KR20170126483A

KR20170126483A - 리버스 보윙 타겟 기하 구조를 갖는 스퍼터링 타겟

Info

Publication number: KR20170126483A
Application number: KR1020177028174A
Authority: KR
Inventors: 로버트 에스. 베일리; 쥔후이 옌; 멜빈 커크 홀콤; 알렉산더 레이보비치
Original assignee: 토소우 에스엠디, 인크
Priority date: 2015-03-02
Filing date: 2016-02-23
Publication date: 2017-11-17
Also published as: TW201634723A; CN107406972A; WO2016140833A1; US20180044778A1

Abstract

마그네트론(magnetron) 어셈블리에서 자석과 마주하는(facing) 리버스 보우(reverse bow)(즉, 볼록함)을 갖는 대체로 평면인 스퍼터 타겟(sputter target)이 제공된다. 약 1 내지 2시간 동안 1100 내지 1300℉의 온도에서 실시되는 어닐링 단계를 포함하는 Cu 및 Cu 합금 타겟의 제조방법이 제공된다. 상기 방법으로 제조된 타겟은 약 30 내지 90micron의 증가된 결정립(grain) 크기를 갖는다.

Description

리버스 보윙 타겟 기하 구조를 갖는 스퍼터링 타겟

관련 출원에 대한 상호 참조

본 출원은 2015년 3월 2일자로 출원된 미국 가특허출원 제62/126,911호 및 2015년 6월 19일자로 출원된 미국 가특허출원 제 62/182,002호에 대해 우선권을 주장한다.

기술분야

본 출원은, 통상적인 마그네트론(magnetron) 타겟 어셈블리에서 자석과 마주하는(facing) 볼록면이 제공된 스퍼터 타겟에 관한 것이다. 또한, 상기 타겟의 작동 방전 전압을 감소시키기 위해 Cu 및 Cu 합금 타겟의 결정립(grain) 성장을 증가시키기 위한 방법이 제공된다.

통상적인 마그네트론 어셈블리에서 자석과 마주하는 평면을 갖는 타겟은 일반적으로 사용 동안 진공 챔버를 향해 보윙된다. 이러한 조건은 타겟의 증가된 전압 방전을 야기한다. 일부 경우에서, 방전 전압이 전력 공급 장치의 규정 준수 수준(compliance level)에 도달하면, 전력은 유지될 수 없다. 이러한 "규정 준수" 수준은 종종 스퍼터링 시스템 임계값으로 나타낸다.

통상적인 Cu 및 Cu 합금 타겟에도 다소 유사한 문제가 발생할 수 있다. 일반적으로 이러한 타겟은 순수한 Cu에 대해 20micron 이하, 및 Cu 합금에 대해 15micron 미만의 크기로 매우 미세한 결정립 크기를 갖도록 제조된다. 이러한 타겟이 높은 방전 전압에서 스퍼터링되는 경우, 이러한 타겟은 우려를 유발할 수 있다.

본 발명의 일 측면에서, 볼록면 형태의 초기 리버스 보우(initial reverse bow)를 갖는 대체로 평면인 스퍼터 타겟이 제공된다. 이러한 리버스 보우는 0.04% 초과의 퍼센트 보윙을 보인다. 리버스 보우는 스퍼터링 동안의 연속된 보윙에 대해 조정된다.

퍼센트 보윙은 다음과 같이 계산할 수 있다:

x/y x 100 = % 타겟 보윙

여기서,

x=타겟의 중심축에서 측정한 평면 타겟 표면과 보윙된 타겟 표면간 거리(mm)

y=타겟 직경(mm).

다른 양태에서, 리버스 보윙은 약 0.04 내지 0.25% 범위의 퍼센트 보윙을 갖는다. 일부 경우에서, 타겟은 Cu, Al, Ti, 또는 Ta, 또는 이들 원소의 합금을 포함할 수 있다.

일부 예시적인 양태에서, 스퍼터 타겟은 모놀리식(monolithic) 스퍼터 타겟일 수 있거나, 또는 다른 양태에서, 스퍼터 타겟은 확산 접합(diffusion bond), 폭발 접합(explosion bond)을 통하거나 기계적 맞물림형 접합(mechanical interlocking type bond)을 통하여 백킹 플레이트(backing plate)에 접합될 수 있다.

본 발명의 다른 양태는, 타겟으로부터 스퍼터링되는 물질로 코팅될 기판을 갖는 유형의 스퍼터링 챔버에 수용되도록 구성된 스퍼터 타겟에 관한 것이다. 자석 공급원은 챔버 내에서 자기장을 형성하기 위한 타겟에 인접하여 위치한다. 스퍼터 타겟은 목적하는 기판에 물질을 스퍼터링하는 스퍼터면을 갖고, 스퍼터 타겟은 자석 공급원에 인접한 대향 표면(opposing surface)을 갖는다. 특정 양태에서, 타겟의 대향 표면은 자석 공급원과 마주하는 볼록면을 포함한다. 다른 양태에서, 타겟의 스퍼터면은 대체로 볼록한 형상을 포함할 수 있다.

본 발명의 다른 양태에서, 약 30 내지 90micron 단위의 결정립 크기를 갖는 Cu 또는 Cu 합금 스퍼터링 타겟이 제공된다.

본 발명의 특정 측면은, Cu 또는 Cu 합금 원료물질로부터 Cu 또는 Cu 합금 스퍼터링 타겟을 제조하는 방법에 관한 것이다. 예를 들어 상기 방법은,

a) 상기 Cu 또는 Cu 합금 원료물질을 용융 또는 주조하여 잉곳을 형성하는 단계;

b) 상기 잉곳을 열기계적으로 가공하여 플레이트를 형성하는 단계;

c) 상기 플레이트를 약 1 내지 2시간 동안 약 1100 내지 1300℉의 온도에서 어닐링하여 어닐링된 플레이트를 형성하는 단계; 및

d) 그라인딩(grinding), 폴리싱(polishing), 호닝(honing), 및 머시닝(machining)으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 표면 처리 가공으로 상기 어닐링된 플레이트를 표면 처리하여, 상기 스퍼터 타겟에 대해 목적하는 표면 및 형상을 제공하며, 여기서 상기 타겟이 약 30 내지 90micron의 평균 결정립 크기를 갖는 단계를 포함할 수 있다.

본 발명은 첨부된 도면 및 하기 상세한 설명과 함께 추가로 설명될 것이다.

도 1은, 본 발명에 따른 보윙된 타겟과 조합하여 도시된 마그네트론 스퍼터링 어셈블리의 모식도이다.
도 2는, 통상적인 타겟 윤곽을 허상으로 도시한 통상적인 타겟 구성과 비교한, 본 발명에 따른 보윙된 타겟의 절반의 단면도이다.

도면들을 참조로 하여, 음극성 스퍼터링 챔버(2)의 단면도가 도 1에 도시되어 있다. 챔버는 봉입(26)에 의해 한정된 씰링된 하우징(sealed housing)을 한정한다. 일반적으로, 챔버에 진공이 가해지며, 전압이 챔버를 가로질러 가해져, 스퍼터 타겟(4)이 음전압을 포함하여 제공되며, 양전압은 기판(예를 들어 웨이퍼) 받침대(8)에 인접한 챔버(또는 챔버 보호막-비도시됨)의 일부에 가해진다. 가공 기체, 예를 들어 Ar은 챔버로 도입된다. 타겟을 둘러싸는 씰(22, 24)이 봉입(26) 내의 타겟의 지지대(mount)에 제공된다.

음하전된 타겟과 챔버의 양하전된 부분 사이에 DC 전압이 인가된 챔버로 아르곤이 도입된 경우, 상기 아르곤은 음하전된 타겟(4)으로 끌려오는 양하전된 아르곤 이온과 플라즈마로 발화된다. 타겟(4)은 Cu, Al, Ti, 또는 Ta, 또는 이들 금속의 합금으로 구성될 수 있다. 이온들은 상당한 에너지로 타겟과 부딪혀, 타겟 스퍼터면(18)으로부터 받침대에 배치된 웨이퍼 등으로의 타겟 원자의 스퍼터링을 유발하며, 이에 의해 웨이퍼 등과 같은 목적하는 기판에 타겟 물질의 필름을 형성한다.

타겟의 뒤쪽에 배치된 자석(6)은 상기 자석에 근접하여 챔버 내에 자기장을 형성하여, 전자를 가두고, 상기 자석에 인접한 챔버 내에 고밀도 플라즈마 영역을 형성한다. 실제로, 자석은 일반적으로 타겟의 중심 부근을 회전한다.

