KR20170077611A - 반도체 압력센서 및 그의 제조방법 - Google Patents
반도체 압력센서 및 그의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20170077611A KR20170077611A KR1020150187666A KR20150187666A KR20170077611A KR 20170077611 A KR20170077611 A KR 20170077611A KR 1020150187666 A KR1020150187666 A KR 1020150187666A KR 20150187666 A KR20150187666 A KR 20150187666A KR 20170077611 A KR20170077611 A KR 20170077611A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- type semiconductor
- semiconductor layer
- insulating layer
- layer
- region
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 125
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 125
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L41/1132—
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0054—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
-
- H01L41/22—
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
고온에서도 사용가능하고 내전압특성이 우수하여 신뢰성이 향상된 반도체 압력센서 및 그의 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따른 반도체 압력센서 제조방법에서는 제1 n형 반도체층 상에 제1절연층을 형성하고, 제1절연층 상에 제2 n형 반도체층 및 p형 반도체층을 순차 형성하고, 제2 n형 반도체층 및 p형 반도체층의 일부를 제거하여 압저항 소자영역에 대응하도록 제1절연층을 노출시키고, 노출된 영역에 제2절연층을 형성한 후 제2절연층의 일부를 제거하여 p형 반도체층을 노출시켜 전극부를 형성하여 반도체 압력센서를 제조한다.
Description
본 발명은 반도체 압력센서 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 고온에서도 사용가능하고 내전압특성이 우수하여 신뢰성이 향상된 반도체 압력센서 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
압력 센서는 그 구동 방법에 따라 스트레인 게이지(Strain gauge) 방식, 압전(piezoelectric) 방식, 압저항(piezo-resistive) 방식, 정전용량 방식 및 광학 방식의 압력 센서로 나뉘어 진다.
알려진 압저항 방식의 압력 센로 전도성 입자가 함유된 고무 재질에 기반을 둔 압력 센서가 있다. 이러한 압력 센서는 압력이 인가될 때, 접촉된 부분에서 전도성 입자의 분포가 달라지는 것에 의한 저항 변화를 측정하는 것이나, 민감도가 매우 낮다.
단결정실리콘을 화학적으로 에칭하여 형성하며, 다이어프램에서 발생하는 응력을 전기적인 신호로 변환하는 방법으로, 진동자의 고유진동수 변화와 표면탄성파를 이용하는 것도 있으나, 주로 압저항식과 정전용량식의 두종류가 가장 많이 사용되고 있다.
일반적으로 압저항 방식의 반도체형 압력센서는 n형 실리콘 기판에 p형 불순물을 이온주입하여 압력에 의해 쉽게 변형되는 다이아프램부의 가장자리 부분에 압저항 소자부를 형성한다.
따라서, 압저항 소자부가 실리콘 기판 속에서 PN 접합 형태로 전기적으로 분리되어 브리지를 형성하게 된다. 그러나, PN 접합의 기본적인 특성상 150℃ 이상의 고온에서는 누설전류가 발생한다. 따라서, 이러한 PN 접합 형태의 반도체 압력센서는 150℃이상에서는 사용할 수가 없는 단점이 있다. 이와 함께 내전압이 특성이 낮아, 220V 이상을 사용하는 가정 및 산업용 기기에서 요구하는 내전압을 특성을 충족시킬 수 없는 단점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은, 고온에서도 사용가능하고 내전압특성이 우수하여 신뢰성이 향상된 반도체 압력센서 및 그의 제조방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 압력센서 제조방법은, 제1 n형 반도체층 상에 제1절연층을 형성하는 제1단계; 제1절연층 상에 제2 n형 반도체층을 형성하는 제2단계; 제2 n형 반도체층 상에 p형 반도체층을 형성하는 제3단계; 제2 n형 반도체층 및 p형 반도체층의 일부를 제거하여 압저항 소자영역에 대응하도록 제1절연층을 노출시키는 제4단계; p형 반도체층 및 노출된 제1절연층 상에 제2절연층을 형성하는 제5단계; 및 제2절연층의 일부를 제거하여 p형 반도체층을 노출시키고, 노출된 p형 반도체층을 외부와 전기적으로 연결시킬 수 있도록 전극부를 형성하는 제6단계;를 포함한다.
