KR20170061332A - 도광판의 미세 패턴 사출 시스템 - Google Patents

도광판의 미세 패턴 사출 시스템 Download PDF

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KR20170061332A
KR20170061332A KR1020150166212A KR20150166212A KR20170061332A KR 20170061332 A KR20170061332 A KR 20170061332A KR 1020150166212 A KR1020150166212 A KR 1020150166212A KR 20150166212 A KR20150166212 A KR 20150166212A KR 20170061332 A KR20170061332 A KR 20170061332A
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Abstract

금형(100) 내부에 수지가 주입되기 전에 진공시스템이 동작하여 러너 게이트부(311)와 캐비티(318) 내부 및 성형이 진행하는 과정 까지 가스 장치가 동작되고, 사출 성형 진행 사전의 가스와 사출 성형 진행 중 발생 가스 배출하게 되고, 상기 금형 내부 케비티(318) 주변에는 실링(312)을 통하여 밀봉이 되고. 캐비티(318) 근처의 진공 배관부에 진공 게이지(317)를 설치하여 캐비티 내부 진공도를 확인하고, 상기 진공도가 확인되면 제어부(315)의 제어로 진공콤퍼레샤(316)를 작동시켜 사출 과정에 설정된 진동도가 유지도도록 하고, 진공콤퍼레샤(316)는 배기구(313)를 통하여 가스를 배출하게 되며, 제어부(315)에 연결된 입력부(314)에 의하여 진공 동작 타임 조정이 가능하도록 되며, 진공 동작 타임은 0.5초 단위 미세 조정 가능하게 되어 진공 동작 타임의 범위는 범위는 5초 ∼ 2분이되므로서, 성형 시간이 단축되고, 품질이 향상되며, 진공 동작 타임 조정이 가능하도록 하면서도 결과적으로는 광학적 효율이 높은 투명 수지를 사출할 수 있도록 하는 도광판의 미세 패턴 사출 시스템을 제공할 수 있다.

Description

도광판의 미세 패턴 사출 시스템{The injection system of the light guide micro patterns.}
본 발명은 박판 도광판의 미세 패턴 사출 및 고광택 사출 시스템에 관한 것으로서, 더 자세하게는 사출시 수지에서 발생되는 가스 배출을 제어하여 도광판의 광학 특성을 개선하고자 하는 것,프라스틱 부품의 가스 발생에 의한 품질 개선(크랙,웰드,기포)이며, 또한 사출전의 가스 및 사출 성형 진행 중 발생하는 가스를 배출하여 수지 흐름을 향상 시킬 수 있도록 하는 박판 도광판의 미세 패턴 사출 시스템에 관한 것이다.
최근 들어 대면적 기능성 플라스틱 판재에 대한 산업적인 수요가 증가하고 있다. 특히 도광판이 적용되는 LCD(LED)의 수요가 급증하면서 미세한 광학패턴이 각인된 두께 0.2 ~ 4.0mm의 pc 및 PMMA 판재를 대량 생산할 필요가 생겼다. 한편, 박판 도광판 텍스쳐링 방법으로 다양한 방법이 제안되고 있으며, 이들 중 사출은 출광 효율이 우수한 프리즘 어레이형의 텍스처를 만들 수 있는 장점을 갖고 있으나 제품이 박판화시 발생하는 생산성 및 품질 저하의 문제점도 갖고 있다. 그러나 최근들어 RHCM (Rapid Heat Cycle Molding) 공정기술이 제안되어 박판 플레이트 제품의 사출 생산성 향상이 가능해졌다.
그리고, LCD 도광판 적용을 목표로 하는 사출 공정 개발에서는 광학 부품의 요구 특성에 대한 이해가 반드시 필요하다. 즉, 도광판의 가스 및 얼룩,휨에 의한 광특성 저하, 광학 패턴 형상에 대한 공간 불균일성(spatial non-uniformity of texture shape over display area), 플로우 마크 및 가스에 의한 화질상 얼룩 시인성, 치수 수축에 의한 조립성 저하 등이 예가 될 수 있다. 특히, 광학 패턴 형상에 대한 공간 불균일성은 디스플레이 제품의 휘도 및 휘도 균일도에 영향을 미치는 제일 인자로서 출광 효율 향상을 위한 패턴이 프리즘화될수록 박판 제품의 사출 전사 균일성 확보는 점점 어려워 진다. 그러므로, 사출전사 균일성과 광특성과의 상관 관계 조사를 통해 개발하고자 하는 사출 공정의 박판화에 대한 한계연구가 가능할 것이다.
