KR20170113730A

KR20170113730A - Semiconductor light emitting device

Info

Publication number: KR20170113730A
Application number: KR1020160035200A
Authority: KR
Inventors: 전수근; 김경민; 정겨울
Original assignee: 주식회사 세미콘라이트
Priority date: 2016-03-24
Filing date: 2016-03-24
Publication date: 2017-10-13

Abstract

본 개시는, 반도체 발광소자에 있어서, 바닥부를 포함하는 몸체;로서, 바닥부에 적어도 하나 이상의 홀이 형성된 몸체; 적어도 하나 이상의 홀 각각에 위치하는 반도체 발광소자 칩;으로서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극 및 제2 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩; 반도체 발광소자 칩을 덮는 봉지재; 그리고, 몸체 바닥부의 하면에 위치하는 제1 도전부;로서, 반도체 발광소자 칩의 제1 전극과 전기적으로 연결되며, 몸체 바닥부의 하면 모서리 중 적어도 하나와 간격이 10um 이내인 제1 도전부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.The present disclosure relates to a semiconductor light emitting device comprising: a body including a bottom portion, the body including at least one hole formed in a bottom portion thereof; A plurality of semiconductor layers including an active layer that generates light by recombination of electrons and holes, a first electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers, and a second electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers, A semiconductor light emitting element chip having electrodes; A sealing material covering the semiconductor light emitting device chip; And a first conductive part electrically connected to the first electrode of the semiconductor light emitting device chip and having a distance of at least 10um from at least one of bottom edges of the bottom part of the body, The present invention relates to a semiconductor light emitting device.

Description

Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device,

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 광 추출 효율을 향상시킨 측면 발광용 반도체 발광소자에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to a semiconductor light emitting device, and more particularly to a semiconductor light emitting device for lateral light emission with improved light extraction efficiency.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art). 또한 본 명세서에서 상측/하측, 위/아래 등과 같은 방향 표시는 도면을 기준으로 한다. Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts. Also, in this specification, directional indication such as up / down, up / down, etc. is based on the drawings.

도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면이다.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device chip.

반도체 발광소자 칩은 성장기판(10; 예: 사파이어 기판), 성장기판(10) 위에, 버퍼층(20), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예; INGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 전도막(60)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(70)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(80: 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 도 1과 같은 형태의 반도체 발광소자를 특히 레터럴 칩(Lateral Chip)이라고 한다. 여기서, 성장기판(10) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다.The semiconductor light emitting device chip includes a buffer layer 20, a first semiconductor layer 30 (e.g., an n-type GaN layer) 30 having a first conductivity, An active layer 40 (e.g., INGaN / (In) GaN MQWs) that generates light through recombination of holes, and a second semiconductor layer 50 (e.g., a p-type GaN layer) having a second conductivity different from the first conductivity A light transmitting conductive film 60 for current diffusion and an electrode 70 serving as a bonding pad are formed on the first semiconductor layer 30 and the first semiconductor layer 30 is etched to serve as a bonding pad Electrode 80 (e.g., a Cr / Ni / Au laminated metal pad) is formed. The semiconductor light emitting device of the type shown in FIG. 1 is called a lateral chip in particular. Here, when the growth substrate 10 side is electrically connected to the outside, it becomes a mounting surface.

도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예를 나타내는 도면이다. 설명의 편의를 위해 도면기호를 변경하였다.2 is a view showing another example of the semiconductor light-emitting device chip disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436. For ease of explanation, the drawing symbols have been changed.

반도체 발광소자 칩은 성장기판(10), 성장기판(10) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 성장기판(10) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(90, 91, 92)이 형성되어 있다. 제1 전극막(90)은 Ag 반사막, 제2 전극막(91)은 Ni 확산 방지막, 제3 전극막(92)은 Au 본딩층일 수 있다. 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(80)이 형성되어 있다. 여기서, 전극막(92) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다. 도 2와 같은 형태의 반도체 발광소자 칩을 특히 플립 칩(Flip Chip)이라고 한다. 도 2에 도시된 플립 칩의 경우 제1 반도체층(30) 위에 형성된 전극(80)이 제2 반도체층 위에 형성된 전극막(90, 91, 92)보다 낮은 높이에 있지만, 동일한 높이에 형성될 수 있도록 할 수도 있다. 여기서 높이의 기준은 성장기판(10)으로부터의 높이일 수 있다. The semiconductor light emitting device chip includes a growth substrate 10, a growth substrate 10, a first semiconductor layer 30 having a first conductivity, an active layer 40 for generating light through recombination of electrons and holes, And a second semiconductor layer 50 having a second conductivity different from that of the second semiconductor layer 50 are deposited in this order on the substrate 10, and three layers of electrode films 90, 91, and 92 for reflecting light toward the growth substrate 10 are formed have. The first electrode film 90 may be an Ag reflective film, the second electrode film 91 may be an Ni diffusion prevention film, and the third electrode film 92 may be an Au bonding layer. An electrode 80 functioning as a bonding pad is formed on the first semiconductor layer 30 exposed by etching. Here, when the electrode film 92 side is electrically connected to the outside, it becomes a mounting surface. The semiconductor light emitting device chip of the type shown in FIG. 2 is called a flip chip. In the case of the flip chip shown in FIG. 2, the electrodes 80 formed on the first semiconductor layer 30 are lower in height than the electrode films 90, 91, and 92 formed on the second semiconductor layer, . Here, the height reference may be a height from the growth substrate 10.

도 3은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다.3 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device.

