KR20180007331A - Imprint apparatus, and article manufacturing method - Google Patents

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KR20180007331A KR1020170087574A KR20170087574A KR20180007331A KR 20180007331 A KR20180007331 A KR 20180007331A KR 1020170087574 A KR1020170087574 A KR 1020170087574A KR 20170087574 A KR20170087574 A KR 20170087574A KR 20180007331 A KR20180007331 A KR 20180007331A
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Abstract

Provided is an imprint device capable of preventing introduction of foreign substances into a space between a substrate and a shape. To this end, the imprint device molds an imprinting material on the substrate using the shape. The imprint device comprises: a substrate stage supporting and moving the substrate; a shape retention part supporting the shape; and a peripheral member disposed around the shape retention part. A release part which is to release gas into a space where the substrate stage faces is installed on a lateral side of the peripheral member.

Description

임프린트 장치 및 물품 제조 방법 {IMPRINT APPARATUS, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}[0001] IMPRINT APPARATUS AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD [0002]

본 발명은, 임프린트 장치 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an imprint apparatus and a method of manufacturing an article.

반도체 디바이스나 MEMS 등의 미세화의 요구가 진전되어, 종래의 포토리소그래피 기술에 추가하여, 기판 상에서 임프린트재를 형(몰드)으로 성형하여, 임프린트재의 패턴을 기판 상에 형성하는 미세 가공 기술이 주목을 모으고 있다. 이 기술은, 임프린트 기술이라 칭해진다. 임프린트 기술에 의하면, 기판 상에 수 나노미터 오더의 미세한 구조체를 형성할 수 있다. 예를 들어, 임프린트 기술의 하나로서, 광경화법이 있다. 이 광경화법을 채용한 임프린트 장치에서는, 먼저, 기판 상의 임프린트 영역에 임프린트재를 도포한다. 다음으로, 임프린트재에 형을 밀어붙여, 형의 패턴 영역의 오목부에 임프린트재를 충전시킨다. 다음으로, 임프린트재에 자외선을 조사하는 것에 의하여 임프린트재를 경화시킴으로써 오목부에 대응하는 패턴을 형성한다. 다음으로, 경화된 임프린트재로부터 형을 떼어냄으로써, 기판 상에, 임프린트재의 패턴이 남는다.There has been a growing demand for miniaturization of semiconductor devices, MEMS, and the like. In addition to the conventional photolithography technology, a microfabrication technique for forming an imprint material pattern on a substrate by molding an imprint material into a mold It is collecting. This technique is referred to as an imprint technique. According to the imprint technique, a minute structure of several nanometers order can be formed on a substrate. For example, as one of the imprint techniques, there is a photocuring method. In the imprint apparatus employing this light curing method, first, the imprint material is applied to the imprint area on the substrate. Next, the mold is pressed against the imprint material to fill the concave portion of the pattern region of the mold with the imprint material. Next, the imprint material is irradiated with ultraviolet rays to cure the imprint material, thereby forming a pattern corresponding to the concave portion. Next, by removing the mold from the cured imprint material, a pattern of the imprint material remains on the substrate.

임프린트 장치에서는, 기판 상의 임프린트재에 형을 밀어붙여 패턴을 형성하기 때문에, 축소 투영형 노광 장치에 비하여 패턴 결함이 발생하기 쉬우며, 이 결함의 저감이 과제로 되어 있다. 결함의 발생 요인 중, 외부로부터의 이물(파티클)을 형과 기판 사이에 끼워 넣은 상태로 형이 임프린트재에 밀어붙여짐으로써 발생하는 결함이 특히 문제로 되어 있다. 이물이 형의 패턴 영역에 부착되어 버리면, 그 이후에 기판 상에 형성되는 패턴에는, 동일한 위치에 결함이 발생한다. 또한, 이물이 형의 재질보다 단단한 경우, 형을 파손시킬 가능성이 있다. 임프린트 프로세스에서는, 형의 제조 비용이 비교적 높기 때문에, 형의 파손은 제품의 비용 상승의 큰 요인으로 된다.In the imprint apparatus, a pattern is formed by pushing a mold against an imprint material on a substrate. Therefore, pattern defects are likely to occur as compared with a reduction projection type exposure apparatus, and reduction of the defects is a problem. Among the causes of the defect, defects that are generated by the foreign substances (particles) being pushed against the imprint material while sandwiched between the mold and the substrate are particularly problematic. If the foreign object is adhered to the pattern area of the mold, defects are generated in the same position in the pattern formed thereafter. In addition, if the foreign object is harder than the material of the mold, there is a possibility of damaging the mold. In the imprint process, since the manufacturing cost of the mold is relatively high, the breakage of the mold becomes a large factor of cost increase of the product.

그래서, 종래의 임프린트 장치에서는, 임프린트 영역을 가스 배리어로 둘러쌈으로써, 외부로부터의 이물이 형과 기판 사이에 들어가기 어렵게 하는 기술이 채용되고 있다(특허문헌 1).Thus, in the conventional imprint apparatus, a technique of making the imprint region surrounded by the gas barrier makes it difficult for the impurity from the outside to enter between the mold and the substrate is adopted (Patent Document 1).

