KR20180034444A - Apparatus for detecting at least one characteristic of a medium and method for adjusting the signal of the apparatus - Google Patents

Apparatus for detecting at least one characteristic of a medium and method for adjusting the signal of the apparatus Download PDF

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KR20180034444A
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마르쿠스 룩스
토마스 파스투스츠카
네빈 아타이 가팔
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헬무트 바움가르트너
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로베르트 보쉬 게엠베하
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Abstract

본 발명은 매체의 적어도 하나의 특성을 검출하는 장치(110)에 관한 것이다. 장치(110)는 적어도 하나의 기판(112); 적어도 2개의 전기 접점(114); 및 적어도 하나의 밸런싱 저항(116)을 포함한다. 밸런싱 저항(116)은 2개의 전기 접점(114)을 연결선(118)을 따라 서로 전기적으로 연결하여, 전류가 상기 연결선(118)에 대해 평행하게 상기 전기 접점들(114) 사이로 흐를 수 있게 한다. 밸런싱 저항(116)은 상기 연결선(118)을 가로질러 연장 방향(120)으로 연장되고 폭(B)을 가지며, 상기 폭(B)은 연장 방향(120)을 따라 변한다.The invention relates to an apparatus (110) for detecting at least one characteristic of a medium. The apparatus 110 includes at least one substrate 112; At least two electrical contacts (114); And at least one balancing resistor (116). The balancing resistor 116 electrically connects the two electrical contacts 114 along the connecting line 118 to allow current to flow between the electrical contacts 114 in parallel with the connecting line 118. The balancing resistor 116 extends across the connecting line 118 in the extending direction 120 and has a width B which varies along the extending direction 120.

Description

매체의 적어도 하나의 특성을 검출하는 장치 및 상기 장치의 신호를 조정하는 방법Apparatus for detecting at least one characteristic of a medium and method for adjusting the signal of the apparatus

본 발명은 매체의 적어도 하나의 특성을 검출하는 장치 및 상기 장치의 신호를 조정하는 방법에 관한 것이다. 이러한 장치들은 예를 들어 자동차 기술에서, 특히 적어도 하나의 측정 변수를 검출하기 위해, 예를 들면 유체 매체의 적어도 하나의 특성을 검출하기 위해 사용된다. 예를 들어, 여기서는 센서 장치, 특히 세라믹 센서 장치, 예를 들어 람다 프로브 및/또는 NOx 센서가 언급된다. 본 발명은 원칙적으로 다른 사용 분야에도 사용될 수 있다.The invention relates to an apparatus for detecting at least one characteristic of a medium and a method for adjusting the signal of the apparatus. Such devices are used, for example, in automotive technology, in particular for detecting at least one measurement variable, for example for detecting at least one characteristic of a fluid medium. For example, a sensor device, particularly a ceramic sensor device, such as a lambda probe and / or a NOx sensor, is referred to herein. The invention can in principle also be used in other fields of application.

매체의 적어도 하나의 특성을 검출하기 위한 공지된 장치는 다수의 기술적 도전 과제를 갖는다. 일반적으로 센서 요소에 대한 시스템 저항의 조정이 필요하거나 또는 일반적으로 동일한 의미인, 예를 들어 신호 레벨을 조정하기 위한 또는 교정하기 위한 센서 장치의 소위 조정이 필요하다. 또한, 조정 정확도 및 공정 신뢰도의 개선을 보장할 수 있는 방법에 대한 요구가 커지고 있다.Known devices for detecting at least one characteristic of a medium have a number of technical challenges. In general, there is a need for adjustment of the system resistance to the sensor element, or so-called adjustment of the sensor device for adjusting or calibrating the signal level, which is generally the same meaning. In addition, there is a growing demand for a method that can ensure improvement in adjustment accuracy and process reliability.

본 발명의 과제는 공지된 장치 및 방법의 전술한 기술적 도전 과제를 적어도 대부분 해결한, 매체의 적어도 하나의 특성을 검출하는 장치 및 상기 장치의 신호를 조정하는 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide an apparatus for detecting at least one characteristic of a medium and a method for adjusting the signal of the apparatus, which at least largely solves the aforementioned technical challenges of the known apparatus and method.

본 발명에 따라, 공지된 장치 및 방법의 전술한 문제점들을 적어도 거의 피하는, 매체의 적어도 하나의 특성을 검출하는 장치 및 상기 장치의 신호를 조정하는 방법이 제안된다.According to the present invention, an apparatus for detecting at least one characteristic of a medium and a method for adjusting the signal of said apparatus, which at least substantially avoids the aforementioned problems of the known apparatus and method, is proposed.

매체의 적어도 하나의 특성을 검출하는 장치는 적어도 하나의 기판, 적어도 2개의 전기 접점 및 적어도 하나의 밸런싱 저항을 포함한다. 적어도 2개의 전기 접점 및 밸런싱 저항은 예를 들어 기판 상에 제공될 수 있다. 아래에서 더 상세히 설명되는 바와 같이, 기판은 예를 들어 세라믹 기판일 수 있다.An apparatus for detecting at least one characteristic of a medium includes at least one substrate, at least two electrical contacts and at least one balancing resistor. At least two electrical contacts and balancing resistors may be provided on the substrate, for example. As will be described in more detail below, the substrate may be, for example, a ceramic substrate.

밸런싱 저항은 적어도 하나의 연결선을 따라 2개의 전기 접점을 전기적으로 서로 연결하므로, 전류가 상기 연결선에 대해 팽행하게 전기 접점들 사이로 흐를 수 있게 된다. 밸런싱 저항은 연결선을 가로질러, 즉 연결선에 대해 0 ° 또는 180 ° 이외의 각으로, 특히 연결선에 대해 수직으로 연장 방향으로 연장되고 폭(B)을 갖는다. 폭(B)은 연장 방향을 따라 변한다. 연장 방향과 연결선 사이의 각은 70 °내지 110 °, 바람직하게는 80 ° 내지 100 °, 특히 바람직하게는 90 °일 수 있다.The balancing resistor electrically connects the two electrical contacts along at least one connection line so that current can flow through the electrical contacts as it expands relative to the connection line. The balancing resistance has a width B extending across the connection line, i.e. at an angle other than 0 ° or 180 ° to the connection line, in particular in the extension direction perpendicular to the connection line. The width B varies along the extension direction. The angle between the extension direction and the connecting line may be 70 ° to 110 °, preferably 80 ° to 100 °, particularly preferably 90 °.

본 발명과 관련하여, "기판"은 긴 형상 및 두께를 갖는 임의로 형성된 요소를 의미하며, 요소의 크기는 측면(lateral) 치수가 요소의 두께를 초과하는, 예를 들어 5의 팩터만큼, 바람직하게는 10의 팩터만큼 또는 더 바람직하게는 20의 팩터만큼 초과한다.In the context of the present invention, "substrate" means an arbitrarily formed element having a long shape and thickness, the size of the element being such that the lateral dimension exceeds the thickness of the element, for example by a factor of 5, Lt; RTI ID = 0.0 > 10 < / RTI > or more preferably by a factor of 20.