제4단계에서, 압저항 소자영역에 대응하도록 제1절연층을 노출시키는 것은 순차 적층된 제2 n형 반도체층 및 p형 반도체층의 일부가 제거되어 제거된 영역 이외의 영역에 잔존하는 순차 적층된 제2 n형 반도체층 및 p형 반도체층이 압저항 소자가 되도록 하는 것일 수 있다.
압저항 소자는, 하면은 제1절연층으로 절연되고, 측면 및 상면은 제2절연층으로 절연되는 것일 수 있다.
제2단계 이후 제1 n형 반도체층의 하부에 보호막을 증착하고, 제6단계 이후, 보호막을 패터닝하여 다이어프램영역을 정의하는 단계;가 더 포함될 수 있다. 또한, 제1 n형 반도체층의 하부에 지지기판을 접합하는 단계;가 더 포함될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 지지기판; 지지기판의 상부에, 제1 n형 반도체가 일부 제거되어 다이어프램영역이 형성된 제1 n형 반도체층; 제1 n형 반도체층 상부에 제1절연층, 제2 n형 반도체층, p형 반도체층 및 제2절연층이 순차적층되어 형성되되, 제2 n형 반도체층 및 p형 반도체층의 일부가 제거된 영역에 제2절연층이 적층되어 형성된 압저항 소자; 및 제2절연층의 일부가 제거되어 p형 반도체층의 일부가 노출된 영역에 형성된 압저항 소자를 외부와 전기적으로 연결하는 전극부;를 포함하는 반도체 압력센서가 제공된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, PN 접합과 같은 화학적 특성에 따른 전기적 분리 구조를 배제하고, 산화막과 같은 전기적 절연 특성이 우수한 절연체로 압저항 소자의 주위를 완벽히 감싸, 고온 환경에서도 누설전류가 발생하지 않아 300℃ 이상의 고온 환경에서도 사용 가능하고, 압저항 소자를 둘러싸고 있는 절연막을 두께를 조절하여 가정용 및 산업용 기기에서 요구하는 내전압 특성을 충족시킬 수 있어 제품신뢰성 및 성능을 향상시키는 효과가 있다.
도 1 내지 도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 압력센서 제조방법의 설명에 제공되는 도면들이다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 압력센서의 평면도이다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 압력센서의 평면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 특정 패턴을 갖도록 도시되거나 소정두께를 갖는 구성요소가 있을 수 있으나, 이는 설명 또는 구별의 편의를 위한 것이므로 특정패턴 및 소정두께를 갖는다고 하여도 본 발명이 도시된 구성요소에 대한 특징만으로 한정되는 것은 아니다.
도 1 내지 도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 압력센서 제조방법의 설명에 제공되는 도면들이다. 본 실시예에 따른 반도체 압력센서 제조방법은, 제1 n형 반도체층(110) 상에 제1절연층(120)을 형성하는 제1단계; 제1절연층(120) 상에 제2 n형 반도체층(130)을 형성하는 제2단계; 제2 n형 반도체층(130) 상에 p형 반도체층(150)을 형성하는 제3단계; 제2 n형 반도체층(130) 및 p형 반도체층(150)의 일부를 제거하여 압저항 소자영역(160)에 대응하도록 제1절연층(120)을 노출시키는 제4단계; p형 반도체층(150) 및 노출된 제1절연층(120) 상에 제2절연층(170)을 형성하는 제5단계; 및 제2절연층(170)의 일부를 제거하여 p형 반도체층(150)을 노출시키고, 노출된 p형 반도체층(150)을 외부와 전기적으로 연결시킬 수 있도록 전극(180)를 형성하는 제6단계;를 포함한다.
본 실시예에 따른 반도체 압력센서 제조방법에서는 다이어프램의 지지구조물로서 n형 반도체층이 사용된다. 도 1에서와 같이 제1 n형 반도체층(110) 상에 제1절연층(120)을 형성하고(제1단계), 제1절연층(120) 상에는 다시 n형 반도체층을 형성하여 제2 n형 반도체층(130)이 위치하도록 한다(제2단계). 제1절연층(120)은 이후 형성될 압저항소자부(151)의 하면을 절연시키기 위한 구조이다. 즉, 종래에는 n형 반도체 기판에 p형 불순물을 주입하여 압저항 소자영역을 형성하였으나, 본 발명에서는 n형 반도체 기판에 절연층을 먼저 형성하여 압저항 소자영역의 하면을 기계적인 구조로 절연시킨다.
