KR20180033848A - Apparatus for supplying gas and substrate process system - Google Patents

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KR20180033848A KR1020160123324A KR20160123324A KR20180033848A KR 20180033848 A KR20180033848 A KR 20180033848A KR 1020160123324 A KR1020160123324 A KR 1020160123324A KR 20160123324 A KR20160123324 A KR 20160123324A KR 20180033848 A KR20180033848 A KR 20180033848A
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김동헌
엄민우
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멜콘 주식회사
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Abstract

A gas supplying apparatus for supplying a gas, the temperature and humidity of which are adjusted, to a substrate processing apparatus comprises: a gas inflow unit which introduces a gas from the outside; a blowing unit supplying the introduced gas to a plurality of gas supply passages; a heating unit positioned on each of the gas supply passages and heating the gas introduced into each of the gas supply passages; a humidifying unit positioned on each of the gas supply passages and humidifying the gas introduced into each of the gas supply passages; and a gas supply unit supplying the gas, the temperature and humidity of which are adjusted, from each of the gas supply passages to the substrate processing apparatus. Moreover, the plurality of gas supply units supply the gas to different processing chambers of the substrate processing apparatus.

Description

기체 공급 장치 및 기판 처리 시스템{APPARATUS FOR SUPPLYING GAS AND SUBSTRATE PROCESS SYSTEM}[0001] APPARATUS FOR SUPPLYING GAS AND SUBSTRATE PROCESS SYSTEM [0002]

본 발명은 기체 공급 장치 및 기판 처리 시스템에 관한 것이다. The present invention relates to a gas supply apparatus and a substrate processing system.

기판 처리 시스템은, 기판에 대한 포토리소그래피(photolithography) 공정을 수행하는 기판 처리 장치 및 포토리소그래피 공정이 적합한 온도 및 습도에서 수행되도록 기판 처리 장치에 유체를 공급하는 유체 공급 장치로 이루어진다The substrate processing system comprises a substrate processing apparatus for performing a photolithography process on a substrate and a fluid supply apparatus for supplying a fluid to the substrate processing apparatus such that the photolithography process is performed at a suitable temperature and humidity

이때, 유체 공급 장치에서 공급되는 유체는 기판 처리 장치로부터 연장된 배관을 통해 기판 처리 장치로 공급된다. 또한, 유체 공급 장치는 외부에서 공급되는 기체의 온도 및 습도를 조절하여 기판 처리 장치에 공급하는 기체공급유닛을 포함한다. At this time, the fluid supplied from the fluid supply device is supplied to the substrate processing apparatus through the pipe extending from the substrate processing apparatus. Further, the fluid supply device includes a gas supply unit for regulating the temperature and humidity of the gas supplied from the outside and supplying the gas to the substrate processing apparatus.

도 3은 종래의 기판 처리 시스템을 도시한 도면이다. 도 3을 참조하면, 종래의 기판 처리 시스템은 기판에 특정한 처리를 하는 메인 장비(300), 메인 장비(300)에 온도 및 습도가 조절된 유체를 공급하는 서브 장비(310), 서브 장비(310)로부터 공급되는 기체를 배관(330)을 통해 메인 장비(300)로 공급하는 송풍구(320)를 포함할 수 있다.3 is a view showing a conventional substrate processing system. Referring to FIG. 3, a conventional substrate processing system includes a main apparatus 300 for performing a specific process on a substrate, a sub apparatus 310 for supplying temperature and humidity controlled fluid to the main apparatus 300, And a blowing port 320 for supplying the gas supplied from the main body 300 to the main equipment 300 through the pipe 330.

서브 장비(310)는 유체 공급 장치로서, 온도 및 습도가 조절된 기체를 공급할 수 있다. 서브 장비(310)에서 온도 및 습도가 조절된 기체는 송풍부(320)를 거쳐 하나의 배관(330)을 통해 메인 장비(300)로 공급되었다. 여기서, 메인 장비(300)는 다양한 반도체 공정을 처리하기 위한 복수의 처리 챔버를 포함할 수 있다.The sub-equipment 310 is a fluid supply device capable of supplying temperature and humidity controlled gases. The gas whose temperature and humidity are controlled in the sub equipment 310 is supplied to the main equipment 300 through one piping 330 via the blowing unit 320. Here, the main equipment 300 may include a plurality of processing chambers for processing various semiconductor processes.

온도 및 습도가 조절된 기체는 배관(330)을 통해 메인 장비(300)의 어느 한 처리 챔버(340)로 공급되고, 처리 챔버(340)로 공급된 기체는 처리 챔버(340)에서 다른 처리 챔버로 재공급된다.The temperature and humidity controlled gas is supplied to the one processing chamber 340 of the main apparatus 300 through the pipe 330 and the gas supplied to the processing chamber 340 is supplied to the processing chamber 340 from the other processing chamber 340. [ .

한편, 최근 포토리소그래피 공정과 같은 반도체 공정이 미세화됨에 따라 반도체 공정이 행해지는 처리 챔버의 온도 및 습도가 더욱 정밀하게 제어될 필요가 있다. 즉, 반도체 공정이 미세화됨에 따라 소자의 특성 및 생산 수율이 온도 및 습도에 더욱 민감하게 작용하게 되었다.On the other hand, as the semiconductor process such as the photolithography process has recently become finer, the temperature and humidity of the process chamber in which the semiconductor process is performed needs to be controlled more precisely. That is, as the semiconductor process is miniaturized, the characteristics of the device and the yield of production are more sensitive to temperature and humidity.

하지만, 종래의 기판 처리 시스템에 따르면, 서브 장비(310)는 메인 장비(300)의 특정 구역(예컨대, 기체가 공급되는 처리 챔버(340))의 환경 만을 모니터링하여, 해당 처리 챔버(340)의 환경에 따라 기체의 온도 및 습도가 조절되므로, 각 처리 챔버의 환경 변환에 따라 각 처리 챔버에 공급되는 기체의 온도 및 습도를 정밀하게 제어하지 못하는 문제점이 있었다.However, according to the conventional substrate processing system, the sub equipment 310 monitors only the environment of a specific area of the main equipment 300 (for example, the processing chamber 340 to which the gas is supplied) The temperature and the humidity of the gas to be supplied to the respective processing chambers can not be precisely controlled according to the environmental change of the respective processing chambers.

