KR100752369B1 - organic light-emitting device having a low-reflective electrode - Google Patents

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Abstract

유기전계발광표시장치를 제공한다. 상기 유기전계발광표시장치는 투명전극, 저반사막을 구비하는 저반사전극 및 상기 투명전극과 상기 저반사전극 사이에 개재되고, 발광층을 갖는 유기기능막을 포함한다. 이로써, 편광판을 사용하지 않으면서도 반사전극의 외광반사율을 효과적으로 감소시킬 수 있다. 상기 저반사막은 불순물이 도핑된 비정질 실리콘막일 수 있다. An organic light emitting display device is provided. The organic light emitting display device includes a transparent electrode, a low reflection electrode having a low reflection film, and an organic functional film interposed between the transparent electrode and the low reflection electrode and having a light emitting layer. Thereby, the external light reflectivity of the reflective electrode can be effectively reduced without using a polarizing plate. The low reflection film may be an amorphous silicon film doped with impurities.

유기전계발광표시장치, 저반사전극, 외광반사OLED display device, low reflection electrode, external light reflection

Description

저반사전극을 구비하는 유기전계발광표시장치{organic light-emitting device having a low-reflective electrode}Organic light-emitting display device having a low reflection electrode

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention.

도 2은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same according to another embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same according to another embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same according to another embodiment of the present invention.

(도면의 주요 부위에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for main parts of drawing)

100, 200, 300 : 기판 T : 박막트랜지스터100, 200, 300: substrate T: thin film transistor

150, 250, 377 : 투명전극 Re1, Re2, Re3 : 반사전극150, 250, 377: transparent electrode Re1, Re2, Re3: reflective electrode

173, 273, 347 : 저반사막 175, 275 : 보조전극173, 273, 347: low reflection film 175, 275: auxiliary electrode

271, 351 : 투명도전막271, 351: transparent conductive film

본 발명은 유기전계발광표시장치에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 반사전극을 구비하는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to an organic light emitting display device having a reflective electrode.

일반적인 유기전계발광표시장치는 애노드, 상기 애노드 상에 위치하는 유기발광층 및 상기 유기발광층 상에 위치하는 캐소드를 포함한다. 상기 유기전계발광표시장치에 있어서, 상기 애노드와 상기 캐소드 간에 전압을 인가하면 정공은 상기 애노드로부터 상기 유기발광층 내로 주입되고, 전자는 상기 캐소드로부터 상기 유기발광층내로 주입된다. 상기 유기발광층 내로 주입된 정공과 전자는 상기 유기발광층에서 결합하여 엑시톤(exiton)을 생성하고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 전이하면서 빛을 방출하게 된다.A general organic light emitting display device includes an anode, an organic light emitting layer disposed on the anode, and a cathode located on the organic light emitting layer. In the organic light emitting display device, when a voltage is applied between the anode and the cathode, holes are injected into the organic light emitting layer from the anode, and electrons are injected into the organic light emitting layer from the cathode. Holes and electrons injected into the organic light emitting layer combine in the organic light emitting layer to generate excitons, and the excitons emit light while transitioning from the excited state to the ground state.

이러한 유기전계발광표시장치에 있어서, 상기 애노드와 상기 캐소드 중 어느 하나는 반사전극이고, 나머지 하나는 투명전극일 수 있다. 이로써, 상기 유기전계발광표시장치가 구동할 때, 상기 유기발광층으로부터 발광되는 빛은 상기 반사전극에서 반사되고, 상기 투명전극을 투과하여 외부로 방출될 수 있다.In the organic light emitting display device, one of the anode and the cathode may be a reflective electrode, and the other may be a transparent electrode. Thus, when the organic light emitting display device is driven, light emitted from the organic light emitting layer may be reflected by the reflective electrode, and may be emitted to the outside through the transparent electrode.

이러한 반사전극은 일반적으로 반사율이 60% 이상인 금속으로 이루어지는데, 조도가 높은 환경에서는 상기 소자가 오프 상태에서도 외광이 상기 반사전극 표면에서의 반사될 수 있다. 일반적으로 소자의 온/오프(on/off) 상태에서의 휘도비를 콘트라스트 비(contrast ratio)라고 하는데, 오프 상태에서의 휘도는 외광에 대한 소자의 반사율에 의해 결정된다. 따라서, 상술한 바와 같이 반사전극을 구비하는 유기전계발광표시장치의 콘트라스트 비는 저하될 수 있다.The reflective electrode is generally made of a metal having a reflectance of 60% or more. In an environment with high illumination, external light may be reflected on the surface of the reflective electrode even when the device is turned off. In general, the luminance ratio in the on / off state of the device is called a contrast ratio, and the luminance in the off state is determined by the reflectance of the device to external light. Therefore, as described above, the contrast ratio of the organic light emitting display device having the reflective electrode may be reduced.

이를 해결하기 위해, 유기전계발광표시장치가 외부환경와 만나는 면에 편광판(polarizing plate)을 형성할 수 있는데, 이러한 편광판은 수명이 짧고 고가의 재료비가 드는 단점이 있다.In order to solve this problem, a polarizing plate may be formed on a surface where the organic light emitting display device meets an external environment. Such a polarizing plate has a short lifespan and an expensive material cost.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 편광판을 사용하지 않으면서도 콘트라스트 비가 개선된 유기전계발광표시장치를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to solve the problems of the prior art, and to provide an organic light emitting display device having an improved contrast ratio without using a polarizing plate.

상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 유기전계발광표시장치를 제공한다. 상기 유기전계발광표시장치는 투명전극 또는 광투과전극; 및 저반사전극을 구비한다. 상기 저반사전극은 저반사막을 구비한다. 상기 투명전극 또는 상기 광투과전극과 상기 저반사전극 사이에 발광층을 갖는 유기기능막이 개재된다. 이로써, 편광판을 사용하지 않으면서도 반사전극의 외광반사율을 효과적으로 감소시킬 수 있다. 상기 저반사막은 불순물이 도핑된 비정질 실리콘막일 수 있다.In order to achieve the above technical problem, the present invention provides an organic light emitting display device. The organic light emitting display device may include a transparent electrode or a light transmitting electrode; And a low reflection electrode. The low reflection electrode has a low reflection film. An organic functional film having a light emitting layer is interposed between the transparent electrode or the light transmitting electrode and the low reflection electrode. Thereby, the external light reflectivity of the reflective electrode can be effectively reduced without using a polarizing plate. The low reflection film may be an amorphous silicon film doped with impurities.

상기 저반사전극은 보조전극을 더욱 구비하고, 상기 저반사막은 상기 유기기능막과 상기 보조전극 사이에 개재될 수 있다. 상기 보조전극으로 인해 상기 반사전극의 면저항은 감소될 수 있다. 따라서, 상기 보조전극은 반사율이 비교적 낮으면서도 상기 저반사막에 비해 전도성이 뛰어난 Cr,Mo, MoW 및 Ti과 같은 금속이 바람직하다.The low reflection electrode may further include an auxiliary electrode, and the low reflection layer may be interposed between the organic functional layer and the auxiliary electrode. Due to the auxiliary electrode, the sheet resistance of the reflective electrode may be reduced. Therefore, the auxiliary electrode is preferably metal, such as Cr, Mo, MoW and Ti, which has a relatively low reflectance and excellent conductivity compared to the low reflection film.

상기 저반사전극은 상기 유기기능막과 상기 저반사막 사이에 개재된 전하주 입성 도전막을 더욱 구비할 수 있다. 상기 전하주입성 도전막은 상기 유기기능막에 인접하므로 상기 유기기능막으로의 정공 또는 전자의 주입을 용이하게 할 수 있는 물질로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 전하주입성 도전막은 전자주입능력이 우수한 막 즉, 전자주입성 도전막일 수 있다. 이 경우, 상기 전하주입성 도전막은 Li, Mg, Ca, Ba, Ag 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속막일 수 있다. 또는, 상기 전하주입성 도전막은 정공주입능력이 뛰어난 막 즉, 정공주입성 도전막일 수 있다. 이 경우, 상기 정공주입성 도전막은 ITO막 또는 IZO막일 수 있다.The low reflection electrode may further include a charge injection conductive layer interposed between the organic functional layer and the low reflection layer. Since the charge injection conductive film is adjacent to the organic functional film, the charge injection conductive film is preferably formed of a material which can facilitate the injection of holes or electrons into the organic functional film. The charge injection conductive film may be a film having excellent electron injection ability, that is, an electron injection conductive film. In this case, the charge injection conductive film may be at least one metal film selected from the group consisting of Li, Mg, Ca, Ba, Ag, and alloys thereof. Alternatively, the charge injection conductive film may be a film having excellent hole injection ability, that is, a hole injection conductive film. In this case, the hole injection conductive film may be an ITO film or an IZO film.

이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 도면들에 있어서, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소를 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to describe the present invention in more detail. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. In the figures, where a layer is said to be "on" another layer or substrate, it may be formed directly on the other layer or substrate, or a third layer may be interposed therebetween. Like numbers refer to like elements throughout the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판(100) 상에 버퍼층(105)을 형성할 수 있다. 상기 기판(100)은 투명한 기판으로서, 유리, 플라스틱 또는 석영기판일 수 있다. 상기 버퍼층(105)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산질화막 또는 이들의 다중층일 수 있다.Referring to FIG. 1, a buffer layer 105 may be formed on a substrate 100. The substrate 100 is a transparent substrate, and may be a glass, plastic, or quartz substrate. The buffer layer 105 may be a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a multilayer thereof.

상기 버퍼층(105) 상에 반도체층(110)을 형성한다. 상기 반도체층(110)은 비정질 실리콘막 또는 비정질 실리콘막을 결정화한 다결정 실리콘막일 수 있다. 상기 반도체층(110) 상에 게이트 절연막(115)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(115)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산질화막 또는 이들의 다중층일 수 있다.The semiconductor layer 110 is formed on the buffer layer 105. The semiconductor layer 110 may be an amorphous silicon film or a polycrystalline silicon film obtained by crystallizing an amorphous silicon film. A gate insulating layer 115 is formed on the semiconductor layer 110. The gate insulating film 115 may be a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a multilayer thereof.

상기 게이트 절연막(115) 상에 상기 반도체층(110)과 중첩하는 게이트 전극(120)을 형성하고, 상기 게이트 전극(120) 및 상기 반도체층(110) 상에 제 1 층간절연막(125)을 형성한다. 상기 제 1 층간절연막(125) 내에 상기 반도체층(110)의 양 단부들을 각각 노출시키는 콘택홀들을 형성한다. 상기 콘택홀들이 형성된 기판 상에 도전막을 적층한 후, 이를 패터닝하여 상기 노출된 반도체층(110)의 양 단부들에 각각 접하는 소오스 전극(131) 과 드레인 전극(132)을 형성한다. 상기 반도체층(110), 상기 게이트 전극(120), 상기 소오스 전극(131) 및 상기 드레인 전극(132)은 박막트랜지스터(T)를 형성한다.A gate electrode 120 overlapping with the semiconductor layer 110 is formed on the gate insulating layer 115, and a first interlayer insulating layer 125 is formed on the gate electrode 120 and the semiconductor layer 110. do. Contact holes are formed in the first interlayer insulating layer 125 to expose both ends of the semiconductor layer 110, respectively. The conductive layer is stacked on the substrate on which the contact holes are formed, and then patterned to form a source electrode 131 and a drain electrode 132 that are in contact with both ends of the exposed semiconductor layer 110, respectively. The semiconductor layer 110, the gate electrode 120, the source electrode 131, and the drain electrode 132 form a thin film transistor T.

상기 소오스/드레인 전극들(131, 132) 상에 제 2 층간절연막(140)을 형성한다. 상기 제 2 층간절연막(140)은 패시베이션막, 평탄화막 또는 이들의 이중층일 수 있다. 상기 패시베이션막은 기체 및 수분을 효과적으로 차단할 수 있는 막으로 실리콘 질화막인 것이 바람직하다. 상기 평탄화막은 하부 단차를 완화할 수 있는 막으로 BCB(benzocyclobutene)막, 폴리이미드막 또는 폴리아크릴막일 수 있다.A second interlayer insulating layer 140 is formed on the source / drain electrodes 131 and 132. The second interlayer insulating film 140 may be a passivation film, a planarization film, or a double layer thereof. The passivation film is a silicon nitride film that can effectively block gas and moisture. The planarization film may be a benzocyclobutene (BCB) film, a polyimide film, or a polyacrylic film as a film that can alleviate lower steps.

상기 제 2 층간절연막(140) 내에 상기 드레인 전극(132)을 노출시키는 비아홀(140a)을 형성한다. 이어서, 상기 비아홀(140a) 내에 노출된 드레인 전극(132)에 접속하는 광투과전극(150)을 형성한다. 광투과전극이라함은 광을 투과시킬 수 있는 전극을 의미한다. 상기 광투과전극(150)은 애노드일 수 있으며, 이 경우, 상기 광투과전극(150)은 투명전극(150)일 수 있다. 상기 투명전극(150)은 ITO (Indium Tin Oxide)막 또는 IZO (Indium Zinc Oxide)막일 수 있다.A via hole 140a is formed in the second interlayer insulating layer 140 to expose the drain electrode 132. Subsequently, a light transmitting electrode 150 connected to the drain electrode 132 exposed in the via hole 140a is formed. The light transmissive electrode means an electrode capable of transmitting light. The light transmitting electrode 150 may be an anode. In this case, the light transmitting electrode 150 may be a transparent electrode 150. The transparent electrode 150 may be an indium tin oxide (ITO) film or an indium zinc oxide (IZO) film.

상기 투명전극(150) 상에 상기 투명전극(150)의 적어도 일부영역을 노출시키는 개구부(155a)를 갖는 화소정의막(pixel defining layer; 155)을 형성할 수 있다. 상기 개구부(155a)에 의해 유기전계발광표시장치의 발광영역이 정의된다. 상기 화소정의막(155)은 BCB(benzocyclobutene), 아크릴계 포토레지스트, 페놀계 포토레지스트, 이미드계 포토레지스트로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질을 사용하여 형성할 수 있다.A pixel defining layer 155 having an opening 155a exposing at least a portion of the transparent electrode 150 may be formed on the transparent electrode 150. The light emitting area of the organic light emitting display device is defined by the opening 155a. The pixel definition layer 155 may be formed using one material selected from the group consisting of benzocyclobutene (BCB), acrylic photoresist, phenolic photoresist, and imide photoresist.

상기 노출된 투명전극(150) 상에 적어도 발광층을 구비하는 유기기능막(160)을 형성한다. 상기 유기기능막(160)은 상기 발광층의 상부 또는 하부에 위치하는 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 층을 더 구비하도록 형성될 수 있다.An organic functional layer 160 including at least a light emitting layer is formed on the exposed transparent electrode 150. The organic functional layer 160 may be formed to further include at least one layer selected from the group consisting of a hole injection layer, a hole transport layer, a hole suppression layer, an electron transport layer, and an electron injection layer positioned above or below the light emitting layer. Can be.

상기 유기기능막(160) 상에 저반사막(173)을 형성한다. 이어서, 상기 저반사막(173) 상에 보조전극(175)을 형성한다. 즉, 상기 저반사막(173)은 상기 유기기능막(160)과 상기 보조전극(175) 사이에 개재된다. 상기 저반사막(173)과 상기 보조전극(175)은 저반사전극(Re1)을 형성한다. 상기 저반사막(173)은 일반적인 반사전극으로 사용되는 알루미늄막에 비해 반사율이 낮은 막으로, 불순물이 도핑된 비정질 실리콘막일 수 있다. 불순물이 도핑된 비정질 실리콘막은 도전성을 띄면서도 광 투과율이 낮아 캐소드 겸 광흡수층으로 사용하기에 적합하다. 상기 불순물이 도핑된 비정질 실리콘막은 예를 들어, SiH4, H2 및 PH3 가스를 반응가스로 한 화학기상증착(chemical vapour deposition)법을 사용하여 형성할 수 있다.The low reflection film 173 is formed on the organic functional film 160. Subsequently, an auxiliary electrode 175 is formed on the low reflection film 173. That is, the low reflection film 173 is interposed between the organic functional film 160 and the auxiliary electrode 175. The low reflection film 173 and the auxiliary electrode 175 form a low reflection electrode Re1. The low reflection film 173 is a film having a lower reflectance than an aluminum film used as a general reflective electrode, and may be an amorphous silicon film doped with impurities. The amorphous silicon film doped with impurities has low conductivity and low light transmittance and is suitable for use as a cathode and light absorbing layer. The amorphous silicon film doped with the impurity may be formed using, for example, a chemical vapor deposition method using SiH 4, H 2, and PH 3 gas as a reaction gas.

상기 저반사전극(Re1)은 캐소드일 수 있다. 이 경우, 상기 불순물은 인(phosphorous) 또는 비소(arsenic)일 수 있다. 상기 불순물이 도핑된 비정질 실리콘막인 저반사막(173)은 상기 유기기능막(160)에 용이하게 전자를 주입할 수 있도록 적절한 일함수를 갖는 것이 바람직하다. 이를 위해 도핑된 불순물의 농도는 1x1019 atoms/cm3 내지 9x1021 atoms/cm3일 수 있다. 상기 보조전극(175)은 상기 저반사막(173)에 비해 전도성이 뛰어난 물질로 형성하여 상기 저반사전극(Re1)의 면저항을 감소시키는 역할을 한다. 바람직하게는 상기 보조전극(175)은 반사율이 상대적으로 낮으면서도 전도성이 뛰어난 Cr, Mo, MoW 및 Ti와 같은 금속막인 것이 바람직하다.The low reflection electrode Re1 may be a cathode. In this case, the impurities may be phosphorous or arsenic. The low reflection film 173, which is an amorphous silicon film doped with the impurity, preferably has an appropriate work function to easily inject electrons into the organic functional film 160. The concentration of doped impurities for this purpose is 1x10 19 atoms / cm 3 To 9x10 21 atoms / cm 3 . The auxiliary electrode 175 is formed of a material having a higher conductivity than the low reflection film 173, thereby reducing the sheet resistance of the low reflection electrode Re1. Preferably, the auxiliary electrode 175 is preferably a metal film such as Cr, Mo, MoW, and Ti having relatively low reflectance and excellent conductivity.

상기 투명전극(150), 상기 유기기능막(160), 상기 저반사전극(Re1)은 유기전계발광다이오드를 형성한다. 이러한 다이오드가 온(on) 상태에 있는 경우, 상기 발광층에서 발광된 빛은 상기 저반사막(173)에 의해 반사되어 상기 투명전극(150)을 투과하여 외부로 방출될 수 있다. 이 때, 상기 저반사막(173)으로 인해 휘도의 감소를 초래할 수 있으나, 편광판을 형성하는 경우에 비해 휘도의 감소정도가 크지 않다. 또한, 다이오드가 오프(off) 상태에 있는 경우, 외부환경으로부터 들어오는 외광은 상기 저반사막(173)으로 인해 반사율이 저하된다. 따라서, 편광판을 사용하 지 않으면서도 효과적으로 외광반사율을 저하시킬 수 있고, 콘트라스트 비를 증가시킬 수 있다.The transparent electrode 150, the organic functional layer 160, and the low reflection electrode Re1 form an organic light emitting diode. When the diode is in an on state, the light emitted from the light emitting layer may be reflected by the low reflection film 173 to pass through the transparent electrode 150 and be emitted to the outside. At this time, the low reflection film 173 may cause a decrease in brightness, but the degree of decrease in brightness is not large compared with the case of forming a polarizing plate. In addition, when the diode is in the off state, the external light coming from the external environment has a low reflectance due to the low reflection film 173. Therefore, the external light reflectance can be effectively lowered without using a polarizing plate, and the contrast ratio can be increased.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다. 본 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 후술하는 것을 제외하고는 도 1을 참조하여 설명한 유기전계발광표시장치와 동일할 수 있다.2 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same according to another embodiment of the present invention. The organic light emitting display device according to the present exemplary embodiment may be the same as the organic light emitting display device described with reference to FIG. 1 except for the following description.

도 2를 참조하면, 기판(200) 상에 버퍼층(205), 반도체층(210), 게이트 절연막(215), 게이트 전극(220), 제 1 층간절연막(225), 소오스 전극(231), 드레인 전극(232), 비아홀(240a)을 구비하는 제 2 층간절연막(240), 상기 비아홀(240a) 내에 노출된 드레인 전극(232)에 접속하는 투명전극(250), 개구부(255a)를 갖는 화소정의막(255) 및 상기 개구부(255a) 내에 노출된 투명전극(250) 상에 적어도 발광층을 구비하는 유기기능막(260)을 형성한다.2, a buffer layer 205, a semiconductor layer 210, a gate insulating film 215, a gate electrode 220, a first interlayer insulating film 225, a source electrode 231, and a drain are disposed on a substrate 200. A pixel definition having an electrode 232, a second interlayer insulating film 240 having a via hole 240a, a transparent electrode 250 connected to a drain electrode 232 exposed in the via hole 240a, and an opening 255a. An organic functional film 260 including at least a light emitting layer is formed on the film 255 and the transparent electrode 250 exposed in the opening 255a.

상기 유기기능막(260) 상에 전하주입성 도전막 자세하게는, 전자주입성 도전막(271)을 형성하고, 상기 전자주입성 도전막(271) 상에 저반사막(273)을 형성한 후, 상기 저반사막(273) 상에 보조전극(275)을 형성한다. 그 결과, 상기 저반사막(273)은 상기 유기기능막(260)과 상기 보조전극(275) 사이에 개재되고, 상기 전자주입성 도전막(271)은 상기 저반사막(273)과 상기 유기기능막(260) 사이에 개재된다. 이러한 전자주입성 도전막(271), 저반사막(273) 및 보조전극(275)은 저반사전극(Re2)을 구성한다.After the charge injection conductive film 271 is formed on the organic functional film 260, an electron injection conductive film 271 is formed, and the low reflection film 273 is formed on the electron injection conductive film 271. An auxiliary electrode 275 is formed on the low reflection film 273. As a result, the low reflection film 273 is interposed between the organic functional film 260 and the auxiliary electrode 275, and the electron injection conductive film 271 is formed of the low reflection film 273 and the organic functional film. Interposed between 260. The electron injection conductive film 271, the low reflection film 273, and the auxiliary electrode 275 form a low reflection electrode Re2.

본 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 도 1을 참조하여 설명한 유기전계발광표시장치에 비해 상기 전자주입성 도전막(271)을 더 포함한다. 상기 전자주입성 도전막(271)은 상기 저반사막(273)에 비해 상기 유기기능막(260)으로의 전자주입능력이 더욱 우수한 막으로 Li, Mg, Ca, Ba, Ag 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 다수개의 물질로 이루어지는 금속막일 수 있다. 이 경우, 상기 전자주입성 도전막(271)은 적절한 광의 투과율을 가질 수 있도록 0Å을 초과하고 100Å 이하의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 상기 전자주입성 도전막(271)은 50Å 이하의 두께를 갖는다.The organic light emitting display device according to the present exemplary embodiment further includes the electron injection conductive film 271 as compared to the organic light emitting display device described with reference to FIG. 1. The electron injection conductive layer 271 is a film having a higher electron injection ability to the organic functional layer 260 than the low reflection layer 273 and is made of Li, Mg, Ca, Ba, Ag, and alloys thereof. It may be a metal film made of one or a plurality of materials selected from the group. In this case, the electron injection conductive film 271 preferably has a thickness of more than 0 GPa and less than or equal to 100 GPa so as to have an appropriate light transmittance. More preferably, the electron injection conductive film 271 has a thickness of 50 kPa or less.

도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다. 본 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 후술하는 것을 제외하고는 도 1을 참조하여 설명한 유기전계발광표시장치와 동일할 수 있다.3 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same according to another embodiment of the present invention. The organic light emitting display device according to the present exemplary embodiment may be the same as the organic light emitting display device described with reference to FIG. 1 except for the following description.

도 3을 참조하면, 기판(300) 상에 버퍼층(305), 반도체층(310), 게이트 절연막(315), 게이트 전극(320), 제 1 층간절연막(325), 소오스 전극(331), 드레인 전극(332) 및 비아홀(340a)을 구비하는 제 2 층간절연막(340)을 형성한다. 상기 기판(300)은 불투명한 기판으로서, 유리, 플라스틱, 석영 또는 실리콘 기판일 수 있다.Referring to FIG. 3, a buffer layer 305, a semiconductor layer 310, a gate insulating layer 315, a gate electrode 320, a first interlayer insulating layer 325, a source electrode 331, and a drain are disposed on a substrate 300. A second interlayer insulating film 340 having an electrode 332 and a via hole 340a is formed. The substrate 300 is an opaque substrate, and may be a glass, plastic, quartz, or silicon substrate.

상기 비아홀(340a)을 구비하는 제 2 층간절연막(340) 상의 소정영역에 저반사막(347)을 형성한다. 상기 저반사막(347)은 일반적인 반사전극으로 사용되는 알루미늄막에 비해 반사율이 낮은 막으로, 불순물이 도핑된 비정질 실리콘막일 수 있다. 상기 저반사막(347)이 비교적 낮은 면저항을 가질 수 있도록 상기 불순물은 P형 불순물 보다는 n형 불순물인 인(phosphorus) 일 수 있다. 나아가, 상기 저반사 막(347)이 적절한 면저항을 갖기 위해 도핑된 불순물의 농도는 1x1019 atoms/cm3 내지 9x1021 atoms/cm3일 수 있다. 상기 불순물이 도핑된 비정질 실리콘막은 예를 들어, SiH4, H2 및 PH3 가스를 반응가스로 한 화학기상증착(chemical vapour deposition)법을 사용하여 형성할 수 있다. 바람직하게는 상기 저반사막(347)은 상기 비아홀(340a)과 이격되어 위치하도록 형성한다.The low reflection film 347 is formed in a predetermined region on the second interlayer insulating film 340 having the via hole 340a. The low reflection film 347 is a film having a lower reflectance than an aluminum film used as a general reflective electrode, and may be an amorphous silicon film doped with impurities. The impurity may be phosphorus, which is an n-type impurity rather than a P-type impurity, so that the low reflection film 347 may have a relatively low sheet resistance. In addition, the concentration of the doped impurities in the low reflection film 347 may have 1x10 19 atoms / cm 3 to 9x10 21 atoms / cm 3 . The amorphous silicon film doped with the impurity may be formed using, for example, a chemical vapor deposition method using SiH 4, H 2, and PH 3 gas as a reaction gas. Preferably, the low reflection film 347 is formed to be spaced apart from the via hole 340a.

상기 저반사막(347) 상에 전하주입성 도전막(351)을 형성한다. 상기 전하주입성 도전막(351)은 상기 저반사막(347)을 덮고 연장되어, 상기 비아홀(340a) 내에 노출된 상기 드레인 전극(332)에 접속한다. 이와 같이, 상기 저반사막(347)을 상기 비아홀(340a)에 이격되도록 형성하고, 상기 전하주입성 도전막(351)을 상기 비아홀(340a) 내에 노출된 상기 드레인 전극(332)과 직접 콘택되도록 형성함으로써, 상기 드레인 전극(332)과 상기 전하주입성 도전막(351) 간의 콘택저항을 감소시킬 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 전하주입성 도전막(351) 하부 전체에 상기 저반사막(347)을 위치하도록 형성할 수도 있다. 이 경우, 상기 저반사막(347)과 상기 전하주입성 도전막(351)은 하나의 패터닝 공정을 통해 형성될 수 있다.A charge injection conductive film 351 is formed on the low reflection film 347. The charge injection conductive layer 351 extends to cover the low reflection layer 347 and is connected to the drain electrode 332 exposed in the via hole 340a. As such, the low reflection film 347 is formed to be spaced apart from the via hole 340a, and the charge injection conductive film 351 is formed to be in direct contact with the drain electrode 332 exposed in the via hole 340a. As a result, contact resistance between the drain electrode 332 and the charge injection conductive layer 351 may be reduced. However, the present invention is not limited thereto, and as illustrated in FIG. 4, the low reflection film 347 may be formed on the entire lower portion of the charge injection conductive film 351. In this case, the low reflection film 347 and the charge injection conductive film 351 may be formed through one patterning process.

상기 저반사막(347) 및 상기 전하주입성 도전막(351)은 저반사전극(Re3)을 형성한다. 상기 저반사전극(Re3)은 애노드 일 수 있다. 따라서, 상기 전하주입성 도전막(351)은 후술하는 유기기능막으로의 정공의 주입을 용이하게 하기 위해 일함수가 높은 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 상기 전하주입성 도전막(351)은 정공주입성 도전막(351)인 것이 바람직하다. 바람직하게는 상기 정공주입성 도전막(351)은 ITO (Indium Tin Oxide)막 또는 IZO (Indium Zinc Oxide)막일 수 있다. The low reflection film 347 and the charge injection conductive film 351 form a low reflection electrode Re3. The low reflection electrode Re3 may be an anode. Therefore, the charge injection conductive film 351 is preferably formed of a material having a high work function to facilitate the injection of holes into the organic functional film described later. That is, the charge injection conductive film 351 is preferably a hole injection conductive film 351. Preferably, the hole injection conductive layer 351 may be an indium tin oxide (ITO) film or an indium zinc oxide (IZO) film.

상기 저반사전극(Re3) 상에 상기 저반사전극(Re3)의 적어도 일부영역을 노출시키는 개구부(355a)를 갖는 화소정의막(355)을 형성할 수 있다. 상기 노출된 저반사전극(Re3) 상에 적어도 발광층을 구비하는 유기기능막(360)을 형성한다.A pixel definition layer 355 may be formed on the low reflection electrode Re3 having an opening 355a exposing at least a partial region of the low reflection electrode Re3. An organic functional layer 360 including at least a light emitting layer is formed on the exposed low reflection electrode Re3.

상기 유기기능막(360) 상에 광투과전극(377)을 형성한다. 상기 광투과전극(377)은 캐소드일 수 있다. 따라서, 상기 광투과전극(377)은 상기 유기기능막(360)으로의 전자주입을 용이하게 하기 위해 일함수가 낮은 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 바람직하게는 상기 광투과전극(377)은 Li, Mg, Ca, Ba, Ag 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 다수개의 물질로 이루어지는 금속막일 수 있다. 이 경우, 상기 광투과전극(377)은 적절한 광의 투과율을 가질 수 있도록 0Å을 초과하고 100Å 이하의 두께를 갖는 것이 바람직하다.The light transmitting electrode 377 is formed on the organic functional layer 360. The light transmitting electrode 377 may be a cathode. Therefore, the light transmitting electrode 377 is preferably formed of a material having a low work function to facilitate the injection of electrons into the organic functional film 360. Preferably, the light transmitting electrode 377 is Li, Mg, Ca, Ba, It may be a metal film made of one or a plurality of materials selected from the group consisting of Ag and alloys thereof. In this case, it is preferable that the light transmitting electrode 377 has a thickness of more than 0 GPa and less than or equal to 100 GPa so as to have an appropriate light transmittance.

나아가, 상기 광투과전극(377)이 상기 유기기능막(360)과 인접하는 면과 반대되는 면 상에 보조도전막(378)을 더욱 형성할 수 있다. 상기 보조도전막(378)은 상기 얇은 두께를 갖는 광투과전극(377)을 보호하며, 또한 저항을 낮추는 역할을 한다.In addition, the auxiliary conductive layer 378 may be further formed on a surface opposite to the surface adjacent to the organic functional layer 360. The auxiliary conductive layer 378 protects the light transmitting electrode 377 having the thin thickness and also serves to lower the resistance.

상기 저반사전극(Re3), 상기 유기기능막(360) 및 상기 광투과전극(377)은 유기전계발광다이오드를 형성한다. 이러한 다이오드가 온(on) 상태에 있는 경우, 상기 발광층에서 발광된 빛은 상기 저반사막(347)에 의해 반사되어 상기 광투과전극(377)을 투과하여 외부로 방출될 수 있다. 이 때, 상기 저반사막(347)으로 인해 휘 도의 감소를 초래할 수 있으나, 편광판을 형성하는 경우에 비해 휘도의 감소정도가 크지 않다. 또한, 다이오드가 오프(off) 상태에 있는 경우, 외부환경으로부터 들어오는 외광은 상기 저반사막(347)으로 인해 반사율이 저하된다. 따라서, 편광판을 사용하지 않으면서도 효과적으로 외광반사율을 저하시킬 수 있고, 콘트라스트 비를 증가시킬 수 있다.The low reflection electrode Re3, the organic functional layer 360, and the light transmitting electrode 377 form an organic light emitting diode. When the diode is in an on state, the light emitted from the light emitting layer may be reflected by the low reflection film 347 and transmitted through the light transmitting electrode 377 to be emitted to the outside. In this case, the low reflection film 347 may cause a decrease in luminance, but the decrease in luminance is not large compared to the case of forming a polarizing plate. In addition, when the diode is in the off state, the external light coming from the external environment has a low reflectance due to the low reflection film 347. Therefore, the external light reflectance can be effectively lowered without using a polarizing plate, and the contrast ratio can be increased.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 편광판을 사용하지 않으면서도 저반사전극에서의 외광반사율을 효과적으로 감소시킬 수 있다. 따라서, 유기전계발광표시장치의 콘트라스트 비를 향상시킬 수 있다.As described above, according to the present invention, it is possible to effectively reduce the external light reflectance at the low reflection electrode without using the polarizing plate. Therefore, the contrast ratio of the organic light emitting display device can be improved.

Claims (32)

투명전극;Transparent electrode; 불순물이 도핑된 비정질 실리콘막을 구비하는 반사전극;A reflective electrode having an amorphous silicon film doped with impurities; 상기 투명전극과 상기 반사전극 사이에 개재되고, 발광층을 갖는 유기기능막을 포함하는 유기전계발광표시장치.And an organic functional film interposed between the transparent electrode and the reflective electrode and having a light emitting layer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반사전극은 캐소드인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And the reflective electrode is a cathode. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 불순물은 인(phosphorus) 인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The impurity is phosphorus (phosphorus) organic light emitting display device, characterized in that. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 불순물의 도즈는 1x1019 atoms/cm3 내지 9x1021 atoms/cm3인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The dose of the impurity is 1x10 19 atoms / cm 3 to 9x10 21 atoms / cm 3 . 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 반사전극은 보조전극을 구비하고,The reflective electrode has an auxiliary electrode, 상기 불순물이 도핑된 비정질 실리콘막은 상기 유기기능막과 상기 보조전극 사이에 개재된 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And the amorphous silicon film doped with the impurity is interposed between the organic functional film and the auxiliary electrode. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 보조전극은 Cr, Mo, MoW 및 Ti으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 금속막인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The auxiliary electrode is an organic light emitting display device, characterized in that one metal film selected from the group consisting of Cr, Mo, MoW and Ti. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 반사전극은 상기 유기기능막과 상기 불순물이 도핑된 비정질 실리콘막 사이에 개재된 전자주입성 도전막을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And the reflective electrode includes an electron injection conductive film interposed between the organic functional film and the amorphous silicon film doped with the impurity. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 전자주입성 도전막은 Li, Mg, Ca, Ba, Ag 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 다수개의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And the electron injection conductive film is made of one or more materials selected from the group consisting of Li, Mg, Ca, Ba, Ag, and alloys thereof. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 전자주입성 도전막의 두께는 0Å을 초과하고 100Å 이하인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And the thickness of the electron injection conductive film is greater than 0 m and less than or equal to 100 m 3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 투명전극은 ITO막 또는 IZO막인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And the transparent electrode is an ITO film or an IZO film. 광투과전극;Light transmitting electrode; 불순물이 도핑된 비정질 실리콘막을 구비하는 반사전극;A reflective electrode having an amorphous silicon film doped with impurities; 상기 광투과전극과 상기 반사전극 사이에 개재되고, 발광층을 갖는 유기기능막을 포함하는 유기전계발광표시장치.And an organic functional layer interposed between the light transmitting electrode and the reflective electrode and having a light emitting layer. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 반사전극은 애노드인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And the reflective electrode is an anode. 삭제delete 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 불순물은 인(phosphorus) 인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The impurity is phosphorus (phosphorus) organic light emitting display device, characterized in that. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 불순물의 도즈는 1x1019 atoms/cm3 내지 9x1021 atoms/cm3인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The dose of the impurity is 1x10 19 atoms / cm 3 to 9x10 21 atoms / cm 3 . 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,The method according to claim 12 or 13, 상기 반사전극은 보조전극을 더욱 구비하고,The reflective electrode further includes an auxiliary electrode, 상기 불순물이 도핑된 비정질 실리콘막은 상기 유기기능막과 상기 보조전극 사이에 개재된 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And the amorphous silicon film doped with the impurity is interposed between the organic functional film and the auxiliary electrode. 제 17 항에 있어서,The method of claim 17, 상기 보조전극은 Cr, Mo, MoW 및 Ti으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 금속막인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The auxiliary electrode is an organic light emitting display device, characterized in that one metal film selected from the group consisting of Cr, Mo, MoW and Ti. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,The method according to claim 12 or 13, 상기 반사전극은 상기 유기기능막과 상기 불순물이 도핑된 비정질 실리콘막 사이에 개재된 정공주입성 도전막을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And the reflective electrode comprises a hole injection conductive layer interposed between the organic functional film and the amorphous silicon film doped with the impurity. 제 19 항에 있어서,The method of claim 19, 상기 정공주입성 도전막은 ITO막 또는 IZO막인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And the hole injection conductive film is an ITO film or an IZO film. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,The method according to claim 12 or 13, 상기 광투과전극은 Li, Mg, Ca, Ba, Ag 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 다수개의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The light transmitting electrode of the organic light emitting display device, characterized in that made of one or a plurality of materials selected from the group consisting of Li, Mg, Ca, Ba, Ag and alloys thereof. 제 21 항에 있어서,The method of claim 21, 상기 광투과전극의 두께는 0Å을 초과하고 100Å 이하인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device, characterized in that the thickness of the light transmitting electrode is greater than 0 m and less than or equal to 100 m 3. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,The method according to claim 12 or 13, 상기 광투과전극이 상기 유기기능막과 접하는 면의 반대되는 면 상에 위치하는 보조도전막을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And an auxiliary conductive layer on the surface opposite to the surface where the light transmitting electrode is in contact with the organic functional layer. 제 23 항에 있어서,The method of claim 23, 상기 보조도전막은 ITO막 또는 IZO막인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And the auxiliary conductive layer is an ITO layer or an IZO layer. 광투과전극;Light transmitting electrode; 불순물이 도핑된 비정질 실리콘막을 구비하는 반사전극;A reflective electrode having an amorphous silicon film doped with impurities; 상기 광투과전극과 상기 반사전극 사이에 개재되고, 발광층을 갖는 유기기능막을 포함하고,An organic functional film interposed between the light transmitting electrode and the reflective electrode and having a light emitting layer, 상기 반사전극은 상기 유기기능막과 상기 비정질 실리콘막 사이에 개재된 전하주입성 도전막을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And the reflective electrode comprises a charge injection conductive film interposed between the organic functional film and the amorphous silicon film. 제 25 항에 있어서,The method of claim 25, 상기 불순물은 인(phosphorus)인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The organic light emitting display device of claim 1, wherein the impurity is phosphorus. 제 25 항에 있어서,The method of claim 25, 상기 반사전극은 보조전극을 더욱 구비하고,The reflective electrode further includes an auxiliary electrode, 상기 비정질 실리콘막은 상기 전하주입성 도전막과 상기 보조전극 사이에 개재된 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And the amorphous silicon film is interposed between the charge injection conductive film and the auxiliary electrode. 제 27 항에 있어서,The method of claim 27, 상기 보조전극은 Cr, Mo, MoW 및 Ti으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 금속막인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The auxiliary electrode is an organic light emitting display device, characterized in that one metal film selected from the group consisting of Cr, Mo, MoW and Ti. 삭제delete 제 25 항에 있어서,The method of claim 25, 상기 전하주입성 도전막은 Li, Mg, Ca, Ba, Ag 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 다수개의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The charge injection conductive film is an organic light emitting display device, characterized in that made of one or a plurality of materials selected from the group consisting of Li, Mg, Ca, Ba, Ag, and alloys thereof. 제 30 항에 있어서,The method of claim 30, 상기 전하주입성 도전막의 두께는 0Å을 초과하고 100Å 이하인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And the thickness of the charge-injectable conductive film is greater than 0 m and less than or equal to 100 m 3. 제 25 항에 있어서,The method of claim 25, 상기 전하주입성 도전막은 ITO막 또는 IZO막인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And the charge injection conductive film is an ITO film or an IZO film.
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