KR20170061781A - Display device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 스캔라인들과 데이터라인들이 교차되어 정의되는 복수의 픽셀들이 배치되고, 원의 중심(C)을 가지는 곡선 구간을 포함하는 이형 액티브 영역과 이형 액티브 영역의 바깥에 배치되는 베젤 영역을 포함하는 이형 표시패널과 베젤 영역 상에서 이형 액티브 영역의 곡선 라인을 따라 분산 배치되고, 공급되는 데이터전압을 시분할하여 데이터라인들에 분배하는 멀티플렉서를 포함한다.The present invention includes a plurality of pixels in which a plurality of pixels defined by intersecting scan lines and data lines are arranged and includes a deformed active region including a curved portion having a center C of a circle and a bezel region disposed outside the deformed active region And a multiplexer arranged to be distributed along the curved line of the active area on the bezel area and to distribute the supplied data voltage to the data lines by time division.
Description
본 발명은 네로우 베젤(narrow bezel)을 구현할 수 있는 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device capable of implementing a narrow bezel.
표시장치는 웨어러블 기기와 플렉서블 기기에 사용하기 위해 사용자들이 간편하게 휴대할 수 있도록 소형화와 슬림화되고 있다.Display devices are becoming smaller and slimmer for users to carry easily for use in wearable and flexible devices.
도 1에 도시된 바와 같이, 표시패널은 영상이 표시되는 픽셀 어레이인 액티브 영역(Pixel Array, A/A)과 액티브 영역(Pixel Array, A/A) 밖에 배치되는 베젤 영역(BZ)을 포함한다. 베젤 영역(BZ)에는 데이터 구동회로에서 출력되는 데이터 신호를 공급받아 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 데이터라인들에 데이터 신호를 공급하는 멀티플렉서(Multiplexer, 이하, MUX라 함.), 액티브 영역의 게이트라인들(또는 스캔라인들)에 동기되는 게이트 펄스(또는 스캔 펄스)를 순차적으로 공급하는 게이트 구동회로(또는 스캔 구동회로) 및 액티브 영역(Pixel Array, A/A)에 전원을 공급하는 전원(VDD, Vref, VSS)라인들이 배치된다.1, the display panel includes a pixel array (A / A), which is a pixel array in which an image is displayed, and a bezel area BZ, which is disposed outside an active area (A / A) . In the bezel region BZ, a multiplexer (hereinafter referred to as MUX) that receives a data signal output from the data driving circuit and supplies a data signal to the data lines of the active area (A / A) (Or a scan driver circuit) and a pixel array (A / A) that sequentially supply gate pulses (or scan pulses) synchronized with gate lines (or scan lines) (VDD, Vref, VSS) lines are arranged.
멀티플렉서(MUX), 고전위 전압라인(VDD Line) 및 기준전압 라인(Vref Line)은 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 상단에 배치되고, AP 스위치는 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 하단에 배치되고, 게이트 구동회로와 저전위 전압라인(VSS Line)는 액티브 영역(Pixel Array, A/A) 양측단에 배치된다. 고전위 전압라인(VDD Line)은 보상화소의 구동 TFT를 구동하거나 OLED 구동을 하기 위한 고전위 전압을 공급하는 라인이다. 기준전압 라인(Vref)은 보상화소 구동 시 TFT 및 OLED의 전위를 초기화(Reset)하기 위한 기준전압을 공급하는 라인이다. 저전위 전압라인(VSS Line)는 OLED 구동시 캐소드(Cathode)에 전기적으로 연결되어 고전위 전압과의 전위차를 생성하는 저전위 전압을 공급하는 라인이다. AP 스위치(Switch)는 표시 패널(Panel)의 점등을 검사하기 위해 필요한 스위치 회로들이다. The multiplexer MUX, the high voltage line VDD and the reference voltage line Vref Line are arranged at the top of the active pixel array A / , And the gate drive circuit and the low potential voltage line (VSS Line) are disposed on both sides of the active area (Pixel Array, A / A). The high potential voltage line (VDD Line) is a line for supplying a high potential voltage for driving the driving TFT of the compensating pixel or driving the OLED. The reference voltage line Vref is a line for supplying a reference voltage for resetting the potential of the TFT and OLED when driving the compensating pixel. The low potential voltage line (VSS Line) is a line that is electrically connected to the cathode when the OLED is driven and supplies a low potential voltage which generates a potential difference with the high potential voltage. An AP switch is a switch circuit necessary for checking the lighting of a display panel.
한편, 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 상단에 멀티플렉서(MUX)가 집중적으로 배치됨으로써, 멀티플렉서(MUX)가 배치되는 어퍼 베젤 영역(Upper BZ)의 폭(Y)과 너비(X)가 증가된다. 도 1의 점선에 표시된 바와 같이, 어퍼 베젤 영역(Upper BZ)의 폭(Y)과 너비(X)가 증가된 만큼 베젤 영역의 폭도 커짐으로써, 네로우 베젤(narrow Bezel)을 구현할 수 없다.On the other hand, the multiplexer (MUX) is concentrated on the upper portion of the active area (A / A), so that the width Y and the width X of the upper bezel area Upper BZ where the multiplexer MUX is disposed . As shown by the dotted line in FIG. 1, as the width Y and the width X of the upper bezel area Upper BZ increase, the width of the bezel area also increases, so narrow bezel can not be realized.
본 발명의 목적은 베젤 영역에 배치되는 멀티플렉서를 이형 액티브 영역의 가장자리를 따라 분산시켜 어퍼 베젤 영역(Upper BZ)의 폭과 너비를 줄임으로써, 네로우 베젤을 구현할 수 있는 표시장치를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a display device capable of implementing a narrow bezel by reducing the width and width of the upper bezel area (Upper BZ) by dispersing the multiplexer disposed in the bezel area along the edge of the release active area .
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 표시장치는 스캔라인들과 데이터라인들이 교차되어 정의되는 복수의 픽셀들이 배치되고, 원의 중심(C)을 가지는 곡선 구간을 포함하는 이형 액티브 영역과 이형 액티브 영역의 바깥에 배치되는 베젤 영역을 포함하는 이형 표시패널과 베젤 영역 상에서 이형 액티브 영역의 곡선 라인을 따라 분산 배치되고, 공급되는 데이터전압을 시분할하여 데이터라인들에 분배하는 멀티플렉서를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a display device including a plurality of pixels, each of which is defined by intersecting scan lines and data lines, And a multiplexer arranged to be distributed along curved lines of the active region on the display panel and the bezel region and to distribute the supplied data voltage to the data lines by time division.
멀티플렉서는 먹스제어신호에 응답하여 데이터전압을 시분할하고, 시분할된 데이터전압을 데이터라인에 분배하는 멀티플렉서 스위치들과 멀티플렉서 스위치들과 전기적으로 연결되고, 멀티플렉서 스위치 각각에 먹스제어신호를 공급하는 멀티플렉서 클럭 배선을 포함하고, 멀티플렉서 클럭 배선이 밴딩되는 밴딩 각도는 90도 이상 180도 미만인 것을 포함한다.The multiplexer is responsive to the mux control signal to time-divide the data voltage, to multiplexer switches for distributing the time-divided data voltage to the data lines, and to multiplexer clock wirings electrically coupled to the multiplexer switches, And a bending angle at which the multiplexer clock wiring is bent includes a range of 90 degrees or more and less than 180 degrees.
베젤 영역 상에서 밴딩되는 멀티플렉서 클럭 배선을 따라 이격되어 배치되고, 데이터 구동회로에서 출력되는 데이터전압을 픽셀들에 공급하는 데이터 라우팅 배선, 데이터 라우팅 배선의 가장자리를 따라 배치되고, 전원발생부에서 출력되는 고전위 전원 전압을 픽셀에 공급하는 고전위 라인부 및 고전위 라인부의 가장자리를 따라 배치되고, 전원발생부로부터 고전위 전원 전압보다 낮은 기준전압을 공급받아 픽셀에 공급하는 기준전압 라인부를 포함한다.A data routing wiring which is disposed along the multiplexer clock wiring banded on the bezel area and supplies the data voltage outputted from the data driving circuit to the pixels, a data routing wiring which is disposed along the edge of the data routing wiring, And a reference voltage line portion disposed along the edge of the high potential line portion for supplying the upper power source voltage to the pixel and supplying a reference voltage lower than the high potential power source voltage from the power generating portion to the pixel.
기준전압 라인부의 가장자리를 따라 배치되고, 스캔라인들에 스캔 펄스를 공급하는 게이트 구동회로를 포함하고, 원의 중심(C)과 게이트 구동회로의 최외곽 접점들 중에서 이격된 제1 및 제2 최외곽 접점들 사이의 길이가 미리 설정된 오차범위 내에서 같은 것을 포함한다.And a gate driving circuit which is disposed along the edge of the reference voltage line portion and supplies a scan pulse to the scan lines. The first and second gate driving circuits, which are spaced apart from the center C of the circle and the outermost contacts of the gate driving circuit, And the length between the outer contact points is the same within a predetermined error range.
게이트 구동회로의 가장자리를 따라 배치되고, 전원발생부로부터 기준전압보다 낮은 저전위 전원 전압을 공급받아 픽셀에 공급하는 저전위 라인부를 포함한다.And a low potential line portion disposed along the edge of the gate drive circuit and supplying a low potential power supply voltage lower than the reference voltage from the power generation portion to the pixel.
데이터 라우팅 배선과 멀티플렉서는 이형 표시패널의 상반구에 배치되는 것을 포함한다.The data routing wiring and the multiplexer include those disposed in the upper half of the mold release display panel.
이형 액티브 영역과 게이트 구동회로 사이에 배치되어 스캔라인들 및 데이터라인들과 전기적으로 연결되어 픽셀의 점등을 검사하기 위해 동작하는 AP스위치 회로를 포함하고, AP스위치 회로는 이형 액티브 영역의 하반구에 배치되는 것을 포함한다.And an AP switch circuit disposed between the mold active region and the gate driving circuit and electrically connected to the scan lines and the data lines to check the lighting of the pixels, .
베젤의 상반구에 배치되는 고전위 라인부의 폭은 베젤 영역의 상반구에 배치되는 기준전압 라인부의 폭보다 크게 형성되는 것을 포함한다.The width of the high potential line portion disposed in the upper half of the bezel includes a width larger than a width of the reference voltage line portion disposed in the upper half of the bezel region.
베젤 영역의 상반구에 배치되는 기준전압 라인부의 폭은 베젤 영역의 하반구에 배치되는 기준전압 라인부의 폭보다 작게 형성되는 것을 포함한다.The width of the reference voltage line portion disposed in the upper half of the bezel region includes a width smaller than a width of the reference voltage line portion disposed in the lower half of the bezel region.
고전위 라인부는 데이터 라우팅 배선과 일정한 간격을 유지하면서 데이터 라우팅 배선을 따라 배치되는 것을 포함한다.The high potential line portion includes being disposed along the data routing wiring while keeping a certain distance from the data routing wiring.
본 발명은 베젤 영역에 배치되는 멀티플렉서를 이형 액티브 영역의 가장자리를 따라 분산시켜 어퍼 베젤 영역(Upper BZ)의 폭과 너비를 줄일 수 있다. 그 결과, 네로우 베젤을 용이하게 구현할 수 있다.The present invention can reduce the width and width of the upper bezel area (Upper BZ) by dispersing the multiplexer disposed in the bezel area along the edge of the release active area. As a result, the narrow bezel can be easily implemented.
또한, 본 발명은 베젤 영역이 축소되어 네로우 베젤을 용이하게 구현함으로써, 설계의 자유도 또는 디자인 자유도를 개선할 수 있다.Further, the present invention can reduce the bezel area and easily implement the narrow bezel, thereby improving the degree of freedom of design or the degree of freedom of design.
도 1은 종래의 표시장치를 개략적으로 보여 주는 도면이고,
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 표시장치를 보여 주는 블록도이고,
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 이형 표시패널을 보여 주는 도면이고,
도 4는 픽셀 어레이의 일부를 간략하게 보여 주는 도면이고,
도 5는 픽셀의 일 예를 보여 주는 등가 회로도이고,
도 6은 도 5의 픽셀의 동작을 보여 주는 파형도이고,
도 7a는 본 발명의 실시 예에 따른 멀티플렉스 스위치와 멀티플렉스 클럭 배선 간의 연결 형태를 보여 주는 도면이고,
도 7b는 멀티플렉서의 일 예를 보여 주는 등가 회로도이고,
도 8은 GIP 회로의 시프트 레지스터를 보여 주는 도면이고,
도 9 및 도 10은 GIP 회로가 베젤영역에서 이형 표시패널(PNL)의 양측에 배치된 경우에 게이트 구동회로와 스캔라인들의 다양한 연결 형태를 보여 주는 도면들이고,
도 11은 베젤영역에 배치된 AP 스위치 회로들을 보여 주는 도면이고,
도 12는 멀티플렉스 클럭 배선이 멀티플렉서와 이웃하는 멀티플렉서 간에 연결되는 것을 보여 주는 도면이고,
도 13은 멀티플렉스 클럭 배선의 다양한 밴딩 형태를 보여 주는 도면이고,
도 14는 본 발명의 실시 예에 따른 GIP 회로의 최외곽 접점들을 보여 주는 도면이고,
도 15는 본 발명의 실시 예에 따라 고전위 라인부의 폭과 기준전압 라인부의 폭 간의 관계와 상,하반구에 배치되는 기준전압 라인부의 폭이 다른 것을 보여주는 도면이다.1 is a view schematically showing a conventional display device,
2 is a block diagram showing a display device according to an embodiment of the present invention,
3 is a view showing a mold release display panel according to an embodiment of the present invention,
Figure 4 is a simplified view of a portion of a pixel array,
5 is an equivalent circuit diagram showing an example of a pixel,
Figure 6 is a waveform diagram showing the operation of the pixel of Figure 5,
7A is a view showing a connection mode between a multiplex switch and a multiplex clock wiring according to an embodiment of the present invention,
7B is an equivalent circuit diagram showing an example of a multiplexer,
8 is a view showing a shift register of the GIP circuit,
9 and 10 are views showing various connection forms of the gate driving circuit and the scan lines when the GIP circuit is disposed on both sides of the mold release display panel PNL in the bezel area,
11 is a view showing AP switch circuits disposed in a bezel region,
12 is a view showing that a multiplex clock wiring is connected between a multiplexer and a neighboring multiplexer,
13 is a view showing various banding shapes of a multiplex clock wiring,
14 is a view showing the outermost contacts of the GIP circuit according to the embodiment of the present invention,
15 is a view showing a relationship between the width of the high-potential line portion and the width of the reference voltage line portion and the width of the reference voltage line portion disposed in the upper and lower hemispheres according to the embodiment of the present invention.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. Like reference numerals throughout the specification denote substantially identical components. In the following description, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 표시장치를 보여 주는 블록도이고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 이형 표시패널(PNL, 110)을 보여 주는 도면이고, 도 4는 픽셀 어레이의 일부를 간략하게 보여 주는 도면이고, 도 5는 픽셀의 일 예를 보여 주는 등가 회로도이고, 도 6은 도 5의 픽셀의 동작을 보여주는 파형도이다.2 is a block diagram showing a display device according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a diagram showing a display panel (PNL) 110 according to an embodiment of the present invention. FIG. 5 is an equivalent circuit diagram showing an example of a pixel, and FIG. 6 is a waveform diagram showing the operation of the pixel of FIG. 5. Referring to FIG.
도 2 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 표시장치(100)는 이형 표시패널(PNL, 110)과, 이형 표시패널(PNL, 110)의 픽셀 어레이(pixel array)에 입력 영상의 데이터를 기입하기 위한 디스플레이 구동회로를 포함한다.2 to 6, a
이형 표시패널(PNL, 110)은 데이터라인들(DL), 데이터라인들(DL)과 직교하는 스캔라인들(GL), 및 데이터라인들(DL)과 스캔라인들(GL)에 의해 정의된 매트릭스 형태로 픽셀들(10) 이 배치된 픽셀 어레이를 포함한다. 그리고 이형 표시패널(PNL, 110)은 원의 중심(C)을 가지는 곡선 구간을 포함한다. 이형 표시패널(PNL, 110)은 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)과 베젤 영역(BZ)을 포함한다. 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)은 이형 표시패널(PNL, 110)의 픽셀 어레이(Pixel array)을 포함하고, 입력 영상의 데이터가 표시된다. 이형 표시패널(PNL, 110)은 이웃한 픽셀들(10)에 공통으로 연결되는 기준전압 라인(Reference Line, REF 라인), 고전위 전원 전압(VDD)을 픽셀들(10)에 공급하는 고전위 라인(VDD Line)을 포함한다. 여기서 스캔라인들(GL)은 제1 스캔 펄스가 공급되는 다수의 제1 스캔라인들(GL1)과, 제2 스캔 펄스가 공급되는 다수의 제2 스캔라인들(GL2)을 포함한다. 데이터라인들(DL)은 픽셀들(10)에 데이터전압을 공급한다.The mold release display panel (PNL) 110 includes data lines DL, scan lines GL orthogonal to the data lines DL, and data lines GL defined by the data lines DL and the scan lines GL. And a pixel array in which
픽셀들(10) 각각은 컬러 구현을 위하여 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀 및 청색 서브 픽셀로 나뉘어진다. 픽셀들(10) 각각은 백색 서브 픽셀을 더 포함할 수 있다. 픽셀들(10) 각각에 하나의 데이터라인(DL), 하나의 스캔라인(GL)쌍, 하나의 기준전압(REF) 라인 및 하나의 고전위(VDD) 라인 등의 라인이 연결된다. 스캔라인(GL)쌍은 하나의 제1 스캔라인(GL)과 하나의 제2 스캔라인(GL)을 포함한다.Each of the
베젤 영역(BZ)은 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 바깥에 배치된다. 베젤 영역(BZ)에는 더미 픽셀(미도시), 멀티플렉서(Multiplexer, 160), 데이터 라우팅 배선(Data Routing, 111), 고전위 라인부(VDD Line, 112), 기준전압 라인부(Vref Line, 113), 게이트 구동회로(GIP, 120) 및 저전위 라인부(Vss Line, 114)를 포함할 수 있다.The bezel area BZ is disposed outside the pixel active area (A / A). (Not shown), a
도 3에 도시된 바와 같이, 더미 픽셀(미도시)은 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 가장자리를 따라 배치된다. 더미 픽셀(미도시)은 픽셀 어레이와 동일하게 형성되나, 입력 영상의 데이터가 표시되지 않는 픽셀이다.As shown in FIG. 3, dummy pixels (not shown) are arranged along the edge of the pixel active array (A / A). The dummy pixels (not shown) are formed in the same manner as the pixel array, but are pixels in which the data of the input image is not displayed.
게이트 구동회로(GIP, 120)는 시프트 레지스터(Shift Register)를 포함한다. 시프트 레지스터(Shift Register)는 종속적으로 접속된 스테이지들을 포함한다. 스테이지들은 스타트 펄스(Vst)에 응답하여 스캔 펄스(SCAN1, SCAN2)를 출력하고, 시프트 클럭(GCLK1 내지 GCLK4)에 따라 스캔 펄스(SCAN1, SCAN2)의 출력을 시프트한다. 게이트 구동회로(GIP, 120)는 GIP(Gate-driver In Panel) 회로의 방식에 따라 이형 표시패널(PNL, 110)의 베젤 영역(BZ) 상에 직접 배치될 수 있다. GIP(Gate-driver In Panel) 회로(120)는 베젤 영역(BZ) 상에서 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)과 일정한 간격만큼 이격되어 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 곡선 라인을 따라 배치되고, 스캔라인들(GL)에 스캔 펄스를 공급한다. GIP 회로(120)는 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)을 중심으로 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 양측 각각에 배치된다. GIP 회로(120)는 스캔라인(GL)을 그룹으로 나누고, 나누어진 그룹 별로 스캔 펄스를 공급할 수 있다. 이에 대한 설명은 후술하기로 한다. GIP 회로(120)가 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 양측에 배치되는 것을 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. GIP 회로(120)는 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 일측 또는 타측에 배치될 수 있다.The gate drive circuit (GIP) 120 includes a shift register. A shift register includes stages that are connected in a dependent manner. The stages output the scan pulses SCAN1 and SCAN2 in response to the start pulse Vst and shift the outputs of the scan pulses SCAN1 and SCAN2 according to the shift clocks GCLK1 to GCLK4. The gate driver circuit (GIP) 120 may be disposed directly on the bezel area BZ of the mold release display panel (PNL) 110 according to the scheme of a gate-driver In Panel (GIP) circuit. A gate-driver In Panel (GIP)
데이터 라우팅 배선(Data Routing, 111)은 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)과 게이트 구동회로(GIP, 120) 사이에 배치되고, 데이터 구동회로(SIC, 140)에 전기적으로 연결되어, 데이터 구동회로(SIC, 140)에서 출력되는 데이터전압을 픽셀들(10)에 공급한다. 데이터 라우팅 배선(Data Routing, 111)은 패드부(118)를 통해 데이터 구동회로(SIC, 140)의 출력 채널들에 일대일로 대응된다. 데이터 라우팅 배선(Data Routing, 111)은 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)을 중심으로 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 양측 각각에 배치된다.The data routing wiring (Data Routing) 111 is disposed between the pixel active region (A / A) and the gate drive circuit (GIP) 120 and is electrically connected to the data driving circuit (SIC) And supplies the data voltages output from the driving circuit (SIC) 140 to the
멀티플렉서(Multiplexer, 160)는 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)과 데이터 라우팅 배선(Data Routing, 111) 사이에 배치되고, 데이터 라우팅 배선(Data Routing, 111)에서 데이터전압을 공급받아 시분할하여 데이터라인들(DL)에 분배한다. 멀티플렉서(Multiplexer, 160)는 일단이 데이터 라우팅 배선(Data Routing, 111)에 전기적으로 연결되고, 타단들이 데이터라인(DL)들과 전기적으로 연결된다. 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)과 가깝게 배치되는 멀티플렉서(Multiplexer, 160)의 내측은 더미 픽셀(미도시)에 일정한 간격만큼 이격되어 더미 픽셀(미도시)의 가장자리를 따라 배치된다. 멀티플렉서(Multiplexer, 160)의 내측의 반대측인 외측도 데이터 라우팅 배선(Data Routing, 111)과 이격되어 배치된다. 이와 같이, 멀티플렉서(Multiplexer, 160)가 더미 픽셀(미도시) 및 데이터 라우팅 배선(Data Routing, 111)과 이격되어 배치됨으로써, 멀티플렉서(Multiplexer, 160)와 더미 픽셀(미도시) 또는 데이터 라우팅 배선(Data Routing, 111) 간의 쇼트가 발생되는 것을 미연에 방지할 수 있다.A
상술한 데이터 라우팅 배선(Data Routing, 111)과 멀티플렉서(Multiplexer, 160)는 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 상반구에 배치된다. 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 상반구는 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 중심으로 지나는 수평라인을 기준으로 상부에 배치되는 상부 영역이고, 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 하반구는 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 중심으로 지나는 수평라인을 기준으로 하부에 배치되는 하부 영역으로 정의된다.The
고전위 라인부(VDD Line, 112)는 데이터 라우팅 배선(Data Routing, 111)과 게이트 구동회로(GIP, 120) 사이에 배치되고, 전원발생부에서 출력되는 고전위 전원 전압을 픽셀에 공급한다. 고전위 라인부(VDD Line, 112)의 내측은 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)과 가깝게 배치되며, 데이터 라우팅 배선(Data Routing, 111)에 일정한 간격만큼 이격되어 데이터 라우팅 배선(Data Routing, 111)의 외측을 따라 배치된다. 여기서 고전위 전원 전압은 보상화소의 구동 TFT(Dr-Tr)를 구동하거나 OLED 구동에 필요한 전원이다.The high
고전위 등전위 인입부(117)는 이형 표시패널(PNL, 110)의 상반구에 배치되어 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 픽셀(10)에 고전위 전원 전압(VDD)을 균일하게 공급할 수 있다.The high potential equalization lead-in
기준전압 라인부(Vref Line, 113)는 고전위 라인부(VDD Line, 112)와 게이트 구동회로(GIP, 120) 사이에 배치되고, 전원발생부(미도시)로부터 고전위 전원 전압(VDD)보다 낮은 기준전압(Vref)을 공급받아 픽셀(10)에 공급한다. 기준전압 라인부(Vref Line, 113)의 내측은 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)과 가깝게 배치되며, 고전위 라인부(VDD Line, 112)에 일정한 간격만큼 이격되어 고전위 라인부(VDD Line, 112)의 외측을 따라 배치된다. 기준전압(Vref)은 보상화소 구동 시, TFT 및 OLED의 전위를 초기화(Reset)하기 위해 필요한 전원이다. 기준전압(Vref)은 초기화(initial(VINI)) 전원이 될 수도 있다.The reference voltage line
또한, 기준전압 라인부(Vref Line, 113)는 하반구에도 배치된다. 기준전압 라인부(Vref Line, 113)는 더미 커패시터(116)와 기준전압 등전위 인입부(118)에 전기적으로 연결된다.Also, the reference voltage line portion (Vref Line) 113 is arranged in the lower hemisphere. The reference voltage line portion (Vref Line) 113 is electrically connected to the
더미 커패시터(116)는 베젤 영역(BZ)의 하반구에 배치되고, 기준전압 라인부(Vref Line, 113)와 전기적으로 연결된다. 이러한 더미 커패시터(116)는 기준전압을 공급받아 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 위치에 따라 달라지는 커패시터의 용량을 보상할 수 있다.The
기준전압 등전위 인입부(118)는 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 하반구에 배치되어 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 픽셀(10)에 기준전압(Vref)을 균일하게 공급할 수 있다.The reference voltage equalization lead-in
저전위 라인부(Vss Line, 114)는 게이트 구동회로(GIP, 120)의 가장자리를 따라 배치되고, 전원발생부(미도시)로부터 기준전압(Vref)보다 낮은 저전위 전원 전압(Vss)을 공급받아 픽셀(10)에 공급하는 저전위 라인부(Vss Line, 114)를 포함한다.The low potential line portion (Vss line) 114 is disposed along the edge of the gate drive circuit (GIP) 120 and supplies a low potential power supply voltage Vss lower than the reference voltage Vref from a power generating portion And a low potential line portion (Vss Line) 114 for supplying a voltage to the
이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 하반구에는 데이터 라우팅 배선(Data Routing, 111)과 멀티플렉서(Multiplexer, 160)가 배치되지 않고, AP스위치 회로(115)가 배치될 수 있다. 이와 같이 배치됨으로써, 베젤 영역의 폭이 증가되는 것을 방지할 수 있다.The data routing wiring (Data Routing) 111 and the
AP스위치 회로(115)는 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 하반구와 게이트 구동회로(GIP, 120) 사이에 배치된다. AP스위치 회로(115)는 스캔라인들(GL) 및 데이터라인들(DL)과 전기적으로 연결되어 픽셀(10)의 점등을 검사하기 위해 동작한다. The
도 5는 픽셀의 일 예를 보여 주는 등가 회로도이고, 도 6은 도 5의 픽셀의 동작을 보여주는 파형이다.FIG. 5 is an equivalent circuit diagram showing an example of a pixel, and FIG. 6 is a waveform showing an operation of the pixel of FIG.
도 5 및 도 6을 참조하면, 각 픽셀(PXL, 10)은 OLED, 구동 TFT(DT), 제1 내지 제5 TFT(T1 내지 T5), 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다. 이 픽셀(PXL, 10)은 PMOS 타입의 6 개의 트랜지스터와 1 개의 커패시터를 포함한 6T1C 회로 구조이다.5 and 6, each pixel PXL 10 includes an OLED, a driving TFT DT, first through fifth TFTs T1 through T5, and a storage capacitor Cst. This pixel (PXL) 10 is a 6T1C circuit structure including six PMOS type transistors and one capacitor.
픽셀(PXL, 10)의 1 프레임 기간은 초기화 기간(Ti), 샘플링 기간(Ts), 및 에미션 기간(Te)으로 나뉘어진다.One frame period of the
제1 스캔 신호(Scan1)는 초기화 기간(Ti) 및 샘플링 기간(Ts) 동안 ON 레벨로 발생되어 제1 TFT(T1)를 턴-온(turn-on)시키고, 에미션 기간(Te)에 OFF 레벨로 반전되어 제1 TFT(T1)를 턴-오프(turn-off)시킨다.The first scan signal Scan1 is generated at the ON level during the initialization period Ti and the sampling period Ts to turn the first TFT T1 on and turns off during the emission period Te. Level so as to turn off the first TFT < RTI ID = 0.0 > T1. ≪ / RTI >
제2 스캔 신호(Scan2)는 초기화 기간(Ti)과 에미션 기간(Te) 동안 ON 레벨로 발생되어 제2 TFT(T2)를 턴-온(turn-on)시키고, 샘플링 기간(Ts) 동안 OFF 레벨을 유지하여 제2 TFT(T2)를 오프 상태로 제어한다.The second scan signal Scan2 is generated at the ON level during the initialization period Ti and the emission period Te to turn the second TFT T2 on and turns off during the sampling period Ts Level and controls the second TFT T2 to be in the off state.
OLED는 제4 노드(N4)와 저전위 전원 전압(VSS) 사이에 접속되어 구동 TFT(DT)로부터 인가되는 구동 전류에 따라 발광한다.The OLED is connected between the fourth node N4 and the low potential power supply voltage VSS and emits light in accordance with the driving current applied from the driving TFT DT.
구동 TFT(DT)는 자신의 게이트-소스 간 전압에 따라 OLED에 흐르는 구동 전류를 제어한다. 구동 TFT(DT)의 게이트는 제1 노드(N1)에 접속되고, 소스는 고전위 전원 전압(VDD)의 입력단에 접속되며, 드레인은 제3 노드(N3)에 접속된다.The driving TFT DT controls the driving current flowing in the OLED according to its gate-source voltage. The gate of the driving TFT DT is connected to the first node N1, the source is connected to the input terminal of the high potential power supply voltage VDD, and the drain is connected to the third node N3.
제1 TFT(T1)는 제1 스캔신호(Scan1)에 응답하여 데이터라인(DL)과 제2 노드(N2) 사이의 전류 패스를 온/오프 시킨다. 제1 TFT(T1)의 게이트는 제1 스캔라인(GL)에 접속되고, 소스는 데이터라인(DL)에 접속되며, 드레인은 제2 노드(N2)에 접속된다.The first TFT T1 turns on / off the current path between the data line DL and the second node N2 in response to the first scan signal Scan1. The gate of the first TFT T1 is connected to the first scan line GL, the source is connected to the data line DL, and the drain is connected to the second node N2.
제2 TFT(T2)는 제1 스캔신호(Scan1)에 응답하여 제1 노드(N1)와 제3 노드(N3) 사이의 전류 패스를 온/오프 시킨다. 제2 TFT(T2)의 게이트는 제1 스캔라인(GL)에 접속되고, 소스는 제1 노드(N1)에 접속되며, 드레인은 제3 노드(N3)에 접속된다.The second TFT T2 turns on / off the current path between the first node N1 and the third node N3 in response to the first scan signal Scan1. The gate of the second TFT T2 is connected to the first scan line GL, the source is connected to the first node N1, and the drain is connected to the third node N3.
제3 TFT(T3)는 제1 스캔신호(Scan1)에 응답하여 기준전압(Vref)의 입력단과 제4 노드(N4) 사이의 전류 패스를 온/오프 시킨다. 제3 TFT(T3)의 게이트는 제1 스캔라인(GL)에 접속되고, 소스는 기준전압(Vref)의 입력단에 접속되며, 드레인은 제4 노드(N4)에 접속된다.The third TFT T3 turns on / off the current path between the input terminal of the reference voltage Vref and the fourth node N4 in response to the first scan signal Scan1. The gate of the third TFT T3 is connected to the first scan line GL, the source thereof is connected to the input terminal of the reference voltage Vref, and the drain thereof is connected to the fourth node N4.
제4 TFT(T4)는 제2 스캔신호(Scan2)에 응답하여 기준전압(Vref)의 입력단과 제2 노드(N2) 사이의 전류 패스를 온/오프 시킨다. 제4 TFT(T4)의 게이트는 제2 스캔라인(GL)에 접속되고, 소스는 기준전압(Vref)의 입력단에 접속되며, 드레인은 제2 노드(N2)에 접속된다.The fourth TFT T4 turns on / off the current path between the input terminal of the reference voltage Vref and the second node N2 in response to the second scan signal Scan2. The gate of the fourth TFT T4 is connected to the second scan line GL, the source thereof is connected to the input terminal of the reference voltage Vref, and the drain thereof is connected to the second node N2.
제5 TFT(T5)는 제2 스캔신호(Scan2)에 응답하여 제3 노드(N3)와 제4 노드(N4) 사이의 전류 패스를 온/오프 시킨다. 제5 TFT(T5)의 게이트는 제2 스캔라인(GL)에 접속되고, 소스는 제3 노드(N3)에 접속되며, 드레인은 제4 노드(N4)에 접속된다.The fifth TFT T5 turns on / off the current path between the third node N3 and the fourth node N4 in response to the second scan signal Scan2. The gate of the fifth TFT T5 is connected to the second scan line GL, the source is connected to the third node N3, and the drain is connected to the fourth node N4.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 접속된다.The storage capacitor Cst is connected between the first node N1 and the second node N2.
이러한 픽셀(PXL, 10)의 동작을 설명하면 다음과 같다.The operation of the pixel (PXL) 10 will now be described.
초기화 기간(Ti) 동안 제1 내지 제5 TFT(T1 내지 T5)가 ON 레벨의 제1 및 제2 스캔 신호(Scan1, Scan2)에 응답하여 턴-온(turn-on)된다. 초기화 기간(Ti) 동안 제1 내지 제4 노드(N1내지N4)의 전압은 기준 전압(Vref)으로 초기화된다.During the initialization period Ti, the first to fifth TFTs T1 to T5 are turned on in response to the first and second scan signals Scan1 and Scan2 at the ON level. During the initialization period Ti, the voltages of the first to fourth nodes N1 to N4 are initialized to the reference voltage Vref.
샘플링 기간(Ts) 동안 제1 내지 제3 TFT(T1 내지 T3)는 ON 레벨의 제1 스캔 신호(Scan1)에 응답하여 턴 온(turn-on) 상태를 유지하는 데 반해, 제4 및 제5 TFT(T4, T5)는 OFF 레벨의 제2 스캔 신호(Scan2)에 응답하여 턴 오프(turn-off) 된다. 샘플링 기간(Ts) 동안 데이터전압(Vdata)은 데이터라인(DL)을 통해 제2 노드(N2)에 인가된다. 샘플링 기간(Ts) 동안, 제1 및 제3 노드(N1, N3)의 전위는 "VDD-Vth"가 된다. Vth는 구동 TFT(DT)의 문턱전압을 지시한다.During the sampling period Ts, the first to third TFTs T1 to T3 maintain a turn-on state in response to the first scan signal Scan1 at the ON level, whereas the fourth and fifth TFTs The TFTs T4 and T5 are turned off in response to the second scan signal Scan2 of the OFF level. During the sampling period Ts, the data voltage Vdata is applied to the second node N2 through the data line DL. During the sampling period Ts, the potentials of the first and third nodes N1 and N3 become "VDD-Vth ". Vth indicates the threshold voltage of the driving TFT DT.
에미션 기간(Te)은 샘플링 기간(Ts) 이후부터 그 다음 프레임의 초기화 기간(Ti)까지 연속된다. 에미션 기간(Te) 동안 제1 내지 제3 TFT(T1 내지 T3)는 OFF 레벨의 제1 스캔 신호(Scan1)에 응답하여 턴 오프(turn-off)되고, 제4 및 제5 TFT(T4, T5)는 ON 레벨의 제2 스캔 신호(Scan2)에 응답하여 턴 온(turn-on) 된다.The emission period Te continues from the sampling period Ts to the initialization period Ti of the next frame. During the emission period Te, the first to third TFTs T1 to T3 are turned off in response to the first scan signal Scan1 of the OFF level, and the fourth and fifth TFTs T4, T5 are turned on in response to the second scan signal Scan2 of the ON level.
에미션 기간(Te) 동안 제2 노드(N2)에는 기준전압(Vref)이 인가되며, 제2 노드(N2)의 전위 변화분(Vref-Vdata)은 제1 노드(N1)에 반영된다. 에미션 기간(Te) 동안 제1 노드(N1)의 전위는 "(VDD-Vth)+(Vref-Vdata)"로 프로그래밍 된다. 따라서, 에미션 기간(Te) 동안, 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)은 "Vdata-Vref+Vth"으로 프로그래밍된다.The reference voltage Vref is applied to the second node N2 during the emission period Te and the potential change Vref-Vdata of the second node N2 is reflected to the first node N1. During the emission period Te, the potential of the first node N1 is programmed to "(VDD-Vth) + (Vref-Vdata) ". Therefore, during the emission period Te, the gate-source voltage Vgs of the driving TFT DT is programmed to "Vdata-Vref + Vth".
OLED는 에미션 기간(Te) 동안 OLED에 흐르는 구동 전류(Ioled)에 의해 발광되어 입력 영상의 밝기를 표현한다.The OLED emits light by the driving current Ioled flowing through the OLED during the emission period Te to express the brightness of the input image.
또한, 디스플레이 구동회로는 출력 채널들이 멀티플렉서(Multiplexer, 160)를 통해 데이터라인들(DL)에 데이터전압을 공급하는 데이터 구동회로(SIC, 140)와, 데이터전압에 동기되는 스캔 펄스를 스캔라인들(GL)에 순차적으로 공급하는 게이트 구동회로(GIP, 120)를 포함한다. 멀티플렉서(Multiplexer, 160)는 데이터 구동회로(SIC, 140)와 데이터라인들(DL) 사이에 배치된다. 디스플레이 구동회로는 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)을 제외한 영역에 배치된다.The display driving circuit includes a data driving circuit (SIC) 140 for outputting data voltages to the data lines DL through a
데이터 구동회로(SIC, 140)는 타이밍 컨트롤러(미도시)로부터 수신된 입력 영상의 데이터(DATA1 내지 DATA4)를 타이밍 컨트롤러(미도시)의 제어 하에 감마 보상 전압으로 변환하여 데이터전압을 발생하고, 그 데이터전압을 출력한다. 데이터전압은 멀티플렉서(Multiplexer, 160)를 통해 데이터라인들(DL)에 공급된다. 데이터 구동회로(SIC, 140)는 픽셀들(10)의 구동 소자를 초기화하기 위하여 초기화 기간 동안 소정의 기준 전압(Vref)을 데이터라인들(DL)로 출력할 수 있다. 데이터 구동회로(SIC, 140)는 이방성 도전 필름(Anisotropic Conductive Film, ACF)을 이용하여 패드부(118)와 연결된다. 데이터 구동회로(SIC, 140)는 연성회로기판(COF, 140a) 상에 접합되어 이방성 도전 필름(Anisotropic Conductive Film, ACF)을 통해 패드부(180)와 전기적으로 연결된다. 연성회로기판(COF, 140a) 상에는 타이밍 컨트롤러(미도시), 터치 구동회로(미도시) 등등이 접합될 수 있다. 연성회로기판(COF, 140a) 상에 접합되는 데이터 구동회로(SIC, 140)는 이형 표시패널(PNL, 110)의 후단에 배치될 수 있다.The data driver circuit (SIC) 140 converts the data (DATA1 to DATA4) of the input image received from the timing controller (not shown) into a gamma compensation voltage under the control of a timing controller And outputs the data voltage. The data voltage is supplied to the data lines DL through a
멀티플렉서(Multiplexer, 160)는 데이터 구동회로(SIC, 140)와 데이터라인들(DL) 사이에 배치된다. 멀티플렉서(Multiplexer, 160)는 타이밍 컨트롤러(미도시)의 제어 하에 데이터 구동회로(SIC, 140)로부터 입력되는 데이터전압을 데이터라인들(DL)에 분배한다. 1 : 6 멀티플렉서(Multiplexer, 160)의 경우에, 멀티플렉서(Multiplexer, 160)는 데이터 구동회로(SIC, 140)의 한 개 출력 채널을 통해 입력되는 데이터전압을 시분할하여 여섯 개의 데이터라인들(DL)로 공급한다. 따라서, 1 : 6 멀티플렉서(Multiplexer, 160)를 사용하면, 이형 표시패널(PNL, 110)의 구동에 필요한 데이터 구동회로(SIC, 140)의 IC의 개수를 1/6로 줄일 수 있다.A
또한, 멀티플렉서(Multiplexer, 160)는 이형 표시패널(PNL, 110)의 상단에 일렬로 정렬할 경우 베젤 영역(BZ)의 폭을 줄이는데 한계가 있다. 이에 따라, 멀티플렉서(Multiplexer, 160)는 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 가장자리를 따라 배치될 수 있다. 멀티플렉서(Multiplexer, 160)는 이형 표시패널(PNL, 110)의 상반구의 형상에 대응되어 분산 배치됨으로써, 베젤 영역(BZ)의 폭을 줄일 수 있다.In addition, the
도 7a 및 도 7b에 도시된 바와 같이, 멀티플렉서(Multiplexer, 160)는 멀티플렉서 스위치(162, (이하, 먹스 스위치로 설명함.))와 멀티플렉서 클럭 배선(161, (이하, 먹스 클럭 배선으로 설명함.))을 포함한다.7A and 7B, a
먹스 스위치(M1 내지 M6, 162)는 다수의 MTFT들(M1 내지 M6)을 포함한다. 먹스 스위치(M1 내지 M6, 162)는 먹스제어신호에 응답하여 시분할된 데이터전압을 데이터라인들(DL)에 공급하거나 차단하도록 동작한다.Mux switches M1 to M6 and 162 include a plurality of MTFTs M1 to M6. The mux switches M1 to M6 and 162 operate to supply or cut off the time-divided data voltage to the data lines DL in response to the mux control signal.
먹스 클럭 배선(ME1 내지 ME6, 161)은 적어도 2개 이상으로 형성된다. 먹스 클럭 배선(ME1 내지 ME6, 161)들은 다수의 MTFT들(M1 내지 M6) 각각에 대응되도록 배치된다. 먹스 클럭 배선(ME1 내지 ME6, 161)은 먹스제어신호를 먹스 스위치(M1 내지 M6, 162)에 제공한다. 타이밍 컨트롤러(미도시)는 먹스제어신호를 출력하여 먹스 클럭 배선(ME1 내지 ME6, 161)에 공급한다.The mux clock wirings (ME1 to ME6, 161) are formed of at least two or more. The mux clock wirings ME1 to ME6 and 161 are arranged to correspond to each of the plurality of MTFTs M1 to M6. Mux clock wirings (ME1 to ME6, 161) provide the mux control signals to the mux switches (M1 to M6, 162). A timing controller (not shown) outputs a mux control signal and supplies it to the mux clock wirings ME1 to ME6 and 161.
먹스 스위치(M1 내지 M6, 162)와 먹스 클럭 배선(ME1 내지 ME6, 161)의 연결관계는 다음과 같다.The connection relations of the mux switches M1 to M6 and 162 and the mux clock wirings ME1 to ME6 and 161 are as follows.
먹스 스위치(M1 내지 M6, 162)는 제1 MTFT(M1) 내지 제6 MTFT(M6)를 포함한다. 제1 MTFT(M1)는 제1 먹스 클럭 배선(ME1)에 연결된 게이트, 데이터 구동회로(SIC, 140)의 제1 출력 채널(DOC1)에 연결된 드레인, 및 제1 데이터라인(DL1)에 연결된 소스를 포함한다. 제2 MTFT(M2)는 제2 먹스 클럭 배선(ME2)에 연결된 게이트, 데이터 구동회로(SIC, 140)의 제1 출력 채널(DOC1)에 연결된 드레인, 및 제2 데이터라인(DL2)에 연결된 소스를 포함한다. 제3 MTFT(M3)는 제3 먹스 클럭 배선(ME3)에 연결된 게이트, 데이터 구동회로(SIC, 140)의 제1 출력 채널(DOC1)에 연결된 드레인, 및 제3 데이터라인(DL3)에 연결된 소스를 포함한다. 제4 MTFT(M4)는 제4 먹스 클럭 배선(ME4)에 연결된 게이트, 데이터 구동회로(SIC, 140)의 제1 출력 채널(DOC1)에 연결된 드레인, 및 제4 데이터라 (DL4)에 연결된 소스를 포함한다. 제5 MTFT(M5)는 제5 먹스 클럭 배선(ME5)에 연결된 게이트, 데이터 구동회로(SIC, 140)의 제1 출력 채널(DOC1)에 연결된 드레인, 및 제5 데이터라인(DL5)에 연결된 소스를 포함한다. 제6 MTFT(M6)는 제6 먹스 클럭 배선(ME6)에 연결된 게이트, 데이터 구동회로(SIC, 140)의 제1 출력 채널(DOC1)에 연결된 드레인, 및 제6 데이터라인(DL6)에 연결된 소스를 포함한다. 여기서 제1 먹스제어신호 내지 제6 먹스제어신호는 타이밍 컨트롤러(미도시)에서 생성될 수 있다. 또한, 제1 먹스제어신호 내지 제6 먹스제어신호는 타이밍 컨트롤러(미도시)에서 생성된 후 레벨 시프트(Level Shift)를 통해 진폭이 증폭된 신호일 수 있다.Mux switches M1 to M6 and 162 include first MTFT (M1) to sixth MTFT (M6). The first MTFT M1 has a gate connected to the first MUX clock line ME1 and a drain connected to the first output channel DOC1 of the data driving
게이트 구동회로(GIP, 120)는 타이밍 컨트롤러(미도시)의 제어 하에 제1 스캔 펄스(SCAN1)를 제1 스캔라인들(GL)에 공급하고, 제2 스캔 펄스(SCAN2)를 제2 스캔라인들(GL)에 공급한다. 스캔 펄스(SCAN1, SCAN2)는 데이터전압에 동기된다. GIP 회로(120)는 시프트 레지스터(Shift Register)를 포함한다. 시프트 레지스터(Shift Register)는 도 8과 같이, 종속적으로 접속된 스테이지들(S(N-2)내지S(N+2))을 포함한다. 스테이지들(S(N-2)내지S(N+2))은 스타트 펄스(Vst)에 응답하여 스캔 펄스(SCAN1, SCAN2)를 출력하기 시작하고, 시프트 클럭(GCLK1 내지 GCLK4)에 따라 출력을 시프트한다. 스테이지들(S(N-2)내지S(N+2))로부터 순차적으로 출력되는 출력 신호는 스캔 펄스(SCAN1, SCAN2)로서 스캔라인들(GL)에 공급된다. 스테이지들(S(N-2)내지S(N+2)) 각각의 출력은 다음 스테이지의 스타트 펄스(Vst)로서 입력되고, 또한 그 출력은 리셋 신호(Reset signal)로서 앞 단 스테이지에 입력될 수 있다. 스테이지들은 스캔 펄스와 별도의 캐리 신호(Carry signal)를 출력하여 스타트 펄스(Vst)로서 다음 스테이지에 공급할 수 있다. 캐리 신호는 다음 단 스테이지의 스타트 펄스로서 입력되고, 리셋 신호는 이전 스테이지의 출력을 방전시킨다. 스테이지들(S(N-2)내지S(N+2))에는 스타트 펄스(Vst), 시프트 클럭(GCLK1 내지 GCLK4) 등의 스캔 타이밍 제어신호들이 스캔라인들(GL)을 통해 입력된다.The gate
도 9 및 도 10은 GIP 회로가 베젤 영역에서 이형 표시패널의 양측에 배치된 경우에 게이트 구동회로와 스캔라인들의 다양한 연결 형태를 보여 주는 도면들이다.Figs. 9 and 10 are views showing various connection forms of the gate drive circuit and the scan lines when the GIP circuit is disposed on both sides of the mold release display panel in the bezel area.
도 9를 참조하면, GIP 회로(120)는 이형 표시패널(PNL, 110)의 일측 가장자리에 배치되는 제1 GIP 회로(GIP(L), 120)와, 이형 표시패널(PNL, 110)의 타측 가장자리에 배치되는 제2 GIP 회로(GIP(R), 120)를 포함한다.9, the
제1 및 제2 GIP 회로(120, GIP(L), GIP(R)) 각각은 모든 스캔라인들(GL1 내지 GLn)에 연결될 수 있다. 제1 및 제2 GIP 회로(120, GIP(L), GIP(R)) 각각은 스타트 펄스(Vst)를 동시에 입력받아 동시에 스캔 펄스를 출력한다. 따라서, 제1 및 제2 GIP 회로(120, GIP(L), GIP(R))로부터 출력된 스캔 펄스는 같은 스캔라인(GL)의 양 끝단에 동시에 인가된다.Each of the first and
도 10을 참조하면, 제1 GIP 회로(120, GIP(L))는 제1 그룹의 스캔라인들(GL)에 연결되어 제1 그룹의 스캔라인들(GL)에 스캔 펄스를 순차적으로 공급한다. 제2 GIP 회로(120, GIP(R))는 제2 그룹의 스캔라인들(GL)에 연결되어 제2 그룹의 스캔라인들(GL)에 스캔 펄스를 순차적으로 공급한다.Referring to FIG. 10, the first GIP circuit 120 (GIP (L)) is connected to the first group of scan lines GL to sequentially supply scan pulses to the first group of scan lines GL . The second GIP circuit 120 (GIP (R)) is connected to the second group of scan lines GL to sequentially supply scan pulses to the second group of scan lines GL.
제1 그룹의 스캔라인들(GL)은 도 10과 같이 기수 번째 스캔라인들(GL1, GL3,...GL2n-1)일 수 있다. 제2 그룹의 스캔라인들(GL)은 도 10과 같이 우수 번째 스캔라인들(GL2, GL4,...GL2n)일 수 있다. 제1 및 제2 GIP 회로(120, GIP(L), GIP(R))에는 소정의 시간차를 두고 스타트 펄스(Vst)가 공급될 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 GIP 회로(120, (GIP(L), GIP(R))의 스캔 펄스 출력 타이밍과 캐리 신호 출력 타이밍에서 소정의 시간차가 있을 수 있다. 예를 들어, 제1 GIP 회로(120, GIP(L))로부터 제1 스캔 펄스가 제1 스캔라인(GL1)에 공급된 후, 대략 1 수평 기간 뒤에 제2 GIP 회로(120, GIP(R))로부터 제2 스캔 펄스가 제2 스캔라인(GL2)에 공급될 수 있다.The first group of scan lines GL may be the odd-numbered scan lines GL1, GL3, ..., GL2n-1 as shown in FIG. The second group of scan lines GL may be the even scan lines GL2, GL4, ..., GL2n as shown in FIG. The start pulse Vst may be supplied to the first and
지금까지 설명한 디스플레이 구동회로 중 GIP 회로(120)는 베젤 영역(BZ)에 배치되고, 데이터 구동회로(SIC, 140)는 이형 표시패널(PNL, 110)의 후단에 배치된다. 타이밍 컨트롤러(Timing controller, 미도시)는 입력 영상의 디지털 데이터를 데이터 구동회로(SIC, 140)로 전송하고, 데이터 구동회로(SIC, 140)와 GIP 회로(120)의 동작 타이밍을 제어한다. 타이밍 컨트롤러(미도시)는 데이터 구동회로(SIC, 140)로부터 입력되는 데이터전압을 시분할하여 데이터라인들(DL)에 분배되도록 멀티플렉서(Multiplexer, 160)를 제어한다.Among the display driving circuits described so far, the
타이밍 컨트롤러(미도시)는 연성회로기판(COF, 140a) 상에 접합될 수 있다. 연성회로기판(COF, 140a) 상에 접합되는 타이밍 컨트롤러(미도시)는 데이터 구동회로(SIC, 140)와 함께 이형 표시패널(PNL, 110)의 후면에 배치될 수 있다.A timing controller (not shown) may be bonded onto the flexible circuit board (COF) 140a. A timing controller (not shown) bonded on the flexible circuit board (COF) 140a may be disposed on the rear surface of the display panel (PNL) 110 together with the data driving circuit (SIC) 140.
도 11은 베젤영역에 배치된 AP 스위치 회로들을 보여 주는 도면이다.11 is a diagram showing AP switch circuits disposed in a bezel region.
도 11을 참조하면, AP 스위치 회로(115)는 AP 라인들, AP 스위치들 및 AP 패드들(AP PAD, 115a)을 포함한다. AP 라인들은 R, G, B 인에이블 라인, R 라인, G 라인 및 B 라인을 포함한다. AP 라인들은 픽셀 어레이의 밖인 베젤 영역(BZ)에 배치된다. Referring to FIG. 11, the
AP 패드들(115a)은 이형 표시패널(PNL, 110)의 하반부의 베젤 영역(BZ)에 배치되어 AP 라인들에 연결될 수 있다. AP 스위치들(AP TR)은 이형 표시패널(PNL, 110)의 하반부의 베젤 영역(BZ)에 배치되어 AP 라인들에 연결될 수 있다. AP 스위치들(AP TR)은 제1 ATFT(Q1), 제2 ATFT(Q2), 및 제3 ATFT(Q3)를 포함한다. 제1 ATFT(Q1)는 R 인에이블 신호(R_EN)에 응답하여 R 테스트 신호를 R 서브 픽셀에 연결된 제1 데이터라인(DL1)에 공급한다. 제1 ATFT(Q1)의 게이트는 R 인에이블 라인에 연결된다. 제1 ATFT(Q1)의 드레인은 R 라인에 연결되고, 제1 ATFT(Q1)의 소스는 제1 데이터라인(DL1)에 연결된다. 제2 ATFT(Q2)는 G 인에이블 신호(G_EN)에 응답하여 G 테스트 신호를 G 서브 픽셀에 연결된 제2 데이터라인(DL2)에 공급한다. 제2 ATFT(Q2)의 게이트는 G 인에이블 라인에 연결된다. 제2 ATFT(Q2)의 드레인은 G 라인에 연결되고, 제2 ATFT(Q2)의 소스는 제2 데이터라인(DL2)에 연결된다. 제3 ATFT(Q3)는 B 인에이블 신호(B_EN)에 응답하여 B 테스트 신호를 B 서브 픽셀에 연결된 제3 데이터라인(DL3)에 공급한다. 제3 ATFT(Q3)의 게이트는 B 인에이블 라인에 연결된다. 제3 ATFT(Q3)의 드레인은 B 라인에 연결되고, 제3 TFT(T3)의 소스는 제3 데이터라인(DL3)에 연결된다.The AP pads 115a may be disposed in the bezel area BZ of the lower half of the display panel (PNL) 110 and connected to the AP lines. The AP switches AP TR may be disposed in the bezel area BZ of the lower half of the release display panel (PNL) 110 and connected to the AP lines. The AP switches AP TR include a first ATFT (Q1), a second ATFT (Q2), and a third ATFT (Q3). The first ATFT (Q1) supplies the R test signal to the first data line DL1 connected to the R subpixel in response to the R enable signal R_EN. The gate of the first ATFT (Q1) is connected to the R enable line. The drain of the first ATFT (Q1) is connected to the R line, and the source of the first ATFT (Q1) is connected to the first data line (DL1). The second ATFT (Q2) supplies a G test signal to the second data line (DL2) connected to the G subpixel in response to the G enable signal (G_EN). The gate of the second ATFT (Q2) is connected to the G enable line. The drain of the second ATFT (Q2) is connected to the G line, and the source of the second ATFT (Q2) is connected to the second data line DL2. The third ATFT (Q3) supplies the B test signal to the third data line DL3 connected to the B sub-pixel in response to the B enable signal B_EN. The gate of the third ATFT (Q3) is connected to the B enable line. The drain of the third ATFT (Q3) is connected to the B line, and the source of the third TFT (T3) is connected to the third data line DL3.
AP 패드들(115a)은 AP 라인들과 전기적으로 연결되며, 이들 AP 라인들에 인에이블 신호, RGB 테스트 신호를 공급한다.The AP pads 115a are electrically connected to the AP lines and supply an enable signal and an RGB test signal to these AP lines.
검사 공정에서, 오토 프로브 검사 장치는 AP 패드들(115a)을 통해 인에이블 신호, RGB 테스트 신호를 공급하고, GIP 패드들(도시하지 않음)을 통해 스캔 테스트 신호들을 GIP 라인들에 공급한다. GIP 패드들은 GIP 라인들에 연결되고, 검사 공정에서 오토 프로브 검사 장치의 니들(Needle)에 접촉된다. 스캔 테스트 신호들은 GIP 구동회로(GIP)의 시프트 레지스터를 구동하기 위한 스타트 펄스, 시프트 클럭 등의 신호를 포함한다. 이렇게 스캔라인들(GL)과 데이터라인들(DL)이 구동되면, 데이터 구동회로(SIC, 140)를 이형 표시패널(PNL, 110)에 실장하지 않고 픽셀들(10)과 신호 라인들의 결함 유무를 알 수 있다.In the inspection process, the auto-probe inspection apparatus supplies an enable signal, an RGB test signal through AP pads 115a, and supplies scan test signals to GIP lines via GIP pads (not shown). The GIP pads are connected to the GIP lines and are in contact with the needles of the auto-probe inspection apparatus in the inspection process. The scan test signals include signals such as a start pulse, a shift clock, and the like for driving the shift register of the GIP driving circuit GIP. When the scan lines GL and the data lines DL are driven in this manner, the data driving
도 12는 멀티플렉서 클럭 배선이 멀티플렉서와 이웃하는 멀티플렉서와 연결되는 것을 보여 준다.Figure 12 shows that the multiplexer clock wiring is connected to the multiplexer and the neighboring multiplexer.
도 12를 살펴보면, 본 발명의 멀티플렉서(Multiplexer, 160)는 먹스 클럭 배선들(ME1 내지 ME6)과 먹스 스위치들(M1 내지 M6)을 포함한다. 먹스 클럭 배선들(ME1 내지 ME6)은 다수의 먹스 스위치(M1 내지 M6) 각각에 전기적 연결된다.Referring to FIG. 12, a
먹스 클럭 배선들(ME1 내지 ME6)은 제1 먹스 클럭 배선(ME1) 내지 제K(K는 2 이상의 자연수) 먹스 클럭 배선(MEK)을 포함한다. 먹스 클럭 배선들(ME1 내지 ME6)은 멀티플렉서(Multiplexer, 160)에 배치되는 먹스 스위치(M1 내지 M6)의 개수와 동일한 개수로 배치된다. 도 12에서는 먹스 클럭 배선들(ME1 내지 ME6)이 제1 먹스 클럭 배선(ME1) 내지 제6 먹스 클럭 배선(ME6)인 것을 중심으로 설명하기로 한다.The MUX clock wirings ME1 to ME6 include first to Mux clock wirings ME1 to K (K is a natural number of 2 or more) MUX clock wirings (MEK). The mux clock wirings ME1 to ME6 are arranged in the same number as the number of the mux switches M1 to M6 arranged in the
제1 멀티플렉서(MUX1)는 제1 먹스 클럭 배선(ME1) 내지 제6 먹스 클럭 배선(ME6)과 제11 MTFT(M11) 내지 제16 MTFT(M16)를 포함한다. 제2 멀티플렉서(MUX2)는 제1 먹스 클럭 배선(ME1) 내지 제6 먹스 클럭 배선(ME6)과 제21 MTFT(M21) 내지 제26 MTFT(M26)를 포함한다. 이때 제1 먹스 클럭 배선(ME1) 내지 제6 먹스 클럭 배선(ME6)은 제1 멀티플렉서(MUX1)와 제2 멀티플렉서(MUX2)에서 공통적으로 사용된다.The first multiplexer MUX1 includes the first to Mux clock lines ME1 to ME6 and the eleventh MTFTs M11 to M16. The second multiplexer MUX2 includes the first to Mux clock lines ME1 to ME6 and the twenty-first MTFTs M21 to M26. At this time, the first to Mux clock lines ME1 to ME6 are commonly used in the first multiplexer MUX1 and the second multiplexer MUX2.
제1 먹스 클럭 배선(ME1)은 제11 MTFT(M11)의 게이트 및 제21 MTFT(M21)의 게이트와 공통 연결되고, 제2 먹스 클럭 배선(ME2)은 제12 MTFT(M12)의 게이트 및 제22 MTFT(M22)의 게이트와 공통 연결되고, 제3 먹스 클럭 배선(ME3)은 제13 MTFT(M13)의 게이트 및 제23 MTFT(M23)의 게이트와 공통 연결되고, 제4 먹스 클럭 배선(ME4)은 제14 MTFT(M14)의 게이트 및 제24 MTFT(M24)의 게이트와 공통 연결되고, 제5 먹스 클럭 배선(ME5)은 제15 MTFT(M15)의 게이트 및 제25 MTFT(M25)의 게이트와 공통 연결되고, 제6 먹스 클럭 배선(ME6)은 제16 MTFT(M16)의 게이트 및 제26 MTFT(M26)의 게이트와 공통 연결된다.The first MUX clock line ME1 is commonly connected to the gate of the eleventh MTFT M11 and the gate of the twenty-first MTFT M21, the second MUX clock line ME2 is connected to the gate of the twelfth MTFT M12, 22 MTFT M22 and the third MUX clock line ME3 is commonly connected to the gate of the thirteenth MTFT M13 and the gate of the 23rd MTFT M23 and is connected to the gate of the fourth MUX clock line ME4 Is connected in common with the gate of the 14th MTFT (M14) and the gate of the 24th MTFT (M24), the fifth mux clock wiring ME5 is connected to the gate of the 15th MTFT (M15) And the sixth MUX clock wiring ME6 is commonly connected to the gates of the sixteenth MTFT M16 and the gates of the twenty sixth MTFT M26.
데이터 구동회로(SIC, 140)의 제1 출력 채널(DOC1)은 제11 MTFT(M11)의 드레인 내지 제16 MTFT(M16)의 드레인 각각에 대응되어 연결되고, 데이터 구동회로(SIC, 140)의 제2 출력 채널(DOC2)은 제21 MTFT(M21)의 드레인 내지 제26 MTFT(M26)의 드레인 각각에 대응되어 연결된다.The first output channel DOC1 of the data driving
제1 데이터라인(DL1) 내지 제6 데이터라인(DL6)은 제11 MTFT(M11)의 소스 내지 제16 MTFT(M16)의 소스 각각에 대응되어 연결되고, 제7 데이터라인(DL7) 내지 제12 데이터라인(DL12)은 제21 MTFT(M21)의 소스 내지 제26 MTFT(M26)의 소스 각각에 대응되어 연결된다.The first to sixth data lines DL1 to DL6 are connected to the sources of the eleventh MTFT M11 to the sixteenth MTFT M16 and the seventh data lines DL7 to DL12, The data line DL12 is connected corresponding to each of the sources of the twenty-first MTFT (M21) to the twenty-sixth MTFT (M26).
상술한 바와 같이, 제1 멀티플렉서(MUX1)와 제2 멀티플렉서(MUX2)는 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 가장자리에 배치되는 더미 픽셀(미도시)과 일정한 간격만큼 이격되어 더미 픽셀(미도시)의 외측을 따라 분산되어 배치된다. 제1 멀티플렉서(MUX1)와 제2 멀티플렉서(MUX2)가 분산 배치됨으로써, 제1 멀티플렉서(MUX1)와 제2 멀티플렉서(MUX2) 간에는 높낮이 차이가 발생한다. 높낮이 차이가 발생한 제1 멀티플렉서(MUX1)와 제2 멀티플렉서(MUX2)를 공통 연결하기 위해 먹스 클럭 배선들(ME1 내지 ME6)은 소정의 각도로 밴딩된다. 이때 먹스 클럭 배선들(ME1 내지 ME6)이 밴딩되는 밴딩 각도(BA)는 90도 이상 180도 미만일 수 있다.As described above, the first multiplexer MUX1 and the second multiplexer MUX2 are spaced apart from each other by a predetermined distance from the dummy pixels (not shown) disposed at the edges of the pixel active area (A / A) Not shown). Since the first multiplexer MUX1 and the second multiplexer MUX2 are distributed and arranged, a height difference occurs between the first multiplexer MUX1 and the second multiplexer MUX2. The Mux clock wirings ME1 to ME6 are bent at a predetermined angle in order to commonly connect the first multiplexer MUX1 and the second multiplexer MUX2 having a difference in height. The bending angle BA at which the mux clock wirings ME1 to ME6 are bent may be 90 degrees or more and less than 180 degrees.
먹스 클럭 배선(ME1 내지 ME6)은 밴딩되는 밴딩 각도(BA)가 90도 이상 180도 미만으로 형성됨으로써, 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 곡선 구간을 따라 멀티플렉서들(MUX1, MUX2)을 분산 배치하면서 베젤 영역(BZ)의 빈 공간을 최소화하면서 라우팅될 수 있다.The multiplexer MUX1 and MUX2 are formed along the curved section of the pixel active array (A / A) by forming the bending angles BA to be bent at 90 degrees or more and less than 180 degrees, Can be routed while minimizing the empty space of the bezel area BZ.
먹스 클럭 배선들(ME1 내지 ME6)은 밴딩되는 밴딩 각도(BA)가 커질수록 원형 형상에 가깝게 라우팅될 수 있다. 먹스 클럭 배선들(ME1 내지 ME6)이 원형 형상에 가깝게 라우팅될수록 데이터 라우팅 배선(Data Routing)과 이격되는 이격거리의 편차는 감소된다. 베젤 영역(BZ)은 먹스 클럭 배선들(ME1 내지 ME6)이 감소되는 이격거리의 편차만큼 먹스 클럭 배선들(ME1 내지 ME6)과 데이터 라우팅 배선(Data Routing) 간의 이격거리를 줄일 수 있는 간격 마진을 가진다. 베젤 영역(BZ)은 먹스 클럭 배선들(ME1 내지 ME6)과 데이터 라우팅 배선(Data Routing) 간의 이격거리에서, 생성된 간격 마진만큼 이격거리를 더 감소시킴으로써, 베젤 영역(BZ)은 낭비되는 공간을 줄일 수 있다.The mux clock wirings ME1 to ME6 can be routed close to the circular shape as the bending angle BA to be bending becomes larger. As the mux clock wirings ME1 to ME6 are routed close to the circular shape, the deviation of the spacing distance from the data routing wiring is reduced. The bezel area BZ has an interval margin that can reduce the separation distance between the mux clock wirings ME1 to ME6 and the data routing wiring by a deviation of the separation distance in which the mux clock wirings ME1 to ME6 are reduced I have. The bezel area BZ further reduces the spacing distance by the generated spacing margin at the spacing distance between the mux clock wires ME1 to ME6 and the data routing wiring so that the bezel area BZ is wasted Can be reduced.
이와 같이, 베젤 영역(BZ)은 먹스 클럭 배선들(ME1 내지 ME6)이 실질적으로 원형 형상에 근접하게 라우팅됨으로써, 멀티플렉서(MUX1, MUX2) 이후에 배치되는 데이터 라우팅 배선(Data Routing), 고전위 라인부(VDD), 기준전압 라인부(Vref), GIP 회로(120), 저전위 라인부(Vss)도, 이에 대응되어 원형 형상으로 용이하게 설계될 수 있다.Thus, the bezel areas BZ are routed close to the substantially circular shape of the mux clock wirings ME1 to ME6 so that data routing wiring arranged after the multiplexers MUX1 and MUX2, The portion VDD, the reference voltage line portion Vref, the
도 13은 먹스 클럭 배선과 데이터 라우팅 배선의 다양한 밴딩 형태를 보여 준다.13 shows various banding shapes of the Mux clock wiring and the data routing wiring.
도 13에 도시된 바와 같이, 먹스 클럭 배선(161)과 데이터 라우팅 배선(111)는 밴딩되는 밴딩 각도에 따라 커브드 타입 또는 계단 타입으로 나눌 수 있다.13, the
도 13의 (a)와 (b)와 같이, 먹스 클럭 배선들(161)이 커브드 타입으로 형성되면, 이에 대응하여 데이터 라우팅 배선(111)는 커브드 타입(도 13의 (a)) 또는 계단 타입(도 13의 (b)) 등으로 형성될 수 있다. 또는 도 13의 (c)와 (d)와 같이, 먹스 클럭 배선들(161)이 계단 타입으로 형성되면, 이에 대응하여 데이터 라우팅 배선(111)는 커브드 타입(도 13의 (c)) 또는 계단 타입(도 13의 (d)) 등으로 형성될 수 있다. 먹스 클럭 배선(161) 또는 데이터 라우팅 배선(111)이 배치되는 베젤 영역(BZ)은 먹스 클럭 배선들(161)과 데이터 라우팅 배선(111) 간의 이격거리를 줄일 수 있는 간격 마진을 가진다.13 (a) and 13 (b), when the Mux clock wirings 161 are formed in a curved type, the
데이터 라우팅 배선(111)과 먹스 클럭 배선들(161)이 서로 동일한 타입으로 형성되면, 이들간에 이격거리의 편차가 감소된다. 베젤 영역(BZ)은 이격거리의 편차가 감소된 만큼 먹스 클럭 배선(161)과 데이터 라우팅 배선(111) 간의 이격거리를 줄일 수 있는 간격 마진을 가진다.If the
베젤 영역(BZ)은 먹스 클럭 배선들(161)과 데이터 라우팅 배선(111) 간의 이격거리를 생성된 간격 마진만큼 더 감소시킴으로써, 베젤 영역(BZ)에서 낭비되는 공간을 줄일 수 있다. 이에 따라, 먹스 클럭 배선(161)과 데이터 라우팅 배선(111) 간에 쇼트가 발생되지 않는 허용범위까지 먹스 클럭 배선(161)과 데이터 라우팅 배선(111) 간의 이격거리를 최대한 줄일 수 있다. 따라서, 베젤 영역(BZ)은 공간이 낭비되는 것을 감소시켜 베젤 영역(BZ)의 전체적인 폭을 효율적으로 줄일 수 있다.The bezel area BZ can further reduce the space wasted in the bezel area BZ by further reducing the spacing distance between the
또한, 베젤 영역(BZ)은 데이터 라우팅 배선(111)과 먹스 클럭 배선들(161)이 서로 다른 타입으로 형성되더라도 이들 간의 이격거리를 줄일 수 있는 간격 마진을 가질 수 있다. 그러나 베젤 영역(BZ)이 데이터 라우팅 배선(111)과 먹스 클럭 배선들(161)이 서로 다른 타입일 때의 간격 마진이 데이터 라우팅 배선(111)과 먹스 클럭 배선들(161)이 서로 다른 타입일 때의 간격 마진보다 작다. 이에 따라, 데이터 라우팅 배선(111)과 먹스 클럭 배선들(161)은 동일한 타입으로 형성되는 것이 바람직하다.Also, although the
도 14는 본 발명의 실시 예에 따른 GIP 회로(120)의 최외곽 접점들을 보여 주는 도면이다.14 is a diagram showing the outermost contacts of the
도 14를 살펴보면, 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)은 원의 중심(C)을 가지는 곡선 구간을 포함한다.Referring to FIG. 14, a pixel active array (A / A) includes a curve section having a center C of a circle.
GIP 회로(120)는 시프트 레지스터(Shift Register)를 포함한다. 시프트 레지스터(Shift Register)는 종속적으로 접속된 스테이지들을 포함한다. GIP 회로(120)는 최외곽 접점(Om1, Om2)을 포함한다. 최외곽 접점(Om1, Om2)은 GIP 회로(120)에서 원의 중심(C)으로부터 가장 멀리 위치하는 접점이다. 최외곽 접점(Om1, Om2)은 스테이지들 각각에 배치될 수 있다.The
이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)에 위치하는 원의 중심(C)과 스테이지들에 배치되는 각각의 최외곽 접점들 사이를 측정한 길이(W1, W2)가 미리 설정된 오차범위 내에서 실질적으로 같다.The lengths W1 and W2 measured between the center C of the circle located in the active area A / A and the outermost contacts disposed on the stages are substantially .
스테이지의 최외곽 접점(Om1, Om2)들은 제1 최외곽 접점(Om1)과 제2 최외곽 접점(Om1)을 포함한다. 제2 최외곽 접점(Om2)은 제1 최외곽 접점(Om1)과 이격되어 배치된다. 제1 길이(W1)는 원의 중심(C)과 제1 최외곽 접점(Om1) 사이를 측정한 길이라고 정의하고, 제2 길이(W2)는 원의 중심(C)과 제2 최외곽 접점(Om2) 사이를 측정한 길이라고 정의한다.The outermost contacts Om1 and Om2 of the stage include a first outermost contact Om1 and a second outermost contact Om1. And the second outermost contact Om2 is disposed apart from the first outermost contact Om1. The first length W1 is defined as a length measured between the center C of the circle and the first outermost contact Om1 and the second length W2 is defined as the length measured between the center C of the circle and the second outermost contact (Om2).
제1 길이(W1)와 제2 길이(W2)가 미리 설정된 오차범위 내에 포함될 경우 제1 길이(W1)와 제2 길이(W2)는 동일하다라고 할 수 있다. 여기서 오차범위는 5%이내인 것이 바람직하다.When the first length W1 and the second length W2 are included within a predetermined error range, the first length W1 and the second length W2 may be said to be the same. Here, the error range is preferably within 5%.
제1 길이(W1)와 제2 길이(W2)가 미리 설정된 오차범위 내에서 동일한 길이를 가질 경우, 스테이지의 최외곽 접점들(Om1, Om2)을 연결한 형상은 실질적으로 원형에 가깝게 형성될 수 있다. GIP 회로(120)가 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 곡선 구간을 따라 원형 형상에 가깝게 배치됨으로써, 베젤 영역(BZ)에서 GIP 회로(120)에 이웃하는 저전위 라인부(Vss Line, 114)와의 이격거리 편차가 감소된다. 베젤 영역(BZ)은 이격거리의 편차가 감소된 만큼 GIP 회로(120)와 저전위 라인부(Vss Line, 114) 간의 이격거리를 줄일 수 있는 간격 마진을 가진다. 이에 따라, GIP 회로(120)에 이웃하는 저전위 라인부(Vss Line, 114) 간에 쇼트가 발생되지 않는 허용범위까지 GIP 회로(120)와 저전위 라인부(Vss Line, 114) 간의 이격거리를 최대한 줄일 수 있다. 따라서, 베젤 영역(BZ)은 잉여되는 공간을 용이하게 확보하고 이를 줄임으로써, 전체적인 폭을 효율적으로 줄일 수 있다.When the first length W1 and the second length W2 have the same length within a predetermined error range, the shape connecting the outermost contacts Om1 and Om2 of the stage may be formed to be substantially circular have. The
게다가, 제1 길이(W1)와 제2 길이(W2)가 미리 설정된 오차범위 내에서 동일한 길이를 가질 경우, 스테이지의 최외곽 접점들(Om1, Om2)을 연결한 형상은 실질적으로 원형에 가깝게 형성됨으로써, GIP 회로(120)의 가장자리를 따라 배치되는 저전위 라인부(114)도 균일하게 라우팅될 수 있다. 균일하게 라우팅되는 저전위 라인부(114)에 유기막을 형성하여 외부로부터 침투될 수 있는 수분 등으로부터 GIP 회로(120)를 보호할 수 있다.In addition, when the first length W1 and the second length W2 have the same length within a predetermined error range, the shape connecting the outermost contact points Om1 and Om2 of the stage is formed substantially close to a circle The low
이와 달리, 제1 길이(W1)와 제2 길이(W2)가 미리 설정된 오차범위 내를 벗어난 다른 길이를 가질 경우, 스테이지의 최외곽 접점들(Om1, Om2)을 연결한 형상은 상대적으로 각이 많은 다각형에 가깝게 형성될 수 있다. GIP 회로(120)가 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 곡선 구간을 따라 다각형 형상으로 배치됨으로써, 베젤 영역(BZ)에서 GIP 회로(120)에 이웃하는 저전위 라인부(Vss Line, 114)와의 이격거리 편차가 증가된다. 베젤 영역(BZ)은 이격거리의 편차가 증가된 만큼 GIP 회로(120)와 저전위 라인부(Vss Line, 114) 간에 빈 공간이 증가된다. 이에 따라, 베젤 영역(BZ)의 전체적인 폭을 줄이는데 한계가 발생한다.Alternatively, when the first length W1 and the second length W2 have different lengths out of the predetermined error range, the shape connecting the outermost contacts Om1 and Om2 of the stage is relatively angular It can be formed close to many polygons. The
상술한 바와 같이, 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)에 위치하는 원의 중심(C)과 스테이지들에 배치되는 각각의 최외곽 접점들(Om1, Om2) 사이를 측정한 길이가 미리 설정된 오차범위 내에서 실질적으로 같아짐으로써, 베젤 영역(BZ)의 폭을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 설계의 자유도를 개선할 수 있다.As described above, the length measured between the center C of the circle located in the active area (A / A) and the outermost contacts Om1 and Om2 disposed on the stages is set in advance The width of the bezel area BZ can be reduced and the degree of freedom of design can be improved.
도 15는 본 발명의 실시 예에 따라 고전위 라인부의 폭과 기준전압 라인부의 폭 간의 관계와 상,하반구에 배치되는 기준전압 라인부의 폭이 다른 것을 보여주는 도면이다.15 is a view showing a relationship between the width of the high-potential line portion and the width of the reference voltage line portion and the width of the reference voltage line portion disposed in the upper and lower hemispheres according to the embodiment of the present invention.
도 15를 살펴보면, 이형 표시패널(PNL, 110)은 상반구와 하반구로 나눠질 수 있다.Referring to FIG. 15, the release display panel (PNL) 110 can be divided into upper half and lower half.
상반구에는 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 상반구, 베젤 영역(BZ)의 상반구 및 이형 표시패널(PNL, 110)의 상반구를 포함하고, 하반구에는 이형 액티브 영역(Pixel Array, A/A)의 하반구, 베젤 영역(BZ)의 하반구 및 이형 표시패널(PNL, 110)의 하반구를 포함한다.The upper half of the mold active area (Pixel Array A / A), the upper half of the bezel area BZ and the upper half of the mold release display panel (PNL) 110, Array, A / A), a lower hemisphere of the bezel area BZ, and a lower hemisphere of the display panel (PNL) 110.
베젤 영역(BZ)의 상반구에 배치되는 고전위 라인부(112)의 폭(SP1)은 베젤 영역(BZ)의 상반구에 배치되는 기준전압 라인부(Vref Line, 113)의 폭(SP21)보다 크게 형성된다. 고전위 라인부(112)는 상반구에만 배치된다. 기준전압 라인부(Vref Line, 113)는 고전위 라인부(112)와 나란하게 배치되는 상반구에서는 고전위 라인부(112)의 폭(SP1)보다 작은 폭(SP21)으로 형성한다. 이와 같이, 상반구에서 기준전압 라인부(Vref Line, 113)의 폭(SP21)이 고전위 라인부(112)의 폭(SP1)보다 작게 형성함으로써, 베젤 영역(BZ)의 폭을 줄이면서도 고전위 라인부(VDD Line, 112)와 기준전압 라인부(113)를 모두 배치할 수 있다.The width SP1 of the high
또한, 베젤 영역(BZ)의 상반구에 배치되는 기준전압 라인부(Vref Line, 113)의 폭(SP21)은 베젤 영역(BZ)의 하반구에 배치되는 기준전압 라인부(Vref Line, 113)의 폭(SP22)보다 작게 형성된다. 고전위 라인부(112)가 하반구에 배치되지 않으므로, 기준전압 라인부(Vref Line, 113)의 폭이 커지더라도 일정한 폭을 가지는 베젤 영역(BZ)에 모두 포함될 수 있다.The width SP21 of the reference voltage line
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.
100 : 이형 표시 장치
110 : 이형 표시 패널
111 : 데이터 라우팅 배선
112 : 고전위 라인부
113 : 기준전압 라인부
114 : 저전위 라인부
115 : AP스위치 회로
116 : 더미 커패시터
117 : 고전위 등전위 인입부
118 : 기준전압 등전위 인입부
120 : 게이트 구동회로(GIP 회로)
140 : 데이터 구동회로(SIC)
140a : 연성회로기판
160 : 멀티플렉서(MUX)
161: 멀티플렉서(먹스) 클럭 배선
162 : 멀티플렉서(먹스) 스위치
180 : 패드부
100: mold release display device 110: mold release display panel
111: data routing wiring 112: high potential line portion
113: Reference voltage line section 114: Low potential line section
115: AP switch circuit 116: dummy capacitor
117: high potential equal potential input portion 118: reference voltage equal potential input portion
120: gate driver circuit (GIP circuit) 140: data driving circuit (SIC)
140a: Flexible circuit board 160: Multiplexer (MUX)
161: multiplexer (mux) clock wiring 162: multiplexer (mux) switch
180:
Claims (10)
상기 베젤 영역 상에서 상기 이형 액티브 영역의 곡선 라인을 따라 분산 배치되고, 공급되는 데이터전압을 시분할하여 상기 데이터라인들에 분배하는 멀티플렉서;를 포함하는 표시장치.A plurality of pixels in which scan lines and data lines are defined by being intersected with each other, and a deformed active region including a curved portion having a center (C) of the circle and a bezel region disposed outside the deformed active region Display panel;
And a multiplexer arranged to be distributed along the curved line of the mold active region on the bezel region and to distribute the supplied data voltage to the data lines by time division.
상기 멀티플렉서는 먹스제어신호에 응답하여 상기 데이터전압을 시분할하고, 시분할된 상기 데이터전압을 상기 데이터라인에 분배하는 멀티플렉서 스위치들;과
상기 멀티플렉서 스위치들과 전기적으로 연결되고, 상기 멀티플렉서 스위치 각각에 상기 먹스제어신호를 공급하는 멀티플렉서 클럭 배선;을 포함하고
상기 멀티플렉서 클럭 배선이 밴딩되는 밴딩 각도는 90도 이상 180도 미만인 표시장치.The method according to claim 1,
The multiplexer comprising: multiplexer switches for time-dividing the data voltage in response to a mux control signal and distributing the time-divided data voltage to the data line;
And a multiplexer clock wiring electrically connected to the multiplexer switches and supplying the mux control signal to each of the multiplexer switches
Wherein a bending angle at which the multiplexer clock wiring is bent is 90 degrees or more and less than 180 degrees.
상기 베젤 영역 상에서 밴딩되는 상기 멀티플렉서 클럭 배선을 따라 이격되어 배치되고, 데이터 구동회로에서 출력되는 데이터전압을 상기 픽셀들에 공급하는 데이터 라우팅 배선;
상기 데이터 라우팅 배선의 가장자리를 따라 배치되고, 전원발생부에서 출력되는 고전위 전원 전압을 상기 픽셀에 공급하는 고전위 라인부; 및
상기 고전위 라인부의 가장자리를 따라 배치되고, 상기 전원발생부로부터 상기 고전위 전원 전압보다 낮은 기준전압을 공급받아 상기 픽셀에 공급하는 기준전압 라인부;를 포함하는 표시장치.3. The method of claim 2,
A data routing wiring arranged to be spaced apart from the multiplexer clock wiring banded on the bezel region and supplying a data voltage output from the data driving circuit to the pixels;
A high potential line portion disposed along an edge of the data routing wiring and supplying a high potential power supply voltage output from the power generating portion to the pixel; And
And a reference voltage line unit arranged along an edge of the high potential line part and receiving a reference voltage lower than the high potential power supply voltage from the power generating unit and supplying the reference voltage to the pixel.
상기 기준전압 라인부의 가장자리를 따라 배치되고, 상기 스캔라인들에 스캔 펄스를 공급하는 게이트 구동회로;를 포함하고,
상기 원의 중심(C)과 상기 게이트 구동회로의 최외곽 접점들 중에서 이격된 제1 및 제2 최외곽 접점들 사이의 길이가 미리 설정된 오차범위 내에서 같은 것을 포함하는 표시장치.3. The method of claim 2,
And a gate driving circuit arranged along an edge of the reference voltage line part and supplying a scan pulse to the scan lines,
Wherein a length between the center (C) of the circle and the first and second outermost contacts spaced out of the outermost contacts of the gate driving circuit is the same within a predetermined error range.
상기 게이트 구동회로의 가장자리를 따라 배치되고, 상기 전원발생부로부터 상기 기준전압보다 낮은 저전위 전원 전압을 공급받아 픽셀에 공급하는 저전위 라인부;를 포함하는 표시장치.5. The method of claim 4,
And a low potential line portion disposed along an edge of the gate driving circuit and supplying a low potential power supply voltage lower than the reference voltage to the pixel from the power generating portion.
상기 데이터 라우팅 배선과 상기 멀티플렉서는 상기 이형 표시패널의 상반구에 배치되는 표시장치.The method according to claim 1,
And the data routing wiring and the multiplexer are disposed in the upper half of the mold release display panel.
상기 이형 액티브 영역과 상기 게이트 구동회로 사이에 배치되고, 상기 스캔라인들 및 상기 데이터라인들에 전기적으로 연결되어 상기 픽셀의 점등을 검사하기 위해 동작하는 AP스위치 회로를 포함하고,
상기 AP스위치 회로는 상기 이형 액티브 영역의 하반구에 배치되는 표시장치.The method according to claim 6,
And an AP switch circuit disposed between the mold active region and the gate driving circuit and electrically connected to the scan lines and the data lines to operate to check lighting of the pixels,
And the AP switch circuit is disposed in a lower half of the release active area.
상기 베젤 영역의 상반구에 배치되는 상기 고전위 라인부의 폭은 상기 베젤 영역의 상반구에 배치되는 상기 기준전압 라인부의 폭보다 크게 형성되는 표시장치.The method according to claim 6,
Wherein the width of the high potential line portion disposed in the upper half of the bezel region is larger than the width of the reference voltage line portion disposed in the upper half portion of the bezel region.
상기 베젤 영역의 상반구에 배치되는 상기 기준전압 라인부의 폭은 상기 베젤 영역의 하반구에 배치되는 상기 기준전압 라인부의 폭보다 작게 형성되는 표시장치.9. The method of claim 8,
Wherein a width of the reference voltage line portion disposed in a top half of the bezel region is smaller than a width of the reference voltage line portion disposed in a bottom half of the bezel region.
상기 고전위 라인부는 상기 데이터 라우팅 배선과 일정한 간격을 유지하면서 상기 데이터 라우팅 배선을 따라 배치되는 표시장치.5. The method of claim 4,
And the high-potential line portion is disposed along the data routing wiring while maintaining a predetermined gap with the data routing wiring.
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