KR20180056696A - 금속 표면 처리 방법 및 처리된 금속 표면을 포함하는 본체 - Google Patents

Abstract

본 발명은 플라즈마 전해 산화 공정에 의해 금속 표면을 처리하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라, 추가의 층이 기판에 도포된다. 추가로, 생분해성 물질이 또한 도포된다.

Description

금속 표면 처리 방법 및 처리된 금속 표면을 포함하는 본체

본 발명은 금속 표면을 처리하는 방법 및 금속 표면을 구비한 본체에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 항균성을 갖는 표면을 포함하는 의료 장치에 관한 것이다.

금속 표면에 기능적인 층을 적용하는 다양한 방법이 있다. 특히, 항균성을 갖는 은 함유 층으로 금속 표면을 코팅하는 것이 알려져 있다.

그러나, 은 코팅이 항균성을 유발하는 은 이온을 단지 짧은 기간 동안만 방출한다는 것이 밝혀졌다.

WO 2010/139451 A2는 플라즈마 전해 산화 공정을 이용하여 나노 은 입자(silver particle)로 금속 표면을 기능화하는 방법을 제시한다.

이 방법은 더욱 양호한 은 이온의 방출을 유발한다. 그러나, 이러한 코팅을 포함하는 임플란트는 모든 용도에 충분하지 않을 수 있는, 제한된 기간 동안만 생체 내에서 은 이온을 방출한다는 것이 밝혀졌다.

이러한 배경 하에서, 본 발명의 목적은 금속 표면을 처리하는 방법 및 은 이온 또는 다른 물질의 제어된 방출을 가능하게 하는 처리된 금속 표면을 구비한 본체를 제공하는 것이다.

본 발명의 목적은 독립항들 중 하나에 따라 금속 표면을 처리하는 방법 및 처리된 표면을 구비한 본체로 해결된다.

본 발명의 바람직한 실시예 및 변형예는 각각의 종속항들에 개시된다.

본 발명은 금속 표면을 처리하는 방법에 관한 것이다.

특히, 본 발명은 의료 장치 예를 들어 임플란트의 금속 표면의 처리에 관한 것이다. 그러나, 상기 방법은 금속 표면을 갖는 핸들, 스위치, 제어 요소 등에 코팅, 특히 항균 층을 적용하는 데에도 사용될 수 있다.

처리해야 하는 본체는 금속 표면을 가지고 있다. 전형적으로, 금속 또는 금속 합금으로 만들어진 본체가 처리된다. 그러나, 금속 표면으로 코팅된 유전체(dielectric body)에 본 발명을 사용하는 것도 가능하다.

본 발명에 따라, 제1 입자를 포함하는 콜로이드 분산계가 제공된다. 특히, 콜로이드 분산계는 은 입자를 포함한다.

입자는 5 nm 내지 1 ㎛ 사이의 크기를 가질 수 있다. 바람직하게는 평균 입자 크기가 200 nm 미만인 입자가 사용된다. 입자 크기는 전자 현미경으로 측정할 수 있다. 구형이 아닌 입자와 관련하여, 본 발명에 따른 평균 입자 크기는 길이, 폭 및 높이의 평균값으로 규정된다.

입자는 예를 들어, 입자 및 하나 이상의 전해질을 포함하는 수성 분산액으로서 이용가능하다. 특히, 금속 입자를 사용할 때, 입자가 침강하는 것을 방지하기 위해 입자는 안정제, 특히 중합체 기반의 안정제와 함께 제공될 수 있다.

본 발명에 따라, 제1 층은 금속 표면을 전해질에 담그고 제1 입자가 표면에 증착되는 플라즈마 전해 산화 공정으로 금속 표면을 처리함으로써 도포된다.

플라즈마 전해 산화 공정은 전해욕에서 금속 표면에 플라즈마를 발생시키는 특정 값 이상의 전압을 인가함으로써 달성될 수 있다. 금속 표면은 산화되고, 동시에 입자가 표면 내에 및 표면에 매립된다.

바람직하게는, AC 전압이 사용되며, 특히 비대칭 AC 전압이 사용된다. 이것은 더욱 균일한 층을 유발한다.

플라즈마 전해 산화 공정을 이용하여 도포되는 층은 전형적으로 3 ㎛ 내지 50 ㎛의 두께를 갖는다.

전해욕은 추가의 물질, 특히 콜로이드 성질이 없는 큰 입자를 포함할 수도 있다.

본 발명에 따라, 제2 층이 도포된다. 제2 층은 제1 층 아래 또는 위에 도포될 수 있다.

제2 층은 제1 층의 특성, 특히 이온 방출과 관련하여 제1 층의 특성에 영향을 줄 수 있다. 특히, 제2 층은 이온의 초기 방출을 감소시키기 위해 제1 층 상의 코팅으로서 사용될 수 있다. 예를 들어, 생분해성 층이 사용될 수 있다.

제1 층 아래에 하나의 층이 적용될 수 있는데, 예를 들어, 더욱 높은 표준 전극 전위를 갖는(더욱 귀금속인) 물질을 갖는 층은 이온 방출을 증가시킬 수 있다.

제2 층은 또한 제1 층에 인접하여 도포될 수 있고, 이에 의해 상이한 코팅을 갖는 영역을 포함하는 본체를 제공한다.

또한, 제2 층은 플라즈마 전해 산화 공정에 의해 도포될 수 있고, 특히 콜로이드 분산 입자를 포함하는 전해욕에서 플라즈마 전해 산화 처리 공정을 실행함으로써 도포될 수 있다.

그러나, 제2 층은 다른 코팅 기술에 의해서도 도포될 수 있다. 특히, 제2 층은 양극 산화 처리에 의해 도포될 수 있다.

양극 산화 처리에 의해 제2 층을 도포하는 단계는 플라즈마 전해 산화 공정을 이용하여 제1 층을 도포하기 위해 사용되는 동일한 전해욕에서 실행될 수 있다. 이것은 플라즈마가 발생하는 전압보다 낮은 전압, 특히 직류 전압을 인가함으로써 실행될 수 있다. 전해욕은 양극 산화 처리에 의해 금속층을 형성하는 데 사용되는 이온, 특히 금속 이온을 포함할 수 있다.

또한, 추가의 층이 물리적 또는 화학적 기상 증착 공정에 의해서 도포될 수 있고, 특히 스퍼터링 공정을 사용하여 도포될 수 있다. 이러한 공정을 이용함으로써, 얇고 균질한 층, 예를 들면 금 층(gold layer)을 도포할 수 있다.

그러나, 분무 또는 침지 방법을 사용할 수도 있다. 예를 들어, 분무 또는 침지 방법을 사용하여 중합체 층이 도포될 수 있다. 중합체 층은 예를 들어 제1 층 상에 도포 될 수 있다. 또한, 중합체 층은 생분해성일 수 있다.

본 발명의 일 실시예는 플라즈마 전해 산화 공정에 의해 도포되는 다층 시스템의 적용에 관한 것이다. 각 층에 대해 플라즈마 전해 산화 공정을 이용함으로써 2 개의 상이한 층을 도포하는 것이 가능하다는 것이 밝혀졌다. 이러한 층들은, 예를 들어 상이한 전해욕, 예컨대 상이한 입자 및/또는 상이한 입자 농도를 갖는 욕을 사용함으로써 도포될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따라, 금속 표면은 2 이상의 상이한 금속 또는 금속 합금을 포함하는 본체의 일부이다.

본 발명의 일 실시예에 따라, 중공 구체(hollow sphere)들이 제1 또는 제2 입자로서 제공된다.

상업적으로 이용 가능한 중공 구체는 또한 플라즈마 전해 산화 공정에 사용될 수 있으며, 처리될 본체의 표면 상에 증착될 수 있다.

중공 구체는 약학 물질을 위한 저장소로서의 역할을 할 수 있다. 중공 구체를 포함하는 표면을 갖는 기판은 예를 들어 상기 약학 물질을 포함하고 있는 욕에 침지될 수 있다.

상기 본체는 특히 티타늄, 스테인리스강, 알루미늄, 구리, 아연 및/또는 마그네슘을 포함할 수 있다.

특히, 본체는 생분해성인 영역을 포함할 수 있다.

본 발명은 본체, 특히 은 입자를 포함하는 제1 층 및 인산 칼슘, 특히 하이드록시 아파타이트를 포함하는 제2 층을 포함하는 의료 장치, 예를 들어 임플란트에 관한 것이다.

제2 층은 또한 생분해성 물질로서 마그네슘을 포함할 수 있다.

또한, 본체는 은 이온의 방출을 증가시키기 위해 은 입자를 포함하는 제1 층 아래에 도포되는 더욱 귀한 물질을 포함하는 층을 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따라, 본체는 은 입자를 갖는 2 개의 층을 포함하며, 은 입자를 갖는 층들 사이에 추가의 층이 배치된다.

예를 들어, 최상층은 은 입자를 포함할 수 있고, 예를 들어 마그네슘을 또한 포함하는 것에 의해 생분해성 층으로 구현될 수 있다.

이 층은 분해되며 은 이온을 방출한다.

다음에, 인산 칼슘, 특히 하이드록시 아파타이트 및 플라즈마 전해 산화 공정에 의해 또한 적용될 수 있고 천천히 분해되는 마그네슘을 포함하는 층이 뒤따르고, 이에 의해 인산 칼슘을 포함하는 층 아래에 배치되는 은 입자를 포함하는 추가의 층을 보호한다.

본 발명은 또한 금속 표면을 처리, 특히 전술한 바와 같은 금속 표면을 처리하는 방법에 관한 것이다.

이러한 본 발명의 실시예에 따라, 콜로이드 분산계가 제공되며, 콜로이드 분산계는 제1 입자를 포함하며 제1 층은 플라즈마 전해 산화 공정으로 금속 표면을 처리함으로써 도포되고, 이에 의해 입자를 표면에 증착한다. 그 다음, 제2 층은 플라즈마 전해 산화 공정으로 금속 표면을 처리함으로써 도포되고, 이에 의해 제2 입자를 표면에 증착하다.

본 발명에 따라, 상기 제1 층에서의 입자 농도는 상기 제2 층에서의 입자 농도와 상이하다.

예를 들어, 상이한 입자 농도(예컨대, 은 입자)를 갖는 두 개의 상이한 전해욕이 사용된다. 더욱 높은 입자 농도를 갖는 최상층은 예를 들어 임플란트의 삽입 후 초기 단계에서 은 이온의 높은 방출을 초래한다. 다음에, 뒤따르는 제2 층은 은 입자의 농도가 낮다.

본 발명의 추가의 실시 양태는 금속 표면을 처리하는 방법, 특히 전술한 바와 같은 방법에 관한 것이다.

이 방법은 또한 플라즈마 전해 산화 방법에 관한 것인데, 콜로이드 분산계는 제1 입자를 포함하고 상기 제1 입자가 표면상에 증착된다.

본 발명에 따라, 은 입자가 상기 제1 입자로서 제공되고 또한 생분해성 물질이 금속 표면 상에 도포된다.

특히, 생분해성 물질은 은 입자를 포함하는 층이 또한 생분해성 물질을 포함하도록 도포된다.

예를 들어, 마그네슘이 생분해성 물질로 사용될 수 있다.

예를 들어, 마그네슘 원소의 층은 예를 들어, 스퍼터링 또는 전자빔 증착에 의해 증착될 수 있다.

다음에, 마그네슘 층을 포함하는 본체는 플라즈마 전해 산화 처리되고, 이에 의해 산화 마그네슘 및 은 입자를 포함하는 층을 형성한다.

인산 칼슘 입자, 예를 들어, 하이드록시 아파타이트 입자를 또한 증착시킬 수 있다.

상기 층은 또한 추가의 금속 산화물, 예를 들어 처리되는 본체의 금속을 산화시키는 것에 의해 발생하는 산화물, 예를 들어 산화 티타늄을 포함할 수 있다.

일 실시예에서, 산화 마그네슘, 은 입자 및 추가의 금속 산화물을 포함하는 층이 도포된다. 상기 성분들의 양을 조절함으로써, 은 이온의 제어 방출을 달성하는 것이 가능하다.

본 발명의 다른 양태에 따라, 제1 금속의 제1 입자 및 제1 금속과 상이한 제2 금속의 제2 입자를 포함하는 콜로이드 분산계를 사용하여 금속 표면을 처리한다.

표면은 플라즈마 전해 산화를 이용하여 처리되며, 여기서 제1 및 제2 입자들이 금속 표면 상에 증착된다.

바람직하게는 제1 입자는 방출되어야 하는 금속, 특히 은을 포함한다.

상이한 금속의 제2 입자를 포함하는 표면을 생성시킴으로써, 이온, 특히 은 이온의 제어된 방출을 달성하는 것이 가능하다. 제2 금속으로서 바람직하게는 더욱 귀한 금속, 특히 금이 사용된다.

제1 금속 대 제2 금속의 비율(중량 %)은 바람직하게는 1 내지 10 및 10 내지 1 사이의 범위이다. 금속 입자로서, 바람직하게는 나노 입자, 특히 평균 입자 크기가 200 nm 미만, 바람직하게는 50 nm 미만의 입자를 사용한다.

본 발명의 모든 실시예에 대한 금속 입자들은 금속 입자 및 안정제를 포함하는 분산액으로서 전해욕에 첨가될 수 있다

바람직하게는 금속 입자를 포함하는 수성 현탁액이 사용된다.

안정제로서, 비이온성 계면 활성제, 특히 폴리옥시 에틸렌-모노-알킬 산 에스테르, 폴리옥시 프로필렌-모노-알킬 산 에스테르, 폴리옥시 에틸렌-디-알킬-산 에스테르, 폴리옥시 프로필렌-디-알킬 산 에스테르, 폴리옥시 에틸렌-트리-알킬 산 에스테르 및 폴리옥시 프로필렌-트리-알킬 산 에스테르로 이루어진 그룹에서 선택된 비이온성 계면 활성제가 사용된다. 안정제는 금속 입자가 침강하는 것을 방지한다.

본 발명의 대상은 도 1 내지 도 8에 도시된 바와 같은 예시적인 실시예를 참조하여 더 상세하게 이제 설명될 것이다.

도 1 내지 도 8은 본 발명에 따른 본체의 처리된 금속 표면의 다양한 실시예를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명에 따른 다층 시스템을 기판에 적용하는 실시예를 개략적으로 도시한 도면이다.

도 1은 금속 표면을 포함하는 기판(1)의 개략적인 단면도를 도시한다.

기판은 특히 의료 장치, 예를 들어 인간 또는 동물의 신체에 삽입되어야 하는 임플란트로서 실시된다.

그러나, 본 발명은 인간 또는 동물과 접촉하게 되는 다른 금속 표면을 위해서도 사용될 수 있다.

기판(1)에 은 입자 및 산화 티타늄을 포함하는 제1 층(2)이 도포된다.

제1 층(2)은 플라즈마 전해 산화 공정에 의해 도포되어, 기판(1)의 티타늄 표면을 산화 티타늄으로 전환시키는 동시에 은 입자를 매립한다.

제1 층(2) 위에, 하이드록시 아파타이트를 포함하는 제2 층(3)이 도포된다. 이 층은 플라즈마 전해 산화 공정을 이용하여 도포할 수도 있다. 예를 들어, 콜로이드 분산된 하이드록시 아파타이트 및 아파타이트 분말을 또한 포함하는 전해욕이 사용될 수 있다. 아파타이트 분말은 바람직하게는 응집된 나노 입자로 구성된다.

상기 하이드록시 아파타이트 층 위에는 산화 마그네슘 및 은을 포함하는 추가의 층이 도포된다.

이 층은 플라즈마 전해 산화에 의해 또한 적용될 수 있다. 제1 단계로서, 예를 들어 스퍼터링 공정을 이용하여 마그네슘 층이 도포될 수 있다. 그 후, 마그네슘 표면은 플라즈마 전해 산화 처리에 의해 침지되는데, 산화가 실행되는 욕은 상기 욕 중에 분산되어 있는 콜로이드 은 입자를 포함한다.

마그네슘 함유 층(4)은 예를 들어 임플란트의 삽입 후에 분해된다.

기판이 임플란트로서 사용되는 경우, 하이드록시 아파타이트 함유 층(3)은 더욱 양호한 내성장(ingrowth)을 달성한다.

산화 티타늄 및 은 함유 층(2)은 장기간 동안 살균 특성을 갖는 표면을 생성한다.

도 2는 기판(1)이 단일 층만을 포함하는 실시예를 도시한다.

단일 층(5)은 산화 마그네슘, 은 및 추가의 금속 산화물을 포함하는데, 이 경우에 추가의 산화물은 산화 티타늄이다.

이러한 층은 기판(1)에 얇은 마그네슘 층을 증착함으로써 생성될 수 있다.

그 다음, 플라즈마 전해 산화 공정이 수행되어 마그네슘 층을 산화 마그네슘으로 변환시킨다. 또한, 기판(1)의 금속 표면은 적어도 부분적으로 금속 산화물, 이 경우에 산화 티타늄으로 변환된다.

산화 티타늄과 산화 마그네슘의 비율은 증착된 마그네슘 층의 두께를 변화시킴으로써 조절될 수 있다.

도 3은 층(6)이 기판에 도포되는 다른 실시예를 도시한다.

이 실시예는 도 2에 대응하는데, 이 층은 하이드록시 아파타이트를 또한 포함한다는 차이가 있다.

이 실시예에서, 플라즈마 전해 산화 공정을 위한 전해욕은 바람직하게는 콜로이드 분산된 입자 형태의 하이드록시 아파타이트 및 평균 입자 크기가 10㎛ 내지 100 ㎛인 추가적인 하이드록시 아파타이트 분말을 포함한다.

도 4는 기판에 은 입자를 포함하는 제1 층(7)이 도포되는 다른 실시예를 도시한다.

그 다음, 산화 마그네슘을 포함하는 층(8 및 9)이 도포된다. 층(9)은 층(8)과 상이한 은 입자의 농도를 갖는다. 층(8 및 9)은 분해될 것이다. 산화 마그네슘 및 은 입자의 양을 변화시킴으로써, 생체 내에서 1 주일 이상의 장기간에 걸쳐서도, 은 이온의 제어된 방출을 하는 것이 가능하다.

도 5는 본 발명의 다른 실시예를 도시한다.

기판(1) 상에, 제1 층으로서, 금 층(10)이 도포된다. 금 층은 예를 들어 스퍼터링 될 수 있다. 층은 매우 얇을 수 있다.

이 층 위에 산화 마그네슘 및 은 입자 함유 층이 도포된다. 또한, 이 층은 먼저 마그네슘 층을 증착하고, 추가의 단계에서 플라즈마 전해 산화 공정을 수행함으로써 성취된다.

금의 전위가 더 높기 때문에, 층(11)의 은 이온 방출은 증가한다.

도 6은 기판(1)이 층(12, 13 및 14)을 포함하는 본 발명의 다른 실시예를 도시한다.

층(12, 13 및 14)은 상이한 영역에 입자(15), 예를 들어 은 입자를 포함한다.

도 7은 기판(1)이 산화 마그네슘 및 은 입자로 구성된 층(11)을 포함하는 다른 실시예를 도시한다.

이 층은 분해되어, 은 이온을 장기간 방출한다.

도 8a 및 도 8b를 참조하여, 본 발명의 다른 실시예가 설명될 것이다.

도 8a에 도시된 제1 단계로서, 은 입자를 포함하는 산화 티타늄 층(21)이 티타늄 임플란트에 제공된다. 이 층의 두께는 20 ~ 100 ㎛이며 플라즈마 전해 산화 공정을 이용하여 도포된다.

다음에, 도 8b에 도시된 다음 단계로서, 하이드록시 아파타이트 입자를 포함하는 전해욕을 사용하여 플라즈마 전해 산화 공정에 의해 층(21)의 표면을 변환시킴으로써, 하이드록시 아파타이트를 또한 포함하는 더욱 얇은 층(22)을 형성한다.

도 9는 기판(1)이 어떻게 다층 시스템으로 코팅될 수 있는지를 개략적으로 보여준다. 기판(1)은 로봇(16)에 의해 상이한 전해욕(17 내지 20)에 침지될 수 있다.

예를 들어, 제1 욕(17)은 제1 농도의 은 입자를 포함할 수 있다.

제2 욕(18)은 예를 들어 상이한 농도의 은 입자를 포함할 수 있다.

그 후, 기판(1)은 제3 욕(19)에 침지될 수 있고 또한 플라즈마 전해 산화 공정이 실행되며, 하이드록시 아파타이트 입자가 욕에 삽입된다. 다음 코팅으로서, 기판(1)을 중합체 욕(20)에 담그는 것이 가능할 수 있다.

플라즈마 전해 산화 공정을 추가의 층, 특히 생분해성 물질을 도포하는 것과 조합함으로써, 살균성 층 또는 층 시스템의 특별한 기능적 성질을 달성할 수 있으며, 특히 은 이온의 제어된 방출을 달성할 수 있다.

Claims (20)

1. 금속 표면, 특히 의료 장치의 표면을 처리하는 방법에 있어서,
   - 제1 입자를 포함하는 콜로이드 분산계를 제공하는 단계;
   - 플라즈마 전해 산화에 의해 제1 층을 도포하는 단계로서, 표면에 제1 입자들이 증착되는 단계;
   - 제2 층을 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 표면 처리 방법.
2. 제1항에 있어서,
   제2 층은 제2 입자를 포함하는 콜로이드 분산계를 제공하고 플라즈마 전해 산화에 의해 표면을 변환시킴으로써 도포되고, 제2 입자들이 증착되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 처리 방법.
3. 제1항에 있어서,
   제2 층은 양극 산화, 물리적 또는 화학적 기상 증착, 분무 또는 침지에 의해 도포되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 처리 방법.
4. 선행항들 중 한 항에 있어서,
   플라즈마 전해 산화에 의해 다층 시스템이 도포되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 처리 방법.
5. 선행항들 중 한 항에 있어서,
   상기 제1 입자를 포함하는 제1 층은 금속 표면의 제1 영역 상에 도포되고,
   제2 입자를 포함하는 제2 층은 금속 표면의 제2 영역 상에 도포되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 처리 방법.
6. 선행항들 중 한 항에 있어서,
   은 입자가 제1 입자 또는 제2 입자로서 제공되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 처리 방법.
7. 선행항들 중 한 항에 있어서,
   상이한 입자 농도를 갖는 2개 이상의 층이 도포되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 처리 방법.
8. 선행항들 중 한 항에 있어서,
   점차 증가하거나 감소하는 입자 농도를 갖는 하나 이상의 층이 도포되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 처리 방법.
9. 선행항들 중 한 항에 있어서,
   인산 칼슘 입자, 특히 하이드록시 아파타이트 입자가 제1 입자 또는 제2 입자로서 제공되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 처리 방법.
10. 선행항들 중 한 항에 있어서,
    상기 제1 층 또는 상기 제2 층은 생분해성 물질, 특히 마그네슘을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 표면 처리 방법.
11. 선행항들 중 한 항에 있어서,
    중공 구체가 제1 입자 또는 제2 입자로서 제공되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 처리 방법.
12. 선행항들 중 한 항에 있어서,
    금속 표면은 적어도 2개의 상이한 금속 또는 합금, 특히 티타늄, 스테인리스강, 및/또는 마그네슘을 포함하는 본체의 일부인 것을 특징으로 하는 금속 표면 처리 방법.
13. 선행항들 중 한 항에 따른 방법으로 처리된 금속 표면을 포함하는 본체, 특히 임플란트.
14. 선행항에 있어서,
    은 입자를 갖는 제1 층 및 적어도 제2 층에, 특히 인산 칼슘 및/또는 마그네슘 함유층 및/또는 은보다 귀한 물질을 포함하는 층을 구비한 것을 특징으로 하는 본체.
15. 선행항들 중 한 항에 있어서,
    은 입자를 갖는 2개 이상의 층을 포함하며, 추가의 층, 특히 은 입자를 갖는 층들 사이에 배치되는 인산 칼슘 입자를 포함하는 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 본체.
16. 금속 표면 처리 방법, 특히 선행항들 중 한 항에 따른 금속 표면 처리 방법으로서,
    - 제1 입자를 포함하는 콜로이드 분산계를 제공하는 단계;
    - 플라즈마 전해 산화에 의해 금속 표면을 변환시킴으로써 제1 층을 도포하는 단계로서, 표면에 제1 입자들이 증착되는 단계;
    - 제2 입자를 포함하는 콜로이드 분산계를 제공하는 단계;
    - 플라즈마 전해 산화에 의해 제2 층을 도포하는 단계로서, 표면에 제2 입자들이 증착되는 단계를 포함하며,
    상기 제1 층에서의 입자 농도는 상기 제2 층의 입자 농도와 상이한 것을 특징으로 하는 금속 표면 처리 방법.
17. 금속 표면 처리 방법, 특히 선행항들 중 한 항에 따른 금속 표면 처리 방법으로서,
    - 제1 입자를 포함하는 콜로이드 분산계를 제공하는 단계;
    - 플라즈마 전해 산화에 의해 생분해성 층을 도포하는 단계로서, 표면에 제1 입자들이 증착되는 단계를 포함하며,
    은 입자가 상기 제1 입자로서 제공되고 또한 생분해성 물질이 상기 금속 표면 상에 도포되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 처리 방법.
18. 금속 표면 처리 방법, 특히 선행항들 중 한 항에 따른 금속 표면 처리 방법으로서,
    - 제1 금속의 제1 입자 및 상기 상이한 제2 금속의 제2 입자를 포함하는 콜로이드 분산계를 제공하는 단계;
    - 플라즈마 전해 산화로 금속 표면을 변환하는 단계를 포함하며, 상기 금속 표면에 상기 제1 금속 입자 및 상기 제2 금속 입자들이 증착되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 처리 방법.
19. 선행항들에 따른 금속 표면 처리 방법에 있어서,
    상기 제1 금속 입자 및/또는 상기 제2 금속 입자는 평균 입자 크기가 200 nm 미만, 바람직하게는 50 nm 미만인 것을 특징으로 하는 금속 표면 처리 방법.
20. 두 개의 선행항들 중 한 항에 있어서,
    상기 제1 금속은 은이고 상기 제2 금속은 은보다 귀금속, 특히 금인 것을 특징으로 하는 금속 표면 처리 방법.

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