KR20180021281A - Memory module test system - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 메모리 모듈 테스트에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 메모리 모듈 테스트 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to memory module testing, and more particularly to memory module testing systems.
반도체 칩은 하나의 단품으로 동작할 수도 있지만 어플리케이션이 다양화되고 용량이 고집적화됨에 따라 여러 종류의 반도체 칩을 하나로 모듈화하여 사용하고 있다. 대표적인 것이 여러 개의 메모리 칩을 하나로 모듈화하여 구성한 메모리 모듈이다.Semiconductor chips can operate as a single product, but as applications diversify and capacities become highly integrated, various kinds of semiconductor chips are modularized into one. A typical example is a memory module formed by modularizing a plurality of memory chips into one.
메모리 모듈이 정상적으로 동작하는지 여부를 확인하기 위해서는 메모리 모듈을 정확히 테스트하는 것이 필요하다. 메모리 모듈을 테스트하는 방식으로는 메모리 테스트 장비를 사용하는 방식과 메모리 모듈을 사용하는 시스템에 직접 실장하여 테스트하는 방식이 있다.It is necessary to test the memory module correctly to check whether the memory module is operating normally. There are two ways to test a memory module: using a memory test device and testing it directly on a system that uses a memory module.
본 발명의 실시 예는 테스트 속도 및 시간에 영향 없이 복수 개의 메모리 모듈을 동시에 테스트할 수 있는 메모리 모듈 테스트 시스템을 제공하는 것이다.An embodiment of the present invention is to provide a memory module test system capable of simultaneously testing a plurality of memory modules without affecting test speed and time.
본 발명의 실시 예에 의한 메모리 모듈 테스트 시스템은 마더 보드; 상기 마더 보드 상에 배치되고 메인 모듈 소켓 및 서브 모듈 소켓; 및 하나의 채널을 통해 상기 메인 모듈 소켓으로 적어도 하나의 데이터 신호를 전송하는 컨트롤러를 포함한다. 상기 데이터 신호는 제1 비트 그룹 및 제2 비트 그룹을 포함하고, 상기 데이터 신호의 상기 제1 비트 그룹은 상기 메인 모듈 소켓에 삽입된 메모리 모듈에 입력되고, 상기 데이터 신호의 상기 제2 비트 그룹은 상기 메인 모듈 소켓을 통해 상기 서브 모듈 소켓으로 전달되어 상기 서브 모듈 소켓에 삽입된 메모리 모듈에 입력된다.A memory module test system according to an embodiment of the present invention includes a mother board; A main module socket and a submodule socket disposed on the motherboard; And a controller for transmitting at least one data signal to the main module socket through one channel. Wherein the data signal comprises a first bit group and a second bit group, the first bit group of the data signal is input to a memory module inserted in the main module socket, and the second bit group of the data signal is Module socket through the main module socket and input to the memory module inserted in the sub-module socket.
본 발명의 실시 예에 의한 메모리 모듈 테스트 시스템은 제1 메모리 모듈이 삽입되는 제1 모듈 소켓; 제2 메모리 모듈이 삽입되고, 상기 제1 모듈 소켓과 전기적 및 물리적으로 연결된 제2 모듈 소켓; 및 상기 제1 모듈 소켓으로 적어도 하나의 N 비트 데이터를 전송하는 컨트롤러를 포함하고, 상기 N 비트 데이터 중 하위 N/2 비트 데이터는 상기 제1 메모리 모듈에 입력되고, 및 상기 N 비트 데이터 중 상위 N/2 비트 데이터는 상기 제2 메모리 모듈에 입력된다.A memory module testing system according to an embodiment of the present invention includes: a first module socket into which a first memory module is inserted; A second module socket having a second memory module inserted therein and electrically and physically connected to the first module socket; And a controller for transmitting at least one N-bit data to the first module socket, wherein lower N / 2-bit data out of the N-bit data is input to the first memory module, / 2-bit data is input to the second memory module.
본 실시 예에 따르면, 한 번에 테스트할 수 있는 메모리 모듈 수가 증가하므로, 제품의 생산성이 향상될 수 있다.According to the present embodiment, since the number of memory modules that can be tested at one time increases, the productivity of the product can be improved.
또한, 본 실시 예에 따르면 채널 당 두 개의 메모리 모듈을 테스트하면서 컨트롤러의 관점에서는 채널 당 한 개의 메모리 모듈을 테스트하는 것과 동일하므로, 컨트롤러의 테스트 속도 하락 및 테스트 시간 증가를 방지할 수 있다.In addition, according to the present embodiment, since the two memory modules per channel are tested and one memory module is tested per channel from the viewpoint of the controller, it is possible to prevent the controller from lowering the test speed and increasing the test time.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 메모리 모듈 테스트 시스템을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A′선에 따른 단면도이다.
도 3은 메모리 모듈과 모듈 소켓의 체결 구조를 도시한 사시도이다.
도 4는 도 1의 제1 모듈 소켓 세트의 제1 메인 모듈 소켓과 제1 서브 모듈 소켓의 소켓 핀들의 연결 관계를 개념적으로 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 메모리 모듈 테스트 시스템을 이용한 메모리 모듈 테스트 과정을 개념적으로 도시한 도면이다.1 is a perspective view schematically illustrating a memory module test system according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view taken along the line AA 'in FIG.
3 is a perspective view showing the fastening structure of the memory module and the module socket.
