KR20180031898A - Display device having common voltage line - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 공통 전압 배선을 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device, and more particularly, to a display device including a common voltage wiring.
표시 장치는 복수의 게이트 라인들, 복수의 데이터 라인들, 상기 복수의 게이트 라인들과 상기 복수의 데이터 라인들에 연결된 복수 개의 화소들을 포함한다. 표시 장치는 복수의 게이트 라인들에 게이트 신호들을 제공하는 게이트 구동회로 및 복수의 데이터 라인들에 데이터 신호들을 출력하는 데이터 구동회로를 포함한다. 복수의 화소들 각각은 스위칭 트랜지스터 및 액정 커패시터를 포함한다. 액정 커패시터의 일단은 스위칭 트랜지스터의 일단과 연결되고, 타단은 공통 전압 배선과 연결된다.The display device includes a plurality of gate lines, a plurality of data lines, a plurality of gate lines, and a plurality of pixels connected to the plurality of data lines. The display device includes a gate driving circuit for providing gate signals to a plurality of gate lines and a data driving circuit for outputting data signals to a plurality of data lines. Each of the plurality of pixels includes a switching transistor and a liquid crystal capacitor. One end of the liquid crystal capacitor is connected to one end of the switching transistor and the other end is connected to the common voltage wiring.
이러한 표시 장치는 게이트 구동회로에 의해서 소정 게이트 라인으로 게이트 온 전압을 인가한 후, 데이터 구동회로에 의해서 영상 신호에 대응하는 데이터 전압을 데이터 라인들로 제공하는 것에 의해서 영상을 표시할 수 있다.Such a display device can display an image by applying a gate-on voltage to a predetermined gate line by a gate driving circuit and then supplying a data voltage corresponding to the video signal to the data lines by a data driving circuit.
공통 전압 배선은 표시 패널의 영상이 표시되지 않는 베젤 영역에 배열된다. 베젤 영역의 폭을 감소시키기 위해서 공통 전압 배선의 폭을 감소시키는 경우 배선 저항이 증가할 수 있다.The common voltage wiring is arranged in a bezel area where an image of the display panel is not displayed. If the width of the common voltage wiring is reduced in order to reduce the width of the bezel region, the wiring resistance may increase.
따라서 본 발명의 목적은 공통 전압의 리플을 최소화할 수 있는 공통 전압 배선을 포함하는 표시 장치를 제공하는데 있다.It is therefore an object of the present invention to provide a display device including a common voltage wiring capable of minimizing ripple of a common voltage.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 특징에 의하면, 표시 장치는:기판 상에 형성된 복수의 화소들, 상기 복수의 화소들로 공통 전압을 공급하고, 상기 기판 상에 서로 다른 층에 배치되어 전기적으로 연결되는 제1 내지 제3 공통 전압 배선들을 포함하는 공통 전압 배선, 및 상기 제1 내지 제3 공통 전압 배선들을 서로 전기적으로 연결하기 위한 콘택 전극을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a display device comprising: a plurality of pixels formed on a substrate; a plurality of pixels arranged in different layers on the substrate, A common voltage wiring including first to third common voltage wiring lines electrically connected to each other, and a contact electrode for electrically connecting the first to third common voltage wiring lines to each other.
이 실시예에 있어서, 상기 복수의 화소들 각각은, 상기 기판 상에 형성된 트랜지스터, 및 상기 트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소 전극 및 공통 전극을 포함하는 액정 커패시터를 포함한다.In this embodiment, each of the plurality of pixels includes a transistor formed on the substrate, and a liquid crystal capacitor including a pixel electrode and a common electrode electrically connected to the transistor.
이 실시예에 있어서, 상기 콘택 전극은 상기 화소 전극과 동일한 물질을 포함하고, 동일한 공정에서 제공된다.In this embodiment, the contact electrode includes the same material as the pixel electrode, and is provided in the same process.
이 실시예에 있어서, 상기 트랜지스터는, 상기 기판 상에 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 전극이 형성된 기판 전체에 걸쳐 적층된 절연층, 상기 절연층 상에 형성된 반도체 층, 상기 반도체 층 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극, 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극이 형성된 기판 전체에 걸쳐 적층된 제1 보호층을 포함한다.In this embodiment, the transistor includes a gate electrode formed on the substrate, an insulating layer stacked over the entire substrate on which the gate electrode is formed, a semiconductor layer formed on the insulating layer, a source electrode formed on the semiconductor layer, Drain electrodes, and a first protective layer stacked over the entire substrate on which the source electrode and the drain electrode are formed.
이 실시예에 있어서, 상기 제1 공통 전압 배선은 상기 게이트 전극과 서로 동일한 레벨에 위치한다.In this embodiment, the first common voltage wiring is located at the same level as the gate electrode.
이 실시예에 있어서, 상기 제3 공통 전압 배선은 상기 제1 보호층 상에 형성되고, 상기 제3 공통 전압 배선 상에 형성된 제2 보호층을 더 포함한다.In this embodiment, the third common voltage wiring is formed on the first protection layer, and further includes a second protection layer formed on the third common voltage wiring.
이 실시예에 있어서, 상기 콘택 전극은 상기 제2 보호층 상에 형성된다.In this embodiment, the contact electrode is formed on the second protective layer.
이 실시예에 있어서, 상기 제1 공통 전압 배선 상에 형성된 상기 제2 보호층, 상기 제1 보호층 및 상기 절연층을 관통하는 제1 콘택홀을 더 포함하고, 상기 제1 공통 전압 배선은 상기 제1 콘택홀을 통하여 상기 콘택 전극과 직접 접촉한다.The first common voltage wiring may further include a first contact hole penetrating the second protection layer, the first protection layer, and the insulating layer formed on the first common voltage wiring, And is in direct contact with the contact electrode through the first contact hole.
이 실시예에 있어서, 상기 제2 공통 전압 배선은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 서로 동일한 레벨에 위치한다.In this embodiment, the second common voltage wiring is located at the same level as the source electrode and the drain electrode.
