KR20180058881A - 나노입자가 분산된 열전박막 제조방법 및 이에 의해 제조된 열전박막 - Google Patents

나노입자가 분산된 열전박막 제조방법 및 이에 의해 제조된 열전박막 Download PDF

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Abstract

기판 상에 산화가 잘 되는 금속 타겟과 상기 금속보다 산화가 잘 되지 않는 열전 합금 타겟을 동시에 사용하여 박막을 증착하되, 상기 박막은 열전 박막에 나노입자가 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 나노입자가 분산된 열전박막 제조방법 및 이에 의해 제조된 열전박막을 제공한다.

Description

나노입자가 분산된 열전박막 제조방법 및 이에 의해 제조된 열전박막{The fabrication method of thermoelectric thin film dispersed nano particles and the thermoelectric thin film using the same}
본 발명은 나노입자가 분산된 열전박막 제조방법 및 이에 의해 제조된 열전박막에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 산화물 나노입자의 함량을 조절함으로써 열전박막의 결정 성장을 제어하는 나노입자가 분산된 열전박막 제조방법 및 이에 의해 제조된 열전박막에 관한 것이다.
최근 스마트 폰이나 웨어러블 IT의 기술이 급격히 발전하면서 소형의 첨단기기에 부착되어 에너지 효율을 증대시킬 수 있는 열전 박막 소재에 대한 관심이 증가하고 있다.
열전 소재는 열전도도가 낮고 전기전도도가 높은 특성을 가져야하는데, 비스무스와 텔루륨의 합금인 Bi2Te3이 대표적인 열전물질로 연구되고 있다. Bi2Te3는 큰 질량을 가지며, 비스무스와 텔루륨 간의 반데르 발스 결합(Van der Waals bonding)과 텔루륨 간의 공유결합(covalent bonding)으로 작은 스프링 상수를 가지므로, 열전도도를 감소시킬 수 있다. 이로 인해 열전물질의 열전 특성을 나타내는 성능지수(figure of merit; ZT)를 증가시킬 수 있다.
벌크형태의 열전 소재의 경우, 모체에 인위적으로 나노입자를 생성시킴으로써 포논의 산란 증가에 의해 열전도가 감소되고 전기 전도도는 향상 된다. 이러한 효과를 유도하여 열전 소자의 성능을 증가시키는 다양한 방법들이 개발되고 있다.
박막형태의 열전 소재의 경우, 예를 들어 Bi2Te3 합금을 열전 박막으로 제조함으로써 열전 효과에 영향을 주는 제백 계수(Seebeck coefficient)를 조정할 수 있으며, 비교적 큰 ZT 값을 얻을 수 있다.
하지만, Bi2Te3과 같은 열전 소재 박막의 전기적 열적 특성은 소재 결정의 품질, 즉, 결정 성장 방향 및 형상 등에 의해 열전 성능이 달라지는 어려움이 있다. 따라서 열전박막의 결정 성장 제어 기술 개발이 요구되고 있다.
한국 등록특허 제 10-0996675호(등록일 : 2010.11.19.) 한국 등록특허 제 10-0872332호(등록일 : 2008.12.01.) 한국 등록특허 제 10-1362291호(등록일 : 2014.02.06.)
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 산화가 잘되는 금속 재료와 상기 금속과 상대적으로 산화가 잘되지 않는 열전 합금 각각을 동시에 증착함으로써 나노입자가 분산된 열전박막 제조방법 및 이에 의해 제조된 열전박막을 제공하는 것에 목적이 있다.
본 발명의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명은 기판 상에 산화가 잘 되는 금속 타겟과 상기 금속보다 산화가 잘 되지 않는 열전 합금 타겟을 동시에 사용하여 박막을 증착하되, 상기 박막은 열전 박막에 나노입자가 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 나노입자가 분산된 열전박막 제조방법 및 이에 의해 제조된 열전 박막을 제공한다.
상기 금속 타겟은 알루미늄 타겟일 수 있다.
상기 열전 합금 타겟은 비스무스텔루륨 타겟(Bi2Te3 target)일 수 있다.
상기 나노입자는 금속 산화물 나노입자일 수 있으며, 나아가서, 상기 나노입자는 알루미나 나노입자일 수 있다.
상기 박막은 BiTe 박막일 수 있다.
상기 박막을 증착하는 것은 미량의 산소가 포함된 불활성 기체의 분위기에서 증착하는 것일 수 있으며, 나아가서 상기 산소는 0.001 내지 0.1% 포함된 것일 수 있다.
상기 박막은 전체 박막 내 상기 나노입자의 함유 비율이 1 내지 15 %일 수 있다.
상기 박막을 증착하는 것은 진공도 10-5 내지 10-7 torr 범위에서 수행할 수 있다.
상기 박막을 증착하는 것은 스퍼터링(sputtering)법 또는 열증착(thermal evaporation)법을 이용하여 증착할 수 있다.
본 발명에 따른 나노입자가 분산된 열전박막 제조방법 및 이에 의해 제조된 열전박막은 산화가 잘되는 금속과 상기 금속보다 산화가 잘되지 않는 열전 합금 재료 각각을 동시에 증착함으로써 산화물 나노입자의 함량 조절이 가능하고, 상기 산화물 나노입자의 함량에 따라 열전재료 박막의 결정 성장 제어가 가능한 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 나노입자가 분산된 열전박막 제조방법을 나타낸 모식도,
도 2a는 알루미나 나노입자 함량이 적은 열전박막의 제조과정 및 기판을 나타낸 단면도,
도 2b는 알루미나 나노입자 함량이 많은 열전박막의 제조과정 및 기판을 나타낸 단면도,
도 3은 본 발명의 실험예 2 및 실험예 3에 따른 시료들의 FESEM (field emission scanning electron microscopy) 사진,
도 4a는 본 발명의 실험예 1에 따른 시료의 결정에 대한 TEM (transmission electron microscope) 사진,
도 4b는 본 발명의 실험예 1에 따른 시료의 결정에 대한 TEM-EDS mapping 이미지,
도 5는 본 발명의 실험예 1에 따른 시료의 XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) 분석 결과를 나타낸 그래프,
도 6은 본 발명의 실험예 1 내지 실험예 3 및 비교예 1에 따른 시료들의 FESEM 사진들,
도 7은 본 발명의 실험예 1 내지 실험예 3 및 비교예 1에 따른 시료들의 XRD(X-ray diffraction) 스펙트럼을 나타낸 그래프,
도 8a는 본 발명의 실험예 1 내지 실험예 3 및 비교예 1에 따른 시료들의 전기전도도를 나타낸 그래프,
도 8b는 본 발명의 실험예 1 내지 실험예 3 및 비교예 1에 따른 시료들의 제백 계수를 나타낸 그래프이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 나노입자가 분산된 열전박막 제조방법을 나타낸 모식도이다.
도1을 참조하면, 먼저 기판(100)에 증착하기 전 pre-sputtering을 수행할 수 있다. 상기 기판(100)과 타겟(200a, 200b) 사이를 가림막으로 가린 후 20분 이상 스퍼터링을 수행함으로써 타켓 표면에 존재하는 자연 산화막 또는 오염물을 제거할 수 있다.
상기 기판(100)은 산화물박막(105)이 200-400nm의 두께로 형성된 것일 수 있다. 또한, 상기 기판(100)은 실리콘(Si)기판이며, 상기 기판(100) 상에 산화실리콘(SiO2) 박막이 형성되어 있는 것일 수 있다. 상기 산화막(105)이 형성된 기판(100)을 세정하는 것은 울트라 소닉 장치(ultra sonic equipment)를 이용하여, 아세톤과 에틸렌 용액으로 10분 동안 세정함으로써 수행할 수 있다.
상기 기판(100) 상에 산화가 잘 되는 금속 타겟(200a)과 상기 금속보다 산화가 잘 되지 않는 열전 합금 타겟(200b)을 동시에 사용하여 박막(110)을 증착한다. 나아가서. 상기 금속 타겟(200a)은 알루미늄 타겟일 수 있다. 또한, 상기 열전 합금 타겟(200b)은 비스무스텔루륨 타겟(Bi2Te3 target)일 수 있다.
예를 들어, 상기 세정된 산화막(105) 상에 알루미늄 타겟(Al target; 200a)과 비스무스텔루륨 타겟(Bi2Te3 target; 200b)을 동시에 이용하여 상기 박막(110)을 증착할 수 있다.
상기 박막(110)은 열전 박막에 나노입자가 분산되어 박막으로 증착된다. 상기 박막(110)을 증착하는 것은 스퍼터링(sputtering)법 또는 열증착(thermal evaporation)법을 이용하여 증착할 수 있다.
상기 나노입자는 금속 산화물 나노입자일 수 있으며, 나아가서 상기 나노입자는 알루미나 나노입자일 수 있다.
상기 금속 산화물 나노입자의 산화를 조절하기 위해, 상기 박막(110)을 증착하는 것은 미량의 산소가 포함된 불활성 기체의 분위기에서 증착하는 것일 수 있으며, 나아가서 상기 산소는 0.001 내지 0.01 % 포함된 것일 수 있다.
상기 박막(100)은 BiTe 박막일 수 있다.
상기 박막은 전체 박막 내 상기 나노입자의 함유 비율이 1 내지 15 %일 수 있다. 또한, 상기 박막을 증착하는 것은 진공도 10-5 내지 10-7 torr 범위에서 수행할 수 있다.
예를 들면, 스퍼터링 증착(sputtering deposition)으로 박막(110)을 형성할 경우, 상기 증착은 250~350℃의 온도에서 수행할 수 있으며, 또한 상기 스퍼터링 증착은 15분 내지 20분 동안 수행할 수 있다.
상기 텔루륨은 449.51℃의 녹는점을 가지지만, 휘발성이 아주 높은 특징이 있으며, 250~350℃의 온도의 스퍼터링 증착 시에도 산화가 잘 되지 않으므로, 비스무스텔루륨 타겟은 Bi2Te3이라도, 증착된 막은 BiTe박막으로 증착될 수 있다.
상기 또 다른 스퍼터 타겟인 알루미늄(Al)은 산화가 아주 잘되는 금속으로, 증착이 이루어지는 챔버 내에 존재하는 산소(O2)에 의해 증착 전 산화가 되어 알루미나(alumina)로 형성된다.
상기 알루미나는 BiTe보다 큰 입자이므로, 상기 BiTe와 반응 없이 나노입자 상태로 별도로 증착될 수 있다.
따라서, 상기 박막(110)은 알루미나 나노입자가 분산된 BiTe박막으로 형성된다.
상기 BiTe박막에 상기 나노입자가 분산되는 것은 상기 알루미늄 타겟(Al target)에 인가되는 전력을 조절하여 상기 나노입자의 함량을 조절함으로써 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 알루미늄 타겟(200a)에 인가되는 전력을 조절하는 것은 DC 파워를 10W 내지 20W의 범위에서 조절하는 것일 수 있다.
또한, 상기 박막(100)을 형성하는 것은 상기 비스무스텔루륨 타겟(Bi2Te3; 200b)의 인가 전력은 고정함으로써 박막을 형성하는 것일 수 있다. 나아가서, 상기 비스무스텔루륨 타겟(Bi2Te3; 200b)의 인가 전력을 고정하는 것은 RF 파워를 40W로 인가함으로써 고정하는 것일 수 있다.
도 2a는 알루미나 나노입자 함량이 적은 열전박막의 제조과정 및 기판을 나타낸 단면도이고, 도 2b는 알루미나 나노입자 함량이 많은 열전박막의 제조과정 및 기판을 나타낸 단면도이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 상기 기판(100) 상에 상기 스퍼터링 증착으로 인해 알루미나 나노입자(110a) 및 BiTe박막(110b)이 증착되기 시작한다.
상기 증착으로 형성된 상기 박막(110) 중 상기 알루미나 나노입자(110a)의 함량이 적은 경우 도 2a와 같이 상기 BiTe박막(110b)의 성장은 가로(X)로 이루어지며, 상기 알루미나 나노입자(110a)의 함량이 많은 경우 도 2b와 같이 상기 BiTe박막(110b)의 성장은 세로(Y)로 이루어진다. 즉, 상기 스퍼터링 증착 시 상기 알루미나 나노입자(110a)의 함량을 증가시킬수록 상기 BiTe박막을 이루는 결정의 성장 방향이나 형태 조절이 가능할 수 있다. 또한 열전박막에 사용될 경우 상기 알루미나 나노입자의 함량 제어로 열전 성능을 제어할 수도 있다는 점을 보여준다.
이하, 본 발명에 따른 박막의 결정 성장 제어방법을 하기 실험예를 통해 설명하겠는 바, 하기 실험예는 본 발명을 설명하기 위한 예시일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
실험예 1
약 300nm의 산화실리콘(SiO2) 박막 형성된 실리콘 기판을 울트라 소닉 장치(ultra sonic equipment)를 이용하여, 아세톤과 에틸렌 용액으로 10분 동안 세정하였다. 또한, 20분간 pre-sputtering으로 타겟 표면의 오염물과 산화물을 제거하였다.
Bi2Te3 타겟에 RF power를 40W 인가하였고, Al 타겟에는 DC power를 10W인가하여 상기 산화실리콘(SiO2) 박막이 형성된 기판 상에 스퍼터링 증착을 실시하였다. 이때 상기 타겟의 면적은 20.26 cm2, 온도는 300℃, 증착 시간은 20분, 진공도는 10-7 torr이었다. 이로 인해 형성된 박막 시료 Al(10)은 FESEM로 측정하였을 때 두께가 240.1nm이었다.
실험예 2
Bi2Te3 타겟에 RF power를 40W 인가하였고, Al 타겟에는 DC power를 15W인가하여 상기 산화실리콘(SiO2) 박막이 형성된 기판 상에 스퍼터링 증착을 실시하였다. 이 외의 과정은 실험예 1과 동일하였다. 이로 인해 형성된 박막 시료 Al(15)는 FESEM로 측정하였을 때 두께가 429.9nm이었다.
실험예 3
Bi2Te3 타겟에 RF power를 40W 인가하였고, Al 타겟에는 DC power를 20W인가하여 상기 산화실리콘(SiO2) 박막이 형성된 기판 상에 스퍼터링 증착을 실시하였다. 이 외의 과정은 실험예 1과 동일하였다. 이로 인해 형성된 박막 시료 Al(20)은 FESEM로 측정하였을 때 두께가 418.0nm이었다.
비교예 1
Bi2Te3 타겟에 RF power를 40W 인가하였고, Al 타겟에는 DC power를 인가하지 않은 채 상기 산화실리콘(SiO2) 박막이 형성된 기판 상에 스퍼터링 증착을 실시하였다. 이 외의 과정은 실험예 1과 동일하였다. 이로 인해 형성된 박막 시료 Al(0)은 FESEM로 측정하였을 때 두께가 295.9nm이었다.
시험예 1
도 3은 본 발명의 실험예 2 및 실험예 3에 따른 시료들의 FESEM 사진을 나타낸 것으로, 시료 Al(15) 및 시료 Al(20)의 결정 형태를 나타낸 것이다.
도면을 참조하면, Al(15) 박막의 결정과 Al(20) 박막의 결정에 나노입자들이 고루 증착되어 있는 것을 알 수 있다.
시험예 2
도 4a는 본 발명의 실험예 1에 따른 시료의 결정에 대한 TEM (transmission electron microscope) 사진으로, Al(10) 박막의 결정 형태를 나타낸 사진이다. 도 4b는 본 발명의 실험예 1에 따른 시료의 결정에 대한 TEM-EDS mapping 이미지로, 상기 Al(10)의 TEM-EDS mapping 이미지를 나타낸 것이다. 또한, 도 5는 본 발명의 실험예 1에 따른 시료의 XPS(X-ray photoelectron spectroscopy) 분석 결과를 나타낸 그래프이다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 시험예 1의 결과와 비교해 볼 때 상기 박막의 결정은 Bi와 Te로 이루어져 있음을 알 수 있고, 상기 나노입자는 Al과 O로 이루어져 있음을 알 수 있다.
또한 도 5를 참조하면, 박막에 증착된 나노입자의 화학적 결합상태를 나타낸 것으로, 상기 나노입자가 알루미늄의 금속 결합이 아닌 Al-O 산화물 결합이라는 것을 보여준다.
따라서, 도 4a, 4b 및 도 5의 결과를 볼 때 시험예 1의 나노입자는 알루미나인 것을 알 수 있다. 즉, 알루미나 나노입자는 분자 크기가 큼으로 인해 Bi-Te 결정 구조 내로 들어가지 못하고, Bi 또는 Te와 반응하지 않으며, 박막 내에 입자 형태로 존재함을 알 수 있다. 이는 상기 실험예 2 및 실험예 3의 박막에도 알루미나는 입자형태로 존재함을 예상할 수 있다.
시험예 3
도 6은 본 발명의 실험예 1 내지 실험예 3 및 비교예 1에 따른 시료들의 FESEM 사진들로써, 시료들 Al(10), Al(15), A(20) 및 Al(0) 박막의 형태 및 구조를 관찰한 사진이다.
도 6을 참조하면, 알루미나 나노입자의 함량이 증가함에 따라 박막의 결정 형상 변화가 있음을 알 수 있다. 알루미나 나노입자의 함량이 많은 경우 BiTe박막(110b)의 결정(110b')이 알루미나 나노입자의 함량이 적은 경우 BiTe박막(110b)의 결정(110b)보다 결정 성장의 방향성이 더 두드러짐을 알 수 있다. 즉, 알루미나 나노입자의 함량이 증가함에 따라 결정이 성장하는 형상이 달라짐을 알 수 있다.
도 7은 본 발명의 실험예 1 내지 실험예 3 및 비교예 1에 따른 시료들의 XRD(X-ray diffraction) 스펙트럼을 나타낸 그래프로써, 시료들 Al(10), Al(15), Al(20) 및 Al(0) 박막에 대해 XRD 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 7을 참조하면, 알루미나 나노입자의 함량이 증가함에 따라 박막의 메인 결정 픽(peak)이 (005)에서 (104)로 바꾸어짐을 알 수 있다. 즉, 알루미나 나노입자의 함량으로 BiTe박막의 결정 성장의 방향을 제어할 수 있음을 보여준다.
시험예 4
도 8a는 본 발명의 실험예 1 내지 실험예 3 및 비교예 1에 따른 시료들의 전기전도도를 나타낸 그래프이다.
도 8a를 참조하면, 상온에서 전기전도도는 Al(0)은 1214.1S/cm, Al(10)은 1116.6S/cm, Al(15)는 120.7S/cm, Al(20)은 44.6S/cm로 나타났으며, BiTe박막 내의 알루미나 나노입자의 함량이 증가할수록 전기전도도는 감소함을 보여준다. 또한, 도 6 및 도 7처럼 Al(0)과 Al(10), Al(15)와 Al(20)의 두 그룹으로 나뉘어 경향이 비슷함을 보여준다. 즉, BiTe박막 내의 결정 성장의 방향성이나 결정의 형태가 비슷한 그룹끼리 전기 전도도의 결과도 유사한 경향을 보여줌을 알 수 있다. 이는 BiTe박막 내의 알루미나 나노입자의 함량에 따라 전기 전도도도 조절이 됨을 알 수 있다.
