KR20170063475A - Work dividing device and method for dividing work - Google Patents

Work dividing device and method for dividing work Download PDF

Info

Publication number
KR20170063475A
KR20170063475A KR1020170062855A KR20170062855A KR20170063475A KR 20170063475 A KR20170063475 A KR 20170063475A KR 1020170062855 A KR1020170062855 A KR 1020170062855A KR 20170062855 A KR20170062855 A KR 20170062855A KR 20170063475 A KR20170063475 A KR 20170063475A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
dicing tape
heating
work
wafer
light
Prior art date
Application number
KR1020170062855A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102063450B1 (en
Inventor
다스쿠 시미즈
다카시 후지타
노부오 고지마
Original Assignee
가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 filed Critical 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔
Publication of KR20170063475A publication Critical patent/KR20170063475A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102063450B1 publication Critical patent/KR102063450B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

가열에 의한 다이싱테이프의 수축의 이방성을 경감하는 동시에, 가열원의 주사에 따르는 칩의 배열 차이를 경감한다.
다이싱테이프에 부착되고, 링 상의 프레임에 장착되어 미리 형성된 분단 예정 라인에 따라 각각의 칩으로 다이싱 가공된 반도체 웨이퍼를 갖는 워크를 고정하는 프레임 고정 수단과, 상기 워크의 다이싱테이프를 익스팬드하는 익스팬드수단과, 상기 다이싱테이프의 익스팬드 상태를 해제한 후, 상기 다이싱테이프에 발생하는 이완 부분을 가열하기 위해서 상기 분할 대상인 반도체 웨이퍼 외주의 다이싱테이프에 열을 공급하게 배치되어 각각 가열 상태를 주 방향에 독립해서 제어하는 것이 가능한 광가열 장치를 갖춘 것을 특징으로 하는 워크 분할장치 및 워크 분할방법을 제공한다.The anisotropy of shrinkage of the dicing tape by heating is reduced and the difference in arrangement of chips following the scanning of the heating source is reduced.
A frame fixing means attached to the dicing tape and fixed to a ring-shaped frame to fix a workpiece having a semiconductor wafer diced with each chip according to a line to be divided which is previously formed; The dicing tape is placed on the dicing tape of the outer periphery of the semiconductor wafer to be divided so as to heat the relaxed portion generated on the dicing tape after releasing the expanded state of the dicing tape There is provided a workpiece dividing device and a workpiece dividing method, characterized in that the workpiece dividing device and the workpiece dividing method are provided with an optical heating device capable of independently controlling the heating state in the main direction.

Description

워크 분할장치 및 워크 분할방법 {WORK DIVIDING DEVICE AND METHOD FOR DIVIDING WORK}WORK DIVIDING DEVICE AND METHOD FOR DIVIDING WORK [0002]

본 발명은 워크 분할장치 및 워크 분할방법에 관한 것으로서, 특히 다이싱테이프를 통해서 링 상의 프레임에 장착되어 각각의 칩으로 다이싱 글루빙(grooving) 가공된 반도체 웨이퍼에 대하여 다이싱 가공 후에 다이싱테이프를 익스팬드 해서 각각의 칩으로 분할하는 워크 분할장치 및 워크 분할방법에 관한 것이다.The present invention relates to a work dividing apparatus and a work dividing method, and more particularly to a work dividing apparatus and a work dividing method, in which a semiconductor wafer mounted on a ring-shaped frame through a dicing tape and diced with each chip is diced, And divides the chip into individual chips, and a work dividing method.

종래 반도체장치나 전자부품 등의 워크를 개개의 칩으로 분할하는 워크 분할장치가 알려져 있다.Conventionally, a work dividing device for dividing a work such as a semiconductor device or an electronic part into individual chips is known.

도 19에 이러한 워크의 일예를 나타냈다. 도 19에 도시한 바와 같이 워크는 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 반도체장치나 전자 부품 등이 형성된 판상물(板狀物)이며, 윗면에 점착층이 형성된 두께 100μm 정도의 다이싱테이프(S; 점착 시트)에 반도체 웨이퍼(W)의 이면이 부착된다. 다이싱테이프(S)에 부착된 반도체 웨이퍼(W)는 다이싱테이프(S)를 통해서 강성이 있는 링 상의 프레임(F)에 장착된다. 프레임(F)에 장착된 반도체 웨이퍼(W)는 이 상태로 워크 분할 장치에 있어서, 척 스테이지에 재치되어 다이싱테이프(S)가 익스팬드 된다. 다이싱테이프(S)가 익스팬드 되면, 반도체 웨이퍼(W)에 미리 형성된 분할 예정 라인에 따라 반도체 웨이퍼(W)가 각각의 칩(T)으로 분할(個片化) 된다.Fig. 19 shows an example of such a work. As shown in Fig. 19, a workpiece is a plate-like article on which a semiconductor device or an electronic component is formed on the surface of a semiconductor wafer W, and a dicing tape S (thickness: about 100 m) The back surface of the semiconductor wafer W is adhered to the adhesive sheet. The semiconductor wafer W attached to the dicing tape S is mounted on a rigid ring-shaped frame F via the dicing tape S. The semiconductor wafer W mounted on the frame F is placed on the chuck stage in the workpiece dividing device in this state, and the dicing tape S is expanded. When the dicing tape S is expanded, the semiconductor wafers W are divided into individual chips T according to a line to be divided which is formed in advance in the semiconductor wafer W.

그 후, 다이싱테이프(S)의 익스팬드를 해제하면, 반도체 웨이퍼(W)의 외주부의 다이싱테이프(S)에 이완이 발생한다. 이 이완을 그대로 해 두면, 분할한 칩(T) 끼리가 다시 달라붙거나 해서 그 후의 공정에 문제가 되기 때문에 이완을 제거할 필요가 있다. 거기에서 종래, 가열하면 수축하는 재료로 다이싱테이프(S)를 형성하고, 반도체 웨이퍼(W)의 외주부가 이완 부분의 다이싱테이프(S)를 가열해서 수축시켜 이완을 제거하도록 하고 있다. 이때 반도체 웨이퍼(W)의 외주부의 다이싱테이프(S)를 가열하기 위해서 워크 외주부에 배치된 열원과 워크를 상대적으로 회전시켜서 주사함으로써 다이싱테이프(S)의 외주부를 가열하도록 하고 있다.Thereafter, when the expansion of the dicing tape S is released, the dicing tape S on the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W is relaxed. If this relaxation is left as it is, it is necessary to remove the relaxation because the divided chips T stick to each other again, which is a problem in subsequent steps. Conventionally, a dicing tape S is conventionally formed as a material to be shrunk when heated, and the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W is heated and shrunk to relax the dicing tape S at the relaxed portion. At this time, in order to heat the dicing tape S on the outer circumferential portion of the semiconductor wafer W, the outer circumferential portion of the dicing tape S is heated by relatively rotating and scanning the heat source and the workpiece arranged on the outer circumferential portion of the work.

또한 이 반도체 웨이퍼(W)의 외주부의 다이싱테이프(S)를 가열하는 방식으로서는 외주부에 온풍을 분사하는 온풍방식, 링 상의 가열판을 외주부에 접촉시키는 가열판 방식, 링 상의 광원에 의해 외주부를 조사하는 광가열 방식 등이 알려져 있었다.As a method for heating the dicing tape S on the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W, there are a hot air blowing method for blowing hot air to the outer circumferential portion, a heating plate system for bringing the ring heating plate into contact with the outer circumferential portion, An optical heating method, and the like have been known.

예를 들면, 특허문헌 1에는 레이저 광 조사에 의해 분할 예정 라인에 따른 변질층이 내부에 형성된 피 가공물을 보유 테이프를 통해서 프레임에 보유한 상태로, 상기 피 가공물의 상기 분할 예정 라인에 따라 외력을 가함으로써 상기 피 가공물을 칩상으로 분할하는 브레킹 수단과, 상기 브레킹 수단에 의해 분할된 상기 피 가공물을 보유하는 상기 보유 테이프를 신장시킴으로써 해당 피 가공물의 칩 간격을 확장하는 칩 간격 확장 수단을 갖춘 가공 장치가 기재되어 있다.For example, in Patent Document 1, an external force is applied along the line to be divided of the workpiece in a state in which a workpiece on which a damaged layer along the line to be divided is formed by laser light irradiation is held in a frame through a holding tape And a chip interval expanding means for expanding the chip interval of the workpiece by stretching the holding tape holding the workpiece divided by the breaking means, Device is described.

이 특허문헌 1에 기재한 가공 장치에 있어서는 보유 테이프를 신장시켜서 피 가공물의 칩 간격을 확장한 후, 가열부에 의해 가열해서 보유 테이프를 수축시킴으로써 신장에 의해 생긴 보유 테이프의 이완을 제거하도록 하고 있지만, 가열부의 가열원으로서 열풍을 분사하는 열풍원이나 히터 가열판 등이 이용되고 있다.In the processing apparatus described in Patent Document 1, the holding tape is elongated to expand the chip interval of the workpiece, and then heated by the heating section to shrink the holding tape to thereby relieve the looseness of the holding tape caused by elongation A hot air source for emitting hot air as a heating source of the heating unit, a heater heating plate, or the like is used.

특허문헌1 : 특허공개 2007-158152호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-158152

그렇지만, 상기 종래와 같이 반도체 웨이퍼의 외주부가 이완된 다이싱테이프를 가열하는 것에 즈음하고, 열원을 일정 온도로 다이싱테이프에 대하여 상대적으로 주사하거나, 대칭영역의 전역을 일괄해서 가열하는 방식에서는 이하와 같은 문제가 있다. 즉, 워크에 붙여져 있는 다이싱테이프는 롤 상으로 형성되어 있기 때문에, 가열시의 수축성이 정사각형 적이 아니고, 가열에 의해 수축하기 쉬운 방향과 그렇지 않은 방향을 소유하는 수축 이방성이 있다. 따라서, 예를 들면 열원을 워크에 대하여 상대적으로 회전해서 주사해서 연속적으로 가열해 가면, 제일 처음에 가열하는 부분은 수축이 크고, 점차로 수축량이 작아져, 수축하는 순서에 의해 다이싱테이프에 비틀어짐이 발생하고, 칩의 배열에 차이가 생겨버린다 라고 하는 문제가 있다. 또, 다이싱테이프의 전 영역을 일괄로 가열하고 있으면, 다이싱테이프의 수축의 이방성에 의해 방향에 의해 수축이 다르기 때문에 개편화(個片化)된 각 칩간의 틈이 종횡에서 달라버린다 라고 하는 문제가 있다. 이렇게 종래의 가열 방법에서는, 개편화(個片化)된 각 칩간의 틈이 종횡에서 다르거나, 칩의 배열이 벗어나버리는 소위 미스 얼라인먼트 등의 문제가 있었다.However, in the conventional method of heating the dicing tape in which the outer peripheral portion of the semiconductor wafer is relaxed as described above and the heat source is scanned relative to the dicing tape at a predetermined temperature or the entire area of the symmetrical region is heated collectively, There is a problem such as. That is, since the dicing tape adhered to the work is formed in a roll shape, the shrinkability at the time of heating is not square, and there is a shrinking anisotropy possessing a direction which is easy to shrink by heating and a direction which is not. Therefore, for example, if a heat source is rotated while being relatively rotated with respect to a workpiece and continuously heated, the first portion to be heated is shrunk to a large extent, the amount of shrinkage gradually decreases, And there arises a problem that a difference occurs in the arrangement of the chips. When the entire area of the dicing tape is heated in a batch, the shrinkage differs depending on the direction due to the anisotropy of the shrinkage of the dicing tape. Therefore, there is a problem. In the conventional heating method, there is a problem such as a so-called misalignment in which gaps between individual chips are different in the vertical and horizontal directions, and the arrangement of the chips is deviated.

본 발명은 이러한 문제에 감안하여 이루어진 것이며, 가열에 의한 다이싱테이프의 수축의 이방성을 경감하는 동시에 가열원의 주사에 따르는 칩의 배열 차이를 억제할 수 있는 워크 분할장치 및 워크 분할방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems and provides a work dividing device and a work dividing method capable of reducing the anisotropy of shrinkage of a dicing tape by heating and suppressing a difference in arrangement of chips following a scanning of a heating source .

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명의 워크 분할장치는 다이싱테이프에 부착되고, 링 상의 프레임에 장착되어 미리 형성된 분단 예정 라인에 따라 각각의 칩으로 다이싱 가공된 반도체 웨이퍼로 이루어지는 워크를 고정하는 프레임 고정 수단과, 상기 워크의 다이싱테이프를 익스팬드 하는 익스팬드 수단과, 상기 다이싱테이프의 익스팬드 상태를 해제한 후, 상기 다이싱테이프에 발생하는 이완 부분을 가열하기 위해서 상기 분할 대상인 반도체 웨이퍼 외주의 다이싱테이프에 열을 공급하도록 배치되어 각각 가열 상태를 주(周) 방향으로 독립해서 제어하는 것이 가능한 광가열 장치를 갖춘 것을 특징으로 한다.In order to attain the above object, a work dividing apparatus of the present invention is a work dividing apparatus which is attached to a dicing tape and which is mounted on a ring-shaped frame and which is made of a semiconductor wafer diced with respective chips along a line to be divided, The semiconductor device according to any one of claims 1 to 3, wherein the dicing tape includes a plurality of dicing tapes, And a light heating device disposed so as to supply heat to the outer peripheral dicing tape and capable of independently controlling the heating state in the circumferential direction.

그에 따라 가열에 의한 다이싱테이프의 수축의 이방성을 경감하는 동시에, 가열원의 주사에 따르는 칩의 배열 차이를 억제하는 것이 가능해진다.Accordingly, it is possible to reduce the anisotropy of shrinkage of the dicing tape by heating, and to suppress the difference in arrangement of the chips due to the scanning of the heating source.

또한, 하나의 실시 태양으로서 상기 광가열 장치는 외주부에 따라 등 간격 동시에 대칭으로 배치되어 적어도 4개 이상 있는 것이 바람직하다.In one embodiment, it is preferable that the optical heating apparatus is disposed symmetrically at equal intervals and at the same time according to the outer peripheral portion, so that there are at least four optical heating devices.

또, 하나의 실시 태양으로서 상기 광가열 장치의 개수는 4의 배수인 것이 바람직하다.In one embodiment, the number of the light heating devices is preferably a multiple of four.

그에 따라 광가열 장치를 다이싱테이프의 주위에 용이하게 등 간격으로 대칭적으로 배치할 수 있고, 가열에 의한 다이싱테이프의 수축의 이방성을 경감할 수 있다.Accordingly, the light heating device can be easily and symmetrically arranged around the dicing tape at equal intervals, and the anisotropy of shrinkage of the dicing tape by heating can be reduced.

또한, 하나의 실시 태양으로서 본 발명의 워크 분할 장치는 게다가, 상기 광가열 장치를 상기 다이싱테이프에 대하여 승강시키는 동시에 상기 다이싱테이프의 외주에 따라 회전시키는 승강 회전 기구를 갖춘 것이 바람직하다.Further, in one embodiment, the work dividing device of the present invention preferably further includes a lifting / lowering mechanism for lifting and lowering the light heating device with respect to the dicing tape and rotating along the periphery of the dicing tape.

그에 따라 가열하지 않을 때에는 광가열 장치를 대기 위치에 대기시켜 두는 동시에 가열시에는 회전 주사하는 것으로 다이싱테이프를 균등하게 가열할 수 있다.Accordingly, the dicing tape can be uniformly heated by keeping the optical heating device in a standby position when not heating, and by performing rotational scanning at the time of heating.

또, 하나의 실시 태양으로서 상기 승강 회전기구는 상기 광가열 장치가 있는 위치에서 상기 다이싱테이프의 외주부를 가열한 후, 이웃이 되는 광가열 장치와의 중간의 위치까지 상기 광가열 장치를 회전시키는 것이 바람직하다.In one embodiment, the elevating androtating mechanism heats the outer circumferential portion of the dicing tape at a position where the optical heating apparatus is located, and thereafter rotates the optical heating apparatus to a position intermediate to the adjacent optical heating apparatus .

그에 따라 다이싱테이프를 균등하게 가열하는 것이 가능해진다.Whereby the dicing tape can be uniformly heated.

또한, 하나의 실시 태양으로서 상기 광가열 장치는 상기 회전 중은 전원을 오프하거나 가열에 기여하지 않는 전압을 인가하는 것이 바람직하다.In one embodiment, it is preferable that the optical heating apparatus applies a voltage that does not contribute to heating or turns off the power during the rotation.

그에 따라 가열할 필요가 없는 부분에까지 연속해서 가열을 계속해버리는 것을 막고, 다이싱테이프를 연속해서 가열함으로써 발생하는 칩 차이를 경감할 수 있다.Accordingly, it is possible to prevent the continuous heating up to the portion that does not need to be heated, and to reduce the chip difference caused by continuous heating of the dicing tape.

또, 하나의 실시 태양으로서 상기 광가열 장치는 상기 다이싱테이프의 수축 이방성에 대응해서 인가(印加) 전압이 제어되는 것이 바람직하다.In one embodiment, the light heating device preferably controls the application voltage in accordance with the shrinkage anisotropy of the dicing tape.

그에 따라 다이싱테이프의 수축 이방성에 대응한 가열을 할 수 있다.Accordingly, heating corresponding to the shrinkage anisotropy of the dicing tape can be performed.

또한, 하나의 실시 태양으로서 상기 광가열 장치는 상기 다이싱테이프가 수축하기 쉬운 부분보다도 수축하기 어려운 부분에 대하여 상기 광가열 장치에 대한 인가(印加) 전압을 높게 설정되는 것이 바람직하다.그에 따라 수축하기 어려운 부분도 수축하기 쉬운 부분과 같이 수축시킬 수 In one embodiment of the present invention, it is preferable that the application voltage of the light heating device is set to a high value with respect to a portion where the dicing tape is less likely to shrink than the portion where the dicing tape is likely to shrink. The portion which is difficult to be shrunk

있고, 가열에 의한 다이싱테이프의 수축의 이방성을 경감하는 동시에 가열원의 주사에 따르는 칩의 배열 차이를 억제하는 것이 가능해진다.And it is possible to reduce the anisotropy of shrinkage of the dicing tape by heating and to suppress the difference in the arrangement of chips following the scanning of the heating source.

또, 마찬가지로 상기 목적을 달성하기 위해 본 발명의 워크 분할 방법은 반도체 웨이퍼를 다이싱테이프에 부착하고, 링 상의 프레임에 장착하여 상기 반도체 웨이퍼를 미리 분단 예정 라인에 따라 각각의 칩으로 다이싱 가공한 워크를 고정하는 프레임 고정 공정과, 상기 워크의 다이싱테이프를 익스팬드하는 익스팬드 공정과, 상기 다이싱테이프의 익스팬드 상태를 해제한 후, 상기 다이싱테이프에 발생하는 이완 부분을 상기 다이싱테이프의 외주부에 따라 등 간격으로 또한 대칭적으로 배치되어 각각 가열 상태가 독립으로 제어 가능한 적어도 4개 이상의 광가열 장치로 가열하는 가열 공정을 갖추고, 상기 가열 공정에 있어서는 소정위치에서 상기 광가열 장치에 의해 상기 다이싱테이프의 이완 부분을 가열한 후, 상기 광가열 장치의 전원을 오프하거나 가열에 기여하지 않는 전압을 인가하고, 상기 다이싱테이프의 외주에 따라 이웃이 된 상기 광가열 장치와의 중간의 위치까지 각각의 상기 광가열 장치를 회전하고, 그 위치에서 다시 상기 다이싱테이프의 이완 부분을 가열하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the work dividing method of the present invention is characterized in that a semiconductor wafer is attached to a dicing tape, mounted on a ring-shaped frame, and the semiconductor wafer is diced into respective chips along a line to be divided in advance A dicing tape exposing step of exposing the dicing tape to a dicing tape; a frame fixing step of fixing the workpiece; an expanding step of expanding the dicing tape of the work; And a heating step of heating at least four or more optical heating devices symmetrically arranged at even intervals along the outer circumferential portion of the tape and capable of independently controlling the heating states, After heating the relaxed portion of the dicing tape, the power of the light heating device is turned off And a voltage not contributing to heating is applied to each of the optical heating devices, and each of the optical heating devices is rotated to a position intermediate to the adjacent optical heating device along the periphery of the dicing tape, And the heating portion is heated.

그에 따라 가열에 의한 다이싱테이프의 수축의 이방성을 경감하는 동시에 가열원의 주사에 따르는 칩의 배열 차이를 억제하는 것이 가능해진다.Accordingly, it is possible to reduce the anisotropy of shrinkage of the dicing tape by heating, and at the same time to suppress the difference in the arrangement of chips following the scanning of the heating source.

또, 하나의 실시 태양으로서, 상기 광가열 장치는 상기 다이싱테이프의 이완 부분을 가열할 때, 상기 다이싱테이프의 수축 이방성에 대응해서 인가(印加) 전압이 제어되는 것이 바람직하다.In one embodiment, when heating the relaxed portion of the dicing tape, it is preferable that the application voltage is controlled in accordance with the shrinkage anisotropy of the dicing tape.

그에 따라 다이싱테이프의 수축 이방성에 대응한 가열을 할 수 있고, 가열에 의한 다이싱테이프의 수축의 이방성을 경감하는 동시에 가열원의 주사에 따르는 칩의 배열 차이를 억제하는 것이 가능해진다.Accordingly, it is possible to perform heating corresponding to the shrinkage anisotropy of the dicing tape, to reduce the anisotropy of the shrinkage of the dicing tape by heating, and to suppress the difference in arrangement of chips following the scanning of the heating source.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 가열에 의한 다이싱테이프의 수축의 이방성을 경감하는 동시에 가열원의 주사에 따르는 칩의 배열 차이를 억제하는 것이 가능해진다. As described above, according to the present invention, it is possible to reduce the anisotropy of shrinkage of the dicing tape by heating, and at the same time to suppress the difference in arrangement of chips following the scanning of the heating source.

도 1은 본 발명에 관한 워크 분할 장치의 제1의 실시 형태를 나타낸 요부 단면도,
도 2는 본 실시 형태의 광가열 장치와 워크의 위치 관계를 나타낸 평면도,
도 3은 도 2의 광가열 장치의 가열 회전 주사의 모양을 나타낸 평면도,
도 4는 본 실시 형태에 있어서 광가열 장치를 8개로 했을 경우를 나타낸 평면도,
도 5는 도 4의 광가열 장치의 가열 회전 주사의 모양을 나타낸 평면도,
도 6은 본 실시 형태에 대한 비교예로서 종래의 예를 나타낸 평면도,
도 7은 본 발명의 제2실시 형태의 워크 분할장치의 요부를 나타낸 단면도,
도 8은 제2의 실시 형태의 워크 분할장치의 작용을 나타낸 플로우 챠트(flow chart),
도 9는 같은 제2의 실시 형태의 워크 분할장치에 있어서 이완한 다이싱테이프를 가열해서 수축하는 처리를 나타낸 플로우 챠트(flow chart),
도 10은 제2의 실시 형태의 워크 분할장치가 익스팬드를 하고 있는 상태를 나타낸 단면도,
도 11은 웨이퍼 커버를 하강시킨 상태를 나타낸 단면도,
도 12는 웨이퍼 커버와 쳐 올리기용 링으로 다이싱테이프를 파지한 채로 강하한 상태를 나타낸 단면도,
도 13은 다이싱테이프가 이완한 부분을 광가열 장치로 가열하고 있는 상태를 나타낸 단면도,
도 14는 다이싱테이프를 가열 경화한 후의 상태를 나타낸 단면도,
도 15는 광가열 장치로 가열한 다이싱테이프의 측정 위치를 나타낸 설명도,
도 16은 도 15의 각 측정 위치에 있어서의 측정 방향을 나타낸 설명도,
도 17은 측정 결과를 나타낸 설명도,
도 18은 비교예의 측정 결과를 나타낸 설명도,
도 19는 워크를 나타낸 사시도 이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a sectional view showing a principal part of a first embodiment of a work dividing device according to the present invention,
Fig. 2 is a plan view showing the positional relationship between the light heating device and the work in this embodiment,
Fig. 3 is a plan view showing the shape of the heating and rotating scan of the optical heating device of Fig. 2,
Fig. 4 is a plan view showing the case where eight light heating devices are used in this embodiment,
Fig. 5 is a plan view showing the shape of the heating and rotating scan of the optical heating apparatus of Fig. 4,
6 is a plan view showing a conventional example as a comparative example of the present embodiment,
7 is a sectional view showing a main part of a work dividing device according to a second embodiment of the present invention,
8 is a flow chart showing the operation of the work dividing device of the second embodiment,
9 is a flow chart showing a process of heating and contracting a dicing tape that is relaxed in the work dividing device according to the second embodiment,
10 is a sectional view showing a state in which the work dividing device of the second embodiment is expanding,
11 is a sectional view showing a state in which the wafer cover is lowered,
12 is a cross-sectional view showing a state in which the wafer cover and the pull-up ring are held while holding the dicing tape,
13 is a cross-sectional view showing a state in which a part where the dicing tape is relaxed is heated by a light heating device,
14 is a sectional view showing a state after the dicing tape is thermally cured,
15 is an explanatory view showing a measurement position of a dicing tape heated by a light heating device,
Fig. 16 is an explanatory view showing a measurement direction at each measurement position in Fig. 15,
17 is an explanatory diagram showing the measurement result,
18 is an explanatory diagram showing the measurement result of the comparative example,
19 is a perspective view showing a work.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 관한 워크 분할장치 및 워크 분할방법에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, a work dividing device and a work dividing method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 관한 워크 분할장치의 제1의 실시 형태를 나타낸 요부 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a sectional view showing a principal part of a first embodiment of a work dividing device according to the present invention. Fig.

도 1에 나타낸 바와 같이 워크 분할장치(1)는 쳐 올리기용 링(12), 링 승강 기구(16), 프레임 고정 기구(18), 광가열 장치(22) 및 승강 회전 기구(23)을 갖추고 있다.1, the work dividing device 1 is provided with a ring 12 for lifting, a ring lifting mechanism 16, a frame fixing mechanism 18, a light heating device 22 and a lifting and rotating mechanism 23 have.

프레임 고정 기구(18)는 워크(2)의 프레임(F)를 보유 고정하는 것이며, 이것에 의해 도 19에 나타낸 바와 같은 반도체 웨이퍼(W)가 다이싱테이프(S)를 통해서 프레임(F)에 장착된 워크(2)가 워크 분할 장치(1)에 설치된다. 반도체 웨이퍼(W)에는 도 19에 나타낸 바와 같이 미리 레이저 조사 등에 의해 그 내부에 분단 예정 라인이 격자상으로 형성되어 있다. 반도체 웨이퍼(W)는 후술하는 바와 같이 워크 분할 장치(1)에 의해 분단 예정 라인에 따라 분할되어 각 칩(T)에 개편화(個片化) 된다.The frame fixing mechanism 18 holds and fixes the frame F of the workpiece 2 so that the semiconductor wafer W as shown in Fig. 19 is fixed to the frame F through the dicing tape S The mounted workpiece 2 is mounted on the workpiece dividing device 1. [ As shown in Fig. 19, a line to be divided is formed in a lattice form inside the semiconductor wafer W by laser irradiation or the like in advance. The semiconductor wafer W is divided by the work dividing device 1 in accordance with the line to be divided in a manner to be described later and individualized on each chip T. [

또한, 여기서 예를 들면, 반도체 웨이퍼(W)는 두께 50μm 정도, 다이싱테이프(S)는 열수축성의 재료로 형성되어 두께 수μm으로부터 100μm 정도인 것으로 한다.Here, for example, it is assumed that the semiconductor wafer W has a thickness of about 50 占 퐉 and the dicing tape S is made of a heat shrinkable material and has a thickness of several 占 퐉 to 100 占 퐉.

쳐 올리기용 링(12)은 프레임 고정 기구(18)에 의해 보유된 워크(2)의 아래쪽에서 반도체 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸게 배치된 링 상의 부품이다. 쳐 올리기용 링(12)은 링 승강 기구(16)에 의해 승강 가능하게 구성되어 있다. 또, 이 링에는 마찰력 저감을 위한 고로(롤러(la))를 설치해도 좋다. 도 1에서 쳐 올리기용 링(12)은 하강 위치(대기 위치)에 위치하고 있다.The pull-up ring 12 is a ring-shaped part that is disposed so as to surround the periphery of the semiconductor wafer W below the workpiece 2 held by the frame fixing mechanism 18. [ The ring 12 is lifted and lowered by a ring lifting mechanism 16. Further, a blast furnace (roller la) for reducing frictional force may be provided in this ring. In Fig. 1, the pull-up ring 12 is located at a lowered position (standby position).

자세한 내용은 후술하지만, 쳐 올리기용 링(12)은 상승함으로써 아래에서 다이싱테이프(S)를 밀어 올려 다이싱테이프(S)를 익스팬드하는 것이다. 이렇게 다이싱테이프(S)를 잡아 늘림으로써 분단 예정 라인이 분단되어 반도체 웨이퍼(W)가 각각의 칩(T)으로 분할된다.As will be described later in detail, the lifting ring 12 is lifted to push up the dicing tape S below to expose the dicing tape S. By thus stretching the dicing tape S, the line to be divided is divided and the semiconductor wafer W is divided into chips T. [

광가열 장치(22)는 쳐 올리기용 링(12)을 상승시켜서 다이싱테이프(S)를 익스팬드 해서 반도체 웨이퍼(W)를 분할한 후, 쳐 올리기용 링(12)을 하강시켰을 때 생기는 반도체 웨이퍼(W)의 주위의 다이싱테이프(S)의 이완을 가열함으로써 해소하는 것이다. 광가열 장치(22)는 예를 들면, 스팟 타입의 할로겐 램프 히터이다. 또, 광가열 장치(22)는 광을 조사해서 복사에 의해 가열하는 것이라면, 그 외에도 레이저나 플래시 램프(flash lamp) 등이어도 된다.The optical heating device 22 is configured to raise the lifting ring 12 to expand the dicing tape S to divide the semiconductor wafer W and then to move the lifting ring 12 downward And relieving the dicing tape S around the wafer W by heating. The light heating device 22 is, for example, a spot-type halogen lamp heater. Further, the light heating device 22 may be a laser, a flash lamp, or the like, as long as it can radiate light and heat it by radiation.

이러한 광가열형 장치의 경우, 광의 조사 상태를 육안에서 확인할 수 있다. 또, 광이 조사된 영역은 복사 현상에 의해 가열되는 것에 대해서, 광이 조사되지 않은 영역은 가열되지 않는다. 즉, 광을 조사할 때 그 조사 영역을 시각으로 인지할 수 있으므로 그 조사를 시각으로 인지할 수 있는 영역을 복사에 의해 가열하는 영역으로서 국소적으로 한정하는 것이 가능해진다.In the case of such a photo-heating type apparatus, the irradiation state of light can be visually confirmed. In addition, the area irradiated with light is heated by radiation, whereas the area not irradiated with light is not heated. That is, when irradiating light, the irradiated area can be perceived visually, so that it is possible to locally limit the area where the irradiation can be perceived as the area heated by radiation.

본 실시 형태에 있어서는 광가열 장치(22)로서 스팟 타입의 할로겐 램프 히터를 이용하고 있다. 구체적으로는 인후릿지공업(주)의 할로겐 스팟 히터(LCB-50; 램프 정격 12V/100W)를 이용했다. 촛점거리는 35mm, 집광 직경은 2mm 이다. 그러나, 본 실시 형태에서는 후술하는 도 11에 나타낸 바와 같이 정확히 집광하는 부분을 이용해서 가열하는 것이 아니고, 광원으로부터 대상물까지의 거리(조사 거리)를 46mm로 하여, 촛점거리 35mm에 대하여 11mm 오프셋 하고, 조사 직경을 17.5mm 로 하고 있다. 실제의 조사 직경은 15mm 이며, 다이싱테이프(S)의 워크(W) 외측의 직경 15mm의 지역을 가열하도록 하고 있다.In this embodiment, a spot type halogen lamp heater is used as the light heating device 22. Specifically, a halogen spot heater (LCB-50, lamp rating 12 V / 100 W) manufactured by Influx Corporation was used. The focal length is 35 mm, and the condensing diameter is 2 mm. However, in the present embodiment, as shown in Fig. 11, which will be described later, heating is not performed using a portion to be accurately condensed, and the distance (irradiation distance) from the light source to the object is set to 46 mm, And the irradiation diameter is set to 17.5 mm. The actual irradiation diameter is 15 mm, and the region of the dicing tape S with the diameter of 15 mm outside the work W is heated.

이와 같이 스팟 타입의 할로겐 램프 히터를 이용함으로써 가열하고 싶은 부분만을 선택적으로(국소적으로) 가열할 수 있고, 그 이외의 부분에의 열스트레스를 최소한으로 억제할 수 있다.Thus, by using the spot type halogen lamp heater, only the portion to be heated can be selectively (locally) heated, and the heat stress to other portions can be minimized.

또한, 할로겐 램프용 전원으로서는 (주)뮤테크의 할로겐 램프용 전원 KPS-100E-12를 사용했다. 이 할로겐 램프용 전원의 출력은 정격 전압 12V 이다. 또, soft start(슬로우 스타트)기능을 소유하고 있어 할로겐 램프에 돌입 전류가 흐르는 것을 방지하고 있다.As a halogen lamp power source, KUT-100E-12, a power source for a halogen lamp of MUTEC Co., Ltd. was used. The output of this halogen lamp power supply is rated voltage 12V. It also has a soft start function to prevent the inrush current from flowing into the halogen lamp.

이들 조합에 의해 히터 전원 ON 지령보다 슬로우 스타트 0.75초를 경과해서 히터 최대 조도에 도달할때 까지 걸리는 시간은 3초 이내다. 이것은 온풍 히터나 적외선 히터와 비교하면 대단히 단시간이다. 마찬가지로 최대 조도로부터 전원 OFF까지의 시간도 같다. 또, 소정의 조도로부터 다른 조도에의 변경 응답성도 3초 이내이다. 이렇게 할로겐 램프를 이용함으로써 단시간으로 원하는 조도 즉 온도를 얻을 수 있다. 이것은 일반적인 적외선 히터나 온풍 히터에서의 실현은 곤란하다. 이와 같이 제어성이 좋은 것도 할로겐 랜프 히터를 이용하는 것이 바람직한 하나의 이유이다.By these combinations, it takes less than 3 seconds to reach the heater maximum illuminance after 0.75 seconds of slow start than the heater power ON command. This is a very short time compared to warm air or infrared heaters. Likewise, the time from maximum illumination to power OFF is also the same. Also, the change responsiveness from a predetermined illuminance to another illuminance is also within 3 seconds. By using the halogen lamp in this way, desired illumination or temperature can be obtained in a short time. This is difficult to realize in general infrared heaters and warm air heaters. One of the reasons why it is preferable to use a halogen lamp heater is that the controllability is good.

광가열 장치(22)는 프레임 고정 기구(18)에 의해 보유된 워크(2)의 위쪽에서, 반도체 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸게 배치되어 있다. 단면도인 도 1에는 2개의 광가열 장치(22)가 표시되어 있지만, 본 실시 형태에 있어서는 4개 이상의 광가열 장치(22)를 배치하는 것이 바람직하다. 또, 후술하도록(도 2 참조), 광가열 장치(22)는 다이싱테이프(S)의 외주에 따라 등 간격으로 대칭적으로 배치된다.The optical heating device 22 is arranged so as to surround the periphery of the semiconductor wafer W above the workpiece 2 held by the frame fixing mechanism 18. [ Although two optical heating devices 22 are shown in Fig. 1, which is a sectional view, it is preferable to dispose four or more optical heating devices 22 in this embodiment. 2), the light heating devices 22 are arranged symmetrically with equal intervals according to the outer circumference of the dicing tape S.

광가열 장치(22)는 이완한 다이싱테이프(S)의 부분만을 국소적으로 가열하는 선택적 가열 수단으로서 이용할 수 있었던 것이다. 승강 회전 기구(23)는 광가열 장치(22)를 승강시키는 동시에, 광가열 장치(22)를 워크(2; 다이싱테이프(S))의 주위로 회전시키는 것이다. 그에 따라 광가열 장치(22)는 다이싱테이프(S)의 외주에 따라 주사되어 다이싱테이프(S)에 대하여 균등하게 열을 가할 수 있다. 또한, 광가열 장치(22)에 의해 반도체 웨이퍼(W) 주위의 축 늘어진 다이싱테이프(S)를 가열하는 방법의 상세에 대해서는 후술한다.The light heating device 22 could be used as a selective heating means for locally heating only the portion of the dicing tape S which was relaxed. The elevating androtating mechanism 23 elevates the light heating device 22 and rotates the light heating device 22 around the work 2 (dicing tape S). The light heating device 22 can scan the dicing tape S along the outer periphery thereof and apply heat uniformly to the dicing tape S. [ Details of a method of heating the dicing tape S that has been dangling around the semiconductor wafer W by the light heating device 22 will be described later.

도 2에 본 실시 형태의 광가열 장치(22)와 워크(2; 다이싱테이프(S))와의 위치 관계를 평면도에서 나타냈다. 광가열 장치(22)는 스팟 타입의 할로겐 램프 히터이다.2 shows the positional relationship between the light heating device 22 of this embodiment and the work 2 (dicing tape S) in a plan view. The light heating device 22 is a spot-type halogen lamp heater.

도 2에 나타낸 바와 같이 이 예에서는, 워크(2)의 다이싱테이프(S)의 주위에 등 간격으로 대칭적으로 4개의 광가열 장치(22)가 배치되어 있다. 또한, 도 2에서는 워크(2)의 프레임(F)이나 반도체 웨이퍼(W)는 생략하고, 중앙에 칩(T)을 하나만 표시하고 있다.As shown in Fig. 2, in this example, four light heating devices 22 are arranged symmetrically around the dicing tape S of the work 2 at regular intervals. In Fig. 2, the frame F of the workpiece 2 and the semiconductor wafer W are omitted, and only one chip T is displayed at the center.

도면에 나타낸 바와 같이 칩(T)은 거의 정방형이며, 광가열 장치(22)는 칩(T)의 각 근처에 대향하는 위치에 배치되어 있다. 이 위치에서 각 광가열 장치 (22)의 전원을 온으로 하면, 열 수축성의 재료로 형성된 다이싱테이프(S)는 가열되어 도면에 화살표(A)로 나타낸 바와 같이 수축한다. 그 결과 칩(T)은 X방향 및 Y방향으로 인장 된다.As shown in the drawing, the chip T is almost square, and the light heating device 22 is disposed at a position facing each vicinity of the chip T. When the power source of each light heating device 22 is turned on at this position, the dicing tape S formed of a heat shrinkable material is heated and contracted as indicated by the arrow A in the drawing. As a result, the chip T is stretched in the X and Y directions.

여기서, 예를 들면 다이싱테이프(S)는 도면의 X방향(가로방향)은 수축하기 어렵고, Y방향(세로방향)은 수축하기 쉽다로 한다. 이러한 수축 이방성을 해소하기 위해서 수축하기 어려운 X방향에 배치된 광가열 장치(22)에 대하여는 수축하기 쉬운 Y방향에 배치된 광가열 장치(22)보다도 (할로겐 램프 히터에 대한) 인가(印加) 전압을 높게 설정하도록 한다. 그에 따라 다이싱테이프(S)는 세로방향 및 가로방향으로 균등하게 수축하고, 각 칩(T)은 외주방향으로 균등하게 인장되므로 칩(T)끼리가 달라 붙어버리거나, 배열 차이를 생기게 할 일은 없다.Here, for example, it is assumed that the dicing tape S is hard to shrink in the X direction (horizontal direction) and shrinks easily in the Y direction (vertical direction). To the light heating device 22 arranged in the X direction which is difficult to shrink to shrink the anisotropic shrinkage, the applied voltage (for the halogen lamp heater) is higher than the light heating device 22 arranged in the Y direction, . As a result, the dicing tape S shrinks uniformly in the longitudinal direction and the transverse direction, and each chip T is uniformly stretched in the outer circumferential direction, so that the chips T do not stick to each other or cause an arrangement difference .

또 이때 도면에 화살표(B)로 나타낸 바와 같이 광가열 장치(22)를 승강 회전 기구(23)에 의해 워크(2; 다이싱테이프(S))의 주위로 회전 주사시킨다.At this time, the light heating device 22 is rotated and rotated around the work 2 (dicing tape S) by the elevating androtating mechanism 23 as indicated by the arrow B in the figure.

도 3에 광가열 장치(22)을 회전 주사하는 모양을 나타냈다.Fig. 3 shows a state in which the optical heating device 22 is rotated and scanned.

우선 도 3에 부호 1로 나타낸 위치에서 광가열 장치(22)의 전원을 온으로 해서 가열을 한다. 이때 전술한 바와 같이 다이싱테이프(S)는 X방향(가로방향)으로 수축하기 어렵고, Y방향(세로방향)으로 수축하기 쉽도록 하고 있으므로, 도면의 부호 H의 위치에 있는 광가열 장치(22)는 도면의 부호 L의 위치에 있는 광가열 장치 (22)보다도 인가(印加) 전압을 높게 설정한다.First, the power of the light heating device 22 is turned on at the position indicated by reference numeral 1 in FIG. At this time, as described above, the dicing tape S is difficult to shrink in the X direction (lateral direction) and shrinks in the Y direction (longitudinal direction), so that the light heating device 22 ) Is set higher than that of the light heating device 22 at the position of L in the drawing.

그 다음에, 광가열 장치(22)의 전원을 오프로 하거나, 가열에 기여하지 않는 전압을 인가하고, 정확히 부호 1의 중간의 위치인 부호 2의 위치까지 광가열 장치 (22)를 승강 회전 기구(23)에 의해 45도 회전한다.Then, the power source of the light heating device 22 is turned off, or a voltage not contributing to heating is applied, and the light heating device 22 is lifted up to the position of the reference numeral 2, And rotated by 45 degrees.

그 다음에 부호 2의 위치에서 다시 광가열 장치(22)의 전원을 온으로 해서 다이싱테이프(S)를 가열한다. 이 부호 2의 위치에 있어서는 X방향과 Y방향의 중간의 방향이므로 모든 광가열 장치(22)의 인가(印加) 전압은 동일하게 한다.Then, the power source of the light heating device 22 is turned on again at the position of 2 to heat the dicing tape S. At the position of the reference numeral 2, since the direction is the middle between the X direction and the Y direction, the application voltage of all the light heating devices 22 is made equal.

이렇게 하여 다이싱테이프(S)를 가로방향, 세로방향 및 경사 방향의 모든 방향에 대하여 균등하게 수축시킬 수 있다. 그 결과 각 칩(T)의 간격이 종횡에서 다르거나, 칩의 배열 차이를 일으키는 일 없어 다이싱테이프(S)를 균등하게 수축시키는 것이 가능해진다.Thus, the dicing tape S can be shrunk uniformly in all directions in the transverse direction, the longitudinal direction, and the oblique direction. As a result, the intervals of the chips T are different from each other in the vertical and horizontal directions, and there is no difference in arrangement of the chips, so that the dicing tape S can be shrunk uniformly.

또한, 본 발명에 있어서, 광가열 장치(22)의 개수는 이 예와 같이 4개로 한정되는 것이 아니고, 도 2에 나타낸 바와 같이 4개의 광가열 장치(22)의 사이에 각각 1개씩 광가열 장치를 추가해서 8개의 광가열 장치를 갖추어도 좋다.In the present invention, the number of the light heating devices 22 is not limited to four as shown in this example, but may be, for example, four light heaters 22, It is also possible to provide eight light heating devices.

도 4에 8개의 광가열 장치를 구비한 예를 나타냈다.Fig. 4 shows an example in which eight optical heating devices are provided.

도 4에 나타낸 바와 같이 도 2의 4개의 광가열 장치(22)에 대하여 각 광가열 장치(22)의 사이에 각각 하나씩 광가열 장치(22)가 배치되어 전체로 8개의 광가열 장치(22)가 워크(2)의 주위에 등 간격으로 배치되어 있다.As shown in Fig. 4, the optical heating apparatus 22 is disposed for each of the four optical heating apparatuses 22 in Fig. 2 between the respective optical heating apparatuses 22, so that eight optical heating apparatuses 22 as a whole are provided, Are arranged around the work 2 at equal intervals.

이 경우도 8개의 광가열 장치(22)는 승강 회전 기구(23)에 의해 워크(2; 다이싱테이프(S))에 대하여 승강 가능함과 동시에 그 주위로 회전 주사시킬 수 있다.In this case as well, the eight light heating devices 22 can be raised and lowered with respect to the work 2 (dicing tape S) by the elevating androtating mechanism 23,

도 5에 8개의 광가열 장치(22)를 회전 주사하는 모양을 나타냈다.FIG. 5 shows a state in which eight optical heating devices 22 are rotated and scanned.

예를 들면, 8개의 광가열 장치(22)는 처음 도 8의 숫자 1의 위치에 있어서 워크(2) 주위의 다이싱테이프(S)를 가열한다라고 한다. 그 다음에, 도면에 화살표 B로 나타낸 바와 같이 광가열 장치(22)을 승강 회전 기구(23)에 의해 숫자 2의 위치까지 22.5도(= 360도÷ 8 ÷ 2)만 회전한다. 이때 회전 중은 광가열 장치(22)는 전원 오프하거나, 가열에 기여하지 않는 전압을 인가한다. 그리고 다음에 도면의 숫자 2의 위치에 있어서 워크(2) 주위의 다이싱테이프(S)를 가열한다.For example, it is assumed that the eight light heating devices 22 first heat the dicing tape S around the work 2 at the position of the numeral 1 in Fig. Then, the light heating device 22 is rotated by 22.5 degrees (= 360 degrees / 8/2) to the position of the numeral 2 by the lifting / lowering mechanism 23 as indicated by the arrow B in the figure. At this time, during the rotation, the light heating device 22 turns off the power or applies a voltage not contributing to the heating. Then, the dicing tape S around the work 2 is heated at the position of the numeral 2 in the drawing.

또한, 이때 이전과 동일하게 칩(T)에 대하여 나타낸 X방향(가로방향)은 Y방향(세로방향)보다도 다이싱테이프(S)가 수축하기 어렵다라고 하고 있으므로, 도면에 점선으로 나타낸 범위(H)에 있는 광가열 장치(22)는 도면에 점선으로 나타낸 범위(L)에 있는 광가열 장치(22)보다도 인가(印加) 전압을 높게 하도록 한다.Since the dicing tape S is more likely to shrink than the Y direction (longitudinal direction) in the X direction (horizontal direction) shown with respect to the chip T as in the previous case, The light heating device 22 in the light heating device 22 has a higher applied voltage than the light heating device 22 in the range L shown by the dotted line in the drawing.

또한, 광가열 장치(22)의 개수는 4개와 8개로 한정되는 것이 아니고, 적어도 4개 이상으로 다이싱테이프(S)의 외주를 따라 등 간격에 대칭적으로 배치할 수 있으면 좋다. 또 예를 들면 6개의 광가열 장치는 다이싱테이프(S)의 외주를 따라 등간격으로 대칭적으로 배치할 수 있으므로 6개라도 좋다.The number of the light heating devices 22 is not limited to four and eight, and may be at least four or more and may be symmetrically arranged at even intervals along the outer circumference of the dicing tape S. For example, six optical heating devices may be arranged symmetrically with equal intervals along the outer periphery of the dicing tape S, so six optical heating devices may be used.

또, 도 2의 4개의 광가열 장치(22)의 사이에 각각 2개의 광가열 장치를 추가해서 12개라도 좋고, 도 2의 4개의 광가열 장치(22)의 사이에 각각 3개의 광가열 장치를 추가해서 16개라도 좋다. 이렇게 광가열 장치(22)의 개수는 4의 배수개로 하는 것이 바람직하다.In addition, two optical heating devices may be added to each of the four optical heating devices 22 in Fig. 2, or twelve optical heating devices may be provided between the four optical heating devices 22 in Fig. 16 may be added. The number of the light heating devices 22 is preferably set to a multiple of four.

이와 같이 본 실시 형태에 있어서는 적어도 4개 이상의 광가열 장치를 워크(2)의 주위에 균등하게 배치하고, 다이싱테이프(S)의 수축하기 어려운 방향에 대해서는 고아가열 장치에 대한 인가(印加) 전압을 보다 높게 해서 가열하도록 하고, 가열과 소정 각도의 회전을 되풀이하는 것으로, 다이싱테이프(S)를 가로방향, 세로방향 및 경사 방향의 모든 방향에 대하여 균등하게 수축시킬 수 있다. 그 결과, 각칩(T)의 간격이 종횡에서 다르거나, 칩의 배열 차이를 일으키는 일 없이 다이싱테이프(S)를 균등하게 수축시키는 것이 가능해진다.As described above, in the present embodiment, at least four light heating devices are uniformly arranged around the workpiece 2, and in the direction in which the dicing tape S is hard to shrink, the application voltage The dicing tape S can be shrunk uniformly in all directions in the transverse direction, the longitudinal direction and the oblique direction by repeating heating and rotation at a predetermined angle. As a result, it is possible to evenly shrink the dicing tape S without causing a gap between the chips T in the vertical and horizontal directions or a difference in chip arrangement.

또, 이것에 대하여 비교 예로서 가열 수단이 2개인 종래의 경우에 대해서 설명한다.In addition, a conventional case of two heating means is described as a comparative example.

도 6에 나타낸 바와 같이 가열수단(122)은 다이싱테이프(S)의 주위 대칭적인 위치에 2개 배치되어 있다고 한다. 그리고 도면에 화살표로 나타낸 바와 같이 가열 수단(122)을 다이싱테이프(S)의 외주에 따라 주사하면서 연속적으로 가열해서 다이싱테이프(S)를 수축시키도록 하고 있다.As shown in Fig. 6, it is assumed that two heating means 122 are arranged symmetrically around the dicing tape S. Then, the heating means 122 is continuously heated while being scanned along the outer periphery of the dicing tape S to shrink the dicing tape S as indicated by arrows in the figure.

이때, 가열 수단(122)으로서는 온풍방식, 가열판 방식, 링 상 광가열 방식 등을 이용할 수 있지만, 이 방식에서는 다이싱테이프(S)의 수축하기 쉬운 영역과 수축하기 어려운 영역으로 가열량을 바꿀 수 있지 않고, 다이싱테이프(S)를 균등하게 수축시키는 것은 불가능하다. 그 결과 각 칩(T)의 간격이 종횡에서 다르거나, 칩의 배열 차이를 일으키고 만다.At this time, as the heating means 122, a hot air system, a heating plate system, a ring-shaped light heating system, or the like can be used. In this system, the heating amount can be changed into a shrinkable region and a shrinkable region And it is impossible to shrink the dicing tape S evenly. As a result, the intervals of the chips T are different from each other in the vertical and horizontal directions, and the chips are arranged differently.

또, 만일 가열 수단(122)으로서 본 발명과 같이 광가열 장치를 이용했다고 한들, 2개만으로는 예를 들면 도 6과 같이 2개의 광가열 장치로 가열해서 세로방향에 다이싱테이프(S)를 수축하고 있을 때 가로방향에는 가열하지 않고 있으므로 세로방향에만 수축하고, 칩(T)의 간격이 종횡에서 다르거나, 배열 차이가 생겨버린다. 가령 이 다음 2개의 광가열 장치를 90도 회전해서 가로방향으로부터 가열해도 이미 다이싱테이프(S)는 세로방향으로 상당히 수축해버리고 있으므로, 다이싱 테이프(S)를 균등하게 수축시키는 것은 불가능해서 칩(T)의 배열 차이를 수정할 수는 없다.If the optical heating apparatus is used as the heating means 122 in the present invention, only two optical heating apparatuses are required to be heated by two optical heating apparatuses as shown in Fig. 6 to shrink the dicing tape S in the longitudinal direction The chip T is shrunk only in the vertical direction, and the intervals of the chips T are different from each other in the vertical and horizontal directions, and there arises a difference in arrangement. Even if the next two optical heating devices are rotated 90 degrees and heated from the lateral direction, the dicing tape S has already shrunk considerably in the longitudinal direction. Therefore, it is impossible to shrink the dicing tape S evenly, (T) can not be corrected.

이상 설명한 예에서는 반도체 웨이퍼(W)를 직접 다이싱테이프(S)에 붙인 워크(2)를 다루고 있었지만, 반도체 웨이퍼(W)를 DAF(Die Attach Film; 다이 어태치 필름)이라고 불리는 die bonding 용의 필름상 접착제가 붙은 다이싱 테이프를 통해서 다이싱테이프(S)에 붙이도록 해도 좋다.In the above example, the workpiece 2 having the semiconductor wafer W directly attached to the dicing tape S is handled. However, the semiconductor wafer W may be used as a die bonding film called DAF (Die Attach Film) It may be attached to the dicing tape S through a dicing tape having a film-like adhesive.

또 이 경우에는 다이싱테이프(S)를 익스팬드 해서 반도체 웨이퍼(W)를 칩(T)에 분할해서 개편화(個片化)할 때에, DAF도 같이 분할되게, DAF를 냉각 할 필요가 있다. 이하, 본발명의 제2의 실시 형태로서, DAF를 소유하는 워크2에 대응하는 워크 분할 장치에 대해서 설명한다.In this case, when the dicing tape S is expanded and the semiconductor wafer W is divided into chips T, the DAF needs to be cooled so that the DAF is divided as well . Hereinafter, as a second embodiment of the present invention, a description will be given of a work dividing device corresponding to a work 2 having a DAF.

도 7에 본 발명의 제2실시 형태의 DAF를 소유하는 워크(2)에 대응하는 워크 분할 장치의 요부를 단면도로 나타냈다.Fig. 7 is a cross-sectional view showing the main part of the work dividing device corresponding to the workpiece 2 possessing the DAF according to the second embodiment of the present invention.

도 7에 나타낸 바와 같이 제2의 실시 형태의 워크 분할장치(100)는 DAF(D)를 냉각하기 위한 냉동 척테이블(10)을 갖추고 있다. 냉동 척테이블(10) 상에 도 19에 나타낸 바와 같은 반도체 웨이퍼(W)가 다이싱테이프(S)를 통해서 프레임(F)에 장착된 워크(2)가 설치된다. 여기서 예를 들면, 반도체 웨이퍼(W)는 두께 50μm 정도, DAF(D) 및 다이싱테이프(S)는 각각 두께 수μm으로부터 100μm 정도인 것으로 한다.As shown in Fig. 7, the work dividing device 100 of the second embodiment has a freezing chuck table 10 for cooling the DAF (D). The workpiece 2 mounted on the frame F through the dicing tape S is mounted on the freezing chuck table 10 as shown in Fig. For example, it is assumed that the semiconductor wafer W has a thickness of about 50 mu m, and the DAF (D) and the dicing tape S have a thickness of several mu m to 100 mu m.

냉동 척테이블(10)은 워크(2)를 진공 흡착에 의해 보유하고, 워크(2)를 냉동 척테이블(10)에 접촉시켜 접촉한 부분을 통해서 열전달에 의해 DAF(D)을 0도 이하, 예를 들면 -5℃ ∼ -10℃ 정도로 냉각하는 것이다. 또한, 동일 물질 내에서 열이 전해지는 것을 열전도라고 말하고, 다른 물질끼리가 접촉해서 열이 전해지는 것을 열전달이라고 부른다. 냉동 척테이블(10)로 DAF(D)를 냉각함으로써 DAF(D)이 취성화(脆性化) 되어 분단하기 쉬워진다.The freezing chuck table 10 holds the workpiece 2 by vacuum suction and feeds the workpiece 2 to the freezing chuck table 10 to make the DAF (D) For example, about -5 캜 to -10 캜. Heat conduction in the same material is referred to as thermal conduction, and heat conduction in which other materials are brought into contact with each other is referred to as heat transfer. By cooling the DAF (D) with the freezing chuck table (10), the DAF (D) becomes brittle and easily divided.

또한, 냉동하는 방식으로서는 척 내에 냉매를 공급함으로써 냉동하는 방식 등도 있지만, 펠티어 효과를 이용해서 척 표면을 빙결되게 하는 방식이라도 좋다. 냉동 척테이블은 다이싱테이프와 DAF를 통하여 웨이퍼 이면을 진공 흡착한다. 그 특징으로서, 위에서 말한 것으로부터도 알수 있는 바와 같이 그 흡착 영역은 열전달에 의해 곧 냉각될 뿐, 흡착 영역 이외는 그다지 냉각되지 않고 마치는 것이다. 이것은 단지 대류 등에 의해 분위기를 차게 하는 것과는 다르고, 열전달에 의한 냉각은 국소적으로 냉각하고 싶은 부분만 냉각시킬 수 있기 때문이다.As a method of freezing, there is a method of freezing by supplying a coolant into the chuck, but a method of freezing the surface of the chuck by using the Peltier effect may be used. The freezing chuck table vacuum-absorbs the wafer backside through the dicing tape and DAF. As a feature, as can be seen from the above, the adsorption region is cooled immediately by heat transfer, but not cooled except for the adsorption region. This is different from cooling the atmosphere only by convection or the like, and cooling by heat transfer can only cool the portion that is desired to be locally cooled.

이와 같이 냉동 척테이블에 의해 웨이퍼 분할 영역만을 선택적으로 냉각할 수 있는 것을 알지만, 그 이유를 이하 더욱 자세하게 설명한다.As described above, it is known that only the wafer dividing region can be selectively cooled by the freezing chuck table, and the reason will be described in more detail below.

앞에서 말한 것 같이, DAF 및 점착테이프의 두께는 기껏 100μm 정도이다. 따라서 냉동 척테이블 표면에서의 거리는 DAF 및 점착테이프, 웨이퍼까지의 거리는 기껏 커서 0.2mm 이내다. 그것에 대하여 냉동 척테이블의 외주에서 DAF의 외주까지의 직경의 차이는 12mm 이기 때문에 한 쪽은 6mm 정도이다.As mentioned above, the thicknesses of the DAF and the adhesive tape are at most about 100 mu m. Therefore, the distance from the surface of the freezing chuck table to the DAF, the adhesive tape, and the wafer is at most 0.2 mm. On the other hand, the difference in diameter from the outer periphery of the freezing chuck table to the outer periphery of the DAF is 12 mm, so that one side is about 6 mm.

여기서 열이 전해지는 현상에 대해서 보면, 열량은 온도구배와 단면적에 비례해서 전도, 전달된다.As for the phenomenon where heat is transmitted, the amount of heat is conducted and transferred in proportion to the temperature gradient and the cross-sectional area.

두께(Δx), 면적(S)으로 둘러싸진 어떤 미소구간(SΔx) 내의 단면을 통과하는 열의 총량(ΔQ)은 열전도율(λ), 접촉 면적(S), 온도(u), 온도구배(Δu/Δx), 미소시간(Δt)으로서, 다음식으로 나타낼 수 있다.The total amount Q of heat passing through a section in a certain section S DELTA x surrounded by a thickness DELTA x and an area S is expressed by a thermal conductivity lambda, a contact area S, a temperature u and a temperature gradient DELTA u / DELTA x), and the minute time DELTA t.

ΔQ=λS(Δu/Δx)Δt ㆍㆍㆍㆍㆍㆍ(1)? Q =? S (? U /? X)? T (1)

또한, 이종 재료간을 옮겨 가는 열전달에 있어서는 동종 재료 내를 옮겨 가는 열전도와 기본적으로는 같아서, 열전도율의 변함에 열전달 계수가 적용되는 것 뿐이다.Also, in the case of heat transfer between different kinds of materials, the heat transfer coefficient is basically the same as the heat transfer in the same material, so that the heat transfer coefficient is applied to the change of the thermal conductivity.

따라서 냉동 척테이블을 예를 들면, -5℃로 냉각한 것으로 한다. 그러면, 웨이퍼 영역 내는 DAF 및 점착테이프의 두께(Δx)는 기껏 0.2mm 인 것에 대해서, 열이 전해지는 단면적(S)은 웨이퍼 영역 전역에 상당한다. 그 때문에 열전달에 의해 이동하는 열량은 대단히 크고, DAF나 점착테이프의 열전달 계수나 열전도율이 다소 낮아도 열전달에 의해 곧 바로 웨이퍼 영역 내의 DAF는 냉각된다.Therefore, it is assumed that the freezing chuck table is cooled to -5 deg. C, for example. Then, the thickness (? X) of the DAF and the adhesive tape in the wafer area is 0.2 mm at most, while the cross-sectional area S to which heat is transmitted corresponds to the entire wafer area. Therefore, the amount of heat transferred by heat transfer is extremely large, and even if the heat transfer coefficient or the thermal conductivity of the DAF or the adhesive tape is somewhat low, the DAF in the wafer area is immediately cooled by heat transfer.

한편, DAF의 외경 부분은 앞의 사례에서는 냉동 척의 외경보다 6mm 떨어져 있다. 즉, 열이 전도하는 거리에 상당하는 Δx는 6mm 로 된다. 또, DAF를 붙이고 있는 다이싱테이프는 폴리에틸렌 등의 수지로 형성되어 있기 때문에 열전도율(λ)도 낮다. 게다가 그 폴리에틸렌의 두께가 100μm 로 대단히 얇기 때문에 즉, 열이 전해지는 단면적(S)도 대단히 작아진다. 그 결과 웨이퍼에의 열전달성과 비교하여 다이싱테이프나 DAF를 전해지는 열전도성은 지극히 낮아진다.On the other hand, the outer diameter portion of the DAF is 6 mm away from the outer diameter of the freezing chuck in the above example. That is,? X corresponding to the distance through which heat is conducted becomes 6 mm. Since the dicing tape having the DAF is formed of a resin such as polyethylene, the thermal conductivity (?) Is also low. In addition, since the thickness of the polyethylene is as small as 100 mu m, that is, the cross-sectional area S in which the heat is transmitted becomes extremely small. As a result, compared with the heat transfer to the wafer, the thermal conductivity of the dicing tape or DAF is extremely low.

그 때문에 냉동 척이 접촉하지 않는 부분, 실질적으로 다이싱테이프의 두께이상 거리가 떨어져 있는 DAF 외주 부분은 냉동 척으로부터의 열전달에 의해 냉각되는 영향을 받을 일은 없다. 또, 냉동 척으로부터 떨어진 다이싱테이프의 부분은, 대부분의 면적이 주변의 분위기에 노출되어 있기 때문에 냉동 척의 온도가 아니고, 냉동 척 이외의 주위의 분위기의 온도에 지배되게 된다. 그 때문에 예를 들면, 주위의 분위기를 실온으로 보유하고 있을 경우는 냉동 척이 접촉하고 있는 영역 이외는 대부분 주위 분위기의 온도로 된다. 즉, 냉동 척의 냉동 영역에서 실질상의 온도의 경계영역을 형성하는 것이 가능해진다.Therefore, the outer circumferential portion of the DAF, which is substantially not in contact with the freezing chuck, and is substantially equal to or larger than the thickness of the dicing tape, is not affected by the heat transfer from the freezing chuck. The portion of the dicing tape away from the freezing chuck is not controlled by the temperature of the freezing chuck but is controlled by the temperature of the surrounding atmosphere other than the freezing chuck because most of the area is exposed to the surrounding atmosphere. For this reason, for example, when the ambient atmosphere is held at room temperature, the temperature of the ambient atmosphere is mostly outside the region where the freezing chuck is in contact. That is, it becomes possible to form the boundary region of the substantial temperature in the freezing region of the freezing chuck.

이상과 같은 경계영역을 형성하는 것은, DAF테이프의 두께나 다이싱테이프의 두께를 웨이퍼 영역(엄밀하게는 웨이퍼와 DAF의 쌍방을 분할하는 영역)보다도 외주부로 밀려 나온 DAF까지의 거리보다도 작게(얇게) 하고 있기 때문이다.The formation of the boundary region as described above is effective to reduce the thickness of the DAF tape and the thickness of the dicing tape to a value smaller than the distance to the DAF that is pushed out to the outer peripheral portion of the wafer region (strictly speaking, the region dividing both the wafer and the DAF) ).

그에 따라 열전달에 의한 냉각 지역을 한정하고, 효율 좋게 소정영역(분할하고 싶은 영역)만을 냉각하는 것이 가능해진다.Accordingly, it is possible to limit the cooling area by heat transfer and to cool only the predetermined area (the area to be divided) efficiently.

그러한 것으로부터, 종래, DAF 테이프는 신축성의 재료이기 때문에 웨이퍼 이면에 확실하게 붙이기 위해서는 붙이기 정밀도 상의 마진으로부터 DAF 외경은 웨이퍼 직경 보다도 10mm 정도, 적어도 DAF 외경은 웨이퍼 직경 보다도 2mm 이상(한 쪽1mm이상) 크지 않으면 안되었다.Accordingly, in order to securely attach the DAF tape to the back surface of the wafer, the DAF outer diameter is set to be about 10 mm from the wafer diameter, and at least the DAF outer diameter is set to be 2 mm or more (1 mm or more on one side) It must be big.

그 상태로 DAF 전역을 저온으로 하면, 웨이퍼가 존재하지 않는 외주부의 DAF는 저온이 됨으로써 취화(脆化) 하고, 그 결과, DAF 아래에 존재하는 다이싱테이프와의 신축성의 차이로 DAF는 점착테이프로부터 말려 올라가버리고 있었다. 말려 올라간 DAF는 일부가 분리해서 웨이퍼 위로 덮치고, DAF가 이물로서 웨이퍼 위에 부착된다고 하는 문제가 일어나고 있었다.In this state, if the whole area of the DAF is kept at a low temperature, the DAF of the peripheral portion where the wafer does not exist becomes low temperature and becomes brittle. As a result, due to the difference in stretchability between the DAF and the dicing tape, I had been dried up from. There is a problem that the DAF that has been rolled up partially seeps over the wafer and the DAF is adhered onto the wafer as foreign matter.

그러나, DAF를 붙일 수 있었던 상태이여도 열전달을 고려하고, 충분히 얇은 DAF와 다이싱테이프를 사용하여 냉동 척을 사용하고, 웨이퍼 영역을 진공으로 척하는 동시에, 척 된 웨이퍼 영역만을 효율적으로 열전달 현상으로 국소 냉각함으로써 웨이퍼보다 외주로 밀려나온 DAF가 냉각되는 일은 없다. 그 때문에 외주의 DAF가 냉각에 의해 취화(脆化) 하고, 말려 올라가서 웨이퍼 위로 덮친다고 하는 문제는 일어나지 않는다.However, even in the state where the DAF can be attached, considering the heat transfer, using a sufficiently thin DAF and a dicing tape to use a freezing chuck, chucking the wafer area in vacuum, and effectively transferring only the chucked wafer area as a heat transfer phenomenon By locally cooling, the DAF pushed outward from the wafer is not cooled. Therefore, there is no problem that the DAF on the outer periphery is embrittled by cooling and is rolled up and covers the wafer.

또한 한편, 냉각된 부분에 있어서 DAF의 분단성을 향상하기 위해 다이싱테이프를 인장함으로써 웨이퍼가 할단 됨과 동시에, DAF도 예쁘게 분단할 수 있다.On the other hand, in order to improve the partitionability of the DAF in the cooled portion, the wafer is cut by tensioning the dicing tape, and the DAF can be also divided nicely.

냉동 척테이블의 크기는 웨이퍼 영역과 거의 동등한 크기이다. 예를 들면, 웨이퍼가 8인치 사이즈(지름 200mm)의 크기인 경우, 냉동 척테이블도 웨이퍼 이면의 DAF의 분단성을 양호하게 하면 좋기 때문에 웨이퍼와 거의 같은 면적의 8인치 사이즈(지름 200mm)가 좋다.The size of the freezing chuck table is almost the same size as the wafer area. For example, in the case where the wafer has a size of 8 inches (diameter: 200 mm), the freezing chuck table also desirably improves the divisional property of the DAF on the back surface of the wafer, and therefore an 8 inch size (diameter 200 mm) .

웨이퍼를 보유하는 익스팬드성의 다이싱테이프는 익스팬드시키는 것이 필요하기 때문에 당연 웨이퍼보다도 큰 영역이 된다. 예를 들면, 웨이퍼가 200mm 사이즈의 경우 익스팬팬드 하는 다이싱테이프는 300mm 정도의 크기의 프레임에 붙어있고, 그 안쪽에 웨이퍼가 있다. 웨이퍼와 프레임의 사이도 25mm ∼ 40mm 이상이다.Since the expandable dicing tape holding the wafer needs to be expanded, it becomes a larger area than the wafers. For example, if the wafer has a size of 200 mm, the dicing tape that expansively fits is attached to a frame having a size of about 300 mm, and there is a wafer inside. The distance between the wafer and the frame is 25 mm to 40 mm or more.

웨이퍼와 다이싱테이프의 사이에는 DAF가 붙어있다. DAF는 웨이퍼와 거의 같은 직경이지만, 실질은 웨이퍼보다도 조금 크게 하고 있다. 왜냐하면, DAF는 신축성의 재료이므로 완전히 동일 사이즈로 했을 경우, 웨이퍼가 DAF에 대하여 조금 벗어나서 붙을 수 있어버릴 경우가 있기 때문이다. 이러한 미묘한 차이가 있어도 반드시 DAF 위에 웨이퍼를 실어 두어서 붙이기 위해 DAF는 그 차이량도 고려해서 다소 웨이퍼보다도 크게 즉, 외형으로 해서 약 1cm 정도 크게 하는 것이 바람직하다. 그러나, 반드시 이것에 한정되는 것이 아니고, 극단적일 경우 DAF는 다이싱테이프와 같이 프레임(F) 가득한 크기로 해도 좋다.A DAF is attached between the wafer and the dicing tape. The DAF is almost the same diameter as the wafer, but is substantially larger than the wafer. This is because the DAF is made of a stretchable material, and therefore, if the entire size of the DAF is made the same, the wafer may be slightly deviated from the DAF. Even in such a subtle difference, it is preferable that the DAF is somewhat larger than the wafer, that is, about 1 cm in the outer shape in consideration of the difference in order to attach the wafer on the DAF. However, the present invention is not limited to this. In an extreme case, the DAF may be of a size filled with a frame F like a dicing tape.

또, 쳐 올리기용 링(12)이 냉동 척테이블(10)의 주변을 둘러싸게 배치되어 있다. 쳐 올리기용 링(12)은 링 승강 기구(16)에 의해 승강 가능하게 구성된 링이다. 도면에서 쳐 올리기용 링(12)은 하강 위치(대기 위치)에 위치하고 있다.Further, the lifting ring 12 is arranged so as to surround the periphery of the freezing chuck table 10. The lifting ring 12 is a ring configured to be liftable by the ring lifting mechanism 16. [ In the drawing, the pull-up ring 12 is located at a lowered position (standby position).

반도체 웨이퍼(W)에는 도 19에 나타낸 바와 같이 미리 레이저 조사 등에 의해 그 내부에 분단 예정 라인이 격자상으로 형성되어 있다. 쳐 올리기용 링(12)은 상승함으로써 아래에서 다이싱테이프(S)를 밀어 올려 다이싱테이프(S)를 익스팬드 한다. 이렇게 다이싱테이프(S)를 잡아 늘림으로써 분단 예정 라인이 분단되어서 반도체 웨이퍼(W)가 DAF(D)와 함께 각각의 칩(T)으로 분할된다.As shown in Fig. 19, a line to be divided is formed in a lattice form inside the semiconductor wafer W by laser irradiation or the like in advance. The lifting ring 12 is lifted to push the dicing tape S downward to expose the dicing tape S. By thus stretching the dicing tape S, the line to be divided is divided and the semiconductor wafer W is divided into chips T together with the DAF (D).

또, 다이싱테이프(S)의 익스팬드를 해제한 후에 이완한 다이싱테이프(S)의 부분을 가열해서 수축시키기 위해 광가열 장치(22)가 웨이퍼 커버(20)의 외측에서 대칭적인 위치에 배치되어 있다.In order to heat and shrink the portion of the dicing tape S that has relaxed after the expanding of the dicing tape S is released, the light heating device 22 is placed at a symmetrical position outside the wafer cover 20 Respectively.

앞의 실시 형태와 같이 광가열 장치(22)는 예를 들면, 스팟 타입의 할로겐 램프 히터이다. 또, 광가열 장치(22)는 빛을 조사해서 복사에 의해 가열하는 것이라면, 그외 레이저나 플래시 램프(flash lamp) 등이어도 좋다.As in the previous embodiment, the light heating device 22 is, for example, a spot-type halogen lamp heater. The light heating device 22 may be a laser, a flash lamp, or the like as long as it is irradiated with light and is heated by radiation.

이러한 광가열형 장치의 경우 광의 조사 상태를 육안에서 확인할 수 있다. 또, 광이 조사된 영역은 복사 현상에 의해 가열되는 것에 대하여 광이 조사되지 않는 영역은 가열되지 않는다. 즉, 광을 조사할 때, 그 조사 영역을 눈으로 확인할 수 있으므로, 그 조사를 눈으로 확인할 수 있는 영역을 복사에 의해 가열하는 영역으로서 국소적으로 한정하는 것이 가능해진다.In the case of such a photo-heating type apparatus, the irradiation state of the light can be visually confirmed. The area irradiated with light is heated by radiation, whereas the area irradiated with no light is not heated. That is, when the light is irradiated, the irradiated region can be visually confirmed, so that it is possible to localize the region where the irradiation can be visually recognized as the region to be heated by radiation.

광가열 장치(22)는 승강 회전 기구(23)에 의해 승강 가능하며, 또 다이싱테이프(S)의 주위를 따라 회전가능하다. 광가열 장치(22)의 개수는 4의 배수라면 좋고, 특히 한정되는 것은 아니지만, 여기에서는 도 4에 나타낸 바와 같이 8개의 광가열 장치(22)가 다이싱테이프(S)의 주위를 따라 균등하게 배치되어 있는 것으로 한다.The light heating device 22 can be raised and lowered by the lifting and lowering mechanism 23 and is rotatable along the periphery of the dicing tape S. [ The number of the light heating devices 22 may be a multiple of four, and is not particularly limited. Here, as shown in FIG. 4, eight light heating devices 22 are arranged uniformly along the circumference of the dicing tape S It is assumed that it is arranged.

또, 워크 분할 장치(100)는 반도체 웨이퍼(W)를 덮도록 승강 가능하게 배치된 웨이퍼 커버(20)을 갖추고, 반도체 웨이퍼(W)에 부착된 DAF(D)을 광가열 장치 (22)의 열로 열적으로 분리하도록 해도 좋다.The work dividing device 100 is provided with a wafer cover 20 which is arranged so as to be able to move up and down so as to cover the semiconductor wafer W. The DAF D attached to the semiconductor wafer W is mounted on the optical heating device 22 Or may be thermally separated by heat.

예를 들면, 웨이퍼 커버(20)는 밑바닥의 높이가 낮은 원통 형상을 하고 있고, 저면(20a)과 측면(20b)으로 이루어지고, 저면(20a)은 반도체 웨이퍼(W)보다도 한결 크게 형성되어 있다. 또, 웨이퍼 커버(20)는 커버 승강 기구(21)에 의해 승강 가능하게 설치되어 있어 하강한 위치에서 반도체 웨이퍼(W)를 가리게 되어 있다. 또 한편 웨이퍼 커버(20)의 측면(20b)의 선단면은 상승한 쳐 올리기용 링(12)의 선단면과 맞대지게 되어 있어 이것에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 영역은 웨이퍼 커버(20)에 의해 완전히 밀폐되어 광가열 장치(22)에 의해 가열되는 다이싱테이프(S)의 영역에 대하여 열적으로 분리된다.For example, the wafer cover 20 has a cylindrical shape with a low bottom, and has a bottom surface 20a and a side surface 20b, and the bottom surface 20a is formed to be larger than the semiconductor wafer W . The wafer cover 20 is provided so as to be able to move up and down by the cover lifting mechanism 21 so as to cover the semiconductor wafer W at the lowered position. The front end face of the side face 20b of the wafer cover 20 is brought into contact with the front end face of the lifted ring 12 so that the area of the semiconductor wafer W is held by the wafer cover 20 And is thermally separated from the region of the dicing tape S which is completely sealed and heated by the light heating device 22.

이하, 도 8 및 도 9의 플로우 챠트(flow chart)에 따라, 도 7에 나타낸 바와 같이 광가열 장치(22)와 웨이퍼 커버(20)를 갖춘 워크 분할 장치(100)의 작용을 설명한다.The operation of the work dividing device 100 provided with the light heating device 22 and the wafer cover 20 as shown in Fig. 7 will be described below with reference to the flow charts of Figs. 8 and 9. Fig.

우선, 도 8의 스텝(S100)에서 도 7에 나타낸 바와 같이 반도체 웨이퍼(W)의 이면에 DAF(D)을 통해서 다이싱테이프(S)가 접착된 워크(2)의 프레임(F)을 프레임 고정 기구(18)에 의해 고정한다. 그리고, 반도체 웨이퍼(W)가 존재하는 영역이 냉동 척테이블(10) 위에 위치하게 배치한다. 한편, 반도체 웨이퍼(W)에는 도 19에 나타낸 바와 같이 미리 레이저 조사 등에 의해 그 내부에 분단 예정 라인이 격자 상으로 형성되어 있다.7, the frame F of the work 2, to which the dicing tape S is adhered via the DAF (D), is attached to the back surface of the semiconductor wafer W in the frame (F) And is fixed by a fixing mechanism (18). Then, the region where the semiconductor wafer W is present is placed on the freezing chuck table 10. On the other hand, as shown in Fig. 19, a line to be divided is formed in a lattice form inside the semiconductor wafer W by laser irradiation or the like in advance.

다음에 도 8의 스텝(S110)에서 냉동 척테이블(10)은 워크(2)의 이면을 진공흡착에 의해 흡착해서 냉동 척테이블(10)의 표면에 확실하게 접촉시켜 열전달에 의해 워크(2)를 냉각한다. 냉동 척테이블(10)은 소정시간 워크(2)를 진공 흡착하여 DAF(D)이 취성화(脆性化) 하게 냉각한 후 진공 흡착을 해제한다.8, the freezing chuck table 10 sucks the back surface of the workpiece 2 by vacuum suction to reliably contact the surface of the freezing chuck table 10, . The freezing chuck table 10 releases the vacuum adsorption after cooling the DAF (D) to embrittle by vacuum-adsorbing the workpiece 2 for a predetermined time.

그 다음에 도 8의 스텝(S120)에서 도 10에 나타낸 바와 같이 링 승강 기구 (16)에 의해 쳐 올리기용 링(12)을 상승시키고, 다이싱테이프(S)를 익스팬드 한다. 이때의 쳐 올리기용 링(12)의 쳐 올리기는 앞의 실시 형태와 동일하게 예를 들면 400mm/sec의 속도로, 15mm의 높이까지 다이싱테이프(S)를 쳐 올린다.Next, in step S120 of Fig. 8, the ring lifting mechanism 12 is lifted by the ring lifting mechanism 16 as shown in Fig. 10, and the dicing tape S is expanded. At this time, in the same manner as in the previous embodiment, the lifting ring 12 is lifted up to a height of 15 mm at a speed of 400 mm / sec, for example.

그에 따라 다이싱테이프(S)가 방사상으로 확장되어 반도체 웨이퍼(W)가 분단 예정 라인에 따라 DAF(D)와 하나로 되어 각 칩(T)으로 분할된다.As a result, the dicing tape S expands radially, so that the semiconductor wafer W is divided into the respective chips T as one with the DAF (D) along the line to be divided.

그 다음에, 도 8의 스텝(S130)에서 도 11에 나타낸 바와 같이 웨이퍼 커버(20) 및 광가열 장치(22)를 각각 커버 승강 기구(21) 및 승강 회전 기구(23)에 의해 하강시켜 웨이퍼 커버(20)로 워크(2)의 반도체 웨이퍼(W)의 부분을 피복한다. 이때 도 11에 나타낸 바와 같이 웨이퍼 커버(20)의 측면(20b)의 선단면과, 쳐 올리기용 링(12)의 선단면을 맞대 웨이퍼 커버(20)와 쳐 올리기용 링(12)과의 사이에서 다이싱테이프(S)를 파지한다.11, the wafer cover 20 and the optical heating device 22 are lowered by the cover lifting mechanism 21 and the lifting and lowering mechanism 23, respectively, in step S130 of Fig. 8, The cover 20 covers the portion of the semiconductor wafer W of the work 2. [ 11, the front end face of the side face 20b of the wafer cover 20 and the front end face of the pull-up ring 12 are positioned between the face-to-face wafer cover 20 and the pull-up ring 12 The dicing tape S is gripped.

이 웨이퍼 커버(20)와 쳐 올리기용 링(12)과의 사이에서 다이싱테이프(S)를 파지하는 힘은 예를 들면 40kgf 정도이다.The force for grasping the dicing tape S between the wafer cover 20 and the pull-up ring 12 is, for example, about 40 kgf.

그 다음에, 도 8의 스텝(S140)에서 도 12에 나타낸 바와 같이 웨이퍼 커버(20)와 쳐 올리기용 링(12)과의 사이에서 다이싱테이프(S)를 파지한 채로 웨이퍼 커버(20)와 쳐 올리기용 링(12)을 반도체 웨이퍼(W) 아래쪽의 다이싱테이프(S)의 이면이 냉동 척테이블(10)의 표면에 접촉하는 위치까지 하강시킨다. 그에 따라 다이싱테이프(S)의 웨이퍼 커버(20)와 쳐 올리기용 링(12)으로 파지된 부분의 주변부가 느슨하여 이완부가 발생한다. 한편, 이때 웨이퍼 커버(20)와 쳐 올리기용 링(12)의 사이에서 다이싱테이프(S)를 파지하는 힘은 40kgf를 유지하고 있다. 또 이때 동시에 광가열 장치(22)도 승강 회전 기구(23)에 의해 다이싱테이프(S)의 주변부를 가열하는 위치까지 하강시킨다.12, the wafer cover 20 is held while holding the dicing tape S between the wafer cover 20 and the pull-up ring 12, as shown in Fig. 12, And the lifting ring 12 is lowered to a position where the back surface of the dicing tape S under the semiconductor wafer W comes into contact with the surface of the freezing chuck table 10. As a result, the periphery of the portion gripped by the wafer cover 20 and the lifting ring 12 of the dicing tape S is loosened and a loosened portion is generated. At this time, the force of holding the dicing tape S between the wafer cover 20 and the pull-up ring 12 is maintained at 40 kgf. At the same time, the light heating device 22 is lowered to the position where the peripheral portion of the dicing tape S is heated by the lifting / lowering mechanism 23.

그 다음에, 도 8의 스텝(S150)에서 도 13에 나타낸 바와 같이 웨이퍼 커버(20)와 쳐 올리기용 링(12)과의 사이에서 파지한 부분의 외측이 느슨한 다이싱테이프(S)의 부분에 대하여만, 광가열 장치(22)로 스팟 광을 대서 선택적으로 가열한다. 이때, 만약 DAF(D)도 동시에 가열되어버리면 DAF(D)가 녹아서 칩(T) 간의 틈이 없어져버릴 우려가 있어 다이싱테이프(S)가 이완한 부분만을 선택적으로 가열할 필요가 있다.Next, as shown in Fig. 13, in step S150 of Fig. 8, the portion of the dicing tape S in which the outside of the gripped portion between the wafer cover 20 and the lifting ring 12 is loosened The spot light is selectively heated by the light heating device 22 only. At this time, if the DAF (D) is also heated at the same time, the DAF (D) melts and the gap between the chips (T) may be lost, so that only the portion where the dicing tape S relaxes needs to be selectively heated.

여기서 광가열 장치(22)에 의해 다이싱테이프(S)가 이완한 부분을 선택적으로 가열하는 처리를 도 5를 참조하면서 도 9의 플로우 챠트(flow chart)를 이용해 설명한다.Here, a process of selectively heating a portion where the dicing tape S is relaxed by the light heating device 22 will be described using a flow chart of Fig. 9 with reference to Fig. 5. Fig.

우선, 도 9의 스텝(S151)에서 상술한 바와 같이 광가열 장치(22)을 승강 회전 기구(23)에 의해 다이싱테이프(S)의 주변부를 가열하는 위치까지 하강시킨다. 그리고 스텝(S152)에서 도 5의 숫자 1로 나타낸 위치에 있어서 8개의 광가열 장치 (22)의 전원을 온으로 해서 다이싱테이프(S)가 축 늘어진 외주부를 가열한다. 이 때, 도 5에 점선(H)으로 둘러싼 영역에 있어서는 광가열 장치 22의 인가(印加) 전압을 점선(L)으로 둘러싼 영역보다도 높게 설정한다. 그에 따라 다이싱테이프(S)의 수축하기 어려운 가로방향(X방향)에 대해서도 수축하기 쉬운 세로방향(Y방향)과 같이 수축하여 수축의 이방성이 억제된다.First, the light heating device 22 is lowered to a position where the peripheral portion of the dicing tape S is heated by the lifting / lowering mechanism 23 as described above in step S151 of Fig. In step S152, the eight optical heating devices 22 are turned on at the position indicated by numeral 1 in Fig. 5, and the peripheral portion of the dicing tape S is stretched. At this time, in the region surrounded by the dotted line (H) in FIG. 5, the application voltage of the light heating device 22 is set higher than the area surrounded by the dotted line (L). As a result, the dicing tape S shrinks in the longitudinal direction (Y direction), which is liable to shrink even in the lateral direction (X direction), in which the dicing tape S is difficult to shrink, and the anisotropy of shrinkage is suppressed.

그 다음에, 스텝(S153)에서 광가열 장치(22)의 전원을 오프로 하거나, 가열에 기여하지 않는 전압을 인가해서 도 5에 화살표(B)로 나타낸 바와 같이 승강 회전 기구(23)에 의해 광가열 장치(22)를 숫자 2로 나타낸 위치까지 회전한다.Next, at step S153, the power of the light heating device 22 is turned off or a voltage not contributing to heating is applied to the elevating and lowering rotating mechanism 23 as indicated by the arrow B in Fig. 5 The light heating device 22 is rotated to the position indicated by the numeral 2.

그 다음에, 스텝(S154)에서 도 5의 숫자 2의 위치에서 광가열 장치(22)의 전원을 온으로 해서 다이싱테이프(S)의 외주부를 가열한다. 이때도, 도 5에 점선(H)으로 둘러싼 영역에 있어서는 광가열 장치(22)의 인가(印加) 전압을 점선(L)로 둘러싼 영역보다도 높게 설정한다.Then, in step S154, the power source of the light heating device 22 is turned on at the position of the numeral 2 in Fig. 5 to heat the outer peripheral portion of the dicing tape S. At this time, the application voltage of the light heating device 22 is set higher than the area surrounded by the dotted line L in the area surrounded by the dotted line H in Fig.

그리고, 스텝(S155)에서 광가열 장치(22)의 전원을 끄고, 승강 회전 기구(23)에 의해 광가열 장치(22)을 대기 위치까지 상승시킨다.Then, in step S155, the power of the light heating device 22 is turned off, and the light heating device 22 is raised to the standby position by the elevating androtating mechanism 23. [

그에 따라 다이싱테이프(S)가 모든 방향에 대해서 균등하게 수축되어 분할된 각 칩(T)의 간격 및 배열이 유지된다.As a result, the dicing tape S is uniformly contracted in all directions, so that the intervals and the arrangement of the divided chips T are maintained.

마지막에 도 8의 스텝(S160)에서 도 14에 나타낸 바와 같이 웨이퍼 커버(20)와 광가열 장치(22)을 상승시키는 동시에, 쳐 올리기용 링(12)을 강하시켜 다이싱테이프(S)의 파지를 해방한다. 그리고 프레임(F)를 풀어서 워크를 다음 공정으로 반송한다.14, the wafer cover 20 and the light heating device 22 are raised and the lifting ring 12 is lowered to remove the dicing tape S Free phage. Then, the frame F is released and the workpiece is returned to the next process.

이와 같이 광가열 장치에 의해 다이싱테이프(S)가 이완한 부분만을 선택적으로 또 균등 가열함으로써 다이싱테이프(S)가 모든 방향에 대해서 균등하게 수축되어 분할된 각 칩(T)의 간격 및 배열을 유지할 수 있고, 확장된 다이싱테이프(S)가 다시 원래로 돌아가서 칩(T)의 간격이 좁아져 칩끼리가 접촉하는 것 같은 일은 없다.By selectively and evenly heating only the portion where the dicing tape S is loosened by the light heating device as described above, the dicing tape S is evenly shrunk in all directions and the intervals and arrangement And the extended dicing tape S is returned to its original position so that the intervals of the chips T become narrow and the chips do not come into contact with each other.

본 실시 형태에서는 가열 수단으로서 광가열 장치를 이용하고 있기 때문에 다이싱테이프 외주부가 이완한 부분만큼 선택적으로 가열할 수 있는 동시에, 광가열 장치는 전원의 온 오프에 의해 가열 상태와 비가열 상태와의 구별을 명확히 하고 있어 체류 열도 없고, 또 인가(印加) 전압을 각 광가열 장치에 설정함으로써 수축하기 쉬운 부분과 수축하기 어려운 부분으로 가열량을 조정하고, 다이싱테이프의 수축의 이방성에 대응해서 가열할 수 있다. 게다가 4개 이상(특히 4의 배수개의) 광가열 장치를 다이싱테이프의 외주를 따라 균등하게 배치하는 동시에, 외주를 따라 회전 주사함으로써 다이싱테이프의 모든 부분을 균등하게 수축하도록 가열할 수 있다.In the present embodiment, since the optical heating device is used as the heating means, it is possible to selectively heat the dicing tape around the peripheral portion of the dicing tape, and the optical heating device is capable of selectively heating The heating amount is adjusted to the portion which is easily shrunk and the portion which is difficult to shrink by setting the application voltage to each light heating device without any staying heat, and the heating amount is adjusted according to the anisotropy of shrinkage of the dicing tape can do. In addition, four or more (in particular four in number of) optical heating apparatuses can be uniformly arranged along the periphery of the dicing tape, and at the same time, the entirety of the dicing tape can be heated so as to shrink uniformly by rotationally scanning along the periphery.

이와 같이 하여 본 실시 형태에 의하면 가열에 의한 다이싱테이프의 수축의 이방성을 경감하는 동시에 가열원의 주사에 따르는 칩의 배열 차이를 억제할 수 있고, 그 결과 각 칩의 간격이 충분히 유지되는 동시에 주위의 다이싱테이프에 이완이 없는 워크를 제조하는 것이 가능해진다.As described above, according to the present embodiment, the anisotropy of shrinkage of the dicing tape by heating can be reduced, and the difference in arrangement of chips following the scanning of the heating source can be suppressed. As a result, It is possible to manufacture a work free from loosening on the dicing tape of the substrate.

또, 광가열 장치가 다이싱테이프(S)의 주위를 따라 등 간격으로 8개 배치되었을 경우의 기타 가열 제어 방법에 대해서 설명한다.Other heating control methods in the case where eight optical heating devices are arranged at regular intervals along the circumference of the dicing tape S will be described.

즉, 예를 들면 도 4에 나타낸 바와 같이 다이싱테이프(S)의 주위를 따라 등간격으로 8개의 광가열 장치(22)로서 스팟 타입의 할로겐 램프 히터가 배치되어 있다. 단, 이때 칩(T)은 도 4에 나타낸 봐와 같은 대략 정방형이 아니고, 도면의 X방향(가로방향)과 Y방향(세로방향)에 있어서의 길이의 비(애스펙트(aspect)비)는 1:2.4의 가로 길이의 장방 형상인 것으로 한다(도 16 참조).That is, as shown in Fig. 4, for example, spot type halogen lamp heaters are arranged at equal intervals along the periphery of the dicing tape S as eight light heating devices 22. 4, and the ratio (aspect ratio) of the lengths in the X direction (lateral direction) and the Y direction (longitudinal direction) of the drawing is not more than 1 : 2.4 (see Fig. 16).

각 광가열 장치(22)는 다이싱테이프(S)의 주위에 45도의 간격으로 나열해 있다. 이 45도의 간격을 8등분하고, 5.6도씩 각 광가열 장치(22)를 다이싱테이프(S)의 주위를 따라 회전하고, 5.6도 회전할 때마다 그 위치에서 가열하도록 한다. 이 때, 처음에는 도 15에 있어서 광가열 장치(22)로서의 할로겐 램프 히터에 대한 인가(印加) 전압은 Left와 Right의 위치에서는 12V 로 하고, Top와 Bottom의 위치에서는 5V로 한다.Each light heating device 22 is arranged around the dicing tape S at an interval of 45 degrees. The interval of 45 degrees is divided into 8 equal parts, and each optical heating device 22 is rotated along the periphery of the dicing tape S by 5.6 degrees and heated at the position every 5.6 degrees. At this time, the voltage applied to the halogen lamp heater as the light heating device 22 in FIG. 15 is set to 12 V at the positions of Left and Right and 5 V at the positions of Top and Bottom.

이와 같이 하여 5.6도씩 회전하면서, 8회 가열하면 다음은 최초의 위치보다 5.6도의 반 2.8도 비켜 놓은 위치부터 시작하도록 한다. 이 다음에는 할로겐 램프 히터에 대한 인가(印加) 전압은 Left와 Right의 위치에서는 12V 로 하고, Top와 Bottom의 위치에서는 11V로 한다. 그리고 또 5.6도씩 회전하면서, 8회 가열한다.In this way, while heating at 8.6 times while rotating at 5.6 degrees, the next position should start at a position shifted by 2.8 degrees from 5.6 degrees above the initial position. Next, the voltage applied to the halogen lamp heater is 12V at the positions of the left and right, and 11V at the positions of the top and bottom. Then, while heating at a rate of 5.6 degrees, the heating is performed eight times.

이와 같이 하여 가열하고, 다이싱테이프(S) 상의 각 칩(T)의 간격을 도 15에 나타낸 바와 같이 Center, Left, Right, Top, Bottom의 5군데에 대해서 도 16에 나타낸 바와 같은 5개의 포인트에서 각각 Horizontal 및 Vertical의 2방향에 대해서 측정했다.As shown in Fig. 15, the intervals of the chips T on the dicing tape S were measured at five points (center, left, right, top, bottom) In the horizontal direction and the vertical direction, respectively.

도 17에 각각의 개소에 대해서 각 포인트의 측정 결과를 나타냈다. 이 결과를 보면, 상기한 바와 같은 가열 제어에 의해 칩 간의 간격은 어느 장소에 있어서도 평균 20 ∼ 30 정도이며, 그다지 큰 차이는 발생하지 않는 것이 분명하였다.Fig. 17 shows the measurement result of each point for each point. As a result, it was clear that the intervals between the chips were 20 to 30 on average at the heating control by the above-described heating control, and no significant difference occurred.

이것에 대하여 비교를 위해 이와 같은 가열 제어를 할 일이 없고, 단지 다이싱테이프(S)의 전주위(全周圍)에서 동일하게 가열했을 경우의 측정 결과를 도 18에 나타냈다.18 shows a measurement result obtained when heating is performed in the same circumferential area of the dicing tape S in the same manner without performing such heating control for comparison.

도 18을 보면, 칩(T)의 애스펙트(aspect)비가 1:2.4로 이방성을 갖는 경우에, 전방향에서 같이 가열했을 경우에는 다이싱테이프(S) 상의 장소 및 방향에 의해 칩 간격이 평균으로 10대로부터 50대까지로 크게 변화되고 있는 것이 분명하였다.18, when the aspect ratio of the chip T is anisotropy of 1: 2.4, when the chips are heated in all directions, the chips are spaced by an average on the basis of the position and direction on the dicing tape S It was clear that the number of people from 10 to 50 was greatly changed.

이와 같이 상술한 것 같은 가열 제어를 함으로써 칩이 정방형으로부터 크게 빗나간 것 같은 형상을 하고 있어 이방성이 있을 경우라도 전방향에 대해서 동일하게 다이싱테이프(S)를 수축할 수 있다. 또, 반대로 칩이 등방적(等方的) 이어서 이방성이 없고, 다이싱테이프(S)의 측에 이방성이 있을 경우라도 상기 가열 제어방법으로 대응할 수 있다.As described above, by performing the heating control as described above, the chip has such a shape that it largely deviates from the square, so that even if there is anisotropy, the dicing tape S can be contracted in the same direction in all directions. On the other hand, even if the chip is isotropic (isotropic) and has no anisotropy and has anisotropy on the side of the dicing tape S, the heating control method can cope with it.

또한, 지금까지 설명해 온 예에 있어서는 광가열 장치는 스팟 타입의 할로겐 램프 히터로 하고 있었지만, 웨이퍼 커버(20)가 존재함으로써 온풍 히터를 이용하는 것도 가능하다. 즉, 노즐 등으로부터 국소적인 영역만에 온풍을 토출하도록 하면, 웨이퍼 커버(20)에 의해 온풍이 다이렉트로 반도체 웨이퍼(W)의 영역에는 가지 않도록 할 수 있으므로 다이싱테이프(S)의 이완부만을 선택적으로 가열하는 것이 가능해진다.Further, in the example described so far, the spot heating type halogen heater is used as the light heating device, but it is also possible to use a warm air heater as the wafer cover 20 is present. That is, if warm air is discharged only from a nozzle or the like in a localized area, hot air can be prevented from directly entering the area of the semiconductor wafer W by the wafer cover 20, It becomes possible to selectively heat.

또, 상술한 실시 형태에 있어서는 광가열 장치(22)에 의한 열복사에 의해 가열하고 있으므로 다이싱테이프(S)가 이완한 부분에만 국소적으로(선택적으로) 가열할 수 있다. 또 특히 본 실시 형태에서는 반도체 웨이퍼(W)를 웨이퍼 커버(20)로 덮고 있기 때문에 열을 차폐하고, 광가열 장치(22)에 의해 워크가 부착된 DAF(D)이 가열되어버리는 것을 막을 수 있고, 더한층 광가열 장치(22)에 의한 국소적인 가열을 가능하게 하고 있다.Further, in the above-described embodiment, since heating is performed by thermal radiation by the light heating device 22, the dicing tape S can be locally (selectively) heated only to the portion where it is relaxed. In particular, in this embodiment, since the semiconductor wafer W is covered with the wafer cover 20, heat is shielded and the DAF (D) to which the work is attached by the light heating device 22 can be prevented from being heated , And further enables local heating by the light heating device 22.

또한, 웨이퍼 커버(20)와 쳐 올리기용 링(12)에 의해 다이싱테이프(S)가 축 늘어진 부분의 부근을 파지하고 있으므로, 이완한 부분을 가열함으로써 웨이퍼 커버(20)나 쳐 올리기용 링(12)도 가열되지만, 이 열은 열전달에 의해 웨이퍼 커버(20)나 쳐 올리기용 링(12)을 통해서 도망쳐 간다. 따라서 웨이퍼 커버(20) 및 쳐 올리기용 링(12)의 내부에 둘러싸진 워크가 부착된 DAF(D)는 열적으로 차폐되어 있어 가열될 일은 없다.Since the dicing tape S grasps the vicinity of the extended portion by the wafer cover 20 and the lifting ring 12, (12) is also heated, but this heat escapes through the wafer cover (20) and the lifting ring (12) by heat transfer. Therefore, the DAF (D) to which the work enclosed within the wafer cover 20 and the lifting ring 12 is thermally shielded is not heated.

다만, 온풍을 토출시켜 가열할 경우 열이 주는 형태로서는 대류현상을 이용하는 것이기 때문에, 따뜻한 바람이 공간 내에 만연해 오면, 국소적인 가열성에 대해서는 한계가 있을 경우가 있다.However, since the convection phenomenon is used as a form of heat when the hot air is discharged and heated, if the warm wind spreads in the space, the local heating property may be limited.

그것에 대하여 광가열 장치의 경우 복사 현상을 이용하는 것으로 주변의 분위기(램프와 테이프의 사이의 공간에 충전되고 있는 기체의 성질 등)에 관계없이, 예를 들면 진공 상태이여도 국소적으로 다이싱테이프를 가열할 수 있다. 광마저 투과시키는 환경에 있으면, 지극히 정밀도 좋게 테이프의 이방성에 대응시켜서 그 수축을 제어할 수 있다.On the other hand, in the case of the optical heating apparatus, the use of the radiation phenomenon allows the dicing tape to be locally dipped even in a vacuum state, for example, regardless of the ambient atmosphere (the property of the gas filled in the space between the lamp and the tape) It can be heated. If it is in an environment for transmitting light, it is possible to control the shrinkage in accordance with the anisotropy of the tape with extremely high precision.

이러한 선택적인 열 공급 수단을 사용하는 동시에 그 국소적인 열을 공급하는 위치로서, 분할 대상인 웨이퍼의 주위에 있어서, 주방향(周方向)에 독립해서 제어할 수 있는 위치에 열공급 수단을 배치함으로써 만일, 다이싱테이프의 물리 신축성 및, 가열에 의한 수축 특성에 있어서 다이싱테이프 마다 변화하는 고유의 이방성이 있었다고 하여도, 다이싱 및 칩 분할 특유의 과제인 X방향, Y방향에의 칩 이간 상태의 균등화를 실현하기 위해서 정밀도 좋은 제어를 하는 것이 가능해진다.By arranging the heat supply means at a position capable of independently controlling in the main direction (circumferential direction) around the wafer to be divided as the position for supplying the local heat while using such selective heat supply means, Even if there is inherent anisotropy that varies with each dicing tape in the physical stretchability of the dicing tape and the shrinkage characteristics due to heating, It is possible to perform accurate control with high accuracy.

이상, 본 발명의 워크 분할장치 및 워크 분할방법에 대해서 상세하게 설명했지만, 본 발명은 이상의 예로는 한정되지 않고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 각종의 개량이나 변형을 해도 좋은 것은 물론이다.Although the work dividing device and the work dividing method of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to the above examples, and it goes without saying that various improvements and modifications may be made without departing from the gist of the present invention .

1, 100 : 워크 분할장치 2 : 워크
10 : 냉동 척테이블 12 : 쳐 올리기용 링
16 : 링 승강기구 18 : 프레임 고정기구
20 : 웨이퍼 커버 21 : 커버 승강기구
22 : 광가열장치 23 : 승강 회전기구1, 100: Workpiece splitting device 2: Workpiece
10: freezing chuck table 12: lifting ring
16: a ring lift mechanism 18: a frame fixing mechanism
20: Wafer cover 21: Cover lift mechanism
22: light heating device 23: lifting and rotating mechanism

Claims (4)

다이싱테이프를 익스팬드함으로써 상기 다이싱테이프에 부착된 워크를 각각의 칩으로 분할하는 워크 분할장치에 있어서,
상기 익스팬드에 의해 상기 다이싱테이프의 이완 부분을 선택적으로 가열하는 선택적 가열수단과,
상기 선택적 가열수단을 상기 워크의 주방향(周方向)에 따라 상대적으로 이동시키는 이동수단과을 구비한 워크 분할장치.A work dividing device for dividing a work attached to a dicing tape into individual chips by exposing a dicing tape,
Selective heating means for selectively heating the relaxed portion of the dicing tape by the expand,
And moving means for relatively moving the selective heating means in the main direction (circumferential direction) of the work. 제 1항에 있어서, 상기 선택적 가열수단은 상기 워크의 주방향(周方向)에 따라 복수 설치되는 워크 분할장치.The work dividing device according to claim 1, wherein the plurality of selective heating means are provided along a main direction (circumferential direction) of the work. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 선택적 가열수단은 복사열 또는 대류열을 이용해서 가열을 하는 워크 분할장치.The work dividing device according to claim 1 or 2, wherein the selective heating means performs heating by using radiant heat or convection heat. 다이싱테이프를 익스팬드함으로써 상기 다이싱테이프에 부착된 워크를 각각의 칩으로 분할하는 워크 분할방법에 있어서,
상기 익스팬드에 의해 상기 다이싱테이프의 이완 부분을 선택적으로 가열하는 선택적 가열단계와,
상기 선택적 가열단계에 의해 가열되는 위치를 상기 워크의 주방향(周方向)에 따라 이동시키는 이동단계를 구비하는 워크 분할방법.A work dividing method for dividing a work attached to a dicing tape into individual chips by exposing a dicing tape,
An optional heating step of selectively heating the relaxed portion of the dicing tape by the expand,
And a moving step of moving a position heated by the selective heating step along a main direction (circumferential direction) of the work.
KR1020170062855A 2011-02-16 2017-05-22 Work dividing device and method for dividing work KR102063450B1 (en)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011031292 2011-02-16
JPJP-P-2011-031292 2011-02-16
JP2012000142A JP5854215B2 (en) 2011-02-16 2012-01-04 Work dividing apparatus and work dividing method
JPJP-P-2012-000142 2012-01-04

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120013859A Division KR101843794B1 (en) 2011-02-16 2012-02-10 Work dividing device and method for dividing work

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190179457A Division KR102105280B1 (en) 2011-02-16 2019-12-31 Work dividing device and method for dividing work

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170063475A true KR20170063475A (en) 2017-06-08
KR102063450B1 KR102063450B1 (en) 2020-01-08

Family

ID=47016199

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170062855A KR102063450B1 (en) 2011-02-16 2017-05-22 Work dividing device and method for dividing work
KR1020180033136A KR102102596B1 (en) 2011-02-16 2018-03-22 Work dividing device and method for dividing work
KR1020190179457A KR102105280B1 (en) 2011-02-16 2019-12-31 Work dividing device and method for dividing work
KR1020200047391A KR102225430B1 (en) 2011-02-16 2020-04-20 Work dividing device and method for dividing work

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180033136A KR102102596B1 (en) 2011-02-16 2018-03-22 Work dividing device and method for dividing work
KR1020190179457A KR102105280B1 (en) 2011-02-16 2019-12-31 Work dividing device and method for dividing work
KR1020200047391A KR102225430B1 (en) 2011-02-16 2020-04-20 Work dividing device and method for dividing work

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5854215B2 (en)
KR (4) KR102063450B1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101658815B1 (en) * 2015-04-16 2016-09-22 디에이치케이솔루션(주) Expanding method for wafer
CN110838462B (en) * 2018-08-15 2022-12-13 北科天绘(合肥)激光技术有限公司 Mass transfer method and system of device array

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005045149A (en) * 2003-07-25 2005-02-17 Tokyo Seimitsu Co Ltd Method for expansion
JP2005142365A (en) * 2003-11-06 2005-06-02 Disco Abrasive Syst Ltd Method for dividing wafer
KR20050059315A (en) * 2002-10-28 2005-06-17 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 Expansion method and device
JP2005317732A (en) * 2004-04-28 2005-11-10 Dainippon Printing Co Ltd Wafer with support sheet
JP2007157887A (en) * 2005-12-02 2007-06-21 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer-dividing method
JP2007158152A (en) 2005-12-07 2007-06-21 Disco Abrasive Syst Ltd Processing device
JP2007226911A (en) * 2006-02-24 2007-09-06 Ricoh Co Ltd Manufacturing method of optical information recording medium, manufacturing apparatus and optical information recording medium
JP2010147317A (en) * 2008-12-19 2010-07-01 Disco Abrasive Syst Ltd Method and apparatus for expanding tape
JP2010206136A (en) * 2009-03-06 2010-09-16 Disco Abrasive Syst Ltd Work dividing device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07321070A (en) * 1994-05-26 1995-12-08 Rohm Co Ltd Expanding of wafer
JP4288392B2 (en) * 2003-09-29 2009-07-01 株式会社東京精密 Expanding method
JP2004200381A (en) * 2002-12-18 2004-07-15 Renesas Technology Corp Manufacturing method of semiconductor device and manufacturing device for semiconductor device
JP2007123658A (en) * 2005-10-31 2007-05-17 Disco Abrasive Syst Ltd Expansion apparatus of adhesive tape
JP2010147316A (en) * 2008-12-19 2010-07-01 Disco Abrasive Syst Ltd Method and apparatus for expanding tape

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050059315A (en) * 2002-10-28 2005-06-17 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 Expansion method and device
JP2005045149A (en) * 2003-07-25 2005-02-17 Tokyo Seimitsu Co Ltd Method for expansion
JP2005142365A (en) * 2003-11-06 2005-06-02 Disco Abrasive Syst Ltd Method for dividing wafer
JP2005317732A (en) * 2004-04-28 2005-11-10 Dainippon Printing Co Ltd Wafer with support sheet
JP2007157887A (en) * 2005-12-02 2007-06-21 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer-dividing method
JP2007158152A (en) 2005-12-07 2007-06-21 Disco Abrasive Syst Ltd Processing device
JP2007226911A (en) * 2006-02-24 2007-09-06 Ricoh Co Ltd Manufacturing method of optical information recording medium, manufacturing apparatus and optical information recording medium
JP2010147317A (en) * 2008-12-19 2010-07-01 Disco Abrasive Syst Ltd Method and apparatus for expanding tape
JP2010206136A (en) * 2009-03-06 2010-09-16 Disco Abrasive Syst Ltd Work dividing device

Also Published As

Publication number Publication date
KR102063450B1 (en) 2020-01-08
KR20180036661A (en) 2018-04-09
KR102105280B1 (en) 2020-04-27
KR102225430B1 (en) 2021-03-08
JP5854215B2 (en) 2016-02-09
KR20200003773A (en) 2020-01-10
KR102102596B1 (en) 2020-04-21
JP2012186446A (en) 2012-09-27
KR20200045456A (en) 2020-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6562169B2 (en) Work dividing device
JP6249586B2 (en) Work dividing apparatus and work dividing method
JP5885033B2 (en) Work dividing apparatus and work dividing method
KR102225430B1 (en) Work dividing device and method for dividing work
JP2018170525A (en) Workpiece division device and workpiece division method
JP2023174878A (en) Work division device and work division method
KR101843794B1 (en) Work dividing device and method for dividing work
JP6414995B2 (en) Work dividing apparatus and work dividing method
JP5939416B2 (en) Work dividing apparatus and work dividing method
JP6060475B2 (en) Work dividing apparatus and work dividing method
TW202125711A (en) Method of processing workpiece

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2018101001610; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20180412

Effective date: 20190923

S901 Examination by remand of revocation
GRNO Decision to grant (after opposition)
A107 Divisional application of patent
GRNT Written decision to grant