이 실시예에 있어서, 상기 제2 공통 전압 배선 상에 형성된 상기 제2 보호층 및 상기 제1 보호층을 관통하는 제2 콘택홀을 더 포함하고, 상기 제2 공통 전압 배선은 상기 제2 콘택홀을 통하여 상기 콘택 전극과 직접 접촉한다.The second common voltage wiring may further include a second contact hole penetrating the second protection layer and the first protection layer formed on the second common voltage wiring, The contact electrode is in direct contact with the contact electrode.
이 실시예에 있어서, 상기 제3 공통 전압 배선 상에 형성된 상기 제2 보호층을 관통하는 제3 콘택홀을 더 포함하고, 상기 제3 공통 전압 배선은 제3 콘택홀을 통하여 상기 콘택 전극과 직접 접촉한다.In this embodiment, the third common voltage wiring may further include a third contact hole passing through the second protection layer formed on the third common voltage wiring, wherein the third common voltage wiring is directly connected to the contact electrode through the third contact hole Contact.
이 실시예에 있어서, 상기 기판은, 표시 영역과 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하고, 상기 공통 전압 배선은 상기 비표시 영역에 배열된다.In this embodiment, the substrate includes a display region and a non-display region surrounding the display region, and the common voltage wiring is arranged in the non-display region.
이 실시예에 있어서, 상기 콘택 전극은 상기 제1 공통 전압 배선과 상기 제3 공통 전압 배선을 전기적으로 연결하고, 상기 제2 공통 전압 배선과 상기 제3 공통 전압 배선을 전기적으로 연결한다.In this embodiment, the contact electrode electrically connects the first common voltage wiring and the third common voltage wiring, and electrically connects the second common voltage wiring and the third common voltage wiring.
이와 같은 구성을 갖는 표시 장치는 표시 영역의 게이트 전극 및 소스 전극에 대응하는 제1 공통 전압 배선 및 제2 공통 전압 배선뿐만 아니라 제3 공통 전압 배선을 포함하여 공통 전압 배선의 저항을 감소시킬 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 공통 전압 배선들은 표시 영역의 화소 전극과 동일층으로 형성되는 콘택 전극에 의해서 서로 전기적으로 연결될 수 있다.The display device having such a configuration can reduce the resistance of the common voltage wiring by including the first common voltage wiring and the second common voltage wiring as well as the third common voltage wiring corresponding to the gate electrode and the source electrode of the display area . In addition, the first to third common voltage wirings may be electrically connected to each other by a contact electrode formed in the same layer as the pixel electrode of the display region.
공통 전압 배선의 저항이 감소함에 따라서 공통 전압의 리플을 최소화할 수 있으므로 표시 패널에 표시되는 영상의 품질 저하를 방지할 수 있다.As the resistance of the common voltage wiring decreases, the ripple of the common voltage can be minimized, so that degradation of the image displayed on the display panel can be prevented.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 회로도이다.
도 3은 도 1에 도시된 표시 기판의 공통 전압 배선 및 화소 영역의 일부를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 절단선 I-I' 및 II-II'에 따라 절단한 단면도이다.
도 5는 도 1에 도시된 A 영역을 확대한 평면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 절단선 III-III'에 따라 절단한 단면도이다.
도 7는 도 1에 도시된 B 영역을 확대한 평면도이다.
도 8은 도 5에 도시된 절단선 IV-IV'에 따라 절단한 단면도이다.1 is a plan view of a display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a circuit diagram illustrating a display device according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view showing a portion of the common voltage wiring and the pixel region of the display substrate shown in FIG.
4 is a cross-sectional view taken along the cutting lines II 'and II-II' shown in FIG. 3;
5 is an enlarged plan view of the region A shown in Fig.
6 is a cross-sectional view taken along the cutting line III-III 'shown in FIG.
7 is an enlarged plan view of the region B shown in Fig.
8 is a cross-sectional view taken along line IV-IV 'shown in FIG.
이하 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 회로도이다.1 is a plan view of a display device according to an embodiment of the present invention. 2 is a circuit diagram illustrating a display device according to an embodiment of the present invention.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치(100)는 표시 기판(DP), 메인 회로 기판(120), 데이터 구동 회로(130), 게이트 구동회로(150), 공통 전압 발생기(121) 및 구동 컨트롤러(122)를 포함한다. 1 and 2, a
표시 기판(DP)은 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 액정 표시 패널(liquid crystal display panel), 유기발광 표시 패널(organic light emitting display panel), 전기영동 표시 패널(electrophoretic display panel), 및 일렉트로웨팅 표시 패널(electrowetting display panel)등의 다양한 표시 패널을 포함할 수 있다. 본 실시예에서 표시 기판(DP)은 액정 표시 패널로 설명된다. 한편, 액정 표시 패널을 포함하는 액정 표시 장치는 미 도시된 편광자, 백라이트 유닛 등을 더 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 표시 기판(DP)은 VA(Vertical Alignment)모드, PVA(Patterned Vertical Alignment) 모드, IPS(in-plane switching) 모드 또는 FFS(fringe-field switching) 모드, PLS(Plane to Line Switching) 모드 등의 화소를 포함할 수 있다.The display substrate DP is not particularly limited and may be, for example, a liquid crystal display panel, an organic light emitting display panel, an electrophoretic display panel, An electrowetting display panel, and the like. In this embodiment, the display substrate DP is described as a liquid crystal display panel. Meanwhile, the liquid crystal display device including the liquid crystal display panel may further include a polarizer, a backlight unit, and the like not shown. The display substrate DP according to the present embodiment may be a VA (Vertical Alignment) mode, a PVA (Patterned Vertical Alignment) mode, an IPS (in-plane switching) mode or an FFS (fringe- ) Mode, and the like.