4 is a view conceptually showing the connection relationship between the first main module socket of the first module socket set of FIG. 1 and the socket pins of the first submodule socket.
5 is a conceptual view illustrating a memory module testing process using a memory module test system according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 기술의 실시 예를 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present technology will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 메모리 모듈 테스트 시스템을 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1의 A-A′선에 따른 단면도이고, 도 3은 메모리 모듈과 모듈 소켓의 체결 구조를 도시한 사시도이다.FIG. 1 is a perspective view schematically showing a memory module test system according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along line AA 'of FIG. 1, and FIG. 3 is a view showing a fastening structure of a memory module and a module socket It is a perspective view.
본 실시 예에 따른 메모리 모듈 테스트 시스템(10)은 마더 보드(110), 모듈 소켓 그룹(120), 및 컨트롤러(130)를 포함할 수 있다.The memory
마더 보드(110)는 컴퓨터 내에서 기본회로와 부품들을 포함하는 기본적이고 물리적인 하드웨어로서, 시스템, 예를 들어 컴퓨터의 실행 환경을 설정하고 그 정보를 유지해 주고, 컴퓨터가 안정적으로 구동되게 해주며, 컴퓨터의 모든 장치들 간의 데이터 입출력을 원활하게 해주는 역할을 한다.The
본 실시 예에서 마더 보드(110)는 JEDEC 표준 DIMM 테스트용 마더 보드로서, 이는 공지된 사항이므로 이에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.In the present embodiment, the
모듈 소켓 그룹(120)은 마더 보드(110) 상에 장착될 수 있다. 모듈 소켓 그룹(120)은 제1 모듈 소켓 세트(121) 및 제2 모듈 소켓 세트(123)를 포함할 수 있다. 도 1 및 도 2에서는 모듈 소켓 그룹(120)이 2개의 모듈 소켓 세트들을 포함하는 것으로 도시하였으나, 모듈 소켓 그룹(120)에 포함되는 모듈 소켓 세트들의 개수가 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.The
제1 모듈 소켓 세트(121)는 제1 메인 모듈 소켓(121M) 및 제1 서브 모듈 소켓(121S)을 포함할 수 있다. 제2 모듈 소켓 세트(123)는 제2 메인 모듈 소켓(123M) 및 제2 서브 모듈 소켓(123S)을 포함할 수 있다.The first
제1 메인 모듈 소켓(121M), 제1 서브 모듈 소켓(121S), 제2 메인 모듈 소켓(123M) 및 제2 서브 모듈 소켓(123S)은 각각 메모리 모듈 기판(MMS, 도 3 참조)이 삽입되는 슬롯(S)을 포함할 수 있다.The first
도 3에 도시한 바와 같이, 슬롯(S)으로 삽입되는 메모리 모듈 기판(MMS)의 적어도 일면에는 등간격으로 배열된 다수의 커넥터 핀(CP)들이 형성될 수 있다. 또한, 제1 메인 모듈 소켓(121M), 제1 서브 모듈 소켓(121S), 제2 메인 모듈 소켓(123M) 및 제2 서브 모듈 소켓(123S)은 각각 슬롯(S) 내에 배치되고, 메모리 모듈 기판(MMS)의 커넥터 핀(CP)들과 전기적으로 연결되는 다수의 소켓 핀(SP)들을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 3, a plurality of connector pins CP may be formed on at least one side of the memory module substrate (MMS) inserted into the slot S at equal intervals. The first
이에 따라, 제1 메인 모듈 소켓(121M), 제1 서브 모듈 소켓(121S), 제2 메인 모듈 소켓(123M) 및 제2 서브 모듈 소켓(123S)의 슬롯(S)으로 삽입되는 메모리 모듈(MM)들은 마더 보드(110)와 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 메모리 모듈(MM)들은 제1 메인 모듈 소켓(121M), 제1 서브 모듈 소켓(121S), 제2 메인 모듈 소켓(123M) 및 제2 서브 모듈 소켓(123S)의 소켓 핀(SP)들을 통해 컨트롤러(130)로부터 전원, 커맨드, 어드레스, 및 데이터 등과 같은 신호를 공급받을 수 있다.The memory modules MM inserted into the slots S of the first
도 2에 도시한 바와 같이, 제1 모듈 소켓 세트(121)의 제1 메인 모듈 소켓(121M) 및 제1 서브 모듈 소켓(121S)은 제1 채널(CH1)을 통해 컨트롤러(130)와 연결될 수 있다. 또한, 제2 모듈 소켓 세트(123)의 제2 메인 모듈 소켓(123M) 및 제2 서브 모듈 소켓(123S)은 제2 채널(CH2)을 통해 컨트롤러(130)와 연결될 수 있다.2, the first
예를 들어, 컨트롤러(130)는 두 개의 채널 즉, 제1 채널(CH1) 및 제2 채널(CH2)을 포함할 수 있다. 제1 모듈 소켓 세트(121)의 제1 메인 모듈 소켓(121M)은 제1 채널(CH1)에 연결되고, 제2 서브 모듈 소켓(121S)은 제1 메인 모듈 소켓(121M)과 연결될 수 있다. 또한, 제2 모듈 소켓 세트(123)의 제2 메인 모듈 소켓(123M)은 제2 채널(CH2)에 연결되고, 제2 서브 모듈 소켓(123S)은 제2 메인 모듈 소켓(123M)에 연결될 수 있다.For example, the
제1 메인 모듈 소켓(121M)과 제1 서브 모듈 소켓(121S)은 전기적 및 물리적으로 연결될 수 있고, 제2 메인 모듈 소켓(123M)과 제2 서브 모듈 소켓(123S)은 전기적 및 물리적으로 연결될 수 있다. 이에 대해서는 이후 도 4를 참조하여 상세하게 설명할 것이다.The first
일반적으로, 메모리 모듈(MM)의 적어도 일 면상에는 도 3에 도시한 바와 같이 복수의 메모리 칩들이 탑재될 수 있다. 이때, 메모리 모듈 기판(MMS)의 적어도 일 면의 일 측에는 각 메모리 칩 별로 대응하는 커넥터 핀(CP) 그룹이 메모리 칩의 수만큼 형성될 수 있다. 각 커넥터 핀(CP) 그룹은 복수의 커넥터 핀(CP)들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 각 커넥터 핀(CP) 그룹은 적어도 하나의 전원 핀, 적어도 하나의 커맨드 핀, 적어도 하나의 어드레스 핀, 및 복수의 데이터 핀들 등을 포함할 수 있다.In general, a plurality of memory chips may be mounted on at least one side of the memory module MM, as shown in FIG. At this time, corresponding connector pins (CP) groups may be formed for each memory chip on at least one side of at least one side of the memory module substrate (MMS) as the number of memory chips. Each connector pin group (CP) may include a plurality of connector pins (CP). For example, each connector pin group CP may include at least one power pin, at least one command pin, at least one address pin, and a plurality of data pins.
