KR20180003297A - 증착공정용 개폐장치 - Google Patents

증착공정용 개폐장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20180003297A
KR20180003297A KR1020160082934A KR20160082934A KR20180003297A KR 20180003297 A KR20180003297 A KR 20180003297A KR 1020160082934 A KR1020160082934 A KR 1020160082934A KR 20160082934 A KR20160082934 A KR 20160082934A KR 20180003297 A KR20180003297 A KR 20180003297A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
inner tube
hole
main body
opening
deposition process
Prior art date
Application number
KR1020160082934A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101891825B1 (ko
Inventor
조재민
Original Assignee
주식회사 조은이엔지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 조은이엔지 filed Critical 주식회사 조은이엔지
Priority to KR1020160082934A priority Critical patent/KR101891825B1/ko
Publication of KR20180003297A publication Critical patent/KR20180003297A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101891825B1 publication Critical patent/KR101891825B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은, 화학 증착공정이 진행되는 공정챔버와 원격 플라즈마 소스가 수납되는 저장챔버 사이에 구비되는 연결유로에 설치되고, 상기 연결유로와 연결되어 통하는 공급홀부 및 상기 연결유로와 이격되는 설치홀부를 구비하는 본체; 상기 설치홀부를 통해 삽입되고 상기 공급홀부에 대향되는 제1유로홀부가 형성되며 세라믹재질을 포함하여 이루어지는 이너튜브; 상기 설치홀부에 설치되고 상기 이너튜브를 회전 가능하게 지지하며 상기 공급홀부에 대향되는 제2유로홀부가 구비되고 세라믹재질을 포함하여 이루어지는 아우터튜브; 상기 설치홀부를 마감하도록 상기 본체에 설치되고 상기 이너튜브를 회전 가능하게 지지되는 측면부; 및 상기 측면부와 상기 이너튜브 사이의 간격을 통해 상기 공정챔버의 진공압 또는 상기 저장챔버로부터 공급되는 가스가 유실되는 것을 방지하는 실링자성부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

증착공정용 개폐장치 {OPENING AND CLOSING APPARATUS FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION}
본 발명은 증착공정용 개폐장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 증착공정 및 세척공정 중에 진공압이 유실되는 것을 방지하고, 증착공정 및 세척공정에 사용되는 유해가스에 의해 실링부재가 부식되는 것을 방지하며, 밸브의 수명을 연장시킬 수 있고, 열팽창에 의한 밸브의 변형 또는 파손을 방지할 수 있는 증착공정용 개폐장치에 관한 것이다.
일반적으로, 전자 소자의 제조에서, 화학적 기상 증착이나 원자층 증착과 같은 공정을 수행하는 기상 증착장치는 증착물질이 증착될 기판 등을 위치시킨 후 소스가스와 반응가스 등을 제공하여 물질층을 기판 상에 형성시킨다.
특히 플라즈마 에너지를 이용하여 물질층을 형성하는 경우, 증착 온도가 낮아져서, 예를 들어, 디스플레이 소자, 태양광 소자, 유기발광 소자 등과 같은, 전자 소자의 다른 구성요소들에 열적 손상을 완화할 수 있는 유리한 효과를 기대할 수 있다.
통상적으로 플라즈마는 두 개의 전극 사이에서 발생하는데, 플라즈마에 의하여 전극의 온도가 상승하게 되며 이러한 고온의 전극은 공정가스와 반응하여 산화되는 현상이 발생할 수 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 플라즈마가 발생되는 영역과 전극을 분리하는 기상 증착장치 및 플라즈마 소스가 개발되었으며, 종래기술에 따른 증착장치는, 내부에 중공이 형성된 제1전극과, 중공 내에 제1전극과 이격되어 배치되는 제2전극과, 제2전극을 둘러싸며 제1전극과 이격되는, 유전체 튜브를 포함한다.
제1전극 및 제2전극의 작동에 의해 발생되는 플라즈마 소스는, 공급관을 따라 공정챔버에 공급되고, 공급관에는 공정챔버를 개폐하는 밸브가 설치되며, 밸브에는 공정챔버에 제공되는 진공압이 유실되거나 세척공정에 사용되는 유해가스가 유실되는 것을 방지하도록 실링부재가 설치된다.