표시 기판(DP)은 제1 기판(200), 제1 기판(200)과 이격된 제2 기판(300) 및 제1 기판(200)과 제2 기판(300) 사이에 배치된 액정층(LCL, 도 4에 도시됨)을 포함한다. 평면 상에서, 표시 기판(DP)은 복수 개의 화소들(PX)이 배치된 표시영역(DA) 및 표시영역(DA)을 둘러싸는 비표시영역(NDA)을 포함한다. The display substrate DP includes a
표시 기판(DP)은 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn) 및 게이트 라인들(GL1~GLn)과 교차하는 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm)을 포함한다. 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn)은 게이트 구동회로(150)에 연결된다. 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm)은 데이터 구동회로(130)에 연결된다. 도 2에는 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn) 중 일부와 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm) 중 일부만이 도시되었다.The display substrate DP includes a plurality of data lines DL1 to DLm that intersect the plurality of gate lines GL1 to GLn and the gate lines GL1 to GLn. The plurality of gate lines GL1 to GLn are connected to the
도 2에는 복수 개의 화소들(PX) 중 게이트 라인(GL1) 및 데이터 라인(DL1)에 연결된 하나의 화소(PX)만이 도시되었다. 복수 개의 화소들(PX)은 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn) 중 대응하는 게이트 라인 및 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm) 중 대응하는 데이터 라인에 각각 연결된다.In FIG. 2, only one pixel PX connected to the gate line GL1 and the data line DL1 among the plurality of pixels PX is shown. The plurality of pixels PX are connected to corresponding gate lines of the plurality of gate lines GL1 to GLn and corresponding data lines of the plurality of data lines DL1 to DLm, respectively.
복수 개의 화소들(PX)은 표시하는 컬러에 따라 복수 개의 그룹들로 구분될 수 있다. 복수 개의 화소들(PX)은 주요색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있다. 주요색은 레드, 그린, 블루 및 화이트를 포함할 수 있다. 한편, 이에 제한되는 것은 아니고, 주요색은 옐로우, 시안, 마젠타 등 다양한 색상을 더 포함할 수 있다. The plurality of pixels PX may be divided into a plurality of groups according to a color to be displayed. The plurality of pixels PX may display one of the primary colors. The primary colors may include red, green, blue and white. However, the present invention is not limited thereto, and the main color may further include various colors such as yellow, cyan, and magenta.
게이트 구동회로(150) 및 데이터 구동회로(130)는 구동 컨트롤러(122)로부터 제어 신호를 수신한다. 공통 전압 발생기(121) 및 구동 컨트롤러(122)는 메인 회로기판(MCB)에 실장될 수 있다. 구동 컨트롤러(122)는 외부의 그래픽 제어부(미 도시)로부터 영상 데이터 및 제어 신호를 수신한다. 제어 신호는 수직 동기 신호, 수평 동기 신호, 데이터가 들어오는 구역을 표시하기 위해 데이터가 출력되는 구간 동안만 하이 레벨인 데이터 인에이블 신호 및 클럭 신호들을 포함할 수 있다. The
게이트 구동회로(150)는 구동 컨트롤러(122)로부터 연성회로기판(141) 및 신호 라인(GSL)을 통해 수신한 제어 신호(GCS)에 기초하여 게이트 신호들을 생성하고, 게이트 신호들을 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn)에 출력한다. 게이트 신호들은 순차적으로 출력될 수 있다. 게이트 구동회로(150)는 게이트 구동 칩들(151~154)을 포함한다. 게이트 구동 칩들(151~154)은 칩 온 글래스(COG: Chip on Glass) 방식으로 표시 기판(DP)의 비표시영역(NDA) 상에 실장될 수 있다. 다른 예에서, 게이트 구동회로(150)는 박막공정을 통해 표시 영역(DA) 내 화소들(PX)과 동시에 형성될 수 있다. 예컨대, 게이트 구동회로(150)는 비표시영역(NDA)에 OSG(Oxide Semiconductor TFT Gate driver circuit)로 실장 될 수 있다.The
도 1 및 도 2는 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn)이 하나의 게이트 구동회로(150)에 연결된 것을 예시적으로 도시하였다. 본 발명의 다른 실시예에서, 표시장치는 2개의 게이트 구동회로들을 포함할 수 있다. 2개의 게이트 구동회로들 중 하나는 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn)의 좌측 말단들에 연결되고, 다른 하나는 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn)의 우측 말단들에 연결될 수 있다. 또한, 2개의 게이트 구동회로들 중 하나는 홀수 번째 게이트 라인들에 연결되고, 다른 하나는 짝수 번째 게이트 라인들에 연결될 수 있다.FIGS. 1 and 2 illustratively show a plurality of gate lines GL1 to GLn connected to one
데이터 구동회로(130)는 구동 컨트롤러(122)로부터 수신한 제어 신호(DSC)에 기초하여 구동 컨트롤러(122)로부터 제공된 영상 데이터(RGB)에 따른 계조 전압들을 생성한다. 데이터 구동회로(130)는 계조 전압들을 데이터 전압들로써 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm)에 출력한다. The
데이터 전압들은 공통 전압(VCOM)에 대하여 양의 값을 갖는 정극성 데이터 전압들 및/또는 음의 값을 갖는 부극성 데이터 전압들을 포함할 수 있다. 특정 수평 구간 동안에 데이터 라인들(DL1~DLm)에 인가되는 데이터 전압들 중 일부는 정극성을 갖고, 다른 일부는 부극성을 가질 수 있다. 데이터 전압들의 극성은 액정의 열화를 방지하기 위하여 매 프레임마다 반전될 수 있다. The data voltages may include positive data voltages having a positive value for the common voltage VCOM and / or negative data voltages having a negative value. Some of the data voltages applied to the data lines DL1 to DLm during a certain horizontal interval may have a positive polarity and others may have a negative polarity. The polarity of the data voltages may be reversed every frame to prevent deterioration of the liquid crystal.
데이터 구동회로(130)는 데이터 구동 칩들(131~134) 및 데이터 구동 칩들(131~134) 각각을 실장하는 연성회로기판들(141~144)을 포함할 수 있다. 데이터 구동회로(130)는 복수 개의 데이터 구동 칩들(131~134)과 복수 개의 연성회로기판들(141~144)을 포함할 수 있다. 연성회로기판들(141~144)은 메인 회로기판(MCB)과 표시 기판(110)을 전기적으로 연결한다. 복수 개의 데이터 구동 칩들(131~134)은 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm) 중 대응하는 데이터 라인들에 데이터 신호들을 제공한다. The
도 1은 테이프 캐리어 패키지(TCP: Tape Carrier Package) 타입의 데이터 구동회로(130)를 예시적으로 도시하였다. 본 발명의 다른 실시예에서, 데이터 구동회로(130)는 칩 온 글래스(COG: Chip on Glass) 방식으로 표시 기판(110)의 비표시영역(NDA) 상에 배치될 수 있다. FIG. 1 exemplarily shows a
복수의 화소(PX)들 각각은 박막 트랜지스터(T) 및 액정 커패시터(CLC)를 포함한다. 화소(PX)는 스토리지 커패시터를 더 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터(T)는 대응하는 데이터 라인(DLi)과 연결된 제1 전극, 액정 커패시터(CLC)의 화소 전극과 연결된 제2 전극, 대응하는 게이트 라인(GLj)과 연결된 게이트 전극을 포함한다(단, i≤m, j≤n). 액정 커패시터(CLC)는 박막 트랜지스터(T)의 제2 전극과 연결된 화소 전극 및 공통 전압 배선(LVCOM)과 연결된 공통 전극을 포함한다. 액정 커패시터(CLC)에 충전된 전하량에 따라 화소 전극 및 공통 전극 사이의 액정층(미 도시됨)에 포함된 액정 방향자의 배열이 변화된다. 액정 방향자의 배열에 따라 액정층으로 입사된 광은 투과되거나 차단됨으로써 영상을 표시할 수 있다.Each of the plurality of pixels PX includes a thin film transistor T and a liquid crystal capacitor CLC. The pixel PX may further include a storage capacitor. The thin film transistor T includes a first electrode connected to the corresponding data line DLi, a second electrode connected to the pixel electrode of the liquid crystal capacitor CLC, and a gate electrode connected to the corresponding gate line GLj, i? m, j? n). The liquid crystal capacitor CLC includes a pixel electrode connected to the second electrode of the thin film transistor T and a common electrode connected to the common voltage line LVCOM. The arrangement of the liquid crystal directors included in the liquid crystal layer (not shown) between the pixel electrode and the common electrode is changed according to the amount of charge charged in the liquid crystal capacitor CLC. The light incident on the liquid crystal layer is transmitted or blocked depending on the arrangement of the liquid crystal directors, thereby displaying an image.
공통 전압 발생기(121)는 공통 전압 배선(LVCOM)을 통해 공통 전압(VCOM)을 출력하고, 피드백 배선(LVCOM_F)을 통해 피드백 공통 전압(VCOM_F)을 수신한다. 공통 전압 발생기(121)는 피드백 공통 전압(VCOM_F)의 전압 레벨에 따라서 공통 전압(VCOM)의 전압 레벨을 변경할 수 있다.The
도 3은 도 1에 도시된 표시 기판의 공통 전압 배선 및 화소 영역의 일부를 보여주는 평면도이다. 도 4는 도 3에 도시된 절단선 I-I' 및 II-II'에 따라 절단한 단면도이다.3 is a plan view showing a portion of the common voltage wiring and the pixel region of the display substrate shown in FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the cutting lines I-I 'and II-II' shown in FIG. 3;
도 3에서는 설명의 편의상 3번째 게이트 라인(GL3)과 1번째 데이터 라인(DL1)에 연결된 화소(PX)를 도시하였다. 복수의 화소들(PX) 각각은 실질적으로 서로 동일한 구조로 이루어진다.In FIG. 3, a pixel PX connected to the third gate line GL3 and the first data line DL1 is shown for convenience of explanation. Each of the plurality of pixels PX has substantially the same structure.
도 1, 도 3 및 도 4를 참조하면, 표시 기판(DP)은 제1 기판(200), 제1 기판(200)과 마주하는 제2 기판(300), 제1 기판(200)과 제2 기판(300) 사이에 배치되는 액정층(LCL)을 포함할 수 있다.1, 3 and 4, the display substrate DP includes a
제1 기판(200)은 액정층(LCL)의 액정 분자들을 구동하기 위한 박막 트랜지스터(T)들이 형성된 박막 트랜지스터 어레이 기판이며, 투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 제1 절연 기판(210)을 포함한다. 제1 절연 기판(210)은 리지드 타입(Rigid type) 기판일 수 있으며, 플렉서블 타입(Flexible type)일 수도 있다. 리지드 타입의 기판은 유리 기판, 석영 기판, 유리 세라믹 기판 및 결정질 유리 기판을 포함할 수 있다. 플렉서블 타입의 기판은 고분자 유기물을 포함하는 필름 기판 및 플라스틱 기판을 포함할 수 있다.The
제1 절연 기판(210) 상에는 n개의 게이트 라인들(GL1~GLn), 및 m의 데이터 라인들(DL1~DLm)이 구비될 수 있다. 제1 절연 기판(210) 상에는 제1 금속층이 형성되고, 상기 제1 금속층을 패터닝하여 표시 영역(DA)에 제1 게이트 전극(GE), 게이트 라인들(GL1, GL2)을 형성한다. 제1 금속막은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금과 같은 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 등으로 만들어질 수 있다. 도면에 도시하지는 않았으나, 상기 제1 금속막은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다.N gate lines GL1 to GLn and m data lines DL1 to DLm may be provided on the first insulating
게이트 라인들(GL2, GL3)은 데이터 라인들(DL1, DL2)과 게이트 절연층(220)에 의해서 전기적으로 절연될 수 있다. 게이트 절연층(220)은 실리콘 질화물(SiNx) 또는 실리콘 산화물(SiOx)로 이루어질 수 있다. 게이트 절연층(220) 위에는 수소화 비정질 실리콘(hydrogenated amorphous silicon), 다결정 실리콘(polysilicon) 또는 산화물 반도체 등으로 만들어진 반도체층(AL)이 형성된다. 반도체층(AL)은 게이트 전극(GE) 상부에 위치한다. 반도체층(AL)은 반도체층과 오믹 컨택층을 포함할 수 있다. 이 경우, 게이트 절연층(220) 상에 반도체층이 배치되고, 반도체층 상에 오믹 컨택층이 배치된다.The gate lines GL2 and GL3 may be electrically insulated by the data lines DL1 and DL2 and the
게이트 절연층(220) 및 반도체층(AL) 상에는 제2 금속층이 형성되고, 제2 금속층을 패터닝하여 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE) 및 데이터 라인들(DL1, DL2)을 형성한다. 제2 금속층은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 드레인 전극(DE)은 게이트 전극(GE) 상부에서 소스 전극(SE)과 소정 간격 이격되어 위치한다. 이로써, 박막 트랜지스터(T)가 완성된다.A second metal layer is formed on the
박막 트랜지스터(T) 및 데이터 라인들(DL1, DL2)은 제1 보호층(230)에 의해서 커버된다. 제1 보호층(230)은 실리콘 질화물(SiNx) 또는 실리콘 산화물(SiOx)과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 제1 보호층(230)은 실리콘 질화물(SiNx) 및 실리콘 산화물(SiOx) 중 어느 하나로 이루어진 단일층으로 이루어질 수 있고, 다른 실시예로 상부층 및 하부층이 실리콘 질화물(SiNx) 및 실리콘 산화물(SiOx)로 각각 이루어진 이중막 구조를 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 보호층(230) 상에 아크릴계 수지로 이루어진 유기 절연층이 형성될 수 있다.The thin film transistor T and the data lines DL1 and DL2 are covered by the
제1 보호층(230) 상에는 제1 투명 도전층이 형성된다. 제1 투명 도전층은 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin OxiDE)과 같은 투명 도전 물질로 이루어질 수 있다. 제1 투명 도전층을 패터닝하여 제1 보호층(230) 상에 공통 전극(CE)을 형성한다. 공통 전극(CE)은 제2 보호층(240)에 의해서 커버된다. 제2 보호층(240)은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다A first transparent conductive layer is formed on the first
제2 보호층(240) 상에는 제2 투명 도전층이 형성된다. 제2 투명 도전층은 인듐 틴 옥사이드와 같은 투명 도전 물질로 이루어질 수 있다. 제2 투명 도전층을 패터닝하여 제2 보호층(240) 상에 전극 패턴(미 도시됨)을 형성한다. 패터닝 공정을 통해 전극 패턴에는 제2 보호층(240)을 노출시키는 개구가 형성된다. 전극 패턴을 패터닝하여 화소 전극(PE)을 형성할 수 있다.A second transparent conductive layer is formed on the second
공통 전극(CE)은 화소 전극(PE)의 상부 또는 하부에 구비되며, 게이트 라인들(GL2, GL3), 데이터 라인들(DL1, DL2)에 의해서 정의된 화소 영역에 대응하는 크기로 형성될 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 공통 전극(CE)은 제1 보호층(230) 상에 구비되고, 제2 보호층(240)에 의해서 커버된다. 화소 전극(PE)은 제2 보호층(240) 상에 구비된다. 이처럼, 공통 전극(CE)은 화소 전극(PE)의 하부에 구비되고, 제2 보호층(240)을 사이에 두고 화소 전극(PE)과 마주한다.The common electrode CE is provided on the upper or lower portion of the pixel electrode PE and may be formed to have a size corresponding to the pixel region defined by the gate lines GL2 and GL3 and the data lines DL1 and DL2 have. 4, the common electrode CE is provided on the
동일 화소행에 구비되는 공통 전극들(CE)은 일체로 형성되거나, 서로 전기적으로 연결되어 하나의 공통 전극행을 형성할 수 있다. 공통 전극행은 절연 기판(210)의 일측에서 공통 전압 배선(LVCOM)에 전기적으로 연결되어 공통 전압 발생기(121, 도 1에 도시됨)로부터의 공통 전압(VCOM)을 수신할 수 있다.The common electrodes CE included in the same pixel row may be integrally formed or may be electrically connected to each other to form one common electrode row. The common electrode row may be electrically connected to the common voltage line LVCOM on one side of the insulating
제2 기판(300)은 투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 제2 절연 기판(310) 및 제2 절연 기판(310) 상에 구비된 복수의 컬러 필터들(330)을 포함한다. 도면에 도시되지 않았으나, 서로 인접하는 컬러 필터들(330) 사이의 영역에 구비된 블랙 매트릭스를 더 포함할 수 있다. 블랙 매트릭스는 데이터 라인들(DL1~DLm)이 형성된 영역에 대응하는 영역에 제공되며, 액정 분자들의 오배열로 인한 빛샘을 막는다. 제2 절연 기판(310)은 제1 절연 기판(210)과 대향하여 결합하고, 제1 및 제2 기판(200, 300) 사이에는 액정층(LCL)이 개재된다. The
제1 보호층(230) 및 제2 보호층(240)에는 박막 트랜지스터(T)의 제1 드레인 전극(DE)을 노출시키는 콘택홀(CNT1)이 형성된다. 제2 보호층(240) 및 콘택홀(CNT1)에 의해서 노출된 드레인 전극(DE) 상에는 화소 전극(PE)이 형성된다. 화소 전극(PE)은 제2 보호층(240)의 상부에서 콘택홀(CNT1)이 정의된 영역에서 콘택홀(CNT1)을 통해 노출된 제1 드레인 전극(DE)과 직접적으로 콘택한다.A contact hole CNT1 for exposing the first drain electrode DE of the thin film transistor T is formed in the
게이트 라인(GL3)을 통해 화소(PX)에 게이트 신호가 인가되면, 게이트 신호에 응답하여 박막 트랜지스터(T)가 턴-온된다. 데이터 라인(DL1)으로 인가된 데이터 전압은 턴-온된 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(DE)으로 출력되어 화소 전극(PE)으로 인가된다.When a gate signal is applied to the pixel PX through the gate line GL3, the thin film transistor T is turned on in response to the gate signal. The data voltage applied to the data line DL1 is output to the drain electrode DE of the turn-on thin film transistor T and is applied to the pixel electrode PE.
데이터 전압을 수신한 화소 전극(PE)과 공통 전압(VCOM)을 수신하는 공통 전극(CE) 사이에 전계가 형성될 수 있다. 전계에 의하여, 액정층(LCL) 내 액정 분자들이 제1 절연 기판(210)과 제2 절연 기판(310) 사이에서 특정 방향으로 회전할 수 있다. 액정 분자들이 회전함으로써, 표시 기판(DP)은 광을 투과시키거나 차단할 수 있다. 액정 분자들이 회전한다는 것은 액정 분자들이 실제로 회전하는 것뿐만 아니라, 전계에 의해 액정 분자들의 배향 방향이 바뀐다는 의미를 포함할 수 있다. 이와 같이 결정된 액정 분자의 방향에 따라 액정층을 통과하는 빛의 편광이 변화된다.An electric field may be formed between the pixel electrode PE receiving the data voltage and the common electrode CE receiving the common voltage VCOM. The liquid crystal molecules in the liquid crystal layer LCL can be rotated in a specific direction between the first insulating
화소 전극(PE)과 공통 전극(CE)은 액정층(LCL)을 유전체로 하여 액정 커패시터를 형성하여 박막 트랜지스터(Tr)가 턴-오프된 후에도 인가된 전압을 유지한다. 도면에 도시하지는 않았지만, 화소(PX)는 화소 전극(PE)과 중첩하는 스토리지 라인을 더 포함할 수 있다. 스토리지 라인과 화소 전극(PE)은 게이트 절연층(120), 제1 및 제2 보호층(230, 250)을 유전체로 하여 스토리지 커패시터를 형성하여 액정 커패시터(Clc)의 전압 유지 능력을 강화시킬 수 있다.The pixel electrode PE and the common electrode CE form a liquid crystal capacitor with the liquid crystal layer LCL as a dielectric to maintain the applied voltage even after the thin film transistor Tr is turned off. Although not shown in the figure, the pixel PX may further include a storage line overlapping the pixel electrode PE. The storage line and the pixel electrode PE may be formed by forming a storage capacitor with the
공통 전압 배선(LVCOM)은 제1 공통 전압 배선(212), 제2 공통 전압 배선(222) 및 제3 공통 전압 배선(232)을 포함한다. 제1 공통 전압 배선(212), 제2 공통 전압 배선(222) 및 제3 공통 전압 배선(232)은 콘택 전극(242)에 의해서 서로 전기적으로 연결될 수 있다.The common voltage wiring LVCOM includes a first
제1 공통 전압 배선(212)은 게이트 전극(GE)과 동일한 물질을 포함하고, 동일한 공정에서 제공될 수 있다. 제2 공통 전압 배선(222)은 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 동일한 물질을 포함하고, 동일한 공정에서 제공될 수 있다. 비표시 영역(NDA)의 제1 보호층(230) 상에 금속층을 형성하고, 금속층을 패터닝하여 제3 공통 전압 배선(232)을 형성할 수 있다. 금속층은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금과 같은 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 등으로 만들어질 수 있다. 콘택 전극(242)은 픽셀 전극(PE)과 동일한 물질을 포함하고, 동일한 공정에서 제공될 수 있다. The first
도 5는 도 1에 도시된 A 영역을 확대한 평면도이다. 도 6은 도 5에 도시된 절단선 III-III'에 따라 절단한 단면도이다. 도 1에 도시됨 A 영역은 표시 기판(DP)의 연성 회로 기판(141)과 근접한 위치의 공통 전압 배선(LVCOM)을 포함하는 영역이다. 5 is an enlarged plan view of the region A shown in Fig. 6 is a cross-sectional view taken along the cutting line III-III 'shown in FIG. The area A shown in Fig. 1 is an area including a common voltage line LVCOM at a position close to the
도 1, 도 5 및 도 6을 참조하면, 공통 전압 배선(LVCOM)은 제1 공통 전압 배선(212), 제2 공통 전압 배선(222) 및 제3 공통 전압 배선(232)을 포함한다.Referring to Figs. 1, 5 and 6, the common voltage wiring LVCOM includes a first
제2 보호층(240), 제1 보호층(230) 및 게이트 절연층(220)에는 제1 공통 전압 배선(212)을 노출시키는 제1 콘택홀(CH1)이 형성된다. 제2 보호층(240)에는 제3 공통 전압 배선(232)을 노출시키는 제2 콘택홀(CH2) 및 제2 콘택홀(CH2)과 소정거리 이격된 제3 콘택홀(CH3)이 형성된다. 제2 보호층(240) 및 제1 보호층(230)에는 제2 공통 전압 배선(222)을 노출시키는 제4 콘택홀(CH4)이 형성된다. 제2 보호층(240), 제1 콘택홀(CH1)에 의해서 노출된 제1 공통 전압 배선(212), 제2 콘택홀(CH2) 및 제3 콘택홀(CH3)에 의해서 노출된 제3 공통 전압 배선(232) 및 제4 콘택홀(CH4)에 의해서 노출된 제2 공통 전압 배선(222) 상에는 콘택 전극(242)이 형성된다. 콘택 전극(242)은 제2 보호층(240)의 상부에서 제1 콘택홀(CH1)을 통해 제1 공통 전압 배선(212)과 직접 연결되고, 제2 콘택홀(CH2) 및 제3 콘택홀(CH3)을 통해 제3 공통 전압 배선(232)과 직접 연결되고, 제4 콘택홀(CH4)을 통해 제2 공통 전압 배선(222)과 직접 연결된다. 그러므로 제1 공통 전압 배선(212), 제2 공통 전압 배선(222) 및 제3 공통 전압 배선(232)은 콘택 전극(242)에 의해서 서로 전기적으로 연결될 수 있다.The first contact hole CH1 exposing the first
앞서 도 4에서 설명한 바와 같이, 제1 공통 전압 배선(212)은 게이트 전극(GE)과 동일한 물질을 포함하고, 동일한 공정에서 제공될 수 있다. 제2 공통 전압 배선(222)은 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 동일한 물질을 포함하고, 동일한 공정에서 제공될 수 있다. 제3 공통 전압 배선(232)은 제1 공통 전압 배선(212) 및 제2 공통 전압 배선(222)의 상부에 중첩되어 형성되므로, 제3 공통 전압 배선(232) 형성을 위한 별도의 공간을 차지하지 않는다. 또한 제3 공통 전압 배선(232)에 의해서 공통 전압 배선(LVCOM)의 전체 면적이 증가하므로 공통 전압 배선(LVCOM)의 저항이 감소될 수 있다. 4, the first
도 1에 도시된 표시 기판(DP)의 비표시 영역(NDA) 중 베젤 영역의 폭(W)이 감소하면, 도 3에 도시된 공통 전압 배선(LVCOM)의 선폭(WC)도 감소하게 된다. 공통 전압 배선(LVCOM)은 제3 공통 전압 배선(232)을 더 포함함으로써 선폭(WC)이 감소하더라도 저항값 증가를 방지할 수 있다.When the width W of the bezel region in the non-display region NDA of the display substrate DP shown in Fig. 1 is reduced, the line width WC of the common voltage wiring LVCOM shown in Fig. 3 also decreases. The common voltage wiring (LVCOM) further includes the third common voltage wiring (232), thereby preventing the resistance value from increasing even if the line width (WC) decreases.
도 7는 도 1에 도시된 B 영역을 확대한 평면도이다. 도 8은 도 5에 도시된 절단선 IV-IV'에 따라 절단한 단면도이다. 도 1에 도시된 B영역은 연성 회로 기판들(141~144)과 멀리 떨어진 표시 기판(DP) 하단의 공통 전압 배선(LVCOM)을 포함하는 영역이다.7 is an enlarged plan view of the region B shown in Fig. 8 is a cross-sectional view taken along line IV-IV 'shown in FIG. The region B shown in FIG. 1 is an area including the common voltage wiring lines (LVCOM) at the lower end of the display substrate (DP) away from the flexible circuit boards (141 to 144).
도 1, 도 7 및 도 8을 참조하면, 제2 보호층(240)에는 제3 공통 전압 배선(232)을 노출시키는 제5 콘택홀(CH5)이 형성된다. 제2 보호층(240) 및 제1 보호층(230)에는 제2 공통 전압 배선(222)을 노출시키는 제6 콘택홀(CH6)이 형성된다. 제2 보호층(240), 제1 보호층(230) 및 게이트 절연층(220)에는 제1 공통 전압 배선(212)을 노출시키는 제7 콘택홀(CH7)이 형성된다.Referring to FIGS. 1, 7 and 8, a fifth contact hole CH5 is formed in the
제2 보호층(240), 제5 콘택홀(CH5)에 의해서 노출된 제3 공통 전압 배선(232), 제6 콘택홀(CH6)에 의해서 노출된 제2 공통 전압 배선(222) 및 제7 콘택홀(CH7)에 의해서 노출된 제1 공통 전압 배선(212) 상에는 콘택 전극(242)이 형성된다. 콘택 전극(242)은 제2 보호층(240)의 상부에서 제5 콘택홀(CH5)을 통해 제3 공통 전압 배선(232)과 직접 연결되고, 제6 콘택홀(CH6)을 통해 제2 공통 전압 배선(222)과 직접 연결되고, 제7 콘택홀(CH7)을 통해 제1 공통 전압 배선(212)과 직접 연결된다. 그러므로 제1 공통 전압 배선(212), 제2 공통 전압 배선(222) 및 제3 공통 전압 배선(232)은 콘택 전극(242)에 의해서 서로 전기적으로 연결될 수 있다.The third
이와 같이, 표시 기판(DP)의 소정 위치에서 콘택 전극(242)을 통해 제1 공통 전압 배선(212), 제2 공통 전압 배선(222) 및 제3 공통 전압 배선(232)을 전기적으로 연결함으로써 공통 전압 배선(LVCOM)의 저항을 낮출 수 있다.As described above, by electrically connecting the first
다음 [표 1]은 제1 공통 전압 배선(212), 제2 공통 전압 배선(222) 및 제3 공통 전압 배선(232) 각각의 면저항을 예시적으로 보여준다.The following Table 1 exemplarily shows the sheet resistance of the first
[표 1]에서 제1 공통 전압 배선(212)은 티타늄(Ti)과 구리(Cu)를 포함하는 다층을 갖고, 제2 공통 전압 배선(222)은 CBL(Cu barrier layer), 구리(Cu) 및 CCL(Cu capping layer)을 포함하는 다층인 것을 예시적으로 보여주나, 이에 한정되지 않는다.In Table 1, the first
다음 [표 2]는 공통 전압 배선(LVCOM)이 제1 공통 전압 배선(212), 제2 공통 전압 배선(222) 및 제3 공통 전압 배선(232) 중 일부 및 전부를 포함했을 때 면저항을 예시적으로 보여준다.The following Table 2 shows the sheet resistance when the common voltage wiring LVCOM includes some and all of the first
제2 공통 전압 배선(222)The first
The second
제3 공통 전압 배선(232)The first
The third
제3 공통 전압 배선(232)The second
The third
제2 공통 전압 배선(222) +
제3 공통 전압 배선(232)The first
The second
The third
[표 2]에서 알 수 있는 바와 같이, 공통 전압 배선(LVCOM)이 제1 공통 전압 배선(212), 제2 공통 전압 배선(222) 및 제3 공통 전압 배선(232)을 모두 포함할 때 공통 전압 배선(LVCOM)의 면저항이 가장 작은 것을 알 수 있다.As can be seen from Table 2, when the common voltage wiring LVCOM includes both the first
공통 전압 배선(LVCOM)의 저항이 감소함에 따라서 공통 전압 배선(LVCOM)을 통해 전송되는 공통 전압(VCOM)에 리플이 감소하고, 그 결과 표시 기판(DP)을 통해 표시되는 영상의 품질이 향상될 수 있다.As the resistance of the common voltage wiring LVCOM decreases, the ripple decreases in the common voltage VCOM transmitted through the common voltage wiring LVCOM, and as a result, the quality of the image displayed through the display substrate DP is improved .
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 또한 본 발명에 개시된 실시예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니고, 하기의 특허 청구의 범위 및 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. It will be possible. In addition, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, and all technical ideas which fall within the scope of the following claims and equivalents thereof should be interpreted as being included in the scope of the present invention .
100: 표시 장치
DP: 표시 기판
120: 메인 회로 기판
121: 공통 전압 발생기
122: 구동 컨트롤러
130: 데이터 구동 회로
131~133: 데이터 구동 칩
141~144: 연성회로기판
150: 게이트 구동회로
151~154: 게이트 구동 칩들100: Display device DP: Display substrate
120: main circuit board 121: common voltage generator
122: driving controller 130: data driving circuit
131 to 133:
150:
Claims (13)
상기 복수의 화소들로 공통 전압을 공급하고, 상기 기판 상에 서로 다른 층에 배치되어 전기적으로 연결되는 제1 내지 제3 공통 전압 배선들을 포함하는 공통 전압 배선; 및
상기 제1 내지 제3 공통 전압 배선들을 서로 전기적으로 연결하기 위한 콘택 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.A plurality of pixels formed on a substrate;
A common voltage wiring line including first through third common voltage lines electrically connected to the plurality of pixels and arranged on different layers on the substrate; And
And a contact electrode for electrically connecting the first to third common voltage wirings to each other.
상기 복수의 화소들 각각은,
상기 기판 상에 형성된 트랜지스터; 및
상기 트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소 전극 및 공통 전극을 포함하는 액정 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein each of the plurality of pixels includes:
A transistor formed on the substrate; And
And a liquid crystal capacitor including a pixel electrode electrically connected to the transistor and a common electrode.
상기 콘택 전극은 상기 화소 전극과 동일한 물질을 포함하고, 동일한 공정에서 제공되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the contact electrode comprises the same material as the pixel electrode and is provided in the same process.
상기 트랜지스터는,
상기 기판 상에 형성된 게이트 전극;
상기 게이트 전극이 형성된 기판 전체에 걸쳐 적층된 절연층;
상기 절연층 상에 형성된 반도체 층;
상기 반도체 층 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극; 및
상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극이 형성된 기판 전체에 걸쳐 적층된 제1 보호층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.3. The method of claim 2,
The transistor comprising:
A gate electrode formed on the substrate;
An insulating layer stacked over the entire substrate on which the gate electrode is formed;
A semiconductor layer formed on the insulating layer;
A source electrode and a drain electrode formed on the semiconductor layer; And
And a first protective layer stacked over the entire substrate on which the source electrode and the drain electrode are formed.
상기 제1 공통 전압 배선은 상기 게이트 전극과 서로 동일한 레벨에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.5. The method of claim 4,
And the first common voltage wiring is located at the same level as the gate electrode.
상기 제3 공통 전압 배선은 상기 제1 보호층 상에 형성되고,
상기 제3 공통 전압 배선 상에 형성된 제2 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.6. The method of claim 5,
The third common voltage wiring is formed on the first protective layer,
And a second protective layer formed on the third common voltage wiring.
상기 콘택 전극은 상기 제2 보호층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.The method according to claim 6,
And the contact electrode is formed on the second passivation layer.
상기 제1 공통 전압 배선 상에 형성된 상기 제2 보호층, 상기 제1 보호층 및 상기 절연층을 관통하는 제1 콘택홀을 더 포함하고,
상기 제1 공통 전압 배선은 상기 제1 콘택홀을 통하여 상기 콘택 전극과 직접 접촉하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.8. The method of claim 7,
Further comprising a first contact hole penetrating through the second protection layer, the first protection layer, and the insulation layer formed on the first common voltage wiring,
And the first common voltage wiring is in direct contact with the contact electrode through the first contact hole.
상기 제2 공통 전압 배선은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 서로 동일한 레벨에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.8. The method of claim 7,
And the second common voltage wiring is located at the same level as the source electrode and the drain electrode.
상기 제2 공통 전압 배선 상에 형성된 상기 제2 보호층 및 상기 제1 보호층을 관통하는 제2 콘택홀을 더 포함하고,
상기 제2 공통 전압 배선은 상기 제2 콘택홀을 통하여 상기 콘택 전극과 직접 접촉하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.10. The method of claim 9,
And a second contact hole penetrating through the second protection layer and the first protection layer formed on the second common voltage wiring,
And the second common voltage wiring is in direct contact with the contact electrode through the second contact hole.
상기 제3 공통 전압 배선 상에 형성된 상기 제2 보호층을 관통하는 제3 콘택홀을 더 포함하고,
상기 제3 공통 전압 배선은 제3 콘택홀을 통하여 상기 콘택 전극과 직접 접촉하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.8. The method of claim 7,
And a third contact hole penetrating the second protection layer formed on the third common voltage wiring,
And the third common voltage wiring is in direct contact with the contact electrode through the third contact hole.
상기 기판은,
표시 영역과 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하고,
상기 공통 전압 배선은 상기 비표시 영역에 배열되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein:
A display device, comprising: a display area; and a non-display area surrounding the display area,
And the common voltage wiring is arranged in the non-display region.
상기 콘택 전극은 상기 제1 공통 전압 배선과 상기 제3 공통 전압 배선을 전기적으로 연결하고, 상기 제2 공통 전압 배선과 상기 제3 공통 전압 배선을 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the contact electrode electrically connects the first common voltage wiring and the third common voltage wiring, and electrically connects the second common voltage wiring and the third common voltage wiring.
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KR20190141510A (en) * | 2018-06-14 | 2019-12-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display device having a intermediate supply line disposed adjacent to a pixel area, and Method for fabricating the same |
WO2021003908A1 (en) * | 2019-07-10 | 2021-01-14 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Multi-signal hva-type liquid crystal display panel |
US11605699B2 (en) | 2020-05-27 | 2023-03-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
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- 2016-09-20 KR KR1020160120276A patent/KR20180031898A/en not_active Application Discontinuation
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