KR20170113285A - 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법은 기판에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 패터닝 공정을 통해 포토레지스트층에 소정 패턴을 가진 몰드를 형성하는 단계; 몰드에 형성된 공동에 이온성 젤 전구체를 충진하는 단계; 및 이온성 젤 전구체를 경화시키는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
이온성 젤(Ionic-gel)을 패턴하는 방법으로는 이온성 액체를 비롯한 전해질 물질이 포함된 인쇄조성물을 이용하는 인쇄방법이 보고되어있다.
그러나, 인쇄를 이용한 기법은 마이크로미터 수준의 높은 해상도(resolution)의 미세패턴을 형성하는데 근본적인 한계를 가지고 있어, 이를 해결하기 위한 방법으로 포토마스크 기반의 광경화를 이용한 미세 패턴 형성 방법이 보고되었다.
도 1은 종래의 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 세부 과정을 도시한 도면이고, 도 2는 도 1의 이온성 젤 패턴 형성 방법에 의해 마이크로 미터 수준의 패터닝 시에 발생하는 문제점을 설명하기 위한 도면이다.
도 1에 도시된 방법은, 포토마스크 기반의 광 경화를 이용한 이온성 젤 패턴 형성 방법이다. 즉, 기존 반도체 공정의 포토리소그래피 방법에서의 네가티브형 포토레지스트(Negative Photoresist, PR)와 동일한 원리로 UV 광원에 의하여 노광이 된 부분이 경화되어 젤 타입으로 형성되는 방법이다.
구체적으로, 먼저, 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 스핀 코팅, 드랍 캐스팅, 또는 인쇄 방법 등을 이용하여 이온성 젤 전구체(120)를 기판(110) 위에 일정 두께로 형성한다. 이어서, 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 이온성 젤 패턴(120a)이 형성될 패턴의 포토마스크(161)를 이용하여 일정시간 및 일정조건에서 UV를 조사하여 패턴이 형성될 부분의 이온성 젤 전구체(120)를 경화한다. 다음으로, 도 1의 (c)에 도시된 바와 같이, 경화되지 않고 남은 이온성 젤 전구체(120)를 감광액을 통해 제거함으로써 원하는 이온성 젤 패턴(120a)을 형성할 수 있다.
그러나, 도2에 도시된 바와 같이, 이러한 이온성 젤 패턴 형성 방법은 UV의 회절로 인해 이온성 젤 패턴(120a)과 패턴(120a) 사이이온성 젤 잔막이 형성되며, 이로 인해 이온성 젤 패턴의 해상도를 향상시키는데 있어 한계가 있다.
이와 관련하여, 선행기술 한국등록특허 제 10-1088056호(발명의 명칭: 유기 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법)는 이온 겔로 게이트 제어되는 유기 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법에 대하여 개시하고 있다. 또한, 선행기술 한국등록특허 제 10-1556644 호(발명의 명칭: 금속 산화물 트랜지스터 및 이의 제조 방법)는 금속 산화물 트랜지스터 및 상기 금속 산화물 트랜지스터의 제조 방법에 대하여 개시하고 있다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여, 포토레지스트나 자가조립 단층막 또는 자가조립 분자박막을 이용하여 몰드를 형성함으로써, 마이크로 미터 수준의 이온성 젤 패턴을 형성하고, 패턴 간격도 마이크로 미터 수준으로 제어가 가능한 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
다만, 본 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 상기된 바와 같은 기술적 과제들로 한정되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들이 더 존재할 수 있다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법은 기판에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 패터닝 공정을 통해 포토레지스트층에 소정 패턴을 가진 몰드를 형성하는 단계; 몰드에 형성된 공동에 이온성 젤 전구체를 충진하는 단계; 및 이온성 젤 전구체를 경화시키는 단계를 포함한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법은 기판에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 패터닝 공정을 통해 포토레지스트층에 소정 패턴의 제 1 몰드를 형성하는 단계; 패턴이 형성된 포토레지스트층 상에 절연층을 형성하는 단계; 절연층 상에 자가조립 단층막 또는 자가조립 분자박막을 형성하는 단계; 포토레지스트층을 제거하여 제 2 몰드를 형성하는 단계; 제 2 몰드에 형성된 공동에 이온성 젤 전구체를 충진하는 단계; 및 이온성 젤 전구체를 경화시키는 단계를 포함하되, 제 2 몰드를 형성하는 단계는 포토레지스트층의 제거시에 제 1 몰드에 형성된 공동과 대응되는 영역의 자가조립 단층막 또는 자가조립 분자박막을 유지시켜 제 2 몰드가 형성된다.
전술한 본 발명의 과제 해결 수단에 의하면, 네가티브 몰드 사이에 이온성 젤 패턴이 형성되기 때문에 이온성 젤 잔여물은 광경화되지 않고 세정 공정 후 제거될 수 있다. 또한, 자가조립 단층막 또는 자가 조립 분자박막을 포함하는 몰드 사이에 표면 선택성에 따라 이온성 젤 패턴이 형성될 수 있다.
더불어, 기존의 이온성 젤 패턴 형성 방법 보다 저비용 및 단순 공정으로 설계가 가능할 뿐만 아니라, 마이크로미터 수준의 미세한 크기의 패턴을 형성할 수 있으며, 고 해상도를 필요로 하는 각종 소형 소자 제작 시스템에서 구현될 수 있다.
도 1은 종래의 이온성 젤 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 세부 과정을 도시한 도면이다.
도 2는 도 1의 이온성 젤 패턴 형성 방법에 의해 마이크로 미터 수준의 패터닝 시에 발생하는 문제점을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 4는 도 3의 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법을 상세하게 설명하기 위한 세부 과정을 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 6은 도 5의 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법을 상세하게 설명하기 위한 세부 과정을 도시한 도면이다.
도 7은 도 4의 본 발명의 일 실시예에 따른 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법을 통하여 형성된 이온성 젤 패턴을 도시한 도면이다.
도 8은 도 6의 본 발명의 다른 실시예에 따른 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법을 통하여 형성된 이온성 젤 패턴을 도시한 도면이다.
도 2는 도 1의 이온성 젤 패턴 형성 방법에 의해 마이크로 미터 수준의 패터닝 시에 발생하는 문제점을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 4는 도 3의 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법을 상세하게 설명하기 위한 세부 과정을 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 6은 도 5의 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법을 상세하게 설명하기 위한 세부 과정을 도시한 도면이다.
도 7은 도 4의 본 발명의 일 실시예에 따른 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법을 통하여 형성된 이온성 젤 패턴을 도시한 도면이다.
도 8은 도 6의 본 발명의 다른 실시예에 따른 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법을 통하여 형성된 이온성 젤 패턴을 도시한 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미하며, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 4는 도 3의 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법을 상세하게 설명하기 위한 세부 과정을 도시한 도면이고, 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 6은 도 5의 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법을 상세하게 설명하기 위한 세부 과정을 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법은 기판에 포토레지스트층을 형성하는 단계(S101), 패터닝 공정을 통해 포토레지스트층에 소정 패턴을 가진 몰드를 형성하는 단계(S102), 몰드에 형성된 공동(cavity)에 이온성 젤 전구체를 충진하는 단계(S103) 및 이온성 젤 전구체를 경화시키는 단계(S104)를 포함한다.
즉, 레지스트 조성물을 통해 형성된 몰드와 광 경화 공정을 이용하여 마이크로 미터 수준의 높은 해상도를 가지는 이온성 젤 패턴을 형성할 수 있다.
이하에서는 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법의 세부 과정을 설명하고자 한다.
먼저, 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 포토레지스트층을 형성하는 단계(S101)는 기판(110)에 포토레지스트층(130)을 형성할 수 있다. 이때, 포토레지스트층(130)은 바람직하게, 네가티브형 포토레지스트(Negative Photoresist, PR)로 이루어질 수 있으며, 스핀 코팅을 이용하여 일정 두께로 형성될 수 있다.
이어서, 도 4의 (b) 및 (c)에 도시된 바와 같이, 몰드를 형성하는 단계(S102)는 패터닝 공정을 통해 포토레지스트층(130)에 소정 패턴을 가진 몰드(131)를 형성할 수 있다. 구체적으로, S102 단계는 포토레지스트층의(130) 상부에 소정 패턴을 갖는 마스크(161)를 배치할 수 있다. 여기서, 마스크(161)는 도 4의 (f)에 도시된 바와 같이, 형성하고자 하는 이온성 젤 패턴(120a)과 동일한 형상으로 형성될 수 있다. 이후, 광(UV)을 조사하여 마스크(161)를 통해 노출된 부분(131)을 경화시킬 수 있다. 다음으로, 식각 공정을 통해 포토레지스트층(130)으로부터 비경화된 부분을 제거할 수 있다. 이때, 몰드(131)는 비경화된 부분(130)이 제거된 영역에 형성될 수 있다. 여기서, 포토레지스트층의 비경화된 부분(130)은 감광액으로 제거될 수 있다. 이로 인해, 포토레지스트층의 비경화된 부분(130)이 제거된 부분은 몰드(131)의 공동(A)으로 형성될 수 있다. 즉, 몰드(131)는 형성하고자 하는 이온성 젤 패턴(120a)과 반전되는 형태로 형성되고, 몰드(131)의 공동(A)은 형성하고자 하는 이온성 젤 패턴(120a)과 동일한 형태로 형성될 수 있다.
다음으로, 도 4의 (d) 및 (e)에 도시된 바와 같이, 몰드(131)에 형성된 공동(A)에 이온성 젤 전구체를 충진하는 단계(S103)는 스핀 코팅, 드랍 캐스팅, 또는 인쇄 방법에 따라 수행될 수 있다. 여기서, 이온성 젤 전구체(120)는 이온성 액체, 고분자전구체, 광개시제를 포함한다.
바람직하게, 이온성 젤 전구체(120)는 이온성 액체(1-ethyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide), 고분자전구체(Poly(ethylene glycol) diacrylate) 및 광개시제(2-hydroxy-2-methylpropiophenone)를 각각 질량비 22:2:1의 비율로 이루어질 수 있다.
도 4의 (f)에 도시된 바와 같이, 이온성 젤 전구체(120)를 경화시키는 단계(S104)는 이온성 젤 전구체(120) 상부에 몰드(131)와 동일한 패턴의 마스크(162)를 배치할 수 있다. 또한, 광을 조사하여 마스크(162)를 통해 노출된 부분을 경화시켜, 이온성 젤 패턴(120a)이 형성될 수 있다.
추가적으로, 본 발명의 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법은 이온성 젤 전구체(120)의 경화 후 몰드(131)를 제거할 수 있다. 즉, 레지스트 조성물을 통해 형성된 몰드(131)와 광 경화 공정을 이용하여 이온성 젤 패턴(120a)을 형성할 수 있다. 따라서, 몰드(131) 위의 얇게 도포된 이온성 젤 전구체(120) 잔여물은 광 경화되지 않고 세정 공정 후 제거되기 때문에 마이크로미터 수준의 미세한 이온성 젤 패턴(120a)을 형성할 시에도 높은 해상도를 확보할 수 있다.
이하에서는 도 5 및 6을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법의 세부 과정을 설명하고자 한다. 더불어, 상술한 구성 중 동일한 기능을 수행하는 구성의 경우 설명을 생략하기로 한다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법은 기판에 포토레지스트층을 형성하는 단계(S201), 패터닝 공정을 통해 포토레지스트층에 소정 패턴의 제 1 몰드를 형성하는 단계(S202), 패턴이 형성된 포토레지스트층 상에 절연층을 형성하는 단계(S203), 절연층 상에 자가조립 단층막 또는 자가조립 분자박막을 형성하는 단계(S204), 포토레지스트층을 제거하여 제 2 몰드를 형성하는 단계(S205), 제 2 몰드에 형성된 공동에 이온성 젤 전구체를 충진하는 단계(S206) 및 이온성 젤 전구체를 경화시키는 단계(S207)를 포함한다. 이때, 제 2 몰드를 형성하는 단계(S205)는 포토레지스트층의 제거시에 제 1 몰드에 형성된 공동과 대응되는 영역의 자가조립 단층막 또는 자가조립 분자박막을 유지시켜 제 2 몰드가 형성될 수 있다.
즉, 레지스트 조성물을 통해 형성된 제 1 몰드, 자가조립 단층막 또는 자가조립 분자박막에 의한 표면특성을 통해 형성된 제 2 몰드 및 광 경화 공정을 이용하여 기존의 방법 보다 저 비용 및 단순 공정으로 패터닝할 수 있다. 또한, 마이크로 미터 수준의 높은 해상도를 가지는 이온성 젤 패턴을 형성할 수 있다.
구체적으로, 도 6의 (a)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법은 기판(110)에 포토레지스트층을 형성하고(S201), 패터닝 공정을 통해 포토레지스트층에 소정 패턴의 제 1 몰드(131)를 형성할 수 있다(S202). 상술한 과정은 후술하는 절연층(140)의 패턴 형성을 위한 리프트 오프(Lift off) 공정을 위해 선행될 수 있다. 이때, 제 1 몰드(131)를 형성하는 방법은 도 3에 도시된 몰드(131)를 형성하는 방법과 동일하므로 상세한 설명은생략한다.
도 6의 (b)에 도시된 바와 같이, 패턴이 형성된 포토레지스트층(131)인 제 1 몰드(131) 상에 절연층(140)을 형성할 수 있다(S203). 여기서 절연층(140)은 후술하는 자가조립 단층막 또는 자가조립 분자박막(150)의 머리 부분과 화학적으로 결합할 수 있는 물질로 이루어질 수 있으며, 바람직하게, 이산화 규소(SiO₂)로 이루어 질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
도 6의 (c)에 도시된 바와 같이, 절연층(140) 상에 자가조립 단층막 또는 자가조립 분자박막(150)을 형성할 수 있다(S204). 이로 인해, 제 1 몰드(131)인 포토레지스트층(131)은 상부에 절연층(140) 및 자가조립 단층막 또는 자가조립 분자박막(150)이 형성될 수 있다.
도 6의 (d)에 도시된 바와 같이, 포토레지스트층(131)을 제거하여 제 2 몰드(132)를 형성할 수 있다(S205). 즉, 리프트 오프 공정을 통해 포토레지스트층(131)을 제거함으로써, 포토레지스트층(131) 상에 형성된 절연층(150)과 자가조립 단층막 또는 자가조립 분자박막(150)도 제거될 수 있다. 이때, 제 2 몰드를 형성하는 단계(S205)는 포토레지스트층(131)의 제거시에 제 1 몰드(131)에 형성된 공동(A)과 대응되는 영역의 자가조립 단층막 또는 자가조립 분자박막(150)을 유지시켜 제 2 몰드(132)가 형성될 수 있다. 이때, 포토레지스트층(131)인 제 1 몰드(131)가 제거된 부분은 제 2 몰드(132)의 공동(B)으로 형성될 수 있다. 즉, 제 2 몰드(132)는 형성하고자 하는 이온성 젤 패턴(120a)과 반전되는 형태로 형성되고, 제 2 몰드(132)의 공동(B)은 형성하고자 하는 이온성 젤 패턴(120a)과 동일한 형태로 형성될 수 있다.
도 6의 (e)에 도시된 바와 같이, 제 2 몰드(132)에 형성된 공동(B)에 이온성 젤 전구체(120)를 충진할 수 있다(S206). 여기서, 제 2 몰드(132)에 형성된 공동(B)에 이온성 젤 전구체(120)를 충진할 경우, 스핀 코팅, 드랍 캐스팅, 또는 인쇄 방법에 따라 수행될 수 있다. 일 예로, 이온성 젤 전구체(120)는 이온성 액체, 고분자전구체, 광개시제를 포함한다.
예시적으로, 자가조립 단층막 또는 자가조립 분자박막(150)은 소수성을 가지고, 포토레지스트층(131)이 제거된 기판(110)은 친수성을 가질 수 있다. 일 예로, 자가조립 단층막 또는 자가조립 분자박막(150)은 유기규소, 티올계 유기물, 아민계 유기 활성물질 중 적어도 하나 이상을 포함하고, 기판(110)은 실리콘 산화물, 금 및 백금 중 적어도 하나로 이루어 질 수 있다. 즉, 친수성을 갖는 기판(110)과 소수성을 갖는 자가조립 단층막 또는 자가조립 분자박막(150)을 포함하는 제 2 몰드(132)의 표면젖음성에 따라 선택적으로 이온성 젤 전구체(120)가 코팅될 수 있다. 이때, 이온성 젤 전구체(120)는 친수성을 가질 수 있다.
도 6의 (f)에 도시된 바와 같이, 이온성 젤 전구체(120)를 경화시킬 수 있다(S207). 일 예로, 표면젖음성에 따라 제 2 몰드(132)에 형성된 공동(B) 의 기판(110) 상에 코팅된 이온성 젤 전구체(120)에 광을 조사하면 이온성 젤 전구체(120)가 경화되어 이온성 젤 패턴(120a)으로 형성될 수 있다.
이후, 이온성 젤 전구체(120)의 경화 후 제 2 몰드(132)를 제거할 수 있다. 즉, 레지스트 조성물을 통해 형성된 제 1 몰드(131), 자가조립 단층막 또는 자가조립 분자박막(150)에 의한 표면특성을 통해 형성된 제 2 몰드(132) 및 광 경화 공정을 이용하여 이온성 젤 패턴(120a)을 형성할 수 있다. 즉, 기판(110) 및 제 2 몰드(132)의 표면젖음성에 따라 선택적으로 이온성 젤 패턴(120a)이 형성되며, 세정 공정에 의해 제 2 몰드(132)가 제거되기 때문에 마이크로미터 수준의 미세한 이온성 젤 패턴(120a)을 형성할 시에도 높은 해상도를 확보할 수 있다.
도 7은 도4의 본 발명의 일 실시예에 따른 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법을 통하여 형성된 이온성 젤 패턴을 도시한 도면이고, 도 8은 도 6의 본 발명의 다른 실시예에 따른 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법을 통하여 형성된 이온성 젤 패턴을 도시한 도면이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법으로 형성된 이온성 젤 패턴(120a)은 이온성 젤 전구체(120)가 몰드(131) 내에서 이온성 젤 패턴(120a)으로 형성되고, 세정 공정에 의하여 몰드(131)를 포함하는 구조물이 제거되기 때문에 몰드(131) 위의 얇게 도포된 이온성 젤 전구체(120)의 잔여물이 광경화 되지 않고 몰드(131)와 동시에 제거되어 높은 해상도를 나타낸다. 즉, 도 7에 도시된 이온성 젤 패턴(120a)은 도 2에 도시된 이온성 젤 잔막이 형성된 종래의 이온성 젤 패턴보다 높은 해상도를 나타낸다.
또한, 도 8을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법으로 형성된 이온성 젤 패턴(120a)은 표면 젖음성에 따라 제 2 몰드(132)와 극성이 다른 기판(110) 상에만 충전된 이온성 젤 전구체(120)가 광경화에 의해 이온성 젤 패턴(120a)으로 형성되기 때문에 이온성 젤 전구체(120)와 다른 극성을 갖는 제 2 몰드(132)가 제거된 이온성 젤 패턴(120a)은 높은 해상도를 나타낸다. 즉, 도 8에 도시된 이온성 젤 패턴(120a)은 도2에 도시된 이온성 젤 잔막이 형성된 종래의 이온성 젤 패턴보다 높은 해상도를 나타낸다.
따라서, 본 발명의 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법은 종래의 각 패턴 사이에서 마스크 회절로 인한 이온성 젤 잔막이 형성된 종래의 이온성 젤 패턴의 저 해상도 한계를 극복할 수 있다.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
110: 기판
120: 이온성 젤 전구체
120a: 이온성 젤 패턴 130: 포토레지스트층
131: 몰드, 제 1몰드 131: 제 2 몰드
140: 절연층 150: 자가조립 단층막, 자가조립 분자박막
161, 162: 마스크
120a: 이온성 젤 패턴 130: 포토레지스트층
131: 몰드, 제 1몰드 131: 제 2 몰드
140: 절연층 150: 자가조립 단층막, 자가조립 분자박막
161, 162: 마스크
Claims (8)
- 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법에 있어서,
기판에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
패터닝 공정을 통해 상기 포토레지스트층에 소정 패턴을 가진 몰드를 형성하는 단계;
상기 몰드에 형성된 공동에 이온성 젤 전구체를 충진하는 단계; 및
상기 이온성 젤 전구체를 경화시키는 단계를 포함하는 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 이온성 젤 전구체의 경화후 상기 몰드를 제거하는 단계를 더 포함하는 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 몰드를 형성하는 단계는
상기 포토레지스트층의 상부에 소정 패턴을 갖는 마스크를 배치하는 단계;
광을 조사하여 상기 마스크를 통해 노출된 부분을 경화시키는 단계; 및
식각 공정을 통해 상기 포토레지스트층으로부터 비경화된 부분을 제거하는 단계를 포함하되,
상기 몰드의 공동은 상기 비경화된 부분이 제거된 영역에 형성되는 것인 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 몰드에 형성된 공동에 이온성 젤 전구체를 충진하는 단계는
스핀 코팅, 드랍 캐스팅, 또는 인쇄 방법에 따라 수행되는 것인 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법. - 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법에 있어서,
기판에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
패터닝 공정을 통해 상기 포토레지스트층에 소정 패턴의 제 1 몰드를 형성하는 단계;
상기 패턴이 형성된 포토레지스트층 상에 절연층을 형성하는 단계;
상기 절연층 상에 자가조립 단층막 또는 자가조립 분자박막을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트층을 제거하여 제 2 몰드를 형성하는 단계;
상기 제 2 몰드에 형성된 공동에 이온성 젤 전구체를 충진하는 단계; 및
상기 이온성 젤 전구체를 경화시키는 단계를 포함하되,
상기 제 2 몰드를 형성하는 단계는 상기 포토레지스트층의 제거시에 상기 제 1 몰드에 형성된 공동과 대응되는 영역의 자가조립 단층막 또는 자가조립 분자박막을 유지시켜 상기 제 2 몰드가 형성되는 것인 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법. - 제 5 항에 있어서,
상기 자가조립 단층막 또는 자가조립 분자박막은 소수성을 가지고, 상기 포토레지스트층이 제거된 기판은 친수성을 가지는 것인 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법. - 제 5 항에 있어서,
상기 이온성 젤 전구체의 경화후 상기 제 2 몰드를 제거하는 단계를 더 포함하는 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법. - 제 5 항에 있어서,
상기 제 2 몰드에 형성된 공동에 이온성 젤 전구체를 충진하는 단계는
스핀 코팅, 드랍 캐스팅, 또는 인쇄 방법에 따라 수행되는 것인 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법.
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