KR20170085383A - Photosensitive resin composition, photocurable pattern formed from the same and image display comprising the pattern - Google Patents

Photosensitive resin composition, photocurable pattern formed from the same and image display comprising the pattern Download PDF

Info

Publication number
KR20170085383A
KR20170085383A KR1020160004944A KR20160004944A KR20170085383A KR 20170085383 A KR20170085383 A KR 20170085383A KR 1020160004944 A KR1020160004944 A KR 1020160004944A KR 20160004944 A KR20160004944 A KR 20160004944A KR 20170085383 A KR20170085383 A KR 20170085383A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
carbon atoms
pattern
group
resin composition
photosensitive resin
Prior art date
Application number
KR1020160004944A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102031215B1 (en
Inventor
조백현
조용환
최석균
Original Assignee
동우 화인켐 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동우 화인켐 주식회사 filed Critical 동우 화인켐 주식회사
Priority to KR1020160004944A priority Critical patent/KR102031215B1/en
Priority to TW105136265A priority patent/TWI643876B/en
Priority to JP2017000095A priority patent/JP6559720B2/en
Priority to CN201710010156.1A priority patent/CN106970504B/en
Publication of KR20170085383A publication Critical patent/KR20170085383A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102031215B1 publication Critical patent/KR102031215B1/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

본 발명은 감광성 수지 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 알칼리 가용성 수지(A), 광중합성 화합물(B), 광중합 개시제(C), 용제(D), 첨가제(E)를 포함하며, 상기 알칼리 가용성 수지(A)는 옥세탄(oxetane) 관능기를 포함하는 반복 단위 및 특정 화학식으로 표시되는 반복 단위를 포함하는 특정 수지를 포함함으로써, 경화 밀도가 높아 밀착성, 내화학성 및 보존안정성 등이 우수할 수 있다.The present invention relates to a photosensitive resin composition, and more particularly, to a photosensitive resin composition which comprises an alkali-soluble resin (A), a photopolymerizable compound (B) Since the resin (A) contains a specific resin including a repeating unit containing an oxetane functional group and a repeating unit represented by a specific formula, the resin (A) has a high curing density and can be excellent in adhesion, chemical resistance and storage stability .

Description

감광성 수지 조성물, 이로 형성되는 광경화 패턴 및 이를 포함하는 화상 표시 장치{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOCURABLE PATTERN FORMED FROM THE SAME AND IMAGE DISPLAY COMPRISING THE PATTERN}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a photosensitive resin composition, a photocurable pattern formed therefrom, and an image display device including the same. BACKGROUND ART [0002]

본 발명은 감광성 수지 조성물, 이로 형성되는 광경화 패턴 및 이를 포함하는 화상 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition, a photo-curable pattern formed therefrom, and an image display device including the same.

디스플레이 분야에 있어서, 감광성 수지 조성물은 포토레지스트, 절연막, 보호막, 블랙 매트릭스, 컬럼 스페이서 등의 다양한 광경화 패턴을 형성하기 위해 사용된다. 구체적으로, 감광성 수지 조성물을 포토리소그래피 공정에 의해 선택적으로 노광 및 현상하여 원하는 광경화 패턴을 형성하는데, 이 과정에서 공정상의 수율을 향상시키고, 적용 대상의 물성을 향상시키기 위해, 고감도를 가지는 감광성 수지 조성물이 요구되고 있다.In the display field, the photosensitive resin composition is used for forming various photo-curing patterns such as a photoresist, an insulating film, a protective film, a black matrix, and a column spacer. Specifically, the photosensitive resin composition is selectively exposed and developed by a photolithography process to form a desired photo-curable pattern. In order to improve the process yield and improve the physical properties of the application object in this process, a photosensitive resin having a high sensitivity A composition is required.

감광성 수지 조성물의 패턴 형성은 포토리소그래피, 즉 광반응에 의해 일어나는 고분자의 극성변화 및 가교반응에 의한다. 특히, 노광 후 알칼리 수용액 등의 용매에 대한 용해성의 변화 특성을 이용한다. The pattern formation of the photosensitive resin composition is caused by photolithography, that is, a change in the polarity of the polymer caused by the photoreaction and a crosslinking reaction. Particularly, the property of change of solubility in a solvent such as an aqueous alkali solution after exposure is utilized.

감광성 수지 조성물에 의한 패턴 형성은 감광된 부분의 현상에 대한 용해도에 따라 포지티브형과 네가티브형으로 분류된다. 포지티브형 포토레지스트는 노광된 부분이 현상액에 의해 용해되며, 네가티브형 포토레지스트는 노광된 부분이 현상액에 녹지 않고 노광되지 아니한 부분이 용해되어 패턴이 형성되는 방식이고, 포지티브형과 네가티브형은 사용되는 바인더 수지, 가교제 등의 서로 상이하다. The pattern formation by the photosensitive resin composition is classified into a positive type and a negative type according to the solubility of the photosensitive portion in development. In the positive type photoresist, the exposed portion is dissolved by the developing solution, and the negative type photoresist is a method in which the exposed portion is not dissolved in the developing solution and the unexposed portion is dissolved to form a pattern. In the positive type and negative type, A binder resin, a crosslinking agent, and the like.

종래의 감광성 수지 조성물은 열 공정 전후로 두께의 변화가 발생하며, 미세 패턴의 형성이 어렵고 현상성이 충분하지 않다는 문제가 있다.The conventional photosensitive resin composition has a problem that the thickness thereof is changed before and after the heat treatment step, the formation of the fine pattern is difficult, and the developing property is not sufficient.

최근에는 이러한 문제를 해결하기 위하여 감광성 수지 조성물에 무기질 분말을 첨가하는 방법이 일본공개특허 제2000-095896호에 개시되었으나, 감광성 수지 조성물과 무기질 분말과의 상용성의 저하와 기판과의 접착성 등에 의하여 야기되는 현상성 저하의 문제로 인하여 무기질 분말의 함량을 충분히 높일 수 없는 문제가 있으며, 결국 전술한 감광성 수지 조성물의 문제를 충분히 해결하지 못한다는 한계가 있었다.Recently, in order to solve such a problem, a method of adding an inorganic powder to a photosensitive resin composition has been disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-095896. However, by lowering the compatibility between the photosensitive resin composition and the inorganic powder, There is a problem in that the content of the inorganic powder can not be sufficiently increased due to the problem of deterioration of the developability caused thereby, and the problem of the above-mentioned photosensitive resin composition can not be sufficiently solved.

일본공개특허 제2000-095896호Japanese Patent Laid-Open No. 2000-095896

본 발명은 경화 밀도가 높아 밀착성, 내화학성 및 보존안정성 등이 향상된 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a photosensitive resin composition having high curing density and improved adhesion, chemical resistance, storage stability and the like.

또한, 본 발명은 상기 감광성 수지 조성물로 형성되는 광경화 패턴 및 이를 포함하는 화상 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a photocurable pattern formed of the photosensitive resin composition and an image display device including the same.

1. 알칼리 가용성 수지(A), 광중합성 화합물(B), 광중합 개시제(C), 용제(D), 첨가제(E)를 포함하며, 상기 알칼리 가용성 수지(A)는, 옥세탄(oxetane) 관능기를 포함하는 반복 단위 및 하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 포함하는 제1 수지(A-1)를 포함하는, 감광성 수지 조성물:1. An alkali-soluble resin (A) comprising an alkali-soluble resin (A), a photopolymerizable compound (B), a photopolymerization initiator (C), a solvent (D) and an additive (E) And a first resin (A-1) comprising a repeating unit containing a repeating unit represented by the following formula (1): < EMI ID =

[화학식 1] [Chemical Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

(식 중에서, R1은 수소 원자 또는 메틸기이며, R2은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기임).(Wherein R 1 is a hydrogen atom or a methyl group, and R 2 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms).

2. 위 1에 있어서, 상기 옥세탄(oxetane) 관능기를 포함하는 반복 단위는 하기 화학식 2로 표시되는, 감광성 수지 조성물:2. The photosensitive resin composition according to 1 above, wherein the repeating unit containing an oxetane functional group is represented by the following formula (2)

[화학식 2](2)

Figure pat00002
Figure pat00002

(식 중에서, R3는 수소 원자 또는 메틸기이며, R4는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기이고, R5는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기임).(Wherein R 3 is a hydrogen atom or a methyl group, R 4 is an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, and R 5 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms).

3. 위 1에 있어서, 상기 제1 수지(A-1)는 하기 화학식 3으로 표시되는 반복 단위 및 하기 화학식 4로 표시되는 반복 단위를 더 포함하는, 감광성 수지 조성물:3. The photosensitive resin composition according to 1 above, wherein the first resin (A-1) further comprises a repeating unit represented by the following formula (3) and a repeating unit represented by the following formula (4)

[화학식 3](3)

Figure pat00003
Figure pat00003

(식 중에서, R6는 수소 원자 또는 메틸기이고; (Wherein R 6 is a hydrogen atom or a methyl group;

R7은, 탄소수 3 내지 8의 시클로알킬, 탄소수 6 내지 18의 아릴기, 또는 -COO-R7'이고, 상기 R7'는 탄소수 3 내지 8의 시클로알킬, 탄소수 6 내지 18의 아릴기이며, 상기 시클로알킬 또는 상기 아릴기의 수소 원자 중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 더 치환될 수 있음).R 7 is a cycloalkyl having 3 to 8 carbon atoms, an aryl group having 6 to 18 carbon atoms, or -COO-R 7 ', R 7 ' is a cycloalkyl having 3 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 18 carbon atoms , At least one of the hydrogen atoms of the cycloalkyl or the aryl group may be further substituted with a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms).

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure pat00004
Figure pat00004

(식 중에서, R8은 수소 원자 또는 메틸기임).(Wherein R 8 is a hydrogen atom or a methyl group).

4. 위 1에 있어서, 상기 제1 수지(A-1)는 하기 화학식 5로 표시되는, 감광성 수지 조성물:4. The photosensitive resin composition according to 1 above, wherein the first resin (A-1) is represented by the following formula (5)

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure pat00005
Figure pat00005

(식 중에서, R1, R3, R6 및 R8은 서로 독립적으로 수소 또는 메틸기이며;(Wherein R 1 , R 3 , R 6 and R 8 are each independently hydrogen or a methyl group;

R2는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고;R 2 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms;

R4는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기이고; R 4 is an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms;

R5는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고;R 5 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms;

R7은, 탄소수 3 내지 8의 시클로알킬 또는 탄소수 6 내지 18의 아릴기이고, 상기 시클로알킬 또는 상기 아릴기의 수소 원자 중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 더 치환될 수 있으며;R 7 is a cycloalkyl having 3 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 18 carbon atoms and at least one of the hydrogen atoms of the cycloalkyl or the aryl group is further substituted with a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms ;

a=0.1 내지 50 mol%, b=2 내지 50mol%, c=2 내지 95mol%, d=2 내지 70mol%).a = 0.1 to 50 mol%, b = 2 to 50 mol%, c = 2 to 95 mol%, d = 2 to 70 mol%).

5. 위 1에 있어서, 감광성 수지 조성물 중 고형분 100중량부에 대하여 상기 알칼리 가용성 수지(A)는 5 내지 90 중량부, 상기 광중합성 화합물(B)은 1 내지 90 중량부, 상기 광중합 개시제(C)는 0.1 내지 20 중량부, 상기 첨가제(E)는 0.001 내지 1 중량부로 포함되는, 감광성 수지 조성물.5. The photosensitive resin composition according to item 1, wherein the alkali-soluble resin (A) is 5 to 90 parts by weight, the photopolymerizable compound (B) is 1 to 90 parts by weight, the photopolymerization initiator (C) ) Is 0.1 to 20 parts by weight, and the additive (E) is contained in an amount of 0.001 to 1 part by weight.