기판은 예를 들어 세라믹 기판일 수 있다. 기판은 예를 들어 산화알루미늄 및/또는 적어도 하나의 다른 금속 산화물을 포함할 수 있다. 기판은 특히 전기 절연 기판일 수 있어서, 기판에 의해 전기 접점들 사이에 전류 흐름이 이루어질 수 없거나 무시할만한 전류 흐름만이 이루어질 수 있다. 기판은 강성일 수 있지만, 예를 들어 기판이 완전히 또는 부분적으로 필름으로서, 예를 들어 세라믹 필름으로서 형성됨으로써 전체적으로 또는 부분적으로 가요성이거나 변형될 수 있다.The substrate may be, for example, a ceramic substrate. The substrate may comprise, for example, aluminum oxide and / or at least one other metal oxide. The substrate may be an electrically insulating substrate in particular, so that current flow between the electrical contacts by the substrate can be made or only negligible current flow can be made. The substrate may be rigid, but may be wholly or partly flexible or deformed, for example, by the substrate being formed completely or partially as a film, for example as a ceramic film.

본 발명과 관련해서 "밸런싱 저항"이라는 표현은 외부로부터의 개입에 의해 변할 수 있는 임의의 전기 저항을 의미한다. 특히, 장치는 적어도 하나의 센서 신호가 밸런싱 저항을 통해 탭되거나 검출될 수 있도록 설계될 수 있고, 밸런싱 저항의 변화에 의해 신호의 변화가 야기될 수 있으므로, 센서 신호의 교정 또는 조정이 밸런싱 저항의 변화에 의해 이루어질 수 있다. 조정은 특히 장치가 정확하게 규정된 조건 하에서 장치를 작동됨으로써 수행될 수 있고, 밸런싱 저항은 신호가 상기 정확하게 규정된 조건들에 부합하는 설정 신호에 상응할 때까지 변화된다. 원칙적으로 다른 조정 방법도 가능하다. 밸런싱 저항의 변화는 특히 아래에 더 상세히 설명되는 바와 같이 컷, 특히 레이저 컷에 의해 수행될 수 있으므로, 바람직하게는 밸런싱 저항의 적어도 하나의 표면이 레이저 빔에 접근 가능할 수 있다.The expression "balancing resistance" in the context of the present invention refers to any electrical resistance that can be changed by external intervention. In particular, the device can be designed so that at least one sensor signal can be tapped or detected through a balancing resistor, and a change in signal due to a change in balancing resistance can occur, It can be done by change. Adjustments may be made, in particular, by operating the device under conditions in which the device is precisely defined, and the balancing resistance is varied until the signal corresponds to a setting signal that meets the precisely defined conditions. In principle, other adjustments are possible. The change in the balancing resistance can be performed by a cut, particularly a laser cut, in particular as described in more detail below, so that preferably at least one surface of the balancing resistance can be accessible to the laser beam.

밸런싱 저항은 연장 방향을 따라 적어도 하나의 단면 수축부를 포함할 수 있다. 전기 접점들은 밸런싱 저항에, 특히 단면 수축부 상의 대향 면에 접촉할 수 있다. 밸런싱 저항의 폭(B)은 단면 수축부 외의 적어도 하나의 영역에서보다 단면 수축부에서 더 작을 수 있다. 밸런싱 저항은 적어도 하나의 제 1 영역에서 폭(B1)을 가질 수 있고, 적어도 하나의 제 2 영역에서는 폭(B1)과는 다른 폭(B2)을 가질 수 있다. 특히, 폭(B1)은 단면 수축부의 폭(B)에 상응할 수 있고, 제 2 영역은 단면 수축부 외의 영역에 상응할 수 있다. 이 경우, B1은 B2보다 작을 수 있다. 특히, 연장 방향을 따르는 밸런싱 저항의 길이는 적어도 1.5의 팩터만큼, 바람직하게는 2의 팩터만큼, 특히 바람직하게는 3의 팩터만큼 폭(B1)을 초과할 수 있다. 다른 실시 예도 원칙적으로 가능하다.The balancing resistance may include at least one cross sectional contraction along the extension direction. The electrical contacts may contact the balancing resistor, particularly the opposite surface on the cross-sectional contraction portion. The width B of the balancing resistance may be smaller in the cross-sectional contraction portion than in at least one region other than the cross-sectional contraction portion. The balancing resistance may have a width B1 in at least one first region and a width B2 different from the width B1 in at least one second region. In particular, the width B1 may correspond to the width B of the cross-sectional contraction portion, and the second region may correspond to a region other than the cross-sectional contraction portion. In this case, B1 may be less than B2. In particular, the length of the balancing resistor along the extension direction may exceed the width B1 by a factor of at least 1.5, preferably by a factor of 2, particularly preferably by a factor of 3. Other embodiments are also possible in principle.

"제 1" 및 "제 2" 영역이라는 표현은 순서 또는 순위를 나타내지 않는 그리고 예를 들어 여러 유형의 제 1 영역 및 여러 유형의 제 2 영역 또는 각각 정확히 하나의 유형이 제공될 수 있는 가능성을 배제하지 않는, 순수한 표현으로 간주되어 야 한다. 또한, 추가의 영역, 예를 들면 하나 또는 다수의 제 3 영역이 제공될 수 있다.The expressions "first" and "second" regions are used to denote the order or ranking and for example the possibility of providing different types of first regions and different types of second regions, Should be regarded as a pure expression. Further, additional areas, for example one or more third areas, may be provided.

밸런싱 저항은 단면 수축부로의 적어도 하나의 전이부에 경계부를 포함할 수 있다. 경계부는 연결선에 대해 대각선으로 연장할 수 있다. 대안으로서 또는 추가로, 경계부는 곡선으로 연장할 수 있다. 대안으로서 또는 추가로, 경계부는 각지게 연장할 수 있다. 밸런싱 저항은 뼈 형상, 덤벨 형상, 넓어진 단부를 가진 기둥 형상으로 이루어진 군에서 선택된 형상을 가질 수 있다. 다른 형상도 가능하다. 밸런싱 저항은 예컨대 좁은 내부 및 넓어진 단부를 가진 뼈 형상 또는 덤벨 형상을 가질 수 있고, 적어도 2개의 전기 접점은 예컨대 서로 대향하는 측면에서 좁은 내부에 접촉한다.The balancing resistance may include a boundary in at least one transition to the sectioned constriction. The boundary may extend diagonally relative to the connecting line. Alternatively or additionally, the boundary can extend in a curved line. Alternatively or additionally, the border can extend angled. The balancing resistance may have a shape selected from the group consisting of a bone shape, a dumbbell shape, and a columnar shape with a widened end. Other shapes are possible. The balancing resistors may have, for example, a bony or dumbbell shape with a narrow internal and widened end, and at least two electrical contacts are in contact with the narrow interior, e.g.

밸런싱 저항은 특히 직사각형 형상과는 다른 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 밸런싱 저항의 형상은 연장 방향 및/또는 상기 연장 방향에 대해 평행하게 연장하는 또는 상기 연장 방향 상에서 연장하는 대칭축에 대해 대칭, 특히 거울 대칭일 수 있다. 또한, 상기 연장 방향에 대해 수직으로 연장하는 추가 대칭 축에 대해 축 대칭도 주어질 수 있다.The balancing resistance may have a different shape from the rectangular shape in particular. For example, the shape of the balancing resistor may be symmetrical, in particular mirror symmetry, with respect to the extension direction and / or the axis of symmetry extending parallel to or extending in the extension direction. Axial symmetry may also be given for additional symmetry axes extending perpendicular to the direction of extension.

밸런싱 저항은 레이저 빔에 대해 접근 가능한 적어도 하나의 노출 표면을 포함할 수 있다.The balancing resistance may comprise at least one exposed surface accessible to the laser beam.

밸런싱 저항은 특히 후막 저항일 수 있다. "후막 저항"이라는 표현은 원칙적으로 후막 기술을 사용하여 제조되는 전기 저항을 나타낸다. 특히, 밸런싱 저항은 스크린 인쇄 공정에 의해 제공될 수 있다. 후막 저항은 예를 들어 전체적으로 또는 부분적으로 적어도 하나의 전도성 페이스트로 제조될 수 있다. 상기 페이스트는 특히 세라믹, 전도성 페이스트일 수 있다. 특히, 저항값들이 서로 다른, 다수의 상이한 전도성 페이스트가 제공될 수 있다. 하나 이상의 전도성 페이스트는 우선 원료로서 기판 상에 제공되고, 소결 공정에 의해 번 아웃될 수 있다. 특히, 밸런싱 저항은 높은 저항값, 특히 신호를 조정하는 방법을 실시한 후에 밸런싱 저항이 갖는 높은 종단 저항 값을 가질 수 있는데, 이는 하기에서 상세히 설명된다.The balancing resistance can be a thick film resistance in particular. The term "thick film resistor" refers in principle to the electrical resistance produced using thick film technology. In particular, the balancing resistance can be provided by a screen printing process. The thick film resistor may be made, for example, entirely or partially as at least one conductive paste. The paste may especially be a ceramic or a conductive paste. In particular, a plurality of different conductive pastes with different resistance values can be provided. The at least one conductive paste is first provided on the substrate as a raw material, and can be burned out by the sintering process. In particular, the balancing resistance can have a high resistance value, in particular a high termination resistance value of the balancing resistor after performing the method of adjusting the signal, which is described in detail below.

밸런싱 저항은 적어도 하나의 보호층을 포함할 수 있다. "보호층"이라는 표현은 원칙적으로 밸런싱 저항을 외부 영향, 특히 습기로부터 보호하도록 설계된 임의의 층을 의미한다. 보호층은 후막 기술, 특히 스크린 인쇄 공정에 의해 제조될 수 있다. 보호층은 예를 들어 중합체 재료를 포함할 수 있다. 특히, 보호층은 캡슐화 재료, 특히 유리 포함 캡슐화 재료를 포함할 수 있다. 캡슐화 재료는 특히 밸런싱 저항 상에 보호층 및/또는 절연 층을 형성하도록 구성될 수 있다. 원칙적으로 다른 재료도 가능하다. 예를 들어, 보호층의 두께는 2 ㎛ 내지 50 ㎛ 범위, 바람직하게는 5 ㎛ 내지 20 ㎛ 범위, 더욱 바람직하게는 7 ㎛ 내지 13 ㎛ 범위이다. 원칙적으로 다른 치수도 가능하다.The balancing resistance may comprise at least one protective layer. The expression "protective layer" refers in principle to any layer designed to protect the balancing resistance from external influences, in particular from moisture. The protective layer can be produced by thick film technology, in particular by a screen printing process. The protective layer may comprise, for example, a polymeric material. In particular, the protective layer may comprise an encapsulating material, in particular an encapsulating material, including glass. The encapsulation material may be configured to form a protective layer and / or an insulating layer, in particular on the balancing resistance. In principle, other materials are also possible. For example, the thickness of the protective layer is in the range of 2 탆 to 50 탆, preferably in the range of 5 탆 to 20 탆, more preferably in the range of 7 탆 to 13 탆. In principle, other dimensions are possible.

본 발명과 관련해서 "전기 접점"이라는 표현은 원칙적으로 전기 전도성 재료로 제조되며 기판 상에 장착되는 부품을 의미한다. 전기 접점들은 예를 들어 은 화합물, 바람직하게는 은 백금 또는 특히 바람직하게는 은 팔라듐으로 제조될 수 있다. 다른 재료들도 가능하다. 예를 들어, 전기 접점의 두께는 5 ㎛ 내지 50 ㎛의 범위, 바람직하게는 7 ㎛ 내지 20 ㎛의 범위, 특히 바람직하게는 11 ㎛ 내지 17 ㎛의 범위이다. 원칙적으로 다른 치수도 가능하다. 전기 접점은 예를 들어 후막 기술, 특히 스크린 인쇄 공정에 의해 기판에 제공될 수 있다. 원칙적으로 다른 공정도 사용될 수 있다. 전기 접점들은 기판의 평면 내에 2차원 연장을 갖는다. 전기 접점들은 특히 긴 형상을 가질 수 있다. 특히, 전기 접점은 연결선을 가로질러, 특히 연결선에 대해 수직으로 연장될 수 있다. 예를 들어, 2개의 전기 접점은 서로 평행하게 배치될 수 있다. 밸런싱 저항은 전기 접점들을 적어도 부분적으로 덮을 수 있다. 전기 접점들은 특히 도체 트랙으로서 형성될 수 있다.The expression "electrical contact" in the context of the present invention means, in principle, a part made of an electrically conductive material and mounted on a substrate. The electrical contacts may for example be made of a silver compound, preferably silver platinum or particularly preferably silver palladium. Other materials are possible. For example, the thickness of the electrical contact is in the range of 5 탆 to 50 탆, preferably in the range of 7 탆 to 20 탆, particularly preferably in the range of 11 탆 to 17 탆. In principle, other dimensions are possible. The electrical contacts can be provided to the substrate, for example by thick film technology, in particular by a screen printing process. In principle, other processes may be used. The electrical contacts have a two-dimensional extension in the plane of the substrate. The electrical contacts may have a particularly long shape. In particular, the electrical contact may extend across the connection line, in particular perpendicular to the connection line. For example, the two electrical contacts may be arranged parallel to each other. The balancing resistor may at least partially cover the electrical contacts. The electrical contacts can be formed particularly as conductor tracks.

본 발명과 관련하여, "연결선"이라는 표현은 원칙적으로 적어도 2개의 전기 접점을 서로 연결하는 기판의 평면 내의 가상 선을 나타낸다. 상기 적어도 2 개의 전기 접점은 바람직하게는 서로 평행하게 거리를 두고 배치될 수 있다. 예를 들어, 연결선은 2개의 전기 접점 사이의 최소 거리를 갖는 전기 접점의 두 점 사이에 또는 상기 두 점을 통해 연장될 수 있다. 예를 들어, 2개의 전기 접점 사이의 거리 또는 최소 거리가 d이고, P1이 전기 접점들 중 제 1 접점 상의 한 점이며, P2가 전기 접점들 중 제 2 접점 상의 한 점이고, P1과 P2 사이의 거리가 d이면, 연결선은 예를 들어 P1과 P2를 통해 연장될 수 있다.In the context of the present invention, the expression "connection line " refers in principle to an imaginary line in the plane of the substrate connecting at least two electrical contacts to one another. The at least two electrical contacts may preferably be disposed at a distance in parallel with each other. For example, the connection line may extend between two points of the electrical contact having a minimum distance between the two electrical contacts or through the two points. For example, if the distance or minimum distance between two electrical contacts is d, P1 is a point on the first one of the electrical contacts, P2 is one point on the second one of the electrical contacts, If the distance is d, the connection line may extend through P1 and P2, for example.