제1 n형 반도체층(110)은 n형 실리콘 기판을 사용할 수 있으며, 제1절연층(120)은 SiO2 산화물을 증착공정으로 형성될 수 있다. 전술한 바와 같이 제1 n형 반도체층(110)-제1절연층(120)-제2 n형 반도체층(130)과 같이 각 층을 형성하여 구현될 수도 있으나, SOI(Silicon On Insulator) 기판과 같이 실리콘 기판 상에 절연층이 형성되고, 다시 그 위에 실리콘층이 형성된 기판이 사용될 수도 있다.
이후 공정이 진행되기 전에, n형 반도체 기판에 다이어프램 영역을 형성하기 위하여 먼저 제1 n형 반도체층(110)의 하부 및 제2 n형 반도체층(130) 상부에 보호막을 동시에 형성하고, 제2 n형 반도체층(130) 상부의 상부보호막(142)은 제거할 수 있다. 제1 n형 반도체층(110) 하부의 하부보호막(141)은 이후 공정에서 다이어프램 영역 형성시 패턴화된다(도 2). 보호막(141, 142)으로는 질화막이 사용될 수 있다.
상부보호막(142)이 제거된 제2 n형 반도체층(130)의 상부는 이온 주입 공정이 수행된다(제3단계). 이는 제2 n형 반도체층(130) 상에 p형 반도체층(150)을 형성하는 공정으로서, p형 반도체층(150)은 실리콘층 증착 및 불순물 주입의 동시수행을 통해 추가적으로 형성될 수도 있으나, 본 실시예에서는 제2 n형 반도체층(130)의 상부표면에 불순물을 주입하여 형성된다. p형 불순물로는 B+ 등이 사용될 수 있다(도 3).
제2 n형 반도체층(130)의 전면에 p형 반도체층(150)이 위치하므로 p형 반도체층(150)의 일부 영역을 제한하여 압저항 소자를 형성한다(제4단계). 도 4를 참조하면, 제2 n형 반도체층(130) 및 p형 반도체층(150)의 일부를 제거하여, 압저항 소자영역(160)에 대응하도록 제1절연층(120)을 노출시킨다. 제1절연층(120)을 제외하고 제2 n형 반도체층(130) 및 p형 반도체층(150)을 식각하여 제거한다. 식각은 DRIE(Deep Reactive Ion Etching) 등의 방식으로 건식식각이 수행될 수 있다.
이후, p형 반도체층(150) 및 노출된 제1절연층(120) 상에 제2절연층(170)을 형성하여 압저항 소자영역(160)을 절연물질로 채우게 된다(도 5). 제2절연층(170)은 제1절연층(120)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어 SiO2를 증착시켜 형성할 수 있다. 이렇게 압저항 소자영역(160)이 절연물질로 채워지게 되면, 압저항소자부(151)는 측면과 상부는 제2절연층(170)으로 둘러싸이고, 하부는 제1절연층(120)으로 둘러싸이게 되어 제1 n형 반도체층(110)과 기계적으로 절연되게 된다(제5단계). 제2절연층(170)은 압저항소자부(151)를 기계적으로 절연시키고, 외부로 부터 보호하기 위한 것이다.
마지막으로, 제6단계에서는 제2절연층(170)의 일부를 제거하여 p형 반도체층(150)을 노출시키고, 노출된 p형 반도체층(150)을 외부와 전기적으로 연결시킬 수 있도록 전극부(180)를 형성한다(제6단계). 제2절연층(170)은 식각되어 하부의 p형 반도체층(150)이 외부로 노출되고, p형 반도체층(150)과 전기적으로 연결되는 금속패드층을 형성하여 외부와 연결될 수 있도록 한다(도 6). 전극부(180)는 금속층을 형성한 후, 금속층이 패터닝되어 형성될 수 있다.
전술한 바와 같이 제2단계 이후에 제1 n형 반도체층(110)의 하부에 형성된 하부보호막(141)은 패터닝되어 다이어프램 영역(190)이 형성될 수 있다(도 7). 하부보호막(141)의 일부가 제거되면, 제1 n형 반도체층(110)의 하부를 습식식각이나 건식식각 등의 식각방법을 이용하여 도 7과 같이 다이어프램을 형성한다.
다이어프램 영역(190)이 형성되면, 잔존하는 하부보호막(141)은 제거된다. 제1 n형 반도체층(110)은 지지기판(200)과 접합될 수 있다. 지지기판(200)이 유리기판인 경우, 양극접합(anodic bonding) 방식에 의해 접합될 수 있다(도 8).
