KR20170113888A - Laser processing apparatus - Google Patents

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후토시 요시다
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Abstract

레이저 처리 장치는 내부에 피처리체가 위치하며 일 측에 투과부를 포함하는 챔버, 상기 챔버 외부에 위치하며 상기 투과부를 통해 레이저 빔을 상기 피처리체로 조사하는 레이저 유닛, 및 상기 챔버 내부에서 상기 피처리체와 이웃하며 상기 레이저 빔이 통과하는 개구부 및 상기 개구부와 상기 피처리체 사이에 위치하여 상기 레이저 빔이 통과하는 슬릿(slit)을 포함하는 파티클 그래버(particle grabber)를 포함한다. 상기 슬릿의 너비는 상기 개구부의 너비보다 작다.A laser processing apparatus includes a chamber in which an object to be processed is disposed, a chamber including a transmissive portion on one side thereof, a laser unit disposed outside the chamber and irradiating the laser beam to the object to be processed through the transmissive portion, And a particle grabber positioned between the opening and the object to be processed, the particle grabber including a slit through which the laser beam passes. The width of the slit is smaller than the width of the opening.

Description

레이저 처리 장치{LASER PROCESSING APPARATUS}[0001] LASER PROCESSING APPARATUS [0002]

본 기재는 레이저 처리 장치에 관한 것이다.The present disclosure relates to a laser processing apparatus.

레이저 처리 장치는 레이저 빔을 이용해 피처리체를 처리하는 장치이다.A laser processing apparatus is a device that processes an object to be processed by using a laser beam.

기존의 레이저 처리 장치는 피처리체가 내부에 위치하는 챔버, 피처리체로 레이저 빔을 조사하는 레이저 유닛을 포함한다.Conventional laser processing apparatuses include a chamber in which an object to be processed is located, and a laser unit for irradiating a laser beam to the object to be processed.

레이저 처리 장치를 이용해 피처리체를 가공할 때, 레이저 빔에 의해 피처리체로부터 파티클(particle)이 발생되는데, 이 파티클로 인해 챔버의 내부가 오염되는 문제점이 있다.When the object to be processed is processed using the laser processing apparatus, particles are generated from the object to be processed by the laser beam, and the inside of the chamber is contaminated by the particles.

피처리체로부터 발생되는 파티클로 인해 챔버의 내부가 오염되는 것을 억제하는 레이저 처리 장치를 제공하고자 한다.And to suppress contamination of the inside of the chamber due to particles generated from the object to be processed.

일 측면은 내부에 피처리체가 위치하며, 일 측에 투과부를 포함하는 챔버, 상기 챔버 외부에 위치하며, 상기 투과부를 통해 레이저 빔을 상기 피처리체로 조사하는 레이저 유닛, 및 상기 챔버 내부에서 상기 피처리체와 이웃하며, 상기 레이저 빔이 통과하는 개구부 및 상기 개구부와 상기 피처리체 사이에 위치하여 상기 레이저 빔이 통과하는 슬릿(slit)을 포함하는 파티클 그래버(particle grabber)를 포함하며, 상기 슬릿은 상기 개구부 대비 더 작은 너비를 가지는 레이저 처리 장치를 제공한다.A laser unit for irradiating a laser beam onto the object to be processed through the transparent portion, the laser unit being located inside the chamber; And a particle grabber which is adjacent to the laser beam and includes an opening through which the laser beam passes and a slit which is positioned between the opening and the object to be processed and through which the laser beam passes, A laser processing apparatus having a smaller width than an opening is provided.

상기 파티클 그래버는, 상기 개구부를 포함하는 그래버 본체, 상기 그래버 본체의 제1 부분으로부터 상기 피처리체 방향으로 연장된 제1 플레이트, 및 상기 개구부를 사이에 두고 상기 제1 부분으로부터 이격된 상기 그래버 본체의 제2 부분으로부터 상기 피처리체 방향으로 연장된 제2 플레이트를 더 포함할 수 있으며, 상기 제1 플레이트의 단부 및 상기 제2 플레이트의 단부는 상기 슬릿을 형성할 수 있다.The particle grabber includes a grabber body including the opening portion, a first plate extending from the first portion of the grabber body toward the object to be processed, and a second plate extending from the first portion of the grabber body And a second plate extending from the second portion in the direction of the object to be processed. The end of the first plate and the end of the second plate may form the slit.

상기 제1 플레이트 및 상기 제2 플레이트 중 적어도 하나는 상기 개구부의 적어도 일부를 커버하는 경사면을 포함할 수 있다.At least one of the first plate and the second plate may include an inclined surface covering at least a part of the opening.

상기 파티클 그래버는, 상기 그래버 본체의 상기 제1 부분과 상기 개구부 사이에 위치하는 상기 그래버 본체의 제3 부분으로부터 상기 슬릿 방향으로 연장된 제3 플레이트, 및 상기 그래버 본체의 상기 제2 부분과 상기 개구부 사이에 위치하는 상기 그래버 본체의 제4 부분으로부터 상기 슬릿 방향으로 연장된 제4 플레이트를 더 포함할 수 있다.The particle grabber includes a third plate extending in the slit direction from a third portion of the grabber body positioned between the first portion of the grabber body and the opening portion and a third plate extending between the second portion of the grabber body and the opening, And a fourth plate extending in the slit direction from the fourth portion of the grabber main body.

상기 그래버 본체는 상기 제1 플레이트 및 상기 제2 플레이트를 둘러싸는 격벽부를 더 포함할 수 있다.The grabber body may further include a partition wall portion surrounding the first plate and the second plate.

상기 파티클 그래버는, 상기 그래버 본체의 상기 제1 부분과 상기 격벽부 사이에 위치하는 상기 그래버 본체의 제5 부분으로부터 상기 피처리체 방향으로 연장된 제5 플레이트, 및 상기 그래버 본체의 상기 제2 부분과 상기 격벽부 사이에 위치하는 상기 그래버 본체의 제6 부분으로부터 상기 피처리체 방향으로 연장된 제6 플레이트를 더 포함할 수 있다.The particle grabber includes a fifth plate extending from the fifth portion of the grabber main body positioned between the first portion of the grabber main body and the partition wall portion in the direction of the subject and the second portion of the grabber main body, And a sixth plate extending in the direction from the sixth portion of the grabber body positioned between the partition portions toward the object to be processed.

상기 슬릿은 상기 피처리체의 표면에 대해 수직 방향으로 상기 개구부와 비중첩할 수 있다.The slit may not overlap with the opening in a direction perpendicular to the surface of the object to be processed.

상기 레이저 빔은 상기 피처리체의 상기 표면에 대해 경사진 방향으로 조사될 수 있다.The laser beam may be irradiated in an inclined direction with respect to the surface of the object to be processed.

상기 챔버 내부에서 상기 투과부와 상기 파티클 그래버 사이에 위치하는 윈도우를 더 포함할 수 있다.And a window positioned between the transmissive portion and the particle grabber within the chamber.

상기 파티클 그래버는 금속을 포함할 수 있다.The particle grabber may comprise a metal.

상기 파티클 그래버와 연결된 냉각 유닛을 더 포함할 수 있다.And a cooling unit coupled to the particle grabber.

피처리체로부터 발생되는 파티클로 인해 챔버의 내부가 오염되는 것을 억제하는 레이저 처리 장치가 제공된다.There is provided a laser processing apparatus for suppressing contamination of the inside of a chamber due to particles generated from an object to be processed.

도 1은 일 실시예에 따른 레이저 처리 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 A 부분을 확대한 도면이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 레이저 처리 장치의 일 부분을 나타낸 도면이다.
도 4는 또 다른 실시예에 따른 레이저 처리 장치의 일 부분을 나타낸 도면이다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 레이저 처리 장치를 나타낸 도면이다.
도 6은 도 5의 B 부분을 확대한 도면이다.
도 7은 또 다른 실시예에 따른 레이저 처리 장치의 일 부분을 나타낸 도면이다.1 is a view showing a laser processing apparatus according to an embodiment.
2 is an enlarged view of a portion A in Fig.
3 is a view showing a part of a laser processing apparatus according to another embodiment.
4 is a view showing a part of a laser processing apparatus according to another embodiment.
5 is a diagram showing a laser processing apparatus according to another embodiment.
6 is an enlarged view of a portion B in Fig.
Fig. 7 is a view showing a part of a laser processing apparatus according to another embodiment.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and the same or similar components are denoted by the same reference numerals throughout the specification.

또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.In addition, since the sizes and thicknesses of the respective components shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of explanation, the present invention is not necessarily limited to those shown in the drawings. In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. In the drawings, for the convenience of explanation, the thicknesses of some layers and regions are exaggerated.

또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.Also, when a portion such as a layer, a film, an area, a plate, etc. is referred to as being "on" or "on" another portion, this includes not only the case where the other portion is "directly on" . Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle. Also, to be "on" or "on" the reference portion is located above or below the reference portion and does not necessarily mean "above" or "above" toward the opposite direction of gravity .

또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Also, throughout the specification, when an element is referred to as "including" an element, it is understood that the element may include other elements as well, without departing from the other elements unless specifically stated otherwise.

이하, 도 1 및 도 2를 참조하여 일 실시예에 따른 레이저 처리 장치를 설명한다.Hereinafter, a laser processing apparatus according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG.

도 1은 일 실시예에 따른 레이저 처리 장치를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a laser processing apparatus according to an embodiment.

도 1에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 따른 레이저 처리 장치(1000)는 피처리체(OB)를 레이저 빔(LB)을 이용해 처리하는 장치이다. 이하에서, 피처리체(OB)는 기판 형태를 가지는 것을 일례로서 설명하나, 이에 한정되지 않고 피처리체(OB)는 레이저 빔(LB)을 이용해 처리할 수 있다면 원형, 다각형, 타원형, 비정형 형태 등의 다양한 형태를 가질 수 있다.As shown in FIG. 1, the laser processing apparatus 1000 according to one embodiment is an apparatus that processes an object to be processed OB using a laser beam LB. Hereinafter, the object to be processed OB has a substrate form, but the present invention is not limited thereto. The object to be processed OB may be circular, polygonal, elliptical, irregular or the like as long as it can be processed by using the laser beam LB It can have various forms.

또한, 레이저 빔(LB)을 이용해 피처리체(OB)를 처리하는 것은 피처리체(OB)를 열처리하거나, 피처리체(OB)를 절단하거나, 피처리체(OB)에 홈을 형성하거나, 피처리체(OB)에 구조물을 형성하는 등 피처리체(OB)에 대한 다양한 처리를 의미할 수 있다.The processing of the object OB using the laser beam LB can be performed by heat treatment of the object OB or cutting the object OB or forming grooves in the object OB, OB) by forming a structure on the workpiece OB.

일 실시예에 따른 레이저 처리 장치(1000)는 레이저 빔(LB)을 이용해 피처리체(OB)를 처리하며, 챔버(100), 레이저 유닛(200), 파티클 그래버(particle grabber)(300), 윈도우(400), 냉각 유닛(500)을 포함한다.A laser processing apparatus 1000 according to an embodiment processes a workpiece OB using a laser beam LB and includes a chamber 100, a laser unit 200, a particle grabber 300, (400), and a cooling unit (500).

챔버(100)는 내부에 공간을 형성하며, 챔버(100) 내부에 형성되는 공간은 진공을 유지할 수 있다. 챔버(100)의 내부에는 피처리체(OB), 파티클 그래버(300), 윈도우(400), 냉각 유닛(500)이 위치한다. 챔버(100)의 내부에서 피처리체(OB)가 레이저 빔(LB)에 의해 처리된다. 챔버(100)는 투과부(110)를 포함한다.The chamber 100 forms a space therein, and the space formed inside the chamber 100 can maintain a vacuum. In the interior of the chamber 100, the object OB, the particle grabber 300, the window 400, and the cooling unit 500 are located. In the interior of the chamber 100, the object OB is processed by the laser beam LB. The chamber 100 includes a transmissive portion 110.

투과부(110)는 챔버(100)의 일 측에 위치하며, 레이저 유닛(200)으로부터 조사된 레이저 빔(LB)이 투과할 수 있다면, 어떠한 재료라도 포함할 수 있다. 일례로, 투과부(110)는 글라스(glass)를 포함할 수 있다.The transmissive portion 110 is disposed on one side of the chamber 100 and may include any material as long as the laser beam LB irradiated from the laser unit 200 can be transmitted. For example, the transmissive portion 110 may include glass.

레이저 유닛(200)은 챔버(100)의 외부에 위치하며, 레이저 빔(LB)을 투과부(110)를 통해 피처리체(OB)로 조사한다. 레이저 유닛(200)은 공지된 다양한 구조를 가질 수 있으며, 공지된 다양한 레이저 빔(LB)을 피처리체(OB)로 조사할 수 있다.The laser unit 200 is located outside the chamber 100 and irradiates the laser beam LB to the object OB through the transmission unit 110. [ The laser unit 200 can have various known structures and can irradiate various known laser beams LB to the object OB to be processed.

도 2는 도 1의 A 부분을 확대한 도면이다.2 is an enlarged view of a portion A in Fig.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 파티클 그래버(300)는 챔버(100) 내부에서 피처리체(OB)와 이웃하고 있다. 파티클 그래버(300)는 피처리체(OB)와 윈도우(400) 사이에 위치한다. 파티클 그래버(300)는 레이저 빔(LB)을 이용한 피처리체(OB)의 처리 과정에서 피처리체(OB)로부터 나오는 파티클(PC)을 포집하며, 피처리체(OB)로부터 나오는 파티클(PC)에 의해 챔버(100) 내부가 오염되는 것을 억제한다. As shown in FIGS. 1 and 2, the particle grabber 300 is adjacent to the object OB within the chamber 100. The particle grabber 300 is positioned between the object OB and the window 400. The particle grabber 300 collects the particles PC from the object OB in the process of the object OB using the laser beam LB and the particles PC from the object OB Thereby inhibiting the inside of the chamber 100 from being contaminated.

파티클 그래버(300)는 그래버 본체(310), 제1 플레이트(321), 제2 플레이트(322)를 포함한다.The particle grabber 300 includes a grabber body 310, a first plate 321, and a second plate 322.

그래버 본체(310)는 상부가 개방된 박스(box) 형태를 가질 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 그래버 본체(310)는 저부(318)에 레이저 빔(LB)이 통과하는 개구부(OP)를 포함한다. The grabber body 310 may have the form of a box with an open top, but is not limited thereto. The grabber body 310 includes an opening OP through which the laser beam LB passes,

개구부(OP)는 제1 너비(W1)를 가지며, 제1 너비(W1)를 가지는 개구부(OP)를 통해 레이저 유닛(200)으로부터 투과부(110) 및 윈도우(400)를 통과한 레이저 빔(LB)이 피처리체(OB)로 조사된다. 이와 같이, 파티클 그래버(300)는 레이저 빔(LB)이 통과하는 개구부(OP)를 포함한다.The opening OP has a first width W1 and a laser beam LB passing through the transmission unit 110 and the window 400 from the laser unit 200 through the opening OP having the first width W1. ) Is irradiated to the object OB. Thus, the particle grabber 300 includes the opening OP through which the laser beam LB passes.

그래버 본체(310)의 내부에는 제1 플레이트(321) 및 제2 플레이트(322)가 위치한다. 그래버 본체(310)는 저부(318)와, 저부(318)로부터 피처리체(OB) 방향으로 연장되어 제1 플레이트(321) 및 제2 플레이트(322)를 둘러싸는 격벽부(319)를 포함할 수 있다. 격벽부(319)는 제1 플레이트(321) 및 제2 플레이트(322)를 둘러싼다면 어떠한 형태로도 연장될 수 있다.The first plate 321 and the second plate 322 are located inside the grabber body 310. The grabber main body 310 includes a bottom portion 318 and a partition wall portion 319 extending from the bottom portion 318 in the direction of the object OB to surround the first plate 321 and the second plate 322 . The partition 319 may extend in any form as long as it surrounds the first plate 321 and the second plate 322.

제1 플레이트(321)는 그래버 본체(310)의 제1 부분(311)으로부터 피처리체(OB) 방향으로 연장되어 있으며, 제2 플레이트(322)는 그래버 본체(310)의 제2 부분(312)으로부터 피처리체(OB) 방향으로 연장되어 있다. 제1 부분(311) 및 제2 부분(312) 각각은 그래버 본체(310)의 저부(318)의 일 부분이다. 제2 부분(312)은 개구부(OP)를 사이에 두고 제1 부분(311)과 이격되어 있다. 제1 플레이트(321) 및 제2 플레이트(322) 각각은 그래버 본체(310)의 저부(318)로부터 경사진 방향으로 연장되어 있다. 제1 플레이트(321) 및 제2 플레이트(322)는 개구부(OP)의 일부를 커버(cover)하는 경사면(IS)을 포함한다. 제1 플레이트(321)의 단부 및 제2 플레이트(322)의 단부는 슬릿(slit)(SL)을 형성한다. The first plate 321 extends from the first portion 311 of the grabber body 310 in the direction of the object OB and the second plate 322 extends from the second portion 312 of the grabber body 310, To the object to be processed OB. Each of the first portion 311 and the second portion 312 is a portion of the bottom portion 318 of the grabber body 310. The second portion 312 is spaced apart from the first portion 311 with the opening OP therebetween. Each of the first plate 321 and the second plate 322 extends in an oblique direction from the bottom 318 of the grabber body 310. The first plate 321 and the second plate 322 include an inclined surface IS that covers a part of the opening OP. The end of the first plate 321 and the end of the second plate 322 form a slit SL.

한편, 제1 플레이트(321) 및 제2 플레이트(322) 중 적어도 하나는 개구부(OP)의 적어도 일부를 커버하는 경사면(IS)을 포함할 수 있다.At least one of the first plate 321 and the second plate 322 may include an inclined surface IS covering at least a part of the opening OP.

슬릿(SL)은 개구부(OP)가 가지는 제1 너비(W1) 대비 더 작은 제2 너비(W2)를 가진다. 제2 너비(W2)를 가지는 슬릿(SL)을 통해 레이저 유닛(200)으로부터 투과부(110), 윈도우(400), 개구부(OP)를 통과한 레이저 빔(LB)이 피처리체(OB)로 조사된다. 이와 같이, 파티클 그래버(300)는 레이저 빔(LB)이 통과하는 슬릿(SL)을 포함한다.The slit SL has a second width W2 that is smaller than the first width W1 of the opening OP. The laser beam LB having passed through the transmission unit 110, the window 400 and the opening OP from the laser unit 200 through the slit SL having the second width W2 is irradiated to the object OB do. Thus, the particle grabber 300 includes the slit SL through which the laser beam LB passes.

파티클 그래버(300)의 슬릿(SL)은 피처리체(OB)의 표면(SU)에 대해 수직 방향으로 개구부(OP)와 중첩하고 있다. 슬릿(SL)은 개구부(OP)와 연통하고 있다.The slit SL of the particle grabber 300 overlaps the opening OP in a direction perpendicular to the surface SU of the workpiece OB. The slit SL is in communication with the opening OP.

이와 같이, 파티클 그래버(300)가 제1 플레이트(321) 및 제2 플레이트(322)에 의해 형성되는 슬릿(SL)을 포함하고, 이 슬릿(SL)이 개구부(OP) 대비 더 작은 너비를 가짐으로써, 레이저 빔(LB)을 이용한 피처리체(OB)의 처리 과정에서 피처리체(OB)로부터 나오는 파티클(PC)이 개구부(OP)를 통해 파티클 그래버(300) 외부로 나가 챔버(100) 내부가 오염되는 것이 억제된다. 구체적으로, 레이저 빔(LB)을 이용한 피처리체(OB)의 처리 과정에서 피처리체(OB)로부터 나오는 파티클(PC)은 슬릿(SL)을 형성하는 제1 플레이트(321) 및 제2 플레이트(322)에 의해 블록(block)되어 제1 플레이트(321) 및 제2 플레이트(322) 각각의 경사면(IS)을 따라 제1 플레이트(321)와 격벽부(319) 사이 및 제2 플레이트(322)와 격벽부(319) 사이 각각에 포집된다. As described above, the particle grabber 300 includes the slit SL formed by the first plate 321 and the second plate 322, and the slit SL has a smaller width relative to the opening OP The particles PC coming out of the object OB in the processing process of the object OB using the laser beam LB go out of the particle grabber 300 through the opening OP and go inside the chamber 100 Contamination is suppressed. Particles PC from the object OB during processing of the object OB using the laser beam LB have a first plate 321 and a second plate 322 forming the slit SL, And the first plate 321 and the second plate 322 and the first plate 321 and the second plate 322 along the inclined surface IS of the first plate 321 and the second plate 322, And partition wall portions 319, respectively.

이와는 다르게, 파티클 그래버(300)가 슬릿(SL)을 포함하지 않을 경우, 피처리체(OB)로부터 나오는 파티클(PC)이 개구부(OP)를 통해 파티클 그래버(300) 외부로 나가 챔버(100) 내부가 오염될 수 있다.When the particle grabber 300 does not include the slit SL, the particles PC coming out of the object OB come out of the particle grabber 300 through the opening OP, May be contaminated.

또한, 파티클 그래버(300)는 열전도율이 높은 금속을 포함하며, 냉각 유닛(500)과 연결되어 있다. 파티클 그래버(300)는 냉각 유닛(500)에 의해 설정된 온도를 유지할 수 있다. 여기서 설정된 온도는 파티클 그래버(300)에 포집된 파티클(PC)의 승화(sublimation) 온도 미만의 온도를 의미할 수 있다.Further, the particle grabber 300 includes a metal having a high thermal conductivity and is connected to the cooling unit 500. The particle grabber 300 can maintain the temperature set by the cooling unit 500. The temperature set here may mean a temperature lower than the sublimation temperature of the particles (PC) captured in the particle grabber 300.

이에 의해 파티클 그래버(300)에 의해 포집된 파티클(PC)이 승화되는 것이 억제된다.This suppresses the sublimation of the particles PC captured by the particle grabber 300.

윈도우(400)는 챔버(100) 내부에서 투과부(110)와 파티클 그래버(300) 사이에 위치하고 있다. 윈도우(400)는 레이저 빔(LB)이 투과될 수 있다면 어떠한 재료라도 포함할 수 있다. 윈도우(400)는 투과부(110)를 커버(cover)하고 있다. 윈도우(400)는 피처리체(OB)로부터 파티클 그래버(300)를 통해 투과부(110)로 낙하하는 파티클(PC)이 투과부(110)의 표면에 부착되는 것을 블록(block)한다. 윈도우(400)는 도시하지 않은 구동부와 연결되어 챔버(100)의 내부로부터 외부로 이동될 수 있다. 윈도우(400)의 표면에 피처리체(OB)로부터 파티클(PC)이 부착된 경우, 윈도우(400)는 챔버(100)의 내부로부터 외부로 이동되어 세척될 수 있다.The window 400 is positioned within the chamber 100 between the transmissive portion 110 and the particle grabber 300. The window 400 may include any material as long as the laser beam LB can be transmitted. The window 400 covers the transmissive portion 110. The window 400 blocks the particles PC falling from the object OB to the transmission portion 110 through the particle grabber 300 to adhere to the surface of the transmission portion 110. The window 400 may be connected to a driving unit (not shown) and moved from the inside of the chamber 100 to the outside. When the particles PC are attached to the surface of the window 400 from the object OB, the window 400 can be moved from the inside of the chamber 100 to the outside and cleaned.

냉각 유닛(500)은 파티클 그래버(300)와 연결되어 있으며, 파티클 그래버(300)와 열교환하여 파티클 그래버(300)를 설정된 온도로 유지시킨다. 냉각 유닛(500)은 공지된 다양한 구조를 가질 수 있다.The cooling unit 500 is connected to the particle grabber 300 and exchanges heat with the particle grabber 300 to maintain the particle grabber 300 at a predetermined temperature. The cooling unit 500 may have a variety of known structures.

이상과 같이, 일 실시예에 따른 레이저 처리 장치(1000)는 파티클 그래버(300)가 레이저 빔(LB)이 통과하는 제1 너비(W1)를 가지는 개구부(OP) 및 제1 너비(W1) 대비 더 작은 제2 너비(W2)를 가지는 슬릿(SL)을 포함함으로써, 피처리체(OB)로부터 나오는 파티클(PC)이 개구부(OP)를 통해 파티클 그래버(300) 외부로 나가 챔버(100) 내부가 오염되는 것을 억제한다.As described above, the laser processing apparatus 1000 according to one embodiment is configured such that the particle grabber 300 has the opening OP having the first width W1 through which the laser beam LB passes and the width W2 of the first width W1 The particles PC coming out of the object OB come out of the particle grabber 300 through the opening OP and the inside of the chamber 100 is filled with the slit SL having the smaller second width W2 Contamination is suppressed.

또한, 일 실시예에 따른 레이저 처리 장치(1000)는 개구부(OP)의 적어도 일부를 커버하여 슬릿(SL)을 형성하는 제1 플레이트(321) 및 제2 플레이트(322)를 포함함으로써, 피처리체(OB)로부터 나오는 파티클(PC)을 제1 플레이트(321) 및 제2 플레이트(322)를 이용해 블록(block)하기 때문에, 피처리체(OB)로부터 나오는 파티클(PC)이 개구부(OP)를 통해 파티클 그래버(300) 외부로 나가 챔버(100) 내부가 오염되는 것을 억제한다.The laser processing apparatus 1000 according to an embodiment includes the first plate 321 and the second plate 322 that cover at least a part of the opening OP to form the slit SL, The particle PC from the object OB is blocked by using the first plate 321 and the second plate 322 so that the particles PC coming out of the object OB can pass through the opening OP Thereby preventing the inside of the chamber 100 from being contaminated by going out of the particle grazer 300.

또한, 일 실시예에 따른 레이저 처리 장치(1000)는 파티클 그래버(300)가 열전도율이 높은 금속을 포함하여 냉각 유닛(500)과 연결되어 있음으로써, 파티클 그래버(300)에 의해 포집된 파티클(PC)이 승화(sublimation)되는 것을 억제하기 때문에, 파티클(PC)로부터 승화된 기체에 의해 챔버(100) 내부가 오염되는 것을 억제한다.The laser processing apparatus 1000 according to an exemplary embodiment of the present invention may be configured such that the particle grabber 300 includes a metal having a high thermal conductivity and is connected to the cooling unit 500 so that the particles captured by the particle grabber 300 Is suppressed from being sublimated, it is possible to suppress contamination of the inside of the chamber 100 by the gas sublimated from the particles PC.

또한, 일 실시예에 따른 레이저 처리 장치(1000)는 투과부(110)와 파티클 그래버(300) 사이에 위치하는 윈도우(400)를 포함함으로써, 윈도우(400)에 의해 파티클 그래버(300)를 통해 투과부(110)로 낙하하는 파티클(PC)이 블록(block)되기 때문에, 파티클(PC)에 의해 투과부(110)가 오염되는 것을 억제한다.The laser processing apparatus 1000 according to an exemplary embodiment includes a window 400 positioned between the transmission unit 110 and the particle grabber 300 so that the laser beam is transmitted by the window 400 through the particle grabber 300, Since the particles PC falling onto the particle 110 are blocked, contamination of the transparent portion 110 by the particles PC is suppressed.

이하, 도 3을 참조하여 다른 실시예에 따른 레이저 처리 장치를 설명한다.Hereinafter, a laser processing apparatus according to another embodiment will be described with reference to FIG.

이하에서는 상술한 도 1 및 도 2를 참조한 일 실시예에 따른 레이저 처리 장치와 다른 부분에 대해서 설명한다.Hereinafter, portions different from the laser processing apparatus according to the embodiment described above with reference to FIGS. 1 and 2 will be described.

도 3은 다른 실시예에 따른 레이저 처리 장치의 일 부분을 나타낸 도면이다.3 is a view showing a part of a laser processing apparatus according to another embodiment.

도 3에 도시된 바와 같이, 다른 실시예에 따른 레이저 처리 장치(1000)의 파티클 그래버(300)는 그래버 본체(310), 제1 플레이트(321), 제2 플레이트(322), 제3 플레이트(323), 제4 플레이트(324)를 포함한다.3, the particle grabber 300 of the laser processing apparatus 1000 according to another embodiment includes a grabber body 310, a first plate 321, a second plate 322, a third plate 323, and a fourth plate 324.

그래버 본체(310)의 내부에는 제1 플레이트(321), 제2 플레이트(322), 제3 플레이트(323), 제4 플레이트(324)가 위치한다. 격벽부(319)는 제1 플레이트(321), 제2 플레이트(322), 제3 플레이트(323), 제4 플레이트(324)를 둘러싼다.A first plate 321, a second plate 322, a third plate 323, and a fourth plate 324 are disposed in the grabber body 310. The partition 319 surrounds the first plate 321, the second plate 322, the third plate 323, and the fourth plate 324.

제3 플레이트(323)는 그래버 본체(310)의 제3 부분(313)으로부터 슬릿(SL) 방향으로 연장되어 있다. 제3 부분(313)은 제1 부분(311)과 개구부(OP) 사이에 위치하고 있다. 제4 플레이트(324)는 그래버 본체(310)의 제4 부분(314)으로부터 슬릿(SL) 방향으로 연장되어 있다. 제4 부분(314)은 제2 부분(312)과 개구부(OP) 사이에 위치하고 있다.The third plate 323 extends from the third portion 313 of the grabber body 310 in the direction of the slit SL. The third portion 313 is located between the first portion 311 and the opening OP. The fourth plate 324 extends from the fourth portion 314 of the grabber body 310 in the direction of the slit SL. The fourth portion 314 is located between the second portion 312 and the opening OP.

제3 부분(313) 및 제4 부분(314) 각각은 그래버 본체(310)의 저부(318)의 일 부분이다. 제3 부분(313)은 개구부(OP)를 사이에 두고 제4 부분(314)과 이격되어 있다. 제3 플레이트(323) 및 제4 플레이트(324)는 제1 플레이트(321) 대비 짧은 길이를 가지고 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 제3 플레이트(323) 및 제4 플레이트(324)는 제1 플레이트(321) 및 제2 플레이트(322) 각각의 연장 방향과 다른 방향으로 연장되어 있다. 일례로, 제3 플레이트(323) 및 제4 플레이트(324)는 피처리체(OB)의 표면(SU)에 대해 수직 방향으로 연장될 수 있다.Each of the third portion 313 and the fourth portion 314 is a portion of the bottom 318 of the grabber body 310. The third portion 313 is spaced apart from the fourth portion 314 with the opening OP therebetween. The third plate 323 and the fourth plate 324 have a shorter length than the first plate 321, but are not limited thereto. The third plate 323 and the fourth plate 324 extend in directions different from the extending directions of the first plate 321 and the second plate 322, respectively. In one example, the third plate 323 and the fourth plate 324 may extend in a direction perpendicular to the surface SU of the object OB.

이와 같이, 파티클 그래버(300)가 제1 플레이트(321) 및 제2 플레이트(322)에 의해 형성되는 슬릿(SL)을 포함하고, 이 슬릿(SL)이 개구부(OP) 대비 너비가 더 작음으로써, 레이저 빔(LB)을 이용한 피처리체(OB)의 처리 과정에서 피처리체(OB)로부터 나오는 파티클(PC)이 개구부(OP)를 통해 파티클 그래버(300) 외부로 나가 챔버(100) 내부가 오염되는 것이 억제된다. Since the particle grabber 300 includes the slit SL formed by the first plate 321 and the second plate 322 and the width of the slit SL is smaller than that of the opening OP, The particles PC coming out of the object OB in the process of the object OB using the laser beam LB go out of the particle grabber 300 through the opening OP and the inside of the chamber 100 is contaminated .

나아가, 파티클 그래버(300)의 제3 플레이트(323)가 제1 플레이트(321)와 개구부(OP) 사이에 위치하고, 제4 플레이트(324)가 제2 플레이트(322)와 개구부(OP) 사이에 위치함으로써, 레이저 빔(LB)을 이용한 피처리체(OB)의 처리 과정에서 피처리체(OB)로부터 나오는 파티클(PC)이 슬릿(SL)을 통해 개구부(OP) 방향으로 이동하더라도, 슬릿(SL)을 통한 이 파티클(PC)이 제1 플레이트(321)와 제3 플레이트(323) 사이 및 제2 플레이트(322)와 제4 플레이트(324) 사이 각각에 포집되기 때문에, 챔버(100) 내부가 오염되는 것이 억제된다.The third plate 323 of the particle grabber 300 is positioned between the first plate 321 and the opening OP and the fourth plate 324 is positioned between the second plate 322 and the opening OP Even if the particle PC from the workpiece OB moves in the direction of the opening OP through the slit SL in the course of processing the workpiece OB using the laser beam LB, Since the particles PC are collected between the first plate 321 and the third plate 323 and between the second plate 322 and the fourth plate 324, .

즉, 챔버(100) 내부가 파티클(PC)에 의해 오염되는 것을 억제하는 레이저 처리 장치(1000)가 제공된다.That is, there is provided a laser processing apparatus 1000 that inhibits the inside of the chamber 100 from being contaminated by the particles PC.

이하, 도 4를 참조하여 또 다른 실시예에 따른 레이저 처리 장치를 설명한다.Hereinafter, a laser processing apparatus according to another embodiment will be described with reference to FIG.

이하에서는 상술한 도 3을 참조한 다른 실시예에 따른 레이저 처리 장치와 다른 부분에 대해서 설명한다.Hereinafter, portions different from the laser processing apparatus according to another embodiment described above with reference to FIG. 3 will be described.

도 4는 또 다른 실시예에 따른 레이저 처리 장치의 일 부분을 나타낸 도면이다.4 is a view showing a part of a laser processing apparatus according to another embodiment.

도 4에 도시된 바와 같이, 또 다른 실시예에 따른 레이저 처리 장치(1000)의 파티클 그래버(300)는 그래버 본체(310), 제1 플레이트(321), 제2 플레이트(322), 제3 플레이트(323), 제4 플레이트(324), 제5 플레이트(325), 제6 플레이트(326)를 포함한다.4, the particle grabber 300 of the laser processing apparatus 1000 according to another embodiment includes a grabber body 310, a first plate 321, a second plate 322, A third plate 323, a fourth plate 324, a fifth plate 325, and a sixth plate 326.

그래버 본체(310)의 내부에는 제1 플레이트(321), 제2 플레이트(322), 제3 플레이트(323), 제4 플레이트(324), 제5 플레이트(325), 제6 플레이트(326)가 위치한다. 격벽부(319)는 제1 플레이트(321), 제2 플레이트(322), 제3 플레이트(323), 제4 플레이트(324), 제5 플레이트(325) 및 제6 플레이트(326)를 둘러싼다.A second plate 322, a third plate 323, a fourth plate 324, a fifth plate 325, and a sixth plate 326 are provided in the interior of the grabber body 310. The first plate 321, the second plate 322, Located. The partition 319 surrounds the first plate 321, the second plate 322, the third plate 323, the fourth plate 324, the fifth plate 325 and the sixth plate 326 .

제5 플레이트(325)는 그래버 본체(310)의 제5 부분(315)으로부터 피처리체(OB) 방향으로 연장되어 있다. 제5 부분(315)은 제1 부분(311)과 격벽부(319) 사이에 위치하고 있다. 제6 플레이트(326)는 그래버 본체(310)의 제6 부분(316)으로부터 피처리체(OB) 방향으로 연장되어 있다. 제6 부분(316)은 제2 부분(312)과 격벽부(319) 사이에 위치하고 있다.The fifth plate 325 extends from the fifth portion 315 of the grabber body 310 toward the object to be processed OB. The fifth portion 315 is located between the first portion 311 and the partition wall portion 319. The sixth plate 326 extends from the sixth portion 316 of the grabber body 310 toward the object to be treated OB. The sixth portion 316 is located between the second portion 312 and the partition wall portion 319.

제5 부분(315) 및 제6 부분(316) 각각은 그래버 본체(310)의 저부(318)의 일 부분이다. 제5 부분(315)은 개구부(OP)를 사이에 두고 제6 부분(316)과 이격되어 있다. 제5 플레이트(325) 및 제6 플레이트(326)는 제1 플레이트(321) 및 제2 플레이트(322) 각각의 연장 방향과 다른 방향으로 연장되어 있다. 일례로, 제5 플레이트(325) 및 제6 플레이트(326)는 피처리체(OB)의 표면(SU)에 대해 수직 방향으로 연장될 수 있다.Each of the fifth portion 315 and the sixth portion 316 is a portion of the bottom 318 of the grabber body 310. The fifth portion 315 is spaced apart from the sixth portion 316 with the opening OP therebetween. The fifth plate 325 and the sixth plate 326 extend in directions different from the extending directions of the first plate 321 and the second plate 322, respectively. In one example, the fifth plate 325 and the sixth plate 326 may extend in a direction perpendicular to the surface SU of the object OB.

이와 같이, 파티클 그래버(300)가 제1 플레이트(321) 및 제2 플레이트(322)에 의해 형성되는 슬릿(SL)을 포함하고, 이 슬릿(SL)이 개구부(OP) 대비 더 작은 너비를 가짐으로써, 레이저 빔(LB)을 이용한 피처리체(OB)의 처리 과정에서 피처리체(OB)로부터 나오는 파티클(PC)이 개구부(OP)를 통해 파티클 그래버(300) 외부로 나가 챔버(100) 내부가 오염되는 것이 억제된다. As described above, the particle grabber 300 includes the slit SL formed by the first plate 321 and the second plate 322, and the slit SL has a smaller width relative to the opening OP The particles PC coming out of the object OB in the processing process of the object OB using the laser beam LB go out of the particle grabber 300 through the opening OP and go inside the chamber 100 Contamination is suppressed.

나아가, 파티클 그래버(300)의 제5 플레이트(325)가 제1 플레이트(321)와 격벽부(319) 사이에 위치하고, 제6 플레이트(326)가 제2 플레이트(322)와 격벽부(319) 사이에 위치함으로써, 레이저 빔(LB)을 이용한 피처리체(OB)의 처리 과정에서 피처리체(OB)로부터 나오는 파티클(PC)이 제1 플레이트(321)와 제5 플레이트(325) 사이 및 제2 플레이트(322)와 제6 플레이트(326) 사이 각각에 포집되기 때문에, 챔버(100) 내부가 오염되는 것이 억제된다.The fifth plate 325 of the particle grabber 300 is positioned between the first plate 321 and the partition wall 319 and the sixth plate 326 is located between the second plate 322 and the partition wall 319. [ It is possible to prevent the particles PC coming out from the object OB in the process of the object OB using the laser beam LB between the first plate 321 and the fifth plate 325, Is collected between the plate 322 and the sixth plate 326, so that contamination of the inside of the chamber 100 is suppressed.

즉, 챔버(100) 내부가 파티클(PC)에 의해 오염되는 것을 억제하는 레이저 처리 장치(1000)가 제공된다.That is, there is provided a laser processing apparatus 1000 that inhibits the inside of the chamber 100 from being contaminated by the particles PC.

이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 또 다른 실시예에 따른 레이저 처리 장치를 설명한다.Hereinafter, a laser processing apparatus according to another embodiment will be described with reference to Figs. 5 and 6. Fig.

이하에서는 상술한 도 1 및 도 2를 참조한 일 실시예에 따른 레이저 처리 장치와 다른 부분에 대해서 설명한다.Hereinafter, portions different from the laser processing apparatus according to the embodiment described above with reference to FIGS. 1 and 2 will be described.

도 5는 또 다른 실시예에 따른 레이저 처리 장치를 나타낸 도면이다. 도 6은 도 5의 B 부분을 확대한 도면이다.5 is a diagram showing a laser processing apparatus according to another embodiment. 6 is an enlarged view of a portion B in Fig.

도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 또 다른 실시예에 따른 레이저 처리 장치(1000)의 레이저 유닛(200)은 챔버(100)의 외부에 위치하며, 레이저 빔(LB)을 투과부(110)를 통해 피처리체(OB)로 조사한다. 레이저 유닛(200)은 레이저 빔(LB)을 피처리체(OB)의 표면(SU)에 대해 경사진 방향으로 조사한다.5 and 6, the laser unit 200 of the laser processing apparatus 1000 according to another embodiment is located outside the chamber 100, and transmits the laser beam LB to the transmitting unit 110, To the object to be processed OB. The laser unit 200 irradiates the laser beam LB in an inclined direction with respect to the surface SU of the object OB to be processed.

파티클 그래버(300)는 그래버 본체(310), 제1 플레이트(321), 제2 플레이트(322)를 포함한다.The particle grabber 300 includes a grabber body 310, a first plate 321, and a second plate 322.

제1 플레이트(321) 및 제2 플레이트(322) 각각은 피처리체(OB)의 표면(SU)에 대해 경사진 방향으로 조사되는 레이저 빔(LB)의 조사 경로를 따라 기울어져 연장되어 있다.Each of the first plate 321 and the second plate 322 extends obliquely along the irradiation path of the laser beam LB irradiated in an inclined direction with respect to the surface SU of the workpiece OB.

파티클 그래버(300)의 제1 플레이트(321)는 개구부(OP)를 완전히 커버하는 경사면(IS)을 포함한다.The first plate 321 of the particle grabber 300 includes an inclined surface IS that completely covers the opening OP.

파티클 그래버(300)는 개구부(OP) 및 슬릿(SL)을 포함하며, 슬릿(SL)은 피처리체(OB)의 표면(SU)에 대해 수직 방향으로 개구부(OP)와 비중첩하고 있다.The particle grabber 300 includes an opening OP and a slit SL and the slit SL is not overlapped with the opening OP in a direction perpendicular to the surface SU of the object OB.

이와 같이, 레이저 빔(LB)이 피처리체(OB)의 표면(SU)에 대해 경사진 방향으로 조사되고, 제2 플레이트(322)와 함께 슬릿(SL)을 형성하는 제1 플레이트(321)가 개구부(OP)를 완전히 커버하는 경사면(IS)을 포함하고, 슬릿(SL)이 피처리체(OB)의 표면(SU)에 대해 수직 방향으로 개구부(OP)와 비중첩하고 있음으로써, 레이저 빔(LB)을 이용한 피처리체(OB)의 처리 과정에서 피처리체(OB)로부터 나오는 파티클(PC)이 개구부(OP)를 통해 파티클 그래버(300) 외부로 나가 챔버(100) 내부가 오염되는 것이 억제된다. 구체적으로, 레이저 빔(LB)을 이용한 피처리체(OB)의 처리 과정에서 피처리체(OB)로부터 나오는 파티클(PC)은 슬릿(SL)을 형성하는 제1 플레이트(321)에 의해 블록(block)되어 제1 플레이트(321)의 경사면(IS)을 따라 제1 플레이트(321)와 격벽부(319) 사이에 포집되는 동시에 제2 플레이트(322)와 격벽부(319) 사이에 포집된다. As described above, the laser beam LB is irradiated in an inclined direction with respect to the surface SU of the object OB, and the first plate 321 forming the slit SL together with the second plate 322 Since the slit SL does not overlap the opening OP in the direction perpendicular to the surface SU of the object OB to be processed, the laser beam (light beam) The particle PC coming out of the object OB in the process of treating the object OB using the LB is prevented from going out of the particle grabber 300 through the opening OP to contaminate the inside of the chamber 100 . Particles PC from the object OB in the process of the object OB using the laser beam LB are blocked by the first plate 321 forming the slit SL. Is collected between the first plate 321 and the partition wall 319 along the inclined plane IS of the first plate 321 and is collected between the second plate 322 and the partition wall 319.

즉, 챔버(100) 내부가 파티클(PC)에 의해 오염되는 것을 억제하는 레이저 처리 장치(1000)가 제공된다.That is, there is provided a laser processing apparatus 1000 that inhibits the inside of the chamber 100 from being contaminated by the particles PC.

이하, 도 7을 참조하여 또 다른 실시예에 따른 레이저 처리 장치를 설명한다.Hereinafter, a laser processing apparatus according to another embodiment will be described with reference to FIG.

이하에서는 상술한 도 1 및 도 2를 참조한 일 실시예에 따른 레이저 처리 장치와 다른 부분에 대해서 설명한다.Hereinafter, portions different from the laser processing apparatus according to the embodiment described above with reference to FIGS. 1 and 2 will be described.

도 7은 또 다른 실시예에 따른 레이저 처리 장치의 일 부분을 나타낸 도면이다.Fig. 7 is a view showing a part of a laser processing apparatus according to another embodiment.

도 7에 도시된 바와 같이, 또 다른 실시예에 따른 레이저 처리 장치(1000)의 레이저 빔(LB)은 피처리체(OB)의 표면(SU)에 대해 경사진 방향으로 조사된다.As shown in Fig. 7, the laser beam LB of the laser processing apparatus 1000 according to another embodiment is irradiated in an oblique direction with respect to the surface SU of the workpiece OB.

파티클 그래버(300)는 그래버 본체(310), 제1 플레이트(321), 제2 플레이트(322), 제3 플레이트(323), 제4 플레이트(324)를 포함한다.The particle grabber 300 includes a grabber body 310, a first plate 321, a second plate 322, a third plate 323, and a fourth plate 324.

격벽부(319)는 제1 플레이트(321), 제2 플레이트(322), 제3 플레이트(323), 제4 플레이트(324)를 둘러싼다.The partition 319 surrounds the first plate 321, the second plate 322, the third plate 323, and the fourth plate 324.

제1 플레이트(321)는 그래버 본체(310)의 격벽부(319)의 일 부분인 제1 부분(311)으로부터 피처리체(OB) 방향으로 연장되어 있으며, 제2 플레이트(322)는 그래버 본체(310)의 격벽부(319)의 일 부분인 제2 부분(312)으로부터 피처리체(OB) 방향으로 연장되어 있다. 제1 플레이트(321) 및 제2 플레이트(322)는 슬릿(SL)을 형성한다.The first plate 321 extends from the first portion 311 which is a portion of the partition 319 of the grabber body 310 in the direction of the object OB and the second plate 322 extends from the grabber body 310 extending from the second portion 312, which is a portion of the partition wall portion 319 of the first chamber 310, toward the object to be processed OB. The first plate 321 and the second plate 322 form a slit SL.

제1 플레이트(321)는 개구부(OP)를 완전히 커버하는 경사면(IS)을 포함한다.The first plate 321 includes an inclined surface IS which completely covers the opening OP.

파티클 그래버(300)의 슬릿(SL)은 피처리체(OB)의 표면(SU)에 대해 수직 방향으로 개구부(OP)와 비중첩하고 있다.The slit SL of the particle grabber 300 is not overlapped with the opening OP in the direction perpendicular to the surface SU of the object OB.

제3 플레이트(323)는 그래버 본체(310)의 저부(318)의 일 부분인 제3 부분(313)으로부터 슬릿(SL) 방향으로 연장되어 있으며, 제4 플레이트(324)는 그래버 본체(310)의 저부(318)의 일 부분인 제4 부분(314)으로부터 슬릿(SL) 방향으로 연장되어 있다. 제3 부분(313)은 제1 부분(311)과 개구부(OP) 사이에 위치하고 있다. 제4 플레이트(324)는 그래버 본체(310)의 제4 부분(314)으로부터 슬릿(SL) 방향으로 연장되어 있다. 제4 부분(314)은 제2 부분(312)과 개구부(OP) 사이에 위치하고 있다.The third plate 323 extends in the direction of the slit SL from the third portion 313 which is a portion of the bottom 318 of the grabber body 310 and the fourth plate 324 extends from the grabber body 310, Extending in the direction of the slit SL from the fourth portion 314, which is a portion of the bottom portion 318 of the housing 311. [ The third portion 313 is located between the first portion 311 and the opening OP. The fourth plate 324 extends from the fourth portion 314 of the grabber body 310 in the direction of the slit SL. The fourth portion 314 is located between the second portion 312 and the opening OP.

제3 부분(313)은 개구부(OP)를 사이에 두고 제4 부분(314)과 이격되어 있다. 제3 플레이트(323) 및 제4 플레이트(324)는 제1 플레이트(321) 대비 짧은 길이를 가지고 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 제3 플레이트(323) 및 제4 플레이트(324)는 제1 플레이트(321) 및 제2 플레이트(322) 각각의 연장 방향과 다른 방향으로 연장되어 있다. 일례로, 제3 플레이트(323) 및 제4 플레이트(324)는 피처리체(OB)에 표면에 대해 경사진 방향으로 조사되는 레이저 빔(LB)의 조사 경로를 따라 기울어져 연장되어 있다The third portion 313 is spaced apart from the fourth portion 314 with the opening OP therebetween. The third plate 323 and the fourth plate 324 have a shorter length than the first plate 321, but are not limited thereto. The third plate 323 and the fourth plate 324 extend in directions different from the extending directions of the first plate 321 and the second plate 322, respectively. The third plate 323 and the fourth plate 324 extend obliquely along the irradiation path of the laser beam LB irradiated in the oblique direction to the surface of the object OB

이와 같이, 레이저 빔(LB)이 피처리체(OB)의 표면(SU)에 대해 경사진 방향으로 조사되고, 제2 플레이트(322)와 함께 슬릿(SL)을 형성하는 제1 플레이트(321)가 개구부(OP)를 완전히 커버하는 경사면(IS)을 포함하고, 슬릿(SL)이 피처리체(OB)의 표면(SU)에 대해 수직 방향으로 개구부(OP)와 비중첩하고 있음으로써, 레이저 빔(LB)을 이용한 피처리체(OB)의 처리 과정에서 피처리체(OB)로부터 나오는 파티클(PC)이 개구부(OP)를 통해 파티클 그래버(300) 외부로 나가 챔버(100) 내부가 오염되는 것이 억제된다. 구체적으로, 레이저 빔(LB)을 이용한 피처리체(OB)의 처리 과정에서 피처리체(OB)로부터 나오는 파티클(PC)은 슬릿(SL)을 형성하는 제1 플레이트(321) 및 제2 플레이트(322)에 의해 블록(block)되어 제1 플레이트(321) 및 제2 플레이트(322) 각각의 경사면(IS)을 따라 제1 플레이트(321)와 격벽부(319) 사이에 포집되는 동시에 제2 플레이트(322)와 격벽부(319) 사이에 포집된다. As described above, the laser beam LB is irradiated in an inclined direction with respect to the surface SU of the object OB, and the first plate 321 forming the slit SL together with the second plate 322 Since the slit SL does not overlap the opening OP in the direction perpendicular to the surface SU of the object OB to be processed, the laser beam (light beam) The particle PC coming out of the object OB in the process of treating the object OB using the LB is prevented from going out of the particle grabber 300 through the opening OP to contaminate the inside of the chamber 100 . Particles PC from the object OB during processing of the object OB using the laser beam LB have a first plate 321 and a second plate 322 forming the slit SL, And is collected between the first plate 321 and the partition wall 319 along the inclined surfaces IS of the first plate 321 and the second plate 322 and is collected in the second plate 322 and the partition wall portion 319, respectively.

나아가, 파티클 그래버(300)의 제3 플레이트(323)가 제1 플레이트(321)와 개구부(OP) 사이에 위치하고, 제4 플레이트(324)가 제2 플레이트(322)와 개구부(OP) 사이에 위치함으로써, 레이저 빔(LB)을 이용한 피처리체(OB)의 처리 과정에서 피처리체(OB)로부터 나오는 파티클(PC)이 슬릿(SL)을 통해 개구부(OP) 방향으로 이동하더라도, 슬릿(SL)을 통한 이 파티클(PC)이 격벽부(319)과 제3 플레이트(323) 사이 및 격벽부(319)과 제4 플레이트(324) 사이 각각에 포집되기 때문에, 챔버(100) 내부가 오염되는 것이 억제된다.The third plate 323 of the particle grabber 300 is positioned between the first plate 321 and the opening OP and the fourth plate 324 is positioned between the second plate 322 and the opening OP Even if the particle PC from the workpiece OB moves in the direction of the opening OP through the slit SL in the course of processing the workpiece OB using the laser beam LB, The inside of the chamber 100 is contaminated because the particles PC through the partition plate 319 and the third plate 323 and between the partition 319 and the fourth plate 324 are collected .

즉, 챔버(100) 내부가 파티클(PC)에 의해 오염되는 것을 억제하는 레이저 처리 장치(1000)가 제공된다.That is, there is provided a laser processing apparatus 1000 that inhibits the inside of the chamber 100 from being contaminated by the particles PC.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It belongs to the scope of right.

피처리체(OB), 챔버(100), 레이저 유닛(200), 개구부(OP), 슬릿(SL), 파티클 그래버(300)The treatment object OB, the chamber 100, the laser unit 200, the opening OP, the slit SL, the particle grabber 300,

Claims (11)

내부에 피처리체가 위치하며, 일 측에 투과부를 포함하는 챔버;
상기 챔버 외부에 위치하며, 상기 투과부를 통해 레이저 빔을 상기 피처리체로 조사하는 레이저 유닛; 및
상기 챔버 내부에서 상기 피처리체와 이웃하며, 상기 레이저 빔이 통과하는 개구부 및 상기 개구부와 상기 피처리체 사이에 위치하여 상기 레이저 빔이 통과하는 슬릿(slit)을 포함하는 파티클 그래버(particle grabber)
를 포함하며,
상기 슬릿은 상기 개구부 대비 더 작은 너비를 가지는 레이저 처리 장치.A chamber in which an object to be processed is disposed, the chamber including a transmissive portion on one side;
A laser unit located outside the chamber, the laser unit irradiating a laser beam onto the object to be processed through the transmission unit; And
A particle grabber adjacent to the object within the chamber, the particle grabber including an opening through which the laser beam passes and a slit through which the laser beam passes, the particle grabber being positioned between the opening and the object,
/ RTI >
Wherein the slit has a smaller width than the opening. 제1항에서,
상기 파티클 그래버는,
상기 개구부를 포함하는 그래버 본체;
상기 그래버 본체의 제1 부분으로부터 상기 피처리체 방향으로 연장된 제1 플레이트; 및
상기 개구부를 사이에 두고 상기 제1 부분으로부터 이격된 상기 그래버 본체의 제2 부분으로부터 상기 피처리체 방향으로 연장된 제2 플레이트
를 더 포함하며, 상기 제1 플레이트의 단부 및 상기 제2 플레이트의 단부는 상기 슬릿을 형성하는 레이저 처리 장치.The method of claim 1,
The particle grabber
A grabber body including the opening;
A first plate extending from a first portion of the grabber body toward the object to be processed; And
And a second plate extending from the second portion of the grabber main body away from the first portion in the direction of the subject with the opening interposed therebetween.
Wherein an end of the first plate and an end of the second plate form the slit. 제2항에서,
상기 제1 플레이트 및 상기 제2 플레이트 중 적어도 하나는 상기 개구부의 적어도 일부를 커버하는 경사면을 포함하는 레이저 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein at least one of the first plate and the second plate includes an inclined surface covering at least a part of the opening. 제2항에서,
상기 파티클 그래버는,
상기 그래버 본체의 상기 제1 부분과 상기 개구부 사이에 위치하는 상기 그래버 본체의 제3 부분으로부터 상기 슬릿 방향으로 연장된 제3 플레이트; 및
상기 그래버 본체의 상기 제2 부분과 상기 개구부 사이에 위치하는 상기 그래버 본체의 제4 부분으로부터 상기 슬릿 방향으로 연장된 제4 플레이트
를 더 포함하는 레이저 처리 장치.3. The method of claim 2,
The particle grabber
A third plate extending in the slit direction from a third portion of the grabber body positioned between the first portion of the grabber body and the opening; And
A fourth plate extending from the fourth portion of the grabber body between the second portion of the grabber body and the opening and extending in the slit direction;
Further comprising: 제2항에서,
상기 그래버 본체는 상기 제1 플레이트 및 상기 제2 플레이트를 둘러싸는 격벽부를 더 포함하는 레이저 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the grabber body further comprises a partition wall portion surrounding the first plate and the second plate. 제5항에서,
상기 파티클 그래버는,
상기 그래버 본체의 상기 제1 부분과 상기 격벽부 사이에 위치하는 상기 그래버 본체의 제5 부분으로부터 상기 피처리체 방향으로 연장된 제5 플레이트; 및
상기 그래버 본체의 상기 제2 부분과 상기 격벽부 사이에 위치하는 상기 그래버 본체의 제6 부분으로부터 상기 피처리체 방향으로 연장된 제6 플레이트
를 더 포함하는 레이저 처리 장치.The method of claim 5,
The particle grabber
A fifth plate extending in the direction from the fifth portion of the grabber main body, which is located between the first portion of the grabber main body and the partition wall portion, toward the subject; And
And a sixth plate extending from the sixth portion of the grabber main body, which is located between the second portion of the grabber main body and the partition wall portion,
Further comprising: 제1항에서,
상기 슬릿은 상기 피처리체의 표면에 대해 수직 방향으로 상기 개구부와 비중첩하는 레이저 처리 장치.The method of claim 1,
Wherein the slit is non-overlapping with the opening in a direction perpendicular to the surface of the object to be processed. 제7항에서,
상기 레이저 빔은 상기 피처리체의 상기 표면에 대해 경사진 방향으로 조사되는 레이저 처리 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the laser beam is irradiated in an inclined direction with respect to the surface of the object to be processed. 제1항에서,
상기 챔버 내부에서 상기 투과부와 상기 파티클 그래버 사이에 위치하는 윈도우를 더 포함하는 레이저 처리 장치.The method of claim 1,
And a window positioned between the transmissive portion and the particle grabber within the chamber. 제1항에서,
상기 파티클 그래버는 금속을 포함하는 레이저 처리 장치.The method of claim 1,
Wherein the particle grabber comprises a metal. 제1항에서,
상기 파티클 그래버와 연결된 냉각 유닛을 더 포함하는 레이저 처리 장치.The method of claim 1,
And a cooling unit coupled to the particle grabber.
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