KR20170128954A - 기판 검사 장치 - Google Patents

기판 검사 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20170128954A
KR20170128954A KR1020160059695A KR20160059695A KR20170128954A KR 20170128954 A KR20170128954 A KR 20170128954A KR 1020160059695 A KR1020160059695 A KR 1020160059695A KR 20160059695 A KR20160059695 A KR 20160059695A KR 20170128954 A KR20170128954 A KR 20170128954A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
terahertz wave
inspection
package substrate
unit
Prior art date
Application number
KR1020160059695A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102140588B1 (ko
Inventor
홍지중
Original Assignee
주식회사 마인즈아이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 마인즈아이 filed Critical 주식회사 마인즈아이
Priority to KR1020160059695A priority Critical patent/KR102140588B1/ko
Publication of KR20170128954A publication Critical patent/KR20170128954A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102140588B1 publication Critical patent/KR102140588B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N22/00—Investigating or analysing materials by the use of microwaves or radio waves, i.e. electromagnetic waves with a wavelength of one millimetre or more
    • G01N22/02—Investigating the presence of flaws
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
    • G01N23/04—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and forming images of the material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/24—Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

본 발명은 테라헤르츠파를 기반으로 패키지 기판의 내 외부 결함에 대한 비파괴 검사를 수행하고 패키지 기판의 고속, 고해상도 검사 영상을 획득할 수 있는 기판 검사 장치를 제공하기 위하여, 기판을 향해 테라헤르츠파를 조사하는 발진부 및 상기 기판 상측에 배치되어, 상기 테라헤르츠파에 의해 상기 기판으로부터 반사된 반사 신호가 입사되는 제1 검출부 및 상기 기판 하측에 배치되어, 상기 테라헤르츠파에 의해 상기 기판을 투과한 투과 신호가 입사되는 제2 검출부 및 상기 제1 및 제 2검출부로부터 제공되는 상기 반사 신호와 상기 투과 신호를 합성하여, 상기 기판의 결함이 내재된 영상을 생성하는 영상 처리부를 포함한다. 이에, 패키지 기판 검사에서 테라헤르츠파를 이용하여 패키지 기판의 내 외부 결함 영상을 획득할 수 있어, 검사 효율 및 제조 수율이 향상되고 패키지 기판에 대한 검사의 신뢰성을 향상되는 효과가 있다.

Description

기판 검사 장치{APPARATUS FOR INSPECTING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 검사 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 패키지 기판에 대한 검사를 수행하는 기판 검사 장치에 관한 것이다.
일반적으로 기판은 증착, 노광, 및 식각 공정 등과 같은 전처리 공정을 통해 사전 제작된 전처리 기판을 패키징(Packaging)하는 것에 의해 완성된다. 여기서, 패키징 공정은 단자 간 연결을 위해 전기적으로 기판을 포장하는 공정으로 기판을 외부와 차폐시켜 기판 완제품이 외부 환경으로부터 보호되도록 한다.
다만, 패키징 불량에 대한 이슈가 대두됨에 따라 패키지 기판 검사에 대한 중요성이 부각되고 있다. 이에, 패키지 검사 분야에서는 광학(Optical) 검사, 엑스레이(X-ray) 검사, 및 음향(Acoustic) 검사 등이 활용되고 있다.
다만, 광학 검사는 패키지 기판에 대한 내부 검사가 어려웠다. 그리고 엑스레이 검사는 방사선 피폭으로 인해 검사를 위한 차폐 설비를 별도로 구성하여야 할 뿐만 아니라 비금속 결함에 대한 검사가 어려웠다. 또한, 음향 검사는 매질을 필요로 하여 물에 담가서 검사해야 하고, 검사시간이 과다하게 소요되어 패키지 기판 검사에 비효율적인 문제점이 있었다.
대한민국 공개특허공보 제1997-0022346호(반도체 칩 패키징 검사 장치 및 방법)
본 발명의 목적은 테라헤르츠파를 기반으로 패키지 기판의 내 외부 결함에 대한 비파괴 검사를 수행할 수 있는 기판 검사 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 테라헤르츠파를 기반으로 패키지 기판의 고속, 고해상도 검사 영상을 획득할 수 있는 기판 검사 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 기판 검사 장치는 기판을 향해 테라헤르츠파를 조사하는 발진부 및 상기 기판 상측에 배치되어, 상기 테라헤르츠파에 의해 상기 기판으로부터 반사된 반사 신호가 입사되는 제1 검출부 및 상기 기판 하측에 배치되어, 상기 테라헤르츠파에 의해 상기 기판을 투과한 투과 신호가 입사되는 제2 검출부 및 상기 제1 및 제 2검출부로부터 제공되는 상기 반사 신호와 상기 투과 신호를 합성하여, 상기 기판의 결함이 내재된 영상을 생성하는 영상 처리부를 포함한다.
본 발명에 따른 기판 검사 장치는 패키지 기판 검사에서 테라헤르츠파를 기반으로 패키지 기판의 내 외부 영상을 함께 획득할 수 있어, 검사 효율 및 제조 수율이 향상되는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판 검사 장치는 영상 정보의 신뢰성을 향상시킬 수 있어 패키지 기판에 대한 검사의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
이상과 같은 본 발명의 기술적 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 제1 실시예에 따른 기판 검사 장치를 간략하게 나타낸 도면이고,
도 2는 제1 실시예에 따른 기판 검사 장치를 나타낸 블록 구성도이고,
도 3은 제1 실시예에 따른 기판 검사 방법을 나타낸 순서도이고,
도 4는 제1 실시예에 따른 기판 검사 방법을 간략하게 나타낸 검사도이고,
도 5는 제2 실시예에 따른 기판 검사 장치를 간략하게 나타낸 도면이고,
도 6은 제3 실시예에 따른 기판 검사 장치를 간략하게 나타낸 도면이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 실시예는 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 위하여 과장되게 표현된 부분이 있을 수 있으며, 도면 상에서 동일 부호로 표시된 요소는 동일 요소를 의미한다.
이하에서 설명될 기판 검사 장치는 테라헤르츠파(THz, Terahertz Wave)를 기반으로 패키지 기판에 대한 검사를 수행한다. 여기서, 기판 검사 장치는 패키지 기판에 대한 균열, 공극, 박리, 두께, 및 균일성 검사 등을 수행하며, 패키지 기판에 대한 2차원 영상 또는 3차원 영상을 획득할 수 있다.
다만, 이하의 실시예서는 기판 검사 장치가 테라헤르츠파를 기반으로 패키지 기판에 대한 검사를 수행하는 것을 설명하고 있다. 그러나 본 발명에 따른 기판 검사 장치는 패키지 기판을 비롯한 다양한 기판 검사에 사용될 수 있다.
도 1은 제1 실시예에 따른 기판 검사 장치를 간략하게 나타낸 도면이고, 도 2는 제1 실시예에 따른 기판 검사 장치를 나타낸 블록 구성도이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 실시예에 따른 기판 검사 장치(100)는 지지플레이트(200) 및 검사부(300)를 포함한다.
지지플레이트(200)는 복수 개의 프레임(미도시)에 의해 지면으로부터 이격된 상태일 수 있다. 여기서, 지지플레이트(200)는 개구를 갖도록 마련될 수 있다. 이에, 지지플레이트(200)에 안착되는 패키지 기판(10)은 가장자리만이 지지플레이트(200)에 의해 지지되고, 하면이 지지플레이트(200) 하측으로 노출될 수 있다.
다만, 본 실시예서는 지지플레이트(200)가 고정 배치되는 것을 설명하고 있다. 그러나 이는 본 실시예를 설명하기 위한 일 실시예로 지지플레이트(200)는 트레이 형태로 마련되어, 도시되지 않은 이송부에 의해 이송 가능하게 마련될 수 있다.
한편, 검사부(300)는 지지플레이트(200)에 안착된 패키지 기판(10)을 향해 테라헤르츠파를 조사하여, 패키지 기판(10)에 대한 검사가 수행되도록 한다. 이러한 검사부(300)는 소스부(310), 경로 가변부(330), 검출부(350), 영상 처리부(370) 및 제어부(390)를 포함할 수 있다.
먼저, 소스부(310)는 테라헤르츠파를 발생시켜, 테라헤르츠파가 패키지 기판(10)을 향해 조사되도록 한다. 이러한 소스부(310)는 발진부(311)를 포함할 수 있다.
