KR20180029845A - Display device - Google Patents

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KR20180029845A
KR20180029845A KR1020170094209A KR20170094209A KR20180029845A KR 20180029845 A KR20180029845 A KR 20180029845A KR 1020170094209 A KR1020170094209 A KR 1020170094209A KR 20170094209 A KR20170094209 A KR 20170094209A KR 20180029845 A KR20180029845 A KR 20180029845A
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오광용
류승열
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서울반도체 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a display device. According to an embodiment of the present invention, the display device comprises: a circuit substrate; a plurality of light emitting diodes disposed on the circuit substrate; a barrier rib formed on the circuit substrate and formed between the plurality of light emitting diodes; a transparent substrate formed on the upper side of the light emitting diode and the barrier rib; and a wavelength conversion layer formed on the upper side of at least one of the plurality of light emitting diodes. In addition, the light emitting diode includes a plurality of first light emitting diodes and at least one second light emitting diode releasing light of different colors. Moreover, the wavelength conversion layer is disposed on the upper side of at least one of the plurality of first light emitting diodes.

Description

디스플레이 장치{DISPLAY DEVICE}Display device {DISPLAY DEVICE}

본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device.

일반적으로, 디스플레이 장치는 광을 이용하여 화상을 표시하는 디스플레이 패널 및 상기 디스플레이 패널에 광을 제공하는 백라이트 어셈블리를 포함한다. 상기 디스플레이 패널은 각각이 스위칭 소자, 화소 전극, 공통 전극 및 컬러층을 포함하는 다수의 화소 셀들을 포함한다. 상기 디스플레이 패널로는 액정 디스플레이 패널이 일반적으로 이용되고 있다. 상기 백라이트 어셈블리가 제공하는 광이 액정 및 컬러층을 통과하고 광의 가변 혼색에 의해서 상기 표시 장치가 컬러 이미지를 표시할 수 있다. 이때, 컬러 이미지를 표시하기 위한 컬러층은 예를 들어, 레드 컬러 필터(R), 그린 컬러 필터(G) 및 블루 컬러 필터(B)를 포함한다. 그리고 컬리 필터를 통과한 컬러 광의 혼합에 의해서 다양한 컬러를 표현된다. 즉, 이미지 표현을 위한 다양한 컬러 광을 구현하기 위해서는 컬러 필터가 필요하다.Generally, a display device includes a display panel that displays an image using light and a backlight assembly that provides light to the display panel. The display panel includes a plurality of pixel cells each including a switching element, a pixel electrode, a common electrode, and a color layer. As the display panel, a liquid crystal display panel is generally used. The light provided by the backlight assembly passes through the liquid crystal and the color layer and the display device can display a color image by the variable color mixture of light. At this time, the color layer for displaying the color image includes, for example, a red color filter (R), a green color filter (G) and a blue color filter (B). And various colors are represented by the mixing of color light passing through the color filter. That is, a color filter is required to realize various color light for image representation.

또한, 액정을 이용하기 때문에 편광이 필요하고, 이에 따라 편광 필터가 사용되며 다양한 광학 필름이 요구된다. 이러한 다양한 부품들에 의해 표시 장치가 두꺼워지며 중량화된다.Further, since liquid crystals are used, polarized light is required, and accordingly a polarizing filter is used and various optical films are required. The display device is thickened and thickened by these various parts.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 액정, 편광 필터 및 컬러 필터 등의 부품 생략이 가능한 마이크로 LED 기반 디스플레이 장치를 구현하는 데 있다. A problem to be solved by the present invention is to implement a micro LED-based display device which can omit components such as liquid crystal, polarizing filter and color filter.

또한, 본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 본딩 와이어를 사용하지 않고 마이크로 LED들을 동작시킬 수 있는 마이크로 LED 기반 디스플레이 장치를 구현하는데 있다. Another object of the present invention is to provide a micro LED-based display device capable of operating micro LEDs without using a bonding wire.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 마이크로 LED들을 구동하기 위한 배선의 폭을 줄임으로써 발광 영역을 증가시켜 광 효율을 높일 수 있는 디스플레이 장치를 구현하는 데 있다. Another object of the present invention is to realize a display device capable of increasing the light efficiency by reducing the width of wiring for driving the micro LEDs.

본 발명의 실시 예에 따르면, 회로 기판, 회로 기판상에 배치된 발광 다이오드, 회로 기판 및 발광 다이오드 상부에 배치된 투명 기판, 투명 기판의 하면에 형성된 투명 전극 및 발광 다이오드 상부에 형성되며, 발광 다이오드 및 투명 전극과 각각 접촉하여 전기적으로 연결되는 범프를 포함하는 디스플레이 장치가 제공된다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a light emitting device including a circuit board, a light emitting diode disposed on the circuit board, a circuit board and a transparent substrate disposed on the light emitting diode, a transparent electrode formed on a lower surface of the transparent substrate, And a bump electrically contacted with and in contact with the transparent electrode, respectively.

본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 회로 기판 상부에 범프가 상면에 형성된 발광 다이오드를 형성하는 단계 및 범프 상부에 투명 전극 및 투명 기판을 형성하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치 형성 방법이 제공된다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a method of forming a display device including forming a light emitting diode having a bump on an upper surface thereof on a circuit board, and forming a transparent electrode and a transparent substrate on the bump.

본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 액정, 편광 필터 및 컬러 필터 등의 부품 생략이 가능하다.The display device according to the embodiment of the present invention can omit components such as a liquid crystal, a polarizing filter, and a color filter.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 본딩 와이어 대신에 범프를 적용함으로써, 작은 크기의 LED들을 쉽게 전기적으로 연결할 수 있어 작업성이 개선되고 공정 불량을 방지할 수 있으며 생산 수율을 향상시킬 수 있다. 나아가, 구동 회로에 따라 다양한 배선을 쉽게 형성할 수 있어, 디스플레이 장치의 디자인을 쉽게 변경할 수 있으며, 배선의 폭을 줄일 수 있어 발광 영역을 증가시켜 광 효율을 높일 수 있다.In addition, since the display device according to the embodiment of the present invention can easily electrically connect LEDs of a small size by applying bumps instead of bonding wires, workability can be improved, process failures can be prevented, have. Further, various wirings can be easily formed according to the driving circuit, the design of the display device can be easily changed, the width of the wirings can be reduced, and the light emitting area can be increased to increase the light efficiency.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 예시도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 예시도이다.
도 3은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 예시도이다.
도 4는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 예시도이다.
도 5는 본 발명의 제5 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 예시도이다.
도 6은 본 발명의 제6 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 예시도이다.
도 7 내지 도 10은 디스플레이 장치를 형성하는 방법을 나타낸 제1 실시 예이다.
도 11 내지 도 13는 디스플레이 장치를 형성하는 방법을 나타낸 제2 실시 예이다.
도 14 내지 도 17은 디스플레이 장치를 형성하는 방법을 나타낸 제3 실시 예이다.1 is an exemplary view illustrating a display device according to a first embodiment of the present invention.
2 is an exemplary view illustrating a display device according to a second embodiment of the present invention.
3 is an exemplary view illustrating a display device according to a third embodiment of the present invention.
4 is an exemplary view illustrating a display device according to a fourth embodiment of the present invention.
5 is an exemplary view illustrating a display device according to a fifth embodiment of the present invention.
6 is an exemplary view illustrating a display device according to a sixth embodiment of the present invention.
7 to 10 show a first embodiment showing a method of forming a display device.
11 to 13 show a second embodiment showing a method of forming a display device.
14 to 17 show a third embodiment showing a method of forming a display device.

본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시 예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 다음에 소개되는 실시 예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위한 예시로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, "제1", "제2", "일면", "타면", "상면", "하면", "상부", "하부" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위해 사용되는 것으로, 구성요소가 상기 용어들에 의해 제한되는 것은 아니다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The objectives, specific advantages and novel features of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. It should be noted that, in the present specification, the reference numerals are added to the constituent elements of the drawings, and the same constituent elements are assigned the same number as much as possible even if they are displayed on different drawings. It is also to be understood that terms such as " first, "second," one side, "" second," " top, " And the constituent elements are not limited by these terms.

본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 회로 기판, 회로 기판상에 배치된 발광 다이오드, 회로 기판 및 발광 다이오드 상부에 배치된 투명 기판, 투명 기판의 하면에 형성된 투명 전극 및 발광 다이오드 상부에 형성되며, 발광 다이오드 및 투명 전극과 각각 접촉하여 전기적으로 연결되는 범프를 포함한다.A display device according to an embodiment of the present invention includes a circuit board, a light emitting diode disposed on the circuit board, a circuit board, a transparent substrate disposed on the light emitting diode, a transparent electrode formed on a lower surface of the transparent substrate, And a bump electrically connected to the light emitting diode and the transparent electrode, respectively.

