KR20170119076A - Apparatus for treating substrate - Google Patents

Apparatus for treating substrate Download PDF

Info

Publication number
KR20170119076A
KR20170119076A KR1020160046766A KR20160046766A KR20170119076A KR 20170119076 A KR20170119076 A KR 20170119076A KR 1020160046766 A KR1020160046766 A KR 1020160046766A KR 20160046766 A KR20160046766 A KR 20160046766A KR 20170119076 A KR20170119076 A KR 20170119076A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
housing
cover
unit
sealing groove
sealing
Prior art date
Application number
KR1020160046766A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101830939B1 (en
Inventor
이윤영
Original Assignee
피에스케이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 피에스케이 주식회사 filed Critical 피에스케이 주식회사
Priority to KR1020160046766A priority Critical patent/KR101830939B1/en
Publication of KR20170119076A publication Critical patent/KR20170119076A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101830939B1 publication Critical patent/KR101830939B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/02315—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간이 형성된 공정 유닛; 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 유닛; 상기 플라즈마 발생 유닛과 상기 공정 유닛 사이에 위치하여, 상기 플라즈마가 상기 처리 공간으로 공급되는 통로를 제공하는 유도 유닛; 및 상기 공정 유닛과 상기 유도 유닛 사이에 제공되고, 상기 공정 유닛과 상기 유도 유닛 사이를 실링하는 실링 부재를 포함하고, 상기 공정 유닛은, 내부에 상기 처리 공간이 제공되는 하우징; 상기 처리 공간에 위치되며, 기판을 지지하는 지지 유닛; 및 상기 플라즈마를 상기 처리 공간에 공급하는 배플;을 포함하고, 상기 유도 유닛은, 상기 하우징의 상부와 결합하는 커버를 포함하고, 상기 커버의 하단이 상기 하우징의 상단을 덮을 수 있도록 제공되며, 상기 하우징의 상단과 상기 커버의 하단 중 어느 하나에는 그 가장자리를 따라 실링홈이 형성되고, 상기 실링 부재는 상기 실링홈을 따라 삽입되어 제공되되, 상기 실링 부재는 상기 실링홈에 완전히 삽입되고, 상기 하우징의 상단과 상기 커버의 하단 중 다른 하나에는 돌출부가 형성되되, 상기 돌출부는 상기 실링홈에 대향되도록 제공되고, 상기 커버의 하단이 상기 하우징의 상단을 덮을 때, 상기 돌출부는 상기 실링홈에 삽입된다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a processing unit having a processing space formed therein; A plasma generating unit for generating plasma from the process gas; An induction unit positioned between the plasma generating unit and the processing unit and providing a path through which the plasma is supplied to the processing space; And a sealing member provided between the processing unit and the guidance unit, the sealing unit sealing between the processing unit and the guidance unit, the processing unit comprising: a housing in which the processing space is provided; A support unit located in the processing space and supporting the substrate; And a baffle for supplying the plasma to the processing space, wherein the induction unit includes a cover coupled with an upper portion of the housing, a lower end of the cover is provided to cover the upper end of the housing, Wherein a sealing groove is formed along an edge of the upper end of the housing and a lower end of the cover, the sealing member being inserted along the sealing groove, the sealing member being completely inserted into the sealing groove, And the protrusion is provided to face the sealing groove, and when the lower end of the cover covers the upper end of the housing, the protrusion is inserted into the sealing groove .

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}[0001] APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus.

플라즈마는 이온이나 전자, 라디칼(Radical) 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말하며, 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다.Plasma is an ionized gas state composed of ions, electrons, radicals and the like. Plasma is generated by a very high temperature, a strong electric field, or RF electromagnetic fields.

이러한 플라즈마는 기판상에 라인(line) 또는 스페이스(space) 패턴 등과 같은 각종의 미세 회로 패턴들을 형성하는 증착 또는 식각 공정이나 마스크(mask)로 이용된 포토레지스트막을 제거하는 애싱(ashing) 공정에서 활용도가 점점 높아지고 있다. 플라즈마 소스 가스는 반응기 내부에 작용하는 유도 자기장에 의해 플라즈마 상태로 방전되고, 방전된 가스는 기판으로 제공되어 포토레지스트막을 제거한다. Such a plasma may be used in an ashing process for removing a photoresist film used as a deposition or etching process or a mask for forming various fine circuit patterns such as a line or a space pattern on a substrate, Is increasing. The plasma source gas is discharged into a plasma state by an induced magnetic field acting inside the reactor, and the discharged gas is supplied to the substrate to remove the photoresist film.

도 1은 플라즈마를 이용한 일반적인 기판 처리 장치(1)를 보여주는 도면이다. 도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 실링 구조를 보여주는 단면도이다.1 is a view showing a general substrate processing apparatus 1 using plasma. 2 is a cross-sectional view showing the sealing structure of the substrate processing apparatus of FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 커버(2)의 하단과 하우징(3)의 상부는 서로 결합되어 있다. 커버(2)의 하단은 하우징(3)의 상단을 덮고 있다. 기판 처리 공간을 외부와 차단하기 위해 커버(2)와 하우징(3) 사이의 틈을 실링(sealing)한다. 실링을 위해서 일반적으로 오링(O-ring)이 사용된다. 이때, 하우징(3)에 형성된 홈의 깊이가 오링(4)의 두께보다 얕게 형성되어, 오링(4)이 홈의 외부로 돌출된다. 이로 인해, 커버(2)의 하단과 하우징(3)의 상단 사이에는 틈이 발생한다. 또한, 이 틈 사이로 오링(4)이 플라즈마 또는 공정 가스에 노출된다. 따라서, 오링(4)이 부식되거나 식각되는 문제가 있다. 또한, 부식된 오링(4) 성분이 기판 처리 공간으로 유입되어, 기판을 오염시키거나 공정의 효율성을 떨어뜨리는 문제가 있었다.1 and 2, the lower end of the cover 2 and the upper part of the housing 3 are coupled to each other. The lower end of the cover (2) covers the upper end of the housing (3). And seals the gap between the cover 2 and the housing 3 to shield the substrate processing space from the outside. O-rings are commonly used for sealing. At this time, the depth of the groove formed in the housing 3 is shallower than the thickness of the O-ring 4, so that the O-ring 4 protrudes outside the groove. As a result, a gap is formed between the lower end of the cover 2 and the upper end of the housing 3. Further, the O-ring 4 is exposed to the plasma or the process gas through the gap. Therefore, there is a problem that the O-ring 4 is corroded or etched. Further, there is a problem that the corroded O-ring (4) component flows into the substrate processing space to contaminate the substrate or reduce the efficiency of the process.

본 발명은 오링(O-ring)과 같은 실링 부재의 부식이나 식각을 방지할 수 있는 챔버 및 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a chamber and a substrate processing apparatus capable of preventing corrosion or etching of a sealing member such as an O-ring.

또한, 기판의 오염을 방지하고 공정의 효율성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of preventing contamination of a substrate and improving process efficiency.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 내부에 처리 공간이 형성된 공정 유닛; 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 유닛; 상기 플라즈마 발생 유닛과 상기 공정 유닛 사이에 위치하여, 상기 플라즈마가 상기 처리 공간으로 공급되는 통로를 제공하는 유도 유닛; 및 상기 공정 유닛과 상기 유도 유닛 사이에 제공되고, 상기 공정 유닛과 상기 유도 유닛 사이를 실링하는 실링 부재를 포함하고, 상기 공정 유닛은, 내부에 상기 처리 공간이 제공되는 하우징; 상기 처리 공간에 위치되며, 기판을 지지하는 지지 유닛; 및 상기 플라즈마를 상기 처리 공간에 공급하는 배플;을 포함하고, 상기 유도 유닛은, 상기 하우징의 상부와 결합하는 커버를 포함하고, 상기 커버의 하단이 상기 하우징의 상단을 덮을 수 있도록 제공되며, 상기 하우징의 상단과 상기 커버의 하단 중 어느 하나에는 그 가장자리를 따라 실링홈이 형성되고, 상기 실링 부재는 상기 실링홈을 따라 삽입되어 제공되되, 상기 실링 부재는 상기 실링홈에 완전히 삽입되고, 상기 하우징의 상단과 상기 커버의 하단 중 다른 하나에는 돌출부가 형성되되, 상기 돌출부는 상기 실링홈에 대향되도록 제공되고, 상기 커버의 하단이 상기 하우징의 상단을 덮을 때, 상기 돌출부는 상기 실링홈에 삽입된다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a process unit comprising: a processing unit having a processing space formed therein; A plasma generating unit for generating plasma from the process gas; An induction unit positioned between the plasma generating unit and the processing unit and providing a path through which the plasma is supplied to the processing space; And a sealing member provided between the processing unit and the guidance unit, the sealing unit sealing between the processing unit and the guidance unit, the processing unit comprising: a housing in which the processing space is provided; A support unit located in the processing space and supporting the substrate; And a baffle for supplying the plasma to the processing space, wherein the induction unit includes a cover coupled with an upper portion of the housing, a lower end of the cover is provided to cover the upper end of the housing, Wherein a sealing groove is formed along an edge of the upper end of the housing and a lower end of the cover, the sealing member being inserted along the sealing groove, the sealing member being completely inserted into the sealing groove, And the protrusion is provided to face the sealing groove, and when the lower end of the cover covers the upper end of the housing, the protrusion is inserted into the sealing groove .

일 실시예에 의하면, 상기 실링홈이 형성된 상기 커버의 하단 또는 상기 하우징의 상단을, 상기 커버의 하단 또는 상기 하우징의 상단에 대해 수직 방향으로 절단하였을 때, 상기 실링홈의 단면이 직사각형으로 제공된다.According to an embodiment, when the lower end of the cover having the sealing groove formed therein or the upper end of the housing is cut perpendicularly to the lower end of the cover or the upper end of the housing, the sealing groove is provided with a rectangular cross section .

일 실시예에 의하면, 상기 실링 부재는 오링(O-ring)으로 제공된다.According to one embodiment, the sealing member is provided as an O-ring.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 커버와; 상기 커버와 결합하고 내부에 기판 처리 공간을 제공하는 하우징; 및 상기 커버와 상기 하우징 사이에 제공되며, 상기 커버와 상기 하우징 사이를 실링하는 실링 부재를 포함하되, 상기 커버의 하단이 상기 하우징의 상단을 덮을 수 있도록 제공되고, 상기 하우징의 상단과 상기 커버의 하단 중 어느 하나에는 그 가장자리를 따라 실링홈이 형성되고, 상기 실링 부재는 상기 실링홈에 삽입되어 제공되되, 상기 실링 부재는 상기 실링홈에 완전히 삽입되고, 상기 하우징의 상단과 상기 커버의 하단 중 다른 하나에는 돌출부가 형성되되, 상기 돌출부는 상기 실링홈에 대향되도록 제공되고, 상기 커버의 하단이 상기 하우징의 상단을 덮을 때, 상기 돌출부는 상기 실링홈에 삽입된다.According to an embodiment of the present invention, A housing coupled to the cover and providing a substrate processing space therein; And a sealing member provided between the cover and the housing and sealing the space between the cover and the housing, wherein a lower end of the cover is provided to cover the upper end of the housing, Wherein the sealing member is inserted into the sealing groove so that the sealing member is completely inserted into the sealing groove, and the sealing member is inserted into the sealing groove at the lower end of the housing and the lower end of the cover And the other is provided with a protrusion, the protrusion being provided to face the sealing groove, and when the lower end of the cover covers the upper end of the housing, the protrusion is inserted into the sealing groove.

일 실시예에 의하면, 상기 실링홈이 형성된 상기 커버의 하단 또는 상기 하우징의 상단을, 상기 커버의 하단 또는 상기 하우징의 상단에 대해 수직 방향으로 절단하였을 때, 상기 실링홈의 단면이 직사각형으로 제공된다.According to an embodiment, when the lower end of the cover having the sealing groove formed therein or the upper end of the housing is cut perpendicularly to the lower end of the cover or the upper end of the housing, the sealing groove is provided with a rectangular cross section .

일 실시예에 의하면, 상기 실링 부재는 오링(O-ring)으로 제공된다.According to one embodiment, the sealing member is provided as an O-ring.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 오링(O-ring)과 같은 실링 부재의 부식이나 식각을 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, corrosion or etching of a sealing member such as an O-ring can be prevented.

또한, 기판의 오염을 방지하고 공정의 효율성을 향상시킬 수 있다.In addition, contamination of the substrate can be prevented and the efficiency of the process can be improved.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1과 2은 종래의 기판 처리 장치 및 실링 구조를 보여주는 도면이다.
도 3는 본 발명의 실시예에 의한 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4은 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 5는 커버와 하우징 사이에 제공되는 실링 구조를 보여주는 단면도이다.1 and 2 are views showing a conventional substrate processing apparatus and a sealing structure.
3 is a schematic view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a view showing the substrate processing apparatus of FIG. 3. FIG.
5 is a cross-sectional view showing a sealing structure provided between the cover and the housing;

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. The shape of the elements in the figures is therefore exaggerated to emphasize a clearer description.

이하 도 3 내지 도 5을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 5. FIG.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비(1)를 간략하게 나타내는 평면도이다.3 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, EFEM)(20) 및 공정 처리부(30)를 가진다. 설비 전방 단부 모듈(20)과 공정 처리부(30)는 일 방향으로 배치된다. 이하, 설비 전방 단부 모듈(20)과 공정 처리부(30)가 배열된 방향을 제 1 방향(X)이라 정의하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(X)에 수직인 방향을 제 2 방향(Y)이라 정의한다.Referring to FIG. 3, the substrate processing apparatus 1 has an equipment front end module (EFEM) 20 and a processing unit 30. The facility front end module 20 and the process processing section 30 are arranged in one direction. A direction in which the facility front end module 20 and the process processing section 30 are arranged is defined as a first direction X and a direction perpendicular to the first direction X as viewed from the top is defined as a second direction Y).

설비 전방 단부 모듈(20)은 로드 포트(load port, 10) 및 이송프레임(21)을 가진다. 로드포트(10)는 제1방향(11)으로 설비 전방 단부 모듈(20)의 전방에 배치된다. 로드포트(10)는 복수 개의 지지부(6)를 가진다. 각각의 지지부(6)는 제 2 방향(Y)으로 일렬로 배치되며, 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(4)(예를 틀어, 카세트, FOUP등)가 안착된다. 캐리어(4)에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된다. 이송프레임(21)은 로드포트(10)와 공정 처리실(30) 사이에 배치된다. 이송프레임(21)은 그 내부에 배치되고 로드포트(10)와 공정 처리부(30)간에 기판(W)을 이송하는 제 1 이송로봇(25)을 포함한다. 제 1 이송로봇(25)은 제 2 방향(Y)으로 구비된 이송 레일(27)을 따라 이동하여 캐리어(4)와 공정처리실(30)간에 기판(W)을 이송한다.The apparatus front end module 20 has a load port 10 and a transfer frame 21. [ The load port 10 is disposed in front of the facility front end module 20 in a first direction 11. The load port (10) has a plurality of support portions (6). Each of the supports 6 is arranged in a line in the second direction Y and includes a carrier 4 (e.g., a cassette, a cassette, or the like) FOUP, etc.) are seated. In the carrier 4, a substrate W to be supplied to the process and a substrate W to which the process is completed are accommodated. The transfer frame 21 is disposed between the load port 10 and the processing chamber 30. The transfer frame 21 includes a first transfer robot 25 disposed therein and transferring the substrate W between the load port 10 and the processing unit 30. [ The first transfer robot 25 moves along the transfer rail 27 provided in the second direction Y to transfer the substrate W between the carrier 4 and the process chamber 30.

공정처리실(30)은 로드락 챔버(40), 트랜스퍼 챔버(50), 그리고 프로세스 챔버(60)를 포함한다. The process chamber 30 includes a load lock chamber 40, a transfer chamber 50, and a process chamber 60.

로드락 챔버(40)는 이송프레임(21)에 인접하게 배치된다. 일 예로, 로드락 챔버(40)는 트랜스퍼 챔버(50)와 설비 전방 단부 모듈(20)사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(40)는 공정에 제공될 기판(W)이 프로세스 챔버(60)로 이송되기 전, 또는 공정 처리가 완료된 기판(W)이 설비 전방 단부 모듈(20)로 이송되기 전 대기하는 공간을 제공한다. The load lock chamber 40 is disposed adjacent to the transfer frame 21. [ In one example, the load lock chamber 40 may be disposed between the transfer chamber 50 and the equipment front end module 20. The load lock chamber 40 is a space in which the substrate W to be supplied to the process is transferred to the process chamber 60 or before the substrate W to be processed is transferred to the equipment front end module 20 .

트랜스퍼 챔버(50)는 로드락 챔버(40)에 인접하게 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때, 다각형의 몸체를 갖는다. 도 1을 참조하면, 트랜스퍼 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때, 오각형의 몸체를 갖는다. 몸체의 외측에는 로드락 챔버(40)와 복수개의 프로세스 챔버(60)들이 몸체의 둘레를 따라 배치된다. 몸체의 각 측벽에는 기판(W)이 출입하는 통로(미도시)가 형성되며, 통로는 트랜스퍼 챔버(50)와 로드락 챔버(40) 또는 프로세스 챔버(60)들을 연결한다. 각 통로에는 통로를 개폐하여 내부를 밀폐시키는 도어(미도시)가 제공된다. 트랜스퍼 챔버(50)의 내부공간에는 로드락 챔버(40)와 프로세스 챔버(60)들간에 기판(W)을 이송하는 제 2 이송로봇(53)이 배치된다. 제 2 이송로봇(53)은 로드락 챔버(40)에서 대기하는 미처리된 기판(W)을 프로세스 챔버(60)로 이송하거나, 공정처리가 완료된 기판(W)을 로드락 챔버(40)로 이송한다. 그리고, 복수개의 프로세스 챔버(60)에 기판(W)을 순차적으로 제공하기 위하여 프로세스 챔버(60)간에 기판(W)을 이송한다. 도 1과 같이, 트랜스퍼 챔버(50)가 오각형의 몸체를 가질 때, 설비 전방 단부 모듈(20)과 인접한 측벽에는 로드락 챔버(40)가 각각 배치되며, 나머지 측벽에는 프로세스 챔버(60)들이 연속하여 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 상기 형상뿐만 아니라, 요구되는 공정모듈에 따라 다양한 형태로 제공될 수 있다.The transfer chamber 50 is disposed adjacent to the load lock chamber 40. The transfer chamber 50 has a polygonal body when viewed from the top. Referring to Figure 1, the transfer chamber 50 has a pentagonal body when viewed from the top. On the outside of the body, a load lock chamber 40 and a plurality of process chambers 60 are disposed along the periphery of the body. Each side wall of the body is provided with a passage (not shown) through which the substrate W enters and exits, and the passage connects the transfer chamber 50 to the load lock chamber 40 or the process chamber 60. Each passage is provided with a door (not shown) for opening and closing the passage to seal the inside thereof. The transfer chamber 50 is provided with a load lock chamber 40 and a second transfer robot 53 for transferring the substrate W between the process chambers 60. [ The second transfer robot 53 transfers the unprocessed substrate W waiting in the load lock chamber 40 to the process chamber 60 or transfers the processed substrate W to the load lock chamber 40 do. Then, the substrate W is transferred between the process chambers 60 to sequentially provide the plurality of process chambers 60 with the substrates W. 1, when the transfer chamber 50 has a pentagonal body, a load lock chamber 40 is disposed on the side wall adjacent to the facility front end module 20, respectively, and the process chambers 60 are continuously . The transfer chamber 50 may be provided in various forms depending on the shape, as well as the required process module.

프로세스 챔버(60)는 트랜스퍼 챔버(50)의 둘레를 따라 배치된다. 프로세스 챔버(60)는 복수개 제공될 수 있다. 각각의 프로세스 챔버(60)내에서는 기판(W)에 대한 공정처리가 진행된다. 프로세스 챔버(60)는 제 2 이송로봇(53)으로부터 기판(W)을 이송받아 공정처리를 하고, 공정처리가 완료된 기판(W)을 제 2 이송로봇(53)으로 제공한다. 각각의 프로세스 챔버(60)에서 진행되는 공정처리는 서로 상이할 수 있다. 이하, 프로세스 챔버(60) 중 플라즈마 공정을 수행하는 기판 처리 장치(1000)에 대해서 상술한다. The process chamber 60 is disposed along the periphery of the transfer chamber 50. A plurality of process chambers 60 may be provided. In each of the process chambers 60, processing of the substrate W is performed. The process chamber 60 transfers the substrate W from the second transfer robot 53 to process the substrate W and provides the processed substrate W to the second transfer robot 53. The process processes in each of the process chambers 60 may be different from each other. Hereinafter, the substrate processing apparatus 1000 for performing the plasma process in the process chamber 60 will be described in detail.

도 4는 도 3의 기판 처리 장치(1000)를 개략적으로 나타내는 도면이다.4 is a view schematically showing the substrate processing apparatus 1000 of FIG.

도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 플라즈마를 이용하여 기판(W) 상에 소정의 공정을 수행한다. 일 예로, 기판 처리 장치(1000)는 기판(W) 상의 박막을 식각하거나 포토레지스트막을 제거하는 장비일 수 있다. 박막은 폴리 실리콘막, 실리콘 산화막, 그리고 실리콘 질화막 등 다양한 종류의 막일 수 있다. 또한, 박막은 자연 산화막이나 화학적으로 생성된 산화막일 수 있다. Referring to FIG. 4, the substrate processing apparatus 1000 performs a predetermined process on the substrate W using plasma. As an example, the substrate processing apparatus 1000 may be an apparatus for etching a thin film on a substrate W or removing a photoresist film. The thin film may be a variety of films such as a polysilicon film, a silicon oxide film, and a silicon nitride film. Further, the thin film may be a natural oxide film or a chemically generated oxide film.

아래에서는, 도 4 내지 도 5를 참조하여, 본 발명의 실시예에 의한 기판 처리 장치를 설명한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 4 to 5. Fig.

도 4는 본 발명의 실시예에 의한 기판 처리 장치를 보여준다. 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 공정 유닛(processing unit, 100), 배기 유닛(exhausting unit, 200), 플라즈마 발생 유닛(plasma supplying unit, 300), 유도 유닛(340), 그리고 실링 부재(140)을 가진다. 4 shows a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 4, the substrate processing apparatus 1000 includes a processing unit 100, an exhausting unit 200, a plasma supplying unit 300, an induction unit 340, Member (140).

공정 유닛(100)은 기판이 놓이고 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 배기 유닛(200)은 공정 유닛(100) 내부에 머무르는 공정 가스 및 기판 처리 과정에서 발생한 반응 부산물 등을 외부로 배출하고, 공정 유닛(100) 내 압력을 설정 압력으로 유지한다. 플라즈마 발생 유닛(300)은 공정 유닛(100)의 외부에서 공정 가스로부터 플라즈마(plasma)를 생성시키고, 이를 공정 유닛(100)으로 공급한다. The process unit 100 provides a space where the substrate is placed and the process is performed. The exhaust unit 200 discharges the process gas remaining in the process unit 100 and reaction byproducts generated during the substrate process to the outside and maintains the pressure in the process unit 100 at the set pressure. The plasma generating unit 300 generates a plasma from the process gas outside the process unit 100 and supplies it to the process unit 100.

공정 유닛(100)은 하우징(110), 지지 유닛(120), 그리고 배플(130)을 가진다.The process unit 100 has a housing 110, a support unit 120, and a baffle 130.

하우징(110)의 내부에는 기판 처리 공정을 수행하는 처리 공간(111)이 형성된다. 하우징(110)는 상부벽이 개방되고, 측벽에는 개구(도시되지 않음)가 형성될 수 있다. 기판은 개구를 통하여 하우징(110) 내부로 출입한다. 개구는 도어(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐될 수 있다. 하우징(110)의 바닥면에는 배출홀(112)이 형성된다. 배출홀(112)은 배기유닛(200)과 연결되며, 하우징(110) 내부에 머무르는 가스와 반응 부산물이 외부로 배출되는 통로를 제공한다. 하우징(110)의 상부는 후술하는 커버(342)의 하단과 결합한다. 또한, 하우징(110)과 커버(342) 사이는 실링 부재(140)가 제공된다. 이와 관련해서는 유도 유닛과 실링 부재(140) 관련하여 상세히 후술한다.A processing space 111 for performing a substrate processing process is formed in the housing 110. The housing 110 may have an open upper wall and an opening (not shown) formed in the side wall. The substrate moves into and out of the housing 110 through the opening. The opening can be opened and closed by an opening / closing member such as a door (not shown). A discharge hole 112 is formed in the bottom surface of the housing 110. The exhaust hole 112 is connected to the exhaust unit 200 and provides a passage through which the gas residing in the housing 110 and reaction byproducts are discharged to the outside. The upper portion of the housing 110 engages with the lower end of the cover 342 described later. Further, a sealing member 140 is provided between the housing 110 and the cover 342. This will be described in detail later with respect to the induction unit and the sealing member 140.

지지 유닛(120)는 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(120)는 지지판(121)과 지지축(122)을 포함한다. 지지판(121)은 처리 공간(111) 내에 위치되며 원판 형상으로 제공된다. 지지판(121)은 지지축(122)에 의해 지지된다. 기판(W)은 지지판(121)의 상면에 놓인다. 지지판(121)의 내부에는 전극(미도시)이 제공될 수 있다. 전극은 외부 전원과 연결되며, 인가된 전력에 의해 정전기를 발생시킨다. 발생된 정전기는 기판(W)을 지지판(121)에 고정시킬 수 있다. 지지판(121)의 내부에는 가열부(125)가 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 가열부(125)는 히팅 코일일 수 있다. 또한, 지지판(121)의 내부에는 냉각부재(126)가 제공될 수 있다. 냉각부재는 냉각수가 흐르는 냉각라인으로 제공될 수 있다. 가열부(125)는 기판(W)을 기 설정된 온도로 가열한다. 냉각부재(126)는 기판(W)을 강제 냉각시킨다. 공정 처리가 완료된 기판(W)은 상온 상태 또는 다음 공정 진행에 요구되는 온도로 냉각될 수 있다. The support unit 120 supports the substrate W. The support unit 120 includes a support plate 121 and a support shaft 122. The support plate 121 is disposed in the processing space 111 and is provided in a disc shape. The support plate 121 is supported by a support shaft 122. The substrate W is placed on the upper surface of the support plate 121. An electrode (not shown) may be provided inside the support plate 121. The electrode is connected to an external power source and generates static electricity by the applied electric power. The generated static electricity can fix the substrate W to the support plate 121. A heating part 125 may be provided inside the support plate 121. According to one example, the heating unit 125 may be a heating coil. Further, a cooling member 126 may be provided inside the support plate 121. The cooling member may be provided as a cooling line through which cooling water flows. The heating unit 125 heats the substrate W to a predetermined temperature. The cooling member 126 forces the substrate W to cool down. The substrate W on which the processing has been completed can be cooled to a room temperature state or a temperature required for proceeding to the next processing.

배플(130)은 지지판(121)의 상부에 위치한다. 배플(130)에는 홀(131)들이 형성된다. 홀(131)들은 배플(130)의 상면에서 하면까지 제공되는 관통홀로 제공되며, 배플(130)의 각 영역에 균일하게 형성된다. The baffle 130 is located above the support plate 121. Holes 131 are formed in the baffle 130. The holes 131 are provided as through holes provided from the upper surface to the lower surface of the baffle 130 and are uniformly formed in the respective regions of the baffle 130.

플라즈마 발생 유닛(300)은 하우징(110)의 상부에 위치한다. 플라즈마 발생 유닛(300)은 공정가스를 방전시켜 플라즈마를 생성하고, 생성된 플라즈마를 처리 공간(111)으로 공급한다. 플라즈마 발생 유닛(300)은 플라즈마 챔버(310), 제 1 공정 가스 공급부(320), 제 2 공정 가스 공급부(322), 전력 인가부(330)를 포함한다. The plasma generating unit 300 is located at the top of the housing 110. The plasma generating unit 300 discharges the process gas to generate a plasma, and supplies the generated plasma to the process space 111. The plasma generating unit 300 includes a plasma chamber 310, a first process gas supply unit 320, a second process gas supply unit 322, and a power application unit 330.

플라즈마 챔버(310)에는 상면 및 하면이 개방된 방전 공간(311)이 내부에 형성된다. 플라즈마 챔버(310)의 상단은 가스 공급 포트(315)에 의해 밀폐된다. 가스 공급 포트(315)는 제 1 공정 가스 공급부(320)와 연결된다. 제 1 공정 가스는 가스 공급 포트(315)를 통해 방전 공간(311)으로 공급된다. 제 1 공정 가스는 이불화메탄(CH2F2, Difluoromethane), 질소(N2), 그리고 산소(O2)를 포함한다. 선택적으로 제 1 공정가스는 사불화탄소(CF4, Tetrafluoromethane) 등 다른 종류의 가스를 더 포함할 수 있다.The plasma chamber 310 is formed therein with a discharge space 311 having open top and bottom surfaces. The upper end of the plasma chamber 310 is sealed by the gas supply port 315. The gas supply port 315 is connected to the first process gas supply unit 320. The first process gas is supplied to the discharge space 311 through the gas supply port 315. The first process gas includes CH 2 F 2 , difluoromethane, nitrogen (N 2 ), and oxygen (O 2 ). Optionally, the first process gas may further comprise other gases such as CF 4 , tetrafluoromethane, and the like.

전력 인가부(330)는 방전 공간(311)에 고주파 전력을 인가한다. 전력 인가부(330)는 안테나(331)와 전원(332)을 포함한다. The power application unit 330 applies a high frequency power to the discharge space 311. The power application unit 330 includes an antenna 331 and a power source 332. [

안테나(331)는 유도 결합형 플라즈마(ICP) 안테나로, 코일 형상으로 제공된다. 안테나(331)는 플라즈마 챔버(310) 외부에서 플라즈마 챔버(310)에 복수회 감긴다. 안테나(331)는 방전 공간(311)에 대응하는 영역에서 플라즈마 챔버(310)에 감긴다. 안테나(331)의 일단은 전원(332)과 연결되고, 타단은 접지된다. The antenna 331 is an inductively coupled plasma (ICP) antenna and is provided in a coil shape. The antenna 331 is wound on the plasma chamber 310 a plurality of times outside the plasma chamber 310. The antenna 331 is wound around the plasma chamber 310 in a region corresponding to the discharge space 311. One end of the antenna 331 is connected to the power source 332, and the other end is grounded.

전원(332)은 안테나(331)에 고주파 전류를 공급한다. 안테나(331)에 공급된 고주파 전력은 방전 공간(311)에 인가된다. 고주파 전류에 의해 방전 공간(311)에는 유도 전기장이 형성되고, 방전 공간(311) 내 제 1 공정가스는 유도 전기장으로부터 이온화에 필요한 에너지를 얻어 플라즈마 상태로 변환된다. The power supply 332 supplies a high frequency current to the antenna 331. The high frequency power supplied to the antenna 331 is applied to the discharge space 311. An induction field is formed in the discharge space 311 by the high frequency current and the first process gas in the discharge space 311 is converted into a plasma state by obtaining energy required for ionization from the induction field.

전력 인가부의 구조는 상술한 예에 한정되지 않고, 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키기 위한 다양한 구조가 사용될 수 있다. The structure of the power application portion is not limited to the above-described example, and various structures for generating plasma from the process gas may be used.

유도 유닛(340)은 플라즈마 챔버(310)와 하우징(110) 사이에 위치한다. 유도 유닛(340)는 하우징(110)의 개방된 상면을 밀폐한다.The induction unit 340 is positioned between the plasma chamber 310 and the housing 110. Induction unit 340 seals the open top surface of housing 110.

유도 유닛(340)은 커버(342)를 포함한다. 커버(342)는 유도 유닛(340)의 외벽을 이룬다. 커버(342)의 하단에 하우징(110)와 배플(130)이 결합한다. 커버(342)의 하단은 하우징(110)의 상단을 덮을 수 있도록 제공된다.The induction unit 340 includes a cover 342. The cover 342 forms the outer wall of the guide unit 340. The housing 110 and the baffle 130 are coupled to the lower end of the cover 342. The lower end of the cover 342 is provided so as to cover the upper end of the housing 110.

유도 유닛(340)의 내부에는 유입공간(341)이 형성된다. 유입 공간(341)은 방전 공간(311)과 처리 공간(111)을 연결하며, 방전 공간(311)에서 생성된 플라즈마가 처리 공간(111)으로 공급되는 통로로 제공한다. An induction space 341 is formed in the induction unit 340. The inflow space 341 connects the discharge space 311 and the processing space 111 and provides a path through which plasma generated in the discharge space 311 is supplied to the processing space 111.

유입 공간(341)은 유입구(341a)와 확산 공간(341b)을 포함할 수 있다. 유입구(341a)는 방전 공간(311)의 하부에 위치하며, 방전 공간(311)과 연결된다. 방전 공간(311)에서 생성된 플라즈마는 유입구(341a)를 통해 유입된다. 확산 공간(341b)은 유입구(341a)의 하부에 위치하며, 유입구(341a)와 처리 공간(111)을 연결한다. 확산 공간(341b)은 아래로 갈수록 단면적이 점차 넓어진다. 확산 공간(341b)은 역 깔때기 형상을 가진 수 있다. 유입구(341a)에서 공급된 플라즈마는 확산 공간(341b)을 통과하는 동안 확산된다.The inflow space 341 may include an inlet 341a and a diffusion space 341b. The inlet 341a is located below the discharge space 311 and is connected to the discharge space 311. The plasma generated in the discharge space 311 flows through the inlet 341a. The diffusion space 341b is located below the inlet 341a and connects the inlet 341a and the processing space 111. [ The cross-sectional area of the diffusion space 341b is gradually widened downward. The diffusion space 341b may have an inverted funnel shape. The plasma supplied from the inlet 341a is diffused while passing through the diffusion space 341b.

방전 공간(311)에서 발생된 플라즈마가 하우징(110)로 공급되는 통로에는 제 2 공정 가스 공급부(322)가 연결될 수 있다. 예컨대, 제 2 공정 가스 공급부(322)는 안테나(331)의 하단이 제공되는 위치와 확산 공간(341b)의 상단이 제공되는 위치 사이에서 플라즈마가 흐르는 통로로 제 2 공정 가스를 공급한다. 일 예에 의하면, 제 2 공정 가스는 삼불화질소(NF3, Nitrogen trifluoride)를 포함한다. 선택적으로 제 2 공정 가스의 공급 없이 제 1 공정 가스만으로 식각 공정이 수행될 수도 있다.The second process gas supply unit 322 may be connected to a path through which the plasma generated in the discharge space 311 is supplied to the housing 110. For example, the second process gas supply unit 322 supplies the second process gas to the passage through which the plasma flows between the position where the lower end of the antenna 331 is provided and the position where the upper end of the diffusion space 341b is provided. According to one example, the second process gas comprises nitrogen trifluoride (NF3). Alternatively, the etching process may be performed with only the first process gas without the supply of the second process gas.

실링 부재(140)는 공정 유닛(100)과 유도 유닛(340) 사이에 제공된다. 실링 부재(140)는 공정 유닛(100)과 유도 유닛(340) 사이를 실링(sealing)한다. 실링 부재(140)는 커버(342)와 하우징(110) 사이에 제공될 수 있다. 상술한 바와 같이, 커버(342)의 하단과 하우징(110)의 상단이 결합하므로, 실링 부재(140)는 커버(342)의 하단과 하우징(110)의 상단 사이에 제공될 수 있다. 실링 부재(140)는 탄성이 있는 재질로 제공된다. 실링 부재(140)는 오링(O-ring)으로 제공될 수 있다.A sealing member 140 is provided between the processing unit 100 and the guide unit 340. The sealing member 140 seals between the process unit 100 and the guide unit 340. A sealing member 140 may be provided between the cover 342 and the housing 110. [ The sealing member 140 can be provided between the lower end of the cover 342 and the upper end of the housing 110 because the lower end of the cover 342 and the upper end of the housing 110 are engaged. The sealing member 140 is made of an elastic material. The sealing member 140 may be provided as an O-ring.

하우징(110)의 상단과 커버(342)의 하단 중 어느 하나에는 그 가장자리를 따라 실링홈(142)이 형성된다. 실링홈(142)의 단면은 직사각형으로 제공된다. 실링홈이 형성된 커버(342)의 하단 또는 하우징(110)의 상단을, 실링홈(142)이 형성된 커버(342)의 하단 또는 하우징(110)의 상단에 대해 수직 방향으로 절단한 절단면이 직사각형으로 제공된다. A sealing groove 142 is formed along the edge of the upper end of the housing 110 and the lower end of the cover 342. The cross section of the sealing groove 142 is provided in a rectangular shape. The lower end of the cover 342 in which the sealing groove is formed or the upper end of the housing 110 is cut in a direction perpendicular to the lower end of the cover 342 in which the sealing groove 142 is formed or the upper end of the housing 110 is rectangular / RTI >

하우징(110)의 상단과 커버(342)의 하단 중 다른 하나에는 돌출부(144)가 형성된다. 돌출부(144)는 실링홈(142)에 대향되도록 제공된다. 돌출부(144)는 실링홈(142)에 삽입될 수 있도록 제공된다. 실링홈(142)에는 실링 부재(140)가 삽입된다. 실링홈(142)의 깊이(h1)는 실링 부재(140)의 두께(h2)보다 깊게 제공된다. 실링 부재(140)는 실링홈(142)에 완전히 삽입된다. A protrusion 144 is formed on the other of the upper end of the housing 110 and the lower end of the cover 342. The protrusion 144 is provided to face the sealing groove 142. The projecting portion 144 is provided so as to be inserted into the sealing groove 142. A sealing member 140 is inserted into the sealing groove 142. The depth h1 of the sealing groove 142 is provided deeper than the thickness h2 of the sealing member 140. The sealing member 140 is completely inserted into the sealing groove 142.

도 5는 본 발명의 실시예에 의한 커버와 하우징 사이의 실링 구조를 보여주는 단면도이다. 일 예로, 도 5를 참고하면, 하우징(110)의 상단에 실링홈(142)이 형성된다. 실링홈(142)은 하우징(110) 상단의 가장자리를 따라 링 형상으로 제공된다. 실링 부재(140)는 실링홈(142)을 따라 삽입된다. 실링 부재(140)도 오링(O-ring)과 같이 링 형상으로 제공된다.5 is a cross-sectional view illustrating a sealing structure between a cover and a housing according to an embodiment of the present invention. For example, referring to FIG. 5, a sealing groove 142 is formed at the upper end of the housing 110. The sealing groove 142 is provided in the shape of a ring along the edge of the upper end of the housing 110. The sealing member 140 is inserted along the sealing groove 142. The sealing member 140 is also provided in the form of a ring like an O-ring.

커버(342)의 하단에는 돌출부(144)가 형성된다. 돌출부(144)는 실링홈(142)에 대향되도록 제공된다. 돌출부(144)는 커버(342)의 하단의 가장자리를 따라 링 형상으로 제공된다. 돌출부(144)는 실링홈(142)에 삽입될 수 있도록 제공된다. 돌출부(144)는 실링홈(142)에 완전히 삽입될 수 있다. 돌출부(144)의 단부는 실링 부재(140)에 접촉하도록 제공될 수 있다. 이 경우, 실링 부재(140)가 탄성에 의해 팽창하더라도 돌출부(144)가 일정한 정도 이상의 팽창을 제한한다. 커버(342)의 하단과 하우징(110)의 상단은 서로 밀착하도록 제공된다. 따라서, 커버(342)의 하단과 하우징(110)의 상단 사이로 플라즈마의 유입을 최소화할 수 있다. 또한, 소량의 플라즈마가 유입되어 실링 부재(140)를 부식시키더라도, 부식된 실링 부재(140) 성분은 실링홈(142)에 머무르고 외부로 유출되지 않는다. 따라서, 부식된 실링 부재(140) 성분이 기판 처리 공간에 유입되지 않으므로, 기판의 오염을 방지할 수 있다.A protrusion 144 is formed at the lower end of the cover 342. The protrusion 144 is provided to face the sealing groove 142. The protrusion 144 is provided in a ring shape along the lower edge of the cover 342. The projecting portion 144 is provided so as to be inserted into the sealing groove 142. The projecting portion 144 can be completely inserted into the sealing groove 142. The end of the projection 144 may be provided to contact the sealing member 140. In this case, even if the sealing member 140 expands due to elasticity, the protruding portion 144 restricts expansion to a certain degree or more. The lower end of the cover 342 and the upper end of the housing 110 are provided in close contact with each other. Therefore, the inflow of the plasma between the lower end of the cover 342 and the upper end of the housing 110 can be minimized. Further, even if a small amount of plasma is introduced to corrode the sealing member 140, the corroded sealing member 140 remains in the sealing groove 142 and does not flow out. Therefore, since the corrosion-resistant sealing member 140 does not flow into the substrate processing space, contamination of the substrate can be prevented.

상술한 실시예에서는 하우징의 상단에 실링홈이 형성되고, 커버의 하단에 돌출부가 형성되는 것으로 설명하였으나, 이와 반대로 커버의 하단에 실링홈이 형성되고, 커버의 하단에 실링홈이 형성될 수 있다. In the above-described embodiment, the sealing groove is formed at the upper end of the housing and the protrusion is formed at the lower end of the cover. Alternatively, a sealing groove may be formed at the lower end of the cover, and a sealing groove may be formed at the lower end of the cover .

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

20: 설비 전방 단부 모듈 30: 공정 처리실
110: 하우징 130: 배플
140: 실링 부재 142: 실링홈
144: 돌출부20: Facility front end module 30: Process processing room
110: housing 130: baffle
140: sealing member 142: sealing groove
144:

Claims (6)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간이 형성된 공정 유닛;
공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 유닛;
상기 플라즈마 발생 유닛과 상기 공정 유닛 사이에 위치하여, 상기 플라즈마가 상기 처리 공간으로 공급되는 통로를 제공하는 유도 유닛; 및
상기 공정 유닛과 상기 유도 유닛 사이에 제공되고, 상기 공정 유닛과 상기 유도 유닛 사이를 실링하는 실링 부재를 포함하고,
상기 공정 유닛은,
내부에 상기 처리 공간이 제공되는 하우징;
상기 처리 공간에 위치되며, 기판을 지지하는 지지 유닛; 및
상기 플라즈마를 상기 처리 공간에 공급하는 배플;을 포함하고,
상기 유도 유닛은,
상기 하우징의 상단과 결합하는 커버를 포함하고,
상기 커버의 하단이 상기 하우징의 상단을 덮을 수 있도록 제공되며,
상기 하우징의 상단과 상기 커버의 하단 중 어느 하나에는 그 가장자리를 따라 실링홈이 형성되고, 상기 실링 부재는 상기 실링홈을 따라 삽입되어 제공되되,
상기 실링 부재는 상기 실링홈에 완전히 삽입되고,
상기 하우징의 상단과 상기 커버의 하단 중 다른 하나에는 돌출부가 형성되되,
상기 돌출부는 상기 실링홈에 대향되도록 제공되고,
상기 커버의 하단이 상기 하우징의 상단을 덮을 때, 상기 돌출부는 상기 실링홈에 삽입되는 기판 처리 장치.
An apparatus for processing a substrate,
A processing unit having a processing space formed therein;
A plasma generating unit for generating plasma from the process gas;
An induction unit positioned between the plasma generating unit and the processing unit and providing a path through which the plasma is supplied to the processing space; And
And a sealing member provided between the processing unit and the guiding unit and sealing between the processing unit and the guiding unit,
Wherein the processing unit comprises:
A housing in which the processing space is provided;
A support unit located in the processing space and supporting the substrate; And
And a baffle for supplying the plasma to the processing space,
The induction unit
And a cover engaging with an upper end of the housing,
A lower end of the cover is provided so as to cover an upper end of the housing,
A sealing groove is formed along an edge of the upper end of the housing and a lower end of the cover, the sealing member being inserted along the sealing groove,
The sealing member is completely inserted into the sealing groove,
A protrusion is formed on the other of the upper end of the housing and the lower end of the cover,
Wherein the projection is provided so as to face the sealing groove,
Wherein the projecting portion is inserted into the sealing groove when the lower end of the cover covers the upper end of the housing.
제1항에 있어서,
상기 실링홈이 형성된 상기 커버의 하단 또는 상기 하우징의 상단을, 상기 커버의 하단 또는 상기 하우징의 상단에 대해 수직 방향으로 절단하였을 때, 상기 실링홈의 단면이 직사각형으로 제공되는 기판 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein a cross section of the sealing groove is provided in a rectangular shape when the lower end of the cover having the sealing groove formed therein or the upper end of the housing is cut perpendicular to the lower end of the cover or the upper end of the housing.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 실링 부재는 오링(O-ring)인 기판 처리 장치.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the sealing member is an O-ring.
기판을 처리하는 장치에 있어서,
커버와;
상기 커버와 결합하고 내부에 기판 처리 공간을 제공하는 하우징; 및
상기 커버와 상기 하우징 사이에 제공되며, 상기 커버와 상기 하우징 사이를 실링하는 실링 부재를 포함하되,
상기 커버의 하단이 상기 하우징의 상단을 덮을 수 있도록 제공되고,
상기 하우징의 상단과 상기 커버의 하단 중 어느 하나에는 그 가장자리를 따라 실링홈이 형성되고, 상기 실링 부재는 상기 실링홈에 삽입되어 제공되되,
상기 실링 부재는 상기 실링홈에 완전히 삽입되고,
상기 하우징의 상단과 상기 커버의 하단 중 다른 하나에는 돌출부가 형성되되,
상기 돌출부는 상기 실링홈에 대향되도록 제공되고,
상기 커버의 하단이 상기 하우징의 상단을 덮을 때, 상기 돌출부는 상기 실링홈에 삽입되는 기판 처리 장치.
An apparatus for processing a substrate,
A cover;
A housing coupled to the cover and providing a substrate processing space therein; And
And a sealing member provided between the cover and the housing, the sealing member sealing between the cover and the housing,
A lower end of the cover is provided so as to cover an upper end of the housing,
A sealing groove is formed along an edge of the upper end of the housing and the lower end of the cover, the sealing member being inserted into the sealing groove,
The sealing member is completely inserted into the sealing groove,
A protrusion is formed on the other of the upper end of the housing and the lower end of the cover,
Wherein the projection is provided so as to face the sealing groove,
Wherein the projecting portion is inserted into the sealing groove when the lower end of the cover covers the upper end of the housing.
제4항에 있어서,
상기 실링홈이 형성된 상기 커버의 하단 또는 상기 하우징의 상단을, 상기 커버의 하단 또는 상기 하우징의 상단에 대해 수직 방향으로 절단하였을 때, 상기 실링홈의 단면이 직사각형으로 제공되는 기판 처리 장치.
5. The method of claim 4,
Wherein a cross section of the sealing groove is provided in a rectangular shape when the lower end of the cover having the sealing groove formed therein or the upper end of the housing is cut perpendicular to the lower end of the cover or the upper end of the housing.
제4항 또는 제5항에 있어서,
상기 실링 부재는 오링(O-ring)인 기판 처리 장치.
The method according to claim 4 or 5,
Wherein the sealing member is an O-ring.
KR1020160046766A 2016-04-18 2016-04-18 Apparatus for treating substrate KR101830939B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160046766A KR101830939B1 (en) 2016-04-18 2016-04-18 Apparatus for treating substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160046766A KR101830939B1 (en) 2016-04-18 2016-04-18 Apparatus for treating substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170119076A true KR20170119076A (en) 2017-10-26
KR101830939B1 KR101830939B1 (en) 2018-02-22

Family

ID=60300950

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160046766A KR101830939B1 (en) 2016-04-18 2016-04-18 Apparatus for treating substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101830939B1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190048415A (en) * 2017-10-31 2019-05-09 (주) 엔피홀딩스 Substrate treatment chamber for etching and ashing process and substrate treatment method
KR20220063536A (en) * 2020-11-10 2022-05-17 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating surface of component
KR102406094B1 (en) * 2021-11-09 2022-06-08 박성원 Substrate plasma apparaus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190048415A (en) * 2017-10-31 2019-05-09 (주) 엔피홀딩스 Substrate treatment chamber for etching and ashing process and substrate treatment method
KR20220063536A (en) * 2020-11-10 2022-05-17 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating surface of component
KR102406094B1 (en) * 2021-11-09 2022-06-08 박성원 Substrate plasma apparaus

Also Published As

Publication number Publication date
KR101830939B1 (en) 2018-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2007117741A2 (en) A reduced contaminant gas injection system and method of using
KR20060085281A (en) Apparatus and method for treating semiconductor device with plasma
KR101830939B1 (en) Apparatus for treating substrate
WO2013078420A2 (en) Symmetric rf return path liner
KR101939225B1 (en) A baffle assembly and an apparatus for treating a substrate with the baffle
JP2014216644A (en) Exhaust ring assembly and substrate processing apparatus with the same
KR101568363B1 (en) Substrate treating apparatus and baffle
KR101905640B1 (en) Apparatus for treating substrate
JP2017028264A (en) Substrate processing device and substrate processing method
KR20170116718A (en) Apparatus and method for treating substrate
KR20130072941A (en) Plasma etching apparatus
JP7190540B2 (en) Baffle unit, substrate processing equipment including this
US20220254660A1 (en) Substrate processing apparatus
KR101559874B1 (en) Substrate treating apparatus and chamber producing method
KR101981550B1 (en) Substrate treating apparatus, substrate treating method and plasma generating unit
JP2005012217A (en) Semiconductor manufacturing apparatus
KR100721573B1 (en) Inductively Coupled Plasma Processing Apparatus
KR20170123740A (en) Apparatus and method for treating substrate
KR20190135829A (en) A baffle assembly and an apparatus for treating a substrate with the baffle
KR100823881B1 (en) Apparatus for treating the substrate using plasma
KR102275509B1 (en) Support unit and apparatus for treating substrate
KR20230060330A (en) An apparatus for treating substrate
KR102665361B1 (en) A substrate processing apparatus
KR20150009322A (en) Supporting unit and substrate treating apparatus including the same
KR101603972B1 (en) Substrate treating apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)