본 발명의 배경기술은 대한민국 공개특허공보 제10-2014-0003232호(2014년 01월 09일 공개, 발명의 명칭 : 기상 증착장치 및 플라즈마 소스)에 개시되어 있다.
종래기술에 따른 증착장치는, 공급관에 설치되는 밸브에 탄성재질을 포함하는 실링부재가 설치되기 때문에 실링부재의 부식에 의해 공정챔버에 제공되는 진공압이 유실될 수 있는 문제점이 있고, 실링부재로부터 발생되는 이물질 미립자가 공정챔버 내부에 확산되어 증착공정의 신뢰도가 낮아질 수 있는 문제점이 있으며, 밸브의 수명이 단축되어 증착장치의 유지비용을 절감할 수 없는 문제점이 있다.
따라서 이를 개선할 필요성이 요청된다.
본 발명은 증착공정 및 세척공정 중에 진공압이 유실되는 것을 방지하고, 증착공정 및 세척공정에 사용되는 유해가스에 의해 실링부재가 부식되는 것을 방지하며, 밸브의 수명을 연장시킬 수 있고, 열팽창에 의한 밸브의 변형 또는 파손을 방지할 수 있는 증착공정용 개폐장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은, 화학 증착공정이 진행되는 공정챔버와 원격 플라즈마 소스가 수납되는 저장챔버 사이에 구비되는 연결유로에 설치되고, 상기 연결유로와 연결되어 통하는 공급홀부 및 상기 연결유로와 이격되는 설치홀부를 구비하는 본체; 상기 설치홀부를 통해 삽입되고 상기 공급홀부에 대향되는 제1유로홀부가 형성되며 세라믹재질을 포함하여 이루어지는 이너튜브; 상기 설치홀부에 설치되고 상기 이너튜브를 회전 가능하게 지지하며 상기 공급홀부에 대향되는 제2유로홀부가 구비되고 세라믹재질을 포함하여 이루어지는 아우터튜브; 상기 설치홀부를 마감하도록 상기 본체에 설치되고 상기 이너튜브를 회전 가능하게 지지되는 측면부; 및 상기 측면부와 상기 이너튜브 사이의 간격을 통해 상기 공정챔버의 진공압 또는 상기 저장챔버로부터 공급되는 가스가 유실되는 것을 방지하는 실링자성부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 상기 본체에는 냉각수가 유입되어 순환되고 배출되는 냉각유로가 형성되고, 상기 본체에는 상기 냉각유로의 입구 및 출구를 이루는 냉각홀부가 형성되며, 상기 냉각홀부에는 냉각수관이 연결되는 연결부재가 설치되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 상기 이너튜브는, 상기 아우터튜브에 결합되고 상기 제1유로홀부가 형성되는 몸체부; 및 상기 본체로부터 연장되고 상기 측면부에 회전 가능하게 지지되는 회전축부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 상기 측면부는, 상기 설치홀부를 감싸도록 상기 본체에 설치되고 상기 아우터튜브를 상기 본체에 고정시키는 설치플레이트; 상기 설치플레이트의 장착홀부에 삽입되고 상기 회전축부를 지지하는 지지파이프와, 상기 지지파이프로부터 연장되고 상기 설치플레이트에 고정되는 연결플레이트를 포함하는 지지플레이트; 및 상기 지지플레이트에 설치되고 상기 설치홀부를 마감하는 마개플레이트를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 상기 회전축부와 상기 아우터튜브 사이에는 세라믹재질을 포함하여 이루어지는 제1베어링이 설치되고, 상기 회전축부와 상기 지지파이프 사이에는 세라믹재질을 포함하여 이루어지는 제2베어링이 설치되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 상기 실링자성부는, 상기 측면부에 구비되는 복수 개의 실링홈부; 및 상기 실링홈부에 삽입되고 자기력을 제공하는 자성체를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 증착공정용 개폐장치는, 세라믹재질을 포함하는 아우터튜브의 내부에 세라믹재질을 포함하여 이루어지는 이너튜브가 회전 가능하게 설치되어 제1유로홀부 및 제2유로홀부가 연결 또는 이격되면서 증착공정 및 세척공정에서 요구되는 가스를 공급하고, 이너튜브와 지지플레이트 사이에 자기력을 제공하는 실링자성부가 구비되므로 탄성재질을 포함하는 실링부재 없이 기계적 실링을 구현할 수 있어 증착공정 및 세척공정 중에 진공압 또는 작동가스가 유실되는 것을 효과적으로 방지할 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 증착공정용 개폐장치는, 