KR20170125621A - 터치스크린 패널 - Google Patents

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KR20170125621A
KR20170125621A KR1020160055675A KR20160055675A KR20170125621A KR 20170125621 A KR20170125621 A KR 20170125621A KR 1020160055675 A KR1020160055675 A KR 1020160055675A KR 20160055675 A KR20160055675 A KR 20160055675A KR 20170125621 A KR20170125621 A KR 20170125621A
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KR
South Korea
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electrode
electrode wiring
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resist pattern
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KR1020160055675A
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채승진
최병진
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판 및 상기 기판 상에 형성된 제1전극배선과 제2전극배선이 반복적으로 교차하는 메시전극을 포함하며;
상기 메시전극은 제1전극배선과 제2전극배선이 교차하는 영역인 교차부와 교차인접부를 포함하며,
상기 교차인접부에 포함된 제1전극배선 및 제2전극배선의 최소폭 X 및 최대폭 Y는 다음의 수학식 1 및 2를 만족하는 것을 특징으로 하는 터치스크린패널 및 그의 제조방법을 제공한다:
[수학식 1]
X ≥ W
[수학식 2]
Y ≤ 1.5W
상기 식에서 W는 교차인접부 이외의 지역에 포함된 제1전극배선과 제2전극배선의 폭을 의미하며, 상기 교차인접부는 교차부의 중심점에서 5W의 거리 내에 있는 영역을 의미한다.

Description

터치스크린 패널{Touch screen panel}
본 발명은 터치스크린 패널에 관한 것이다.
터치 패널은 디스플레이 화면상에서 사용자의 접촉 위치를 감지하고 감지된 접촉 위치에 관한 정보를 받아들여 디스플레이 화면 제어를 포함한 전자기기의 전반적인 제어를 수행하기 위한 입출력 수단으로, 손가락이나 터치펜 등의 물체가 스크린에 접촉될 때 이를 입력신호로 인식하는 장치이다.
이러한 터치 패널은 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), OLED(Organic Light Emitting Diode), AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode) 등과 같은 표시장치 위에 부가되거나 표시장치 내에 내장 설계된다.
이러한 터치 패널은 광투과성을 가지며, 도전성을 띄는 소재를 이용한 감지부를 구비한다. 감지부는 터치 패널상의 입력신호의 위치를 인식하기 위하여 반복적인 패턴으로 형성되는데, 감지부를 포함하는 센서층이 평행하게 적층됨에 따라 패턴들이 겹치게 되어 패턴의 상호 간섭에 의한 모아레 현상이 발생하는 문제점이 있다.
또한, 상기 감지부를 구성하는 전극들을 습식식각에 의해 형성하는 경우, 에칭시 전극배선들 간의 교차부가 스큐(skew)에 의해 유실되므로 전극배선의 직진성이 훼손되어 모아레 현상이 더욱 심화되며, 심한 경우 전극배선에 단락이 발생하기도 한다.
대한민국 공개특허 제10-2016-0004047호
본 발명은 종래기술의 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서,
터치스크린 패널에 포함되는 메시전극의 형성시 교차부 및 교차인접부에 발생하는 전극배선의 직진성 훼손, 모아레현상의 발생 증가, 및 전극배선 단락 문제를 해결함으로써 우수한 시인성, 구동성 및 내구성을 갖는 터치스크린 패널을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은
기판 및 상기 기판 상에 형성된 제1전극배선과 제2전극배선이 반복적으로 교차하는 메시전극을 포함하며;
상기 메시전극은 제1전극배선과 제2전극배선이 교차하는 영역인 교차부와 교차인접부를 포함하며,
상기 교차인접부에 포함된 제1전극배선 및 제2전극배선의 최소폭 X 및 최대폭 Y는 다음의 수학식 1 및 2를 만족하는 것을 특징으로 하는 터치스크린패널을 제공한다:
[수학식 1]
X ≥ W
[수학식 2]
Y ≤ 1.5W
상기 식에서 W는 교차인접부 이외의 지역에 포함된 제1전극배선과 제2전극배선의 폭을 의미하며, 상기 교차인접부는 교차부의 중심점에서 5W의 거리 내에 있는 영역을 의미한다.
또한, 본 발명은,
기판 및 상기 기판 상에 습식식각에 의해 형성된 제1전극배선과 제2전극배선이 반복적으로 교차하는 메시전극을 포함하며;
상기 메시전극은 제1전극배선과 제2전극배선이 교차하는 교차부와 교차인접부에 습식식각 시 스큐(skew)에 의해 발생하는 선폭감소부분을 보완한 단락방지전극패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치스크린패널을 제공한다.
또한, 본 발명은,
(a) 기판 상에 투명전도막을 증착하는 단계:
(b) 상기 투명전도막 상에 포토레지스트막을 도포하는 단계;
(c) 상기 포토레지스트막을 소프트 베이크 하는 단계:
(d) 상기 포토레지스트막을 포토마스크를 사용하여 노광한 후 현상하여 제1전극배선 형성용 레지스트패턴과 제2전극배선 형성용 레지스트패턴이 반복적으로 교차하는 레지스트 메시패턴을 형성하는 단계;
(e) 상기 레지스트 메시패턴을 하드 베이크 하는 단계;
(f) 상기 하드 베이크된 레지스트 메시패턴이 형성된 기판을 습식으로 식각하는 단계: 및
(g) 상기 레지스트 메시패턴을 제거하는 단계;를 포함하며,
상기 레지스트 메시패턴은 교차인접부(B1)에 포함되는 제1전극배선 형성용 레지스트패턴(11) 및 제2전극배선 형성용 레지스트패턴(21)의 패턴폭 Z가 다음의 수학식 6을 만족하는 레지스트패턴 확장부를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치스크린패널의 제조방법을 제공한다:
[수학식 5]
W1 < Z ≤ 1.5W1
상기 식에서 W1은 교차인접부(B1) 이외의 지역에 포함되는 제1전극배선 형성용 레지스트패턴(11)과 제2전극배선 형성용 레지스트패턴(21)의 폭을 의미하며, 상기 교차인접부(B1)는 교차부(A1)의 중심점에서 5W1의 거리 내에 있는 지역을 의미한다.
본 발명의 터치스크린 패널은 교차인접부에 포함된 제1전극배선 및 제2전극배선의 폭을 교차인접부 이외의 지역에 포함된 제1전극배선과 제2전극배선의 폭보다 최소한 같거나 크게 형성함으로써, 메시전극의 제조시에 교차부에 발생하는 전극배선의 직진성 훼손, 모아레현상의 발생 증가, 및 전극배선 단락 문제를 해결함으로써 우수한 시인성, 구동성 및 내구성을 제공한다.
또한, 본 발명의 다른 실시형태에서 터치스크린 패널은 교차부와 교차인접부에 습식식각 시 스큐(skew)에 의해 발생하는 선폭감소부분을 보완한 단락방지전극패턴을 포함함으로써 메시전극의 제조시에 교차부에 발생하는 전극배선의 직진성 훼손, 모아레현상의 발생 증가, 및 전극배선 단락 문제를 해결함으로써 우수한 시인성, 구동성 및 내구성을 제공한다.
도 1 및 2는 본 발명의 터치스크린 패널에 구비되는 메시전극의 교차부(A) 및 교차인접부(B)를 나타낸 도면이며,
도 3은 본 발명의 터치스크린 패널에 구비되는 메시전극을 형성하기 위한 레지스트 패턴의 교차부(A1) 및 교차인접부(B1)를 나타낸 도면이며,
도 4는 본 발명의 터치스크린 패널에 구비되는 메시전극의 교차부 및 교차인접부의 배선형태를 예시한 도면이며,
도 5는 본 발명의 터치스크린 패널에 구비되는 메시전극을 형성하기 위한 레지스트 패턴의 교차부 및 교차인접부의 패턴형태를 나타낸 도면이며,
도 6은 종래기술에 따라 형성된 전극 메시전극의 교차부 및 교차인접부를 촬영한 현미경 이미지이며,
도 7은 본 발명의 실시예 1 및 비교예 1에서 형성된 메시전극의 교차부 및 교차인접부를 촬영한 현미경 이미지이다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명을 설명하기에 앞서 관련된 공지기능 및 구성에 대한 구체적 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그에 대한 설명은 생략하기로 한다.
아래 설명과 도면은 당업자가 설명되는 장치와 방법을 용이하게 실시할 수 있도록 특정 실시예를 예시한다. 다른 실시예는 구조적, 논리적으로 다른 변형을 포함할 수 있다. 개별 구성 요소와 기능은 명확히 요구되지 않는 한, 일반적으로 선택될 수 있으며, 과정의 순서는 변할 수 있다. 몇몇 실시예의 부분과 특징은 다른 실시예에 포함되거나 다른 실시예로 대체될 수 있다.
이하에서 도 1 및 도 7을 참고하여 본 발명을 설명한다.
본 발명은, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판 및 상기 기판 상에 형성된 제1전극배선(10)과 제2전극배선(20)이 반복적으로 교차하는 메시전극을 포함하며;
상기 메시전극은 제1전극배선(10)과 제2전극배선(20)이 교차하는 영역인 교차부(A)와 교차인접부(B)를 포함하며,
상기 교차인접부(B)에 포함된 제1전극배선 및 제2전극배선의 최소폭 X 및 최대폭 Y는 다음의 수학식 1 및 2를 만족하는 것을 특징으로 하는 터치스크린패널에 관한 것이다:
[수학식 1]
X ≥ W
[수학식 2]
Y ≤ 1.5W
상기 식에서 W는 교차인접부(B) 이외의 지역에 포함된 제1전극배선(10)과 제2전극배선(20)의 폭을 의미하며, 상기 교차인접부(B)는 교차부의 중심점(40)에서 5W의 거리 내에 있는 영역을 의미한다.
상기 최소폭 X가 W보다 작은 경우에는 배선의 폭이 좁아져서, 전극배선의 직진성 훼손되고, 모아레 현상이 증가되며, 및 전극배선 단락 문제가 야기될 수 있다. 또한, 최대폭 Y가 1.5W를 초과하는 경우에는 터치스크린 패널의 시인성이 저하된다.
본 발명의 터치스크린패널은 교차인접부(B)에 포함된 제1전극배선 및 제2전극배선의 폭이 교차인접부(B) 이외의 지역에 포함된 제1전극배선과 제2전극배선의 폭보다 최소한 같거나 크게 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 터치스크린 패널에 있어서, 교차인접부에 형성되는 전극배선은 상기 조건을 충족하는 범위에서 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 도 4에 도시된 형태와 유사한 형태로 형성될 수 있다.
도 4에 도시된 교차인접부에 형성되는 전극배선의 형태를 참고하면, 교차인접부에는 상기 배선폭 확장부가 포함되며, 배선폭 확장부는 교차인접부 이외의 지역에 포함된 폭이 W인 제1전극배선과 제2전극배선의 연장부(폭: W)와 상기 연장부의 한 쪽 이상의 가장자리에 결합된 배선폭 보완부(50)로 구성된다.
상기 배선폭 보완부(50)는 교차인접부 내에서도 제1전극배선과 제2전극배선의 가장자리가 만나는 지점을 중심으로 각각의 제1전극배선 및 제2전극배선 중의 어느 하나 이상의 방향으로 가장자리를 따라 연장되어 형성될 수 있다.
상기 배선폭 보완부(50)는 상기 제1전극배선 및 제2전극배선의 연장부와 동시에 형성될 수 있다.
본 발명의 터치스크린 패널에 있어서, 상기 메시전극은 도전성 물질로 형성될 수 있다.
상기 도전성 물질로는 ITO(Indium Tin Oxide), APC (Al-Pd-Cu), IO(Indium Oxide; IO), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), ATO(Aluminum Tin Oxide), AIO(Aluminum Indium Oxide), ZO(Zinc Oxide), FTO(F-doped Tin Oxide), 금속, 금속나노와이어, 탄소나노튜브, 그래핀, 전도성 고분자, 도전성 잉크 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 조합되어 사용될 수 있다.
또한, 본 발명, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판 및 상기 기판 상에 습식식각에 의해 형성된 제1전극배선(10)과 제2전극배선(10)이 반복적으로 교차하는 메시전극을 포함하며;
상기 메시전극은 제1전극배선과 제2전극배선이 교차하는 교차부(A)와 교차인접부(B)에 습식식각 시 스큐(skew)에 의해 발생하는 선폭감소부분을 보완한 단락방지전극패턴(30)을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치스크린패널에 관한 것이다.
메시전극을 습식식각에 의해 형성하는 경우, 식각시 전극배선들 간의 교차부(A)와 교차인접부(B)가, 도 2의 30, 도 6 및 도 7(우측 사진)에 도시된 바와 같이, 스큐(skew)에 의해 유실된다. 따라서, 상기 유실을 방지하지 못하는 경우에는, 도 6에 도시된 바와 같이, 전극배선의 직진성이 훼손되며, 모아레현상의 발생이 증가하며, 심한 경우 전극배선이 단락된다. 따라서, 본 발명에서는 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여, 단락방지전극패턴(도 2, 30)을 구비한다.
상기 교차인접부(B)는 교차인접부(B) 이외의 지역에 포함된 제1전극배선(10)과 제2전극배선(20)의 폭을 W라 할 때, 교차부의 중심점(40)에서 5W의 거리 내에 있는 영역을 의미한다.
도 3을 참고하면, 상기 단락방지전극패턴(30)은 상기 메시전극을 형성하기 위한 리쏘그래피 공정에서 형성되는, 교차인접부(B1)에 포함된 제1전극배선 형성용 레지스트패턴(11) 및 제2전극배선 형성용 레지스트패턴(21)의 패턴폭 Z가 다음의 수학식 3을 만족하는 레지스트패턴 확장부를 포함하는 레지스트패턴에 의해 형성되는 특징을 가질 수 있다:
[수학식 3]
W1 < Z ≤ 1.5W1
상기 식에서 W1은 교차인접부(B1) 이외의 지역에 포함되는 제1전극배선 형성용 레지스트패턴(11)과 제2전극배선 형성용 레지스트패턴(21)의 폭을 의미하며, 상기 교차인접부(B1)는 교차부(A1)의 중심점에서 5W1의 거리 내에 있는 지역을 의미한다.
상기 Z가 W1와 같거나 작은 경우에는 식각시 스큐(skew)에 의한 배선 유실을 방지하기 어려우며, 1.5W1을 초과하는 경우에는 교차인접부(B1)에 형성되는 제1전극배선 또는 제2전극배선의 폭이 너무 굵어져서 터치스크린 패널의 시인성을 저하시킨다.
본 발명의 터치스크린 패널에 있어서, 상기 Z는 다음의 수학식 4를 만족하는 특징을 가질 수 있다:
[수학식 4]
1.1W1 ≤ Z ≤ 1.5W1
본 발명의 터치스크린 패널에 있어서, 교차인접부에 형성되는 레지스트패턴 은 상기 조건을 충족하는 범위에서 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 도 5에 도시된 형태와 유사한 형태로 형성될 수 있다.
도 5에 도시된 교차인접부에 형성되는 레지스트패턴의 형태를 참고하면, 교차인접부에는 상기 레지스트패턴폭 확장부가 포함되며, 레지스트패턴폭 확장부는 교차인접부 이외의 지역에 포함된 폭이 W1인 제1전극배선 형성용 레지스트패턴과 제2전극배선 형성용 레지스트패턴의 연장부(폭: W1)와 상기 연장부의 한 쪽 이상의 가장자리에 결합된 레지스트패턴폭 보완부(51)로 구성된다.
상기 레지스트패턴폭 보완부(51)는 교차인접부 내에서도 제1전극배선 형성용 레지스트패턴과 제2전극배선 형성용 레지스트패턴의 가장자리가 만나는 지점을 중심으로 각각의 제1전극배선 형성용 레지스트패턴 및 제2전극배선 형성용 레지스트패턴 중의 어느 하나 이상의 방향으로 가장자리를 따라 연장되어 형성될 수 있다.
상기 레지스트패턴폭 보완부(51)는 상기 제1전극배선 및 제2전극배선의 연장부와 동시에 형성될 수 있다.
본 발명의 터치스크린 패널에 있어서, 상기 메시전극은 도전성 물질로 형성될 수 있다.
상기 도전성 물질로는 ITO(Indium Tin Oxide), APC (Al-Pd-Cu), IO(Indium Oxide; IO), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), ATO(Aluminum Tin Oxide), AIO(Aluminum Indium Oxide), ZO(Zinc Oxide), FTO(F-doped Tin Oxide), 금속, 금속나노와이어, 탄소나노튜브, 그래핀, 전도성 고분자, 도전성 잉크 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 조합되어 사용될 수 있다.
상기에서 설명된 본 발명의 터치스크린패널들에 있어서, 메시전극은 터치스크린 패널에 포함되는 감지전극 또는 구동전극에 포함되어 감지전극과 구동전극을 구성하는 것일 수 있다.
본 발명의 터치스크린패널들은 상기에서 기술한 내용을 기술적 특징으로 하며, 나머지 구성요소들에 대해서는 이 분야에 공지된 구성요소들이 제한 없이 채용될 수 있다.
또한, 본 발명은
(a) 기판 상에 투명전도막을 증착하는 단계:
(b) 상기 투명전도막 상에 포토레지스트막을 도포하는 단계;
(c) 상기 포토레지스트막을 소프트 베이크 하는 단계:
(d) 상기 포토레지스트막을 포토마스크를 사용하여 노광한 후 현상하여 제1전극배선 형성용 레지스트패턴과 제2전극배선 형성용 레지스트패턴이 반복적으로 교차하는 레지스트 메시패턴을 형성하는 단계;
(e) 상기 레지스트 메시패턴을 하드 베이크 하는 단계;
(f) 상기 하드 베이크된 레지스트 메시패턴이 형성된 기판을 습식으로 식각하는 단계: 및
(g) 상기 레지스트 메시패턴을 제거하는 단계;를 포함하며,
상기 레지스트 메시패턴은 교차인접부(B1)에 포함되는 제1전극배선 형성용 레지스트패턴(11) 및 제2전극배선 형성용 레지스트패턴(21)의 패턴폭 Z가 다음의 수학식 5를 만족하는 레지스트패턴 확장부를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치스크린패널의 제조방법에 관한 것이다:
[수학식 5]
W1 < Z ≤ 1.5W1
상기 식에서 W1은 교차인접부(B1) 이외의 지역에 포함되는 제1전극배선 형성용 레지스트패턴(11)과 제2전극배선 형성용 레지스트패턴(21)의 폭을 의미하며, 상기 교차인접부(B1)는 교차부(A1)의 중심점에서 5W1의 거리 내에 있는 지역을 의미한다.
상기 Z가 W1과 같거나 작은 경우에는 식각 시 스큐(skew)에 의한 배선 유실을 방지하기 어려우며, Z가 1.5W1을 초과하는 경우에는 교차인접부(B1)에 형성되는 제1전극배선 또는 제2전극배선의 폭이 너무 굵어져서 터치스크린 패널의 시인성을 저하시킨다.
본 발명의 터치스크린 패널의 제조방법에 있어서, 상기 패턴폭 Z는 다음의 수학식 6을 만족하는 특징을 가질 수 있다:
[수학식 6]
1.1W1 ≤ Z ≤ 1.5W1
상기 기술된 터치스크린패널들에 관한 내용은 상기 제조방법에 모두 적용될 수 있다. 그러므로, 중복되는 부분의 기재는 생략한다.
상기 터치스크린패널의 제조방법에 있어서, 위에서 본 발명의 기술적 특징으로 특별히 언급된 것을 제외한 것은 이 분야에 공지된 기술들이 제한 없이 적용될 수 있다. 예를 들어, 리소그래피 공정의 경우 이 분야에서 통상적으로 사용되고 있는 공정이 그대로 적용될 수 있으며, 포토레지스트, 노광방법, 마스크, 현상액, 식각액 등도 이 분야에 공지된 것이 적용될 수 있다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
실시예 1~7: 터치스크린 패널의 메시전극 형성 및 평가
터치스크린 기판 위에 투명전도막으로 APC (Al-Pd-Cu)를 100nm 두께로 증착하고, 도 3과 같은 레지스트 패턴을 형성하여 사용하고, 식각액으로 인질초계 식각액을 사용한 것을 제외하고는 이 분야에서 사용되는 통상적인 방법으로 리쏘그래피를 진행하여 터치스크린 기판 위에 메시전극을 형성하였다. 각 실시예에서는 표 1에 나타낸 바와 같이 패턴의 폭을 달리하여 메시전극을 형성하였다.
상기 형성된 메시전극의 전기특성 단락유무를 멀티미터를 사용하여 평가하고, 교차부 시인성을 백라이트 육안 시인방법으로 평가하고, 발생된 Skew(㎛)와 교차부의 직진성을 현미경으로 확인하여 하기 표 1에 나타내었다.
또한, 상기 실시예 1에 의해 형성된 메시전극을 현미경으로 촬영하여 도 7의 (a)에 나타내었다.
비교예 1~5: 터치스크린 패널의 메시전극 형성 및 평가
메시전극을 형성하기 위한 레지스트 패턴의 폭이 교차인접부와 그 이외의 지역에서 차이가 없는 패턴(이 분야의 통상적으로 사용되는 레지스트 패턴)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예와 동일하게 메시전극을 형성하였다. 각 비교예에서는 표 1에 나타낸 바와 같이 패턴의 폭을 달리하여 메시전극을 형성하였다.
상기 실시예에서와 동일한 방법으로 전기특성 단락유무, 교차부 시인성, Skew(㎛), 교차부 직진성을 평가하여 하기 표 1에 나타내었다.
또한, 비교예 1 내지 4에 의해 형성된 메시전극을 현미경으로 촬영하여 도 6 및 도 7의 (b)에 나타내었다.
교차인접부 이외 지역의 배선폭(W,㎛) 교차인접부의 최소 배선폭(X, ㎛) 사용한 레지스트 패턴의 교차인접부 패턴폭(Z) 전기특성
단락유무		 교차부 시인성 Skew(㎛) 교차부
직진성
실시예 1 2.09 2.09 1.2 W ○ 0/10 0 ○
실시예 2 4.11 4.11 1.2 W ○ 0/10 0 ○
실시예 3 5.98 5.98 1.2 W ○ 0/10 0 ○
실시예 4 8.12 8.12 1.2 W ○ 0/10 0 ○
실시예 5 4.16 4.16 1.2 W ○ 0/10 0 ○
실시예 6 4.11 4.39 1.3 W ○ 1/10 0 ○
실시예 7 4.26 5.12 1.4 W ○ 2/10 0 ○
비교예 1 2.02 0.97 1 W × 0/10 1.05 ×
비교예 2 4.29 3.18 1 W Δ 0/10 1.11 ×
비교예 3 6.08 5.02 1 W ○ 0/10 1.06 ×
비교예 4 8.09 6.96 1 W ○ 0/10 1.13 ×
비교예 5 4.09 6.12 1.7 W ○ 9/10 0 ○
상기 표 1로부터 확인되는 바와 같이, 본 발명의 실시예 1 내지 7에 의해 형성된 메시전극은 교차부단락방지 래지스트 패턴(도 3)을 사용함으로써 교차부에 스큐(skew)에 의한 패턴 유실이 거의 나타나지 않았으며, 전기특성 단락도 발생하지 않았다. 또한, 교차부 직진성 및 교차부 시인성이 모두 우수한 것으로 확인되었다. 반면, 비교예 1 내지 5에 의해 형성된 메시전극은 교차부단락방지 래지스트 패턴(도 3)을 사용하지 않았기 때문에, 교차부에 스큐(skew)에 의한 패턴의 유실이 발생하거나, 전기특성 단락이 발생하거나, 교차부 직진성이 나쁜 경우가 확인되었다. 또한,배선 폭이 얇으며, 교차부 직진성이 나쁜 경우 전기적 특성도 좋지 않을 수 있다. 교차부단락방지 래지스트 패턴을 배선에 비해 두껍게 형성할 경우 교차부 시인성이 좋지 않은 경우도 확인되었다. 이러한 사실은 도 6 및 도 7로부터도 명백히 확인된다.
10: 제1전극배선 11: 제1전극배선 형성용 레지스트패턴
20: 제2전극배선 21: 제2전극배선 형성용 레지스트패턴
30: 단락방지전극패턴 40, 41: 교차부 중심점
50: 배선폭 보완부 51: 레지스트패턴폭 보완부

Claims (8)

  1. 기판 및 상기 기판 상에 형성된 제1전극배선과 제2전극배선이 반복적으로 교차하는 메시전극을 포함하며;
    상기 메시전극은 제1전극배선과 제2전극배선이 교차하는 영역인 교차부와 교차인접부를 포함하며,
    상기 교차인접부에 포함된 제1전극배선 및 제2전극배선의 최소폭 X 및 최대폭 Y는 다음의 수학식 1 및 2를 만족하는 것을 특징으로 하는 터치스크린패널:
    [수학식 1]
    X ≥ W
    [수학식 2]
    Y ≤ 1.5W
    상기 식에서 W는 교차인접부 이외의 지역에 포함된 제1전극배선과 제2전극배선의 폭을 의미하며, 상기 교차인접부는 교차부의 중심점에서 5W의 거리 내에 있는 영역을 의미한다.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 메시전극은 도전성 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 터치스크린패널.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 도전성 물질은 ITO(Indium Tin Oxide), APC (Al-Pd-Cu), IO(Indium Oxide; IO), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), ATO(Aluminum Tin Oxide), AIO(Aluminum Indium Oxide), ZO(Zinc Oxide), FTO(F-doped Tin Oxide), 금속, 금속나노와이어, 탄소나노튜브, 그래핀, 전도성 고분자, 및 도전성 잉크로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 터치스크린패널.
  4. 기판 및 상기 기판 상에 습식식각에 의해 형성된 제1전극배선과 제2전극배선이 반복적으로 교차하는 메시전극을 포함하며;
    상기 메시전극은 제1전극배선과 제2전극배선이 교차하는 교차부와 교차인접부에 습식식각 시 스큐(skew)에 의해 발생하는 선폭감소부분을 보완한 단락방지전극패턴을 포함하는 터치스크린패널.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 단락방지전극패턴은 상기 메시전극을 형성하기 위한 리쏘그래피 공정에서 형성되는, 교차인접부에 포함되는 제1전극배선 형성용 레지스트패턴 및 제2전극배선 형성용 레지스트패턴의 패턴폭 Z가 다음의 수학식 3을 만족하는 레지스트패턴 확장부를 포함하는 레지스트패턴에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 터치스크린패널:
    [수학식 3]
    W1 < Z ≤ 1.5W1
    상기 식에서 W1은 교차인접부 이외의 지역에 포함되는 제1전극배선 형성용 레지스트패턴과 제2전극배선 형성용 레지스트패턴의 폭을 의미하며, 상기 교차인접부는 교차부의 중심점에서 5W1의 거리 내에 있는 지역을 의미한다.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 패턴폭 Z는 다음의 수학식 4를 만족하는 것을 특징으로 하는 터치스크린패널:
    [수학식 4]
    1.1W1 ≤ Z ≤ 1.5W1
  7. 청구항 4에 있어서,
    상기 메시전극은 도전성 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 터치스크린패널.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 도전성 물질은 ITO(Indium Tin Oxide), APC (Al-Pd-Cu), IO(Indium Oxide; IO), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), ATO(Aluminum Tin Oxide), AIO(Aluminum Indium Oxide), ZO(Zinc Oxide), FTO(F-doped Tin Oxide), 금속, 금속나노와이어, 탄소나노튜브, 그래핀, 전도성 고분자, 및 도전성 잉크로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 터치스크린패널.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11048365B2 (en) * 2018-02-13 2021-06-29 Samsung Display Co., Ltd. Display device including mesh lines overlapping contact holes

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