6. 위 1에 있어서, 상기 알칼리 가용성 수지(A)는 하기 화학식 6으로 표시되는 제2 수지(A-2)를 더 포함하는, 감광성 수지 조성물:6. The photosensitive resin composition according to item 1, wherein the alkali-soluble resin (A) further comprises a second resin (A-2)

[화학식 6][Chemical Formula 6]

Figure pat00006
Figure pat00006

(식 중, R9 및 R10은 서로 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기이고, X는 단일결합 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기이며 상기 알킬렌기는 헤테로 원자를 포함하거나 포함하지 않고, e= 60내지 95mol%, f= 5 내지 40mol%임).(Wherein R 9 and R 10 are independently of each other a hydrogen atom or a methyl group, X is a single bond or an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms and the alkylene group contains or does not include a hetero atom, e = 60 to 95 mol %, f = 5 to 40 mol%).

7. 위 1 내지 6 중 어느 한 항에 따른 감광성 수지 조성물로 제조된 광경화 패턴.7. A photocurable pattern produced from the photosensitive resin composition according to any one of items 1 to 6 above.

8. 위 7에 있어서, 상기 광경화 패턴은 접착제층, 어레이 평탄화막 패턴, 보호막 패턴, 절연막 패턴, 포토레지스트 패턴, 컬러필터 패턴, 블랙 매트릭스 패턴 및 스페이서 패턴으로 이루어진 군에서 선택되는, 광경화 패턴.8. The photoresist composition according to 7 above, wherein the photocurable pattern is selected from the group consisting of an adhesive layer, an array planarizing film pattern, a protective film pattern, an insulating film pattern, a photoresist pattern, a color filter pattern, a black matrix pattern, .

9. 위 7의 광경화 패턴을 구비하는 화상 표시 장치.9. An image display device having the photocuring pattern of the above 7.

본 발명에 따른 감광성 수지 조성물은, 경화 밀도가 높아 선폭과 패턴 형상이 양호하고, 밀착성, 내화학성, 보존안정성 및 미세 패턴 형성성 등이 우수할 수 있다. The photosensitive resin composition according to the present invention has high line density and pattern shape due to high curing density, and can be excellent in adhesion, chemical resistance, storage stability, and fine pattern formation property.

본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은, 제2 수지(A-2)를 더 포함함으로써, 제1 수지의 라디칼 중합 및 제2 수지의 열경화 반응을 통해 패턴이 더욱 견고할 수 있다.The photosensitive resin composition according to one embodiment of the present invention further comprises the second resin (A-2), whereby the pattern can be further strengthened through the radical polymerization of the first resin and the thermal curing reaction of the second resin.

본 발명의 일 실시형태는 알칼리 가용성 수지(A), 광중합성 화합물(B), 광중합 개시제(C), 용제(D), 첨가제(E)를 포함하며, 상기 알칼리 가용성 수지(A)는 옥세탄(oxetane) 관능기를 포함하는 반복 단위 및 하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 포함하는 제1 수지(A-1)를 포함함으로써, 경화 밀도가 높아 우수한 밀착성, 내화학성 및 보존안정성 등을 제공할 수 있는 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.An embodiment of the present invention includes an alkali-soluble resin (A), a photopolymerizable compound (B), a photopolymerization initiator (C), a solvent (D), and an additive (E) (A-1) comprising a repeating unit containing an oxetane functional group and a repeating unit represented by the following formula (1), it is possible to provide an excellent adhesion, chemical resistance and storage stability due to its high curing density The present invention relates to a photosensitive resin composition.

본 발명에 있어서, 화학식으로 표시되는 반복 단위, 화합물 또는 수지가 그의 이성질체가 있는 경우에는, 반복 단위, 화합물 또는 수지를 표시하는 해당 화학식은, 그 이성질체까지 포함하는 대표 화학식을 의미한다.In the present invention, when the repeating unit, compound or resin represented by the formula has an isomer thereof, the corresponding formula denoting a repeating unit, compound or resin means a representative formula including the isomer thereof.

본 발명에 있어서, "(메타)아크릴-"은 '아크릴-', '메타아크릴-', 또는 이 둘 모두를 지칭한다.In the present invention, "(meth) acrylic-" refers to 'acryl-', 'methacrylic-', or both.

본 발명에 있어서, "제1 수지"의 "제1"은 이하 설명할 수지를 필요에 따라 더 첨가될 수 있는 다른 수지와 구분하기 위해서 사용된 용어일 뿐, 다른 수지의 병용을 전제하는 의미로 사용된 것은 아니다.In the present invention, "first" of the "first resin" is a term used to distinguish the resin to be described below from other resins that can be added as needed, It is not used.

본 발명에 있어서, 상기 제1 및 2 수지에서 표시되는 각 반복 단위는 표시된 그대로 한정해서 해석되어서는 안되며, 괄호 내의 서브 반복 단위가 정해진 몰% 범위 내에서 사슬의 어느 위치에라도 자유롭게 위치할 수 있다. 즉, 각 반복 단위의 괄호는 몰%를 표현하기 위해 하나의 블록으로 표시되었으나, 각 서브 반복 단위는 해당 수지 내라면 제한 없이 블록으로 또는 각각 분리되어 위치될 수 있다.In the present invention, the respective repeating units represented by the first and second resins should not be construed as being limited as shown, and the sub-repeating units in the parentheses can freely be located at any position of the chain within a predetermined mole percent range. In other words, although the parentheses of each repeating unit are represented by one block in order to express the mol%, each sub-repeating unit can be placed in blocks or separately as long as it is within the resin.

<감광성 수지 조성물><Photosensitive resin composition>

본 발명의 감광성 수지 조성물은 알칼리 가용성 수지(A), 광중합성 화합물(B), 광중합 개시제(C), 용제(D), 첨가제(E)를 포함한다.The photosensitive resin composition of the present invention comprises an alkali-soluble resin (A), a photopolymerizable compound (B), a photopolymerization initiator (C), a solvent (D) and an additive (E).

알칼리 가용성 수지(A)The alkali-soluble resin (A)

본 발명에 사용되는 알칼리 가용성 수지(A)는, 패턴을 형성할 때의 현상 처리 공정에서 이용되는 알칼리 현상액에 대해서 가용성을 부여하는 성분으로서, 옥세탄(oxetane) 관능기를 포함하는 반복 단위 및 하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 포함하는 제1 수지(A-1)를 포함한다.The alkali-soluble resin (A) to be used in the present invention is a component which imparts solubility to an alkali developing solution used in a developing process for forming a pattern, and contains repeating units containing an oxetane functional group, (A-1) comprising a repeating unit represented by the formula (1).

본 발명에 따른 제1 수지는 옥세탄(oxetane) 관능기를 포함하는 반복 단위 및 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함함으로써, 경화 밀도를 높일 수 있어, 이를 포함하여 형성된 광경화 패턴의 선폭과 패턴 형상이 양호하고 밀착성, 내화학성, 보존안정성 및 미세 패턴 형성성 등이 우수할 수 있다: Since the first resin according to the present invention contains a repeating unit containing an oxetane functional group and a repeating unit represented by the following formula (1), the curing density can be increased, and the line width of the formed photocurable pattern and the pattern Good shape, excellent adhesion, chemical resistance, storage stability, and fine pattern formation property can be obtained:

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00007
Figure pat00007

(식 중에서, R1은 수소 원자 또는 메틸기이며, R2은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기임).(Wherein R 1 is a hydrogen atom or a methyl group, and R 2 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms).

본 발명에 따른 옥세탄 관능기와 상기 화학식 1로 표시되는 반복 단위에 포함된 관능기가 하나의 수지에 공존하는 경우, 조성물 경화 시 열경화 및 광경화를 동반할 수 있으므로 경화성이 우수할 수 있음은 물론이고, 각각이 별개의 수지에 포함되는 경우보다 동일 수지에 포함되는 경우 가교 등에 따른 반응성이 우수하고, 경화 밀도 면에서 현저히 우수할 수 있으므로, 이를 포함하는 조성물로 패턴 형성 시 우수한 현상성 및 밀착성, 내화학성, 보존안정성 등을 확보하는데 현저히 유리할 수 있다. When the oxetane functional group according to the present invention and the functional group contained in the repeating unit represented by the formula (1) coexist in one resin, the composition can be thermosetting and photo-curing at the time of curing the composition, And when they are contained in the same resin, they are excellent in reactivity due to crosslinking and the like, and can be remarkably excellent in terms of the curing density. Therefore, the composition containing the same can provide excellent developability, Chemical resistance, storage stability, and the like.

이러한 측면에서 바람직하게 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 옥세탄(oxetane) 관능기를 포함하는 반복 단위는 하기 화학식 2로 표시될 수 있다:In this respect, the repeating unit containing the oxetane functional group according to an embodiment of the present invention may be represented by the following formula (2)

[화학식 2](2)

Figure pat00008
Figure pat00008

(식 중에서, R3는 수소 원자 또는 메틸기이며, R4는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기이고, R5는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기임).(Wherein R 3 is a hydrogen atom or a methyl group, R 4 is an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, and R 5 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms).

이를 통해, 전술한 본 발명의 목적 및 효과를 더욱 효과적으로 달성할 수 있다.Thus, the objects and effects of the present invention described above can be achieved more effectively.

본 발명에 따른 제1 수지는 상기 화학식 1의 반복 단위 이외에도 당 분야에서 공지된 다른 단량체로 형성된 반복단위를 더 포함할 수 있다.The first resin according to the present invention may further comprise, in addition to the repeating unit represented by the formula (1), a repeating unit formed from other monomers known in the art.

필요에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 수지(A-1)는 바람직하게 하기 화학식 3으로 표시되는 반복 단위 및 하기 화학식 4로 표시되는 반복 단위를 더 포함할 수 있다:If necessary, the first resin (A-1) according to an embodiment of the present invention may further include a repeating unit represented by the following formula (3) and a repeating unit represented by the following formula (4)

[화학식 3](3)

Figure pat00009
Figure pat00009

(식 중에서, R6는 수소 원자 또는 메틸기이고, (Wherein R 6 is a hydrogen atom or a methyl group,

R7은, 탄소수 3 내지 8의 시클로알킬, 탄소수 6 내지 18의 아릴기, 또는 -COO-R7'이고, 상기 R7'는 탄소수 3 내지 8의 시클로알킬, 탄소수 6 내지 18의 아릴기이며, 상기 시클로알킬 또는 상기 아릴기의 수소 원자 중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 더 치환될 수 있음);R 7 is a cycloalkyl having 3 to 8 carbon atoms, an aryl group having 6 to 18 carbon atoms, or -COO-R 7 ', R 7 ' is a cycloalkyl having 3 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 18 carbon atoms , At least one of the hydrogen atoms of the cycloalkyl or the aryl group may be further substituted with a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms;

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure pat00010
Figure pat00010

(식 중에서, R8은 수소 원자 또는 메틸기임).(Wherein R 8 is a hydrogen atom or a methyl group).

본 발명의 일 실시예에 따른 제1 수지(A-1)는 탄소수 3 내지 8의 시클로알킬 또는 탄소수 6 내지 18의 아릴기를 포함함으로써, 고리형 구조를 수지 내에 포함하게 되므로, 내화학성, 내열성 등이 우수할 수 있는데, 예를 들면, 후 공정 시 패턴이 스트리퍼 등에 대해 잘 견디는 등의 효과 등이 있을 수 있어, 현상성 향상에 도움을 줄 수 있다. 또한, 상기 화학식 4의 반복단위를 포함함으로써, 수지에 알칼리 용해성을 부여할 수 있다.Since the first resin (A-1) according to the embodiment of the present invention includes the cycloalkyl having 3 to 8 carbon atoms or the aryl group having 6 to 18 carbon atoms, the cyclic structure is contained in the resin and therefore the chemical resistance, For example, there can be effects such as that the pattern stays well with the stripper and the like in the post-process, and this can contribute to the improvement of the developability. Incorporation of the repeating unit of the above formula (4) can impart alkali solubility to the resin.

