KR20170120892A - Manufacturing mathod of metal substrate for electronic device - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a method for manufacturing a metal substrate for an electronic device. According to an embodiment of the present invention, provided is a method for manufacturing a metal substrate for an electronic device, which includes the steps of: controlling the surface energy of a mother substrate; forming a seed layer on the mother substrate; forming a seed protection layer on the seed layer; forming a plating layer on the seed protection layer with an electroplating process; and separating the plating layer from the mother substrate. Accordingly, the present invention can reduce manufacturing costs.

Description

전자소자용 금속 기판의 제조 방법{MANUFACTURING MATHOD OF METAL SUBSTRATE FOR ELECTRONIC DEVICE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of manufacturing a metal substrate for an electronic device,

본 발명은 전자소자용 금속 기판의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전자소자용 기판 수준의 낮은 표면 거칠기, 높은 공정 온도, 높은 광 반사도 특성을 갖는 전자소자용 금속 기판의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of manufacturing a metal substrate for an electronic device, and more particularly, to a method of manufacturing a metal substrate for an electronic device having a low surface roughness, a high process temperature, .

다양한 방면에서 기술이 발달함에 따라 유연성 전자소자의 요구가 커 지고 있다. 이에 따라, 전자소자에 적용되는 소재들 또한 유연성을 가지는 물질을 요구하는 방향으로 기술이 발전하고 있다. 특히 전자소자의 제조에서 시작점을 알리는 기판의 유연성을 확보할 수 있는지 여부가 중요하게 대두되고 있다.As technology develops in various fields, the demand for flexible electronic devices is increasing. As a result, technologies are being developed in the direction of requiring materials having flexibility as well as materials applied to electronic devices. Particularly, whether or not the flexibility of the substrate that informs the starting point in the manufacture of electronic devices can be ensured is becoming important.

유연성 기판에 관련하여서는 플라스틱 기판 상에 전자소자를 제조하는 방법 및 금속 박막 상에 전자소자를 제조하는 방법의 크게 2가지 상이한 방법이 보고되고 있다.Regarding flexible substrates, two different methods have been reported, namely, a method of manufacturing an electronic device on a plastic substrate and a method of manufacturing an electronic device on a metal thin film.

플라스틱 기판 상에 전자소자를 제조하는 방법에 관련하여, 특허문헌 1(대한민국 공개특허공보 제2009-0114195호)에는 유리기판 상에 고분자 기판을 접착한 후 전자소자를 만든 후, 기판으로부터 분리하는 방법이 개시되어 있고, 특허문헌 2(대한민국 공개특허공보 제2006-0134934호)에는 유리기판 상에 스핀코팅 방법으로 고분자물질을 코팅한 후 전자소자를 만든 후 유리기판으로부터 분리하여 유연성 전자소자를 제작하는 방법이 개시되어 있다.With respect to a method of manufacturing an electronic device on a plastic substrate, Patent Document 1 (Korean Patent Laid-Open Publication No. 2009-0114195) discloses a method of separating a polymer substrate from a substrate after bonding a polymer substrate onto a glass substrate, Patent Document 2 (Korean Patent Laid-Open Publication No. 2006-0134934) discloses a method in which a polymer material is coated on a glass substrate by a spin coating method and then an electronic device is formed and then separated from the glass substrate to produce a flexible electronic device Method is disclosed.