반도체 발광소자(100)는 리드 프레임(110, 120), 몰드(130), 그리고 캐비티(140) 내에 수직형 반도체 발광소자 칩(150; Vertical Type Light Emitting Chip)이 구비되어 있고, 캐비티(140)는 파장 변환재(160)를 함유하는 봉지제(170)로 채워져 있다. 수직형 반도체 발광소자 칩(150)의 하면이 리드 프레임(110)에 전기적으로 직접 연결되고, 상면이 와이어(180)에 의해 리드 프레임(120)에 전기적으로 연결되어 있다. 수직형 반도체 발광소자 칩(150)에서 나온 광의 일부가 파장 변환재(160)를 여기 시켜 다른 색의 광을 만들어 두 개의 서로 다른 광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 예를 들어 반도체 발광소자 칩(150)은 청색광을 만들고 파장 변환재(160)에 여기 되어 만들어진 광은 황색광이며, 청색광과 황색광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 도 3은 수직형 반도체 발광소자 칩(150)을 사용한 반도체 발광소자를 보여주고 있지만 , 도 1 및 도 2에 도시된 반도체 발광소자 칩을 사용하여 도 3과 같은 형태의 반도체 발광소자를 제조할 수도 있다. 그러나 도 3에 기재된 반도체 발광소자(100)는 반도체 발광소자 칩(150)과 리드 프레임(110, 120) 사이에 접합이 필요하며, 특히 도 2에 도시된 플립 칩을 사용하는 경우 리드 프레임(110, 120)에 접합하는 과정에서 플립 칩에서 나오는 광량이 접합물질(예 : solder paste)에 의해 손실될 가능성이 큰 문제가 있었다. 또한 반도체 발광소자(100)를 외부 기판(예 : PCB 기판, 서브마운트 등)과 접합하는 SMT 공정 중 발생하는 열 때문에 반도체 발광소자 칩(150)과 리드 프레임(110, 120) 사이의 접합에 문제가 발생할 수 있었다. The semiconductor light emitting device 100 is provided with lead frames 110 and 120, a mold 130, and a vertical type light emitting chip 150 in a cavity 140. The cavity 140 is formed in the cavity 130, Is filled with an encapsulant 170 containing the wavelength converting material 160. [ The lower surface of the vertical type semiconductor light emitting device chip 150 is electrically connected directly to the lead frame 110 and the upper surface thereof is electrically connected to the lead frame 120 by the wire 180. A part of the light emitted from the vertical type semiconductor light emitting device chip 150 excites the wavelength conversion material 160 to produce light of a different color, and two different lights may be mixed to form white light. For example, the semiconductor light emitting device chip 150 generates blue light, and the light generated by exciting the wavelength conversion material 160 is yellow light, and blue light and yellow light may be mixed to form white light. FIG. 3 shows a semiconductor light emitting device using the vertical semiconductor light emitting device chip 150, but it is also possible to manufacture the semiconductor light emitting device of FIG. 3 using the semiconductor light emitting device chip shown in FIGS. 1 and 2 have. However, the semiconductor light emitting device 100 shown in FIG. 3 requires bonding between the semiconductor light emitting device chip 150 and the lead frames 110 and 120, and in particular, when the flip chip shown in FIG. 2 is used, , 120), there is a problem that the amount of light emitted from the flip chip is likely to be lost by a bonding material (for example, solder paste). Further, due to the heat generated during the SMT process of bonding the semiconductor light emitting device 100 to an external substrate (e.g., a PCB substrate, a submount, and the like), there is a problem in bonding between the semiconductor light emitting device chip 150 and the lead frames 110 and 120 .

본 개시는 반도체 발광소자에 사용된 반도체 발광소자 칩의 전극이 직접 외부 기판과 접합하는 반도체 발광소자를 제공하고자 한다. 특히 플립 칩을 사용하였음에도 리드 프레임과 플립 칩 사이의 접합에 의해 플립 칩에서 나오는 광량에 손실이 없도록 리드 프레임과 플립 칩 사이에 접합이 필요없는 반도체 발광소자로 측면 발광에 사용될 수 있는 반도체 발광소자를 제공하고자 한다.The present disclosure provides a semiconductor light emitting device in which an electrode of a semiconductor light emitting device chip used in a semiconductor light emitting device is directly bonded to an external substrate. A semiconductor light emitting device which does not require bonding between the lead frame and the flip chip so that there is no loss in the amount of light emitted from the flip chip due to the bonding between the lead frame and the flip chip even though the flip chip is used, .

이에 대하여 '발명을 실시하기 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Enforcement of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 바닥부를 포함하는 몸체;로서, 바닥부에 적어도 하나 이상의 홀이 형성된 몸체; 적어도 하나 이상의 홀 각각에 위치하는 반도체 발광소자 칩;으로서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극 및 제2 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩; 반도체 발광소자 칩을 덮는 봉지재; 그리고, 몸체 바닥부의 하면에 위치하는 제1 도전부;로서, 반도체 발광소자 칩의 제1 전극과 전기적으로 연결되며, 몸체 바닥부의 하면 모서리 중 적어도 하나와 간격이 10um 이내인 제1 도전부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, in a semiconductor light emitting device, a body including a bottom portion, the body including at least one hole formed in a bottom portion thereof; A plurality of semiconductor layers including an active layer that generates light by recombination of electrons and holes, a first electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers, and a second electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers, A semiconductor light emitting element chip having electrodes; A sealing material covering the semiconductor light emitting device chip; And a first conductive part electrically connected to the first electrode of the semiconductor light emitting device chip and having a distance of at least 10um from at least one of bottom edges of the bottom part of the body, A semiconductor light emitting device is provided.

도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예를 나타내는 도면,
도 3은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 사용 예를 보여주는 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조방법의 일 예를 보여주는 도면,
도 14는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 제조방법을 보여주는 도면.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device chip,
2 is a view showing another example of the semiconductor light-emitting device chip disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436,
3 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device,
4 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
5 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
6 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
7 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
8 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
9 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
10 is a view showing an example of using the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
11 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
12 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
13 is a view showing an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
14 is a view showing another manufacturing method of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다.4 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

도 4(a)는 사시도이며, 도 4(b)는 AA'에 따른 단면도이다.Fig. 4 (a) is a perspective view, and Fig. 4 (b) is a sectional view along AA '.

반도체 발광소자(200)는 몸체(210), 반도체 발광소자 칩(220) 및 봉지재(230)를 포함한다.The semiconductor light emitting device 200 includes a body 210, a semiconductor light emitting device chip 220, and an encapsulant 230.

몸체(210)는 측벽(211) 및 바닥부(212)를 포함한다. 바닥부(212)는 홀(213)을 포함한다. 또한 측벽(211) 및 바닥부(212)에 의해 형성된 캐비티(214)를 포함한다. 바닥부(212)는 상면(215)과 하면(216)을 포함한다. 측벽(211)은 외측면(217)과 내측면(218)을 포함한다. 측벽(211)의 높이(H)는 바닥부(212)의 길이(L)보다 작을 수 있다. 예를 들어 측벽(211)의 높이(H)는 0.1mm 이상 내지 0.6mm 이하 일 수 있으며, 바닥부(212)의 길이(L)는 0.5mm 이상일 수 있다. 또한 측벽(211)은 필요에 따라 없을 수도 있다.(미도시). 홀(213)의 크기는 반도체 발광소자 칩(220)의 크기와 비슷하거나 반도체 발광소자 칩(220)의 크기의 1.5배가 바람직하다. 또한 홀(213)의 측면(240)은 광 추출 효율의 향상을 위해 경사진 것이 바람직하다.The body 210 includes a sidewall 211 and a bottom 212. The bottom portion 212 includes a hole 213. And a cavity 214 formed by the side wall 211 and the bottom portion 212. The bottom portion 212 includes a top surface 215 and a bottom surface 216. The side wall 211 includes an outer surface 217 and an inner surface 218. The height H of the side wall 211 may be less than the length L of the bottom portion 212. [ For example, the height H of the side wall 211 may be 0.1 mm or more and 0.6 mm or less, and the length L of the bottom portion 212 may be 0.5 mm or more. The side wall 211 may also be omitted if necessary (not shown). The size of the hole 213 may be approximately the same as the size of the semiconductor light emitting device chip 220 or 1.5 times the size of the semiconductor light emitting device chip 220. Further, the side surface 240 of the hole 213 is preferably inclined for improving the light extraction efficiency.

반도체 발광소자 칩(220)은 홀(213)에 위치하고 있다. 반도체 발광소자 칩(220)은 래터럴 칩, 수직 칩 및 플립 칩이 가능하다. 다만 본 개시에서 반도체 발광소자 칩의 전극(221)이 몸체(210) 바닥부(212) 하면(216) 방향으로 노출되어 있는 점에서 플립 칩이 바람직하다. 바닥부(212)의 높이(219)는 반도체 발광소자 칩(220)의 높이(222)보다 낮은 것이 바람직하다. 바닥부(212)의 높이(219)가 반도체 발광소자 칩(220)의 높이(222)보다 높은 경우 반도체 발광소자(200)의 광 추출 효율이 떨어질 수 있기 때문이다. 다만 광 추출 효율이 떨어질 수 있지만, 광 경로 등을 고려하여 바닥부(212)의 높이(219)가 반도체 발광소자 칩(220)의 높이보다 높게 할 수도 있다. 바닥부(212)의 높이(219) 및 반도체 발광소자 칩(220)의 높이(222)는 바닥부(212)의 하면(216)을 기준으로 측정할 수 있다. 반도체 발광소자 칩(220)의 높이(222)는 0.05mm 이상 내지 0.5mm 이하 일 수 있다. 바닥부(212)의 높이(219)는 0.08mm 이상 내지 0.4mm 이하 일 수 있다. The semiconductor light emitting device chip 220 is located in the hole 213. The semiconductor light emitting device chip 220 may be a lateral chip, a vertical chip, and a flip chip. However, the flip chip is preferable in that the electrode 221 of the semiconductor light emitting device chip is exposed in the direction of the bottom surface 212 of the body 210 in the present disclosure. The height 219 of the bottom 212 is preferably lower than the height 222 of the semiconductor light emitting device chip 220. If the height 219 of the bottom part 212 is higher than the height 222 of the semiconductor light emitting device chip 220, the light extraction efficiency of the semiconductor light emitting device 200 may deteriorate. However, the height 219 of the bottom part 212 may be higher than the height of the semiconductor light emitting device chip 220 in consideration of the optical path and the like. The height 219 of the bottom portion 212 and the height 222 of the semiconductor light emitting device chip 220 can be measured based on the bottom surface 216 of the bottom portion 212. The height 222 of the semiconductor light emitting device chip 220 may be 0.05 mm or more to 0.5 mm or less. The height 219 of the bottom portion 212 may be greater than or equal to 0.08 mm and less than or equal to 0.4 mm.

봉지재(230)는 적어도 캐비티(214)에 구비되어 반도체 발광소자 칩(220)을 덮고 있어서, 홀(213)에 위치하고 있는 반도체 발광소자 칩(220)을 몸체(210)에 고정시킬 수 있다. 봉지재(230)는 투광성을 갖고 있으며, 예를 들어 에폭시 수지 및 실리콘 수지 중 하나로 이루어질 수 있다. 필요한 경우 파장 변환재(231)를 포함할 수 있다. 파장 변환재(231)는 반도체 발광소자 칩(220)의 활성층으로부터 생성되는 빛을 다른 파장의 빛으로 변환하는 것이라면 어떠한 것이라도 좋지만(예: 안료, 염료 등), 광 변환 효율을 고려할 때 형광체(예: YAG, (Sr,Ba,Ca)₂SiO₄:Eu 등)를 사용하는 것이 바람직하다. 또한 파장 변환재(231)는 반도체 발광소자에서 나오는 빛의 색에 따라 정해질 수 있으며, 당업자에게 잘 알려져 있다.The encapsulant 230 is provided at least in the cavity 214 to cover the semiconductor light emitting device chip 220 so that the semiconductor light emitting device chip 220 located in the hole 213 can be fixed to the body 210. The sealing material 230 has a light-transmitting property, and may be made of one of, for example, an epoxy resin and a silicone resin. And may include a wavelength conversion material 231 if necessary. The wavelength converting material 231 may be any material as long as it converts light generated from the active layer of the semiconductor light emitting device chip 220 into light having a different wavelength (for example, pigment, dye, etc.) For example, YAG, (Sr, Ba, Ca) ₂ SiO ₄ : Eu, etc.) is preferably used. Further, the wavelength converting material 231 can be determined according to the color of light emitted from the semiconductor light emitting element, and is well known to those skilled in the art.

도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 보여주는 도면이다.5 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(300)는 접합부(330)를 포함한다. 접합부(330)를 제외하고는 도 4에 기재된 반도체 발광소자(200)와 동일한 특성을 갖는다. 접합부(330)는 몸체(310) 바닥부(311)의 하면(312)에 위치한다. 다만 몸체(310) 바닥부(311)의 하면(312) 방향으로 노출된 반도체 발광소자 칩(320)의 전극(321)과 떨어져 위치한다. 접합부(330)로 인하여 반도체 발광소자(300)가 외부 기판과 접합될 때, 전극(321)만으로 접합하는 경우보다 접합력이 향상될 수 있다. 접합부(330)는 금속일 수 있다. 예를 들어 접합부(330)는 은(Ag), 구리(Cu) 및 금(Au) 중 하나일 수 있다. 또한 접합부(330)는 2개 이상의 금속의 조합일 수 있다. 예를 들어 니켈(Ni)과 구리 조합, 크롬(Cr)과 구리 조합, 티타늄(Ti)과 구리 조합 중 하나일 수 있다. 당업자가 용이하게 변경할 수 있는 범위에서 접합부(330)는 다양한 조합이 가능하다. 도 5(b)는 도 5(a)의 저면도이며, 전극(321)과 접합부(330)의 배치를 확인할 수 있다. 또한 도시하지는 않았지만, 필요한 경우에는 접합부(330)가 반도체 발광소자 칩(320)의 전극(321)과 접하여 위치함으로써, 전극 기능을 수행할 수도 있다.The semiconductor light emitting device 300 includes a bonding portion 330. Except for the junction 330, has the same characteristics as the semiconductor light emitting device 200 described in FIG. The joining portion 330 is located on the lower surface 312 of the bottom portion 311 of the body 310. But is spaced apart from the electrode 321 of the semiconductor light emitting device chip 320 exposed in the direction of the lower surface 312 of the bottom portion 311 of the body 310. When the semiconductor light emitting device 300 is bonded to the external substrate due to the bonding portion 330, the bonding strength can be improved as compared with the case where the semiconductor light emitting device 300 is bonded only by the electrode 321. The junction 330 may be a metal. For example, the junction 330 may be one of silver (Ag), copper (Cu), and gold (Au). The abutment 330 may also be a combination of two or more metals. For example, a combination of nickel (Ni) and copper, a combination of chromium (Cr) and copper, a combination of titanium (Ti) and copper. Various combinations of junctions 330 are possible to the extent that those skilled in the art can easily modify them. 5 (b) is a bottom view of FIG. 5 (a), and the arrangement of the electrode 321 and the bonding portion 330 can be confirmed. Although not shown, if necessary, the bonding portion 330 may be disposed in contact with the electrode 321 of the semiconductor light emitting device chip 320 to perform an electrode function.

도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다.6 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(400)는 몸체(410)의 바닥부(411)와 반도체 발광소자 칩(420) 사이에 반사 물질(430)을 포함한다. 반사 물질(430)을 제외하고는 도 5에 기재된 반도체 발광소자(300)와 동일한 특성을 갖는다. 반사 물질(430)이 반도체 발광소자 칩(420)의 측면에 위치함으로써 반도체 발광소자 칩(420)의 측면에서 나오는 빛을 반사시켜, 반도체 발광소자(400)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 반사 물질(430)은 백색 반사 물질이 바람직하다. 예를 들어 백색 실리콘 수지일 수 있다. 또한 도 6(b)와 같이 반사 물질(430)과 반도체 발광소자 칩(420) 사이에 공간(431)이 형성되게 반사 물질(430)이 위치할 수도 있다.The semiconductor light emitting device 400 includes a reflective material 430 between the bottom portion 411 of the body 410 and the semiconductor light emitting device chip 420. Except for the reflective material 430, has the same characteristics as the semiconductor light emitting device 300 described in FIG. The reflective material 430 is positioned on the side surface of the semiconductor light emitting device chip 420 to reflect the light emitted from the side surface of the semiconductor light emitting device chip 420 to improve the light extraction efficiency of the semiconductor light emitting device 400. Reflective material 430 is preferably a white reflective material. For example, a white silicone resin. The reflective material 430 may be positioned between the reflective material 430 and the semiconductor light emitting device chip 420 as shown in FIG. 6 (b).

도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다.7 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(500)는 몸체(510) 측벽(511)의 내측면(513) 및 바닥부(512)의 상면(514) 중 적어도 하나에 반사층(530)을 포함한다. 반사층(530)을 제외하고는 도 5에 기재된 반도체 발광소자(300)와 동일한 특성을 갖는다. 반사층(530)은 몸체(510) 바닥부(512)의 상면(514) 전체에 형성될 수 있다. 반사층(530)은 예를 들어 알루미늄(Al), 은(Ag), 분포 브래그 리플렉터(DBR : Distributed Bragg Reflector), 고반사 백색 반사물질 등으로 될 수 있다. 특히 도 3과 같은 종래의 반도체 발광소자(100)에는 리드 프레임(110, 120)에 반도체 발광소자 칩(150)이 접합되어야 하기 때문에, 반사효율이 좋은 금속의 반사층이 반도체 발광소자 칩(150)이 접합되는 리드 프레임(110, 120) 상면 전체에 전기적 쇼트 문제로 인하여 형성될 수 없었다. 그러나 본 개시에서는 반도체 발광소자 칩(520)에 접합되는 리드 프레임이 없으며, 또한 바닥부(512)의 상면(514)에 반도체 발광소자 칩(520)이 위치하지 않기 때문에, 반사효율이 높은 금속의 반사층(530)이 바닥부(512)의 상면(514) 전체에 형성될 수 있다. 반사효율이 높은 금속의 반사층(530)을 바닥부(512)의 상면(514) 전체에 형성시킴으로써, 반도체 발광소자(500)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한 도시 하지는 않았지만, 반사층(530)은 홀의 측면에 위치할 수도 있다. The semiconductor light emitting device 500 includes a reflective layer 530 on at least one of the inner surface 513 of the side wall 511 of the body 510 and the upper surface 514 of the bottom portion 512. Except for the reflective layer 530, has the same characteristics as the semiconductor light emitting device 300 described in FIG. The reflective layer 530 may be formed on the entire upper surface 514 of the bottom portion 512 of the body 510. The reflective layer 530 may be, for example, aluminum (Al), silver (Ag), distributed Bragg reflector (DBR), high reflective white reflective material, or the like. In particular, since the semiconductor light emitting device chip 150 must be bonded to the lead frames 110 and 120 in the conventional semiconductor light emitting device 100 as shown in FIG. 3, Can not be formed on the entire upper surface of the lead frames 110 and 120 to be bonded due to an electric short problem. However, in the present disclosure, since there is no lead frame bonded to the semiconductor light emitting device chip 520 and the semiconductor light emitting device chip 520 is not disposed on the upper surface 514 of the bottom portion 512, A reflective layer 530 may be formed on the entire upper surface 514 of the bottom portion 512. The light extraction efficiency of the semiconductor light emitting device 500 can be improved by forming the reflective layer 530 of high reflection efficiency on the entire upper surface 514 of the bottom portion 512. Although not shown, the reflective layer 530 may be located on the side of the hole.

도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다.8 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(600)는 몸체(610) 바닥부(611)에 복수개의 홀(612)을 포함하며, 각각의 홀(612)에 반도체 발광소자 칩(620)이 위치한다. 복수개의 홀(612) 및 각각의 홀(612)에 반도체 발광소자 칩(620)이 위치하는 것을 제외하고는 도 5에 기재된 반도체 발광소자(300)와 동일한 특성을 갖는다. 도 8에는 2개의 홀이 기재되어 있으나, 2개 이상도 가능하다. 또한 각각의 홀(612)에 위치하는 반도체 발광소자 칩(620)은 서로 다른 색을 발광할 수 있다. The semiconductor light emitting device 600 includes a plurality of holes 612 in a bottom portion 611 of the body 610 and the semiconductor light emitting device chip 620 is positioned in each hole 612. The semiconductor light emitting device 300 has the same characteristics as the semiconductor light emitting device 300 described in FIG. 5 except that the semiconductor light emitting device chip 620 is located in the plurality of holes 612 and the holes 612. Although two holes are shown in Fig. 8, two or more holes are possible. Further, the semiconductor light emitting device chips 620 located in the respective holes 612 can emit different colors.

도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다. 도 9(a)는 사시도이며, 도 9(b)는 배면도이다.9 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. Fig. 9 (a) is a perspective view, and Fig. 9 (b) is a rear view.

반도체 발광소자(700)는 몸체(710), 몸체(710) 바닥부(711) 하면(712)에 위치하는 제1 도전부(730) 및 제2 도전부(731)를 포함한다. 제1 도전부(730)는 반도체 발광소자 칩(720)의 제1 전극(721)과 전기적으로 연결되며, 몸체(710) 바닥부(711) 하면(712) 모서리(713)와 접하고 있다. 또한 제2 도전부(731)는 반도체 발광소자 칩(720)의 제2 전극(721)과 전기적으로 연결되며, 몸체(710) 바닥부(711) 하면(712) 모서리(713)와 접하고 있다. 또한 제1 도전부(730)와 제2 도전부(731)가 접하는 몸체(710) 바닥부(711) 하면(712) 모서리(713)는 동일한 모서리(713)이다. 제1 도전부(730) 및 제2 도전부(731)는 도전성 물질로 형성된다. 바람직하게는 도전성 물질 중 금속 물질로서 예를 들어 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및 은(Ag) 등이 증착이나 도금 등과 같은 방법을 통해 형성된다. 제1 도전부(730)와 제2 도전부(731) 사이는 쇼트 방지를 위해 서로 간격을 두고 떨어져 있다. 또는 쇼트 방지를 위해 제1 도전부(730)와 제2 도전부(731) 사이에는 절연층(732)이 위치할 수 있다. 절연층(732)은 비투광성의 반사 기능이 있는 백색 계열의 절연층이 바람직하며, 실리콘이나 에폭시 등 합성수지 계열로 도포할 수 있다. 비투광성의 반사기능이 있는 백색 계열의 절연층이 위치하는 경우 활성층에서 나오는 빛이 절연층(732)을 통해 나가는 것을 막아 휘도 향상에 기여할 수 있다. 도 9에서 설명하는 것을 제외하고 반도체 발광소자(700)는 도 4에 기재된 반도체 발광소자(200)와 실질적으로 동일하다.The semiconductor light emitting device 700 includes a body 710 and a first conductive portion 730 and a second conductive portion 731 located on a bottom surface 712 of the bottom 711 of the body 710. The first conductive part 730 is electrically connected to the first electrode 721 of the semiconductor light emitting device chip 720 and contacts the edge 713 of the bottom 711 and bottom 712 of the body 710. The second conductive portion 731 is electrically connected to the second electrode 721 of the semiconductor light emitting device chip 720 and contacts the edge 713 of the bottom 711 and bottom 712 of the body 710. The edge 713 of the bottom 711 and the bottom 712 of the body 710 where the first and second conductive parts 730 and 731 contact with each other are the same edge 713. The first conductive portion 730 and the second conductive portion 731 are formed of a conductive material. Preferably, aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), or the like is formed as a metal material in the conductive material through deposition, plating, or the like. The first conductive portion 730 and the second conductive portion 731 are spaced apart from each other to prevent a short circuit. An insulating layer 732 may be disposed between the first conductive portion 730 and the second conductive portion 731 to prevent short-circuiting. The insulating layer 732 is preferably a white-based insulating layer having a non-transmitting reflection function, and can be applied with a synthetic resin such as silicon or epoxy. When a white-based insulating layer having a non-transmissive reflection function is disposed, light emitted from the active layer can be prevented from passing through the insulating layer 732, thereby contributing to improvement in brightness. Except as described in FIG. 9, the semiconductor light emitting device 700 is substantially the same as the semiconductor light emitting device 200 described in FIG.

도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 사용 예를 보여주는 도면이다.10 is a view showing an example of using the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(700)는 측면 발광을 위한 반도체 발광소자로 사용될 수 있다. 측면 발광을 위한 종래의 반도체 발광소자에 대해서는 한국 공개특허공보 제10-2007-0098180호에 기재되어 있다. 반도체 발광소자(700)는 PCB 기판 또는 서브마운트 등과 같은 외부 기판(740)의 제1 전극(741)에 제1 도전부(730)가 전기적으로 연결되고, 외부 기판(740)의 제2 전극(742)에 제2 도전부(731)가 전기적으로 연결된다. 즉 반도체 발광소자(700)를 외부 기판(740)에 접합하는 솔더링 과정에서 솔더링 물질(750, 예 : 납)이 제1 도전부(730) 및 제2 도전부(731) 방향으로 타고 올라가면서 제1 도전부(730)를 제1 전극(741)에 전기적으로 연결하고 제2 도전부(731)를 제2 전극(742)에 전기적으로 연결한다. 특히 솔더링 물질(750)이 제1 도전부(730) 및 제2 도전부(731) 방향으로 타고 올라가기 위해서는 제1 도전부(730) 및 제2 도전부(731)와 몸체(710) 바닥부(711)의 하면(712)의 모서리(713)가 도 9와 같이 접하고 있는 것이 바람직하며, 적어도 도 10(b)와 같이 제1 도전부(730) 및 제2 도전부(731)와 몸체(710) 바닥부(711)의 하면(712)의 모서리(713) 사이에 거리(760)가 10um 이내이어야 한다. 또한 반도체 발광소자(700)를 에폭시 등으로 외부 기판(740)에 고정 시킨 후 솔더링을 진행하는 것이 솔더 물질이 제1 도전부 및 제2 도전부 방향으로 타고 올라가는데 바람직하다. 도 10(a)와 같이 솔더링 물질(750)이 솔더링 과정에서 제1 도전부(730) 및 제2 도전부(731)를 외부 기판(740)의 제1 전극(741) 및 제2 전극(742)과 전기적으로 연결함으로써 측면 발광용 반도체 발광소자를 용이하게 얻을 수 있다. The semiconductor light emitting device 700 may be used as a semiconductor light emitting device for side light emission. A conventional semiconductor light emitting device for side emission is disclosed in Korean Patent Laid-Open No. 10-2007-0098180. The semiconductor light emitting device 700 includes a first conductive portion 730 electrically connected to a first electrode 741 of an external substrate 740 such as a PCB substrate or a submount, The second conductive portion 731 is electrically connected to the first conductive portion 742. That is, in the soldering process for bonding the semiconductor light emitting device 700 to the external substrate 740, the soldering material 750 (for example, lead) rides in the direction of the first conductive portion 730 and the second conductive portion 731, 1 conductive portion 730 to the first electrode 741 and electrically connects the second conductive portion 731 to the second electrode 742. Particularly, in order to mount the soldering material 750 in the direction of the first conductive part 730 and the second conductive part 731, the first conductive part 730 and the second conductive part 731 and the bottom part of the body 710 It is preferable that the edge 713 of the lower surface 712 of the first conductive portion 711 is in contact with the edge portion 713 of the lower conductive portion 711 as shown in FIG. 9, and at least the first conductive portion 730, the second conductive portion 731, The distance 760 between the edges 713 of the lower surface 712 of the bottom portion 711 should be less than 10 μm. In addition, it is preferable that the solder material rises in the direction of the first conductive portion and the second conductive portion when the semiconductor light emitting device 700 is fixed to the external substrate 740 with epoxy or the like and then soldered. The first and second conductive parts 730 and 731 are electrically connected to the first and second electrodes 741 and 742 of the external substrate 740 during the soldering process as shown in FIG. So that the semiconductor light emitting element for lateral light emission can be easily obtained.

도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다.11 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(800)는 제1 도전부(820)와 제2 도전부(821) 사이의 간격(822)이 일정하지 않다. 특히 도 10(a)와 같이 반도체 발광소자(800)를 외부 기판에 접합할 때 솔더링 물질이 제1 도전부(820)와 제2 도전부(821) 방향으로 타고 올라오면서 발생할 수 있는 쇼트 방지를 위해 제1 도전부(820)와 제2 도전부(821)가 접하고 있는 몸체 바닥부의 하면(812)의 모서리(813)에서 제1 도전부(820)와 제2 도전부(821) 사이의 간격(822)이 가장 클 수 있다. 도 11에서 설명하는 것을 제외하고 반도체 발광소자(800)는 도 9에 기재된 반도체 발광소자(700)와 실질적으로 동일하다.The interval 822 between the first conductive portion 820 and the second conductive portion 821 of the semiconductor light emitting device 800 is not constant. Particularly, as shown in FIG. 10 (a), when the semiconductor light emitting device 800 is bonded to an external substrate, the soldering material may be prevented from being shot due to riding in the direction of the first conductive portion 820 and the second conductive portion 821 The distance between the first conductive portion 820 and the second conductive portion 821 at the edge 813 of the bottom surface 812 of the bottom portion of the body where the first conductive portion 820 and the second conductive portion 821 are in contact with each other Lt; RTI ID = 0.0 > 822 < / RTI > Except as described in Fig. 11, the semiconductor light emitting element 800 is substantially the same as the semiconductor light emitting element 700 described in Fig.

도 12은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다.12 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(900)는 몸체(910) 내부에 삽입된 제1 삽입부(920) 및 제2 삽입부(921)를 포함한다. 제1 삽입부(920) 및 제2 삽입부(930)는 몸체 외부로 노출된 노출면(921, 931)을 포함한다. 제1 삽입부(920) 및 제2 삽입부(930)의 몸체 외부로 노출된 노출면(921, 931)은 몸체(910)의 동일한 측면(940)에 형성된다. 또한 몸체 외부로 노출된 노출면(921, 931)이 형성된 측면(940)은 도 12(b)와 같이 제1 도전부(950)와 접합거나 제1 도전부(950)와의 간격이 10um 이내인 몸체 바닥부(911)의 하면(912)의 모서리(913)를 공유하는 측면(940)이다. 제1 삽입부(920) 및 제2 삽입부(930)는 금속 물질로 형성되며, 도 10과 같은 방식으로 측면용 발광을 위해 반도체 발광소자(900)를 외부 기판과 연결할 때 외부 기판과 접하는 측면(940)에 노출면(921, 931)이 형성되기 때문에 외부 기판과 반도체 발광소자(900)의 접합력을 향상시킬 수 있다. 도 12에서 설명하는 것을 제외하고 반도체 발광소자(900)는 도 9에 기재된 반도체 발광소자(700)와 실질적으로 동일하다. The semiconductor light emitting device 900 includes a first inserting portion 920 and a second inserting portion 921 inserted into the body 910. The first insertion portion 920 and the second insertion portion 930 include exposed surfaces 921 and 931 exposed to the outside of the body. Exposed surfaces 921 and 931 exposed to the outside of the body of the first insertion portion 920 and the second insertion portion 930 are formed on the same side surface 940 of the body 910. The side surface 940 formed with the exposed surfaces 921 and 931 exposed to the outside of the body may be formed by bonding the first conductive part 950 or the first conductive part 950 within 10um, Is a side surface 940 that shares the edge 913 of the lower surface 912 of the body bottom portion 911. The first inserting portion 920 and the second inserting portion 930 are formed of a metal material and are connected to the external substrate when the semiconductor light emitting device 900 is connected to the external substrate for light emission for side- Since the exposed surfaces 921 and 931 are formed on the semiconductor substrate 940, the bonding strength between the external substrate and the semiconductor light emitting device 900 can be improved. Except as described in FIG. 12, the semiconductor light emitting device 900 is substantially the same as the semiconductor light emitting device 700 described in FIG.

도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 설명하는 도면이다.13 is a view for explaining an example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

먼저 바닥부(1100)에 홀(1110)을 포함하는 몸체(1000)를 준비한다(S1). 몸체(1000)는 사출성형을 통해 얻을 수 있다. 도시하지는 않았지만 사출성형을 할 때 구리(Cu)와 같은 금속 막대를 삽입부(미도시)가 형성될 위치에 삽입한 상태로 사출성형을 하여 도 12에 도시된 삽입부가 내부에 삽입된 몸체를 얻을 수 있다. 이후 홀(1100)에 반도체 발광소자 칩(1200)을 위치시킨다(S2). 이후 반도체 발광소자 칩(1200)을 몸체(1000)에 고정시키기 위해 봉지재(1300)로 반도체 발광소자 칩(1200)을 덮는다(S3). 봉지재(1300)로 반도체 발광소자 칩(1200)을 고정시키기 전에 반도체 발광소자 칩(1200)이 움직이지 않도록 하기 위해 임시고정판(1400)을 사용할 수 있다. 임시고정판(1400)은 일반 접착력있는 테이프이면 가능하다. 예를 들어 블루 테이프일 수 있다. 이후 임시고정판(1400)이 있는 경우, 임시고정판(1400)을 제거하고, 제1 도전부(1500) 및 제2 도전부(1510)가 몸체(1000) 바닥부(1100)로부터 노출된 반도체 발광소자 칩(1210, 1211)을 덮도록 형성한다(S4). S4 단계에서 제1 도전부(1500) 및 제2 도전부(1510)는 몸체(1000) 바닥부(1100)의 하면의 모서리 중 적어도 하나와 접하거나 간격이 10um 이내에 형성되도록 한다. 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조방법의 순서는 당업자가 용이하게 변경할 수 있는 범위에서는 본 개시의 범위에 포함될 수 있다. First, a body 1000 including a hole 1110 is prepared in a bottom part 1100 (S1). The body 1000 can be obtained through injection molding. Although not shown, a metal rod such as copper (Cu) is injected at a position where an insertion portion (not shown) is to be formed at the time of injection molding to obtain a body inserted into the insertion portion shown in FIG. 12 . Then, the semiconductor light emitting device 1200 is placed in the hole 1100 (S2). Then, the semiconductor light emitting device chip 1200 is covered with an encapsulant 1300 to fix the semiconductor light emitting device chip 1200 to the body 1000 (S3). The temporary fixing plate 1400 may be used to prevent the semiconductor light emitting device chip 1200 from moving before the semiconductor light emitting device chip 1200 is fixed with the sealing material 1300. [ The temporary fixing plate 1400 can be made of a general adhesive tape. For example, a blue tape. The temporary fixing plate 1400 is removed and the first conductive part 1500 and the second conductive part 1510 are removed from the bottom part 1100 of the body 1000, Chips 1210 and 1211 (S4). The first conductive part 1500 and the second conductive part 1510 may be in contact with at least one of the lower edges of the bottom part 1100 of the body 1000 or may be formed within 10 μm. The order of the method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure can be included in the scope of the present disclosure to the extent that those skilled in the art can easily change it.

도 14는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 제조방법을 보여주는 도면이다.14 is a view showing another manufacturing method of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

도 13에 기재된 제조방법에 따라 도 14와 같이 복수의 반도체 발광소자(2000)가 한 번에 제조될 수 있다. 예를 들어 복수의 몸체(2100)가 있는 기판(2200)을 사출성형을 통해 얻은 후 도 13에 기재된 제조방법에 따라 복수의 반도체 발광소자(2000)를 한 번에 제조할 수 있다. 이후 절단선(2300)에 따라 절단하여 각각의 반도체 발광소자(2000)를 만들 수 있다.According to the manufacturing method described in FIG. 13, a plurality of semiconductor light emitting devices 2000 can be manufactured at one time, as shown in FIG. For example, after a substrate 2200 having a plurality of bodies 2100 is obtained through injection molding, a plurality of semiconductor light emitting devices 2000 can be manufactured at one time according to the manufacturing method described in FIG. Then, the semiconductor light emitting device 2000 can be cut according to the cutting line 2300.

본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다. Various embodiments of the present disclosure will be described.

(1) 반도체 발광소자에 있어서, 바닥부를 포함하는 몸체;로서, 바닥부에 적어도 하나 이상의 홀이 형성된 몸체; 적어도 하나 이상의 홀 각각에 위치하는 반도체 발광소자 칩;으로서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극 및 제2 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩; 반도체 발광소자 칩을 덮는 봉지재; 그리고,몸체 바닥부의 하면에 위치하는 제1 도전부;로서, 반도체 발광소자 칩의 제1 전극과 전기적으로 연결되며, 몸체 바닥부의 하면 모서리 중 적어도 하나와 간격이 10um 이내인 제1 도전부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(1) A semiconductor light emitting device comprising: a body including a bottom portion, the body having at least one hole formed in a bottom portion thereof; A plurality of semiconductor layers including an active layer that generates light by recombination of electrons and holes, a first electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers, and a second electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers, A semiconductor light emitting element chip having electrodes; A sealing material covering the semiconductor light emitting device chip; And a first conductive part electrically connected to the first electrode of the semiconductor light emitting device chip and having a distance of at least 10um from at least one of bottom edges of the bottom part of the body, Wherein the semiconductor light emitting device is a semiconductor light emitting device.

(2) 반도체 발광소자 칩의 제1 전극이 바닥부의 하면 방향으로 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(2) The semiconductor light emitting device according to (1), wherein the first electrode of the semiconductor light emitting device chip is exposed in the bottom direction of the bottom portion.

(3) 제1 도전부는 몸체 바닥부의 하면 모서리 중 적어도 하나와 접하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(3) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (3), wherein the first conductive portion is in contact with at least one of bottom edges of the bottom portion of the body.

(4) 몸체 내부에 삽입된 제1 삽입부;로서, 제1 삽입부는 몸체 외부로 노출된 노출면을 포함하는 제1 삽입부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(4) A first insertion part inserted into the body, wherein the first insertion part includes a first insertion part including an exposed surface exposed to the outside of the body.

(5) 제1 삽입부의 노출면이 몸체의 측면 중 제1 도전부와의 간격이 10um 이내인 몸체 바닥부의 하면 모서리를 공유하는 측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(5) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (5), wherein the exposed surface of the first inserting portion is formed on a side of the bottom surface of the bottom portion of the body which has a distance from the first conductive portion to 10 .mu.m.

(6) 몸체 내부에 삽입된 제2 삽입부;로서, 제2 삽입부는 몸체 외부로 노출된 노출면을 포함하는 제2 삽입부;를 포함하며, 제2 삽입부의 노출면은 제1 삽입부의 노출면이 형성된 몸체의 측면에 형성되며 제1 삽입부의 노출면과 제2 삽입부의 노출면 사이에는 간격이 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(6) a second insertion part inserted into the body, the second insertion part including a second insertion part including an exposed surface exposed to the outside of the body, and the exposed surface of the second insertion part And a gap is formed between the exposed surface of the first inserting portion and the exposed surface of the second inserting portion.

(7) 몸체 바닥부의 하면에 위치하는 제2 도전부;로서, 반도체 발광소자 칩의 제2 전극과 전기적으로 연결되며, 몸체 바닥부의 하면 모서리 중 적어도 하나의 모서리와 간격이 10um 이내인 제2 도전부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(7) a second conductive part located on the lower surface of the bottom part of the body, the second conductive part being electrically connected to the second electrode of the semiconductor light emitting device chip, and having at least one corner, And a light emitting layer formed on the semiconductor layer.

(8) 제2 도전부와의 간격이 10um 이내인 몸체 바닥부 하면의 모서리는 제1 도전부와의 간격이 10um 이내인 몸체 바닥부 하면의 모서리와 동일한 모서리인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(8) The edge of the bottom surface of the bottom of the body having an interval of less than 10 탆 from the second conductive portion is the same edge as the edge of the bottom surface of the bottom of the body having a distance of 10 탆 or less from the first conductive portion.

(9) 제1 도전부와 제2 도전부 사이에는 절연층이 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(9) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (5), wherein an insulating layer is disposed between the first conductive portion and the second conductive portion.

(10) 제1 도전부와 제2 도전부 사이의 간격이 일정하지 않은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(10) The semiconductor light emitting device according to (10), wherein a distance between the first conductive portion and the second conductive portion is not constant.

(11) 제1 도전부와 제2 도전부 사이의 간격은 제1 도전부와 간격이 10um 이내인 몸체 바닥부 하면의 모서리에서 가장 큰 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(11) The semiconductor light emitting device according to (11), wherein the gap between the first conductive portion and the second conductive portion is largest at an edge of a bottom surface of the body bottom portion having an interval of 10 m or less from the first conductive portion.

본 개시에 따르면 반도체 발광소자 칩의 전극이 직접 외부 기판과 접합하는 반도체 발광소자를 얻을 수 있다. According to the present disclosure, a semiconductor light emitting element in which an electrode of a semiconductor light emitting element chip is directly bonded to an external substrate can be obtained.

또한 본 개시에 따르면 플립 칩을 사용하였음에도 리드 프레임과 플립 칩 사이의 접합에 의해 플립 칩에서 나오는 광량에 손실이 없도록 리드 프레임과 플립 칩 사이에 접합이 필요없는 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.Also, according to the present disclosure, it is possible to obtain a semiconductor light emitting device which does not require bonding between the lead frame and the flip chip so that there is no loss in the amount of light emitted from the flip chip due to the bonding between the lead frame and the flip chip.

또한 본 개시에 따르면 측면 발광의 반도체 발광소자를 용이하게 얻을 수 있다.Further, according to the present disclosure, a semiconductor light emitting element of side light emission can be easily obtained.

반도체 발광소자 : 100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 2000
반도체 발광소자 칩 : 150, 220, 320, 420, 520, 620, 720, 1200
도전부 : 730, 731, 820, 821, 950, 951, 1500, 1510Semiconductor light emitting device: 100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 2000
Semiconductor light-emitting device chips: 150, 220, 320, 420, 520, 620, 720, 1200
Conductive parts: 730, 731, 820, 821, 950, 951, 1500, 1510

Claims

In the semiconductor light emitting device,
A body including a bottom portion, the body having at least one hole formed in a bottom portion thereof;
A plurality of semiconductor layers including an active layer that generates light by recombination of electrons and holes, a first electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers, and a second electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers, A semiconductor light emitting element chip having electrodes;
A sealing material covering the semiconductor light emitting device chip; And,
And a first conductive portion that is electrically connected to the first electrode of the semiconductor light emitting device chip and is spaced apart from the bottom edge of the bottom of the body by at least 10 μm, Wherein the semiconductor light emitting device is a semiconductor light emitting device.

The method according to claim 1,
Wherein the first electrode of the semiconductor light-emitting device chip is exposed in a bottom direction of the bottom portion.

The method of claim 2,
Wherein the first conductive portion is in contact with at least one of bottom edges of a bottom portion of the body.

The method of claim 2,
And a first inserting portion inserted into the body, wherein the first inserting portion includes a first inserting portion including an exposed surface exposed to the outside of the body.

The method of claim 4,
Wherein the exposed surface of the first inserting portion is formed on a side surface of the bottom surface of the bottom portion of the body having a distance of 10 mu m or less from the first conductive portion.

The method of claim 5,
A second insertion portion inserted into the body, the second insertion portion including a second insertion portion including an exposed surface exposed to the outside of the body,
Wherein the exposed surface of the second inserting portion is formed on a side surface of the body on which the exposed surface of the first inserting portion is formed and has a gap between the exposed surface of the first inserting portion and the exposed surface of the second inserting portion.

The method according to claim 1,
And a second conductive part electrically connected to the second electrode of the semiconductor light emitting device chip and having a distance of at least one edge from the bottom edge of the bottom part of the body within 10um, Wherein the semiconductor light emitting device is a semiconductor light emitting device.

The method of claim 7,
Wherein an edge of the lower surface of the bottom of the body having an interval from the second conductive portion is within 10um is the same edge as the edge of the bottom surface of the bottom of the body having a distance of 10um or less from the first conductive portion.

The method of claim 8,
And an insulating layer is disposed between the first conductive portion and the second conductive portion.

The method of claim 8,
Wherein a distance between the first conductive portion and the second conductive portion is not constant.

The method of claim 10,
Wherein the gap between the first conductive portion and the second conductive portion is largest at an edge of a bottom surface of the bottom of the body having an interval of 10 탆 or less from the first conductive portion.