본 발명은, 도 1에 도시된 타겟의 절반의 단면도인 도 2와 함께 추가로 설명될 것이다. 여기서, 타겟의 중심축은 타겟 표면의 반경 위치를 나타내는 X축을 포함하여 Y축으로 정의된다. 실제 타겟은, 타겟을 통과하는 중심축으로 연장된 Y축을 포함하여 본 도면에 도시된 2개의 타겟 절반의 대칭 조합으로 나타낼 것이 주목된다.

자석(6)과 마주하는 타겟의 측면(20)은, 이러한 표면(20)을 따라 볼록한 형상을 한정하는 보윙된 단면도를 포함하여 제공된다. 중심축에서 타겟 표면(20)의 반경 모서리(30)로 한정된 평면에 대해 측정된 바와 같이, 일양태에서 이러한 볼록함은 이의 정점에서 약 0.2 내지 0.4mm의 임계값을 초과한다. 다른 양태에서, 타겟은 약 0.4 내지 1mm의 보우를 갖는다. 본 출원을 조작의 어떤 특정한 이론과 결부시키는 것이긴 하지만, 타겟의 자석측(20)의 보윙(즉, 자석과 마주하는 볼록한 기하 구조)이, 표준 조건하에서 평면 스퍼터 타겟이 스퍼터링될 때의 플라즈마 하전에 중요한 영향을 갖는 것으로 생각된다. 대다수의 타겟은 스퍼터링 동안 진공 챔버쪽으로 자연스럽게 보윙된다. 초기 형태를 변경함으로써 타겟 보윙의 방향을 변경할 수 있다. 타겟의 자석측에 초기 외향(outward) 보우를 제공함으로써, 타겟은 (스퍼터링 동안) 가열되고 확장됨에 따라 이러한 외향 방향으로 계속 보윙되어 있을 것이다. 초기 외향 보우가 임계값(~0.2 내지 0.4mm)을 초과하는 경우, 스퍼터링 동안 타겟이 계속 보윙하고 있을 것임을 컴퓨터 모델링이 보였다.

외향 보윙 타겟은, 내향(inward) 보윙 타겟보다 (동일 조건하에서) 낮은 방전 전압으로 스퍼터링될 것이다. 더 낮은 방전 전압은 플라즈마 임피던스 문제가 타겟 수명을 제한하는 특정 스퍼터링 시스템에서 바람직할 수 있다. 보우의 양이 타겟 수명 내내 증가하지는 않으므로, 외향 보윙 타겟은 수명 동안 내향 보윙 타겟보다 더 안정적일 것이다.

일부 통상적인 확산 접합된 타겟은, 스퍼터링 초기 스테이지 동안의 응력 완화로 인해 외향 보우를 만든다. 이러한 통상적인 경우, 타겟은 초기에 평평하다. 외향 보윙 방향은, 초기 기하 구조를 외향 보윙을 선호하는 기하 구조로 변경하는 응력 완화의 결과이다. 본 발명의 목적은 타겟의 자석측(20)을 따르는 외향 보윙 방향을 선호하는 (저 응력 어셈블리-예를 들어 단일 방법) 초기 형태를 제공하는 것이다. 이러한 디자인은 보다 더 제어하기 용이하며, 다수의 상이한 어셈블리 방법(단일, 확산 접합, 기계 접합 등)에 적용될 수 있다.

도시된 바와 같이, 자석측(20)을 따라가는 외향 보윙은, 타겟의 표면에서보다 강력한 자기장을 형성하고 타겟을 보다 낮은 방전 전압으로 스퍼터링되게 할 마그네트론 공급원에 가까운 이러한 표면에 위치한다. 특정 경우에서, 방전 전압이 전원 공급 장치의 규정 한계에 도달하면, 전원은 유지될 수 없다. 외향 보윙 타겟은 이러한 고장 유형을 피하는 것을 도울 것이다.

도 2를 추가 참조하여, 통상적인 평면 타겟의 윤곽이 100, 102의 허상으로 도시된다. 자석(6)과 마주하는 통상적인 타겟의 표면(100)은 대체로 평면이다. 이는 볼록면 또는 자석과 마주하는 표면을 보여주는 본 발명의 타겟 표면(20)과 대비되며, 통상적인 표면(100)과 화살표로 도시된 타겟의 중심에서의 표면(20) 또는 표면(20)의 외향 보윙의 정점의 차이는 0.2 내지 0.4mm의 임계값을 초과한다. 일부 경우에서, (화살표로 도시된) 이러한 차이는 약 0.4 내지 1mm이다.

일부 예시적인 양태에서 타겟(4)은, 받침대(8)의 약 300mm의 직경을 갖는 원형의 웨이퍼를 스퍼터 코팅하도록 조정된다. 일부 양태에서, 타겟(4)은 약 450mm 직경을 갖는 원 형태를 가질 수 있다. 일부 양태에서, 타겟의 중심축(즉, 도 2의 y축)에서 측정된 표면(20)의 보윙은 타겟의 직경의 0.04% 이상이거나, 이를 초과한다. 다른 양태에서, 타겟의 중심축(도 2의 y축 참조)을 따라 측정된 표면(6)의 볼록한 보윙은 타겟 직경의 0.08% 초과이다. 본 발명의 다른 양태는 약 0.04 내지 0.25% 또는 0.08 내지 0.25% 범위의 외향 보윙/타겟 직경을 갖는다. 이들은 용어 "외향 보윙%"로 나타낸다.

다르게 나타내면, 퍼센트 보윙은 다음과 같이 계산할 수 있다:

x/y x 100 = % 타겟 보윙

여기서,

x=타겟의 중심축에서 측정된 평면 타겟 표면과 보윙된 타겟 표면 사이의 직경(mm)이고;

y=타겟 직경(mm)이다.

본 발명의 다른 양태에서, 타겟 스퍼터면측(18)은 오목면으로 제공된다. 특정 양태에서, 이러한 오목함은 자석측(20)을 따라 존재하는 볼록함의 거울상이다. 타겟의 스퍼터면측(18)을 따르는 볼록함은 타겟이 자석 공급원을 향하여 강제로 보윙되는 것을 돕는다.

표면(18)의 내향 보윙(오목면 형태)에 관하여, 내향 퍼센트 차이는 볼록면(20)에 대해 상기 나타낸 동일한 범위 내일 수 있다. 예를 들어, 표면에 대한 내향 퍼센트 보윙은 일부 양태에서 0.04% 초과, 또는 0.08% 초과일 수 있다. 다른 양태에서, 내향 퍼센트 보윙은 약 0.04 내지 0.25% 범위 내일 수 있다. 표면(18)의 내향 퍼센트 보윙의 일양태에서, 표면(18)의 내향 퍼센트 보윙은 볼록면(20)의 외향 퍼센트 보윙과 동일하다.

도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 타겟은, 챔버에 배치된 스퍼터링 챔버에서, 목적하는 기판과 자석 공급원 사이에서 사용하기 위해 조정된다. 바람직한 양태에서, 타겟은 별도의 백킹 플레이트 구성원을 포함하지 않는 단일 피스(one piece) 어셈블리이다. 이러한 타겟은 단일 디자인으로 나타낼 수도 있다. 본 발명의 다른 양태는, 예를 들어 확산 접합, 폭발 접합, 또는 기계적 맞물림형 접합과 같은 접합 기술을 통하여 타겟이 백킹 플레이트에 접합되는 타겟/백킹 플레이트 구성을 계획한다.

본 발명의 또 다른 측면에서, 통상적인 타겟보다 더 낮은 방전 전압으로 스퍼터링하는 구리(또는 구리 합금) 스퍼터링 타겟이 제공된다. 더 낮은 방전 전압은 플라스마 임피던스 문제가 타겟 수명을 제한하는 특정 스퍼터링 시스템에서 바람직할 수 있다. 전압이 전력 공급 장치의 한계까지 증가하면, 전력은 유지될 수 없을 것이다.

통상적인 Cu 타겟은 일반적으로 순수 구리에 대해 20micron 미만, 구리 합금에 대해 15micron 미만의 매우 미세한 결정립 크기를 갖도록 제조된다. 본 발명의 일부로서, 결정립 크기를 30micron 초과로 키우기 위한 Cu 스퍼터링 타겟의 어닐링이 스퍼터링 방전 전압을 감소시킬 수 있는 것이 실험적으로 측정되었다. 하나의 예시적인 결정립 크기는 약 30 내지 약 90micron이다. 전압 감소는 상승된 온도 어닐링에 의해 생성된 미세 구조와 관련된 2차 전자 수율 증가의 결과다.

스퍼터링 동안 타겟의 가열 및 확장에 따라 일반적으로 스퍼터링 챔버 내부로 보윙될 것이며, 이는 마그네트론 공급원 자석으로부터의 거리를 증가시킨다. 이러한 보윙 운동은 타겟의 표면에서의 자기장을 감소시키고 보다 높은 전압을 야기한다. 본 발명의 두번째 일부는 자석을 향해 보윙된 초기 형태를 갖는 타겟을 제공하는 것이다. 이는 스퍼터링 동안 자석으로부터 멀어지는 보우의 양을 감소시키는 것을 돕는다. 통상적인 타겟은 평평하다.

예비 시험은 >30micron 결정립 크기를 달성하기 위해, 어닐링에 의해 30 내지 40volt의 전압 감소를 달성한 시험 타겟을 제조했다. 이 시점에서, 초기 리버스 보우 기하 구조를 갖는 타겟을 제공함으로써 우리는 이미 30 내지 40volt 감소를 달성했다.

어닐링 온도는 Cu 합금 조성의 함수이다. 이 시점에서 시험된 Cu 0.5wt% Mn 타겟에 대해, 2시간 동안 약 1100℉ 초과의 어닐링 온도가 효과적임이 증명됐다. 바람직한 어닐링 온도는 대략 1100 내지 1292℉이다.

본 발명의 Cu 타겟 및 Cu 합금 타겟을 형성하기 위해, 원료물질, 즉 Cu 및 합금 금속이 용융되고 주조되어 잉곳을 형성한다. 잉곳은 열-기계적 가공, 예를 들어 단조(forging) 및 냉각 롤링으로 처리되어 플레이트를 형성한다. 이후 상기 플레이트는 1 내지 2시간에 걸쳐 약 1100 내지 1300℉의 온도에서 실시되는 어닐링 단계로 처리된다. 그 후, 타겟은 표면 처리, 예를 들어 그라인딩(grinding), 폴리싱(polishing), 호닝(honing), 및 머시닝(machining) 등으로 처리된다. 이러한 표면 처리된 플레이트는 단일 타겟으로 그 자체가 사용될 수 있거나, 통상적인 기술, 예를 들어 확산 접합, 폭발 접합, 또는 기계적 맞물림형 접합을 통해 백킹 플레이트에 접합될 수 있다. 일부 측면에서, 이러한 기계적 맞물림형 접합 가공은 실온에서 실시될 수 있다. 적합한 기계적 접합 기술은 미국 특허 제 6,749,103호; 6,725,522호; 및 7.114,643호에 개시되어 있으며, 이들은 모두 인용에 의해 본원에 포함된다. 이들 특허 모두는 타겟과 백킹 플레이트에 접합된 계면을 따라 형성된 기계적인 맞물림 접합을 개시한다.

Cu와 함께 제공될 수 있는 합금 원소에 관해, 일부 양태에서 이들은 1) Co, Cr, Mo, W, Fe, Nb, 또는 V를 포함할 수 있다. 다른 양태에서, 합금 원소는 2) Sb, Zr, Ti, Ag, Au, Cd, In, As, Be, B, Mg, Mn, Al, Si, Ca, Ba, La, 및 Ce일 수 있다. 그룹 1) 및 2)의 임의의 합금 원소의 혼합물도 예시로 나타낼 수 있다. 대부분의 경우에서, 합금 원소는 30%(원자%) 이하의 양으로 존재할 것이다.

본 발명이 이의 특정 형태에 관하여 개시되었을 지라도, 본 발명의 상기 설명을 읽는 자에 의해, 본원에 도시되고 개시된 특정 요소들 및 단계들에 대해 폭넓게 다양한 등가물이 치환될 수 있으며, 모든 특정 특징부들은 청구된 청구범위에 정의된 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않는 다른 특징부와 독립적으로 사용될 수 있다는 것이 이해될 것이다.

Claims

대체로 평면인 스퍼터 타겟(sputter target)으로서, 0.04% 초과의 퍼센트 보윙(bowing)을 보이는 볼록면(convex surface) 형태의 초기 리버스 보우(initial reverse bow)를 갖고, 상기 리버스 보우는 스퍼터링 동안의 연속된 보윙에 대해 조정되는, 스퍼터 타겟.
제1항에 있어서, 상기 퍼센트 보윙이 약 0.04 내지 0.25%인, 스퍼터 타겟.
제1항에 있어서, Cu, Al, Ti, 또는 Ta, 또는 이러한 원소들의 합금으로 구성되는, 스퍼터 타겟.
제3항에 있어서, 상기 스퍼터 타겟이 Cu 또는 Cu 합금을 포함하고, 상기 스퍼터 타겟은 모놀리식(monolithic) 스퍼터 타겟인, 스퍼터 타겟.
제3항에 있어서, 스퍼터 타겟이 백킹 플레이트(backing plate)와 조합되고, 상기 스퍼터 타겟과 상기 백킹 플레이트가 기계적 맞물림 접합(mechanical interlocking bond)을 통해 함께 접합된, 스퍼터 타겟.
스퍼터링 챔버에 수용하기 위해 구성된 스퍼터 타겟으로서, 상기 스퍼터링 챔버는 상기 타겟으로부터 스퍼터링되는 물질로 코팅될 기판, 및 상기 챔버 내에 자기장을 형성하기 위한 상기 타겟에 인접한 자석 공급원을 갖는 유형이고, 상기 스퍼터 타겟은 상기 물질을 상기 기판에 스퍼터링하는 스퍼터면(sputter surface) 및 상기 자석 공급원에 인접한 대향(opposing) 표면을 갖고, 상기 대향 표면은 상기 자석 공급원과 마주하는(facing) 볼록면을 포함하는, 스퍼터 타겟.
제6항에 있어서, 상기 타겟이 대체로 평면인 모놀리식 타겟인, 스퍼터 타겟.
제6항에 있어서, 상기 타겟의 상기 스퍼터면이 대체로 오목한 형상인, 스퍼터 타겟.
제6항에 있어서, 상기 볼록면이 0.04% 초과의 퍼센트 보윙을 갖는, 스퍼터 타겟.
제6항에 있어서, 상기 퍼센트 보윙이 약 0.04 내지 0.25%인, 스퍼터 타겟.
제6항 또는 제10항에 있어서, 상기 스퍼터 타겟이 Cu, Al, Ti, 또는 Ta, 또는 이러한 원소들의 합금으로 구성되는, 스퍼터 타겟.
제11항에 있어서, 상기 스퍼터 타겟이 Cu 또는 Cu 합금으로 구성되는, 스퍼터 타겟.
제6항에 있어서, 스퍼터 타겟이 백킹 플레이트와 조합되고, 상기 스퍼터 타겟과 상기 백킹 플레이트가 기계적 맞물림 접합을 통해 함께 접합된, 스퍼터 타겟.
제6항에 있어서, 스퍼터 타겟이 백킹 플레이트와 조합되고, 상기 스퍼터 타겟과 상기 백킹 플레이트가 확산 접합(diffusion bond) 또는 폭발 접합(explosion bond)을 통해 함께 접합된, 스퍼터 타겟.
약 30 내지 90micron의 결정립(grain) 크기를 갖는 Cu 또는 Cu 합금의 평면 스퍼터 타겟.
Cu 또는 Cu 합금 원료물질로부터의 Cu 또는 Cu 합금 원료물질 스퍼터 타겟의 제조방법으로서,
a) 상기 Cu 또는 Cu 합금 원료물질을 용융 또는 주조하여 잉곳을 형성하는 단계;
b) 상기 잉곳을 열기계적으로 가공하여 플레이트를 형성하는 단계;
c) 상기 플레이트를 약 1 내지 2시간 동안 약 1100 내지 1300℉의 온도에서 어닐링하여 어닐링된 플레이트를 형성하는 단계; 및
d) 그라인딩(grinding), 폴리싱(polishing), 호닝(honing), 및 머시닝(machining)으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 표면 처리 가공으로 상기 어닐링된 플레이트를 표면 처리하여, 상기 스퍼터 타겟에 대해 목적하는 표면 및 형상을 제공하며, 여기서 상기 타겟이 약 30 내지 90micron의 평균 결정립 크기를 갖는 단계를 포함하는, 방법.
스퍼터링 챔버에 수용하기 위해 구성된 스퍼터 타겟으로서, 상기 스퍼터링 챔버는 상기 타겟으로부터 스퍼터링되는 물질로 코팅될 기판, 및 상기 챔버 내에 자기장을 형성하기 위한 상기 타겟에 인접한 자석 공급원을 갖는 유형이고, 상기 스퍼터 타겟은 상기 물질을 상기 기판에 스퍼터링하는 스퍼터면 및 상기 자석 공급원에 인접한 대향 표면을 갖고, 상기 대향 표면은 상기 자석 공급원과 마주하는 볼록면을 포함하며, 상기 스퍼터 타겟은 제16항에 기재된 방법으로 제조된, 스퍼터 타겟.