여기서, 회로 기판은 발광 다이오드와 전기적으로 연결된다.Here, the circuit board is electrically connected to the light emitting diode.

또한, 디스플레이 장치는 발광 다이오드의 적어도 일 측과 이격되도록 형성되어 투명 전극과 회로 기판을 전기적으로 연결하는 격벽이 더 형성될 수 있다.In addition, the display device may be further formed with a partition wall spaced apart from at least one side of the light emitting diode and electrically connecting the transparent electrode to the circuit board.

또한, 디스플레이 장치는 발광 다이오드 상부에 형성된 파장 변환층을 더 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 파장 변환층은 발광 다이오드와 투명 전극 사이에 형성된다. 이때, 범프는 적어도 일부가 파장 변환층에 삽입된다.In addition, the display device may further include a wavelength conversion layer formed on the light emitting diode. According to one embodiment, the wavelength conversion layer is formed between the light emitting diode and the transparent electrode. At this time, at least a part of the bump is inserted into the wavelength conversion layer.

다른 실시 예에 따르면, 파장 변환층은 투명 기판 상부에 형성된다. 또는, 파장 변환층은 투명 기판 내부에 삽입된다.According to another embodiment, the wavelength conversion layer is formed on the transparent substrate. Alternatively, the wavelength conversion layer is inserted into the transparent substrate.

디스플레이 장치는 회로 기판과 전기적으로 연결된 TFT 구동부를 더 포함할 수 있다.The display device may further include a TFT driver electrically connected to the circuit board.

발광 다이오드의 하부에 하부 전극이 더 형성되며, 발광 다이오드는 하부 전극으로 회로 기판과 전기적으로 연결된다.A lower electrode is further formed under the light emitting diode, and the light emitting diode is electrically connected to the circuit substrate as a lower electrode.

디스플레이 장치는 발광 다이오드를 덮도록 회로 기판과 투명 전극 사이의 공간에 형성된 밀봉재를 더 포함할 수 있다. 밀봉재는 형광체를 포함할 수 있다.The display device may further include a sealing material formed in a space between the circuit board and the transparent electrode so as to cover the light emitting diode. The sealing material may include a phosphor.

본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 회로 기판 상부에 범프가 상면에 형성된 발광 다이오드를 형성하는 단계 및 범프 상부에 투명 전극 및 투명 기판을 형성하는 단계를 포함한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting diode, comprising: forming a light emitting diode having a bump on an upper surface thereof on a circuit board; and forming a transparent electrode and a transparent substrate on the bump.

발광 다이오드를 형성하는 단계 이후에, 발광 다이오드 상부에 파장 변환층을 형성하는 단계 및 파장 변환층 상부를 연마하여 범프를 노출하는 단계를 더 포함할 수 있다.After the step of forming the light emitting diode, a step of forming a wavelength conversion layer on the light emitting diode and a step of polishing the upper part of the wavelength conversion layer to expose the bump may be further included.

투명 전극 및 투명 기판을 형성하는 단계에서, 투명 기판의 내부에 파장 변환층이 삽입된다. 또는, 투명 전극 및 투명 기판을 형성하는 단계 이후에, 투명 기판의 상부에 파장 변환층이 형성된다.In the step of forming the transparent electrode and the transparent substrate, the wavelength conversion layer is inserted into the inside of the transparent substrate. Alternatively, after the step of forming the transparent electrode and the transparent substrate, the wavelength conversion layer is formed on the transparent substrate.

발광 다이오드를 형성하는 단계에서, 발광 다이오드의 하부에는 하부 전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. In the step of forming the light emitting diode, a step of forming a lower electrode may be further included in the lower part of the light emitting diode.

또한, 발광 다이오드를 형성하는 단계 이후에, 발광 다이오드를 덮도록 회로 기판 및 발광 다이오드 상부에 밀봉재를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 여기서, 밀봉재에는 형광체가 포함될 수 있다.Further, after the step of forming the light emitting diode, the method may further include forming a sealing material on the circuit board and the light emitting diode to cover the light emitting diode. Here, the sealing material may include a phosphor.

회로 기판 상부에는 발광 다이오드의 적어도 일 측면과 이격되도록 형성되어 투명 전극과 회로 기판을 전기적으로 연결하는 격벽이 더 형성될 수 있다.A partition wall may be further formed on the circuit board so as to be spaced apart from at least one side of the light emitting diode and electrically connect the transparent electrode and the circuit board.

발광 다이오드를 형성하는 단계 이후에, 회로 기판과 전기적으로 연결된 TFT 구동부를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.And forming a TFT driver electrically connected to the circuit board after the step of forming the light emitting diode.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 예시도이다.1 is an exemplary view illustrating a display device according to a first embodiment of the present invention.

더 자세하게는 도 1은 제1 실시 예에 따른 디스플레이 장치(100)의 하나의 서브픽셀을 도시하고 있다.More specifically, Fig. 1 shows one subpixel of the display device 100 according to the first embodiment.

본 발명의 실시 예에서 하나의 발광 다이오드가 포함된 영역은 디스플레이 장치에서 하나의 서브 픽셀(sub pixel)(A)로 정의될 수 있다. 이러한 서브 픽셀(A) 3개 또는 4개가 하나의 픽셀(pixel)을 이룰 수 있다. 디스플레이 장치(100)는 이러한 픽셀을 복수개 포함한다. In the embodiment of the present invention, the area including one light emitting diode may be defined as one sub pixel A in the display device. Three or four such subpixels A may form one pixel. The display device 100 includes a plurality of such pixels.

도 1을 참고하면, 제1 실시 예에 따른 디스플레이 장치(100)는 회로 기판(110), 발광 다이오드부(120), 격벽(140), 투명 기판(160), 투명 전극(190), 범프(155) 및 TFT 구동부(180)를 포함한다.1, the display device 100 according to the first embodiment includes a circuit board 110, a light emitting diode 120, a barrier 140, a transparent substrate 160, a transparent electrode 190, 155 and a TFT driver 180.

여기서, 회로 기판(110)은 능동 회로가 형성된 베이스 기판이다. 회로 기판(110)의 능동 회로는 발광 다이오드부(120)와 전기적으로 연결된다.Here, the circuit board 110 is a base board on which an active circuit is formed. The active circuit of the circuit board 110 is electrically connected to the light emitting diode unit 120.

도 1에는 미도시 되었지만, 회로 기판(110)에는 스위칭 소자, 예컨대 TFT(Thin film transistor)가 형성되어 있다. TFT는 픽셀 또는 서브 픽셀을 제어하는 스위치로, 각각의 발광 다이오드와 전기적으로 연결되어 있다. 이와 같은 TFT에 의해서 각각의 발광 다이오드들의 점멸 및 점등이 제어된다.Although not shown in FIG. 1, a switching device such as a thin film transistor (TFT) is formed on the circuit board 110. A TFT is a switch for controlling pixels or subpixels, and is electrically connected to each of the light emitting diodes. The TFTs control the flashing and lighting of the respective light emitting diodes.

발광 다이오드부(120)는 회로 기판(110) 상에 배치된다. 발광 다이오드부(120)는 디스플레이 장치에서 사용되는 어떠한 종류의 발광 다이오드도 가능하다. 예를 들어, 발광 다이오드부(120)는 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 갈륨계 기반의 발광 다이오드로 구성된 것일 수 있다. 도 1에서는 발광 다이오드부(120)가 1개의 발광 다이오드로 구성되는 것으로 도시하고 있다. 그러나 발광 다이오드부(120)는 복수개의 발광 다이오드로 구성되는 것도 가능하다. 이때, 복수개의 발광 다이오드는 회로 기판(110) 상에 일정한 간격으로 이격된 상태로 배치될 수 있다.The light emitting diode portion 120 is disposed on the circuit board 110. The light emitting diode unit 120 may be any type of light emitting diode used in a display device. For example, the light emitting diode part 120 may be composed of a gallium-based light emitting diode including an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer. In FIG. 1, the light emitting diode unit 120 is shown as being composed of one light emitting diode. However, the light emitting diode unit 120 may include a plurality of light emitting diodes. At this time, the plurality of light emitting diodes may be arranged on the circuit board 110 at a predetermined interval.

본 발명의 실시 예에 따르면, 발광 다이오드부(120)는 100um 이하의 마이크로 사이즈의 발광 다이오드를 적용함으로써, 디스플레이 장치(100)의 해상도를 향상시킬 수 있다. 도 1에서는 하나의 서브 픽셀(A)만을 도시하고 있지만, 디스플레이 장치(100)는 복수개의 서브 픽셀(A)을 포함하며, 복수개의 서브 픽셀(A)에서는 서로 다른 색의 광이 방출될 수 있다. 이와 같은 발광 다이오드부(120)에 의해서 디스플레이 장치(100)는 별도의 액정 없이 이미지를 표현하는 장치로 구동될 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the light emitting diode unit 120 can improve the resolution of the display device 100 by applying a micro-sized light emitting diode of 100um or less. Although only one subpixel A is shown in FIG. 1, the display device 100 includes a plurality of subpixels A, and light of different colors may be emitted in the plurality of subpixels A . The display device 100 can be driven by a device that displays an image without liquid crystal by the light emitting diode unit 120 as described above.