도 8b는 본 발명의 실험예 1 내지 실험예 3 및 비교예 1에 따른 시료들의 제백 계수를 나타낸 그래프이다.
도 8b를 참조하면, Al(0), Al(10), Al(15) 및 Al(20)의 모든 박막이 n-타입의 반도체 물질이므로 제백 계수는 음(negative)의 값으로 나타난다. 상온에서 제백 계수는 Al(0)은 -30.0μV/K, Al(10)은 -32.5μV/K, Al(15)는 -40.2μV/K, Al(20)은 -47.8μV/K으로 나타났으며, BiTe박막 내의 알루미나 나노입자의 함량이 증가할수록 제백계수 또한 증가함을 보여준다. 제백계수는 전기 전도도와 역비례되므로 도 8a의 결과와 동일한 의미를 가지는 것을 알 수 있다.
상기 도 8a 및 도 8b의 결과를 볼 때, 알루미나 나노입자가 없는 열전박막보다 알루미나 나노입자가 구비된 열전 박막의 성능이 향상됨을 알 수 있다.
본 시험예 1 내지 시험예 4의 결과를 볼 때 산화가 잘 되는 알루미늄을 타겟으로 사용하고 열전 박막을 증착하는 과정 중 상기 알루미늄을 산화시키면, 다른 열전 물질과 반응하지 않고 알루미나 나노입자로 박막에 증착됨을 알 수 있다. 또한, 상기 알루미나 나노입자의 형성과 증착은 박막의 열전성능을 향상시키는 방향으로 제어될 수 있다.
즉, 상기 알루미나 나노입자는 열전 박막의 결정 성장에 영향을 주어 BiTe박막의 형상(morphology)과 결정 성장 방향을 변화시킬 수 있다. 이는 박막의 열전 성능 제어에도 영향을 줄 수 있음을 시사한다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
기판; 100, 산화막; 105,
박막; 110

Claims (12)

  1. 기판 상에 산화가 잘 되는 금속 타겟과 상기 금속보다 산화가 잘 되지 않는 열전 합금 타겟을 동시에 사용하여 박막을 증착하되, 상기 박막은 열전 박막에 나노입자가 분산되어 있는 것에 특징이 있는 나노입자가 분산된 열전박막 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 타겟은 알루미늄 타겟인 것에 특징이 있는 나노입자가 분산된 열전박막 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 열전 합금 타겟은 비스무스텔루륨 타깃(Bi2Te3 target)인 것에 특징이 있는 나노입자가 분산된 열전박막 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 나노입자는 금속 산화물 나노입자인 것에 특징이 있는 나노입자가 분산된 열전박막 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 금속 산화물 나노입자는 알루미나 나노입자인 것에 특징이 있는 나노입자가 분산된 열전박막 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막은 BiTe 박막인 것에 특징이 있는 나노입자가 분산된 열전박막 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막을 증착하는 것은 미량의 산소가 포함된 불활성 기체의 분위기에서 증착하는 것에 특징이 있는 나노입자가 분산된 열전박막 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 산소는 0.001 내지 0.1 % 포함된 것에 특징이 있는 나노입자가 분산된 열전박막 제조방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막은 전체 박막 내 상기 나노입자의 함유 비율이 1 내지 15 % 인 것에 특징이 있는 나노입자가 분산된 열전박막 제조방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막을 증착하는 것은 진공도 10-5 내지 10-7 torr 범위에서 수행하는 것에 특징이 있는 나노입자가 분산된 열전박막 제조방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막을 증착하는 것은 스퍼터링(sputtering)법 또는 열증착(thermal evaporation)법을 이용하여 증착하는 것에 특징이 있는 나노입자가 분산된 열전박막 제조방법.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 한 가지 이상 선택된 제조방법에 의해 제조된 열전박막.
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