수행하기 위한 내부 기능 블럭들을 포함할 수 있다.
호스트 장치(3100)는 소켓(socket), 슬롯(slot) 또는 커넥터(connector)와 같은 접속 터미널(3110)을 포함할 수 있다. 데이터 저장 장치(3200)는 접속 터미널(3110)에 마운트(mount)될 수 있다.
데이터 저장 장치(3200)는 인쇄 회로 기판과 같은 기판 형태로 구성될 수 있다. 데이터 저장 장치(3200)는 메모리 모듈 또는 메모리 카드로 불릴 수 있다. 데이터 저장 장치(3200)는 컨트롤러(3210), 버퍼 메모리 장치(3220), 불휘발성 메모리 장치(3231~3232), PMIC(power management integrated circuit)(3240) 및 접속 터미널(3250)을 포함할 수 있다.
컨트롤러(3210)는 데이터 저장 장치(3200)의 제반 동작을 제어할 수 있다. 컨트롤러(3210)는 도 6에 도시된 컨트롤러(2210)와 동일하게 구성될 수 있다.
버퍼 메모리 장치(3220)는 불휘발성 메모리 장치들(3231~3232)에 저장될 데이터를 임시 저장할 수 있다. 또한, 버퍼 메모리 장치(3220)는 불휘발성 메모리 장치들(3231~3232)로부터 읽혀진 데이터를 임시 저장할 수 있다. 버퍼 메모리 장치(3220)에 임시 저장된 데이터는 컨트롤러(3210)의 제어에 따라 호스트 장치(3100) 또는 불휘발성 메모리 장치들(3231~3232)로 전송될 수 있다.
불휘발성 메모리 장치들(3231~3232)은 데이터 저장 장치(3200)의 저장 매체로 사용될 수 있다.
PMIC(3240)는 접속 터미널(3250)을 통해 입력된 전원을 데이터 저장 장치(3200) 내부에 제공할 수 있다. PMIC(3240)는, 컨트롤러(3210)의 제어에 따라서, 데이터 저장 장치(3200)의 전원을 관리할 수 있다.
접속 터미널(3250)은 호스트 장치의 접속 터미널(3110)에 연결될 수 있다. 접속 터미널(3250)을 통해서, 호스트 장치(3100)와 데이터 저장 장치(3200) 간에 커맨드, 어드레스, 데이터 등과 같은 신호와, 전원이 전달될 수 있다. 접속 터미널(3250)은 호스트 장치(3100)와 데이터 저장 장치(3200)의 인터페이스 방식에 따라 다양한 형태로 구성될 수 있다. 접속 터미널(3250)은 데이터 저장 장치(3200)의 어느 한 변에 배치될 수 있다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 데이터 저장 장치를 포함하는 데이터 처리 시스템을 예시적으로 보여주는 도면이다. 도 9를 참조하면, 데이터 처리 시스템(4000)은 호스트 장치(4100)와 데이터 저장 장치(4200)를 포함할 수 있다.
호스트 장치(4100)는 인쇄 회로 기판(printed circuit board)과 같은 기판(board) 형태로 구성될 수 있다. 비록 도시되지 않았지만, 호스트 장치(4100)는 호스트 장치의 기능을 수행하기 위한 내부 기능 블럭들을 포함할 수 있다.
데이터 저장 장치(4200)는 표면 실장형 패키지 형태로 구성될 수 있다. 데이터 저장 장치(4200)는 솔더 볼(solder ball)(4250)을 통해서 호스트 장치(4100)에 마운트될 수 있다. 데이터 저장 장치(4200)는 컨트롤러(4210), 버퍼 메모리 장치(4220) 및 불휘발성 메모리 장치(4230)를 포함할 수 있다.
컨트롤러(4210)는 데이터 저장 장치(4200)의 제반 동작을 제어할 수 있다. 컨트롤러(4210)는 도 6에 도시된 컨트롤러(2210)와 동일하게 구성될 수 있다.
버퍼 메모리 장치(4220)는 불휘발성 메모리 장치(4230)에 저장될 데이터를 임시 저장할 수 있다. 또한, 버퍼 메모리 장치(4220)는 불휘발성 메모리 장치들(4230)로부터 읽혀진 데이터를 임시 저장할 수 있다. 버퍼 메모리 장치(4220)에 임시 저장된 데이터는 컨트롤러(4210)의 제어에 따라 호스트 장치(4100) 또는 불휘발성 메모리 장치(4230)로 전송될 수 있다.
불휘발성 메모리 장치(4230)는 데이터 저장 장치(4200)의 저장 매체로 사용될 수 있다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 데이터 저장 장치를 포함하는 네트워크 시스템(5000)을 예시적으로 보여주는 도면이다. 도 10을 참조하면, 네트워크 시스템(5000)은 네트워크(5500)를 통해서 연결된 서버 시스템(5300) 및 복수의 클라이언트 시스템들(5410~5430)을 포함할 수 있다.
서버 시스템(5300)은 복수의 클라이언트 시스템들(5410~5430)의 요청에 응답하여 데이터를 서비스할 수 있다. 예를 들면, 서버 시스템(5300)은 복수의 클라이언트 시스템들(5410~5430)로부터 제공된 데이터를 저장할 수 있다. 다른 예로서, 서버 시스템(5300)은 복수의 클라이언트 시스템들(5410~5430)로 데이터를 제공할 수 있다.
서버 시스템(5300)은 호스트 장치(5100) 및 데이터 저장 장치(5200)를 포함할 수 있다. 데이터 저장 장치(5200)는 도 1의 데이터 저장 장치(1200), 도 6의 데이터 저장 장치(2200), 도 8의 데이터 저장 장치(3200), 도 9의 데이터 저장 장치(4200)로 구성될 수 있다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 데이터 저장 장치에 포함된 불휘발성 메모리 장치를 예시적으로 보여주는 블럭도이다. 도 11을 참조하면, 불휘발성 메모리 장치(1230)는 메모리 셀 어레이(1231), 행 디코더(1232), 열 디코더(1233), 데이터 읽기/쓰기 블럭(1234), 전압 발생기(1235) 및 제어 로직(1236)을 포함할 수 있다.
메모리 셀 어레이(1231)는 워드 라인들(WL1~WLm)과 비트 라인들(BL1~BLn)이 서로 교차된 영역에 배열된 메모리 셀(MC)들을 포함할 수 있다.
행 디코더(1232)는 워드 라인들(WL1~WLm)을 통해서 메모리 셀 어레이(1231)와 연결될 수 있다. 행 디코더(1232)는 제어 로직(1236)의 제어에 따라 동작할 수 있다. 행 디코더(1232)는 외부 장치(도시되지 않음)로부터 제공된 어드레스를 디코딩할 수 있다. 행 디코더(1232)는 디코딩 결과에 근거하여 워드 라인들(WL1~WLm)을 선택하고, 구동할 수 있다. 예시적으로, 행 디코더(1232)는 전압 발생기(1235)로부터 제공된 워드 라인 전압을 워드 라인들(WL1~WLm)에 제공할 수 있다.
데이터 읽기/쓰기 블럭(1234)은 비트 라인들(BL1~BLn)을 통해서 메모리 셀 어레이(1231)와 연결될 수 있다. 데이터 읽기/쓰기 블럭(1234)은 비트 라인들(BL1~BLn) 각각에 대응하는 읽기/쓰기 회로들(RW1~RWn)을 포함할 수 있다. 데이터 읽기/쓰기 블럭(1234)은 제어 로직(1236)의 제어에 따라 동작할 수 있다. 데이터 읽기/쓰기 블럭(1234)은 동작 모드에 따라서 쓰기 드라이버로서 또는 감지 증폭기로서 동작할 수 있다. 예를 들면, 데이터 읽기/쓰기 블럭(1234)은 쓰기 동작 시 외부 장치로부터 제공된 데이터를 메모리 셀 어레이(1231)에 저장하는 쓰기 드라이버로서 동작할 수 있다. 다른 예로서, 데이터 읽기/쓰기 블럭(1234)은 읽기 동작 시 메모리 셀 어레이(1231)로부터 데이터를 독출하는 감지 증폭기로서 동작할 수 있다.
열 디코더(1233)는 제어 로직(1236)의 제어에 따라 동작할 수 있다. 열 디코더(1233)는 외부 장치로부터 제공된 어드레스를 디코딩할 수 있다. 열 디코더(1233)는 디코딩 결과에 근거하여 비트 라인들(BL1~BLn) 각각에 대응하는 데이터 읽기/쓰기 블럭(1234)의 읽기/쓰기 회로들(RW1~RWn)과 데이터 입출력 라인(또는 데이터 입출력 버퍼)을 연결할 수 있다.
전압 발생기(1235)는 불휘발성 메모리 장치(1230)의 내부 동작에 사용되는 전압을 생성할 수 있다. 전압 발생기(1235)에 의해서 생성된 전압들은 메모리 셀 어레이(1231)의 메모리 셀들에 인가될 수 있다. 예를 들면, 프로그램 동작 시 생성된 프로그램 전압은 프로그램 동작이 수행될 메모리 셀들의 워드 라인에 인가될 수 있다. 다른 예로서, 소거 동작 시 생성된 소거 전압은 소거 동작이 수행될 메모리 셀들의 웰-영역에 인가될 수 있다. 다른 예로서, 읽기 동작 시 생성된 읽기 전압은 읽기 동작이 수행될 메모리 셀들의 워드 라인에 인가될 수 있다.
제어 로직(1236)은 외부 장치로부터 제공된 제어 신호에 근거하여 불휘발성 메모리 장치(1230)의 제반 동작을 제어할 수 있다. 예를 들면, 제어 로직(1236)은 불휘발성 메모리 장치(1230)의 읽기, 쓰기, 소거 동작과 같은 불휘발성 메모리 장치(1230)의 동작을 제어할 수 있다.