도 1에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드부(120)의 하부에는 하부 전극(131)이 형성될 수 있다. 하부 전극(131)은 발광 다이오드부(120)와 회로 기판(110)에 각각 접촉하며, 발광 다이오드부(120)를 회로 기판(110)에 전기적으로 연결한다. 또한, 미도시 되었지만, 발광 다이오드부(120)의 상부에는 상부 전극이 형성될 수 있다. 상부 전극(미도시)과 투명 전극(190)은 범프(155)를 통해 전기적으로 연결될 수 있다.As shown in FIG. 1, a lower electrode 131 may be formed under the light emitting diode 120. The lower electrode 131 is in contact with the light emitting diode 120 and the circuit board 110 and electrically connects the light emitting diode unit 120 to the circuit board 110. Also, although not shown, an upper electrode may be formed on the upper portion of the light emitting diode 120. The upper electrode (not shown) and the transparent electrode 190 may be electrically connected through the bumps 155.

격벽(140)은 발광 다이오드부(120)에서 방출된 광을 투명 기판(160)을 향하도록 반사시키기 위해서 형성된다. 격벽(140)은 단면도에서 볼 때, 발광 다이오드부(120)의 발광 다이오드 양측에 배치된다. 만약 발광 다이오드부(120)의 발광 다이오드가 복수개라면, 격벽(140)은 복수개의 발광 다이오드 사이에 배치된다. 격벽(140)은 일 측면 또는 양 측면이 기울기를 갖도록 형성될 수 있다. 격벽(140)의 측면이 기울기를 가지면, 발광 다이오드부(120)에서 방출된 광을 더 효율적으로 투명 기판(160) 방향으로 반사시킬 수 있다. 또한, 격벽(140)은 전기 전도성 재질로 형성되는 것도 가능하다. 이와 같이, 격벽(140)에 의해 서브 픽셀(A)이 정의될 수 있다.The barrier ribs 140 are formed to reflect the light emitted from the light emitting diode part 120 toward the transparent substrate 160. The barrier ribs 140 are disposed on both sides of the light emitting diodes of the light emitting diode portion 120 as viewed in a cross-sectional view. If the light emitting diodes 120 have a plurality of light emitting diodes, the barrier ribs 140 are disposed between the plurality of light emitting diodes. The barrier ribs 140 may be formed to have a slope on one side or both sides. When the side surface of the barrier rib 140 has a slope, the light emitted from the light emitting diode 120 can be more efficiently reflected toward the transparent substrate 160. Further, the barrier ribs 140 may be formed of an electrically conductive material. As described above, the sub-pixel A can be defined by the barrier ribs 140. [

투명 기판(160)은 발광 다이오드부(120) 및 격벽(140)의 상부에 배치된다. 또한, 투명 기판(160)은 발광 다이오드부(120)가 방출한 광을 투과시킬 수 있는 투명한 재질로 형성된다. 예를 들어, 투명 기판(160)은 석영, 유리 또는 플라스틱 재질로 형성될 수 있다. 그러나 투명 기판(160)의 재질은 이에 한정되는 것은 아니며, 광을 투과시킬 수 있는 당 기술분야에서 공지된 어떠한 것도 가능하다.The transparent substrate 160 is disposed on the light emitting diode portion 120 and the barrier ribs 140. In addition, the transparent substrate 160 is formed of a transparent material capable of transmitting light emitted from the light emitting diode unit 120. For example, the transparent substrate 160 may be formed of quartz, glass, or plastic. However, the material of the transparent substrate 160 is not limited thereto, and any material known in the art capable of transmitting light can be used.

투명 전극(190)은 투명 기판(160) 하면에 형성된다. 투명 전극(190)은 투명한 재질이며, 전기 전도성 재질로 형성된다.The transparent electrode 190 is formed on the lower surface of the transparent substrate 160. The transparent electrode 190 is made of a transparent material and is made of an electrically conductive material.

범프(155)는 발광 다이오드부(120) 상부에 형성된다. 또한, 범프(155)는 전기전도성 재질로 형성된다. 예를 들어, 범프(155)는 솔더(solder)로 형성된다. 범프(155)는 발광 다이오드부(120) 및 투명 전극(190)과 각각 접촉한다. 만약, 발광 다이오드부(120)에 상부 전극(미도시)이 형성되어 있다면, 범프(155)는 상부 전극과 접촉하게 된다. 이와 같이 형성된 범프(155)에 의해서 발광 다이오드부(120)와 투명 전극(190)은 서로 전기적으로 연결된다.The bumps 155 are formed on the light emitting diode portion 120. Further, the bumps 155 are formed of an electrically conductive material. For example, the bumps 155 are formed of solder. The bump 155 contacts the light emitting diode portion 120 and the transparent electrode 190, respectively. If an upper electrode (not shown) is formed on the light emitting diode portion 120, the bump 155 is brought into contact with the upper electrode. The light emitting diode part 120 and the transparent electrode 190 are electrically connected to each other by the bumps 155 formed in this way.

본 발명의 실시 예에 따르면, 발광 다이오드부(120)와 회로 기판(110) 간의 전기적 연결을 본딩 와이어(bonding wire) 대신에 범프(155)를 이용하고 있다. 즉, 발광 다이오드부(120)와 회로 기판(110)이 범프(155)와 격벽(140)에 의해서 전기적으로 연결된다. 따라서, 범프(155)를 이용함으로써, 와이어 본딩(wire bonding)을 위해 필요한 공간을 감소시킬 수 있다. 또한, 본딩 와이어를 사용하지 않고 투명 전극을 형성하기 때문에, 투명 전극의 배선 폭을 쉽게 감소시킬 수 있어 발광 영역을 증가시킬 수 있으며, 그에 따라 광 효율을 높일 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the electrical connection between the light emitting diode part 120 and the circuit board 110 is performed using a bump 155 instead of a bonding wire. That is, the light emitting diode unit 120 and the circuit board 110 are electrically connected by the bump 155 and the barrier 140. Thus, by using the bumps 155, the space required for wire bonding can be reduced. In addition, since the transparent electrode is formed without using the bonding wire, the width of the transparent electrode can be easily reduced, the light emitting area can be increased, and the light efficiency can be increased accordingly.

TFT 구동부(180)는 회로 기판(110)과 전기적으로 연결되며, 회로 기판(110)에 형성된 TFT의 동작을 제어한다. 따라서, TFT 구동부(180)에 의해서 TFT의 동작이 제어되고, 결국 발광 다이오드부(120)의 점멸 및 점등이 제어된다.The TFT driver 180 is electrically connected to the circuit board 110 and controls the operation of the TFT formed on the circuit board 110. Accordingly, the operation of the TFT is controlled by the TFT driver 180, and the flashing and lighting of the LED 120 are controlled.

도 1을 참고하면, TFT 구동부(180)는 서브 픽셀(A) 내부에 배치된 것으로 도시되고 있다. 그러나 TFT 구동부(180)는 서브 픽셀(A)의 외부에 배치되는 것도 가능하다. 예를 들어, 하나의 TFT 구동부(180)는 픽셀 단위로 제어하거나, 복수개의 픽셀 전체를 제어하는 것도 가능하다. 즉, 도 1의 구조는 일 실시 예일 뿐, 본 발명이 이와 같은 구조로 한정되는 것은 아니며, TFT 구동부(180)가 배치되는 위치 및 제어하는 서브 픽셀 또는 픽셀 단위는 당업자의 선택에 따라 변경 가능하다. Referring to FIG. 1, the TFT driver 180 is shown as being disposed inside the subpixel A. FIG. However, the TFT driver 180 may be disposed outside the sub-pixel A. For example, one TFT driver 180 may be controlled on a pixel-by-pixel basis or all of a plurality of pixels may be controlled. That is, the structure of FIG. 1 is only an embodiment, and the present invention is not limited to such a structure. The position where the TFT driver 180 is disposed and the subpixel or pixel unit to be controlled can be changed according to the choice of a person skilled in the art .

