KR20170086239A - 질화물계 반도체층 및 그 성장 방법 - Google Patents

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Abstract

실시예는 기판 상에, 원료와 제1 도전형 도펀트를 공급하여 제1 도전형 반도체층을 성장시키는 단계; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 다중 양자 우물 구조의 활성층을 성장시키는 단계; 및 상기 활성층 상에 원료와 제2 도전형 도펀트를 공급하여 제2 도전형 반도체층을 성장시키는 단계를 포함하고, 상기 제1 도전형 반도체층에서 중앙의 제1 영역을 가장 자리의 제2 영역보다 두껍게 성장시키는 질화물계 반도체층의 성장 방법을 제공한다.

Description

질화물계 반도체층 및 그 성장 방법{NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LAYER AND MEOTHOD FOR GROWING THE SAME}
실시예는 질화물계 반도체층의 성장 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 피트 구조를 전 영역에서 고르게 포함하며 질화물계 반도체층을 성장하는 방법에 관한 것이다.
GaN, AlGaN 등의 3-5 족 화합물 반도체는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점으로 인해 광 전자 공학 분야(optoelectronics)와 전자 소자를 위해 등에 널리 사용된다.
특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.
따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
발광소자는 기판 위에 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물이 배치되고, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 상에 각각 제1 전극과 제2 전극이 배치된다.
그리고, 제1 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 전자와 제2 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출한다. 활성층에서 방출되는 빛은 활성층을 이루는 물질의 조성에 따라 다를 수 있으며, 청색광이나 자외선(UV) 또는 심자외선(Deep UV) 등일 수 있다.
기판 위에 질화물계 반도체인 GaN을 성장시킬 때 서셉터(susceptor) 상에 기판을 놓고 진행할 수 있으며, 기판이 대형화됨에 따라 기판의 각 영역에 공급되는 열의 불균형으로 인하여 기판에 온도 불균형이 발생할 수 있다.
이러한 온도 불균형은, 질화물계 반도체인 발광 구조물의 품질 저하를 유발할 수 있다.
실시예는 질화물계 반도체의 성장 공정에서, 발광 구조물의 품질을 향상시키고자 한다.
실시예는 기판 상에, 원료와 제1 도전형 도펀트를 공급하여 제1 도전형 반도체층을 성장시키는 단계; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 다중 양자 우물 구조의 활성층을 성장시키는 단계; 및 상기 활성층 상에 원료와 제2 도전형 도펀트를 공급하여 제2 도전형 반도체층을 성장시키는 단계를 포함하고, 상기 제1 도전형 반도체층에서 중앙의 제1 영역을 가장 자리의 제2 영역보다 두껍게 성장시키는 질화물계 반도체층의 성장 방법을 제공한다.
제1 도전형 반도체층 상에 복수 개의 피트가 형성될 수 있다.
활성층과 상기 제2 도전형 반도체층 상에, 상기 제1 도전형 반도체층 상의 피트 형상에 대응되어, 피트가 형성될 수 있다.
1 도전형 반도체층에서, 상기 제1 영역을 상기 제2 영역보다 5% 내지 20% 더 두껍게 성장시킬 수 있다.
제1 도전형 반도체층에서, 상기 제1 도전형 도펀트는 상기 제1 영역보다 상기 제2 영역에 더 많이 도핑될 수 있다.
제1 도전형 반도체층에서, 상기 제1 도전형 도펀트는 상기 제1 영역보다 상기 제2 영역에 10% 내지 50% 많이 도핑될 수 있다.
활성층과 제2 도전형 반도체층 사이에 알루미늄(Al)을 포함하는 전자 차단층을 성장시키는 단계를 더 포함하고, 상기 전자 차단층에서 상기 알루미늄이 중앙 영역보다 가장 자리 영역에서 더 많이 포함될 수 있다.
활성층과 제2 도전형 반도체층 사이에 알루미늄(Al)을 포함하는 전자 차단층을 성장시키는 단계를 더 포함하고, 상기 전자 차단층에서 상기 알루미늄이 중앙 영역보다 가장 자리 영역에서 10% 내지 30% 많이 포함될 수 있다.
다른 실시예는 기판; 상기 기판 상에 배치되고 제1 도전형 도펀트를 포함하는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 다중 양자 우물 구조의 활성층; 및 상기 활성층 상에 배치되고 제2 도전형 도펀트를 포함하는 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 상기 제1 도전형 반도체층에서 중앙의 제1 영역의 두께가 가장 자리의 제2 영역의 두께보다 큰 질화물계 반도체층을 제공한다.
실시예에 따른 방법으로 성장된 질화물계 반도체는 중앙 영역에서 제1 도전형 반도체층이 보다 두껍게 성장되어, 전 영역에서 피트의 크기가 고르게 형성되어 질화물계 반도체의 품질이 향상될 수 있다.
도 1은 온도에 따른 질화물계 반도체의 두께 프로파일을 나타낸 도면이고,
도 2a 내지 도 2e는 실시예에 따른 질화물계 반도체층의 성장 방법을 나타낸 도면이고,
도 3은 도 2a 내지 도 2e에 따른 방법으로 제조된 발광소자를 나타낸 도면이다.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도 1은 온도에 따른 질화물계 반도체의 두께 프로파일을 나타낸 도면이다.
서셉터 상에 대구경의 기판을 배치하고 질화물계 반도체인 GaN을 성장시킬 때 기판의 각 영역에 열이 불균일하게 공급될 수 있으며, 상세하게는 중앙 영역에 보다 많은 열이 공급되어 고온이 될 수 있다.
도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 중앙 영역이 상대적으로 고온일 때 기판 상의 하부 GaN은 위로 오목한 형상으로 성장될 수 있다.
도 1의 (b)에서는 중앙 영역이 상대적으로 저온일 때, 기판 상의 하부 GaN이나 다중 양자 우물 구조의 활성층은 위로 볼록한 형상으로 성장될 수 있다.
이러한 기판의 보잉(bowing) 현상으로 인한 각 영역에서의 온도 불균형은 10℃ 내지 20℃ 정도일 수 있으며, 기판 상의 하부 GaN에 v자 형상의 피트(v-pit)이 형성할 때 고르게 형성하기 어렵다.
즉, 기판의 중앙 영역보다 상대적으로 저온인 가장 자리 영역에서 GaN의 성장이 빨라서, 기판의 가장 자리 영역에서 피트가 더 크게 형성될 수 있다.
이러한 v-pit 크기의 불균일로 인하여, 하나의 기판에서 성장된 발광소자들에서 발광 구조물의 품질이 서로 상이할 수 있다.
도 2a 내지 도 2e는 실시예에 따른 질화물계 반도체층의 성장 방법을 나타낸 도면이다.
도 2a에 도시된 바와 같이 기판(110) 상에 하부 반도체층(120)을 성장시키고, 도 2b에 도시된 바와 같이 하부 반도체층(120) 상에 원료를 공급하여, 도 2c와 같이 제1 도전형 반도체층(130)을 성장시킨다.
기판(110)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질이나 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있으며, 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있고, 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함할 수 있다. 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiO2, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.
도시되지는 않았으나, 기판(110)과 하부 반도체층(120) 사이에는 버퍼층을 성장시킬 수 있다.
사파이어 등으로 기판(110)을 형성하고, 기판(110) 상에 GaN이나 AlGaN으로 하부 반도체층(120)을 성장시킬 때, GaN이나 AlGaN과 사파이어 사이의 격자 부정합(lattice mismatch)이 매우 크고 이들 사이에 열 팽창 계수 차이도 매우 크기 때문에, 결정성을 악화시키는 전위(dislocation), 멜트 백(melt-back), 크랙(crack), 피트(pit), 표면 모폴로지(surface morphology) 불량 등이 발생할 수 있으므로, 버퍼층으로 AlN을 사용할 수 있다.
이때, 도 2b에 도시된 바와 같이 원료(source)를 가장 자리의 제2 영역보다 중앙의 제1 영역에 많이 공급하여, 도 2c에 도시된 바와 같이 가장 자리 영역(Re)에서의 제1 도전형 반도체층(130)의 두께(t1)가 중앙 영역(Rc)에서의 제1 도전형 반도체층(130)의 두께(t2)가 더 두껍게 성장될 수 있도록 한다. 원료는 예를 들면, 갈륨(Ga)이나 암모니아(NH3)일 수 있다.
가장 자리 영역(Re)에서의 제1 도전형 반도체층(130)의 두께(t1)는 중앙 영역(Rc)에서의 제1 도전형 반도체층(130)의 두께(t2)보다 5% 내지 14% 두껍게 성장될수 있고, 예를 들면 14% 두껍게 성장될 수 있다. 가장 자리 영역(Re)에서의 제1 도전형 반도체층(130)의 두께(t1)가 중앙 영역(Rc)에서의 제1 도전형 반도체층(130)의 두께(t2)의 105% 미만이면 피트를 고르게 형성하기에 충분하지 않을 수 있고, 120%보다 크면 제1 도전형 반도체층(130) 상에 활성층(130)을 이루는 양자벽과 양자 우물을 안정적으로 성장시키기 어려울 수 있다.
그리고, 제1 도전형 반도체층(130) 상에는 브이(v) 형상의 피트(P)가 복수 개 형성될 수 있다. 상술한 피트(P)는 비교적 높은 전기저항을 가지므로, 정전기 방전(Electro-Static Discharge, ESD)로부터 발광소자를 보호하고, 발광소자에 인가되는 전류를 분산하여 발광효율 및 광출력을 향상시킬 수 있다.
이때, 피트(P)들의 배열은 랜덤(random)할 수 있고, 제1 도전형 반도체층(130)의 피트(P)들의 폭(W)과 깊이(t3)는, 중앙 영역(Rc)과 가장 자리 영역(Re)에서 동일할 수 있다. 그리고, 피트(P)들은 제1 도전형 반도체층(130)의 성장 중에 랜덤하게 형성되므로, 크기들이 동일하다는 것은 기하학적으로 완전히 동일한 것이 아니고 스케일(scale)이 대체로 일정 범위(range) 내인 것을 뜻한다.
제1 도전형 반도체층(130)은 Ⅲ-Ⅳ족, Ⅱ-Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(130)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 성장될 수 있다.
제1 도전형 반도체층(130)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(130)은 단층 또는 다층으로 성장될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
제1 도전형 도펀트 특히 Si는, 제1 도전형 반도체층(130)의 제1 영역보다 제2 영역에 더 많이 도핑될 수 있으며, 제2 영역에 도핑되는 도펀트의 도핑 농도는 제1 영역에서의 도핑 농도보다 10% 내지 50% 클 수 있다.
이러한 도핑 농도의 편차는 후술하는 발광소자의 구동 전압을 낮출 수 있는데, 제2 영역에 도핑되는 도펀트의 농도가 제1 영역의 도핑 농도의 110% 미만이면 구동 전압을 낮추기에 충분하지 않고 150% 이상이면 제1 도전형 반도체층(130) 내에서 전자(electron)가 전영역에서 고르게 이동하기 어려울 수 있다.
도 2d에 도시된 바와 같이, 제1 도전형 반도체층(130) 상에 활성층(140)과 제2 도전형 반도체층(150)을 성장시킬 수 있다. 이때, 활성층(140)과 제2 도전형 반도체층(150) 상에도 피트가 형성될 수 있다. 활성층(140)과 제2 도전형 반도체층(150) 상의 피트는 제1 도전형 반도체층(130) 상의 피트에 대응되어 형성되고, 단 피트의 높이나 폭은 상부로 갈수록 작아질 수 있다.
활성층(140)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
활성층(140)은 Ⅲ-Ⅳ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs),/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
제2 도전형 반도체층(150)은 반도체 화합물로 형성될 수 있고, 원료는 예를 들면, 갈륨(Ga)이나 암모니아(NH3)일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(150)은 Ⅲ-Ⅳ족, Ⅱ-Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(150)은 예컨대, InxAlyGa1 -x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaN AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.
제2 도전형 반도체층(150)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(150)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 만일, 발광 소자가 자외선(UV), 심자외선(Deep UV) 또는 무분극 발광 소자일 경우, 제2 도전형 반도체층(150)은 InAlGaN 및 AlGaN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 도 2e에 도시된 바와 같이 활성층(140)과 제2 도전형 반도체층(150)의 사이에는 전자 차단층(Electron blocking layer, 145)을 성장시킬 수 있다. 전자 차단층(145)은 제2 도전형 반도체층(150)보다 에너지 밴드 갭이 큰 재료로 이루어질 수 있으며, 예를 들면 AlGaN으로 형성될 수 있다.
알루미늄(Al)이 전자 차단층(145)의 중앙 영역보다 가장 자리에서 더 많이 포함될 수 있으며, 예를 들면 중앙 영역(Ec)에서의 알루미늄 농도보다 가장 자리 영역(Ee)에서의 알루미늄 농도가 10% 내지 30% 클 수 있다.
종래에는 기판의 가장 자리 영역에서 질화물계 반도체인 GaN의 성장 속도가 빨라서 피트가 더 크게 형성될 수 있고, 또한 상대적으로 고온인 기판의 중앙 영역에서는 피트가 병합(merge)되는 속도가 빨라서 피트의 크기가 상대적으로 적었다. 이러한 피트의 크기 편차는 질화물계 반도체의 전기 저항의 불균일한 분포 내지 품질 저하를 유발할 수 있다.
실시예에 따른 방법으로 성장된 질화물계 반도체층은, 기판 상에 제1 도전형 도펀트를 포함하는 제1 도전형 반도체층과, 제1 도전형 반도체층 상에 활성층, 및 활성층 제2 도전형 도펀트를 포함하는 제2 도전형 반도체층이 배치되고, 제1 도전형 반도체층에서 중앙의 제1 영역의 두께가 가장 자리의 제2 영역두께보다 두꺼울 수 있으며, 전 영역에서 피트의 크기가 고르게 형성되어 질화물계 반도체의 품질이 향상될 수 있다.
도 3은 도 2a 내지 도 2e에 따른 방법으로 제조된 발광소자를 나타낸 도면이다.
발광소자(100)는 기판(110) 상에 하부 반도체층(120)이 배치되는데, 하부 반도체층(120)은 성장 공정 중에 도펀트가 도핑되지 않으나 제1 도전형 반도체층(130)으로부터의 유입 등으로 인하여 도펀트가 미량 도핑될 수 있다.
하부 반도체층(120) 상에, 제1 도전형 반도체층(130)과 활성층(140) 및 제2 도전형 반도체층(150)을 포함하는 발광 구조물이 배치될 수 있고, 전자 차단층(145)이 활성층(140)과 제2 도전형 반도체층(150) 사이에 배치될 수 있다. 각 층(layer)의 조성은 상술한 바와 동일하며, 제1 도전형 반도체층(130)으로부터 제2 도전형 반도체층(150)까지 피트(P)가 형성될 수 있다.
제2 도전형 반도체층(150) 상에는 투광성 도전층(160)이 배치되어 제2 전극(165)으로부터 제2 도전형 반도체층(150)으로 넓은 면적에 고르게 전류가 공급되게 할 수 있다.
기판(110)이 절연성이므로 제1 도전형 반도체층(130)에 전류를 공급하기 위하여, 투광성 도전층(160)으로부터 제1 도전형 반도체층(130)의 일부까지 메사 식각되어 제1 도전형 반도체층(130)의 일부가 노출될 수 있다.
노출된 제1 도전형 반도체층(130) 상에 제1 전극(135)이 배치되고, 투광성 도전층(160) 상에 제2 전극(165)이 배치될 수 있다.
제1 전극(135) 및/또는 제2 전극(165)은 도전성 물질 예를 들면 금속으로 형성될 수 있으며, 보다 상세하게는 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어질 수 있고, 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
상술한 질화물계 반도체층의 제조 방법으로 제조된 발광소자는, 발광 구조물의 품질이 향상되어 구동 전압이 낮아지고 출력이 증가할 수 있다. 또한, 고르게 형성된 피트(pit)로 인하여 활성층도 단면적이 증가하여 발광 효율이 증가할 수 있다.
상술한 발광소자는 발광소자 패키지로 구성되어, 조명 시스템의 광원으로 사용될 수 있는데, 예를 들어 영상표시장치의 영상표시장치와 조명 장치 등의 발광 장치에 사용될 수 있다.
영상표시장치의 백라이트 유닛으로 사용될 때 에지 타입의 백라이트 유닛으로 사용되거나 직하 타입의 백라이트 유닛으로 사용될 수 있고, 조명 장치에 사용될 때 등기구나 벨트 타입의 광원에 사용될 수도 있으며, 또한 이동 단말기의 광원으로 사용될 수도 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 발광소자 110: 기판
120: 하부 반도체층 130: 제1 도전형 반도체층
135: 제1 전극 140: 활성층
145: 전자 차단층 150: 제2 도전형 반도체층
160: 투광성 도전층 165: 제2 전극
P: 피트

Claims (9)

  1. 기판 상에, 원료와 제1 도전형 도펀트를 공급하여 제1 도전형 반도체층을 성장시키는 단계;
    상기 제1 도전형 반도체층 상에 다중 양자 우물 구조의 활성층을 성장시키는 단계; 및
    상기 활성층 상에 원료와 제2 도전형 도펀트를 공급하여 제2 도전형 반도체층을 성장시키는 단계를 포함하고,
    상기 제1 도전형 반도체층에서 중앙의 제1 영역을 가장 자리의 제2 영역보다 두껍게 성장시키는 질화물계 반도체층의 성장 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 도전형 반도체층 상에 복수 개의 피트가 형성되는 질화물계 반도체층의 성장 방법.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 활성층과 상기 제2 도전형 반도체층 상에, 상기 제1 도전형 반도체층 상의 피트 형상에 대응되어, 피트가 형성되는 질화물계 반도체층의 성장 방법.
  4. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 도전형 반도체층에서, 상기 제1 영역을 상기 제2 영역보다 5% 내지 20% 더 두껍게 성장시키는 질화물계 반도체층의 성장 방법.
  5. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 도전형 반도체층에서, 상기 제1 도전형 도펀트는 상기 제1 영역보다 상기 제2 영역에 더 많이 도핑되는 질화물계 반도체층의 성장 방법.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 도전형 반도체층에서, 상기 제1 도전형 도펀트는 상기 제1 영역보다 상기 제2 영역에 10% 내지 50% 많이 도핑되는 질화물계 반도체층의 성장 방법.
  7. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 활성층과 제2 도전형 반도체층 사이에 알루미늄(Al)을 포함하는 전자 차단층을 성장시키는 단계를 더 포함하고, 상기 전자 차단층에서 상기 알루미늄이 중앙 영역보다 가장 자리 영역에서 더 많이 포함되는 질화물계 반도체층의 성장 방법.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 활성층과 제2 도전형 반도체층 사이에 알루미늄(Al)을 포함하는 전자 차단층을 성장시키는 단계를 더 포함하고, 상기 전자 차단층에서 상기 알루미늄이 중앙 영역보다 가장 자리 영역에서 10% 내지 30% 많이 포함되는 질화물계 반도체층의 성장 방법.
  9. 기판;
    상기 기판 상에 배치되고 제1 도전형 도펀트를 포함하는 제1 도전형 반도체층;
    상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 다중 양자 우물 구조의 활성층; 및
    상기 활성층 상에 배치되고 제2 도전형 도펀트를 포함하는 제2 도전형 반도체층을 포함하고,
    상기 제1 도전형 반도체층에서 중앙의 제1 영역의 두께가 가장 자리의 제2 영역의 두께보다 큰 질화물계 반도체층.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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