KR20170134796A - 표시 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

표시 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 서로 이격되어 배치되는 제1 파장 변환층 및 제2 파장 변환층 및 상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층 상에 배치되며, 반사부와 투과부를 포함하는 편광층을 포함하되, 상기 반사부는 상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층 사이의 이격 공간과 중첩된다.

Description

표시 장치 및 그 제조방법{DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 표시 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display, OLED) 등과 같은 여러 종류의 표시 장치가 사용되고 있다.
그 중 액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극(field generating electrode)이 형성되어 있는 두 장의 기판과 그 사이에 들어 있는 액정층을 포함한다. 액정 표시 장치는 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고, 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 방향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
이러한 액정 표시 장치는 수광형 소자로서 별도의 광원이 필요하다. 다만, 액정 표시 장치 자체가 갖는 중첩된 수 개의 기능층들로 인하여 광 손실이 일어나게 되며 특히 이러한 광 손실은 편광판에서 두드러진다. 따라서, 이러한 광 손실을 줄여 표시 장치의 특성을 향상시키기 위한 다양한 기술적 시도가 행해지고 있는 실정이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 색 재현율이 우수한 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 인접하는 화소 간의 색간섭이 발생하는 것을 방지할 수 잇는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 서로 이격되어 배치되는 제1 파장 변환층 및 제2 파장 변환층 및 상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층 상에 배치되며, 반사부와 투과부를 포함하는 편광층을 포함하되, 상기 반사부는 상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층 사이의 이격 공간과 중첩된다.
또한, 상기 상기 투과부는 상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층과 중첩될 수 있다.
또한, 상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층의 높이는 상이할 수 있다.
또한, 상기 반사부의 일단은 상기 제1 파장 변환층과 중첩되고, 상기 반사부의 타단은 상기 제2 파장 변환층과 중첩될 수 있다.
또한, 상기 제1 파장 변환층의 일단으로부터 상기 제1 기판 간의 거리는 상기 제2 파장 변환층의 타단으로부터 상기 제1 기판 간의 거리와 상이할 수 있다.
또한, 상기 반사부는 제1 기판을 향해 오목한 형상을 포함할 수 있다.
또한, 상기 반사부 상에 상기 제1 기판과의 거리가 가장 작은 기준점이 정의되고, 상기 기준점은 상기 반사부의 일단과 타단 사이에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제2 파장 변환층과 인접하게 배치되는 제3 파장 변환층을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 파장 변환층, 상기 제2 파장 변환층 및 상기 제3 파장 변환층의 높이는 서로 상이할 수 있다.
또한, 상기 제1 파장 변환층은 녹색 파장 변환층이고, 상기 제2 파장 변환층은 적색 파장 변환층이고, 상기 제3 파장 변환층은 청색 파장 변환층일 수 있다.
또한, 상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층과 상기 편광층 사이에 배치되는 오버코트막을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 반사부는 상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층과 직접적으로 접할 수 있다.
또한, 상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층은 양자점을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 기판에 청색광을 제공하는 백라이트 유닛을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 파장 변환층과 인접하게 배치되는 광투과층을 더 포함하고, 상기 광투과층은 상기 광투과층에 도달한 상기 청색광을 그대로 통과시켜 방출할 수 있다.
또한, 상기 제1 파장 변환층과 상기 제1 기판 사이 및 상기 제2 파장 변환층과 상기 제1 기판 사이에 배치되는 청색광 차단 필터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 서로 이격되어 배치되는 제1 파장변환층 및 제2 파장변환층, 상기 제1 파장변환층 및 상기 제2 파장변환층 상에 배치되며, 제1 반사부와 제1 투과부를 포함하는 제1 편광층, 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판, 상기 제2 기판 상에 배치되는 제2 편광층을 포함하되, 상기 제1 반사부는 상기 제1 파장 변환층과 상기 제2 파장 변환층 사이의 이격 공간과 중첩된다.
또한, 제2 기판 상에 배치되는 공통 전극을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 기판 상의 상기 제1 편광층 상에 배치되는 공통 전극을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 편광층은 제2 반사부 및 제2 투과부를 포함하고, 상기 제2 투과부는 상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층과 중첩될 수 있다.
본 발명의 일 실시예 따른 표시 장치의 제조 방법은 인접하게 배치되는 제1 파장 변환층 및 제2 파장 변환층이 구비되는 제1 기판을 준비하는 단계, 상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층 상에 금속층을 형성하는 단계, 상기 금속층 상에 마스크 레이어를 형성하는 단계, 상기 마스크 레이어를 돌출 패턴을 포함하는 마스크 몰드로 압착하여 패터닝하는 단계 및 상기 패터닝된 마스크 레이어를 마스크로 금속층을 패터닝하여 반사부와 투과부를 포함하는 편광층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 상기 마스크 레이어를 돌출 패턴을 포함하는 마스크 몰드로 압착하여 패터닝하는 단계는 상기 마스크 몰드를 탄성 부재를 이용하여 압착하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 마스크 몰드를 탄성 부재를 이용하여 압착하는 단계는 상기 탄성 부재상에 캐리어 필름을 부착하여 진행할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 인접하게 배치되는 제1 파장 변환층 및 제2 파장 변환층이 구비되는 제1 기판을 준비하는 단계, 상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층 상에 금속층을 형성하는 단계, 상기 금속층 상에 제1 마스크 레이어 및 상기 제1 마스크 레이어 상에 배치되는 제2 마스크 레이어를 형성하는 단계, 상기 제2 마스크 레이어를 돌출 패턴을 포함하는 마스크 몰드로 압착하여 패터닝하는 단계, 상기 패터닝된 제2 마스크 레이어를 마스크로 제1 마스크 레이어를 패터닝하는 단계 및 상기 패터닝된 제1 마스크 레이어 및 상기 제2 마스크 레이어를 마스크로 금속층을 패터닝하여 반사부와 투과부를 포함하는 편광층을 형성하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 제1 마스크 레이어와 상기 제2 마스크 레이어는 서로 상이한 식각 선택비를 가질 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
표시 장치의 색 재현율이 향상될 수 있다.
인접하는 화소 간에 색 간섭을 방지하여 표시 특성이 향상된 표시 장치를 구현할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이다.
도 2는 도 1의 'A'영역을 확대한 확대도이다.
도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 4a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 8 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 14 내지 도 20은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이며, 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위해 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수 있음은 물론이다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 실시예들에 대해 설명한다. 다만, 본 명세서에서는 본 발명에 따른 표시 장치를 액정 표시 장치를 예로 들어 설명하나, 이에 제한되는 것은 아니며 유기 발광 표시 장치의 경우에도 적용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이다. 도 2는 도 1의 'A'영역을 확대한 확대도이다. 도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 4는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 서로 이격되어 배치되는 제1 파장 변환층 및 제2 파장 변환층 및 상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층 상에 배치되며, 반사부와 투과부를 포함하는 편광층을 포함한다.
하부 기판(500)은 내열성 및 투과성을 가진 물질로 형성될 수 있다. 하부 기판(500)은 예컨대, 투명 유리 또는 플라스틱으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 하부 기판(500) 상에는 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)이 정의될 수 있다.
표시 영역(DA)은 디스플레이 장치에서 화상이 표시되는 영역이며, 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)에서 화상을 표시할 수 있게 하기 위해 각종 신호선들이 배치되는 영역이다.
비표시 영역(NDA) 상에는 데이터 라인(DL)에 데이터 신호를 제공하는 복수의 데이터 드라이버(DU), 및 데이터 드라이버(DU)로부터 제공되는 신호를 데이터 라인(DL)에 전달하는 복수의 데이터 팬아웃 라인(DFL)이 배치될 수 있다.
표시 영역(DA)에 대해 더 구체적으로 설명하면, 표시 영역(DA)상에는 복수의 데이터 라인(DL)과 복수의 게이트 라인(GL)이 서로 교차하여 구획하는 복수의 화소가 배치될 수 있다. 즉, 도 2는 복수의 화소 중 하나의 화소(도 1의 'A' 부분)를 확대한 것으로서, 표시 영역(DA)은 이와 실질적으로 동일한 화소를 복수개 포함할 수 있다.
