KR20180053055A - Diagnosis method for breakdown of battery management systme - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a method for diagnosing failures of a battery management system. The method for diagnosing failures of a battery management system according to one embodiment of the present invention, wherein a method for diagnosing failures of a battery management system comprising a plurality of sensing ICs, which are connected to each of a plurality of battery modules to sense voltages of a battery cell contained in each of the plurality of battery modules and connected in a daisy-chain structure, and MICOMs, which are connected to a bottom sensing IC and a top sensing IC among the plurality of sensing ICs, and receive sensing results of the plurality of sensing ICs in a bottom communication mode and a top communication mode, comprises: a first failure diagnosing step which receives all sensing results of each of the plurality of sensing ICs and diagnoses whether the plurality of sensing ICs are broken or not; a second failure diagnosing step which receives individually a sensing result of each of the plurality of sensing ICs through any one of the bottom communication mode and the top communication mode, and diagnoses a broken sensing IC among the plurality of sensing ICs; a third failure diagnosing step which receives individually a sensing result of each of the plurality of sensing ICs through a communication mode different from the communication mode in the second input step, and diagnoses a broken sensing IC among the plurality of sensing ICs; and a failure location diagnosing step which compares the sensing IC diagnosed as failure in the second failure diagnosing step with the sensing IC diagnosed as failure in the third failure diagnosing step and diagnoses a location of a broken sensing IC among the plurality of sensing ICs.

Description

배터리 관리 시스템의 고장 진단 방법{DIAGNOSIS METHOD FOR BREAKDOWN OF BATTERY MANAGEMENT SYSTME}{DIAGNOSIS METHOD FOR BREAKDOWN OF BATTERY MANAGEMENT SYSTME}

본 발명의 배터리 관리 시스템의 고장 진단 방법에 대한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 하이브리드 자동차, 플러그인 하이브리드 자동차 및 전기 자동차에서 사용되는 고전압 배터리의 전압을 센싱하는 센싱 IC의 고장 여부를 진단하는 방법에 대한 것이다.The present invention relates to a fault diagnosis method for a battery management system. Specifically, the present invention relates to a method of diagnosing whether or not a sensing IC for sensing a voltage of a high voltage battery used in a hybrid vehicle, a plug-in hybrid vehicle, and an electric vehicle is faulty.

최근 고전압의 배터리를 사용하는 산업기기, 가정기기 및 자동차 등 다양한 장치가 등장하고 있으며 특히 자동차 기술분야에서는 고전압 배터리 사용이 더욱 활발해지고 있다.In recent years, various devices such as industrial devices, home appliances and automobiles using high-voltage batteries have appeared, and especially in the field of automobile technology, the use of high-voltage batteries is becoming more active.

가솔린이나 중유 등의 화석연료를 주연료로 사용하는 내연 엔진을 이용하는 자동차는 대기오염 등 공해발생에 심각한 영향을 주고 있다. 따라서 최근에는 공해발생을 줄이기 위하여, 전기자동차 또는 하이브리드(Hybrid) 자동차의 개발에 많은 노력을 기울이고 있다.Automobiles that use internal combustion engines that use fossil fuels such as gasoline or heavy oil as the main fuel have a serious impact on pollution such as air pollution. Therefore, in recent years, efforts have been made to develop an electric vehicle or a hybrid vehicle in order to reduce pollution.

전기자동차(EV; Electric Vehicle)는 석유 연료와 엔진을 사용하지 않고, 전기 배터리와 전기 모터를 사용하는 자동차를 말한다. 즉, 배터리에 축적된 전기로 모터를 회전시켜서 자동차를 구동시키는 전기자동차는 가솔린 자동차보다 먼저 개발되었으나, 배터리의 무거운 중량 및 충전에 걸리는 시간 등의 문제 때문에 실용화되지 못하다가 최근 에너지 및 환경 문제가 심각해지면서 1990년대부터 실용화를 위한 연구가 시작되었다.Electric vehicles (EVs) are cars that do not use petroleum fuels and engines but that use electric batteries and electric motors. In other words, although an electric vehicle that drives a car by rotating an electric motor that is stored in a battery has been developed before a gasoline car, it has not been put into practical use due to problems such as a heavy weight of a battery and a time required for charging. Recently, And research for commercialization began in the 1990s.

한편, 최근 배터리 기술이 비약적으로 발전하면서 전기자동차 및 화석연료와 전기에너지를 적응적으로 사용하는 하이브리드 자동차(HEV)가 상용화되고 있다.On the other hand, hybrid technology (HEV) that uses electric vehicles, fossil fuels and electric energy adaptively is being commercialized as battery technology has been developed remarkably.

HEV는 가솔린과 전기를 함께 동력원으로 사용하기 때문에 연비 개선 및 배기가스 저감 측면에서 긍정적인 평가를 받고 있다. 이러한 HEV도 가솔린 자동차와의 가격 차이를 어떻게 극복하느냐가 관건으로서, 2차 전지 탑재량을 전기자동차의 1/3수준까지 낮출 수 있어 완전한 전기 자동차로 진화하는 중간 역할을 할 것으로 기대되고 있다.Since HEV uses both gasoline and electricity as power sources, it is receiving positive reviews in terms of fuel efficiency improvement and emission reduction. It is expected that HEV will play an intermediate role in evolving into a full electric vehicle because it is important to overcome the price difference with gasoline automobile by reducing the amount of secondary battery to one third of that of electric cars.

이러한 전기 에너지를 이용하는 HEV 및 EV 자동차는 충방전이 가능한 다수의 2차 전지(cell)가 하나의 팩(pack)으로 형성된 배터리를 주동력원으로 이용하기 때문에 배기가스가 전혀 없으며 소음이 아주 작은 장점이 있다.Since HEV and EV vehicles using such electric energy use a battery in which a plurality of rechargeable secondary cells are packed as a main power source, there is no exhaust gas and noise is small. have.

이와 같이 전기 에너지를 이용하는 자동차는 배터리의 성능이 자동차의 성능에 직접적인 영향을 미치므로, 각 전지 셀의 전압을 측정하고, 각 전지 셀의 충방전을 효율적으로 관리하는 배터리 관리 시스템(Battery Management System, BMS)이 요구된다.Since the performance of the battery directly affects the performance of the vehicle, the battery management system (Battery Management System) that measures the voltage of each battery cell and efficiently controls the charging / discharging of each battery cell, BMS) is required.

이때, 각 전지 셀의 전압은 센싱 IC를 통해 측정된다. 구체적으로, 차량에는 복수의 배터리 셀을 포함하는 배터리 모듈이 복수개로 구비되고, 각 배터리 모듈마다 센싱 IC가 연결되어 각 모듈에 포함된 배터리 셀의 전압을 측정한다. 이때, 복수의 센싱 IC는 일반적으로 직렬 구조로 연결되어 마이컴과 단방향 통신을 수행하므로, 복수의 센싱 IC 중 중간에 연결된 센싱 IC가 고장난 경우, 인접한 센싱 IC는 정상인지 고장인지 진단할 방법에 없는 문제점이 있다.At this time, the voltage of each battery cell is measured through a sensing IC. Specifically, the vehicle is provided with a plurality of battery modules including a plurality of battery cells, and a sensing IC is connected to each battery module to measure a voltage of the battery cell included in each module. In this case, since a plurality of sensing ICs are generally connected in a serial structure to perform unidirectional communication with the microcomputer, when a sensing IC connected to the middle of a plurality of sensing ICs fails, the adjacent sensing IC is not a method for diagnosing whether it is normal or faulty .

본 발명은 복수의 센싱 IC 중 고장난 센싱 IC를 정확하게 진단하는 데 목적이 있다.An object of the present invention is to accurately diagnose a faulty sensing IC among a plurality of sensing ICs.

본 발명의 일 실시예에 따른 배터리 관리 시스템의 고장 진단 방법은 복수의 배터리 모듈 각각에 연결되어 상기 복수의 배터리 모듈 각각에 포함된 배터리 셀의 전압을 센싱하며, 데이지 체인(daisy-chain) 구조로 연결된 복수의 센싱 IC 및 상기 복수의 센싱 IC 중 최하위 센싱 IC와 최상위 센싱 IC에 각각 연결되며, 상기 복수의 센싱 IC에서의 센싱 결과를 bottom 통신 모드 및 top 통신 모드로 입력받는 마이컴을 포함하는 배터리 관리 시스템의 고장 진단 방법에 있어서, 상기 복수의 센싱 IC 각각에서의 센싱 결과를 전부 입력받아 상기 복수의 센싱 IC의 고장 여부를 진단하는 제1 고장 진단 단계; 상기 복수의 센싱 IC 각각에서의 센싱 결과를 상기 bottom 통신 모드 또는 상기 top 통신 모드 중 어느 하나의 통신 모드로 개별적으로 입력받아 상기 복수의 센싱 IC 중 고장난 센싱 IC를 진단하는 제2 고장 진단 단계; 상기 복수의 센싱 IC 각각에서의 센싱 결과를 상기 제2 입력 단계에서의 통신 모드와 다른 통신 모드로 개별적으로 입력받아 상기 복수의 센싱 IC 중 고장난 센싱 IC를 진단하는 제3 고장 진단 단계; 및 상기 제2 고장 진단 단계에서 고장으로 진단한 센싱 IC와 상기 제3 고장 진단 단계에서 고장으로 진단한 센싱 IC를 비교하여 상기 복수의 센싱 IC 중 고장난 센싱 IC의 위치를 진단하는 고장 위치 진단 단계를 포함한다.A fault diagnosis method of a battery management system according to an embodiment of the present invention includes sensing a voltage of a battery cell included in each of the plurality of battery modules by being connected to each of a plurality of battery modules and performing a daisy- And a microcomputer connected to the lowermost sensing IC and the highest sensing IC among the plurality of sensing ICs and receiving a sensing result from the plurality of sensing ICs in a bottom communication mode and a top communication mode, A method for diagnosing faults in a system, the fault diagnosis method comprising: a first fault diagnosis step of receiving a sensing result of each of the plurality of sensing ICs and diagnosing whether the plurality of sensing ICs are faulty; A second failure diagnosis step of individually receiving the sensing result of each of the plurality of sensing ICs in the communication mode of either the bottom communication mode or the top communication mode and diagnosing the failed sensing IC among the plurality of sensing ICs; A third fault diagnosis step of individually receiving the sensing result of each of the plurality of sensing ICs in a communication mode different from the communication mode of the second input step and diagnosing a faulty sensing IC among the plurality of sensing ICs; And a failure location diagnosis step of comparing a sensing IC diagnosed as a failure in the second failure diagnosis step with a sensing IC diagnosed as a failure in the third failure diagnosis step and diagnosing the position of the failed sensing IC among the plurality of sensing ICs .

일 실시예에 있어서, 상기 제1 고장 진단 단계는 상기 bottom 통신 모드 또는 상기 top 통신 모드 중 어느 하나의 통신 모드로 상기 복수의 센싱 IC 각각에서의 센싱 결과를 전부 입력받아 상기 복수의 센싱 IC의 고장 여부를 진단하는 제1-1 고장 진단 단계; 및 상기 제1-1 고장 진단 단계에서의 통신 모드와 다른 통신 모드로 상기 복수의 센싱 IC 각각에서의 센싱 결과를 전부 입력받아 상기 복수의 센싱 IC의 고장 여부를 진단하는 제1-2 고장 진단 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the first failure diagnosis step may include receiving all the sensing results of the plurality of sensing ICs in any one of the bottom communication mode and the top communication mode, A 1-1 fault diagnosis step for diagnosing whether or not the fault is detected; And a first-second failure diagnosis step of receiving all sensing results of the plurality of sensing ICs in a communication mode different from the communication mode in the first-first failure diagnosis step and diagnosing whether the plurality of sensing ICs are faulty And a control unit.

일 실시예에 있어서, 상기 제1-1 고장 진단 단계에서 진단 결과 상기 복수의 센싱 IC가 정상인 경우, 상기 제1-2 고장 진단 단계를 통해 상기 복수의 센싱 IC의 고장 여부를 진단하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, when the plurality of sensing ICs are normal as a result of the diagnosis in the first-first failure diagnosis step, the plurality of sensing ICs are diagnosed as failures through the first-second failure diagnosis step do.

일 실시예에 있어서, 상기 제1-1 고장 진단 단계에서 진단 결과 상기 복수의 센싱 IC가 고장인 경우, 상기 제1-2 고장 진단 단계를 통해 상기 복수의 센싱 IC의 고장 여부를 진단하지 않는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, when the plurality of sensing ICs are failed as a result of the diagnosis in the first-first failure diagnosis step, the failure diagnosis of the plurality of sensing ICs through the first- .

일 실시예에 있어서, 상기 제1-1 고장 진단 단계에서 상기 bottom 통신 모드로 상기 복수의 센싱 IC 각각에서의 센싱 결과를 전부 입력받아 상기 복수의 센싱 IC의 고장 여부를 진단한 경우, 상기 제1-2 고장 진단 단계는 상기 top 통신 모드로 상기 복수의 센싱 IC 각각에서의 센싱 결과를 전부 입력받아 상기 복수의 센싱 IC의 고장 여부를 진단하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, if the sensing results of the plurality of sensing ICs are all received in the bottom communication mode in the first-first failure diagnosis step and the diagnosis of the failure of the plurality of sensing ICs is made, And the second failure diagnosis step includes a step of receiving all the sensing results of the plurality of sensing ICs in the top communication mode to diagnose the failure of the plurality of sensing ICs.

일 실시예에 있어서, 상기 제1-1 고장 진단 단계에서 상기 top 통신 모드로 상기 복수의 센싱 IC 각각에서의 센싱 결과를 전부 입력받아 상기 복수의 센싱 IC의 고장 여부를 진단한 경우, 상기 제1-2 고장 진단 단계는 상기 bottom 통신 모드로 상기 복수의 센싱 IC 각각에서의 센싱 결과를 전부 입력받아 상기 복수의 센싱 IC의 고장 여부를 진단하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, if the sensing result of each of the plurality of sensing ICs is all received in the top communication mode in the first-first failure diagnosis step and the diagnosis of the failure of the plurality of sensing ICs is made, And the second failure diagnosis step is performed to diagnose the failure of the plurality of sensing ICs by receiving all the sensing results of the plurality of sensing ICs in the bottom communication mode.