또한, 처리 챔버(340)로 공급된 기체가 다른 처리 챔버로 재공급 되는 과정에서 기체의 온도 및 습도가 변하여 각 처리 챔버의 환경을 정밀하게 제어하지 못하는 문제점이 있었다.In addition, there is a problem that the environment of each processing chamber can not be precisely controlled because the temperature and humidity of the gas change during the process of supplying the gas to the processing chamber 340 again to the other processing chamber.

선행 문헌: 대한민국 특허 공개번호 10- 2014-0163552호. Prior Art: Korean Patent Publication No. 10- 2014-0163552.

본 발명의 발명자들은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여, 기판 처리 장치의 각 처리 챔버의 환경을 독립적으로 모니터링 및 제어함으로써, 미세화된 반도체 공정에 있어서 소자의 생산성을 향상시킬 수 있음을 발견하였다. 또한, 본 발명의 발명자들은 기판 처리 장치의 각 처리 챔버에서 수행되는 공정에 따라 각 처리 챔버의 환경을 독립적으로 제어함으로써, 미세화된 반도체 공정에 있어서 소자의 생산성을 향상시킬 수 있음을 발견하였다.The inventors of the present invention have found that it is possible to improve the productivity of a device in a miniaturized semiconductor process by independently monitoring and controlling the environment of each process chamber of the substrate processing apparatus in order to solve the problems of the above- . Further, the inventors of the present invention have found that the productivity of a device in a micronized semiconductor process can be improved by independently controlling the environment of each process chamber according to a process performed in each process chamber of the substrate processing apparatus.

이를 위해, 본원은 복수의 채널을 통해 각 처리 챔버로 각 처리 챔버의 환경에 적합한 기체를 공급하여, 각 처리 챔버의 환경을 정밀하게 제어하고자 한다.To this end, the present application intends to provide a gas suitable for the environment of each processing chamber to each processing chamber through a plurality of channels, thereby precisely controlling the environment of each processing chamber.

다만, 본 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 상기된 바와 같은 기술적 과제들로 한정되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들이 존재할 수 있다.It is to be understood, however, that the technical scope of the present invention is not limited to the above-described technical problems, and other technical problems may exist.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 수단으로서, 본 발명의 일 실시예는, 외부로부터 기체가 유입되는 기체 유입부, 상기 유입된 기체를 복수의 기체 공급로에 공급하는 송풍부, 상기 복수의 기체 공급로의 각 기체 공급로 상에 위치하고, 상기 각 기체 공급로에 유입된 기체를 가열하는 가열부, 상기 각 기체 공급로 상에 위치하고, 상기 각 기체 공급로에 유입된 기체를 가습하는 가습부 및 상기 각 기체 공급로로부터 상기 온도 및 습도가 조절된 기체를 상기 기판 처리 장치로 공급하는 기체 공급부를 포함하고, 상기 복수의 기체 공급부는 상기 기판 처리 장치의 서로 다른 처리 챔버로 상기 기체를 공급하는 기체 공급 장치를 제공할 수 있다. According to an aspect of the present invention, there is provided a gas supply system including: a gas inflow portion for introducing gas from the outside; a blowing portion for supplying the introduced gas to a plurality of gas supply paths; A heating unit positioned on each of the gas supply paths for heating the gas introduced into each of the gas supply paths, a humidifying unit located on each of the gas supply paths for humidifying the gas introduced into each of the gas supply paths, And a gas supply unit for supplying the gas having the temperature and humidity adjusted from the gas supply passages to the substrate processing apparatus, wherein the plurality of gas supply units supply the gas to the different processing chambers of the substrate processing apparatus, Device can be provided.

일례에 따르면, 상기 각 기체 공급로는 상기 송풍부로부터 공급되는 기체의 유량을 제어하는 유량 제어부를 포함할 수 있다. According to an example, each of the gas supply passages may include a flow rate control unit for controlling a flow rate of gas supplied from the blowing unit.

일례에 따르면, 상기 서로 다른 처리 챔버 각각의 온도 및 습도를 모니터링하고, 상기 모니터링 결과에 따라 상기 각 기체 공급로에 유입된 기체의 온도 및 습도를 달리 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다. 상기 제어부는 상기 모니터링 결과에 따라 상기 송풍부로부터 상기 각 기체 공급로에 공급되는 기체의 유량을 달리 제어할 수 있다. According to an example, the apparatus may further include a controller for monitoring temperature and humidity of each of the different processing chambers, and controlling the temperature and humidity of the gas introduced into each of the gas supply passages according to the monitoring result. The controller may control the flow rate of the gas supplied to the respective gas supply passages from the blowing unit according to the monitoring result.

일례에 따르면, 상기 기체 유입부로부터 유입된 기체의 온도 및 습도를 제어하고, 상기 온도 및 습도가 제어된 기체를 상기 송풍부로 공급하는 냉동부를 더 포함할 수 있다. According to an exemplary embodiment, the apparatus may further include a freezing unit for controlling the temperature and humidity of the gas introduced from the gas inlet and supplying the gas with the temperature and humidity control to the gas outlet.

일례에 따르면, 상기 복수의 기체 공급로는 제 1 기체 공급로 및 제 2 기체 공급로를 포함하고, 상기 기체 공급부는 상기 제 1 기체 공급로로부터 상기 온도 및 습도가 조절된 기체를 상기 기판 처리 장치로 공급하는 제 1 기체 공급부 및 상기 제 2 기체 공급로로부터 상기 온도 및 습도가 조절된 기체를 상기 기판 처리 장치로 공급하는 제 2 기체 공급부를 포함할 수 있다. According to one example, the plurality of gas supply passages include a first gas supply path and a second gas supply path, and the gas supply unit supplies the temperature and humidity-controlled gas from the first gas supply path to the substrate processing apparatus And a second gas supply unit for supplying the substrate with the temperature and humidity adjusted from the second gas supply path to the substrate processing apparatus.

일례에 따르면, 상기 가열부는 상기 제 1 기체 공급로 상에 위치하는 제 1 가열부 및 상기 제 2 기체 공급로 상에 위치하는 제 2 가열부를 포함할 수 있다. 상기 가습부는 상기 제 1 기체 공급로 상에 위치하는 제 1 가습부 및 상기 제 2 기체 공급로 상에 위치하는 제 2 가습부를 포함할 수 있다. According to one example, the heating unit may include a first heating unit positioned on the first gas supply path and a second heating unit positioned on the second gas supply path. The humidifying unit may include a first humidification unit located on the first gas supply path and a second humidification unit located on the second gas supply path.

일례에 따르면, 상기 제 1 기체 공급부는 상기 기판 처리 장치에서 수행되는 제 1 공정을 위한 제 1 처리 챔버로 상기 기체를 공급하고, 상기 제 2 기체 공급부는 상기 기판 처리 장치에서 수행되는 제 2 공정을 위한 제 2 처리 챔버로 상기 기체를 공급할 수 있다. According to an example, the first gas supply unit supplies the gas to a first processing chamber for a first process performed in the substrate processing apparatus, and the second gas supply unit processes a second process performed in the substrate processing apparatus The second processing chamber for supplying the gas to the second processing chamber.

일례에 따르면, 제 1 항에 따른 기체 공급 장치 및 상기 기체 공급 장치로부터 상기 기체를 공급받아 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 포함하는 기판 처리 시스템을 제공할 수 있다. According to one example, there can be provided a substrate processing system including the gas supply apparatus according to the first aspect and a substrate processing apparatus that receives the gas from the gas supply apparatus and processes the substrate.

상술한 과제 해결 수단은 단지 예시적인 것으로서, 본 발명을 제한하려는 의도로 해석되지 않아야 한다. 상술한 예시적인 실시예 외에도, 도면 및 발명의 상세한 설명에 기재된 추가적인 실시예가 존재할 수 있다.The above-described task solution is merely exemplary and should not be construed as limiting the present invention. In addition to the exemplary embodiments described above, there may be additional embodiments described in the drawings and the detailed description of the invention.

전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 어느 하나에 의하면, 본원은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 온도 및 습도가 조절된 기체를 복수의 채널을 통해 공급하는 기체 공급 장치 및 기판 처리 시스템을 제공할 수 있다. According to one aspect of the present invention, there is provided a gas supply apparatus for supplying a gas having a temperature and humidity adjusted through a plurality of channels, Can be provided.

복수의 채널을 통해 각 처리 챔버로 각 처리 챔버의 환경에 적합한 기체를 공급하여, 각 처리 챔버의 환경을 정밀하게 제어할 수 있다.A gas suitable for the environment of each processing chamber can be supplied to each processing chamber through a plurality of channels to precisely control the environment of each processing chamber.

기판 처리 장치의 각 처리 챔버의 환경을 독립적으로 모니터링 및 제어함으로써, 미세화된 반도체 공정에 있어서 소자의 생산성을 향상시킬 수 있다.By independently monitoring and controlling the environment of each processing chamber of the substrate processing apparatus, it is possible to improve the productivity of the device in the miniaturized semiconductor process.

기판 처리 장치의 각 처리 챔버에서 수행되는 공정에 따라 각 처리 챔버의 환경을 독립적으로 제어함으로써, 미세화된 반도체 공정에 있어서 소자의 생산성을 향상시킬 수 있다.By controlling the environment of each processing chamber independently according to the process performed in each process chamber of the substrate processing apparatus, the productivity of the device in the miniaturized semiconductor process can be improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기체 공급 장치의 측면도이다.
도 3은 종래의 기판 처리 시스템을 도시한 도면이다. 1 is a view showing a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
2 is a side view of a gas supply apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing a conventional substrate processing system.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, which will be readily apparent to those skilled in the art. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and similar parts are denoted by like reference characters throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미하며, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. Throughout the specification, when a part is referred to as being "connected" to another part, it includes not only "directly connected" but also "electrically connected" with another part in between . Also, when an element is referred to as "including" an element, it is to be understood that the element may include other elements as well as other elements, And does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

본 명세서에 있어서 '부(部)'란, 하드웨어에 의해 실현되는 유닛(unit), 소프트웨어에 의해 실현되는 유닛, 양방을 이용하여 실현되는 유닛을 포함한다. 또한, 1 개의 유닛이 2 개 이상의 하드웨어를 이용하여 실현되어도 되고, 2 개 이상의 유닛이 1 개의 하드웨어에 의해 실현되어도 된다.In this specification, the term " part " includes a unit realized by hardware, a unit realized by software, and a unit realized by using both. Further, one unit may be implemented using two or more hardware, or two or more units may be implemented by one hardware.

본 명세서에 있어서 단말 또는 디바이스가 수행하는 것으로 기술된 동작이나 기능 중 일부는 해당 단말 또는 디바이스와 연결된 서버에서 대신 수행될 수도 있다. 이와 마찬가지로, 서버가 수행하는 것으로 기술된 동작이나 기능 중 일부도 해당 서버와 연결된 단말 또는 디바이스에서 수행될 수도 있다.In this specification, some of the operations or functions described as being performed by the terminal or the device may be performed in the server connected to the terminal or the device instead. Similarly, some of the operations or functions described as being performed by the server may also be performed on a terminal or device connected to the server.

이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 일 실시예를 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 도시한 도면이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예가 적용되는 기판 처리 시스템(1)은 기판에 특정한 처리를 하는 메인 장비(100), 메인 장비(100)에 온도 및 습도가 조절된 기체를 공급하는 서브 장비(110), 서브 장비(110)로부터 공급되는 기체를 메인 장비(100)로 복수의 배관(130)을 통해 공급하는 기체 공급부(120)를 포함할 수 있다. 1 is a view showing a substrate processing system according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, a substrate processing system 1 to which an embodiment of the present invention is applied includes a main device 100 for performing a specific process on a substrate, a sub-device 100 for supplying temperature and humidity controlled gas to the main device 100, And a gas supply unit 120 for supplying the gas supplied from the sub equipment 110 to the main equipment 100 through a plurality of pipes 130.

본 발명의 일 실시예에서, 메인 장비(100)는 기판 처리 장치이며, 예를 들어, 포토리소그래피(Photolithography) 공정을 처리하는 장치일 수 있다. 예를 들어, 메인 장비(300)는 다양한 공정을 처리하기 위한 복수의 처리 챔버를 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the main equipment 100 is a substrate processing apparatus and may be, for example, an apparatus for processing a photolithography process. For example, the main equipment 300 may include a plurality of processing chambers for processing various processes.

또한, 서브 장비(110)는 기체 공급 장치로서, 온도 및 습도가 조절된 기체 및 온도가 조절된 액체를 공급할 수 있다. 복수의 배관(130)은 메인 장비(100)의 각 처리 챔버에 연결되어, 각 처리 챔버로 온도 및 습도가 제어된 기체가 독립적으로 공급될 수 있다.In addition, the sub-equipment 110 may be a gas supply device capable of supplying temperature and humidity controlled gas and temperature controlled liquid. A plurality of pipes 130 are connected to the respective processing chambers of the main equipment 100 so that the temperature and humidity-controlled gases can be independently supplied to the respective processing chambers.

서브 장비(110)는 온도 및 습도가 조절된 기체를 공급하는 기체공급유닛(111) 및 온도가 조절된 액체를 공급하는 액체공급유닛(112)을 포함할 수 있다. 참고로, 도 1에 도시한 바와 같이, 기체공급유닛(111) 및 액체공급유닛(112)은 복층으로 배치될 수 있으며, 메인 장비(100)가 서브 장비(110)의 상측에 위치하는 배치를 통해 공간의 활용도를 높일 수 있다. 이하, 도 2를 통해 본 발명의 일 실시예에 따른 서브 장비(110)의 구성에 대해서 상세히 설명하도록 한다. 여기서, 서브 장비(110)는 기체 공급 장치일 수 있다. The sub equipment 110 may include a gas supply unit 111 for supplying a temperature and humidity controlled gas and a liquid supply unit 112 for supplying a temperature-controlled liquid. 1, the gas supply unit 111 and the liquid supply unit 112 may be arranged in a plurality of layers, and the arrangement in which the main equipment 100 is located on the upper side of the sub equipment 110 The utilization of the space can be increased. Hereinafter, the configuration of the sub equipment 110 according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. Here, the sub equipment 110 may be a gas supply device.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기체 공급 장치의 정면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 기체 공급 장치(110)는 냉동기 시스템과 온도습도제어기(THC, Temperature Humidity Controller)가 결합된 시스템으로, 도 2에 도시한 바와 같이 기체의 온도 및 습도를 조절하기 위하여 다수의 유닛을 포함하여 구성될 수 있다. 기체 공급 장치(110)는 기체공급유닛(111) 및 액체공급유닛(112)을 포함할 수 있다. 2 is a front view of a gas supply apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIGS. 1 and 2, the gas supply device 110 is a system in which a refrigerator system and a temperature and humidity controller (THC) are combined, and the temperature and humidity of the gas are adjusted as shown in FIG. And may include a plurality of units. The gas supply device 110 may include a gas supply unit 111 and a liquid supply unit 112.

기체공급유닛(111)은 기체 유입부(210), 냉동부(220), 송풍부(230), 기체 공급로(240), 유량 제어부(250), 가열부(260), 가습부(270), 기체 공급부(120) 및 제어부(290)를 포함할 수 있다. The gas supply unit 111 includes a gas inflow section 210, a freezing section 220, a blowing section 230, a gas supply path 240, a flow rate control section 250, a heating section 260, a humidifying section 270, A gas supply unit 120, and a control unit 290, as shown in FIG.

기체 유입부(210)는 외부로부터 기체(200)가 유입될 수 있다. 이 때, 기체유입부(210)는 도 2에 도시된 바와 같이, 냉동부(220)의 좌측에 위치할 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 하부 또는 측부 중 적어도 하나 이상의 부분에 위치할 수 있다.The gas inlet portion 210 may allow the gas 200 to flow from the outside. 2, the gas inlet 210 may be located on the left side of the freezing unit 220, but not limited thereto, and may be located on at least one of the lower side and the side.

냉동부(220)는 냉동기 시스템으로서, 증발기(221), 응축기(222), 압축기(223) 및 재열기(224)를 포함하며, 기체 유입부(210)로부터 유입된 기체의 온도 및 습도를 제어하고, 온도 및 습도가 제어된 기체를 송풍부(230)로 공급할 수 있다. The freezing part 220 is a refrigerator system that includes an evaporator 221, a condenser 222, a compressor 223 and a reheater 224 and controls the temperature and humidity of the gas introduced from the gas inlet 210 And the temperature and humidity-controlled gas can be supplied to the blowing unit 230.

증발기(221)는 기체 유입부(210)를 통해 외부로부터 유입된 기체를 응축기(222)로부터 공급되는 저온저압의 냉매액을 통해 기체의 온도를 하강시킬 수 있다. 이 때, 저온저압의 냉매액은, 응축기(222)로 공급된 냉각수로 인해 고온고압의 냉매가스가 고온고압의 냉매액으로 응축되어 팽창밸브(미도시)로 전달되고 응축된 고온고압의 냉매액은 팽창밸브(미도시)에 의해 저온저압의 냉매액으로 변환되어 증발기(221)로 공급될 수 있다. The evaporator 221 can lower the temperature of the gas flowing through the gas inlet 210 from the outside through the low-temperature and low-pressure refrigerant supplied from the condenser 222. At this time, the low-temperature and low-pressure refrigerant liquid condenses the high-temperature and high-pressure refrigerant gas into the refrigerant liquid of high temperature and high pressure due to the cooling water supplied to the condenser 222 and is transferred to the expansion valve (not shown) Temperature low-pressure refrigerant liquid by an expansion valve (not shown) and supplied to the evaporator 221.

예를 들어, 증발기(221)는 기체 유입부(210)로 유입된 기체(200)의 온도를 23℃에서 9℃로 하강시킬 수 있으며, 증발기(221)는 온도가 하강된 기체를 재열기(224)로 전달할 수 있다. 또한, 증발기(221)는 기체와 저온저압의 냉매액과의 열교환을 통해 발생된 저온저압의 냉매가스를 압축기(223)로 되돌릴 수 있다. 팽창밸브(미도시)는 고온고압의 냉매액을 저온저압의 냉매액으로 변환시킬 수 있다. For example, the evaporator 221 can lower the temperature of the gas 200 flowing into the gas inlet 210 from 23 ° C to 9 ° C, and the evaporator 221 can heat the lowered gas 224, respectively. Also, the evaporator 221 can return the low-temperature low-pressure refrigerant gas generated through the heat exchange between the gas and the refrigerant liquid at low temperature and low pressure to the compressor 223. The expansion valve (not shown) can convert the high temperature and high pressure refrigerant liquid into the low temperature and low pressure refrigerant liquid.

