KR20180005852A - 서브 마이크론 입도를 갖는 고순도 알루미나의 정제 방법 - Google Patents
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Abstract
서브 마이크론 입도를 갖는 고순도 알루미나의 정제 방법에 있어서, 고령토를 열처리하여 메타 카올린을 형성하고, 상기 메타 카올린을 염산 용액에 용해시키는 용해 공정을 통하여, 상기 메타 카올린으로부터 상기 메타 카올린에 포함된 금속이 이온으로 해리된 염산 수용액 및 실리카 고형분으로 분리시킨다. 상기 염산 수용액에 염소 이온에 관한 공통 이온 효과를 이용하는 결정화 공정을 통하여, 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)가 석출된 염화알루미늄 수용액을 형성하고, 상기 염화알루미늄 수용액을 필터링하는 필터링 공정을 통하여, 상기 염화알루미늄 수용액으로부터 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)를 분리한다. 상기 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)를 퍼니스에서 열처리하는 하소 공정을 통하여 비정질 산화알루미늄으로 이루어진 다공성 구조체를 형성하고, 상기 다공성 구조체를 분쇄하는 분쇄 공정을 통하여 비정질 산화알루미늄 입자들을 형성한다. 이어서, 상기 비정질 산화알루미늄 입자들을 가열하는 산화 공정을 통하여 알루미나(Al2O3)를 획득한다.
Description
본 발명은 서브 마이크론 입도를 갖는 고순도 알루미나의 정제 방법에 관한 것으로써, 더욱 상세하게는 고령토와 같은 알루미늄 산화물을 함유하는 광물로부터 서브 마이크론 입도를 갖는 고순도 알루미나를 생성하는 고순도 알루미나의 정제 방법에 관한 것이다.
고령토는 알루미늄 산화물(알루미나)의 생산에 이용되는 주요 광물이다. 이러한 공정을 실시하기 위한 여러 가지 방법들이 공지되어 있다. 예를 들면, 바이어 공정(Bayer process)은 가압하의 가성 소다를 이용하여 고령토로부터 알루미늄 수산화물을 추출하는 전통적인 기술이다. 상기 바이어 공정은 15 개 이상의 단계를 포함하고 비용이 많이 소요되는 문제점이 있다.
한편, 다른 방법에 관하여, 대한민국공개특허공보 제1993-0016369호(1993.08.26. 공개)가 선행 문헌으로 개시되어 있다.
상기 선행 문헌에 따르면, 고령토로부터 알루미늄의 성분을 염산 수용액 중으로 녹여낸 후 염산 수용액으로부터 A1C13.6H2O를 결정화시켜 회수한 후 열분해 시키는 과정에서 분위기 가스를 염화 수소로 유지함으로써 나트륨 성분을 염화나트륨의 형태로 변환하여 열분해 후 알루미나에 섞여있는 염화나트륨을 물로 세척하여 나트륨을 제거하는 기술이 개시되고 있다.
하지만, 고순도 알루미나를 획득하는 알루미나의 정제 공정에서, 나트륨을 제거하는 공정이 중요하다. 상기 선행 문헌에서는 결정화 공정에서 나트륨을 효과적으로 제거하지 못하는 문제가 있다. 나아가, 염화나트륨을 물로 제거하는 수세 공정 및 건조 공정이 추가적으로 요구되는 문제가 있다.