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 압력센서의 평면도이다. 이하 도 1내지 도 9를 참조하여 설명하기로 한다. 반도체 압력센서(100)의 가장 상부에는 제2절연층(170)이 위치한다. 제2절연층(170) 상에는 p형 반도체층(150)이 외부와 전기적으로 연결될 수 있도록 전극부(180)가 외부로 형성되어 있다. 다이어프램 영역(190) 내에는 압저항소자부(151)들이 위치하고, 도 9에는 압저항소자부(151) 상부의 제2절연층(170)이 도시되어 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 지지기판; 지지기판의 상부에, 제1 n형 반도체가 일부 제거되어 다이어프램영역이 형성된 제1 n형 반도체층; 제1 n형 반도체층 상부에 제1절연층, 제2 n형 반도체층, p형 반도체층 및 제2절연층이 순차적층되어 형성되되, 제2 n형 반도체층 및 p형 반도체층의 일부가 제거된 영역에 제2절연층이 적층되어 형성된 압저항 소자; 및 제2절연층의 일부가 제거되어 p형 반도체층의 일부가 노출된 영역에 형성된 압저항 소자를 외부와 전기적으로 연결하는 전극부;를 포함하는 반도체 압력센서가 제공된다. 본 발명에 따르는 반도체 압력센서에 대한 상세 설명은 이상 도 1 내지 도 9와 관련하여 설명한 바와 동일하므로 그 설명을 생략하기로 한다.
전술한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체 압력센서는 압저항소자부가 상부, 측면 및 하부 전체적으로 절연층으로 둘러싸여 있는 기계적인 절연구조로 형성되어 PN접합과 같은 전기적인 절연구조와 달리 고온에서의 누설전류발생이 방지되고 절연층 두께 조절을 통한 내전압 특성 조절이 가능하여 우수한 품질의 제품화가 가능하다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.
100
반도체 압력센서
110
제1 n형 반도체층
120 제1절연층 130 제2 n형 반도체층
141 상부보호막 142 하부보호막
150 p형 반도체층 151 압저항 소자부
160 압저항 소자영역 170 제2절연층
180 전극부 190 다이어프램 영역
200 지지기판
120 제1절연층 130 제2 n형 반도체층
141 상부보호막 142 하부보호막
150 p형 반도체층 151 압저항 소자부
160 압저항 소자영역 170 제2절연층
180 전극부 190 다이어프램 영역
200 지지기판
Claims (6)
- 제1 n형 반도체층 상에 제1절연층을 형성하는 제1단계;
상기 제1절연층 상에 제2 n형 반도체층을 형성하는 제2단계;
상기 제2 n형 반도체층 상에 p형 반도체층을 형성하는 제3단계;
상기 제2 n형 반도체층 및 p형 반도체층의 일부를 제거하여 압저항 소자영역에 대응하도록 상기 제1절연층을 노출시키는 제4단계;
상기 p형 반도체층 및 상기 노출된 제1절연층 상에 제2절연층을 형성하는 제5단계; 및
상기 제2절연층의 일부를 제거하여 상기 p형 반도체층을 노출시키고, 노출된 상기 p형 반도체층을 외부와 전기적으로 연결시킬 수 있도록 전극부를 형성하는 제6단계;를 포함하는 반도체 압력센서 제조방법.
- 청구항 1에 있어서,
상기 제4단계에서,
상기 압저항 소자영역에 대응하도록 상기 제1절연층을 노출시키는 것은
상기 순차 적층된 제2 n형 반도체층 및 p형 반도체층의 일부가 제거되어 제거된 영역 이외의 영역에 잔존하는 순차 적층된 제2 n형 반도체층 및 p형 반도체층이 압저항 소자가 되도록 하는 것인 반도체 압력센서 제조방법.
- 청구항 2에 있어서,
상기 압저항 소자는,
하면은 제1절연층으로 절연되고,
측면 및 상면은 제2절연층으로 절연되는 것인 반도체 압력센서 제조방법.
- 청구항 1에 있어서,
상기 제2단계 이후,
상기 제1 n형 반도체층의 하부에 보호막을 증착하고,
상기 제6단계 이후,
상기 보호막을 패터닝하여 다이어프램 영역을 정의하는 단계;를 더 포함하는 반도체 압력센서 제조방법.
- 청구항 1에 있어서,
상기 제1 n형 반도체층의 하부에 지지기판을 접합하는 단계;를 더 포함하는 반도체 압력센서 제조방법.
- 지지기판;
상기 지지기판의 상부에, 제1 n형 반도체가 일부 제거되어 다이어프램영역이 형성된 제1 n형 반도체층;
제1 n형 반도체층 상부에 제1절연층, 제2 n형 반도체층, p형 반도체층 및 제2절연층이 순차적층되어 형성되되, 상기 제2 n형 반도체층 및 상기 p형 반도체층의 일부가 제거된 영역에 제2절연층이 적층되어 형성된 압저항 소자; 및
상기 제2절연층의 일부가 제거되어 상기 p형 반도체층의 일부가 노출된 영역에 형성된 상기 압저항 소자를 외부와 전기적으로 연결하는 전극부;를 포함하는 반도체 압력센서.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150187666A KR101983877B1 (ko) | 2015-12-28 | 2015-12-28 | 반도체 압력센서 및 그의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150187666A KR101983877B1 (ko) | 2015-12-28 | 2015-12-28 | 반도체 압력센서 및 그의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170077611A true KR20170077611A (ko) | 2017-07-06 |
| KR101983877B1 KR101983877B1 (ko) | 2019-05-29 |
Family
ID=59354379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150187666A KR101983877B1 (ko) | 2015-12-28 | 2015-12-28 | 반도체 압력센서 및 그의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101983877B1 (ko) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR950009638B1 (ko) * | 1992-12-30 | 1995-08-25 | 재단법인한국전자통신연구소 | 고온용 고성능 압저항형 반도체 압력센서의 제조방법 |
| JP2000124465A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-04-28 | Denso Corp | 半導体力学量センサの製造方法 |
| KR20080068079A (ko) * | 2005-11-15 | 2008-07-22 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 압력 센서 및 그 제조 방법 |
-
2015
- 2015-12-28 KR KR1020150187666A patent/KR101983877B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR950009638B1 (ko) * | 1992-12-30 | 1995-08-25 | 재단법인한국전자통신연구소 | 고온용 고성능 압저항형 반도체 압력센서의 제조방법 |
| JP2000124465A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-04-28 | Denso Corp | 半導体力学量センサの製造方法 |
| KR20080068079A (ko) * | 2005-11-15 | 2008-07-22 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 압력 센서 및 그 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101983877B1 (ko) | 2019-05-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101921843B1 (ko) | 정전용량형 압력 센서용 부유 멤브레인 | |
| EP0010204B1 (en) | Semiconductor absolute pressure transducer assembly | |
| US7563692B2 (en) | Microelectromechanical system pressure sensor and method for making and using | |
| JP2015515609A (ja) | カテーテルダイおよびその製造方法 | |
| CN104634501A (zh) | 压力传感器 | |
| TWI630169B (zh) | 製造微機電系統裝置的方法 | |
| EP3321655B1 (en) | All silicon capacitive pressure sensor | |
| TWI583931B (zh) | Miniature piezoresistive pressure sensor | |
| US8334159B1 (en) | MEMS pressure sensor using capacitive technique | |
| CN108351267A (zh) | 电容式压力传感器及其制造方法 | |
| TW201719130A (zh) | 微型回饋腔感測器及其製造方法 | |
| US7192819B1 (en) | Semiconductor sensor device using MEMS technology | |
| KR20170002947A (ko) | 압력 센서 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR100904994B1 (ko) | 압력센서 제조방법 및 그 구조 | |
| US20130302934A1 (en) | Method of manufacturing capacitive electromechanical transducer | |
| KR101983877B1 (ko) | 반도체 압력센서 및 그의 제조방법 | |
| US7737514B1 (en) | MEMS pressure sensor using area-change capacitive technique | |
| KR101818316B1 (ko) | 정전용량형 압력 센서 및 입력 장치 | |
| KR102063928B1 (ko) | 고감도 고신뢰성 압력센서의 제조방법 | |
| KR102084133B1 (ko) | Mems 센서 그리고 센서 장치를 형성하는 방법 | |
| JP6687197B2 (ja) | 圧力センサ | |
| TWI447365B (zh) | Single crystal silicon thermal sensor and its preparation method | |
| JP5139759B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP6142736B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| CN113247857A (zh) | 一种高可靠性mems压力传感器结构及封装方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant |