KR20170076535A - Inter-back type deposition system for reduce foot print - Google Patents

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KR20170076535A
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안경준
김찬호
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(주)에스엔텍
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Abstract

본 발명은 증착 시스템에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 복수의 증착 챔버를 이용하여 인터백(inter-back) 타입으로 증착을 수행할 때, 기재를 연속적으로 투입하고 배출할 수 있으므로 풋 프린트(foot print)를 줄여 생산성을 향상시킬 수 있는 증착 시스템에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a deposition system, and more particularly, when performing deposition in an inter-back type using a plurality of deposition chambers, a substrate can be continuously introduced and discharged, ) To improve the productivity.

Figure P1020160060857
Figure P1020160060857

Description

풋 프린트를 줄일 수 있는 인터백 타입의 증착 시스템{Inter-back type deposition system for reduce foot print}[0001] Inter-back type deposition system for reducing footprint [0002]

본 발명은 증착 시스템에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 복수의 증착 챔버를 이용하여 인터백(inter-back) 타입으로 증착을 수행할 때, 기재를 연속적으로 투입하고 배출할 수 있으므로 풋 프린트(foot print)를 줄여 생산성을 향상시킬 수 있는 증착 시스템에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a deposition system, and more particularly, when performing deposition in an inter-back type using a plurality of deposition chambers, a substrate can be continuously introduced and discharged, ) To improve the productivity.

증착 시스템은 기재의 표면에 박막을 코팅하기 위한 시스템으로 일반적으로 진공속에서 이루어지므로 진공 증착 시스템이라고도 한다.The deposition system is a system for coating a thin film on the surface of a substrate, and is generally called a vacuum deposition system because it is formed in vacuum.

증착 방법은 크게 진공 속에서 타겟 물질을 비산시켜 기재에 표면에 퇴적함으로써 박막을 형성하는 물리 증착법(PVD:physical vapor deposition)과 원료가스를 열적 또는 전기적으로 여기시켜 반응물질을 기재상에 퇴적시켜 박막을 형성하는 화학 증착법(CVD: chemical vapor deposition)으로 구분된다.The deposition method includes physical vapor deposition (PVD) in which a thin film is formed by scattering a target material in a vacuum by depositing a target material on a substrate, and a reactive material is deposited on the substrate by thermal or electrical excitation of the source gas, (Chemical vapor deposition) process.

한편, 증착 시스템은 진공 챔버 내부에 기재를 고정시켜 증착하는 배치 타입(Batch Type)과 기재를 복수의 증착 챔버 내부로 이송시켜가며 복수 층의 박막이 적층되게 하는 인라인 타입(Inline Type)으로 구성할 수 있다.Meanwhile, the deposition system is composed of a batch type in which a substrate is fixed in a vacuum chamber, and an inline type in which a substrate is transferred into a plurality of deposition chambers to laminate a plurality of thin films .

또한, 인라인 타입의 증착 시스템은 복수의 진공 챔버를 라인 상에 서로 인접하여 위치시키고 기재를 최초 진공 챔버에서 마지막 진공 챔버까지 순차적으로 이송시키며 증착을 수행하므로 기재상에 복수의 박막을 적층하는데 효율이다. In addition, an in-line type deposition system is effective for depositing a plurality of thin films on a substrate by placing a plurality of vacuum chambers adjacent to each other on the line and sequentially transferring the substrate from the initial vacuum chamber to the last vacuum chamber and performing deposition .

그러나 기재를 어느 한 방향으로만 이동시킬 수 있으므로, 동일한 재질의 박막을 복수 층으로 증착하기 위해서는 동일한 증착 공정을 수행하는 진공 챔버가 추가로 필요하며 이는 시스템 전체의 크기(풋 프린트:footprint)가 증가하는 문제점을 초래한다.However, since the substrate can be moved in only one direction, a vacuum chamber for carrying out the same deposition process is additionally required in order to deposit a thin film of the same material into a plurality of layers, which increases the size (footprint) .

또한, 인라인 타입의 증착 시스템은 하나의 기재만을 이송하며 증착하므로 증착속도가 느린 문제점이 있다.In addition, the in-line type deposition system has a problem that the deposition rate is slow because only one substrate is transferred and deposited.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로 본 발명의 목적은 복수의 증착 층을 증착할 때, 풋 프린트를 줄이면서도 생산량은 증가시킬 수 있는 증착 시스템을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a deposition system capable of reducing a footprint and increasing a production amount when depositing a plurality of deposition layers.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 순차로 연결되어 증착 공정을 수행하는 복수 개의 증착 챔버를 포함하고, 상기 각 증착 챔버들 내부에는 증착 대상인 기재를 인입하거나 인출하기 위한 기재 이송 수단이 구비되며, 상기 각 증착 챔버에서 기재가 인출되면 이어서 다른 기재가 인입되어 복수의 기재들이 상기 증착 챔버들에 의해 함께 증착되는 것을 특징으로 하는 증착 시스템을 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a deposition apparatus including a plurality of deposition chambers sequentially connected to perform a deposition process, and substrate transport means for introducing or withdrawing a substrate to be deposited, When the substrate is withdrawn in each of the deposition chambers, another substrate is subsequently drawn in, and a plurality of substrates are deposited together by the deposition chambers.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 기재는 상기 증착 챔버들에 순차로 이송되면서 증착 공정이 수행되고, 최초 인입된 제1 증착 챔버로 다시 반송되어 배출된다.In a preferred embodiment, the substrate is transferred sequentially to the deposition chambers, and the deposition process is performed.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 증착 챔버들의 각 사이에 구비되어 이웃한 증착 챔버 내부의 기재를 서로 교체해주는 버퍼 챔버;를 포함한다.In a preferred embodiment, a buffer chamber is provided between each of the deposition chambers to exchange substrates inside the neighboring deposition chambers.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 버퍼 챔버는 적어도 두 개의 기재를 나란하게 적재할 수 있고, 상기 기재들을 상승 또는 하강시켜 증착 챔버의 기재 출입위치에 위치시키는 기재 승강 수단을 포함한다.In a preferred embodiment, the buffer chamber includes substrate elevating means capable of loading at least two substrates side by side and positioning the substrates up or down in the substrate entry / exit position of the deposition chamber.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 증착 챔버들 각각 또는 이웃한 증착 챔버들 중 어느 하나의 증착 챔버 내부에는 상기 기재들을 상승 또는 하강시켜 증착 챔버의 기재 출입위치에 위치시켜 이웃한 증착 챔버들 간에 기재를 서로 교체할 수 있게 하는 기재 승강 수단이 포함된다. 이 경우 상기 버퍼 챔버가 구비되지 않을 수 있다.In a preferred embodiment, the substrates are raised or lowered in the deposition chamber of either one of the deposition chambers or adjacent deposition chambers to be positioned at the substrate entry / exit position of the deposition chamber, And a substrate elevating means for permitting replacement of the substrate. In this case, the buffer chamber may not be provided.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 기재는 상기 증착 챔버들에 선택적으로 이송되어 증착 공정이 수행되고, 상기 증착 챔버들에 인접하여 구비되며, 적어도 두 개의 기재를 나란하게 적재할 수 있고, 상기 기재들을 상승 또는 하강시켜 증착 챔버의 기재 출입위치에 위치시키는 승강 챔버;를 포함한다.In a preferred embodiment, the substrate is selectively transported to the deposition chambers to perform a deposition process, provided adjacent to the deposition chambers, capable of stacking at least two substrates side by side, Or lowered to a substrate entry / exit position of the deposition chamber.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 증착 챔버들로 기재가 이송되기 전에 기재를 가열하여 수분을 제거하는 가열 챔버;를 더 포함한다.In a preferred embodiment, the apparatus further includes a heating chamber for heating the substrate to remove moisture before the substrate is transferred to the deposition chambers.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 증착 챔버들로 기재가 이송되기 전에 기재의 유기물을 제거하기 위해 플라즈마 처리를 수행하는 플라즈마 처리 챔버;를 더 포함한다.In a preferred embodiment, the apparatus further comprises a plasma processing chamber for performing a plasma treatment to remove organic matter of the substrate before the substrate is transferred to the deposition chambers.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 증착 챔버들로 기재가 이송되기 전에 기재의 유기물을 제거하기 위해 플라즈마 처리를 수행하는 플라즈마 처리 챔버;를 더 포함한다.In a preferred embodiment, the apparatus further comprises a plasma processing chamber for performing a plasma treatment to remove organic matter of the substrate before the substrate is transferred to the deposition chambers.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 기재는 상기 가열 챔버로 최초 인입되어 상기 플라즈마 처리 챔버 및 상기 증착 챔버들을 순차적으로 거친 후, 다시 상기 가열 챔버로 반송되어 배출된다.In a preferred embodiment, the substrate is first drawn into the heating chamber and sequentially passed through the plasma processing chamber and the deposition chambers, and then conveyed back to the heating chamber and discharged.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 증착 챔버들은 스테인레스막 증착 챔버와 구리막 증착 챔버를 포함하고, 상기 스테인레스막 증착 챔버와 상기 구리막 증착 챔버 사이에는 상기 스테인레스막 증착 챔버와 상기 구리막 증착 챔버 내부의 기재를 서로 교체해주는 버퍼 챔버가 구비되며, 상기 기재는 상기 가열 챔버, 상기 플라즈마 처리 챔버, 상기 스테인레스막 증착 챔버, 상기 구리막 증착 챔버 순으로 이송되며 처리되고, 상기 구리막 증착 챔버에서 구리막 증착 후에, 상기 스테인레스막 증착 챔버, 상기 플라즈마 처리 챔버, 상기 가열 챔버 순으로 반송되어 배출된다.In a preferred embodiment, the deposition chambers include a stainless film deposition chamber and a copper film deposition chamber, and between the stainless film deposition chamber and the copper film deposition chamber, the stainless film deposition chamber and the substrate Wherein the substrate is transferred and processed in the order of the heating chamber, the plasma processing chamber, the stainless film deposition chamber, and the copper film deposition chamber, and after the copper film deposition in the copper film deposition chamber , The stainless film deposition chamber, the plasma processing chamber, and the heating chamber in that order.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 증착 챔버들은 스테인레스막 증착 챔버, 제1 구리막 증착 챔버 및 제2 구리막 증착 챔버를 포함하고, 상기 스테인레스막 증착 챔버와 상기 제1 구리막 증착 챔버 사이 및 상기 제1 구리막 증착 챔버와 상기 제2 구리막 증착 챔버 사이에는 이웃한 증착 챔버 내부의 기재를 서로 교체해주는 버퍼 챔버가 구비되며, 상기 기재는 상기 가열 챔버, 상기 플라즈마 처리 챔버, 상기 스테인레스막 증착 챔버, 상기 제1 구리막 증착 챔버, 상기 제2 구리막 증착 챔버 순으로 이송되며 처리되고, 상기 제2 구리막 증착 챔버에서 제2 구리막 증착 후에, 상기 제1 구리막 증착 챔버, 상기 스테인레스막 증착 챔버, 상기 플라즈마 처리 챔버, 상기 가열 챔버 순으로 반송되어 배출된다.In a preferred embodiment, the deposition chambers include a stainless film deposition chamber, a first copper film deposition chamber and a second copper film deposition chamber, and between the stainless film deposition chamber and the first copper film deposition chamber, A buffer chamber is provided between the copper film deposition chamber and the second copper film deposition chamber for replacing the substrate inside the neighboring deposition chamber with each other, and the substrate is provided between the heating chamber, the plasma processing chamber, the stainless film deposition chamber, The first copper film deposition chamber, the second copper film deposition chamber, and the second copper film deposition chamber, and after the second copper film deposition in the second copper film deposition chamber, the first copper film deposition chamber, the stainless film deposition chamber, The plasma processing chamber, and the heating chamber in that order.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 증착 챔버들은 스테인레스막 증착 챔버, 제1 구리막 증착 챔버 및 제2 구리막 증착 챔버를 포함하고, 상기 스테인레스막 증착 챔버와 상기 제1 구리막 증착 챔버 사이 및 상기 제1 구리막 증착 챔버와 상기 제2 구리막 증착 챔버 사이에는 이웃한 증착 챔버 내부의 기재를 서로 교체해주는 버퍼 챔버가 구비되며, 상기 기재는 상기 가열 챔버, 상기 플라즈마 처리 챔버, 상기 스테인레스막 증착 챔버, 상기 제1 구리막 증착 챔버, 상기 제2 구리막 증착 챔버 순으로 이송되며 처리되고, 상기 제2 구리막 증착 챔버에서 제2 구리막 증착 후에, 상기 제1 구리막 증착 챔버, 상기 스테인레스막 증착 챔버, 상기 플라즈마 처리 챔버, 상기 가열 챔버 순으로 반송되어 배출되며, 반송시 상기 제2 구리막 증착 챔버에서 제2 구리막이 증착되고, 상기 스테인레스막 증착 챔버에서 제2 스테인레스막이 증착된다.In a preferred embodiment, the deposition chambers include a stainless film deposition chamber, a first copper film deposition chamber and a second copper film deposition chamber, and between the stainless film deposition chamber and the first copper film deposition chamber, A buffer chamber is provided between the copper film deposition chamber and the second copper film deposition chamber for replacing the substrate inside the neighboring deposition chamber with each other, and the substrate is provided between the heating chamber, the plasma processing chamber, the stainless film deposition chamber, The first copper film deposition chamber, the second copper film deposition chamber, and the second copper film deposition chamber, and after the second copper film deposition in the second copper film deposition chamber, the first copper film deposition chamber, the stainless film deposition chamber, The plasma processing chamber, and the heating chamber in this order, and a second copper film is deposited on the second copper film deposition chamber during transportation And a second stainless film is deposited in the stainless film deposition chamber.

또한, 본 발명은 상기 증착 시스템을 이용하여 적어도 하나의 스테인레스막과 상기 스테인레스막 상부에 적어도 하나의 구리막이 증착된 기재를 더 제공한다.The present invention further provides at least one stainless film using the deposition system and a substrate on which at least one copper film is deposited on the stainless film.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 스테인레스막과 상기 구리막은 하나의 전자파 차폐막으로 기능한다.In a preferred embodiment, the stainless film and the copper film function as one electromagnetic shielding film.

본 발명은 다음과 같은 우수한 효과를 가진다.The present invention has the following excellent effects.

본 발명의 증착 시스템에 의하면, 복수의 증착 챔버를 인터백(inter-back) 타입으로 왕복 이송하며 증착을 수행할 수 있으므로 기재에 복수의 증착 층을 증착하더라도 증착 챔버의 개수는 최소화할 수 있어 풋 프린트를 줄일 수 있는 장점이 있다.According to the deposition system of the present invention, since a plurality of deposition chambers can be reciprocally transported in an inter-back type and deposition can be performed, the number of deposition chambers can be minimized even if a plurality of deposition layers are deposited on a substrate, There is an advantage of reducing printing.

또한, 본 발명의 증착 시스템에 의하면, 증착 챔버에 연속적으로 기재를 투입하여 인터백 타입으로 배출할 수 있으므로 생산량을 증가시킬 수 있는 장점이 있다.In addition, according to the deposition system of the present invention, since the substrate can be continuously introduced into the deposition chamber and discharged as an interleaved type, the production amount can be increased.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 시스템을 보여주는 도면,
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착 시스템을 보여주는 도면,
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 증착 시스템을 보여주는 도면,
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 증착 시스템을 보여주는 도면이다.1 is a view showing a deposition system according to a first embodiment of the present invention,
2 is a view showing a deposition system according to a second embodiment of the present invention,
FIG. 3 is a view showing a deposition system according to a third embodiment of the present invention. FIG.
4 is a view showing a deposition system according to a fourth embodiment of the present invention.

본 발명에서 사용되는 용어는 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어를 선택하였으나, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있는데 이 경우에는 단순한 용어의 명칭이 아닌 발명의 상세한 설명 부분에 기재되거나 사용된 의미를 고려하여 그 의미가 파악되어야 할 것이다.Although the terms used in the present invention have been selected as general terms that are widely used at present, there are some terms selected arbitrarily by the applicant in a specific case. In this case, the meaning described or used in the detailed description part of the invention The meaning must be grasped.

이하, 첨부한 도면에 도시된 바람직한 실시예들을 참조하여 본 발명의 기술적 구성을 상세하게 설명한다.Hereinafter, the technical structure of the present invention will be described in detail with reference to preferred embodiments shown in the accompanying drawings.

그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타낸다.However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

[제1 실시예][First Embodiment]

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 시스템을 보여주는 것으로 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 시스템(100)은 서로 순차로 연결되어 증착 공정을 수행하는 복수 개의 증착 챔버(110,120)를 포함하여 이루어진다.FIG. 1 illustrates a deposition system according to a first embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, a deposition system 100 according to a first embodiment of the present invention includes a plurality of deposition chambers 110 and 120 sequentially connected to each other to perform a deposition process. .

또한, 상기 증착 챔버들(110,120) 내부에는 기재(10,11,12)를 인입하거나 인출하기 위한 기재 이송 수단(111,121)이 각각 구비된다.In the deposition chambers 110 and 120, substrate transferring means 111 and 121 are respectively provided for drawing or withdrawing the substrates 10, 11 and 12.

또한, 상기 각 기재 이송 수단(111,121)은 롤러나 컨베이어로 구비될 수 있다.Each of the substrate conveying units 111 and 121 may be provided with a roller or a conveyor.

또한, 상기 증착 챔버들(110,120)의 내부에는 증착 물질이 코팅된 타겟(Target)(112,122)이 구비되며, 상기 타겟(112,122)에 코팅된 증착 물질이 비산되거나 증발하여 물리 증착법으로 박막이 증착될 수 있다.In addition, targets (112, 122) coated with a deposition material are provided in the deposition chambers 110 and 120, and the deposition material coated on the targets 112 and 122 is scattered or evaporated to deposit a thin film by physical vapor deposition .

그러나 상기 타겟(112,122)은 화학 증착법을 수행하기 위한 캐소드 전극으로 대체될 수 있으며, 이 경우 전극의 외면에는 증막 물질이 코팅되지 않고, 챔버의 내부로 유입된 성막가스의 화학반응에 의해 증착 물질이 퇴적되어 코팅된다.However, the targets 112 and 122 may be replaced with cathode electrodes for performing a chemical vapor deposition process. In this case, a film material is not coated on the outer surface of the electrode, and the deposition material is chemically reacted by the chemical reaction of the film- Deposited and coated.

즉, 상기 증착 챔버들(110,120)은 각각 물리 증착법 또는 화학 증착법으로 증착 공정을 수행할 수 있다.That is, the deposition chambers 110 and 120 may perform deposition processes by physical vapor deposition or chemical vapor deposition, respectively.

또한, 상기 증착 챔버들(110,120)은 이온 플레이팅 증착 등 공지된 다양한 증착 공정을 수행하는 챔버일 수 있으며, 증착 방법에는 특별한 제약이 없다.In addition, the deposition chambers 110 and 120 may be chambers for performing various known deposition processes such as ion plating deposition, and there is no particular limitation on the deposition method.

또한, 상기 각 증착 챔버(110,120)는 기재가 인입되어 증착 공정 수행 후, 기재가 배출되면 이어서 다른 기재가 인입되어 증착 공정을 수행한다.In addition, when the base material is introduced into each of the deposition chambers 110 and 120, and the base material is discharged after performing the deposition process, another base material is introduced and the deposition process is performed.

즉, 상기 증착 챔버(110,120)들은 동시에 서로 다른 기재(11,12)에 증착 공정을 수행할 수 있다.That is, the deposition chambers 110 and 120 can simultaneously perform deposition processes on different substrates 11 and 12.

이는, 종래의 인라인 타입이 하나의 기재만을 이송하며 증착하는 방법과 비교하여 생산성을 높일 수 있는 효과가 있다.This is advantageous in that the productivity of the conventional in-line type can be increased as compared with a method in which only one substrate is transferred and deposited.

또한, 상기 기재들(10,11,12)은 상기 증착 챔버들(110,120)에 순차적으로 이송되면서 증착 공정이 수행되고 기재가 최초로 투입된 제1 증착 챔버(110)로 다시 반송되어, 상기 제1 증착 챔버(110)에서 배출된다.In addition, the substrates 10, 11, and 12 are sequentially transferred to the deposition chambers 110 and 120, and the deposition process is performed, and the substrates are transported back to the first deposition chamber 110 into which the substrate is initially charged. And is discharged from the chamber 110.

즉, 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 시스템(100)은 기재가 들어간 위치에서 다시 반송되어 빠져나오는 인터백(inter-back) 타입으로 이송되며, 상기 증착 챔버들(110,120)에 적어도 1회 왕복 이송되어 증착이 수행된다.That is, the deposition system 100 according to the first embodiment of the present invention is transported to an inter-back type which is transported again at a position where the substrate is put in and out, and the deposition chambers 110, And the deposition is performed.

또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 시스템(100)은 기재를 인터백 타입으로 이송하기 위해 상기 증착 챔버들(110,120) 사이에 버퍼 챔버(130)가 더 구비될 수 있다.In addition, the deposition system 100 according to the first embodiment of the present invention may further include a buffer chamber 130 between the deposition chambers 110 and 120 to transfer the substrate to the interleaved type.

또한, 상기 버퍼 챔버(130)는 이웃한 두 증착 챔버(110,120)의 기재를 서로 교체해주는 기능을 하며, 내부에 적어도 두 개의 기재를 서로 나란하게 이격하여 적재할 수 있고, 기재를 상하로 이동시켜 적재 위치를 가변할 수 있는 기재 승강 수단(130)을 포함한다.In addition, the buffer chamber 130 functions to replace the substrates of the two neighboring deposition chambers 110 and 120, and at least two substrates may be stacked in parallel to each other, and the substrate may be moved up and down And a substrate elevating means (130) capable of changing a loading position.

또한, 상기 기재 승강 수단(130)은 서로 나란하게 이격되어 상하로 승강가능하고 기재를 순방향(a) 또는 역방향(b)으로 이송할 수 있는 적어도 두 개의 기재 이송 수단(131a,131b)을 포함한다.The substrate lifting means 130 includes at least two substrate transporting means 131a and 131b that are vertically movable up and down and are capable of transporting the substrate in the forward direction (a) or the reverse direction (b) .

또한, 상기 기재 승강 수단(130)의 동작을 간단히 살펴보면, 먼저, 제1 증착 챔버(110)에서 증착이 완료된 기재(11)와 제2 증착 챔버(120)에서 증착이 완료된 기재(12)가 각각 서로 다른 시간에 상기 버퍼 챔버(130)로 인입되어 서로 다른 기재 이송 수단(131a,131b)에 적재된다.The operation of the substrate lifting unit 130 will be briefly described as follows. First, a base material 11 having been deposited in the first deposition chamber 110 and a base material 12 having been deposited in the second deposition chamber 120 Are introduced into the buffer chamber 130 at different times and are stacked on different substrate transfer means 131a and 131b.

이때, 상기 제1 증착 챔버(110)에서 증착이 완료된 기재(11)가 상기 기재 이송 수단(131a,131b) 중, 제1 기재 이송 수단(131a)에 적재되고, 상기 기재 이송 수단(131a,131b)들이 상승 또는 하강하여 상기 제2 증착 챔버(120)에서 증착이 완료된 기재(12)가 제2 기재 이송 수단(131b)으로 배출되어 적재될 수 있다.At this time, the base material 11 deposited in the first deposition chamber 110 is loaded on the first substrate transfer means 131a out of the substrate transfer means 131a and 131b, and the substrate transfer means 131a and 131b Are raised or lowered, so that the substrate 12 having been deposited in the second deposition chamber 120 can be discharged to the second substrate transfer means 131b and loaded.

그러나 역으로 상기 제2 증착 챔버(120)에서 증착이 완료된 기재(12)가 상기 제1 기재 이송 수단(131a)에 적재된 후, 상기 제1 증착 챔버(110)에서 증착이 완료된 기재(11)가 상기 제2 기재 이송 수단(131b)에 적재될 수 있음은 물론이다.Conversely, after the substrate 12 having been deposited in the second deposition chamber 120 is loaded on the first substrate transfer means 131a, the substrate 11 having been deposited in the first deposition chamber 110, May be loaded on the second substrate transporting means 131b.

다음, 상기 기재 이송 수단(131a,131b)이 승강 또는 하강하여 상기 제1 증착 챔버(110)에서 증착이 완료된 기재(11)를 상기 제2 증착 챔버(120)의 출입구에 위치시킨 후, 상기 제2 증착 챔버(120)로 투입하고, 다시, 승강 또는 하강하여 상기 제2 증착 챔버(120)에서 증착이 완료된 기재(12)를 상기 제1 증착 챔버(110)의 출입구에 위치시켜 상기 제1 증착 챔버(120)로 투입한다.Subsequently, after the substrate 11 having been deposited in the first deposition chamber 110 is raised or lowered by the substrate transfer means 131a or 131b, the substrate 11 is placed at the entrance of the second deposition chamber 120, 2 deposition chamber 120 and the substrate 12 having been deposited in the second deposition chamber 120 is moved to the entrance and exit of the first deposition chamber 110 so that the first deposition Into the chamber (120).

그러나 역으로 상기 제2 증착 챔버(120)에서 증착이 완료된 기재(12)가 먼저, 상기 제1 증착 챔버(110)로 투입되고, 다음, 상기 제1 증착 챔버(110)에서 증착이 완료된 기재(11)가 상기 제2 증착 챔버(120)로 투입될 수 있음은 물론이다.Conversely, the substrate 12, which has been deposited in the second deposition chamber 120, is first introduced into the first deposition chamber 110, and then the deposited material in the first deposition chamber 110 11 may be introduced into the second deposition chamber 120.

이러한 인터백 타입의 증착 방법은 상기 제1 증착 챔버(110)에서 제1 증착층을 증착하고, 상기 제2 증착 챔버(120)에서 제2 증착층을 증착한 후, 상기 제1 증착 챔버(110)에서 상기 제1 증착층과 동일한 제3 증착층을 다시 증착할 때 두 개의 증착 챔버만이 필요하므로, 종래의 인라인 방식의 증착 방법이 세 개의 증착 챔버가 필요한 것에 비해 풋 프린트를 줄일 수 있는 장점이 있다.The interleaved deposition method may include depositing a first deposition layer in the first deposition chamber 110 and depositing a second deposition layer in the second deposition chamber 120, Since only two deposition chambers are required for re-depositing the third deposition layer, which is the same as the first deposition layer, the conventional in-line deposition method is advantageous in reducing the footprint as compared to the case where three deposition chambers are required .

[제2 실시예][Second Embodiment]

도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착 시스템을 보여주는 것으로 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착 시스템(200)은 증착 공정을 수행하는 복수 개의 증착 챔버(110,120)와 상기 증착 챔버들(110,120)의 출입위치에 기재(10)를 선택적으로 위치시켜 기재를 상기 각 증착 챔버(110,120) 내부로 투입해주거나, 증착 챔버에서 배출되는 기재를 적재하는 승강 챔버(210)를 포함한다.FIG. 2 shows a deposition system according to a second embodiment of the present invention. The deposition system 200 according to the second embodiment of the present invention includes a plurality of deposition chambers 110 and 120 for performing a deposition process, And an ascent / descent chamber 210 for selectively depositing the base material 10 at the entry and exit positions of the deposition chambers 110 and 120 and loading the base material into the deposition chambers 110 and 120 or loading the base material discharged from the deposition chamber.

또한, 상기 증착 챔버들(110,120)은 본 발명의 제1 실시예에서 보인 증착 챔버들(110,120)과 실질적으로 동일하므로 설명은 생략한다.Since the deposition chambers 110 and 120 are substantially the same as the deposition chambers 110 and 120 shown in the first embodiment of the present invention, the description is omitted.

또한, 도 2에서는 상기 증착 챔버들(110,120)이 세로방향으로 적재되어 있는 것으로 도시하였으나 가로방향으로 배치될 수도 있다.Although the deposition chambers 110 and 120 are illustrated as being stacked in the vertical direction in FIG. 2, they may be arranged in the horizontal direction.

또한, 상기 승강 챔버(210)의 내부 공간은 상기 증착 챔버들(110,120)의 각 출입구과 서로 연통되어 있다. 다시 말해서, 상기 각 증착 챔버들(110,120)의 출입구는 상기 승강 챔버(210)의 내부 공간으로 개방될 수 있다.The inner space of the lifting and lowering chamber 210 is in communication with the respective outlets of the deposition chambers 110 and 120. In other words, the entrance of each of the deposition chambers 110 and 120 may be opened to the inner space of the lift chamber 210.

또한, 상기 승강 챔버(210)는 내부에 기재 승강 수단(211)을 포함하며, 상기 기재 승강 수단(211)은 서로 나란하게 이격되어 구비되는 적어도 두 개의 기재 이송 수단(211a,211b)를 포함한다.The elevating chamber 210 includes a substrate elevating means 211 and the substrate elevating means 211 includes at least two substrate transporting means 211a and 211b spaced apart from each other .

또한, 상기 기재 이송 수단(211a,211b)은 상하로 승강이 가능하며, 기재(10)를 상기 각 증착 챔버들(110,120)로 투입해 주거나, 상기 증착 챔버들(110,120)에서 배출되는 기재(10)를 전달받아 적재할 수 있다.The substrate transfer means 211a and 211b can be vertically moved up and down to transfer the substrate 10 into the deposition chambers 110 and 120 or to transfer the substrate 10 discharged from the deposition chambers 110 and 120, Can be received and loaded.

즉, 상기 승강 챔버(210)는 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 시스템(100)의 버퍼 챔버(130)와 비교하여 기능은 동일하고 배치 형태가 인라인 형태가 아닌 클러스터(cluster) 형태로 구비되는데 차이가 있다.That is, the lifting and lowering chamber 210 is formed in a cluster shape that is the same in function as the buffer chamber 130 of the deposition system 100 according to the first embodiment of the present invention, There is a difference.

[제3 실시예][Third Embodiment]

도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 증착 시스템을 보여주는 것으로 본 발명의 제3 실시예에 따른 증착 시스템(300)은 복수 개의 증착 챔버(110,120), 상기 증착 챔버들(110,120) 사이에 구비되는 버퍼 챔버(130) 및 상기 증착 챔버(110,120)들의 전단에 구비되어 기재(10)에 증착층이 증착되기 전에 기재(10)를 가열하여 수분을 제거하는 가열 챔버(310)를 포함하여 이루어진다.FIG. 3 illustrates a deposition system according to a third embodiment of the present invention. The deposition system 300 according to the third embodiment of the present invention includes a plurality of deposition chambers 110 and 120, a plurality of deposition chambers 110 and 120, And a heating chamber 310 provided at a front end of the deposition chambers 110 and 120 to remove moisture from the substrate 10 by heating the substrate 10 before depositing a deposition layer on the substrate 10.

즉, 본 발명의 제3 실시예에 따른 증착 시스템(300)은 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 시스템(100)과 비교하여 상기 가열 챔버(310)가 더 추가된 형태이다.That is, the deposition system 300 according to the third embodiment of the present invention is a type in which the heating chamber 310 is further added as compared with the deposition system 100 according to the first embodiment of the present invention.

또한, 상기 가열 챔버(310)의 내부에는 기재(10)를 인터백 방식으로 이송하기 위한 기재 승강 수단(311)이 구비되며, 상기 기재 승강 수단(311)은 서로 나란하게 이격되어 구비되는 적어도 두 개의 기재 이송 수단(311a,311b)을 포함한다.In the heating chamber 310, there is provided a substrate elevating means 311 for transferring the substrate 10 in an interlaced manner. The substrate elevating means 311 includes at least two (311a, 311b).

또한, 상기 기재 승강 수단(311)은 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 시스템(100)의 버퍼 챔버(130)의 기재 승강 수단(131)과 실질적으로 동일한 기능을 수행하는 것으로 자세한 설명은 생략한다.The substrate lifting unit 311 performs substantially the same function as the substrate lifting unit 131 of the buffer chamber 130 of the deposition system 100 according to the first embodiment of the present invention. do.

다만, 상기 가열 챔버(310)와 제1 증착 챔버(110) 사이에는 기재를 승강시켜 교체해 줄 수 있는 별도의 버퍼 챔버가 구비될 수 있으며, 이 경우, 상기 가열 챔버(310) 내부에는 하나의 기재 이송 수단만이 구비될 수 있다.A separate buffer chamber may be provided between the heating chamber 310 and the first deposition chamber 110 to allow the substrate to be raised and lowered. In this case, Only a conveying means may be provided.

또한, 본 발명의 제3 실시예에 따른 증착 시스템(300)은 상기 가열 챔버(310)와 상기 제1 증착 챔버(110) 사이에 플라즈마 처리 챔버(320)를 더 포함할 수 있다.In addition, the deposition system 300 according to the third embodiment of the present invention may further include a plasma processing chamber 320 between the heating chamber 310 and the first deposition chamber 110.

또한, 상기 플라즈마 처리 챔버(320)는 플라즈마 처리를 통해 기재(10)의 유기물이나 불순물 등을 제거하는 역할을 한다.In addition, the plasma processing chamber 320 serves to remove organic substances, impurities, and the like of the substrate 10 through plasma treatment.

또한, 상기 플라즈마 처리 챔버(320) 내부에는 기재(10)를 인터백 방식으로 이송하기 위한 기재 승강 수단(321)이 구비될 수 있으며, 상기 기재 승강 수단(321)은 서로 나란하게 이격되어 구비되는 적어도 두 개의 기재 이송 수단(321a,321b)을 포함한다.The plasma processing chamber 320 may be provided with a substrate elevating means 321 for transferring the substrate 10 in an interleaved manner and the substrate elevating means 321 may be spaced apart from each other And at least two substrate transporting means (321a, 321b).

다만, 상기 플라즈마 처리 챔버(320)와 상기 제1 증착 챔버(110) 사이, 상기 플라즈마 처리 챔버(320)와 상기 가열 챔버(310) 사이에 별도의 버퍼 챔버가 각각 구비될 수 있고, 이 경우, 상기 플라즈마 처리 챔버(320) 내부에는 상기 기재 승강 수단(321)이 구비되지 않고 하나의 기재 이송 수단만이 구비될 수 있다.A separate buffer chamber may be provided between the plasma processing chamber 320 and the first deposition chamber 110 and between the plasma processing chamber 320 and the heating chamber 310. In this case, The substrate lifting unit 321 may not be provided in the plasma processing chamber 320 and only one substrate transporting unit may be provided.

또한, 상기 증착 챔버들(110,120) 중, 제1 증착 챔버(110)는 스테인레스막 증착 챔버로 구비되고, 제2 증착 챔버(120)는 구리막 증착 챔버로 구비될 수 있다.In addition, of the deposition chambers 110 and 120, the first deposition chamber 110 may be provided as a stainless film deposition chamber, and the second deposition chamber 120 may be provided as a copper film deposition chamber.

즉, 상기 기재(10)는 상기 가열 챔버(310), 상기 플라즈마 처리 챔버(320), 상기 스테인레스막 증착 챔버(110), 상기 구리막 증착 챔버(120) 순으로 이송되며 스테인레스막과 구리막이 순차로 적층되어 증착되고, 상기 구리막 증착 후에, 상기 스테인레스막 증착 챔버(110), 상기 플라즈마 처리 챔버(320), 상기 가열 챔버 순(310)으로 반송되어 배출된다.That is, the substrate 10 is transferred in the order of the heating chamber 310, the plasma processing chamber 320, the stainless film deposition chamber 110, and the copper film deposition chamber 120, and the stainless film and the copper film are sequentially And is transferred to and discharged from the stainless film deposition chamber 110, the plasma processing chamber 320, and the heating chamber sequence 310 after the deposition of the copper film.

또한, 상기 스테인레스막과 상기 구리막은 하나의 전자파(EMI:Electro Magnetic Interference) 차폐막으로 기능할 수 있다.In addition, the stainless steel film and the copper film may function as one EMI (Electro Magnetic Interference) shielding film.

[제4 실시예][Fourth Embodiment]

도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 증착 시스템을 보여주는 것으로, 본 발명의 제4 실시예에 따른 증착 시스템(400)은 가열 챔버(310), 플라즈마 처리 챔버(320), 스테인레스막 증착 챔버(110), 제1 버퍼 챔버(130), 제1 구리막 증착 챔버(120), 제2 버퍼 챔버(420) 및 제2 구리막 증착 챔버(410)가 순차로 연결되어 구성된다.4 shows a deposition system according to a fourth embodiment of the present invention. The deposition system 400 according to the fourth embodiment of the present invention includes a heating chamber 310, a plasma processing chamber 320, a stainless film deposition chamber The first buffer chamber 130, the first copper film deposition chamber 120, the second buffer chamber 420, and the second copper film deposition chamber 410 are sequentially connected to each other.

즉, 본 발명의 제4 실시예에 따른 증착 시스템(400)은 도 3에 도시한 본 발명의 제3 실시예에 따른 증착 시스템(300)과 비교하여 하나의 버퍼 챔버(420)와 하나의 구리막 증착 챔버(410)가 더 추가된 형태이다.That is, the deposition system 400 according to the fourth embodiment of the present invention is different from the deposition system 300 according to the third embodiment of the present invention shown in FIG. 3 in that one buffer chamber 420 and one copper A film deposition chamber 410 is further added.

또한, 상기 기재(10)는 상기 가열 챔버(130), 상기 플라즈마 처리 챔버(320), 상기 스테인레스막 증착 챔버(110), 상기 제1 버퍼 챔버(130), 상기 제1 구리막 증착 챔버(120), 상기 제2 버퍼 챔버(420), 상기 제2 구리막 증착 챔버(410) 순으로 이송되어 처리되고, 상기 제2 구리막 증착 챔버(410)에서 제2 구리막 증착 후에, 상기 제2 버퍼 챔버(420), 상기 제1 구리막 증착 챔버(120), 상기 제1 버퍼 챔버(130), 상기 스테인레스막 증착 챔버(110), 상기 플라즈마 처리 챔버(320), 상기 가열 챔버(310) 순으로 반송되어 배출된다.The substrate 10 may further include at least one of the heating chamber 130, the plasma processing chamber 320, the stainless film deposition chamber 110, the first buffer chamber 130, the first copper film deposition chamber 120 ), The second buffer chamber 420 and the second copper film deposition chamber 410 in this order, and after the deposition of the second copper film in the second copper film deposition chamber 410, The chamber 420, the first copper film deposition chamber 120, the first buffer chamber 130, the stainless film deposition chamber 110, the plasma processing chamber 320, and the heating chamber 310 And transported and discharged.

또한, 상기 기재(10)의 상면에는 스테인레스막, 제1 구리막, 제2 구리막이 순차적으로 적층되고 이는 하나의 전자파 차폐막으로 기능한다.In addition, a stainless steel film, a first copper film, and a second copper film are sequentially stacked on the upper surface of the substrate 10, and this serves as one electromagnetic shielding film.

또한, 상기 기재(10)는 역방향으로 반송될 때, 상기 제1 구리막 증착 챔버(120)에서 한 층의 구리막이 더 증착될 수 있고, 상기 스테인레스막 증착 챔버(110)에서 한 층의 스테인레스막이 더 증착될 수 있다.Further, when the substrate 10 is transported in the reverse direction, one layer of copper film may be further deposited in the first copper film deposition chamber 120, and one layer of stainless steel film may be deposited in the stainless film deposition chamber 110 Can be further deposited.

즉, 상기 기재(10)의 상부에는 스테인레스막, 제1 구리막, 제2 구리막, 제1 구리막, 스테인레스막이 순차적으로 적층되고 이는 하나의 전자파 차폐막으로 기능할 수 있다.That is, a stainless film, a first copper film, a second copper film, a first copper film, and a stainless film are sequentially stacked on the substrate 10, which can function as one electromagnetic shielding film.

또한, 상기 전자파 차폐막은 증착층의 두께 기재의 허용 증착 온도에 따라 여러층으로 나누어 증착이 가능하다.In addition, the electromagnetic wave shielding film can be deposited in several layers according to the permissible deposition temperature of the thickness of the deposition layer.

[제5 실시예][Fifth Embodiment]

도 5는 본 발명의 제5 실시예에 따른 증착 시스템을 보여주는 것으로 본 발명의 제5 실시예에 따른 증착 시스템(500)은 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 시스템(100)과 비교하여 이웃한 증착 챔버(110,120)들 간에 기재(11,12)를 교체하기 위해 별도의 버퍼 챔버(130)가 구비되지 않으며, 이웃한 증착 챔버(110,120)들 중 어느 하나의 증착 챔버(110)에 기재 승강 수단(130)이 구비된다.5 illustrates a deposition system according to a fifth embodiment of the present invention, wherein a deposition system 500 according to a fifth embodiment of the present invention is similar to the deposition system 100 according to the first embodiment of the present invention, It is not necessary to provide a separate buffer chamber 130 for replacing the substrates 11 and 12 between the deposition chambers 110 and 120 and the deposition chamber 110 of any one of the adjacent deposition chambers 110 and 120 Means 130 are provided.

또한, 상기 기재 승강 수단(130)은 도 1에 도시한 버퍼 챔버(130)의 기재 승강 수단(130)과 실질적으로 동일하므로 설명을 생략한다.Since the substrate lifting means 130 is substantially the same as the substrate lifting means 130 of the buffer chamber 130 shown in FIG. 1, the description is omitted.

또한, 상기 기재 승강 수단(130)은 이웃한 증착 챔버(110,120) 각각에 구비될 수 있다.The substrate lifting unit 130 may be provided in each of the neighboring deposition chambers 110 and 120.

즉, 본 발명의 제5 실시예에 따른 증착 시스템(500)은 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 시스템(100)과 비교하여 버퍼 챔버(130)의 구성을 제외할 수 있으므로 풋 프린트를 더욱 줄일 수 있는 장점이 있다.That is, the deposition system 500 according to the fifth embodiment of the present invention can exclude the configuration of the buffer chamber 130 as compared with the deposition system 100 according to the first embodiment of the present invention, There is an advantage that it can be reduced.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명은 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation, Various changes and modifications will be possible.

100,200,300,400,500:증착 시스템
110:스테인레스막 증착 챔버 120:제1 구리막 증착 챔버
130:제1 버퍼 챔버 210:승강 챔버
310:가열 챔버 320:플라즈마 처리 챔버
410:제2 구리막 증착 챔버 420:제2 버퍼 챔버 100, 200, 300, 400, 500:
110: Stainless film deposition chamber 120: First copper film deposition chamber
130: first buffer chamber 210: lift chamber
310: Heating chamber 320: Plasma processing chamber
410: second copper film deposition chamber 420: second buffer chamber

Claims (15)

순차로 연결되어 증착 공정을 수행하는 복수 개의 증착 챔버를 포함하고,
상기 각 증착 챔버들 내부에는 증착 대상인 기재를 인입하거나 인출하기 위한 기재 이송 수단이 구비되며, 상기 각 증착 챔버에서 기재가 인출되면 이어서 다른 기재가 인입되어 복수의 기재들이 상기 증착 챔버들에 의해 함께 증착되는 것을 특징으로 하는 증착 시스템.
A plurality of deposition chambers sequentially connected to perform a deposition process,
And a substrate transporting unit for transporting a substrate to be deposited or drawn out is provided in each of the deposition chambers. When the substrate is taken out from each of the deposition chambers, another substrate is drawn in, and a plurality of substrates are deposited together by the deposition chambers Wherein the deposition system is a vapor deposition system.
제 1 항에 있어서,
상기 기재는 상기 증착 챔버들에 순차로 이송되면서 증착 공정이 수행되고, 최초 인입된 제1 증착 챔버로 다시 반송되어 배출되는 것을 특징으로 하는 증착 시스템.
The method according to claim 1,
Wherein the substrate is sequentially transferred to the deposition chambers, and the deposition process is performed, and the substrate is transported back to the first deposition chamber that is initially introduced and discharged.
제 2 항에 있어서,
상기 증착 챔버들의 각 사이에 구비되어 이웃한 증착 챔버 내부의 기재를 서로 교체해주는 버퍼 챔버;를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 시스템.
3. The method of claim 2,
And a buffer chamber provided between each of the deposition chambers to exchange substrates inside the neighboring deposition chambers with each other.
제 3 항에 있어서,
상기 버퍼 챔버는 적어도 두 개의 기재를 나란하게 적재할 수 있고, 상기 기재들을 상승 또는 하강시켜 증착 챔버의 기재 출입위치에 위치시키는 기재 승강 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 시스템.
The method of claim 3,
Wherein the buffer chamber comprises substrate elevation means capable of loading at least two substrates side by side and positioning the substrates up or down in the substrate entry and exit position of the deposition chamber.
제 1 항에 있어서,
상기 증착 챔버들 각각 또는 이웃한 증착 챔버들 중 어느 하나의 증착 챔버 내부에는 상기 기재들을 상승 또는 하강시켜 증착 챔버의 기재 출입위치에 위치시켜 이웃한 증착 챔버들 간에 기재를 서로 교체할 수 있게 하는 기재 승강 수단이 포함되는 것을 특징으로 하는 증착 시스템.
The method according to claim 1,
Wherein the substrates are raised or lowered in the deposition chamber of either one of the deposition chambers or adjacent deposition chambers so as to be able to exchange substrates between neighboring deposition chambers by positioning them at the substrate entry / exit position of the deposition chamber And a lifting means is included.
제 1 항에 있어서,
상기 기재는 상기 증착 챔버들에 선택적으로 이송되어 증착 공정이 수행되고,
상기 증착 챔버들에 인접하여 구비되며, 적어도 두 개의 기재를 나란하게 적재할 수 있고, 상기 기재들을 상승 또는 하강시켜 증착 챔버의 기재 출입위치에 위치시키는 승강 챔버;를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 시스템.
The method according to claim 1,
The substrate is selectively transferred to the deposition chambers to perform a deposition process,
And an elevating chamber provided adjacent to the deposition chambers and capable of stacking at least two substrates side by side and positioning the substrates up and down in the substrate entry and exit positions of the deposition chamber, .
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 증착 챔버들로 기재가 이송되기 전에 기재를 가열하여 수분을 제거하는 가열 챔버;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 시스템.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
And a heating chamber for heating the substrate to remove moisture before the substrate is transferred to the deposition chambers.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 증착 챔버들로 기재가 이송되기 전에 기재의 유기물을 제거하기 위해 플라즈마 처리를 수행하는 플라즈마 처리 챔버;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 시스템.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
And a plasma processing chamber for performing plasma processing to remove organic matter of the substrate before the substrate is transferred to the deposition chambers.
제 7 항에 있어서,
상기 증착 챔버들로 기재가 이송되기 전에 기재의 유기물을 제거하기 위해 플라즈마 처리를 수행하는 플라즈마 처리 챔버;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 시스템.
8. The method of claim 7,
And a plasma processing chamber for performing plasma processing to remove organic matter of the substrate before the substrate is transferred to the deposition chambers.
제 9 항에 있어서,
상기 기재는 상기 가열 챔버로 최초 인입되어 상기 플라즈마 처리 챔버 및 상기 증착 챔버들을 순차적으로 거친 후, 다시 상기 가열 챔버로 반송되어 배출되는 것을 특징으로 하는 증착 시스템.
10. The method of claim 9,
Wherein the substrate is first drawn into the heating chamber and sequentially passed through the plasma processing chamber and the deposition chambers, and then is conveyed back to the heating chamber and discharged therefrom.
제 9 항에 있어서,
상기 증착 챔버들은 스테인레스막 증착 챔버와 구리막 증착 챔버를 포함하고, 상기 스테인레스막 증착 챔버와 상기 구리막 증착 챔버 사이에는 상기 스테인레스막 증착 챔버와 상기 구리막 증착 챔버 내부의 기재를 서로 교체해주는 버퍼 챔버가 구비되며,
상기 기재는 상기 가열 챔버, 상기 플라즈마 처리 챔버, 상기 스테인레스막 증착 챔버, 상기 구리막 증착 챔버 순으로 이송되며 처리되고, 상기 구리막 증착 챔버에서 구리막 증착 후에, 상기 스테인레스막 증착 챔버, 상기 플라즈마 처리 챔버, 상기 가열 챔버 순으로 반송되어 배출되는 것을 특징으로 하는 증착 시스템.
10. The method of claim 9,
Wherein the deposition chamber includes a stainless film deposition chamber and a copper film deposition chamber, and between the stainless film deposition chamber and the copper film deposition chamber, a buffer chamber for interchanging the stainless film deposition chamber and the substrate inside the copper film deposition chamber, Respectively,
The substrate is transferred and processed in the order of the heating chamber, the plasma processing chamber, the stainless film deposition chamber, and the copper film deposition chamber, and after the copper film deposition in the copper film deposition chamber, the stainless film deposition chamber, The chamber, and the heating chamber.
제 9 항에 있어서,
상기 증착 챔버들은 스테인레스막 증착 챔버, 제1 구리막 증착 챔버 및 제2 구리막 증착 챔버를 포함하고, 상기 스테인레스막 증착 챔버와 상기 제1 구리막 증착 챔버 사이 및 상기 제1 구리막 증착 챔버와 상기 제2 구리막 증착 챔버 사이에는 이웃한 증착 챔버 내부의 기재를 서로 교체해주는 버퍼 챔버가 구비되며,
상기 기재는 상기 가열 챔버, 상기 플라즈마 처리 챔버, 상기 스테인레스막 증착 챔버, 상기 제1 구리막 증착 챔버, 상기 제2 구리막 증착 챔버 순으로 이송되며 처리되고, 상기 제2 구리막 증착 챔버에서 제2 구리막 증착 후에, 상기 제1 구리막 증착 챔버, 상기 스테인레스막 증착 챔버, 상기 플라즈마 처리 챔버, 상기 가열 챔버 순으로 반송되어 배출되는 것을 특징으로 하는 증착 시스템.
10. The method of claim 9,
Wherein the deposition chambers include a stainless film deposition chamber, a first copper film deposition chamber, and a second copper film deposition chamber, wherein the first copper film deposition chamber and the first copper film deposition chamber, Between the second copper film deposition chambers, there is provided a buffer chamber for interchanging the substrates inside the neighboring deposition chambers,
Wherein the substrate is transferred and processed in the order of the heating chamber, the plasma processing chamber, the stainless film deposition chamber, the first copper film deposition chamber, and the second copper film deposition chamber, After the copper film deposition, the first copper film deposition chamber, the stainless film deposition chamber, the plasma processing chamber, and the heating chamber are transported and discharged in this order.
제 9 항에 있어서,
상기 증착 챔버들은 스테인레스막 증착 챔버, 제1 구리막 증착 챔버 및 제2 구리막 증착 챔버를 포함하고, 상기 스테인레스막 증착 챔버와 상기 제1 구리막 증착 챔버 사이 및 상기 제1 구리막 증착 챔버와 상기 제2 구리막 증착 챔버 사이에는 이웃한 증착 챔버 내부의 기재를 서로 교체해주는 버퍼 챔버가 구비되며,
상기 기재는 상기 가열 챔버, 상기 플라즈마 처리 챔버, 상기 스테인레스막 증착 챔버, 상기 제1 구리막 증착 챔버, 상기 제2 구리막 증착 챔버 순으로 이송되며 처리되고, 상기 제2 구리막 증착 챔버에서 제2 구리막 증착 후에, 상기 제1 구리막 증착 챔버, 상기 스테인레스막 증착 챔버, 상기 플라즈마 처리 챔버, 상기 가열 챔버 순으로 반송되어 배출되며, 반송시 상기 제2 구리막 증착 챔버에서 제2 구리막이 증착되고, 상기 스테인레스막 증착 챔버에서 제2 스테인레스막이 증착되는 것을 특징으로 하는 증착 시스템.
10. The method of claim 9,
Wherein the deposition chambers include a stainless film deposition chamber, a first copper film deposition chamber, and a second copper film deposition chamber, wherein the first copper film deposition chamber and the first copper film deposition chamber, Between the second copper film deposition chambers, there is provided a buffer chamber for interchanging the substrates inside the neighboring deposition chambers,
Wherein the substrate is transferred and processed in the order of the heating chamber, the plasma processing chamber, the stainless film deposition chamber, the first copper film deposition chamber, and the second copper film deposition chamber, After the copper film deposition, the first copper film deposition chamber, the stainless film deposition chamber, the plasma processing chamber, and the heating chamber are transported and discharged in this order, and a second copper film is deposited in the second copper film deposition chamber during transportation And a second stainless film is deposited in the stainless film deposition chamber.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항의 증착 시스템을 이용하여 적어도 하나의 스테인레스막과 상기 스테인레스막 상부에 적어도 하나의 구리막이 증착된 기재.
A substrate on which at least one stainless steel film and at least one copper film are deposited on the stainless steel film using the deposition system of any one of claims 1 to 6.
제 14 항에 있어서,
상기 스테인레스막과 상기 구리막은 하나의 전자파 차폐막으로 기능하는 것을 특징으로 하는 기재.15. The method of claim 14,
Wherein the stainless film and the copper film function as one electromagnetic shielding film.
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