본 발명의 목적은 비교적 간단한 공정을 통하여 고령토로부터 서브 마이크론 입도를 갖는 고순도의 알루미나를 생성할 수 있는 서브 마이크론 입도를 갖는 고순도 알루미나의 정제 방법을 제공하는 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따른 서브 마이크론 입도를 갖는 고순도 알루미나의 정제 방법에 있어서, 고령토를 열처리하여 메타 카올린을 형성하고, 상기 메타 카올린을 염산 용액에 용해시키는 용해 공정을 통하여, 상기 메타 카올린으로부터 상기 메타 카올린에 포함된 금속이 이온으로 해리된 염산 수용액 및 실리카 고형분으로 분리시킨다. 상기 염산 수용액에 염소 이온에 관한 공통 이온 효과를 이용하는 결정화 공정을 통하여, 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)가 석출된 염화알루미늄 수용액을 형성하고, 상기 염화알루미늄 수용액을 필터링하는 필터링 공정을 통하여, 상기 염화알루미늄 수용액으로부터 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)를 분리한다. 상기 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)를 퍼니스에서 열처리하는 하소 공정을 통하여 비정질 산화알루미늄으로 이루어진 다공성 구조체를 형성하고, 상기 다공성 구조체를 분쇄하는 분쇄 공정을 통하여 비정질 산화알루미늄 입자들을 형성한다. 이어서, 상기 비정질 산화알루미늄 입자들을 가열하는 산화 공정을 통하여 알루미나(Al2O3)를 획득한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 다공성 구조체를 형성하는 하소 공정은 상기 퍼니스 내부 온도를 250 내지 350°C 로 유지할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 하소 공정에서 발생하는 염소 가스를 회수하는 공정이 추가적으로 수행될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 다공성 구조체를 분쇄하는 분쇄 공정은 볼 밀링 공정 또는 제트 밀링 공정을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 알루미나는 0.3 내지 0.5 ㅅm 범위의 입도를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 결정화 공정을 통하여 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)를 형성하기 위하여, 상기 염산 수용액을 가열하여 과포화 상태로 형성하고, 상기 과포화 상태의 염산 수용액에 염산 용액 또는 염소 가스를 공급하여 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)를 형성한다. 이어서, 상기 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)를 포함하는 염화알루미늄 수용액을 냉각시킨다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 필터링 공정 및 상기 하소 공정 사이에, 상기 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)에 대하여 추가적으로 결정화 공정 및 필터링 공정을 반복하는 반복 공정을 통하여 상기 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)의 순도를 개선킬 수 있다.
이러한 본 발명의 일 실시예에 따른 고순도 알루미나의 정제 방법에 따르면, 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)로부터 6-수화물 및 염소 가스를 제거하는 하소 공정을 통하여 형성된 다공성 구조체를 형성하고 상기 다공성 구조체를 분쇄하는 분쇄 공정을 통하여 비정질 산화알루미늄 입자들을 형성한 후, 상기 비정질 산화알루미늄 입자들을 가열하는 산화 공정을 통하여 알루미나(Al2O3)를 획득한다. 따라서, 분쇄 공정 후 산화 공정이 진행됨에 따라 상기 산화 공정에서의 입자들의 상호 응집이 억제될 수 있다. 이로써, 서브마이크론 입도를 갖는 고순도 알루미나가 획득될 수 있다.
또한, 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)를 산화시킬 경우 6-수화물 및 염소 가스가 반응하여 반응로로 부식시킬 수 있는 반면에, 본원 발명과 같이 하소 공정을 통하여 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)로부터 6-수화물 및 염소 가스를 제거함으로써, 후속하는 산화 공정에서 6-수화물 및 염소 가스 간의 반응이 억제된다.
또한, 다공성 구조체에 대한 분쇄 공정이 수행됨에 따라 분쇄 공정의 공정 시간이 감소될 수 있다.
그리고, 상기 필터링 공정 및 상기 하소 공정 사이에, 상기 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)에 대하여 추가적으로 결정화 공정 및 필터링 공정을 반복하는 반복 공정이 추가적으로 수행될 수 있다. 이로써, 상기 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)의 순도를 개선시킬 수 있다.
한편, 상기 결정화 공정 및 상기 잔류 공정 중에 발생하는 염산 증기는 회수되어 응축됨으로써 재활용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 고순도 알루미나의 정제 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 서브마이크로 입도를 갖는 고순도 알루미나의 정제 방법에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
고순도 알루미나의 정제 방법
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 서브 마이크론 입도를 갖는 고순도 알루미나의 정제 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 서브 마이크론 입도를 갖는 고순도 알루미나의 정제 방법에 있어서, 먼저 고령토를 열처리하여 메타 카올린을 형성한다(S110).
상기 고령토는 실리콘 산화물 및 알루미늄 산화물을 주성분으로 나트륨산화물, 철산화물 등의 부가성분을 포함한다. 예를 들면, 상기 고령토는 분말 형태를 가질 수 있다. 상기 고령토(kaolin; Al2Si2O5(OH)4)는 상대적으로 낮은 반응성을 가진 물질이다. 따라서, 열처리 공정을 통하여 상기 고령토를 메타 카올린으로 상변화 시킴으로써 반응성을 증가시킨다. 상기 열처리 공정은 700 내지 900°C의 온도 범위에서 수행될 수 있다. 상기 열처리 공정은 알루미나 재질로 이루어진 도가니를 이용하여 수행됨으로써 상기 도가니로부터 메타 카올린의 오염을 억제할 수 있다.
이어서, 상기 메타 카올린을 염산 용액에 용해시키는 용해 공정이 수행된다(S120). 이로써, 상기 메타 카올린을 상기 메타 카올린에 포함된 금속이 이온으로 해리된 제1 염산 수용액 및 실리카 고형분으로 분리시킨다.
상기 용해 공정에 이용되는 염산 용액은 18 내지 21 % 의 농도를 가질 수 있다. 상기 농도 범위를 갖는 염산 용액 내에서 상기 메타 카올린이 보다 효과적으로 용해될 수 있다.
이때, 상기 메타 카올린에 포함된 금속 이온은 알루미늄을 주성분으로, 철, 나트륨, 마그네슘, 칼슘, 칼륨을 포함할 수 있다. 한편, 상기 용해 공정에서 실리카 물질은 상기 염산 용액에 대하여 불용성 물질에 해당하므로 실리카 고형분으로 잔류하게 된다. 상기 실리카 고형분은 필터를 이용하는 필터링 공정을 통하여 필터의 상부에 잔류하여 분리되며, 상기 메타 카올린에 포함된 금속이 이온으로 해리된 염산 수용액은 필터를 통과함으로써 분리된다.
이어서, 상기 염산 수용액에 염소 이온에 관한 공통 이온 효과를 이용하는 결정화 공정을 통하여, 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)가 석출된 염화알루미늄 수용액을 형성한다(S130).
즉, 상기 염산 수용액에 염산 용액 또는 염소 가스를 공급함으로써 용액 내의 염소 농도가 증가함으로써, 상기 염소 이온에 관한 공통 이온 효과에 따라 상기 염산 수용액 내에서 염화알루미늄 헥사히드레이트(aluminum chloride hexahydrate; ACH)가 석출된다. 이로써, 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)가 석출된 염화알루미늄 수용액이 형성된다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 염산 용액은 30 내지 40% 범위의 고농도을 가질 수 있다. 이 경우, 석출되는 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)는 상대적으로 작은 결정 크기를 가진다. 이로써 후속하는 공정들을 통하여 형성되는 고순도 알루미나는 0.3 내지 0.5ㅅm의 입도와 같은 서브 마이크론 입도를 확보할 수 있다.
이와 다르게, 상기 염소 가스를 상기 염산 수용액에 공급하여 염소 이온의 농도를 증가시킬 수 있다. 이 경우, 석출되는 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)는 상대적으로 큰 결정 크기를 가진다. 이로써 후속하는 공정들을 통하여 형성되는 고순도 알루미나는 0.3 내지 0.5ㅅm의 입도와 같은 서브 마이크론 입도를 확보할 수 있다.
한편, 상기 제1 염산 수용액에 해리된 금속 이온들 중 알루미늄 이온은 다른 금속 이온들과 비교할 때, 높은 농도를 가지며 나아가 낮은 용해도를 가진다. 따라서, 상기 제1 염산 수용액에 해리된 금속 이온들 중 알루미늄 이온이 염화알루미늄 헥사히드레이트(aluminum chloride hexahydrate; ACH)의 형태로 결정화되어 상기 염산 수용액 내에서 석출된다. 한편, 상기 염산 수용액에 해리된 금속 이온들 중 알루미늄 이온을 제외한 다른 금속 이온들은 상기 염산 수용액에 해리된 상태를 유지한다.
한편, 알루미늄을 제외한 다른 금속들이 염화알루미늄 헥사히드레이트(aluminum chloride hexahydrate; ACH)의 형태로 결정화된 석출물에 포함될 수 있다. 알루미늄을 제외한 다른 금속들에 의하여 염화알루미늄 헥사히드레이트(aluminum chloride hexahydrate; ACH)의 오염을 억제하기 위하여 상기 결정화 공정에 포함된 아래의 세부 공정이 수행될 수 있다.
즉, 상기 염산 수용액을 가열하여 과포화 상태로 형성한다. 이때, 상기 제1 염산 수용액은 80 내지 120°C의 온도로 가열될 수 있다. 이로써, 상기 제1 염산 수용액이 과포화 상태를 가짐에 따라 후속하여 형성되는 석출물의 결정 성장 시간을 감소시킬 수 있다. 결과적으로, 알루미늄을 제외한 다른 금속들이 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)에 흡착되는 흡착 시간이 감소됨으로써 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)의 순도가 개선될 수 있다.
한편, 상기 염산 수용액을 가열함으로써, 염산 증기 및 수증기가 발생하며, 상기 염산 증기는 회수되어 재사용될 수 있다.
이어서, 상기 과포화 상태의 염산 수용액에 염산 용액 또는 염소 가스를 추가적으로 공급하여 염화알루미늄 수용액을 형성한다. 이때, 상기 염산 수용액내의 염산 농도가 증가함으로써, 공통 이온 효과에 따라 상기 염산 수용액 내에서 알루미늄 이온이 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)의 형태로 결정화되어 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)가 석출된다.
이어서, 상기 염화알루미늄 수용액을 냉각시킨다. 이로써, 상기 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)가 석출되는 수율이 개선될 수 있다.
상기 염화알루미늄 수용액을 필터링하는 필터링 공정을 통하여, 상기 염화알루미늄 수용액으로부터 헥사히드레이트(ACH)를 분리시킨다(S140).
보다 상세하게 설명하면, 상기 필터링 공정은 내산성 재질의 필터를 이용한다. 이로써, 상기 필터 상에는 헥사히드레이트(ACH)이 잔류하며, 상기 필터를 투과한 제1 잔류 염산 수용액이 용기 내에서 분리된다.
이어서, 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)를 퍼니스에서 열처리하는 하소 공정을 통하여 비정질 산화알루미늄으로 이루어진 다공성 구조체를 형성한다(S150).
상기 하소 공정에 따르면, 열이 퍼니스를 통하여 상기 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)에 전달되어 상기 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)로부터 6-결정수 및 염소 가스가 제거된다. 이로써, 별도로 염소 가스를 제거하는 공정이 생략될 수 있다. 또한, 상기 염소 가스는 회수되어 재사용될 수 있다.
또한, 상기 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)는 비정질 구조의 산화 알루미늄으로 변환된다. 이로써 비정질 구조의 산화알루미늄 입자로 이루어진 다공성 구조체가 형성된다. 상기 다공성 구조체는 그 내부에 다수의 기공들을 포함하고 있으므로 후속하는 분쇄 공정에서 균일하게 분쇄될 수 있다.
상기 다공성 구조체를 형성하는 하소 공정은 상기 퍼니스 내부 온도를 250 내지 350°C 로 유지할 수 있다.
이어서, 상기 다공성 구조체를 분쇄하는 분쇄 공정을 통하여 비정질 산화알루미늄 입자들을 형성한다(S160). 상기 분쇄 고정은 예를 들면, 볼 밀링 공정 또는 제트 밀링 공정을 포함한다.
이로써, 분쇄 공정을 통하여 미세화된 비정질 산화알루미늄 입자들에 대하여 후속하는 고온 산화 공정에서 응집 현상이 억제됨으로서, 서브 마이크론 입도를 갖는 고순도 알루미나의 정제가 가능하게 된다.
반면에, 고온의 산화 공정 후 분쇄 공정이 수행될 경우, 상기 산화 공정에서 입자들 간의 응집이 보다 용이하게 발생함으로써 고순도 알루미나가 마이크론 단위의 입도를 가진다.
따라서, 본 발명의 실시예들과 같이, 분쇄 공정 후 산화 공정이 수행됨에 따라, 서브 마이크론 입도를 갖는 고순도 알루미나의 정제가 가능하게 된다.
이어서, 비정질 산화알루미늄 입자들을 가열하는 산화 공정을 통하여 고순도의 알루미나(Al2O3)를 획득한다(S170). 상기 산화 공정은 공기 분위기에서 100°C 이상의 온도에서부터 1,200°C로 승온하여 수행된다. 이로써, α- Al2O3을 갖는 알루미나가 획득된다. 이때 알루미나의 입도는 0.3 내지 0.5 ㎛에 해당된다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 필터링 공정 및 상기 하소 공정 사이에, 상기 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)에 대하여 추가적으로 결정화 공정 및 필터링 공정을 반복하는 반복 공정이 추가적으로 수행될 수 있다. 이로써, 상기 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)의 순도를 개선시킬 수 있다.
상기 반복 공정에 따르면, 상기 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)를 탈이온수에 용해시키는 탈이온수 용해 공정을 통하여 염화알루미늄 수용액을 형성한다. 이후, 상기 염화알루미늄 수용액에 염산 용액 또는 염소 가스를 추가적으로 공급하여 공통이온 효과를 이용하는 결정화 공정을 통하여, 상기 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)가 석출되는 염화알루미늄 수용액을 형성한다
이이서, 상기 염화알루미늄 수용액에 대하여 필터링 공정을 수행하여, 상기 염화알루미늄 수용액으로부터 보다 높은 순도의 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)를 분리할 수 있다.
이후, 상기 보다 높은 순도의 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)에 대하여 하소 공정, 분쇄 공정 및 산화 공정을 수행함으로써 보다 높은 순도의 알루미나를 정제할 수 있다. 이로써, 상기 반복 공정의 사이클을 조절함으로써, 원하는 순도를 갖는 알루미나를 제조할 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
이러한 본 발명의 일 실시예에 따른 고순도 알루미나의 정제 방법은 고령토로부터 고순도 알루미나를 회수하는 공정에 적용될 수 있다. 또한, 보크사이트 광석 또는 사장석(anorthosite) 및 하석(nepheline)과 같은 알루미노규산염(aluminosilicate)으로부터 알루미나를 회수하는 공정에도 적용될 수 있다.
Claims (7)
- 고령토를 열처리하여 메타 카올린을 형성하는 단계;
상기 메타 카올린을 염산 용액에 용해시키는 용해 공정을 통하여, 상기 메타 카올린으로부터 상기 메타 카올린에 포함된 금속이 이온으로 해리된 염산 수용액 및 실리카 고형분으로 분리시키는 단계;
상기 염산 수용액에 염소 이온에 관한 공통 이온 효과를 이용하는 결정화 공정을 통하여, 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)가 석출된 염화알루미늄 수용액을 형성하는 단계;
상기 염화알루미늄 수용액을 필터링하는 필터링 공정을 통하여, 상기 염화알루미늄 수용액으로부터 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)를 분리하는 단계;
상기 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)를 퍼니스에서 열처리하는 하소 공정을 통하여 비정질 산화알루미늄으로 이루어진 다공성 구조체를 형성하는 단계;
상기 다공성 구조체를 분쇄하는 분쇄 공정을 통하여 비정질 산화알루미늄 입자들을 형성하는 단계; 및
상기 비정질 산화알루미늄 입자들을 가열하는 산화 공정을 통하여 알루미나(Al2O3)를 획득하는 단계를 포함하는 서브 마이크론 입도를 갖는 고순도 알루미나의 정제 방법. - 제1항에 있어서, 상기 다공성 구조체를 형성하는 하소 공정은 상기 퍼니스 내부 온도를 250 내지 350°C 로 유지하는 것을 특징으로 하는 서브 마이크론 입도를 갖는 고순도 알루미나의 정제 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 하소 공정에서 발생하는 염소 가스를 회수하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 서브 마이크론 입도를 갖는 고순도 알루미나의 정제 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 다공성 구조체를 분쇄하는 분쇄 공정은 볼 밀링 공정 또는 제트 밀링 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 서브 마이크론 입도를 갖는 고순도 알루미나의 정제 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 알루미나는 0.3 내지 0.5 ㅅm 범위의 입도를 갖는 것을 특징으로 하는 서브 마이크론 입도를 갖는 고순도 알루미나의 정제 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 결정화 공정을 통하여 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)를 형성하는 단계는,
상기 염산 수용액을 가열하여 과포화 상태로 형성하는 단계;
상기 과포화 상태의 염산 수용액에 염산 용액 또는 염소 가스를 공급하여 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)를 형성하는 단계; 및
상기 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)를 포함하는 염화알루미늄 수용액을 냉각시키는 단계를 포함하는 고서브 마이크론 입도를 갖는 고순도 알루미나의 정제 방법. - 제1항에 있어서, 상기 필터링 공정 및 상기 하소 공정 사이에
상기 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)에 대하여 추가적으로 결정화 공정 및 필터링 공정을 반복하는 반복 공정을 통하여 상기 염화알루미늄 헥사히드레이트(ACH)의 순도를 개선시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 서브 마이크론 입도를 갖는 고순도 알루미나의 정제 방법.
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