KR20170115813A - 발광 모듈 및 이를 갖는 조명 장치 - Google Patents

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Abstract

실시 예에 개시된 발광 모듈은, 금속 플레이트, 및 상기 금속 플레이트 상에 절연층, 상기 절연층 상에 복수의 리드 전극을 갖는 배선층을 포함하는 회로 기판; 및 상기 회로 기판 상에 제1축 방향으로 배열된 복수의 발광 소자를 포함하며, 상기 회로 기판의 복수의 리드 전극은 상기 발광 소자 아래에 배치되며 제1축 방향으로 배열된 복수의 제1리드 전극, 및 상기 발광 소자에 전기적으로 연결된 제2리드 전극을 포함하며, 상기 절연층은 제1축 방향의 열 전도율보다 상기 제1축 방향과 다른 적어도 한 축 방향의 열 전도율이 더 높은 필러를 포함한다.

Description

발광 모듈 및 이를 갖는 조명 장치{LIGHT EMITTING MODULE AND LIGHTING DEVICE}
실시 예는 발광모듈 및 이를 구비한 조명장치에 관한 것이다.
일반적으로, 회로기판이란 전기 절연성 기판에 구리와 같은 전도성 재료로 회로 패턴을 형성시킨 것으로 전자부품 관련 발열소자를 탑재하기 직전의 기판을 말한다. 상기와 같은 회로기판 상에는 복수의 발광다이오드 (LED: Light Emitting Diode)가 배열된다.
발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다. 발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다. 또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.
이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내 및 실외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다.
실시 예는 이방성 열전도율을 갖는 필러(Filler)를 포함하는 회로 기판 및 이를구비한 발광 모듈을 제공한다.
실시 예는 열 전도율이 상대적으로 높은 방향으로 복수의 발광 소자 및 복수의 리드 전극의 배열 방향을 정렬한 발광 모듈을 제공한다.
실시 예는 어느 한 축 방향으로 열 전도율이 높은 절연층 상에 동일한 축 방향으로 복수의 발광 소자를 배열한 발광 모듈을 제공한다.
실시 예에 따른 발광 모듈은, 금속 플레이트, 및 상기 금속 플레이트 상에 절연층, 상기 절연층 상에 복수의 리드 전극을 갖는 배선층을 포함하는 회로 기판; 및 상기 회로 기판 상에 제1축 방향으로 배열된 복수의 발광 소자를 포함하며, 상기 회로 기판의 복수의 리드 전극은 상기 발광 소자 아래에 배치되며 제1축 방향으로 배열된 복수의 제1리드 전극, 및 상기 발광 소자에 전기적으로 연결된 제2리드 전극을 포함하며, 상기 절연층은 제1축 방향의 열 전도율보다 상기 제1축 방향과 다른 적어도 한 축 방향의 열 전도율이 더 높은 필러를 포함한다.
실시 예는 회로 기판 상에 동일 면적 내에서 발광 소자들의 밀도를 높여 줄 수 있다.
실시 예는 발광 모듈의 방열 효율을 개선할 수 있다.
실시 예는 발광 모듈의 리드 전극의 체적이나 두께를 증가하지 않더라도, 방열 특성이 저하되지 않도록 할 수 있다.
실시 예는 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 장치의 방열에 대한 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
도 1은 실시 예에 따른 발광 모듈의 사시도이다.
도 2는 도 1의 발광 모듈의 평면도이다.
도 3은 도 2의 발광모듈을 A-A로 절단한 단면도이다.
도 4는 도 2의 발광모듈을 B-B로 절단한 단면도이다.
도 5는 도 3의 발광 모듈의 다른 예이다.
도 6은 도 2의 발광 모듈의 다른 예이다.
도 7은 실시 예에 따른 발광 모듈의 회로 기판의 상세 구성도이다.
도 8은 실시 예에 따른 발광 모듈의 회로 기판의 절연층의 러프한 면을 나타내기 위한 확대도이다.
도 9는 실시 예에 따른 발광 모듈의 회로 기판의 절연층의 필러의 예를 나타낸 도면이다.
도 10은 실시 예에 따른 발광 모듈을 갖는 조명 장치의 예이다.
도 11은 실시 예에 따른 발광 소자의 배열 방향과 고전도율 방향이 이루는 각도에 따른 열 저항의 변화율을 나타낸 그래프이다.
도 12는 실시 예에 따른 발광 소자의 길이 대비 리드 전극의 길이의 비율에 따른 열 저항의 변화를 비교한 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다. 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 간접(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도 1은 실시 예에 따른 발광 모듈의 사시도이고, 도 2는 도 1의 발광 모듈의 평면도이며, 도 3은 도 2의 발광모듈을 A-A로 절단한 단면도이고, 도 4는 도 2의 발광모듈을 B-B로 절단한 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 실시 예에 따른 발광 모듈은 회로 기판(10) 및 상기 회로기판(10) 상에 제1축 방향(X)으로 배치된 복수의 발광소자(31)를 포함한다.
상기 회로기판(10)은 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB), 수지 재질의 PCB, 세라믹 PCB 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 회로기판(10)은 금속 플레이트(11), 상기 금속 플레이트(11) 상에 배치된 이방성열 전도율을 갖는 필러를 포함하는 절연층(13), 상기 절연층(13) 상에 복수의 리드 전극(21,25)을 포함할 수 있다.
상기 금속 플레이트(11)는 열전도성이 높은 방열 플레이트로서, 구리, 알루미늄, 은 또는 금 또는 이들 중 하나 이상을 포함하는 합금으로 형성될 수 있으며, 예컨대 구리 또는 구리 합금일 수 있다. 상기 금속 플레이트(11)는 다각형 형상으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정되지 않는다. 상기 금속 플레이트(11)는 0.8mm내지 1.5mm의 범위로 배치될 수 있어, 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
상기 절연층(13)은 상기 금속 플레이트(11) 상에 형성될 수 있으며, 상기 금속 플레이트(11)와 상기 리드 전극(21,25)을 갖는 배선층 사이를 절연시켜 줄 수 있다. 실시 예에 따른 절연층(13)은 에폭시계 또는 폴리 이미드계 수지를 포함하며, 내부에 고형 성분, 예를 들어, 필러 또는 유리 섬유 등이 분산되어 있을 수 있으며, 이와 달리 산화물 또는 질화물 등의 무기물일 수 있다. 상기 절연층(13)의 두께는 방열성을 고려하여 0.15mm 이상 예컨대, 0.15mm 내지 0.3mm의 범위를 포함하며, 상기 절연층(13)의 두께가 상기 범위보다 얇은 경우 열 전도율이 저하될 수 있고, 상기 두께보다 두꺼운 경우 열 개선이 미미할 수 있다.
상기 절연층(13) 상에는 복수의 리드 전극(21,25)을 갖는 배선층이 배치되며, 상기 배선층은 미리 설정된 회로 패턴으로 식각될 수 있으며, 상기 회로 패턴의 상면 중 일부 영역은 상기 보호층(미도시)이 노출되어 리드 전극으로 기능하게 된다. 상기 배선층은 구리, 또는 구리를 포함하는 합금이 될 수 있으며, 상기 배선층의 표면에는 니켈, 은, 금 또는 팔라듐 또는 이들 중 하나 이상을 포함하는 합금을 이용하여 표면 처리될 수 있다. 상기 배선층의 두께는 15㎛ 이상 예컨대, 15㎛ 내지 50㎛ 의 범위로 배치될 수 있으며, 상기 두께 범위를 벗어날 경우 열 전도율 및 전기 전도율이 저하되거나 회로 기판의 두께가 증가하게 되는 문제가 있다.
상기 복수의 리드 전극(21,25)은 발광 소자(31)가 배열된 제1리드 전극(21) 및 상기 발광 소자(31)과 와이어(35)로 연결된 제2리드 전극(25)을 포함한다. 상기 복수의 제1리드 전극(21)은 제1축 방향(X)으로 소정의 영역 내에 배열될 수 있다. 상기 제1리드 전극(21) 각각의 위에는 적어도 하나의 발광 소자(31)가 배치되거나, 도 5와 같이 복수의 발광 소자(31)가 배치될 수 있으며, 예컨대 2개 이상의 발광 소자(31)가 각각의 제1리드 전극(21) 위에 배치될 수 있다.
상기 리드 전극(21,25)을 갖는 배선층 상에는 보호층(미도시)이 형성되며, 상기 보호층은 리드 전극을 제외한 영역이 노출되는 것을 차단하기 위한 층으로서, 절연 재질 예컨대, 솔더 레지스트를 포함한다. 상기 보호층은 상기 회로기판(10)의 전면에 도포되며, 산란되는 빛을 흡수함으로써 빛의 집진성을 향상시키기 위하여 광투과성이 낮고, 반사도가 낮은 어두운 색으로 착색되어 있다. 예를 들어, 상기 보호층은 백색, 녹색 또는 검은색일 수 있다.
상기 복수의 발광 소자(31)는 상기 제1리드 전극(21) 상에 각각 배치되어 전도성 접착제로 접착될 수 있으며, 제2리드 전극(25)과 와이어(35)로 연결될 수 있다. 상기 복수의 발광 소자(31)는 서로 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 소자(31)는 화합물 반도체를 갖는 LED 칩 예컨대, UV(Ultraviolet) LED 칩, 청색 LED 칩, 녹색 LED 칩, 백색 LED 칩, 적색 LED 칩 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(31)는 II족-VI족 화합물 반도체 및 III족-V족 화합물 반도체 중 적어도 하나 또는 모두를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(31)는 청색, 녹색, 청색, UV 또는 백색의 광 중 적어도 하나를 발광할 수 있다. 상기 발광 소자(31)는 예컨대, 백색 광을 방출할 수 있다. 상기 발광 소자(31)는 발광 칩 및 상기 발광 칩 상에 형광 필름이 배치될 수 있다. 상기 형광 필름은 청색, 시안, 녹색 및 적색 형광체 중 적어도 하나 또는 2개 이상을 포함할 수 있다.
상기 발광 소자(31)는 제1리드 전극(21)에 전기적으로 연결된 수직형 칩으로 설명하였으나, 수평형 칩 또는 플립 칩으로 제1,2리드 전극(21,25) 상에 연결될 수 있다. 상기 발광 소자(31)는 LED 칩 형태로 설명하였으나, LED 칩을 갖는 패키지일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 회로 기판(10) 상에는 상기 발광 소자(31)를 덮는 몰딩 부재(미도시)가 배치될 수 있으며, 상기 몰딩 부재는 실리콘 또는 에폭시를 포함하며, 상기 와이어(35)의 고점 높이보다 더 두껍게 형성될 수 있다.
실시 예에 따른 절연층(13)은 도 3 및 도 4와 같이, 복수의 필러(15)를 포함하며, 상기 필러(15)는 질환붕소(BN: Boron Nitride)계 예컨대, 고결정성 질환붕소(h-BN)을 포함할 수 있다. 상기 질환 붕소는 NH기 3개와 BH기 3개가 평면 6각형 고리 형태로 결합된 화합물로서, 도 9와 같은 평면 육각형 형상으로 제공된다. 이러한 필러(15)의 열 전도율을 보면, 수평한 축 방향(Y축 방향)과 수직한 축 방향(Z축 방향)으로 높은 열 전도율을 가질 수 있으며, 상기 수평한 축 방향(Y축 방향)의 열 전도율이 수직한 축 방향(Z축 방향)의 열 전도율보다 75배 이상 예컨대, 75배 내지 200배의 범위로 크게 나타난다. 상기 수평한 축 방향(Y)의 열 전도율은 150 내지 200W/mk 범위이며, 수직한 축(Z) 방향의 열 전도율은 1 내지 2W/mk의 범위로 나타난다. 이러한 필러(15)는 이방성(anisotropy)의 열 전도율을 가지며, 면 방향의 열 전도율이 두께 방향의 열 전도율보다 수십배 이상 높게 나타난다. 이러한 절연층(13)은 제조 시 필러(15)의 배향을 제어하여, 소결체로 2축 방향으로 높은 열 전도율을 갖는 필러(15)로 배향할 수 있다. 상기 2축 방향은 도 1에서 제1축(X) 방향에 대해 수직한 두 축 방향(Y,Z)일 수 있다. 이는 상기 발광 소자들이 배열된 제1축 방향(X)에 다른 축 방향 예컨대, 상기 제1축 방향(X)에 직교하는 한 축(Y) 또는 두 축 방향(Y,Z)으로 높은 열 전도율을 갖는 BN 소결체를 필러(15)로 절연층(13) 내에 첨가하게 된다. 여기서, 이방성 열 전도율 방향은 수평한 제2축 방향(Y)이 면 방향이며, 제3축 방향(Z)이 수직 방향일 수 있다. 상기 필러(15)를 갖는 절연층(13)의 열 전도율은 제1축(X) 방향으로 2 내지 10W/mk의 범위이며, 제2,3축 방향(Y,Z)으로 50 내지 200W/mk의 범위를 가질 수 있다. 즉, 절연층(13)의 제2,3축 방향(Y,Z)의 열 전도율은 제1축(X) 방향에 대해 5배 내지 100배 높을 수 있다. 여기서, 상기 제2,3축 방향(Y,Z)의 열 전도율은 동일하거나 10% 이내의 차이를 가질 수 있다.
상기 절연층(13)은 제1축 방향(X)에 직교하는 어느 한 축(Y) 또는 두 축 방향(Y,Z)으로 열 전도율이 높기 때문에, 복수의 발광 소자(31)를 제1축 방향(X)으로 배열한 경우, 제2축 방향(Y)을 통해 높은 열 전도율로 전도됨으로써, 발광 소자(31) 간의 열 간섭은 차단될 수 있다.
또한 상기 절연층(13)은 제1축 방향(X)에 직교하는 어느 한 축(Y) 또는 두 축 방향(Y,Z)으로 열 전도율이 높기 때문에, 복수의 제1리드 전극(21)를 제1축 방향(X)으로 배열하더라도, 제2축 방향(Y)을 통해 높은 열 전도율로 전도됨으로써, 제1리드 전극(21) 간의 열 간섭은 차단될 수 있다. 이에 따라 상기 제1리드 전극(21) 간의 간격(D1)은 100㎛±10㎛의 범위로 배열될 수 있으며, 발광 소자(31)의 사이즈에 따라 다를 수 있다. 상기 제1리드 전극(21)의 가로 및 세로 길이는 상기 발광 소자(31)의 가로 및 세로 길이보다 1mm±0.2mm의 범위로 길게 형성되므로, 상기 제1리드 전극(21) 상에 발광 소자(31)의 하면 전체가 본딩될 수 있다. 상기 발광 소자(31)의 하면과 상기 제1리드 전극(21)의 상면의 면적 비율은 1:1.5 내지 1:2.5의 범위를 가질 수 있다. 이러한 제1리드 전극(21)은 발광 소자(31)로부터 전도된 열을 상기 절연층(13)으로 전도하게 되며, 상기 절연층(13)은 자체 방열하거나 금속 플레이트(11)로 전도할 수 있다. 실시 예는 회로 기판(10) 상에서 발광 소자(31)들의 배열 방향은 제1축 방향(X) 또는 이에 인접한 방향으로 배열될 수 있으며, 예컨대 상기 제2축 방향(Y)에 대해 60도 이상, 예컨대 60도 내지 90도의 각도로 배치될 수 있고, 제3축 방향(Z)에 대해 60도 이상 예컨대, 60도 내지 90도의 각도로 배치될 수 있다.
도 11을 참조하여, 실시 예에 따른 발광 모듈에 있어서, 발광 소자들의 배열 방향과 필러의 이방성 열전도율의 방향이 이루는 각도에 따른 열 저항의 변화율을 보면, 발광 소자들의 배열 방향과 필러의 고 열전도율 방향(예: Y축) 사이의 각도가 60도 이상 예컨대, 60도 내지 90도일 때 열 저항이 98% 미만으로 낮게 나타남을 알 수 있다. 이에 따라 X축 방향의 발광 소자 배열 시 고 열전도율 배열 방향인 Y축 방향으로의 열 확산 효과로 인해 방열 효율이 개선될 수 있다.
도 12은 실시 예에 따른 발광 모듈에 있어서, 발광 소자의 한 변의 길이 또는 면적과 제1리드 전극의 길이 또는 면적의 비율에 따른 열 저항의 변화율을 나타낸 도면이다.
도 12과 같이, 등방성(isotropic)의 그래프는 제1리드 전극의 길이 또는 면적이 발광 소자의 하면 길이 또는 면적의 2배인 경우이며, 이방성(anisotropic) 중에서 배열 각도의 차이가 없는 경우(0도) 보다, 필러의 고 열전도율의 배열 방향과 배열 각도의 차이(90도)가 있는 경우, 열 저항이 더 낮게 나타남을 알 수 있고, 제1리드 전극의 길이 또는 면적이 발광 소자의 하면 길이 또는 면적의 2배인 그래프의 열 전도율에 근접하게 나타남을 알 수 있다. 실시 예는 제1리드 전극 및 발광 소자의 배열 방향과 필러의 고 열전도율 방향이 이루는 각도가 90도일 때, 방열 효율이 2배 이상으로 개선됨을 알 수 잇다.
실시 예는 도 2와 같이, 회로 기판(10)에 두 축 방향으로 열 전도율이 높은 절연층(13)을 리드 전극(21,25) 및 발광 소자(31) 아래에 상기 두 축 방향과 직교하거나 60도 내지 90도의 각도로 배열함으로써, 복수의 제1리드 전극(21) 간의 간격(D1)을 좁힐 수 있어, 발광 소자(31)들 간의 간격도 좁혀질 수 있다. 이는 동일한 공간 내에서 제1리드 전극(21) 및 발광 소자(31)의 밀도를 높여줄 수 있는 효과가 있다. 또한 제1리드 전극(21)의 면적을 줄여줄 수 있는 효과가 있다.
실시 예의 발광 모듈은 회로 기판(10) 상에 4ⅹ1열이 발광 소자(31)을 배열하였으나, NⅹM (N≥4, M≥2, N>M)열로 배열할 수 있으며, 도 6과 같은 4ⅹ2열로 발광 소자(31)를 배열할 수 있다.
도 3 및 도 4와 같이, 상기 회로 기판(10)은 상기 금속 플레이트(11)과 상기 절연층(13) 사이에 제1접착층(12), 및 상기 절연층(13)과 상기 리드 전극(21,25)을 갖는 배선층(도 7의 21A) 사이에 제2접착층(14)을 포함할 수 있다. 상기 제1,2접착층(12,14)의 재질은 수지 재질 예컨대, 실리콘 또는 에폭시와 같은 접착 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1,2접착층(12,14)의 두께는 영역에 따라 다를 수 있으며, 최소 0㎛이거나, 최대 10㎛를 가질 수 있다.
여기서, 도 7과 같이, 상기 절연층(13)의 하면은 러프한 하면(R2)으로 형성되어, 상기 금속 플레이트(11)과 접촉되거나 비 접촉되는 영역을 포함할 수 있어, 최소 0㎛이거나, 최대 10㎛의 두께로 형성될 수 있다. 또한 상기 절연층(13)의 상면은 러프한 면(R1)에 의해 상기 리드 전극(21,25)을 갖는 배선층(21A)과 접촉되거나 이격될 수 있다. 상기 절연층(13)의 상면(R1)은 도 8과 같이 불규칙한 요철 구조로 형성될 수 있다. 이러한 절연층(13)의 러프한 상면(R1) 및 하면(R2)은 방열 표면적을 증가시켜 주는 효과가 있어, 열 전도율을 더 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 회로 기판(10) 내에 발광 소자(31)가 배열되는 축 방향에 직교하는 두 축 방향의 열 전도율이 높은 절연층을 배치함으로써, 회로 기판(10)의 방열 특성이 개선될 수 있고, 발광 소자(31) 및 발광 모듈의 열적 신뢰성이 개선될 수 있다.
도 10은 도 1의 발광 모듈을 갖는 조명 장치의 예이다.
도 10을 참조하면, 조명 장치는 복수의 발광 소자(31)과, 체결 구멍(81)을 갖는 실시 예에 따른 회로 기판(10), 상기 발광 소자(31)와 연결된 제1리드 전극(21)과, 제2리드 전극(25)을 포함할 수 있다. 상기 조명 장치는 상기 회로 기판(10) 상에 광학 부재 예컨대, 도광판, 확산판, 광학 렌즈, 반사 시트, 프리즘 시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 회로 기판(10) 상에는 전극 단자(27,29)가 형성될 수 있으며, 소정 영역에는 적어도 하나의 체결 구멍(81)이 배치될 수 있다. 상기 전극 단자(27,29)는 외부 전원 단자가 연결되어 상기 두 전극(22,25)을 통해 전원을 공급하게 된다.
상기 회로 기판(10) 상에는 제 1 및 제2리드 전극(21,25)의 보호를 위해 보호층이 선택적으로 오픈된 형태로 제공될 수 있다.
실시 예에 따른 조명 장치는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. 실시예에 따른 조명 장치는 하나 또는 복수의 모듈을 갖는 구조로 제공되어, 3차원 디스플레이, 각종 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등에 적용될 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
10: 회로 기판 11: 금속 플레이트
12,14: 접착층 13: 절연층
15: 필러 21,25: 리드 전극
31: 발광 소자

Claims (10)

  1. 금속 플레이트, 및 상기 금속 플레이트 상에 절연층, 상기 절연층 상에 복수의 리드 전극을 갖는 배선층을 포함하는 회로 기판; 및
    상기 회로 기판 상에 제1축 방향으로 배열된 복수의 발광 소자를 포함하며,
    상기 회로 기판의 복수의 리드 전극은 상기 발광 소자 아래에 배치되며 제1축 방향으로 배열된 복수의 제1리드 전극, 및 상기 발광 소자에 전기적으로 연결된 제2리드 전극을 포함하며,
    상기 절연층은 제1축 방향의 열 전도율보다 상기 제1축 방향과 다른 적어도 한 축 방향의 열 전도율이 더 높은 필러를 포함하는 발광 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 제1축 방향과 직교하는 수평한 제2축 방향으로 더 높은 열 전도율을 갖는 발광 모듈.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 제1축 방향과 직교하는 수평한 제2축 및 수직한 제3축 방향으로 더 높은 열 전도율을 갖는 발광 모듈.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 제1축 방향과 직교하는 제2,3축 방향의 열 전도율이 상기 제1축 방향의 열 전도율에 비해 5배 내지 100배 높은 발광 모듈.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 필러는 이방성 열 전도율을 갖는 질환붕소를 포함하는 발광 모듈.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 절연층과 상기 금속 플레이트 사이에 제1접착층, 상기 절연층과 상기 배선층 사이에 제2접착층을 포함하며,
    상기 절연층의 상면 및 하면은 러프한 면을 갖는 발광 모듈.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 필러의 이방성 열 전도율은 150 내지 200W/mk을 포함하는 발광 모듈.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 필러는 서로 다른 2축 방향으로 높은 열 전도율을 갖는 발광 모듈.
  9. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1리드 전극의 상면 면적은 상기 제1리드 전극 위에 배치된 발광 소자의 하면 면적의 2배 이상인 발광 모듈.
  10. 청구항 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항을 갖는 조명 장치.
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