실링자성부가 구비되므로 부식성 가스에 의해 실링부재가 부식되는 것을 방지할 수 있어 실링부재로부터 부식작용에 의해 발생되는 이물질 미립자가 공정챔버에 확산되는 것을 방지할 수 있고, 증착공정에 대한 신뢰도를 향상시킬 수 있으며, 밸브의 수명을 연장시킬 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 증착공정용 개폐장치는, 에어모터에 의해 회전되는 이너튜브가 세라믹재질을 포함하는 제1베어링 및 제2베어링에 의해 회전 가능하게 지지되므로 이너튜브가 장기간 동안 회전운동되어도 제1베어링 및 제2베어링이 마모되는 것을 방지할 수 있어 밸브의 수명을 보다 효과적으로 연장시킬 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 증착공정용 개폐장치는, 이너튜브를 회전 가능하게 지지하는 지지플레이트에 실링자성부가 구비되므로 실링부재와 이너튜브를 조립하는 작업 없이 이너튜브를 지지플레이트에 삽입하여 실링자성부의 조립을 행할 수 있어 밸브 조립에 소요되는 시간 및 비용을 절감할 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 증착공정용 개폐장치는, 아우터튜브 및 이너튜브가 수납되는 본체에 냉각수가 순환되는 냉각유로가 구비되고, 본체를 통과한 냉각수가 배출되어 설정온도 이하의 냉각수가 연속적으로 순환되면서 본체가 필요 이상으로 가열되는 것을 방지할 수 있어 본체, 아우터튜브 및 이너튜브의 열팽창을 방지할 수 있어 부품들 사이의 간격으로 진공압 또는 작동가스가 유실되는 것을 효과적으로 방지할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착공정용 개폐장치가 설치된 증착장치가 도시된 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착공정용 개폐장치가 도시된 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착공정용 개폐장치가 도시된 분해 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착공정용 개폐장치가 도시된 단면도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 증착공정용 개폐장치의 일 실시예를 설명한다.
이러한 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다.
또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로써, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다.
그러므로 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착공정용 개폐장치가 설치된 증착장치가 도시된 구성도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착공정용 개폐장치가 도시된 사시도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착공정용 개폐장치가 도시된 분해 사시도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착공정용 개폐장치가 도시된 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착공정용 개폐장치는, 화학 증착공정이 진행되는 공정챔버(1)와 원격 플라즈마 소스가 수납되는 저장챔버(2) 사이에 구비되는 연결유로에 설치되고, 연결유로와 연결되어 통하는 공급홀부(14) 및 연결유로와 이격되는 설치홀부(12)를 구비하는 본체(10)와, 설치홀부(12)를 통해 삽입되고 공급홀부(14)에 대향되는 제1유로홀부(72a)가 형성되며 세라믹재질을 포함하여 이루어지는 이너튜브(74)와, 설치홀부(12)에 설치되고 이너튜브(74)를 회전 가능하게 지지하며 공급홀부(14)에 대향되는 제2유로홀부(74c)가 구비되고 세라믹재질을 포함하여 이루어지는 아우터튜브(72)와, 설치홀부(12)를 마감하도록 본체(10)에 설치되고 이너튜브(74)를 회전 가능하게 지지되는 측면부와, 측면부와 이너튜브(74) 사이의 간격을 통해 공정챔버(1)의 진공압 또는 저장챔버(2)로부터 공급되는 가스가 유실되는 것을 방지하는 실링자성부(90)를 포함한다.
