KR20180025496A - Magnetic memory device - Google Patents

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Abstract

A magnetic memory device comprises a substrate and a plurality of magnetic tunnel junction patterns on the substrate. Each of the magnetic tunnel junction patterns comprises: a tunnel barrier pattern; a first magnetic pattern and a second magnetic pattern separated from each other in a direction vertical to an upper surface of the substrate with the tunnel barrier pattern therebetween; a non-magnetic pattern separated from the tunnel barrier pattern with a second magnetic pattern therebetween in a direction vertical to the upper surface of the substrate; and a plurality of micro magnetic patterns provided between the second magnetic pattern and the non-magnetic pattern and separated from each other in a direction parallel with the upper surface of the substrate.

Description

자기 메모리 장치{MAGNETIC MEMORY DEVICE}[0001] MAGNETIC MEMORY DEVICE [0002]

본 발명은 자기 메모리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 자기터널접합을 구비하는 자기 메모리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a magnetic memory device, and more particularly, to a magnetic memory device having a magnetic tunnel junction.

전자 기기의 고속화 및/또는 저 소비전력화 등에 따라, 전기 기기에 포함되는 반도체 기억 소자의 고속화 및/또는 낮은 동작 전압 등에 대한 요구가 증가되고 있다. 이러한 요구들을 충족시키기 위하여, 반도체 기억 소자로서 자기 기억 소자가 제안된 바 있다. 자기 기억 소자는 고속 동작 및/또는 비휘발성 등의 특성들을 가질 수 있어서 차세대 반도체 기억 소자로 각광 받고 있다.BACKGROUND ART [0002] There is a growing demand for higher speed and / or lower operating voltage of semiconductor memory devices included in electric devices due to the speeding-up of electronic devices and / or the reduction of power consumption. In order to satisfy these demands, a magnetic memory element has been proposed as a semiconductor memory element. The magnetic memory element can have characteristics such as high-speed operation and / or nonvolatility, and is thus attracting attention as a next-generation semiconductor memory element.

일반적으로, 자기 기억 소자는 자기터널접합 패턴(Magnetic tunnel junction pattern; MTJ)을 포함할 수 있다. 자기터널접합 패턴은 두 개의 자성체와 그 사이에 개재된 절연막을 포함할 수 있다. 두 자성체의 자화 방향들에 따라 자기터널접합 패턴의 저항 값이 달라질 수 있다. 예를 들면, 두 자성체의 자화 방향이 반평행한 경우에 자기터널접합 패턴은 큰 저항 값을 가질 수 있으며, 두 자성체의 자화 방향이 평행한 경우에 자기터널접합 패턴은 작은 저항 값을 가질 수 있다. 이러한 저항 값의 차이를 이용하여 데이터를 기입/판독할 수 있다.In general, the magnetic storage element may include a magnetic tunnel junction pattern (MTJ). The magnetic tunnel junction pattern may include two magnetic bodies and an insulating film interposed therebetween. The resistance value of the magnetic tunnel junction pattern may be changed according to the magnetization directions of the two magnetic bodies. For example, when the magnetization directions of two magnetic materials are antiparallel, the magnetic tunnel junction pattern may have a large resistance value, and when the magnetization directions of the two magnetic materials are parallel, the magnetic tunnel junction pattern may have a small resistance value . Data can be written / read using the difference in resistance value.

전자 산업이 고도로 발전함에 따라, 자기 기억 소자에 대한 고집적화 및/또는 저 소비전력화에 대한 요구가 심화되고 있다. 따라서, 이러한 요구들을 충족시키기 위한 많은 연구들이 진행되고 있다.As the electronics industry develops, demands for high integration and / or low power consumption of magnetic storage elements are intensifying. Therefore, many studies are under way to meet these demands.

본 발명이 해결하고자 하는 일 과제는 자기터널접합 구조체의 자성 층과 비자성 층 사이의 계면수직자기이방성이 개선된 자기 메모리 장치를 제공하는 것에 있다.An object of the present invention is to provide a magnetic memory device having improved interfacial perpendicular magnetic anisotropy between a magnetic layer and a nonmagnetic layer of a magnetic tunnel junction structure.

본 발명이 해결하고자 하는 일 과제는 자기터널접합 구조체의 열안정성 및 터널자기저항이 개선된 자기 메모리 장치를 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a magnetic memory device having improved thermal stability and tunnel magnetoresistance of a magnetic tunnel junction structure.

다만, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상기 개시에 한정되지 않는다.However, the problem to be solved by the present invention is not limited to the above disclosure.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 기술적 사상의 예시적인 실시예들에 따른 자기 메모리 장치는 기판; 및 상기 기판 상의 복수의 자기 터널 접합 패턴들을 포함하되, 상기 자기 터널 접합 패턴들의 각각은: 터널 배리어 패턴; 상기 터널 배리어 패턴을 사이에 두고 상기 기판의 상면에 수직한 방향으로 서로 이격된 제1 자성 패턴 및 제2 자성 패턴; 상기 제2 자성 패턴을 사이에 두고 상기 터널 배리어 패턴으로부터 상기 기판의 상기 상면에 수직한 상기 방향으로 이격된 비자성 패턴; 및 상기 제2 자성 패턴과 상기 비자성 패턴 사이에 제공되고, 상기 기판의 상기 상면에 평행한 방향으로 서로 이격되는 복수의 미세 자성 패턴들을 포함할 수 있다. According to an aspect of the present invention, there is provided a magnetic memory device including: a substrate; And a plurality of magnetic tunnel junction patterns on the substrate, each of the magnetic tunnel junction patterns comprising: a tunnel barrier pattern; A first magnetic pattern and a second magnetic pattern spaced apart from each other in a direction perpendicular to an upper surface of the substrate with the tunnel barrier pattern interposed therebetween; A nonmagnetic pattern spaced apart from the tunnel barrier pattern in the direction perpendicular to the upper surface of the substrate with the second magnetic pattern interposed therebetween; And a plurality of minute magnetic patterns provided between the second magnetic pattern and the nonmagnetic pattern and spaced from each other in a direction parallel to the upper surface of the substrate.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 기술적 사상의 예시적인 실시예들에 따른 자기 메모리 장치는 기판; 및 상기 기판 상의 복수의 자기 터널 접합 패턴들을 포함하되, 상기 자기 터널 접합 패턴들의 각각은: 터널 배리어 패턴; 상기 터널 배리어 패턴을 사이에 두고 상기 기판의 상면에 수직한 방향으로 서로 이격된 제1 자성 패턴 및 제2 자성 패턴; 및 상기 제2 자성 패턴을 사이에 두고 상기 터널 배리어 패턴으로부터 상기 기판의 상면에 수직한 방향으로 이격된 비자성 패턴을 포함하고, 상기 비자성 패턴은 자성 원자들로 도핑될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a magnetic memory device including: a substrate; And a plurality of magnetic tunnel junction patterns on the substrate, each of the magnetic tunnel junction patterns comprising: a tunnel barrier pattern; A first magnetic pattern and a second magnetic pattern spaced apart from each other in a direction perpendicular to an upper surface of the substrate with the tunnel barrier pattern interposed therebetween; And a nonmagnetic pattern spaced apart from the tunnel barrier pattern in a direction perpendicular to the upper surface of the substrate with the second magnetic pattern interposed therebetween, the nonmagnetic pattern being doped with magnetic atoms.

본 발명의 기술적 사상의 예시적인 실시예들에 따르면, 자기터널접합은 자성 층, 이에 인접하는 비자성 층 및 상기 자성 층과 비자성 층 사이에 개재되는 미세 자성 패턴들을 포함할 수 있다. 미세 자성 패턴들은 기판의 상면에 수직한 자기 모멘트를 가질 수 있다. 미세 자성 패턴들의 자기 모멘트를 통해, 비자성 패턴과 제2 자성 패턴 사이 영역의 자기 모멘트가 강화될 수 있다. 이에 따라, 비자성 패턴과 제2 자성 패턴 사이의 계면 수직 자기 이방성(iPMA), 자기터널접합(MTJ) 구조체의 열안정성 및 터널 자기 저항이 개선될 수 있다. According to exemplary embodiments of the inventive concept, a magnetic tunnel junction may comprise a magnetic layer, a non-magnetic layer adjacent thereto, and fine magnetic patterns interposed between the magnetic layer and the non-magnetic layer. The fine magnetic patterns may have a magnetic moment perpendicular to the top surface of the substrate. Through the magnetic moment of the fine magnetic patterns, the magnetic moment of the region between the non-magnetic pattern and the second magnetic pattern can be enhanced. Thus, the interfacial perpendicular magnetic anisotropy (iPMA) between the non-magnetic pattern and the second magnetic pattern, the thermal stability of the magnetic tunnel junction (MTJ) structure, and the tunnel magnetoresistance can be improved.

도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 자기 메모리 장치의 블록도이다.
도 2는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 자기 메모리 장치의 메모리 셀 어레이의 회로도이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 자기 메모리 장치의 단위 메모리 셀의 회로도이다.
도 4는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 자기터널접합 구조체의 평면도이다.
도 5는 도 4의 Ⅰ-Ⅰ'선에 따른 단면도이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 자기 메모리 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도 4의 Ⅰ-Ⅰ'선에 따른 단면도들이다.
도 8은 본 발명의 기술적 사상의 예시적인 실시예들에 따른 자기터널접합(MTJ) 구조체의 도 4의 Ⅰ-Ⅰ'선에 대응하는 단면도이다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 기술적 사상의 예시적인 실시예들에 따른 자기터널접합(MTJ) 구조체의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 11은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 자기터널접합(MTJ) 구조체의 도 4의 Ⅰ-Ⅰ'선에 대응하는 단면도이다.
도 12는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 자기터널접합(MTJ) 구조체의 도 4의 Ⅰ-Ⅰ'선에 대응하는 단면도이다. 1 is a block diagram of a magnetic memory device in accordance with exemplary embodiments of the present invention.
2 is a circuit diagram of a memory cell array of a magnetic memory device according to exemplary embodiments of the present invention.
3 is a circuit diagram of a unit memory cell of a magnetic memory device according to embodiments of the present invention.
4 is a top view of a magnetic tunnel junction structure in accordance with exemplary embodiments of the present invention.
5 is a cross-sectional view taken along a line I-I 'in Fig.
FIGS. 6 and 7 are cross-sectional views taken along the line I-I 'of FIG. 4 for explaining a method of manufacturing a magnetic memory device according to exemplary embodiments of the present invention.
8 is a cross-sectional view corresponding to line I-I 'of FIG. 4 of a magnetic tunnel junction (MTJ) structure according to exemplary embodiments of the inventive concept.
FIGS. 9 and 10 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a magnetic tunnel junction (MTJ) structure according to exemplary embodiments of the technical concept of the present invention.
11 is a cross-sectional view corresponding to line I-I 'of FIG. 4 of a magnetic tunnel junction (MTJ) structure according to exemplary embodiments of the present invention.
Figure 12 is a cross-sectional view corresponding to line I-I 'of Figure 4 of a magnetic tunnel junction (MTJ) structure in accordance with exemplary embodiments of the invention.

도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 자기 메모리 장치의 블록도이다. 1 is a block diagram of a magnetic memory device in accordance with exemplary embodiments of the present invention.

도 1을 참조하면, 자기 메모리 장치는 메모리 셀 어레이(1), 행 디코더(2), 열 선택 회로(3), 읽기/쓰기 회로(4) 및 제어 로직(5)을 포함할 수 있다.1, a magnetic memory device may include a memory cell array 1, a row decoder 2, a column selection circuit 3, a read / write circuit 4, and a control logic 5.

메모리 셀 어레이(1)는 복수 개의 워드 라인들 및 복수 개의 비트라인들을 포함하며, 워드 라인드로가 비트 라인들이 교차하는 지점들에 메모리 셀들이 연결될 수 있다. 메모리 셀 어레이(1)의 구성은 도 2를 참조하여 상세히 설명된다.The memory cell array 1 includes a plurality of word lines and a plurality of bit lines, and the memory cells can be connected to the points where the word line draws cross the bit lines. The configuration of the memory cell array 1 will be described in detail with reference to Fig.

행 디코더(2)는 워드 라인들을 통해 메모리 셀 어레이(1)와 연결될 수 있다. 행 디코더(2)는 외부에서 입력된 어드레스를 디코딩하여 복수 개의 워드 라인들 중 하나를 선택할 수 있다.The row decoder 2 may be connected to the memory cell array 1 via word lines. The row decoder 2 may decode an externally input address to select one of a plurality of word lines.

열 선택 회로(3)는 비트 라인들을 통해 메모리 셀 어레이(1)와 연결되며, 외부에서 입력된 어드레스를 디코딩하여 복수 개의 비트 라인들 중 하나를 선택할 수 있다. 열 선택 회로(3)에서 선택된 비트라인은 읽기/쓰기 회로(4)에 연결될 수 있다. The column selection circuit 3 is connected to the memory cell array 1 through bit lines and can decode an address input from the outside to select one of a plurality of bit lines. The bit line selected in the column selection circuit 3 may be connected to the read / write circuit 4.

읽기/쓰기 회로(4)는 제어 로직(5)의 제어에 따라 선택된 메모리 셀을 액세스하기 위한 비트 라인 바이어스를 제공할 수 있다. 읽기/쓰기 회로(4)는 입력되는 데이터를 메모리 셀에 기입하거나 판독하기 위하여 선택된 비트 라인에 비트 라인 전압을 제공할 수 있다. The read / write circuit 4 may provide a bit line bias for accessing the selected memory cell under the control of the control logic 5. [ The read / write circuit 4 may provide the bit line voltage to the selected bit line to write or read the input data to the memory cell.

제어 로직(5)은 외부에서 제공된 명령(command) 신호에 따라, 반도체 메모리 장치를 제어하는 제어 신호들을 출력할 수 있다. 제어 로직(5)에서 출력된 제어 신호들은 읽기/쓰기 회로(4)를 제어할 수 있다. The control logic 5 may output control signals for controlling the semiconductor memory device in accordance with an externally provided command signal. The control signals output from the control logic 5 can control the read / write circuit 4. [

도 2는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 자기 메모리 장치의 메모리 셀 어레이의 회로도이다. 도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 자기 메모리 장치의 단위 메모리 셀의 회로도이다.2 is a circuit diagram of a memory cell array of a magnetic memory device according to exemplary embodiments of the present invention. 3 is a circuit diagram of a unit memory cell of a magnetic memory device according to embodiments of the present invention.

도 2를 참조하면, 메모리 셀 어레이(1)는 복수 개의 제1 도전 라인들, 제2 도전 라인들 및 단위 메모리 셀들(MC)을 포함할 수 있다. 제1 도전 라인들은 워드 라인들(WL)일 수 있고, 제2 도전 라인들은 비트 라인들(BL)일 수 있다. 단위 메모리 셀들(MC)은 2차원적으로 또는 3차원적으로 배열될 수 있다. 단위 메모리 셀들(MC)은 서로 교차하는 워드 라인들(WL)과 비트 라인들(BL) 사이에 연결될 수 있다. 워드 라인들(WL)의 각각은 복수 개의 단위 메모리 셀들(MC)을 연결할 수 있다. 비트 라인들(BL)의 각각은 하나의 워드 라인(WL)에 의해 연결된 단위 메모리 셀들(MC)의 각각에 연결될 수 있다. 이에 따라, 하나의 워드 라인(WL)에 의해 연결된 단위 메모리 셀들(MC)의 각각은 비트 라인들(BL)의 각각에 의해, 도 1을 참조하여 설명한, 읽기/쓰기 회로(4)에 연결될 수 있다. Referring to FIG. 2, the memory cell array 1 may include a plurality of first conductive lines, second conductive lines, and unit memory cells MC. The first conductive lines may be word lines (WL), and the second conductive lines may be bit lines (BL). The unit memory cells MC can be arranged two-dimensionally or three-dimensionally. The unit memory cells MC may be connected between the word lines WL and the bit lines BL which intersect with each other. Each of the word lines WL may connect a plurality of unit memory cells MC. Each of the bit lines BL may be connected to each of the unit memory cells MC connected by one word line WL. Thus, each of the unit memory cells MC connected by one word line WL can be connected to the read / write circuit 4 described with reference to Fig. 1 by each of the bit lines BL have.

도 3을 참조하면, 단위 메모리 셀들(MC)의 각각은 메모리 소자(ME, memory element) 및 선택 소자(SE, select element)를 포함할 수 있다. 메모리 소자(ME)는 비트 라인(BL)과 선택 소자(SE) 사이에 연결될 수 있고, 선택 소자(SE)는 메모리 소자(ME)와 워드 라인(WL) 사이에 연결될 수 있다. 메모리 소자(ME)는 인가되는 전기적 펄스에 의해 두 가지 저항 상태로 스위칭될 수 있는 가변 저항 소자일 수 있다.Referring to FIG. 3, each of the unit memory cells MC may include a memory element (ME) and a select element (SE). The memory element ME may be connected between the bit line BL and the selection element SE and the selection element SE may be connected between the memory element ME and the word line WL. The memory element ME may be a variable resistive element which can be switched into two resistance states by an applied electrical pulse.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 메모리 소자(ME)는 그것을 통과하는 전류에 의한 스핀 전달 과정을 이용하여 그것의 전기적 저항이 변화될 수 있는 박막 구조를 갖도록 형성될 수 있다. 상기 메모리 소자(ME)는 자기-저항(magnetoresistance) 특성을 보이도록 구성되는 박막 구조를 가질 수 있으며, 적어도 하나의 강자성 물질들 및/또는 적어도 하나의 반강자성 물질들을 포함할 수 있다.According to exemplary embodiments, the memory element ME may be formed to have a thin film structure whose electrical resistance can be varied using a spin transfer process by the current passing therethrough. The memory element ME may have a thin film structure configured to exhibit magnetoresistance characteristics and may include at least one ferromagnetic material and / or at least one antiferromagnetic material.

상기 선택 소자(SE)는 상기 메모리 소자(ME)를 지나는 전하의 흐름을 선택적으로 제어하도록 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 선택 소자(SE)는 다이오드, 피엔피 바이폴라 트랜지스터, 엔피엔 바이폴라 트랜지스터, 엔모스 전계효과트랜지스터 및 피모스 전계효과트랜지스터 중의 하나일 수 있다. 상기 선택 소자(SE)가 3단자 소자인 바이폴라 트랜지스터 또는 모스 전계효과트랜지스터로 구성되는 경우, 추가적인 배선(미도시)이 상기 선택 소자(SE)에 연결될 수 있다. The selection element SE may be configured to selectively control the flow of charge through the memory element ME. For example, the selection device SE may be one of a diode, a bipolar bipolar transistor, an epitaxial bipolar transistor, an emmos field effect transistor, and a pmos field effect transistor. When the selection element SE is composed of a bipolar transistor or a MOS field effect transistor which is a three-terminal element, an additional wiring (not shown) may be connected to the selection element SE.

구체적으로, 메모리 소자(ME)는 제1 자성 패턴(MP1), 제2 자성 패턴(MP2), 및 이들 사이의 터널 배리어 패턴(TBP)을 포함할 수 있다. 제1 자성 패턴(MP1), 제2 자성 패턴(MP2), 및 터널 배리어 패턴(TBP)은 자기터널접합(MJT)으로 정의될 수 있다. 제1 및 제2 자성 패턴들(MP1, MP2)의 각각은 자성 물질로 형성되는 적어도 하나의 자성층을 포함할 수 있다. 메모리 소자(ME)는, 제1 자성 패턴(MP1)과 선택 소자(SE) 사이에 개재되는 제1 전극 패턴(122), 및 제2 자성 패턴(MP2)과 비트 라인(BL) 사이에 개재되는 제2 전극 패턴(132)을 포함할 수 있다. Specifically, the memory element ME may include a first magnetic pattern MP1, a second magnetic pattern MP2, and a tunnel barrier pattern TBP therebetween. The first magnetic pattern MP1, the second magnetic pattern MP2, and the tunnel barrier pattern TBP may be defined as a magnetic tunnel junction (MJT). Each of the first and second magnetic patterns MP1 and MP2 may include at least one magnetic layer formed of a magnetic material. The memory element ME includes a first electrode pattern 122 interposed between the first magnetic pattern MP1 and the selection element SE and a second electrode pattern 122 interposed between the second magnetic pattern MP2 and the bit line BL And may include a second electrode pattern 132.

도 4는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 자기터널접합 구조체의 평면도이다. 명확한 설명을 위하여, 후술되는 자성 패턴들 상의 구성 요소들은 도시되지 않았다. 도 5는 도 4의 Ⅰ-Ⅰ'선에 따른 단면도이다.4 is a top view of a magnetic tunnel junction structure in accordance with exemplary embodiments of the present invention. For clarity, the components on the magnetic patterns described below are not shown. 5 is a cross-sectional view taken along a line I-I 'in Fig.

도 4 및 도 5를 참조하면, 기판(100)이 제공될 수 있다. 기판(100)은 반도체 기판을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(100)은 실리콘 기판, 게르마늄 기판 또는 실리콘-게르마늄 기판을 포함할 수 있다. 선택 소자(미도시)가 기판(100) 상에 제공될 수 있다. 예를 들면, 선택 소자는 다이오드, 피엔피 바이폴라 트랜지스터, 엔피엔 바이폴라 트랜지스터, 엔모스 전계효과 트랜지스터 및 피모스 전계효과 트랜지스터 중의 하나일 수 있다.4 and 5, a substrate 100 may be provided. The substrate 100 may comprise a semiconductor substrate. For example, the substrate 100 may comprise a silicon substrate, a germanium substrate, or a silicon-germanium substrate. A selection element (not shown) may be provided on the substrate 100. For example, the selection device may be one of a diode, a pn-bipolar transistor, an epitaxial bipolar transistor, an emmos field effect transistor, and a pmos field effect transistor.

기판(100) 상에 제1 층간 절연막(110)이 제공될 수 있다. 제1 층간 절연막(110)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 층간 절연막(110)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. A first interlayer insulating film 110 may be provided on the substrate 100. The first interlayer insulating film 110 may include an insulating material. For example, the first interlayer insulating film 110 may include silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or a combination thereof.

제1 콘택 플러그(115)가 제1 층간 절연막(110) 내에 제공되어, 제1 층간 절연막(110)을 관통할 수 있다. 예를 들어, 제1 콘택 플러그(115)는 제1 층간 절연막(110)을 기판(100)의 상면에 수직한 방향으로 관통할 수 있다. 제1 콘택 플러그(115)는 선택 소자에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 콘택 플러그(115)는 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 콘택 플러그(115)는 도핑된 반도체 물질(예를 들어, 도핑된 실리콘), 금속(예를 들어, 텅스텐, 알루미늄, 구리, 티타늄, 및/또는 탄탈륨), 도전성 금속 질화물(예를 들어, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 및/또는 텅스텐 질화물), 금속-반도체 화합물(예를 들어, 금속 실리사이드) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. The first contact plug 115 may be provided in the first interlayer insulating film 110 to penetrate the first interlayer insulating film 110. For example, the first contact plug 115 may penetrate the first interlayer insulating film 110 in a direction perpendicular to the upper surface of the substrate 100. The first contact plug 115 may be electrically connected to the selection element. The first contact plug 115 may comprise a conductive material. For example, the first contact plug 115 may comprise a doped semiconductor material (e.g., doped silicon), a metal (e.g., tungsten, aluminum, copper, titanium, and / or tantalum), a conductive metal nitride For example, titanium nitride, tantalum nitride, and / or tungsten nitride), a metal-semiconductor compound (e.g., a metal silicide), or a combination thereof.

제1 층간 절연막(110) 및 제1 콘택 플러그(115) 상에 제1 전극패턴(122)이 형성될 수 있다. 제1 전극 패턴(122)은 제1 콘택 플러그(115)를 통해 선택 소자에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극 패턴(122)은 도전성 금속 질화물, 금속 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 제1 전극 패턴(122)은 후술할 제1 자성 패턴(MP1)을 형성하는 공정에서 시드(seed) 역할을 수행하는 적어도 하나의 시드층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 자성 패턴(MP1)이 이 L10 구조를 갖는 자성 물질로 형성되는 경우, 제1 전극 패턴(122)은 염화나트륨(NaCl) 결정 구조를 갖는 도전성 금속 질화물(예를 들어, 티타늄 질화물, 탄탈늄 질화물, 크롬 질화물 또는 바나듐 질화물)로 형성될 수 있다. 다른 예로, 제1 자성 패턴(MP1)이 조밀 육방 결정 구조를 갖는 경우, 제1 전극 패턴(122)은 조밀 육방 결정 구조를 갖는 도전 물질(예를 들어, 루테늄)로 형성될 수 있다. 하지만, 제1 전극 패턴(122)에 포함되는 물질은 상기 개시에 한정되는 것은 아니다. 제1 전극 패턴(122)은 다른 도전 물질(예를 들어, 티타늄 또는 탄탈륨)로 형성될 수도 있다.A first electrode pattern 122 may be formed on the first interlayer insulating film 110 and the first contact plug 115. The first electrode pattern 122 may be electrically connected to the selection element through the first contact plug 115. The first electrode pattern 122 may comprise a conductive metal nitride, a metal, or a combination thereof. In the exemplary embodiments, the first electrode pattern 122 may include at least one seed layer that serves as a seed in the process of forming the first magnetic pattern MP1, which will be described later. For example, when the first magnetic pattern MP1 is formed of a magnetic material having the L1 0 structure, the first electrode pattern 122 is a conductive metal nitride having a sodium chloride (NaCl) crystal structure (for example, titanium Nitride, tantalum nitride, chromium nitride, or vanadium nitride). In another example, when the first magnetic pattern MP1 has a dense hexagonal crystal structure, the first electrode pattern 122 may be formed of a conductive material having a dense hexagonal crystal structure (for example, ruthenium). However, the material included in the first electrode pattern 122 is not limited to the above disclosure. The first electrode pattern 122 may be formed of another conductive material (e.g., titanium or tantalum).

제1 전극 패턴(122) 상에 제1 자성 패턴(MP1), 터널 배리어 패턴(TBP) 및 제2 자성 패턴(MP2)이 차례로 제공될 수 있다. 제1 자성 패턴(MP1), 터널 배리어 패턴(TBP) 및 제2 자성 패턴(MP2)을 포함하는 구조체는 자기터널접합(MTJ) 구조체로 정의될 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 제1 자성 패턴(MP1)은 자기터널접합 구조체의 쓰기 동작 시, 고정된 자화 방향(MP1a)을 갖는 기준 자성 패턴이고, 제2 자성 패턴(MP2)은 자기터널접합 구조체의 쓰기 동작 시 변화 가능한 자화 방향(MP2a)을 갖는 자유 자성 패턴일 수 있다. 다만, 제1 및 제2 자성패턴들(ML1, ML2)은 상기 개시에 한정되지 않는다. 즉, 다른 예시적인 실시예들에서, 제1 자성 패턴(MP1)이 자유 자성 패턴이고, 제2 자성 패턴(MP2)이 기준 자성 패턴일 수 있다. 설명의 간결함을 위하여, 이하에서는 제1 자성 패턴(MP1)이 기준 자성 패턴이고, 제2 자성 패턴(MP2)이 자유 자성 패턴인 실시예를 기준으로 설명한다.A first magnetic pattern MP1, a tunnel barrier pattern TBP and a second magnetic pattern MP2 may be sequentially provided on the first electrode pattern 122. [ The structure including the first magnetic pattern MP1, the tunnel barrier pattern TBP and the second magnetic pattern MP2 may be defined as a magnetic tunnel junction (MTJ) structure. In the exemplary embodiments, the first magnetic pattern MP1 is a reference magnetic pattern having a fixed magnetization direction MP1a and the second magnetic pattern MP2 is a reference magnetic pattern having a fixed magnetization direction MP1a in a write operation of the magnetic tunnel junction structure. May be a free magnetic pattern having a magnetization direction (MP2a) that can be changed during a write operation of the magnetic memory device. However, the first and second magnetic patterns ML1 and ML2 are not limited to the above disclosure. That is, in other exemplary embodiments, the first magnetic pattern MP1 may be a free magnetic pattern and the second magnetic pattern MP2 may be a reference magnetic pattern. For simplicity of explanation, the following description will be made on the basis of an embodiment in which the first magnetic pattern MP1 is a reference magnetic pattern and the second magnetic pattern MP2 is a free magnetic pattern.

제1 자성 패턴(MP1)은 터널 배리어 패턴(TBP)과 제1 자성 패턴(MP1)의 계면에 수직한 자화 방향(MP1a)을 가질 수 있다. 이 경우, 제1 자성 패턴(MP1)은 수직 자성 물질, L10 구조를 갖는 수직 자성 물질, 조밀 육방 격자(Hexagonal Close Packed Lattice) 구조의 CoPt 합금 및 수직 자성 구조체 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 수직 자성 물질은 CoFeTb, CoFeGd, CoFeDy 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어, L10 구조를 갖는 수직 자성 물질은 L10 구조의 FePt, L10 구조의 FePd, L10 구조의 CoPd 및 L10 구조의 CoPt 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 수직 자성 구조체는 교대로 그리고 반복적으로 적층된 자성패턴들 및 비자성패턴들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 수직 자성 구조체는 (Co/Pt)n 적층 구조체, (CoFe/Pt)n 적층 구조체, (CoFe/Pd)n 적층 구조체, (Co/Pd)n 적층 구조체, (Co/N)n 적층 구조체, (Co/Ni)n 적층 구조체, (CoNi/Pt)n 적층 구조체, (CoCr/Pt)n 적층 구조체, (CoCr/Pd)n 적층 구조체(n은 자연수) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. The first magnetic pattern MP1 may have a magnetization direction MP1a perpendicular to the interface between the tunnel barrier pattern TBP and the first magnetic pattern MP1. In this case, the first magnetic pattern MP1 may include at least one of a perpendicular magnetic material, a perpendicular magnetic material having an L1 0 structure, a CoPt alloy having a hexagonal close packed lattice structure, and a perpendicular magnetic structure. For example, the perpendicular magnetic material may include CoFeTb, CoFeGd, CoFeDy, or combinations thereof. For example, the vertical magnetic material having an L1 0 structure may include at least one of CoPt of the L1 0 structure of FePt, FePd structure of L1 0, L1 0 structure of L1 0 structures and CoPd. The perpendicular magnetic structure may alternately and repeatedly include stacked magnetic and non-magnetic patterns. For example, the perpendicular magnetic structure may be a (Co / Pt) n laminated structure, (CoFe / Pt) n laminated structure, (CoFe / Pd) n laminated structure, (CoCr / Pd) n laminated structure (n is a natural number), or a combination thereof, in the laminated structure of the (Co / Ni) n laminated structure, (CoNi / Pt) n laminated structure, .

예시적인 실시예들에서, 터널 배리어 패턴(TBP)은 산화 마그네슘(magnesium oxide), 산화 티타늄(titanium oxide), 산화 알루미늄(aluminum oxide), 산화 마그네슘 아연(magnesium-zinc oxide), 산화 마그네슘 붕소(magnesium-boron oxdie) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 터널 배리어 패턴(TBP)은 염화 나트륨(NaCl)결정 구조를 갖는 산화 마그네슘을 포함할 수 있다.In exemplary embodiments, the tunnel barrier pattern (TBP) may be formed of at least one selected from the group consisting of magnesium oxide, titanium oxide, aluminum oxide, magnesium-zinc oxide, magnesium < RTI ID = 0.0 > -boron oxdie), or a combination thereof. In exemplary embodiments, the tunnel barrier pattern (TBP) may comprise magnesium oxide with a sodium chloride (NaCl) crystal structure.

예시적인 실시예들에서, 제2 자성 패턴(MP2)은 터널 배리어 패턴(TBP)과 제2 자성 패턴(MP2)의 계면에 수직한 자화 방향(MP2a)을 가질 수 있다. 이 경우, 제2 자성 패턴(MP2)은 산소와 결합하여 계면 수직 자성 이방성(interface perpendicular magnetic anisotropy, i-PMA)을 유도할 수 있는 자성 원소를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 제2 자성 패턴(MP2)은 보론(B)을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 자성 패턴(MP2)은 코발트-철-보론(CoFeB)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 제2 자성 패턴(MP2)은 증착시 비정질 상태(amorphous state)일 수 있다. 예를 들어, 제2 자성 패턴(MP2)은 증착시 비정질 상태를 갖는 CoFeB를 포함할 수 있다. In the exemplary embodiments, the second magnetic pattern MP2 may have a magnetization direction MP2a perpendicular to the interface between the tunnel barrier pattern TBP and the second magnetic pattern MP2. In this case, the second magnetic pattern MP2 may include a magnetic element capable of coupling with oxygen to induce interface perpendicular magnetic anisotropy (i-PMA). In the exemplary embodiments, the second magnetic pattern MP2 may further include boron (B). For example, the second magnetic pattern MP2 may include cobalt-iron-boron (CoFeB). In exemplary embodiments, the second magnetic pattern MP2 may be in an amorphous state during deposition. For example, the second magnetic pattern (MP2) may include CoFeB having an amorphous state upon deposition.

제2 자성 패턴(MP2) 상에 미세 자성 패턴들(210)이 제공될 수 있다. 설명의 편의를 위하여, 미세 자성 패턴들(210)은 과장되게 도시되었다. 미세 자성 패턴들(210)은 자성 물질을 포함할 수 있다. 미세 자성 패턴들(210)은 서로 수평적으로 이격될 수 있다. 예를 들어, 미세 자성 패턴들(210)은 기판(100)의 상면에 평행한 방향으로 서로 이격될 수 있다. 미세 자성 패턴들(210)의 각각은 기판(100)의 상면에 수직한 방향을 따른 두께(W210)를 가질 수 있다. 미세 자성 패턴들(210)의 각각의 두께(W210)는 미세 자성 패턴들(210) 내부의 자성 물질의 원자의 2원자층(2monolayer 또는 bilayer) 또는 상기 자성 물질의 격자 상수(lattice constant)보다 작을 수 있다. 미세 자성 패턴들(210)은 기판(100)의 상면에 수직한 자기 모멘트를 가질 수 있다. 미세 자성 패턴들(210)의 자기 모멘트를 통해, 후술되는 비자성 패턴(302)과 제2 자성 패턴(MP2) 사이 영역의 자기 모멘트가 강화될 수 있다. 이에 따라, 비자성 패턴(302)과 제2 자성 패턴(MP2) 사이의 자기 분극(magnetic polarization), 계면 수직 자기 이방성(iPMA)이 강화되고, 자기터널접합 구조체(MTJ)의 열안정성 및 터널 자기 저항이 높아질 수 있다. The fine magnetic patterns 210 may be provided on the second magnetic pattern MP2. For convenience of description, the fine magnetic patterns 210 are exaggeratedly shown. The fine magnetic patterns 210 may comprise a magnetic material. The fine magnetic patterns 210 may be horizontally spaced from each other. For example, the fine magnetic patterns 210 may be spaced apart from each other in a direction parallel to the upper surface of the substrate 100. Each of the fine magnetic patterns 210 may have a thickness (W 210 ) along a direction perpendicular to the upper surface of the substrate 100. Each of the thicknesses W 210 of the fine magnetic patterns 210 is less than 2 atomic layers (2monolayer or bilayer) of the atoms of the magnetic material inside the fine magnetic patterns 210 or lattice constant of the magnetic material Can be small. The fine magnetic patterns 210 may have a magnetic moment perpendicular to the top surface of the substrate 100. [ The magnetic moment of the region between the non-magnetic pattern 302 and the second magnetic pattern MP2, which will be described later, can be enhanced through the magnetic moment of the fine magnetic patterns 210. [ Accordingly, magnetic polarization and interfacial perpendicular magnetic anisotropy (iPMA) between the nonmagnetic pattern 302 and the second magnetic pattern MP2 are strengthened, and the thermal stability of the magnetic tunnel junction structure MTJ and the tunnel magnetism The resistance can be increased.

제2 자성 패턴(MP2) 및 미세 자성 패턴들(210) 상에 비자성 패턴(302)이 제공될 수 있다. 비자성 패턴(302)은 제2 자성 패턴(MP2) 및 미세 자성 패턴들(210)을 덮을 수 있다. 예를 들어, 비자성 패턴(302)은 제2 자성 패턴(MP2) 및 미세 자성 패턴들(210)과 접할 수 있다. 비자성 패턴(302)은 비자성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 비자성 패턴(302)은 탄탈륨 산화물, 티타늄 산화물, 마그네슘 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 텅스텐 산화물, 몰리브데넘 산화물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. The nonmagnetic pattern 302 may be provided on the second magnetic pattern MP2 and the fine magnetic patterns 210. [ The non-magnetic pattern 302 may cover the second magnetic pattern MP2 and the fine magnetic patterns 210. [ For example, the non-magnetic pattern 302 may be in contact with the second magnetic pattern MP2 and the fine magnetic patterns 210. [ The non-magnetic pattern 302 may include a non-magnetic material. For example, the non-magnetic pattern 302 may include tantalum oxide, titanium oxide, magnesium oxide, hafnium oxide, zirconium oxide, tungsten oxide, molybdenum oxide, or combinations thereof.

비자성 패턴(302) 상에 제2 전극 패턴(132)이 형성될 수 있다. 제2 전극 패턴(132)은, 금속(예를 들어, 텅스텐, 알루미늄, 구리, 티타늄, 루테늄, 및/또는 탄탈륨), 도전성 금속 질화물(예를 들어, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 및/또는 텅스텐 질화물) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. The second electrode pattern 132 may be formed on the non-magnetic pattern 302. The second electrode pattern 132 may be formed of a metal such as tungsten, aluminum, copper, titanium, ruthenium, and / or tantalum, a conductive metal nitride such as titanium nitride, tantalum nitride, and / or tungsten nitride ), Or a combination thereof.

제1 전극 패턴(122), 제1 자성 패턴(MP1), 터널 배리어 패턴(TBP), 제2 자성 패턴(MP2), 비자성 패턴(302) 및 제2 전극 패턴(132)의 측벽들 및 제2 전극패턴(132)의 상면을 덮는 제2 층간 절연막(140)이 제공될 수 있다. 제2 층간 절연막(140)은, 예를 들어, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화질화막 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.The sidewalls of the first electrode pattern 122, the first magnetic pattern MP1, the tunnel barrier pattern TBP, the second magnetic pattern MP2, the nonmagnetic pattern 302 and the second electrode pattern 132, A second interlayer insulating film 140 covering the upper surface of the two-electrode pattern 132 may be provided. The second interlayer insulating film 140 may include, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a combination thereof.

제2 층간 절연막(140) 내에 제2 콘택 플러그(145)가 제공될 수 있다. 제2 콘택 플러그(145)는 제2 전극 패턴(132)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 층간 절연막(140) 상에 연결 배선(150)이 제공될 수 있다. 연결 배선(150)은 제2 콘택 플러그(145)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 콘택 플러그(145) 및 연결 배선(150)은 각각 도핑된 반도체 물질(예를 들어, 도핑된 실리콘), 금속(예를 들어, 텅스텐, 알루미늄, 구리, 티타늄, 및/또는 탄탈륨), 도전성 금속 질화물(예를 들어, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 및/또는 텅스텐 질화물), 금속-반도체 화합물(예를 들어, 금속 실리사이드) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. A second contact plug 145 may be provided in the second interlayer insulating film 140. [ The second contact plug 145 may be electrically connected to the second electrode pattern 132. The connection interconnection 150 may be provided on the second interlayer insulating film 140. The connection wiring 150 may be electrically connected to the second contact plug 145. The second contact plug 145 and the interconnecting interconnect 150 may each comprise a doped semiconductor material (e.g., doped silicon), a metal (e.g., tungsten, aluminum, copper, titanium, and / or tantalum) Metal nitride (e. G., Titanium nitride, tantalum nitride, and / or tungsten nitride), metal-semiconductor compound (e. G., Metal silicide) or combinations thereof.

본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 제2 자성 패턴(MP2)과 비자성 패턴(302) 사이에 미세 자성 패턴들(210)을 제공하여, 자기터널접합 구조체(MTJ)의 높은 열 안정성 및 터널자기저항(TMR) 및 제2 자성 패턴(MP2)과 비자성 패턴(300) 사이의 높은 계면수직자기이방성(iPMA)을 갖는 자기 메모리 장치가 제공될 수 있다. According to exemplary embodiments of the present invention, fine magnetic patterns 210 are provided between the second magnetic pattern MP2 and the non-magnetic pattern 302 to improve the thermal stability of the magnetic tunnel junction structure (MTJ) A magnetic memory device having a tunnel magnetic reluctance TMR and a high interface perpendicular magnetic anisotropy (iPMA) between the second magnetic pattern MP2 and the non-magnetic pattern 300 can be provided.

도 6 및 도 7은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 자기 메모리 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도 4의 Ⅰ-Ⅰ'선에 따른 단면도들이다. 설명의 간결함을 위하여, 도 4 및 도 5를 참조하여 설명된 것과 실질적으로 동일한 내용은 설명되지 않을 수 있다. FIGS. 6 and 7 are cross-sectional views taken along the line I-I 'of FIG. 4 for explaining a method of manufacturing a magnetic memory device according to exemplary embodiments of the present invention. For brevity of description, substantially the same contents as those described with reference to Figs. 4 and 5 may not be described.

도 4 및 도 6를 참조하면, 기판(100)이 제공될 수 있다. 기판(100)은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(100)은 실리콘 기판, 게르마늄 기판 또는 실리콘-게르마늄 기판을 포함할 수 있다. 선택 소자(미도시)가 기판(100) 상에 제공될 수 있다. 선택 소자는 도 4 및 도 5를 참조하여 설명된 선택 소자와 실질적으로 동일할 수 있다. Referring to FIGS. 4 and 6, a substrate 100 may be provided. The substrate 100 may comprise a semiconductor material. For example, the substrate 100 may comprise a silicon substrate, a germanium substrate, or a silicon-germanium substrate. A selection element (not shown) may be provided on the substrate 100. The selection element may be substantially the same as the selection element described with reference to Figs.

기판(100) 상에 선택 소자를 덮는 제1 층간 절연 막(110)이 형성될 수 있다. 제1 층간 절연 막(110)은 증착 공정을 통해 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 층간 절연 막(110)은 물리 기상 증착(physical vapor deposition; PVD) 공정, 화학 기상 증착(chemical vapor deposition; CVD) 공정, 원자 층 증착(atomic layer deposition; ALD) 공정 또는 이들의 조합을 통해 형성될 수 있다. 제1 층간 절연 막(110)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화질화물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. A first interlayer insulating film 110 may be formed on the substrate 100 to cover the selection device. The first interlayer insulating film 110 may be formed through a deposition process. For example, the first interlayer insulating film 110 may be formed by a physical vapor deposition (PVD) process, a chemical vapor deposition (CVD) process, an atomic layer deposition (ALD) process, As shown in FIG. The first interlayer insulating film 110 may include silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or a combination thereof.

제1 층간 절연 막(110) 내에 제1 콘택 플러그(115)가 형성될 수 있다. 제1 콘택 플러그(115)를 형성하는 것은 제1 층간 절연 막(110)을 관통하는 콘택 홀(미도시)을 형성하는 공정, 상기 콘택 홀을 채우는 도전 막(미도시)을 형성하는 공정 및 제1 층간 절연 막(110)의 상면이 노출될 때까지 평탄화 공정을 수행하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 콘택 홀은 식각 마스크(미도시)를 이용하는 제1 층간 절연 막(110)의 이방성 식각 공정을 통해 형성될 수 있다. 제1 콘택 플러그(115)는 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 콘택 플러그(115)는 도핑된 반도체 물질(예를 들어, 도핑된 실리콘), 금속(예를 들어, 텅스텐, 알루미늄, 구리, 티타늄, 및/또는 탄탈륨), 도전성 금속 질화물(예를 들어, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 및/또는 텅스텐 질화물), 금속-반도체 화합물(예를 들어, 금속 실리사이드) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.A first contact plug 115 may be formed in the first interlayer insulating film 110. The formation of the first contact plug 115 includes forming a contact hole (not shown) through the first interlayer insulating film 110, forming a conductive film (not shown) filling the contact hole, And performing a planarization process until an upper surface of the interlayer insulating film 110 is exposed. For example, the contact holes may be formed through an anisotropic etching process of the first interlayer insulating film 110 using an etch mask (not shown). The first contact plug 115 may comprise a conductive material. For example, the first contact plug 115 may comprise a doped semiconductor material (e.g., doped silicon), a metal (e.g., tungsten, aluminum, copper, titanium, and / or tantalum), a conductive metal nitride For example, titanium nitride, tantalum nitride, and / or tungsten nitride), a metal-semiconductor compound (e.g., a metal silicide), or a combination thereof.

제1 층간 절연 막(110) 및 제1 콘택 플러그(115) 상에 제1 전극 층(120)이 형성될 수 있다. 제1 전극 층(120)은 물리 기상 증착(PVD) 공정, 화학 기상 증착(CVD) 공정, 원자 층 증착(ALD) 공정 또는 이들의 조합을 통해 형성될 수 있다. 제1 전극 층(120)은 도전성 금속 질화물, 금속 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 제1 전극 층(120)은 후술할 제1 자성 층(ML1)을 형성하는 공정에서 시드(seed) 역할을 수행하는 적어도 하나의 시드층을 포함할 수 있다. 일 예로, 제1 자성 층(ML1)이 L10 구조를 갖는 자성 물질을 포함하는 경우, 제1 전극 층(120)은 염화나트륨(NaCl) 결정 구조를 갖는 도전성 금속 질화물(예를 들어, 티타늄 질화물, 탄탈늄 질화물, 크롬 질화물 또는 바나듐 질화물)을 포함할 수 있다. 다른 예로, 제1 자성 층(ML1)이 조밀 육방 결정 구조를 갖는 경우, 제1 전극 층(120)은 조밀 육방 결정 구조를 갖는 도전 물질(예를 들어, 루테늄)을 포함할 수 있다. 하지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 전극 층(120)은 다른 도전 물질(예를 들어, 티타늄 또는 탄탈륨)을 포함할 수 있다. The first electrode layer 120 may be formed on the first interlayer insulating film 110 and the first contact plug 115. The first electrode layer 120 may be formed through a physical vapor deposition (PVD) process, a chemical vapor deposition (CVD) process, an atomic layer deposition (ALD) process, or a combination thereof. The first electrode layer 120 may comprise a conductive metal nitride, a metal, or a combination thereof. According to some embodiments, the first electrode layer 120 may include at least one seed layer that serves as a seed in the process of forming the first magnetic layer ML1, which will be described later. For example, when the first magnetic layer ML1 includes a magnetic material having an L1 0 structure, the first electrode layer 120 may be formed of a conductive metal nitride having a sodium chloride (NaCl) crystal structure (for example, titanium nitride, Tantalum nitride, chromium nitride, or vanadium nitride). In another example, when the first magnetic layer ML1 has a dense hexagonal crystal structure, the first electrode layer 120 may include a conductive material having a dense hexagonal crystal structure (e.g., ruthenium). However, the present invention is not limited thereto. The first electrode layer 120 may comprise another conductive material (e.g., titanium or tantalum).

제1 전극 층(120) 상에, 제1 자성 층(ML1), 터널 배리어 층(TBL), 및 제2 자성 층(ML2)이 차례로 형성될 수 있다. 제1 자성 층(ML1), 터널 배리어 층(TBL), 및 제2 자성 층(ML2)은 증착 공정을 통해 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 자성 층(ML1), 터널 배리어 층(TBL), 및 제2 자성 층(ML2)은 각각은 물리 기상 증착(PVD) 공정, 화학 기상 증착(CVD) 공정, 원자 층 증착(ALD) 공정 또는 이들의 조합을 통해 형성될 수 있다.A first magnetic layer ML1, a tunnel barrier layer TBL, and a second magnetic layer ML2 may be formed on the first electrode layer 120 in this order. The first magnetic layer ML1, the tunnel barrier layer TBL, and the second magnetic layer ML2 may be formed through a deposition process. For example, each of the first magnetic layer ML1, the tunnel barrier layer TBL, and the second magnetic layer ML2 may be formed by a physical vapor deposition (PVD) process, a chemical vapor deposition (CVD) process, an atomic layer deposition ALD) process, or a combination thereof.

제1 자성 층(ML1)은 기준 자성 층일 수 있다. 제1 자성 층(ML1)은 수직 자성 물질, L10 구조를 갖는 수직 자성 물질, 조밀 육방 격자(Hexagonal Close Packed Lattice) 구조의 CoPt 합금, 및 수직 자성 구조체 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 수직 자성 물질은, 예를 들어, CoFeTb, CoFeGd, 또는 CoFeDy 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 L10 구조를 갖는 수직 자성 물질은, 예를 들어, L10 구조의 FePt, L10 구조의 FePd, L10 구조의 CoPd, 및 L10 구조의 CoPt 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 수직 자성 구조체는 교대로 그리고 반복적으로 적층된 자성층들 및 비자성층들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 수직 자성 구조체는 (Co/Pt)n 적층 구조체, (CoFe/Pt)n 적층 구조체, (CoFe/Pd)n 적층 구조체, (Co/Pd)n 적층 구조체, (Co/Ni)n 적층 구조체, (CoNi/Pt)n 적층 구조체, (CoCr/Pt)n 적층 구조체, 및 (CoCr/Pd)n 적층 구조체(n은 자연수) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.The first magnetic layer ML1 may be a reference magnetic layer. The first magnetic layer ML1 may include at least one of a perpendicular magnetic material, a perpendicular magnetic material having an L1 0 structure, a CoPt alloy having a hexagonal close packed lattice structure, and a perpendicular magnetic structure. The perpendicular magnetic material may include at least one of, for example, CoFeTb, CoFeGd, or CoFeDy. The perpendicular magnetic material having the L1 0 structure is, for instance, may include at least one of L1 0 structure of FePt, FePd structure of L1 0, L1 0 structure of the CoPd, and CoPt of the L1 0 structure. The perpendicular magnetic structure may include alternately and repeatedly stacked magnetic and non-magnetic layers. For example, the perpendicular magnetic structure may be a (Co / Pt) n laminated structure, (CoFe / Pt) n laminated structure, (CoFe / Pd) n laminated structure, (CoCr / Pd) n laminated structure (where n is a natural number), and a stacked structure of (CoNi / Pt) n laminated structure, (CoNi / Pt) n laminated structure, (CoCr / Pt) n laminated structure, and

터널 배리어 층(TBL)은 산화 마그네슘(magnesium oxide), 산화 티타늄(titanium oxide), 산화 알루미늄(aluminum oxide), 산화 마그네슘 아연(magnesium-zinc oxide), 및 산화 마그네슘 붕소(magnesium-boron oxide) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 터널 배리어 층(TBL)은 염화나트륨(NaCl) 결정 구조를 갖는 산화 마그네슘을 포함할 수 있다.The tunnel barrier layer (TBL) may comprise at least one of magnesium oxide, titanium oxide, aluminum oxide, magnesium-zinc oxide, and magnesium-boron oxide. One can be included. In some embodiments, the tunnel barrier layer (TBL) may comprise magnesium oxide having a sodium chloride (NaCl) crystal structure.

제2 자성 층(ML2)은 자유 자성 층일 수 있다. 제2 자성 층(ML2)은 산소와 결합하여 계면 수직 자성 이방성(iPMA)을 유도할 수 있는 자성 원소를 포함할 수 있다. 나아가, 제2 자성 층(ML2)은 보론을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 자성 층(ML2)은 코발트-철-보론(CoFeB)로 형성될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 제2 자성 층(ML2)은 비정질 상태(amorphous state)일 수 있다. The second magnetic layer ML2 may be a free magnetic layer. The second magnetic layer ML2 may include a magnetic element capable of binding with oxygen to induce interfacial perpendicular magnetic anisotropy (iPMA). Further, the second magnetic layer ML2 may further include boron. For example, the second magnetic layer ML2 may be formed of cobalt-iron-boron (CoFeB). In some embodiments, the second magnetic layer ML2 may be in an amorphous state.

제2 자성 층(ML2) 상에 미세 자성 패턴들(210)이 형성될 수 있다. 미세 자성 패턴들(210)은 자성 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 미세 자성 패턴들(210)은 물리 기상 증착(PVD) 공정, 화학 기상 증착(CVD) 공정, 원자 층 증착(ALD) 공정 또는 이들의 조합을 통해 형성될 수 있다. 미세 자성 패턴들(210)을 형성하는 공정은 미세 자성 패턴들(210)의 두께(W210)가 미세 자성 패턴들(210) 내부의 자성 물질의 원자의 2원자층(2monolayer 또는 bilayer) 또는 상기 자성 물질의 격자 상수(lattice constant)와 동일해지기 전까지 수행될 수 있다. 미세 자성 패턴들(210)은 서로 수평적으로 이격될 수 있다. 예를 들어, 미세 자성 패턴들(210)은 기판(100)의 상면에 평행한 방향으로 서로 이격될 수 있다. The fine magnetic patterns 210 may be formed on the second magnetic layer ML2. The fine magnetic patterns 210 may comprise a magnetic material. In exemplary embodiments, the micro-magnetic patterns 210 may be formed through a physical vapor deposition (PVD) process, a chemical vapor deposition (CVD) process, an atomic layer deposition (ALD) process, or a combination thereof. The process of forming the fine magnetic patterns 210 may be performed such that the thickness W 210 of the fine magnetic patterns 210 is 2 atom layers (2monolayer or bilayer) of the atoms of the magnetic material inside the minute magnetic patterns 210, It can be performed until it becomes equal to the lattice constant of the magnetic material. The fine magnetic patterns 210 may be horizontally spaced from each other. For example, the fine magnetic patterns 210 may be spaced apart from each other in a direction parallel to the upper surface of the substrate 100.

제2 자성 층(ML2)과 미세 자성 패턴들(210) 상에 비자성 층(300)이 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 비자성 층(300)을 형성하는 것은 제2 자성 층(ML2)과 미세 자성 패턴들(210)을 덮는 금속 층(미도시)을 형성하는 공정 및 상기 금속 층을 산화하는 공정을 포함할 수 있다. 금속 층은 물리 기상 증착(PVD) 공정, 화학 기상 증착(CVD) 공정, 원자 층 증착(ALD) 공정 또는 이들의 조합을 통해 형성될 수 있다. 금속 층은 비자성 금속 원소를 포함할 수 있다. 예를 들어, 금속 층은 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 마그네슘(Mg), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 텅스텐(W), 몰리브데넘(Mo) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 금속 층을 산화하여, 비자성 층(300)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 금속 층은 자연 산화(natural oxidation) 공정, 반응성 산화(reactive oxidation) 공정, 또는 산소(O2) 이온 빔 공정을 통해 산화될 수 있다. 비자성 층(300)은 비자성을 갖는 금속 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 비자성 층(300)은 탄탈륨 산화물, 티타늄 산화물, 마그네슘 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 텅스텐 산화물, 몰리브데넘 산화물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에서, 비자성 층(300)을 형성하는 것은 비자성을 갖는 금속 산화물을 제2 자성 층(ML2)과 미세 자성 패턴들(210) 상에 직접 증착하는 것을 포함할 수 있다. The nonmagnetic layer 300 may be formed on the second magnetic layer ML2 and the fine magnetic patterns 210. [ In the exemplary embodiments, forming the non-magnetic layer 300 includes forming a metal layer (not shown) covering the second magnetic layer ML2 and the fine magnetic patterns 210, . ≪ / RTI > The metal layer may be formed through a physical vapor deposition (PVD) process, a chemical vapor deposition (CVD) process, an atomic layer deposition (ALD) process, or a combination thereof. The metal layer may comprise a non-magnetic metal element. For example, the metal layer may comprise tantalum (Ta), titanium (Ti), magnesium (Mg), hafnium (Hf), zirconium (Zr), tungsten (W), molybdenum (Mo) . By oxidizing the metal layer, the nonmagnetic layer 300 can be formed. For example, the metal layer may be oxidized through a natural oxidation process, a reactive oxidation process, or an oxygen (O 2 ) ion beam process. The non-magnetic layer 300 may comprise a non-magnetic metal oxide. For example, the nonmagnetic layer 300 may include tantalum oxide, titanium oxide, magnesium oxide, hafnium oxide, zirconium oxide, tungsten oxide, molybdenum oxide, or combinations thereof. In other exemplary embodiments, forming the non-magnetic layer 300 may include depositing a non-magnetic metal oxide directly on the second magnetic layer ML2 and the fine magnetic patterns 210 .

열처리 공정이 수행될 수 있다. 예를 들어, 열처리 공정은 비자성 층(300)을 형성하는 공정 중 또는 비자성 층(300)을 형성하는 공정 종료 후 수행될 수 있다. 다만, 열처리 공정의 수행 시기는 상기 개시에 한정되지 않는다. 다른 예에서, 열처리 공정은 후술되는 제2 전극 층(130) 형성 공정 종료 후 수행될 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 열처리 공정은 퍼니스를 이용하는 어닐링 공정, 급속 열 처리 공정, 또는 레이저 어닐링 공정을 이용하여 수행될 수 있다. 열처리 공정 중, 비자성 층(300) 내의 산소 원자들이 제2 자성 층(ML2)과 비자성 층(300) 사이의 계면으로 확산될 수 있다. 제2 자성 층(ML2)과 비자성 층(300) 사이의 계면으로 확산된 산소 원자들은 제2 자성 층(ML2) 내에 포함된 자성물질의 원자들과 결합하여 계면 수직 자기 이방성을 유도할 수 있다. 열처리 공정 중, 비자성 층(300) 내의 산소 원자들이 미세 자성 패턴들(210)로 확산될 수 있다. 미세 자성 패턴들(210)로 확산된 산소 원자들은 미세 자성 패턴들(210) 내에 포함된 자성물질의 원자들과 결합하여 수직 자기 이방성을 유도할 수 있다.A heat treatment process can be performed. For example, the heat treatment process may be performed during the process of forming the non-magnetic layer 300 or after the process of forming the non-magnetic layer 300. However, the timing of performing the heat treatment process is not limited to the above disclosure. In another example, the heat treatment process may be performed after the formation of the second electrode layer 130, which will be described later. In exemplary embodiments, the heat treatment process may be performed using an annealing process using a furnace, a rapid thermal process process, or a laser annealing process. During the heat treatment process, the oxygen atoms in the nonmagnetic layer 300 may diffuse to the interface between the second magnetic layer ML2 and the nonmagnetic layer 300. [ The oxygen atoms diffused at the interface between the second magnetic layer ML2 and the nonmagnetic layer 300 can combine with the atoms of the magnetic material contained in the second magnetic layer ML2 to induce interfacial perpendicular magnetic anisotropy . During the heat treatment process, the oxygen atoms in the nonmagnetic layer 300 may diffuse into the fine magnetic patterns 210. Oxygen atoms diffused into the fine magnetic patterns 210 may combine with the atoms of the magnetic material included in the fine magnetic patterns 210 to induce perpendicular magnetic anisotropy.

비자성 층(300) 상에 제2 전극 층(130)이 형성될 수 있다. 제2 전극 층(130)은 물리 기상 증착(PVD) 공정, 화학 기상 증착(CVD) 공정, 또는 원자 층 증착(ALD) 공정 중에서 적어도 하나를 이용하여 형성될 수 있다. 제2 전극 층(130)은, 금속(예를 들어, 텅스텐, 알루미늄, 구리, 티타늄, 루테늄, 및/또는 탄탈륨), 도전성 금속 질화물(예를 들어, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 및/또는 텅스텐 질화물) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. The second electrode layer 130 may be formed on the non-magnetic layer 300. The second electrode layer 130 may be formed using at least one of a physical vapor deposition (PVD) process, a chemical vapor deposition (CVD) process, or an atomic layer deposition (ALD) process. The second electrode layer 130 may be formed of a metal such as tungsten, aluminum, copper, titanium, ruthenium and / or tantalum, a conductive metal nitride such as titanium nitride, tantalum nitride, and / or tungsten nitride ), Or a combination thereof.

도 7을 참조하면, 식각 마스크(미도시)를 이용하여, 제2 전극 층(130), 비자성 층(300), 제2 자성 층(ML2), 터널 배리어 층(TBL), 제1 자성 층(ML1) 및 제1 전극 층(120)이 순차로 식각될 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 상기 식각 공정은 이온 빔 식각(Ion Beam Etching) 공정을 이용하여 수행될 수 있다. 제2 전극 층(130), 비자성 층(300), 제2 자성 층(ML2), 터널 배리어 층(TBL), 제1 자성 층(ML1) 및 제1 전극 층(120)이 순차로 식각되어, 제2 전극 패턴(132), 비자성 패턴(302), 제2 자성 패턴(MP2), 터널 배리어 패턴(TBP), 제1 자성 패턴(MP1) 및 제1 전극 패턴(122)이 각각 형성될 수 있다. 제1 및 제2 자성 구조체들(MP1, MP2) 및 이들 사이의 터널 배리어 패턴(TBP)은 자기터널접합 패턴(MTJ)으로 정의될 수 있다. 제1 전극 패턴(122)은 제1 층간 절연막(110) 내에 형성된 제1 콘택 플러그(115)에 전기적으로 연결될 수 있다. 자기터널접합 패턴(MTJ)은 제1 전극 패턴(122)과 제2 전극 패턴(132) 사이에 형성될 수 있다. Referring to FIG. 7, a second electrode layer 130, a nonmagnetic layer 300, a second magnetic layer ML2, a tunnel barrier layer TBL, a first magnetic layer (not shown) The first electrode layer ML1 and the first electrode layer 120 may be sequentially etched. In exemplary embodiments, the etching process may be performed using an ion beam etching process. The second electrode layer 130, the non-magnetic layer 300, the second magnetic layer ML2, the tunnel barrier layer TBL, the first magnetic layer ML1, and the first electrode layer 120 are sequentially etched The second magnetic pattern MP2, the tunnel barrier pattern TBP, the first magnetic pattern MP1, and the first electrode pattern 122 are formed on the first electrode pattern 132, the non-magnetic pattern 302, the second magnetic pattern MP2, . The first and second magnetic structures MP1 and MP2 and the tunnel barrier pattern TBP between them can be defined as a magnetic tunnel junction pattern (MTJ). The first electrode pattern 122 may be electrically connected to the first contact plug 115 formed in the first interlayer insulating film 110. A magnetic tunnel junction pattern (MTJ) may be formed between the first electrode pattern 122 and the second electrode pattern 132.

도 5를 다시 참조하면, 제1 층간 절연 막(110) 상에 제2 층간 절연 막(140)이 형성되어, 제1 전극 패턴(122), 제1 자성 패턴(MP1), 터널 배리어 패턴(TBP), 제2 자성 패턴(MP2) 및 제2 전극 패턴(132)을 덮을 수 있다. 제2 층간 절연 막(140)은 증착 공정을 통해 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 층간 절연 막(140)은 물리 기상 증착(PVD) 공정, 화학 기상 증착(CVD) 공정, 원자 층 증착(ALD) 공정 또는 이들의 조합을 통해 형성될 수 있다. 제2 층간 절연 막(140)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화질화물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 5 again, a second interlayer insulating film 140 is formed on the first interlayer insulating film 110 to form a first electrode pattern 122, a first magnetic pattern MP1, a tunnel barrier pattern TBP ), The second magnetic pattern (MP2), and the second electrode pattern (132). The second interlayer insulating film 140 may be formed through a deposition process. For example, the second interlayer insulating film 140 may be formed through a physical vapor deposition (PVD) process, a chemical vapor deposition (CVD) process, an atomic layer deposition (ALD) process, or a combination thereof. The second interlayer insulating film 140 may include silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or a combination thereof.

제2 콘택 플러그(145)가 제2 층간 절연막(140) 내에 형성될 수 있다. 제2 콘택 플러그(145)는 제2 층간 절연막(140)을 관통하여, 제2 전극 패턴(132)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 콘택 플러그(145)를 형성하는 것은 제2 층간 절연 막(140)을 관통하는 콘택 홀(미도시)을 형성하는 공정, 상기 콘택 홀을 채우는 도전 막(미도시)을 형성하는 공정 및 제2 층간 절연 막(140)의 상면이 노출될 때까지 평탄화 공정을 수행하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 콘택 홀은 식각 마스크(미도시)를 이용하는 제2 층간 절연 막(140)의 이방성 식각공정을 통하여 형성될 수 있다. 제2 콘택 플러그(145)는 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 콘택 플러그(145)는 도핑된 반도체 물질(예를 들어, 도핑된 실리콘), 금속(예를 들어, 텅스텐, 알루미늄, 구리, 티타늄, 및/또는 탄탈륨), 도전성 금속 질화물(예를 들어, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 및/또는 텅스텐 질화물), 금속-반도체 화합물(예를 들어, 금속 실리사이드) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.A second contact plug 145 may be formed in the second interlayer insulating film 140. [ The second contact plug 145 may be electrically connected to the second electrode pattern 132 through the second interlayer insulating film 140. The second contact plug 145 is formed by forming a contact hole (not shown) through the second interlayer insulating film 140, forming a conductive film (not shown) filling the contact hole, And then performing a planarization process until the upper surface of the two-layer insulating film 140 is exposed. For example, the contact hole may be formed through an anisotropic etching process of the second interlayer insulating film 140 using an etch mask (not shown). The second contact plug 145 may comprise a conductive material. For example, the second contact plug 145 may be formed from a doped semiconductor material (e.g., doped silicon), a metal (e.g., tungsten, aluminum, copper, titanium, and / or tantalum), a conductive metal nitride For example, titanium nitride, tantalum nitride, and / or tungsten nitride), a metal-semiconductor compound (e.g., a metal silicide), or a combination thereof.

제2 층간 절연막(140) 상에 배선(150)이 형성될 수 있다. 배선(150)은 제2 콘택 플러그(145)에 전기적으로 연결될 수 있다. 배선(150)은 도핑된 반도체 물질(예를 들어, 도핑된 실리콘), 금속(예를 들어, 텅스텐, 알루미늄, 구리, 티타늄, 및/또는 탄탈륨), 도전성 금속 질화물(예를 들어, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 및/또는 텅스텐 질화물), 금속-반도체 화합물(예를 들어, 금속 실리사이드) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 배선(150)은 비트 라인일 수 있다.A wiring 150 may be formed on the second interlayer insulating film 140. The wiring 150 may be electrically connected to the second contact plug 145. Wiring 150 may be formed from a doped semiconductor material (e.g., doped silicon), a metal (e.g., tungsten, aluminum, copper, titanium, and / or tantalum), a conductive metal nitride Tantalum nitride, and / or tungsten nitride), a metal-semiconductor compound (e.g., a metal silicide), or a combination thereof. In the exemplary embodiments, the wiring 150 may be a bit line.

도 8은 본 발명의 기술적 사상의 예시적인 실시예들에 따른 자기터널접합(MTJ) 구조체의 도 4의 Ⅰ-Ⅰ'선에 대응하는 단면도이다. 설명의 간결함을 위하여, 도 4 및 도 5를 참조하여 설명된 것과 실질적으로 동일한 내용은 설명되지 않을 수 있다.8 is a cross-sectional view corresponding to line I-I 'of FIG. 4 of a magnetic tunnel junction (MTJ) structure according to exemplary embodiments of the inventive concept. For brevity of description, substantially the same contents as those described with reference to Figs. 4 and 5 may not be described.

도 4 및 도 8을 참조하면, 기판(100), 제1 층간 절연막(110), 제1 콘택 플러그(115), 제1 전극 패턴(122), 제1 자성 패턴(MP1), 터널 배리어 패턴(TBP), 제2 자성 패턴(MP2), 제2 전극 패턴(132), 제2 층간 절연 막(140), 제2 콘택 플러그(145) 및 배선(150)이 제공될 수 있다. 기판(100), 제1 층간 절연막(110), 제1 콘택 플러그(115), 제1 전극 패턴(122), 제1 자성 층(MP1), 터널 배리어 패턴(TBP), 제2 자성 층(MP2), 제2 전극 패턴(132), 제2 층간 절연 막(140), 제2 콘택 플러그(145) 및 배선(150)은 도 4 및 도 5를 참조하여 설명된 것과 실질적으로 동일할 수 있다. 4 and 8, the substrate 100, the first interlayer insulating film 110, the first contact plug 115, the first electrode pattern 122, the first magnetic pattern MP1, the tunnel barrier pattern A first magnetic pattern TBP, a second magnetic pattern MP2, a second electrode pattern 132, a second interlayer insulating film 140, a second contact plug 145 and a wiring 150 may be provided. The substrate 100, the first interlayer insulating film 110, the first contact plug 115, the first electrode pattern 122, the first magnetic layer MP1, the tunnel barrier pattern TBP, the second magnetic layer MP2 The second electrode pattern 132, the second interlayer insulating film 140, the second contact plug 145, and the wiring 150 may be substantially the same as those described with reference to FIGS. 4 and 5. FIG.

제2 자성 패턴(MP2)과 제2 전극 패턴(132) 사이에 비자성 패턴(302)이 제공될 수 있다. 예를 들어, 비자성 패턴(302)의 바닥면은 제2 자성 패턴(MP2)의 상면에 접하고, 비자성 패턴(302)의 상면은 제2 전극 패턴(132)의 바닥면에 접할 수 있다. 비자성 패턴(302)은 비자성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 비자성 패턴(302)은 비자성을 갖는 금속 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 비자성 패턴(302)은 탄탈륨 산화물, 티타늄 산화물, 마그네슘 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 텅스텐 산화물, 몰리브데넘 산화물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. A nonmagnetic pattern 302 may be provided between the second magnetic pattern MP2 and the second electrode pattern 132. [ For example, the bottom surface of the non-magnetic pattern 302 is in contact with the top surface of the second magnetic pattern MP2, and the top surface of the non-magnetic pattern 302 is in contact with the bottom surface of the second electrode pattern 132. The non-magnetic pattern 302 may include a non-magnetic material. For example, the non-magnetic pattern 302 may comprise a non-magnetic metal oxide. For example, the non-magnetic pattern 302 may include tantalum oxide, titanium oxide, magnesium oxide, hafnium oxide, zirconium oxide, tungsten oxide, molybdenum oxide, or combinations thereof.

비자성 패턴(302)은 자성 원자들(220)로 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제2 자성 패턴(MP2)에 인접한 비자성 패턴(302)의 하부가 자성 원자들(220)로 도핑될 수 있다. 예를 들어, 자성 원자들(220)은 비자성 패턴(302)의 바닥면으로부터 기판(100)의 상면에 수직한 방향을 따라 자성 원자들(220)의 2원자층(2monolayer 또는 bilayer) 또는 격자 상수(lattice constant)보다 작은 두께만큼 도핑될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것이며, 자성 원자들(220)의 도핑 두께는 상기 개시에 한정되지 않는다. 예시적인 실시예들에서, 자성 원자들(220)의 농도는 약 20 원자퍼센트(at.%) 이하일 수 있다.The non-magnetic pattern 302 may be doped with magnetic atoms 220. For example, the lower portion of the non-magnetic pattern 302 adjacent to the second magnetic pattern MP2 may be doped with the magnetic atoms 220. For example, the magnetic atoms 220 may extend from the bottom surface of the non-magnetic pattern 302 along a direction perpendicular to the top surface of the substrate 100 to form a two-atom layer (2monolayer or bilayer) Can be doped to a thickness less than the lattice constant. However, this is only exemplary and the doping thickness of the magnetic atoms 220 is not limited to the above disclosure. In exemplary embodiments, the concentration of magnetic atoms 220 may be less than about 20 atomic percent (at.%).

자성 원자들(220)은 기판(100)의 상면에 수직한 자기 모멘트를 가질 수 있다. 자성 원자들(220)의 자기 모멘트를 통해, 후술되는 비자성 패턴(302)과 제2 자성 패턴(MP2) 사이 영역의 자기 모멘트가 강화될 수 있다. 이에 따라, 비자성 패턴(302)과 제2 자성 패턴(MP2) 사이의 자기 분극(magnetic polarization), 계면 수직 자기 이방성(iPMA)이 강화되고, 자기터널접합(MTJ) 구조체의 열안정성 및 터널 자기 저항이 높아질 수 있다. The magnetic atoms 220 may have a magnetic moment perpendicular to the top surface of the substrate 100. The magnetic moment of the region between the non-magnetic pattern 302 and the second magnetic pattern MP2 described later can be enhanced through the magnetic moment of the magnetic atoms 220. [ This strengthens magnetic polarization and interfacial perpendicular magnetic anisotropy (iPMA) between the non-magnetic pattern 302 and the second magnetic pattern MP2 and enhances the thermal stability of the MTJ structure, The resistance can be increased.

도 9 및 도 10은 본 발명의 기술적 사상의 예시적인 실시예들에 따른 자기터널접합(MTJ) 구조체의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 설명의 간결함을 위하여, 도 6 및 도 7을 참조하여 설명된 것과 실질적으로 동일한 내용은 설명되지 않을 수 있다.FIGS. 9 and 10 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a magnetic tunnel junction (MTJ) structure according to exemplary embodiments of the technical concept of the present invention. For brevity of description, substantially the same contents as those described with reference to Figs. 6 and 7 may not be described.

도 9를 참조하면, 기판(100) 상에 제1 층간 절연막(110), 제1 콘택 플러그(115), 제1 전극 층(120), 제1 자성 층(ML1), 터널 배리어 층(TBL), 제2 자성 층(ML2), 비자성 층(300) 및 제2 전극 층(130)이 형성될 수 있다. 기판(100) 상에 제1 층간 절연막(110), 제1 콘택 플러그(115), 제1 전극 층(120), 제1 자성 층(ML1), 터널 배리어 층(TBL), 제2 자성 층(ML2), 비자성 층(300) 및 제2 전극 층(130)은 각각 도 6을 참조하여 설명된 것과 실질적으로 동일한 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 다만, 미세 자성 패턴들(210)은 제공되지 않으므로, 비자성 층(300)은 제2 자성 층(ML2) 상에 바로 형성될 수 있다. 9, a first interlayer insulating film 110, a first contact plug 115, a first electrode layer 120, a first magnetic layer ML1, a tunnel barrier layer TBL, The second magnetic layer ML2, the non-magnetic layer 300, and the second electrode layer 130 may be formed. A first interlayer insulating film 110, a first contact plug 115, a first electrode layer 120, a first magnetic layer ML1, a tunnel barrier layer TBL, and a second magnetic layer (not shown) ML2, non-magnetic layer 300, and second electrode layer 130 may be formed using substantially the same process as described with reference to FIG. However, since the fine magnetic patterns 210 are not provided, the non-magnetic layer 300 can be formed directly on the second magnetic layer ML2.

비자성 층(300)을 형성하는 공정 중, 자성 원자들(220)을 제공하여, 비자성 층(300)을 자성 원자들(220)로 도핑시킬 수 있다. 비자성 층(300)을 금속 층(미도시)을 증착하는 공정 및 금속 층을 산화하는 공정을 통해 형성하는 경우, 자성 원자들(220)은 금속 층을 증착하는 공정 중에 제공될 수 있다. 예를 들어, 자성 원자들(220)을 금속 층을 증착하는 공정의 초반부에 제공하여, 금속 층의 하부에 자성 원자들(220)을 도핑시킬 수 있다. 예를 들어, 자성 원자들(220)은 금속 층의 바닥면으로부터 기판(100)의 상면에 수직한 방향을 따라 자성 원자들(220)의 2원자층(2monolayer 또는 bilayer) 또는 격자 상수(lattice constant)보다 작은 두께만큼 도핑될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것이며, 자성 원자들(220)의 도핑 두께는 상기 개시에 한정되지 않는다. 다른 예로, 비자성 층(300)을 형성하는 것은 금속 산화물층을 제2 자성 층(ML2) 상에 바로 증착하는 것을 포함할 수 있다. 이 경우, 자성 원자들(220)은 금속 산화물층을 증착하는 공정 중에 제공될 수 있다. 예를 들어, 자성 원자들(220)을 금속 산화물층을 증착하는 공정의 초반부에 제공하여, 금속 산화물층의 하부에 자성 원자들(220)을 도핑시킬 수 있다. 예를 들어, 자성 원자들(220)은 금속 산화물층의 바닥면으로부터 기판(100)의 상면에 수직한 방향을 따라 자성 원자들(220)의 2원자층(2monolayer 또는 bilayer) 또는 격자 상수(lattice constant)보다 작은 두께만큼 도핑될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것이며, 자성 원자들(220)의 도핑 두께는 상기 개시에 한정되지 않는다. 예시적인 실시예들에서, 자성 원자들(220)의 농도는 약 20 원자퍼센트(at.%) 이하일 수 있다.During the process of forming the non-magnetic layer 300, the magnetic atoms 220 may be provided to cause the non-magnetic layer 300 to be doped with the magnetic atoms 220. When the non-magnetic layer 300 is formed through a process of depositing a metal layer (not shown) and a process of oxidizing a metal layer, the magnetic atoms 220 may be provided during the process of depositing the metal layer. For example, the magnetic atoms 220 can be provided in the early part of the process of depositing the metal layer, so that the magnetic atoms 220 can be doped to the bottom of the metal layer. For example, the magnetic atoms 220 may extend from the bottom surface of the metal layer along a direction perpendicular to the top surface of the substrate 100 to form a two-atom layer (bilayer or bilayer) or lattice constant Quot;). ≪ / RTI > However, this is only exemplary and the doping thickness of the magnetic atoms 220 is not limited to the above disclosure. In another example, forming the nonmagnetic layer 300 may include depositing a metal oxide layer directly on the second magnetic layer ML2. In this case, the magnetic atoms 220 may be provided during the process of depositing the metal oxide layer. For example, the magnetic atoms 220 can be provided in the early part of the process of depositing a metal oxide layer, so that the magnetic atoms 220 can be doped to the bottom of the metal oxide layer. For example, the magnetic atoms 220 may extend from the bottom surface of the metal oxide layer along the direction perpendicular to the top surface of the substrate 100 to a two-atom layer (bilayer or bilayer) or lattice constant of the magnetic atoms 220 lt; / RTI > constant. However, this is only exemplary and the doping thickness of the magnetic atoms 220 is not limited to the above disclosure. In exemplary embodiments, the concentration of magnetic atoms 220 may be less than about 20 atomic percent (at.%).

도 10을 참조하면, 제2 전극 층(130), 비자성 층(300), 제2 자성 층(ML2), 터널 배리어 층(TBL), 제1 자성 층(ML1) 및 제1 전극 층(120)이 순차로 식각되어, 제2 전극 패턴(132), 비자성 패턴(302), 제2 자성 패턴(MP2), 터널 배리어 패턴(TBP), 제1 자성 패턴(MP1) 및 제1 전극 패턴(122)이 각각 형성될 수 있다. 제2 전극 패턴(132), 비자성 패턴(302), 제2 자성 패턴(MP2), 터널 배리어 패턴(TBP), 제1 자성 패턴(MP1) 및 제1 전극 패턴(122)은 각각 도 6을 참조하여 설명된 것과 실질적으로 동일한 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 제1 및 제2 자성 구조체들(MP1, MP2) 및 이들 사이의 터널 배리어 패턴(TBP)은 자기터널접합(MTJ) 패턴으로 정의될 수 있다. 10, a second electrode layer 130, a nonmagnetic layer 300, a second magnetic layer ML2, a tunnel barrier layer TBL, a first magnetic layer ML1, and a first electrode layer 120 The first magnetic pattern MP1 and the first magnetic pattern MP1 are sequentially etched to form the second electrode pattern 132, the non-magnetic pattern 302, the second magnetic pattern MP2, the tunnel barrier pattern TBP, 122 may be respectively formed. The second electrode pattern 132, the non-magnetic pattern 302, the second magnetic pattern MP2, the tunnel barrier pattern TBP, the first magnetic pattern MP1 and the first electrode pattern 122 are shown in FIG. 6 May be formed using substantially the same process as described with reference to FIG. The first and second magnetic structures MP1 and MP2 and the tunnel barrier pattern TBP between them can be defined as a magnetic tunnel junction (MTJ) pattern.

도 8을 다시 참조하면, 제2 층간 절연 막(140), 제2 콘택 플러그(145) 및 배선(150)이 형성될 수 있다. 제2 층간 절연 막(140), 제2 콘택 플러그(145) 및 배선(150)은 각각 도 5를 다시 참조하여 설명된 것과 실질적으로 동일한 공정을 이용하여 형성될 수 있다. Referring again to FIG. 8, a second interlayer insulating film 140, a second contact plug 145, and a wiring 150 may be formed. The second interlayer insulating film 140, the second contact plug 145, and the wiring 150 may be formed using a process substantially the same as that described with reference to FIG. 5 again.

도 11은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 자기터널접합(MTJ) 구조체의 도 4의 Ⅰ-Ⅰ'선에 대응하는 단면도이다. 설명의 간결함을 위하여, 도 4 내지 도 7을 참조하여 설명된 것과 실질적으로 동일한 내용은 설명되지 않을 수 있다.11 is a cross-sectional view corresponding to line I-I 'of FIG. 4 of a magnetic tunnel junction (MTJ) structure according to exemplary embodiments of the present invention. For brevity of description, substantially the same contents as those described with reference to Figs. 4 to 7 may not be described.

도 4 및 도 11을 참조하면, 기판(100), 제1 층간 절연막(110), 제1 콘택 플러그(115), 제1 전극 패턴(122), 제2 전극 패턴(132), 제2 층간 절연 막(140), 제2 콘택 플러그(145) 및 배선(150)이 제공될 수 있다. 기판(100), 제1 층간 절연막(110), 제1 콘택 플러그(115), 제1 전극 패턴(122), 제2 전극 패턴(132), 제2 층간 절연 막(140), 제2 콘택 플러그(145) 및 배선(150)은 도 4 및 도 5를 참조하여 설명된 것과 실질적으로 동일할 수 있다. 기판(100), 제1 층간 절연막(110), 제1 콘택 플러그(115), 제1 전극 패턴(122), 제2 전극 패턴(132), 제2 층간 절연 막(140), 제2 콘택 플러그(145) 및 배선(150)은 각각 도 6 및 도 7을 참조하여 설명된 것과 실질적으로 동일한 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 4 and 11, a substrate 100, a first interlayer insulating film 110, a first contact plug 115, a first electrode pattern 122, a second electrode pattern 132, A film 140, a second contact plug 145, and a wiring 150 may be provided. The first contact plug 115, the first electrode pattern 122, the second electrode pattern 132, the second interlayer insulating film 140, the second contact plug 115, the first interlayer insulating film 110, the first contact plug 115, The wiring lines 145 and the wiring lines 150 may be substantially the same as those described with reference to Figs. The first contact plug 115, the first electrode pattern 122, the second electrode pattern 132, the second interlayer insulating film 140, the second contact plug 115, the first interlayer insulating film 110, the first contact plug 115, The wiring lines 145 and the wirings 150 may be formed using processes substantially the same as those described with reference to Figs. 6 and 7, respectively.

도 5에 도시된 바와 달리, 제1 및 제2 전극 패턴들(122, 132) 사이에 비자성 패턴(302), 제2 자성 패턴(MP2), 터널 배리어 패턴(TBP) 및 제1 자성 패턴(MP1)이 차례로 제공될 수 있다. 이때, 제2 자성 패턴(MP2)은 변동 가능한 자화 방향(MP2a)을 가질 수 있고, 제1 자성 패턴(MP1)은 고정된 자화 방향(MP1a)을 가질 수 있다. 비자성 패턴(302), 제2 자성 패턴(MP2), 터널 배리어 패턴(TBP) 및 제1 자성 패턴(MP1)은 각각 도 5를 참조하여 설명된 비자성 패턴(302), 제2 자성 패턴(MP2), 터널 배리어 패턴(TBP) 및 제1 자성 패턴(MP1)과 실질적으로 동일할 수 있다. 비자성 패턴(302), 제2 자성 패턴(MP2), 터널 배리어 패턴(TBP) 및 제1 자성 패턴(MP1)은 각각 도 6 및 도 7을 참조하여 설명된 것과 실질적으로 동일한 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 다만, 도 6을 참조하여 설명된 것과 달리, 비자성 층(도 6의 300), 제2 자성 층(도 6의 ML2), 터널 배리어 층(도 6의 TBL) 및 제1 자성 층(도 6의 ML1)이 차례대로 증착될 수 있다. 5, a non-magnetic pattern 302, a second magnetic pattern MP2, a tunnel barrier pattern TBP, and a first magnetic pattern (not shown) are formed between the first and second electrode patterns 122 and 132, MP1) may be provided in order. At this time, the second magnetic pattern MP2 may have a variable magnetization direction MP2a, and the first magnetic pattern MP1 may have a fixed magnetization direction MP1a. The non-magnetic pattern 302, the second magnetic pattern MP2, the tunnel barrier pattern TBP, and the first magnetic pattern MP1 are the same as the non-magnetic pattern 302, the second magnetic pattern MP2, tunnel barrier pattern TBP, and first magnetic pattern MP1. The nonmagnetic pattern 302, the second magnetic pattern MP2, the tunnel barrier pattern TBP and the first magnetic pattern MP1 are formed using processes substantially the same as those described with reference to Figs. 6 and 7, respectively . 6), the second magnetic layer (ML2 in Fig. 6), the tunnel barrier layer (TBL in Fig. 6), and the first magnetic layer (Fig. 6 0.0 > ML1) < / RTI >

비자성 패턴(302)과 제2 자성 패턴(MP2) 사이에 미세 자성 패턴들(210)이 개재될 수 있다. 미세 자성 패턴들(210)들은 비자성 패턴(302) 및 제2 자성 패턴(MP2)과의 상대적인 위치를 제외하면, 도 5를 참조하여 설명된 미세 자성 패턴들(210)과 실질적으로 동일한 것일 수 있다. 미세 자성 패턴들(210)은 비자성 패턴(302)의 상에 제공될 수 있다. 예를 들어, 미세 자성 패턴들(210)의 바닥면은 비자성 패턴(302)의 상면과 공면을 이룰 수 있다. 미세 자성 패턴들(210)은 제2 자성 패턴(MP2)의 하부에 포함될 수 있다. 예를 들어, 미세 자성 패턴들(210)의 상면 및 측면들은 제2 자성 패턴(MP2)에 의해 덮일 수 있다. 도 6을 참조하여 설명된 것과 달리, 미세 자성 패턴들(210)은 비자성 층(도 6의 300)을 형성한 후에 형성될 수 있다. 이에 따라, 미세 자성 패턴들(210)은 비자성 층(도 6의 300)의 상면에 형성될 수 있다. The fine magnetic patterns 210 may be interposed between the non-magnetic pattern 302 and the second magnetic pattern MP2. The fine magnetic patterns 210 may be substantially the same as the fine magnetic patterns 210 described with reference to Figure 5 except for the relative positions with respect to the non-magnetic pattern 302 and the second magnetic pattern MP2 have. The fine magnetic patterns 210 may be provided on the non-magnetic pattern 302. For example, the bottom surface of the fine magnetic patterns 210 may be coplanar with the top surface of the non-magnetic pattern 302. The minute magnetic patterns 210 may be included in the lower portion of the second magnetic pattern MP2. For example, the upper surfaces and side surfaces of the fine magnetic patterns 210 may be covered by the second magnetic pattern MP2. 6, the fine magnetic patterns 210 may be formed after forming the nonmagnetic layer (300 in FIG. 6). Accordingly, the fine magnetic patterns 210 can be formed on the upper surface of the nonmagnetic layer (300 in FIG. 6).

미세 자성 패턴들(210)은 기판(100)의 상면에 수직한 자기 모멘트를 가질 수 있다. 미세 자성 패턴들(210)의 자기 모멘트를 통해, 후술되는 비자성 패턴(302)과 제2 자성 패턴(MP2) 사이 영역의 자기 모멘트가 강화될 수 있다. 이에 따라, 비자성 패턴(302)과 제2 자성 패턴(MP2) 사이의 자기 분극(magnetic polarization), 계면 수직 자기 이방성(iPMA)이 강화되고, 자기터널접합(MTJ) 구조체의 열안정성 및 터널 자기 저항이 높아질 수 있다. The fine magnetic patterns 210 may have a magnetic moment perpendicular to the top surface of the substrate 100. [ The magnetic moment of the region between the non-magnetic pattern 302 and the second magnetic pattern MP2, which will be described later, can be enhanced through the magnetic moment of the fine magnetic patterns 210. [ This strengthens magnetic polarization and interfacial perpendicular magnetic anisotropy (iPMA) between the non-magnetic pattern 302 and the second magnetic pattern MP2 and enhances the thermal stability of the MTJ structure, The resistance can be increased.

도 12는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 자기터널접합(MTJ) 구조체의 도 4의 Ⅰ-Ⅰ'선에 대응하는 단면도이다. 설명의 간결함을 위하여, 도 8 내지 도 10을 참조하여 설명된 것과 실질적으로 동일한 내용은 설명되지 않을 수 있다.Figure 12 is a cross-sectional view corresponding to line I-I 'of Figure 4 of a magnetic tunnel junction (MTJ) structure in accordance with exemplary embodiments of the invention. For brevity of description, substantially the same contents as those described with reference to Figs. 8 to 10 may not be described.

도 4 및 도 12를 참조하면, 기판(100), 제1 층간 절연막(110), 제1 콘택 플러그(115), 제1 전극 패턴(122), 제2 전극 패턴(132), 제2 층간 절연 막(140), 제2 콘택 플러그(145) 및 배선(150)이 제공될 수 있다. 기판(100), 제1 층간 절연막(110), 제1 콘택 플러그(115), 제1 전극 패턴(122), 제2 전극 패턴(132), 제2 층간 절연 막(140), 제2 콘택 플러그(145) 및 배선(150)은 도 4 및 도 5를 참조하여 설명된 것과 실질적으로 동일할 수 있다. 기판(100), 제1 층간 절연막(110), 제1 콘택 플러그(115), 제1 전극 패턴(122), 제2 전극 패턴(132), 제2 층간 절연 막(140), 제2 콘택 플러그(145) 및 배선(150)은 각각 도 8을 참조하여 설명된 것과 실질적으로 동일한 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 4 and 12, a substrate 100, a first interlayer insulating film 110, a first contact plug 115, a first electrode pattern 122, a second electrode pattern 132, A film 140, a second contact plug 145, and a wiring 150 may be provided. The first contact plug 115, the first electrode pattern 122, the second electrode pattern 132, the second interlayer insulating film 140, the second contact plug 115, the first interlayer insulating film 110, the first contact plug 115, The wiring lines 145 and the wiring lines 150 may be substantially the same as those described with reference to Figs. The first contact plug 115, the first electrode pattern 122, the second electrode pattern 132, the second interlayer insulating film 140, the second contact plug 115, the first interlayer insulating film 110, the first contact plug 115, The wiring lines 145 and the wirings 150 may be formed using a process substantially the same as that described with reference to Fig.

도 8에 도시된 바와 달리, 제1 및 제2 전극 패턴들(122, 132) 사이에 비자성 패턴(302), 제2 자성 패턴(MP2), 터널 배리어 패턴(TBP) 및 제1 자성 패턴(MP1)이 차례로 제공될 수 있다. 이때, 제2 자성 패턴(MP2)은 변동 가능한 자화 방향(MP2a)을 가질 수 있고, 제1 자성 패턴(MP1)은 고정된 자화 방향(MP1a)을 가질 수 있다. 비자성 패턴(302), 제2 자성 패턴(MP2), 터널 배리어 패턴(TBP) 및 제1 자성 패턴(MP1)은 각각 도 8을 참조하여 설명된 비자성 패턴(302), 제2 자성 패턴(MP2), 터널 배리어 패턴(TBP) 및 제1 자성 패턴(MP1)과 실질적으로 동일할 수 있다. 비자성 패턴(302), 제2 자성 패턴(MP2), 터널 배리어 패턴(TBP) 및 제1 자성 패턴(MP1)은 각각 도 9 및 도 10을 참조하여 설명된 것과 실질적으로 동일한 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 다만, 도 9를 참조하여 설명된 것과 달리, 비자성 층(도 9의 300), 제2 자성 층(도 9의 ML2), 터널 배리어 층(도 9의 TBL) 및 제1 자성 층(도 9의 ML1)이 차례대로 증착될 수 있다. 8, a nonmagnetic pattern 302, a second magnetic pattern MP2, a tunnel barrier pattern TBP, and a first magnetic pattern (not shown) are formed between the first and second electrode patterns 122 and 132, MP1) may be provided in order. At this time, the second magnetic pattern MP2 may have a variable magnetization direction MP2a, and the first magnetic pattern MP1 may have a fixed magnetization direction MP1a. The non-magnetic pattern 302, the second magnetic pattern MP2, the tunnel barrier pattern TBP and the first magnetic pattern MP1 are the same as the non-magnetic pattern 302, the second magnetic pattern MP2, tunnel barrier pattern TBP, and first magnetic pattern MP1. The nonmagnetic pattern 302, the second magnetic pattern MP2, the tunnel barrier pattern TBP and the first magnetic pattern MP1 are formed using substantially the same processes as those described with reference to Figs. 9 and 10, respectively . 9), a tunnel barrier layer (TBL in Fig. 9), and a first magnetic layer (Fig. 9B), unlike the case described with reference to Fig. 9, 0.0 > ML1) < / RTI >

비자성 패턴(302)은 자성 원자들(220)로 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제2 자성 패턴(MP2)에 인접한 비자성 패턴(302)의 상부가 자성 원자들(220)로 도핑될 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 자성 원자들(220)의 농도는 약 20 원자퍼센트(at.%)보다 작을 수 있다. 자성 원자들(220)은 그 위치를 제외하면, 도 9를 참조하여 설명된 것과 실질적으로 동일한 공정을 이용하여 비자성 패턴(302)을 도핑시킬 수 있다. 비자성 층(도 9의 300)을 금속 층(미도시)을 증착하는 공정 및 금속 층을 산화하는 공정을 통해 형성하는 경우, 자성 원자들(220)은 금속 층을 증착하는 공정의 후반부에 제공될 수 있다. 이에 따라, 금속 층의 상부가 자성 원자들(220)로 도핑될 수 있다. 자성 원자들(220)은 금속 층의 상부면으로부터 기판(100)의 상면에 수직한 방향을 따라 자성 원자들(220)의 2원자층(2monolayer 또는 bilayer) 또는 격자 상수(lattice constant)보다 작은 두께만큼 도핑될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것이며, 자성 원자들(220)의 도핑 두께는 상기 개시에 한정되지 않는다. 다른 예로, 비자성 층(도 9의 300)을 형성하는 것은 금속 산화물층을 제2 자성 층(도 9의 ML2) 상에 바로 증착하는 것을 포함할 수 있다. 이 경우, 자성 원자들(220)은 금속 산화물층을 증착하는 공정 중에 제공될 수 있다. 예를 들어, 자성 원자들(220)을 금속 산화물층을 증착하는 공정의 후반부에 제공하여, 금속 산화물층의 상부에 자성 원자들(220)을 도핑시킬 수 있다. 자성 원자들(220)은 금속 산화물층의 상부면으로부터 기판(100)의 상면에 수직한 방향을 따라 자성 원자들(220)의 2원자층(2monolayer 또는 bilayer) 또는 격자 상수(lattice constant)보다 작은 두께만큼 도핑될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것이며, 자성 원자들(220)의 도핑 두께는 상기 개시에 한정되지 않는다. The non-magnetic pattern 302 may be doped with magnetic atoms 220. For example, an upper portion of the non-magnetic pattern 302 adjacent to the second magnetic pattern MP2 may be doped with the magnetic atoms 220. In exemplary embodiments, the concentration of magnetic atoms 220 may be less than about 20 atomic percent (at.%). The magnetic atoms 220 may be doped with the non-magnetic pattern 302 using a process substantially the same as that described with reference to FIG. 9, except for that location. When the nonmagnetic layer (300 in FIG. 9) is formed through a process of depositing a metal layer (not shown) and a process of oxidizing a metal layer, the magnetic atoms 220 are provided in the latter half of the process of depositing the metal layer . Accordingly, the upper portion of the metal layer can be doped with the magnetic atoms 220. The magnetic atoms 220 may be formed to have a thickness less than a two-atom layer (bilayer or bilayer) or lattice constant of the magnetic atoms 220 along the direction perpendicular to the top surface of the substrate 100 from the top surface of the metal layer. Lt; / RTI > However, this is only exemplary and the doping thickness of the magnetic atoms 220 is not limited to the above disclosure. As another example, forming the nonmagnetic layer (300 in FIG. 9) may include depositing a metal oxide layer directly on the second magnetic layer (ML2 in FIG. 9). In this case, the magnetic atoms 220 may be provided during the process of depositing the metal oxide layer. For example, the magnetic atoms 220 can be provided in the latter part of the process of depositing a metal oxide layer, so that the magnetic atoms 220 can be doped on top of the metal oxide layer. The magnetic atoms 220 are formed from a top surface of the metal oxide layer along a direction perpendicular to the top surface of the substrate 100 to a size smaller than a 2 atom layer or bilayer or lattice constant of the magnetic atoms 220 Can be doped to a thickness. However, this is only exemplary and the doping thickness of the magnetic atoms 220 is not limited to the above disclosure.

자성 원자들(220)은 기판(100)의 상면에 수직한 자기 모멘트를 가질 수 있다. 자성 원자들(220)의 자기 모멘트를 통해, 후술되는 비자성 패턴(302)과 제2 자성 패턴(MP2) 사이 영역의 자기 모멘트가 강화될 수 있다. 이에 따라, 비자성 패턴(302)과 제2 자성 패턴(MP2) 사이의 자기 분극(magnetic polarization), 계면 수직 자기 이방성(iPMA)이 강화되고, 자기터널접합(MTJ) 구조체의 열안정성 및 터널 자기 저항이 높아질 수 있다. The magnetic atoms 220 may have a magnetic moment perpendicular to the top surface of the substrate 100. The magnetic moment of the region between the non-magnetic pattern 302 and the second magnetic pattern MP2 described later can be enhanced through the magnetic moment of the magnetic atoms 220. [ This strengthens magnetic polarization and interfacial perpendicular magnetic anisotropy (iPMA) between the non-magnetic pattern 302 and the second magnetic pattern MP2 and enhances the thermal stability of the MTJ structure, The resistance can be increased.

본 발명의 실시예들에 대한 이상의 설명은 본 발명의 설명을 위한 예시를 제공한다. 따라서 본 발명은 이상의 실시예들에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 상기 실시예들을 조합하여 실시하는 등 여러 가지 많은 수정 및 변경이 가능함은 명백하다. The foregoing description of embodiments of the present invention provides illustrative examples for the description of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. It is clear.

100 : 기판
110, 140 : 제1 및 제2 층간 절연막들
115, 145 : 제1 및 제2 콘택 플러그들
122, 132 : 제1 및 제2 전극 패턴들
150 : 연결 배선
MP1, MP2 : 제1 및 제2 자성 패턴들
TBP : 터널 배리어 패턴
MTJ : 자기터널접합
210 : 미세 자성 패턴
220 : 자성 원자
302 : 비자성 패턴100: substrate
110 and 140: First and second interlayer insulating films
115, 145: first and second contact plugs
122 and 132: first and second electrode patterns
150: Connection wiring
MP1, MP2: first and second magnetic patterns
TBP: tunnel barrier pattern
MTJ: Magnetic tunnel junction
210: fine magnetic pattern
220: Magnetic atom
302: Non-magnetic pattern

Claims (10)

기판; 및
상기 기판 상의 복수의 자기 터널 접합 패턴들을 포함하되,
상기 자기 터널 접합 패턴들의 각각은:
터널 배리어 패턴;
상기 터널 배리어 패턴을 사이에 두고 상기 기판의 상면에 수직한 방향으로 서로 이격된 제1 자성 패턴 및 제2 자성 패턴;
상기 제2 자성 패턴을 사이에 두고 상기 터널 배리어 패턴으로부터 상기 기판의 상기 상면에 수직한 상기 방향으로 이격된 비자성 패턴; 및
상기 제2 자성 패턴과 상기 비자성 패턴 사이에 제공되고, 상기 기판의 상기 상면에 평행한 방향으로 서로 이격되는 복수의 미세 자성 패턴들을 포함하는 자기 메모리 장치.Board; And
A plurality of magnetic tunnel junction patterns on the substrate,
Each of the magnetic tunnel junction patterns comprising:
Tunnel barrier pattern;
A first magnetic pattern and a second magnetic pattern spaced apart from each other in a direction perpendicular to an upper surface of the substrate with the tunnel barrier pattern interposed therebetween;
A nonmagnetic pattern spaced apart from the tunnel barrier pattern in the direction perpendicular to the upper surface of the substrate with the second magnetic pattern interposed therebetween; And
And a plurality of minute magnetic patterns provided between the second magnetic pattern and the nonmagnetic pattern and spaced apart from each other in a direction parallel to the upper surface of the substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 미세 자성 패턴들의 두께는 상기 미세 자성 패턴들 내부의 자성 물질의 격자 상수(lattice constant)보다 작은 자기 메모리 장치.The method according to claim 1,
Wherein a thickness of the plurality of minute magnetic patterns is smaller than a lattice constant of a magnetic material inside the minute magnetic patterns. 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 미세 자성 패턴들은 상기 제2 자성 패턴 상에 제공되는 자기 메모리 장치.The method according to claim 1,
And the plurality of minute magnetic patterns are provided on the second magnetic pattern. 제 3 항에 있어서,
상기 비자성 패턴은 상기 복수의 미세 자성 패턴들 사이를 채우는 자기 메모리 장치.The method of claim 3,
Wherein the non-magnetic pattern fills between the plurality of fine magnetic patterns. 제 3 항에 있어서,
상기 비자성 패턴은 상기 복수의 미세 자성 패턴들의 상면 및 측면을 덮는 자기 메모리 장치.The method of claim 3,
Wherein the nonmagnetic pattern covers the top and side surfaces of the plurality of minute magnetic patterns. 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 미세 자성 패턴들은 상기 비자성 패턴 상에 제공되는 자기 메모리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of fine magnetic patterns are provided on the non-magnetic pattern. 제 6 항에 있어서,
상기 제2 자성 패턴은 상기 복수의 미세 자성 패턴들의 상면 및 측면을 덮는 자기 메모리 장치.The method according to claim 6,
And the second magnetic pattern covers the top and side surfaces of the plurality of minute magnetic patterns. 기판; 및
상기 기판 상의 복수의 자기 터널 접합 패턴들을 포함하되,
상기 자기 터널 접합 패턴들의 각각은:
터널 배리어 패턴;
상기 터널 배리어 패턴을 사이에 두고 상기 기판의 상면에 수직한 방향으로 서로 이격된 제1 자성 패턴 및 제2 자성 패턴; 및
상기 제2 자성 패턴을 사이에 두고 상기 터널 배리어 패턴으로부터 상기 기판의 상면에 수직한 방향으로 이격된 비자성 패턴을 포함하고,
상기 비자성 패턴은 자성 원자들로 도핑된 자기 메모리 장치.Board; And
A plurality of magnetic tunnel junction patterns on the substrate,
Each of the magnetic tunnel junction patterns comprising:
Tunnel barrier pattern;
A first magnetic pattern and a second magnetic pattern spaced apart from each other in a direction perpendicular to an upper surface of the substrate with the tunnel barrier pattern interposed therebetween; And
And a non-magnetic pattern spaced apart from the tunnel barrier pattern in a direction perpendicular to the upper surface of the substrate with the second magnetic pattern interposed therebetween,
Wherein the non-magnetic pattern is doped with magnetic atoms. 제 8 항에 있어서,
상기 제1 자성 패턴은 상기 기판과 상기 터널 배리어 패턴 사이에 제공되고,
상기 자성 원자들은 상기 제2 자성 패턴의 상면에 인접한 상기 비자성 패턴의 하부에 도핑된 자기 메모리 장치.9. The method of claim 8,
Wherein the first magnetic pattern is provided between the substrate and the tunnel barrier pattern,
Wherein the magnetic atoms are doped to a lower portion of the non-magnetic pattern adjacent the top surface of the second magnetic pattern. 제 8 항에 있어서,
상기 제2 자성 패턴은 상기 기판과 상기 터널 배리어 패턴 사이에 제공되고,
상기 자성 원자들은 상기 제2 자성 패턴의 바닥면에 인접한 상기 비자성 패턴의 상부에 도핑된 자기 메모리 장치.
9. The method of claim 8,
Wherein the second magnetic pattern is provided between the substrate and the tunnel barrier pattern,
Wherein the magnetic atoms are doped on top of the nonmagnetic pattern adjacent the bottom surface of the second magnetic pattern.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120027525A (en) 2009-06-11 2012-03-21 콸콤 인코포레이티드 Magnetic tunnel junction device and fabrication
JP2015038998A (en) * 2014-09-12 2015-02-26 株式会社東芝 Magnetic recording element and magnetic memory
KR20150123893A (en) * 2013-03-12 2015-11-04 마이크론 테크놀로지, 인크 Memory cells, methods of fabrication, semiconductor device structures, and memory systems

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001229511A (en) 2000-02-10 2001-08-24 Fujitsu Ltd Magneto-resistive film, magneto-resistive head, information reproducing device and method for manufacturing magneto-resistive film
JP2005158092A (en) 2003-11-20 2005-06-16 Fujitsu Ltd Magnetic recording medium, magnetic storage device, and manufacturing method for magnetic recording medium
JP2006196613A (en) 2005-01-12 2006-07-27 Sony Corp Storage device, its manufacturing method, and memory
JP2006261454A (en) 2005-03-17 2006-09-28 Fujitsu Ltd Magnetoresistance effect element, magnetic head, and magnetic storage device
KR100706806B1 (en) 2006-01-27 2007-04-12 삼성전자주식회사 Magnetic memory device and method of fabricating the same
JP4975335B2 (en) 2006-02-16 2012-07-11 株式会社東芝 Magnetoresistive element, magnetic head, and magnetic recording / reproducing apparatus
JP2007266498A (en) 2006-03-29 2007-10-11 Toshiba Corp Magnetic recording element and magnetic memory
JP4388093B2 (en) * 2007-03-27 2009-12-24 株式会社東芝 Magnetoresistive element, magnetic head, magnetic recording / reproducing apparatus
KR20080105386A (en) 2007-05-30 2008-12-04 삼성전자주식회사 Perpendicular magnetic recording media and method for manufacturing the same
JP2009164182A (en) 2007-12-28 2009-07-23 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv Magneto-resistive effect element, magnetic head, and magnetic recording/reading device
JP5361201B2 (en) 2008-01-30 2013-12-04 株式会社東芝 Method for manufacturing magnetoresistive element
JP5150284B2 (en) 2008-01-30 2013-02-20 株式会社東芝 Magnetoresistive element and manufacturing method thereof
KR101196732B1 (en) 2008-02-01 2012-11-07 시게이트 테크놀로지 엘엘씨 Perpendicular magnetic recording medium
JP5518896B2 (en) 2009-11-27 2014-06-11 株式会社東芝 Magnetoresistive element and magnetic recording / reproducing apparatus
JP4991901B2 (en) 2010-04-21 2012-08-08 株式会社東芝 Magnetoresistive element and magnetic recording / reproducing apparatus
US8772886B2 (en) 2010-07-26 2014-07-08 Avalanche Technology, Inc. Spin transfer torque magnetic random access memory (STTMRAM) having graded synthetic free layer
JP4991920B2 (en) 2010-09-01 2012-08-08 株式会社東芝 Method for manufacturing magnetoresistive element
JP5895610B2 (en) 2012-03-07 2016-03-30 富士通株式会社 Magnetoresistive memory and method of manufacturing magnetoresistive memory
US9799363B2 (en) 2013-03-13 2017-10-24 Seagate Technology, Llc Damping controlled composite magnetic media for heat assisted magnetic recording
US9633679B2 (en) 2014-05-06 2017-04-25 Seagate Technology Llc Sensor stack structure with RKKY coupling layer between free layer and capping layer
US9337415B1 (en) 2015-03-20 2016-05-10 HGST Netherlands B.V. Perpendicular spin transfer torque (STT) memory cell with double MgO interface and CoFeB layer for enhancement of perpendicular magnetic anisotropy

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120027525A (en) 2009-06-11 2012-03-21 콸콤 인코포레이티드 Magnetic tunnel junction device and fabrication
KR20150123893A (en) * 2013-03-12 2015-11-04 마이크론 테크놀로지, 인크 Memory cells, methods of fabrication, semiconductor device structures, and memory systems
JP2015038998A (en) * 2014-09-12 2015-02-26 株式会社東芝 Magnetic recording element and magnetic memory

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