이와 같은 복수의 메모리 칩들이 탑재된 메모리 모듈(MM)이 삽입되는 모듈 소켓들(121M, 121S, 123M, 123S)은 각각 메모리 모듈(MM)의 각 커넥터 핀(CP) 그룹 별로 대응하는 복수의 소켓 핀(SP) 그룹들을 포함할 수 있다. 각 소켓 핀(SP) 그룹은 적어도 하나의 전원 핀, 적어도 하나의 커맨드 핀, 적어도 하나의 어드레스 핀, 및 복수의 데이터 핀들 등을 포함할 수 있다.The
도 4는 도 1의 제1 모듈 소켓 세트(121)의 제1 메인 모듈 소켓(121M)과 제1 서브 모듈 소켓(121S)의 소켓 핀들의 연결 관계를 개념적으로 도시한 도면이다. 도 4에서는 제1 모듈 소켓 세트(121)만을 도시하였으나, 제2 모듈 소켓 세트(123)의 소켓 핀들의 연결 관계 역시 제1 모듈 소켓 세트(121)와 동일할 수 있다.4 is a view conceptually showing the connection relationship between the first
설명의 편의를 위하여 제1 메인 모듈 소켓(121M)과 제1 서브 모듈 소켓(121S)은 각각 하나의 x8 메모리 칩이 탑재된 테스트용 메모리 모듈을 수용하는 것으로 가정한다. 또한, 제1 메인 모듈 소켓(121M)과 제1 서브 모듈 소켓(121S)은 각각 N 개의 데이터 핀들, 하나의 커맨드 핀, 하나의 어드레스 핀, 및 하나의 전원 핀을 포함하는 소켓 핀들을 구비하는 것으로 가정한다. 여기에서, N은 8일 수 있다.For convenience of explanation, it is assumed that the first
도 4를 참조하면, 제1 메인 모듈 소켓(121M)의 소켓 핀들 및 제1 서브 모듈 소켓(121S)의 소켓 핀들은 각각 8 비트의 데이터 신호가 입력 및 출력되는 8 개의 데이터 핀들(DP0 ~ DP7), 하나의 커맨드 핀(CP), 하나의 어드레스 핀(AP), 및 하나의 전원 핀(PP)을 포함할 수 있다.4, the socket pins of the first
제1 메인 모듈 소켓(121M)의 데이터 핀들(DP0 ~ DP7)은 데이터 신호 중 하위 L 비트가 입력되는 하위 메인 데이터 핀 그룹(LMDPG) 및 데이터 신호 중 상위 U 비트가 입력되는 상위 메인 데이터 핀 그룹(UMDPG)으로 그룹화될 수 있다. 또한, 제1 서브 모듈 소켓(121S)의 데이터 핀들(DP0 ~ DP7)은 데이터 신호 중 하위 L 비트가 입력되는 하위 서브 데이터 핀 그룹(LSDPG) 및 데이터 신호 중 상위 U 비트가 입력되는 상위 서브 데이터 핀 그룹(USDPG)으로 그룹화될 수 있다. 여기에서, L 및 U는 각각 N/2일 수 있다.The data pins DP0 to DP7 of the first
예를 들어, 도 4를 참조하면, 데이터 신호의 하위 4 비트 및 상위 4 비트는 각각 제1 메인 모듈 소켓(121M)의 하위 메인 데이터 핀 그룹(LMDPG) 및 상위 메인 데이터 핀 그룹(UMDPG)으로 입력될 수 있다. 또한, 데이터 신호의 하위 4 비트 및 상위 4 비트는 각각 제1 서브 모듈 소켓(121S)의 하위 서브 데이터 핀 그룹(LSDPG) 및 상위 서브 데이터 핀 그룹(USDPG)으로 입력될 수 있다.4, the lower 4 bits and the upper 4 bits of the data signal are input to the lower main data pin group LMDPG and the upper main data pin group UMDPG of the first
제1 메인 모듈 소켓(121M)의 하위 메인 데이터 핀 그룹(LMDPG)은 제1 서브 모듈 소켓(121S)의 상위 서브 데이터 핀 그룹(USDPG)과 전기적 및 물리적으로 연결될 수 있다. 또한, 제1 메인 모듈 소켓(121M)의 상위 메인 데이터 핀 그룹(UMDPG)은 제1 서브 모듈 소켓(121S)의 하위 서브 데이터 핀 그룹(LSDPG)과 전기적 및 물리적으로 연결될 수 있다.The lower main data pin group LMDPG of the first
예를 들어, 제1 메인 모듈 소켓(121M)의 제1 내지 제4 데이터 핀들(DP0 ~ DP3)은 각각 제1 서브 모듈 소켓(121S)의 제5 내지 제8 데이터 핀들(DP4 ~ DP7)과 점선으로 표시한 것과 같이 도전성 라인을 이용하여 연결될 수 있다. 또한, 제1 메인 모듈 소켓(121M)의 제5 내지 제8 데이터 핀들(DP4 ~ DP7)은 각각 제1 서브 모듈 소켓(121S)의 제1 내지 제4 데이터 핀들(DP0 ~ DP3)과 점선으로 표시한 것과 같이 도전성 라인을 이용하여 연결될 수 있다.For example, the first to fourth data pins DP0 to DP3 of the first
이에 따라, 컨트롤러(130, 도 5 참조)로부터 제1 메인 모듈 소켓(121M)의 데이터 핀들(DP0 ~ DP7)로 입력된 8 비트의 데이트 신호에서 하위 4 비트는 제2 서브 모듈 소켓(121S)의 상위 서브 데이터 핀 그룹(USDPG)으로 전송되고, 상위 4 비트는 제2 서브 모듈 소켓(121S)의 하위 서브 데이터 핀 그룹(LSDPG)으로 전송될 수 있다.Accordingly, the lower 4 bits of the 8-bit data signal input from the controller 130 (see FIG. 5) to the data pins DP0 to DP7 of the first
또한, 제1 메인 모듈 소켓(121M)의 어드레스 핀(AP), 커맨드 핀(CP), 및 전원 핀(PP)은 각각 제1 서브 모듈 소켓(121S)의 어드레스 핀(AP), 커맨드 핀(CP), 및 전원 핀(PP)과 점선으로 표시한 것과 같이 전기적 및 물리적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 컨트롤러(130)로부터 제1 메인 모듈 소켓(121M)의 어드레스 핀(AP), 커맨드 핀(CP), 및 전원 핀(PP)으로 입력된 어드레스 신호, 커맨드 신호, 및 전원 신호는 각각 제1 서브 모듈 소켓(121S)의 어드레스 핀(AP), 커맨드 핀(CP), 및 전원 핀(PP)으로 전송될 수 있다.The address pin AP of the first
도 4에서는 하나의 x8 메모리 칩이 탑재된 메모리 모듈을 수용하는 메인 모듈 소켓과 서브 모듈 소켓을 예를 들어 설명하였으나, 상술한 소켓 핀들의 연결 관계는 복수 개의 x8 메모리 칩들이 탑재된 메모리 모듈을 수용하는 메인 모듈 소켓과 서브 모듈 소켓에도 동일한 방식으로 적용될 수 있다.4, a main module socket and a submodule socket that accommodate a memory module on which one x8 memory chip is mounted have been described. However, the connection relationship of the socket pins described above may include a memory module having a plurality of x8 memory chips mounted therein The same applies to the main module socket and the submodule socket.
예를 들어, 제1 메인 모듈 소켓(121M)과 제1 서브 모듈 소켓(121S)이 8 개의 x8 메모리 칩이 탑재된 메모리 모듈을 수용한다면, 제1 메인 모듈 소켓(121M) 및 제2 서브 모듈 소켓(121S)은 각각 8 개의 소켓 핀 그룹들을 포함할 수 있다. 각 소켓 핀 그룹은 8 비트의 데이터 신호가 입력 및 출력되는 8 개의 데이터 핀들(DP0 ~ DP7), 하나의 커맨드 핀(CP), 하나의 어드레스 핀(AP), 및 하나의 전원 핀(PP)을 포함할 수 있다.For example, if the first
제1 메인 모듈 소켓(121M)의 각 소켓 핀 그룹은 하위 메인 데이터 핀 그룹(LMDPG) 및 상위 메인 데이터 핀 그룹(UMDPG)을 포함할 수 있고, 제1 서브 모듈 소켓(121S)의 각 소켓 핀 그룹은 하위 서브 데이터 핀 그룹(LSDPG) 및 상위 서브 데이터 핀 그룹(USDPG)을 포함할 수 있다. 즉, 제1 메인 모듈 소켓(121M)은 제1 내지 제8 하위 메인 데이터 핀 그룹(LMDPG)들 및 제1 내지 제8 상위 메인 데이터 핀 그룹(UMDPG)들을 포함할 수 있고, 제1 서브 모듈 소켓(121S)은 제1 내지 제8 하위 서브 데이터 핀 그룹(LSDPG)들 및 제1 내지 제8 상위 서브 데이터 핀 그룹(USDPG)들을 포함할 수 있다.Each socket pin group of the first
또한, 제1 메인 모듈 소켓(121M)의 제1 내지 제8 하위 메인 데이터 핀 그룹(LMDPG)들은 각각 제1 서브 모듈 소켓(121S)의 제1 내지 제8 상위 서브 데이터 핀 그룹(USDPG)들과 전기적 및 물리적으로 연결될 수 있다. 또한, 제1 메인 모듈 소켓(121M)의 제1 내지 제8 상위 메인 데이터 핀 그룹(UMDPG)들은 각각 제1 서브 모듈 소켓(121S)의 제1 내지 제8 하위 서브 데이터 핀 그룹(LSDPG)들과 전기적 및 물리적으로 연결될 수 있다. 즉, 소켓 그룹 별로 상위 데이터 핀들과 하위 데이터 핀들이 엇갈리게 연결될 수 있다.The first to eighth lower main data pin groups LMDPG of the first
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 메모리 모듈 테스트 시스템을 이용한 메모리 모듈 테스트 과정을 개념적으로 도시한 도면이다. 설명의 편의를 위하여 하나의 x8 메모리 칩이 탑재된 메모리 모듈을 테스트하는 것으로 가정한다.5 is a conceptual view illustrating a memory module testing process using a memory module test system according to an embodiment of the present invention. For convenience of explanation, it is assumed that a memory module with one x8 memory chip is tested.
또한, 도 5에서는 도면의 간략화를 위하여 제1 모듈 소켓 세트(121) 및 제2 모듈 소켓 세트(123)에 삽입된 메모리 모듈은 생략하였다. 또한, 도 5에서는 메모리 모듈로 각각의 신호 즉, 데이터, 어드레스, 커맨드, 및 전원 등의 사용 여부를 원의 색으로 나타내었다. 즉, 원이 검정색이면 해당 신호가 해당 메모리 모듈에서 사용되었음을 나타내고, 원이 흰색이면 해당 신호가 해당 메모리 모듈에서 사용되지 않았음을 나타낼 수 있다.In FIG. 5, the memory modules inserted in the first
제1 모듈 소켓 세트(121)의 제1 메인 모듈 소켓(121M)과 제1 서브 모듈 소켓(121S), 및 제2 모듈 소켓 세트(123)의 제2 메인 모듈 소켓(123M)과 제2 서브 모듈 소켓(123S)에 각각 테스트용 메모리 모듈이 삽입되면, 컨트롤러(130)는 제1 채널(CH1) 및 제2 채널(CH2)을 통해 제1 메인 모듈 소켓(121M) 및 제2 메인 모듈 소켓(123M)으로 전원 신호를 전송할 수 있다. 제1 메인 모듈 소켓(121M) 및 제2 메인 모듈 소켓(123M) 전송된 전원 신호는 제1 서브 모듈 소켓(121S) 및 제2 서브 모듈 소켓(123S)로 전송될 수 있다. 이에 따라, 제1 메인 모듈 소켓(121M)과 제1 서브 모듈 소켓(121S), 제2 메인 모듈 소켓(123M), 및 제2 서브 모듈 소켓(123S)에 삽입된 테스트용 메모리 모듈들에 전원이 인가될 수 있다.The first
테스트용 메모리 모듈들에 전원이 인가되면, 우선 테스트용 메모리 모듈들에 탑재된 각 메모리 칩의 I/O 모드를 x8에서 x4로 변환하는 작업이 수행될 수 있다. 메모리 칩의 I/O 모드를 x8에서 x4로 변환하는 작업은 본 실시 예에 따른 메모리 모듈 테스트 시스템 내에서 수행될 수도 있고, 또는 외부로부터 입력되는 I/O 모드 변환 신호에 의해 수행될 수도 있다. 여기에서, 외부는 외부 장치 또는 사용자를 의미할 수 있다.When power is applied to the test memory modules, the operation of converting the I / O mode of each memory chip mounted in the test memory modules from x8 to x4 can be performed first. The operation of converting the I / O mode of the memory chip from x8 to x4 may be performed in the memory module test system according to the present embodiment, or may be performed by an externally input I / O mode conversion signal. Here, the external may mean an external device or a user.
이와 같이, 각 메모리 칩의 I/O 모드가 x8에서 x4로 변환됨에 따라, 각 메모리 칩의 데이터 핀들(D0 ~ D7) 중 4 개의 데이터 핀들, 예를 들어 상위 4 비트의 데이터 핀들(D4 ~ D7)은 테스트에서 사용되지 않을 수 있다. 본 실시 예에서는 상위 4 비트의 데이터 핀들(D4 ~ D7)이 사용되지 않는 것으로 도시하였으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니며, 하위 4 비트의 데이터 핀들(D0 ~ D3)이 사용되지 않도록 변환하는 것 역시 가능하다.Thus, as the I / O mode of each memory chip is converted from x8 to x4, four data pins among the data pins D0 to D7 of each memory chip, for example, data pins D4 to D7 ) May not be used in the test. In this embodiment, the upper 4-bit data pins D4 to D7 are not used. However, the present invention is not limited to this, and the lower 4-bit data pins D0 to D3 may be used Do.
컨트롤러(130)는 제1 채널(CH1) 및 제2 채널(CH2)을 통해 제1 메인 모듈 소켓(121M) 및 제2 메인 모듈 소켓(123M)으로 각각 8 비트의 데이터 신호, 어드레스 신호, 및 쓰기 커맨드 등을 전송할 수 있다. 이때, 제1 메인 모듈 소켓(121M) 및 제2 메인 모듈 소켓(123M)으로 전송된 어드레스 신호 및 쓰기 커맨드는 제1 서브 모듈 소켓(121S) 및 제2 서브 모듈 소켓(123S)으로 동시에 전송될 수 있다.The
그러나, 전술한 바와 같이 각 모듈 소켓(121M, 121S, 123M, 123S)에 삽입된 메모리 모듈들에 탑재된 각 메모리 칩의 데이터 핀들 중 하위 4 개의 데이터 핀들(D0 ~ D3)만이 사용되므로, 제1 메인 모듈 소켓(121M)으로 입력된 8 비트의 데이터 신호 중 상위 4 비트의 신호는 제1 메인 모듈 소켓(121M)의 상위 4 개의 데이터 핀들(D4 ~ D7)과 전기적 및 물리적으로 연결된 제1 서브 모듈 소켓(121S)의 하위 4 개의 데이터 핀들(D0 ~ D3)로 입력될 수 있다. 마찬가지로, 제2 메인 모듈 소켓(123M)으로 입력된 8 비트의 데이터 신호 중 상위 4 비트의 신호는 제2 메인 모듈 소켓(123M)의 상위 4 개의 데이터 핀들(D4 ~ D7)과 전기적 및 물리적으로 연결된 제2 서브 모듈 소켓(123S)의 하위 4 개의 데이터 핀들(D0 ~ D3)로 입력될 수 있다.However, since only the lower four data pins D0 to D3 among the data pins of the memory chips mounted on the memory modules inserted in the
즉, 컨트롤러(130)가 제1 채널(CH1)을 통해 제1 메인 모듈 소켓(121M)으로 전송한 8 비트의 데이터 신호는 4 비트씩 제1 메인 모듈 소켓(121M) 및 제1 서브 모듈 소켓(121S)에 삽입된 메모리 모듈에 탑재된 각 메모리 칩 내에 라이트될 수 있다. 마찬가지로, 컨트롤러(130)가 제2 채널(CH2)을 통해 제2 메인 모듈 소켓(123M)으로 전송한 8 비트의 데이터 신호는 4 비트씩 제2 메인 모듈 소켓(123M) 및 제2 서브 모듈 소켓(123S)에 삽입된 메모리 모듈에 탑재된 각 메모리 칩 내에 라이트될 수 있다.That is, the 8-bit data signal transmitted to the first
이후, 컨트롤러(130)는 제1 채널(CH1) 및 제2 채널(CH2)을 통해 제1 메인 모듈 소켓(121M) 및 제2 메인 모듈 소켓(123M)으로 각각 읽기 커맨드 및 어드레스 신호를 전송할 수 있다. 이때, 제1 메인 모듈 소켓(121M) 및 제2 메인 모듈 소켓(123M)으로 전송된 어드레스 신호 및 읽기 커맨드는 제1 서브 모듈 소켓(121S) 및 제2 서브 모듈 소켓(123S)으로 동시에 전송될 수 있다.The
이러한 컨트롤러(130)의 읽기 요청에 대응하여 제1 메인 모듈 소켓(121M) 및 제1 서브 모듈 소켓(121S)은 각각 하위 4 비트의 데이터 신호 및 상위 4 비트의 데이터 신호를 제1 채널(CH1)을 통해 컨트롤러(130)로 전송할 수 있다. 마찬가지로, 컨트롤러(130)의 읽기 요청에 대응하여 제2 메인 모듈 소켓(123M) 및 제2 서브 모듈 소켓(123S)은 각각 하위 4 비트의 데이터 신호 및 상위 4 비트의 데이터 신호를 제2 채널(CH1)을 통해 컨트롤러(130)로 전송할 수 있다.The first
컨트롤러(130)는 제1 채널(CH1)을 통해 전송된 8 비트의 데이터 신호 중 하위 4 비트의 데이터 신호 및 상위 4 비트의 데이터 신호에 근거하여 제1 메인 모듈 소켓(121M) 및 제1 서브 모듈 소켓(121S)에 삽입된 메모리 모듈들을 테스트할 수 있다. 마찬가지로, 컨트롤러(130)는 제2 채널(CH2)을 통해 전송된 8 비트의 데이터 신호 중 하위 4 비트의 데이터 신호 및 상위 4 비트의 데이터 신호에 근거하여 제2 메인 모듈 소켓(123M) 및 제2 서브 모듈 소켓(123S)에 삽입된 메모리 모듈들을 테스트할 수 있다.The
상술한 바와 같이, 각 메모리 모듈에 대한 테스트가 완료되면 각 메모리 모듈에 탑재된 각 메모리 칩의 I/O 모드를 원래대로 즉, x4에서 x8로 변환하는 작업이 수행될 수 있다.As described above, when the test for each memory module is completed, the operation of converting the I / O mode of each memory chip mounted in each memory module from its original state, that is, from x4 to x8, can be performed.
본 실시 예에 따른 메모리 모듈 테스트 시스템은 한 번에 테스트할 수 있는 메모리 모듈 수가 증가하므로, 제품의 생산성이 향상될 수 있다.The memory module test system according to the present embodiment increases the number of memory modules that can be tested at one time, thereby improving the productivity of the product.
또한, 본 실시 예에 따른 메모리 모듈 테스트 시스템은 채널 당 두 개의 메모리 모듈을 동시에 테스트하면서 컨트롤러(130)의 관점에서는 채널 당 한 개의 메모리 모듈을 테스트하는 것과 동일하므로, 테스트 속도 하락 및 테스트 시간 증가를 방지할 수 있다.In addition, since the memory module test system according to the present embodiment tests two memory modules per channel at the same time and tests one memory module per channel from the viewpoint of the
이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Thus, those skilled in the art will appreciate that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the embodiments described above are to be considered in all respects only as illustrative and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.
10: 메모리 모듈 테스트 시스템 110: 마더 보드
120: 모듈 소켓 그룹 121: 제1 모듈 소켓 세트
121M: 제1 메인 모듈 소켓 121S: 제1 서브 모듈 소켓
123: 제2 모듈 소켓 세트 123M: 제2 메인 모듈 소켓
123S: 제2 서브 모듈 소켓 130: 컨트롤러10: Memory module test system 110: Motherboard
120: Module socket group 121: First module socket set
121M: first
123: Second
123S: second sub module socket 130: controller
Claims (13)
상기 마더 보드 상에 배치되고 메인 모듈 소켓 및 서브 모듈 소켓; 및
하나의 채널을 통해 상기 메인 모듈 소켓으로 적어도 하나의 데이터 신호를 전송하는 컨트롤러를 포함하고,
상기 데이터 신호는 제1 비트 그룹 및 제2 비트 그룹을 포함하고,
상기 데이터 신호의 상기 제1 비트 그룹은 상기 메인 모듈 소켓에 삽입된 메모리 모듈에 입력되고, 상기 데이터 신호의 상기 제2 비트 그룹은 상기 메인 모듈 소켓을 통해 상기 서브 모듈 소켓으로 전달되어 상기 서브 모듈 소켓에 삽입된 메모리 모듈에 입력되는 메모리 모듈 테스트 시스템.Motherboard;
A main module socket and a submodule socket disposed on the motherboard; And
And a controller for transmitting at least one data signal to the main module socket through one channel,
Wherein the data signal comprises a first bit group and a second bit group,
The first bit group of the data signal is input to the memory module inserted in the main module socket and the second bit group of the data signal is transferred to the submodule socket through the main module socket, The memory module being inserted into the memory module.
상기 데이터 신호가 N 비트이면,
상기 제1 비트 그룹은 상기 데이터 신호의 하위 N/2 비트를 포함하고, 및 상기 제2 비트 그룹은 상기 데이터 신호의 상위 N/2 비트를 포함하는 메모리 모듈 테스트 시스템.The method according to claim 1,
If the data signal is N bits,
Wherein the first group of bits comprises the lower N / 2 bits of the data signal and the second group of bits comprises the upper N / 2 bits of the data signal.
상기 메인 모듈 소켓은,
상기 데이터 신호의 상기 제1 비트 그룹이 입력되는 하위 메인 데이터 핀들; 및
상기 데이터 신호의 상기 제2 비트 그룹이 입력되는 상위 메인 데이터 핀들을 포함하고,
상기 서브 모듈 소켓은,
상기 메인 모듈 소켓의 상기 상위 메인 데이터 핀들과 전기적 및 물리적으로 연결된 하위 서브 데이터 핀들; 및
상기 메인 모듈 소켓의 상기 하위 메인 데이터 핀들과 전기적 및 물리적으로 연결된 상위 서브 데이터 핀들
을 포함하는 메모리 모듈 테스트 시스템.3. The method of claim 2,
The main module socket includes:
Lower main data pins into which the first bit group of the data signal is input; And
Wherein the second group of bits of the data signal comprises upper main data pins to which are input,
Module socket,
Lower sub data pins electrically and physically connected to the upper main data pins of the main module socket; And
And upper sub data pins electrically and physically connected to the lower main data pins of the main module socket
≪ / RTI >
상기 데이터 신호의 상기 제1 비트 그룹은 상기 메인 모듈 소켓에 삽입된 상기 메모리 모듈에 탑재된 적어도 하나의 메모리 칩에 라이트되고, 및
상기 데이터 신호의 상기 제2 비트 그룹은 상기 서브 모듈 소켓에 삽입된 상기 메모리 모듈에 탑재된 적어도 하나의 메모리 칩에 라이트되는 메모리 모듈 테스트 시스템.The method according to claim 1,
Wherein the first bit group of the data signal is written to at least one memory chip mounted on the memory module inserted in the main module socket,
Wherein the second group of bits of the data signal is written to at least one memory chip mounted on the memory module inserted in the submodule socket.
상기 컨트롤러가 상기 채널을 통해 상기 메인 모듈 소켓으로 리드 요청 신호를 전송하면,
상기 메인 모듈 소켓에 삽입된 상기 메모리 모듈에 탑재된 상기 메모리 칩은 상기 데이터 신호의 상기 제1 비트 그룹을 상기 채널을 통해 상기 컨트롤러로 전송하고, 및
상기 서브 모듈 소켓에 삽입된 상기 메모리 모듈에 탑재된 상기 메모리 칩은 상기 데이터 신호의 상기 제2 비트 그룹을 상기 메인 모듈 소켓 및 상기 채널을 통하여 상기 컨트롤러로 전송하는 메모리 모듈 테스트 시스템.5. The method of claim 4,
When the controller transmits a read request signal to the main module socket through the channel,
Wherein the memory chip mounted on the memory module inserted in the main module socket transmits the first group of bits of the data signal to the controller via the channel,
Wherein the memory chip mounted on the memory module inserted in the submodule socket transmits the second group of bits of the data signal to the controller through the main module socket and the channel.
상기 컨트롤러는 상기 채널을 통해 수신된 상기 데이터 신호의 상기 제1 비트 그룹 및 상기 제2 비트 그룹에 근거하여 상기 메인 모듈 소켓에 삽입된 상기 메모리 모듈 및 상기 서브 모듈 소켓에 삽입된 상기 메모리 모듈을 테스트하는 메모리 모듈 테스트 시스템.6. The method of claim 5,
The controller tests the memory module inserted in the main module socket and the memory module inserted in the submodule socket based on the first bit group and the second bit group of the data signal received via the channel Memory module test system.
상기 컨트롤러가 상기 메인 모듈 소켓으로 복수의 데이터 신호들을 전송하는 경우,
상기 복수의 데이터 신호들은 각각 제1 비트 그룹 및 제2 비트 그룹을 포함하고,
각 데이터 신호의 상기 제1 비트 그룹은 상기 메인 모듈 소켓에 삽입된 상기 메모리 모듈에 입력되고, 상기 각 데이터 신호의 상기 제2 비트 그룹은 상기 메인 모듈 소켓을 통해 상기 서브 모듈 소켓으로 전달되어 상기 서브 모듈 소켓에 삽입된 메모리 모듈에 입력되는 메모리 모듈 테스트 시스템.The method according to claim 1,
When the controller transmits a plurality of data signals to the main module socket,
The plurality of data signals each including a first bit group and a second bit group,
The first bit group of each data signal is input to the memory module inserted in the main module socket and the second bit group of each data signal is transferred to the submodule socket through the main module socket, A memory module test system that is inserted into a memory module inserted in a module socket.
상기 컨트롤러는 상기 채널을 통하여 상기 메인 모듈 소켓으로 적어도 하나의 어드레스 및 적어도 하나의 커맨드를 전송하고, 및 상기 메인 모듈 소켓으로 전송된 상기 적어도 하나의 어드레스 및 상기 적어도 하나의 커맨드는 상기 서브 모듈 소켓으로 동시에 전송되는 메모리 모듈 테스트 시스템.The method according to claim 1,
The controller sends at least one address and at least one command to the main module socket through the channel and the at least one address and the at least one command sent to the main module socket are sent to the submodule socket Simultaneously transferred memory module test system.
제2 메모리 모듈이 삽입되고, 상기 제1 모듈 소켓과 전기적 및 물리적으로 연결된 제2 모듈 소켓; 및
상기 제1 모듈 소켓으로 적어도 하나의 N 비트 데이터를 전송하는 컨트롤러를 포함하고,
상기 N 비트 데이터 중 하위 N/2 비트 데이터는 상기 제1 메모리 모듈에 입력되고, 및 상기 N 비트 데이터 중 상위 N/2 비트 데이터는 상기 제2 메모리 모듈에 입력되는 메모리 모듈 테스트 시스템.A first module socket into which a first memory module is inserted;
A second module socket having a second memory module inserted therein and electrically and physically connected to the first module socket; And
And a controller for transmitting at least one N-bit data to the first module socket,
Wherein lower N / 2-bit data of the N-bit data is input to the first memory module, and upper N / 2-bit data of the N-bit data is input to the second memory module.
상기 제1 메모리 모듈 상에 탑재된 제1 메모리 칩; 및
상기 제2 메모리 모듈 상에 탑재된 제2 메모리 칩을 더 포함하는 메모리 모듈 테스트 시스템.10. The method of claim 9,
A first memory chip mounted on the first memory module; And
And a second memory chip mounted on the second memory module.
상기 제1 메모리 칩 및 상기 제2 메모리 칩은 각각 N 개의 데이터 핀들을 포함하는 메모리 모듈 테스트 시스템.11. The method of claim 10,
Wherein the first memory chip and the second memory chip each include N data pins.
상기 제1 메모리 칩의 상기 N 개의 데이터 핀들 중 하위 N/2 개의 데이터 핀들은 활성화 상태이고, 상위 N/2 개의 데이터 핀들은 비활성화 상태이고, 및
상기 제2 메모리 칩의 상기 N 개의 데이터 핀들 중 하위 N/2 개의 데이터 핀들은 활성화 상태이고, 상위 N/2 개의 데이터 핀들은 비활성화 상태인 메모리 모듈 테스트 시스템.12. The method of claim 11,
The lower N / 2 data pins of the N data pins of the first memory chip are in an active state, the upper N / 2 data pins are in an inactive state, and
Wherein the lower N / 2 data pins of the N data pins of the second memory chip are active and the upper N / 2 data pins are inactive.
상기 하위 N/2 비트 데이터는 상기 제1 메모리 칩의 상기 하위 N/2 개의 데이터 핀들로 입력되고, 및
상기 상위 N/2 비트 데이터는 상기 제2 메모리 칩의 상기 하위 N/2 개의 데이터 핀들로 입력되는 메모리 모듈 테스트 시스템.13. The method of claim 12,
The lower N / 2 bit data is input to the lower N / 2 data pins of the first memory chip, and
And the upper N / 2 bit data is input to the lower N / 2 data pins of the second memory chip.
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