일 실시예에 있어서, 상기 제2 고장 진단 단계에서 상기 bottom 통신 모드로 상기 복수의 센싱 IC 각각에서의 센싱 결과를 개별적으로 입력받아 상기 복수의 센싱 IC 중 고장난 센싱 IC를 진단한 경우, 상기 제3 고장 진단 단계는 상기 top 통신 모드로 상기 복수의 센싱 IC 각각에서의 센싱 결과를 개별적으로 입력받아 상기 복수의 센싱 IC 중 고장난 센싱 IC를 진단하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, when the sensing result of each of the plurality of sensing ICs is individually received in the bottom communication mode in the second failure diagnosis step and the sensing IC of the plurality of sensing ICs is diagnosed, The fault diagnosis step may include receiving the sensing results of the plurality of sensing ICs individually in the top communication mode, and diagnosing the failed sensing IC among the plurality of sensing ICs.

일 실시예에 있어서, 상기 제2 고장 진단 단계에서 상기 top 통신 모드로 상기 복수의 센싱 IC 각각에서의 센싱 결과를 개별적으로 입력받아 상기 복수의 센싱 IC 중 고장난 센싱 IC를 진단한 경우, 상기 제3 고장 진단 단계는 상기 bottom 통신 모드로 상기 복수의 센싱 IC 각각에서의 센싱 결과를 개별적으로 입력받아 상기 복수의 센싱 IC 중 고장난 센싱 IC를 진단하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, in the second failure diagnosis step, when the sensing result of each of the plurality of sensing ICs in the top communication mode is separately received and the sensing IC of the plurality of sensing ICs is diagnosed, The fault diagnosis step is performed by individually receiving the sensing results of the plurality of sensing ICs in the bottom communication mode to diagnose a faulty sensing IC among the plurality of sensing ICs.

일 실시예에 있어서, 상기 고장 위치 진단 단계는 상기 제2 고장 진단 단계에서 고장으로 진단한 센싱 IC와 상기 제3 고장 진단 단계에서 고장으로 진단한 센싱 IC가 동일한 경우, 상기 제2 고장 진단 단계 및 상기 제3 고장 진단 단계에서 고장으로 진단한 센싱 IC만 고장난 것으로 진단하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, when the sensing IC diagnosed as a failure in the second failure diagnosis step and the sensing IC diagnosed as a failure in the third failure diagnosis step are the same, the diagnosis of the failure location may include: Only the sensing IC diagnosed as the failure in the third failure diagnosis step is diagnosed as having failed.

일 실시예에 있어서, 상기 고장 위치 진단 단계는 상기 제2 고장 진단 단계에서 고장으로 진단한 센싱 IC와 상기 제3 고장 진단 단계에서 고장으로 진단한 센싱 IC가 다른 경우, 상기 제2 고장 진단 단계에서 고장으로 진단한 센싱 IC와 상기 제3 고장 진단 단계에서 고장으로 진단한 센싱 IC를 연결하는 센싱 IC가 모두 고장난 것으로 진단하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, when the sensing IC diagnosed as a failure in the second failure diagnosis step and the sensing IC diagnosed as a failure in the third failure diagnosis step are different from each other, It is characterized in that all of the sensing ICs connecting the sensing IC diagnosed with the failure and the sensing IC diagnosed as the failure in the third failure diagnosis stage are diagnosed as having failed.

본 발명은 복수의 센싱 IC와 마이컴이 bottom 통신 모드 및 top 통신 모드를 모두 사용하여 양방향 통신을 수행한다.In the present invention, a plurality of sensing ICs and a microcomputer perform bidirectional communication using both a bottom communication mode and a top communication mode.

이에 따라, 복수의 센싱 IC 중 고장난 센싱 IC를 정확하게 진단하는 효과가 있다.Thereby, there is an effect of accurately diagnosing a faulty sensing IC among a plurality of sensing ICs.

또한, 복수의 센싱 IC간 전력 소모가 동일해져, 복수의 센싱 IC와 연결된 배터리 모듈간 전압 편차가 감소하는 효과도 있다.Further, the power consumption between the plurality of sensing ICs becomes the same, and the voltage deviation between the plurality of sensing ICs and the battery module connected thereto is also reduced.

도 1은 배터리 관리 시스템의 구성도이다.
도 2는 배터리 관리 시스템에 포함된 센싱 IC의 통신량을 나타내는 설명도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리 관리 시스템의 고장 진단 방법을 순차적으로 도시한 흐름도이다.1 is a block diagram of a battery management system.
2 is an explanatory view showing a communication amount of the sensing IC included in the battery management system.
3 is a flowchart sequentially illustrating a failure diagnosis method of the battery management system according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

실시 예를 설명함에 있어서 본 발명이 속하는 기술 분야에 익히 알려져 있고 본 발명과 직접적으로 관련이 없는 기술 내용에 대해서는 설명을 생략한다. 이는 불필요한 설명을 생략함으로써 본 발명의 요지를 흐리지 않고 더욱 명확히 전달하기 위함이다.In the following description of the embodiments of the present invention, descriptions of techniques which are well known in the technical field of the present invention and are not directly related to the present invention will be omitted. This is for the sake of clarity of the present invention without omitting the unnecessary explanation.

마찬가지 이유로 첨부 도면에 있어서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 개략적으로 도시되었다. 또한, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것이 아니다. 각 도면에서 동일한 또는 대응하는 구성요소에는 동일한 참조 번호를 부여하였다.For the same reason, some of the components in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically illustrated. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size. In the drawings, the same or corresponding components are denoted by the same reference numerals.

이하, 도 1 내지 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리 관리 시스템의 고장 진단 방법이 적용된 배터리 관리 시스템에 대해 설명한다.Hereinafter, a battery management system to which a failure diagnosis method of a battery management system according to an embodiment of the present invention is applied will be described with reference to FIG. 1 and FIG.

도 1은 배터리 관리 시스템의 구성도이다.1 is a block diagram of a battery management system.

도 1을 참조하면, 배터리 관리 시스템(100)은 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40) 및 마이컴(50)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a battery management system 100 includes a plurality of sensing ICs 10, 20, 30, and 40 and a microcomputer 50.

복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40)는 복수의 배터리 모듈(미도시) 각각에 연결되어 상기 복수의 배터리 모듈 각각에 포함된 배터리 셀의 전압을 센싱한다. 이때, 도 1에서는 센싱 IC의 개수를 4개로 표현했으나, 센싱 IC의 개수는 이보다 많거나 적을 수 있다. 또한, 센싱 IC의 개수는 배터리 모듈의 개수에 따라 달라질 수 있다. 즉, 센싱 IC의 개수는 배터리 모듈의 개수와 동일하게 구비된다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위해, 도 1에 도시된 바와 같이 센싱 IC의 개수는 4개로 전제한다.The plurality of sensing ICs 10, 20, 30, and 40 are connected to each of a plurality of battery modules (not shown) to sense a voltage of a battery cell included in each of the plurality of battery modules. In this case, although the number of sensing ICs is represented by four in Fig. 1, the number of sensing ICs may be more or less. Also, the number of sensing ICs may vary depending on the number of battery modules. That is, the number of sensing ICs is equal to the number of battery modules. However, for convenience of explanation, it is assumed that the number of sensing ICs is four as shown in Fig.

복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40)는 데이지 체인(daisy-chain) 구조로 연결된다. 즉, 제1 센싱 IC(10)는 마이컴(50)과 제2 센싱 IC(20)와 연결되고, 제2 센싱 IC(20)는 제1 센싱 IC(10)와 제3 센싱 IC(30)와 연결되고, 제3 센싱 IC(30)는 제2 센싱 IC(20)와 제4 센싱 IC(40)와 연결되며, 제4 센싱 IC(40)는 제3 센싱 IC(30)와 마이컴(50)과 연결된다. 이때, 이하에서는 제1 센싱 IC(10)를 최하위 센싱 IC, 제4 센싱 IC(40)를 최상위 센싱 IC로 정의한다.The plurality of sensing ICs 10, 20, 30, and 40 are connected in a daisy-chain structure. That is, the first sensing IC 10 is connected to the microcomputer 50 and the second sensing IC 20, and the second sensing IC 20 is connected to the first sensing IC 10, the third sensing IC 30, And the third sensing IC 30 is connected to the second sensing IC 20 and the fourth sensing IC 40. The fourth sensing IC 40 is connected to the third sensing IC 30 and the microcomputer 50, Lt; / RTI > Hereinafter, the first sensing IC 10 and the fourth sensing IC 40 are defined as the lowest sensing IC and the highest sensing IC, respectively.

마이컴(50)은 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40)에서의 센싱 결과를 bottom 통신 모드 및 top 통신 모드로 입력받는다. 즉, 마이컴(50)은 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40)에서의 센싱 결과를 상기 bottom 통신 모드로 입력받고, 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40)에서의 센싱 결과를 상기 top 통신 모드로 다시 입력받는다.The microcomputer 50 receives sensing results from the plurality of sensing ICs 10, 20, 30, and 40 in a bottom communication mode and a top communication mode. That is, the microcomputer 50 receives the sensing result from the plurality of sensing ICs 10, 20, 30, 40 in the bottom communication mode and outputs the sensing result from the plurality of sensing ICs 10, 20, 30, 40 Is again input in the top communication mode.

이때, 상기 bottom 통신 모드는 마이컴(50)이 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40) 중 최하위 센싱 IC, 즉 제1 센싱 IC(10)와만 통신하는 방식을 의미한다. 반대로, 상기 top 통신 모드는 마이컴(50)이 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40) 중 최상위 센싱 IC, 즉 제4 센싱 IC(40)와만 통신하는 방식을 의미한다.The bottom communication mode refers to a mode in which the microcomputer 50 communicates only with the lowest sensing IC among the plurality of sensing ICs 10, 20, 30, and 40, that is, the first sensing IC 10. In contrast, the top communication mode refers to a mode in which the microcomputer 50 communicates only with the uppermost sensing IC among the plurality of sensing ICs 10, 20, 30, and 40, that is, the fourth sensing IC 40.

도 2는 배터리 관리 시스템에 포함된 센싱 IC의 통신량을 나타내는 설명도이다.2 is an explanatory view showing a communication amount of the sensing IC included in the battery management system.

도 2를 참조하면, 마이컴(50)이 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40)에서의 센싱 결과를 상기 bottom 통신 모드 또는 top 통신 모드로 입력받는 경우, 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40)이 통신량을 확인할 수 있다.2, when the microcomputer 50 receives sensing results from the plurality of sensing ICs 10, 20, 30 and 40 in the bottom communication mode or the top communication mode, the plurality of sensing ICs 10 and 20 , 30, 40) can confirm the communication amount.

마이컴(50)이 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40)에서의 센싱 결과를 상기 bottom 통신 모드로 입력받는 경우, 제1 센싱 IC(10)는 전송 4회, 수신 3회, 제2 센싱 IC(20)는 전송 3회, 수신 2회, 제3 센싱 IC(30)는 전송 2회, 수신 1회, 제4 센싱 IC(40)는 전송 1회, 수신 0회를 수행하는 것을 확인할 수 있다.When the microcomputer 50 receives the sensing result from the plurality of sensing ICs 10, 20, 30 and 40 in the bottom communication mode, the first sensing IC 10 receives four times of transmission, three times of reception, The sensing IC 20 confirms that the third sensing IC 30 performs three transmissions and two reception, the second sensing IC 30 performs two transmissions and one reception, and the fourth sensing IC 40 performs one transmission and zero reception .

또한, 마이컴(50)이 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40)에서의 센싱 결과를 상기 top 통신 모드로 입력받는 경우, 제1 센싱 IC(10)는 전송 1회, 수신 0회, 제2 센싱 IC(20)는 전송 2회, 수신 1회, 제3 센싱 IC(30)는 전송 3회, 수신 2회, 제4 센싱 IC(40)는 전송 4회, 수신 3회를 수행하는 것을 확인할 수 있다.When the microcomputer 50 receives the sensing result from the plurality of sensing ICs 10, 20, 30, and 40 in the top communication mode, the first sensing IC 10 receives one transmission, The second sensing IC 20 performs the transmission twice, the reception one time, the third sensing IC 30 performs the third transmission three times, the second reception two times, and the fourth sensing IC 40 performs four transmission and three reception .

즉, 마이컴(50)이 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40)에서의 센싱 결과를 상기 bottom 통신 모드 또는 top 통신 모드 중 어느 하나의 통신 모드로만 입력받는 경우, 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40)간 통신량의 차이가 있어 전력 소모의 차이가 발생한다. 따라서, 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40) 각각과 연결된 배터리 모듈간 전압 편차가 발생한다.That is, when the microcomputer 50 receives the sensing result of the plurality of sensing ICs 10, 20, 30, and 40 only in one of the bottom communication mode and the top communication mode, the plurality of sensing ICs 10 , 20, 30, and 40), resulting in a difference in power consumption. Therefore, a voltage deviation occurs between each of the plurality of sensing ICs 10, 20, 30, and 40 and the battery module connected thereto.

그러나, 본 발명은 마이컴(50)이 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40)에서의 센싱 결과를 상기 bottom 통신 모드 및 상기 top 통신 모드로 모두 입력받으므로, 복수의 센싱 IC간 통신량이 동일해져 전력 소모가 동일해진다. 따라서, 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40)와 연결된 배터리 모듈간 전압 편차가 감소하게 된다.However, since the microcomputer 50 receives the sensing results of the sensing ICs 10, 20, 30 and 40 in the bottom communication mode and the top communication mode, The same power consumption becomes equal. Therefore, the voltage deviation between the plurality of sensing ICs 10, 20, 30, and 40 and the battery module connected thereto is reduced.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리 관리 시스템의 고장 진단 방법을 순차적으로 도시한 흐름도이다. 이때, 도 3의 각 단계에서 도시된 bottom 통신 모드와 top 통신 모드는 예시적인 것으로, 각 단계에서 bottom 통신 모드와 top 통신 모드는 서로 바뀔수 있다.3 is a flowchart sequentially illustrating a failure diagnosis method of the battery management system according to an embodiment of the present invention. In this case, the bottom communication mode and the top communication mode shown in each step of FIG. 3 are illustrative, and the bottom communication mode and the top communication mode may be changed from each other in each step.