밀봉재(195)는 서브 픽셀(A)의 내부 공간을 채우도록 형성된다. 밀봉재(195)는 투명한 재질로 발광 다이오드부(120)의 광을 통과시킬 수 있다. 밀봉재(195)는 발광 다이오드부(120)와 같은 서브 픽셀(A) 내부에 배치된 구성부들을 외부 환경 등으로부터 보호하기 위해 형성된다. 본 발명의 실시 예에서 밀봉재(195)가 서브 픽셀(A)의 내부 공간을 채우도록 형성된 것을 예시로 설명하고 있으나, 당업자의 선택에 따라 밀봉재(195)는 생략되는 것도 가능하다.The sealing material 195 is formed so as to fill the inner space of the sub pixel A. [ The sealing material 195 can transmit the light of the light emitting diode part 120 with a transparent material. The sealing member 195 is formed to protect the components disposed inside the sub pixel A such as the light emitting diode unit 120 from the external environment or the like. Although the seal member 195 is formed to fill the inner space of the sub pixel A in the embodiment of the present invention, the seal member 195 may be omitted according to the selection of a person skilled in the art.

도 1에서는 본 발명의 특징 부분에 대한 설명 및 이해를 위해 디스플레이 장치(100)의 서브 픽셀에 관한 부분을 도시 및 설명하고 있다. 이에, 디스플레이 장치에는 도 1에서 도시 및 설명된 구성부 이외에 별도의 구성부가 더 추가될 수 있음은 당업자에게 자명한 사항이다.FIG. 1 illustrates and explains portions of a display device 100 relating to subpixels for the purpose of explanation and understanding of the characteristic portions of the present invention. It is obvious to those skilled in the art that a separate component may be added to the display device in addition to the components shown and described in FIG.

도 2는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 예시도이다.2 is an exemplary view illustrating a display device according to a second embodiment of the present invention.

더 자세하게는 도 2는 제2 실시 예에 따른 디스플레이 장치(200)의 하나의 서브픽셀을 도시하고 있다.More specifically, FIG. 2 shows one sub-pixel of the display device 200 according to the second embodiment.

제2 실시 예에 따른 디스플레이 장치(200)에 대한 설명 중에서 제1 실시 예에 따른 디스플레이 장치(도 1의 100)와 동일한 구성부에 대한 설명은 생략하도록 한다. 생략된 설명에 대해서는 도 1을 참고하도록 한다.Descriptions of the same components as those of the display device 100 (FIG. 1) according to the first embodiment will be omitted from the description of the display device 200 according to the second embodiment. Refer to Fig. 1 for an omitted description.

도 2를 참고하면, 제2 실시 예에 따른 디스플레이 장치(200)는 회로 기판(110), 발광 다이오드부(120), 격벽(140), 투명 기판(160), 투명 전극(190), 범프(155) 및 파장 변환층(170)을 포함한다.2, the display device 200 according to the second embodiment includes a circuit board 110, a light emitting diode 120, a barrier 140, a transparent substrate 160, a transparent electrode 190, 155 and a wavelength conversion layer 170.

파장 변환층(170)은 발광 다이오드부(120)와 투명 전극(190) 사이에 형성된다. 도 2에 도시된 바와 같이 파장 변환층(170)의 하면은 발광 다이오드부(120)의 상면과 접하며, 파장 변환층(170)의 상면은 투명 전극(190)의 하면과 접한다. 파장 변환층(170)은 질화물(nitride), 황화물(sulfide) 또는 불소(fluoride) 계열의 형광체, 또는 양자점을 포함할 수 있다.The wavelength conversion layer 170 is formed between the light emitting diode 120 and the transparent electrode 190. The lower surface of the wavelength conversion layer 170 is in contact with the upper surface of the light emitting diode 120 and the upper surface of the wavelength conversion layer 170 is in contact with the lower surface of the transparent electrode 190 as shown in FIG. The wavelength conversion layer 170 may include phosphors of nitride, sulfide, or fluoride series, or quantum dots.

범프(155)는 파장 변환층(170)의 내부에 위치하되, 파장 변환층(170)을 관통하여, 발광 다이오드부(120) 및 투명 전극(190)에 각각 접하게 된다. 이때, 범프(155)는 도 2에 도시된 바와 같이, 상면이 편평하도록 형성된다.The bump 155 is located inside the wavelength conversion layer 170 and penetrates the wavelength conversion layer 170 to be in contact with the light emitting diode 120 and the transparent electrode 190. At this time, as shown in FIG. 2, the bump 155 is formed so that its top surface is flat.

도 2에서 격벽(140)의 하면은 회로 기판(110)과 접하며, 상면은 투명 전극(190)과 접한다. 따라서, 발광 다이오드부(120)는 범프(155), 투명 전극(190) 및 격벽(140)을 통해서 회로 기판(110)과 전기적으로 연결되는 것도 가능하다. 이때, 회로 기판(110)에 형성된 회로들 중에서 하부 전극(131)과 격벽(140)은 서로 다른 회로와 연결된다.2, the lower surface of the barrier rib 140 is in contact with the circuit substrate 110, and the upper surface thereof is in contact with the transparent electrode 190. The light emitting diode 120 may be electrically connected to the circuit board 110 through the bumps 155, the transparent electrodes 190, and the barrier ribs 140. At this time, among the circuits formed on the circuit board 110, the lower electrode 131 and the barrier ribs 140 are connected to different circuits.

도 3은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 예시도이다.3 is an exemplary view illustrating a display device according to a third embodiment of the present invention.

더 자세하게는 도 3은 제3 실시 예에 따른 디스플레이 장치(300)의 하나의 서브픽셀을 도시하고 있다.More specifically, FIG. 3 shows one subpixel of the display device 300 according to the third embodiment.

제3 실시 예에 따른 디스플레이 장치(300)를 나타낸 설명 중에서 제1 실시 예에 따른 디스플레이 장치(도 1의 100)와 동일한 구성부에 대한 설명은 생략하도록 한다. 생략된 설명에 대해서는 도 1을 참고하도록 한다.Descriptions of the same components as those of the display device 100 (FIG. 1) according to the first embodiment among the descriptions of the display device 300 according to the third embodiment will be omitted. Refer to Fig. 1 for an omitted description.

투명 기판(160)에는 캐비티(161)가 형성된다. 캐비티(161)는 투명 기판(160) 상면에 형성된다. 이때, 캐비티(161)는 발광 다이오드부(120)의 상부에 위치하게 된다.A cavity 161 is formed in the transparent substrate 160. The cavity 161 is formed on the upper surface of the transparent substrate 160. At this time, the cavity 161 is positioned above the light emitting diode unit 120.

파장 변환층(170)은 투명 기판(160)의 캐비티(161)에 삽입된다. 파장 변환층(170)은 발광 다이오드부(120)의 상부에 위치하게 된다. 따라서, 발광 다이오드부(120)의 광이 파장 변환층(170)을 통과하면서, 발광 다이오드부(120)의 광과는 다른 색의 광이 방출된다.The wavelength conversion layer 170 is inserted into the cavity 161 of the transparent substrate 160. The wavelength conversion layer 170 is positioned on the upper portion of the light emitting diode unit 120. Accordingly, light of a different color from that of the light emitting diode unit 120 is emitted while the light of the light emitting diode unit 120 passes through the wavelength conversion layer 170.

도 4는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 예시도이다.4 is an exemplary view illustrating a display device according to a fourth embodiment of the present invention.

더 자세하게는 도 4는 제4 실시 예에 따른 디스플레이 장치(400)의 하나의 서브픽셀을 도시하고 있다.More specifically, FIG. 4 shows one subpixel of the display device 400 according to the fourth embodiment.

제4 실시 예에 따른 디스플레이 장치(400)에 대한 설명 중에서 제1 실시 예에 따른 디스플레이 장치(도 1의 100)와 동일한 구성부에 대한 설명은 생략하도록 한다. 생략된 설명에 대해서는 도 1을 참고하도록 한다.Descriptions of the same components as those of the display device 100 (FIG. 1) according to the first embodiment among the descriptions of the display device 400 according to the fourth embodiment will be omitted. Refer to Fig. 1 for an omitted description.

도 4를 참고하면, 제4 실시 예에 따른 디스플레이 장치(400)에서 파장 변환층(170)은 회로 기판(110)과 투명 전극(190) 사이의 공간을 메우도록 형성된다. 즉, 파장 변환층(170)은 발광 다이오드부(120) 및 범프(155)를 덮도록 형성된다. 이때, 파장 변환층(170)은 범프(155)의 측면을 둘러싸도록 형성된다. 따라서, 발광 다이오드부(120)의 광이 파장 변환층(170)을 통과하면서, 발광 다이오드부(120)의 광과는 다른 색의 광이 방출된다.Referring to FIG. 4, in the display device 400 according to the fourth embodiment, the wavelength conversion layer 170 is formed to fill a space between the circuit board 110 and the transparent electrode 190. That is, the wavelength conversion layer 170 is formed to cover the light emitting diode portion 120 and the bump 155. At this time, the wavelength conversion layer 170 is formed so as to surround the side surface of the bump 155. Accordingly, light of a different color from that of the light emitting diode unit 120 is emitted while the light of the light emitting diode unit 120 passes through the wavelength conversion layer 170.

도 5는 본 발명의 제5 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 예시도이다.5 is an exemplary view illustrating a display device according to a fifth embodiment of the present invention.

더 자세하게는 도 5는 제5 실시 예에 따른 디스플레이 장치(500)의 하나의 픽셀을 도시하고 있다. 본 발명에서는 제1 발광 다이오드(121)를 포함하며 청색 광을 방출하는 제1 서브 픽셀, 제2 발광 다이오드(122)를 포함하며 녹색 광을 방출하는 제2 서브 픽셀 및 제1 발광 다이오드(121) 및 파장 변환층(170)을 포함하며 적색 광을 방출하는 제3 서브 픽셀을 예시로 설명하고 있다.More specifically, Fig. 5 shows one pixel of the display device 500 according to the fifth embodiment. In the present invention, the first sub-pixel including the first light emitting diode 121 and emitting the blue light, the second sub-pixel including the second light emitting diode 122 and emitting green light, and the first light emitting diode 121, And a third sub-pixel including the wavelength conversion layer 170 and emitting red light are illustrated as an example.

제5 실시 예에 따른 디스플레이 장치(500)를 나타낸 설명 중에서 제1 실시 예 및 제4 실시 예에 따른 디스플레이 장치와 동일한 구성에 대한 설명은 생략하도록 한다. 생략된 설명에 대해서는 도 1 및 도 4를 참고하도록 한다.Description of the same configuration as the display device according to the first embodiment and the fourth embodiment will be omitted in the description of the display device 500 according to the fifth embodiment. 1 and 4 are referred to for the omitted description.

제5 실시 예에 따른 디스플레이 장치(500)의 발광 다이오드부(120)는 복수개의 발광 다이오드를 포함하며, 다양한 색의 광을 방출한다.The light emitting diode unit 120 of the display device 500 according to the fifth embodiment includes a plurality of light emitting diodes and emits light of various colors.

발광 다이오드부(120)는 복수개의 발광 다이오드를 포함한다. 또한, 복수개의 발광 다이오드는 회로 기판(110) 상에 일정한 간격으로 이격된 상태로 배치될 수 있다.The light emitting diode unit 120 includes a plurality of light emitting diodes. In addition, the plurality of light emitting diodes may be arranged on the circuit board 110 with a predetermined spacing therebetween.

발광 다이오드부(120)는 적어도 두 종류의 발광 다이오드를 포함한다. 예를 들어, 발광 다이오드부(120)는 제1 발광 다이오드(121)와 제2 발광 다이오드(122)로 구분된다. 제1 발광 다이오드(121)와 제2 발광 다이오드(122)는 서로 다른 광을 방출한다. 예를 들어, 제1 발광 다이오드(121)는 청색(blue) 광을 방출하고, 제2 발광 다이오드(122)는 녹색(green) 광을 배출한다. 또한, 제1 발광 다이오드(121)와 제2 발광 다이오드(122)는 서로 번갈아 가도록 배치된다. The light emitting diode part 120 includes at least two kinds of light emitting diodes. For example, the light emitting diode unit 120 is divided into a first light emitting diode 121 and a second light emitting diode 122. The first light emitting diode 121 and the second light emitting diode 122 emit different light. For example, the first light emitting diode 121 emits blue light and the second light emitting diode 122 emits green light. Also, the first light emitting diode 121 and the second light emitting diode 122 are arranged to alternate with each other.

격벽(140)은 회로 기판(110) 상에서 복수개의 발광 다이오드들 사이에 배치된다. 즉, 격벽(140)은 제1 발광 다이오드(121)와 제2 발광 다이오드(122) 사이에 배치된다.The barrier ribs 140 are disposed between the plurality of light emitting diodes on the circuit board 110. That is, the barrier ribs 140 are disposed between the first light emitting diode 121 and the second light emitting diode 122.

또한, 회로 기판(110), 발광 다이오드부(120) 및 격벽(140)의 상부에는 투명 전극(190) 및 투명 기판(160)이 배치된다. A transparent electrode 190 and a transparent substrate 160 are disposed on the circuit board 110, the light emitting diode 120, and the barrier ribs 140.

파장 변환층(170)은 제1 발광 다이오드(121)와 투명 전극(190) 사이에 형성된다. 이때, 파장 변환층(170)은 파장 변환층(170)이 적색 광이 방출되어야 하는 서브 픽셀(A)에 해당하는 제1 발광 다이오드(121)의 상부에 형성된다. 파장 변환층(170)의 하면은 제1 발광 다이오드(121)의 상면과 접하며, 파장 변환층(170)의 상면은 투명 전극(190)의 하면과 접한다. The wavelength conversion layer 170 is formed between the first light emitting diode 121 and the transparent electrode 190. At this time, the wavelength conversion layer 170 is formed on the first light emitting diode 121 corresponding to the subpixel A to which the red light is to be emitted. The lower surface of the wavelength conversion layer 170 is in contact with the upper surface of the first light emitting diode 121 and the upper surface of the wavelength conversion layer 170 is in contact with the lower surface of the transparent electrode 190.

이와 같이 형성된 파장 변환층(170)에 의해서 범프(155)는 파장 변환층(170)을 관통하도록 형성된다. 즉, 범프(155)의 측면은 파장 변환층(170)에 의해서 감싸지며, 범프(155)의 상면은 투명 전극(190)과 접촉하고, 범프(155)의 하면은 제1 발광 다이오드(121)와 접촉하는 구조를 갖는다.The bump 155 is formed to penetrate the wavelength conversion layer 170 by the wavelength conversion layer 170 thus formed. The upper surface of the bump 155 is in contact with the transparent electrode 190 and the lower surface of the bump 155 is covered with the first light emitting diode 121, As shown in Fig.

본 발명의 실시 예에 따르면, 디스플레이 장치(500)는 청색 광과 녹색 광을 발광 다이오드로 직접 구현하며, 적색 광은 발광 다이오드와 파장 변환층을 이용하여 구현한다. 따라서, 종래 LCD 디스플레이 장치에서의 액정, 컬러 필터와 같은 부품 생략이 가능하다.According to an embodiment of the present invention, the display device 500 directly implements blue light and green light using a light emitting diode, and red light is implemented using a light emitting diode and a wavelength conversion layer. Therefore, it is possible to omit components such as a liquid crystal and a color filter in the conventional LCD display device.

제5 실시 예에 따른 디스플레이 장치(500)에서 복수개의 서브 픽셀(A) 중 적어도 하나의 서브 픽셀(A)에 파장 변환층(170)이 형성된 구조를 예시로 설명하고 있다. 이때, 도 5에서는 파장 변환층(170)이 형성된 서브 픽셀(A)의 구조로는 제2 실시 예에 따른 디스플레이 장치(500)의 서브 픽셀의 구조를 적용하고 있다. 그러나 제5 실시 예에서 파장 변환층(170)을 포함하는 서브 픽셀의 구조는 제2 실시 예 뿐만 아니라 제3 실시 예 또는 제 4 실시 예에 따른 서브 픽셀의 구조가 적용되는 것도 가능하다.A structure in which the wavelength conversion layer 170 is formed in at least one subpixel A among a plurality of subpixels A in the display device 500 according to the fifth embodiment is described as an example. 5, the subpixel structure of the display device 500 according to the second embodiment is applied to the structure of the subpixel A in which the wavelength conversion layer 170 is formed. However, the structure of the subpixel including the wavelength conversion layer 170 in the fifth embodiment may be applied to the structure of the subpixel according to the third embodiment or the fourth embodiment as well as the second embodiment.

도 6은 본 발명의 제6 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 예시도이다.6 is an exemplary view illustrating a display device according to a sixth embodiment of the present invention.

도 6은 제6 실시 예에 따른 디스플레이 장치(600)의 상부 정면도를 도시한 것이다. 여기서, 투명 기판(160)은 생략되어 있다.6 shows a top elevational view of a display device 600 according to the sixth embodiment. Here, the transparent substrate 160 is omitted.

제6 실시 예에 따른 디스플레이 장치(600)는 TFT 구동부(180)가 서브 픽셀(A) 외부에 배치된다. TFT 구동부(180)는 투명 전극(190)을 통해서 발광 다이오드부(120)의 복수개의 발광 다이오드들과 각각 전기적으로 연결된다. In the display device 600 according to the sixth embodiment, the TFT driver 180 is disposed outside the subpixel A. [ The TFT driver 180 is electrically connected to the plurality of light emitting diodes of the light emitting diode unit 120 through the transparent electrode 190.

제6 실시 예에 따른 디스플레이 장치(600) 중 TFT 구동부(180)를 제외한 다른 구성은 제1 실시 예 내지 제5 실시 예에 따른 디스플레이 장치(600) 중 어느 하나와 동일한 구조를 가질 수 있다.Other configurations of the display device 600 according to the sixth embodiment than the TFT driver 180 may have the same structure as any one of the display devices 600 according to the first to fifth embodiments.