하부 기판(500) 상에는 제1 편광층(POL1)이 배치될 수 있다. 제1 편광층(POL1)은 후술하는 백라이트 유닛(BLU)로부터 제공되는 빛을 편광시킬 수 있다. 구체적으로, 백라이트 유닛(BLU)으로부터 제공되는 빛 중 특정 방향으로 진동하는 빛만을 투과하고, 그 나머지 빛을 흡수하거나 반사할 수 있다.
일 실시예에서 제1 편광층(POL1) 특정 방향으로 연신된 고분자 수지 및 특정 방향으로 진동하는 광을 흡수하는 광 흡수 물질이 흡착된 편광 필름일 수 있다. 다른 실시예에서 제1 편광층(POL1)은 금속층으로 이루어지며 일부 빛을 흡수하거나 반사시키고, 일부 빛을 투과시킬 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제1 편광층(POL1)은 와이어 그리드 편광자(WGP, Wire Grid Polarizer)가 적용된 편광층일 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 후술하기로 한다.
제1 편광층(POL1) 상에는 제1 패시베이션막(PASSI1)이 배치될 수 있다. 제1 패시베이션막(PASSI1)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 패시베이션막(PASSI1)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 산질화 알루미늄, 산질화 티탄, 산질화 지르코늄, 산질화 하프늄, 산질화 탄탈 및 산질화 텅스텐 등으로 이루어질 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 제1 패시베이션막(PASSI1)의 재질이 이제 제한되는 것은 아니다.
제1 패시베이션막(PASSI1) 상에는 게이트 배선(GL, GE)이 배치될 수 있다. 게이트 배선(GL, GE)은 구동에 필요한 신호를 전달받는 게이트 라인(GL) 및 게이트 라인(GL)으로부터 돌기 형태로 돌출된 게이트 전극(GE)을 포함할 수 있다. 게이트 라인(GL)은 제1 방향으로 연장될 수 있다. 제1 방향은 예컨대, 도 2의 x축 방향과 실질적으로 동일할 수 있다. 게이트 전극(GE)은 후술하는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 함께 박막 트랜지스터의 삼단자를 구성할 수 있다.
게이트 배선(GL, GE)은 알루미늄 합금을 포함하는 알루미늄(Al) 계열의 금속, 은 합금을 포함하는 은(Ag) 계열의 금속, 구리 합금을 포함하는 구리(Cu)계열의 금속, 몰리브덴 합금을 포함하는 몰리브덴(Mo) 계열 금속, 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 및 탄탈륨(Ta) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 게이트 배선(GL, GE)의 재질이 이에 제한되는 것은 아니며, 원하는 표시장치를 구현하기 위해 요구되는 성능을 가진 금속 또는 고분자 물질이 게이트 배선(GL, GE)의 재료로서 이용될 수 있다.
게이트 배선(GL, GE)은 단일막 구조일 수 있으나, 이에 제한되지 않으며, 이중막, 삼중막 또는 그 이상의 다중막일 수 있다.
게이트 배선(GL, GE) 상에는 게이트 절연막(GI)이 배치될 수 있다. 게이트 절연막(GI)은 게이트 배선(GL, GE)을 덮으며, 하부 기판(500)의 전면에 형성될 수 있다.
게이트 절연막(GI) 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 산화물(SiNx) 등의 무기 절연물질, BCB(BenzoCycloButene), 아크릴계 물질, 및 폴리이미드와 같은 유기 절연 물질로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 하나 이상의 물질을 혼합하여 형성할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 게이트 절연막(GI)의 재질이 이에 제한되는 것은 아니다.
게이트 절연막(GI) 상에는 반도체 패턴층(700)이 배치될 수 있다.
반도체 패턴층(700)은 비정질 규소 또는 다결정 규소를 포함할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 반도체 패턴층(700)은 산화물 반도체를 포함하여 이루어질 수도 있다.
반도체 패턴층(700)은 섬형, 선형 등과 같은 다양한 형상을 가질 수 있다. 반도체 패턴층(700)이 선형을 갖는 경우, 반도체 패턴층(700)은 데이터 라인(DL) 아래에 위치하여 게이트 전극(GE) 상부까지 연장될 수 있다.
일 실시예에서 반도체 패턴층(700)은 채널부(CH)를 제외한 전 영역에서 후술하는 데이터 배선(DL, SE, DE)과 실질적으로 동일한 형상으로 패터닝될 수 있다.
다시 말하면, 반도체 패턴층(700)은 채널부(CH)를 제외한 전 영역에서 데이터 배선(DL, SE, DE)과 중첩되도록 배치될 수 있다.
채널부(CH)는 대향하는 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)사이에 배치될 수 있다. 채널부(CH)는 소스 전극(SE)와 드레인 전극(DE)를 전기적으로 이어주는 역할을 하며, 그 구체적인 형상은 제한되지 않는다.
반도체 패턴층(700) 상부에는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 오믹 컨택층(도시하지 않음)이 배치될 수 있다. 오믹 컨택층은 반도체 패턴층(700)의 전부 또는 일부와 중첩될 수 있다. 다만, 반도체 패턴층(700)이 산화물 반도체를 포함하는 실시예에서 오믹 컨택층은 생략될 수도 있다.
반도체 패턴층(700)이 산화물 반도체인 경우, 반도체 패턴층(700)은 산화아연(ZnO)을 포함할 수 있다. 이에 더하여, 반도체 패턴층(700) 상에는 갈륨(Ga), 인듐(In), 스태튬(Sn), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 은(Ag), 구리(Cu), 게르마늄(Ge), 가돌리늄(Gd), 티타늄(Ti) 및 바나듐(V)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 이온이 도핑될 수 있다. 예시적으로, 산화물 반도체인 반도체 패턴층(700)은 ZnO, ZnGaO, ZnInO, ZnSnO, GaInZnO, CdO, InO, GaO, SnO, AgO, CuO, GeO, GdO, HfO, TiZnO, InGaZnO 및 InTiZnO 으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 산화물 반도체의 종류가 이에 제한되지 않음은 물론이다.
반도체 패턴층(700) 상에는 데이터 배선(DL, SE, DE)이 배치될 수 있다. 데이터 배선(DL, SE, DE)은 데이터 라인(DL), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함한다.
데이터 라인(DL)은 제2 방향, 예컨대 도 2에서 y축 방향으로 연장되어 게이트 라인(GL)과 교차할 수 있다. 소스 전극(SE)은 데이터 라인(DL)으로부터 가지 형태로 분지되어 반도체 패턴층(700)의 상부까지 연장되어 배치될 수 있다.
드레인 전극(DE)은 소스 전극(SE)과 이격되어 있으며, 게이트 전극(GE) 또는 채널부(CH)를 중심으로 반도체 패턴층(700) 상부에 소스 전극(SE)과 대향하도록 배치될 수 있다. 드레인 전극(DE)은 후술하는 화소 전극(PE)과 접하여 전기적으로 연결될 수 있다.
데이터 배선(DL, SE, DE)은 니켈(Ni), 코발트(Co), 티탄(Ti), 은(Ag), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 베릴륨(Be), 니오브(Nb), 금(Au), 철(Fe), 셀렌(Se) 또는 탄탈(Ta) 등으로 이루어진 단일막 또는 다중막 구조를 가질 수 있다. 또한, 상기 금속에 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 텅스텐(W), 탄탈(Ta), 니오브(Nb), 백금(Pt), 하프늄(Hf), 산소(O) 및 질소(N)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함시켜 형성한 합금도 적용할 수 있다. 다만, 상기한 재료는 예시적인 것으로, 데이터 배선(DL, SE, DE)의 재질이 이에 제한되는 것은 아니다.
도 2는 하나의 화소에 하나의 박막 트랜지스터가 배치되는 경우를 예시하지만, 본 발명의 범위가 이에 제한되지 않음은 물론이다. 즉, 다른 실시예에서 하나의 화소에 배치되는 박막 트랜지스터의 개수는 복수일 수 있다. 또한, 하나의 화소에 복수개의 박막 트랜지스터가 배치되는 경우, 각각의 박막 트랜지스터에 대응되도록 하나의 화소가 복수개의 영역(domain)으로 구분될 수도 있다.
데이터 배선(DL, SE, DE) 및 반도체 패턴층(700) 상에는 제2 패시베이션막(PASSI2)이 배치될 수 있다. 제2 패시베이션막(PASSI2)은 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질로 이루어질 수 있다.
제2 패시베이션막(PASSI2)은 드레인 전극(DE)의 적어도 일부를 노출시키는 컨택홀(CNT)을 포함할 수 있다.
제2 패시베이션막(PASSI2) 상에는 화소 전극(PE)이 배치될 수 있다. 화소 전극(PE)은 컨택홀(CNT)을 통해 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시예에서 화소 전극(PE)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명 도전체 또는 알루미늄 등의 반사성 도전체로 형성될 수 있다.
도 2는 화소 전극(PE)이 평판 형상을 가지는 경우를 예시하지만, 화소 전극의 형상은 이에 제한되지 않는다. 즉, 다른 실시예에서 화소 전극은 하나 이상의 슬릿을 갖는 구조일 수 있다. 또한, 또 다른 실시예에서 화소 전극은 하나 이상 배치될 수 있으며, 이 경우, 복수의 화소 전극에 서로 다른 전압이 인가될 수도 있다.
하부 기판(500)과 대향되도록 상부 기판(1000)이 배치될 수 있다.
상부 기판(1000)은 내열성 및 투과성을 가진 물질로 형성될 수 있다. 상부 기판(1000)은 예컨대, 투명 유리 또는 플라스틱으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상부 기판(1000) 상에는 블랙 매트릭스(BM) 및 복수의 파장 변환층(WC)이 배치될 수 있다.
블랙 매트릭스(BM)는 제1 방향으로 연장되어 전술한 게이트 라인(GL)과 중첩되거나, 제2 방향으로 연장되어 전술한 데이터 라인(DL)과 중첩될 수 있다.
또한, 블랙 매트릭스는(BM)는 전술한 박막 트랜지스터와 중첩될 수 있다.
블랙 매트릭스(BM)는 외부로부터 입사되는 광을 차단하거나, 내부로부터 퍼지는 빛을 막는 역할을 할 수 있다. 이를 위해 블랙 매트릭스는 검정색 안료를 포함하는 감광성 수지로 형성될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 블랙 매트릭스의 재질이 이에 제한되는 것은 아니며, 외부로부터 입사되는 광을 차단하기 위해 필요한 물성을 가진 물질이라면 블랙 매트릭스의 재료로 이용될 수 있다.
블랙 매트릭스(BM)에 덮이지 않은 부분, 즉, 블랙 매트릭스(BM)에 의해 노출된 부분에는 파장 변환층(WC)이 배치될 수 있다. 파장 변환층(WC)은 후술하는 액정층(LC) 및 제2 편광층(POL2)을 통과한 빛의 파장을 변환시킬 수 있다. 즉. 파장 변환층(WC)은 액정층(LC) 및 제2 편광층(POL2)을 통과한 빛의 파장을 변환시켜, 파장 변환층(WC)을 통과한 빛이 특정 색을 띠게 할 수 있다.
도 4를 참조하여, 이에 대해 구체적으로 설명하면, 일 실시예에서 파장 변환층(WC)은 파장 변환층(WC)을 통과하는 빛에 녹색을 부여하는 녹색 파장 변환층(WC_G), 파장 변환층(WC)을 통과하는 빛에 적색을 부여하는 적색 파장 변환층(WC_R) 및 파장 변환층(WC)을 통과하는 빛에 청색을 부여하는 청색 파장 변환층(WC_B)을 포함할 수 있다. 즉, 일 실시예에서 파장 변환층(WC)은 녹색, 적색 및 청색의 컬러 필터를 포함할 수 있다.
일 실시예에서 각 파장 변환층(WC)은 상단과 상단으로부터 하향 경사지는 측벽을 포함할 수 있다.
복수의 파장 변환층(WC)은 제1 방향 또는 제1 방향과 수직한 제2 방향을 따라 정렬되어 배치될 수 있다. 다시 말하면, 복수개의 열과 복수개의 행을 갖는 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 복수개의 화소가 열과 행을 갖는 매트릭스 형태로 배치되는 예시적인 실시예에서 복수의 파장 변환층(WC)은 복수의 화소에 대응되도록 배치될 수 있다. 다시 말하면, 녹색, 적색 및 청색 파장 변환층 중 적어도 하나의 파장 변환층이 하나의 화소에 대응되도록 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 녹색 파장 변환층(WC_G), 적색 파장 변환층(WC_R) 및 청색 파장 변환층(WC_B)이 서로 인접하도록 배치될 수 있다.
녹색 파장 변환층(WC_G)과 적색 파장 변환층(WC_R)은 서로 일정 간격 이격되어 배치될 수 있다. 즉, 녹색 파장 변환층(WC_G)과 적색 파장 변환층(WC_R) 사이에는 이격 공간이 배치될 수 있다. 마찬가지로, 적색 파장 변환층(WC_R)과 청색 파장 변환층(WC_B)은 서로 이격될 수 있다. 즉, 적색 파장 변환층(WC_R)과 청색 파장 변환층(WC_B) 사이에도 이격 공간이 배치될 수 있다.
녹색 파장 변환층(WC_G)과 적색 파장 변환층(WC_B) 사이에는 블랙 매트릭스(BM)가 배치될 수 있다. 다시 말하면, 블랙 매트릭스(BM)는 녹색 파장 변환층(WC_G)과 적색 파장 변환층(WC_R) 사이의 이격 공간에 배치될 수 있다. 마찬가지로, 적색 파장 변환층(WC_R)과 청색 파장 변환층(WC_B) 사이에도 블랙 매트릭스(BM)가 배치될 수 있다.
즉, 복수개의 파장 변환층(WC) 사이사이에는 블랙 매트릭스(BM)가 배치될 수 있다.
복수개의 파장 변환층(WC)의 높이는 서로 상이할 수 있다. 예컨대, 도 4에서 도시하는 바와 같이 녹색 파장 변환층(WC_G)의 높이(d1), 적색 파장 변환층(WC_R)의 높이(d2) 및 청색 파장 변환층(WC_B)의 높이(d3)는 서로 상이할 수 있다. 즉, 녹색 파장 변환층(WC_G)의 높이(d1)가 가장 크고, 적색 파장 변환층(WC_R)의 높이(d2)가 가장 작을 수 있다. 이와 같은 높이 차이는 파장 변환층(WC)이 특정의 파장을 방출하기 위해 필요한 물성을 확보하기 위한 것일 수 있다. 즉, 특정 파장의 빛을 방출하기 위해 빛이 통과하는 길이를 조절하는 것에 기인할 수 있다.
복수개의 파장 변환층(WC) 및 블랙 매트릭스(BM) 상에는 오버코트막(OC)이 배치될 수 있다. 오버코트막(OC)은 유기 또는 무기 절연 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 오버코트막(OC)은 상부 기판(1000)의 전 영역에 걸쳐 형성될 수 있으며, 평탄화막으로서 기능할 수 있다. 도 4는 오버코트막(OC)이 단일막인 경우를 예시하나, 이에 제한되는 것은 아니며, 다른 실시예에서 오버코트막(OC)은 둘 이상의 다중막을 포함하여 이루어질 수도 있다. 또 다른 예시적인 실시예에서 오버코트막(OC)은 생략될 수도 있다.
오버코트막(OC) 상에는 제2 편광층(POL2)이 배치될 수 있다. 제2 편광층(POL2)은 백라이트 유닛(BLU)으로부터 제공되어 액정층(LC)을 통과한 빛을 편광시킬 수 있다. 구체적으로, 제2 편광층(POL2)은 액정층(LC)을 통과한 빛 중 특정 방향으로 진동하는 빛만을 투과하고, 그 나머지 빛을 반사할 수 있다.
제2 편광층(POL2)이 투과시키는 빛의 진동 방향은 제1 편광층(POL1)이 투과시키는 빛의 진동 방향과 동일하거나 상이할 수 있다. 예컨대, 제1 편광층(POL1)이 제1 방향으로 진동하는 빛을 투과시키는 예시적인 실시예에서 제2 편광층(POL2)은 제1 방향으로 진동하는 빛을 투과시키거나, 제1 방향과 상이한 제2 방향(예컨대, 제1 방향과 수직인 방향)으로 진동하는 빛을 투과시킬 수 있다.
제2 편광층(POL2)은 반사부(RP2)와 투과부(TP2)를 포함할 수 있다. 반사부(RP2)는 도달한 빛을 반사시키며, 투과부(TP2)는 도달한 빛 중의 일부를 투과시키고, 일부를 반사시키는 역할을 할 수 있다. 즉, 제2 편광층(POL2)의 편광 기능은 투과부(TP2)에 의해 수행될 수 있다.
투과부(TP2)는 도달한 빛을 선 편광시키는 와이어 그리드 편광자(WGP, Wire-Grid-Polarizer)를 포함할 수 있다.
이에 따라, 투과부(TP2)는 일 방향을 따라 서로 평행하게 배열된 미세 금속 와이어 패턴을 포함할 수 있다. 이러한 미세 금속 와이어 패턴은 선폭이 약 60nm 이하일 수 있으며, 약 150nm이하의 두께를 가질 수 있다. 다만, 선폭과 두께는 예시적이며 설계 상의 필요에 따라 달라질 수 있다. 투과부(TP2)에 도달한 빛 중 미세 금속 와이어 패턴과 평행하게 입사되는 빛만 투과부(TP2)를 통과하게 되며, 이에 따라 투과부(TP2)는 편광 기능을 수행할 수 있게 된다.
투과부(TP2)는 파장 변환층(WC)과 중첩되도록 배치될 수 있다. 투과부(TP2)가 파장 변환층(WC)과 중첩되면, 투과부(TP2)를 통과하는 빛이 파장 변환층(WC)을 거쳐 특정 색을 구현할 수 있다. 예를 들어, 투과부(TP2)를 통과하는 빛이 녹색 파장 변환층(WC_G)을 거치면, 녹색이 구현될 수 있다.
마찬가지로, 투과부(TP2)를 통과하는 빛이 적색 파장 변환층(WC_R)을 통과하면 적색이 구현되며, 청색 파장 변환층(WC_B)을 통과하면 청색이 구현된다.
반사부(RP2)는 투과부(TP2)와 인접하도록 배치될 수 있다. 구체적으로, 투과부(TP2)가 파장 변환층(WC)과 중첩되도록 배치되면, 인접하는 투과부(TP2)와 투과부(TP2)사이에 반사부(RP2)가 배치될 수 있다.
반사부(RP2)는 도달하는 빛을 반사할 수 있다. 이를 위해 반사부(RP2)는 빛을 반사하는 재질로 이루어질 수 있다.
반사부(RP2)는 인접하는 파장 변환층(WC) 사이의 이격 공간과 중첩되도록 배치될 수 있다. 이 경우, 인접하는 파장 변환층(WC) 사이에 블랙 매트릭스(BM)가 배치되는 예시적인 실시예에서 반사부(RP2)는 블랙 매트릭스(BM)와 중첩될 수 있다.
도 4는 반사부(RP2)가 녹색 파장 변환층(WC_G)과 적색 파장 변환층(WC_R) 사이 또는 적색 파장 변환층(WC_R)과 청색 파장 변환층(WC_B) 사이에 배치되는 경우를 예시한다.
반사부(RP2)가 녹색 파장 변환층(WC_G)과 적색 파장 변환층(WC_R) 사이에 배치되는 경우, 반사부(RP2)의 일단은 녹색 파장 변환층(WC_G)과 중첩되고, 반사부(RP2)의 타단은 적색 파장 변환층(WC_R)과 중첩될 수 있다.
마찬가지로, 반사부(RP2)가 적색 파장 변환층(WC_R)과 청색 파장 변환층(WC_B) 사이에 배치되는 경우, 반사부(RP2)의 일단은 적색 파장 변환층(WC_R)과 중첩되고, 반사부(RP2)의 타단은 청색 파장 변환층(WC_B)과 중첩될 수 있다.
이 경우, 상부 기판(1000)으로부터 반사부(RP2)의 일단까지의 거리와 상부기판(1000)으로부터 반사부(RP2)의 타단까지의 거리는 서로 상이할 수 있다. 이는 상술한 바와 같이 복수개의 파장 변환층(WC)의 높이 차이에 기인할 수 있다. 구체적으로, 녹색 파장 변환층(WC_G)과 중첩되는 반사부(RP2)의 일단에서부터 상부 기판(1000)까지의 거리가 적색 파장 변환층(WC_R)과 중첩되는 반사부(RP2)의 타단에서부터 상부 기판(1000)까지의 거리에 비해 클 수 있다.
마찬가지로, 적색 파장 변환층(WC_R)과 중첩되는 반사부(RP2)의 일단에서부터 상부 기판(1000) 가지의 거리가 청색 파장 변환층(WC_B)과 중첩되는 반사부(RP2)의 타단에서부터 상부 기판(1000)까지의 거리에 비해 작을 수 있다.
인접하는 파장 변환층(WC) 사이의 이격 공간과 중첩되도록 배치되는 반사부(RP2)는 상부 기판(1000)을 향해 오목한 형상을 가질 수 있다.
이에 대한 보다 구체적 설명을 위해 용어를 정의하기로 한다. 반사부(RP2)상의 수 개의 점들 중 상부 기판(1000)간의 거리가 가장 짧은 점을 기준점(P)으로 정의한다. 이 경우, 기준점(P)은 반사부(RP2)의 일단과 타단 사이에 배치될 수 있다.
또한, 기준점(P)은 인접하는 파장 변환층(WC) 사이의 이격 공간 또는 이격 공간에 배치되는 블랙 매트릭스(BM)와 중첩될 수 있다.
제2 편광층(POL2)은 반사율이 높은 금속으로 이루어질 수 있다. 예컨대, 알루미늄, 금, 은, 구리, 크롬, 철, 니켈 및 몰리브덴으로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 제2 편광층(POL2)의 재질이 이에 제한되는 것은 아니다.
도 4는 제2 편광층(POL2)이 단일층으로 되는 경우를 예시하나, 다른 실시예에서 제2 편광층(POL2)은 둘 이상의 층으로 이루어진 다중층 구조를 가질 수도 있다.
도 4는 반사부(RP2)와 투과부(TP2)는 서로 동일한 물질로 형성되는 경우를 예시하나, 이에 제한되지는 않는다. 즉, 반사부(RP2)와 투과부(TP2)는 동일한 금속층을 동시에 패터닝하여 형성함으로써 서로 동일한 재질을 가질 수 있지만, 이와 달리 서로 다른 공정에 의해 서로 다른 재질을 갖도록 형성할 수도 있다.
이와 같이 파장 변환층(WC)과 중첩되도록 투과부(TP2)를 배치하고, 파장 변환층(WC) 사이에 반사부(RP2)를 배치하면 직진 방향의 빛은 투과시키고, 직진 방향에서 일정 각도 이상 기울어진 빛은 반사부(RP2)에 의해 반사됨으로써, 표시 장치의 전면에서 인접하는 화소 간에 색 간섭이 일어나는 것을 방지할 수 있다.
즉, 상기와 같은 구조를 적용함으로써, 색 재현률이 향상된 표시 장치를 구현할 수 있다.
제2 편광층(POL2) 상에는 제2 패시베이션막(PASSI2)이 배치될 수 있다. 제2 패시베이션막(PASSI2)은 투과부(TP2)와 반사부(RP2)를 덮으며, 상면을 평탄화시킬 수 있다.
제2 패시베이션막(PASSI2) 상에는 공통 전극(CE)이 배치될 수 있다. 공통 전극(CE)은 패터닝되지 않은 전면 전극일 수 있다. 공통 전극(CE)에는 공통 전압이 인가될 수 있다. 공통 전극(CE)과 화소 전극(PE)에 서로 다른 전압이 인가되면 공통 전극(CE)과 화소 전극(PE) 사이에 일정한 전계가 형성될 수 있다.
상부 기판(1000)과 하부 기판(500) 사이에는 복수의 액정 분자가 배치되는 액정층(LC)이 배치될 수 있다. 액정층(LC)은 공통 전극(CE)과 화소 전극(PE) 사이에 형성된 전계에 의해 제어될 수 있으며, 액정층(LC)에 배치되는 액정의 움직임을 제어함으로써, 영상을 표시하는데 필요한 빛을 제어할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명한다. 이하의 실시예에서 이미 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조 번호로서 지칭하며, 중복 설명은 생략하거나 간략화하기로 한다.
도 4a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 4a를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 제1 편광층(POL1)에 와이어 그리드 편광자(WGP, Wire Grid Polarizer)가 적용된 점이 도 4의 실시예와 다른 점이다.
일 실시예에서, 제2 편광층(POL2)과 마찬가지로 제1 편광층(POL1)에도 와이어 그리드 편광자(WGP, Wire Grid Polarizer)가 적용될 수 있다.
이 경우, 제1 편광층(POL1)은 반사부(RP1)와 투과부(TP1)를 포함할 수 있다.
반사부(RP1)는 도달한 빛을 반사시키며, 투과부(TP1)는 도달한 빛 중의 일부를 투과시키고, 일부를 반사시킬 수 있다. 즉, 제1 편광층(POL1)에 와이어 그리드 편광자(WGP, Wire Grid Polarizer)가 적용되는 경우, 제1 편광층(POL1)의 편광 기능은 투과부(TP1)에 의해 수행될 수 있다.
투과부(TP1)는 도달한 빛을 선 편광시키는 와이어 그리드 편광자(WGP, Wire-Grid-Polarizer)를 포함할 수 있다.
이에 따라, 투과부(TP1)는 일 방향을 따라 서로 평행하게 배열된 미세 금속 와이어 패턴을 포함할 수 있다. 이러한 미세 금속 와이어 패턴은 선폭이 약 60nm 이하일 수 있으며, 약 150nm이하의 두께를 가질 수 있다. 다만, 선폭과 두께는 예시적이며 설계 상의 필요에 따라 달라질 수 있다. 투과부(TP1)에 도달한 빛 중 미세 금속 와이어 패턴과 평행하게 입사되는 빛만 투과부(TP1)를 통과하게 되며, 이에 따라 투과부(TP1)는 편광 기능을 수행할 수 있게 된다. 제1 편광층(POL1)의 투과부(TP1)는 하부 기판(500) 상에 배치된 화소 전극(PE)과 중첩되도록 배치될 수 있다. 또한, 제1 편광층(POL1)의 투과부(TP1)는 상부 기판(1000) 상에 배치되는 제2 편광층(POL2)의 투과부(TP2) 및 파장 변환층(WC)과 중첩되도록 배치될 수 있다.
이에 따라, 백라이트 유닛(BLU)로부터 제공되는 빛은 제1 편광층(POL1)의 투과부(TP2), 액정층(LC), 제2 편광층(POL2)의 투과부(TP2) 및 파장 변환층(WC)을 통과하여 표시 장치 외부로 방출될 수 있다.
반사부(RP1)는 투과부(TP1)와 인접하도록 배치될 수 있다. 구체적으로, 투과부(TP1)가 화소 전극(PE)과 대응되도록 배치되면, 인접하는 투과부(TP1)와 투과부(TP1) 사이에 반사부(RP1)가 배치될 수 있다. 다시 말하면, 반사부(RP1)와 투과부(TP1)는 서로 교번하여 배치될 수 있다.
일 실시예에서 반사부(RP1)는 데이터 라인(DL)과 중첩되도록 배치될 수 있다. 즉 반사부(RP1)는 데이터 라인(DL)을 따라 연장될 수 있다. 이 경우, 반사부(RP1)는 직진 방향으로부터 일정 각도 이상 기울어져 진행하여 빛샘을 유발하는 빛을 반사시킴으로써, 표시 장치의 표시 특성을 향상시킬 수 있다. 즉, 제1 편광층(POL1)의 반사부(RP1)는 하부 기판(500) 상에서 광차단층의 역할을 아울러 수행할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 오버코트막(OC)이 생략된 점이 도 4의 실시예와 다른 점이다.
일 실시예에서, 오버코트막(OC)은 생략될 수 있다. 이 경우, 제2 편광층(POL2)은 파장 변환층(WC)과 직접적으로 접촉할 수 있다.
파장 변환층(WC)이 상단과 측벽을 갖는 예시적인 실시예에서 투과부(TP2)는 파장 변환층(WC)의 상단과 직접적으로 접하며, 파장 변환층(WC)과 중첩될 수 있다.
반사부(RP2)는 파장 변환층(WC)의 측벽과 접할 수 있다. 다시 말하면, 파장 변환층(WC)의 측벽 중 적어도 일부는 반사부(RP2)에 의해 덮일 수 있다. 파장 변환층(WC)의 측벽 중 적어도 일부가 반사부(RP2)에 의해 덮이는 경우, 직진 방향으로부터 일정 각도 이상 기울어진 방향으로 진행하는 빛은 반사부(RP2)에 의해 반사될 수 있다. 즉, 직진 방향으로부터 일정 각도 이상 기울어진 빛을 차단함으로써, 직진 방향으로부터 일정 각도 이상 기울어져 진행하는 빛이 파장 변환층(WC)을 통과하여 인접하는 파장 변환층(WC)을 통과하는 빛과 섞여 색간섭을 일으키는 것을 방지할 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 파장 변환층(WC)이 양자점(QD, Quantum Dot)을 포함하는 점이 도 4의 실시예와 다른 점이다.
일 실시예에서 파장 변환층(WC)은 양자점을 포함할 수 있다. 이 경우 파장 변환층(WC)에 포함되는 양자점은 CdSe/ZnS, CdSe/CdS/ZnS, ZnSe/ZnS 또는 ZnTe/ZnSe을 포함하는 II-VI 계 양자점일 수 있다. 다른 실시예에서 양자점은 InP/ZnS 를 포함하는 III-V 계 양자점이거나, CuInS(2)/ZnS를 포함하는 양자점일 수 있다.
파장 변환층(WC)이 양자점을 포함하는 경우 양자점의 크기에 따라 파장 변환층(WC)을 통과한 빛의 파장이 달라질 수 있다. 예를 들어, 양자점의 크기에 따라 각 파장 변환층(WC)은 녹색광, 적색광 및 청색광 중 어느 하나를 방출할 수 있다.
즉 도 6에 도시된 바와 같이 양자점이 포함된 녹색 파장 변환층(WC_G), 적색 파장 변환층(WC_R) 및 청색 파장 변환층(WC_B)이 배치될 수 있다. 다만, 녹색, 적색 및 청색의 순서는 예시적인 것으로, 본 발명의 범위가 이와 같은 파장 변환층의 배치 순서에 의해 제한되지 않음은 물론이다.
하부 기판(500)의 밑에는 백라이트 유닛(BLU)이 배치될 수 있다. 백라이트 유닛(BLU)은 표시 장치를 구동하기 위한 빛을 제공해 줄 수 있다. 백라이트 유닛(BLU)는 광원이 측면에 배치되는 엣지형 백라이트 유닛과 광원이 상면에 배치되는 직하형 백라이트 유닛 중 선택된 어느 하나일 수 있다.
또한, 백라이트 유닛(BLU)이 채용하는 광원은 자외선 파장대의 광을 방출하는 광원일 수 있다.
파장 변환층(WC)이 양자점을 포함하는 예시적인 실시예에서 백라이트 유닛(BLU)은 청색 파장대의 광을 배출할 수 있다.
이 경우, 청색 파장 변환층(WC_B)은 광투과층으로 치환될 수 있다. 광투과층은 투명한 재질로 이루어지며, 백라이트 유닛(BLU)으로부터 제공되는 청색 파장의 빛을 그대로 통과시킬 수 있다. 다시 말하면, 광투과층에 도달하는 빛의 파장과 광투과층을 통과하는 빛의 파장은 실질적으로 동일할 수 있다. 즉 광투과층은 투과하는 빛의 파장을 변환시키지 않는다. 광투과층이 파장 변환없이 광을 투과하여도 백라이트 유닛(BLU)으로부터 제공되는 빛이 청색 파장대를 갖기 때문에 블루 색상을 구현할 수 있다.
광투과층은 투명한 금속 물질로 이루어질 수 있다. 광투과층은 예컨대, TiO2를 포함하여 이루어질 수 있다.
백라이트 유닛(BLU)이 청색 파장대의 빛을 방출하는 예시적인 실시예에서 녹색 파장 변환층(WC_G)과 상부 기판(1000) 사이 및/또는 적색 파장 변환층(WC_R)과 상부 기판(1000) 사이에는 청색광 차단 필터(BCF)가 배치될 수 있다. 청색광 차단 필터(BCF)는 청색 파장대의 광을 차단할 수 있다. 백라이트 유닛(BLU)이 청색 파장대의 빛을 제공하는 경우 파장 변환층(WC)을 거쳐도 청색 파장대를 갖는 빛이 잔존할 수 있는데, 청색광 차단 필터(BCF)를 적용하는 경우, 잔존하는 청색 파장대의 빛을 차단하여 파장 변환층으로부터 방출되는 빛의 색(이 경우 녹색이나 적색이 될 것이다.)이 더욱 선명해질 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 파장 변환층(WC)이 하부 기판(500) 상에 배치된 점이 도 4의 실시예와 다른 점이다.
일 실시예에서 파장 변환층(WC)은 하부 기판(500) 상에 배치될 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 컬러필터 온 어레이(COA, Colorfilter On Array) 방식을 채택한 표시 장치일 수 있다.
하부 기판(500) 상에는 게이트 전극, 데이터 배선 및 화소 전극 등 각종 전극이 배치될 수 있다. 각종 전극은 도 4에서 도시한 바와 같이 배치될 수 있으나, 전극의 배치가 이에 제한되는 것은 아니며, 각종 전극들은 다양한 방식으로 배치될 수 있다. 도 7에서는 본 발명이 제한적으로 해석되는 것을 막기 위해 구체적인 전극의 배치를 생략하기로 한다.
하부 기판(500) 상에는 파장 변환층(WC)이 배치될 수 있다. 파장 변환층(WC)은 녹색 파장 변환층(WC_G), 적색 파장 변환층(WC_R) 및 청색 파장 변환층(WC_B)을 포함할 수 있다.
복수개의 파장 변환층(WC)은 서로 이격되어 배치될 수 있다. 즉, 인접하는 파장 변환층(WC) 사이에는 이격 공간이 존재할 수 있다.
이러한 이격 공간에는 블랙 매트릭스(BM)이 배치될 수 있다. 블랙 매트릭스(BM)는 도 4에서 설명한 것과 실질적으로 동일할 수 있다.
파장 변환층(WC) 상에는 제1 편광층(POL1)이 배치될 수 있다. 제1 편광층(POL1)은 투과부(TP1)와 반사부(RP1)을 포함할 수 있다. 투과부(TP1)와 반사부(RP1)의 재질은 앞서 도 4에서 설명한 것과 실질적으로 동일할 수 있다.
투과부(TP1)는 파장 변환층(WC)과 중첩되도록 배치될 수 있다. 이에 의해, 백라이트 유닛(BLU)으로부터 제공되는 빛이 투과부(TP1)를 통해 액정층(LC)에 제공될 수 있다. 반사부(RP1)는 인접하는 투과부(TP1) 사이에 배치될 수 있다. 다시 말하면, 반사부(RP1)는 인접하는 파장 변환층(WC) 사이에 배치될 수 있다. 즉, 반사부(RP1)는 인접하는 하나의 파장 변환층(WC)과 다른 파장 변환층(WC) 사이의 이격 공간과 중첩되도록 배치될 수 있다. 하나의 반사부(RP1)의 일단과 타단은 파장 변환층(WC)과 중첩될 수 있다.
구체적으로, 녹색 파장 변환층(WC_G)과 적색 파장 변환층(WC_R) 사이에 있는 반사부(RP1)를 예를 들어 설명하면, 반사부(RP1)의 일단은 녹색 파장 변환층(WC_G)와 중첩되고, 반사부(RP1)의 타단은 적색 파장 변환층(WC_R)과 중첩될 수 있다.
마찬가지로, 적색 파장 변환층(WC_R)과 청색 파장 변환층(WC_B) 사이에 배치된 반사부(RP1)의 일단은 적색 파장 변환층(WC_R)과 중첩되고, 타단은 청색 파장 변환층(WC_B)과 중첩될 수 있다.
용어를 정의하여 설명하면, 반사부(RP1) 상에 반사부(RP1)로부터 하부 기판(500)까지의 거리가 가장 짧은 기준점(P)이 정의될 수 있다. 기준점(P)은 그 형상에 따라 단수이거나, 복수일 수 있다. 기준점(P)이 복수인 경우, 거리가 동일한 점들이 모여 선을 이룰 수도 있을 것이다.
기준점(P)은 반사부(RP1)의 일단과 타단 사이에 배치될 수 있다. 바꿔 말하면, 반사부(RP1)의 일단으로부터 하부 기판(500)까지의 거리는 기준점(P)으로부터 하부 기판(500)까지의 거리보다 클 수 있다. 마찬가지로, 반사부(RP1)의 일단으로부터 하부 기판(500)까지의 거리는 기준점(P)으로부터 하부 기판(500)까지의 거리보다 클 수 있다. 또한, 반사부(RP1)의 일단으로부터 하부 기판(500)까지의 거리는 반사부(RP1)의 타단으로부터 하부 기판(500)까지의 거리와 상이할 수 있다. 반사부(RP1)의 일단이 녹색 파장 변환층(WC_G)과 중첩하고, 반사부(RP1)의 타단이 적색 파장 변환층(WC_R)과 중첩하는 예시적인 실시예에서, 반사부(RP1)의 일단과 하부 기판(500) 간의 거리는 반사부(RP1)의 타단과 하부 기판(500) 간의 거리에 비해 상대적으로 클 수 있다. 이는 앞서 설명한 바와 같이 파장 변환층(WC)의 높이 차에 기인할 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명하기로 한다. 이하에서 설명하는 구성의 일부는 앞서 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구성과 동일할 수 있으며, 중복 설명을 피하기 위해 일부 구성에 대한 설명은 생략될 수 있다.
도 8 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다. 도 8 내지 도 13을 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 인접하게 배치되는 제1 파장 변환층 및 제2 파장 변환층이 구비되는 제1 기판을 준비하는 단계, 제1 파장 변환층 및 제2 파장 변환층 상에 금속층을 형성하는 단계, 금속층 상에 마스크 레이어를 형성하는 단계, 마스크 레이어를 돌출 패턴을 포함하는 마스크 몰드로 압착하여 패터닝하는 단계 및 패터닝된 마스크 레이어를 마스크로 금속층을 패터닝하여 반사부와 투과부를 포함하는 편광층을 형성하는 단계를 포함한다.
도 8을 참조하면, 복수개의 파장 변환층이 구비된 제1 기판(1000)을 준비하는 단계가 진행된다. 제1 기판은 앞서 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 표시 장치에서 설명한 상부 기판 또는 하부 기판과 동일할 수 있다.
제1 기판(1000) 상에는 녹색 파장 변환층(WC_G), 적색 파장 변환층(WC_R) 및 청색 파장 변환층(WC_B)이 형성될 수 있다. 복수개의 파장 변환층(WC)은 서로 일정 간격 이격되어 배치될 수 있다. 즉, 인접하는 파장 변환층(WC) 사이에는 이격 공간이 배치될 수 있다.
파장 변환층(WC)은 잉크젯 프린팅 방식 또는 화학 기상 증착 방식으로 형성될 수 있으나, 이는 예시적이며 파장 변환층(WC)의 형성 방식이 제한되는 것은 아니다.
파장 변환층(WC)은 일 실시예에서 예컨대 컬러 필터일 수 있으며(도 4 참조), 다른 실시예에서는 양자점을 포함하여 이루어질 수도 있다. (도 6참조)
복수개의 파장 변환층(WC)은 서로 다른 높이를 가질 수 있다. 구체적으로 녹색 파장 변환층(WC_G)높이가 가장 크고, 청색 파장 변환층(WC_B)의 높이가 가장 작을 수 있다. 이에 대해서는 도 4에서 설명한 것과 실질적으로 동일할 수 있으므로, 이에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
파장 변환층(WC) 상에는 금속층(MT)이 배치될 수 있다. 금속층(MT)은 기판(1000) 상에 전면적으로 형성될 수 있다. 금속층(MT)은 예컨대 화학기상증착 등의 방식을 통해 형성될 수 있다.
금속층(MT)은 반사율이 높은 금속으로 이루어질 수 있다. 예컨대, 금속층(MT)은 알루미늄, 금, 은, 구리, 크롬, 철, 니켈 및 몰리브덴으로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있다.
금속층(MT) 상에는 마스크 레이어(ML)가 배치될 수 있다. 마스크 레이어(ML)는 후에 패터닝 되어 금속층(MT)을 패터닝하는 마스크가 될 수 있다. 마스크 레이어(ML)는 레진(resin) 등을 포함하여 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 실시예에서 마스크 레이어(ML)는 실리콘 질화물이나 실리콘 산화물로 이루어질 수도 있다.
이어서, 도 9 및 도 10을 참조하면, 마스크 레이어를 돌출 패턴을 포함하는 마스크 몰드로 압착하여 패터닝하는 단계가 진행된다.
마스크 몰드(MM)는 돌출 패턴(PP)을 포함할 수 있다. 돌출 패턴(PP)은 후에 마스크 레이어(ML)를 압착하여 마스크 레이어(ML)를 패터닝할 수 있다. 이를 위해 돌출 패턴(PP)은 마스크 레이어(ML)에 필요한 패턴에 반전된 패턴을 포함할 수 있다.
마스크 몰드(MM)는 하강하여 마스크 레이어(ML)를 압착할 수 있다. 마스크 몰드(MM)의 돌출 패턴(PP)은 마스크 레이어(ML)을 관통할 수 있다. 이 경우 돌출 패턴(PP)의 적어도 일부는 마스크 레이어(ML)를 관통하여 파장 변환층(WC)과 직접적으로 접할 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이 파장 변환층(WC)의 높이는 서로 상이한데 경성이 있는 재질로 마스크 레이어(ML)를 압착하는 경우, 차광 변환층(WC)이 형성하는 단차로 인하여 패턴이 균일하게 형성되지 않는다. 상기와 같이 탄성 부재(EM)로 마스크 몰드(MM)를 압착하는 경우, 전 영역에 필요한 크기만큼의 압력을 제공할 수 있다. 다시 말하면, 돌출 패턴(PP)이 파장 변환층(WC)과 중첩되는 부분에서 파장 변환층(WC)의 높이에 관계없이 파장 변환층(WC)과 직접적으로 접할 수 있으며, 이에 의해 패터닝된 마스크 레이어(ML)로 후술하는 바와 같이 투과부(TP)를 형성할 수 있다.
즉, 탄성 부재(EM)로 마스크 몰드(MM)를 가압하는 경우, 가압된 상태에서 돌출 패턴(PP) 단부에서 기판(1000)까지의 거리는 위치 별로 상이할 수 있다. 구체적으로, 녹색 파장 변환층(WC_G)과 중첩하는 돌출 패턴(PP)의 단부에서 기판(1000)까지의 거리가 가장 크고, 적색 파장 변환층(WC_R)과 중첩하는 돌출 패턴(PP)의 단부에서 기판(1000)까지의 거리가 가장 작을 수 있다.
다시 말하면, 가압된 상태에서 마스크 몰드(MM) 상면의 레벨(level)은 일정하지 않을 수 있다. 즉, 녹색 파장 변환층(WC_G)과 중첩되는 상면의 레벨이 가장 높고, 적색 파장 변환층(WC_R)과 중첩되는 상면의 레벨이 가장 낮을 수 있다.
또한, 가압된 상태에서 탄성 부재(EM)의 두께는 위치 별로 상이할 수 있다. 이는 상술한 바와 같이 위치에 따라 제공되는 압력이 상이하기 때문이다.
구체적으로, 탄성 부재(EM)의 두께는 녹색 파장 변환층(WC_G)과 중첩되는 부분에서 가장 얇고, 적색 파장 변환층(WC_R)과 중첩되는 부분에서 가장 두꺼울 수 있다.
이와 같이 마스크 몰드(MM)로 마스크 레이어(ML)를 가압하면, 마스크 레이어(ML)는 돌출 패턴(PP)과 상응하는 패턴을 가질 수 있다. 즉, 돌출 패턴(PP)과 상보적인 패턴을 가질 수 있다. (도 11 참조)
이어서, 도 12를 참조하면, 패터닝된 마스크 레이어를 마스크로 금속층을 패터닝하여 반사부와 투과부를 포함하는 편광층을 형성하는 단계를 포함한다.
앞서 설명한 바와 같이 마스크 몰드(MM)의 돌출 패턴(PP)이 마스크 레이어(ML)를 관통하는 경우, 마스크 레이어(ML)는 금속층(MT)의 일부를 노출시킬 수 있다.
이와 같이 금속층(MT)의 일부를 노출시킨 마스크 레이어(ML)를 마스크로 하여 식각을 진행하는 경우, 마스크 레이어(ML)에 의해 노출된 부분은 식각되어 편광판(POL)의 투과부(TP)가 되고, 마스크 레이어(ML)에 의해 노출되지 않는 부분은 반사부(RP)가 될 수 있다. 다시 말하면, 금속층에서 마스크 레이어(ML)에 의해 노출되는 부분은 파장 변환층(WC)과 중첩되어 배치되는데, 이 부분은 후에 식각되어 투과부(TP)가 될 수 있다.
식각은 건식 식각 또는 습식 식각 방식을 채택할 수 있다. 즉, 본 발명의 범위가 식각의 종류에 의해 제한되는 것이 아님을 명확하게 밝혀둔다.
이어서, 도 13을 참조하면, 식각이 종료된 후, 마스크 레이어(ML)를 제거하는 단계가 진행될 수 있다. 마스크 레이어(ML)를 제거한 후에는 표시 장치를 제조하기 위해 필요한 후속 공정이 진행될 수 있다. 다만, 본 발명의 범위를 명확하게 하기 위하여 이에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
상기 실시예의 변형예로서, 탄성 부재(EM) 상에 캐리어 필름(도시하지 않음)을 부착할 수 있다. 캐리어 필름은 경성 재질로 이루어질 수 있다. 캐리어 필름은 탄성 부재의 변형을 억제하는 역할을 하며, 이를 채택하는 경우, 탄성 부재의 지나친 변형에 의한 미스 얼라인 등을 방지할 수 있다.
도 14 내지 도 20은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 14 내지 도 20을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 인접하게 배치되는 제1 파장 변환층 및 제2 파장 변환층이 구비되는 제1 기판을 준비하는 단계, 제1 파장 변환층 및 제2 파장 변환층 상에 금속층을 형성하는 단계, 금속층 상에 제1 마스크 레이어 및 제1 마스크 레이어 상에 배치되는 제2 마스크 레이어를 형성하는 단계, 제2 마스크 레이어를 돌출 패턴을 포함하는 마스크 몰드로 압착하여 패터닝하는 단계, 패터닝된 제2 마스크 레이어를 마스크로 제1 마스크 레이어를 패터닝하는 단계, 패터닝된 제1 마스크 레이어 및 제2 마스크 레이어를 마스크로 금속층을 패터닝하여 반사부와 투과부를 포함하는 편광층을 형성하는 단계를 포함한다.
먼저, 도 14를 참조하면, 본 인접하게 배치되는 제1 파장 변환층 및 제2 파장 변환층이 구비되는 제1 기판을 준비하는 단계 및 제1 파장 변환층 및 제2 파장 변환층 상에 금속층을 형성하는 단계가 진행된다. 이 단계는 앞서 도 8이하에서 설명한 것과 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서, 이에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
이어서, 금속층(MT)상에 제1 마스크 레이어(ML1) 및 제1 마스크 레이어(ML1) 상에 배치되는 제2 마스크 레이어(ML2)를 형성하는 단계가 진행될 수 있다. 제2 마스크 레이어(ML2)는 앞서 도 8 이하에서 설명한 마스크 레이어(ML)와 실질적으로 동일한 물질로 형성될 수 있다. 제1 마스크 레이어(ML1)는 제2 마스크 레이어(ML2)와 상이한 물질로 이루어질 수 있다. 제1 마스크 레이어(ML1)는 특정 고분자 물질을 포함하여 이루어질 수 있으나, 제1 마스크 레이어(ML1)의 재질이 제한되는 것은 아니다. 다만, 제1 마스크 레이어(ML1)는 제2 마스크 레이어(ML2)와 식각 선택비가 다를 것이 요구된다. 이는 후술하는 바와 같이 두 번의 패터닝 과정을 거쳐 보다 정교한 마스크를 형성하기 위함이다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 제2 마스크 레이어(ML2)를 돌출 패턴(PP)을 포함하는 마스크 몰드(MM)로 압착하여 패터닝하는 단계가 진행된다.