일본 특허 공개 제2014-56854호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-56854

기판과 형 사이의 공간으로의 이물의 침입이 효과적으로 방지되도록 가스 배리어를 형성하기 위해서는, 기판과 형 사이의 공간의 용적을 작게 하여, 가스 배리어를 구성하는 가스의 유속을 높게 유지하는 것이 바람직하다. 그러나, 형의 주위에는, 메인터넌스를 행하기 위한 공간 등을 형성할 필요가 있으며, 기판 또는 기판 스테이지가 이동할 수 있는 영역의 일부분 상에는, 넓은 공간이 존재할 수 있다. 이러한 넓은 공간에서는, 가스 배리어를 구성하는 가스의 유속이 저하되어, 가스 배리어의 효과가 저감되어 버린다.In order to form the gas barrier so as to effectively prevent the foreign matter from entering the space between the substrate and the mold, it is preferable that the volume of the space between the substrate and the mold is made small and the flow rate of the gas constituting the gas barrier is kept high. However, it is necessary to form a space or the like for maintenance on the periphery of the mold, and on the part of the area where the substrate or the substrate stage can move, a large space may exist. In such a large space, the flow velocity of the gas constituting the gas barrier is lowered, and the effect of the gas barrier is reduced.

본 발명은, 상기 과제 인식을 계기로 하여 이루어진 것이며, 예를 들어 기판과 형 사이의 공간으로의 이물의 침입을 방지하는 데 유리한 임프린트 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an imprint apparatus which is advantageous for preventing intrusion of foreign objects into a space between a substrate and a mold.

본 발명의 일 측면은, 형을 사용하여 기판 상의 임프린트재를 성형하는 임프린트 장치에 관한 것이며, 상기 임프린트 장치는, 상기 기판을 보유 지지하고 이동하는 기판 스테이지와, 상기 형을 보유 지지하는 형 보유 지지부와, 상기 형 보유 지지부의 주변에 배치된 주변 부재를 구비하고, 상기 주변 부재의 측면에, 상기 기판 스테이지가 면할 수 있는 공간에 가스를 분출하는 분출부가 설치되어 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided an imprint apparatus for forming an imprint material on a substrate using a mold, the imprint apparatus comprising: a substrate stage for holding and moving the substrate; And a peripheral member disposed in the periphery of the mold holding portion, and a spout portion for spraying gas into a space in which the substrate stage can face is provided on a side surface of the peripheral member.

본 발명에 의하면, 예를 들어 기판과 형 사이의 공간으로의 이물의 침입을 방지하는 데 유리한 임프린트 장치를 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide an imprint apparatus which is advantageous for preventing intrusion of foreign matter into, for example, a space between a substrate and a mold.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태의 임프린트 장치를 도시하는 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태의 임프린트 장치에 있어서의 분출부의 제1 구성예를 도시하는 도면.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태의 임프린트 장치에 있어서의 분출부의 제2 구성예를 도시하는 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태의 임프린트 장치에 있어서의 분출부의 제3 구성예를 도시하는 도면.
도 5는 본 발명의 일 실시 형태의 임프린트 장치에 있어서의 분출부의 동작예를 도시하는 도면.
도 6은 물품 제조 방법을 예시하는 도면.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a view showing an imprint apparatus according to an embodiment of the present invention. Fig.
2 is a view showing a first configuration example of an ejection section in an imprint apparatus according to an embodiment of the present invention;
3 is a view showing a second configuration example of an ejection section in an imprint apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a view showing a third configuration example of the ejection portion in the imprint apparatus according to the embodiment of the present invention.
5 is a view showing an example of the operation of the ejection unit in the imprint apparatus according to the embodiment of the present invention.
6 is a view illustrating an article manufacturing method;

이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명을 그 예시적인 실시 형태를 통하여 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1에는, 본 발명의 일 실시 형태의 임프린트 장치(1)의 구성이 도시되어 있다. 임프린트 장치(1)는, 형(4)을 사용하여 기판(2) 상에서 임프린트재(8)를 성형하여, 기판(2) 상에 임프린트재(8)의 패턴을 형성한다. 보다 구체적으로는, 임프린트 장치(1)는, 기판(2) 상에 배치된 임프린트재(8)와 형(4)을 접촉시키고, 임프린트재(8)에 경화용 에너지를 부여함으로써, 형(4)의 요철 패턴이 전사된 임프린트재의 경화물 패턴을 형성한다. 본 명세서 및 첨부 도면에서는, 기판(2)의 표면에 평행인 방향을 XY 평면으로 하는 XYZ 좌표계에 있어서 방향을 나타낸다. XYZ 좌표계에 있어서의 X축, Y축, Z축에 각각 평행인 방향을 X 방향, Y 방향, Z 방향으로 하고, X축 둘레의 회전, Y축 둘레의 회전, Z축 둘레의 회전을 각각 θX, θY, θZ라 한다. X축, Y축, Z축에 관한 제어 또는 구동은, 각각 X축에 평행인 방향, Y축에 평행인 방향, Z축에 평행인 방향에 관한 제어 또는 구동을 의미한다. 또한, θX축, θY축, θZ축에 관한 제어 또는 구동은, 각각 X축에 평행인 축의 둘레의 회전, Y축에 평행인 축의 둘레의 회전, Z축에 평행인 축의 둘레의 회전에 관한 제어 또는 구동을 의미한다. 또한, 위치는, X축, Y축, Z축의 좌표에 기초하여 특정될 수 있는 정보이고, 자세는, θX축, θY축, θZ축의 값으로 특정될 수 있는 정보이다. 위치 결정은, 위치 및/또는 자세를 제어하는 것을 의미한다.Fig. 1 shows a configuration of an imprint apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. The imprint apparatus 1 forms the imprint material 8 on the substrate 2 by using the mold 4 to form a pattern of the imprint material 8 on the substrate 2. [ More specifically, the imprint apparatus 1 contacts the mold 4 with the imprint material 8 disposed on the substrate 2, and imparts curing energy to the imprint material 8, Of the imprint pattern of the imprint material is transferred. In the present specification and the accompanying drawings, a direction is shown in an XYZ coordinate system in which the direction parallel to the surface of the substrate 2 is an XY plane. The directions around the X axis, the rotation around the Y axis, and the rotation about the Z axis are set to be θX, Yaxis, and Zaxis directions parallel to the X axis, Yaxis, and Zaxis in the XYZ coordinate system, ,? Y,? Z. Control or drive with respect to the X-axis, Y-axis, and Z-axis means control or driving in the directions parallel to the X-axis, parallel to the Y-axis, and directions parallel to the Z-axis, respectively. The control or drive relating to the [theta] X axis, the [theta] Y axis, and the [theta] Z axis is controlled by the rotation about the axis parallel to the X axis, the rotation about the axis parallel to the Y axis, and the rotation about the axis parallel to the Z axis Or driving. The position is information that can be specified based on the coordinates of the X axis, the Y axis, and the Z axis, and the attitude is information that can be specified by the values of the? X axis,? Y axis, and? Z axis. Positioning means controlling position and / or posture.

임프린트재로서는, 경화용 에너지가 부여됨으로써 경화되는 경화성 조성물(미경화 상태의 수지라 칭하는 경우도 있음)이 사용된다. 경화용 에너지로서는, 전자파, 열 등이 사용될 수 있다. 전자파는, 예를 들어 그 파장이 10㎚ 이상 1㎜ 이하의 범위로부터 선택되는 광, 예를 들어 적외선, 가시광선, 자외선 등일 수 있다. 경화성 조성물은, 광의 조사에 의하여, 또는 가열에 의하여 경화되는 조성물일 수 있다. 이들 중, 광에 의하여 경화되는 광경화성 조성물은, 적어도 중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 더 함유해도 된다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소 공여체, 내첨형 이형제, 계면 활성제, 산화 방지제, 중합체 성분 등의 군에서 선택되는 적어도 1종이다. 임프린트재는, 공급부(7)에 의하여, 액적상, 또는 복수의 액적이 이어져 생긴 섬상 또는 막상으로 되어 기판 상에 배치될 수 있다. 임프린트재의 점도(25℃에서의 점도)는, 예를 들어 1m㎩·s 이상 100m㎩·s 이하일 수 있다. 기판의 재료로서는, 예를 들어 유리, 세라믹스, 금속, 반도체, 수지 등이 사용될 수 있다. 필요에 따라, 기판의 표면에, 기판과는 다른 재료를 포함하는 부재가 설치되어도 된다. 기판은, 예를 들어 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 석영 유리이다.As the imprint material, a curable composition that is cured by imparting curing energy (sometimes referred to as a resin in an uncured state) is used. As the curing energy, electromagnetic wave, heat, or the like can be used. The electromagnetic wave may be, for example, light whose wavelength is selected from the range of 10 nm or more and 1 mm or less, for example, infrared light, visible light, ultraviolet light, or the like. The curable composition may be a composition which is cured by irradiation of light or by heating. Among them, the photo-curable composition to be cured by light contains at least a polymerizable compound and a photopolymerization initiator, and may further contain a non-polymerizable compound or a solvent as required. The non-polymer compound is at least one member selected from the group consisting of a sensitizer, a hydrogen donor, an internal release agent, a surfactant, an antioxidant, and a polymer component. The imprint material can be placed on the substrate in the form of a droplet or a plurality of droplets in the shape of a lead or a film formed by the supply unit 7. The viscosity (viscosity at 25 캜) of the imprint material can be, for example, 1 mPa s s or more and 100 mPa s or less. As a material of the substrate, for example, glass, ceramics, metal, semiconductor, resin and the like can be used. If necessary, a member including a material different from the substrate may be provided on the surface of the substrate. The substrate is, for example, a silicon wafer, a compound semiconductor wafer, or quartz glass.

임프린트 장치(1)는, 형 보유 지지부(6), 형 구동 기구(24), 형 변형 기구(19), 기판 스테이지(3), 기판 구동 기구(23), 공급부(7) 및 경화부(20)를 구비할 수 있다. 형 보유 지지부(6)는, 형(4)을 보유 지지한다. 형 보유 지지부(6)는, 예를 들어 형(4)의 상면을 척하는 척부를 갖는 제1 부분(61)과, 형(4)의 측면에 대향하는 제2 부분(62)을 포함할 수 있다. 형 구동 기구(24)는, 형(4)을 복수의 축(예를 들어, X축, Y축, Z축, θX축, θY축, θZ축의 6축)에 대하여 구동하도록 구성될 수 있다. 형 변형 기구(19)는, 형(4)의 측면에 힘을 가함으로써 형(4)을 변형시키고, 이것에 의하여, 패턴 영역(41)의 형상을 변형시킨다. 기판 스테이지(3)는, 기판(2)을 보유 지지하는 척을 가지며, 기판(2)을 보유 지지하고 이동한다. 기판 구동 기구(23)는, 기판(2)을 복수의 축(예를 들어, X축, Y축, θZ축의 3축)에 대하여 이동시키도록 기판 스테이지(3)를 이동시킨다. 형 구동 기구(24) 및 기판 구동 기구(23)는, 형(4)과 기판(2)을 복수의 축에 대하여 상대적으로 이동시키는 상대 이동 기구를 구성한다. 상대 이동 기구에 의한 형(4)과 기판(2)의 상대적인 이동은, 기판(2) 상의 임프린트재(8)와 형(4)을 접촉시키기 위한 이동, 및 경화된 임프린트재(8)와 형(4)을 분리시키기 위한 이동을 포함할 수 있다. 또한, 상대 이동 기구에 의한 형(4)과 기판(2)의 상대적인 이동은, 형(4)과 기판(2)의 상대적인 위치 정렬을 위한 이동을 포함할 수 있다.The imprint apparatus 1 includes a mold holding portion 6, a mold driving mechanism 24, a mold deforming mechanism 19, a substrate stage 3, a substrate driving mechanism 23, a supplying portion 7, and a hardening portion 20 ). Type retaining portion 6 retains the die 4. The mold retaining portion 6 may include a first portion 61 having a chuck portion for chucking the upper surface of the mold 4 and a second portion 62 facing the side surface of the mold 4 have. Type drive mechanism 24 can be configured to drive the mold 4 to a plurality of axes (for example, six axes of X axis, Y axis, Z axis,? X axis,? Y axis, and? Z axis). The mold-deforming mechanism 19 deforms the mold 4 by applying a force to the side surface of the mold 4, thereby deforming the shape of the pattern region 41. [ The substrate stage 3 has a chuck for holding a substrate 2, and holds and moves the substrate 2. [ The substrate driving mechanism 23 moves the substrate stage 3 to move the substrate 2 relative to a plurality of axes (for example, three axes of the X axis, Y axis, and? Z axis). Type driving mechanism 24 and the substrate driving mechanism 23 constitute a relative moving mechanism for moving the mold 4 and the substrate 2 relative to a plurality of axes. The relative movement of the mold 4 and the substrate 2 by the relative movement mechanism causes movement for bringing the imprint material 8 and mold 4 on the substrate 2 into contact with each other and movement of the cured imprint material 8, (4). ≪ / RTI > The relative movement of the mold 4 and the substrate 2 by the relative movement mechanism may also include movement for relative positioning of the mold 4 and the substrate 2. [

