KR20180040770A - Multi-layered carrier film and the transfer method using the device and electronics manufacturing method using the same method - Google Patents

Multi-layered carrier film and the transfer method using the device and electronics manufacturing method using the same method Download PDF

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Abstract

The present invention relates to a multi-layered carrier film for transcribing an element which is mounted on a semiconductor, a display, a solar cell, a sensor, or the like from a source substrate to a target substrate; an element transcribing method using the same; and an electronic product manufacturing method using the method. The multi-layered carrier film according to the present invention comprises a base film, a transformation layer, and a hard layer. The element transcribing method using the same comprises a picking step, a hardening step, and a placing step. The multi-layered carrier film and the element transcribing method using the same according to the present invention make an element on a source substrate primarily stick to the multi-layered carrier film, and make the element sticking to the multi-layered carrier film secondarily stick to a target substrate by controlling sticking power between the multi-layered carrier film and the element through a hardness change of a transformation layer formed on the multi-layered carrier film. In addition, the electronic product manufacturing method, which manufactures an electronic product by using the element transcribing method using the multi-layered carrier film of the present invention manufactures an electronic product by transcribing multiple elements onto a flat plate.

Description

다층형 캐리어 필름 및 이를 이용한 소자 전사 방법과 이 방법을 이용하여 전자제품을 제조하는 전자제품 제조방법{Multi-layered carrier film and the transfer method using the device and electronics manufacturing method using the same method}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer carrier film and a device transfer method using the same, and a method of manufacturing an electronic product using the method,

본 발명은 다층형 캐리어 필름 및 이를 이용한 소자 전사 방법과 이 방법을 이용하여 전자제품을 제조하는 전자제품 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체, 디스플레이, 태양전지, 센서 등에 장착되는 소자를 소스기판에서 타켓기판으로 전사하기 위한 다층형 캐리어 필름 및 이를 이용한 소자 전사 방법과 이 방법을 이용하여 전자제품을 제조하는 전자제품 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a multilayer carrier film, a device transfer method using the same, and a method of manufacturing an electronic product using the method. More particularly, the present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, a display, Layer carrier film for transferring from a substrate to a target substrate, a device transfer method using the same, and a method of manufacturing an electronic product using the method.

전자부품은 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board)에 다양한 회로소자를 탑재하는 공정을 통하여 제조된다. 예를 들어, 컴퓨터에 사용되는 메모리 카드는 다수의 메모리 소자를 기판에 실장하는 공정을 통하여 제조될 수 있고, 최근 각광받고 있는 마이크로 LED를 사용한 디스플레이는 다수의 LED 소자를 모듈화된 기판에 배열한 형태로 제조되고 있다.Electronic components are manufactured through a process of mounting various circuit elements on a printed circuit board (PCB). For example, a memory card used in a computer can be manufactured through a process of mounting a plurality of memory devices on a substrate. Recently, a display using micro LEDs has been widely used as a display device in which a plurality of LED devices are arranged on a modular substrate .

종래에는 소자를 기판의 솔더 위로 전사하기 위해 진공척을 이용하여 낱개 단위로 전사하는 방법을 사용하였다. 이때 사용하는 장비는 die bonder 혹은 flip chip bonder라고 하며, 진공척을 장착한 헤드 하나가 초당 1 ~ 3개의 소자를 기판 위에 전사할 수 있다.Conventionally, a method of transferring a device on a solder by using a vacuum chuck is used. The equipment used is called a die bonder or flip chip bonder, and a head with a vacuum chuck can transfer 1 to 3 devices per second onto the substrate.

최근 나노 기술이 발전하고, HD, UHD, SUHD 등의 화소수가 매우 큰 디스플레이 패널이 요구됨에 따라 소자의 크기는 갈수록 작아지고 소자의 개수는 크게 늘어나고 있다. 따라서 보다 높은 생산성을 위하여 다수의 미소 소자를 한꺼번에 기판에 전사할 수 있는 기술이 요구되는 것이다.Recently, with the development of nanotechnology and a demand for a display panel having a very large number of pixels such as HD, UHD, and SUHD, the size of the device has become smaller and the number of devices has been greatly increased. Therefore, there is a need for a technique capable of transferring a plurality of microelements to a substrate at a time for higher productivity.

종래의 진공척을 이용한 전사 방법은 소자의 폭이 0.5mm 미만이거나 소자의 두께가 20μm 미만인 경우, 진공척의 설계적 한계 및 진공 흡착(suction)에 의한 소자 손상 문제로 인해 소자를 기판에 원활하게 전사하기 어렵다는 문제점이 있었다.Conventional transfer methods using a vacuum chuck transfer the device smoothly to the substrate due to the design limit of the vacuum chuck and the damage of the device by vacuum suction when the width of the device is less than 0.5 mm or the thickness of the device is less than 20 μm There is a problem in that it is difficult to do.

대한민국 공개특허공보 제10-2016-0080265호(2016. 07. 07. 등록공고, 발명의 명칭 : 마이크로 디바이스의 전사장치, 마이크로 디바이스의 전사방법, 및 그 전사장치의 제조방법)Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2016-0080265 (entitled "Transfer device of micro device, transfer method of micro device, and method of manufacturing transfer device"

따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 소스기판에 있는 소자를 다층형 캐리어 필름에 1차적으로 점착시키고, 다층형 캐리어 필름의 경도 변화를 통해 다층형 캐리어 필름과 소자 사이의 점착력을 조절하여 다층형 캐리어 필름에 점착된 소자를 인쇄회로기판과 같은 타켓기판에 2차적으로 점착시킴으로써, 크기가 미소한 소자를 기판에 전사시킬 수 있고, 점착력을 쉽게 조절할 수 있는 다층형 캐리어 필름 및 이를 이용한 소자 전사 방법과 이 방법을 이용하여 전자제품을 제조하는 전자제품 제조방법을 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a multi-layered carrier film, By controlling the adhesive force between the film and the element to secondarily adhere the element adhering to the multilayered carrier film to a target substrate such as a printed circuit board, it is possible to transfer the element with a small size to the substrate, Layer carrier film and a device transfer method using the same, and a method of manufacturing an electronic product using the method.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 다층형 캐리어 필름은, 베이스 필름; 상기 베이스 필름의 일면에 일정 두께로 형성되고, 전사하고자 하는 소자의 피킹(picking)시에는 제1경도가 유지되고, 전사하고자 하는 소자의 플레이싱(placing)시에는 에너지에 의해 상기 제1경도보다 높은 제2경도로 변형될 수 있는 변형층; 및 상기 변형층의 일면에 일정 두께로 형성되고, 상기 변형층의 제1경도보다 높은 경도로 구성되는 경질층;을 포함하고, 상기 변형층의 경도에 반비례하는 점착력이 형성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a multilayer carrier film comprising: a base film; The first hardness is maintained at the time of picking the device to be transferred, and when the device to be transferred is placed, the first hardness is lower than the first hardness A strained layer that can be deformed to a high second hardness; And a hard layer formed on one surface of the strained layer to a predetermined thickness and having a hardness higher than a first hardness of the strained layer, wherein adhesion is inversely proportional to the hardness of the strained layer.