마스크 몰드(MM)는 돌출 패턴(PP)을 포함할 수 있다. 돌출 패턴(PP)은 제2 마스크 레이어(ML2)를 압착하여 제2 마스크 레이어(ML2)를 패터닝할 수 있다. 이를 위해 돌출 패턴(PP)은 제2 마스크 레이어(ML2)에 필요한 패턴에 반전된 패턴을 포함할 수 있다. 마스크 몰드(MM)의 돌출 패턴(PP)은 제2 마스크 레이어(ML2)를 관통할 수 있다. 이 경우 돌출 패턴(PP)의 적어도 일부는 제2 마스크 레이어(ML2)를 관통하여 제1 마스크 레이어(ML1)와 직접적으로 접할 수 있다.
이와 같이 마스크 몰드(MM)로 제2 마스크 레이어(ML2)를 가압하면, 제2 마스크 레이어(ML2)는 돌출 패턴(PP)과 상응하는 패턴을 가질 수 있다. 즉, 돌출 패턴(PP)과 상보적인 패턴을 가질 수 있다. (도 17 참조)
이어서, 도 18을 참조하면, 패터닝된 제2 마스크 레이어(ML2)를 식각 마스크로 제1 마스크 레이어(ML1)를 패터닝하는 단계가 진행된다.
제1 마스크 레이어(ML1)를 식각하는 방식은 건식 식각 또는 습식 식각 중 어느 하나일 수 있다.
제2 마스크 레이어(ML2)를 마스크로 제1 마스크 레이어(ML1)를 식각하는 경우, 제1 마스크 레이어(ML1)는 제2 마스크 레이어(ML2)와 실질적으로 동일한 패턴을 가질 수 있다.
이 경우, 제1 마스크 레이어(ML1)는 적어도 부분적으로 금속층(MT)을 노출시킬 수 있다.
이어서 도 19를 참조하면, 제1 마스크 레이어(ML1) 및 제2 마스크 레이어(ML2)를 마스크로, 금속층(MT)을 식각하여 편광층(POL)을 형성하는 단계가 진행된다.
제1 마스크 레이어(ML1) 및 제2 마스크 레이어(ML2)를 마스크로 금속층(MT)을 식각하는 경우, 제1 마스크 레이어(ML1) 및 제2 마스크 레이어(ML2)에 의해 노출된 부분은 패터닝되어 투과부(TP)를 형성할 수 있으며, 그 이외의 부분은 반사부(TP)가 될 수 있다.
투과부(TP) 및 반사부(TP)의 위치는 앞서 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에서 설명한 것과 실질적으로 동일할 수 있으며, 따라서, 이에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
이어서, 도 20을 참조하면, 식각이 종료된 후, 제1 마스크 레이어(ML1) 및 제2 마스크 레이어(ML2)를 제거하는 단계가 진행될 수 있다. 마스크 레이어(ML)를 제거한 후에는 표시 장치를 제조하기 위해 필요한 후속 공정이 진행될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이지 않는 것으로 이해해야 한다.
DA: 표시 영역
NDA: 비표시 영역
DL: 데이터 라인
GL: 게이트 라인
SE: 소스 전극
DE: 드레인 전극
PE: 화소 전극
500: 하부 기판
1000: 상부 기판
GI: 게이트 절연막
700: 반도체 패턴층
PASSI: 패시베이션막
WC: 파장 변환층
BM: 블랙 매트릭스
OC: 오버코트막
CE: 공통 전극
POL: 편광층
RP: 반사부
TP: 투과부
BLU: 백라이트 유닛
ML: 마스크 레이어
MM: 마스크 몰드
MT: 금속층
PP: 돌출 패턴

Claims (24)

  1. 제1 기판;
    상기 제1 기판 상에 서로 이격되어 배치되는 제1 파장 변환층 및 제2 파장 변환층; 및 상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층 상에 배치되며, 반사부와 투과부를 포함하는 편광층을 포함하되,
    상기 반사부는 상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층 사이의 이격 공간과 중첩되는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 투과부는 상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층과 중첩되는 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층의 높이는 상이한 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 반사부의 일단은 상기 제1 파장 변환층과 중첩되고, 상기 반사부의 타단은 상기 제2 파장 변환층과 중첩되는 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 반사부의 일단으로부터 상기 제1 기판까지의 거리는 상기 반사부의 타단으로부터 상기 제1 기판까지의 거리와 상이한 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 반사부는 제1 기판을 향해 오목한 형상을 포함하는 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 반사부 상에 상기 제1 기판과의 거리가 가장 작은 기준점이 정의되고, 상기 기준점은 상기 반사부의 일단과 타단 사이에 배치되는 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제2 파장 변환층과 인접하게 배치되는 제3 파장 변환층을 더 포함하는 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 파장 변환층, 상기 제2 파장 변환층 및 상기 제3 파장 변환층의 높이는 서로 상이한 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 파장 변환층은 녹색 파장 변환층이고, 상기 제2 파장 변환층은 적색 파장 변환층이고, 상기 제3 파장 변환층은 청색 파장 변환층인 표시 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층과 상기 편광층 사이에 배치되는 오버코트막을 더 포함하는 표시 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 반사부는 상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층과 직접적으로 접하는 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층은 양자점을 포함하는 표시 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 기판에 청색광을 제공하는 백라이트 유닛을 더 포함하는 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제2 파장 변환층과 인접하게 배치되는 광투과층을 더 포함하고, 상기 광투과층은 상기 광투과층에 도달한 상기 청색광을 그대로 통과시켜 방출하는 표시 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 파장 변환층과 상기 제1 기판 사이 및 상기 제2 파장 변환층과 상기 제1 기판 사이에 배치되는 청색광 차단 필터를 더 포함하는 표시 장치.
  17. 제1 기판;
    상기 제1 기판 상에 서로 이격되어 배치되는 제1 파장 변환층 및 제2 파장 변환층;
    상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층 상에 배치되며, 제1 반사부와 제1 투과부를 포함하는 제1 편광층;
    상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판; 및
    상기 제2 기판 상에 배치되는 제2 편광층을 포함하되, 상기 제1 반사부는 상기 제1 파장 변환층과 상기 제2 파장 변환층 사이의 이격 공간과 중첩되는 표시 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제2 기판 상에 배치되는 공통 전극을 더 포함하는 표시 장치.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 제1 기판 상의 상기 제1 편광층 상에 배치되는 공통 전극을 더 포함하는 표시 장치.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 제2 편광층은 제2 반사부 및 제2 투과부를 포함하고, 상기 제2 투과부는 상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층과 중첩되는 표시 장치.
  21. 인접하게 배치되는 제1 파장 변환층 및 제2 파장 변환층이 구비되는 제1 기판을 준비하는 단계;
    상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층 상에 금속층을 형성하는 단계;
    상기 금속층 상에 마스크 레이어를 형성하는 단계;
    상기 마스크 레이어를 돌출 패턴을 포함하는 마스크 몰드로 압착하여 패터닝하는 단계; 및
    상기 패터닝된 마스크 레이어를 마스크로 금속층을 패터닝하여 반사부와 투과부를 포함하는 편광층을 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 상기 마스크 레이어를 돌출 패턴을 포함하는 마스크 몰드로 압착하여 패터닝하는 단계는 상기 마스크 몰드를 탄성 부재를 이용하여 압착하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 마스크 몰드를 탄성 부재를 이용하여 압착하는 단계는 상기 탄성 부재상에 캐리어 필름을 부착하여 진행하는 표시 장치의 제조 방법.
  23. 인접하게 배치되는 제1 파장 변환층 및 제2 파장 변환층이 구비되는 제1 기판을 준비하는 단계;
    상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층 상에 금속층을 형성하는 단계;
    상기 금속층 상에 제1 마스크 레이어 및 상기 제1 마스크 레이어 상에 배치되는 제2 마스크 레이어를 형성하는 단계;
    상기 제2 마스크 레이어를 돌출 패턴을 포함하는 마스크 몰드로 압착하여 패터닝하는 단계;
    상기 패터닝된 제2 마스크 레이어를 마스크로 제1 마스크 레이어를 패터닝하는 단계; 및
    상기 패터닝된 제1 마스크 레이어 및 상기 제2 마스크 레이어를 마스크로 금속층을 패터닝하여 반사부와 투과부를 포함하는 편광층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 제1 마스크 레이어와 상기 제2 마스크 레이어는 서로 상이한 식각 선택비를 갖는 표시 장치의 제조 방법.
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