응축기(222)는 고온고압의 냉매가스를 고온고압의 냉매액으로 응축시킬 수 있다. 압축기(223)는 저온저압의 냉매가스를 고온고압의 냉매가스로 압축시킬 수 있다. The condenser 222 can condense the high temperature and high pressure refrigerant gas into the high temperature and high pressure refrigerant liquid. The compressor 223 can compress the low-temperature low-pressure refrigerant gas into a high-temperature high-pressure refrigerant gas.

재열기(224)는 증발기(221)로부터 전달된 기체를 압축기로부터 공급된 고온고압의 냉매가스를 통해 재가열할 수 있다. 예를 들어, 재열기(224)는 증발기(221)로부터 공급되는 기체의 온도를 9℃에서 20℃로 재가열하여 송풍부(230)로 공급할 수 있다. The reheater 224 can reheat the gas delivered from the evaporator 221 through the high temperature and high pressure refrigerant gas supplied from the compressor. For example, the reheater 224 may reheat the temperature of the gas supplied from the evaporator 221 from 9 ° C to 20 ° C and supply the reheated gas to the blower 230.

송풍부(230)는 유입된 기체를 복수의 기체 공급로(240)에 공급할 수 있다. 송풍부(230)는 팬과 모터를 구비하여, 모터를 이용하여 팬을 구동시켜 기류를 형성하는 송풍기를 포함할 수 있다. 여기서, 기류란 기체 유입부(210)로 유입되어 기체 공급부(120)로 토출되는 기류일 수 있다.The blowing section 230 can supply the introduced gas to the plurality of gas supply passages 240. The blowing unit 230 may include a fan and a motor, and may include a blower that drives the fan using a motor to form an airflow. Here, the air flow may be an air stream that flows into the gas inlet 210 and is discharged to the gas supplier 120.

복수의 기체 공급로(240)는 송풍부(230)와 기판 처리 장치(100)를 연결하는 배관을 통해 기체를 공급하도록 구성될 수 있다. The plurality of gas supply passages 240 may be configured to supply gas through a pipe connecting the feed-in unit 230 and the substrate processing apparatus 100.

예를 들어, 복수의 기체 공급로(240)는 4개의 기체 공급로로 구성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제 1 기체 공급로(241)는 송풍부(230)로부터 기판 처리 장치(100)의 제 1 처리 챔버와 연결된 제 1 기체 공급부(281)와 연결되도록 연장될 수 있으며, 제 2 기체 공급로(242)는 송풍부(230)로부터 기판 처리 장치(100)의 제 2 처리 챔버와 연결된 제 2 기체 공급부(282)와 연결되도록 연장될 수 있으며, 제 3 기체 공급로(243)는 송풍부(230)로부터 기판 처리 장치(100)의 제 3 처리 챔버와 연결된 제 3 기체 공급부(283)와 연결되도록 연장될 수 있으며, 제 4 기체 공급로(244)는 송풍부(230)로부터 기판 처리 장치(100)의 제 4 처리 챔버와 연결된 제 4 기체 공급부(284)과 연결되도록 연장될 수 있다. For example, the plurality of gas supply paths 240 may be composed of four gas supply paths, but the present invention is not limited thereto. The first gas supply path 241 may extend from the airflow supply part 230 to be connected to the first gas supply part 281 connected to the first processing chamber of the substrate processing apparatus 100 and the second gas supply path 242 The third gas supply passage 243 may be extended from the air supply portion 230 to the second gas supply portion 282 connected to the second processing chamber of the substrate processing apparatus 100, And the fourth gas supply passage 244 may extend from the air supply portion 230 to the substrate processing apparatus 100 so as to be connected to the third gas supply portion 283 connected to the third processing chamber of the substrate processing apparatus 100, And the fourth gas supply unit 284 connected to the fourth process chamber of the second gas supply unit 284.

유량 제어부(250)는 복수의 콘트롤 밸브를 포함하며, 송풍부(230)로부터 각 기체 공급로(241, 242, 243, 244)로 공급되는 기체의 유량을 제어할 수 있다. The flow controller 250 includes a plurality of control valves and is capable of controlling the flow rate of the gas supplied to the gas supply passages 241, 242, 243, and 244 from the blower 230.

예를 들어, 유량 제어부(250)는 송풍부(230)로부터 제 1 기체 공급로(241), 제 2 기체 공급로(242), 제 3 기체 공급로(243) 및 제 4 기체 공급로(244)로 공급되는 기체의 유량을 제어할 수 있다. For example, the flow rate controller 250 controls the flow rate of the first gas supply channel 241, the second gas supply channel 242, the third gas supply channel 243, and the fourth gas supply channel 244 Can be controlled.

가열부(260)는 복수의 기체 공급로(240)의 각 기체 공급로(241, 242, 243, 244) 상에 위치하고, 복수의 히터를 포함할 수 있다. 각 가열부(261, 262, 263, 264)는 각 기체 공급로(241, 242, 243, 244)에 유입된 기체를 가열할 수 있다. 예를 들어, 가열부(260)는 제 1 기체 공급로(241) 상에 위치하는 제 1 가열부(261), 제 2 기체 공급로(242) 상에 위치하는 제 2 가열부(262), 제 3 기체 공급로(243) 상에 위치하는 제 3 가열부(263) 및 제 4 기체 공급로(244) 상에 위치하는 제 4 가열부(264)를 포함하며, 각 기체 공급로(241, 242, 243, 244)에서 유입된 기체의 온도를 20℃에서 23℃로 가열할 수 있다. The heating section 260 is disposed on each of the gas supply paths 241, 242, 243, and 244 of the plurality of gas supply paths 240 and may include a plurality of heaters. The heating sections 261, 262, 263, and 264 can heat the gas introduced into the gas supply passages 241, 242, 243, and 244. For example, the heating section 260 includes a first heating section 261 located on the first gas supply path 241, a second heating section 262 located on the second gas supply path 242, And a fourth heating portion 264 positioned on the third heating portion 263 and the fourth gas supply path 244 located on the third gas supply path 243 and each of the gas supply paths 241, 242, 243, 244) can be heated from 20 占 폚 to 23 占 폚.

가습부(270)는 각 기체 공급로(241, 242, 243, 244) 상에 위치하고, 가습조(미도시)를 포함할 수 있다. 각 가습부(271, 272, 273, 274)는 각 기체 공급로(241, 242, 243, 244)에 유입된 기체를 가습할 수 있다. 가습부(260)는 적어도 하나 이상의 히터를 이용하여 가습용 순수 또는 액체를 가열함으로써, 각 기체 공급로(241, 242, 243, 244)에 유입된 기체의 습도를 조절할 수 있다. 예를 들어, 가습부(260)는 제 1 기체 공급로(241) 상에 위치하는 제 1 가습부(271), 제 2 기체 공급로(242) 상에 위치하는 제 2 가습부(272), 제 3 기체 공급로(243) 상에 위치하는 제 3 가습부(273) 및 제 4 기체 공급로(244) 상에 위치하는 제 4 가습부(274)를 포함하며, 각 기체 공급로(241, 242, 243, 244)에서 유입된 기체의 습도를 41%에서 45%로 가습할 수 있다. The humidifying portion 270 is located on each of the gas supply passages 241, 242, 243, and 244 and may include a humidifier (not shown). Each of the humidifying units 271, 272, 273, and 274 can humidify gas introduced into each of the gas supply passages 241, 242, 243, and 244. The humidifying unit 260 can regulate the humidity of the gas introduced into the gas supply passages 241, 242, 243, and 244 by heating the pure water or the liquid for humidification using at least one heater. For example, the humidifying unit 260 includes a first humidification unit 271 located on the first gas supply path 241, a second humidifying unit 272 located on the second gas supply path 242, A third humidifier 273 located on the third gas supply passage 243 and a fourth humidifier 274 located on the fourth gas supply passage 244. The gas supply passages 241, 242, 243, 244) can humidify the humidity of the incoming gas from 41% to 45%.

기체 공급부(120)는 각 기체 공급로(241, 242, 243, 244)에 해당하는 복수의 기체 공급부(120)로 구성되며, 각 기체 공급로(241, 242, 243, 244)로부터 온도 및 습도가 조절된 기체를 기판 처리 장치(110)로 공급할 수 있다. The gas supply unit 120 includes a plurality of gas supply units 120 corresponding to the respective gas supply paths 241, 242, 243 and 244 and receives temperature and humidity from the gas supply paths 241, 242, 243, To the substrate processing apparatus 110. The substrate processing apparatus 110 may be a substrate processing apparatus.

각 기체 공급부(120)는 각 배관(130)(도 1)을 통해 기판 처리 장치(110)의 서로 다른 처리 챔버에 연결되어, 각 처리 챔버로 온도 및 습도가 제어된 기체를 독립적으로 공급할 수 있다. 예를 들어, 제 1 기체 공급부(281)는 제 1 기체 공급로(241)로부터 온도 및 습도가 조절된 기체를 기판 처리 장치(110)의 제 1 처리 챔버로 공급하고, 제 2 기체 공급부(282)는 제 2 기체 공급로(242)로부터 온도 및 습도가 조절된 기체를 기판 처리 장치(110)의 제 2 처리 챔버로 공급하고, 제 3 기체 공급부(283)는 제 3 기체 공급로(243)로부터 온도 및 습도가 조절된 기체를 기판 처리 장치(110)의 제 3 처리 챔버로 공급하고, 제 4 기체 공급부(284)는 제 4 기체 공급로(244)로부터 온도 및 습도가 조절된 기체를 기판 처리 장치(110)의 제 4 처리 챔버로 공급할 수 있다. 여기서, 각 처리 챔버에 공급될 기체의 온도, 습도 및 유량은 각 처리 챔버의 환경(온도 및 습도)에 따라 모두 상이할 수 있다.Each gas supply unit 120 is connected to different processing chambers of the substrate processing apparatus 110 through respective pipes 130 (FIG. 1), and can independently supply temperature and humidity controlled gases to the respective processing chambers . For example, the first gas supply unit 281 supplies the temperature and humidity controlled gas from the first gas supply path 241 to the first processing chamber of the substrate processing apparatus 110, and the second gas supply unit 282 The third gas supply unit 283 supplies the temperature and humidity controlled gas from the second gas supply path 242 to the second processing chamber of the substrate processing apparatus 110 and the third gas supply unit 283 supplies the temperature and humidity- And the fourth gas supply unit 284 supplies the temperature and humidity controlled gas from the fourth gas supply path 244 to the third processing chamber of the substrate processing apparatus 110, To the fourth processing chamber of the processing apparatus 110. Here, the temperature, humidity, and flow rate of the gas to be supplied to each processing chamber may be all different depending on the environment (temperature and humidity) of each processing chamber.

다른 예를 들어, 기체 공급부(120)는 각 배관(130)(도 1)을 통해 기판 처리 장치(110)에서 수행되는 공정에 따라 서로 다른 처리 챔버에 연결되어 각 처리 챔버로 온도 및 습도가 제어된 기체를 독립적으로 공급할 수 있다. 공정은 예를 들어, Resist Coater 공정, Bottom Anti-Reflective Coater 공정, Immersion Top Coater 공정, Developer 공정 등을 포함할 수 있다. 제 1 기체 공급부(281)는 제 1 공정(예컨대, Resist Coater 공정)을 위한 제 1 처리 챔버로 기체를 공급하고, 제 2 기체 공급부(282)는 제 2 공정(예컨대, Bottom Anti-Reflective Coater 공정)을 위한 제 2 처리 챔버로 기체를 공급하고, 제 3 기체 공급부(283)는 제 3 공정(예컨대, Immersion Top Coater 공정)을 위한 제 3 처리 챔버로 기체를 공급하고, 제 4 기체 공급부(284)는 제 4 공정(예컨대, Developer 공정)을 위한 제 4 처리 챔버로 기체를 공급할 수 있다. 여기서, 각 처리 챔버에 공급될 기체의 온도, 습도 및 유량은 각 처리 챔버의 환경(온도 및 습도) 및 공정의 특성에 따라 모두 상이할 수 있다.Alternatively, the gas supply unit 120 may be connected to different processing chambers through the respective piping 130 (FIG. 1) according to the process performed in the substrate processing apparatus 110, so that the temperature and humidity are controlled Gas can be supplied independently. The process may include, for example, a Resist Coater process, a Bottom Anti-Reflective Coater process, an Immersion Top Coater process, a Developer process, and the like. The first gas supply unit 281 supplies gas to a first process chamber for a first process (e.g., a resist coating process) and the second gas supply unit 282 processes a second process (e.g., a bottom anti-reflective coating process And the third gas supply unit 283 supplies gas to the third process chamber for the third process (e.g., Immersion Top Coater process), and the fourth gas supply unit 284 May supply the gas to a fourth process chamber for a fourth process (e.g., a developer process). Here, the temperature, humidity, and flow rate of the gas to be supplied to each of the processing chambers may be different depending on the environment (temperature and humidity) of each processing chamber and the characteristics of the process.