상기 특허문헌 1 및 2에서 개시된 기술들은 플라스틱 기판을 활용하여 유연성 전자소자를 제조하기 때문에 플라스틱의 물성이 버티지 못하는 공정조건에서는 활용하기 어렵다는 단점이 있다. 특히 디스플레이, 논리소자 등의 제작에 있어서 트렌지스터의 제조공정에서 필수적으로 포함되는 450℃ 이상에서의 열처리 공정의 경우 엔지니어링 플라스틱을 사용하더라도 공정을 진행할 수 없다. 또한 Si, SiO2, Al2O3 등과 같은 무기물 반도체 및 절연체와 플라스틱 간의 열팽창계수의 차이로 인해 플라스틱 기판 상에 제조된 박막의 균열, 박리 등의 결함이 발생할 가능성이 높아 수율이 저하되는 문제점이 있다. 그리고 수분에 취약한 유기물 반도체의 경우 플라스틱 기판 상에 별도의 수분 침투 방지층을 형성해야 하는 문제점이 존재한다.The techniques disclosed in the above Patent Documents 1 and 2 have a disadvantage that it is difficult to utilize in a process condition in which the physical properties of the plastic can not be maintained because a flexible electronic device is manufactured using a plastic substrate. Particularly, in the case of the heat treatment process at 450 ° C or more, which is indispensably included in the manufacturing process of the transistor in the manufacture of the display and the logic device, the process can not be carried out even though the engineering plastic is used. In addition, due to the difference in thermal expansion coefficient between an inorganic semiconductor such as Si, SiO 2 , Al 2 O 3 and the like and a thermal expansion coefficient between an insulator and a plastic, defects such as cracks and peeling of a thin film formed on a plastic substrate are likely to occur, have. In addition, in the case of organic semiconductors which are susceptible to moisture, there is a problem that an additional moisture permeation preventive layer must be formed on the plastic substrate.

금속기판 상에 전자소자를 제조하는 방법에 관련하여, 특허문헌 3(대한민국 공개특허공보 제2008-0024037호)에서, 금속기판 상에 유리 성분을 포함하는 버퍼막을 통해 표면거칠기를 낮추어 생산수율이 높은 유연성 전자소자를 제공하는 방법이 개시되어 있고, 특허문헌 4(대한민국 공개특허공보 제2009-0123164호)에는 금속기판 상의 양각형 패턴을 연마를 통해 제거하여 수율을 향상시키는 방법이 개시되어 있다.With respect to a method for manufacturing an electronic device on a metal substrate, Patent Document 3 (Korean Patent Laid-Open No. 2008-0024037) discloses a method for manufacturing an electronic device on a metal substrate by lowering the surface roughness through a buffer film containing a glass component, Patent Document 4 (Korean Patent Laid-Open Publication No. 2009-0123164) discloses a method of improving the yield by removing a concave pattern on a metal substrate through polishing.

20 um ~ 200 um 수준의 전자소자용 금속 기판의 제조방법 상 수백 nm 이상의 표면 거칠기를 갖게 되며, 이를 낮추기 위핸 추가적인 공정이 필요하게 된다. 이를 극복하기 위해 특허문헌 5(대한민국 공개특허공보 제2012-0048518호)에서 낮은 표면 거칠기를 갖는 금속기판의 제조 방법이 개시되어 있다.A method of manufacturing a metal substrate for an electronic device at a level of 20 to 200 μm has a surface roughness of several hundreds of nm or more, and an additional process is required to lower the surface roughness. To overcome this, Patent Document 5 (Korean Patent Laid-Open Publication No. 2012-0048518) discloses a method of manufacturing a metal substrate having a low surface roughness.

하지만 상기 기술을 사용하여 제조된 금속 기판에서도 금속기판을 형성하는 금속, 특히 Fe 계열 합금의 경우 물질 자체의 낮은 광 반사도 특성을 보이며, 이러한 낮은 광 반사도에 의해는 광전소자, 특히 유기발광다이오드에서의 기판으로 적용할 때 추가적인 반사판을 금속기판 상에 형성하는 공정을 필요로 한다.However, in the case of a metal substrate manufactured using the above-described technique, the metal forming the metal substrate, particularly the Fe-based alloy, exhibits low light reflectivity characteristics of the material itself. There is a need for a process of forming an additional reflector on a metal substrate when applied as a substrate.

특허문헌 1: 대한민국 공개특허공보 제2009-0114195호Patent Document 1: Korean Published Patent Application No. 2009-0114195 특허문헌 2: 대한민국 공개특허공보 제2006-0134934호Patent Document 2: Korean Published Patent Application No. 2006-0134934 특허문헌 3: 대한민국 공개특허공보 제2008-0024037호Patent Document 3: Korean Patent Publication No. 2008-0024037 특허문헌 4: 대한민국 공개특허공보 제2009-0123164호Patent Document 4: Korean Published Patent Application No. 2009-0123164 특허문헌 5: 대한민국 공개특허공보 제2012-0048518호Patent Document 5: Korean Patent Publication No. 2012-0048518

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 전자소자용 유리 기판과 도일한 수준의 소자 특성을 얻을 수 있고 낮은 표면 거칠기와 높은 광 반사도를 갖는 전자소자용 금속 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a metal substrate for an electronic device, which can obtain a level of device characteristics with a glass substrate for an electronic device and has a low surface roughness and a high light reflectivity.

또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 모기판의 표면에너지를 조절하여 금속과의 결합력을 향상시켜서 도금 용액의 침투를 방지하는 전자소자용 금속 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.Another problem to be solved by the present invention is to provide a method of manufacturing a metal substrate for an electronic device, which prevents penetration of a plating solution by adjusting surface energy of a mother substrate to improve bonding force with the metal.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 모기판의 표면에너지를 조절하는 단계; 상기 모기판 상에 시드층을 형성하는 단계; 상기 시드층 상에 시드 보호층을 형성하는 단계; 전기 도금 공정으로 상기 시드 보호층 상에 도금층을 형성하는 단계; 및 상기 모기판으로부터 상기 도금층을 분리하는 단계를 포함하는 전자소자용 금속 기판의 제조 방법을 제공한다.According to one embodiment of the present invention, there is provided a method of adjusting the surface energy of a mother substrate, Forming a seed layer on the mother substrate; Forming a seed protective layer on the seed layer; Forming a plating layer on the seed protective layer by an electroplating process; And separating the plating layer from the mother substrate. The present invention also provides a method of manufacturing a metal substrate for an electronic device.

본 발명은 모기판의 평탄도가 그대로 전사되는 전자소자용 금속 기판을 확보할 수 있으므로, 기존의 금속 기판을 전자소자에 적용할 시 필수적인 평탄층 공정을 제외할 수 있어 공정비용을 낮출 수 있다. The present invention can secure a metal substrate for an electronic device in which the flatness of a mother substrate is transferred as it is, and therefore it is possible to exclude a flat layer process, which is essential for application of an existing metal substrate to an electronic device, thereby lowering the process cost.

또한, 본 발명은 반사도가 높은 물질로 시드층을 형성하여 반사층을 별도로 형성하는 공정을 진행하지 않으므로 공정비용을 절감할 수 있다.In addition, the present invention does not proceed with a step of forming a seed layer from a material having a high reflectivity and forming a reflective layer separately, thereby reducing the processing cost.

또한, 본 발명은 표면 처리를 통하여 기판과 시드층 사이의 적절한 부착력을 확보할 수 있게 되어 모기판과의 결합력이 낮은 금속을 시드층에 적용하더라도 도금액의 침투 없이 평탄도 및 광 반사도를 유지하는 전자소자용 금속 기판을 제조할 수 있다.In addition, the present invention can secure a proper adhesion force between the substrate and the seed layer through the surface treatment, so that even if a metal having a low bonding force with the mother substrate is applied to the seed layer, A metal substrate for a device can be manufactured.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자소자용 금속 기판의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 은(Ag)으로 전자소자용 금속 기판의 시드층을 형성한 사진이다.
도 3은 비교 예시로 모기판의 표면 처리를 수행하지 않고 제조한 전자소자용 금속 기판의 단면 구조를 나타내는 도면이다.
도 4은 비교 예시로 표면 처리를 하지 않고 은(Ag)으로 전자소자용 금속 기판의 시드층을 형성한 사진이다.
도 5는 광 반사도를 비교하기 위해 구리(Cu)를 시드층 금속으로 적용한 경우와 은(Ag)을 시드층 금속으로 적용한 경우를 비교한 결과이다.1 is a view illustrating a method of manufacturing a metal substrate for an electronic device according to an embodiment of the present invention.
2 is a photograph showing a seed layer of a metal substrate for an electronic device formed of silver (Ag) according to an embodiment of the present invention.
3 is a diagram showing a cross-sectional structure of a metal substrate for an electronic device manufactured without performing a surface treatment of a mother substrate in a comparative example.
4 is a photograph of a seed layer of a metal substrate for electronic devices formed of silver (Ag) without surface treatment in a comparative example.
FIG. 5 shows a comparison between the case where copper (Cu) is applied as a seed layer metal and the case where silver (Ag) is applied as a seed layer metal in order to compare light reflectivity.

이하에서는, 본 발명의 바람직한 실시예에 기초하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 그러나, 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 일 예에 불과한 것으로 이에 의해 본 발명의 권리범위가 축소되거나 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described more specifically based on preferred embodiments of the present invention. However, the following embodiments are merely examples for helping understanding of the present invention, and thus the scope of the present invention is not limited or limited.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자소자용 금속 기판의 제조 방법을 나타내는 도면이다.1 is a view illustrating a method of manufacturing a metal substrate for an electronic device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자소자용 금속 기판의 제조 방법은 모기판(100)의 표면에너지를 조절하는 단계, 모기판(100) 상에 시드층(200)을 형성하는 단계, 시드층(200) 상에 시드 보호층(250)을 형성하는 단계, 전기 도금 공정으로 시드 보호층(250) 상에 도금층(300)을 형성하는 단계, 및 모기판(100)으로부터 도금층(300)을 분리하는 단계를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a method of manufacturing a metal substrate for an electronic device according to an embodiment of the present invention includes adjusting a surface energy of a mother substrate 100, forming a seed layer 200 on a mother substrate 100 ; Forming a seed protection layer (250) on the seed layer (200); forming a plating layer (300) on the seed protection layer (250) by an electroplating process; (300). ≪ / RTI >

모기판(100)은 유리, 고분자 화합물, 금속으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. 구체적으로, 모기판(100)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리우레아(PUA), 폴리이미드(Polyimide), SU-8(에폭시 계열의 광경화수지)와 같이 C-H-O의 결합으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. 또는, 모기판(100)은 Al, Cu, Mo, Ni, Fe를 포함하여 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질을 포함하여 금속 압연 주조 방식으로 형성될 수 있다.The mother substrate 100 may include one or more materials selected from the group consisting of glass, polymer, and metal. Specifically, the mother substrate 100 is made of a material selected from the group consisting of polyethylene terephthalate (PET), polydimethylsiloxane (PDMS), polymethyl methacrylate (PMMA), polyurea (PUA), polyimide, SU- Of the photo-curable resin). Alternatively, the mother substrate 100 may include at least one material selected from the group consisting of Al, Cu, Mo, Ni, and Fe, and may be formed by a metal rolling casting method.

표면에너지를 조절하는 단계에서는 모기판(100)의 표면을 플라즈마 처리할 수 있다. 여기서, 플라즈마 처리는 모기판(100)과 시드층(200) 사이의 결합력을 조절할 수 있다. 또한, 플라즈마 처리에 사용되는 기체는 O2, N2, He, Ar, SiH4, NF3, CF4, N2O, Cl2, BCl4, NH3로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다.In the step of controlling the surface energy, the surface of the mother substrate 100 may be plasma-treated. Here, the plasma treatment can control the bonding force between the mother substrate 100 and the seed layer 200. The gas used in the plasma treatment may include at least one selected from the group consisting of O 2 , N 2 , He, Ar, SiH 4 , NF 3 , CF 4 , N 2 O, Cl 2 , BCl 4 and NH 3 .

예를 들면, 플라즈마 처리 공정은 산소 플라즈마를 이용하여 약 250W의 파워, 약 200mTorr의 압력, 약 100sccm의 기체공급유량의 조건으로 약 60초 동안 모기판(100)의 표면에서 수행할 수 있다.For example, the plasma treatment process can be performed on the surface of the mother substrate 100 for about 60 seconds under the condition of a power of about 250 W, a pressure of about 200 mTorr, and a gas supply flow rate of about 100 sccm using an oxygen plasma.

다음, 시드층(200)을 형성하는 단계에서는 열증착 방식으로 표면 처리된 모기판(100) 상에 시드층(200)을 형성할 수 있다. 이때, 시드층(200)은 모기판(100)의 표면 거칠기를 유지하면서 광 반사층 역할을 수행하기 위해서 약 50㎚ ~ 약 1000㎚의 두께로 형성할 수 있다. 예를 들면, 시드층(200)은 약 200㎚의 두께로 은(Ag)을 증착하여 형성할 수 있다. 이러한 시드층(200)은 Ag, Al 등의 광 반사도가 높은 물질, 즉, 가시광선 영역에서 광 반사도가 약 90% 이상인 물질을 포함할 수 있다.Next, in the step of forming the seed layer 200, the seed layer 200 may be formed on the mother substrate 100 that has been surface-treated by a thermal deposition method. At this time, the seed layer 200 may be formed to a thickness of about 50 nm to about 1000 nm to serve as a light reflection layer while maintaining the surface roughness of the mother substrate 100. For example, the seed layer 200 can be formed by depositing silver (Ag) to a thickness of about 200 nm. The seed layer 200 may include a material having a high light reflectance such as Ag or Al, that is, a material having a light reflectivity of about 90% or more in a visible light region.

다음, 시드 보호층(250)을 형성하는 단계에서는 전기 도금 공정에서 용액의 침투를 방지하도록 시드층(200)과 복수의 층상 구조로 시드 보호층(250)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 시드 보호층(250)은 시드층(200)의 형성한 후 연속적으로 구리(Cu)를 증착하여 형성할 수 있다. 이때, 시드 보호층(250)은 약 300㎚의 두께로 형성할 수 있다.Next, in the step of forming the seed protection layer 250, the seed protection layer 250 may be formed of a seed layer 200 and a plurality of layered structures to prevent the penetration of the solution in the electroplating process. For example, the seed protection layer 250 may be formed by depositing copper (Cu) continuously after the seed layer 200 is formed. At this time, the seed protective layer 250 may be formed to a thickness of about 300 nm.

다음, 도금층(300)을 형성하는 단계에서는 전기 도금 방식으로 시드 보호층(250) 상에 도금층(300)을 형성할 수 있다. 여기서, 도금층(300)은 Mo, Mg, Al, Ti, Ag, Au, V, Cr, Fe, Ni, Cu, Y, Nb, Tc, Rh, W, Pd, Co, Sn로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다. 이때, 도금층(300)은 플렉서블한 특성을 유지하면서 전도성을 유지하여 전자소자용 기판의 역할을 수행하기 위해서 약 5㎛ ~ 약 100㎛의 두께로 형성할 수 있다. 예를 들면, 시드 보호층(250) 상에 구리(Cu)를 약 10mA/cm2의 전류 밀도 하에서 도금을 진행하여 약 20㎛의 두께로 도금층(300)을 형성할 수 있다.Next, in the step of forming the plating layer 300, the plating layer 300 may be formed on the seed protection layer 250 by an electroplating method. The plating layer 300 may include one selected from the group consisting of Mo, Mg, Al, Ti, Ag, Au, V, Cr, Fe, Ni, Cu, Y, Nb, Tc, Rh, W, Pd, Or more. At this time, the plating layer 300 may be formed to have a thickness of about 5 탆 to about 100 탆 in order to maintain conductivity while maintaining the flexible property and to serve as a substrate for an electronic device. For example, the plating layer 300 can be formed to a thickness of about 20 탆 on the seed protective layer 250 under a current density of about 10 mA / cm 2 of copper (Cu).

다음, 도금층(300)을 분리하는 단계에서는 모기판(100)으로부터 시드층(200), 시드 보호층(250) 및 도금층(300)을 물리적으로 박리할 수 있다.Next, in the step of separating the plating layer 300, the seed layer 200, the seed protection layer 250, and the plating layer 300 may be physically peeled off from the mother substrate 100.

본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 전자소자용 금속 기판은 도 2에 도시된 바와 같이 모기판의 표면 조도가 전사될 수 있다.The metal substrate for an electronic device manufactured according to an embodiment of the present invention can transfer the surface roughness of the mother substrate as shown in FIG.

비교군으로 도 3에 도시된 바와 같이 모기판을 표면 처리하지 않고 동일한 구조로 전사소자용 금속 기판을 제조하였다. 도 4를 참조하면, 기존에 알려진 것처럼 은(Ag)의 낮은 부착력에 의해 전기 도금 공정 중 도금액이 모기판과 은(Ag) 시드층 사이로 침투하여 도금층의 변형이 일어나는 모습을 확인할 수 있다.As a comparative group, a metal substrate for a transfer device was manufactured with the same structure without surface treatment of the mother substrate as shown in Fig. Referring to FIG. 4, it can be seen that the plating solution penetrates between the mother substrate and the silver seed layer during the electroplating process due to the low adhesion force of silver (Ag) to deform the plating layer.

도 5를 참조하면, 광 반사도를 비교하기 위해 구리(Cu)를 시드층 금속으로 적용한 경우(510)와 은(Ag)을 시드층 금속으로 적용한 경우(520)를 비교하였다. 도 5에서 나타난 것처럼 구리(Cu)의 경우 약 600 nm 이하의 단파장대에서 낮은 광반사도를 나타내고 있지만, 은(Ag)의 경우 전체 가시광선 영역에서 높은 반사도를 나타내고 있다. 이러한 높은 광 반사도는 본 발명에 의해 제조된 유연 금속 기판을 광전소자에 적용 시 추가적인 반사전극의 형성 없이 광전소자의 기판으로 적용 가능하게 한다.Referring to FIG. 5, a comparison was made between the case where copper (Cu) was applied as a seed layer metal (510) and the case where silver (Ag) was applied as a seed layer metal (520) in order to compare light reflectivity. As shown in FIG. 5, copper (Cu) exhibits low light reflectivity at a short wavelength band of about 600 nm or less, but silver (Ag) exhibits high reflectivity in the entire visible light range. Such high light reflectivity enables the application of the flexible metal substrate produced by the present invention to a photoelectric device, without application of additional reflective electrodes.

본 발명의 일 실시에에 따른 전자소자용 금속 기판의 제조 방법은 모기판의 평탄도가 그대로 전사되는 전자소자용 금속 기판을 확보할 수 있으므로, 기존의 금속 기판을 전자소자에 적용할 시 필수적인 평탄층 공정을 제외할 수 있어 공정비용을 낮출 수 있다. The method of manufacturing a metal substrate for an electronic device according to an embodiment of the present invention can secure a metal substrate for an electronic device to which the flatness of the mother substrate is transferred as it is. It is possible to exclude the layer process and lower the process cost.

또한, 본 발명의 일 실시에에 따른 전자소자용 금속 기판의 제조 방법은 반사도가 높은 물질로 시드층을 형성하여 반사층을 별도로 형성하는 공정을 진행하지 않으므로 공정비용을 절감할 수 있다.In addition, the manufacturing method of a metal substrate for an electronic device according to an embodiment of the present invention does not proceed with a process of forming a seed layer from a material having high reflectivity and forming a reflection layer separately, thereby reducing a process cost.

또한, 본 발명의 일 실시에에 따른 전자소자용 금속 기판의 제조 방법은 표면 처리를 통하여 기판과 시드층 사이의 적절한 부착력을 확보할 수 있게 되어 모기판과의 결합력이 낮은 금속을 시드층에 적용하더라도 도금액의 침투 없이 평탄도 및 광 반사도를 유지하는 전자소자용 금속 기판을 제조할 수 있다.In addition, the method of manufacturing a metal substrate for an electronic device according to an embodiment of the present invention can secure a proper adhesion between a substrate and a seed layer through surface treatment, so that a metal having a low bonding force with the mother substrate is applied to the seed layer It is possible to manufacture a metal substrate for an electronic device that maintains flatness and light reflectivity without penetration of the plating liquid.

이상에서 본 발명에 대한 기술 사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만, 이는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한, 이 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 기술 사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been disclosed for illustrative purposes, those skilled in the art will appreciate that various modifications, additions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims. In addition, it is a matter of course that various modifications and variations are possible without departing from the scope of the technical idea of the present invention by anyone having ordinary skill in the art.

100: 모기판
200: 시드층
250: 시드 보호층
300: 도금층100: Mosquito board
200: seed layer
250: Seed protective layer
300: plated layer

Claims (12)

모기판의 표면에너지를 조절하는 단계;
상기 모기판 상에 시드층을 형성하는 단계;
상기 시드층 상에 시드 보호층을 형성하는 단계;
전기 도금 공정으로 상기 시드 보호층 상에 도금층을 형성하는 단계; 및
상기 모기판으로부터 상기 도금층을 분리하는 단계;
를 포함하는 전자소자용 금속 기판의 제조 방법.
Adjusting the surface energy of the mother substrate;
Forming a seed layer on the mother substrate;
Forming a seed protective layer on the seed layer;
Forming a plating layer on the seed protective layer by an electroplating process; And
Separating the plating layer from the mother substrate;
Wherein the metal substrate is a metal substrate.
제1항에 있어서,
상기 표면에너지를 조절하는 단계에서는 상기 모기판의 표면을 플라즈마 처리하는, 전자소자용 금속 기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
And the surface of the mother substrate is subjected to a plasma treatment in the step of adjusting the surface energy.
제2항에 있어서,
상기 플라즈마 처리는 상기 모기판과 상기 시드층 사이의 결합력을 조절하는, 전자소자용 금속 기판의 제조 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the plasma treatment adjusts a bonding force between the mother substrate and the seed layer.
제2항에 있어서,
상기 플라즈마 처리에 사용되는 기체는 O2, N2, He, Ar, SiH4, NF3, CF4, N2O, Cl2, BCl4, NH3로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는, 전자소자용 금속 기판의 제조 방법.
3. The method of claim 2,
The gas used in the plasma treatment comprises O 2, N 2, He, Ar, SiH 4, NF 3, CF 4, N 2 O, Cl 2, BCl 4, at least one selected from the group consisting of NH 3, A method of manufacturing a metal substrate for an electronic device.
제1항에 있어서,
상기 시드층은 가시광선 영역에서 광 반사도가 90% 이상인 물질을 포함하는, 전자소자용 금속 기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the seed layer comprises a material having a light reflectivity of 90% or more in a visible light region.
제1항에 있어서,
상기 시드층은 50㎚ ~ 1000㎚의 두께로 형성되는, 전자소자용 금속 기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the seed layer is formed to a thickness of 50 nm to 1000 nm.
제1항에 있어서,
상기 시드 보호층은 전기 도금 공정에서 용액의 침투를 방지하도록 상기 시드층과 복수의 층상 구조로 형성되는, 전자소자용 금속 기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the seed protective layer is formed of the seed layer and a plurality of layered structures to prevent penetration of the solution in the electroplating process.
제1항에 있어서,
상기 도금층은 Mo, Mg, Al, Ti, Ag, Au, V, Cr, Fe, Ni, Cu, Y, Nb, Tc, Rh, W, Pd, Co, Sn로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는, 전자소자용 금속 기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the plating layer comprises at least one selected from the group consisting of Mo, Mg, Al, Ti, Ag, Au, V, Cr, Fe, Ni, Cu, Y, Nb, Tc, Rh, W, Pd, , A method of manufacturing a metal substrate for an electronic device.
제1항에 있어서,
상기 도금층은 5㎛ ~ 100㎛의 두께로 형성되는, 전자소자용 금속 기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the plating layer is formed to a thickness of 5 占 퐉 to 100 占 퐉.
제1항에 있어서,
상기 모기판은 유리, 고분자 화합물, 금속으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는, 전자소자용 금속 기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the mother substrate comprises at least one material selected from the group consisting of glass, a polymer compound, and a metal.
제10항에 있어서,
상기 모기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리우레아(PUA), 폴리이미드(Polyimide), SU-8(에폭시 계열의 광경화수지)와 같이 C-H-O의 결합으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는, 전자소자용 금속 기판의 제조 방법.
11. The method of claim 10,
The mother substrate may be formed of a material selected from the group consisting of polyethylene terephthalate (PET), polydimethylsiloxane (PDMS), polymethyl methacrylate (PMMA), polyurea (PUA), polyimide, SU- And a combination of CHO, as in the case of < RTI ID = 0.0 > a < / RTI >
제10항에 있어서,
상기 모기판은 Al, Cu, Mo, Ni, Fe를 포함하여 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질을 포함하여 금속 압연 주조 방식으로 형성된, 전자소자용 금속 기판의 제조 방법.11. The method of claim 10,
Wherein the mother substrate includes at least one material selected from the group consisting of Al, Cu, Mo, Ni, and Fe, and is formed by a metal rolling casting method.
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