본 발명과 관련해서 "연장 방향"이라는 표현은 원칙적으로 연결선을 가로질러, 특히 연결선에 대해 수직으로 연장하며 밸런싱 저항의 주 연장 방향을 특징짓는 기판 평면 상의 가상 선을 나타낸다. 예를 들어, 상기 선은 밸런싱 저항의 긴 대칭 축 또는 밸런싱 저항의 길이방향 축을 형성하는 선일 수 있다.The expression "extending direction" in the context of the present invention refers in principle to a virtual line extending across the connecting line, in particular perpendicular to the connecting line and characterizing the main extending direction of the balancing resistance. For example, the line may be a long symmetry axis of the balancing resistance or a line forming the longitudinal axis of the balancing resistance.

상기 장치는 적어도 하나의 센서 요소를 더 포함할 수 있다. "센서 요소"라는 표현은 원칙적으로 매체의 적어도 하나의 특성을 검출하도록 설계된 임의의 요소를 의미한다. 센서 요소는 예를 들어 세라믹 센서 요소일 수 있다. 특히, 센서 요소는 적어도 하나의 고체 전해질 센서 요소를 포함할 수 있다. 본 발명과 관련하여, "고체 전해질"은 원칙적으로 전해질 특성, 즉 이온 전도성, 예를 들어 산소 이온 전도성을 갖는 고체를 의미한다. 특히, 이는 세라믹 고체 전해질일 수 있다. 예를 들어, 고체 전해질은 이산화지르코늄, 예를 들어 이트륨 또는 스칸듐 안정화된 이산화지르코늄을 포함할 수있다. 다른 실시 예도 가능하다.The device may further comprise at least one sensor element. The expression "sensor element" means, in principle, any element designed to detect at least one characteristic of the medium. The sensor element may be, for example, a ceramic sensor element. In particular, the sensor element may comprise at least one solid electrolyte sensor element. In the context of the present invention, "solid electrolyte" refers in principle to a solid having electrolyte properties, i. E. Ionic conductivity, for example oxygen ion conductivity. In particular, it may be a ceramic solid electrolyte. For example, the solid electrolyte can comprise zirconium dioxide, such as yttrium or scandium stabilized zirconium dioxide. Other embodiments are possible.

고체 전해질 센서 요소는 적어도 하나의 센서 셀을 포함할 수 있다. 센서 셀은 적어도 하나의 제 1 전극, 적어도 하나의 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극을 연결하는 적어도 하나의 고체 전해질을 포함할 수 있다. 제 1 및/또는 제 2 전극은 다공성의 전기 전도성 재료로 제조될 수 있다. 다공성의 전기 전도성 재료는 적어도 하나의 세라믹 금속 화합물, 특히 세라믹 재료, 특히 산화 알루미늄 또는 산화 지르코늄과 금속 매트릭스, 특히 백금 또는 팔라듐으로 이루어진 복합 재료를 포함할 수 있다.The solid electrolyte sensor element may comprise at least one sensor cell. The sensor cell may include at least one first electrode, at least one second electrode, and at least one solid electrolyte connecting the first electrode and the second electrode. The first and / or second electrode may be made of a porous, electrically conductive material. The porous, electrically conductive material may comprise at least one ceramic metal compound, in particular a ceramic material, especially a composite material consisting of aluminum oxide or zirconium oxide and a metal matrix, in particular platinum or palladium.

"제 1" 및 "제 2" 전극이라는 표현은 순서 또는 순위를 나타내지 않으며 예를 들어 여러 유형의 제 1 전극 및 여러 유형의 제 2 전극 또는 각각 정확히 하나의 유형이 제공될 수 있는 가능성이 배제되지 않는, 순수한 명칭으로 간주되어야 한다. 또한, 추가 전극, 예를 들어 하나 이상의 제 3 전극이 센서 셀 내에 존재할 수 있다.The expressions "first" and "second" electrodes do not denote an order or a rank and the possibility of, for example, the possibility of providing several types of first electrodes and different types of second electrodes, Should be regarded as a pure name. Further, additional electrodes, for example one or more third electrodes, may be present in the sensor cell.

센서 요소는 적어도 하나의 전기 접점에 전기적으로 연결될 수 있다. 센서 요소는 예를 들어 람다 프로브 또는 NOx 센서일 수 있다. 밸런싱 저항은 특히 센서 소자, 예컨대 람다 프로브 또는 NOx 센서의 적어도 하나의 신호 라인 또는 공급 라인에 배치될 수 있고 및/또는 적어도 하나의 신호 라인 또는 공급 라인에 전기적으로 연결될 수 있다.The sensor element may be electrically connected to at least one electrical contact. The sensor element may be, for example, a lambda probe or a NOx sensor. The balancing resistance may be arranged in particular on at least one signal line or supply line of the sensor element, for example a lambda probe or NOx sensor, and / or may be electrically connected to at least one signal line or supply line.

기본적으로, 단위 면적당 옴 저항은 밸런싱 저항의 두께 감소에 따라 증가할 수 있다. 그러므로 밸런싱 저항의 두께는 대안으로서 또는 추가로 가급적 작게 선택될 수 있다. 예를 들어, 밸런싱 저항의 두께는 5 ㎛ 내지 50 ㎛의 범위, 바람직하게는 7 ㎛ 내지 20 ㎛의 범위, 특히 바람직하게는 10 ㎛ 내지 13 ㎛의 범위일 수 있다. 원칙적으로 다른 치수도 가능하다. 밸런싱 저항의 저항값, 특히 종단 저항값이 증가할 수 있다. 밸런싱 저항의 단위 면적당 옴 저항은 원칙적으로 밸런싱 저항의 편향 및/또는 하나 이상의 전도성 페이스트의 선택 및/또는 소결 공정의 파라미터 및/또는 밸런싱 저항의 추가 치수, 특히 밸런싱 저항의 길이 및/또는 특히 밸런싱 저항의 폭(B1) 및/또는 밸런싱 저항의 폭(B2)에 따라 결정된다.Basically, the ohmic resistance per unit area can increase with decreasing thickness of the balancing resistance. The thickness of the balancing resistor may therefore be alternatively or additionally selected as small as possible. For example, the thickness of the balancing resistance may be in the range of 5 탆 to 50 탆, preferably in the range of 7 탆 to 20 탆, particularly preferably in the range of 10 탆 to 13 탆. In principle, other dimensions are possible. The resistance value of the balancing resistance, especially the terminal resistance value, may increase. The ohmic resistance per unit area of the balancing resistance is in principle a function of the balancing resistance deflection and / or the selection of one or more conductive pastes and / or the parameters of the sintering process and / or the additional dimensions of the balancing resistance, in particular the balancing resistance length and / And / or the width B2 of the balancing resistance.

상기 장치는 또한 연결선을 가로질러, 특히 연결선에 대해 수직으로 밸런싱 저항을 통한 적어도 컷을 포함할 수 있다. 이 컷은 장치가 완전히 조정된 상태에서 존재할 수 있으며 아래에 설명될 조정 프로세스 중에 형성될 수 있다. 본 발명과 관련해서 "컷"이라는 표현은 원칙적으로 밸런싱 저항의 분리 및/또는 분할을 나타낸다. 컷은 특히 L-형상을 가질 수 있다. 그러나 원칙적으로 다른 형상도 가능하다. L-형상은 긴 레그와 짧은 레그를 포함할 수 있다. 긴 레그는 연결선에 대해 평행하게 연장될 수 있다. 밸런싱 저항은 짧은 레그와 밸런싱 저항의 횡 측면 사이에 연장되는 나머지 면을 포함할 수 있다. 컷은 밸런싱 저항을 기판까지 완전히 관통할 수 있다. 컷은 밸런싱 저항의 옴 저항을 설정하도록 설계될 수 있다. 원칙적으로, 더 많은 양의 저항 페이스트의 사용에 의해 더 높은 종단 저항값이 달성될 수 있다.The device may also include at least a cut through the balancing resistance, perpendicular to the connecting line, particularly across the connecting line. This cut may be present with the device fully adjusted and may be formed during the adjustment process described below. The expression "cut " in connection with the present invention in principle indicates the separation and / or division of the balancing resistance. The cut may have an L-shape in particular. In principle, however, other shapes are possible. The L-shape may include long legs and short legs. The long legs may extend parallel to the connection line. The balancing resistor may include a short leg and a remaining face extending between the lateral sides of the balancing resistor. The cut can fully penetrate the balancing resistance to the substrate. The cut can be designed to set the ohmic resistance of the balancing resistor. In principle, a higher termination resistance value can be achieved by using a larger amount of resistive paste.

또한, 장치의 신호를 조정하는 방법이 제안된다. 이 방법은 아래에서 설명되는 단계들을 포함할 수 있다. 단계들은 예를 들어 소정의 순서로 실시될 수 있다. 그러나 다른 순서도 가능하다. 또한, 하나 이상의 단계가 동시에 또는 시간상 중첩되어 실시될 수 있다. 또한, 단계들 중 하나, 몇몇 또는 모두가 한번 또는 반복해서 실시될 수 있다. 상기 방법은 추가의 단계들을 더 포함할 수 있다.In addition, a method of adjusting the signal of the apparatus is proposed. The method may include the steps described below. The steps may be performed in a predetermined order, for example. However, other sequences are possible. Also, one or more steps may be performed simultaneously or over time. Also, one, some or all of the steps may be performed once or repeatedly. The method may further comprise additional steps.

본 발명에 따른 장치의 신호를 조정하는 방법은, 전술되었거나 후술될 실시 예들 중 하나에서와 같이, 다음 단계를 포함한다:The method of adjusting the signal of the device according to the invention, as in one of the embodiments described above or below, comprises the following steps:

a) 예를 들어 전술되었거나 후술될 실시 예들 중 하나 이상에서 본 발명에 따른 장치를 제공하는 단계;a) providing an apparatus according to the invention, for example in one or more of the embodiments described above or below;

b) 전기 접점들 간의 옴 저항을 검출하는 단계;b) detecting an ohmic resistance between the electrical contacts;

c) 밸런싱 저항을 통해 적어도 하나의 컷을 실시하는 단계.c) performing at least one cut through a balancing resistor.

컷의 길이 및/또는 기하학적 구조는 옴 저항이 미리 정해진 설정 값을 갖도록 선택된다. 따라서, 예를 들어, 밸런싱 저항의 옴 저항에 의존하는 적어도 하나의 측정 변수가 검출될 수 있고, 밸런싱 저항은 측정 변수가 측정 변수에 대한 설정 값에 상응할 때까지 컷에 의해 변화, 예를 들어 증가할 수 있어서, 옴 저항은 옴 저항에 대한 설정 값에 상응하게 된다. 예를 들어, 장치가 전술한 바와 같이 센서 요소를 포함하면, 이 센서 요소는 예를 들어 정확하게 규정된 조건 하에서 작동될 수 있고, 센서 요소의 적어도 하나의 측정값은 측정 변수로서 검출되어 설정값과 비교될 수 있다. 그러나 다른 조정 방법도 가능하다.The length and / or geometry of the cut is selected such that the ohmic resistance has a predetermined set value. Thus, for example, at least one measurement variable that depends on the ohmic resistance of the balancing resistor can be detected, and the balancing resistance is varied by the cut until the measurement variable corresponds to a setting for the measurement variable, e.g., So that the ohmic resistance corresponds to the set value for the ohmic resistance. For example, if the device comprises a sensor element as described above, the sensor element can be operated, for example, under precisely defined conditions, and at least one measurement value of the sensor element is detected as a measurement variable, Can be compared. However, other adjustments are possible.

컷은 연결선을 가로질러, 특히 연결선에 대해 수직으로 연장하는 직선을 포함할 수 있다. 먼저, 소정 길이를 가진 블라인드 컷이 실시될 수 있다. 본 발명과 관련해서 "블라인드 컷(blind cut)"이라는 표현은 원칙적으로 초기 컷(initial cut)을 의미하며, 이 초기 컷은 일반적으로 부분 단계에서 실시되고 그 길이는 공정의 끝에서의 컷보다 작다. 상기 초기 컷은 공정의 끝에서 전체 컷의 일부를 형성할 수 있다.The cut may comprise a straight line extending across the connecting line, in particular perpendicular to the connecting line. First, a blind cut having a predetermined length may be performed. The expression "blind cut" in the context of the present invention refers in principle to an initial cut, which is generally carried out in a partial step and whose length is smaller than the cut at the end of the process . The initial cut may form part of the entire cut at the end of the process.

이어서, 단계 b) 및 c)는 옴 저항이 설정 값을 가질 때까지 반복적으로 실시될 수 있다.Subsequently, steps b) and c) can be repeatedly performed until the ohmic resistance has a set value.

단계 c)는 특히 레이저 기술을 사용하여 실시될 수 있다. 특히, 단계 c)는 적어도 부분적으로 레이저 포인트들의 단계적인 클록식 설정을 포함할 수 있다. 옴 저항이 설정 값에 도달한 후에 추가 컷이 연결선에 대해 평행하게 수행될 수 있다.Step c) can be carried out in particular using laser technology. In particular, step c) may comprise, at least in part, a gradual clock equation setting of the laser points. Additional cuts may be performed parallel to the connection line after the ohmic resistance has reached the set point.

제안된 장치 및 방법은 공지된 장치 및 방법에 비해 많은 장점을 갖는다. 원칙적으로, 관련 조정 범위에서 그리고 높은 밸런싱 저항에서 공정 신뢰도 및 조정 정확도가 높아질 수 있다. 밸런싱 저항의 형상에 의해, 특히 공정 신뢰도와 관련하여 많은 장점들이 달성될 수 있다. 조정과 관련한 저항 범위, 특히 55Ω ~ 250Ω에서 저항 곡선은 훨씬 더 평평해질 수 있다. 이로 인해, 장치의 신호를 조정하는 방법에서, 상기 저항 범위의 설정 값이 더 정확하게 의도대로 달성될 수 있고, 밸런싱 저항의 면이 최적으로 사용될 수 있다.The proposed apparatus and method have many advantages over known apparatuses and methods. In principle, process reliability and adjustment accuracy can be increased in the relevant adjustment range and at high balancing resistances. By virtue of the shape of the balancing resistance, many advantages can be achieved, particularly with respect to process reliability. The resistance curves for the tuning range, especially 55 Ω to 250 Ω, can be much more flat. As a result, in the method of adjusting the signal of the apparatus, the set value of the resistance range can be more accurately achieved as intended, and the surface of the balancing resistance can be used optimally.

밸런싱 저항의 형상에 의해 원칙적으로 동일한 재료의 사용시 그리고 작은 면적에서 더 높은 종단 저항, 특히 최대 1400 Ω이 달성될 수 있다. 특히, 더 큰 잔류 웨브 폭이 달성될 수 있다.By virtue of the shape of the balancing resistors, higher termination resistances, in particular up to 1400 ohms, can be achieved in principle when using the same material and in smaller areas. In particular, a larger residual web width can be achieved.

밸런싱 저항의 형상에 의해 여러 가지 효과가 달성될 수 있다. 밸런싱 저항의 형상은 일련의 개별 전기 저항에 실질적으로 상응할 수 있다. 특히, 뼈 형상에 의해 개별 저항의 총 전기 저항은, 특히 전이 영역에서 더 높아지게 된다. 총 저항의 증가에 의해, 가능한 최대 총 저항과 설정 값 사이의 거리가 증가할 수 있고 잔류 웨브 폭이 증가할 수 있다.Various effects can be achieved by the shape of the balancing resistor. The shape of the balancing resistor may correspond substantially to a series of individual electrical resistances. In particular, the total electrical resistance of the individual resistors due to the shape of the bones becomes higher, especially in the transition region. By increasing the total resistance, the distance between the maximum possible total resistance and the set point can be increased and the residual web width can be increased.

장치의 제조 방법은 다음 단계를 포함할 수 있다: 전기 접점들, 특히 도체 트랙들이 기판 상에 인쇄될 수 있다. 그리고 나서, 밸런싱 저항이 인쇄될 수 있다. 방법의 추가 부분 단계는 보호층의 인쇄 또는 땜납 페이스트의 제공을 포함할 수 있다. 밸런싱 저항 및 추가 요소들은 도체 트랙들의 기하학적 구조에 따라 인쇄될 수 있다.The manufacturing method of the device may comprise the following steps: electrical contacts, in particular conductor tracks, can be printed on the substrate. Then, a balancing resistor can be printed. Additional sub-steps of the method may include printing a protective layer or providing a solder paste. The balancing resistors and additional elements can be printed according to the geometry of the conductor tracks.

높은 설정 값들은 밸런싱 저항의 형상, 특히 전술한 바와 같은 뼈 형상에 의해 달성될 수 있다. 대안으로서 또는 추가로, 밸런싱 저항의 두께가 변할 수 있다. 두께의 감소에 따라 단위 면적당 옴 저항이 증가할 수 있다. 대안으로서 또는 추가로 다수의 상이한 저항 페이스트가 제공될 수 있다. 저항 페이스트들은 상이한 저항값을 가질 수 있다.Higher set values can be achieved by the shape of the balancing resistor, especially the bone shape as described above. Alternatively or additionally, the thickness of the balancing resistor may vary. As the thickness decreases, the ohmic resistance per unit area may increase. Alternatively or additionally, a number of different resistance pastes may be provided. Resistive pastes may have different resistance values.

본 발명의 추가의 선택적인 세부 사항들 및 특징들은 도면에 개략적으로 도시된 바람직한 실시 예의 다음 설명에 제시된다.Additional optional details and features of the present invention are set forth in the following description of a preferred embodiment schematically depicted in the drawings.

도 1a, 도 1b 및 도 1c는 본 발명에 따른 장치의 실시 예의 평면도.
도 2는 컷 길이에 대한 본 발명에 따른 장치의 실시 예의 저항 곡선을 나타낸 그래프.
Figures 1a, 1b and 1c are plan views of an embodiment of the device according to the invention.
2 is a graph showing the resistance curve of an embodiment of the apparatus according to the invention for cut length;

도 1a, 도 1b 및 도 1c는 매체의 적어도 하나의 특성을 검출하기 위한 본 발명에 따른 장치(110)의 예시적인 실시 예를 도시한다. 장치(110)는 도 1a 내지 도 1c에 평면도로 도시된다.Figures 1A, 1B and 1C illustrate an exemplary embodiment of an apparatus 110 according to the present invention for detecting at least one characteristic of a medium. Apparatus 110 is shown in plan view in Figures 1A-1C.

장치(110)는 적어도 하나의 기판 (112), 적어도 2개의 전기 접점(114) 및 적어도 하나의 밸런싱 저항(116)을 포함한다. 바람직하게는 정확히 2개의 접점이 제공되는 전기 접점(114)은 바람직하게는 기판(112)에 제공된다. 밸런싱 저항(16)도 바람직하게는 기판에 제공되고, 전기 접점(114)과 밸런싱 저항(116)은 부분적으로 중첩될 수 있다.Apparatus 110 includes at least one substrate 112, at least two electrical contacts 114, and at least one balancing resistor 116. The electrical contact 114, preferably provided with exactly two contacts, is preferably provided on the substrate 112. The balancing resistor 16 is also preferably provided in the substrate, and the electrical contact 114 and the balancing resistor 116 may be partially overlapping.

기판(112)은 예를 들어 박스형 또는 판형 기본 형상을 가질 수 있다. 필름 형상도 가능하다. 기판(112)은 예를 들어 완전히 또는 부분적으로 세라믹 재료로 제조될 수 있다. 예를 들어, 기판은 산화알루미늄을 포함할 수 있다. 예를 들어, 유리 섬유 강화 플라스틱 재료 및/또는 폴리이미드와 같은 다른 재료도 원칙적으로 가능하다.The substrate 112 may have, for example, a box-like or plate-like basic shape. A film shape is also possible. The substrate 112 may be made, for example, completely or partially from a ceramic material. For example, the substrate may comprise aluminum oxide. Other materials such as glass fiber reinforced plastic materials and / or polyimide, for example, are also possible in principle.

밸런싱 저항(116)은 전기 접점(120)을 연결선(118)을 따라 서로 전기적으로 연결하므로, 전류가 연결선(118)에 대해 평행하게 전기 접점들(114) 사이로 흐를 수 있게 된다. 밸런싱 저항(116)은 연결선(118)을 가로질러, 특히 연결선(118)에 대해 수직으로 연장 방향(120)으로 연장된다. 밸런싱 저항(116)은 연장 방향(120)을 따라 변하는 폭(B)을 갖는다.The balancing resistor 116 electrically connects the electrical contacts 120 along the connecting line 118 so that current can flow between the electrical contacts 114 in parallel to the connecting line 118. The balancing resistor 116 extends in the extending direction 120 perpendicular to the connecting line 118, particularly across the connecting line 118. The balancing resistor 116 has a width B that varies along the direction of extension 120.

밸런싱 저항(116)은 연장 방향(120)을 따라 적어도 하나의 단면 수축부(122)를 포함한다. 폭(B)은 단면 수축부(122)에서 단면 수축부 외의 적어도 하나의 영역(124)에서보다 좁을 수 있다. 밸런싱 저항(116)은 단면 수축부로의 적어도 하나의 전이부(126)에 경계부(128)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 경계부(128)는 연결선(118)에 대해 대각선으로 연장할 수 있다. 밸런싱 저항(16)은 적어도 하나의 제 1 영역(130)에서 폭(B1)을 가질 수 있고 적어도 하나의 제 2 영역(132)에서 폭(B2)을 가질 수 있다. 밸런싱 저항(116)은 특히 뼈 형상 또는 덤벨 형상을 가질 수 있다.The balancing resistor 116 includes at least one cross-sectional constriction 122 along the extension direction 120. The width B may be narrower in at least one region 124 outside the cross-sectional constriction at the cross-sectional constriction 122. [ The balancing resistor 116 may include a boundary 128 in at least one transition 126 to the cross-sectional constriction. For example, the boundary 128 may extend diagonally relative to the connecting line 118. The balancing resistor 16 may have a width B1 in at least one first region 130 and a width B2 in at least one second region 132. [ The balancing resistor 116 may have a bony or dumbbell shape in particular.

밸런싱 저항(116)은 적어도 하나의 노출 표면(134)을 포함할 수 있다. 노출 표면(134)은 레이저 빔에 대해 접근 가능할 수 있다. 장치(110)는 밸런싱 저항(116)을 통한 적어도 하나의 컷(136)을 포함할 수 있다. 특히, 상기 컷은 연결선(118)을 가로지를 수 있고, 특히 연결선(118)에 대해 수직일 수 있다. 컷(136)은 특히 L-형상을 가질 수 있다. L-형상은 긴 레그(138) 및 짧은 레그(140)를 포함할 수 있다. 긴 레그(138)는 연결선(118)에 대해 평행하게 연장할 수 있다. 밸런싱 저항(116)은 특히 짧은 레그(140)와 밸런싱 저항(116)의 횡 측면(144) 사이에 연장되는 나머지 면(142)을 포함할 수 있다. 컷(136)은 밸런싱 저항(116)의 오믹 저항을 설정하도록 설계될 수 있다. 컷(136)은 밸런싱 저항(16)을 기판(12)까지 완전히 관통할 수 있다.The balancing resistor 116 may include at least one exposed surface 134. The exposed surface 134 may be accessible to the laser beam. The device 110 may include at least one cut 136 through a balancing resistor 116. In particular, the cut may traverse the connecting line 118, in particular perpendicular to the connecting line 118. The cut 136 may have an L-shape in particular. The L-shape may include long legs 138 and short legs 140. The long leg 138 may extend parallel to the connection line 118. The balancing resistor 116 may include a remaining surface 142 that extends between the short leg 140 and the transverse side 144 of the balancing resistor 116. The cut 136 may be designed to set the ohmic resistance of the balancing resistor 116. The cuts 136 may completely penetrate the balancing resistors 16 to the substrate 12.

전기 접점들(114)은 예를 들어 은 백금 또는 은 팔라듐과 같은 전기 전도성 재료로 제조될 수 있다. 전기 접점들(114)은 기판의 표면(145) 상에 연장될 수 있다. 전기 접점들(114)은 연결선(118)을 가로질러, 특히 연결선(118)에 대해 수직으로 연장될 수 있다. 전기 접점들(114)은 서로 평행하게 배치될 수 있다. 밸런싱 저항(116)은 전기 접점들(114)을 적어도 부분적으로 덮을 수 있다. 전기 접점들(114)은 센서 요소에 연결될 수 있다.The electrical contacts 114 may be made of an electrically conductive material such as, for example, platinum or silver palladium. Electrical contacts 114 may extend on the surface 145 of the substrate. The electrical contacts 114 may extend perpendicularly to the connecting line 118, particularly to the connecting line 118. The electrical contacts 114 may be disposed parallel to each other. The balancing resistor 116 may at least partially cover the electrical contacts 114. Electrical contacts 114 may be connected to the sensor element.

도 1b 및 도 1c는 본 발명에 따른 장치(110)의 다른 실시 예들을 도시한다. 실시 예들의 많은 부분이 도 1a에 도시된 장치(110)에 상응하므로, 상기 설명이 참조될 수 있다. 도 1b의 장치(110)는 경계부(128)가 곡선으로 연장되는 밸런싱 저항(116)을 포함한다. 도 1c의 장치(110)는 경계부가 각지게 연장되는 밸런싱 저항(116)을 포함한다.1B and 1C illustrate other embodiments of an apparatus 110 according to the present invention. Since much of the embodiments correspond to the device 110 shown in FIG. 1A, the above description can be referred to. The apparatus 110 of FIG. 1B includes a balancing resistor 116 with a boundary 128 extending in a curve. The device 110 of Figure 1C includes a balancing resistor 116 across which the boundaries extend.

도 2는 본 발명에 따른 장치(110)의 예시적인 실시 예의 저항 곡선(146, 148, 150), 및 직사각형 기본 형상을 갖는 밸런싱 저항을 포함하는 장치의 저항 곡선(152, 154, 156)을 도시한다. 옴 단위의 전기 저항(W)은 밀리미터 단위의 컷 길이(L)에 대해 도시된다. 조정은 특히 저항 범위(A)에서, 예를 들어 55 Ω 내지 250 Ω 범위에서 이루어질 수 있다. 저항 곡선들(146 내지 156)은 저항 범위(A)에서 평평하게 상승할 수 있다. 본 발명에 따른 장치들(110)의 저항 곡선(146, 148 및 150)은 직사각형 밸런싱 저항을 포함하는 장치에서보다 저항 범위(A)에서 더 평평하게 상승할 수 있다. 저항 곡선(146 내지 156)에서 저항 범위의 상한(A1)에는 접선(T1 또는 T2)이 놓이고, 상기 접선(T1 또는 T2)과 상기 저항 범위(A)의 상한(A1) 사이의 각(W1 또는 W2)이 검출될 수 있다. 본 발명에 따른 장치(110)의 실시 예의 저항 곡선(146, 148 및 150)의 각(W2)은 직사각형 밸런싱 저항을 포함하는 장치의 저항 곡선들(152, 154, 156)의 각(W1)보다 작을 수 있다. 결과적으로, 특히 더 높은 공정 신뢰도가 달성될 수 있다.Figure 2 shows resistance curves 152,154 and 156 of the device including the resistance curves 146,141 and 150 of the exemplary embodiment of the device 110 according to the present invention and a balancing resistor having a rectangular basic shape do. The electrical resistance W in ohms is shown for the cut length L in millimeters. The adjustment can be made in the resistance range (A), for example, in the range of 55 내지 to 250.. The resistance curves 146 to 156 may rise flat in the resistance range A. [ The resistive curves 146, 148 and 150 of the devices 110 according to the present invention may rise more flatly in the resistance range A than in a device comprising a rectangular balancing resistance. The tangent line T1 or T2 is placed at the upper limit A1 of the resistance range in the resistance curves 146 to 156 and the angle W1 between the tangent line T1 or T2 and the upper limit A1 of the resistance range A Or W2) can be detected. The angle W2 of the resistance curves 146, 148 and 150 of the embodiment of the device 110 according to the invention is less than the angle W1 of the resistance curves 152, 154 and 156 of the device comprising the rectangular balancing resistance Can be small. As a result, especially higher process reliability can be achieved.

또한, 본 발명에 따른 장치(110)의 실시 예의 저항 곡선들(146, 148 및 150)은 직사각형 밸런싱 저항을 포함하는 장치의 실시 예의 저항 곡선(152, 154 및 156)보다 더 큰 종단 저항, 특히 1400 Ω 까지의 종단 저항을 갖는다.The resistive curves 146, 148 and 150 of the embodiment of the device 110 according to the present invention also have a greater termination resistance than the resistance curves 152, 154 and 156 of the embodiment of the device comprising a rectangular balancing resistance, It has a termination resistance up to 1400 Ω.

110 장치
112 기판
114 전기 접점
116 밸런싱 저항
118 연결선
120 연장 방향
122 단면 수축부
134 노출 표면
136 컷
110 device
112 substrate
114 Electrical contacts
116 Balancing resistance
118 Connector
120 Extension Direction
122 Sectional Shrinkage
134 exposed surface
136 cuts

Claims (10)

매체의 적어도 하나의 특성을 검출하는 장치(110)로서, 상기 장치(110)는
- 적어도 하나의 기판(112);
- 적어도 2개의 전기 접점(114); 및
- 적어도 하나의 밸런싱 저항(116)을 포함하고,
상기 밸런싱 저항(116)은 상기 2개의 전기 접점(114)을 연결선(118)을 따라 서로 전기적으로 연결하여 전류가 상기 연결선(118)에 대해 평행하게 상기 전기 접점들(114) 사이로 흐를 수 있게 하고, 상기 밸런싱 저항(116)은 상기 연결선(118)을 가로질러 연장 방향(120)으로 연장되고 폭(B)을 가지며, 상기 폭(B)은 상기 연장 방향(120)을 따라 변하는, 매체의 적어도 하나의 특성을 검출하는 장치.
An apparatus (110) for detecting at least one characteristic of a medium, the apparatus (110) comprising:
At least one substrate (112);
At least two electrical contacts 114; And
- at least one balancing resistor (116)
The balancing resistor 116 electrically couples the two electrical contacts 114 along the connecting line 118 to allow current to flow between the electrical contacts 114 parallel to the connecting line 118 , Said balancing resistor (116) extending across the connection line (118) in a direction of extension (120) and having a width (B), said width (B) A device for detecting a characteristic.
제 1 항에 있어서, 상기 밸런싱 저항(116)은 상기 연장 방향(120)을 따라 적어도 하나의 단면 수축부(122)를 포함하고, 상기 단면 수축부(122)의 폭(B)은 상기 단면 수축부(122) 외의 적어도 하나의 영역에서보다 작은, 매체의 적어도 하나의 특성을 검출하는 장치.The apparatus of claim 1, wherein the balancing resistor (116) includes at least one cross-sectional shrinkage portion (122) along the extension direction (120) Is smaller than at least one region other than the portion (122). 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 밸런싱 저항(116)은 뼈 형상, 덤벨 형상, 넓어진 단부를 가진 기둥 형상으로 이루어진 군에서 선택된 형상을 갖는, 매체의 적어도 하나의 특성을 검출하는 장치.The apparatus of any preceding claim, wherein the balancing resistor (116) has a shape selected from the group consisting of a bone shape, a dumbbell shape, and a columnar shape with a widened end. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 밸런싱 저항(116)은 적어도 하나의 노출 표면(134)을 포함하고, 상기 노출 표면(134)은 레이저 빔에 대해접근 가능한, 매체의 적어도 하나의 특성을 검출하는 장치.A method as claimed in any one of the preceding claims, wherein the balancing resistor (116) comprises at least one exposed surface (134), the exposed surface (134) A device for detecting a characteristic. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장치(110)는 적어도 하나의 센서 요소를 더 포함하고, 상기 센서 요소는 상기 전기 접점들(114) 중 적어도 하나에 전기적으로 연결되는, 매체의 적어도 하나의 특성을 검출하는 장치.5. Device according to any one of claims 1 to 4, wherein the device (110) further comprises at least one sensor element, the sensor element being electrically connected to at least one of the electrical contacts (114) And detect at least one characteristic of the medium. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장치(110)는 상기 연결선(118)을 가로질러 상기 밸런싱 저항(116)을 통해 적어도 하나의 컷(136)을 포함하는, 매체의 적어도 하나의 특성을 검출하는 장치.6. Device according to any one of claims 1 to 5, wherein the device (110) comprises at least one cut (136) through the balancing resistor (116) across the connecting line (118) A device for detecting a characteristic. 제 6 항에 있어서, 상기 컷(136)은 L-형상인, 매체의 적어도 하나의 특성을 검출하는 장치.7. The apparatus of claim 6, wherein the cut (136) is L-shaped. 매체의 적어도 하나의 특성을 검출하는 장치(110)의 신호를 조정하는 방법에 있어서,
a) 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 장치(110)를 제공하는 단계;
b) 전기 접점들(114) 사이의 옴 저항(ohmic resistance)을 검출하는 단계;
c) 밸런싱 저항(116)을 통한 적어도 하나의 컷(136)을 실시하는 단계를 포함하고,
상기 컷(136)의 길이 및/또는 기하학적 구조는 옴 저항이 미리 정해진 설정 값을 갖도록 선택되는, 신호를 조정하는 방법.
A method of adjusting a signal of an apparatus (110) for detecting at least one characteristic of a medium,
A method comprising: a) providing an apparatus (110) according to any one of claims 1 to 7;
b) detecting an ohmic resistance between the electrical contacts 114;
c) implementing at least one cut (136) through the balancing resistor (116)
The length and / or geometry of the cut (136) is selected such that the ohmic resistance has a predetermined set value.
제 8 항에 있어서, 상기 단계들 b) 및 c)는 상기 옴 저항이 상기 미리 정해진 설정 값을 가질 때까지 반복적으로 실시되는, 신호를 조정하는 방법.9. The method of claim 8, wherein the steps b) and c) are repeatedly performed until the ohmic resistance has the predetermined set value. 제 9 항에 있어서, 상기 옴 저항이 상기 설정 값에 도달한 후에, 추가 컷이 연결선(118)에 대해 평행하게 수행되는, 신호를 조정하는 방법.10. The method of claim 9, wherein additional cuts are performed parallel to the connection line (118) after the ohmic resistance reaches the set point.
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