화학 증착공정이 진행되는 공정챔버(1)와, 원격 플라즈마 소스가 보관되는 저장챔버(2) 사이에는 연결유로가 설치되고, 연결유로에는 개폐장치가 설치되므로 플라즈마에 의한 반응가스를 분해하여 목적하는 물질의 박막을 기판 상에 퇴적시키는 화학 증착공정이 진행될 때에 개폐장치의 작동에 의해 연결유로를 개폐할 수 있게 된다.
본 실시예는, 연결유로에 설치되는 개폐장치로서, 세라믹재질을 포함하는 이너튜브(74) 및 아우터튜브(72)에 의해 유체를 공급 또는 차단하므로 개폐장치의 구동 중에 발생되는 마찰에 의해 이너튜브(74) 및 아우터튜브(72)가 마모되면서 부품들 사이에 간격이 형성되는 것을 방지하여 진공압 또는 가스의 유실을 효과적으로 방지할 수 있게 된다.
또한, 본 실시예는, 세라믹재질을 포함하여 이루어지는 이너튜브(74) 및 아우터튜브(72)가 실링자성부(90)의 작용에 의해 기계적 실링을 이루므로 탄성재질을 포함하는 실링부재가 생략되어 NF3와 같은 부식성 가스에 의해 실링부재가 부식되는 것을 방지할 수 있게 된다.
따라서 탄성재질을 포함하는 실링부재가 부식되면서 발생되는 이물질 미립자가 공정챔버(1)에 확산되는 것을 방지하고, 증착공정의 신뢰도를 향상시킬 수 있는 효과가 나타나게 된다.
또한, 본 실시예의 본체(10)에는 냉각수가 유입되어 순환되고 배출되는 냉각유로가 형성되고, 본체(10)에는 냉각유로의 입구 및 출구를 이루는 냉각홀부(16)가 형성되며, 냉각홀부(16)에는 냉각수관(34b)이 연결되는 연결부재(34a)가 설치되다.
따라서 증착공정 중에 발생되는 열에너지에 의해 개폐장치가 가열되는 경우에 냉각홀부(16)를 따라 본체(10) 내부에 형성되는 냉각유로로 공급되는 냉각수에 의해 본체(10), 아우터튜브(72) 및 이너튜브(74)가 열팽창되는 것을 방지할 수 있게 되어 부품들 사이에 간격이 발생되는 것을 방지할 수 있게 된다.
상기한 바와 같이 증착공정 중에 발생되는 열에너지에 의해 개폐장치가 팽창되는 것을 방지하고, 증착공정이 종료된 후에 냉각되면서 팽창된 부품들이 축소되며 부품들 사이의 열팽창 계수의 차이에 의해 간격이 형성되는 것을 방지하게 된다.
따라서 개폐장치를 이루는 부품들 사이의 간격으로 진공압이나 작동가스가 유실되는 것을 방지하고, 개폐장치의 수명을 연장시킬 수 있게 된다.
이너튜브(74)는, 아우터튜브(72)에 결합되고 제1유로홀부(72a)가 형성되는 몸체부(74b)와, 몸체부(74b)로부터 연장되고 측면부에 회전 가능하게 지지되는 회전축부(74a)를 포함하고, 몸체부(74b)는 회전축부(74a)와 비교하여 지름이 크게 형성되며, 회전축부(74a)는 몸체부(74b)의 양단부로부터 측 방향으로 길게 연장되어 회전축 형상을 이루게 된다.
또한, 회전축부(74a)의 양단부에는 지름이 회전축부(74a)와 비교하여 작은 단차(72b)가 형성되므로 몸체부(74b)로부터 회전축부(74a)의 단부까지 2개의 단차(72b)가 형성되고, 각각의 단차(72b)에는 베어링이 설치되어 이너튜브(74)를 회전 가능하게 지지하게 된다.
몸체부(74b)에는 아우터튜브(72)의 제1유로홀부(72a)에 대향되게 배치되면 개방상태를 이루고 제1유로홀부(72a)와 이격되게 배치되면 폐쇄상태를 이루도록 제2유로홀부(74c)가 형성된다.
회전축부(74a)의 일단에는 공압에 의해 동력을 제공하는 구동부(86)가 설치되므로 구동부(86)에 의해 제공되는 동력에 의해 이너튜브(74)가 정회전 또는 역회전 하면서 제1유로홀부(72a)와 제2유로홀부(74c)를 연결 또는 이격시키게 된다.
구동부(86)는 본체(10) 및 아우터튜브(72)의 양측부를 마감하는 측면부에 설치되고, 구동부(86)의 출력축은 측면부를 관통하여 회전축부(74a)에 연결되어 이너튜브(74)에 동력을 제공하게 된다.
측면부는, 설치홀부(12)를 감싸도록 본체(10)에 설치되고 아우터튜브(72)를 본체(10)에 고정시키는 설치플레이트(30)와, 설치플레이트(30)의 장착홀부(32)에 삽입되고 회전축부(74a)를 지지하는 지지파이프(52b), 및 지지파이프(52b)로부터 연장되고 설치플레이트(30)에 고정되는 연결플레이트(52a)를 포함하는 지지플레이트(52)와, 지지플레이트(52)에 설치되고 설치홀부(12)를 마감하는 마개플레이트(54)를 포함한다.
측면부는, 설치플레이트(30), 지지플레이트(52) 및 마개플레이트(54)가 결합되어 하나의 측면을 이루고, 설치플레이트(30)는 본체(10)의 양측면에 구비되는 개구부를 폐쇄하도록 본체(10)에 결합되고, 지지플레이트(52)는 설치플레이트(30)에 결합되어 지지파이프(52b)가 설치홀부(12)에 삽입되고, 마개플레이트(54)는 지지플레이트(52)에 결합되어 지지파이프(52b)를 폐쇄하게 된다.
여기서, 지지파이프(52b)는, 설치홀부(12) 내부로 삽입되어 회전축부(74a)를 회전 가능하게 지지하고, 지지파이프(52b)에는 실링자성부(90)가 구비되어 회전축부(74a)와 지지파이프(52b) 사이에 기계적 실링이 이루어지도록 한다.
회전축부(74a)와 아우터튜브(72) 사이에는 세라믹재질을 포함하여 이루어지는 제1베어링(82)이 설치되고, 회전축부(74a)와 지지파이프(52b) 사이에는 세라믹재질을 포함하여 이루어지는 제2베어링(84)이 설치된다.
이너튜브(74)의 몸체부(74b)와 회전축부(74a) 사이의 단차(72b)에는 제1베어링(82)이 설치되어 회전축부(74a)가 지지파이프(52b) 내벽에 회전 가능하게 지지되고, 회전축부(74a)의 단부에 형성되는 단차(72b)에는 제2베어링(84)이 설치되어 회전축부(74a)가 지지파이프(52b) 내벽에 회전 가능하게 지지된다.
따라서 구동부(86)로부터 전달되는 동력에 의해 이너튜브(74)가 지지파이프(52b) 내벽 및 아우터튜브(72)의 내벽을 따라 회전하면서 개폐작동을 행하게 되고, 실링자성부(90)에 의해 회전축부(74a)와 지지파이프(52b) 사이의 간격으로 진공압 또는 작동유체가 유실되는 것을 방지할 수 있게 된다.
또한, 본 실시예의 구동부(86)는, 측면부에 설치되고, 측면부에는 구동부(86)를 감싸는 커버부재(88)가 설치되므로 구동부(86)가 노출되는 것을 방지하며 외력에 의한 충격으로 구동부(86)가 오작동되거나 파손되는 것을 방지할 수 있게 된다.
실링자성부(90)는, 측면부에 구비되는 복수 개의 실링홈부(92)와, 실링홈부(92)에 삽입되고 자기력을 제공하는 자성체(94)를 포함한다.
지지파이프(52b)의 내벽에는 복수 개의 실링홈부(92)가 간격을 유지하며 형성되고, 실링홈부(92)에는 자성체(94)가 삽입되어 회전축부(74a)에 자기력을 제공하게 되고, 지지파이프(52b)와 회전축부(74a) 사이에 형성되는 자기력에 의해 기계적 실링이 이루어지게 된다.
회전축부(74a)와 지지파이프(52b) 내벽 사이에 링 모양으로 형성되는 다수 개의 자성체(94)가 간격을 유지하며 설치되므로 자성체(94)들 사이의 간격에서 생성되는 자기장에 의해 회전축부(74a)와 지지파이프(52b) 사이의 간격으로 통과되는 작동유체 중에 포함되는 입자들이 자기력에 의해 전기적 성질을 갖게 되면서 회전축부(74a)와 지지파이프(52b) 사이의 간격을 통과하지 못하게 된다.
또한, 자성체(94)로부터 제공되는 자기력에 의해 회전축부(74a)와 지지파이프(52b) 사이에 서로 끌어당기는 인력이 발생되면서 회전축부(74a)가 지지파이프(52b) 내벽에 밀착되면서 회전축부(74a)와 지지파이프(52b) 사이의 간격을 없애므로 회전축부(74a)와 지지파이프(52b) 사이의 간격으로 진공압 또는 작동유체가 유실되는 것을 효과적으로 방지할 수 있게 된다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 일 실시예에 따른 증착공정용 개폐장치의 작동을 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 공정챔버(1) 내부에 작업 대상물을 안착시키고, 저장챔버(2)에 원격 플라즈마 소스를 수납한 후에 증착공정을 개시하면 챔버가 가열되면서 저장챔버(2)에서 발생되는 플라즈마 소스가 공급관(5)을 따라 공정챔버(1)에 공급되어 증착공정이 이루어지게 된다.
이때, 저장챔버(2)에서 발생되는 작동유체가 공급관(5)을 따라 공정챔버(1)에 공급될 수 있도록 개폐장치가 개방되면서 작동유체가 공급되는데, 구동부(86)의 작동에 의해 발생되는 동력이 이너튜브(74)에 전달되면 회전축부(74a)를 중심으로 몸체부(74b)가 회전되면서 제1유로홀부(72a)와 제2유로홀부(74c)가 서로 연결되게 배치되면 저장챔버(2)와 공정챔버(1)가 연결되어 작동유체의 공급이 이루어지게 된다.
상기한 바와 같은 화학 증착공정이 다수 차례 진행되면 공정챔버(1) 및 저장챔버(2)에 퇴적층이 생성되므로 공정 중간에 부식성 가스 예를 NF3과 같은 투입하여 클리닝 공정을 행하게 된다.
이때, 본 실시예에 따른 개폐장치는, 구동부(86)의 작동에 의해 이너튜브(74)가 회전되면서 제1유로홀부(72a)와 제2유로홀부(74c)를 연결시켜 NF3의 공급을 행할 수 있도록 하고, 회전축부(74a)에 설치되는 다수 개의 자성체(94)에 의해 회전축과 지지파이프(52b) 내벽 사이에 자기력이 형성되므로 지지파이프(52b)와 회전축부(74a) 사이의 간격을 통과하는 작동유체의 입자에 자기력을 제공하여 간격을 통과하는 것을 방지할 수 있게 된다.
또한, 자성체(94)는, 회전축부(74a)와 지지파이프(52b) 내벽 사이에서 서로 끌어당기는 인력을 제공할 수 있어 부품들 사이의 간격을 좁히면서 진공압 또는 작동유체의 유실을 방지할 수 있게 된다.
이로써, 증착공정 및 세척공정 중에 진공압이 유실되는 것을 방지하고, 증착공정 및 세척공정에 사용되는 유해가스에 의해 실링부재가 부식되는 것을 방지하며, 밸브의 수명을 연장시킬 수 있고, 열팽창에 의한 밸브의 변형 또는 파손을 방지할 수 있는 증착공정용 개폐장치를 제공할 수 있게 된다.
본 발명은 도면에 도시되는 일 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.
또한, 증착공정용 개폐장치를 예로 들어 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 증착공정용 개폐장치가 아닌 다른 제품에도 본 발명의 개폐장치가 사용될 수 있다.
따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.