본 발명에 따른 다층형 캐리어 필름에 있어서, 상기 변형층의 두께가 상기 경질층의 두께보다 크게 형성될 수 있다.In the multilayered carrier film according to the present invention, the thickness of the strained layer may be larger than the thickness of the hard layer.

본 발명에 따른 다층형 캐리어 필름에 있어서, 상기 변형층은 아크릴레이트, 실리콘 러버, 니트릴 부타디엔 고무(NBR), 폴리에스테르, 에폭시 중 어느 하나의 재질로 형성되고, 상기 경질층은 금속, 세라믹, 폴리머 또는 이들의 복합체 중 어느 하나의 재질로 형성될 수 있다.In the multilayered carrier film according to the present invention, the strained layer is formed of any one material selected from the group consisting of acrylate, silicone rubber, nitrile butadiene rubber (NBR), polyester, and epoxy, and the hard layer includes a metal, Or a composite of these materials.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 다층형 캐리어 필름을 이용한 소자 전사 방법은, 상기 다층형 캐리어 필름을 이용하고, 상기 변형층을 상기 제1경도로 유지하면서 상기 다층형 캐리어 필름을 다수의 소자가 배열된 소스기판 측으로 밀착하여 상기 소스기판의 소자를 상기 다층형 캐리어 필름에 점착시키는 피킹 단계; 상기 변형층을 경화시켜 상기 변형층의 경도를 상기 제1경도에서 상기 제2경도로 변형시키는 경화 단계; 및 상기 변형층을 상기 제2경도로 유지하면서 상기 다층형 캐리어 필름을 타겟기판 측으로 밀착하여 상기 다층형 캐리어 필름의 소자를 상기 타켓기판에 점착시키는 플레이싱 단계;를 포함하며, 상기 다층형 캐리어 필름과 상기 소자 사이의 점착력은 상기 변형층의 경도에 반비례하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a method for transferring a device using a multilayer carrier film according to the present invention comprises: using the multilayer carrier film; A step of bringing the element of the source substrate into close contact with the side of the source substrate on which the elements are arranged and adhering the element of the source substrate to the multi-layered carrier film; A curing step of curing the strained layer to transform the hardness of the strained layer from the first hardness to the second hardness; And a flipping step of bringing the multilayered carrier film into close contact with the target substrate side while keeping the strained layer at the second hardness to adhere the device of the multilayered carrier film to the target substrate, And the adhesive force between the elements is inversely proportional to the hardness of the strained layer.

본 발명에 따른 다층형 캐리어 필름을 이용한 소자 전사 방법에 있어서, 상기 다층형 캐리어 필름과 상기 소자와의 점착력은 상기 다층형 캐리어 필름을 상기 소스기판 또는 상기 타겟기판으로부터 이형시키는 이형속도에 비례하고, 상기 피킹 단계에서 상기 다층형 캐리어 필름을 상기 소스기판으로부터 이형시키는 제1이형속도는 상기 플레이싱 단계에서 상기 다층형 캐리어 필름을 상기 타겟기판으로부터 이형시키는 제2이형속도보다 크게 할 수 있다.In the device transfer method using the multilayered carrier film according to the present invention, the adhesion between the multilayered carrier film and the device is proportional to the release speed at which the multilayered carrier film is released from the source substrate or the target substrate, The first release rate at which the multilayer carrier film is released from the source substrate in the picking step may be greater than the second release rate at which the multilayer carrier film is released from the target substrate in the flipping step.

본 발명에 따른 다층형 캐리어 필름을 이용한 소자 전사 방법에 있어서, 상기 변형층의 두께가 상기 경질층의 두께보다 크게 형성될 수 있다.In the method of transferring a device using a multilayer carrier film according to the present invention, the thickness of the strained layer may be larger than the thickness of the hard layer.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 다층형 캐리어 필름을 이용한 소자 전사 방법을 이용하여 전자제품을 제조하는 전자제품 제조방법은, 다층형 캐리어 필름을 이용한 소자 전사 방법을 이용하여 다수의 소자를 평판 상에 전사하여 전자제품을 제조하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an electronic product using the method of transferring a multi-layered carrier film according to the present invention, And transferred onto a flat plate to produce an electronic product.

본 발명의 다층형 캐리어 필름 및 이를 이용한 소자 전사 방법에 따르면, 크기가 미소한 소자를 기판에 쉽고 간단하게 전사시킬 수 있다.According to the multilayered carrier film of the present invention and the method of transferring a device using the same, minute devices of small size can be easily and simply transferred to a substrate.

또한, 본 발명의 다층형 캐리어 필름 및 이를 이용한 소자 전사 방법에 따르면, 베이스 필름에 경도가 다른 물질을 순차적으로 적층하는 구조로서 간단하게 제작할 수 있고, 적층된 물질의 경도 변화를 통해 점착력을 쉽게 조절할 수 있다.Further, according to the multilayered carrier film of the present invention and the device transfer method using the multilayered carrier film, it is possible to easily manufacture the multilayered carrier film of the present invention in which materials having different hardnesses are successively laminated on the base film, and the adhesive force can be easily controlled .

또한, 본 발명의 다층형 캐리어 필름 및 이를 이용한 소자 전사 방법에 따르면, 변형층이 경화되는 과정에서 변형층과 소자의 접촉면적이 줄어듦에 따라 다층형 캐리어 필름에 점착된 소자를 타겟기판으로 보다 용이하게 전사시킬 수 있다.According to the multilayer carrier film of the present invention and the method of transferring a device using the same, the contact area between the strained layer and the device is reduced during the process of curing the strained layer, .

또한, 본 발명의 다층형 캐리어 필름 및 이를 이용한 소자 전사 방법에 따르면, 변형층의 두께를 경질층의 두께보다 크게 형성함으로써, 소스기판에 배열된 소자를 다층형 캐리어 필름에 원활하게 점착시킬 수 있다.Further, according to the multilayered carrier film of the present invention and the device transfer method using the multilayered carrier film, it is possible to smoothly adhere the element arranged on the source substrate to the multilayered carrier film by forming the thickness of the strained layer larger than the thickness of the hard layer .

또한, 본 발명의 다층형 캐리어 필름 및 이를 이용한 소자 전사 방법에 따르면, 피킹 단계에서의 다층형 캐리어 필름의 이형속도를 플레이싱 단계에서 다층형 캐리어 필름의 이형속도보다 빠르게 함으로써, 소자를 다층형 캐리어 필름으로부터 보다 안정적으로 점착시키거나 또는 떼어낼 수 있다.Further, according to the multilayered carrier film of the present invention and the device transfer method using the multilayered carrier film, the release speed of the multilayered carrier film in the picking step is made higher than the release speed of the multilayered carrier film in the flaking step, The film can be more stably adhered to or peeled off from the film.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다층형 캐리어 필름을 개략적으로 나타낸 단면도이고,
도 2는 도1의 다층형 캐리어 필름의 점착력이 변형층의 경도에 따라 변화되는 것을 나타낸 그래프이고,
도 3은 도1의 다층형 캐리어 필름의 점착력이 변형층의 두께에 따라 차이가 발생하는 것을 나타낸 그래프이고,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 다층형 캐리어 필름을 이용한 소자 전사 방법의 수행과정을 개략적으로 나타낸 도면이고,
도 5는 도 4의 다층형 캐리어 필름을 이용한 소자 전사 방법의 수행과정을 나타낸 블록도이고,
도 6은 도 4의 다층형 캐리어 필름을 이용한 소자 전사 방법의 수행과정에서 다층형 캐리어 필름과 소자 사이의 점착력이 변형층의 경도에 따라 변화되는 것을 나타낸 그래프이고,
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 다층형 캐리어 필름을 이용한 소자 전사 방법을 이용하여 전제제품이 만들어지는 과정을 나타낸 도면이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a multilayer carrier film according to an embodiment of the present invention,
Fig. 2 is a graph showing that the adhesive strength of the multilayered carrier film of Fig. 1 varies with the hardness of the strained layer,
FIG. 3 is a graph showing that the adhesive force of the multilayered carrier film of FIG. 1 varies depending on the thickness of the strained layer,
4 is a schematic view illustrating a process of performing a device transfer method using a multilayered carrier film according to an embodiment of the present invention,
FIG. 5 is a block diagram illustrating a process of performing a device transfer method using the multilayered carrier film of FIG. 4,
FIG. 6 is a graph showing that the adhesive strength between the multilayered carrier film and the device changes in accordance with the hardness of the strained layer in the course of performing the device transfer method using the multilayered carrier film of FIG. 4,
FIG. 7 is a view illustrating a process of making a precursor product using a device transfer method using a multilayered carrier film according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.

이하, 본 발명에 따른 다층형 캐리어 필름 및 이를 이용한 소자 전사 방법의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 발명과 관련하여 공지된 기술에 대한 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 공지된 기술에 대한 구체적인 설명을 생략한다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of a multilayer carrier film and a device transfer method using the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다층형 캐리어 필름을 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 2는 도1의 다층형 캐리어 필름의 점착력이 변형층의 경도에 따라 변화되는 것을 나타낸 그래프이고, 도 3은 도1의 다층형 캐리어 필름의 점착력이 변형층의 두께에 따라 차이가 발생하는 것을 나타낸 그래프이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 다층형 캐리어 필름을 이용한 소자 전사 방법의 수행과정을 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 5는 도 4의 다층형 캐리어 필름을 이용한 소자 전사 방법의 수행과정을 나타낸 블록도이고, 도 6은 도 4의 다층형 캐리어 필름을 이용한 소자 전사 방법의 수행과정에서 다층형 캐리어 필름과 소자 사이의 점착력이 변형층의 경도에 따라 변화되는 것을 나타낸 그래프이다.FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a multilayered carrier film according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a graph showing that the adhesive force of the multilayered carrier film of FIG. 1 varies with the hardness of the strained layer, FIG. 4 is a graph showing that the adhesive force of the multilayered carrier film of FIG. 1 varies according to the thickness of the strained layer, and FIG. 4 is a graph showing a process of performing a device transfer method using the multilayered carrier film according to an embodiment of the present invention FIG. 5 is a block diagram illustrating a process of performing a device transfer method using the multilayered carrier film of FIG. 4. FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a process of transferring a multi- Type carrier film and the device is changed according to the hardness of the strained layer.

도 1 내지 도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 다층형 캐리어 필름(100)은 반도체, 디스플레이, 태양전지, 센서 등에 장착되는 소자(E)를 소스기판(W1)에서 타겟기판(W2)으로 전사하기 위해 사용되는 것으로서, 베이스 필름(110)과, 변형층(120)과, 경질층(130)을 포함한다.1 to 6, the multilayered carrier film 100 according to the present embodiment is a structure in which a device E mounted on a semiconductor, a display, a solar cell, a sensor, or the like is transferred from a source substrate W1 to a target substrate W2 A base film 110, a strained layer 120, and a hard layer 130, which are used for transfer.

소자의 전사 과정은 소스기판에서 캐리어 필름을 이용하여 소자를 떼어내는 피킹(picking) 공정과, 캐리어 필름 위에 있는 소자를 타겟기판에 옮기는 플레이싱(placing) 공정으로 나뉜다. 캐리어 필름과 타겟기판이 동일한 경우에는 이 두 공정이 하나로 합쳐져 수행될 수 있다.The transfer process of the device is divided into a picking process for removing the device from the source substrate using the carrier film and a placing process for transferring the device on the carrier film to the target substrate. In the case where the carrier film and the target substrate are the same, these two processes may be combined and performed.

상기 베이스 필름(110)은 소자(E)에 밀착되는 과정에서 변형되지 않는 충분한 강도 및 탄성계수를 지니고, 변형층(120)의 형성 과정에서 고유의 물성이 유지될 수 있도록 내열성 및 내화학성을 지닌 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 보통 PET(Polyethylene Terephthalate) 필름이나 PI(polyimide) 필름 등이 베이스 필름의 재질로 주로 사용되지만 그 재질은 특별히 한정되지 않는다.The base film 110 has sufficient strength and elastic modulus not to be deformed in the process of being adhered to the element E and has heat resistance and chemical resistance so that inherent physical properties can be maintained during the formation of the strained layer 120 A polyethylene terephthalate (PET) film, a polyimide (PI) film, or the like is usually used as a base film material, but the material thereof is not particularly limited.

베이스 필름(110)은 도 1에 도시된 바와 같이 평판 형태로 제작하여 소스기판(W1)의 일정영역에 배열된 소자(E)를 개별적으로 점착하여 타겟기판(W2)에 전사시킬 수도 있고, 도시되지는 않았지만, 원통 형태로 제작하여 일반적인 전사용 롤에 감아 소스기판(W1)에 배열된 소자(E)를 연속적으로 점착하여 타겟기판(W2)에 전사시킬 수도 있다.The base film 110 may be manufactured in the form of a flat plate as shown in Fig. 1, and the elements E arranged in a certain region of the source substrate W1 may be individually adhered to the target substrate W2, It is possible to continuously attach the element E arranged on the source substrate W1 and transfer it onto the target substrate W2 by forming it into a cylindrical shape and winding it on a general transfer roll.

베이스 필름이 평판 형태인 경우, 베이스 필름(110)은 선형 구동수단(미도시)에 결합되어 높이가 조절될 수 있고, 소스기판(W1)의 표면을 따라 전후좌우로 이동될 수 있다. 베이스 필름(110)이 원통 형태인 경우, 베이스 필름(110)은 회전 구동수단(미도시)에 결합되어 회전될 수 있고, 상기 회전 구동수단은 승강수단(미도시)에 결합되어 높이가 조절될 수 있다.When the base film is in the form of a flat plate, the base film 110 can be coupled to the linear driving means (not shown) and can be adjusted in height, and can be moved back and forth, right and left along the surface of the source substrate W1. When the base film 110 has a cylindrical shape, the base film 110 can be coupled to the rotation driving means (not shown) and rotated. The rotation driving means is coupled to the elevating means (not shown) .

상기 변형층(120)은 베이스 필름(110)의 일면에 일정 두께로 형성되고, 전사하고자 하는 소자(E)의 피킹(picking)시에는 제1경도(K1)가 유지되고, 전사하고자 하는 소자(E)의 플레이싱(placing)시에는 열, UV, 플라즈마, 전기장 등의 에너지원에 의해 제1경도(K1)보다 높은 제2경도(K2)로 변형된다.The strained layer 120 is formed on one surface of the base film 110 to have a predetermined thickness. When the element E to be transferred is picked, the first hardness K1 is maintained, E is deformed into a second hardness K2 which is higher than the first hardness K1 by an energy source such as heat, UV, plasma or electric field.

도 2를 참조하면, 소자(E)와 다층형 캐리어 필름(100)과의 점착력(F)은 변형층(120)의 경도(K)에 반비례한다. 즉, 변형층(120)이 딱딱할수록 점착력은 감소한다.2, the adhesive force F between the element E and the multi-layered carrier film 100 is inversely proportional to the hardness K of the strained layer 120. That is, the adhesive strength decreases as the strained layer 120 becomes harder.

전사하고자 하는 소자(E)를 소스기판(W1)에서 피킹할 시에는 상대적으로 높은 점착력(Fa)이 요구되므로, 변형층(120)의 경도(K)를 소스기판(W1)과 소자(E)와의 점착력(Fs)보다 큰 점착력(Fa)이 형성될 수 있는 제1경도(K1)로 유지하고, 전사하고자 하는 소자(E)를 타겟기판(W2)에 플레이싱할 시에는 상대적으로 낮은 점착력(Fb)이 요구되므로, 변형층(120)의 경도(K)를 타겟기판(W2)과 소자(E)와의 점착력(Fp)보다 작은 점착력(Fb)이 형성될 수 있는 제2경도(K2)로 유지한다.The hardness K of the strained layer 120 is set to be higher than the hardness K of the source substrate W1 and the element E since the relatively high adhesive force Fa is required to pick up the element E to be transferred from the source substrate W1. When the element E to be transferred is to be applied to the target substrate W2, the adhesive force Fs with a relatively low adhesive force (e.g., The hardness K of the strained layer 120 is set to the second hardness K2 at which the adhesive force Fb smaller than the adhesive force Fp between the target substrate W2 and the element E can be formed .

변형층(120)은 소자(E)와의 인력(전자기력 또는 반데르발스 인력)이 작용될 수 있는 점탄성 물질로 구성되며, 롤러에 감길 수 있도록 플레서블(flexible)한 물질로 제작된다.The strained layer 120 is made of a viscoelastic material to which an attractive force (electromagnetic force or van der Waals attractive force) with the element E can be applied and is made of a flexible material so as to be wound on the roller.

변형층(120)은 구체적으로 아크릴레이트, 실리콘 러버, 니트릴 부타디엔 고무(NBR), 폴리에스테르, 에폭시 등과 같은 기초 재료에 소량의 입자나 화학첨가제를 넣어서 형성될 수 있다. 실리콘 러버는 온도 저항성이 뛰어나므로 광범위한 온도에서 사용할 수 있고, 실리콘(수지)와 러버(고무)의 비율을 변경하여 원하는 점착력을 얻을 수 있는 장점이 있다. 아크릴레이트는 실리콘 러버보다 내열성 및 내후성이 더 뛰어나고, 비교적 저렴하게 획득할 수 있다는 장점이 있다. 니트릴 부타디엔 고무는 다른 탄성 소재와 비교할 수 없는 안정된 화학구조를 가짐에 따라 부식성이 없고 산화되지 않는 화합물로서, 내열, 내한, 전기절연, 화학적 안전성, 내마모성, 광택성, 풍부한 탄성 등을 지니고 있다. 폴리에스테르는 상대적으로 가볍고, 난연성, 내약품성, 내후성이 우수하다는 장점이 있다. 에폭시는 경화 후 비틀림이나 변형이 없고, 내열성, 내약품성, 내수성, 내마모성이 우수하며, 장기간 보관이 가능하다는 장점이 있다.The strained layer 120 may be formed by specifically incorporating a small amount of particles or chemical additives into a base material such as acrylate, silicone rubber, nitrile butadiene rubber (NBR), polyester, epoxy, and the like. Silicone rubber is excellent in temperature resistance, so it can be used at a wide range of temperatures, and the desired adhesion can be obtained by changing the ratio of silicone (resin) to rubber (rubber). Acrylate is superior in heat resistance and weather resistance to silicone rubber and has an advantage that it can be obtained at relatively low cost. Nitrile-butadiene rubber is a non-corrosive, non-oxidizing compound with a stable chemical structure that is incomparable to other elastic materials. It has heat resistance, cold resistance, electrical insulation, chemical safety, abrasion resistance, gloss and abundant elasticity. Polyesters are relatively lightweight, and have an advantage of being excellent in flame retardancy, chemical resistance and weather resistance. Epoxies are free from twisting or deformation after curing, and are excellent in heat resistance, chemical resistance, water resistance, abrasion resistance, and can be stored for a long period of time.

변형층(120)은 일정규격으로 미리 제작되어 공지의 접착제를 매개로 베이스 필름(110)에 부착될 수도 있고, 액상의 변형층(120)을 열 또는 기계적인 진동을 이용하여 액적 형태로 공급하는 잉크젯 프린팅 방식, 액상의 변형층(120)을 흘러나오도록 밀어내는 전기장을 사용하는 E-jet 프린팅 방식, 액상의 변형층(120)을 롤이나 슬롯 다이(slot die) 등의 공구로 일정한 두께로 베이스 필름 위에 코팅하는 방식 등 다양한 방식으로 형성될 수도 있다.The strained layer 120 may be preformed to a predetermined size and attached to the base film 110 via a known adhesive or may be supplied in the form of droplets using heat or mechanical vibration An ink jet printing method, an E-jet printing method using an electric field that pushes out the liquid deformable layer 120 to flow out, a method of forming a liquid deformable layer 120 by a tool such as a roll or a slot die And a method of coating on a base film.

변형층(120)의 두께(t1)는 적어도 경질층(130)의 두께(t2)보다 크게 형성되는 것이 바람직하다. 도 3에 도시된 바와 같이 다층형 캐리어 필름(100)과 소자(E)와의 점착력(F)은 다층형 캐리어 필름의 이형속도(v)에 비례하여 증가하는데, 변형층(120)의 두께(t1)가 얇아지면, 점착력의 이형속도 의존성이 줄어들게 된다.It is preferable that the thickness t1 of the strained layer 120 is formed to be larger than the thickness t2 of the hard layer 130 at least. As shown in FIG. 3, the adhesive force F between the multilayered carrier film 100 and the element E increases in proportion to the release speed v of the multilayered carrier film, but the thickness t1 of the strained layer 120 ) Is thinned, the dependence of the releasing rate on the adhesive force is reduced.

즉, 도시된 바와 같이 변형층(120)의 두께(t1)가 경질층(130)의 두께(t2)보다 클 경우, 소자(E)를 피킹할 시의 점착력(Fa)이 소스기판(W1)과 소자(E)와의 점착력(Fs)보다 크게 발생됨으로써, 다층형 캐리어 필름(100)에 소자(E)를 원활하게 점착시킬 수 있다. 반대로, 변형층(120)의 두께(t1)가 경질층(130)의 두께(t2)보다 작을 경우, 소자(E)를 피킹할 시의 점착력(Fa)이 소스기판(W1)과 소자(E)와의 점착력(Fs)보다 작게 발생됨으로써, 소자(E)가 다층형 캐리어 필름(100)에 원활하게 점착되지 않을 수 있다.That is, when the thickness t1 of the strained layer 120 is larger than the thickness t2 of the hard layer 130 as shown in the drawing, the adhesive force Fa at the time of picking up the element E is larger than the thickness t2 of the strained layer 130, (E) can be smoothly adhered to the multilayered carrier film (100). Conversely, when the thickness t1 of the strained layer 120 is smaller than the thickness t2 of the hard layer 130, the adhesive force Fa at the time of picking up the element E is smaller than the adhesive force Fa at the time of picking up the element E from the source substrate W1 and the element E , The element E may not be smoothly adhered to the multilayered carrier film 100. In this case,

변형층(120)의 두께(t1)가 필요 이상으로 두꺼워도 바람직하지 않다. 왜냐하면, 변형층(120)을 형성하는 재료와, 변형층(120)의 경도를 변화시키기 위한 에너지가 과다하게 소요될 수 있기 때문이다.It is not preferable that the thickness t1 of the strained layer 120 is thicker than necessary. This is because the material for forming the strained layer 120 and the energy for changing the hardness of the strained layer 120 may be excessively consumed.

변형층(120)에 경화에 필요한 에너지를 공급하는 에너지원(200, 도 4 참조)은 통상의 히터 방식, 레이저 방식, 인덕션 방식 등 다양한 방식의 가열수단들이 적용될 수 있고, 또는 UV조사기, 플라즈마 장치, 전기장 형성기 등이 적용될 수 있으며, 변형층(120)의 경도(K)를 높일 수 있으면 충분하다.Various heating methods such as a heater method, a laser method, and an induction method can be applied to the energy source 200 (see FIG. 4) for supplying the energy required for curing to the strained layer 120, or a UV irradiation device, And an electric field former may be applied. It is sufficient that the hardness K of the strained layer 120 can be increased.

상기 경질층(130)은 변형층(120)의 일면에 일정 두께로 형성되고, 변형층(120)의 제2경도(K2)보다 높은 경도로 구성된다. 경질층(130)은 변형층(120)에 비해 상대적으로 변형 저항력이 큰 물질로 구성되는데, 구체적으로 금속, 세라믹, 탄성계수가 매우 큰 폴리머, 또는 이들 재료의 복합체 중 어느 하나의 재질로 형성될 수 있다.The hard layer 130 is formed on one surface of the strained layer 120 to have a constant thickness and has a hardness higher than a second hardness K2 of the strained layer 120. [ The hard layer 130 is formed of a material having a relatively large deformation resistance as compared with the deformation layer 120. Specifically, the hard layer 130 may be formed of any one of metal, ceramics, polymer having a high elastic modulus, .

경질층(130)의 형성 방법은 변형층(120)의 형성 방법과 동일하게 하는 것이 제작설비 측면에서 유리하지만, 경질층의 재료에 따라 진공 증착 방법(금속 박막이나 실리콘 산화물/실리콘 질화물 등의 세라믹 박막)을 사용하여 형성할 수도 있다.The hard layer 130 may be formed in the same manner as the method of forming the strained layer 120. However, depending on the material of the hard layer, a vacuum deposition method (a metal thin film or a ceramic such as a silicon oxide / silicon nitride Thin film) may be used.

경질층(130)의 두께(t2)는 적어도 변형층(120)의 두께(t1)보다 얇게 형성되는데, 다층형 캐리어 필름(100)과 소자(E)와의 점착력(F)에 영향을 주지 않으면서도 소자(E)와 마주보는 변형층(120)의 표면에 충분한 강도를 제공할 수 있는 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 금속 박막의 경우 5 ~ 20nm 정도의 두께면 충분하다.The thickness t2 of the hard layer 130 is formed to be at least thinner than the thickness t1 of the strained layer 120 without affecting the adhesive force F between the multilayered carrier film 100 and the element E Is preferably formed to a thickness that can provide sufficient strength to the surface of the strained layer (120) facing the element (E). For example, in the case of a metal thin film, a thickness of about 5 to 20 nm is sufficient.

만약, 경질층(130)의 두께(t2)가 필요 이상으로 두꺼우면, 변형층(120)과 소자(E) 사이의 거리가 멀어져 변형층(120)에서 형성되는 점착력이 소자(E)에 제대로 전달되지 않을 수 있고, 경질층(130)의 두께(t2)가 너무 얇으면, 변형층(120)의 표면 강도가 낮아지기 때문에 다층형 캐리어 필름(100)을 소스기판(W1)에 가압하는 과정에서 소자(E)와 밀착되는 경질층(130)의 일부분이 제 모양을 유지하지 못하고 변형층(120) 측으로 움푹 들어가면서 소자(E)가 변형층(120)에 박혀 속박될 수 있다.If the thickness t2 of the hard layer 130 is thicker than necessary, the distance between the strained layer 120 and the element E becomes large, If the thickness t2 of the hard layer 130 is too thin, the surface strength of the strained layer 120 is lowered. Therefore, in the process of pressing the multilayered carrier film 100 onto the source substrate W1 A part of the hard layer 130 which is in close contact with the element E does not maintain the shape and the element E is recessed toward the strained layer 120 and the element E is embedded in the strained layer 120 and can be constrained.

이와 같이 구성되는 다층형 캐리어 필름(100)은 베이스 필름(110) 위에 경도가 다른 물질을 순차적으로 적층하는 구조로서, 변형층(120)의 경도 변화를 통해 점착력을 쉽게 조절할 수 있고, 제작도 용이하다는 장점이 있다.The multi-layered carrier film 100 having such a structure has a structure in which materials having different hardness are sequentially laminated on the base film 110. The adhesive force can be easily controlled by changing the hardness of the strained layer 120, .

지금부터는 상기와 같이 구성된 다층형 캐리어 필름(100)을 이용한 소자 전사 방법을 상세히 설명한다. 도 3 내지 도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 다층형 캐리어 필름(100)을 이용한 소자 전사 방법은 피킹 단계(S1)와, 경화 단계(S2)와, 플레이싱 단계(S3)를 포함한다. Hereinafter, a method of transferring a device using the multilayer carrier film 100 configured as above will be described in detail. 3 to 6, a device transfer method using the multilayer carrier film 100 according to the present invention includes a picking step S1, a curing step S2, and a flaking step S3.

상기 피킹 단계(S1)는 변형층(120)을 제1경도(K1)로 유지하면서 다층형 캐리어 필름(100)을 다수의 소자(E)가 배열된 소스기판(W1) 측으로 밀착하여 소스기판(W1)에 있는 소자(E)를 다층형 캐리어 필름(100)에 점착시키는 단계이다.The picking step S1 is a step of bringing the multilayered carrier film 100 into close contact with the source substrate W1 on which the plurality of devices E are arranged while keeping the strained layer 120 at the first hardness K1, W1 to the multi-layered carrier film 100 in the step (a).

이때, 변형층(120)의 두께(t1)는 경질층(130)의 두께(t2)보다 크게, 구체적으로 변형층(120)의 두께(t1)를 소스기판(W1)과 소자(E)와의 점착력(Fs)에 대응하는 기준 두께(to)보다 크게 하여 소자(E)가 다층형 캐리어 필름(100)에 원활하게 점착되게 하는 것이 바람직하다.The thickness t1 of the strained layer 120 is greater than the thickness t2 of the rigid layer 130 and the thickness t1 of the strained layer 120 is greater than the thickness t2 of the strained layer 120, It is preferable to make the element E larger than the reference thickness to corresponding to the adhesive force Fs so that the element E smoothly adheres to the multilayered carrier film 100. [

특히, 다층형 캐리어 필름(100)과 소자(E) 사이의 점착력(F)은, 다층형 캐리어 필름(100)을 상기 소스기판(W1)으로부터 이형시키는 이형속도에도 비례한다. 그러므로 피킹 단계(S1)에서 다층형 캐리어 필름(100)을 소스기판(W1)으로부터 이형시키는 제1이형속도(v1)는 적어도 플레이싱 단계(S3)에서 다층형 캐리어 필름(100)을 타겟기판(W2)으로부터 이형시키는 제2이형속도(v2)보다 크게 하는 것이 바람직하다.Particularly, the adhesive force F between the multilayered carrier film 100 and the element E is proportional to the release speed at which the multilayered carrier film 100 is released from the source substrate W1. The first dissociation speed v1 for releasing the multilayer carrier film 100 from the source substrate W1 in the picking step S1 is therefore such that the multilayer carrier film 100 is transferred to the target substrate W2 from the second release speed v2.

정확히는 다층형 캐리어 필름(100)의 제1이형속도(v1)를 상대적으로 빠르게 하여, 피킹 단계에서 다층형 캐리어 필름(100)과 소자(E)와의 점착력(Fa)이 소스기판(W1)과 소자(E)와의 점착력(Fs)보다 크게 해야 한다.The first release speed v1 of the multilayered carrier film 100 is relatively increased so that the adhesive force Fa between the multilayered carrier film 100 and the element E in the picking step is lower than the adhesive force Fa between the source substrate W1 and the element E, (Fs) with the adhesive strength (E).

이와 같이 다층형 캐리어 필름(100)을 소자(E)에 잠시 붙였다 떼어내는 과정에서 소스기판(W1)에 배열된 소자(E)가 다층형 캐리어 필름(100)에 점착되므로, 소자(E)의 폭 또는 두께에 구애받지 않고 소자(E)를 쉽고 간단하게 피킹할 수 있게 된다.Since the element E arranged on the source substrate W1 is adhered to the multilayered carrier film 100 in the process of attaching and detaching the multilayered carrier film 100 to the element E for a while, The element E can be easily and simply picked up regardless of the width or the thickness.

상기 경화 단계(S2)는 변형층(120)에 열, 플라즈마 등과 같은 에너지을 가하여 경화시켜 변형층(120)의 경도(K)를 제1경도(K1)에서 제2경도(K2)로 변형시키는 단계이다.The curing step S2 includes the steps of modifying the hardness K of the strained layer 120 from the first hardness K1 to the second hardness K2 by applying energy such as heat or plasma to the strained layer 120, to be.

경화 단계(S2)는 상술한 에너지원(200)을 이용하여 변형층(120)에 직접 경화에 필요한 에너지을 공급할 수도 있고, 베이스 필름(110) 또는 경질층(130)을 통해 간접적으로 에너지를 전달할 수도 있다.The curing step S2 may supply the energy required for curing directly to the strained layer 120 using the energy source 200 described above or indirectly through the base film 110 or the rigid layer 130 have.

변형층(120)이 경화되면서 다층형 캐리어 필름(100)과 소자(E) 사이의 점착력(F)은 변형층(120)의 경도(K)에 반비례하여 낮아지게 된다.The adhesive force F between the multilayered carrier film 100 and the element E is lowered in inverse proportion to the hardness K of the strained layer 120 as the strained layer 120 is cured.

이때, 변형층(120)의 내부 조직이 일정비율로 수축되면서 변형층(120) 위에 있는 경질층(130)의 표면에 주름이 발생하게 된다. 이렇게 주름이 발생하게 되면, 경질층(130)과 소자(E) 사이의 접촉면적이 줄어들면서 다층형 캐리어 필름(100)과 소자(E)와의 점착력(F)도 감소하게 된다. 따라서, 후술되는 플레이싱 단계(S3)에서 다층형 캐리어 필름(100)에 점착된 소자(E)가 타겟기판(W2)으로 보다 용이하게 전사될 수 있게 된다.At this time, the inner structure of the strained layer 120 is contracted at a certain rate, and wrinkles are generated on the surface of the hard layer 130 on the strained layer 120. When wrinkles are generated, the contact area between the hard layer 130 and the element E is reduced, and the adhesive force F between the multilayered carrier film 100 and the element E is also reduced. Therefore, in the later-described flaking step S3, the element E adhered to the multilayer carrier film 100 can be more easily transferred to the target substrate W2.

상기 플레이싱 단계(S3)는 변형층(120)을 제2경도(K2)로 유지하면서 다층형 캐리어 필름(100)을 타겟기판(W2) 측으로 밀착하여 다층형 캐리어 필름(100)에 점착된 소자(E)를 타겟기판(W2)으로 점착시키는 단계이다.The flaking step S3 is a step of pressing the multilayer carrier film 100 against the target substrate W2 while keeping the strained layer 120 at the second hardness K2, (E) to the target substrate (W2).

변형층(120)이 경화되어 제2경도(K2)를 유지함으로써, 다층형 캐리어 필름(100)을 타겟기판(W2)에 밀착하는 과정에서 소자(E)와 금속전극(Y) 사이에 충분한 가압력이 형성될 수 있다.The deformation layer 120 is cured to maintain the second hardness K2 so that sufficient pressing force is applied between the element E and the metal electrode Y in the process of bringing the multilayered carrier film 100 into close contact with the target substrate W2 Can be formed.

다층형 캐리어 필름(100)을 타겟기판(W2)에서 이형시키는 제2이형속도(v2)는 적어도 제1이형속도(v1)보다 느리게 하는 것이 바람직하다. 정확히는 다층형 캐리어 필름(100)의 제2이형속도(v2)를 상대적으로 느리게 하여, 플레이싱 단계(S3)에서 다층형 캐리어 필름(100)과 소자(E)와의 점착력(F)이 타겟기판(여기서는 금속전극(Y)에 도포된 솔더(D))과 소자(E)와의 점착력(Fp)보다 작게 해야 한다.It is preferable that the second release velocity v2 for releasing the multilayered carrier film 100 from the target substrate W2 is slower than at least the first release velocity v1. The second release speed v2 of the multilayered carrier film 100 is relatively slow so that the adhesive force F between the multilayered carrier film 100 and the element E in the flaking step S3 is lower than the adhesive force F between the multilayered carrier film 100 and the element E (Here, solder D applied to the metal electrode Y) and the element E,

만약, 변형층(120)의 경화가 충분히 진행된 경우에는 다층형 캐리어 필름(100)과 소자(E)와의 점착력(F)이 제2이형속도(v2)에 의존하는 특성이 약해지거나 없어지는 경우가 자주 발생하며, 이런 경우에는 생산성 향상을 위하여 제2이형속도(v2)를 느리게 할 필요는 없다.If the hardening of the strained layer 120 is sufficiently advanced, there is a case where the adhesive force F between the multilayered carrier film 100 and the element E is weakened or disappears depending on the second mold release speed v2 And in this case it is not necessary to slow the second release speed v2 to improve productivity.

이와 같이 소스기판(W1)에 있는 소자(E)를 다층형 캐리어 필름(100)에 1차적으로 점착시키고, 변형층(120)의 경도(K)를 제1경도(K1)에서 제2경도(K2)로 변화시켜 다층형 캐리어 필름(100)과 소자(E)와의 점착력(F)을 낮춤으로써, 다층형 캐리어 필름(100)에 점착된 소자(E)를 타겟기판(W2)에 점착시킬 수 있다.The element E on the source substrate W1 is primarily adhered to the multilayered carrier film 100 and the hardness K of the strained layer 120 is changed from the first hardness K1 to the second hardness K2) to lower the adhesive force F between the multilayered carrier film 100 and the element E to thereby adhere the element E adhered to the multilayered carrier film 100 to the target substrate W2 have.

이후, 다층형 캐리어 필름(100)을 타겟기판(W2)으로부터 이격시켜 제1경도(K1)의 변형층(120)을 갖는 새로운 다층형 캐리어 필름(100)으로 교체하여 전사 공정에 사용하게 된다.Thereafter, the multi-layered carrier film 100 is replaced with a new multi-layered carrier film 100 having the first hardness K1 of the strained layer 120 separated from the target substrate W2 and used in the transfer process.

지금부터는 다층형 캐리어 필름을 이용한 소자 전사 방법을 이용하여 다수의 소자를 평판 상에 전사하여 전자제품을 제조하는 전자제품 제조방법에 대하여 상세하게 설명한다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 다층형 캐리어 필름을 이용한 소자 전사 방법을 이용하여 전제제품이 만들어지는 과정을 나타낸 도면이다.Hereinafter, an electronic product manufacturing method for manufacturing an electronic product by transferring a plurality of devices onto a flat plate using a device transfer method using a multilayer carrier film will be described in detail. FIG. 7 is a view illustrating a process of making a precursor product using a device transfer method using a multilayered carrier film according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.

여기서 전자제품은 구체적으로 회로기판과 같은 부품형 전자제품이거나 또는 이 회로기판이 내장되는 완성형 전자제품일 수 있다. 회로기판으로는 인쇄회로기판, 액정회로기판, 디스플레이패널 회로기판, 반도체칩 내의 회로기판 등의 공지의 다양한 회로기판이 이에 해당하며, 인쇄회로기판으로는 공지의 연성, 경성 또는 연경성 회로기판이 모두 포함될 수 있다.The electronic product may specifically be a component-type electronic product such as a circuit board or a finished electronic product in which the circuit board is embedded. Examples of the circuit board include various known circuit boards such as a printed circuit board, a liquid crystal circuit board, a display panel circuit board, and a circuit board in a semiconductor chip, and a known flexible, hard or soft circuit board .

본 실시예에서는 다층형 캐리어 필름을 이용한 소자 전사 방법을 이용하여 디스플레이용 LED 패널을 제작하는 것을 예로 들어 설명하나, 소자 전사 방법을 이용한 전자제품 제조방법은 본 실시예에 한정되지 않는다.In this embodiment, the manufacturing method of the LED panel for display using the device transfer method using the multilayer carrier film is described as an example, but the method of manufacturing the electronic product using the device transfer method is not limited to this embodiment.

도 7을 참조하면, 본 실시예에서 소자(E)는 구체적으로 RGB(R: 적색, G: 녹색, B: 청색) 발광 다이오드 소자이고, 기판(W)은 배선층(Wa) 및 절연층(Wb)을 포함하는 평판 형태의 인쇄회로기판(PCB)이며, 다층형 캐리어 필름(100)이 롤(R)에 감겨 일정속도로 회전하면서 소자(E)를 기판(W)에 연속적으로 전사시킨다. 전사되는 과정 중에 기판(W) 위에 있는 전기적 연결소재(예를 들어 솔더 페이스트나 ACF 등)와 소자(E)가 접촉하게 되고, 기판(W)과 소자(E)가 이후 리플로우 공정이나 열 가압 공정을 통하여 상호 전기적으로 연결되면서 접합된다.7, the element E is specifically a RGB (R: red, G: green, B: blue) light-emitting diode element and the substrate W is a wiring layer Wa and an insulating layer Wb The multilayered carrier film 100 is wound on a roll R and continuously transfers the element E to the substrate W while rotating at a constant speed. The substrate W and the element E come into contact with the electrically connecting material (for example, solder paste or ACF or the like) on the substrate W during the transfer process, And they are electrically connected to each other through a process.

이와 같이 제작된 LED 패널을 냉각장치 혹은 구동 IC소자가 갖춰진 함체(미도시)의 일면에 노출되도록 설치하고, 노출된 함체의 일면을 투명 글래스 혹은 투명 보호 필름으로 차폐함으로써, 디스플레이용 LED 패널이 제작된다.The LED panel thus manufactured is installed so as to be exposed on one side of a housing (not shown) provided with a cooling device or a driving IC device, and the exposed side of the housing is covered with a transparent glass or a transparent protective film. do.

상술한 바와 같이 구성된 본 발명의 다층형 캐리어 필름 및 이를 이용한 소자 전사 방법은, 다층형 캐리어 필름을 소자에 잠시 붙였다 떼어내는 방식으로 전사시킴으로써, 크기가 미소한 소자를 기판에 쉽고 간단하게 전사시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.The multilayer carrier film of the present invention constructed as described above and the method of transferring a device using the same can be easily and simply transferred to a substrate by transferring the multilayer carrier film in such a manner that the multilayer carrier film is peeled off and attached to the device for a while The effect can be obtained.

또한, 상술한 바와 같이 구성된 본 발명의 다층형 캐리어 필름 및 이를 이용한 소자 전사 방법은, 베이스 필름에 경도가 다른 물질을 순차적으로 적층하는 구조로서, 경도 변화를 통해 점착력을 쉽게 조절할 수 있고, 간단하게 제작할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the multilayered carrier film of the present invention constructed as described above and the device transfer method using the same have a structure in which materials having different hardness are sequentially laminated on the base film, and the adhesive force can be easily controlled by changing the hardness, An effect that can be produced can be obtained.

또한, 상술한 바와 같이 구성된 본 발명의 다층형 캐리어 필름 및 이를 이용한 소자 전사 방법은, 변형층이 경화되는 과정에서 변형층과 소자의 접촉면적이 줄어들면서 다층형 캐리어 필름과 소자와의 점착력도 감소됨에 따라 다층형 캐리어 필름에 점착된 소자를 타겟기판으로 보다 용이하게 전사시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.Further, in the multilayered carrier film of the present invention constructed as described above and the method of transferring a device using the same, the contact area between the strained layer and the device is reduced during the process of curing the strained layer, and the adhesion between the multilayered carrier film and the device is also reduced It is possible to more easily transfer the device bonded to the multilayer carrier film to the target substrate.

또한, 상술한 바와 같이 구성된 본 발명의 다층형 캐리어 필름 및 이를 이용한 소자 전사 방법은, 변형층의 두께를 경질층의 두께보다 크게 형성함으로써, 소스기판에 배열된 소자를 다층형 캐리어 필름에 원활하게 점착시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the multilayered carrier film of the present invention constructed as described above and the method of transferring a device using the multilayered carrier film of the present invention, by forming the strained layer to have a thickness larger than the thickness of the hard layer, It is possible to obtain an adhesive effect.

또한, 상술한 바와 같이 구성된 본 발명의 다층형 캐리어 필름 및 이를 이용한 소자 전사 방법은, 피킹 단계에서의 다층형 캐리어 필름의 이형속도를 플레이싱 단계에서 다층형 캐리어 필름의 이형속도보다 빠르게 함으로써, 소자를 다층형 캐리어 필름으로부터 보다 안정적으로 점착시키거나 또는 떼어낼 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the multilayer carrier film of the present invention constructed as described above and the device transfer method using the multilayer carrier film of the present invention can increase the releasing speed of the multilayer carrier film in the picking step to be higher than the releasing speed of the multilayer carrier film in the flaking step, It is possible to stably attach or peel off the multi-layer type carrier film from the multilayer type carrier film.

본 발명의 권리범위는 상술한 실시예 및 변형례에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.The scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications, but can be implemented in various forms of embodiments within the scope of the appended claims. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the appended claims.

100 : 다층형 캐리어 필름
110 : 베이스 필름
120 : 변형층
130 : 경질층
200 : 에너지원
D : 솔더
E : 소자
Y : 금속전극
W1 : 소스기판
W2 : 타겟기판100: multilayer carrier film
110: base film
120: strained layer
130: hard layer
200: Energy source
D: Solder
E: Device
Y: metal electrode
W1: source substrate
W2: target substrate

Claims (7)

베이스 필름;
상기 베이스 필름의 일면에 일정 두께로 형성되고, 전사하고자 하는 소자의 피킹(picking)시에는 제1경도가 유지되고, 전사하고자 하는 소자의 플레이싱(placing)시에는 에너지에 의해 상기 제1경도보다 높은 제2경도로 변형될 수 있는 변형층; 및
상기 변형층의 일면에 일정 두께로 형성되고, 상기 변형층의 제1경도보다 높은 경도로 구성되는 경질층;을 포함하고,
상기 변형층의 경도에 반비례하는 점착력이 형성되는 것을 특징으로 하는 다층형 캐리어 필름.A base film;
The first hardness is maintained at the time of picking the device to be transferred, and when the device to be transferred is placed, the first hardness is lower than the first hardness A strained layer that can be deformed to a high second hardness; And
And a hard layer formed on one surface of the strained layer to have a constant thickness and having a hardness higher than a first hardness of the strained layer,
Wherein an adhesive force in inverse proportion to the hardness of the strained layer is formed. 제1항에 있어서,
상기 변형층의 두께가 상기 경질층의 두께보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 다층형 캐리어 필름.The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the strained layer is larger than the thickness of the hard layer. 제1항에 있어서,
상기 변형층은 아크릴레이트, 실리콘 러버, 니트릴 부타디엔 고무(NBR), 폴리에스테르, 에폭시 중 어느 하나의 재질로 형성되고,
상기 경질층은 금속, 세라믹, 폴리머 또는 이들의 복합체 중 어느 하나의 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 다층형 캐리어 필름.The method according to claim 1,
The strained layer is formed of any one material selected from the group consisting of acrylate, silicone rubber, nitrile butadiene rubber (NBR), polyester, and epoxy,
Wherein the hard layer is formed of one of a metal, a ceramic, a polymer, and a composite material thereof. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 다층형 캐리어 필름을 이용하고,
상기 변형층을 상기 제1경도로 유지하면서 상기 다층형 캐리어 필름을 다수의 소자가 배열된 소스기판 측으로 밀착하여 상기 소스기판의 소자를 상기 다층형 캐리어 필름에 점착시키는 피킹 단계;
상기 변형층을 경화시켜 상기 변형층의 경도를 상기 제1경도에서 상기 제2경도로 변형시키는 경화 단계; 및
상기 변형층을 상기 제2경도로 유지하면서 상기 다층형 캐리어 필름을 타겟기판 측으로 밀착하여 상기 다층형 캐리어 필름의 소자를 상기 타켓기판에 점착시키는 플레이싱 단계;를 포함하며,
상기 다층형 캐리어 필름과 상기 소자 사이의 점착력은 상기 변형층의 경도에 반비례하는 것을 특징으로 하는 다층형 캐리어 필름을 이용한 소자 전사 방법.A multilayer carrier film according to any one of claims 1 to 3,
Layered carrier film while keeping the strained layer at the first hardness so as to adhere the element of the source substrate to the multi-layered carrier film by closely contacting the multi-layered carrier film to the source substrate side where a plurality of elements are arranged;
A curing step of curing the strained layer to transform the hardness of the strained layer from the first hardness to the second hardness; And
Layer carrier film to the target substrate while keeping the strained layer at the second hardness to adhere the device of the multilayer carrier film to the target substrate,
Wherein the adhesive strength between the multilayered carrier film and the device is inversely proportional to the hardness of the strained layer. 제4항에 있어서,
상기 다층형 캐리어 필름과 상기 소자와의 점착력은 상기 다층형 캐리어 필름을 상기 소스기판 또는 상기 타겟기판으로부터 이형시키는 이형속도에 비례하고,
상기 피킹 단계에서 상기 다층형 캐리어 필름을 상기 소스기판으로부터 이형시키는 제1이형속도는 상기 플레이싱 단계에서 상기 다층형 캐리어 필름을 상기 타겟기판으로부터 이형시키는 제2이형속도보다 큰 것을 특징으로 하는 다층형 캐리어 필름을 이용한 소자 전사 방법.5. The method of claim 4,
Wherein the adhesion between the multilayer carrier film and the device is proportional to a release speed at which the multilayer carrier film is released from the source substrate or the target substrate,
Wherein the first release rate at which the multilayer carrier film is released from the source substrate in the picking step is greater than the second release rate at which the multilayer carrier film is released from the target substrate in the flipping step. Method for transferring a device using a carrier film. 제4항에 있어서,
상기 변형층의 두께가 상기 경질층의 두께보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 다층형 캐리어 필름을 이용한 소자 전사 방법.5. The method of claim 4,
Wherein the thickness of the strained layer is larger than the thickness of the hard layer. 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 다층형 캐리어 필름을 이용한 소자 전사 방법을 이용하여 다수의 소자를 평판 상에 전사하여 전자제품을 제조하는 것을 특징으로 하는 전자제품 제조방법.A method for manufacturing an electronic product, comprising: transferring a plurality of elements onto a flat plate using a device transfer method using the multilayered carrier film according to any one of claims 4 to 6 to produce an electronic product.
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