KR20170106570A - ＰＥＡＬＤ를 이용한 ＰＥＭＦＣ의 분리판용 ＴｉＮ 박막의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은, PEALD 방법을 이용하여 스테인레스와 같은 금속 모재에 TiN 박막을 형성하는 연료전지 분리판의 제조방법을 제공한다.
즉, 본 발명은, 를 이용하여 100~300C 의 저온 공정 온도에서 형성하거나, 금속할로겐화합물 전구체와 반응가스를 이용하여 300~500C 의 고온 공정 온도에서 형성된 것임을 특징으로 하는 고분자전해질 연료전지의 분리판의 제조방법을 제공한다.

Description

ＰＥＡＬＤ를 이용한 ＰＥＭＦＣ의 분리판용 ＴｉＮ 박막의 제조방법{Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition of Titanium Nitride Thin Films for Metallic Bipolar Plates of Polymer Electrolyte Membrane Fuel Cells}

본 발명은 연료전지 분리판의 제조방법에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 연료전지 분리판에 TiN 박막을 형성하는 방법에 대한 것이다.

전 세계적으로 지구온난화 및 환경오염 방지에 대한 대책이 강구되고 있는 시점에서, 연료전지는 수소와 산소의 화학반응으로 생기는 화학에너지를 전기에너지로 변환시키는 장치로서 생성물이 전기와 순수로 공해배출이 거의 없어 수소경제 사회 진입을 위해 관심이 증가하는 기술로 많은 연구가 이루어지고 있다. 이러한 연료전지는 전해질 종류에 따라서 구분되는데 알카리 연료전지(AFC), 인산 연료전지(PAFC), 용융탄산 연료전지(MCFC), 고체산화물 연료전지(SOFC), 고분자 전해질 연료전지(PEMFC), 직접메탄올 연료전지(DMFC) 등으로 구분된다. 이 중 고분자 전해질 연료전지(Polymer electrolyte membrane fuel cell, PEMFC)는 다른 연료전지에 비해 작동 온도가 낮으며, 효율이 높고 시동이 빠를 뿐만 아니라 출력 범위가 넓어 가정용, 자동차용, 이동용 전원과 같이 적용가능한 분야가 매우 많아 가장 활발하게 연구되고 있는 차세대 발전 장치이다.

연료전지 스택은 크게 막-전극 접합체(MEA)와 분리판으로 구성되어 지는데, 분리판은 전체 스택에서 80%의 중량비와 40%의 가격을 차지하여 연료전지 스택 구성부품 중 단일품목으로서 가장 높은 비용을 차지하여 상용화를 위해서는 무게를 감소시키고 가격을 낮출 수 있는 방향으로 분리판 개발이 이루어져야 한다.

분리판은 반응가스를 공급하고 생성수를 배출시키며 외부회로에 전류를 전달하는 역할을 하기 때문에 높은 내식성, 전도성, 열전도성 그리고 낮은 기체 투과성이 요구된다. 이러한 분리판으로 사용되는 재료로는 탄소 복합 재료와 금속 재료가 있는데, 탄소 복합 재료는 낮은 기계적 강도, 높은 기체 투과성 뿐 만아니라 가공이 용이하지 않다는 문제점이 있다. 금속 분리판으로 사용되는 스테인리스 강은 가공성, 기계적 강도, 낮은 가격 면에서 우수하지만 표면에 형성되는 부동태피막이 높은 접촉저항을 발생시켜 연료전지의 효율을 감소시키고 또한 연료전지 운전 중 용출되는 금속이온이 촉매와 이온교환막을 오염시켜 연료전지 스택의 성능을 저하시키는 문제점이 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 스테인리스 강 표면에 전도성 및 내식성이 우수한 물질을 코팅하는 연구가 진행되어져 왔다.

티타늄 질화물(TiN)은 우월한 기계적 강도와 전기전도성을 가지고 화학적 안정성이 높기 때문에 금속 분리판 코팅 재료로 사용되어 지고 있다. 이러한 TiN 박막을 스테인리스 강 표면에 코팅하는 방법으로는 이온플래이팅(Ion plating) 및 반응성 증착(Reactive evaporation) 등과 같이 주로 물리적 기상 증착법(Physical vapor evaporation)이 있다. 하지만 물리적 기상 증착법으로 코팅할 시 코팅막 표면에 핀홀(Pinhole)과 같은 결함을 유발하게 되어 결함을 통해 전해질이 투과되어 금속 분리판의 부식을 촉진시키게 되는 것이 문제점이다.

한편, 관련된 특허공보로는 대한민국 등록특허제10-1082244호가 있으며, 여기서는 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt) 등을 포함하여, 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 산화루테늄(RuO₂) 및 산화이리듐(IrO₂), CrN, TiN, 고분자, 카본코팅 중 어느 하나의 코팅막을 연료전지분리판에 형성할 수 있음을 밝히고 있다. 그러나 이들 모두 상술한 문제점들 중 어느 하나를 지닌다.

따라서 본 발명의 목적은 우수한 단차 피복성, 박막 균일도 구현이 가능한 원자층 증착법을 통해 핀홀과 같은 결함이 없는 코팅층을 스테인리스 강에 적용시켜 내식성 및 전도성, 면간 접촉저항성이 우수한 고분자 전해질 연료전지 금속 분리판의 제조방법을 제공하고자 하는 것이다.

상기 목적에 따라 본 발명은, PEALD 방법을 이용하여 스테인레스와 같은 금속 모재에 TiN 박막을 형성하는 연료전지 분리판의 제조방법을 제공한다.

즉, 본 발명은, 유기금속화합물 전구체를 이용하여 100~300℃의 저온 공정 온도에서 형성하거나, 금속할로겐화합물 전구체와 반응가스를 이용하여 300~500℃ 고온 공정 온도에서 형성된 것임을 특징으로 하는 고분자전해질 연료전지의 분리판의 제조방법을 제공한다.

상기에서, 유기금속화합물 전구체는 티타늄(Ti)을 금속원자로 하여 리간드가 탄소(C), 수소(H), 질소(N)로 이루어진 것을 특징으로 한다.

상기에서, 금속할로겐화합물 전구체는 티타늄(Ti)을 금속 원자로 하여 리간드가 할로젠 원소로 이루어진 것을 특징으로 한다.

상기에서, 반응가스는 N₂, H₂ 및 N₂ 혼합가스, H₂ 또는 상기 반응가스들의 플라즈마 상태인 것을 특징으로 한다.

상기에서, TiN 코팅층은 5 nm ~ 200 nm의 균일한 두께의 코팅층인 것을 특징으로 한다.

상기에서, 유기금속화합물 전구체와 반응가스를 이용하여 형성한 TiN 코팅층은 1 nm ~ 20 nm 두께의 비정질 층이 스테인리스 강과 TiN 코팅층 계면에 형성된 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 원자층 증착법을 통해 핀홀과 같은 결함이 없는 TiN 코팅층을 스테인리스 강에 형성함으로써 내식성 및 전도성, 면간 접촉저항성이 우수한 고분자 전해질 연료전지 금속 분리판이 제조될 수 있다.

도 1은 유기금속화합물 전구체 및 금속할로겐화합물 전구체와 반응가스의 플라즈마를 이용한 원자층 증착법을 통하여 TiN 코팅층을 형성하는 개략적인 그림이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따라 형성된 TiN 코팅층의 두께에 따른 비저항의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따라 형성된 TiN 코팅층의 결정성 및 결정 성장 방향을 확인하기 위해 측정한 XRD 패턴이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따라 형성된 TiN 코팅층의 조성 및 성분을 확인하기 위해 측정한 AES depth profiling 그래프이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따라 형성된 TiN 코팅층의 미세 구조 및 성분을 확인하기 위해 측정한 HRTEM 사진 및 TEM-EDX 사진이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따라 형성된 TiN 코팅층 중에서 유기금속전구체와 반응가스의 플라즈마를 이용하여 형성된 TiN 코팅층의 스테인리스 강 계면에서의 성분 확인을 위해 측정한 TEM-EELS 그래프이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따라 TiN 코팅층이 형성된 스테인리스 강의 내부식성을 확인하기 위하여 고분자 전해질 연료전지 스택 내의 부식 분위기를 모사하여 동전위 분극실험을 수행한 결과를 나타내는 그래프이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따라 TiN 코팅층이 형성된 스테인리스 강의 (시험예 X)에서 passive region의 전위 값에서 멈추어 표면 부식 상태를 관찰하기 위해 촬영한 FE-SEM 사진이다.
도 9a은 본 발명의 실시예에 따라 TiN 코팅층이 형성된 스테인리스 강의 내부식성을 확인하기 위해 공기극의 환원전위인 0.6V vs SCE에서 정전위 분극 실험을 수행한 결과를 나타내는 그래프이다.
도 9b는 본 발명의 실시예에 따라 유기금속 전구체와 반응가스의 플라즈마를 이용하여 형성된 TiN 코팅층이 형성된 스테인리스 강의 면간접촉저항을 측정하기 위해 코팅 전과 후의 스테인리스 강 시편에 대해 압축하중을 증가시키면서 측정한 결과를 나타내는 그래프이다.
도 10은 본 실시예에서 예측된 박막 두께와 실측 된 박막 두께를 대비한 표이다.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명한다.

본 실시예는, 스테인리스 강에 TiN 코팅층이 형성된 고분자 전해질 연료전지의 분리판으로서, 상기 TiN 코팅층은 원자층 증착법 또는 플라즈마 강화 원자층 증착법을 통하여 유기금속화합물 전구체와 반응가스를 이용하여 100~300℃의 저온 공정 온도에서 형성하거나, 금속할로겐화합물 전구체와 반응가스를 이용하여 300~500℃의 고온 공정 온도에서 형성된 것임을 특징으로 하는 고분자전해질 연료전지의 분리판의 제조방법을 제공한다.

유기금속화합물 전구체는 티타늄(Ti)을 금속원자로 하여 리간드가 탄소(C), 수소(H), 질소(N)를 포함한다는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기에서, 금속할로겐화합물 전구체는 티타늄(Ti)을 금속 원자로 하여 리간드가 할로겐 원소로 이루어진 것을 특징으로 한다.

상기에서, 반응가스는 N₂, H₂ 및 N₂ 혼합가스, H₂ 또는 상기 반응가스들의 플라즈마 상태인 것을 특징으로 한다.

상기에서, TiN 코팅층은 5 nm ~ 200 nm의 균일한 두께의 코팅층인 것을 특징으로 한다.

상기에서, 유기금속화합물 전구체와 반응가스를 이용하여 형성한 TiN 코팅층은 1 nm ~ 20 nm 두께의 비정질 층이 스테인리스 강과 TiN 코팅층 계면에 형성된 것을 특징으로 한다.

상기에서, 비정질 층의 구성 성분에는 Ti, N, O, C가 포함되는 것을 특징으로 한다.

도 1은 유기금속화합물 전구체 및 금속할로겐화합물 전구체와 반응가스의 플라즈마를 이용한 원자층 증착법을 통하여 TiN 코팅층을 형성하는 개략적인 그림이다.

모재로서 0.2mm의 스테인레스스틸 SS316을 준비하고, TiN 박막을 PEALD로 형성하기 전에 아세톤과 알콜로 15분 정도 세정 되고 탈 이온수(DI water)로 린스 된 후 질소로 건조되었다. 박막 두께 성장 속도와 전기 저항을 측정하기 위해 250-nm-thick SiO₂/Si 기판을 사용하였다.

PEALD-TiN 박막은 유기금속화합물 전구체로서 TDMAT와 금속 할로겐 화합물 전구체로서 TiCl₄를 이용하여 각각 다른 성장 온도인 200℃와 350℃에서 증착하였다. 상기에서, 유기금속화합물 전구체의 선택 및 성장 온도는 예시적이며, 이하에서 설명될 스테인레스스틸 모재와 TiN 박막 층 사이에 비정질층(Ti, N, C, O)을 형성할 수 있는 구성 성분을 가진 유기금속화합물로 된 전구체이면 TDMAT 이외의 물질을 선택할 수도 있다. 성장 온도 역시 유기금속전구체화합물이 열 분해되지 않는 범위이자 TiN 박막이 성장될 수 있는 온도이면 충분하고 200℃ 근처라야만 하는 것은 아니다.

즉, 전구체들 각각의 열 분해 온도와 잔류 불순물을 고려하여 전구체별로 성장 온도가 최적화되었다.

TDMAT를 사용하는 PEALD-TiN(이하 'TDMAT-TiN'으로 칭함)를 사용하는 PEALD-TiN에 대해, TDMAT는 버블러에 포함되어 있고 버블러는 35℃로 유지된다. 도 1a에 보인 바와 같이, TDMAT를 사용한 TiN의 일 회 증착 사이클은, 1초 동안 25sccm의 Ar 캐리어 가스에 의한 TDMAT 전구체 주입, 10초 동안 50sccm의 Ar 퍼지 펄스, 10초 동안 100sccm N₂ 가스에 의한 N₂ 플라즈마에 노출되도록 하는 N₂ 가스 펄스 및 10초간 또 한 번의 50sccm의 Ar 퍼지 펄스를 포함한다. 도 1b는 TiCl₄를 이용한 PEALD-TiN(이하 'TiCl₄-TiN'으로 칭함)에 대한 것이다. TiCl₄를 포함한 캔은 높은 증기압으로 인해 25℃로 유지된다. TiCl₄를 이용한 PEALD-TiN의 일 회 증착 사이클은, 1초 동안 25sccm의 Ar 캐리어 가스에 의한 TiCl₄ 전구체 주입, 10초 동안 50sccm의 Ar 퍼지 펄스, 10초 동안 100sccm N₂ 가스와 20sccm의 H₂ 가스의 혼합 플라즈마에 노출되도록 하는 혼합 가스 펄스 및 또 10초간의 또 한 번의 50sccm의 Ar 퍼지 펄스를 포함한다.

TDMAT와 TiCl₄를 사용한 PEALD-TiN 증착 공정 동안, Ar 가스는 50sccm으로 챔버에 지속적으로 공급되었고, 챔버 내 운전압력은 3Torr로 유지되었다. 플라즈마 펄스를 위해, RF 플라즈마가 300W의 전력에서 사용되었다.

박막 두께, 박막 구조, 면 모폴로지(FESEM), HRTEM 분석이 이루어졌다.

4점 프로우브로 면 저항을 측정하고, 면 저항과 박막 두께로부터 박막 저항이 계산되었다. 박막 성분이 오제 전자 스펙트로스코피(AES)로 관찰되고 EDX 맵핑 및 EELS 분석이 이루어졌다. 박막 밀도와 결정 구조도 1.54 Å Cu-Kα radiation XRR 및 XRD에 의해 측정되었다. 연료전지분리판에의 적용성을 알아보기 위해 TiN coated SS316L 의 부식저항(electrochemical analyzer 사용(Princeton. Applied Research, VersaSTAT-4))과 접촉 저항도 분석되었다. 70℃에서 0.05 M H₂SO₄ + 2 ppm HF의 전해질에서 Potentiodynamic 및 potentiostatic polarization 시험이 실시되었다. PEMFC 캐소드 작업 조건을 시뮬레이션하기 위해, O₂ 퍼징과 함께 인가된 전위차의 SCE 대비 0.6V에서 potentiostatic polarization이 실시되었다. 부식 회로는 세 개의 전극, 즉, 포화 된 calomel electrode (SCE)을 표준전극으로 하고, 반대 전극으로는 Pt 메쉬를, TiN coated SS316L 을 작업 전극으로 하여 구성되었다. 전위차는 Potentiodynamic polarization 동안 SCE에 대비하여 -0.1V부터 1.2V까지 스캔 되었고 스캔 속도는 3.33 mV.s^{- 1}였다. Interfacial contact resistance (ICR) Wang의 방법으로 측정되었다.

각종 시험 및 관측 결과를 도 2 내지 도 9에 나타내었고 도 10에는 박막 두께 표를 나타내었다.

전기 저항은 TDMAT를 사용한 경우가 TiCl₄를 사용한 경우에 비해 더 높았고(도 2), 박막 두께 증가에 따라 저항은 낮아지고 결정성은 좋아졌다. 박막이 고밀도화되면서 전기저항이 낮아지고 불순물도 줄었다. 결정성은 TiCl₄를 사용한 경우 더 우수하였고, 고밀도 박막을 이루었다(도 3).

TiCl₄를 사용한 경우 HCl에 의한 부식으로 인한 핀홀이 있었고, 박막의 경계면이 넓게 분포되었다(도 4). TDMAT를 사용한 경우는 그레인 바운더리를 따라 확산이 일어난 흔적이 나타나고 두꺼운 아몰퍼스 경계면이 나타났다(도 5). 이는 TDMAT의 열 분해에 기인한 것으로 보인다(도 6). 모폴로지를 통해서도 이들의 특성을 볼 수 있었다(도 8). 이러한 결과는 다음과 같은 면에서 주시 될 필요가 있다.

즉, 본 실시예에는, TDMAT-TiN는 유기전구체인 TDMAT의 열분해가 일어나지 않는 온도 범위 내(예를 들면, 200℃)에서 실시되었음에도 불구하고 TDMAT의 열 분해 현상이 나타난 것으로 보인다. 이는 스테인레스스틸 기판과의 상호작용에 기인하여 일어난 현상으로 볼 수 있다. 스테인레스스틸과 표면 활성종과 같은 표면 기능기에 의해 TDMAT는 본래의 열 분해 온도보다 더 낮은 온도에서 열 분해되어 아몰퍼스 층을 형성한 것으로 보인다. SiO₂와 같은 소재를 모재로 하여 TDMAT가 열 분해되지 않는 온도 범위 내에서 TDMAT-TiN 공정을 실시할 경우, TDMAT는 전혀 열 분해를 일으키지 않고 따라서 그러한 아몰퍼스 층도 전혀 형성되지 않기 때문이다.

경계면에 형성된 아몰퍼스 층의 두께는 TiN 코팅층의 두께에 관계없이 5nm 정도로 일정하였다. 이는 아몰퍼스 층이 TDMAT의 열분해로부터 결과한 것임을 의미한다. 박막의 초기 성장 단계에서, TDMAT 펄스가 SS316L 모재 표면에 주입되어 열 분해된 전구체에 의해 완전히 덮일 때까지 TDMAT가 열적으로 자가 분해되어 아몰퍼스 층을 형성한다. 아몰퍼스 층은 도 4(a) 및 도 6에 보인 바와 같이 TiN 외에 C와 O 불순물을 포함한다. 한편, 이러한 유기전구체의 열 분해 및 아몰퍼스 층의 형성은 모재 기판이 열 분해된 전구체에 의해 완전히 덮인 후에는 정지된다.

스테인레스스틸을 기판으로 하여 실시된 TDMAT-TiN 공정에서 형성된 기판과 TiN 박막 사이에 존재하게 된 아몰퍼스 층은 내부식성을 더욱 향상시켜 연료전지분리판으로서 더 유리한 특성을 나타낸다.

요컨대, TDMAT-TiN 공정을 스테인레스스틸 모재에 실시함에 있어서, 유기전구체인 TDMAT의 열 분해가 일어나지 않는 온도 범위를 유지하기 때문에 결정질의 TiN 코팅층이 형성되면서도, 모재와 코팅층의 경계면에서는 유기전구체가 열분해 되어 비정질층이 형성됨으로써 내부식성이 더욱 강화될 수 있다는 것이다.

도 7은 본 발명의 실시예에 따라 TiN 코팅층이 형성된 스테인리스 강의 내부식성을 확인하기 위하여 고분자 전해질 연료전지 스택 내의 부식 분위기를 모사하여 동전위 분극실험을 수행한 결과를 나타내는 그래프이다.

도 7의 Potentiodynamic polarization 곡선에서, 부식전류 밀도는 TiCl₄를 사용한 경우가 더 높았고, 부식 전위차는 TDMAT를 사용한 경우가 더 높았으며, 부식 저항은 TiCl₄를 사용한 경우가 더 높았다.

도 8은 본 발명의 실시예에 따라 TiN 코팅층이 형성된 스테인리스 강의 (시험예 X)에서 passive region의 전위 값에서 멈추어 표면 부식 상태를 관찰하기 위해 촬영한 FE-SEM 사진이다.

도 9a은 본 발명의 실시예에 따라 TiN 코팅층이 형성된 스테인리스 강의 내부식성을 확인하기 위해 공기극의 환원전위인 0.6V vs SCE에서 정전위 분극 실험을 수행한 결과를 나타내는 그래프이다. 여기서는 부식저항이 TDMAT를 사용한 경우가 더 높았다.

도 9b는 본 발명의 실시예에 따라 유기금속 전구체와 반응가스의 플라즈마를 이용하여 형성된 TiN 코팅층이 형성된 스테인리스 강의 면간접촉저항을 측정하기 위해 코팅 전과 후의 스테인리스 강 시편에 대해 압축하중을 증가시키면서 측정한 결과를 나타내는 그래프이다. TiN 코팅층이 형성된 스테인리스 강의 면간접촉저항은 향상된 특성을 보였다.

도 10은 본 실시예에서 예측된 박막 두께와 실측 된 박막 두께를 대비한 표이다.

TiN_TDMAT의 전기저항이 TiN_TiCl4에 비해 더 높지만, 부식 보호 특성은 TiN_TDMAT이 더 우수하며, 이는 TiN_TDMAT 박막 두께가 더 얇아도 그러하였다. 이러한 특성은 TiN_TDMAT의 아몰퍼스 경계층의 형성, 부식성 불순물이 생성되지 않는 점 및 핀홀이 생성되지 않는 점에 기인하는 것으로 보인다.

또한, TiN_TDMAT는 SS316L의 ICR 값이 훨씬 더 낮았다.

이상과 같이 하여 PEALD-TiN를 적용하여 연료전지 분리판을 위한 우수한 특서의 TiN 박막을 형성할 수 있다.

본 발명의 권리는 위에서 설명된 실시예에 한정되지 않고 청구범위에 기재된 바에 의해 정의되며, 본 발명의 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 청구범위에 기재된 권리범위 내에서 다양한 변형과 개작을 할 수 있다는 것은 자명하다.

Claims (8)

1. 스테인리스 강에 TiN 코팅층이 형성된 고분자 전해질 연료전지의 분리판으로서, 상기 TiN 코팅층은 원자층 증착법 또는 플라즈마 강화 원자층 증착법을 통하여 유기금속화합물 전구체와 반응가스를 이용하여 100~300℃의 저온 공정 온도에서 형성하거나, 금속할로겐화합물 전구체와 반응가스를 이용하여 300~500℃의 고온 공정 온도에서 형성된 것임을 특징으로 하는 고분자전해질 연료전지의 분리판의 제조방법.
2. 제 1항에 있어서, 상기 유기금속화합물 전구체는 티타늄(Ti)을 금속원자로 하여 리간드가 탄소(C), 수소(H), 질소(N)로 이루어진 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 연료전지의 금속 분리판의 제조방법.
3. 제 1항에 있어서, 상기 금속할로겐화합물 전구체는 티타늄(Ti)을 금속 원자로 하여 리간드가 할로젠 원소로 이루어진 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 연료전지의 금속 분리판의 제조방법.
4. 제 1항에 있어서, 상기 반응가스는 N₂, H₂ 및 N₂ 혼합가스, H₂ 또는 이 반응가스들의 플라즈마 상태인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 연료전지의 금속 분리판의 제조방법.
5. 제1항에 있어서, 상기 TiN 코팅층은 5 nm ~ 200 nm 의 균일한 두께의 코팅층인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 연료전지의 금속 분리판의 제조방법.
6. 제 1항에 있어서, 상기 유기금속화합물 전구체와 반응가스를 이용하여 형성한 TiN 코팅층은 1 nm ~ 20 nm 두께의 비정질층이 스테인리스 강과 TiN 코팅층 계면에 형성된 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 연료전지의 금속 분리판의 제조방법.
7. 스테인레스스틸을 모재로 하고, TiN 코팅층을 포함하되, 스테인레스스틸 모재와 TiN 코팅층 사이에 비정질층을 포함하는 것을 특징으로 하는 연료전지분리판.
8. 제7항에 있어서, 상기 비정질층은 Ti, N, C 및 O를 포함하는 것을 특징으로 하는 연료전지분리판.
   
   

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