도 7 내지 도 10은 디스플레이 장치를 형성하는 방법을 나타낸 제1 실시 예이다.7 to 10 show a first embodiment showing a method of forming a display device.

도 7을 참조하면, 회로 기판(110)에 범프(155)가 형성된 발광 다이오드부(120)가 실장된다. 예를 들어, 발광 다이오드부(120)는 청색 광을 방출하는 제1 발광 다이오드(도 5의 121)일 수 있다. 도 7에서 발광 다이오드부(120)는 한 개의 발광 다이오드가 도시되어 있지만, 발광 다이오드부(120)는 복수개의 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 또한, 발광 다이오드부(120)의 양측에는 격벽(140)이 형성되어 있다. 만약, 발광 다이오드부(120)가 복수개의 발광 다이오드를 포함하는 경우, 격벽(140)은 복수개의 발광 다이오드들 사이에 형성되어 있을 수 있다.Referring to FIG. 7, a light emitting diode unit 120 having bumps 155 formed on a circuit board 110 is mounted. For example, the light emitting diode unit 120 may be a first light emitting diode (121 of FIG. 5) that emits blue light. In FIG. 7, the light emitting diode unit 120 includes one light emitting diode, but the light emitting diode unit 120 may include a plurality of light emitting diodes. Further, barrier ribs 140 are formed on both sides of the light emitting diode part 120. If the light emitting diode unit 120 includes a plurality of light emitting diodes, the barrier ribs 140 may be formed between the plurality of light emitting diodes.

발광 다이오드부(120)의 하부에는 하부 전극(131)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 회로 기판(110) 상부에 하부 전극(131)을 형성한 후, 그 하부 전극(131) 상에 발광 다이오드부(120)가 실장될 수 있다. 또는 발광 다이오드부(120)의 하부에 하부 전극(131)을 먼저 형성한 후, 회로 기판(110)에 하부 전극(131)이 형성된 발광 다이오드부(120)가 실장될 수 있다.The lower electrode 131 may be formed under the light emitting diode 120. For example, after the lower electrode 131 is formed on the circuit board 110, the light emitting diode 120 may be mounted on the lower electrode 131. The light emitting diode unit 120 having the lower electrode 131 formed on the circuit board 110 may be mounted after the lower electrode 131 is first formed on the lower part of the light emitting diode unit 120.

회로 기판(110)에 TFT 구동부(180)가 더 형성될 수 있다. 본 발명에서는 TFT 구동부(180)가 격벽(140)과 격벽(140) 사이에 위치하는 것으로, 서브 픽셀(A) 안에 배치되는 것을 예시로 설명하고 있다. 그러나 TFT 구동부(180)가 형성되는 순서는 당업자의 선택에 따라 변경 가능하다. 즉, TFT 구동부(180)가 서브 픽셀(A)의 외부에 형성되는 경우, 본 단계에서 TFT 구동부(180)를 배치하는 순서는 생략된다.The TFT driver 180 may be further formed on the circuit board 110. [ In the present invention, the TFT driver 180 is disposed between the barrier ribs 140 and the barrier ribs 140 and is disposed in the subpixel A as an example. However, the order in which the TFT driver 180 is formed can be changed according to the choice of a person skilled in the art. That is, when the TFT driver 180 is formed outside the subpixel A, the order of disposing the TFT driver 180 in this step is omitted.

도 8을 참조하면, 발광 다이오드부(120) 상부에 파장 변환층(170)이 형성된다.Referring to FIG. 8, a wavelength conversion layer 170 is formed on the light emitting diode 120.

파장 변환층(170)이 형성되기 전에 발광 다이오드부(120)의 상면과 회로 기판(110) 사이의 공간에 밀봉재(195)가 형성될 수 있다. 이때, 밀봉재(195)는 발광 다이오드부(120)의 광이 통과되는 투명한 재질로 형성된다. 밀봉재(195)는 회로 기판(110) 및 발광 다이오드부(120)를 외부 환경 및 이후 진행되는 공정으로부터 보호하기 위해 형성될 수 있다. The sealing material 195 may be formed in the space between the upper surface of the light emitting diode 120 and the circuit board 110 before the wavelength conversion layer 170 is formed. At this time, the sealing material 195 is formed of a transparent material through which light from the light emitting diode unit 120 passes. The sealing material 195 may be formed to protect the circuit board 110 and the LED unit 120 from the external environment and subsequent processes.

밀봉재(195)가 형성된 후, 밀봉재(195)와 발광 다이오드부(120) 상부에 파장 변환층(170)이 형성된다. 이때, 파장 변환층(170)은 적색 광을 방출하는 영역에 배치된 발광 다이오드부(120)의 상부에 형성된다. After the sealing material 195 is formed, the wavelength conversion layer 170 is formed on the sealing material 195 and the light emitting diode portion 120. At this time, the wavelength conversion layer 170 is formed on the upper part of the light emitting diode part 120 disposed in the region emitting the red light.

파장 변환층(170)은 밀봉재(195)와 발광 다이오드부(120) 상부에 도포되는 방식으로 형성될 수 있다. 또는 파장 변환층(170)은 필름(film) 형태로 제작되어 밀봉재(195)와 발광 다이오드부(120) 상부에 부착되는 방식으로 형성될 수 있다. 이와 같이 형성된 파장 변환층(170)은 범프(155)를 매립한다.The wavelength conversion layer 170 may be formed on the sealing material 195 and on the light emitting diode 120. Or the wavelength conversion layer 170 may be formed in the form of a film and attached to the sealing material 195 and the light emitting diode 120. The thus formed wavelength conversion layer 170 bumps the bumps 155.

본 발명의 실시 예에서는 밀봉재(195)를 형성하는 것을 예시로 설명하고 있으나, 밀봉재(195)는 생략 가능하다. 밀봉재(195)를 형성하지 않는 경우, 발광 다이오드부(120) 상부에 필름 형태의 파장 변환층(170)이 부착될 수 있다.Although the sealing member 195 is described as an example in the embodiment of the present invention, the sealing member 195 may be omitted. When the sealing material 195 is not formed, the wavelength conversion layer 170 in the form of a film may be attached on the light emitting diode 120.

도 9을 참조하면, 파장 변환층(170)을 연마한다.Referring to FIG. 9, the wavelength conversion layer 170 is polished.

파장 변환층(170)을 형성한 후, 범프(155)가 외부로 노출되도록 파장 변환층(170)의 상면을 연마한다. 파장 변환층(170)의 상면은 폴리싱(polishing) 또는 그라인딩(grinding) 방식으로 연마된다. 이때, 범프(155)도 상부가 연마되어, 평편한 상면을 가질 수 있다.After the wavelength conversion layer 170 is formed, the upper surface of the wavelength conversion layer 170 is polished so that the bumps 155 are exposed to the outside. The upper surface of the wavelength conversion layer 170 is polished by a polishing or grinding method. At this time, the upper portion of the bump 155 is also polished so as to have a flat upper surface.

도 10를 참조하면, 파장 변환층(170) 상부에 투명 전극(190) 및 투명 기판(160)이 형성된다.Referring to FIG. 10, a transparent electrode 190 and a transparent substrate 160 are formed on the wavelength conversion layer 170.

투명 기판(160)은 발광 다이오드부(120)가 방출한 광을 투과시킬 수 있는 투명한 재질로 형성된다. 예를 들어, 투명 기판(160)은 유리 재질로 형성될 수 있다. 그러나 투명 기판(160)의 재질이 이에 한정되지 않으며, 광을 투과시킬 수 있다면 플라스틱 재질로 형성되는 것도 가능하다. 투명 전극(190)은 투명하며, 전기 전도성인 재질로 형성된다.The transparent substrate 160 is formed of a transparent material capable of transmitting light emitted from the light emitting diode unit 120. For example, the transparent substrate 160 may be formed of a glass material. However, the material of the transparent substrate 160 is not limited thereto, and it may be made of a plastic material as long as it can transmit light. The transparent electrode 190 is formed of a transparent, electrically conductive material.

파장 변환층(170) 및 범프(155) 상부에 투명 전극(190)과 투명 기판(160)이 차례대로 형성될 수 있다. 또는 하면에 투명 전극(190)이 형성된 투명 기판(160)을 파장 변환층(170) 및 범프(155)의 상부에 부착할 수 있다.The transparent electrode 190 and the transparent substrate 160 may be sequentially formed on the wavelength conversion layer 170 and the bumps 155. [ The transparent substrate 160 on which the transparent electrode 190 is formed may be attached to the upper portion of the wavelength conversion layer 170 and the bumps 155.

범프(155)의 상면 및 격벽(140)은 투명 전극(190)과 접촉한다. 따라서, 범프(155), 투명 전극(190) 및 격벽(140)을 통해서 발광 다이오드부(120)와 회로 기판(110)이 서로 전기적으로 연결된다.The upper surface of the bump 155 and the barrier rib 140 are in contact with the transparent electrode 190. Accordingly, the light emitting diode 120 and the circuit board 110 are electrically connected to each other through the bumps 155, the transparent electrodes 190, and the barrier ribs 140.

도 7 내지 도 10의 단계를 거쳐서 제2 실시 예에 따른 디스플레이 장치(200)가 형성될 수 있다. 도 7 내지 도 10의 단계에서 파장 변환층(170)을 형성하는 단계를 생략하면, 제1 실시 예에 따른 디스플레이 장치(도 1의 100)가 형성될 수 있다.The display device 200 according to the second embodiment may be formed through the steps of FIGS. If the step of forming the wavelength conversion layer 170 is omitted in the steps of FIGS. 7 to 10, the display device (100 of FIG. 1) according to the first embodiment can be formed.

도 11 내지 도 13은 디스플레이 장치를 형성하는 방법을 나타낸 제2 실시 예이다.11 to 13 show a second embodiment showing a method of forming a display device.

도 11을 참조하면, 회로 기판(110)에 범프(155)가 형성된 발광 다이오드부(120)가 실장된다. 이 단계는 도 7과 동일한 단계이므로, 자세한 설명은 도 7에 대한 설명을 참고하도록 한다.Referring to FIG. 11, a light emitting diode unit 120 having bumps 155 formed on a circuit board 110 is mounted. Since this step is the same step as that of Fig. 7, the description of Fig. 7 is referred to for a detailed description.

도 12을 참조하면, 발광 다이오드부(120) 상부에 투명 전극(190) 및 투명 기판(160)이 형성된다.Referring to FIG. 12, a transparent electrode 190 and a transparent substrate 160 are formed on the light emitting diode 120.

투명 기판(160)은 발광 다이오드부(120)가 방출한 광을 투과시킬 수 있는 투명한 재질로 형성된다. 또한, 투명 전극(190)은 투명하며, 전기 전도성인 재질로 형성된다.The transparent substrate 160 is formed of a transparent material capable of transmitting light emitted from the light emitting diode unit 120. In addition, the transparent electrode 190 is formed of a transparent and electrically conductive material.

발광 다이오드부(120) 및 격벽(140)의 상부에 투명 전극(190)과 투명 기판(160)이 차례대로 형성될 수 있다. 또는 하면에 투명 전극(190)이 형성된 투명 기판(160)을 발광 다이오드부(120) 및 격벽(140) 상부에 부착할 수 있다. 이때, 범프(155) 및 격벽(140)은 투명 전극(190)과 접촉하게 된다.A transparent electrode 190 and a transparent substrate 160 may be sequentially formed on the light emitting diode 120 and the barrier 140. The transparent substrate 160 on which the transparent electrode 190 is formed may be attached to the upper portion of the light emitting diode 120 and the barrier ribs 140. At this time, the bump 155 and the barrier rib 140 are brought into contact with the transparent electrode 190.

투명 기판(160)의 상면에는 캐비티(161)가 형성되어 있다. 캐비티(161)는 적색 광이 방출되는 영역에 배치된 제1 발광 다이오드(121)의 상부에 위치하도록 형성된다.A cavity 161 is formed on the upper surface of the transparent substrate 160. The cavity 161 is formed to be positioned above the first light emitting diode 121 disposed in the region where the red light is emitted.

도 13를 참조하면, 투명 기판(160)에 파장 변환층(170)이 형성된다.Referring to FIG. 13, a wavelength conversion layer 170 is formed on a transparent substrate 160.

파장 변환층(170)은 투명 기판(160)의 캐비티(161)에 형성된다. 따라서, 파장 변환층(170)은 발광 다이오드부(120)의 상면에 위치하게 된다. 예를 들면, 발광 다이오드부(120)는 청색 광을 방출하는 제1 발광 다이오드(도 5의 121)일 수 있다. 이 경우, 발광 다이오드부(120)의 청색 광이 파장 변환층(170)을 거치면서 서브 픽셀(A)에서는 적색 광이 방출된다.The wavelength conversion layer 170 is formed in the cavity 161 of the transparent substrate 160. Accordingly, the wavelength conversion layer 170 is positioned on the upper surface of the light emitting diode 120. For example, the light emitting diode unit 120 may be a first light emitting diode (121 of FIG. 5) that emits blue light. In this case, red light is emitted from the sub-pixel A while the blue light of the light emitting diode unit 120 passes through the wavelength conversion layer 170.

본 발명의 실시 예에서, 캐비티(161)가 형성된 투명 기판(160)을 발광 다이오드부(120) 상부에 배치한 후 파장 변환층(170)을 형성하는 순서를 예시로 설명하고 있다. 그러나 이 방법뿐만 아니라, 투명 기판(160)의 캐비티(161)에 파장 변환층(170)을 형성하고, 파장 변환층(170)이 형성된 투명 기판(160)을 발광 다이오드부(120)의 상부에 배치하는 것도 가능하다.The order of forming the wavelength conversion layer 170 after disposing the transparent substrate 160 on which the cavity 161 is formed on the light emitting diode 120 is described as an example. In this method, however, the wavelength conversion layer 170 is formed in the cavity 161 of the transparent substrate 160, and the transparent substrate 160 on which the wavelength conversion layer 170 is formed is formed on the upper portion of the light emitting diode section 120 It is also possible to arrange it.

본 발명의 실시 예에서, 파장 변환층(170)이 형성되는 캐비티(161)가 투명 기판(160)의 상면에 형성되는 것을 예시로 설명하였다. 그러나 캐비티(161)는 투명 기판(160)의 하면에 형성되는 것도 가능하다.In the embodiment of the present invention, the cavity 161 in which the wavelength conversion layer 170 is formed is formed on the upper surface of the transparent substrate 160 as an example. However, it is also possible that the cavity 161 is formed on the lower surface of the transparent substrate 160.

이와 같이, 도 11 내지 도 13의 단계를 통해서 제3 실시 예에 따른 디스플레이 장치(300)를 형성할 수 있다.Thus, the display device 300 according to the third embodiment can be formed through the steps of FIGS.

도 14 내지 도 17은 디스플레이 장치를 형성하는 방법을 나타낸 제3 실시 예이다.14 to 17 show a third embodiment showing a method of forming a display device.

도 14를 참고하면, 회로 기판(110)에 범프(155)가 형성된 발광 다이오드부(120)가 실장된다. 이 단계는 도 7과 동일한 단계이므로, 자세한 설명은 도 7에 대한 설명을 참고하도록 한다. 이때, 본 실시 예에서는 밀봉재(도 7의 155)를 형성하는 단계는 생략한다.Referring to FIG. 14, a light emitting diode unit 120 having bumps 155 formed on a circuit board 110 is mounted. Since this step is the same step as that of Fig. 7, the description of Fig. 7 is referred to for a detailed description. At this time, the step of forming the sealing material (155 in Fig. 7) is omitted in this embodiment.

도 15를 참조하면, 파장 변환층(170)이 형성된다.Referring to FIG. 15, a wavelength conversion layer 170 is formed.

파장 변환층(170)은 회로 기판(110) 상부에 형성되며, 격벽(140) 사이의 공간을 채우도록 형성된다. 이와 같이 형성된 파장 변환층(170)은 발광 다이오드부(120) 및 범프(155)를 덮도록 형성된다. 또한, 회로 기판(110) 상부에 TFT 구동부(180)가 형성된 경우에는 파장 변환층(170)은 TFT 구동부(180)를 덮도록 형성될 수 있다.The wavelength conversion layer 170 is formed on the circuit substrate 110 and is formed to fill a space between the barrier ribs 140. The wavelength conversion layer 170 thus formed is formed to cover the light emitting diode portion 120 and the bumps 155. When the TFT driver 180 is formed on the circuit board 110, the wavelength conversion layer 170 may be formed to cover the TFT driver 180.

도 16를 참조하면, 파장 변환층(170)을 연마한다.Referring to FIG. 16, the wavelength conversion layer 170 is polished.

파장 변환층(170)을 형성한 후, 범프(155)가 외부로 노출되도록 파장 변환층(170)의 상면을 연마한다. 파장 변환층(170)의 상면은 폴리싱(polishing) 또는 그라인딩(grinding) 방식으로 연마된다.After the wavelength conversion layer 170 is formed, the upper surface of the wavelength conversion layer 170 is polished so that the bumps 155 are exposed to the outside. The upper surface of the wavelength conversion layer 170 is polished by a polishing or grinding method.

도 17을 참조하면, 파장 변환층(170) 상부에 투명 전극(190) 및 투명 기판(160)이 형성된다.Referring to FIG. 17, a transparent electrode 190 and a transparent substrate 160 are formed on the wavelength conversion layer 170.

이 단계는 도 10와 동일하므로, 자세한 설명은 도 10를 참고하도록 한다.This step is the same as that of FIG. 10, and therefore, a detailed description will be made with reference to FIG.

이와 같이, 도 14 내지 도 17의 단계를 통해서 제4 실시 예에 따른 디스플레이 장치(400)를 형성할 수 있다.In this manner, the display device 400 according to the fourth embodiment can be formed through the steps of FIGS.

또한, 본 발명에서는 도시하지 않았지만, 디스플레이 장치를 형성하는 제1 실시 예 내지 제3 실시 예의 방법을 이용하여 제5 실시 예 또는 제6 실시 예에 따른 디스플레이 장치(500 또는 600)를 형성할 수 있다.Although not shown in the present invention, the display device 500 or 600 according to the fifth embodiment or the sixth embodiment can be formed by using the method of the first embodiment through the third embodiment forming the display device .

이상에서, 본 발명의 다양한 실시 예들에 대하여 설명하였지만, 상술한 다양한 실시 예들 및 특징들에 본 발명이 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 특허청구범위에 의한 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형과 변경이 가능하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. Change is possible.

100, 200, 300, 400, 500, 600: 디스플레이 장치
110: 회로 기판
120: 발광 다이오드부
121: 제1 발광 다이오드
122: 제2 발광 다이오드
131: 하부 전극
140: 격벽
155: 범프
160: 투명 기판
161: 캐비티
170: 파장 변환층
180: TFT 구동부
190: 투명 전극
195: 밀봉재
A: 서브 픽셀100, 200, 300, 400, 500, 600: Display device
110: circuit board
120: Light emitting diode part
121: first light emitting diode
122: second light emitting diode
131: Lower electrode
140:
155: Bump
160: transparent substrate
161: Cavity
170: Wavelength conversion layer
180: TFT driver
190: transparent electrode
195: Seal material
A:

Claims (21)

회로 기판;
상기 회로 기판상에 배치된 발광 다이오드;
상기 회로 기판 및 상기 발광 다이오드 상부에 배치된 투명 기판;
상기 투명 기판의 하면에 형성된 투명 전극; 및
상기 발광 다이오드 상부에 형성되며, 상기 발광 다이오드 및 상기 투명 전극과 각각 접촉하여 전기적으로 연결되는 범프;
를 포함하는 디스플레이 장치.
A circuit board;
A light emitting diode disposed on the circuit board;
A transparent substrate disposed on the circuit board and the light emitting diode;
A transparent electrode formed on the lower surface of the transparent substrate; And
A bump formed on the light emitting diode and electrically connected to the light emitting diode and the transparent electrode, respectively;
.
청구항 1에 있어서,
상기 회로 기판은 상기 발광 다이오드와 전기적으로 연결된 디스플레이 장치.
The method according to claim 1,
And the circuit board is electrically connected to the light emitting diode.
청구항 1에 있어서,
상기 발광 다이오드의 적어도 일 측과 이격되도록 형성되어 상기 투명 전극과 상기 회로 기판을 전기적으로 연결하는 격벽이 더 형성된 디스플레이 장치.
The method according to claim 1,
And a partition wall formed to be spaced apart from at least one side of the light emitting diode and electrically connecting the transparent electrode and the circuit board.
청구항 1에 있어서,
상기 발광 다이오드 상부에 형성된 파장 변환층을 더 포함하는 디스플레이 장치.
The method according to claim 1,
And a wavelength conversion layer formed on the light emitting diode.
청구항 4에 있어서,
상기 파장 변환층은 상기 발광 다이오드와 상기 투명 전극 사이에 형성된 디스플레이 장치.
The method of claim 4,
And the wavelength conversion layer is formed between the light emitting diode and the transparent electrode.
청구항 5에 있어서,
상기 범프는 적어도 일부가 상기 파장 변환층에 삽입되는 디스플레이 장치.
The method of claim 5,
Wherein at least a part of said bumps is inserted into said wavelength conversion layer.
청구항 4에 있어서,
상기 파장 변환층은 상기 투명 기판 상부에 형성된 디스플레이 장치.
The method of claim 4,
Wherein the wavelength conversion layer is formed on the transparent substrate.
청구항 4에 있어서,
상기 파장 변환층은 상기 투명 기판 내부에 삽입되는 디스플레이 장치.
The method of claim 4,
And the wavelength conversion layer is inserted into the transparent substrate.
청구항 1에 있어서,
상기 회로 기판과 전기적으로 연결된 TFT 구동부를 더 포함하는 디스플레이 장치.
The method according to claim 1,
And a TFT driver electrically connected to the circuit board.
청구항 1에 있어서,
상기 발광 다이오드의 하부에 하부 전극이 더 형성되며,
상기 발광 다이오드는 하부 전극으로 상기 회로 기판과 전기적으로 연결된 디스플레이 장치.
The method according to claim 1,
A lower electrode is further formed under the light emitting diode,
Wherein the light emitting diode is electrically connected to the circuit board as a lower electrode.
청구항 1에 있어서,
상기 발광 다이오드를 덮도록 상기 회로 기판과 상기 투명 전극 사이의 공간에 형성된 밀봉재를 더 포함하는 디스플레이 장치.
The method according to claim 1,
And a sealing material formed in a space between the circuit board and the transparent electrode so as to cover the light emitting diode.
청구항 11에 있어서,
상기 밀봉재는 형광체를 포함하는 디스플레이 장치.
The method of claim 11,
Wherein the sealing material comprises a phosphor.
회로 기판 상부에 범프가 상면에 형성된 발광 다이오드를 형성하는 단계; 및
상기 범프 상부에 투명 전극 및 투명 기판을 형성하는 단계;
를 포함하는 디스플레이 장치 형성 방법.
Forming a light emitting diode having a bump on an upper surface thereof on a circuit board; And
Forming a transparent electrode and a transparent substrate on the bump;
≪ / RTI >
청구항 13에 있어서,
상기 발광 다이오드를 형성하는 단계 이후에,
상기 발광 다이오드 상부에 파장 변환층을 형성하는 단계; 및
상기 파장 변환층 상부를 연마하여 상기 범프를 노출하는 단계;
를 더 포함하는 디스플레이 장치 형성 방법.
14. The method of claim 13,
After forming the light emitting diode,
Forming a wavelength conversion layer on the light emitting diode; And
Polishing the upper portion of the wavelength conversion layer to expose the bumps;
Further comprising the steps of:
청구항 13에 있어서,
상기 투명 전극 및 상기 투명 기판을 형성하는 단계에서,
상기 투명 기판의 내부에 파장 변환층이 삽입된 디스플레이 장치 형성 방법.
14. The method of claim 13,
In the step of forming the transparent electrode and the transparent substrate,
And the wavelength conversion layer is inserted into the transparent substrate.
청구항 13에 있어서,
상기 투명 전극 및 상기 투명 기판을 형성하는 단계 이후에,
상기 투명 기판의 상부에 파장 변환층을 형성하는 단계를 더 포함하는 디스플레이 장치 형성 방법.
14. The method of claim 13,
After forming the transparent electrode and the transparent substrate,
And forming a wavelength conversion layer on the transparent substrate.
청구항 13에 있어서,
상기 발광 다이오드를 형성하는 단계에서,
상기 발광 다이오드의 하부에는 하부 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 디스플레이 장치 형성 방법.
14. The method of claim 13,
In the step of forming the light emitting diode,
And forming a lower electrode under the light emitting diode.
청구항 13에 있어서,
상기 발광 다이오드를 형성하는 단계 이후에,
상기 발광 다이오드를 덮도록 상기 회로 기판 및 상기 발광 다이오드 상부에 밀봉재를 형성하는 단계를 더 포함하는 디스플레이 장치 형성 방법.
14. The method of claim 13,
After forming the light emitting diode,
And forming a sealing material on the circuit board and the light emitting diode to cover the light emitting diode.
청구항 18에 있어서
상기 밀봉재에 형광체가 포함된 디스플레이 장치 형성 방법.
Claim 18
And the fluorescent material is contained in the sealing material.
청구항 13에 있어서,
상기 회로 기판 상부에는 상기 발광 다이오드의 적어도 일 측면과 이격되도록 형성되어 상기 투명 전극과 상기 회로 기판을 전기적으로 연결하는 격벽이 더 형성된 디스플레이 장치 형성 방법.
14. The method of claim 13,
Wherein the barrier ribs are formed on the circuit board so as to be spaced apart from at least one side surface of the light emitting diode and electrically connect the transparent electrode and the circuit board.
청구항 13에 있어서,
상기 발광 다이오드를 형성하는 단계 이후에,
상기 회로 기판과 전기적으로 연결된 TFT 구동부를 형성하는 단계를 더 포함하는 디스플레이 장치 형성 방법.
14. The method of claim 13,
After forming the light emitting diode,
And forming a TFT driver electrically connected to the circuit board.
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