KR20170136045A

KR20170136045A - Display device

Info

Publication number: KR20170136045A
Application number: KR1020160066362A
Authority: KR
Inventors: 배철민; 타케토미 아사미; 전우석
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2016-05-30
Filing date: 2016-05-30
Publication date: 2017-12-11
Also published as: KR102568779B1

Abstract

An embodiment of the present invention discloses a display device which includes a substrate, a display unit located on the substrate, and a thin film sealing layer sealing the display unit, wherein the substrate includes a soda-lime glass substrate, a first blocking layer which is located on the soda-lime glass substrate and blocks the diffusion of alkaline ions from the soda-lime glass substrate to the display unit, a trapping layer which is located on the first blocking layer and traps the alkaline ions, and a second blocking layer which is located on the trapping layer and blocks the diffusion of the alkaline ions to the display unit.

Description

[0001]

본 발명의 실시예들은, 디스플레이 장치에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a display device.

근래에 디스플레이 장치는 휴대가 가능한 박형의 평판 표시 장치로 대체되는 추세이다. 평판 디스플레이 장치 중에서도 전계 발광 디스플레이 장치는 자발광형 디스플레이 장치로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가져서 차세대 디스플레이 장치로 주목 받고 있다. 또한 발광층의 형성 물질이 유기물로 구성되는 유기 발광 디스플레이 장치는 무기 발광 디스플레이 장치에 비해 휘도, 구동 전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 점을 가진다.2. Description of the Related Art In recent years, a display device has been replaced by a portable flat-panel display device. Among the flat panel display devices, the electroluminescent display device is a self-luminous display device, and has a wide viewing angle, excellent contrast, and fast response speed, and is attracting attention as a next generation display device. In addition, the organic light emitting display device in which the material for forming the light emitting layer is composed of an organic material has excellent luminance, driving voltage, and response speed characteristics and is capable of multi-coloring as compared with an inorganic light emitting display device.

한편, 평판 디스플레이 장치는 유리 기판 상에 표시부를 형성하는데, 일반적으로 평판 디스플레이 장치에 사용되는 유리 기판은 변형점이 높고, 알카리 이온을 함유하지 않은 고왜점 유리(High strain point glass) 등을 사용하나, 이와 같은 유리 기판은 고가로 평판 디스플레이의 제조가격을 낮추는데 걸림돌이 되고 있다.Meanwhile, a flat panel display device forms a display part on a glass substrate. In general, a glass substrate used for a flat panel display device uses a high strain point glass which has a high strain point and does not contain an alkali ion, Such a glass substrate is a hindrance to lower the manufacturing cost of the flat panel display at a high price.

본 발명의 실시예들은, 소다라임 글라스를 기판으로 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.Embodiments of the present invention provide a display device including soda lime glass as a substrate.

본 발명의 일 측면에 따른 디스플레이 장치는, 기판, 상기 기판 상의 표시부 및 상기 표시부를 밀봉하는 박막 봉지층을 포함하고, 상기 기판은, 소다라임 글라스 기판, 상기 소다라임 글라스 기판 상에 위치하고, 상기 소다라임 글라스 기판으로부터 상기 표시부로 알칼리 이온의 확산을 차단하는 제1 차단층, 상기 제1 차단층 상에 위치하고, 상기 알칼리 이온을 포획하는 포집층, 및 상기 포집층 상에 위치하고, 상기 표시부로 상기 알칼리 이온의 확산을 차단하는 제2 차단층을 포함할 수 있다.A display device according to one aspect of the present invention includes a substrate, a display portion on the substrate, and a thin film sealing layer that seals the display portion, wherein the substrate is a soda lime glass substrate, the soda lime glass substrate, A first blocking layer for blocking the diffusion of alkali ions from the lyme glass substrate to the display portion; a trapping layer located on the first blocking layer for trapping the alkali ions; and a trapping layer located on the trapping layer, And a second blocking layer blocking diffusion of ions.

본 실시예에 있어서, 상기 포집층은, 비정질 실리콘 또는 마이크로결정질 실리콘을 포함할 수 있다.In this embodiment, the trapping layer may include amorphous silicon or microcrystalline silicon.

본 실시예에 있어서, 상기 마이크로결정질 실리콘 또는 상기 마이크로결정질 실리콘은 5가 원자를 불순물로 포함할 수 있다.In the present embodiment, the microcrystalline silicon or the microcrystalline silicon may contain a pentavalent atom as an impurity.

본 실시예에 있어서, 상기 마이크로결정질 실리콘 또는 상기 마이크로결정질 실리콘은 댕글링 본드를 포함할 수 있다.In this embodiment, the microcrystalline silicon or the microcrystalline silicon may comprise a dangling bond.

본 실시예에 있어서, 상기 알칼리 이온은 상기 댕글링 본드와 결합될 수 있다.In the present embodiment, the alkali ion may be combined with the dangling bond.

본 실시예에 있어서, 상기 마이크로결정질 실리콘 또는 상기 비정질 실리콘은 불활성 기체를 포함할 수 있다.In the present embodiment, the microcrystalline silicon or the amorphous silicon may include an inert gas.

본 실시예에 있어서, 상기 불활성 기체는 아르곤, 크립톤 및 크세논 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.In the present embodiment, the inert gas may include at least one of argon, krypton, and xenon.

본 실시예에 있어서, 상기 박막 봉지층은, 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다.In the present embodiment, the thin film encapsulation layer may include at least one inorganic film and at least one organic film.

본 실시예에 있어서, 상기 표시부는, 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 표시 소자를 포함하고, 상기 표시 소자는, 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하고 유기 발광층을 구비한 중간층을 포함할 수 있다.In the present embodiment, the display section includes a thin film transistor and a display element electrically connected to the thin film transistor, wherein the display element includes a first electrode, a second electrode, and a second electrode formed between the first electrode and the second electrode And an intermediate layer having an organic light emitting layer.

본 발명의 다른 측면에 따른 디스플레이 장치는, 적어도 소다라임 글라스 기판과 상기 소다라임 글라스 기판 상의 포집층을 구비한 기판, 상기 기판 상의 표시부 및 상기 표시부를 밀봉하는 박막 봉지층을 포함하고, 상기 포집층은, 비정질 실리콘 또는 마이크로결정질 실리콘을 포함하며, 상기 포집층은, 상기 소다라임 글라스 기판으로부터 용출된 알칼리 이온을 포획할 수 있다.A display device according to another aspect of the present invention includes a substrate including at least a sodalime glass substrate and a collection layer on the sodalime glass substrate, a thin film encapsulation layer sealing the display portion and the display portion on the substrate, Includes amorphous silicon or microcrystalline silicon, and the trapping layer is capable of trapping alkali ions eluted from the soda lime glass substrate.

본 실시예에 있어서, 상기 포집층은 상기 불활성 기체를 10¹⁹atom/㎤ 내지 5×10²⁰atom/㎤ 포함할 수 있다.In this embodiment, the trapping layer may contain the inert gas at 10 ¹⁹ atom / cm 3 to 5 × 10 ²⁰ atom / cm 3.

본 실시예에 있어서, 상기 소다라임 글라스 기판과 상기 포집층 사이 및, 상기 포집층과 상기 표시부 사이 중 적어도 어느 하나에는, 상기 알칼리 이온의 확산을 차단하는 차단층을 포함할 수 있다.In the present embodiment, at least one of the sodalime glass substrate and the trapping layer, and / or the trapping layer and / or the display portion may include a barrier layer for blocking the diffusion of the alkali ions.

본 실시예에 있어서, 상기 차단층은, 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드 및 실리콘 옥시나이트라이드 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.In this embodiment, the barrier layer may include at least one of silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.Other aspects, features, and advantages will become apparent from the following drawings, claims, and detailed description of the invention.

본 실시예들에 관한 디스플레이 장치는, 소다라임 글라스를 기판으로 사용하더라도, 디스플레이 장치의 제조시 소다라임 글라스로부터 용출된 알칼리 이온이 표시부로 확산하는 것을 방지할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The display device according to the present embodiments can prevent the alkali ions dissolved from the soda lime glass from diffusing into the display portion when the display device is manufactured even when the soda lime glass is used as the substrate. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 A부분을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 도 1의 디스플레이 장치의 기판의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 도 1의 디스플레이 장치의 기판의 다른 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view schematically showing a portion A of FIG.
3 is a cross-sectional view schematically showing an example of a substrate of the display device of FIG.
4 is a cross-sectional view schematically showing another example of the substrate of the display device of FIG.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. It is to be understood, however, that the invention is not to be limited to the specific embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.The terms first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by terms. Terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 각 도면에서, 구성요소는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었으며, 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. Also, in the drawings, the constituent elements are exaggerated, omitted or schematically shown for convenience and clarity of explanation, and the size of each constituent element does not entirely reflect the actual size.

각 구성요소의 설명에 있어서, 상(on)에 또는 하(under)에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(on)과 하(under)는 직접 또는 다른 구성요소를 개재하여 형성되는 것을 모두 포함하며, 상(on) 및 하(under)에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of each constituent element, in the case where it is described as being formed on or under, it is to be understood that both on and under are formed directly or through other constituent elements And references to on and under are described with reference to the drawings.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Referring to the accompanying drawings, the same or corresponding components are denoted by the same reference numerals, do.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1의 A부분을 개략적으로 도시한 단면도이며, 도 3은 도 1의 디스플레이 장치의 기판의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a display device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing part A of FIG. 1, Fig.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(10)는 기판(100), 기판(100) 상의 표시부(200) 및 표시부(200)를 밀봉하는 박막 봉지층(300)을 포함할 수 있다.1 to 3, a display device 10 according to an embodiment of the present invention includes a substrate 100, a display unit 200 on the substrate 100, and a thin film encapsulation layer 300 ).

기판(100)은 소다라임 글라스 기판(110)을 포함할 수 있다. 소다라임 글라스 기판(110)은 저가이고, 평활성이 우수하다. 다만, 소다라임 글라스 기판(110)은 소다와 칼슘 산화물을 많이 포함하고 있으므로 소다라임 글라스 기판(110) 상에 표시부(200)를 형성하는 과정 중에, 고온의 환경에 의해 소다라임 글라스 기판(110)으로부터 나트륨 이온 등과 같은 알칼리 이온이 용출될 수 있다. 소다라임 글라스 기판(110)으로부터 용출된 알칼리 이온은 표시부(200) 내로 확산되고, 특히 박막 트랜지스터(TFT)의 활성층(203) 내로 침투하여 박막 트랜지스터(TFT)의 특성을 감소시킬 수 있다.The substrate 100 may include a soda lime glass substrate 110. The soda lime glass substrate 110 is inexpensive and has excellent smoothness. Since the soda lime glass substrate 110 contains a large amount of soda and calcium oxide, the soda lime glass substrate 110 is heated by the high temperature environment during the process of forming the display unit 200 on the soda lime glass substrate 110, Alkaline ions such as sodium ions and the like can be eluted. Alkali ions eluted from the soda lime glass substrate 110 are diffused into the display portion 200 and can penetrate into the active layer 203 of the thin film transistor TFT to reduce the characteristics of the thin film transistor TFT.

이를 방지하기 위해, 본 발명에 따른 디스플레이 장치(10)는 소다라임 글라스 기판(110) 상에 순차적으로 적층된 제1 차단층(122), 포집층(130) 및 제2 차단층(124)을 포함할 수 있다. 한편, 제1 차단층(122), 포집층(130) 및 제2 차단층(124)은 표시부(200)를 형성하는 과정 중에, 소다라임 글라스 기판(110)으로부터 표시부(200)로 알칼리 이온의 확산을 방지할 뿐 아니라, 소다라임 글라스 기판(110)을 통과한 불순 원소의 침투를 방지할 수 있다.In order to prevent this, the display device 10 according to the present invention includes a first blocking layer 122, a trapping layer 130, and a second blocking layer 124 sequentially stacked on a soda lime glass substrate 110 . The first blocking layer 122, the trapping layer 130 and the second blocking layer 124 are formed on the sodalime glass substrate 110 and the display portion 200 in the process of forming the display portion 200, Diffusion of the impurity element can be prevented, and penetration of the impurity element through the soda lime glass substrate 110 can be prevented.

제1 차단층(122)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드 및 실리콘 옥시나이트라이드 중 적어도 어느 하나를 포함하여, 표시부(200)의 제조 공정 중 소다라임 글라스 기판(110)으로부터 표시부(200)로 알칼리 이온이 확산되는 것을 1차적으로 차단할 수 있다. 제1 차단층(122)은 일 예로, 100㎚ 내지 200㎚의 두께를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The first barrier layer 122 may include at least one of silicon oxide, silicon nitride and silicon oxynitride so that the first barrier layer 122 may include at least one of alkali ions It is possible to prevent the diffusion of the foreign matter. The first barrier layer 122 may have a thickness of, for example, 100 nm to 200 nm, but is not limited thereto.

포집층(130)은 상기 알칼리 이온을 포획하는 층으로, 제1 차단층(122)을 통과한 알칼리 이온이 표시부(200)로 확산되는 것을 방지할 수 있다.The trapping layer 130 is a layer that catches the alkali ions and can prevent the alkali ions that have passed through the first blocking layer 122 from diffusing into the display portion 200.

포집층(130)은 비정질 실리콘 또는 마이크로결정질 실리콘을 포함할 수 있다. 비정질 실리콘 또는 마이크로결정질 실리콘은 알칼리 이온과 결합할 수 있는 자유 전자, 알칼리 이온이 결합될 수 있는 사이트, 또는 국부적인 전기적 편향을 초래하는 구조상의 결함 등을 포함할 수 있다.The capture layer 130 may comprise amorphous silicon or microcrystalline silicon. Amorphous silicon or microcrystalline silicon may include free electrons capable of binding to alkali ions, sites where alkali ions can be bonded, or structural defects resulting in local electrical deflection.

일 실시예로, 비정질 실리콘 또는 마이크로결정질 실리콘은 비소, 안티몬과 같은 5가 원자를 불순물로 포함할 수 있다. 비정질 실리콘 또는 마이크로결정질 실리콘 내의 자유 전자는 확산하는 알칼리 이온과 이온결합을 할 수 있으며, 이에 의해 알칼리 이온은 포집층(130) 내에 포획될 수 있다.In one embodiment, the amorphous silicon or microcrystalline silicon may include pentavalent atoms such as arsenic and antimony as impurities. The free electrons in the amorphous silicon or microcrystalline silicon can undergo ionic bonding with the diffusing alkali ions, whereby the alkali ions can be trapped in the trapping layer 130.

다른 실시예로, 비정질 실리콘 또는 마이크로결정질 실리콘은 댕글링 본드를 포함할 수 있다. 댕글링 본드는 비정질 실리콘 또는 마이크로결정질 실리콘의 결함 등에 의해 발생할 수 있으며, 양이온인 알칼리 이온은 댕글링 본드와 결합될 수 있다. 비정질 실리콘 또는 마이크로결정질 실리콘의 댕글링 본드는 비정질 실리콘 또는 마이크로결정질 실리콘을 형성한 후, 플라즈마 처리 등에 의해 증가시킬 수 있다. In another embodiment, the amorphous silicon or microcrystalline silicon may comprise a dangling bond. Dangling bonds can be caused by defects in amorphous silicon or microcrystalline silicon, and alkali ions, which are positive ions, can be combined with dangling bonds. The dangling bonds of amorphous silicon or microcrystalline silicon can be increased by plasma treatment after forming amorphous silicon or microcrystalline silicon.

또 다른 실시예로, 비정질 실리콘 또는 마이크로결정질 실리콘은 불활성 기체를 포함할 수 있다. 불활성 기체는 아르곤, 크립톤 및 크세논 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 불활성 기체는 실리콘과 결합하지 않으므로, 비정질 실리콘 또는 마이크로결정질 실리콘에 불활성 기체가 포함되면, 실리콘의 결합구조에 뒤틀림 등과 같은 결함이 발생할 수 있다. 실리콘의 결합구조에 뒤틀림 등이 발생하면 비정질 실리콘 또는 마이크로결정질 실리콘에는 실리콘 간의 결합이 약한 부위가 발생하고, 이에 의해 국부적으로 전기적인 편향이 일어나거나, 댕글링 본드가 발생할 수 있다. 실리콘의 결합구조의 뒤틀림에 의한 전기적 편향은 음의 전위를 가질 수 있다. 즉, 비정질 실리콘 또는 마이크로결정질 실리콘은 국부적으로 음의 전위가 강해진 부위를 포함할 수 있으며, 이에 의해 양이온인 알칼리 이온은 이에 포획될 수 있다.In yet another embodiment, the amorphous silicon or microcrystalline silicon may comprise an inert gas. The inert gas may be at least one of argon, krypton, and xenon. Since an inert gas is not bonded to silicon, if inert gas is contained in amorphous silicon or microcrystalline silicon, defects such as twist in the bonding structure of silicon may occur. When the bonding structure of silicon is distorted, weak amorphous silicon or microcrystalline silicon may have weak bonding sites, resulting in local electrical deflection or dangling bonds. Electrical deflection due to distortion of the bonding structure of silicon may have a negative potential. That is, the amorphous silicon or microcrystalline silicon may include a region where the negative negative potential is intensified, whereby the alkali ion, which is a cation, can be caught there.

비정질 실리콘 또는 마이크로결정질 실리콘에 포함되는 불활성 기체의 함량은 비정질 실리콘 또는 마이크로결정질 실리콘의 형성시, 증착 조건에 의해 조절할 수 있다. 일 예로, PECVD에 의해 비정질 실리콘막을 형성할 때, 인가되는 RF파워를 높이면, 비정질 실리콘막에 포함되는 아르곤 가스 등의 농도를 증가시킬 수 있다. 비정질 실리콘 또는 마이크로결정질 실리콘에 포함되는 불활성 기체의 함량은 10¹⁹atom/㎤ 내지 5×10²⁰atom/㎤ 일 수 있다. 이와 같은 포집층(130)은 300Å 내지 1000Å의 두께를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The content of the inert gas contained in the amorphous silicon or the microcrystalline silicon can be controlled by the deposition conditions in the formation of the amorphous silicon or the microcrystalline silicon. For example, when the amorphous silicon film is formed by PECVD, the concentration of argon gas or the like contained in the amorphous silicon film can be increased by increasing the applied RF power. The content of the inert gas contained in the amorphous silicon or microcrystalline silicon may be 10 ¹⁹ atom / cm 3 to 5 × 10 ²⁰ atom / cm 3. Such a trapping layer 130 may have a thickness of 300 ANGSTROM to 1000 ANGSTROM, but is not limited thereto.

선택적 실시예로, 포집층(130)은 이온 결합을 많이 포함하는 AlxOy, TaxOy 등으로 형성될 수도 있다.In an alternative embodiment, the capture layer 130 may be formed of AlxOy, TaxOy, or the like, which contains a large amount of ionic bonds.

제2 차단층(124)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드 및 실리콘 옥시나이트라이드 중 적어도 어느 하나를 포함하여, 표시부(200)의 제조 공정 중 소다라임 글라스 기판(110)으로부터 표시부(200)로 알칼리 이온이 확산되는 것을 3차적으로 차단할 수 있다. 즉, 제1 차단층(122)과 포집층(130)을 통과한 알칼리 이온이 표시부(200)로 확산하는 것을 차단함으로써, 알칼리 이온에 의해 표시부(200)의 표시 소자가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 제2 차단층(124)은 일 예로, 100~200㎚의 두께를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The second barrier layer 124 may include at least one of silicon oxide, silicon nitride and silicon oxynitride so that the second barrier layer 124 may include at least one selected from the group consisting of alkali ions Can be prevented from being diffused thirdarily. That is, by preventing the alkali ions that have passed through the first blocking layer 122 and the trapping layer 130 from diffusing into the display portion 200, it is possible to prevent the display element of the display portion 200 from being damaged by the alkali ions have. The second barrier layer 124 may have a thickness of, for example, 100 to 200 nm, but is not limited thereto.

표시부(200)는 기판(100) 상에 형성되며, 화상을 구현한다. 표시부(200)는 일 예로, 박막 트랜지스터(TFT)와 표시 소자를 구비할 수 있다. 일 예로, 표시 소자는 유기발광소자(230)일 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 표시부(200)는 액정표시소자 등의 다양한 종류의 표시 소자를 구비할 수 있다.The display portion 200 is formed on the substrate 100, and implements an image. The display unit 200 may include, for example, a thin film transistor (TFT) and a display element. For example, the display element may be the organic light emitting element 230. However, the present invention is not limited to this, and the display unit 200 may include various kinds of display devices such as a liquid crystal display device.

기판(100) 상에는 버퍼층(202)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(202)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다. 버퍼층(202)은 필수 구성은 아니며, 생략될 수 있다.A buffer layer 202 may be formed on the substrate 100. For example, the buffer layer 202 may be formed of an inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, aluminum oxide, aluminum nitride, titanium oxide or titanium nitride, or an organic material such as polyimide, polyester, And may be formed of a plurality of stacked materials among the exemplified materials. The buffer layer 202 is not essential and can be omitted.

박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(203), 게이트 전극(205), 소스 전극(207) 및 드레인 전극(208)을 포함할 수 있다. 이하에서는 박막 트랜지스터(TFT)가 활성층(203), 게이트 전극(205), 소스 전극(207) 및 드레인 전극(208)이 순차적으로 형성된 탑 게이트 타입(top gate type)인 경우를 설명한다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 바텀 게이트 타입(bottom gate type) 등 다양한 타입의 박막 트랜지스터(TFT)가 채용될 수 있다.The thin film transistor (TFT) may include an active layer 203, a gate electrode 205, a source electrode 207, and a drain electrode 208. Hereinafter, a case where a thin film transistor (TFT) is a top gate type in which an active layer 203, a gate electrode 205, a source electrode 207, and a drain electrode 208 are sequentially formed will be described. However, the present embodiment is not limited thereto, and various types of thin film transistors (TFT) such as a bottom gate type may be employed.

활성층(203)은 반도체 물질, 예컨대 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)을 포함할 수 있다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 활성층(203)은 다양한 물질을 함유할 수 있다. 선택적 실시예로서 활성층(203)은 유기 반도체 물질 등을 함유할 수 있다. 또 다른 선택적 실시예로서, 활성층(203)은 산화물 반도체 물질을 함유할 수 있다. 예컨대, 활성층(203)은 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge) 등과 같은 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 한편, 본 발명에 의하면, 기판(100)이 소다라임 글라스 기판(110)을 포함하더라도, 소다라임 글라스 기판(110)으로부터 확산되는 알칼리 이온은 포집층(130) 등에 의해 확산이 방지되므로, 알칼리 이온에 의해 활성층(203)의 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.The active layer 203 may comprise a semiconductor material, such as amorphous silicon or poly crystalline silicon. However, the present embodiment is not limited thereto, and the active layer 203 may contain various materials. As an alternative embodiment, the active layer 203 may contain an organic semiconductor material or the like. As another alternative embodiment, the active layer 203 may contain an oxide semiconductor material. For example, the active layer 203 may be formed of a Group 12, 13, or 14 metal element such as zinc (Zn), indium (In), gallium (Ga), tin (Sn), cadmium (Cd), germanium Oxide of the selected material. According to the present invention, even if the substrate 100 includes the sodalime glass substrate 110, the alkali ions diffused from the sodalime glass substrate 110 are prevented from being diffused by the trapping layer 130, The characteristics of the active layer 203 can be prevented from being lowered.

게이트 절연막(204)은 활성층(203) 상에 형성된다. 게이트 절연막(204)은 실리콘산화물 및/또는 실리콘질화물 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 게이트 절연막(204)은 활성층(203)과 게이트 전극(205)을 절연하는 역할을 한다. A gate insulating film 204 is formed on the active layer 203. The gate insulating film 204 may be formed of a multilayer or a single layer of a film made of an inorganic material such as silicon oxide and / or silicon nitride. The gate insulating film 204 serves to insulate the active layer 203 from the gate electrode 205.

게이트 전극(205)은 게이트 절연막(204)의 상부에 형성된다. 게이트 전극(205)은 박막 트랜지스터(TFT)에 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결될 수 있다. 게이트 전극(205)은 저저항 금속 물질로 이루어질 수 있다. 게이트 전극(205)은, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.A gate electrode 205 is formed on the gate insulating film 204. The gate electrode 205 may be connected to a gate line (not shown) for applying an on / off signal to the thin film transistor TFT. The gate electrode 205 may be made of a low resistance metal material. The gate electrode 205 is formed of a metal such as aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium (Mg), gold (Au), nickel (Ni), neodymium May be formed as a single layer or multiple layers of at least one of Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, W and Cu. .

게이트 전극(205)상에는 층간 절연막(206)이 형성된다. 층간 절연막(206)은 소스 전극(207) 및 드레인 전극(208)과 게이트 전극(205)을 절연한다. 층간 절연막(206)은 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 예컨대 무기 물질은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있으며, 구체적으로 무기 물질은 실리콘산화물(SiO₂), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al₂O₃), 티타늄산화물(TiO₂), 탄탈산화물(Ta₂O₅), 하프늄산화물(HfO₂), 또는 아연산화물(ZrO₂) 등을 포함할 수 있다.An interlayer insulating film 206 is formed on the gate electrode 205. The interlayer insulating film 206 insulates the source electrode 207 and the drain electrode 208 from the gate electrode 205. The interlayer insulating film 206 may be formed of a multilayer or a single layer of a film made of an inorganic material. For example, an inorganic material may be a metal oxide or a metal nitride, specifically, an inorganic material is silicon oxide (SiO _2), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiON), aluminum oxide (Al ₂ O _3), titanium oxide ( TiO ₂ ), tantalum oxide (Ta ₂ O ₅ ), hafnium oxide (HfO ₂ ), or zinc oxide (ZrO ₂ ).

층간 절연막(206) 상에 소스 전극(207) 및 드레인 전극(208)이 형성된다. 소스 전극(207) 및 드레인 전극(208)은 활성층(203)의 영역과 접촉하도록 형성된다. 소스 전극(207) 및 드레인 전극(208)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 소스 전극(207) 및 드레인 전극(208)은 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 및 티타늄(Ti)의 3층 적층 구조를 가질 수 있다.A source electrode 207 and a drain electrode 208 are formed on the interlayer insulating film 206. The source electrode 207 and the drain electrode 208 are formed so as to be in contact with the region of the active layer 203. The source electrode 207 and the drain electrode 208 may be formed of a metal such as aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium (Mg), gold (Au), nickel (Ni), neodymium ), Iridium (Ir), chromium (Cr), lithium (Li), calcium (Ca), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tungsten . For example, the source electrode 207 and the drain electrode 208 may have a three-layer stacked structure of titanium (Ti), aluminum (Al), and titanium (Ti).

평탄화막(209)은 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 형성될 수 있다. 평탄화막(209)은 박막 트랜지스터(TFT)로부터 비롯된 단차를 해소하고 상면을 평탄하게 하여, 하부 요철에 의해 유기발광소자(230)에 불량이 발생하는 것을 방지한다. The planarization film 209 may be formed so as to cover the thin film transistor TFT. The flattening film 209 eliminates steps caused by the thin film transistor (TFT) and flattenes the top surface, thereby preventing the organic light emitting element 230 from being defective due to the bottom unevenness.

평탄화막(209)은 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 유기 물질은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 또한, 평탄화막(209)은 무기 절연막과 유기 절연막의 복합 적층체로 형성될 수도 있다.The planarization film 209 may be formed of a single layer or a multi-layered film made of an organic material. The organic material may be a general general purpose polymer such as polymethylmethacrylate (PMMA) or Polystylene (PS), a polymer derivative having a phenol group, an acrylic polymer, an imide polymer, an arylether polymer, an amide polymer, a fluorine polymer, Polymers, vinyl alcohol polymers, blends thereof, and the like. The planarizing film 209 may also be formed as a composite laminate of an inorganic insulating film and an organic insulating film.

평탄화막(209)상에는 유기발광소자(230)가 형성된다. 유기발광소자(230)는 제1 전극(231), 제1 전극(231)과 대향하는 제2 전극(232) 및 제1 전극(231)과 제2 전극(232) 사이에 개재되는 중간층(233)을 포함할 수 있다.The organic light emitting diode 230 is formed on the planarization layer 209. The organic light emitting diode 230 includes a first electrode 231, a second electrode 232 facing the first electrode 231, and an intermediate layer 233 interposed between the first electrode 231 and the second electrode 232 ).

제1 전극(231)은 소스 전극(207) 또는 드레인 전극(208)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(231)은 다양한 형태를 가질 수 있는데, 예를 들면 아일랜드 형태로 패터닝되어 형성될 수 있다. The first electrode 231 may be electrically connected to the source electrode 207 or the drain electrode 208. The first electrode 231 may have various shapes, for example, patterned in an island shape.

제1 전극(231)은 평탄화막(209)상에 형성되고, 평탄화막(209)에 형성된 컨택홀을 통하여 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(231) 일 예로, 반사 전극일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(231)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막 상에 형성된 투광성 전극층을 구비할 수 있다. 투광성 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In₂O₃; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다.The first electrode 231 may be formed on the planarization layer 209 and may be electrically connected to the thin film transistor TFT through a contact hole formed in the planarization layer 209. One example of the first electrode 231 may be a reflective electrode. For example, the first electrode 231 may have a reflective layer formed of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, have. The transparent electrode layer may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium oxide (In ₂ O ₃ ), indium gallium oxide , Indium gallium oxide (IGO), and aluminum zinc oxide (AZO).

제1 전극(231)과 대향되도록 배치된 제2 전극(232)은 다양한 형태를 가질 수 있는데, 예를 들면 아일랜드 형태로 패터닝되어 형성될 수 있다. 제2 전극(232)은 투광성 전극일 수 있다. 제2 전극(232)은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물을 포함하는 일함수가 작은 금속 박막으로 형성될 수 있다. 또한, 금속 박막 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In₂O₃ 등의 물질로 보조 전극층이나 버스 전극을 더 형성할 수 있다. 따라서, 제2 전극(232)은 중간층(233)에 포함된 유기 발광층에서 방출된 광을 투과시킬 수 있다. 즉, 유기 발광층에서 방출되는 광은 직접 또는 반사 전극으로 구성된 제1 전극(231)에 의해 반사되어, 제2 전극(232) 측으로 방출될 수 있다.The second electrode 232 disposed to face the first electrode 231 may have various shapes, for example, patterned in an island shape. The second electrode 232 may be a light-transmitting electrode. The second electrode 232 may be formed of a metal thin film having a small work function including Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Ag, Mg and compounds thereof. Further, an auxiliary electrode layer or a bus electrode can be further formed on the metal thin film by a material such as ITO, IZO, ZnO, or In ₂ O ₃ . Accordingly, the second electrode 232 can transmit the light emitted from the organic light-emitting layer included in the intermediate layer 233. That is, the light emitted from the organic light emitting layer may be reflected by the first electrode 231 formed directly or by the reflective electrode, and may be emitted toward the second electrode 232 side.

그러나, 본 실시예의 표시부(200)는 전면 발광형으로 제한되지 않으며, 유기 발광층에서 방출된 광이 기판(100) 측으로 방출되는 배면 발광형일 수도 있다. 이 경우, 제1 전극(231)은 투광성 전극으로 구성되고, 제2 전극(232)은 반사 전극으로 구성될 수 있다. 또한, 본 실시예의 표시부(200)는 전면 및 배면 양 방향으로 광을 방출하는 양면 발광형일 수도 있다.However, the display portion 200 of the present embodiment is not limited to the front emission type, and may be a back emission type in which the light emitted from the organic emission layer is emitted toward the substrate 100. In this case, the first electrode 231 may be formed of a light-transmissive electrode, and the second electrode 232 may be formed of a reflective electrode. Also, the display unit 200 of this embodiment may be a double-sided emission type that emits light in both front and back directions.

한편, 제1 전극(231)상에는 절연물로 화소 정의막(219)이 형성된다. 화소 정의막(219)은 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유기 절연 물질로, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. 화소 정의막(219)은 제1 전극(231)의 소정의 영역을 노출하며, 노출된 영역에 유기 발광층을 구비한 중간층(233)이 위치한다. 즉, 화소 정의막(219)은 유기발광소자의 화소영역을 정의한다. On the other hand, a pixel defining layer 219 is formed on the first electrode 231 as an insulating material. The pixel defining layer 219 may be formed of one or more organic insulating materials selected from the group consisting of polyimide, polyamide, acrylic resin, benzocyclobutene, and phenol resin by a method such as spin coating. The pixel defining layer 219 exposes a predetermined region of the first electrode 231, and an intermediate layer 233 having an organic light emitting layer is located in the exposed region. That is, the pixel defining layer 219 defines the pixel region of the organic light emitting element.

중간층(233)에 포함된 유기 발광층은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있으며, 중간층(233)은 유기 발광층 이외에 홀 수송층(HTL; hole transport layer), 홀 주입층(HIL; hole injection layer), 전자 수송층(ETL; electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL; electron injection layer) 등과 같은 기능층을 선택적으로 더 포함할 수 있다.The intermediate layer 233 may include a hole transport layer (HTL), a hole injection layer (HIL), a hole injection layer (HIL), and an electron transport layer Such as an electron transport layer (ETL) and an electron injection layer (EIL).

제2 전극(232) 상에는 표시부(200)를 덮어 밀봉하는 박막 봉지층(300)이 형성될 수 있다. 박막 봉지층(300)은 외부의 산소 및 수분을 차단하며 단일 층 또는 복수 층으로 이루어질 수 있다.The thin film encapsulation layer 300 may be formed on the second electrode 232 to cover and encapsulate the display portion 200. The thin film encapsulation layer 300 blocks external oxygen and moisture, and may be a single layer or a plurality of layers.

박막 봉지층(300)은 적어도 하나의 유기막(330)과 적어도 하나의 무기막(310, 320)을 구비할 수 있다. 적어도 하나의 유기막(330)과 적어도 하나의 무기막(310, 320)은 서로 교번적으로 적층될 수 있다. 도 2에서는, 박막 봉지층(300)이 두 개의 무기막(310, 320)과 한 개의 유기막(330)을 포함하는 예를 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한하지 않는다. 즉, 박막 봉지층(300)은 교대로 배치된 복수 개의 추가적인 무기막 및 유기막을 더 포함할 수 있으며, 무기막 및 유기막의 적층 횟수는 제한되지 않는다.The thin film encapsulation layer 300 may include at least one organic layer 330 and at least one inorganic layer 310 and 320. The at least one organic film 330 and the at least one inorganic film 310, 320 may be alternately stacked. 2, the thin film encapsulation layer 300 includes two inorganic films 310 and 320 and one organic film 330, but the present invention is not limited thereto. That is, the thin film encapsulation layer 300 may further include a plurality of additional inorganic films and organic films alternately arranged, and the number of lamination of the inorganic film and the organic film is not limited.

무기막들(310, 320)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물(SiON)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.The inorganic films 310 and 320 are made of silicon nitride, aluminum nitride, zirconium nitride, titanium nitride, hafnium nitride, tantalum nitride, silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide, tin oxide, cerium oxide and silicon oxynitride Lt; RTI ID = 0.0 > a < / RTI >

유기막(330)은 화소 정의막(219)에 의한 단차를 평탄화하며, 무기막들(312,314)에 발생한 스트레스를 완화시킬 수 있다. 유기막(330)은 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 폴리스티렌(PS), 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드, 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다.The organic film 330 may flatten the level difference caused by the pixel defining layer 219 and may alleviate the stress generated in the inorganic films 312 and 314. The organic film 330 may include polymethylmethacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), polystyrene (PS), acrylic resin, epoxy resin, polyimide, and polyethylene.

한편, 도면에 도시하지는 않았지만, 무기막들(310, 320)은 유기막(330) 보다 더 큰 면적을 가지도록 형성될 수 있다. 따라서, 유기막(330)의 외곽에서 무기막들(310, 320)은 서로 접할 수 있고, 이에 의해 외부의 산소 또는 수분의 침투를 더욱 효과적으로 방지할 수 있다.Although not shown in the drawing, the inorganic films 310 and 320 may be formed to have a larger area than the organic film 330. Accordingly, the inorganic films 310 and 320 can be in contact with each other at the outer periphery of the organic film 330, thereby more effectively preventing the penetration of oxygen or moisture from the outside.

도 4는 도 1의 디스플레이 장치의 기판의 다른 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view schematically showing another example of the substrate of the display device of FIG.

도 4를 참조하면, 기판(100B)은 소다라임 글라스 기판(110), 차단층(120) 및 포집층(130)을 포함할 수 있다. 소다라임 글라스 기판(110)은 도 3에서 도시하고 설명한 바와 동일하므로 반복하여 설명하지 않는다.Referring to FIG. 4, the substrate 100B may include a soda lime glass substrate 110, a barrier layer 120, and a trapping layer 130. Referring to FIG. Since the soda lime glass substrate 110 is the same as that shown and described in Fig. 3, it is not described repeatedly.

차단층(120)은 도 3의 제1 차단층(도 3의 122) 또는 제2 차단층(도 3의 124)과 동일한 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 즉, 차단층(120)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드 및 실리콘 옥시나이트라이드 중 적어도 어느 하나를 포함하며, 표시부(도 1의 200)의 제조 공정 중 소다라임 글라스 기판(110)으로부터 알칼리 이온이 표시부(도 1의 200)로 확산되는 것을 차단할 수 있다. 차단층(120)은 도 3의 제1 차단층(도 3의 122) 또는 제2 차단층(도 3의 124)에 비해 더 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 일 예로, 차단층(120)은 200㎚ 내지 400㎚의 두께를 가질 수 있다.The barrier layer 120 may be formed of the same material as the first barrier layer 122 of FIG. 3 (122 of FIG. 3) or the second barrier layer (124 of FIG. 3). That is, the barrier layer 120 includes at least one of silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride, and alkali ions from the soda lime glass substrate 110 during the manufacturing process of the display portion 200 (200 in Fig. 1). The barrier layer 120 may have a greater thickness than the first barrier layer 122 of FIG. 3 (122 of FIG. 3) or the second barrier layer (124 of FIG. 3). In one example, the barrier layer 120 may have a thickness of 200 nm to 400 nm.

포집층(130)은 알칼리 이온과 결합할 수 있는 자유 전자, 알칼리 이온이 결합될 수 있는 사이트, 또는 국부적인 전기적 편향을 초래하는 결함 등을 포함하는 비정질 실리콘 또는 마이크로결정질 실리콘으로 형성될 수 있다. 따라서, 알칼리 이온은 포집층(130) 내에서 자유전자 또는 댕글링 본드와 결합하거나, 또는 포집층(130)에서 국부적으로 음의 전위가 강해진 영역에 의해 포획될 수 있다.The trapping layer 130 may be formed of amorphous silicon or microcrystalline silicon including free electrons capable of binding to alkali ions, sites where alkali ions can be bonded, or defects causing local electrical deflection. Thus, the alkali ions can be captured by free electrons or dangling bonds in the capture layer 130, or by regions where the negative negative potential is locally stronger in the capture layer 130.

이와 같은 포집층(130)은 300Å 내지 1000Å의 두께를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. Such a trapping layer 130 may have a thickness of 300 ANGSTROM to 1000 ANGSTROM, but is not limited thereto.

한편, 도 4에서는 차단층(120)이 소다라임 글라스 기판(110)과 포집층(130) 사이에 배치된 예를 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한하지 않으며 소다라임 글라스 기판(110) 상에는 포집층(130)과 차단층(120)이 순차적으로 적층될 수도 있다. 즉, 도 4의 기판(100B)은 포집층(130)과 하나의 차단층(120)을 포함함으로써, 기판(100B)의 두께를 얇게 구성할 수 있다.4 illustrates an example in which the barrier layer 120 is disposed between the sodalime glass substrate 110 and the trapping layer 130. The present invention is not limited to this example, The layer 130 and the barrier layer 120 may be sequentially stacked. That is, the substrate 100B of FIG. 4 includes the trapping layer 130 and the single barrier layer 120, so that the thickness of the substrate 100B can be reduced.

이상에서는 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the invention has been shown and described with reference to certain embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

Claims

Board;
A display unit on the substrate; And
And a thin film encapsulating layer sealing the display portion,
Wherein:
Soda lime glass substrate;
A first barrier layer located on the soda lime glass substrate and blocking diffusion of alkali ions from the soda lime glass substrate to the display unit;
A trapping layer located on the first blocking layer and capturing the alkali ions; And
And a second blocking layer which is located on the trapping layer and blocks the diffusion of the alkali ions into the display portion.

The method according to claim 1,
Wherein the trapping layer comprises amorphous silicon or microcrystalline silicon.

3. The method of claim 2,
Wherein the microcrystalline silicon or the microcrystalline silicon contains a pentavalent atom as an impurity.

3. The method of claim 2,
Wherein the microcrystalline silicon or the microcrystalline silicon comprises a dangling bond.

3. The method of claim 2,
Wherein the alkaline ion is combined with the dangling bond.

3. The method of claim 2,
Wherein the microcrystalline silicon or the amorphous silicon comprises an inert gas.

The method according to claim 6,
Wherein the inert gas comprises at least one of argon, krypton, and xenon.

The method according to claim 1,
Wherein the thin film encapsulation layer comprises at least one inorganic film and at least one organic film.

The method according to claim 1,
Wherein the display section includes a thin film transistor and a display element electrically connected to the thin film transistor,
Wherein the display element includes a first electrode, a second electrode, and an intermediate layer disposed between the first electrode and the second electrode and having an organic light emitting layer.

A substrate having at least a soda lime glass substrate and a collecting layer on the soda lime glass substrate;
A display unit on the substrate; And
And a thin film encapsulating layer sealing the display portion,
Wherein the trapping layer comprises amorphous silicon or microcrystalline silicon,
Wherein the trapping layer captures alkaline ions eluted from the soda lime glass substrate.

11. The method of claim 10,
Wherein the microcrystalline silicon or the microcrystalline silicon contains a pentavalent atom as an impurity.

11. The method of claim 10,
Wherein the microcrystalline silicon or the microcrystalline silicon comprises a dangling bond.

11. The method of claim 10,
Wherein the alkaline ion is combined with the dangling bond.

11. The method of claim 10,
Wherein the microcrystalline silicon or the amorphous silicon comprises an inert gas.

15. The method of claim 14,
Wherein the inert gas comprises at least one of argon, krypton, and xenon.

15. The method of claim 14,
Wherein the trapping layer contains the inert gas at 10 ¹⁹ atom / cm 3 to 5 10 ²⁰ atom / cm 3.

11. The method of claim 10,
And a blocking layer interposed between the sodalime glass substrate and the trapping layer and between the trapping layer and the display unit for blocking diffusion of the alkali ions.

18. The method of claim 17,
Wherein the barrier layer comprises at least one of silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride.

11. The method of claim 10,
Wherein the thin film encapsulation layer comprises at least one inorganic film and at least one organic film.

11. The method of claim 10,
Wherein the display section includes a thin film transistor and a display element electrically connected to the thin film transistor,
Wherein the display element includes a first electrode, a second electrode, and an intermediate layer disposed between the first electrode and the second electrode and having an organic light emitting layer.