10 : 본체 12 : 설치홀부
14 : 공급홀부 14a : 테두리부재
16 : 냉각홀부 30 : 설치플레이트
32 : 장착홀부 34 : 간섭홈부
34a : 연결부재 34b : 냉각수관
36 : 결합돌기부 52 : 지지플레이트
52a ; 연결플레이트 52b : 지지파이프
54 : 마개플레이트 72 : 아우터튜브
72a : 제1유로홀부 72b : 단차부
74 : 이너튜브 74a : 회전축부
74b : 몸체부 74c : 제2유로홀부
82 : 제1베어링 84 : 제2베어링
86 : 구동부 88 : 커버부재
88a : 서비스홀부 90 : 실링자성부
92 : 실링홈부 94 : 자성체

Claims (6)

  1. 화학 증착공정이 진행되는 공정챔버와 원격 플라즈마 소스가 수납되는 저장챔버 사이에 구비되는 연결유로에 설치되고, 상기 연결유로와 연결되어 통하는 공급홀부 및 상기 연결유로와 이격되는 설치홀부를 구비하는 본체;
    상기 설치홀부를 통해 삽입되고 상기 공급홀부에 대향되는 제1유로홀부가 형성되며 세라믹재질을 포함하여 이루어지는 이너튜브;
    상기 설치홀부에 설치되고 상기 이너튜브를 회전 가능하게 지지하며 상기 공급홀부에 대향되는 제2유로홀부가 구비되고 세라믹재질을 포함하여 이루어지는 아우터튜브;
    상기 설치홀부를 마감하도록 상기 본체에 설치되고 상기 이너튜브를 회전 가능하게 지지되는 측면부; 및
    상기 측면부와 상기 이너튜브 사이의 간격을 통해 상기 공정챔버의 진공압 또는 상기 저장챔버로부터 공급되는 가스가 유실되는 것을 방지하는 실링자성부를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착공정용 개폐장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 본체에는 냉각수가 유입되어 순환되고 배출되는 냉각유로가 형성되고, 상기 본체에는 상기 냉각유로의 입구 및 출구를 이루는 냉각홀부가 형성되며, 상기 냉각홀부에는 냉각수관이 연결되는 연결부재가 설치되는 것을 특징으로 하는 증착공정용 개폐장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 이너튜브는,
    상기 아우터튜브에 결합되고 상기 제1유로홀부가 형성되는 몸체부; 및
    상기 본체로부터 연장되고 상기 측면부에 회전 가능하게 지지되는 회전축부를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착공정용 개폐장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 측면부는,
    상기 설치홀부를 감싸도록 상기 본체에 설치되고 상기 아우터튜브를 상기 본체에 고정시키는 설치플레이트;
    상기 설치플레이트의 장착홀부에 삽입되고 상기 회전축부를 지지하는 지지파이프와, 상기 지지파이프로부터 연장되고 상기 설치플레이트에 고정되는 연결플레이트를 포함하는 지지플레이트; 및
    상기 지지플레이트에 설치되고 상기 설치홀부를 마감하는 마개플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착공정용 개폐장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 회전축부와 상기 아우터튜브 사이에는 세라믹재질을 포함하여 이루어지는 제1베어링이 설치되고, 상기 회전축부와 상기 지지파이프 사이에는 세라믹재질을 포함하여 이루어지는 제2베어링이 설치되는 것을 특징으로 하는 증착공정용 개폐장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 실링자성부는,
    상기 측면부에 구비되는 복수 개의 실링홈부; 및
    상기 실링홈부에 삽입되고 자기력을 제공하는 자성체를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착공정용 개폐장치.
KR1020160082934A 2016-06-30 2016-06-30 증착공정용 개폐장치 KR101891825B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160082934A KR101891825B1 (ko) 2016-06-30 2016-06-30 증착공정용 개폐장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160082934A KR101891825B1 (ko) 2016-06-30 2016-06-30 증착공정용 개폐장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180003297A true KR20180003297A (ko) 2018-01-09
KR101891825B1 KR101891825B1 (ko) 2018-08-24

Family

ID=61000746

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160082934A KR101891825B1 (ko) 2016-06-30 2016-06-30 증착공정용 개폐장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101891825B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112359345A (zh) * 2020-10-22 2021-02-12 江苏永鼎光纤科技有限公司 一种管内气相沉积设备进气装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010064174A (ko) * 1999-12-24 2001-07-09 이구택 유틸리티 공급 밸브
KR20060020121A (ko) * 2004-08-31 2006-03-06 원영식 폐기가스 처리장치의 역류방지용 분배밸브
JP2007258573A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Eagle Ind Co Ltd 磁性流体シール装置
KR20080106641A (ko) * 2007-06-04 2008-12-09 한라공조주식회사 워터 밸브
KR20100046150A (ko) * 2007-07-24 2010-05-06 배트 홀딩 아게 진공밸브를 제어 또는 조절하기 위한 방법
KR20120015117A (ko) * 2010-08-11 2012-02-21 주식회사 쓰리젯 플러그 밸브의 탑 실링 장치
KR20160016891A (ko) * 2013-05-31 2016-02-15 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈 회로에서 액체를 조절하는 시스템

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010064174A (ko) * 1999-12-24 2001-07-09 이구택 유틸리티 공급 밸브
KR20060020121A (ko) * 2004-08-31 2006-03-06 원영식 폐기가스 처리장치의 역류방지용 분배밸브
JP2007258573A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Eagle Ind Co Ltd 磁性流体シール装置
KR20080106641A (ko) * 2007-06-04 2008-12-09 한라공조주식회사 워터 밸브
KR20100046150A (ko) * 2007-07-24 2010-05-06 배트 홀딩 아게 진공밸브를 제어 또는 조절하기 위한 방법
KR20120015117A (ko) * 2010-08-11 2012-02-21 주식회사 쓰리젯 플러그 밸브의 탑 실링 장치
KR20160016891A (ko) * 2013-05-31 2016-02-15 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈 회로에서 액체를 조절하는 시스템

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112359345A (zh) * 2020-10-22 2021-02-12 江苏永鼎光纤科技有限公司 一种管内气相沉积设备进气装置
CN112359345B (zh) * 2020-10-22 2023-03-07 江苏永鼎光纤科技有限公司 一种管内气相沉积设备进气装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR101891825B1 (ko) 2018-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7699935B2 (en) Method and system for supplying a cleaning gas into a process chamber
US20080178797A1 (en) Processing chamber with heated chamber liner
US8414705B2 (en) Seal mechanism, seal trench, seal member, and substrate processing apparatus
EP4170702A1 (en) Rotation shaft sealing device and semiconductor substrate processing device using same
KR101891825B1 (ko) 증착공정용 개폐장치
US10337105B2 (en) Method and apparatus for valve deposition cleaning and prevention by plasma discharge
WO2007148657A1 (ja) 弁体部及びゲートバルブ装置
KR100614656B1 (ko) 밸브 어셈블리 및 이를 가지는 반도체 제조 장치, 그리고트랩을 세정하는 방법
US20120135164A1 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
TWI418721B (zh) 開閉閥
JP2601830B2 (ja) 熱処理装置
KR102612086B1 (ko) 파티클 프리 원격플라즈마소스 차단밸브
TWI802925B (zh) 旋轉軸密封裝置及使用其之半導體基體用加工設備
KR102540308B1 (ko) 회전축 밀폐장치
KR100600584B1 (ko) 반도체 제조용 공정챔버
KR20200098922A (ko) 밸브모듈 및 이를 포함하는 기판처리장치
KR20200053343A (ko) 기판처리장치, 기판처리장치용 밸브 및 밸브 구동방법
KR20030000770A (ko) 반도체장치 제조설비
KR20010045802A (ko) 저압 화학 기상 증착용 수평로의 플랜지 밀봉 장치
KR20120014071A (ko) 부식 방지를 위한 진공 테프론 버터 플라이 밸브
KR20090059539A (ko) 고온 퍼니스
KR20030044199A (ko) 고주파 인가형 반도체 장치 제조 장비 및 이를 이용한공정 챔버 세정 방법
KR20070063175A (ko) 플로우미터 및 이를 구비한 반도체소자 제조용 증착설비

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant