KR20170088602A - Electrolytic copper foil and method for producing the same, and copper clad laminate and printed circuit board having the same - Google Patents

Electrolytic copper foil and method for producing the same, and copper clad laminate and printed circuit board having the same Download PDF

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Abstract

The present invention relates to an electrolytic copper foil and, more specifically, to an electrolytic copper foil with enhanced heat resistance, which has the greatest influence on defects, such as de-lamination, and a manufacturing method thereof. The present invention includes: a raw foil; a copper nodule layer provided with a plurality of nodule particles formed on the raw foil, wherein the nodule particle having a negative correction value among the plurality of nodule particles is in a range of 70% or more and 100% or less of the total number of nodule particles; and a barrier layer made of an inorganic-metal mixture on the copper nodule layer.

Description

전해 동박 및 그 제조 방법과, 동박적층판 및 인쇄회로기판{Electrolytic copper foil and method for producing the same, and copper clad laminate and printed circuit board having the same}TECHNICAL FIELD The present invention relates to an electrolytic copper foil, a copper clad laminate and a printed circuit board,

본 발명은 전해 동박에 관한 것으로서, 특히 회로들뜸현상(de-lamination)과 같은 불량에 가장 큰 영향을 미치는 내열성이 강화된 전해 동박 및 그 제조 방법과, 동박적층판 및 인쇄회로기판에 관한 것이다.The present invention relates to an electrolytic copper foil, and more particularly, to a heat-resistant electrolytic copper foil having a great influence on defects such as de-lamination, a method of manufacturing the same, and a copper-clad laminate and a printed circuit board.

산업이 발전함에 따라, 각 산업 영역에서 인쇄회로기판의 사용이 증가하고 있다. 특히, 최근에는 경성의 인쇄회로기판뿐만 아니라, 연성의 인쇄회로기판의 수요가 급증하고 있다. As the industry develops, the use of printed circuit boards in each industry area is increasing. Particularly, in recent years, there has been a rapid increase in demand for flexible printed circuit boards as well as rigid printed circuit boards.

이와 같은 인쇄회로기판은 일반적으로 동박적층판(CCL: copper clad laminate)에 도금층을 형성한 후, 형성된 도금층에 회로를 패터닝하여 제조된다.Such a printed circuit board is generally manufactured by forming a plating layer on a copper clad laminate (CCL), and then patterning the circuit on the formed plating layer.

상기 동박 적층판에 사용되는 동박은 전해 동박이 사용될 수 있다. The copper foil used for the copper clad laminate may be an electrolytic copper foil.

이와 같은 인쇄회로기판의 제작에 사용되는 기초 소재인 전해 동박은 전기도금법으로 구리 원박을 제조하는 제박 공정과, 구리 원박에 대하여 노듈 처리, 내약품 처리, 내열 처리, 방청 처리 등을 수행하는 후처리 공정을 통하여 제조된다.Electrolytic copper foil, which is a basic material used in the production of such a printed circuit board, is manufactured by an electroplating process for producing a copper raw material by an electroplating method, a post-processing for performing a nodule treatment, a chemical resistant treatment, a heat resistant treatment, ≪ / RTI >

통상의 제박 공정에 의해 제조된 구리 원박은 제박 장치의 음극 드럼에서 박리되어 상대적으로 조도가 낮은 광택면(S면: Shiny Side)과, 광택면(S면)의 타면에 위치하고 상대적으로 조도가 높은 매트면(M면: Matte Side)을 포함한다.The copper foil produced by a conventional stamping process is peeled off from the negative electrode drum of the washer-dryer and is located on the other side of the glossy surface (S-side) and the glossy surface (S-side) And includes a matte side (M side).

상기 구리 원박은 후처리 공정에서 구리 노듈(Cu-nodule)과 배리어(barrier) 등을 형성하는 표면처리를 거침으로써 인쇄회로기판용으로 적합한 물리적, 화학적 특성이 부여된다. The copper foil is subjected to a surface treatment to form a copper nodule and a barrier in a post-treatment process, thereby imparting physical and chemical properties suitable for a printed circuit board.

후처리 공정에 의해 구리 원박의 매트면(M면) 위에는 구리 노듈층이 형성되고, 구리 노듈층 위에는 니켈(Ni), 크롬(Cr) 등의 도금층인 배리어층이 형성되어 내열, 내염산성, 내산화성 등이 부여된다. A copper layer is formed on the mat surface (M side) of the copper foil by a post-treatment process, and a barrier layer which is a plating layer such as nickel (Ni) and chromium (Cr) is formed on the copper layer, Oxidation and the like are imparted.

배리어층 위에는 동박에 접착되는 수지 필름과의 접착력을 향상시키기 위해 실란 커플링 에이전트(silane coupling agent)가 추가로 피막된다.On the barrier layer, a silane coupling agent is additionally coated to improve adhesion to the resin film adhering to the copper foil.

전해 동박은 그 표면 처리층의 구조에 의해 주요 물리적, 화학적 특성이 결정되는 바, 후처리 공정이 제대로 이루어지지 않을 경우에는 동박과 수지 필름 간의 접착 신뢰성이 좋지 않고 에칭성, 박리강도, 내굴곡성 등에 열화가 발생할 수 있다.The main physical and chemical properties of the electrolytic copper foil are determined by the structure of the surface treatment layer. When the post treatment is not properly carried out, the adhesion reliability between the copper foil and the resin film is poor and the etching property, peel strength, Deterioration may occur.

특히, 최근에 전해 동박은 휴대용 전자기기의 굴곡 부위에 적용되는 연성 인쇄회로기판(FPC)용 연성동박적층판(FCCL)의 소재로 널리 사용되므로 회로 패턴의 크랙(Crack)이나, 단선 등을 방지하기 위해서는 내열성이 우수한 동박이 제공되어야 한다.In particular, recently, the electrolytic copper foil is widely used as a material of a flexible printed circuit board (FCCL) for a flexible printed circuit board (FPC) applied to a bent portion of a portable electronic device, so that cracks, A copper foil with excellent heat resistance should be provided.

그러나, 종래의 후처리 공정에 의해서는 접착력, 내열, 내산 특성 등을 증가시키는 데 한계가 있으며, 특히 동박과 폴리머 수지를 접착시키는 고온 열처리 공정에서 내열성이 취약하여 동박과 수지의 회로들뜸현상이 발생하고 에칭성이 좋지 않은 문제가 있다.However, there is a limit in increasing the adhesive strength, heat resistance, acid resistance and the like by the conventional post-treatment process. In particular, in a high temperature heat treatment process in which a copper foil and a polymer resin are bonded, heat resistance is weak, And the etching property is poor.

국내 특허공개번호 10-2006-0006389호Korean Patent Publication No. 10-2006-0006389 국내 특허공개번호 10-2014-0034698호Korean Patent Publication No. 10-2014-0034698

본 발명은 상기와 같은 점을 고려하여 창안된 것으로서, 동박에서 표면 처리층의 처리 방법에 따라 내열성이 강화된 전해 동박 및 그 제조 방법과, 동박적층판 및 인쇄회로기판을 제공하는 데 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide an electrolytic copper foil whose heat resistance is enhanced according to a method of treating a surface treatment layer in a copper foil, a method for manufacturing the same, a copper-clad laminate, and a printed circuit board .

본 발명의 다른 목적은 표면 처리층을 이루는 구리 노듈층의 형성 구조가 개선된 전해 동박 및 그 제조 방법과, 동박적층판 및 인쇄회로기판을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide an electrolytic copper foil having improved formation structure of a copper layer, which is a surface treatment layer, a method for manufacturing the same, and a copper-clad laminate and a printed circuit board.

본 발명의 목적은 상술한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 본 발명의 실시예에 의해 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other technical subjects not mentioned can be clearly understood by the embodiments of the present invention.

본 발명의 일 측면의 전해 동박은 원박; 상기 원박에 형성되고 다수의 노듈 입자를 구비한 구리 노듈층을 포함하되, 상기 다수의 노듈 입자 중 보정 장평이 음의 값을 갖는 노듈 입자는 총 노듈 입자수의 70%이상 100%이하 범위이고; 및 상기 구리 노듈층 위에 무기-금속 혼합물로 이루어진 배리어층을 포함하고, 상기 보정 장평은 상기 원박의 표면에 평행한 방향의 상기 노듈 입자의 장축을 가로라 하고 상기 원박의 표면에 수직한 방향의 상기 노듈 입자의 장축을 세로라 할 때 (세로-가로)/세로로 계산될 수 있다.An electrolytic copper foil according to one aspect of the present invention comprises: A nodule particle formed on the raw paper and having a plurality of nodule particles and having a correction value of negative nodule particle among the plurality of nodule particles is in a range of 70% or more and 100% or less of the total number of nodule particles; And a barrier layer made of an inorganic-metal mixture on the copper layer, wherein the correction elongation is defined as a ratio of a length of the nodule particle in a direction parallel to the surface of the raw- Can be calculated as (longitudinal-transverse) / longitudinal when the long axis of the nodule particle is expressed as a vertical length.

또한, 본 발명의 일 측면의 전해 동박은 상기 원박 및 상기 구리 노듈층 사이에 다수의 노듈 입자를 구비한 다른 구리 노듈층을 더 포함한다.In addition, the electrolytic copper foil according to an aspect of the present invention further includes another copper layer having a plurality of nodule particles between the original foil and the copper layer.

또한, 본 발명의 일 측면의 전해 동박의 상기 구리 노듈층은 상기 다수의 노듈 입자 중 보정 장평이 음의 값을 갖는 노듈 입자가 총 노듈 입자수의 80%이상에서 100%이하 범위이다.Also, in the copper alloy layer of the electrolytic copper foil of one aspect of the present invention, the nodule particle having a negative correction value of the nodule particles is in a range of 80% to 100% of the total number of nodule particles.

또한, 본 발명의 일 측면의 전해 동박의 표면 색차계의 (a+b)/L이 0.45~0.5 범위에 있으며, 상기 L은 색차계의 반사율이고, a는 색도 다이어그램으로 +a*는 빨강을 -a*는 초록 방향을 나타내며, b는 색도 다이어그램으로 +b*는 노랑을 -b*는 파랑 방향을 나타낸다.(A + b) / L of the surface colorimeter of the electrolytic copper foil of one aspect of the present invention is in the range of 0.45 to 0.5, L is the reflectance of the color difference meter, a is the chromaticity diagram, and + a * -a * denotes the green direction, b denotes the chromaticity diagram, + b * denotes yellow, and -b * denotes blue direction.

또한, 본 발명의 일 측면의 전해 동박의 상기 배리어층은 니켈 배리어층과, 니켈 배리어층에 형성된 아연 배리어층과, 아연 배리어층에 형성된 크롬 배리어층을 포함하며, 니켈 베리어층의 니켈의 도금량이 10~20mg/m2의 범위에 있으며, 아연 배리어층(340)의 아연(Zn)의 도금량은 10~20mg/m2 의 범위에 있고, 크롬 배리어층의 크롬의 도금량은 1~4mg/ m2의 범위에 있다.Further, the barrier layer of the electrolytic copper foil of one aspect of the present invention includes a nickel barrier layer, a zinc barrier layer formed on the nickel barrier layer, and a chromium barrier layer formed on the zinc barrier layer, wherein the plating amount of nickel in the nickel barrier layer is 10 ~ 20mg / m is in the range of 2, zinc coating weight of zinc (Zn) of the barrier layer 340 is in the range of 10 ~ 20mg / m 2, the coating weight of the chromium in the chromium barrier layer is 1 ~ 4mg / m 2 Lt; / RTI >

한편, 본 발명의 일 측면의 동박 적층판은 원박과 상기 원박에 형성되고 다수의 노듈 입자를 구비한 구리 노듈층을 포함하되, 상기 다수의 노듈 입자 중 보정 장평이 음의 값을 갖는 노듈 입자는 총 노듈 입자수의 70%이상 100%이하 범위이고, 상기 구리 노듈층 위에 무기-금속 혼합물로 이루어진 배리어층을 포함하는 전해 동박; 및 상기 전해 동박에 형성된 폴리이미드 필름을 포함한다.On the other hand, the copper-clad laminate of one aspect of the present invention comprises a raw foil and a copper layer of a nodule formed on the raw foil and having a plurality of nodule particles, wherein nodule particles having a negative correction value An electrolytic copper foil in a range of 70% or more and 100% or less of the number of nodular particles and including a barrier layer made of an inorganic-metal mixture on the copper nodule layer; And a polyimide film formed on the electrolytic copper foil.

또한, 본 발명의 일 측면의 인쇄회로기판은 원박과 상기 원박에 형성되고 다수의 노듈 입자를 구비한 구리 노듈층을 포함하되, 상기 다수의 노듈 입자 중 보정 장평이 음의 값을 갖는 노듈 입자는 총 노듈 입자수의 70%이상 100%이하 범위이고, 상기 구리 노듈층 위에 무기-금속 혼합물로 이루어진 배리어층을 포함하는 전해 동박; 및 상기 전해 동박에 형성된 폴리이미드 필름을 포함하는 동박적층판을 구비하는 것을 특징으로 한다.In addition, the printed circuit board of one aspect of the present invention includes a raw foil and a copper module layer formed on the raw foil and having a plurality of nodule particles, wherein nodule particles having a negative correction value of the plurality of nodule particles An electrolytic copper foil in a range of 70% or more and 100% or less of the total number of nodule particles and including a barrier layer made of an inorganic-metal mixture on the copper nodule layer; And a copper foil laminate including a polyimide film formed on the electrolytic copper foil.

한편, 본 발명의 일 측면의 전해 동박 제조 방법은 (A) 제박 처리를 수행하여 원박을 제조하는 제박 단계; (B) 원박의 매트면(M면)에 구리를 도금하여 다수의 노듈 입자 중 보정 장평이 음의 값을 갖는 노듈 입자가 총 노듈 입자수의 70%이상 100%이하 범위인 구리 노듈층을 형성하는 노듈 처리 단계; 및 (C) 상기 구리 노듈층 위에 무기-금속 혼합물로 이루어진 배리어층을 형성하는 표면 처리 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided an electrolytic copper foil manufacturing method comprising: (A) a stripping step of performing a stripping process to produce a raw strip; (B) Copper is plated on the matte side (M side) of the raw material to form a nodule particle having a negative correction value among the nodule particles of 70% to 100% of the total number of nodule particles A nodule processing step; And (C) a surface treatment step of forming a barrier layer composed of an inorganic-metal mixture on the copper layer.

또한, 본 발명의 일 측면의 전해 동박 제조 방법의 상기 (A) 단계는 상기 제박 단계에서 원박을 제조하기 위한 제박 장치에 사용되는 전해액의 기본 조성은 H2SO4가 50 ~ 200 g/l이고, Cu2 +는 30 ~ 150 g/l이며, Cl-은 2~200㎎/l이고, 온도는 상온 ~ 80℃이며, 전류밀도는 10 ~ 80ASD이다.In addition, in the step (A) of the electrolytic copper foil manufacturing method of one aspect of the present invention, the basic composition of the electrolytic solution used in the stripping apparatus for preparing the raw foil in the stripping step is 50-200 g / l of H 2 SO 4 , Cu + 2 is 30 ~ 150 g / l, Cl - is a two to 200㎎ / l, and the temperature is room temperature to 80 ℃, the current density is 10 ~ 80ASD.

또한, 본 발명의 일 측면의 전해 동박 제조 방법의 상기 (A) 단계의 상기 전해액은 황산구리를 주성분으로 하고, 젤라틴, HEC, SPS 및 티오요소 중 적어도 하나 이상을 첨가제로 포함한다.Further, in the electrolytic copper foil manufacturing method of one aspect of the present invention, the electrolytic solution of step (A) comprises copper sulfate as a main component and at least one of gelatin, HEC, SPS and thiourea as additives.

또한, 본 발명의 일 측면의 전해 동박 제조 방법은 상기 (B) 단계이전에 (D) 상기 원박에 다수의 구리 노듈 입자를 구비한 노듈 구조로 형성된 다른 구리 노듈층을 형성하는 단계를 더 포함한다.In addition, the electrolytic copper foil manufacturing method of one aspect of the present invention further includes the step of (D) forming another copper layered layer formed of a nodule structure having a plurality of copper nodule particles on the original foil before the step (B) .

또한, 본 발명의 일 측면의 전해 동박 제조 방법의 상기 (B) 단계는 전류 밀도를 10~30ASD를 사용하고, 상기 (D) 단계는 전류밀도를 5~20ASD를 사용한다.In the step (B) of the electrolytic copper foil manufacturing method of one aspect of the present invention, the current density is 10 to 30 ASD, and the step (D) uses the current density of 5 to 20 ASD.

또한, 본 발명의 일 측면의 전해 동박 제조 방법의 상기 (B) 단계의 구리 노듈층은 다수의 노듈 입자 중 보정 장평이 음의 값을 갖는 노듈 입자가 총 노듈 입자수의 80%이상에서 100%이하 범위이다.In addition, in the copper alloy layer of the step (B) of the electrolytic copper foil manufacturing method of one aspect of the present invention, nodule particles having a negative correction value of a plurality of nodule particles may be 100% to more than 80% Or less.

또한, 본 발명의 일 측면의 전해 동박 제조 방법의 상기 (B) 단계는 전해 도금조의 전해액의 기본 조성은 H2SO4가 60 ~ 150 g/l이며, Cu 가 10 ~ 90 g/l이며, 전해액의 온도는 상온 35~ 55℃이며, 10~30 ASD의 전류밀도를 사용하며, 상기 (D) 단계는 다른 전해 도금조의 전해액의 기본 조성은 H2SO4 가 60 ~150 g/l이고, Cu가 5~ 20 g/l, 전해액의 온도는 상온 25~40℃이며, 전류밀도는 5~20 ASD의 전류밀도를 사용하는 것을 특징으로 한다.In the step (B) of the electrolytic copper foil manufacturing method of one aspect of the present invention, the basic composition of the electrolytic solution of the electrolytic plating bath is 60 to 150 g / l of H 2 SO 4 , 10 to 90 g / l of Cu, The electrolytic solution has a temperature of 35 to 55 ° C at room temperature and a current density of 10 to 30 ASD is used. In the step (D), the basic composition of the electrolytic solution of the other electrolytic plating bath is 60 to 150 g / l of H 2 SO 4 , Cu is 5 to 20 g / l, the temperature of the electrolytic solution is 25 to 40 ° C at room temperature, and the current density is 5 to 20 ASD.

또한, 본 발명의 일 측면의 전해 동박 제조 방법의 상기 (B) 단계는 전해 도금조의 전해액의 기본 조성은 H2SO4가 90 ~ 120 g/l이며, Cu 가 30 ~ 55 g/l이며, 전해액의 온도는 상온 35~ 55℃이며, 10~30 ASD의 전류밀도를 사용하고, 상기 (D) 단계는 다른 전해 도금조의 전해액의 기본 조성은 H2SO4 가 90 ~120 g/l이고, Cu가 5~ 20 g/l, 전해액의 온도는 상온 25~40℃이며, 전류밀도는 5~20 ASD의 전류밀도를 사용하는 것을 특징으로 한다.In the step (B) of the electrolytic copper foil manufacturing method of one aspect of the present invention, the basic composition of the electrolytic solution of the electrolytic plating bath is 90 to 120 g / l of H 2 SO 4 , 30 to 55 g / l of Cu, The electrolytic solution has a temperature of 35 to 55 ° C at room temperature and a current density of 10 to 30 ASD is used. In the step (D), the basic composition of the electrolytic solution of the other electrolytic plating bath is 90 to 120 g / l of H 2 SO 4 , Cu is 5 to 20 g / l, the temperature of the electrolytic solution is 25 to 40 ° C at room temperature, and the current density is 5 to 20 ASD.

일반적으로, 제품 제작 공정에서 동박의 표면 처리면 내열성에 따라 불량률이 다르다. Generally, the defect rate differs depending on the heat resistance of the surface treatment of the copper foil in the product manufacturing process.

제품 제작 공정은 동박과 폴리이미드 기재를 함침시키는 과정으로 350도 이상의 뜨거운 히팅롤이 사용된다. The product manufacturing process is a process of impregnating a copper foil and a polyimide substrate, and hot heating rolls of 350 degrees or more are used.

이때 동박의 표면 처리면 내열성이 약하면 동박의 산화가 발생한다.At this time, when the heat treatment of the surface treatment of the copper foil is weak, oxidation of the copper foil occurs.

이와 같은 상황에서 동박 산화가 일어난 구간에서 동박과 기재의 박리 강도가 저하되고 연성인쇄회로기판 형성시 폴리이미드와 동박 계면의 내화학성이 취약하게 되면 회로 들뜸 현상(delamination)을 야기할 수 있다.In such a situation, the peeling strength of the copper foil and the substrate may be lowered in the area where the copper foil is oxidized, and if the chemical resistance of the polyimide and the copper foil interface is weakened when the flexible printed circuit board is formed, delamination of the circuit may occur.

본 발명에 따른 전해 동박은 표면 처리면 내열성 288도에서 50초 이상의 시간이 경과해도 제품에 이상이 없다.The electrodeposited copper foil according to the present invention has no abnormality in the product even after a time of 50 seconds or more at 288 degrees in surface heat resistance.

특히, 본 발명에 따른 전해 동박은 색차계에 의한 (a+b)/L이 0.45~0.5일때 288도에서 변색 시간이 50초 이상에서 270초에 이르러 더욱더 향상된 내열성을 나타낸다. In particular, the electrodeposited copper foil according to the present invention exhibits further improved heat resistance when the (a + b) / L by the colorimetric method is 0.45 to 0.5, and the discoloration time reaches 288 ° C for more than 50 seconds to 270 seconds.

또한, 본 발명에 따르면 노듈 형상에 따른 균일 도금량 도출이 용이하다.Further, according to the present invention, it is easy to derive the uniform plating amount according to the nodule shape.

그리고, 본 발명에 따르면 균일한 배리어층 도금으로 내열성, 내화학성 특성이 향상된다.According to the present invention, the uniform barrier layer plating improves heat resistance and chemical resistance.

또한, 본 발명에 따르면 도금 균일성에 의한 제품의 배리어 도금량 편차를 최소화하는 것도 가능하다.Further, according to the present invention, it is also possible to minimize the variation of the barrier plating amount of the product due to the plating uniformity.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 전해 동박 제조 방법의 흐름도이다.
도 2는 도 1 의 제박 공정에 사용되는 제박 장치의 구성도이다.
도 3은 도 1 의 노듈 처리 공정과 표면 처리 공정에 사용되는 전해 도금 장치의 구성도이다.
도 4a는 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 전해 동박의 단면도이고, 도 4b는 도 4a의 노듈층의 평면도이고, 도 4c와 도 4d는 도 4b의 A-A'선에 따른 단면도이다.
도 5는 본 발명이 동박의 내열성을 시험하기 위한 디핑기의 촬영된 영상이다.
도 6은 본 발명의 동박의 내열성을 판단하기 위한 색변화를 감지하기 위해 사용하는 색차계를 나타내는 도면이다.
1 is a flowchart of an electrolytic copper foil manufacturing method according to a preferred embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a configuration diagram of the washer-washing device used in the balding process of Fig.
3 is a configuration diagram of an electrolytic plating apparatus used in the nodule treatment process and the surface treatment process of FIG.
4A is a cross-sectional view of an electrolytic copper foil according to an embodiment of the present invention, FIG. 4B is a plan view of the nodule layer of FIG. 4A, and FIGS. 4C and 4D are cross-sectional views taken along line A-A 'of FIG.
5 is a photographed image of a dipping machine for testing the heat resistance of a copper foil according to the present invention.
6 is a view showing a color difference meter used for detecting a color change for judging the heat resistance of the copper foil of the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 이하에서는 특정 실시예들을 첨부된 도면을 기초로 상세히 설명하고자 한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.

본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니며, 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms, and the terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another Is used.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 전해 동박 제조 방법의 흐름도이다.1 is a flowchart of an electrolytic copper foil manufacturing method according to a preferred embodiment of the present invention.

도 1 을 참조하면, 본 발명의 바람직한 일실시 예에 따른 전해 동박의 제조 방법은, 제박 처리를 수행하여 원박을 제조하는 제박 공정(S100)과, 제박 공정을 통해 제조된 원박의 매트면(M면)에 구리를 도금하여 다수의 노듈 구조를 형성하는 노듈 처리 공정(S200)과, 구리 노듈 구조 위에 무기-금속 혼합물로 이루어진 배리어층을 형성하여 물리적, 화학적 특성을 강화하는 표면 처리 공정(S300)을 포함한다.1, a method of manufacturing an electrolytic copper foil according to a preferred embodiment of the present invention includes: a lumbering step (S100) of producing a raw material foil by performing a lump processing; a matte surface (M A surface treatment step (S300) of forming a barrier layer made of an inorganic-metal mixture on the copper nodule structure to enhance physical and chemical properties, a nodule treatment step (S200) of forming a plurality of nodule structures by plating copper on the copper nodule surface, .

이와 관련하여, 도 2에는 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 전해 동박을 제조하기 위한 원박의 제박 장치의 개략적인 구성이 도시되어 있다.In this regard, FIG. 2 shows a schematic configuration of a stripping apparatus for an original foil for manufacturing an electrolytic copper foil according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 제박 장치는 전해액(10)이 지속적으로 공급되는 용기(C)와, 용기(C) 내에 회전 가능하게 설치된 음극 드럼(20)과, 용기(C) 내에서 드럼(20)으로부터 이격되어 설치된 애노드(30)를 포함한다.Referring to FIG. 2, an anti-skimming device according to a preferred embodiment of the present invention includes a container C in which an electrolyte 10 is continuously supplied, a cathode drum 20 rotatably installed in the container C, (30) spaced apart from the drum (20) within the drum (C).

먼저, 제박 장치는 본체 원박(100)을 제조하는 제박 공정시 회전드럼(20)은 화살표 방향으로 회전하고, 음극 드럼(20)과 애노드(30)에는 전원이 공급되어 전해액(10)을 매개로 하여 전류가 흐름으로써 도금 과정이 진행된다. The drum drum 20 rotates in the direction of the arrow and the electric power is supplied to the anode drum 20 and the anode 30 to be supplied to the drum 30 through the electrolyte 10 So that the plating process proceeds.

드럼(20) 표면에 도금된 본체 원박(100)은 가이드 롤(50)에 의해 권취(take up) 된다.The main body blank 100 plated on the surface of the drum 20 is taken up by the guide roll 50.

상기 전해 동박을 석출(析出)시키는 전해액으로서는 황산 구리 도금액이나, 피로린산 구리 도금액이나 슬파민산 구리 도금액 등이 있지만, 비용 등을 생각하면 황산 구리 도금액이 매우 적합하다.Examples of the electrolytic solution for precipitating the electrolytic copper foil include a copper sulfate plating solution, a copper pyrophosphate plating solution, and a copper slurry plating solution. However, considering the cost, the copper sulfate plating solution is very suitable.

상기 전해액(10)의 기본 조성은 H2SO4가 50 ~ 200 g/l, Cu2 + 30 ~ 150 g/l, Cl- 2~200㎎/l 이하이다. 전해액의 온도는 상온 ~ 80℃이며, 전류밀도는 10 ~ 80 ASD가 적당하다. 그리고, TOC(전체 유기탄소)가 50ppm 이하인 것이 바람직하다. The basic composition of the electrolytic solution 10 is 50-200 g / l of H 2 SO 4 , 30-150 g / l of Cu 2 + and 2-200 mg / l of Cl - 2. The temperature of the electrolytic solution is from room temperature to 80 ° C, and the current density is suitably from 10 to 80 ASD. It is preferable that TOC (total organic carbon) is 50 ppm or less.

전해액(10)은 황산구리를 주성분으로 하고, 전해 동박의 조도를 낮추고 인장 강도를 증대시키기 위해 젤라틴 이외에도 HEC, SPS 및 티오요소(thio urea)를 전해액에 더 첨가한다.In addition to gelatin, HEC, SPS and thio urea are further added to the electrolytic solution in order to lower the illuminance of the electrolytic copper foil and increase the tensile strength.

상기 젤라틴의 첨가량은 바람직하게는 0.1 ~ 100 g/l 이며, 보다 바람직하게는 1 ~ 10 g/l 이며, 더욱 더 바람직하게는 2~ 5 g/l 이다. 젤라틴이 0.1 g/l 이하로 첨가되면 미세한 초기조직을 얻을 수 있으나, 전해 동박의 성장을 촉진시켜 조대한 조직의 전해 동박이 얻어지고 이렇게 조대한 조직은 높은 피크 높이를 가지게 되어 결국 원하는 저조도의 동박을 얻을 수 없다. 젤라틴이 100 g/l 이상 첨가되면 조대 성장을 억제하여 저조도의 동박을 얻을 수 있으나, 미세 회로 형성시의 또 다른 주요 특성 중의 하나인 고온 연신율 (HTE; High Temperature Elongation, 180℃에서 측정) 특성이 현저하게 떨어지는 단점을 가지게 된다.The amount of the gelatin to be added is preferably 0.1 to 100 g / l, more preferably 1 to 10 g / l, still more preferably 2 to 5 g / l. When gelatin is added at a concentration of 0.1 g / l or less, a fine initial structure can be obtained, but the electrolytic copper foil of the coarse tissue is obtained by promoting the growth of the electrolytic copper foil. The coarse tissue thus has a high peak height, Can not be obtained. When gelatin is added at 100 g / l or more, coarse growth can be suppressed to obtain a low-brightness copper foil. However, high temperature elongation (HTE) characteristics measured at 180 ° C It has a drawback of remarkably falling down.

상기 젤라틴의 분자량은 10000 이상인 것이 바람직하다. 분자량이 10000이상이면, 젤라틴과 타 첨가제와의 교호 작용이 원활하게 이루어져 저조도 동박의 제조가 가능하다.The molecular weight of the gelatin is preferably 10,000 or more. If the molecular weight is 10,000 or more, the interaction between gelatin and other additive can be smoothly carried out, thereby making it possible to manufacture a low-light-weight copper foil.

상기 HEC의 첨가량은 바람직하게는 0.05 ~ 50 g/l 이며, 보다 바람직하게는 0.5 ~ 5 g/l 이며, 더욱 더 바람직하게는 1~ 3 g/l 이다. HEC는 SPS 및 젤라틴과 교호 작용을 하여 안정된 저조도의 동박을 제조하는 역할을 한다. HEC가 0.05 g/l 이하로 첨가되면 교호 작용 능력이 떨어져 균일하지 않은 전해 동박이 제조 된다. 그리고, 50 g/l 이상 첨가되면 전해 동박에 동분을 석출시키는 역할을 하여 인쇄회로기판 제조시 동이 잔류하는 등 불량의 원인을 제공한다.The amount of the HEC added is preferably 0.05 to 50 g / l, more preferably 0.5 to 5 g / l, still more preferably 1 to 3 g / l. HEC has a role to work with SPS and gelatin to produce stable low-light copper foil. When HEC is added below 0.05 g / l, electrolytic copper foil is produced which is not uniform in performance due to alternating action. If added more than 50 g / l, it will cause copper foil to deposit on the electrolytic copper foil, which will cause the copper to remain in the manufacturing process of the printed circuit board.

상기 SPS의 첨가량은 바람직하게는 0.05 ~ 20 g/l 이며, 보다 바람직하게는 0.1 ~ 10 g/l 이며, 더욱 더 바람직하게는 0.5 ~ 3 g/l 이다. SPS는 여러 가지 도금 시 광택제(brightener)로 사용되는 물질이며, HEC와 젤라틴과의 교호 작용을 통해 도금 조직의 조도를 낮추는 주 역할을 담당한다. SPS가 0.05 g/l 이하로 첨가되면 교호 작용 능력이 떨어져 조도가 높은 균일하지 않은 전해 동박이 제조된다. 그리고, 20 g/l 이상 첨가하는 것은 특별한 역할 없이 비용만 증가시키게 되어 바람직하지 않다.The amount of SPS to be added is preferably 0.05 to 20 g / l, more preferably 0.1 to 10 g / l, still more preferably 0.5 to 3 g / l. SPS is a material used as a brightener in various plating processes and plays a role of lowering the illuminance of the plating structure through the interaction of HEC and gelatin. When SPS is added below 0.05 g / l, non-uniform electrolytic copper foil with high roughness is produced because of the alternating action ability. Addition of 20 g / l or more is not preferable because it increases the cost without any special role.

상기 티오요소의 첨가량은 바람직하게는 0.01 ~ 20 g/l 이며, 보다 바람직하게는 0.1 ~ 5 g/l 이며, 더욱 더 바람직하게는 0.6 ~ 1.0 g/l 이다. 티오요소는 도금시 도금층내에 석출상을 형성하여 도금층의 기계적 강도를 향상시키기 위해 사용되는 물질이다. 티오요소가 0.01 g/l 이하로 첨가되면 석출상의 형성이 떨어져 기계적 강도가 향상되는 효과를 나타내는 전해 동박의 제조가 어렵다. 그리고, 20 g/l 이상 첨가하면 과도한 석출상에 의한 동박의 상온 및 고온 연신률의 급격한 감소로 동박이 쉽게 부서지는 현상이 발생하는 등 기계적 특성을 악화 시키게 되어 바람직하지 않다.The addition amount of the thiourea is preferably 0.01 to 20 g / l, more preferably 0.1 to 5 g / l, still more preferably 0.6 to 1.0 g / l. The thiourea is a material used for improving the mechanical strength of the plating layer by forming a precipitated phase in the plating layer during plating. When the thiourea is added at a concentration of 0.01 g / l or less, it is difficult to produce an electrolytic copper foil which has an effect of reducing the formation of precipitates and improving the mechanical strength. If it is added in an amount of more than 20 g / l, the copper foil easily breaks due to a rapid decrease in the room temperature and high temperature elongation of the copper foil due to the excessive precipitation phase.

아래 표 1은 이와 같은 제박 장치에서 제작된 원박의 실시예 1 내지 4를 나타내며, 상기 전해액(10)의 기본 조성은 H2SO4가 130 g/l, Cu2 + 가 100 g/l, Cl- 가 20㎎/l 이다. 전해액의 온도는 상온 48℃이며, 전류밀도는 42ASD이다. 이처럼 제박 공정에서는 모든 조건을 동일하게 하였으며, 다만 공정 선속은 10 내지 15mpm 에서 다양하게 채택되었다. 아울러, 비교예 1 내지 7도 표1에 포함되어 있다.The basic composition of the electrolytic solution 10 is 130 g / l of H 2 SO 4 , 100 g / l of Cu 2 + , 100 g / l of Cu 2 + - is 20 mg / l. The temperature of the electrolytic solution was 48 ° C at room temperature, and the current density was 42 ASD. In this way, all the conditions were the same in the stamping process, but the process line speed was varied from 10 to 15 mpm. In addition, Comparative Examples 1 to 7 are also included in Table 1.

구분

division

제박공정Stamping process 공정
선속

fair
Speed

전해액Electrolyte 첨가제additive 온도Temperature 전류밀도Current density H2SO4 H 2 SO 4 ClCl CuCu SPCSPC HECHEC 젤라틴gelatin 단위unit g/ℓg / l g/ℓg / l mg/ℓmg / l mg/ℓmg / l mg/ℓmg / l mg/ℓmg / l ASDASD mpmmpm 실시예1Example 1 130130 2020 100100 66 22 3.53.5 4848 4242 1010 실시예2Example 2 130130 2020 100100 66 22 3.53.5 4848 4242 1212 실시예3Example 3 130130 2020 100100 66 22 3.53.5 4848 4242 1212 실시예4Example 4 130130 2020 100100 66 22 3.53.5 4848 4242 1212 비교예1Comparative Example 1 130130 2020 100100 66 22 3.53.5 4848 4242 1111 비교예2Comparative Example 2 130130 2020 100100 66 22 3.53.5 4848 4242 1515 비교예2Comparative Example 2 130130 2020 100100 66 22 3.53.5 4848 4242 1212 비교예4Comparative Example 4 130130 2020 100100 66 22 3.53.5 4848 4242 1212 비교예5Comparative Example 5 130130 2020 100100 66 22 3.53.5 4848 4242 1010 비교예6Comparative Example 6 130130 2020 100100 66 22 3.53.5 4848 4242 1212 비교예7Comparative Example 7 130130 2020 100100 66 22 3.53.5 4848 4242 1515

다음으로, 원박에 노듈 처리 공정을 수행하고, 이어서 표면 처리 공정을 수행한다. 이를 위하여 도 3은 노듈층을 형성하기 위한 제1 전해 도금조(210)와 제 2 전해 도금조(220)를 포함하며, 배리어층을 형성하기 위한 제3 전해 도금조(230) 내지 제5 전해 도금조(250)를 포함하는 전해 동박 제조 장치를 개시하고 있다.Next, a nodule treatment process is performed on the raw paper, followed by a surface treatment process. 3 illustrates a first electrolytic plating tank 210 and a second electrolytic plating tank 220 for forming a nodular layer and includes a third electrolytic plating bath 230 to a fifth electrolytic plating bath 230 for forming a barrier layer, And an electrolytic copper foil manufacturing apparatus including a plating bath (250).

상기 제1 전해 도금조(210)와 제2 전해 도금조(220)에 의해 수행되는 본 발명의 노듈 처리 공정은 원박의 표면에 노듈층(nodule)을 형성시킨다. 원박에 노듈층을 형성시키는 것은 추후 동박 적층체 제조시 수지층과의 기계적 접착력을 높이기 위한 것이다. The nodule treatment process of the present invention, which is performed by the first electroplating tank 210 and the second electroplating tank 220, forms a nodule on the surface of the raw paper. Formation of a nodular layer on the raw paper is intended to enhance mechanical adhesion with the resin layer in the production of the copper-clad laminate.

여기서 원박에 노듈층을 형성시키는 방법은 조화처리, 에칭처리(화학 에칭 또는 전해 에칭), 산화처리(Brown oxide, Black oxide)하는 방법 등을 들 수 있다. 그 중에서도 노듈층 형성이 유리한 조화처리를 사용하는 것이 바람직하다.Here, the method of forming the nodular layer on the raw paper may include a method of roughening treatment, etching treatment (chemical etching or electrolytic etching), and oxidation treatment (Brown oxide, Black oxide). Among them, it is preferable to use a harmonic treatment which is advantageous for forming a nodular layer.

구체적으로 노듈 처리 공정은 제1 전해 도금조(210)에 구리(Cu)를 포함하는 전해액에 원박을 투입한 후 일정 전류 밀도 이상에서 도금을 실시하여 원박의 표면에 금속핵을 생성시키고 이를 제2 전해 도금조(220)를 이용하여 성장(Capsulation)시키는 것이다. 이때, 생성된 금속핵을 성장시키는 과정은 금속핵을 생성시키는 온도보다 더 높은 온도에서 이루어지며, 전해액은 금속핵을 생성시키는 전해액의 농도보다 진한 것을 사용한다.Specifically, in the nodule treatment process, a raw material is charged into an electrolytic solution containing copper (Cu) in the first electroplating vessel 210, and then plating is performed at a constant current density or higher to generate metal nuclei on the surface of the raw material, And is then capped by using the electrolytic plating tank 220. At this time, the process of growing the metal nuclei is performed at a temperature higher than the temperature at which metal nuclei are generated, and the electrolyte is thicker than the concentration of the electrolytic solution that generates metal nuclei.

이중 상기 노듈 형성에서는, 상기 제1 전해 도금조(210)의 상기 전해액의 기본 조성은 H2SO4가 60 ~150 g/l, Cu2 +가 5~ 20 g/l다. 바람직하게 상기 전해액의 기본 조성은 H2SO4가 90 ~120 g/l다. 전해액의 온도는 상온 25~40℃이며, 전류밀도는 약 5~20 ASD의 전류밀도를 사용하는 것이 노듈의 형성에 바람직하다.In the nodule formation, the basic composition of the electrolytic solution of the first electrolytic plating bath 210 is 60 to 150 g / l of H 2 SO 4 and 5 to 20 g / l of Cu 2 + . Preferably, the basic composition of the electrolytic solution is 90 to 120 g / l of H 2 SO 4 . The temperature of the electrolytic solution is in the range of room temperature to 25 to 40 ° C, and the current density is preferably in the range of about 5 to 20 ASD.

그리고 상기 노듈 성장에서는, 상기 제2 전해 도금조(220)의 상기 전해액의 기본 조성은 H2SO4가 60 ~ 150 g/l, Cu2 + 가 10 ~ 90 g/l다. 바람직하게 상기 전해액의 기본 조성은 H2SO4가 90 ~120 g/l, Cu2 + 가 30 ~ 55 g/l다. 전해액의 온도는 상온 35~ 55℃이며, 약 10~30 ASD의 전류밀도를 사용하는 것이 노듈의 성장에 바람직하다. In the nodule growth, the basic composition of the electrolytic solution of the second electroplating vessel 220 is 60 to 150 g / l of H 2 SO 4 and 10 to 90 g / l of Cu 2 + . Preferably, the basic composition of the electrolytic solution is 90 to 120 g / l of H 2 SO 4 and 30 to 55 g / l of Cu 2 + . The temperature of the electrolytic solution is 35 to 55 ° C at room temperature, and it is preferable to use a current density of about 10 to 30 ASD for the growth of the nodules.

이와 같은 과정에서 제1 전해 도금조(210)를 사용하여 제1 구리 노듈층을 형성할 때에 전류밀도를 5~20ASD를 사용하고, 이후의 제2 전해 도금조(220)를 사용하여 구리 노듈층을 형성할 때에 전류 밀도를 10~30ASD를 사용한다. 이 경우 원박의 표면에 평행한 방향의 노듈 입자의 장축을 가로(xmax)라 하고 원박의 표면에 수직한 방향의 노듈 입자의 장축을 세로(ymax)라 할 때 노듈 입자의 가로(xmax)와 세로(ymax)의 보정 장평(일반적으로 가로 세로 비율을 "장평"이라고 할 수 있는데 이를 약간 변형한 (세로-가로)/세로의 비율을 본 발명의 명세서에서는 "보정 장평"이라고 부르기로 한다)[(ymax-xmax)/ymax]가 음의 값을 가지는 다수의 노듈 입자가 총노듈 입자수 대비 70% 이상에서 100%이하의 범위를 가지는 제2 구리 노듈층이 형성되어 전반적으로 넓은 표면적의 제2 구리 노듈층을 얻을 수 있다. 바람직하게, 제2 구리 노듈층에 있어서 보정 장평이 음의 값을 가지는 다수의 노듈 입자가 총노듈 입자수 대비 80%이상에서 100%이하의 범위를 갖는 것이 좋다.In this process, a current density of 5 to 20 ASD is used for forming the first copper layer by using the first electroplating vessel 210, and the copper plating layer A current density of 10 to 30 ASD is used. In this case, when the long axis of the nodule particle in the direction parallel to the surface of the raw paper is referred to as transverse (xmax) and the long axis of the nodule particle in the direction perpendicular to the surface of the original is defined as longitudinal (ymax) (the aspect ratio can be referred to as " rectangle ", which is referred to as " correction rectangle "in the specification of the present invention) ymax-xmax) / ymax] of the first copper layer is in the range of 70% to 100% of the total number of nodules in the second copper layer, A nodular layer can be obtained. Preferably, in the second copper layer, a plurality of nodular particles having a negative correction value in a range of from 80% to 100% of the total number of nodule particles.

이와 관련하여 표 2는 실시예 1 내지 4는 H2SO4가 150g/l이고, Cu가 14g/l이며, 온도가 26도이고, 전류 밀도가 20ASD이하인 상태에서 제1 구리 노듈층을 형성하는 공정 조건을 보여주며, 비교예 1내지 7은 동일 조건에서 전류 밀도가 21ASD이상인 상태에서 제1 구리 노듈층을 형성하는 공정 조건을 보여준다. In this connection, in Table 2, the first to fourth embodiments show that the first copper layer is formed in a state where H 2 SO 4 is 150 g / l, Cu is 14 g / l, the temperature is 26 ° and the current density is 20 ASD or less And Comparative Examples 1 to 7 show process conditions for forming a first copper layer under the same conditions with a current density of 21 ASD or more.

실시예 1 내지 4와 비교예 1 내지 7은 제2 구리 노듈층을 형성하는 공정 조건은 동일하다.In Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 7, the process conditions for forming the second copper layer were the same.

구분division 노듈 형성 공정Nodule formation process 제1 구리 노듈층Primary copper layer 제2 구리 노듈층Secondary copper layer 전해액Electrolyte 온도
Temperature
전류밀도Current density 전해액Electrolyte 온도
Temperature
전류밀도
Current density
H2SO4 H 2 SO 4 CuCu 전류밀도Current density H2SO4 H 2 SO 4 CuCu 단위unit g/ℓg / l g/ℓg / l Degree ASDASD g/ℓg / l g/ℓg / l  Degree ASDASD 실시예1Example 1 150150 1414 2626 1717 9090 8585 5555 1616 실시예2Example 2 150150 1414 2626 1717 9090 8585 5555 1616 실시예3Example 3 150150 1414 2626 1313 9090 8585 5555 1616 실시예4Example 4 150150 1414 2626 88 9090 8585 5555 1616 비교예1Comparative Example 1 150150 1414 2626 2222 9090 8585 5555 1616 비교예2Comparative Example 2 150150 1414 2626 2323 9090 8585 5555 1616 비교예3Comparative Example 3 150150 1414 2626 2323 9090 8585 5555 1616 비교예4Comparative Example 4 150150 1414 2626 2525 9090 8585 5555 1616 비교예5 내지 7Comparative Examples 5 to 7 150150 1414 2626 3333 9090 8585 5555 1616

다음으로, 표면 처리 공정은 니켈 도금, 아연 도금 및 크롬 도금으로 이루어져 있다.Next, the surface treatment process is composed of nickel plating, zinc plating and chromium plating.

이를 위해 제3 전해 도금조(230)에는 내열성을 비롯하여 내산성 및 내부식성이 뛰어난 니켈(Ni) 합금성분을 포함하는 도금액이 담긴다. 도금액 내에서 니켈(Ni)은 이온상태로 존재했다가 전해에 의한 석출시 금속 또는 합금형태로 구리 노듈 위에 도금된다.To this end, the third electrolytic plating bath 230 contains a plating solution containing a nickel (Ni) alloy component excellent in heat resistance and excellent in acid resistance and corrosion resistance. In the plating solution, nickel (Ni) exists in the ion state, and is deposited on the copper nodule in the form of metal or alloy upon precipitation by electrolysis.

니켈 성분에 의해 제공되는 상기 물리적, 화학적 특성을 보다 강화하기 위해 인쇄회로용 동박 도금장치에는 아연(Zn) 또는 아연(Zn) 합금 성분을 포함하는 도금액이 담기는 제4 전해 도금조(240)와, 크롬(Cr) 또는 크롬(Cr) 합금 성분을 포함하는 도금액이 담기는 제5 전해 도금조(250)가 더 구비된다.In order to further enhance the physical and chemical characteristics provided by the nickel component, the copper plating apparatus for a printed circuit includes a fourth electrolytic plating bath 240 containing a plating solution containing zinc (Zn) or zinc (Zn) , Chromium (Cr), or chromium (Cr) alloy components is contained in the fifth electrolytic plating bath 250.

제 3 전해 도금조(230)에 수용되는 도금액 중의 니켈 함량은 1~20g/l으로 설계될 수 있다. 여기서, 도금액의 pH는 12, 온도는 상온 ~ 80℃를 유지하는 것이 바람직하다. 전류 밀도는 0.1~10ASD를 유지하는 것이 바람직하다. 피로린산 칼륨은 10~90g/l를 유지하는 것이 바람직하다. 이러한 상태에서 니켈 도금을 실시하면 종래 기술에보다 노듈층의 표면적이 넓고 균일하기 때문에 똑 같은 높이를 가지고 있어도 더 많은 양이 도금된다. 그 결과 내열성이 향상된다. The nickel content in the plating solution contained in the third electrolytic plating bath 230 can be designed to be 1 to 20 g / l. Here, the pH of the plating solution is preferably 12, and the temperature is preferably maintained at a room temperature to 80 ° C. It is preferable that the current density is maintained at 0.1 to 10 ASD. It is preferable that potassium pyrophosphate is maintained at 10 to 90 g / l. When nickel plating is performed in this state, since the surface area of the nodule layer is larger and uniform than in the prior art, a larger amount is plated even if the nickel layer has the same height. As a result, heat resistance is improved.

제 4 전해 도금조(240)에 수용되는 도금액 중의 아연 함량은 1~20g/l으로 설계될 수 있다. 여기서, 도금액의 pH는 12, 온도는 상온~80℃를 유지하는 것이 바람직하다. 전류밀도는0.1~10ASD 를 유지하는 것이 바람직하다. 피로린산 칼륨은 10~90g/l를 유지하는 것이 바람직하다. 이러한 상태에서 아연 도금을 실시하면 종래 기술에서보다 노듈층의 표면적이 넓고 균일하기 때문에 똑같은 높이를 가지고 있어도 더 많은 양이 도금된다. 그 결과 내열성이 향상된다. The zinc content in the plating solution contained in the fourth electroplating bath 240 may be designed to be 1 to 20 g / l. Here, the pH of the plating solution is preferably 12, and the temperature is preferably maintained at a room temperature to 80 ° C. The current density is preferably maintained at 0.1 to 10 ASD. It is preferable that potassium pyrophosphate is maintained at 10 to 90 g / l. When zinc plating is performed in this state, since the surface area of the nodule layer is larger and uniform than in the prior art, a larger amount of zinc is plated even though the same height is provided. As a result, heat resistance is improved.

제5 전해 도금조(250)에 수용되는 도금액 중의 크롬 함량은 1~20g/l으로 설계될 수 있다. 여기서, 도금액의 pH는 2~20, 온도는 상온~80℃를 유지하는 것이 바람직하며, 전류 밀도는 0.1~10ASD를 유지하는 것이 바람직하다. 이러한 조건에서 크롬 도금을 실시하면 종래 기술에서보다 노듈층의 표면적이 넓고 균일하기 때문에 똑 같은 높이를 가지고 있어도 더 많은 양이 도금된다. 그 결과 내열성이 향상된다. The chromium content in the plating solution contained in the fifth electroplating bath 250 may be designed to be 1 to 20 g / l. Here, the pH of the plating solution is preferably 2 to 20, the temperature is preferably maintained at a room temperature to 80 ° C, and the current density is preferably maintained at 0.1 to 10 ASD. When chromium plating is performed under these conditions, since the surface area of the nodule layer is larger and uniform than in the prior art, a larger amount of the chromium plating is achieved even if the height is the same. As a result, heat resistance is improved.

제박 공정에 의해 제조된 본체 원박(100)은 제1 전해 도금조(210), 제2 전해 도금조(220)를 거쳐 구리 노듈층이 형성되며, 니켈 도금조(230), 아연 도금조(240) 및 크롬 도금조(250)를 차례대로 연속적으로 통과함으로써 전기도금에 의해 배리어층이 형성된다. The main body 100 manufactured by the stamping process is formed with a copper mold layer through the first electroplating tank 210 and the second electroplating tank 220 and the nickel plating tank 230 and the zinc plating tank 240 And the chromium plating bath 250 in this order, thereby forming a barrier layer by electroplating.

여기서, 본체 원박(100)은 복수의 가이드 롤(105)에 의해 각 도금조 내부로 유도되고 최종적으로 와인딩롤(106)에 권취된다. 각 도금조 내부에 배치되는 가이드 롤(105)은 전기도금을 위해 해당 도금액에 인가되는 극성에 대응하는 극성의 전극이 연결되어 통전이 이루어진다.Here, the main body blank 100 is guided into the respective plating baths by a plurality of guide rolls 105 and finally wound on the winding rolls 106. The guide roll 105 disposed inside each plating tank is electrically connected to electrodes of a polarity corresponding to the polarity applied to the plating liquid for electroplating.

상기와 같이 표면 처리된 전해 동박에는 동박과 절연제간의 밀착력을 확보하기 위하여 실란커플링제를 더 도포할 수 있다. 상기 실란 커플링제는 당업계에서 통상 사용하는 성분을 사용할 수 있음은 물론이며, 예를 들어 작용기가 에폭시(epoxy), 머캅탄(mercaptan), 비닐(vinyl), 아미노(amino)계 등인 실란 커플링제를 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 이때, 상기 실란 커플링제는 절연제와의 화학적 결합을 함으로써 동박과 절연제간의 접착력을 향상시킬 수 있는 것이다.The surface-treated electrolytic copper foil may further be coated with a silane coupling agent to secure adhesion between the copper foil and the insulating material. The silane coupling agent may be a conventional silane coupling agent, for example, a silane coupling agent in which the functional group is epoxy, mercaptan, vinyl, Can be used alone or in combination. At this time, the silane coupling agent can chemically bond with the insulating material to improve the adhesion between the copper foil and the insulating material.

이때, 표면 처리 공정과 실란커플링제 처리 공정 조건의 일예로, 실시예1 내지 4와 비교예 1 내지 7 모두, 니켈 배리어층은 전해액의 Ni이 3.5g/ℓ이고, 피로린산은 45g/ℓ이며, 온도는 30도이고, 전류 밀도는 1ASD이며, 아연 배리어층은 전해액의 Zn이 2.4g/l이고, 피로린산은 45g/l이며, 온도는 30도이고, 전류 밀도는 1ASD이며, 크롬 배리어층은 전해액의 Cr이 2g/l이고, PH가 12.6g/l이며, 온도는 26도이고, 전류 밀도는 1ASD이며, 실란커플링제는 Zn이 1.7g/ℓ이다At this time, as examples of the surface treatment process and the conditions of the silane coupling agent treatment process, in all of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 7, the nickel barrier layer had 3.5 g / l of Ni of the electrolytic solution and 45 g / l of pyrophosphoric acid , The temperature is 30 degrees Celsius, the current density is 1 ASD, the zinc barrier layer has the Zn of 2.4 g / l of the electrolytic solution, 45 g / l of pyrophosphoric acid, the temperature of 30 degrees, the current density of 1 ASD, The electrolyte had a Cr of 2 g / l, a PH of 12.6 g / l, a temperature of 26 °, a current density of 1 ASD, and a silane coupling agent of 1.7 g / l of Zn

도 4a 는 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 전해 동박 도금장치에 의해 제작된 전해 동박의 구성이 도시되어 있고, 도 4b는 도 4a의 노듈층의 평면도이며, 도 4c와 도 4d는 도 4b의 A-A'선에 따른 확대단면도이다. 4A is a plan view of the electrolytic copper foil fabricated by the electrolytic copper foil plating apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, FIG. 4B is a plan view of the nodular layer of FIG. 4A, and FIGS. A-A 'of Fig.

도 4a에 도시된 바와 같이 인쇄회로용 동박은 본체 원박(300)과, 본체 원박(300)의 M면 위에 형성되는 제1 구리 노듈층(310)과 제2 구리 노듈층(320)으로 이루어진 노듈층(310, 320)과, 노듈층(310,320) 위에 형성된 형성된 니켈(Ni), 아연(Zn), 크롬(Cr) 등의 성분을 포함하는 배리어층(330~350)을 포함한다.4A, the copper foil for a printed circuit includes a main body 300, a first copper layer 310 formed on the M-plane of the main body 300, and a second copper layer 320 formed of a second copper layer And barrier layers 330 to 350 formed on the nodule layers 310 and 320 and including components such as nickel (Ni), zinc (Zn), and chrome (Cr).

인쇄회로용 동박에 요구되는 접착력 등의 물리적 특성을 감안할 때 본체 원박(300)의 표면조도(Rz)는 0.2㎛~1㎛인 것이 바람직하며, 더 바람직하게는 0.3㎛~0.8㎛이다. 또한, 본체 원박(300)의 두께는 5~105㎛인 것이 바람직하다.The surface roughness Rz of the main body green 300 is preferably 0.2 탆 to 1 탆, more preferably 0.3 탆 to 0.8 탆 in consideration of the physical properties such as the adhesive strength required for the copper foil for a printed circuit. The thickness of the main body blank 300 is preferably 5 to 105 mu m.

그리고, 제1 구리 노듈층(310)과 제2 구리 노듈층(320)이 이루는 표면 조도(Rz)는 0.2~4㎛인 것이 바람직하다. 더 바람직하게는 0.3㎛~3㎛이다.The surface roughness Rz of the first copper layer 310 and the second copper layer 320 is preferably 0.2 to 4 탆. More preferably 0.3 mu m to 3 mu m.

이때, 제1 구리 노듈층(310)과 제2 구리 노듈층(320)은 제1 전해 도금조(210)를 사용하여 구리 노듈층을 형성할 때에 전류밀도를 5~20ASD를 사용하면, 도 4b 내지 도 4d에 도시된 바와 같이 제1 구리 노듈층이 형성되고 이후의 제2 전해 도금조(220)를 사용하여 제2 구리 노듈층을 형성할 때에 전류 밀도를 10~30ASD를 사용하면, 노듈 입자의 보정 장평[(ymax-xmax)/ymax]이 음의 값을 가지는 다수의 노듈 입자가 총노듈 입자수 대비 70% 이상에서 100%이하의 범위를 제2 구리 노듈층이 형성되어 전반적으로 넓은 표면적의 구리 노듈층을 얻을 수 있다.When the current density is 5 to 20 ASD when the copper layer is formed using the first electroplating bath 210, the first copper layer 310 and the second copper layer 320 are formed as shown in FIG. 4B 4D, if the current density is 10 to 30 ASD when the first copper layer is formed and the second copper plating layer is formed using the second electroplating tank 220, (Ymax-xmax) / ymax] of the nodules having a negative value in the range of 70% or more to 100% or less of the total number of nodules in the second copper layer, Can be obtained.

여기에서, 제2 구리 노듈층의 원박의 표면에 평행한 방향을 가로(x)라 할 때 도 4c에 도시된 바와 같이 노듈 입자마다 길이가 다른 다수의 가로(x11~x12, x21~x24, x31~x32, x41~x43)를 갖는다. 따라서 각 노듈 입자마다 이러한 여러 개의 가로 길이중에서 가장 긴 길이를 갖는 장축의 가로를 xmax로 선택하여 이를 기준으로 삼는다. 일예로, 도 4c에서 왼쪽에서 첫번째 노듈입자의 장축의 가로는 x121이며 이를 xmax로 하고, 두번째 노듈 입자의 장축의 가로는 x23이며 이를 xmax로 하며, 세번째 노듈 입자의 장축의 가로는 x31이며 이를 xmax로 하며, 네번째 노듈 입자의 장축의 가로는 x43이며 이를 xmax로 한다.Here, when a direction parallel to the surface of the raw paper of the second copper layer is defined as a width (x), as shown in FIG. 4C, a plurality of widths (x11 to x12, x21 to x24, x31 to x32, x41 to x43). Therefore, for each nodule particle, xmax is selected as the longest axis having the longest length among these multiple widths. For example, in FIG. 4C, the width of the long axis of the first nodule particle is x121, and the length of the long axis of the third nodule particle is x31, and the width of the long axis of the second nodule particle is x23, , And the width of the long axis of the fourth nodule particle is x43, which is expressed as xmax.

이와 유사하게, 제2 구리 노듈층의 원박의 표면에 수직한 방향을 세로(y)라 할 때 도 4d에 도시된 바와 같이 노듈 입자마다 길이가 다른 다수의 세로 (y11~y13, y21~y24, y31~y32, y41~y44)를 갖는다. 따라서 각 노듈 입자마다 이러한 여러 개의 세로 길이중에서 가장 긴 길이를 갖는 장축의 세로를 ymax로 선택하여 이를 기준으로 삼는다. 일예로, 도 4d에서 왼쪽에서 첫번째 노듈입자의 장축의 세로는 y12이며 이를 ymax로 하고, 두번째 노듈 입자의 장축의 세로는 y23이며 이를 ymax로 하며, 세번째 노듈 입자의 장축의 세로는 y32이며 이를 ymax로 하며, 네번째 노듈 입자의 장축의 세로는 y43이며 이를 ymax로 한다.Similarly, when the direction perpendicular to the surface of the raw paper of the second copper layer is a length (y), as shown in FIG. 4 (d), a plurality of longitudinal lengths (y11 to y13, y21 to y24, y31 to y32, y41 to y44). Therefore, the length of the long axis having the longest length among the plurality of longitudinal lengths is selected as ymax for each nodule particle, and is used as a reference. For example, in FIG. 4D, the length of the long axis of the first nodule particle is y12, the length of the long axis of the third nodule particle is y32, and the length of the long axis of the second nodule particle is y23, , And the length of the long axis of the fourth nodule particle is y43, which is expressed as ymax.

한편, 배리어층(330~350)은 제1 및 제2 구리 노듈층(310,320) 위에 니켈 성분으로 도금되는 니켈 배리어층(330)과, 니켈 배리어층(330)에 형성된 아연 배리어층(340)과, 아연 배리어층에 형성된 크롬 배리어층(350)을 포함한다.The barrier layers 330 to 350 may include a nickel barrier layer 330 plated with a nickel component on the first and second copper layered layers 310 and 320 and a zinc barrier layer 340 formed on the nickel barrier layer 330, And a chromium barrier layer 350 formed on the zinc barrier layer.

상기 제1 및 제2 구리 노듈층(310, 320)에 형성된 니켈 배리어층(330)은 니켈(Ni) 성분이 폴리이미드(PI) 등의 수지 필름에 대한 접착강도와 내열성, 내염산성, 내부식성 등을 높여주는 작용을 한다.The nickel barrier layer 330 formed on the first and second copper layer layers 310 and 320 may be formed by a method in which the nickel component is bonded to a resin film such as polyimide (PI), heat resistance, And so on.

배리어층(330~350)에 있어서, 니켈 베리어층(330)은 니켈(Ni)의 도금량이 10~20mg/m2인 것이 효과적이다.In the barrier layers 330 to 350, it is effective for the nickel barrier layer 330 to have a plating amount of nickel (Ni) of 10 to 20 mg / m 2 .

아연(Zn)과 크롬(Cr) 성분은 배리어층(330~350)의 내열, 내약품성, 내산화성 등을 보다 강화시켜주는 작용을 한다.The zinc (Zn) and chromium (Cr) components enhance the heat resistance, chemical resistance, oxidation resistance, and the like of the barrier layers 330 to 350.

여기서, 아연 배리어층(340)의 아연(Zn)의 도금량은 10~20mg/m2 인 것이 효과적이며, 크롬 배리어층(350)의 크롬(Cr)의 도금량은 1~4mg/m2인 것이 효과적이다.It is effective that the plating amount of zinc (Zn) in the zinc barrier layer 340 is 10 to 20 mg / m 2 and that the chromium (Cr) plating amount of the chromium barrier layer 350 is 1 to 4 mg / m 2 to be.

배리어층(330~350) 위에는 동박에 접착되는 수지 필름과의 접착력을 향상시키기 위해 실란 커플링 에이전트(silane coupling agent)가 추가로 피막된다. 여기서, 실란(silane)으로는 에폭시계 또는 아민계가 채택되는 것이 바람직하다.On the barrier layers 330 to 350, a silane coupling agent is additionally coated to improve adhesion to the resin film adhered to the copper foil. Here, as the silane, an epoxy type or an amine type is preferably adopted.

상기와 같은 구성을 갖는 인쇄회로용 동박은 인장강도가 25kgf/mm2~35kgf/mm2범위에 있으며, 연신율이 2.0%~3.0%인 것이 바람직하다.The copper foil for a printed circuit having the above configuration preferably has a tensile strength in the range of 25 kgf / mm 2 to 35 kgf / mm 2 and an elongation of 2.0% to 3.0%.

상기 범위보다 인장 강도가 낮으면 롤투롤 공정에서 찢김이 발생되는 등의 웹성 불량 발생 가능성이 높으며 연성동박적층판의 경우에 박리강도가 저하된다.If the tensile strength is lower than the above range, there is a high possibility of occurrence of web defects such as tearing in the roll-to-roll process, and in the case of a flexible copper-clad laminate, the peel strength is lowered.

또한 연신율이 제시한 조건보다 낮을 경우에 동박의 취성이 없어져 웹 핸들링이 어렵다.In addition, when the elongation is lower than the recommended conditions, the copper foil becomes less brittle and difficult to handle the web.

또한, 배리어층(330~350)의 조도는 표면 조도(Rz)는 0.2~3㎛인 것이 바람직하다. 표면조도가 3㎛를 넘어가면 폴리이미드에 함침될 때에 함침되지 않는 부분이 나타난다.The surface roughness Rz of the barrier layers 330 to 350 is preferably 0.2 to 3 占 퐉. When the surface roughness exceeds 3 탆, a portion which is not impregnated when the polyimide is impregnated appears.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전해 동박의 내열성 측정 방법을 설명하기 위한 도면이다.5 is a view for explaining a method for measuring heat resistance of an electrolytic copper foil according to an embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 바와 같이 디핑기 납조(모델명:퀵코리아 100-15S)에 M면을 위로 하여 전해 동박을 뛰운후에, M면의 색상이 산화에 의해 검은색으로 변하는 시점을 측정한다. 이때, 이용 가능한 색차계로는 Minolta사의 CM-5가 있다. As shown in Fig. 5, the electrolytic copper foil is poured on a dipper-type solder bath (model name: Quick Korea 100-15S) with the M side up, and the time when the color of the M side changes to black by oxidation is measured. At this time, available color difference meter is CM-5 of Minolta.

상기 색차계는 표준 색시료를 기준으로 하고 그것과의 비교치를 측정하여 색차를 수량으로 나타내는 측정기기로 분광측색계라고도 한다.The colorimeter is a measuring device that measures the color difference in terms of a quantity based on a standard color sample and a comparative value with the standard color sample, and is also referred to as a spectroscopic colorimeter.

L*a*b* 색 표시계는 도 6에 도시된 바와 같이 인간 감성에 접근하기 위하여 연구된 결과로 인간이 색채를 감지하는 노랑-파랑, 초록-빨강의 반대색설에 국제조명위원회에서 정의한 색 공간으로 색 공간은 조색을 할 때 색채의 오차 범위와 방향을 쉽게 짐작하게 해서 세계적으로 가정 널리 통용된다.As shown in FIG. 6, the L * a * b * color indicator is a color space defined by the International Lighting Committee in the yellow-blue, green-red, The color space makes it easy to guess the range and direction of color when coloring, so it is widely used around the world.

상기 L*는 반사율로 인간의 시감과 같은 명도를 나타내며 1~100까지의 단계로 소수점 이하 단위로 표현한다.The L * represents a brightness as a human's sensation in terms of reflectance and is expressed in units of decimal points in steps of 1 to 100.

그리고 a*는 색도 다이어그램으로 +a*는 빨강을 -a*는 초록 방향을 나타낸다.And a * is a chromaticity diagram where + a * represents red and -a * represents green.

b*는 색도 다이어그램으로 +b*는 노랑을 -b*는 파랑 방향을 나타낸다.b * is a chromaticity diagram, where + b * denotes yellow and -b * denotes blue direction.

이때, 표 3과 4에 나타낸 바와 같이 실시예 1 내지 4의 경우에는 50초 이상에서 270초까지 되었을 때 변화되어 비교예 1 내지 7이 32초 이하에서 변화되는 것과 비교할 때에 좋은 특성을 나타냈다. 이처럼 색차계의 (a+b)/L이 0.475~0.5일때 내열성이 향상되었다.At this time, as shown in Tables 3 and 4, in Examples 1 to 4, when the time was from 50 seconds to 270 seconds, the Comparative Examples 1 to 7 showed good characteristics when compared with those which were changed within 32 seconds. The heat resistance was improved when (a + b) / L of the chromaticity system was 0.475 to 0.5.

여기에서, 제2 구리 노듈층의 노듈 입자의 크기 측정 방법은 동박의 Roll의 양폭으로부터 10mm의 간격을 두고, 각각 하나의 샘플 및 가운데 위치의 샘플을 채취(즉, 모두 3개)하였으며, 측정을 위한 샘플의 크기는 5X5mm 크기로 하였다. Here, the method for measuring the size of the nodule particles of the second copper layer was performed by taking samples of one sample and the middle position (that is, all three) at intervals of 10 mm from the width of the roll of the copper foil, The size of the sample was 5 x 5 mm.

그리고, 제2 구리 노듈층의 노듈 입자의 크기의 세부 측정 방법은 집속이온빔 장치(Focused Ion Beam: FIB)를 이용하여 분석 위치를 단면 커팅 후 전자 주사 현미경(Scanning Electron microscope: SEM)으로 20,000배에서 노듈 입자의 크기를 확인하였다.The method of measuring the size of the nodule particles of the second copper layer was performed by cutting the cross section of the analysis position using a focused ion beam (FIB) at 20,000 times using a scanning electron microscope (SEM) The size of nodule particles was confirmed.

상술한 바와 같이, 본 발명과 같이 노듈층의 노듈 입자의 보정 장평이 음의 값을 가지는 경우에는 넓은 표면적의 구리 노듈층이 형성되어 이후의 배리어층(330~350)이 고르게 분포되어 동일한 높이에서도 더 많은 도금량을 얻을 수 있어 내열성이 향상되었음을 알 수 있다.As described above, when the correction length of the nodule particles of the nodule layer is negative as in the present invention, a copper layer of a large surface area is formed so that the subsequent barrier layers 330 to 350 are evenly distributed, It can be seen that more plating amount can be obtained and heat resistance is improved.

구분
division
노듈층
(층수)
Nodular layer
(Number of floors)
중량
(g/㎡)
weight
(g / m 2)
원박Original 표면처리후
After surface treatment
전착량(mg/㎡)
Electrodeposition amount (mg / m 2)
조도(Rz)Light intensity (Rz) 조도(Ra, 최소값)Roughness (Ra, minimum value) 조도(Rz, 평균값)Light intensity (Rz, average value) 조도(Rmax,최대값)Roughness (Rmax, maximum value) ZnZn NiNi CrCr 실시예1Example 1 22 288.3288.3 0.70.7 0.310.31 1.81.8 2.42.4 1212 1010 1One 실시예2Example 2 22 291.25291.25 0.70.7 0.330.33 1.91.9 2.42.4 1010 1515 33 실시예3Example 3 22 290.27290.27 0.70.7 0.320.32 2.22.2 2.62.6 1515 1717 22 실시예4Example 4 22 289.12289.12 0.70.7 0.360.36 2.32.3 2.82.8 1919 1313 33 비교예1Comparative Example 1 22 291.23291.23 0.70.7 0.360.36 2.32.3 2.72.7 1313 2525 55 비교예2Comparative Example 2 22 292.04292.04 0.70.7 0.330.33 2.12.1 2.52.5 66 1414 66 비교예3Comparative Example 3 22 291.47291.47 0.70.7 0.340.34 2.12.1 2.62.6 33 1111 1010 비교예4Comparative Example 4 22 288.87288.87 0.70.7 0.430.43 2.32.3 2.72.7 1515 2424 1One 비교예5Comparative Example 5 22 290.91290.91 0.70.7 0.510.51 2.92.9 3.53.5 99 1212 1One 비교예6Comparative Example 6 22 292.2292.2 0.70.7 0.480.48 2.72.7 3.43.4 2222 2424 44 비교예7Comparative Example 7 22 291.1291.1 0.70.7 0.450.45 2.42.4 2.92.9 1515 2929 33

구분
division
M면 변색시간(288도)
M-side discoloration time (288 degrees)
M면M side
LL aa bb (a+b)/L
(a + b) / L
제2 구리노듈층의 (ymax-xmax)/ymax가 음의 값인 노듈 입자수의 총노듈 입자수 대비 비율(Ymax-xmax) / ymax of the second copper layer is negative relative to the total number of nodule particles
실시예1Example 1 5858 61.9761.97 16.1516.15 13.1313.13 0.470.47 78%78% 실시예2Example 2 5151 60.0360.03 16.7516.75 13.5413.54 0.500.50 73%73% 실시예3Example 3 110110 63.2363.23 15.7715.77 12.9912.99 0.450.45 87%87% 실시예4Example 4 270270 64.1864.18 15.7215.72 13.0213.02 0.450.45 92%92% 비교예1Comparative Example 1 2222 54.0254.02 18.0118.01 13.713.7 0.590.59 42%42% 비교예2Comparative Example 2 2121 54.8654.86 16.916.9 13.0513.05 0.550.55 45%45% 비교예3Comparative Example 3 2626 57.0657.06 17.2117.21 13.6213.62 0.540.54 48%48% 비교예4Comparative Example 4 1616 55.9455.94 17.0117.01 13.0813.08 0.540.54 32%32% 비교예5Comparative Example 5 2828 56.1256.12 19.4419.44 14.8514.85 0.610.61 52%52% 비교예6Comparative Example 6 3232 56.3256.32 19.4419.44 15.0415.04 0.610.61 58%58% 비교예7Comparative Example 7 1919 59.4559.45 17.8317.83 14.1314.13 0.540.54 37%37%

한편, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 전해 동박의 표면처리층에 폴리이미드(Polyimide) 수지가 부착된 구조를 가진 동박적층판이 제공된다. 폴리이미드 수지는 IC칩 본딩 등의 안정성을 위해 전해동박과 열팽창률이 유사하고 내열성이 뛰어난 특성이 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a copper-clad laminate having a structure in which a polyimide resin is adhered to a surface treatment layer of an electrolytic copper foil. The polyimide resin is similar in thermal expansion coefficient to an electrolytic copper foil and has excellent heat resistance for stability such as IC chip bonding.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면 상기 동박적층판을 구비하고, 에칭 공정에 의해 상기 동박적층판에 소정의 회로 패턴이 형성되는 인쇄회로기판이 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a printed circuit board having the copper-clad laminate and a predetermined circuit pattern formed on the copper-clad laminate by an etching process.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 또한, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이며, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 따라서, 본 발명의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 균등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. In addition, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the scope of the present invention but to limit the scope of the technical idea of the present invention. Accordingly, the scope of protection of the present invention should be construed according to the claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

10 : 전해액 20 : 음극 드럼
30 : 애노드 50 : 가이드롤
100 : 원박 310~350 : 전해 도금조
10: electrolyte solution 20: cathode drum
30: anode 50: guide roll
100: raw foil 310 to 350: electroplating bath

Claims (15)

원박;
상기 원박에 형성되고 다수의 노듈 입자를 구비한 구리 노듈층을 포함하되, 상기 다수의 노듈 입자 중 보정 장평이 음의 값을 갖는 노듈 입자는 총 노듈 입자수의 70%이상 100%이하 범위이고; 및
상기 구리 노듈층 위에 무기-금속 혼합물로 이루어진 배리어층을 포함하고,
상기 보정 장평은 상기 원박의 표면에 평행한 방향의 상기 노듈 입자의 장축을 가로라 하고 상기 원박의 표면에 수직한 방향의 상기 노듈 입자의 장축을 세로라 할 때 (세로-가로)/세로로 계산되는 것을 특징으로 하는 전해 동박.
Raw leaves;
A nodule particle formed on the raw paper and having a plurality of nodule particles and having a correction value of negative nodule particle among the plurality of nodule particles is in a range of 70% or more and 100% or less of the total number of nodule particles; And
And a barrier layer made of an inorganic-metal mixture on the copper node layer,
Wherein the correction elongation is calculated as (length-width) / length (length-width) when the long axis of the nodule particle in the direction parallel to the surface of the raw paper is transverse and the long axis of the nodule particle in the direction perpendicular to the surface of the raw- Wherein the electrolytic copper foil is a copper foil.
청구항 1항에 있어서,
상기 원박 및 상기 구리 노듈층 사이에 다수의 노듈 입자를 구비한 다른 구리 노듈층을 더 포함하는 전해 동박.
The method according to claim 1,
Further comprising another copper module layer having a plurality of nodule particles between said raw foil and said copper module layer.
청구항 1항에 있어서,
상기 구리 노듈층은
상기 다수의 노듈 입자 중 보정 장평이 음의 값을 갖는 노듈 입자가 총 노듈 입자수의 80%이상에서 100%이하 범위인 전해 동박.
The method according to claim 1,
The copper node layer
Wherein the nodule particle having a negative correction value of the plurality of nodule particles ranges from 80% to less than 100% of the total number of nodule particles.
청구항 1항에 있어서,
상기 전해 동박의 표면 색차계의 (a+b)/L이 0.45~0.5 범위에 있으며, 상기 L은 색차계의 반사율이고, a는 색도 다이어그램으로 +a*는 빨강을 -a*는 초록 방향을 나타내며, b는 색도 다이어그램으로 +b*는 노랑을 -b*는 파랑 방향을 나타내는 전해 동박.
The method according to claim 1,
(A + b) / L of the surface colorimeter of the electrolytic copper foil is in the range of 0.45 to 0.5, L is the reflectance of the color difference meter, a is the chromaticity diagram, + a * , B is a chromaticity diagram, + b * represents yellow, and -b * represents blue direction.
청구항 1항에 있어서,
상기 배리어층은 니켈 배리어층과, 니켈 배리어층에 형성된 아연 배리어층과, 아연 배리어층에 형성된 크롬 배리어층을 포함하며,
니켈 베리어층의 니켈의 도금량이 10~20mg/m2의 범위에 있으며, 아연 배리어층(340)의 아연(Zn)의 도금량은 10~20mg/m2 의 범위에 있고, 크롬 배리어층의 크롬의 도금량은 1~4mg/m2의 범위에 있는 전해 동박.
The method according to claim 1,
Wherein the barrier layer comprises a nickel barrier layer, a zinc barrier layer formed on the nickel barrier layer, and a chromium barrier layer formed on the zinc barrier layer,
The plating amount of nickel in the nickel barrier layer is in the range of 10 to 20 mg / m 2 , the plating amount of zinc (Zn) in the zinc barrier layer 340 is in the range of 10 to 20 mg / m 2 , Electrolytic copper foil having a plating amount ranging from 1 to 4 mg / m 2 .
원박과 상기 원박에 형성되고 다수의 노듈 입자를 구비한 구리 노듈층을 포함하되, 상기 다수의 노듈 입자 중 보정 장평이 음의 값을 갖는 노듈 입자는 총 노듈 입자수의 70%이상 100%이하 범위이고, 상기 구리 노듈층 위에 무기-금속 혼합물로 이루어진 배리어층을 포함하는 전해 동박; 및
상기 전해 동박에 형성된 폴리이미드 필름을 포함하고,
상기 보정 장평은 상기 원박의 표면에 평행한 방향의 상기 노듈 입자의 장축을 가로라 하고 상기 원박의 표면에 수직한 방향의 상기 노듈 입자의 장축을 세로라 할 때 (세로-가로)/세로로 계산되는 것을 특징으로 하는 동박적층판.
Wherein a nodule particle having a negative correction value of a plurality of nodule particles is present in a range of 70% or more and 100% or less of the total number of nodule particles An electrolytic copper foil including a barrier layer made of an inorganic-metal mixture on the copper layer; And
And a polyimide film formed on the electrolytic copper foil,
Wherein the correction elongation is calculated as (length-width) / length (length-width) when the long axis of the nodule particle in the direction parallel to the surface of the raw paper is transverse and the long axis of the nodule particle in the direction perpendicular to the surface of the raw- Wherein the copper foil is laminated on the copper foil.
원박과 상기 원박에 형성되고 다수의 노듈 입자를 구비한 구리 노듈층을 포함하되, 상기 다수의 노듈 입자 중 보정 장평이 음의 값을 갖는 노듈 입자는 총 노듈 입자수의 70%이상 100%이하 범위이고, 상기 구리 노듈층 위에 무기-금속 혼합물로 이루어진 배리어층을 포함하는 전해 동박; 및 상기 전해 동박에 형성된 폴리이미드 필름을 포함하는 동박적층판을 구비하고,
상기 보정 장평은 상기 원박의 표면에 평행한 방향의 상기 노듈 입자의 장축을 가로라 하고 상기 원박의 표면에 수직한 방향의 상기 노듈 입자의 장축을 세로라 할 때 (세로-가로)/세로로 계산되는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
Wherein a nodule particle having a negative correction value of a plurality of nodule particles is present in a range of 70% or more and 100% or less of the total number of nodule particles An electrolytic copper foil including a barrier layer made of an inorganic-metal mixture on the copper layer; And a polyimide film formed on the electrolytic copper foil,
Wherein the correction elongation is calculated as (length-width) / length (length-width) when the long axis of the nodule particle in the direction parallel to the surface of the raw paper is transverse and the long axis of the nodule particle in the direction perpendicular to the surface of the raw- Wherein the printed circuit board is a printed circuit board.
(A) 제박 처리를 수행하여 원박을 제조하는 제박 단계;
(B) 원박의 매트면(M면)에 구리를 도금하여 다수의 노듈 입자 중 보정 장평이 음의 값을 갖는 노듈 입자가 총 노듈 입자수의 70%이상 100%이하 범위인 구리 노듈층을 형성하는 노듈 처리 단계; 및
(C) 상기 구리 노듈층 위에 무기-금속 혼합물로 이루어진 배리어층을 형성하는 표면 처리 단계를 포함하고,
상기 보정 장평은 상기 원박의 표면에 평행한 방향의 상기 노듈 입자의 장축을 가로라 하고 상기 원박의 표면에 수직한 방향의 상기 노듈 입자의 장축을 세로라 할 때 (세로-가로)/세로로 계산되는 것을 특징으로 하는 전해 동박 제조 방법.
(A) a stripping step of performing a stripping process to produce a raw strip;
(B) Copper is plated on the matte side (M side) of the raw material to form a nodule particle having a negative correction value among the nodule particles of 70% to 100% of the total number of nodule particles A nodule processing step; And
(C) a surface treatment step of forming a barrier layer made of an inorganic-metal mixture on the copper layer,
Wherein the correction elongation is calculated as (length-width) / length (length-width) when the long axis of the nodule particle in the direction parallel to the surface of the raw paper is transverse and the long axis of the nodule particle in the direction perpendicular to the surface of the raw- Wherein the electrolytic copper foil is manufactured by a method comprising the steps of:
청구항 8항에 있어서,
상기 (A) 단계는
상기 제박 단계에서 원박을 제조하기 위한 제박 장치에 사용되는 전해액의 기본 조성은 H2SO4가 50 ~ 200 g/l이고, Cu2 + 30 ~ 150 g/l이며, Cl- 2~200㎎/l이고, 온도는 상온 ~ 80℃이며, 전류밀도는 10 ~ 80 ASD인 전해 동박 제조 방법.
The method of claim 8,
The step (A)
The basic composition of the electrolytic solution used in the jebak apparatus for the production of original foil in the step jebak is the H 2 SO 4 50 ~ 200 g / l, and Cu 2 + 30 ~ 150 g / l, Cl - 2 ~ 200㎎ / l, the temperature is from room temperature to 80 占 폚, and the current density is from 10 to 80 ASD.
청구항 9항에 있어서,
상기 (A) 단계의 상기 전해액은 황산구리를 주성분으로 하고, 젤라틴, HEC, SPS 및 티오요소 중 적어도 하나 이상을 첨가제로 포함하는 전해 동박 제조 방법.
The method of claim 9,
Wherein the electrolytic solution of step (A) comprises copper sulfate as a main component and at least one of gelatin, HEC, SPS, and thiourea as an additive.
청구항 8항에 있어서,
상기 (B) 단계이전에
(D) 상기 원박에 다수의 구리 노듈 입자를 구비한 노듈 구조로 형성된 다른 구리 노듈층을 형성하는 단계를 더 포함하는 전해 동박 제조 방법.
The method of claim 8,
Before the step (B)
(D) forming another copper layer in a nodule structure having a plurality of copper nodule particles on the original foil.
청구항 11항에 있어서,
상기 (B) 단계는 전류 밀도를 10~30ASD를 사용하고, 상기 (D) 단계는 전류밀도를 5~20ASD를 사용하는 전해 동박 제조 방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the step (B) uses a current density of 10 to 30 ASD, and the step (D) uses a current density of 5 to 20 ASD.
청구항 8항에 있어서,
상기 (B) 단계의 구리 노듈층은 다수의 노듈 입자 중 보정 장평이 음의 값을 갖는 노듈 입자가 총 노듈 입자수의 80%이상에서 100%이하 범위인 전해 동박 제조 방법.
The method of claim 8,
Wherein the copper nodule layer of step (B) has nodule particles having a negative correction value of a plurality of nodule particles ranging from 80% to 100% of the total number of nodule particles.
청구항 11항에 있어서,
상기 (B) 단계는 전해 도금조의 전해액의 기본 조성은 H2SO4가 60 ~ 150 g/l이며, Cu 가 10 ~ 90 g/l이며, 전해액의 온도는 상온 35~ 55℃이며, 10~30 ASD의 전류밀도를 사용하며,
상기 (D) 단계는 다른 전해 도금조의 전해액의 기본 조성은 H2SO4 가 60 ~150 g/l이고, Cu가 5~ 20 g/l, 전해액의 온도는 상온 25~40℃이며, 전류밀도는 5~20 ASD의 전류밀도를 사용하는 것을 특징으로 하는 전해 동박 제조 방법.
12. The method of claim 11,
In the step (B), the basic composition of the electrolytic solution of the electrolytic plating bath is 60 to 150 g / l of H 2 SO 4 , Is 10 to 90 g / l, the electrolyte temperature is 35 to 55 ° C at room temperature, a current density of 10 to 30 ASD is used,
In the step (D), the basic composition of the electrolytic solution of the other electroplating bath is H 2 SO 4 Wherein the electrolyte has a current density of 60 to 150 g / l, a Cu content of 5 to 20 g / l, an electrolyte temperature of 25 to 40 ° C, and a current density of 5 to 20 ASD. .
청구항 11항에 있어서,
상기 (B) 단계는 전해 도금조의 전해액의 기본 조성은 H2SO4가 90 ~ 120 g/l이며, Cu 가 30 ~ 55 g/l이며, 전해액의 온도는 상온 35~ 55℃이며, 10~30 ASD의 전류밀도를 사용하고,
상기 (D) 단계는 다른 전해 도금조의 전해액의 기본 조성은 H2SO4 가 90 ~120 g/l이고, Cu가 5~ 20 g/l, 전해액의 온도는 상온 25~40℃이며, 전류밀도는 5~20 ASD의 전류밀도를 사용하는 것을 특징으로 하는 전해 동박 제조 방법.
12. The method of claim 11,
In the step (B), the basic composition of the electrolytic solution of the electrolytic plating bath is 90 to 120 g / l of H 2 SO 4 , Is 30 to 55 g / l, the temperature of the electrolytic solution is 35 to 55 ° C at room temperature, the current density of 10 to 30 ASD is used,
In the step (D), the basic composition of the electrolytic solution of the other electroplating bath is H 2 SO 4 Wherein the electrolytic solution has a current density of 90 to 120 g / l, a Cu concentration of 5 to 20 g / l, an electrolyte temperature of 25 to 40 ° C, and a current density of 5 to 20 ASD .
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