공급부(7)는, 기판(2) 상에 임프린트재(8)를 공급 또는 배치한다. 경화부(20)는, 기판(2) 상에 공급 또는 배치된 임프린트재(8)를 경화시키는 에너지(예를 들어, 자외광 등의 광)(21)를 임프린트재(8)에 부여함으로써 임프린트재(8)를 경화시킨다. 공급부(7)에 의하여 기판(2) 상에 임프린트재(8)가 공급되고, 형(4)과 기판(2)의 임프린트 영역이 위치 정렬된 후에, 형 구동 기구(24)에 의하여 형 보유 지지부(6)가 -Z 방향으로 구동될 수 있다. 이것에 의하여, 기판(2) 상의 임프린트재(8)에 형(4)의 패턴 영역(41)이 접촉한다. 그 후, 패턴 영역(41)의 패턴을 구성하는 오목부에 임프린트재(8)가 충전되는 것을 대기하여, 경화부(20)에 의하여 임프린트재(8)에 경화용 에너지가 부여되고, 이것에 의하여 임프린트재(8)가 경화된다. 임프린트 장치(1)는, 패턴 영역(41)의 패턴을 구성하는 오목부에 대한 임프린트재(8)의 충전을 촉진하기 위한 제1 가스(예를 들어, 헬륨)(17)를 기판(2)과 형(4) 사이의 처리 공간 SP에 공급하는 제1 가스 공급부(16)를 구비하고 있다. 제1 가스 공급부(16)에는, 제1 가스 공급원(18)에 의하여 제1 가스가 공급될 수 있다. 제1 가스 공급부(16)의 가스 공급구는, 예를 들어 형 보유 지지부(6)에 배치될 수 있다. 제1 가스 공급부(16)의 가스 공급구는, 형(4)을 둘러싸도록 배치될 수 있다.The supply section 7 supplies or arranges the imprint material 8 on the substrate 2. [ The hardening unit 20 applies an energy (for example, light such as ultraviolet light) 21 to the imprint material 8 to harden the imprint material 8 supplied or disposed on the substrate 2, The ash (8) is cured. The imprint material 8 is supplied onto the substrate 2 by the supply part 7 and the imprint areas of the mold 4 and the substrate 2 are aligned with each other, (6) can be driven in the -Z direction. Thereby, the pattern area 41 of the die 4 comes into contact with the imprint material 8 on the substrate 2. Thereafter, the imprint material 8 is filled in the depression constituting the pattern of the pattern area 41, and the hardening energy is given to the imprint material 8 by the hardening unit 20, Whereby the imprint material 8 is cured. The imprint apparatus 1 is provided with a first gas (for example, helium) 17 for promoting the filling of the imprint material 8 with respect to the concave portion constituting the pattern of the pattern region 41, And a first gas supply unit 16 for supplying the gas to the processing space SP between the mold and the mold. The first gas supply unit 16 may be supplied with the first gas by the first gas supply source 18. The gas supply port of the first gas supply part 16 may be disposed, for example, in the mold-holding part 6. [ The gas supply port of the first gas supply part 16 may be arranged so as to surround the mold 4.

기판(2) 상의 임프린트재(8)에 형(4)의 패턴 영역(41)이 접촉할 때, 파티클 등의 이물이 기판(2)의 임프린트 영역과 형(4)의 패턴 영역(41) 사이에 존재하면, 패턴 영역(41)이 파손될 가능성이 있다. 임프린트 장치(1)는, 반도체 디바이스 등의 물품을 제조하기 위한 청정한 환경 내에 놓이지만, 이물의 발생을 완전히 없애는 것은 매우 곤란하다. 이물은, 임프린트 장치(1)를 구성하는 부품으로부터 발생하는 경우도 있고, 임프린트 장치(1)의 외부에서 반입되는 경우도 있다. 패턴 영역(41)에 형성되어 있는 패턴의 치수나 깊이에 따라 상이하지만, 패턴의 하프 피치 치수 이상의 크기의 이물이 있으면, 패턴의 결함이 발생할 가능성이 높다.A foreign matter such as a particle is transferred between the imprint area of the substrate 2 and the pattern area 41 of the mold 4 when the pattern area 41 of the mold 4 contacts the imprint material 8 on the substrate 2 The pattern region 41 may be damaged. Although the imprint apparatus 1 is placed in a clean environment for manufacturing an article such as a semiconductor device, it is very difficult to completely eliminate the generation of foreign matter. The foreign object may be generated from the components constituting the imprint apparatus 1 or may be carried in from the outside of the imprint apparatus 1. There is a possibility that a defect of the pattern occurs if there is foreign matter having a size larger than the half pitch dimension of the pattern although it depends on the dimension and depth of the pattern formed in the pattern region 41. [

그래서, 형 보유 지지부(6)의 주변에 주변 부재(9)가 배치되고, 기판(2) 상방의 공간의 용적이 주변 부재(9)에 의하여 제한될 수 있다. 주변 부재(9)는, 전형적으로는, 형 보유 지지부(6) 및 형 변형 기구(19)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 또한, 주변 부재(9)는, 주변 부재(9)의 제1 측면(91)과 형(4)이 배치되는 영역 사이에 형 보유 지지부(6)의 제2 부분(62)이 배치되도록 구성될 수 있다. 임프린트 장치(1)는, 처리 공간 SP를 둘러싸는 주변 공간 SS(주변 부재(9)와 기판 스테이지(3) 사이의 공간)에, 가스 배리어를 형성하기 위한 제2 가스(예를 들어, 클린 드라이 에어)(11)를 공급하는 제2 가스 공급부(10)를 구비할 수 있다. 제2 가스 공급부(10)에는, 제2 가스 공급원(12)에 의하여 제2 가스가 공급될 수 있다. 제2 가스 공급부(10)의 가스 공급구는, 예를 들어 형 보유 지지부(6) 및/또는 주변 부재(9)에 배치될 수 있다. 도 1에 도시된 예에서는, 제2 가스 공급부(10)의 가스 공급구는, 예를 들어 형 보유 지지부(6) 및 주변 부재(9)의 양쪽에 배치되어 있다. 제2 가스 공급부(10)의 가스 공급구는, 다른 부재에 배치되어도 된다. 제2 가스 공급부(10)의 가스 공급구는, 처리 공간 SP를 둘러싸도록 배치될 수 있다.Thus, the peripheral member 9 is disposed in the periphery of the mold retaining portion 6, and the volume of the space above the substrate 2 can be limited by the peripheral member 9. The peripheral member 9 may typically be arranged to surround the mold retaining portion 6 and the mold-deforming mechanism 19. The peripheral member 9 is also configured such that the second portion 62 of the die retainer 6 is disposed between the first side 91 of the peripheral member 9 and the region where the die 4 is disposed . The imprint apparatus 1 is provided with a second gas for forming a gas barrier (for example, a clean dry film) for forming a gas barrier in a peripheral space SS (a space between the peripheral member 9 and the substrate stage 3) And a second gas supply unit 10 for supplying air (air) 11. The second gas supply unit 10 may be supplied with the second gas by the second gas supply source 12. The gas supply port of the second gas supply part 10 can be arranged, for example, in the mold holding part 6 and / or the peripheral member 9. In the example shown in Fig. 1, the gas supply port of the second gas supply part 10 is disposed on both sides of the mold holding part 6 and the peripheral member 9, for example. The gas supply port of the second gas supply unit 10 may be disposed in another member. The gas supply port of the second gas supply part 10 may be arranged so as to surround the processing space SP.

처리 공간 SP에 대한 이물의 침입을 방지하는 관점에서는, 주변 부재(9)는, 기판 스테이지(3)가 이동 가능한 범위의 전체 영역에 있어서, 주변 부재(9)가 기판 스테이지(3)에 대향할 수 있도록 배치되어야 한다. 기판 스테이지(3)가 이동 가능한 범위는, 기판 반송 기구가 기판 스테이지(3)로부터 기판(2)을 수취하거나, 기판 스테이지(3)에 기판(2)을 건네거나 하기 위한 수수 영역이나, 기판 스테이지(3)의 메인터넌스를 행하기 위한 메인터넌스 영역을 포함할 수 있다. 이러한 영역에는, 주변 부재(9)를 배치할 수 없으므로, 기판 스테이지(3)가 면할 수 있는 공간 S1이 존재할 수 있다. 일례에 있어서는, 공간 S1은, 기판 스테이지(3)가 이동함으로써 기판 스테이지(3)가 공간 S1에 면하는 상태로 되는 경우와, 공간 S1에 면하지 않는 상태로 되는 경우가 있는 공간이다. 다른 예에 있어서, 공간 S1은, 기판 스테이지(3)가 항상 면하는 공간이다.The peripheral member 9 is arranged in such a manner that the peripheral member 9 is opposed to the substrate stage 3 in the entire region in which the substrate stage 3 is movable from the viewpoint of preventing foreign matter from intruding into the processing space SP . The range in which the substrate stage 3 can be moved is an acceptance area for the substrate transport mechanism to receive the substrate 2 from the substrate stage 3 or to pass the substrate 2 to the substrate stage 3, And a maintenance area for performing maintenance of the battery 3. In this region, since the peripheral member 9 can not be disposed, there may be a space S1 in which the substrate stage 3 can face. In one example, the space S1 is a space in which the substrate stage 3 is brought into a state in which the substrate stage 3 faces the space S1 by the movement of the substrate stage 3, and a case in which the substrate stage 3 is in a state of not facing the space S1. In another example, the space S1 is a space in which the substrate stage 3 always faces.

주변 부재(9)는, 기판 스테이지(3)에 대향하는 부분을 포함하는 하면(90)과, 형 보유 지지부(6)측의 제1 측면(91)과, 제1 측면(91)과는 상이한 제2 측면(92)을 가지며, 제2 측면(92)은, 기판 스테이지(3)가 면할 수 있는 공간 S1에 면한다. 주변 부재(9)의 제1 측면(91)은, 형 보유 지지부(6) 및 형 변형 기구(19)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 달리 말하면, 형 변형 기구(19)는, 형(4)이 배치되는 영역과 주변 부재(9)의 제1 측면(91) 사이에 배치될 수 있다.The peripheral member 9 includes a lower surface 90 including a portion facing the substrate stage 3, a first side surface 91 on the mold retaining portion 6 side, The second side 92 faces the space S1 in which the substrate stage 3 can be faced. The first side face 91 of the peripheral member 9 may be arranged so as to surround the mold retaining portion 6 and the mold deforming mechanism 19. [ In other words, the mold-deforming mechanism 19 can be disposed between the area where the mold 4 is disposed and the first side 91 of the peripheral member 9.

주변 부재(9)의 하면(90)과 기판 스테이지(3)의 상면의 거리는, 0㎜보다 크고, 10㎜ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 해당 거리는, 제조의 용이성의 관점에서는 0.5㎜ 이상인 것이 보다 바람직하고, 가스 배리어의 효과의 관점에서는 2㎜ 이하인 것이 보다 바람직하다. 기판 스테이지(3)는, 기판(2)의 주변을 둘러싸는 기판 주변부(31)를 가질 수 있다. 기판 스테이지(3)의 상면은, 기판 주변부(31)의 상면일 수 있다.The distance between the lower surface 90 of the peripheral member 9 and the upper surface of the substrate stage 3 is preferably larger than 0 mm and not larger than 10 mm. Further, the distance is more preferably 0.5 mm or more from the viewpoint of ease of manufacture, and more preferably 2 mm or less from the viewpoint of the effect of gas barrier. The substrate stage 3 may have a substrate peripheral portion 31 surrounding the periphery of the substrate 2. [ The upper surface of the substrate stage 3 may be the upper surface of the substrate peripheral portion 31. [

공간 S1에 기판 스테이지(3)가 면하는 상황에서는, 기판 스테이지(3) 또는 기판(2) 상에서는, 제2 가스(11)에 의하여 형성되는 가스 배리어에 의한 기판 스테이지(3) 및 기판(2)의 보호 효과가 약해져, 기판 스테이지(3) 및 기판(2) 상에 이물이 부착될 수 있다. 그래서, 본 실시 형태에서는, 청정 가스(예를 들어, 클린 드라이 에어)(14)를 분출하는 분출부(13)가 주변 부재(9)의 제2 측면(92)에 설치되어 있다. 분출부(13)로부터 분출되는 청정 가스에 의하여 공간 S1의 청정도가 향상된다. 이것에 의하여, 공간 S1에 기판 스테이지(3)가 면하는 상황에 있어서 기판 스테이지(3) 및 기판(2) 상에 이물이 부착될 가능성을 저감시킬 수 있다. 이것에 의하여, 기판 스테이지(3) 및 기판(2)의 이동에 의하여 처리 공간 SP에 이물이 침입할 가능성을 저감시킬 수 있다.The substrate stage 3 and the substrate 2 are covered by the gas barrier formed by the second gas 11 in the situation where the substrate stage 3 faces the space S1. The foreign matter can be adhered to the substrate stage 3 and the substrate 2. In this case, Therefore, in the present embodiment, the spraying portion 13 for spraying the clean gas (for example, clean dry air) 14 is provided on the second side surface 92 of the peripheral member 9. The cleanliness of the space S1 is improved by the clean gas ejected from the ejection portion 13. [ This makes it possible to reduce the possibility that foreign matter adheres to the substrate stage 3 and the substrate 2 in a situation where the substrate stage 3 faces the space S1. Thus, it is possible to reduce the possibility that the foreign matter intrudes into the processing space SP due to the movement of the substrate stage 3 and the substrate 2.

도 2에 예시적으로 나타낸 바와 같이, 분출부(13)는, 제2 측면(92)에 형성된 분출구(131)와, 주변 부재(9)의 내부를 통하여 분출구(131)에 접속된 유로(25)를 포함할 수 있다. 분출부(13)에는, 가스 공급원(15)에 의하여 청정한 가스가 공급될 수 있다. 또는 분출부(13)는, 제2 측면(92)에 형성된 분출구(131)를 포함해도 된다. 분출부(13)는, 제2 측면(92)이 면해 있는 공간 S1에 기체를 분출하도록 구성될 수 있다. 도 2에 예시되는 바와 같이, 분출부(13)는, 수평으로 가스를 분출하도록 구성될 수 있다. 또는 도 3에 예시되는 바와 같이, 분출부(13)는, 비스듬히 하방을 향하여 가스를 분출하도록 구성될 수 있다. 또는 도 4에 예시되는 바와 같이, 분출부(13)는, 수평으로 가스를 분출함과 함께 비스듬히 하방을 향하여 가스를 분출하도록 구성될 수 있다. 또한, 도 5에 예시되는 바와 같이, 공간 S1에 면하는 복수의 분출부(13)를 갖는 구성에 있어서, 기판 스테이지(3)의 이동 방향(화살표 A의 우측 방향)을 따른 가스류가 형성되도록, 복수의 분출부(13) 중 선택된 분출부(13)로부터 가스를 분출해도 된다. 분출부(13)로부터 공간 S1에 공급되는 청정한 가스는, 공간 S1의 청정도를 향상시키기 위해, 끊임없이 분출되고 있는 것이 바람직하다. 그러나, 적어도 기판(2)이 공간 S1 아래에 배치되어 있을 때, 분출부(13)로부터 청정한 가스를 공급받고 있으면 된다.2, the jetting section 13 includes an jetting port 131 formed in the second side surface 92 and a flow passage 25 connected to the jetting port 131 through the inside of the peripheral member 9 ). A clean gas can be supplied to the spray portion 13 by the gas supply source 15. Or the jetting portion 13 may include an jetting port 131 formed in the second side surface 92. [ The jetting portion 13 may be configured to jet the gas into the space S1 where the second side surface 92 faces. As illustrated in FIG. 2, the jetting portion 13 may be configured to jet the gas horizontally. Alternatively, as illustrated in Fig. 3, the jetting section 13 may be configured to jet the gas downward at an angle. Alternatively, as illustrated in Fig. 4, the jetting section 13 may be configured to eject the gas horizontally while jetting the gas obliquely downward. 5, a gas flow along the moving direction of the substrate stage 3 (rightward direction of the arrow A) is formed so as to have a plurality of spouts 13 facing the space S1 , The gas may be ejected from the selected ejection portion 13 of the plurality of ejection portions 13. It is preferable that the clean gas supplied from the spouting section 13 to the space S1 is continuously blown out in order to improve the cleanliness of the space S1. However, at least when the substrate 2 is disposed below the space S1, it is only necessary to receive the clean gas from the spouting part 13. [

임프린트 장치를 사용하여 형성한 경화물의 패턴은, 각종 물품의 적어도 일부에 항구적으로, 또는 각종 물품을 제조할 때 일시적으로, 사용된다. 물품이란, 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 또는 형 등이다. 전기 회로 소자로서는, DRAM, SRAM, 플래시 메모리, MRAM과 같은, 휘발성 또는 불휘발성 반도체 메모리나, LSI, CCD, 이미지 센서, FPGA와 같은 반도체 소자 등을 들 수 있다. 형으로서는, 임프린트용 몰드 등을 들 수 있다.The pattern of the cured product formed by using the imprint apparatus is used either permanently on at least a part of various articles or temporarily when manufacturing various articles. An article is an electric circuit element, an optical element, a MEMS, a recording element, a sensor, or a mold. Examples of the electric circuit element include a volatile or nonvolatile semiconductor memory such as a DRAM, an SRAM, a flash memory, and an MRAM, and a semiconductor element such as an LSI, a CCD, an image sensor, and an FPGA. Examples of molds include imprint molds and the like.

경화물의 패턴은, 상기 물품의 적어도 일부의 구성 부재로서, 그대로 사용되거나, 또는 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판의 가공 공정에 있어서 에칭 또는 이온 주입 등이 행해진 후, 레지스트 마스크는 제거된다.The pattern of the cured product is used as it is as a constituent member of at least part of the article, or temporarily used as a resist mask. After etching or ion implantation is performed in the processing step of the substrate, the resist mask is removed.

다음으로, 본 발명의 물품 제조 방법의 구체예를 설명한다. 도 6의 (a)에 도시한 바와 같이, 절연체 등의 피가공재(2z)가 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판(1z)을 준비하고, 계속해서, 잉크젯법 등에 의하여, 피가공재(2z)의 표면에 임프린트재(3z)를 부여한다. 여기서는, 복수의 액적상으로 된 임프린트재(3z)가 기판 상에 부여된 모습을 도시하고 있다.Next, specific examples of the method for producing an article of the present invention will be described. A substrate 1z such as a silicon wafer having a surface to be processed 2z such as an insulator is prepared and then the surface of the material 2z to be processed is processed by an ink jet method or the like, And the imprint material 3z is applied to the surface. Here, a plurality of droplet-shaped imprint materials 3z are provided on the substrate.

도 6의 (b)에 도시한 바와 같이, 임프린트용 형(4z)을, 그 요철 패턴이 형성된 측을 기판 상의 임프린트재(3z)를 향하여, 대향시킨다. 도 6의 (c)에 도시한 바와 같이, 임프린트재(3z)가 부여된 기판(1z)과 형(4z)을 접촉시키고, 압력을 가한다. 임프린트재(3z)는 형(4z)과 피가공재(2z)의 간극에 충전된다. 이 상태에서 경화용 에너지로서 광을 형(4z)을 투과하여 조사하면, 임프린트재(3z)는 경화된다.As shown in Fig. 6 (b), the imprint mold 4z is opposed to the imprint material 3z on the substrate side where the concavo-convex pattern is formed. As shown in Fig. 6 (c), the substrate 1z provided with the imprint material 3z is brought into contact with the mold 4z, and pressure is applied. The imprint material 3z is filled in the gap between the mold 4z and the material to be processed 2z. In this state, the imprint material 3z is cured when light is transmitted through the mold 4z as curing energy.

도 6의 (d)에 도시한 바와 같이, 임프린트재(3z)를 경화시킨 후, 형(4z)과 기판(1z)을 떼어내면, 기판(1z) 상에 임프린트재(3z)의 경화물의 패턴이 형성된다. 이 경화물의 패턴은, 형의 오목부가 경화물의 볼록부에, 형의 오목부가 경화물의 볼록부에 대응한 형상으로 되어 있으며, 즉, 임프린트재(3z)에 형(4z)의 요철 패턴이 전사되게 된다.6 (d), when the mold 4z and the substrate 1z are separated after the imprint material 3z is cured, the pattern of the cured product of the imprint material 3z on the substrate 1z . In this pattern of the cured product, the concave portion of the mold has a shape corresponding to the convex portion of the cured product, and the concave portion of the mold has a shape corresponding to the convex portion of the cured product, that is, the concavo-convex pattern of the mold 4z is transferred to the imprint material 3z do.

도 6의 (e)에 도시한 바와 같이, 경화물의 패턴을 내에칭 마스크로 하여 에칭을 행하면, 피가공재(2z)의 표면 중, 경화물이 없거나 또는 얇게 잔존한 부분이 제거되어, 홈(5z)으로 된다. 도 6의 (f)에 도시한 바와 같이, 경화물의 패턴을 제거하면, 피가공재(2z)의 표면에 홈(5z)이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기서는 경화물의 패턴을 제거했지만, 가공 후에도 제거하지 않고, 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연용 막, 즉, 물품의 구성 부재로서 이용해도 된다.As shown in FIG. 6E, etching is performed using the pattern of the cured product as an inner etching mask to remove portions of the surface of the material to be processed 2z from which no cured product is present or remaining thinly, ). As shown in Fig. 6 (f), when the pattern of the cured product is removed, an article in which the groove 5z is formed on the surface of the material to be processed 2z can be obtained. Although the pattern of the cured product is removed here, it may be used as an interlayer insulating film, that is, a constituent member of an article, for example, contained in a semiconductor element or the like without being removed after processing.

1: 임프린트 장치
2: 기판
3: 기판 스테이지
4: 형
6: 형 보유 지지부
9: 주변 부재
90: 하면
91: 제1 측면
92: 제2 측면
13: 분출부
1: Imprint device
2: substrate
3: substrate stage
4: Type
6:
9: Peripheral member
90: when
91: First aspect
92: second side
13:

Claims (12)

형을 사용하여 기판 상의 임프린트재를 성형하는 임프린트 장치이며,
상기 기판을 보유 지지하고 이동하는 기판 스테이지와,
상기 형을 보유 지지하는 형 보유 지지부와,
상기 형 보유 지지부의 주변에 배치된 주변 부재를 구비하고,
상기 주변 부재의 측면에, 상기 기판 스테이지가 면할 수 있는 공간에 가스를 분출하는 분출부가 설치되어 있는
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
An imprint apparatus for forming an imprint material on a substrate using a mold,
A substrate stage for holding and moving the substrate,
A mold holding portion for holding the mold,
And a peripheral member disposed in the periphery of the die holding member,
And an ejection portion for ejecting gas is provided on a side surface of the peripheral member in a space in which the substrate stage can face
And the imprint apparatus.
제1항에 있어서,
상기 주변 부재는, 상기 기판 스테이지에 대향하는 부분을 포함하는 하면과, 상기 형 보유 지지부측의 제1 측면과, 상기 제1 측면과는 상이한 제2 측면을 갖고,
상기 제2 측면에는, 상기 가스를 분출하는 분출부가 설치되어 있는
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the peripheral member has a lower surface including a portion facing the substrate stage, a first side surface on the mold holding portion side, and a second side surface different from the first side surface,
And an ejection portion for ejecting the gas is provided on the second side surface
And the imprint apparatus.
제1항에 있어서,
상기 형의 측면에 힘을 가함으로써 상기 형을 변형시키는 형 변형 기구를 더 구비하고, 상기 형 변형 기구는, 상기 형이 배치되는 영역과 상기 제1 측면 사이에 배치되어 있는
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
The method according to claim 1,
Further comprising a mold-deforming mechanism for deforming the mold by applying a force to the side surface of the mold, wherein the mold-deforming mechanism is disposed between a region where the mold is disposed and the first side face
And the imprint apparatus.
제2항에 있어서,
상기 형 보유 지지부는, 상기 형의 상면을 척하는 척부를 갖는 제1 부분과, 상기 형의 측면에 대향하는 제2 부분을 포함하고, 상기 주변 부재는, 상기 제1 측면과 상기 형이 배치되는 영역 사이에 상기 제2 부분이 배치되도록 구성되어 있는
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the mold retaining portion includes a first portion having a chuck portion for chucking an upper surface of the mold and a second portion opposed to the side surface of the mold, Wherein the second portion is arranged between the regions
And the imprint apparatus.
제1항에 있어서,
상기 형과 상기 기판 사이의 처리 공간에 제1 가스를 공급하는 제1 가스 공급부와, 상기 처리 공간을 둘러싸는 주변 공간에 제2 가스를 공급하는 제2 공급부를 더 구비하는
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
The method according to claim 1,
A first gas supply unit for supplying a first gas to a process space between the mold and the substrate, and a second supply unit for supplying a second gas to a peripheral space surrounding the process space
And the imprint apparatus.
제1항에 있어서,
상기 주변 부재의 하면과 상기 기판 스테이지의 상면의 거리가 0㎜보다 크고 10㎜ 이하인
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
The method according to claim 1,
The distance between the lower surface of the peripheral member and the upper surface of the substrate stage is larger than 0 mm and smaller than 10 mm
And the imprint apparatus.
제2항에 있어서,
상기 분출부는, 상기 제2 측면에 형성된 분출구와, 상기 주변 부재의 내부를 통하여 상기 분출구에 접속된 유로를 포함하는
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the jetting portion includes an jet port formed on the second side surface and a flow path connected to the jet port through the inside of the peripheral member
And the imprint apparatus.
제2항에 있어서,
상기 분출부는, 상기 제2 측면에 형성된 분출구를 포함하는
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the jetting portion includes an ejection port formed in the second side surface
And the imprint apparatus.
제2항에 있어서,
상기 분출부는, 상기 제2 측면이 면해 있는 상기 공간에 가스를 분출하는
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the jetting portion ejects gas into the space facing the second side
And the imprint apparatus.
제1항에 있어서,
상기 분출부는, 수평으로 가스를 분출하는
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
The method according to claim 1,
The spraying unit is a spraying unit for spraying the gas horizontally
And the imprint apparatus.
제1항에 있어서,
상기 분출부는, 비스듬히 하방을 향하여 가스를 분출하는
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
The method according to claim 1,
The jetting portion is a jetting portion for jetting gas toward the obliquely downward direction
And the imprint apparatus.
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 임프린트 장치에 의하여 기판 상에 패턴을 형성하는 공정과,
상기 패턴이 형성된 상기 기판을 가공하는 공정
을 포함하고, 상기 가공이 행해진 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 것을 특징으로 하는 물품 제조 방법.
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: forming a pattern on a substrate by the imprint apparatus according to any one of claims 1 to 11;
A step of processing the substrate on which the pattern is formed
Wherein the article is manufactured from the substrate on which the processing has been performed.
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