또한, 일반적으로 사용 재질은 도광판 재질로 쓰이는 PMMA 및 pc가 사용되고, 일반사출 공정(Injection Molding:IM), 압축사출 공정(Injection Compression Molding: ICM), 급속가열압축사출 공정(Rapid Heat Injection Compression Molding, RHCM)에 의해 각각 제작될 수가 있다.
특히, 대한민국 공개 특허 제10-2006-0058123호에서는 “유효 굴절률을 변화시킴으로써 원하는 광학 특성을 실현하는 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판이며, 상기 표면 미세 구조에 대응하는 네가티브 패턴을 갖는 1개 이상의 내면을 구비한 셀 내에 메타크릴계 수지의 단량체 혼합물을 주입하는 주입 중합에 의해 형성된 메타크릴계 수지 캐스트판에서, 상기 단량체 혼합물이 메타크릴산메틸을 주요제로 하는 단량체 혼합물인 표면 미세 구조를 갖는 메타크 릴계 수지 캐스트판.”을 제공하고 있다.
그리고, 대한민국 공개 특허 제10-2008-0047407호에서는 “고정측 모형을 구비하여 구성된 고정측 금형 반부(mold-master)와, 가동측 모형을 구비하여 구성된 가동측 금형 반부와, 상기 고정측 모형에 부착된 고정측 라이너 및 상기 가동측 모형에 부착된 가동측 라이너로서, 캐비티면을 형성하는 개방측을 각각 구비하고, 상기 캐비티면으로부터 일정 거리의 위치에서 관통하여 형성된 복수의 열매체 통로를 구비하며, 열전도율이 20 내지 40W/(m·K)인 금속으로 이루어지고 15 내지 30㎜의 두께를 갖는 직사각형 판 형상인, 상기 고정측 라이너 및 상기 가동측 라이너와, 상기 라이너와 상기 모형 사이에 각각 개재된 단열판으로서, 각각 5W/(m·K) 이하의 열전도율을 갖는, 상기 단열판과, 상기 라이너의 역캐비티면의 양쪽 에지에 각각 부착된 한쌍의 열매체 매니폴드로서, 상기 라이너의 상기 열매체 통로와 연통하는, 상기 한쌍의 열매체 매니폴드와, 각각의 상기 라이너의 4개의 에지를 가압하여 각각 상기 모형에 고정시키는 복수의 가압 부재를 포함하는 금형.”을 제공한다.
그러나, 상기의 기술은 미세 구조의 형상을 금형화 하는 방법을 제시하는 것이며, 수지 사출시 발생하는 가스를 제어하는 방법을 제공하고 있는 것은 아니다. 따라서 수지 발생시 가스를 제거하는 방법을 제시할 필요성이 절실한 실정이다.
인용문헌 1: 대한민국공개특허 10-2006-0058123, 공개일(2006년05월29일) 인용문헌 2: 대한민국공개특허 10-2008-0047407, 공개일(2008년05월28일)
본 발명의 목적은, 사출전의 가스 및 사출 성형 진행 중 발생하는 가스를 배출하여 수지 흐름을 향상시킬 수 있도록 하고, 가스 배출 효과를 증대시켜 가스에 의한 얼룩 및 웰드 레스 발생을 개선하고자 사용자가 진공 동작 위치 조건 및 동작 시간을 별도 셋팅 할 수 있도록 하여, 결과적으로 고광택, 크랙 최소화 및, 기포 방지가 가능하고 광학적 효율이 높은 제품을 제조할 수 있도록 하는 도광판의 미세 패턴 사출 시스템을 제시하고자 한다.
상기 목적은, 금형(100) 내부에 수지가 주입되기 전에 진공시스템이 동작하여 러너 게이트부(311)와 캐비티(318) 내부 및 성형이 진행하는 과정 까지 가스 배출 장치가 동작되고, 상기 진공 시스템은 제어부(315), 진공 콤퍼레샤(316) 및, 배기구(313)로 구성되며, 사출 성형 진행 전 캐비티내 잔류 가스와 사출 성형 진행 중 발생되는 가스를 배출하게 되고, 상기 금형 내부 케비티(318) 파팅 주변 및 분할 코아(제품 성형부)하측부에는 실링(312)을 통하여 밀봉이 되고. 캐비티(318) 근처의 센스의 동작으로 진공 배관부에 진공 게이지(317)를 설치하여 캐비티 내부 진공도가 신속하게(0.5초이내 동작) 확인하고, 상기 진공도가 확인되면 제어부(315)의 제어로 진공 콤퍼레샤(316)를 작동시켜 사출 과정에 설정된 진공도가 유지되도록 하고, 진공콤퍼레샤(316)는 배기구(313)를 통하여 가스를 배출하게 되며, 제어부(315)에 연결된 입력(314)에 의하여 진공 동작 타임 조정이 가능하도록 되며, 진공 동작 타임은 0.5초 단위 미세 조정 가능하게 되어 진공 동작 타임의 범위는 범위는 0.5초 ～ 2분이 되므로서 달성된다.
그리고, 상기 도광판의 미세 패턴 사출 시스템에서 사용되는 도광판은, 상기 도광판(212)의 두께 C 는 0.2 mm ～ 2 mm 이고, 도광판에 프리즘이 형성될 때 상기 프리즘의 높이와 폭은 각각 0.003 mm ～ 0.01 mm 의 범위를 가진다,
또한, 상기 프리즘(214)은 단면이 특정한 굴곡을 가지는 격자(grating)로 되어 있으며, 단면을 이루는 굴곡의 최소한 하나의 접선이 도광판의 수직방향(y축)과 이루는 각(θa/2)은 30°에서 60°의 범위를 가진다.
본 발명에 따르면, 사출 성형 시간이 단축되고, 가스 배출이 원활해지므로 미세 패턴 전사성 개선으로 필요로 하는 품질(휘도,가스 얼룩無,휨,두께,화면 밝기등)이 향상되며, 진공 동작 타임 조정이 가능하도록 하면서도 결과적으로는 광학적 효율이 높은 투명 수지를 사출할 수 있도록 하는 박판 도광판의 미세패턴 사출 시스템을 제공할 수 있다.
또한, 고광택 외관 케이스 및 프라스틱 렌즈등 가스가 많이 발생되는 pps,peek,lcp,pc,나이론,pbt수지등의 소재를 사용하는 부품의 품질(크랙,웰드레스,기포 방지,강도)이 양호한 제품을 생산할 수 있다.
도 1과 도 2는 진공으로 가스를 배출하는 종래의 사출 금형을 나타낸 실시예의 도면이다.
도 3과 도 4는 본원 발명으로 사출 제작하는 광학 부품을 나타낸 실시예의 도면이다,
도 5는 본원 발명에서 적용되는 진공 배기 구조를 나타낸 실시예의 도면이다,
도 6은 도광판의 두께와 도광판에 형성된 미세 프리즘의 크기를 나타낸 실시예의 도면이다.
도 7은 도광판에 형성된 프리즘의 형상을 나타낸 실시예의 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세하게 설명한다. 본 발명의 구성 및 그에 따른 작용 효과는 이하의 상세한 설명을 통해 명확하게 이해될 것이다.
또한 공지된 기술 구성에 대해서는 구체적인 설명은 생략할 수도 있다.
도광판 미세 패턴시 좋은 사출을 이루어 내게 되면 전사율이 높아지고, 결과적으로 백라이트 휘도균일도 및 상대휘도에 대한 증가를 나타내게 되며, 본원 발명은 이러한 목적을 달성하기 위한 사출 시스템을 제공하고자 하는 것이다.
도 1과 도 2는 진공으로 가스를 배출하는 종래의 사출 금형을 나타낸 실시예의 도면이다.
종래 진공성형구조를 구비한 금형(1)은, 단열판(11) - 상고정판(12) - 런너스트립퍼판(13) - 상원판(14) - 하원판(15) - 받침판(16) - 다리(17) - 하고정판(18) - 단열판(19) 등의 순으로 조립작동되는 다수 부재 및 밀판베이스(42)로 이루어지는 외곽을 형성하는 구성요소들과, 상기 상원판(14)과 하원판(15)에 장착되는 코어(31)(32)와 밀판(41) 등을 포함하여 이루어지는 금형구조에 있어서, 상기 외곽을 형성하는 구성요소들의 조립접속부에 금형의 내부 공간을 밀폐하기 위한 고무링(50)을 부여하고, 용융수지의 주입시, 사출물(M)의 형상을 이루는 코어의 내부공간(33)을 포함하는 금형의 내부 공간에 존재하는 가스 및 공기를 빼내어 진공으로 형성하기 위한 가스빼기장치인 콤푸레셔 등의 진공흡입수단 (70)을 별도로 부여하여 이루어진다. 이에 따라, 상기 조립작동되는 상고정판(12), 런너스트립퍼판(13), 상원판(14), 하원판(15), 받침판(16),다리(17), 하고정판(18) 및 밀판베이스(42)에는 조립 접속면 소정위치에 상기 고무링(50)을 장착하기 위한 요홈(51)이 형성된다.
상기 외곽을 형성하는 구성요소 중 어느 하나에는 상기 진공흡입수단(70)의 관로를 위하여, 통공(60)을 형성하고, 진공흡입수단의 흡입관(71)을 연결조립토록 함이 바람직하다. 미설명 부호 143은 리턴핀이고, 145는 소리턴핀이며, 취출핀은 생략되었다.
상기한 구성을 지닌 본 고안에 따른 진공성형구조를 구비한 금형은, 외부와 연통되는 모든 구성부재들의
접속부에 내부가 밀폐되도록 고무링(50)을 장착하고, 내부 공간에 발생, 존재하는 가스 및 공기를 순간적으로 흡입해내어 금형내부를 진공상태로 만드는 진공흡입수단(70)을 부여함으로써, 용융수지의 주입이 진공흡입력에 의하여 극히 순간적으로 금형 공간에 이루어지게 되어, 주입소요시간을 비교할 수 없을 정도로 단축시키고, 이에 따라, 예컨대, 극세박판형상의 미세형상부의 성형도 주입속도가 경화속도보다 빠르게 되어, 주입이 확실히 이루어진 후 경화가 일어나게 됨으로써, 극히 얇은 박판부가 다수 구비된 반도체의 아이씨 소켓 등과 같은 정밀제품도 의도하는 정확한 형상 모양으로 사출해 낼 수 있도록 하는 것이다.
도 3과 도 4는 본원 발명으로 사출 제작하는 광학 부품을 나타낸 실시예의 도면이다,
본원 발명의 사출 시스템이 사출하는 광하 부품이 적용되는 예로서, 미세 프리즘(214)이 형성된 도광판(212)의 한쪽 측면에 광원인 길이 방향(z축)으로 연장된 LED 램프(211)가 위치하고, 도광판(212) 밑에는 빛의 산란과 반사를 동시에 수행하는 반사판(213)이 배치되어 있다. 도광판(212) 위쪽에는 도 4 같이 프리즘 모서리가 Z-축과 수직으로 형성된 프리즘판(215) 그리고 확산판(216)이 차례로 적층하도록 구성한다. 확산판 (16) 위에는 LCD 패널(도시하지 않음)이 적층된다.
도광판(212)의 밑면에는 미세 프리즘(214) 형성되어 있으며, 미세 프리즘 (24)의 미세 프리즘 각각은 격자의 형태로 되어있고, 원 또는 다각형의 무늬를 이루며 형성되어 있다.
미세 프리즘(14)은 단면이 특정한 굴곡을 가지는 격자(grating)로 되어 있으며, 단면을 이루는 굴곡의 최소한 하나의 접선이 도광판의 수직방향(y축)과 이루는 각(θa/2)은 30°에서 60°의 범위 내에 있다. 즉, 미세 프리(214)의 단면에서 산의 각도 θa는 60° ~ 120°의 각도 범위로 형성하여 도광판의 xz 평면에 수평하게 입사하는 광(R1)에 대하여서는 전반사에 의해 y축에 근접한 방향으로 반사하도록 하고 기타의 입사각(R2)에 대하여서는 회절에 의해 y 축에 근접한 방향으로 산란하도록 하는 역할을 한다.
도 5는 본원 발명에서 적용되는 진공 배기 구조를 나타낸 실시예의 도면이다,
본원 발명에서는 금형(100) 내부에 수지가 주입되기 전에 진공시스템이 동작하여 러너 게이트부(311)와 캐비티(318) 내부 및 성형이 진행하는 과정 까지 가스 장치가 동작되므로, 사출 성형 진행 사전의 가스와 사출 성형 진행 중 발생 가스 배출하게 된다. 그리고, 수지를 진공으로 흡입하는 과정에서 수지 흐름도 향상 시키게 된다. 또한, 러너 게이트부(311)를 통해 인젝션 성형부(310) 성형이 이루어지며, 내부 케비티(318) 주변에는 실링(312)을 통하여 밀봉이 된다,
즉, 금형(100) 내부에 수지가 주입되기 전에 진공시스템이 동작하여 러너 게이트부(311)와 캐비티(318) 내부 및 성형이 진행하는 과정 까지 가스 배출 장치가 동작되고, 상기 진공 시스템은 제어부(315), 진공 콤퍼레샤(316) 및, 배기구(313)로 구성된다. 그리고, 사출 성형 진행 전 캐비티내 잔류 가스와 사출 성형 진행 중 발생되는 가스를 배출하게 되고, 상기 금형 내부 케비티(318) 파팅 주변 및 제품 성형부(310)(분할 코아)하측부에는 실링(312)을 통하여 밀봉이 되고. 캐비티(318) 근처의 센서의 동작으로 작동하는 진공 게이지(317)를 진공 배관부에 설치하여 캐비티 내부 진공도가 신속하게(0.5초이내 동작) 확인하고, 상기 진공도가 확인되면 제어부(315)의 제어로 진공 콤퍼레샤(316)를 작동시켜 사출 과정에 설정된 진공도가 유지되도록 하고, 진공콤퍼레샤(316)는 배기구(313)를 통하여 가스를 배출하게 되며, 제어부(315)에 연결된 입력부; 센스(314)에 의하여 진공 동작 타임 조정이 가능하도록 되며, 진공 동작 타임은 0.5초 단위 미세 조정 가능하게 되어 진공 동작 타임의 범위는 범위는 0.5초 ～ 2분이 된다.
결과적으로, 캐비티(318) 근처의 진공 배관부에 진공 게이지(317)를 설치하여 캐비티 내부 진공도를 확인하고, 상기 진공도가 확인되면 제어부(315)의 제어로 진공콤퍼레샤(316)를 작동시켜 사출 과정에 설정된 진동도가 유지도도록 한다, 이때, 진공콤퍼레샤(316)는 배기구(313)를 통하여 가스를 배출하게 된다,
아울러, 제어부(315)에 연결된 입력부(314)에 의하여 진공 동작 타임 조정이 가능하도록 되며, 진공 동작 타임은 0.5초 단위 미세 조정 가능하게 된다, 그리고, 진공 동작 타임의 범위는 범위는 5초 ∼ 2분 이 적당하다,
상기의 진공 배기 구조를 통하여 성형 시간이 15% ∼ 25% 단축된다. 이때 성형 시간 단축은 성형 면적에 따라 차이를 보이게 된다. 그리고, 고광택을 유지할 수 있고 전사율도 높아지는 성형 품질 향상이 이루어진다.
아울러, 대부분 진공 장치가 사출기의 본체 시그널에 의해 동작하게 됨으로써 초기 진공도 저하로 진공 가스 배출 효과가 미미하지만, 본원 발명의 사출기는 신호가 아닌 제3의 별도 신호로 진공 동작이 신속(0.5초내)하게 이뤄짐으로써 가스 배출 효과를 증대시키며 사용자가 진공 동작 위치 조건 및 동작 시간을 별도 셋팅 할 수 있는 장점을 가지게 된다,
도 6은 도광판의 두께와 도광판에 형성된 미세 프리즘의 크기를 나타낸 실시예의 도면이다.
그리고, 상기 도광판의 미세 패턴 사출 시스템에서 사용되는 도광판은, 상기 도광판(212)의 두께 C 는 0.2 mm ～ 2 mm 이고, 도광판에 프리즘이 형성될 때 상기 프리즘의 높이와 폭은 각각 0.003 mm ～ 0.01 mm 의 범위를 가진다,
도 7은 도광판에 형성된 프리즘의 형상을 나타낸 실시예의 도면이다.
도시된 바와 같이, 미세 프리즘(214)은 단면이 특정한 굴곡을 가지는 격자(grating)로 되어 있으며, 단면을 이루는 굴곡의 최소한 하나의 접선이 도광판의 수직방향(y축)과 이루는 각(θa/2)은 30°에서 60°의 범위 내에 있다. 즉, 미세 프리즘(214)의 단면에서 산의 각도 θa는 60° ~120°의 각도 범위로 형성하여 도광판의 xz 평면에 수평하게 입사하는 광(R1)에 대하여서는 전반사에 의해 y축에 근접한 방향으로 반사하도록 하고 기타의 입사각(R2)에 대하여서는 회절에 의해 y 축에 근접한 방향으로 산란하도록 하는 역할을 한다. 또한, 미세 프리(214')의 단면의 형상이 좌우 대칭으로 도시되어 있으나 반드시 좌우 대칭으로 한정되는 것은 아니다.
예를들어,만일 평균 전사율을 5% 단위로 낮추어가며 광해석을 실시하여 보면, 그리고 대량 생산시 휘도 및 휘도 균일도 산포가 2~3% 임을 감안하면 사출 공정에 의한 평균 전사율이 적어도 95% 이상은 되어야, 본원 발명에서 적용되는 광학 패턴에서 원하는 효율을 얻을 수가 있게 된다. 그리고, 이러한 결과를 얻기 위해서 진공 시간을 조절할 수 있는 시스템을 적용하는 것은 사출 공정 개발시 평균 전사율의 한계치에 대한 좋은 가이드라인이 된다.
그리고, IM, ICM, RHCM 공정에 의해 만들어진 패턴의 전사율이 30%를 보이는 경우도 존재하고 경우에 따라서는 53% 혹은 72%, 또는 평균적으로 60% 대의 전사율 보이는 경우가 많게 되므로 본원 발명으로 달성되는 95% 는 상당히 좋은 효율을 제공할 수 있는 방편이 된다.
100 : 금형 311 : 게이트부
318 : 캐비티 310 : 인젝션 성형부
318 : 내부 케비티 312 : 실링
315 : 제어부 314 : 입력부

Claims (3)

  1. 금형(100) 내부에 수지가 주입되기 전에 진공시스템이 동작하여 러너 게이트부(311)와 캐비티(318) 내부 및 성형이 진행하는 과정 까지 가스 배출 장치가 동작되어, 사출 성형 진행 전 캐비티내 잔류 가스와 사출 성형 진행 중 발생되는 가스를 배출하게 되고, 상기 진공 시스템은 제어부(315), 진공 콤퍼레샤(316) 및, 배기구(313)로 구성되며,
    상기 금형 내부 케비티(318) 파팅 주변 및 제품 성형부(310) 하측부에는 실링(312)을 통하여 밀봉이 되고. 캐비티(318) 근처의 센서의 동작으로 작동하는 진공 게이지(317)를 진공 배관부에 설치하여 캐비티 내부 진공도가 확인되고,
    상기 진공도가 확인되면 제어부(315)의 제어로 진공 콤퍼레샤(316)를 작동시켜 사출 과정에 설정된 진공도가 유지되도록 하고, 진공콤퍼레샤(316)는 배기구(313)를 통하여 가스를 배출하게 되며,
    제어부(315)에 연결된 입력부(314)에 의하여 진공 동작 타임 조정이 가능하도록 되며, 진공 동작 타임은 0.5초 단위 미세 조정 가능하게 되어 진공 동작 타임의 범위는 범위는 0.5초 ～ 2분이 되는 것을 특징으로 하는 도광판의 미세 패턴 사출 시스템.
  2. 제 1항에 있어, 상기 도광판의 미세 패턴 사출 시스템에서 사용되는 도광판은, 상기 도광판(212)의 두께 C 는 0.2 mm ～ 2 mm 이고, 도광판에 프리즘이 형성될 때 상기 프리즘의 높이와 폭은 각각 0.003 mm ～ 0.01 mm 의 범위를 가지는 것을 특징으로 하는 도광판의 미세 패턴 사출 시스템.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 프리즘(214)은 단면이 특정한 굴곡을 가지는 격자(grating)로 되어 있으며, 단면을 이루는 굴곡의 최소한 하나의 접선이 도광판의 수직방향(y축)과 이루는 각(θa/2)은 30°에서 60°의 범위를 가지는 것을 특징으로 하는 도광판의 미세 패턴 사출 시스템.
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