이상에서, 본 발명은 구체적인 실시 예를 통해 설명되고 있으나, 본 발명은 그 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지로 변형할 수 있음은 잘 이해될 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 상술한 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위 및 이와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다. 본 발명의 범위 또는 기술적 사상을 벗어나지 않고 본 발명의 구조가 다양하게 수정되거나 변경될 수 있음은 잘 이해될 것이다.
1000 : 데이터 처리 시스템
1100 : 호스트 장치
1200 : 데이터 저장 장치
1210 : 컨트롤러
1211 : 호스트 인터페이스 유닛
1211C : CRC 블럭
1212 : 컨트롤 유닛
1213 : 동작 메모리
1215 : 메모리 컨트롤 유닛
1216 : 태스크 큐
1217 : 전압 감지기

Claims (13)

  1. 호스트 장치; 및
    전압 강하 상태를 감지한 경우, 상기 호스트 장치와 약속된 키 값을 비정상적인 키 값으로 변경하고, 상기 비정상적인 키 값을 사용하여 비정상적인 순환 중복 검사(CRC) 데이터를 생성하고, 상기 비정상적인 순환 중복 검사(CRC) 데이터를 상기 호스트 장치로 전송하는 데이터 저장 장치를 포함하는 데이터 처리 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 호스트 장치는 상기 비정상적인 순환 중복 검사(CRC) 데이터에 근거하여 상기 데이터 저장 장치를 초기화시키는 데이터 처리 시스템.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 호스트 장치는 상기 데이터 저장 장치로 초기화 명령 또는 초기화 신호를 제공하는 데이터 처리 시스템.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 호스트 장치는, 상기 데이터 저장 장치가 초기화된 이후에, 상기 데이터 저장 장치로부터 완료 통지가 전송되지 않은 미완료 리퀘스트를 재전송하는 데이터 처리 시스템.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 데이터 저장 장치는,
    상기 호스트 장치로부터 제공되는 동작 전압의 레벨이 기준 전압 레벨보다 작은 경우 전압 강하 신호를 발생하는 전압 감지기;
    상기 전압 강하 신호에 근거하여 전압 강하 상태를 인식하는 컨트롤 유닛; 및
    상기 컨트롤 유닛의 제어에 따라서 상기 호스트 장치와 약속된 키 값을 상기 비정상적인 키 값으로 변경하는 순환 중복 검사(CRC) 블럭을 포함하는 데이터 처리 시스템.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 순환 중복 검사(CRC) 블럭은, 상기 비정상적인 키 값에 근거하여, 처리중인 태스크에 대응하는 데이터 또는 처리 예정 중인 태스크에 대응하는 데이터에 대한 상기 비정상적인 순환 중복 검사(CRC) 데이터를 생성하는 데이터 처리 시스템.
  7. 데이터 저장 장치; 및
    상기 데이터 저장 장치로 리퀘스트와 데이터를 전송하는 호스트 장치를 포함하되,
    상기 데이터 저장 장치는,
    상기 호스트 장치로부터 제공되는 동작 전압의 레벨이 기준 전압 레벨보다 작은 경우 전압 강하 신호를 발생하는 전압 감지기;
    상기 호스트 장치와 약속된 키 값을 사용하여 상기 데이터에 대한 순환 중복 검사(CRC) 데이터를 생성하는 순환 중복 검사(CRC) 블럭; 및
    상기 전압 강하 신호에 근거하여 전압 강하 상태를 인식하고, 상기 키 값을 비정상적인 키 값으로 변경하도록 상기 CRC 블럭을 제어하는 컨트롤 유닛을 포함하는 데이터 처리 시스템.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 호스트 장치는 상기 리퀘스트가 처리되었는지를 체크하기 위한 상태 체크 명령을 상기 데이터 저장 장치로 전송하되,
    상기 순환 중복 검사(CRC) 블럭은, 상기 상태 체크 명령에 응답하여, 상기 비정상적인 키 값을 사용하여 상기 데이터에 대한 비정상적인 순환 중복 검사(CRC) 데이터를 생성하고, 상기 비정상적인 순환 중복 검사(CRC) 데이터를 상기 호스트 장치로 전송하는 데이터 처리 시스템.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 호스트 장치는, 상기 데이터에 대해서 자신이 생성한 순환 중복 검사(CRC) 데이터와 상기 비정상적인 순환 중복 검사(CRC) 데이터가 다른 경우, 상기 데이터 저장 장치에 대한 리커버리 절차를 수행하는 데이터 처리 시스템.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 호스트 장치는, 상기 리커버리 절차를 수행하는 동안, 상기 데이터 저장 장치를 초기화하는 데이터 처리 시스템.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 호스트 장치는 상기 데이터 저장 장치로 초기화 명령 또는 초기화 신호를 제공하는 데이터 처리 시스템.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 호스트 장치는, 상기 데이터 저장 장치가 초기화된 이후에, 상기 데이터 저장 장치가 완료하지 못한 리퀘스트를 재전송하는 데이터 처리 시스템.
  13. 제7항에 있어서,
    상기 데이터 저장 장치는 저장 매체로서 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 데이터 처리 시스템.
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