제어부(290)는 기체 공급 장치(110)에서 실행되는 각종 처리를 제어하기 위한 제어 프로그램, 즉 레시피가 저장된 기억부를 포함한다. 예를 들어, 제어부(290)는 서로 다른 처리 챔버 각각의 온도 및 습도를 모니터링하고, 모니터링 결과에 따라 각 기체 공급로(241, 242, 243, 244)를 통해 기판 처리 장치(110)로 공급될 기체의 온도 및 습도를 달리 제어할 수 있다. 또한, 제어부(290)는 모니터링 결과에 따라 송풍부(230)로부터 각 기체 공급로(241, 242, 243, 244)를 통해 기판 처리 장치(110)로 공급될 기체의 유량을 달리 제어할 수 있다.The control unit 290 includes a control program for controlling various processes executed in the gas supply device 110, that is, a storage unit in which a recipe is stored. For example, the control unit 290 monitors the temperature and humidity of each of the different processing chambers, and supplies the substrate to the substrate processing apparatus 110 through the gas supply paths 241, 242, 243, and 244 The temperature and humidity of the gas can be controlled differently. The control unit 290 may control the flow rate of the gas to be supplied to the substrate processing apparatus 110 through the gas supply paths 241, 242, 243, and 244 from the power supply unit 230 according to the monitoring result .

이에 따라, 기판 처리 장치(110)의 각 처리 챔버의 온도 및 습도를 독립하여 제어할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(100)의 각 처리 챔버의 환경을 정밀하게 제어할 수 있다.Thus, the temperature and humidity of each processing chamber of the substrate processing apparatus 110 can be independently controlled. In addition, the environment of each processing chamber of the substrate processing apparatus 100 can be precisely controlled.

기체공급유닛(111)은 냉동부(220)의 상부에 송풍부(230)가 위치하며, 송풍부(230)의 측부로부터 연장된 복수의 기체 공급로 상에 가열부(260) 및 가습부(270)가 위치할 수 있다. The gas supply unit 111 includes a heating unit 260 and a humidifying unit (not shown) disposed on a plurality of gas supply paths extending from the side of the gas supply unit 230, 270 may be located.

액체공급유닛(112)은 액체를 기판 처리 장치(110)로 공급하는 장비로서, 칠러(Chiller) 장비일 수 있다. The liquid supply unit 112 is a device for supplying liquid to the substrate processing apparatus 110, and may be a chiller equipment.

기체공급유닛(111)에서는 외부로부터 유입된 기체가 화살표를 따라 상층으로 이동하게 된다. In the gas supply unit 111, the gas introduced from the outside moves along the arrow to the upper layer.

이 때, 기체유입부(210)를 통해 유입된 기체(200)는 냉동부(220)를 통해 냉각 또는 가열되어 온도가 조절된다. 그리고, 상술한 바와 같이 온도가 조절된 기체는 송풍부(230)를 통과하고, 송풍부(230)에 유입된 기체는 가열부(260)를 통해 온도가 조절되고, 가열부(260)에서 온도가 조절된 기체는 가습부(270)를 통해 습도가 조절되고, 온도 및 습도가 기체는 기체 공급부(120)를 통해 기판 처리 장치(110)측으로 배출될 수 있다. At this time, the base 200 flowing through the gas inlet 210 is cooled or heated through the freezer 220 to adjust the temperature. The gas whose temperature has been controlled as described above passes through the blowing unit 230 and the gas introduced into the blowing unit 230 is adjusted in temperature through the heating unit 260 and heated by the heating unit 260 And the temperature and humidity of the gas can be discharged to the substrate processing apparatus 110 side through the gas supply unit 120. [

이와 같이, 기체공급유닛(111) 및 액체공급유닛(112)에는 이상에서 설명한 유닛들 외에도 유체 공급을 위한 다수의 유닛이 각각 더 포함될 수 있으며, 각 유닛에 대한 설명은 본 발명의 핵심과 크게 관련되지 않는 바 편의상 생략하도록 하겠다. As described above, the gas supply unit 111 and the liquid supply unit 112 may further include a plurality of units for supplying fluids in addition to the units described above, and description of each unit is greatly related to the core of the present invention I will skip it for convenience.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다. It will be understood by those skilled in the art that the foregoing description of the present invention is for illustrative purposes only and that those of ordinary skill in the art can readily understand that various changes and modifications may be made without departing from the spirit or essential characteristics of the present invention. will be. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. For example, each component described as a single entity may be distributed and implemented, and components described as being distributed may also be implemented in a combined form.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

100: 메인 장비(기판 처리 장치)
110: 서브 장비(기체 공급 장치)
120: 기체 공급부
130: 배관
200: 기체
210: 기체 유입부
220: 냉동부
221: 증발기
222: 응축기
223: 압축기
224: 재열기
230: 송풍부
240: 기체 공급로
250: 유량 제어부
260: 가열부
270: 가습부
290: 제어부100: main equipment (substrate processing apparatus)
110: Sub equipment (gas supply equipment)
120:
130: Piping
200: gas
210: gas inlet
220:
221: Evaporator
222: condenser
223: Compressor
224: Re-opening
230:
240: gas supply path
250:
260: Heating section
270: Humidifier
290:

Claims (10)

기판 처리 장치로 온도 및 습도가 조절된 기체를 공급하는 기체 공급 장치에 있어서,
외부로부터 기체가 유입되는 기체 유입부;
상기 유입된 기체를 복수의 기체 공급로에 공급하는 송풍부;
상기 복수의 기체 공급로의 각 기체 공급로 상에 위치하고, 상기 각 기체 공급로에 유입된 기체를 가열하는 가열부;
상기 각 기체 공급로 상에 위치하고, 상기 각 기체 공급로에 유입된 기체를 가습하는 가습부; 및
상기 각 기체 공급로로부터 상기 온도 및 습도가 조절된 기체를 상기 기판 처리 장치로 공급하는 기체 공급부
를 포함하고,
상기 복수의 기체 공급부는 상기 기판 처리 장치의 서로 다른 처리 챔버로 상기 기체를 공급하는 것인, 기체 공급 장치.
A gas supply apparatus for supplying a substrate with a temperature and humidity adjusted by a substrate processing apparatus,
A gas inflow portion into which gas flows from the outside;
A blowing unit for supplying the introduced gas to a plurality of gas supply passages;
A heating unit positioned on each gas supply path of the plurality of gas supply paths and heating the gas introduced into each of the gas supply paths;
A humidifying unit located on each of the gas supply paths and humidifying the gas introduced into each of the gas supply paths; And
A gas supply unit for supplying the substrate with the temperature and humidity adjusted from the gas supply paths to the substrate processing apparatus,
Lt; / RTI >
Wherein the plurality of gas supply units supply the gas to different processing chambers of the substrate processing apparatus.
제 1 항에 있어서,
상기 각 기체 공급로는 상기 송풍부로부터 공급되는 기체의 유량을 제어하는 유량 제어부
를 포함하는 것인, 기체 공급 장치.
The method according to claim 1,
Wherein each of the gas supply passages includes a flow rate control unit for controlling a flow rate of a gas supplied from the blow-
And a gas supply device for supplying gas to the gas supply device.
제 2 항에 있어서,
상기 서로 다른 처리 챔버 각각의 온도 및 습도를 모니터링하고, 상기 모니터링 결과에 따라 상기 각 기체 공급로에 유입된 기체의 온도 및 습도를 달리 제어하는 제어부
를 더 포함하는 것인, 기체 공급 장치.
3. The method of claim 2,
A controller for monitoring temperature and humidity of each of the different processing chambers and controlling the temperature and humidity of the gas introduced into each of the gas supply passages in accordance with the monitoring result,
Further comprising:
제 3 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 모니터링 결과에 따라 상기 송풍부로부터 상기 각 기체 공급로에 공급되는 기체의 유량을 달리 제어하는 것인, 기체 공급 장치.
The method of claim 3,
Wherein the control unit controls the flow rate of the gas supplied to the respective gas supply passages from the blowing unit in accordance with the monitoring result.
제 1 항에 있어서,
상기 기체 유입부로부터 유입된 기체의 온도 및 습도를 제어하고, 상기 온도 및 습도가 제어된 기체를 상기 송풍부로 공급하는 냉동부
를 더 포함하는 것인, 기체 공급 장치.
The method according to claim 1,
A cooling unit for controlling the temperature and humidity of the gas introduced from the gas inlet unit and supplying the gas whose temperature and humidity are controlled to the blower unit,
Further comprising:
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 기체 공급로는 제 1 기체 공급로 및 제 2 기체 공급로를 포함하고,
상기 기체 공급부는 상기 제 1 기체 공급로로부터 상기 온도 및 습도가 조절된 기체를 상기 기판 처리 장치로 공급하는 제 1 기체 공급부 및 상기 제 2 기체 공급로로부터 상기 온도 및 습도가 조절된 기체를 상기 기판 처리 장치로 공급하는 제 2 기체 공급부
를 포함하는 것인, 기체 공급 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the plurality of gas supply passages include a first gas supply passage and a second gas supply passage,
Wherein the gas supply unit includes a first gas supply unit for supplying the substrate with the temperature and humidity regulated from the first gas supply path to the substrate processing apparatus and a second gas supply unit for supplying the temperature and humidity controlled gas from the second gas supply path to the substrate, The second gas supply unit
And a gas supply device for supplying gas to the gas supply device.
제 6 항에 있어서,
상기 가열부는 상기 제 1 기체 공급로 상에 위치하는 제 1 가열부 및 상기 제 2 기체 공급로 상에 위치하는 제 2 가열부
를 포함하는 것인, 기체 공급 장치.
The method according to claim 6,
The heating unit includes a first heating unit positioned on the first gas supply path and a second heating unit positioned on the second gas supply path.
And a gas supply device for supplying gas to the gas supply device.
제 6 항에 있어서,
상기 가습부는 상기 제 1 기체 공급로 상에 위치하는 제 1 가습부 및 상기 제 2 기체 공급로 상에 위치하는 제 2 가습부
를 포함하는 것인, 기체 공급 장치.
The method according to claim 6,
Wherein the humidifying portion includes a first humidification portion located on the first gas supply path and a second humidification portion located on the second gas supply path,
And a gas supply device for supplying gas to the gas supply device.
제 6 항에 있어서,
상기 제 1 기체 공급부는 상기 기판 처리 장치에서 수행되는 제 1 공정을 위한 제 1 처리 챔버로 상기 기체를 공급하고, 상기 제 2 기체 공급부는 상기 기판 처리 장치에서 수행되는 제 2 공정을 위한 제 2 처리 챔버로 상기 기체를 공급하는 것인, 기체 공급 장치.
The method according to claim 6,
Wherein the first gas supply unit supplies the gas to the first processing chamber for the first process performed in the substrate processing apparatus and the second gas supply unit performs the second process for the second process performed in the substrate processing apparatus And supplying the gas to the chamber.
제 1 항에 있어서,
제 1 항에 따른 기체 공급 장치 및 상기 기체 공급 장치로부터 상기 기체를 공급받아 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 포함하는, 기판 처리 시스템.
The method according to claim 1,
A substrate processing system comprising: the substrate processing apparatus according to claim 1; and a substrate processing apparatus that receives the substrate from the substrate supply apparatus and processes the substrate.
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