도 3을 참조하면, 먼저, 마이컴(50)은 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40) 각각에서의 센싱 결과를 bottom 통신 모드로 전부 입력받는다(S101). 구체적으로, 제1 센싱 IC(10)에서의 센싱 결과를 제1 센싱 IC(10)로부터 직접 입력받고, 제2 센싱 IC(20)에서의 센싱 결과를 제1 센싱 IC(10)를 거쳐 입력받고, 제3 센싱 IC(30)에서의 센싱 결과를 제2 센싱 IC(20), 제1 센싱 IC(10)를 순차적으로 거쳐 입력받으며, 제4 센싱 IC(40)에서의 센싱 결과를 제3 센싱 IC(30), 제2 센싱 IC(20), 제1 센싱 IC(10)를 순차적으로 거쳐 입력받는다.Referring to FIG. 3, the microcomputer 50 receives the sensing result of each of the plurality of sensing ICs 10, 20, 30, and 40 in a bottom communication mode (S101). Specifically, the sensing result of the first sensing IC 10 is directly input from the first sensing IC 10, the sensing result of the second sensing IC 20 is inputted through the first sensing IC 10 , The sensing result of the third sensing IC (30) is sequentially inputted through the second sensing IC (20) and the first sensing IC (10), and the sensing result of the fourth sensing IC (40) The IC 30, the second sensing IC 20, and the first sensing IC 10 sequentially.

이후, 마이컴(50)은 S101 단계에서의 입력을 통해 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40)의 고장 여부를 진단한다(S103). 구체적으로, 마이컴(50)은 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40)로부터 센싱 결과를 전부 입력받은 경우, 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40)를 정상으로 진단한다.Thereafter, the microcomputer 50 diagnoses whether the plurality of sensing ICs 10, 20, 30, and 40 are faulty through the input in step S101 (S103). Specifically, the microcomputer 50 diagnoses the plurality of sensing ICs 10, 20, 30, and 40 to be normal when all the sensing results from the sensing ICs 10, 20, 30, and 40 are input.

그러나, 마이컴(50)은 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40) 중 특정 센싱 IC부터 센싱 결과를 입력받지 못한 경우, 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40)를 고장으로 진단한다. 예를 들어, 마이컴(50)이 제2 센싱 IC(20)로부터 센싱 결과를 입력받지 못한 경우, bottom 통신 모드로 센싱 결과를 입력 받으므로, 제3 센싱 IC(30) 및 제4 센싱 IC(40)로부터도 센싱 결과를 입력받지 못한다. 따라서, 마이컴(50)은 이 경우, 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40)를 고장으로 진단한다.However, when the microcomputer 50 fails to receive the sensing result from the specific sensing IC among the plurality of sensing ICs 10, 20, 30, and 40, the microcomputer 50 detects the plurality of sensing ICs 10, 20, 30, do. For example, when the microcomputer 50 does not receive the sensing result from the second sensing IC 20, the sensing result is input in the bottom communication mode. Therefore, the third sensing IC 30 and the fourth sensing IC 40 ) From the sensor. Therefore, in this case, the microcomputer 50 diagnoses the plurality of sensing ICs 10, 20, 30, and 40 as failure.

이후, 마이컴(50)은 S103 단계에서 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40)를 정상으로 진단한 경우, 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40) 각각에서의 센싱 결과를 top 통신 모드로 전부 입력받는다(S105). 구체적으로, 제4 센싱 IC(40)에서의 센싱 결과를 제4 센싱 IC(40)로부터 직접 입력받고, 제3 센싱 IC(30)에서의 센싱 결과를 제4 센싱 IC(40)를 거쳐 입력받고, 제2 센싱 IC(20)에서의 센싱 결과를 제3 센싱 IC(30), 제4 센싱 IC(40)를 순차적으로 거쳐 입력받으며, 제1 센싱 IC(10)에서의 센싱 결과를 제2 센싱 IC(20), 제3 센싱 IC(30), 제4 센싱 IC(40)를 순차적으로 거쳐 입력받는다.When the microcomputer 50 diagnoses the plurality of sensing ICs 10, 20, 30, 40 to be normal in step S103, the microcomputer 50 outputs the sensing result of each of the plurality of sensing ICs 10, 20, 30, All are input in the communication mode (S105). Specifically, the sensing result of the fourth sensing IC 40 is directly inputted from the fourth sensing IC 40, and the sensing result of the third sensing IC 30 is inputted through the fourth sensing IC 40 The sensing result of the second sensing IC 20 is sequentially received through the third sensing IC 30 and the fourth sensing IC 40 and the sensing result of the first sensing IC 10 is inputted to the second sensing IC 30, The IC 20, the third sensing IC 30, and the fourth sensing IC 40 sequentially.

이후, 마이컴(50)은 S105 단계에서의 입력을 통해 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40)의 고장 여부를 진단한다(S107). 구체적으로, 마이컴(50)은 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40)로부터 센싱 결과를 전부 입력받은 경우, 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40)를 정상으로 진단한다.Thereafter, the microcomputer 50 diagnoses whether the plurality of sensing ICs 10, 20, 30, and 40 are faulty through the input in step S105 (S107). Specifically, the microcomputer 50 diagnoses the plurality of sensing ICs 10, 20, 30, and 40 to be normal when all the sensing results from the sensing ICs 10, 20, 30, and 40 are input.

그러나, 마이컴(50)은 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40) 중 특정 센싱 IC부터 센싱 결과를 입력받지 못한 경우, 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40)를 고장으로 진단한다. 예를 들어, 마이컴(50)이 제2 센싱 IC(20)로부터 센싱 결과를 입력받지 못한 경우, top 통신 모드로 센싱 결과를 입력 받으므로, 제1 센싱 IC(10)로부터도 센싱 결과를 입력받지 못한다. 따라서, 마이컴(50)은 이 경우, 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40)를 고장으로 진단한다.However, when the microcomputer 50 fails to receive the sensing result from the specific sensing IC among the plurality of sensing ICs 10, 20, 30, and 40, the microcomputer 50 detects the plurality of sensing ICs 10, 20, 30, do. For example, when the microcomputer 50 does not receive the sensing result from the second sensing IC 20, the sensing result is input in the top communication mode. Therefore, the sensing result is also received from the first sensing IC 10 can not do it. Therefore, in this case, the microcomputer 50 diagnoses the plurality of sensing ICs 10, 20, 30, and 40 as failure.

한편, 마이컴(50)은 S103 단계 또는 S107 단계에서 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40)를 고장으로 진단한 경우, 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40) 각각에서의 센싱 결과를 bottom 통신 모드로 개별적으로 입력받아 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40) 중 고장난 센싱 IC를 진단한다(S109, S111, S113, S115). Meanwhile, when the microcomputer 50 diagnoses the plurality of sensing ICs 10, 20, 30, and 40 as failures in step S103 or step S107, the microcomputer 50 performs sensing on the sensing ICs 10, 20, 30, (S109, S111, S113, and S115) of the plurality of sensing ICs (10, 20, 30, 40) by individually receiving the results in the bottom communication mode.

구체적으로, 먼저, 제1 센싱 IC(10)에서의 센싱 결과를 제1 센싱 IC(10)로부터 직접 입력받아 고장 여부를 진단한다. 제1 센싱 IC(10)가 정상인 경우, 제2 센싱 IC(20)에서의 센싱 결과를 제1 센싱 IC(10)를 거쳐 입력받아 고장 여부를 진단한다. 제2 센싱 IC(20)가 정상인 경우, 제3 센싱 IC(30)에서의 센싱 결과를 제2 센싱 IC(20), 제1 센싱 IC(10)를 순차적으로 거쳐 입력받아 고장 여부를 진단한다. 제3 센싱 IC(30)가 정상인 경우, 제4 센싱 IC(40)에서의 센싱 결과를 제3 센싱 IC(30), 제2 센싱 IC(20), 제1 센싱 IC(10)를 순차적으로 거쳐 입력받아 고장 여부를 진단한다.Specifically, first, the sensing result of the first sensing IC 10 is directly input from the first sensing IC 10 to diagnose the failure. When the first sensing IC 10 is normal, the sensing result of the second sensing IC 20 is received via the first sensing IC 10 to diagnose the failure. When the second sensing IC 20 is normal, the sensing result of the third sensing IC 30 is sequentially received through the second sensing IC 20 and the first sensing IC 10 to diagnose the failure. When the third sensing IC 30 is normal, the sensing result of the fourth sensing IC 40 is sequentially transmitted through the third sensing IC 30, the second sensing IC 20, and the first sensing IC 10 It receives the input and diagnoses the fault.

그러나, 마이컴(50)은 제1 센싱 IC(10)가 고장인 경우, 제2 센싱 IC(20), 제3 센싱 IC(30) 및 제4 센싱 IC(40)의 고장 여부를 진단하지 않고, 제1 센싱 IC(10)가 고장인 것을 저장한다. 또한, 마이컴(50)은 제2 센싱 IC(20)가 고장인 경우, 제3 센싱 IC(30) 및 제4 센싱 IC(40)의 고장 여부를 진단하지 않고, 제2 센싱 IC(20)가 고장인 것을 저장한다. 또한, 마이컴(50)은 제3 센싱 IC(30)가 고장인 경우, 제4 센싱 IC(40)의 고장 여부를 진단하지 않고, 제3 센싱 IC(30)가 고장인 것을 저장한다. 또한, 마이컴(50)은 제4 센싱 IC(40)가 고장인 경우, 제4 센싱 IC(40)가 고장인 것을 저장한다.However, when the first sensing IC 10 fails, the microcomputer 50 does not diagnose whether the second sensing IC 20, the third sensing IC 30, and the fourth sensing IC 40 fail, The first sensing IC 10 stores a failure. When the second sensing IC 20 fails, the microcomputer 50 does not diagnose the failure of the third sensing IC 30 and the fourth sensing IC 40, and the second sensing IC 20 Save the fault. When the third sensing IC 30 fails, the microcomputer 50 stores the failure of the third sensing IC 30 without diagnosing whether the fourth sensing IC 40 is malfunctioning or not. The microcomputer 50 stores the failure of the fourth sensing IC 40 when the fourth sensing IC 40 fails.

이후, 마이컴(50)은 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40) 각각에서의 센싱 결과를 top 통신 모드로 개별적으로 입력받아 복수의 센싱 IC(10, 20, 30, 40) 중 고장난 센싱 IC를 진단한다(S117, S119, S121, S123).The microcomputer 50 receives the sensing results of the sensing ICs 10, 20, 30, and 40 individually in the top communication mode and receives the sensing results of the sensing ICs 10, 20, 30, The IC is diagnosed (S117, S119, S121, S123).

구체적으로, 먼저, 제4 센싱 IC(40)에서의 센싱 결과를 제4 센싱 IC(40)로부터 직접 입력받아 고장 여부를 진단한다. 제4 센싱 IC(40)가 정상인 경우, 제3 센싱 IC(30)에서의 센싱 결과를 제4 센싱 IC(40)를 거쳐 입력받아 고장 여부를 진단한다. 제3 센싱 IC(30)가 정상인 경우, 제2 센싱 IC(20)에서의 센싱 결과를 제3 센싱 IC(30), 제4 센싱 IC(40)를 순차적으로 거쳐 입력받아 고장 여부를 진단한다. 제2 센싱 IC(20)가 정상인 경우, 제1 센싱 IC(10)에서의 센싱 결과를 제2 센싱 IC(20), 제3 센싱 IC(30), 제4 센싱 IC(40)를 순차적으로 거쳐 입력받아 고장 여부를 진단한다.Specifically, first, the sensing result of the fourth sensing IC 40 is directly inputted from the fourth sensing IC 40, and diagnosis of the failure is made. When the fourth sensing IC 40 is normal, the sensing result of the third sensing IC 30 is received via the fourth sensing IC 40 to diagnose the failure. If the third sensing IC 30 is normal, the sensing result of the second sensing IC 20 is sequentially received through the third sensing IC 30 and the fourth sensing IC 40 to diagnose the failure. When the second sensing IC 20 is normal, the sensing result of the first sensing IC 10 is sequentially transmitted through the second sensing IC 20, the third sensing IC 30, and the fourth sensing IC 40 It receives the input and diagnoses the fault.

그러나, 마이컴(50)은 제4 센싱 IC(40)가 고장인 경우, 제3 센싱 IC(30), 제2 센싱 IC(20) 및 제1 센싱 IC(10)의 고장 여부를 진단하지 않고, 제4 센싱 IC(40)가 고장인 것을 저장한다. 또한, 마이컴(50)은 제3 센싱 IC(30)가 고장인 경우, 제2 센싱 IC(20) 및 제1 센싱 IC(10)의 고장 여부를 진단하지 않고, 제3 센싱 IC(30)가 고장인 것을 저장한다. 또한, 마이컴(50)은 제2 센싱 IC(20)가 고장인 경우, 제1 센싱 IC(10)의 고장 여부를 진단하지 않고, 제2 센싱 IC(20)가 고장인 것을 저장한다. 또한, 마이컴(50)은 제1 센싱 IC(10)가 고장인 경우, 제1 센싱 IC(10)가 고장인 것을 저장한다.However, when the fourth sensing IC 40 fails, the microcomputer 50 does not diagnose whether the third sensing IC 30, the second sensing IC 20, and the first sensing IC 10 fail, The fourth sensing IC 40 stores the failure. When the third sensing IC 30 fails, the microcomputer 50 does not diagnose the failure of the second sensing IC 20 and the first sensing IC 10, and the third sensing IC 30 Save the fault. Further, when the second sensing IC 20 fails, the microcomputer 50 stores the failure of the second sensing IC 20 without diagnosing the failure of the first sensing IC 10. Further, the microcomputer 50 stores the failure of the first sensing IC 10 when the first sensing IC 10 fails.

이후, 마이컴(50)은 S115 단계에서 고장으로 저장한 센싱 IC와 S123 단계에서 고장으로 저장한 센싱 IC가 동일한지 비교한다(S125).Thereafter, the microcomputer 50 compares the sensing IC stored in step S115 as a failure with the sensing IC stored in step S123 as failure (S125).

이후, 마이컴(50)은 S125 단계에서 비교 결과, S115 단계에서 고장으로 저장한 센싱 IC와 S123 단계에서 고장으로 저장한 센싱 IC가 동일한 경우, S115 단계에서 고장으로 저장한 센싱 IC 및 S123 단계에서 고장으로 저장한 센싱 IC만 고장난 것으로 진단한다(S127).If the sensing IC stored as a failure in step S115 and the sensing IC stored as a failure in step S123 are the same as the comparison result in step S125, the microcomputer 50 stores the sensing IC stored as a failure in step S115, It is determined that only the sensing IC stored in step S127 is defective.

예를 들어, S115 단계에서 고장으로 저장한 센싱 IC가 제2 센싱 IC(20)이고, S123 단계에서 고장으로 저장한 센싱 IC도 제2 센싱 IC(20)라면, 상기 bottom 통신 모드 및 상기 top 통신 모드로 모두 고장 여부를 진단한 것이므로, 제2 센싱 IC(20)만 고장인 것으로 진단할 수 있게 된다.For example, if the sensing IC stored as a failure in step S115 is the second sensing IC 20 and the sensing IC stored as a failure in step S123 is also the second sensing IC 20, the bottom communication mode and the top communication Mode, it is possible to diagnose that only the second sensing IC 20 is in failure.

한편, 마이컴(50)은 S125 단계에서 비교 결과, S115 단계에서 고장으로 저장한 센싱 IC와 S123 단계에서 고장으로 저장한 센싱 IC가 다른 경우, S115 단계에서 고장으로 저장한 센싱 IC와 S123 단계에서 고장으로 저장한 센싱 IC를 연결하는 센싱 IC 모두가 고장난 것으로 진단한다(S129).On the other hand, if it is determined in step S125 that the sensing IC stored as a failure in step S115 and the sensing IC stored on the failure in step S123 are different from each other, the microcomputer 50 determines whether the sensing IC stored as a failure in step S115 and the failure All of the sensing ICs connected to the sensing ICs stored therein are diagnosed as having failed (S129).

예를 들어, S115 단계에서 고장으로 저장한 센싱 IC가 제2 센싱 IC(20)이고, S123 단계에서 고장으로 저장한 센싱 IC는 제3 센싱 IC(30)라면, S115 단계에서 고장으로 저장한 센싱 IC가 제2 센싱 IC(20)이므로, 제1 센싱 IC(10)는 정상인 것을 알 수 있고, S123 단계에서 고장으로 저장한 센싱 IC는 제3 센싱 IC(30)이므로, 제4 센싱 IC(40)는 정상인 것을 알 수 있다. 따라서, S129 단계에서는 제2 센싱 IC(20)와 제3 센싱 IC(30)만 고장인 것으로 진단하게 된다.For example, if the sensing IC stored as a failure in step S115 is the second sensing IC 20 and the sensing IC stored as a failure in step S123 is the third sensing IC 30, Since the IC is the second sensing IC 20, it can be known that the first sensing IC 10 is normal. Since the sensing IC stored in step S123 as the failure is the third sensing IC 30, the fourth sensing IC 40 ) Is normal. Therefore, in step S129, only the second sensing IC 20 and the third sensing IC 30 are diagnosed as having a failure.

본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the foregoing detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and the equivalents thereof are included in the scope of the present invention Should be interpreted.

한편, 본 명세서와 도면에는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 개시하였으며, 비록 특정 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 발명의 이해를 돕기 위한 일반적인 의미에서 사용된 것이지, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시 예 외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, And is not intended to limit the scope of the invention. It is to be understood by those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention are possible in addition to the embodiments disclosed herein.

100 : 배터리 관리 시스템
10, 20, 30, 40 : 센싱 IC
50 : 마이컴100: Battery management system
10, 20, 30, 40: sensing IC
50: Microcomputer

Claims (10)

복수의 배터리 모듈 각각에 연결되어 상기 복수의 배터리 모듈 각각에 포함된 배터리 셀의 전압을 센싱하며, 데이지 체인(daisy-chain) 구조로 연결된 복수의 센싱 IC 및 상기 복수의 센싱 IC 중 최하위 센싱 IC와 최상위 센싱 IC에 각각 연결되며, 상기 복수의 센싱 IC에서의 센싱 결과를 bottom 통신 모드 및 top 통신 모드로 입력받는 마이컴을 포함하는 배터리 관리 시스템의 고장 진단 방법에 있어서,
상기 복수의 센싱 IC 각각에서의 센싱 결과를 전부 입력받아 상기 복수의 센싱 IC의 고장 여부를 진단하는 제1 고장 진단 단계;
상기 복수의 센싱 IC 각각에서의 센싱 결과를 상기 bottom 통신 모드 또는 상기 top 통신 모드 중 어느 하나의 통신 모드로 개별적으로 입력받아 상기 복수의 센싱 IC 중 고장난 센싱 IC를 진단하는 제2 고장 진단 단계;
상기 복수의 센싱 IC 각각에서의 센싱 결과를 상기 제2 입력 단계에서의 통신 모드와 다른 통신 모드로 개별적으로 입력받아 상기 복수의 센싱 IC 중 고장난 센싱 IC를 진단하는 제3 고장 진단 단계; 및
상기 제2 고장 진단 단계에서 고장으로 진단한 센싱 IC와 상기 제3 고장 진단 단계에서 고장으로 진단한 센싱 IC를 비교하여 상기 복수의 센싱 IC 중 고장난 센싱 IC의 위치를 진단하는 고장 위치 진단 단계를 포함하는 배터리 관리 시스템의 고장 진단 방법.A plurality of sensing ICs connected to each of the plurality of battery modules to sense a voltage of the battery cells included in each of the plurality of battery modules and connected in a daisy-chain structure, and a low- A method for diagnosing a fault in a battery management system including a microcomputer connected to a top sensing IC and receiving sensing results of the plurality of sensing ICs in a bottom communication mode and a top communication mode,
A first fault diagnosis step of receiving all sensing results of the plurality of sensing ICs and diagnosing whether the plurality of sensing ICs are faulty;
A second failure diagnosis step of individually receiving the sensing result of each of the plurality of sensing ICs in the communication mode of either the bottom communication mode or the top communication mode and diagnosing the failed sensing IC among the plurality of sensing ICs;
A third fault diagnosis step of individually receiving the sensing result of each of the plurality of sensing ICs in a communication mode different from the communication mode of the second input step and diagnosing a faulty sensing IC among the plurality of sensing ICs; And
And a diagnosis position diagnosis step of diagnosing the position of the failed sensing IC among the plurality of sensing ICs by comparing the sensing IC diagnosed as the failure in the second failure diagnosis step with the sensing IC diagnosed as the failure in the third failure diagnosis step A method for diagnosing a fault in a battery management system. 제 1항에 있어서,
상기 제1 고장 진단 단계는
상기 bottom 통신 모드 또는 상기 top 통신 모드 중 어느 하나의 통신 모드로 상기 복수의 센싱 IC 각각에서의 센싱 결과를 전부 입력받아 상기 복수의 센싱 IC의 고장 여부를 진단하는 제1-1 고장 진단 단계; 및
상기 제1-1 고장 진단 단계에서의 통신 모드와 다른 통신 모드로 상기 복수의 센싱 IC 각각에서의 센싱 결과를 전부 입력받아 상기 복수의 센싱 IC의 고장 여부를 진단하는 제1-2 고장 진단 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 배터리 관리 시스템의 고장 진단 방법.The method according to claim 1,
The first fault diagnosis step
A first 1-1 failure diagnosis step of receiving all sensing results of the plurality of sensing ICs in any one of the bottom communication mode and the top communication mode and diagnosing whether the plurality of sensing ICs are faulty; And
A first-second failure diagnosis step of receiving all sensing results of the plurality of sensing ICs in a communication mode different from the communication mode in the first-first failure diagnosis step and diagnosing whether the plurality of sensing ICs are faulty And a failure diagnosis method for the battery management system. 제 2항에 있어서,
상기 제1-1 고장 진단 단계에서 진단 결과 상기 복수의 센싱 IC가 정상인 경우, 상기 제1-2 고장 진단 단계를 통해 상기 복수의 센싱 IC의 고장 여부를 진단하는 것을 특징으로 하는 배터리 관리 시스템의 고장 진단 방법.3. The method of claim 2,
Wherein when the plurality of sensing ICs are normal as a result of the diagnosis in the first-first failure diagnosis step, the failure diagnosis of the plurality of sensing ICs is diagnosed through the first-second failure diagnosis step Diagnostic method. 제 2항에 있어서,
상기 제1-1 고장 진단 단계에서 진단 결과 상기 복수의 센싱 IC가 고장인 경우, 상기 제1-2 고장 진단 단계를 통해 상기 복수의 센싱 IC의 고장 여부를 진단하지 않는 것을 특징으로 하는 배터리 관리 시스템의 고장 진단 방법.3. The method of claim 2,
Wherein when the plurality of sensing ICs are failed in the diagnosis of the first-first failure diagnosis step, the failure diagnosis of the plurality of sensing ICs is not diagnosed through the first-second failure diagnosis step Fault diagnosis method. 제 2항에 있어서,
상기 제1-1 고장 진단 단계에서 상기 bottom 통신 모드로 상기 복수의 센싱 IC 각각에서의 센싱 결과를 전부 입력받아 상기 복수의 센싱 IC의 고장 여부를 진단한 경우,
상기 제1-2 고장 진단 단계는 상기 top 통신 모드로 상기 복수의 센싱 IC 각각에서의 센싱 결과를 전부 입력받아 상기 복수의 센싱 IC의 고장 여부를 진단하는 것을 특징으로 하는 배터리 관리 시스템의 고장 진단 방법.3. The method of claim 2,
If all of the sensing results of the plurality of sensing ICs in the bottom communication mode are all received in the first-first failure diagnosis step and diagnosis of the failure of the plurality of sensing ICs is made,
Wherein the first-second failure diagnosis step includes receiving all the sensing results of the plurality of sensing ICs in the top communication mode and diagnosing whether or not the plurality of sensing ICs are faulty. . 제 2항에 있어서,
상기 제1-1 고장 진단 단계에서 상기 top 통신 모드로 상기 복수의 센싱 IC 각각에서의 센싱 결과를 전부 입력받아 상기 복수의 센싱 IC의 고장 여부를 진단한 경우,
상기 제1-2 고장 진단 단계는 상기 bottom 통신 모드로 상기 복수의 센싱 IC 각각에서의 센싱 결과를 전부 입력받아 상기 복수의 센싱 IC의 고장 여부를 진단하는 것을 특징으로 하는 배터리 관리 시스템의 고장 진단 방법.3. The method of claim 2,
When all of the sensing results of the plurality of sensing ICs in the top communication mode are all received in the first-first failure diagnosis step and diagnosis of the failure of the plurality of sensing ICs is made,
Wherein the first and second failure diagnosis stages are all configured to receive a sensing result of each of the plurality of sensing ICs in the bottom communication mode to diagnose the failure of the plurality of sensing ICs . 제 1항에 있어서,
상기 제2 고장 진단 단계에서 상기 bottom 통신 모드로 상기 복수의 센싱 IC 각각에서의 센싱 결과를 개별적으로 입력받아 상기 복수의 센싱 IC 중 고장난 센싱 IC를 진단한 경우,
상기 제3 고장 진단 단계는 상기 top 통신 모드로 상기 복수의 센싱 IC 각각에서의 센싱 결과를 개별적으로 입력받아 상기 복수의 센싱 IC 중 고장난 센싱 IC를 진단하는 것을 특징으로 하는 배터리 관리 시스템의 고장 진단 방법.The method according to claim 1,
If the sensing result of each of the plurality of sensing ICs is separately received in the bottom communication mode in the second failure diagnosis step and the sensing IC among the plurality of sensing ICs is diagnosed,
Wherein the third fault diagnosis step receives the sensing results of the plurality of sensing ICs in the top communication mode and diagnoses the faulty sensing IC among the plurality of sensing ICs . 제 1항에 있어서,
상기 제2 고장 진단 단계에서 상기 top 통신 모드로 상기 복수의 센싱 IC 각각에서의 센싱 결과를 개별적으로 입력받아 상기 복수의 센싱 IC 중 고장난 센싱 IC를 진단한 경우,
상기 제3 고장 진단 단계는 상기 bottom 통신 모드로 상기 복수의 센싱 IC 각각에서의 센싱 결과를 개별적으로 입력받아 상기 복수의 센싱 IC 중 고장난 센싱 IC를 진단하는 것을 특징으로 하는 배터리 관리 시스템의 고장 진단 방법.The method according to claim 1,
When the sensing result of each of the plurality of sensing ICs is separately received in the top communication mode in the second failure diagnosis step and the sensing IC of the plurality of sensing ICs is diagnosed,
Wherein the third fault diagnosis step receives the sensing result of each of the plurality of sensing ICs in the bottom communication mode and diagnoses the faulty sensing IC among the plurality of sensing ICs . 제 1항에 있어서,
상기 고장 위치 진단 단계는 상기 제2 고장 진단 단계에서 고장으로 진단한 센싱 IC와 상기 제3 고장 진단 단계에서 고장으로 진단한 센싱 IC가 동일한 경우, 상기 제2 고장 진단 단계 및 상기 제3 고장 진단 단계에서 고장으로 진단한 센싱 IC만 고장난 것으로 진단하는 것을 특징으로 하는 배터리 관리 시스템의 고장 진단 방법.The method according to claim 1,
In the diagnosis of the fault location, if the sensing IC diagnosed as a failure in the second fault diagnosis step and the sensing IC diagnosed as a fault in the third fault diagnosis step are the same, the second fault diagnosis step and the third fault diagnosis step The diagnosis is made that only the sensing IC diagnosed as the failure is diagnosed as having failed. 제 1항에 있어서,
상기 고장 위치 진단 단계는 상기 제2 고장 진단 단계에서 고장으로 진단한 센싱 IC와 상기 제3 고장 진단 단계에서 고장으로 진단한 센싱 IC가 다른 경우, 상기 제2 고장 진단 단계에서 고장으로 진단한 센싱 IC와 상기 제3 고장 진단 단계에서 고장으로 진단한 센싱 IC를 연결하는 센싱 IC가 모두 고장난 것으로 진단하는 것을 특징으로 하는 배터리 관리 시스템의 고장 진단 방법.The method according to claim 1,
In the diagnosis of the fault location, when a sensing IC diagnosed as a failure in the second fault diagnosis step and a sensing IC diagnosed as a failure in the third fault diagnosis step are different, the sensing IC, which is diagnosed as a fault in the second fault diagnosis step, And the sensing IC connecting the sensing IC diagnosed as the failure in the third failure diagnosis step are all diagnosed as having failed.
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