본 발명에 따른 제1 수지는 옥세탄(oxetane) 관능기를 포함하는 반복 단위 및 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 알칼리 가용성 수지라면 특별한 제한이 없으나, 바람직한 예로는 하기 화학식 5로 표시되는 반복단위를 포함할 수 있다:The first resin according to the present invention is not particularly limited as long as it is an alkali-soluble resin including a repeating unit containing an oxetane functional group and a repeating unit represented by the formula (1), and preferred examples thereof include repeating units represented by the following formula Unit may include:

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure pat00011
Figure pat00011

(식 중에서, R1, R3, R6 및 R8은 서로 독립적으로 수소 또는 메틸기이며;(Wherein R 1 , R 3 , R 6 and R 8 are each independently hydrogen or a methyl group;

R2는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고;R 2 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms;

R4는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기이고; R 4 is an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms;

R5는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고;R 5 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms;

R7은, 탄소수 3 내지 8의 시클로알킬 또는 탄소수 6 내지 18의 아릴기이고, 상기 시클로알킬 또는 상기 아릴기의 수소 원자 중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 더 치환될 수 있으며;R 7 is a cycloalkyl having 3 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 18 carbon atoms and at least one of the hydrogen atoms of the cycloalkyl or the aryl group is further substituted with a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms ;

a=0.1 내지 50mol%, b=2 내지 50mol%, c=2 내지 95mol%, d=2 내지 70mol%, 바람직하게는 a=25 내지 45mol%, b=20 내지 40mol%, c=10 내지 30mol%, d=20 내지 50mol%).c = 10 to 30 mol%, d = 2 to 70 mol%, preferably a = 25 to 45 mol%, b = 20 to 40 mol%, c = 10 to 30 mol%, and b = 2 to 50 mol% %, d = 20 to 50 mol%).

가장 우수한 패턴 형성성, 현상성을 나타낸다는 측면에서 제1 수지의 중량평균 분자량은 10,000 내지 30,000인 것이 바람직하다. 상기 분자량 범위에서 가장 우수한 패턴 형성성, 현상성 등을 나타낼 수 있다.From the standpoint of exhibiting the most excellent pattern formation property and developability, the weight average molecular weight of the first resin is preferably 10,000 to 30,000. It is possible to exhibit the best pattern forming property, developability and the like in the above molecular weight range.

필요에 따라, 본 발명에 따른 상기 알칼리 가용성 수지(A)는 하기 화학식 6으로 표시되는 제2 수지(A-2)를 더 포함할 수 있다. 본 발명의 알칼리 가용성 수지(A)는 제2 수지(A-2)를 포함하여, 포스트 베이크 단계에서 에폭시 관능기와 카르복시산의 개환 중합 반응을 통해 열경화반응이 일어나므로, 본 발명의 감광성 수지 조성물로 형성된 패턴은 제1 수지의 라디칼 중합 및 제2 수지의 열경화 반응을 통해 더욱 단단하게 형성될 수 있다:If necessary, the alkali-soluble resin (A) according to the present invention may further comprise a second resin (A-2) represented by the following general formula (6). Since the alkali-soluble resin (A) of the present invention contains the second resin (A-2) and thermosetting reaction occurs through the ring-opening polymerization reaction of the epoxy functional group and the carboxylic acid in the post-baking step, The formed pattern can be formed more firmly through radical polymerization of the first resin and thermal curing reaction of the second resin:

[화학식 6][Chemical Formula 6]

Figure pat00012
Figure pat00012

(식 중, R9 및 R10은 서로 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기이고, X는 단일결합 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기이며 상기 알킬렌기는 헤테로 원자를 포함하거나 포함하지 않고, e= 60내지 95mol%, f= 5 내지 40mol%임).(Wherein R 9 and R 10 are independently of each other a hydrogen atom or a methyl group, X is a single bond or an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms and the alkylene group contains or does not include a hetero atom, e = 60 to 95 mol %, f = 5 to 40 mol%).

밀착성을 더욱 개선한다는 측면에서 제2 수지의 중량평균 분자량은 2,000 내지 30,000인 것이 바람직하다. From the viewpoint of further improving the adhesion, the weight average molecular weight of the second resin is preferably 2,000 to 30,000.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 수지 및 상기 제2 수지에 서로 독립적으로 다른 반복단위가 더 부가될 수 있으며, 이러한 더 부가될 수 있는 반복단위를 형성하는 공단량체는 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 것이면 당 분야에 공지된 공단량체가 별다른 제한 없이 사용될 수 있다.In addition, other repeating units may be added to the first resin and the second resin independently of each other according to an embodiment of the present invention. The comonomer known in the art can be used without limitation as long as it can achieve the purpose.

본 발명의 일 실시예에 따른 알칼리 가용성 수지(A)에 있어서, 제1 수지와 제2 수지의 혼합 중량비는 20:80 내지 80:20일 수 있으며, 바람직하게는 30:70 내지 70:30일 수 있다. 상기 범위에서 가장 우수한 밀착성, 현상성, T/B 비를 나타낼 수 있다.In the alkali-soluble resin (A) according to an embodiment of the present invention, the mixing weight ratio of the first resin and the second resin may be 20:80 to 80:20, preferably 30:70 to 70:30 . In the above range, the most excellent adhesion, developability and T / B ratio can be shown.

알칼리 가용성 수지(A)는 산가가 20 내지 200(KOH㎎/g)의 범위인 것이 바람직하다. 산가가 상기 범위에 있으면, 우수한 현상성 및 경시 안정성을 가질 수 있다.The acid value of the alkali-soluble resin (A) is preferably in the range of 20 to 200 (KOH mg / g). When the acid value is in the above range, excellent developability and long-term stability can be obtained.

알칼리 가용성 수지(A)의 분자량 분포[중량평균분자량(Mw)/수평균분자량(Mn)]는 1.5 내지 6.0인 것이 바람직하고, 1.8 내지 4.0인 것이 보다 바람직하다. 상기 분자량 분포[중량평균분자량(Mw)/수평균분자량(Mn)]가 상기 범위 내에 포함되어 있으면 현상성이 우수해지기 때문에 바람직하다.The molecular weight distribution (weight average molecular weight (Mw) / number average molecular weight (Mn)) of the alkali-soluble resin (A) is preferably 1.5 to 6.0, more preferably 1.8 to 4.0. When the molecular weight distribution (weight-average molecular weight (Mw) / number-average molecular weight (Mn)) is within the above range, the developability is preferable.

알칼리 가용성 수지(A)의 함량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면 감광성 수지 조성물 중 고형분 100중량부에 대하여 상기 알칼리 가용성 수지(A)는 5 내지 90중량부, 바람직하게는 10 내지 70중량부로 포함될 수 있다. 상기의 범위 내로 포함되는 경우, 현상액에의 용해성이 충분하여 현상성이 우수해지며, 우수한 기계적 물성을 갖는 광경화 패턴을 형성할 수 있게 한다.The content of the alkali-soluble resin (A) is not particularly limited, but the alkali-soluble resin (A) is included in an amount of 5 to 90 parts by weight, preferably 10 to 70 parts by weight, per 100 parts by weight of the solid content in the photosensitive resin composition . When it is contained within the above-mentioned range, solubility in a developing solution is sufficient, and the developing property is excellent, and a photocurable pattern having excellent mechanical properties can be formed.

광중합성Photopolymerization 화합물(B) The compound (B)

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 광중합성 화합물(B)은, 광 및 후술하는 광중합 개시제(C)의 작용으로 중합할 수 있는 화합물로서, 제조 공정 중 가교 밀도를 증가시키며, 광경화 패턴의 기계적 특성을 강화시킬 수 있다.The photopolymerizable compound (B) used in the photosensitive resin composition of the present invention is a compound capable of polymerizing under the action of light and a photopolymerization initiator (C) described later, which increases the crosslinking density during the production process, It is possible to enhance the characteristics.

광중합성 화합물(B)은 수지 조성물의 현상성, 감도, 밀착성, 표면문제 등을 개량하기 위해 관능기의 구조나 관능기 수가 다른 2개 또는 그 이상의 광중합성 화합물을 혼합하여 사용할 수 있으며, 당분야에 사용되는 것이 특별한 제한 없이 사용될 수 있으나, 예를 들면 단관능 단량체, 2관능 단량체 및 그 밖의 다관능 단량체로서, 하기 화합물들을 그 예로 들 수 있다. The photopolymerizable compound (B) can be used by mixing two or more photopolymerizable compounds having different functional groups or different functional groups in order to improve the developability, sensitivity, adhesion and surface problems of the resin composition. May be used without particular limitation, and examples thereof include monofunctional monomers, bifunctional monomers and other polyfunctional monomers, for example, the following compounds.

단관능 단량체의 구체예로는 노닐페닐카르비톨아크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트, 2-에틸헥실카르비톨아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, N-비닐피롤리돈 등을 들 수 있다. 2관능 단량체의 구체예로는 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 비스페놀 A의 비스(아크릴로일옥시에틸)에테르, 3-메틸펜탄디올디(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 그 밖의 다관능 단량체의 구체예로서는 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 에톡실레이티드트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 프로폭실레이티드트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 에톡실레이티드디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 프로폭실레이티드디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서 2관능 이상의 다관능 단량체가 바람직하게 사용된다. Specific examples of monofunctional monomers include nonylphenylcarbitol acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate, 2-ethylhexylcarbitol acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, N- Money and so on. Specific examples of the bifunctional monomer include 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) Bis (acryloyloxyethyl) ether of bisphenol A, 3-methylpentanediol di (meth) acrylate, and the like. Specific examples of other polyfunctional monomers include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, ethoxylated trimethylolpropane tri (meth) acrylate, propoxylated trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (Meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, ethoxylated dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, propoxylated dipentaerythritol Hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and the like. Of these, multifunctional monomers having two or more functional groups are preferably used.

상기 광중합성 화합물(B)의 함량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 감광성 수지 조성물 중의 고형분을 기준으로 알칼리 가용성 수지(A) 100중량부에 대하여, 1 내지 90중량부, 바람직하게는 10 내지 80중량부의 범위에서 사용된다. 광중합성 화합물(B)이 상기의 함량 범위로 포함되는 경우, 우수한 내구성을 가질 수 있고, 조성물의 현상성을 향상시킬 수 있다.The content of the photopolymerizable compound (B) is not particularly limited. For example, the content of the photopolymerizable compound (B) is 1 to 90 parts by weight, preferably 10 to 100 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali- 80 parts by weight. When the photopolymerizable compound (B) is contained in the above-mentioned content range, it can have excellent durability and can improve the developability of the composition.

광중합Light curing 개시제Initiator (C)(C)

본 발명에 따른 광중합 개시제는 당 분야에 일반적으로 사용되는 것으로서 본 발명의 목적에 벗어나지 않는 범위 내에서 제한 없이 사용될 수 있고, 고감도 및 본 발명의 감광성 수지 조성물로 형성되는 광경화 패턴의 강도나 표면 평활성 측면에서 트리아진계 화합물, 아세토페논계 화합물, 비이미다졸계 화합물, 옥심 화합물, 벤조인계 화합물, 벤조페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 안트라센계 화합물 등을 들 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 이들은 각각 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.The photopolymerization initiator according to the present invention is generally used in the art, and can be used without limitation within the scope of the present invention. The photopolymerization initiator of the present invention can be used as a photopolymerization initiator, But are not limited to, triazine compounds, acetophenone compounds, imidazole compounds, oxime compounds, benzoin compounds, benzophenone compounds, thioxanthone compounds, and anthracene compounds. These may be used alone or in combination of two or more.

그 밖에 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥시드, 10-부틸-2-클로로아크리돈, 2-에틸안트라퀴논, 벤질, 9,10-페난트렌퀴논, 캄포퀴논, 페닐클리옥실산 메틸, 티타노센 화합물 등도 사용할 수 있다.Other examples include 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, 10-butyl-2-chloroacridone, 2-ethylanthraquinone, benzyl, 9,10-phenanthrenequinone, camphorquinone, phenylclyoxylic acid Methyl, titanocene compounds and the like can also be used.

또한, 광중합 개시제로 연쇄 이동을 일으킬 수 있는 기를 갖는 광중합 개시제를 사용할 수도 있다. 이러한 광중합 개시제로서는, 예를 들면 일본 특허 공표 2002-544205호 공보에 기재되어 있는 것을 들 수 있다.Further, a photopolymerization initiator having a group capable of chain transfer as a photopolymerization initiator may be used. Examples of such a photopolymerization initiator include those described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-544205.

상기 광중합 개시제에는 중합 개시 보조제를 조합하여 사용할 수도 있다. 상기 광중합 개시제에 중합 개시 보조제를 병용하면, 이들을 함유하는 감광성 수지 조성물은 더욱 고감도가 되어 광경화 패턴 형성 시 생산성 향상을 도모할 수 있으므로 바람직하다. The polymerization initiator may be used in combination with the photopolymerization initiator. When the polymerization initiator is used in combination with the photopolymerization initiator, the photosensitive resin composition containing the photopolymerization initiator is more preferable because productivity can be improved when the photopolymerization pattern is formed.

상기 중합 개시 보조제는 당 분야에 일반적으로 사용되는 것으로서 본 발명의 목적에 벗어나지 않는 범위 내라면 그 종류에 특별한 제한은 없고, 구체적으로는 아민 화합물, 카르복실산 화합물이 바람직하게 사용될 수 있다.The polymerization initiator is generally used in the art and is not particularly limited as long as it does not deviate from the object of the present invention. Specifically, an amine compound or a carboxylic acid compound can be preferably used.

상기 광중합 개시제의 함량은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면 감광성 수지 조성물 중 고형분 100 중량부에 대하여 0.1 내지 20중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서 감광성 수지 조성물이 고감도화되어 노광 시간이 단축되므로 생산성이 향상되며 높은 해상도를 유지할 수 있으며, 형성한 화소부의 강도와 화소부의 표면에서의 평활성이 양호해질 수 있다는 점에서 좋다.The content of the photopolymerization initiator is not particularly limited and may be, for example, 0.1 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the solid content in the photosensitive resin composition. Since the photosensitive resin composition has a high sensitivity within the above range, the exposure time is shortened, so that the productivity is improved, high resolution can be maintained, and the strength of the formed pixel portion and the smoothness on the surface of the pixel portion can be improved.

용제(D)Solvent (D)

본 발명에 따른 용제는 당해 분야에서 통상적으로 사용하는 것이라면 어떠한 것이라도 제한 없이 사용할 수 있다.The solvent according to the present invention can be used without limitation as long as it is commonly used in the art.

상기 용제의 구체적인 예로는 에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 디에틸렌글리콜디알킬에테르류, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트류, 알킬렌글리콜알킬에테르아세테이트류, 알콕시부틸아세테이트류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜디알킬에테르류, 프로필렌글리콜알킬에테르프로피오네이트류, 부틸디올모노알킬에테르류, 부탄디올모노알킬에테르아세테이트류, 부탄디올모노알킬에테르프로피오네이트류, 알콕시에틸프로피오네이트류, 디프로필렌글리콜디알킬에테르류, 방향족 탄화수소류, 케톤류, 알코올류, 에스테르류, 알콕시알칸올류, 고리형 에테르류, 고리형 에스테르류 등을 들 수 있고, 도포성 및 건조성을 고려하였을 때 메틸에틸디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 3-메톡시-1-부탄올 등이 바람직하며, 이들은 각각 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. Specific examples of the solvent include ethylene glycol monoalkyl ethers, diethylene glycol dialkyl ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, alkylene glycol alkyl ether acetates, alkoxybutyl acetates, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol Butylene glycol monoalkyl ether ethers, butanediol monoalkyl ether propionates, alkoxy ethyl propionates, dipropylene glycol dialkyl ether, dipropylene glycol dialkyl ether, dipropylene glycol dialkyl ether, dipropylene glycol dialkyl ether, Examples of the solvent include aromatic hydrocarbons, ketones, alcohols, esters, alkoxyalkanols, cyclic ethers and cyclic esters. When considering the applicability and dryness, methyl ethyldiethylene glycol, propylene glycol mono Methyl ether acetate, 3-methoxy-1-butanol, etc. These may be used alone or in combination of two or more.

상기 용제의 함량은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면 감광성 수지 조성물 총 100 중량부 중 40 내지 90중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우, 스핀 코터, 슬릿 & 스핀 코터, 슬릿 코터(다이 코터, 커튼플로우 코터라고도 불리는 경우가 있다), 잉크젯 등의 도포 장치로 도포했을 때 도포성이 양호해지는 점에서 바람직하다.The content of the solvent is not particularly limited and may be, for example, 40 to 90 parts by weight in 100 parts by weight of the total amount of the photosensitive resin composition. When the above-mentioned range is satisfied, it is preferable from the viewpoint of improving the applicability when applied with a spin coater, a slit & spin coater, a slit coater (sometimes referred to as a die coater, a curtain flow coater), an ink jet or the like.

첨가제(E)Additive (E)

본 발명에 따른 감광성 수지 조성물은 필요에 따라 충진제, 다른 고분자 화합물, 경화제, 밀착촉진제, 산화방지제, 자외선 흡수제, 응집 방지제, 연쇄 이동제 등의 첨가제를 더 포함할 수 있다. The photosensitive resin composition according to the present invention may further contain additives such as a filler, another polymer compound, a curing agent, an adhesion promoter, an antioxidant, an ultraviolet absorber, an aggregation inhibitor and a chain transfer agent.

상기 첨가제들은 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용될 수 있다.These additives may be used alone or in combination of two or more.

상기 첨가제의 함량은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면 감광성 수지 조성물 중 고형분 100 중량부에 대하여 0.001 내지 1 중량부로 포함될 수 있다.The content of the additive is not particularly limited and may be, for example, 0.001 to 1 part by weight based on 100 parts by weight of the solid content in the photosensitive resin composition.

<< 광경화Photocuring 패턴 및 화상표시 장치> Pattern and image display device>

본 발명은 상기 감광성 수지 조성물로 제조되는 광경화 패턴과 상기 광경화 패턴을 포함하는 화상 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an image display device including the photo-curable pattern made of the photosensitive resin composition and the photo-curable pattern.

상기 감광성 수지 조성물로 제조된 광경화 패턴은 CD-Bias 제어가 가능하며 T/B비 값, 현상성, 밀착성 및 기계적 물성이 우수하다. 이에 따라 화상 표시 장치에 있어서 각종 패턴, 예를 들면 접착제층, 어레이 평탄화막, 보호막, 절연막 패턴 등으로 이용될 수 있고, 포토레지스트, 블랙 매트릭스, 스페이서 패턴 등으로 이용될 수도 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The photocurable pattern prepared from the photosensitive resin composition is capable of CD-Bias control and has excellent T / B ratio, developability, adhesion, and mechanical properties. Accordingly, it can be used in various patterns such as an adhesive layer, an array flattening film, a protective film, an insulating film pattern, and the like in an image display apparatus, and can be used as a photoresist, a black matrix, a spacer pattern, no.

이러한 광경화 패턴을 구비하거나 제조 과정 중에 상기 패턴을 사용하는 화상 표시 장치로는 액정 표시 장치, OLED, 플렉서블 디스플레이 등이 있을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 적용이 가능한 당 분야에 알려진 모든 화상 표시 장치를 예시할 수 있다.The image display device having the light curing pattern or using the pattern during the manufacturing process may include a liquid crystal display device, an OLED, a flexible display, and the like. However, the present invention is not limited thereto, Can be exemplified.

광경화 패턴은 전술한 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기재 상에 도포하고, (필요에 따라 현상 공정 거친 후) 광경화 패턴을 형성함으로써 제조할 수 있다. The photo-curing pattern can be produced by applying the above-described photosensitive resin composition of the present invention onto a substrate and forming a photo-curable pattern (after the development step if necessary).

먼저, 감광성 수지 조성물을 기판에 도포한 후 가열 건조함으로써 용매 등의 휘발 성분을 제거하여 평활한 도막을 얻는다.First, a photosensitive resin composition is coated on a substrate and then heated and dried to remove a volatile component such as a solvent to obtain a smooth coated film.

도포 방법으로는, 예를 들어 스핀 코트, 유연 도포법, 롤 도포법, 슬릿 앤드 스핀 코트 또는 슬릿 코트법 등에 의해 실시될 수 있다. 도포 후 가열건조 (프리베이크), 또는 감압 건조 후에 가열하여 용매 등의 휘발 성분을 휘발시킨다. 여기에서, 가열 온도는 상대적으로 저온인 70 내지 100℃ 이다. 가열건조 후의 도막 두께는 통상 1 내지 8㎛ 정도이다. 이렇게 하여 얻어진 도막에, 목적으로 하는 패턴을 형성하기 위한 마스크를 통해 자외선을 조사한다. 이 때, 노광부 전체에 균일하게 평행 광선이 조사되고, 또한 마스크와 기판의 정확한 위치 맞춤이 실시되도록, 마스크 얼라이너나 스테퍼 등의 장치를 사용하는 것이 바람직하다. 자외선을 조사하면, 자외선이 조사된 부위의 경화가 이루어진다.The coating method can be carried out by, for example, a spin coating method, a flexible coating method, a roll coating method, a slit and spin coating method, a slit coating method or the like. After application, heating and drying (prebaking), or drying under reduced pressure, volatile components such as solvents are volatilized. Here, the heating temperature is 70 to 100 DEG C which is a relatively low temperature. The thickness of the coating film after heat drying is usually about 1 to 8 mu m. Ultraviolet rays are applied to the thus obtained coating film through a mask for forming a desired pattern. At this time, it is preferable to use an apparatus such as a mask aligner or a stepper so as to uniformly irradiate a parallel light beam onto the entire exposed portion and accurately align the mask and the substrate. When ultraviolet light is irradiated, the site irradiated with ultraviolet light is cured.

상기 자외선으로는 g선(파장: 436㎚), h선, i선(파장: 365㎚) 등을 사용할 수 있다. 자외선의 조사량은 필요에 따라 적절히 선택될 수 있는 것이며, 본 발명에서 이를 한정하지는 않는다. 경화가 종료된 도막을 필요에 따라 현상액에 접촉시켜 비노광부를 용해시켜 현상하면 목적으로 하는 패턴 형상을 형성할 수 있다. The ultraviolet rays may be g-line (wavelength: 436 nm), h-line, i-line (wavelength: 365 nm), or the like. The dose of ultraviolet rays can be appropriately selected according to need, and the present invention is not limited thereto. If desired, the coating film after curing is brought into contact with a developing solution to dissolve and develop the non-visible portion, and a desired pattern shape can be formed.

상기 현상 방법은, 액첨가법, 디핑법, 스프레이법 등 어느 것을 사용하여도 무방하다. 또한 현상 시에 기판을 임의의 각도로 기울여도 된다. 상기 현상액은 통상 알칼리성 화합물과 계면 활성제를 함유하는 수용액이다. The developing method may be any of a liquid addition method, a dipping method, and a spraying method. Further, the substrate may be inclined at an arbitrary angle during development. The developer is usually an aqueous solution containing an alkaline compound and a surfactant.

상기 현상액 중의 계면 활성제의 농도는, 통상 0.01 내지 10 중량%, 바람직하게는 0.05 내지 8 중량%, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5 중량%이다. 현상 후, 수세하고, 상대적으로 저온인 100 내지 150℃에서 10 내지 60 분의 포스트 베이크를 실시한다.The concentration of the surfactant in the developer is usually 0.01 to 10% by weight, preferably 0.05 to 8% by weight, more preferably 0.1 to 5% by weight. After development, the substrate is washed with water and subjected to post-baking at a relatively low temperature of 100 to 150 DEG C for 10 to 60 minutes.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description of the present invention are exemplary and explanatory and are intended to be illustrative of the invention and are not intended to limit the scope of the claims. It will be apparent to those skilled in the art that such variations and modifications are within the scope of the appended claims.

<< 합성예Synthetic example 1> 제1수지 A-1-1의 합성 1> Synthesis of first resin A-1-1

환류 냉각기, 적하 깔대기 및 교반기를 구비한 1L의 플라스크 내에 질소를 0.02L/분으로 흐르게 하여 질소 분위기로 하고, 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 250g을 도입하여, 100℃로 승온 후 아크릴산 36.0g(0.50몰), 3-에틸-3-옥세타닐 메타크릴레이트 51.1g(0.30몰), 비닐톨루엔 23.6g(0.20몰) 및 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 150g을 포함하는 혼합물에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 3.6g을 첨가한 용액을 적하 로트로부터 2시간에 걸쳐 플라스크에 적하하여 100℃에서 5시간 더 교반을 계속하였다.250 g of propylene glycol monomethyl ether acetate was introduced into a 1 L flask equipped with a reflux condenser, a dropping funnel and a stirrer at a flow rate of 0.02 L / min to obtain a nitrogen atmosphere. After raising the temperature to 100 캜, 36.0 g (0.30 mol) of 3-ethyl-3-oxetanyl methacrylate, 23.6 g (0.20 mol) of vinyltoluene and 150 g of propylene glycol monomethyl ether acetate was added to 2,2'-azobis 2,4-dimethylvaleronitrile) was added dropwise to the flask over 2 hours from the dropping funnel, and stirring was further continued at 100 ° C for 5 hours.

이어서, 플라스크 내 분위기를 질소에서 공기로 하고, 글리시딜메타크릴레이트 49.8g [0.35몰(본 반응에 사용한 아크릴산에 대하여 70몰%)]을 플라스크내에 투입하여 110℃에서 6시간 반응을 계속하고, 고형분 산가가 70㎎KOH/g인 불포화기 함유 수지(A-1-1)를 얻었다. GPC에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량평균분자량은 24.100 이고, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2.30이었다.Subsequently, 49.8 g (0.35 mol (relative to acrylic acid used in this reaction) of 70 mol%) of glycidyl methacrylate was charged into the flask, and the reaction was continued at 110 DEG C for 6 hours To obtain an unsaturated group-containing resin (A-1-1) having a solid acid value of 70 mgKOH / g. The weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by GPC was 24.100 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 2.30.

<< 합성예Synthetic example 1-2> 제1수지 A-1-2의 합성 1-2> Synthesis of first resin A-1-2

환류 냉각기, 적하 깔대기 및 교반기를 구비한 1L의 플라스크 내에 질소를 0.02L/분으로 흐르게 하여 질소 분위기로 하고, 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 250g을 도입하여, 100℃로 승온 후 아크릴산 36.0g(0.50몰), 3-에틸-3-옥세타닐 메타크릴레이트 51.1g(0.30몰), 시클로헥실 메타크릴에이트 33.6g(0.20몰) 및 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 150g을 포함하는 혼합물에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 3.6g을 첨가한 용액을 적하 로트로부터 2시간에 걸쳐 플라스크에 적하하여 100℃에서 5시간 더 교반을 계속하였다.250 g of propylene glycol monomethyl ether acetate was introduced into a 1 L flask equipped with a reflux condenser, a dropping funnel and a stirrer at a flow rate of 0.02 L / min to obtain a nitrogen atmosphere. After raising the temperature to 100 캜, 36.0 g ), 51.1 g (0.30 mol) of 3-ethyl-3-oxetanyl methacrylate, 33.6 g (0.20 mol) of cyclohexyl methacrylate and 150 g of propylene glycol monomethyl ether acetate. And 3.6 g of azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) was added dropwise to the flask over 2 hours from the dropping funnel, and stirring was further continued at 100 ° C for 5 hours.

이어서, 플라스크 내 분위기를 질소에서 공기로 하고, 글리시딜메타크릴레이트 49.8g [0.35몰(본 반응에 사용한 아크릴산에 대하여 70몰%)]을 플라스크 내에 투입하여 110℃에서 6시간 반응을 계속하고, 고형분 산가가 71㎎KOH/g인 불포화기 함유 수지(A-1-2)를 얻었다. GPC에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량평균분자량은 23,900이고, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2.34이었다Subsequently, 49.8 g (0.35 mol (relative to acrylic acid used in this reaction) of 70 mol%) of glycidyl methacrylate was charged into the flask, and the reaction was continued at 110 DEG C for 6 hours , And an unsaturated group-containing resin (A-1-2) having a solid acid value of 71 mgKOH / g. The weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by GPC was 23,900 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 2.34

<< 합성예Synthetic example 2> 제1수지 A-1-3의 합성 2> Synthesis of first resin A-1-3

환류 냉각기, 적하 깔대기 및 교반기를 구비한 1L의 플라스크 내에 질소를 0.02L/분으로 흐르게 하여 질소 분위기로 하고, 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 250g을 도입하여, 100℃로 승온 후 아크릴산 36.0g(0.50몰), 3-에틸-3-옥세타닐 메타크릴레이트 51.1g(0.30몰), 스티렌 20.8g(0.20몰) 및 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 150g을 포함하는 혼합물에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 3.6g을 첨가한 용액을 적하 로트로부터 2시간에 걸쳐 플라스크에 적하하여 100℃에서 5시간 더 교반을 계속하였다. 250 g of propylene glycol monomethyl ether acetate was introduced into a 1 L flask equipped with a reflux condenser, a dropping funnel and a stirrer at a flow rate of 0.02 L / min to obtain a nitrogen atmosphere. After raising the temperature to 100 캜, 36.0 g Azobis (2) was added to a mixture containing 51.1 g (0.30 mol) of 3-ethyl-3-oxetanyl methacrylate, 20.8 g (0.20 mol) of styrene and 150 g of propylene glycol monomethyl ether acetate , 4-dimethylvaleronitrile) was added dropwise to the flask over 2 hours from the dropping funnel, and stirring was further continued at 100 ° C for 5 hours.

이어서, 플라스크 내 분위기를 질소에서 공기로 하고, 글리시딜메타크릴레이트 49.8g [0.35몰(본 반응에 사용한 아크릴산에 대하여 70몰%)]을 플라스크 내에 투입하여 110℃에서 6시간 반응을 계속하고, 고형분 산가가 71㎎KOH/g인 불포화기 함유 수지(A-1-3)을 얻었다. GPC에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량평균분자량은 23,900이고, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2.31이었다.Subsequently, 49.8 g (0.35 mol (relative to acrylic acid used in this reaction) of 70 mol%) of glycidyl methacrylate was charged into the flask, and the reaction was continued at 110 DEG C for 6 hours To obtain an unsaturated group-containing resin (A-1-3) having a solid acid value of 71 mgKOH / g. The weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by GPC was 23,900 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 2.31.

<< 합성예Synthetic example 3> 제2수지 A-2-1의 합성 3> Synthesis of the second resin A-2-1

환류 냉각기, 적하 깔대기 및 교반기를 구비한 1L의 플라스크 내에 질소를 0.02L/분으로 흐르게 하여 질소 분위기로 하고, 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 150g을 넣고 교반하면서 70℃까지 가열하였다. 이어서, 하기 화학식 16 및 화학식 17의 혼합물(몰비는 50:50) 210.2g(0.95몰), 및 메타크릴산 14.5g(0.17몰)을 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 150g에 용해하여 용액을 조제하였다. 제조된 용해액을, 적하 깔대기를 사용하여 플라스크 내에 적하한 후, 중합 개시제 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 27.9g(0.11몰)을 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 200g에 용해한 용액을, 별도의 적하 깔대기를 사용하여 4 시간에 걸쳐 플라스크 내에 적하하였다. 중합 개시제의 용액의 적하가 종료된 후, 4 시간 동안 70℃로 유지하고, 그 후 실온까지 냉각시키고, 고형분 41.6 질량%, 산가 65㎎-KOH/g (고형분 환산)의 공중합체의 용액을 얻었다. 얻어진 수지(A-2-1)의 중량 평균 분자량 Mw는 8,300, 분자량 분포는 1.85이었다.A 1 L flask equipped with a reflux condenser, a dropping funnel and a stirrer was charged with nitrogen at 0.02 L / min to make a nitrogen atmosphere. 150 g of diethylene glycol methyl ethyl ether was added and heated to 70 캜 with stirring. Next, 210.2 g (0.95 mol) of a mixture of the following formula (16) and 17 (molar ratio: 50: 50) and 14.5 g (0.17 mol) of methacrylic acid were dissolved in 150 g of diethylene glycol methyl ethyl ether to prepare a solution. The prepared solution was dripped into a flask using a dropping funnel, 27.9 g (0.11 mol) of a polymerization initiator 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) was added dropwise to a solution of 200 g of diethylene glycol methyl ethyl ether Was added dropwise to the flask over 4 hours using a separate dropping funnel. After the dropwise addition of the polymerization initiator solution was completed, the solution was maintained at 70 DEG C for 4 hours, and then cooled to room temperature to obtain a copolymer solution having a solid content of 41.6 mass% and an acid value of 65 mg-KOH / g (in terms of solid content) . The obtained resin (A-2-1) had a weight average molecular weight Mw of 8,300 and a molecular weight distribution of 1.85.

[화학식 16] [화학식 17][Chemical Formula 16]

Figure pat00013
Figure pat00014
Figure pat00013
Figure pat00014

이때, 상기 분산수지의 중량평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)의 측정은 HLC-8120GPC(도소㈜ 제조) 장치를 사용하였으며, 칼럼은 TSK-GELG4000HXL와 TSK-GELG2000HXL를 직렬 접속하여 사용하였고, 칼럼 온도는 40℃, 이동상 용매는 테트라히드로퓨란, 유속은 1.0㎖/분, 주입량은 50㎕, 검출기 RI를 사용하였으며, 측정 시료 농도는 0.6질량%(용매 = 테트라히드로퓨란), 교정용 표준 물질은 TSK STANDARD POLYSTYRENE F-40, F-4, F-1, A-2500, A-500(도소㈜ 제조)을 사용하였다.The weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) of the dispersion resin were measured by using HLC-8120GPC (manufactured by TOSOH CORPORATION), and the columns were TSK-GELG4000HXL and TSK-GELG2000HXL connected in series , The column temperature was 40 占 폚, the mobile phase solvent was tetrahydrofuran, the flow rate was 1.0 ml / min, the injection amount was 50 占, and the detector RI was used. The concentration of the test sample was 0.6 mass% (solvent = tetrahydrofuran) TSK STANDARD POLYSTYRENE F-40, F-4, F-1, A-2500 and A-500 (manufactured by TOSOH CORPORATION) were used.

상기에서 얻어진 중량평균분자량 및 수평균분자량의 비를 분자량 분포 (Mw/Mn)로 하였다.The ratio of the weight average molecular weight to the number average molecular weight obtained above was defined as a molecular weight distribution (Mw / Mn).

<< 합성예Synthetic example 4> 불포화기  4> unsaturated group 함유수지Containing resin A-4의 합성 Synthesis of A-4

환류 냉각기, 적하 깔대기 및 교반기를 구비한 1L의 플라스크 내에 질소를 0.02L/분으로 흐르게 하여 질소 분위기로 하고, 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 200g을 도입하여, 100℃로 승온 후 아크릴산 33.9g(0.47몰), 노르보넨 4.7g(0.05몰), 비닐톨루엔 56.7g(0.48몰) 및 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 150g을 포함하는 혼합물에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 3.6g을 첨가한 용액을 적하 로트로부터 2시간에 걸쳐 플라스크에 적하하여 100℃에서 5시간 더 교반을 계속하였다. In a 1 L flask equipped with a reflux condenser, a dropping funnel and a stirrer, nitrogen was introduced at 0.02 L / min to make a nitrogen atmosphere, and 200 g of propylene glycol monomethyl ether acetate was introduced. After raising the temperature to 100 캜, 33.9 g Azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) 3.6 (5 g) was added to a mixture containing 4.7 g (0.05 mol) of norbornene, 56.7 g (0.48 mol) of vinyltoluene and 150 g of propylene glycol monomethyl ether acetate g was added dropwise to the flask over a period of 2 hours from the dropping funnel, and stirring was further continued at 100 ° C for 5 hours.

이어서, 플라스크내 분위기를 질소에서 공기로 하고, 글리시딜메타크릴레이트 42.6g [0.30몰(본 반응에 사용한 아크릴산에 대하여 64몰%)]을 플라스크내에 투입하여 110℃에서 6시간 반응을 계속하고, 고형분 산가가 79㎎KOH/g인 불포화기 함유 수지 A-4를 얻었다. GPC에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량평균분자량은 6,600이고, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.9이었다.Subsequently, the atmosphere in the flask was changed from nitrogen to air, and 42.6 g of glycidyl methacrylate (0.30 mol (64 mol% based on the acrylic acid used in the present reaction)) was charged into the flask, and the reaction was continued at 110 DEG C for 6 hours To obtain an unsaturated group-containing resin A-4 having a solid acid value of 79 mgKOH / g. The weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by GPC was 6,600 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.9.

<< 합성예Synthetic example 5>  5> 옥세탄Oxetane 함유수지Containing resin A-5의 합성 Synthesis of A-5

환류 냉각기, 적하 깔대기 및 교반기를 구비한 1L의 플라스크 내에 질소를 0.02L/분으로 흐르게 하여 질소 분위기로 하고, 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 150g을 넣고 교반하면서 70℃까지 가열하였다. 이어서, 하기 화학식 16 및 화학식 17의 혼합물(몰비는 50:50) 132.2g(0.60몰), 3-에틸-3-옥세타닐 메타크릴레이트 51.1g(0.30몰) 및 메타크릴산 8.6g(0.10몰)을 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 150g에 용해하여 용액을 제조하였다.A 1 L flask equipped with a reflux condenser, a dropping funnel and a stirrer was charged with nitrogen at 0.02 L / min to make a nitrogen atmosphere. 150 g of diethylene glycol methyl ethyl ether was added and heated to 70 캜 with stirring. Subsequently, 132.2 g (0.60 mole) of a mixture of the following chemical formulas 16 and 17 (molar ratio of 50:50), 51.1 g (0.30 mole) of 3-ethyl-3-oxetanyl methacrylate and 8.6 g Mol) was dissolved in 150 g of diethylene glycol methyl ethyl ether to prepare a solution.

[화학식 16] [화학식 17][Chemical Formula 16]

Figure pat00015
Figure pat00016
Figure pat00015
Figure pat00016

제조된 용해액을, 적하 깔대기를 사용하여 플라스크 내에 적하한 후, 중합 개시제 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 27.9g(0.11몰)을 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 200g에 용해한 용액을, 별도의 적하 깔대기를 사용하여 4 시간에 걸쳐 플라스크 내에 적하하였다. 중합 개시제의 용액의 적하가 종료된 후, 4 시간 동안 70℃로 유지하고, 그 후 실온까지 냉각시키고, 고형분 41.8 질량%, 산가 62㎎-KOH/g (고형분 환산)의 공중합체의 용액을 얻었다. The prepared solution was dripped into a flask using a dropping funnel, 27.9 g (0.11 mol) of a polymerization initiator 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) was added dropwise to a solution of 200 g of diethylene glycol methyl ethyl ether Was added dropwise to the flask over 4 hours using a separate dropping funnel. After the dropwise addition of the polymerization initiator solution was completed, the solution was maintained at 70 캜 for 4 hours and then cooled to room temperature to obtain a solution of a copolymer having a solid content of 41.8% by mass and an acid value of 62 mg-KOH / g (in terms of solid content) .

얻어진 수지 A-5의 중량 평균 분자량 Mw는 7,700, 분자량 분포는 1.82이었다.The resin A-5 thus obtained had a weight average molecular weight Mw of 7,700 and a molecular weight distribution of 1.82.

<< 합성예Synthetic example 6>  6> 옥세탄을Oxetane 단독으로 포함하는 수지(A-6)의 합성 Synthesis of resin (A-6) containing alone

환류 냉각기, 적하 깔대기 및 교반기를 구비한 1L의 플라스크 내에 질소를 0.02L/분으로 흐르게 하여 질소 분위기로 하고, 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 150g을 넣고 교반하면서 70℃까지 가열하였다. 3-에틸-3-옥세타닐 메타크릴레이트 161.7g(0.95몰), 및 메타크릴산 14.5g(0.17몰)을 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 150g에 용해하여 용액을 조제하였다.A 1 L flask equipped with a reflux condenser, a dropping funnel and a stirrer was charged with nitrogen at 0.02 L / min to make a nitrogen atmosphere. 150 g of diethylene glycol methyl ethyl ether was added and heated to 70 캜 with stirring. 161.7 g (0.95 mol) of 3-ethyl-3-oxetanyl methacrylate and 14.5 g (0.17 mol) of methacrylic acid were dissolved in 150 g of diethylene glycol methyl ethyl ether to prepare a solution.

제조된 용해액을, 적하 깔대기를 사용하여 플라스크 내에 적하한 후, 중합 개시제 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 27.9g(0.11몰)을 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르 200g에 용해한 용액을, 별도의 적하 깔대기를 사용하여 4 시간에 걸쳐 플라스크 내에 적하하였다. 중합 개시제의 용액의 적하가 종료된 후, 4 시간 동안 70℃로 유지하고, 그 후 실온까지 냉각시키고, 고형분 41.6 질량%, 산가 65㎎-KOH/g (고형분 환산)의 공중합체 (수지 A-2)의 용액을 얻었다. 얻어진 수지 A-2의 중량 평균 분자량 Mw는 8,300, 분자량 분포는 1.85이었다.The prepared solution was dripped into a flask using a dropping funnel, 27.9 g (0.11 mol) of a polymerization initiator 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) was added dropwise to a solution of 200 g of diethylene glycol methyl ethyl ether Was added dropwise to the flask over 4 hours using a separate dropping funnel. After the dropwise addition of the polymerization initiator solution was completed, the solution was maintained at 70 占 폚 for 4 hours and then cooled to room temperature to obtain a copolymer (Resin A-1) having a solid content of 41.6% by mass and an acid value of 65 mg-KOH / g 2) was obtained. The weight average molecular weight Mw of the obtained resin A-2 was 8,300 and the molecular weight distribution was 1.85.

이때, 상기 분산수지의 중량평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)의 측정은 HLC-8120GPC(도소㈜ 제조) 장치를 사용하였으며, 칼럼은 TSK-GELG4000HXL와 TSK-GELG2000HXL를 직렬 접속하여 사용하였고, 칼럼 온도는 40℃, 이동상 용매는 테트라히드로퓨란, 유속은 1.0㎖/분, 주입량은 50㎕, 검출기 RI를 사용하였으며, 측정 시료 농도는 0.6질량%(용매 = 테트라히드로퓨란), 교정용 표준 물질은 TSK STANDARD POLYSTYRENE F-40, F-4, F-1, A-2500, A-500(도소㈜ 제조)을 사용하였다.The weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) of the dispersion resin were measured by using HLC-8120GPC (manufactured by TOSOH CORPORATION), and the columns were TSK-GELG4000HXL and TSK-GELG2000HXL connected in series , The column temperature was 40 占 폚, the mobile phase solvent was tetrahydrofuran, the flow rate was 1.0 ml / min, the injection amount was 50 占, and the detector RI was used. The concentration of the test sample was 0.6 mass% (solvent = tetrahydrofuran) TSK STANDARD POLYSTYRENE F-40, F-4, F-1, A-2500 and A-500 (manufactured by TOSOH CORPORATION) were used.

상기에서 얻어진 중량평균분자량 및 수평균분자량의 비를 분자량 분포 (Mw/Mn)로 하였다.The ratio of the weight average molecular weight to the number average molecular weight obtained above was defined as a molecular weight distribution (Mw / Mn).

상기의 수지의 중량평균분자량(Mw) 및 수평균분자량(Mn)의 측정에 대해서는 GPC법을 이용하여 이하의 조건으로 행하였다.The weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) of the resin were measured by the GPC method under the following conditions.

장치 : HLC-8120GPC(도소㈜ 제조)Apparatus: HLC-8120GPC (manufactured by TOSOH CORPORATION)

칼럼 : TSK-GELG4000HXL + TSK-GELG2000HXL(직렬 접속)Column: TSK-GELG4000HXL + TSK-GELG2000HXL (Serial connection)

칼럼 온도 : 40℃Column temperature: 40 DEG C

이동상 용매 : 테트라히드로퓨란Mobile phase solvent: tetrahydrofuran

유속 : 1.0 ㎖/분Flow rate: 1.0 ml / min

주입량 : 50 ㎕Injection amount: 50 μl

검출기 : RIDetector: RI

측정 시료 농도 : 0.6 질량%(용매 = 테트라히드로퓨란)Measurement sample concentration: 0.6 mass% (solvent = tetrahydrofuran)

교정용 표준 물질 : TSK STANDARD POLYSTYRENE F-40, F-4, F-1, A-2500, A-500(도소㈜ 제조)Standard materials for calibration: TSK STANDARD POLYSTYRENE F-40, F-4, F-1, A-2500, A-500 (manufactured by TOSOH CORPORATION)

상기에서 얻어진 중량평균분자량 및 수평균분자량의 비를 분자량 분포 (Mw/Mn)로 하였다.The ratio of the weight average molecular weight to the number average molecular weight obtained above was defined as a molecular weight distribution (Mw / Mn).

하기 표 1에 기재된 조성 및 함량(중량부)을 갖는 감광성 수지 조성물을 제조하였다.A photosensitive resin composition having the composition and the content (parts by weight) shown in Table 1 below was prepared.

Figure pat00017
Figure pat00017

상기 표 1에서 사용된 각 성분은 아래와 같다. The components used in Table 1 are as follows.

A-1-1 : 합성예 1에서 제조된 수지A-1-1: Resin prepared in Synthesis Example 1

A-1-2 : 합성예 1-2에서 제조된 수지A-1-2: The resin prepared in Synthesis Example 1-2

A-1-3 : 합성예 2에서 제조된 수지A-1-3: Resin prepared in Synthesis Example 2

A-2-1 : 합성예 3에서 제조된 수지 A-2-1: Resin prepared in Synthesis Example 3

A-4 : 합성예 4에서 제조된 수지 A-4: Resin prepared in Synthesis Example 4

A-5 : 합성예 5에서 제조된 수지 A-5: Resin prepared in Synthesis Example 5

A-6 : 합성예 6에서 제조된 수지A-6: Resin prepared in Synthesis Example 6

B : 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트(KAYARAD DPHA ; 닛폰 화약 (주) 제조)B: dipentaerythritol hexaacrylate (KAYARAD DPHA; manufactured by Nippon Yakuza Co., Ltd.)

C : 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)페닐]-2-O-벤조일옥심(시바)C: 1,2-Octanedione-1- [4- (phenylthio) phenyl] -2-O-benzoyloxime

C-1 : 4,4’-비스(디에틸아미노)벤조페논(EAB-F; 호도가야 카가쿠㈜제조)C-1: 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone (EAB-F, manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd.)

D-1: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트D-1: Propylene glycol monomethyl ether acetate

D-2: 3-에톡시에틸프로피오네이트D-2: 3-ethoxyethyl propionate

D-3: 3-메톡시-1-부탄올D-3: 3-Methoxy-1-butanol

D-4: 3-메톡시부틸아세테이트D-4: 3-methoxybutylacetate

F (산화 방지제): 1,3,5-트리스(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시벤질)-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온(Irganox3114 ; Ciba Specialty Chemicals 사 제조)F (antioxidant): 1,3,5-tris (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) -1,3,5-triazine- 5H) -thione (Irganox 3141 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals)

<< 실험예Experimental Example >>

가로 세로 2 인치의 유리 기판(이글 2000 ; 코닝사 제조)을 중성 세제, 물 및 알코올로 순차 세정한 후 건조하였다. 이 유리 기판 상에 상기 실시예 및 비교예에서 제조된 감광성 수지 조성물을 각각 스핀 코팅한 다음 클린오븐 중에서 90℃에서 3 분간 프리베이크하였다. 상기 프리베이크한 기판을 상온으로 냉각 후 석영 유리제 포토마스크와의 간격을 150㎛로 하여 노광기 (TME-150RSK ; 톱콘 (주) 제조)를 사용하여 60mJ/㎠의 노광량(405㎚ 기준)으로 광을 조사하였다. 이 때의 중합성 수지 조성물에 대한 조사는, 초고압 수은등으로부터의 방사광을, 광학 필터 (LU0400 ; 아사히 분광 (주) 제조) 를 통과시키고, 400㎚ 이하의 광을 커트하여 사용하였다. 이때 포토마스크는 다음 패턴이 동일 평면 상에 형성된 포토마스크가 사용되었다. A glass substrate (Eagle 2000; Corning) having an aspect ratio of 2 inches was sequentially washed with a neutral detergent, water and alcohol, and then dried. The photosensitive resin compositions prepared in the above Examples and Comparative Examples were each spin-coated on this glass substrate, and then prebaked in a clean oven at 90 캜 for 3 minutes. The prebaked substrate was cooled to room temperature and light was irradiated at an exposure dose of 60 mJ / cm 2 (based on 405 nm) using an exposure apparatus (TME-150RSK; Topcon Co., Ltd.) with an interval of 150 μm from the quartz glass photomask Respectively. The irradiation of the polymerizable resin composition at this time was carried out by passing the radiation from the ultra-high pressure mercury lamp through an optical filter (LU0400, manufactured by Asahi Spectroscopy) and cutting light having a wavelength of 400 nm or less. At this time, the photomask used was a photomask in which the following pattern was formed on the same plane.

한 변이 10㎛인 정사각형의 투광부(패턴)를 가지며, 당해 정사각형의 간격이 100㎛. 광조사 후 비이온계 계면활성제 0.12%와 수산화칼륨 0.04%를 함유하는 수계 현상액에 상기 도막을 25℃ 에서 100초간 침지하여 현상하고, 수세 후 오븐 중에서, 220℃에서 20분간 포스트 베이크를 실시하였다. 얻어진 막두께는 3㎛이었다. 막두께는 막두께 측정장치(DEKTAK 6M; Veeco사 제조)를 사용하여 측정하였다. 이렇게 얻어진 패턴을 아래와 같이 물성 평가를 실시하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다. (Pattern) having a side of 10 mu m on one side, and the interval of the square is 100 mu m. After the light irradiation, the coating film was immersed in an aqueous developing solution containing 0.12% of a nonionic surfactant and 0.04% of potassium hydroxide at 25 캜 for 100 seconds and developed, and after post-baking at 220 캜 for 20 minutes in an oven. The obtained film thickness was 3 占 퐉. The film thickness was measured using a film thickness measuring apparatus (DEKTAK 6M; Veeco). The pattern thus obtained was evaluated for physical properties as described below, and the results are shown in Table 2 below.

1. 투과율 평가1. Evaluation of transmittance

상기에서 얻어진 경화막의 400㎚에서의 투과율(%)을 현미경 분광 측광 장치(OSP-SP200; OLYMPUS 사 제조)를 사용하여 측정하였다. 투과율은 막두께 3.0㎛에서의 투과율로 환산하여 하기 표 2에 나타내었다. 투과율은 100%에 근접할수록 양호하다.The transmittance (%) at 400 nm of the cured film obtained above was measured using a microscopic spectrophotometry (OSP-SP200, manufactured by OLYMPUS). The transmittance is shown in Table 2 below in terms of the transmittance at a film thickness of 3.0 μm. The closer the transmittance is to 100%, the better.

2. 2. 선폭Line width , 단면 형상, Sectional shape

상기에서 얻어진 경화막을 주사형 전자 현미경(S-4200 ; (주) 히타치 제작소사 제조)을 사용하여 선폭을 측정하였으며, 단면 형상을 아래와 같이 평가하였다. 단면 형상은 기판에 대한 패턴의 각도가 90도 미만이면 순테이퍼로서, 90도 이상일 때를 역테이퍼로서 판단하였다.The line width of the cured film obtained above was measured using a scanning electron microscope (S-4200, manufactured by Hitachi, Ltd.), and the cross-sectional shape was evaluated as follows. The cross sectional shape was determined as a reverse taper when the angle of the pattern with respect to the substrate was less than 90 degrees and as a reverse taper when the angle was greater than 90 degrees.

순테이퍼이면, 표시 장치의 형성시에 ITO 배선의 단선이 일어나기 어렵기 때문에 바람직하다.A net taper is preferable because disconnection of ITO wirings hardly occurs at the time of forming a display device.

3. 기계 특성(총 변위량 및 회복률)3. Mechanical properties (total displacement and recovery rate)

상기에서 얻어진 경화막을 다이나믹 초미소 경도계 (DUH-W201 ; (주) 시마즈 제작소 제조)를 사용하여 그 총 변위량(㎛) 및 탄성 변위량(㎛)을 아래의 측정조건에 따라 측정하였으며, 측정된 수치들을 사용하여 아래와 같이 회복률(%)을 산출하였다. 총변위량이 적으면서 회복률이 크면 딱딱하다고 판단하였다.The total amount of displacement (占 퐉) and the amount of elastic displacement (占 퐉) were measured under the following measurement conditions using a dynamic ultra-microhardness tester (DUH-W201; manufactured by Shimadzu Corporation) The recovery rate (%) was calculated as follows. When the total displacement was small and the recovery rate was high, it was judged to be rigid.

회복률(%) = [탄성 변위량(㎛)]/[총 변위량(㎛)] × 100Recovery rate (%) = [elastic displacement amount (占 퐉)] / [total displacement amount (占 퐉)] 占 100

측정 조건: Measuring conditions:

시험 모드 ; 부하-제하 (除荷) 시험Test mode; Load - unloading test

시험력 ; 5gf [SI 단위 환산값 ; 49.0mN]Test force; 5gf [SI conversion value; 49.0 mN]

부하 속도 ; 0.45gf/sec [SI 단위 환산값 ; 4.41mN/sec]Load speed; 0.45 gf / sec [SI unit conversion value; 4.41 mN / sec]

유지 시간 ; 5secRetention time; 5sec

압자 ; 원뿔대 압자 (직경 50㎛)Indenter; Conical indenter indenter (diameter 50 탆)

4. 밀착성4. Adhesion

현상 밀착성은 지름(size)이 5㎛부터 20㎛까지 1㎛ 간격의 원형 패턴이 각각 1000개가 있는 포토마스크에 의해 막두께가 3㎛로 형성된 패턴이 결락없이 100% 남아있는 Mask의 Size를 현미경으로 평가하였다.The adhesion was evaluated by observing the size of the mask having 100% of the pattern formed with the film thickness of 3 mu m by the photomask having 1000 circular patterns each having a diameter of 5 mu m to 20 mu m with intervals of 1 mu m, Respectively.

Mask의 Size가 작을수록 감도가 우수하다.The smaller the mask size, the better the sensitivity.

5. 내화학성5. Chemical resistance

90℃에서 1시간 가열하여 경화단계를 거친 도막을 50℃의 etchant (MA-S02 동우화인켐) 용액 (내산성 평가), 또는 50℃의 stripper (SAM-19 동우화인켐) 용액 (내박리액성 평가)에 각각 10 분간 침지하였다. 상기 여러 용액에 방치해 두었을 때 두께 변화를 관찰함으로써 내화학성 평가를 실시하였다. 두께 변화율은 하기 수학식 1로 계산하였으며, 두께 변화율이 적을수록 바람직하다고 할 수 있다. 평가한 결과를 하기 표 2에 기재하였다.The coating film which had been heated at 90 占 폚 for 1 hour to undergo a curing step was immersed in an etchant (MA-S02 Dongwoo Fine Chemical) solution (acid resistance evaluation) at 50 占 폚 or a stripper (SAM-19 Dongwoo FineChem) solution ) For 10 minutes, respectively. The chemical resistance was evaluated by observing the change in thickness when left in the various solutions. The thickness change ratio is calculated by the following equation (1), and the smaller the thickness change ratio is, the better. The evaluation results are shown in Table 2 below.

[수학식 1] [Equation 1]

두께 변화율(%)= {(용액 방치 후 전 막 두께 - 용액 방치 후 막 두께)/(용액 방치 전 막 두께)} * 100(%)(%) = ((Total film thickness after solution left-film thickness after solution leaving) / (film thickness before solution leaving)} * 100 (%)

상기 수학식 1에 의한 두께 변화율이 5% 이하면 "○", &Quot; &amp; cir &amp; "if the rate of change in thickness according to the formula (1) is less than 5%

5% 초과 내지 10% 이하면 "△", "DELTA" if more than 5% to 10%

10% 초과이면 "X"으로 평가하였다.And when it was more than 10%, it was evaluated as "X ".

6. 보관안정성 평가 기준6. Storage stability evaluation standard

점도 변화가 2cp 이상: XViscosity change of 2 cp or more: X

점도 변화가 2cp 미만: ○Viscosity change less than 2cp: ○

Figure pat00018
Figure pat00018

Figure pat00019
Figure pat00019

상기 표 2 및 3에서 보는 바와 같이 본 발명에 따른 알카리 가용성 수지를 사용한 실시예1 내지 6의 경우 이를 사용하지 않은 비교예 1 내지 5에 비하여 저노광량에서 기판에 대한 선폭과 패턴형상이 양호하고, 밀착성이 우수하면서 내화학성, 보존안정성이 우수한 것을 확인할 수 있다.As shown in Tables 2 and 3, in Examples 1 to 6 using the alkali-soluble resin according to the present invention, the line width and pattern shape for the substrate were good at a low exposure dose as compared with Comparative Examples 1 to 5, It can be confirmed that excellent adhesion and excellent chemical resistance and storage stability are obtained.

Claims (9)

알칼리 가용성 수지(A), 광중합성 화합물(B), 광중합 개시제(C), 용제(D), 첨가제(E)를 포함하며,
상기 알칼리 가용성 수지(A)는, 옥세탄(oxetane) 관능기를 포함하는 반복 단위 및 하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 포함하는 제1 수지(A-1)를 포함하는, 감광성 수지 조성물:
[화학식 1]
Figure pat00020

(식 중에서, R1은 수소 원자 또는 메틸기이며, R2은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기임).
(A), a photopolymerizable compound (B), a photopolymerization initiator (C), a solvent (D) and an additive (E)
Wherein the alkali-soluble resin (A) comprises a first resin (A-1) comprising a repeating unit containing an oxetane functional group and a repeating unit represented by the following formula (1):
[Chemical Formula 1]
Figure pat00020

(Wherein R 1 is a hydrogen atom or a methyl group, and R 2 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms).
청구항 1에 있어서, 상기 옥세탄(oxetane) 관능기를 포함하는 반복 단위는 하기 화학식 2로 표시되는, 감광성 수지 조성물:
[화학식 2]
Figure pat00021

(식 중에서, R3는 수소 원자 또는 메틸기이며, R4는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기이고, R5는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기임).
The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the repeating unit containing an oxetane functional group is represented by the following formula (2)
(2)
Figure pat00021

(Wherein R 3 is a hydrogen atom or a methyl group, R 4 is an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, and R 5 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms).
청구항 1에 있어서, 상기 제1 수지(A-1)는 하기 화학식 3으로 표시되는 반복 단위 및 하기 화학식 4로 표시되는 반복 단위를 더 포함하는, 감광성 수지 조성물:
[화학식 3]
Figure pat00022

(식 중에서, R6는 수소 원자 또는 메틸기이고;
R7은, 탄소수 3 내지 8의 시클로알킬, 탄소수 6 내지 18의 아릴기, 또는 -COO-R7'이고, 상기 R7'는 탄소수 3 내지 8의 시클로알킬, 탄소수 6 내지 18의 아릴기이며, 상기 시클로알킬 또는 상기 아릴기의 수소 원자 중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 더 치환될 수 있음).
[화학식 4]
Figure pat00023

(식 중에서, R8은 수소 원자 또는 메틸기임).
The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the first resin (A-1) further comprises a repeating unit represented by the following formula (3) and a repeating unit represented by the following formula (4)
(3)
Figure pat00022

(Wherein R 6 is a hydrogen atom or a methyl group;
R 7 is a cycloalkyl having 3 to 8 carbon atoms, an aryl group having 6 to 18 carbon atoms, or -COO-R 7 ', R 7 ' is a cycloalkyl having 3 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 18 carbon atoms , At least one of the hydrogen atoms of the cycloalkyl or the aryl group may be further substituted with a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms).
[Chemical Formula 4]
Figure pat00023

(Wherein R 8 is a hydrogen atom or a methyl group).
청구항 1에 있어서, 상기 제1 수지(A-1)는 하기 화학식 5로 표시되는, 감광성 수지 조성물:
[화학식 5]
Figure pat00024

(식 중에서, R1, R3, R6 및 R8은 서로 독립적으로 수소 또는 메틸기이며;
R2는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고;
R4는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기이고;
R5는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고;
R7은, 탄소수 3 내지 8의 시클로알킬 또는 탄소수 6 내지 18의 아릴기이고, 상기 시클로알킬 또는 상기 아릴기의 수소 원자 중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 더 치환될 수 있으며;
a=0.1 내지 50 mol%, b=2 내지 50mol%, c=2 내지 95mol%, d=2 내지 70mol%).
The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the first resin (A-1) is represented by the following general formula (5)
[Chemical Formula 5]
Figure pat00024

(Wherein R 1 , R 3 , R 6 and R 8 are each independently hydrogen or a methyl group;
R 2 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms;
R 4 is an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms;
R 5 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms;
R 7 is a cycloalkyl having 3 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 18 carbon atoms and at least one of the hydrogen atoms of the cycloalkyl or the aryl group is further substituted with a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms ;
a = 0.1 to 50 mol%, b = 2 to 50 mol%, c = 2 to 95 mol%, d = 2 to 70 mol%).
청구항 1에 있어서, 감광성 수지 조성물 중 고형분 100중량부에 대하여 상기 알칼리 가용성 수지(A)는 5 내지 90 중량부, 상기 광중합성 화합물(B)은 1 내지 90 중량부, 상기 광중합 개시제(C)는 0.1 내지 20 중량부, 상기 첨가제(E)는 0.001 내지 1 중량부로 포함되는, 감광성 수지 조성물.
The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein 5 to 90 parts by weight of the alkali-soluble resin (A) and 1 to 90 parts by weight of the photopolymerizable compound (B) are contained in 100 parts by weight of the solid content of the photosensitive resin composition, 0.1 to 20 parts by weight, and the additive (E) is contained in an amount of 0.001 to 1 part by weight.
청구항 1에 있어서, 상기 알칼리 가용성 수지(A)는 하기 화학식 6으로 표시되는 제2 수지(A-2)를 더 포함하는, 감광성 수지 조성물:
[화학식 6]
Figure pat00025

(식 중, R9 및 R10은 서로 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기이고, X는 단일결합 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기이며 상기 알킬렌기는 헤테로 원자를 포함하거나 포함하지 않고, e= 60내지 95mol%, f= 5 내지 40mol%임).
The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the alkali-soluble resin (A) further comprises a second resin (A-2) represented by the following formula (6)
[Chemical Formula 6]
Figure pat00025

(Wherein R 9 and R 10 are independently of each other a hydrogen atom or a methyl group, X is a single bond or an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms and the alkylene group contains or does not include a hetero atom, e = 60 to 95 mol %, f = 5 to 40 mol%).
청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 따른 감광성 수지 조성물로 제조된 광경화 패턴.
A photocurable pattern produced from the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 6.
청구항 7에 있어서, 상기 광경화 패턴은 접착제층, 어레이 평탄화막 패턴, 보호막 패턴, 절연막 패턴, 포토레지스트 패턴, 컬러필터 패턴, 블랙 매트릭스 패턴 및 스페이서 패턴으로 이루어진 군에서 선택되는, 광경화 패턴.
The photocurable pattern according to claim 7, wherein the photocurable pattern is selected from the group consisting of an adhesive layer, an array planarizing film pattern, a protective film pattern, an insulating film pattern, a photoresist pattern, a color filter pattern, a black matrix pattern and a spacer pattern.
청구항 7의 광경화 패턴을 구비하는 화상 표시 장치.
7. An image display device comprising the photocuring pattern of claim 7.
KR1020160004944A 2016-01-14 2016-01-14 Photosensitive resin composition, photocurable pattern formed from the same and image display comprising the pattern KR102031215B1 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160004944A KR102031215B1 (en) 2016-01-14 2016-01-14 Photosensitive resin composition, photocurable pattern formed from the same and image display comprising the pattern
TW105136265A TWI643876B (en) 2016-01-14 2016-11-08 Photosensitive resin composition, photocurable pattern formed from the same and image display comprising the pattern
JP2017000095A JP6559720B2 (en) 2016-01-14 2017-01-04 PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOCURRED PATTERN PRODUCED BY PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND IMAGE DISPLAY DEVICE PROVIDED WITH PHOTOCURRED PATTERN
CN201710010156.1A CN106970504B (en) 2016-01-14 2017-01-06 Photosensitive resin composition, photocured pattern and image display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160004944A KR102031215B1 (en) 2016-01-14 2016-01-14 Photosensitive resin composition, photocurable pattern formed from the same and image display comprising the pattern

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170085383A true KR20170085383A (en) 2017-07-24
KR102031215B1 KR102031215B1 (en) 2019-10-11

Family

ID=59334622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160004944A KR102031215B1 (en) 2016-01-14 2016-01-14 Photosensitive resin composition, photocurable pattern formed from the same and image display comprising the pattern

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6559720B2 (en)
KR (1) KR102031215B1 (en)
CN (1) CN106970504B (en)
TW (1) TWI643876B (en)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7051321B2 (en) * 2017-07-21 2022-04-11 東京応化工業株式会社 Photosensitive composition, pattern forming method, cured product, and display device
JP7079581B2 (en) * 2017-08-31 2022-06-02 東京応化工業株式会社 Photosensitive composition, cured product forming method, cured product, panel for image display device, and image display device
TWI741223B (en) * 2017-10-20 2021-10-01 南韓商東友精細化工有限公司 A pigment dispersion, a photo sensitive resin composition comprising the pigment dispersion, a pattern layer prepared by using the composition, a color filter comprising the pattern layer, and a display device comprising the color filter
KR102364239B1 (en) * 2017-12-21 2022-02-16 동우 화인켐 주식회사 Colored photosensitive composition, color filter and image display device
CN110412829A (en) * 2018-04-26 2019-11-05 东友精细化工有限公司 Negative light-sensitive resin combination, photocuring pattern and image display device
CN110412830B (en) * 2018-04-27 2023-02-17 东友精细化工有限公司 Photosensitive resin composition, photocured pattern and image display device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000095896A (en) 1998-09-24 2000-04-04 Denki Kagaku Kogyo Kk Powder for addition to resin, and resin composition and heat-releasing spacer using the powder
JP2010044365A (en) * 2008-07-17 2010-02-25 Jsr Corp Radiation-sensitive composition for colored layer formation, color filter, and color liquid crystal display element
KR20140104766A (en) * 2013-02-21 2014-08-29 동우 화인켐 주식회사 Alkali soluble resin and photosensitive resin composition comprising the same
KR20140106281A (en) * 2013-02-26 2014-09-03 동우 화인켐 주식회사 Colored photosensitive resin composition
KR20160003569A (en) * 2014-07-01 2016-01-11 동우 화인켐 주식회사 Photosensitive resin comopsition

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006284975A (en) * 2005-04-01 2006-10-19 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition, protrusion and spacer formed of the same, and liquid crystal display element equipped with them
JP4766268B2 (en) * 2007-03-01 2011-09-07 Ｊｓｒ株式会社 Radiation-sensitive resin composition, interlayer insulating film and microlens, and production method thereof
KR20100014419A (en) * 2007-03-12 2010-02-10 후지필름 가부시키가이샤 Photosensitive composition, photosensitive film, method for formation of permanent pattern, and print substrate
JP5109903B2 (en) * 2007-10-19 2012-12-26 Ｊｓｒ株式会社 Radiation-sensitive composition for forming colored layer, color filter, and liquid crystal display device
JP5516844B2 (en) * 2008-03-24 2014-06-11 Ｊｓｒ株式会社 Radiation-sensitive resin composition, spacer, method for producing the same, and liquid crystal display device
JP2010107755A (en) * 2008-10-30 2010-05-13 Sumitomo Chemical Co Ltd Photosensitive resin composition
JP5708066B2 (en) * 2010-06-30 2015-04-30 Jsr株式会社 Coloring composition for color filter, color filter and display element
KR101495533B1 (en) * 2010-12-21 2015-02-25 동우 화인켐 주식회사 Photosensitive resin composition for spacer, spacer manufactured by the composition and display device including the spacer
TWI550354B (en) * 2014-04-30 2016-09-21 奇美實業股份有限公司 Photosensitive resin composition for color filter and application thereof

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000095896A (en) 1998-09-24 2000-04-04 Denki Kagaku Kogyo Kk Powder for addition to resin, and resin composition and heat-releasing spacer using the powder
JP2010044365A (en) * 2008-07-17 2010-02-25 Jsr Corp Radiation-sensitive composition for colored layer formation, color filter, and color liquid crystal display element
KR20140104766A (en) * 2013-02-21 2014-08-29 동우 화인켐 주식회사 Alkali soluble resin and photosensitive resin composition comprising the same
KR20140106281A (en) * 2013-02-26 2014-09-03 동우 화인켐 주식회사 Colored photosensitive resin composition
KR20160003569A (en) * 2014-07-01 2016-01-11 동우 화인켐 주식회사 Photosensitive resin comopsition

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017126065A (en) 2017-07-20
TWI643876B (en) 2018-12-11
JP6559720B2 (en) 2019-08-14
KR102031215B1 (en) 2019-10-11
TW201825535A (en) 2018-07-16
CN106970504A (en) 2017-07-21
CN106970504B (en) 2020-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106970504B (en) Photosensitive resin composition, photocured pattern and image display device
KR101391224B1 (en) Photosensitive resin composition for spacer and spacer manufactured by the same
TWI611265B (en) Photosensitive resin composition, photo-curing pattern and display apparatus
TW201300949A (en) Photosensitive Resin Composition For Forming Spacer, Spacer Manufactured By The Same For Display Device, And Display Device With The Spacer
KR20170018679A (en) Negative-type photosensitive resin comopsition
KR102329943B1 (en) Negative photosensitive resin composition and photo-cured pattern prepared from the same
CN105842988B (en) Photosensitive resin composition, photocured pattern formed by photosensitive resin composition and image display device with photocured pattern
JP6557132B2 (en) Photosensitive resin composition, photocuring pattern formed therefrom, and image display device including the same
JP6754742B2 (en) Photocuring resin composition and photocurable pattern produced from it
CN107229188B (en) Photosensitive resin composition
KR102654596B1 (en) Negative-type Photosensitive Resin Composition
CN105842987B (en) Photosensitive resin composition, photocured pattern formed by photosensitive resin composition and image display device with photocured pattern
CN106483765B (en) Photosensitive resin composition and photocured pattern formed by same
KR20160020300A (en) Negative-type photosensitive resin comopsition
KR102383697B1 (en) Negative-type photosensitive resin comopsition
KR20180017836A (en) Photosensitive resin comopsition, photocurable pattern formed from the same and image display comprising the pattern
KR20160051481A (en) Photosensitive resin comopsition
KR20170028016A (en) Negative-type photosensitive resin comopsition and photocurable pattern forming by the same
KR102015054B1 (en) Negative-type photosensitive resin comopsition
KR101638354B1 (en) Photosensitive resin composition for spacer and spacer manufactured by the same
KR101636178B1 (en) Photosensitive resin composition for spacer and spacer manufactured by the same
KR20180073002A (en) Negative type photosensitive resin comopsition and photocurable pattern formed from the same
KR20190075235A (en) Photosensitive resin composition and insulation pattern formed from the same
KR20180031131A (en) Photosensitive resin composition and photo-cured pattern prepared from the same
KR102005346B1 (en) Photosensitive resin composition and photo-cured pattern prepared from the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right