일례로, 소스부(310)는 송수신단(Tx, Rx)를 포함할 수 있다. 송수신단(Tx, Rx)은 저온성장 GaAs(LT-GaAs)와 같은 반도체에 금속으로 안테나 전극을 형성하는 것에 의해 형성될 수 있다. 이러한 송수신단(Tx, Rx)은 상호 파이버(Fiber)에 의해 연결되며, 송신단(TX)은 패키지 기판(10)을 향해 테라헤르츠파가 조사되도록 하는 발진부(311) 역할을 수행한다.
그리고 송수신단(Tx, Rx) 사이에는 테라헤르츠파를 발생시키기 위한 파이버레이저(Fiber Laser), 딜레이 라인+셰이커(Delay Line+Shaker) 및 편파 제어기(Polarization Controller)가 마련될 수 있으나, 이와 구성이 다르지만 균등하게 동작하는 다른 구성요소로 실시될 수 있다.
한편, 경로 가변부(330)는 발진부(311)로부터 조사된 테라헤르츠파의 조사 포인트 위치가 가변되도록 할 수 있다. 이는 테라헤르츠파의 강도가 약하여 한번에 조사되지 못하고 한 점에 모은 후 스캔하는 방식으로, 강도 문제를 해결하기 위함이다.
일례로, 경로 가변부(330)는 갈바노 스캐너(Galvano Scanner, 331)를 포함할 수 있다. 이러한 경로 가변부(330)는 발진부(311)로부터 제공되는 테라헤르츠파의 출사각을 x축 방향 및 x축 방향으로 조정하여, 패키지 기판(10)으로 조사되는 테라헤르츠파의 조사 포인트 위치가 가변되도록 할 수 있다.
다만, 본 실시예서는 경로 가변부(330)가 갈바노 스캐너(331)를 포함하는 것을 설명하고 있다. 그러나 이는 본 실시예를 설명하기 위한 일 실시예로, 경로 가변부(330)는 발진부(311)의 자세 또는 위치를 변경하여 테라헤르츠파의 조사 포인트 위치가 가변되도록 할 수 있다.
한편, 검출부(350)에는 패키지 기판(10)에서 반사 또는 투과된 테라헤르츠파가 입사된다. 이러한 검출부(350)는 검출 카메라(351) 및 광학 소자(353)를 포함할 수 있다.
검출 카메라(351)는 패키지 기판(10)에서 반사 또는 투과된 검출 신호를 영상 처리부(370)로 제공한다. 그리고 광학 소자(353)는 렌즈 형태로 마련되어, 패키지 기판(10)과 검출 카메라(351) 사이에 배치될 수 있다. 이러한 광학 소자(353)는 패키지 기판(10)에서 테라헤르츠파가 반사 및 투과될 때에 반사 및 투과 신호가 검출 카메라(351)를 향하도록 한다.
이러한 검출부(350)는 제1 및 제2 검출부(350a, 350b)를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 검출부(350a)는 패키지 기판(10)의 상측에서 패키지 기판(10)을 기준으로 발진부(311)에 대칭하도록 배치될 수 있다. 그리고 제2 검출부(350b)는 패키지 기판(10)의 하측에서 제1 검출부(350a)에 수직 방향으로 마주하도록 배치될 수 있다.
한편, 소스부(310)로부터 패키지 기판(10)으로 테라헤르츠파가 조사될 경우에는 테라헤르츠파가 패키지 기판(10)의 표면에서 일부 반사되고, 일부 투과하게 된다. 이에, 제1 검출부(350a)로 제공되는 반사 신호에는 패키지 기판(10)의 외부 결함정보가 포함될 수 있다. 그리고 제2 검출부(350b)로 제공되는 투과 신호에는 패키지 기판(10)의 내부 결함정보가 포함될 수 있다.
한편, 영상 처리부(370)는 패키지 기판(10)에 대한 검사에서 검사 영상을 생성한다. 이러한 영상 처리부(370)는 일례로 신호 처리부(371) 및 영상 생성부(373)를 포함할 수 있다.
먼저, 신호 처리부(371)는 제1 및 제2 검출부(350a, 350b)와 연결된다. 여기서, 신호 처리부(371)는 제1 검출부(350a)로부터 제공되는 반사 신호와, 제2 검출부(350b)로부터 제공되는 투과 신호를 영상 생성부(373)로 제공한다.
그리고 영상 생성부(373)는 신호 처리부(371)로부터 제공되는 반사 신호와 투과 신호를 합성하여, 고해상도의 영상이 생성되도록 할 수 있다. 즉, 영상 생성부(373)는 외부 결함 정보를 포함하고 있는 반사 신호와, 내부 결함 정보를 포함하고 있는 투과 신호를 기반으로, 패키지 기판(10)의 내 외부 결함 정보를 포함하고 있는 영상을 생성한다.
한편, 제어부(390)는 기판 검사 장치(100)의 전반적인 제어를 수행할 수 있다. 이러한 제어부(390)는 제1 제어부(391), 제2 제어부(393) 및 영상 출력부(395)를 포함할 수 있다.
제1 제어부(391)는 소스부(310)와 연결된다. 여기서, 제1 제어부(391)는 소스부(310)를 제어하여 소스부(310)로부터 테라헤르츠파가 생성되도록 할 수 있으며, 발진부(311)를 통해 조사되는 테라헤르츠파가 온/오프(On/Off)되도록 할 수 있다.
그리고 제2 제어부(393)는 경로 가변부(330)와 연결될 수 있다. 여기서, 제2 제어부(393)는 경로 가변부(330)를 제어하여, 경로 가변부(330)를 거쳐 패키지 기판(10)으로 조사되는 테라헤르츠파의 조사 포인트 위치가 가변되도록 할 수 있다.
그리고 영상 출력부(395)는 영상 처리부(370)와 연결된다. 여기서, 영상 출력부(395)는 모니터와 같은 디스플레이 장치를 포함하여 영상 처리부(370)로부터 생성된 영상을 출력할 수 있다. 또한, 영상 출력부(395)는 도시되지 않는 영상 저장부를 추가로 구비할 수 있다.
한편, 이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 제1 실시예에 따른 기판 검사 방법에 대하여 상세히 설명하도록 한다. 다만, 상술된 구성요소에 대해서는 상세한 설명을 생략하고 동일한 참조부호를 부여하여 설명하도록 한다.
도 3은 제1 실시예에 따른 기판 검사 방법을 나타낸 순서도이고, 도 4는 제1 실시예에 따른 기판 검사 방법을 간략하게 나타낸 검사도이다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 실시예에 따른 기판 검사 방법은 지지플레이트(200)에 패키지 기판(10)이 안착된다(S100).
이후, 제1 제어부(391)는 소스부(310)를 제어하여, 테라헤르츠파가 발생되도록 한다. 이때, 테라헤르츠파는 발진부(311)를 통해 패키지 기판(10)으로 조사되어, 일부는 반사되고 일부는 투과될 수 있다(S200). 이에, 패키지 기판(10)으로부터의 반사 신호는 제1 검출부(350a)로 제공되고, 패키지 기판(10)으로부터의 투과 신호는 제2 검출부(350b)로 제공된다.
이후, 제2 제어부(393)는 경로 가변부(330)를 제어하여, 갈바노 스캐너(331)를 투과하는 테라헤르츠파의 조사 포인트 위치가 가변되도록 할 수 있다. 이때, 제1 및 제 2검출부(350)로는 패키지 기판(10)을 거친 반사 신호 및 투과 신호가 지속적으로 제공된다(S300).
보다 구체적으로, 도 4b에 도시된 바와 같이, 패키지 기판(10)과, 제1 및 제2 검출부(350a, 350b)의 광학 소자(353)에 임의의 격자를 형성하였을 때에 최초 테라헤르츠파는 패키지 기판(10)의 제1 포인트(11)로 조사된다. 이때, 제1 포인트(11)에서 반사된 반사 신호는 제1 검출부(350a)의 제1 반사 포인트(350aa)로 제공된다. 그리고 제1 포인트(11)를 투과한 투과 신호는 제2 검출부(350b)의 제1 투과 포인트(350ba)로 제공된다.
이후, 제1 포인트(11)를 향하던 테라헤르츠파는 경로 가변부(330)의 의해 출사각이 조정되어 제2 포인트(12)를 향할 수 있다. 이에, 제2 포인트(12)에서 반사된 반사 신호는 제1 검출부(350a)의 제2 반사 포인트(350ab)로 제공되고, 제2 포인트(12)를 투과한 투과 신호는 제2 검출부(350b)의 제2 투과 포인트(350bb)로 제공된다.
이후, 테라헤르츠파의 출사각은 계속하여 변화될 수 있다. 이에, 테라헤르츠파가 제2 포인트(12) 이후의 후행 포인트들(13, 13')로 조사됨에 따라 제1 및 제2 검출부(350a, 350b)로는 후행 포인트들(13, 13')에 대한 반사 신호와 투과 신호가 계속하여 제공된다.
다만, 도 4에서는 제1 및 제2 검출부(350a, 350b)가 평판형태로 마련되는 것을 도시하고 있다. 그러나 이는 본 실시예를 설명하기 위하여 제1 및 제2 검출부(350a, 350b)의 형태를 단순화시킨 것으로, 제1 및 제2 검출부(350a, 350b) 각각은 검출 카메라(351, 도 1참조) 및 광학 소자(353, 도 1참조)를 포함하도록 마련될 수 있다.
한편, 제1 및 제2 검출부(350a, 350b)에 연결된 영상 처리부(370)는 제1 및 제2 검출부(350a, 350b)로부터 제공되는 반사 신호와 투과 신호를 합성하여, 고해상도의 영상이 생성되도록 한다(S400).
이때, 영상 처리부(370)는 제1 반사 포인트(350aa)로 제공된 제1 포인트(11)의 반사 신호와, 제1 투과 포인트(350ba)로 제공된 제1 포인트(11)의 투과 신호가 상호 대응되도록 합성한다. 그리고 제2 반사 포인트(350ab)로 제공된 제2 포인트(12)의 반사 신호와, 제2 투과 포인트(350bb)로 제공된 제2 포인트(12)의 투과신호가 상호 대응되도록 합성한다. 이후, 제2 포인트(12) 이후의 후행 포인트들(13, 13')에 대한 반사 신호와 투과 신호를 합성한다.
이에, 영상 출력부(395)에서는 패키지 기판(10)의 내 외부 결함 정보를 포함하는 검사 영상, 예컨대 3차원 영상이 출력될 수 있다.
이와 같이, 기판 검사 장치(100) 및 검사 방법은 패키지 기판(10)으로부터 반사된 반사 신호와, 패키지 기판(10)을 투과한 투과 신호를 포인트 별로 합성시킬 수 있다. 이에, 패키지 기판(10)의 내 외부 결함 위치에 대한 검사 신뢰성이 향상되도록 할 수 있다.
한편, 본 실시예서는 제1 및 제2 검출부(350a, 350b)를 기반으로 패키지 기판(10)에 대한 반사 신호와 투과 신호를 합성하여 검사 영상을 획득하는 것을 설명하고 있다.
그러나 도 5와 같이, 기판 검사 장치(100)는 제1 검출부(350a)만을 구비하여 패키지 기판(10)의 외부 결함 정보만을 갖는 영상을 출력할 수 있다. 또한, 도 6과 같이, 기판 검사 장치(100)는 제2 검출부(350b)만을 구비하여 패키지 기판(10)의 내부 결함 정보만을 갖는 영상을 출력할 수 있다.
그리고 본 실시예서는 패키지 기판(10)과, 제1 및 제2 검출부(350a, 350b)에 격자 형태로 마련되는 임의의 포인트들(11, 12, 13, 13')을 기반으로 패키지 기판(10)에 대한 검사를 순차적으로 수행하는 것을 설명하고 있다. 그러나 이는 본 실시예를 설명하기 위한 일 실시예로 임의의 포인트들은 다양한 형태로 마련될 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 기판 검사 장치는 패키지 기판 검사에서 테라헤르츠파를 이용하여 패키지 기판의 내 외부 결함 영상을 획득할 수 있어, 검사 효율 및 제조 수율이 향상되고 패키지 기판에 대한 검사의 신뢰성을 향상되는 효과가 있다.
앞에서 설명되고, 도면에 도시된 본 발명의 일 실시예는, 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.
10 : 패키지 기판
100 : 기판 검사 장치
200 : 지지플레이트
300 : 검사부

Claims (1)

  1. 기판을 향해 테라헤르츠파를 조사하는 발진부;
    상기 기판 상측에 배치되어, 상기 테라헤르츠파에 의해 상기 기판으로부터 반사된 반사 신호가 입사되는 제1 검출부;
    상기 기판 하측에 배치되어, 상기 테라헤르츠파에 의해 상기 기판을 투과한 투과 신호가 입사되는 제2 검출부; 및
    상기 제1 및 제 2검출부로부터 제공되는 상기 반사 신호와 상기 투과 신호를 합성하여, 상기 기판의 결함이 내재된 영상을 생성하는 영상 처리부를 포함하는 기판 검사 장치.
KR1020160059695A 2016-05-16 2016-05-16 기판 검사 장치 KR102140588B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160059695A KR102140588B1 (ko) 2016-05-16 2016-05-16 기판 검사 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160059695A KR102140588B1 (ko) 2016-05-16 2016-05-16 기판 검사 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170128954A true KR20170128954A (ko) 2017-11-24
KR102140588B1 KR102140588B1 (ko) 2020-08-03

Family

ID=60810583

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160059695A KR102140588B1 (ko) 2016-05-16 2016-05-16 기판 검사 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102140588B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021118315A1 (ko) * 2019-12-11 2021-06-17 (주)미래컴퍼니 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템
US11237103B2 (en) 2018-05-31 2022-02-01 Socovar Sec Electronic device testing system, electronic device production system including same and method of testing an electronic device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970022346A (ko) 1995-10-19 1997-05-28 김광호 반도체 칩 패키징 검사 장치 및 검사 방법
JP2004500546A (ja) * 1999-06-04 2004-01-08 テラビュー　リミテッド ３次元画像形成
KR20050024303A (ko) * 2002-05-31 2005-03-10 뉴저지 인스티튜트 오브 테크놀로지 테라헤르츠 이미징 시스템 및 방법
JP2007298357A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Canon Inc 検体情報取得装置、及び検体情報取得方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970022346A (ko) 1995-10-19 1997-05-28 김광호 반도체 칩 패키징 검사 장치 및 검사 방법
JP2004500546A (ja) * 1999-06-04 2004-01-08 テラビュー　リミテッド ３次元画像形成
KR20050024303A (ko) * 2002-05-31 2005-03-10 뉴저지 인스티튜트 오브 테크놀로지 테라헤르츠 이미징 시스템 및 방법
JP2007298357A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Canon Inc 検体情報取得装置、及び検体情報取得方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11237103B2 (en) 2018-05-31 2022-02-01 Socovar Sec Electronic device testing system, electronic device production system including same and method of testing an electronic device
WO2021118315A1 (ko) * 2019-12-11 2021-06-17 (주)미래컴퍼니 테라헤르츠파를 이용한 검사 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
KR102140588B1 (ko) 2020-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4773839B2 (ja) 対象物の情報を検出する検出装置
US7295305B2 (en) Method and its apparatus for inspecting a pattern
US9071776B2 (en) Reflective imaging device and image acquisition method
JP5994416B2 (ja) テラヘルツパルス波を用いた粉末中の異物検出装置および異物検出方法
JP2007503582A (ja) 非平面的試料を調査するための方法及び装置
US10613026B2 (en) Far-infrared imaging device and far-infrared imaging method
KR20150004146A (ko) 테라헤르츠를 이용한 검사 장치
US10890539B1 (en) Semiconductor defect inspection apparatus
US11140809B2 (en) Method and apparatus for estimating a seed germination ability
KR20170128954A (ko) 기판 검사 장치
US10663433B2 (en) Ultrasound imaging device and method of generating image for ultrasound imaging device
JP3709439B2 (ja) テラヘルツ電磁波による物体の画像表示装置および方法
US20130265415A1 (en) Terahertz imaging device, and method of eliminating interference patterns from terahertz image
JP2004061455A (ja) テラヘルツ電磁波による粉体物性測定装置および方法
KR101701409B1 (ko) 테라헤르츠 전자기파를 이용한 고해상도 영상 생성 장치 및 영상 생성 방법
JP2005129732A (ja) テラヘルツ光発生装置およびテラヘルツ光測定装置
KR20150004147A (ko) 테라헤르츠를 이용한 검사 장치
KR102274622B1 (ko) 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법
JP2017015716A (ja) テラヘルツパルス波を用いた粉末中の異物検出装置および異物検出方法
JP2015087270A (ja) ＴＨｚ帯検査装置およびＴＨｚ帯を用いた検査方法
KR20160051170A (ko) 빔 스플리터의 후면 반사를 이용한 다중 광경로 레이저 광학계
US11821873B2 (en) Ultrasound flaw detector, ultrasound flaw detection method, and program
CN108072613B (zh) 光学检测装置及其检测方法
KR100478482B1 (ko) 웨이퍼 검사장치
TWI616653B (zh) 光學檢測裝置及其檢測方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant