KR20170068182A

KR20170068182A - 단열·방열성 유리 패널

Info

Publication number: KR20170068182A
Application number: KR1020150175081A
Authority: KR
Inventors: 유재경
Original assignee: (주) 세명유리
Priority date: 2015-12-09
Filing date: 2015-12-09
Publication date: 2017-06-19

Abstract

제조시 열처리가 행해져도 방열성을 유지할 수 있는 단열·방열성 유리 패널을 제공한다. 단열·방열성 유리 패널(1)은, 그 외주 에지부에 저온에서 유동하는 실 프레임(13)을 통하여 면이 서로 마주 보도록 밀봉 접합되어, 그 사이에 중공층(14)을
형성하는 한 쌍의 판유리(11 및 12)와 중공층(14) 내에 대기압 지지 부재로서 삽입되어 판유리(11)와 판유리(12)의 간격을 결정하는 대략 원기둥형의 스페이서인 필러(15)로 이루어진다. 판유리(11, 12)의 중공층(14)에 대향하는 면(11a),(12a)은, 높은 단열 성능을 얻기 위해 스퍼터링법에 의해 방사율 0.1 이하의 저방사율 투명 적층체(17)로 피복되어 있다.
저방사율 투명 적층체(17)는, 비정질층인SiNx층(34)에 의하여 막 두께 방향으로 분할된 유전체층인 ZnO층(33, 35)과 Ag및 Pd를 포함하는 금속층인 Ag－Pd층(32)을 포함한다.

Description

단열·방열성 유리 패널{HEAT INSULATING/HEAT SHIELDING GLASS PANEL}

본 발명은 건물의 유리창 등에 사용되며, 우수한 단열성 및 방열성을 구비한 단열·방열성 유리 패널에 관한 것이다.

최근에는, 방열(heat shielding) 성능만이 아니라, 단열(heat insulating) 성능도 겸비한 유리 패널이 개발되어 있다. 예를 들면, 착색 열선 흡수 유리와 이 유리 사이에 중공층을 형성하기 위하여 스페이서를 개재시켜서 대향하도록 설치된 투명계

유리와, 착색 열선 흡수 유리의 내측 유리 면에 형성된 저방사율 투명 적층체를 구비하고, 착색 열선 흡수 유리가 실외 측에, 클리어계 유리가 실내 측에 배치된 유리 패널이 사용되고 있다(예를 들면, 특허 제2882728호 공보 참조).

또한, 실외 측에 배치한 착색 열선 흡수 유리의 중공층 측 유리 면에 형성된 저방사율 투명 적층체로서, 태양광 방열성, 고단열성을 발휘하는 것이 개시되어 있다(예를 들면, 일본 특개 소63－30212호 공보, 일본 특개 소63－134232호 공보 및

일본 특개 소63－239044호 공보 참조).이 저방사율 투명 적층체는, 유리 면에 유전체층과 금속층을 합계 (2n＋1) 층으로 적층해서 구성되며, 또한 최상층에 보호

층이 형성된 것이다. 그리고, 이 유전체층으로서는, ZnO가 성막(成膜) 속도가 뛰어나며, 금속층으로서는 Ag가 열선 반사기능이 우수한 것으로 알려져 있다.

특히, 보호층으로서는, SiNx, TiO2, 또는 SiAlOxNy(사이알론; sialon) 등이 알려져 있다.

상기 저방사율 투명 적층체에 있어서는, 금속층이 공기 중의 수분, 산소, 염소 등에 의하여 마이그레이션(migration)을 일으켜서 부식하는 문제가 있었다. 이러한 점에서, 본 출원인은 상기 공기 중의 수분 등은 금속층의 윗층의 금속 산화물층(유

전체층)을 투과하여 금속층까지 도달한다는 생각하고, 상기 부식을 방지하여 적층체의 내구성을 향상시킬 수 있도록, 금속산화물층을 구성하는 결정입자의 평균 결정자 크기를 20nm 이하로 하여, 금속 산화물층을 치밀화함으로써 수분의 금속

산화물층의 투과를 방지하는 제안을 하였다(예를 들면, 일본 특개 평9－71441호 공보 참조).

또한, 본 출원인은 유전체층이 비정질(amorphous)층에 의해 분할되어 금속층(Ag)의 내구성이 향상된 저방사율 투명 적층체를 제안한바 있다(예를 들면, 일본 특개 2002－173343호 공보 참조).

그러나, 상기 저방사율 투명 적층체를 중공층 측 유리 면에 형성하는 경우, 해당 유리 패널의 제조시의 열처리로 인하여 상기 저방사율 투명 적층체가 연기로 그을려지는 상태가 되어서, 해당 저방사율 투명 적층체의 금속층(Ag)이 마이그레이션

을 일으켜서 부식하고, 방열성이 저하되는 문제가 있었다.

본 발명은, 상기와 같은 문제점에 주목하여 이루어진 것이다. 본 발명의 목적은, 제조시에 열처리가 행해져도 방열성을 유지할 수 있는 단열·방열성 유리 패널을 제공하는 것이다.

전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 필러(pillar)를 개재시켜 소정의 간격을 가진 중공층이 형성된 한 쌍의 판유리;및 상기 한 쌍의 판유리의 주위에서 상기 중공층을 밀폐하는 외주 밀폐부를 포함하는 단열·방열성 유리 패널에 있어서, 상

기 중공층에 대향하는 상기 판유리 면에 유전체층과 금속층이 적층된 저방사율 투명 적층체가 형성되고, 상기 유전체층이 비정질층에 의하여 막의 두께 방향으로 분할되며, 상기 금속층이 Ag 및 Pd를 포함하는 것을 특징으로 하는 단열·방열성 유

리 패널을 제공한다.

본 발명에 있어서, 상기 저방사율 투명 적층체는, 상기 중공층 및 상기 외주 밀폐부와 접하는 최상층으로 SiO2층을 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 상기 저방사율 투명 적층체는 상기 판유리 면과 접하는 최하층으로 SiO2층을 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 상기 비정질층에 의하여 분할되는 상기 유전체층은, Zn, Sn, Ti, In 및 Bi로 이루어진 군에서 선택된 1종이상의 금속을 포함하는 산화물층인 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 상기 비정질층에 의하여 분할되는 상기 유전체층은 산화아연을 주성분으로 하는 층인 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 상기 비정질층에 의하여 분할되는 상기 유전체층 중 하나 이상의 층은, 상기 판유리로부터 가장 가까운 금속층을 기준으로, 상기 판유리의 반대 측에 위치하는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 상기 금속층은 1층으로 형성되며, 상기 비정질층에 의하여 분할되는 유전체층은 해당 금속층을 기준으로, 상기 판유리의 반대 측에 위치하는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 상기 금속층은 2층 이상으로 형성되며, 상기 비정질층에 의하여 분할되는 유전체층 중 하나 이상의 층은, 상기 판유리로부터 가장 먼 금속층을 기준으로, 상기 판유리 측에 위치하는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 상기 비정질층은, 질화물, 산화질화물(oxynitride), 비정질 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 화합물로 이루어지는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 상기 질화물층은, Si, Al, Ti, Sn으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 질화물로 이루어지는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 상기 산화질화물층은, Si, Al, Ti, Sn으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 산화질화물로 이루어지는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 상기 비정질 산화물층은, Si, Al, Ti, Sn으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 비정질 산화물로 이루어지는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 상기 저방사율 투명 적층체의 상기 중공층 및 상기 외주 밀폐부와 접하는 최상층은, Si, Al, Ti, Sn으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 질화물, 산화질화물, 또는, 비정질 산화물로 이루어지는 보호층으로

되어 있는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 상기 비정질층의 막 두께는 3nm 내지 30nm인 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 상기 비정질층의 막 두께는 5nm 내지 20nm인 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 상기 비정질층 중 하나 이상의 층이 질화규소를 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 상기 유전체층은 모두 산화아연을 주성분으로 하는 층인 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 상기 저방사율 투명 적층체는 상기 금속층이 개재된 복수의 상기 유전체층을 포함하며, 상기 금속층과 상기 유전체층의 계면 중 상기 판유리로부터 먼 쪽의 계면에, 상기 금속층의 성막시에 열화를 방지하는 희생층이 삽입된

것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 상기 희생층은 Ti를 포함하는 산화물로 이루어지는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 상기 희생층은 Nb를 포함하는 산화물로 이루어지는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 상기 금속층은 Ag를 주성분으로 하는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 상기 저방사율 투명 적층체는, CuKα선을 사용한 X선 회절 피크 중에서 32˚≤2θ(회절각)≤35˚에서 최대 피크를 가진 적분폭 βi가 0.43 내지 1.20인 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 상기 적분폭 βi는 0.50 내지 1.20인 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 상기 32˚≤2θ(회절각)≤35˚에서의 최대 피크는 산화 아연의 (002) 회절선에 근거한 피크인 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 상기 저방사율 투명 적층체는, 상기 판유리 면 상에 형성된 Zn을 포함하는 산화물층인 제1 유전체층과, 상기 제1 유전체층 상에 형성된 Ag 및 Pd를 포함하는 금속층과, 상기 금속층 상에 형성된 Nb를 포함하는 산화물인 희생층

과, 상기 희생층 상에 형성된 Zn을 포함하는 산화물층인 제2 유전체층과, 상기 제2 유전체층 상에 형성된 질화규소로 이루

어진 제1 비정질층과, 상기 제1 비정질층 상에 형성된 Zn을 포함하는 산화물층인 제3 유전체층과, 상기 제3 유전체층 상

에 형성된 질화규소로 이루어진 제2 비정질층과, 상기 제2 비정질층 상에 형성된 Zn을 포함하는 산화물층인 제4 유전체층

과, 상기 제4 유전체층 상에 형성된 질화규소로 이루어진 제3 비정질층으로 이루어지는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 상기 제1 유전체층, 상기 금속층, 상기 희생층, 상기 제2 유전체층, 상기 제1 비정질층, 상기 제3 유전체층, 상기 제2 비정질층, 상기 제4 유전체층, 및 상기 제3 비정질층의 막 두께는 각각 25∼30nm, 10∼20nm, 1∼10nm,

1∼20nm, 1∼20nm, 1∼20nm, 1∼20nm, 1∼20nm, 1∼20nm인 것이 바람직하다.

본 발명에 의하면, 유전체층이 비정질층에 의하여 막 두께 방향으로 분할되어 금속층이 Ag 및 Pd를 포함하므로, 금속층의내구성을 향상시킬 수 있어서, 제조시에 열처리가 행해져도, 방열성을 유지할 수 있다.

본 발명에 의하면, 저방사율 투명 적층체가 중공층 및 외주 밀폐부와 접하는 최상층으로 SiO2층을 가지므로, 저방사율 투명 적층체 상에 외주 밀폐부를 도포할 경우에 저방사율 투명 적층체와 외주 밀폐부 사이에서 기포가 발생하는 것을 억제할

수 있고, 외주 밀폐부가 중공층으로 스며드는 것을 제어할 수 있다.

본 발명에 의하면, 저방사율 투명 적층체는 판유리 면과 접하는 최하층으로 SiO2층을 가지므로, 저방사율 투명 적층체와 판유리 면의 접착성을 향상시킬 수 있으므로, 저방사율 투명 적층체가 판유리 면으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있다.

본 발명에 의하면, 유전체층이 산화아연을 주성분으로 하는 층이므로, 외부로부터 저방사율 투명 적층체로 수분이나 가스가 침입하는 것을 방지할 수 있으므로, 저방사율 투명 적층체의 내구성을 향상시킬 수 있다.

본 발명에 의하면, 유전체층 중 적어도 하나의 층이, 판유리로부터 가장 가까운 금속층을 기준으로, 판유리의 반대 측에 위치하므로, 외부로부터 금속층으로 수분이나 가스가 침입하는 것을 방지할 수 있으므로, 저방사율 투명 적층체의 내구성을

향상시킬 수 있다.

본 발명에 의하면, 저방사율 투명 적층체의 최외층은, Si, Al, Ti, Sn으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함하는 질화물, 산화질화물, 또는 비정질 산화물로 이루어지는 보호층으로 되어 있으므로, 저방사율 투명 적층체의 내구성을

더욱 향상시킬 수 있다.

본 발명에 의하면, 비정질층은 적어도 1층이 질화규소로 이루어지므로, 저방사율 투명 적층체의 내구성이나 내마모성 및 유리 패널의 단열성을 향상시킬 수 있다.

본 발명에 의하면, 희생층은 Nb를 포함하는 산화물이므로, 가시광선 투과율 및 내열성을 향상시킬 수 있으며, 동시에 막 두께를 용이하게 제어할 수 있다.

본 발명에 의하면, 저방사율 투명 적층체는, 제1 유전체층과 금속층과 희생층과 제2 유전체층과 제1 비정질층과 제3 유전 체층과 제2 비정질층과 제4 유전체층과 제3 비정질층으로 이루어지므로, 열처리가 행해져서 연기에 그을리는 상태가 되

어도, 저방사율 투명 적층체의 내열성을 유지할 수 있다.

(실시예 1)

두께 3mm×2500mm×1800mm의 통상의 플롯 유리의 한쪽 표면에, 음극을 5세트 가진, 이른바 로드-록식 인라인형 마그네트론 스퍼터링 장치(load-lock inline type magnetron sputter)에 의해, ZnO/Ag-Pd/ZnO/SiNx/ZnO/SiNx로 이루어지는 유전체/금속/유전체의 샌드위치 구조의 저방사율 투명 적층체를코팅했다.

코팅은, 세정한 판유리(G)를 도 14에 나타낸 마그네트론 스퍼터링(코팅) 장치의 입구로부터 로드-록 챔버(1)로 반송해서

소정의 압력까지 진공 배기하고, 코팅 챔버(2)로 반송한 후, 코팅 챔버(2)에 스퍼터링 가스를 도입하고, 배기 펌프를 사용하여 소정의 압력으로 조정한 후, 음극(3)에 전력을 인가하고, 방전시켜서, 각 음극에 세팅된 재료를 스퍼터링함으로써 행

해진다.

그리고, 본 실시예에서는 코팅시의 유리는 특별히 가열하지 않고 실온에서 코팅하였으며, 상기 코팅된 유리를, 단열·방열성 유리 패널 제조에 있어서의 열처리시 상태를 재현하기 위하여, 500℃ 이상으로 가열한 후, 10∼20℃／min 정도의 속도

로 실온 정도까지 온도를 낮추었다.이하 코팅에 대하여 상세하게 설명한다.

먼저, 코팅 챔버(2)에, Ar 가스에 산소 가스를 2% 첨가한 혼합 가스를 압력이 0.40Pa로 되도록 도입하고, 주석(Sn)을 첨가한 산화아연 소결체 타겟(크기： 3100mm×330mm)을 세팅한 음극(3a)에 직류 30kW를 인가하여 스퍼터링하여, 음극

(3a) 하에서 유리를 왕복시킴으로써, 제1 층으로서 주석(Sn)이 첨가된 산화 아연막을 형성하였다.

이어서, 코팅 챔버(2)의 가스를 Ar 가스로 전환하고, 압력을 0.45Pa로 설정하고, 팔라듐(Pd)을 첨가한 은 타겟(크기：3100mm×330mm)을 세팅한 음극(3c)에 직류 14kW를 인가하여 스퍼터링하여, 음극(3c) 하에 유리를 통과시킴으로써,

제2 층인 금속막을 형성했다.

이어서, 제1 층과 동일한 방법으로 제3 층인 주석(Sn)이 첨가된 산화 아연막을 형성했다.

이어서, 코팅 챔버(2)의 가스를 N2 가스로 전환하고, 압력을 0.45Pa로 설정하고, 알루미늄을 10질량% 첨가한 규소 타겟(크기： 2900mm×직경 150mm)을 세팅한 음극(3e)에 직류 50kW를 인가하여 반응성 스퍼터링하여, 음극(3e) 하에서 유

리를 왕복시킴으로써, 제4 층인 알루미늄이 첨가된 질화규소막을 형성했다. 그 후, 제1 층과 동일한 방법으로 제5 층인 산화아연막을 형성하고, 마지막으로, 제4 층과 동일한 방법으로 제6 층인 알루미늄이 첨가된 질화규소막을 형성했다. 막의

두께는 음극(3a, 3c, 3e) 하에서 유리를 통과시키는 속도와 왕복 회수로 조절하고, 제1 층을 10nm, 제2 층을 9nm, 제3 층을 26nm, 제4 층을 5nm, 제5 층을 9nm, 제6 층을 7nm로 했다.

(실시예 2)

실시예 1과 같은 스퍼터링 장치를 사용하고, 동일한 플롯 유리의 한쪽 표면에, 도 6과 동일한 구성, 즉 ZnO/Ag-Pd/TiOx/ZnO/SiNx/ZnO/SiNx/ZnO/SiNx로 이루어지는 유전체/금속/유전체의 샌드위치 구조의 저방사율 투명 적층체를 아래와

같이 코팅했다.

먼저, 코팅 챔버(2)에 산소 가스를 압력이 0.40Pa이 되도록 도입하고, 아연 타겟(크기： 3100mm×330mm)을 세팅한 음극(3b)에 직류 55kW를 인가하여 반응성 스퍼터링하여, 음극(3b) 하에서 유리를 왕복시킴으로써, 제1 층인 산화 아연막을

형성했다. 다음에, 코팅 챔버(2)의 가스를 Ar 가스로 전환하고 압력을 0.45Pa이 되도록 하고, 팔라듐(Pd)을 첨가한 은 타겟(사이즈： 3100mm×330mm)을 세팅한 음극(3c)에 직류 8kW를 인가하고, 동시에 티타늄 타겟(사이즈：3100mm×330mm)을 세팅한 음극(3d)에 직류 8kW를 인가하여, 양 음극(3c, 3d) 하에 유리를 통과시킴으로써, 제2 층의금속막과 제3 층의 티타늄막을 형성했다. 이어서, 제1 층과 동일한 방법으로 제4 층의 산화아연막을 형성했다. 이 제4 층의 산화물막 형성시에, 제3 층의 티타늄막은 스스로를 산화시킴으로써 금속막 중의 은의 열화를 방지하는 이른바 희생층의 역할을 수행한다. 이어서, 코팅 챔버(2)의 가스를 N2 가스로 전환하고 압력이 0.45Pa이 되도록 하고, 알루미늄을 10질량% 첨가한 규소 타겟(크기： 2900mm×직경 150mm)을 세팅한 음극(3e)에 직류 50kW를 인가하여 스퍼터링하여, 음극

(3e) 하에서 유리를 왕복시킴으로써, 제5 층인 알루미늄이 첨가된 질화규소막을 형성했다. 그 후, 제1 층과 동일한 방법으로 제6 층인 산화아연막을 형성하고, 제5 층과 동일한 방법으로 제7 층인 알루미늄이 첨가된 질화규소막을 형성하고, 제1

층과 동일한 방법으로 제8 층의 산화아연막을 형성하고, 마지막으로, 제5 층과 동일한 방법으로 제9 층의 알루미늄이 첨가된 질화규소막을 형성했다. 막의 두께는, 음극(3c, 3d, 3e) 하에 유리를 통과시키는 속도와 왕복 회수에 의해 조절하며, 제

1 층을 27nm, 제2 층을 13nm, 제3 층을 6nm, 제4 층을 8nm, 제5 층을 10nm, 제6 층을 13nm, 제7 층을 7nm, 제8 층을9nm, 제9 층을 7nm로 했다.

(실시예 3)

실시예 1과 같은 스퍼터링 장치를 사용하고, 동일한 플롯 유리의 한쪽 표면에, 도 7과 동일한 구성, 즉 ZnO/Ag-Pd/TiOx/ZnO/SiNx/ZnO/Ag-Pd/TiOx/ZnO/SiNx 로 이루어지는 유전체/금속/유전체/금속/유전체의 샌드위치 구조의 저방사율 투명 적층체를 아래와 같이 코팅했다.

실시예 2와 동일한 방법으로, 제1 층인 산화아연막, 제2 층인 금속막, 제3 층인 티타늄막(희생층으로서 역할한 후, 산화티타늄막으로 됨), 제4 층인 산화아연막, 제5 층인 알루미늄이 첨가된 질화규소막, 제6 층인 산화아연막을 형성했다. 이어서,

제2 층, 제3 층과 동일한 방법으로 제7 층인 금속막과 제8 층인 티타늄막을 형성하고, 제1 층과 동일한 방법으로 제9 층인산화아연막을 형성하고(이때, 제8 층의 티타늄막은 제3 층과 동일하게 희생층으로서 산화됨), 마지막으로, 제5 층과 동일

한 방법으로 제10 층인 알루미늄이 첨가된 질화규소막을 형성했다. 막의 두께는 음극 하에 유리를 통과시키는 속도와 왕복회수에 의해 조절하며(제7 층만큼은 전력도 사용함), 제1 층을 13nm, 제2 층을 6nm, 제3 층을 3nm, 제4 층을 45nm, 제5

층을 6nm, 제6 층을 25nm, 제7 층을 13nm, 제8 층을 3nm, 제9 층을 22nm, 제10 층을 8nm로 했다.

(실시예 4)

실시예 1과 같은 스퍼터링 장치를 사용하고, 동일한 플롯 유리의 한쪽 표면에, 도 9와 동일한 구성, 즉 ZnO/Ag-Pd/TiOx/ZnO/SiNx/ZnO/SiNx/ZnO/Ag-Pd/TiOx/ZnO/SiNx로 이루어지는 유전체/금속/유전체/금속/유전체의 샌드위치 구조의저방사율 투명 적층체를 아래와 같이 코팅했다.

제5 층, 제6 층과 동일한 방법으로, 제7 층인 알루미늄이 첨가된 질화규소막과 제8 층인 산화아연막을 형성하고, 그 후, 제2 층, 제3 층, 제4 층, 제5 층과 동일한 방법으로, 제9 층인 금속막, 제10 층인 티타늄막, 제11 층인 산화아연막(이때, 제10

층인 티타늄막은 동일하게 희생층으로서 산화됨), 제12 층인 알루미늄이 첨가된 질화규소막을 형성했다. 막의 두께는 음극 하에 유리를 통과시키는 속도와 왕복 회수에 의해 조절하며(제9 층만큼은 전력도 사용함), 제1 층을 19nm, 제2 층을

6nm, 제3 층을 3nm, 제4 층을 16nm, 제5 층을 13nm, 제6 층을 17nm, 제7 층을 14nm, 제8 층을 18nm, 제9 층을 13nm,제10 층을 3nm, 제11 층을 11nm, 제12 층을 19nm로 했다.

(실시예 5)

실시예 1과 같은 스퍼터링 장치를 사용하고, 동일한 플롯 유리의 한쪽 표면에, 도 11과 동일한 구성, 즉 ZnO/SiNx/ZnO/Ag-Pd/TiOx/ZnO/SiNx/ZnO/Ag-Pd/TiOx/ZnO/SiNx로 이루어지는 유전체/금속/유전체/금속/유전체의 샌드위치 구조의 저방사율 투명 적층체를 아래와 같이 코팅했다.

제1 층인 산화아연막, 제2 층인 알루미늄이 첨가된 질화규소막, 제3 층인 산화아연막, 제4 층인 금속막, 제5 층인 티타늄막(희생층으로서 역할한 후, 산화티타늄막으로 됨), 제6 층인 산화아연막, 제7 층인 알루미늄이 첨가된 질화규소막, 제8

층인 산화아연막을 형성했다.

이어서, 제4 층, 제5 층, 제6 층과 동일한 방법으로, 제9 층의 금속막, 제10 층의 티타늄막, 제11 층의 산화 아연막(이때,제10 층의 티타늄막은 동일하게 희생층으로서 산화됨)을 형성하여, 마지막에 제12 층인 알루미늄이 첨가된 질화규소막을

형성했다.

막의 두께는 음극 하에 유리를 통과시키는 속도와 왕복 회수에 의해 조절하며(제9 층만큼은 전력도 사용함), 제1 층을 4nm, 제2 층을 5nm, 제3 층을 4nm, 제4 층을 6nm, 제5 층을 3nm, 제6 층을 45nm, 제7 층을 6nm, 제8 층을 25nm, 제9

층을 13nm, 제10 층을 3nm, 제11 층을 22nm, 제12 층을 8nm로 했다.

Claims

필러(pillar)를 개재시켜 소정의 간격을 가진 중공층이 형성된 한 쌍의 판유리; 및
상기 한 쌍의 판유리의 주위에서 상기 중공층을 밀폐하는 외주 밀폐부
를 포함하는 단열·방열성 유리 패널에 있어서,상기 중공층에 대향하는 상기 판유리 면에 유전체층과 금속층이 적층된 저방사율 투명 적층체가 형성되고, 상기 유전체층이 비정질층에 의하여 막의 두께 방향으로 분할되며, 상기 금속층이 Ag 및 Pd를 포함하는 것을 특징으로 하는 단열·방열성 유리 패널.
제1항에 있어서, 상기 저방사율 투명 적층체는, 상기 중공층 및 상기 외주 밀폐부와 접하는 최상층으로 SiO2층을 포함하는 것을 특징으로 하는 단열·방열성 유리 패널.
제1항에 있어서, 상기 저방사율 투명 적층체는 상기 판유리 면과 접하는 최하층으로 SiO2층을 포함하는 것을 특징으로 하는 단열·방열성 유리 패널.
제1항에 있어서, 상기 비정질층에 의하여 분할되는 상기 유전체층은, Zn, Sn, Ti, In 및 Bi로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함하는 산화물층인 것을 특징으로 하는 단열·방열성 유리 패널.
제4항에 있어서, 상기 비정질층에 의하여 분할되는 상기 유전체층은 산화아연을 주성분으로 하는 층인 것을 특징으로 하는 단열·방열성 유리 패널.
제1항에 있어서, 상기 비정질층에 의하여 분할되는 상기 유전체층 중 적어도 1층은, 상기 판유리로부터 가장 가까운 금속층을 기준으로, 상기 판유리의 반대 측에 위치하는 것을 특징으로 하는 단열·방열성 유리 패널.
제1항에 있어서, 상기 금속층은 1층으로 형성되며, 상기 비정질층에 의하여 분할되는 유전체층은 상기 금속층을 기준으로, 상기 판유리의 반대 측에 위치하는 것을 특징으로 하는 단열·방열성 유리 패널.
제1항에 있어서, 상기 금속층은 2층 이상으로 형성되며, 상기 비정질층에 의하여 분할되는 유전체층 중 적어도 1층은, 상기 판유리로부터 가장 먼 금속층을 기준으로, 상기 판유리 측에 위치하는 것을 특징으로 하는 단열·방열성 유리 패널.
제1항에 있어서, 상기 비정질층은, 질화물, 산화질화물(oxynitride), 비정질 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 단열·방열성 유리 패널.
제9항에 있어서, 상기 질화물층은, Si, Al, Ti, Sn으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 질화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 단열·방열성 유리 패널.
제9항에 있어서, 상기 산화질화물층은, Si, Al, Ti, Sn으로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 산화질화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 단열·방열성 유리 패널.