KR20170038344A - Organic Light Emitting Diode Display Device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 조도센서를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode display device, and more particularly, to an organic light emitting diode display device including an illuminance sensor.
평판표시장치(flat panel display: FPD) 중 하나인 유기발광다이오드(organic light emitting diode: OLED) 표시장치는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 갖는다. An organic light emitting diode (OLED) display device, which is one of a flat panel display (FPD), has high luminance and low operating voltage characteristics.
그리고, 스스로 빛을 내는 자체 발광형이기 때문에 대조비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(micro second) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류 5 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.In addition, since it is a self-emitting type that emits light by itself, it has a large contrast ratio, can realize an ultra-thin display, has a response time of several microseconds, is easy to realize a moving image, And is driven at a low voltage of 5 to 15 V of direct current, so that it is easy to manufacture and design a driving circuit.
또한, 유기발광다이오드 표시장치의 제조공정은 증착(deposition) 및 인캡슐레이션(encapsulation)이 전부라고 할 수 있기 때문에, 제조공정이 매우 단순하다. In addition, since the manufacturing process of the organic light emitting diode display device is all of deposition and encapsulation, the manufacturing process is very simple.
최근, 조도센서를 이용하여 주변조도를 감지하고, 주변조도가 상대적으로 낮은 경우에는 출력휘도를 감소시켜 소비전력을 절감하고, 주변조도가 상대적으로 높은 경우에는 출력휘도를 증가시켜 시인성을 개선하는 유기발광다이오드 표시장치가 개발되고 있다. In recent years, when the ambient illuminance is detected by using the ambient light sensor and the ambient illuminance is relatively low, the output brightness is reduced to reduce the power consumption. When the ambient illuminance is relatively high, A light emitting diode display device is being developed.
이러한 유기발광다이오드 표시장치에서는, 화소영역의 박막트랜지스터와 동일한 공정을 통하여 비표시영역에 형성되는 박막트랜지스터를 조도센서로 이용할 수 있는데, 이를 도면을 참조하여 설명한다. In such an organic light emitting diode display device, a thin film transistor formed in a non-display region through the same process as a thin film transistor in a pixel region can be used as an illuminance sensor, which will be described with reference to the drawings.
도 1은 종래의 유기발광다이오드 표시장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a conventional organic light emitting diode display.
도 1에 도시한 바와 같이, 종래의 유기발광다이오드 표시장치(10)는, 서로 마주보며 이격되는 제1 및 제2기판(20, 80)과, 제1 및 제2기판(20, 80) 사이의 씰층(82)을 포함하는데, 제1 및 제2기판(20, 80)은 다수의 화소영역(미도시)을 이용하여 영상을 표시하는 표시영역(DA)과, 표시영역(DA)을 둘러싸는 비표시영역(NDA)을 포함한다.1, a conventional organic light emitting
그리고, 제1기판(20) 내면의 표시영역(DA)의 각 화소영역에는, 화소트랜지스터(Tp)와 빛을 방출하는 발광다이오드(De)가 형성되고, 제1기판(20) 내면의 비표시영역(NDA)에는 센싱트랜지스터(Ts)가 형성된다. A pixel transistor Tp and a light emitting diode De that emits light are formed in each pixel region of the display area DA on the inner surface of the
구체적으로, 제1기판(20) 상부의 표시영역(DA)에는 차광층(22)이 형성되고, 차광층(22) 상부의 제1기판(20) 전면에는 버퍼층(24)이 형성되는데, 차광층(22)은 후속공정에서 형성되는 반도체층(26)으로 입사되는 빛을 차단하는 역할을 한다. A
차광층(22)에 대응되는 버퍼층(24) 상부에는 반도체층(26)이 형성되고, 반도체층(26) 상부의 제1기판(20) 전면에는 게이트절연층(28)이 형성되는데, 반도체층(24)은 순수 반도체물질로 이루어지고 중앙에 위치하는 액티브영역과, 불순물 반도체물질로 이루어지고 액티브영역의 좌우에 위치하는 소스영역 및 드레인영역을 포함한다.A
반도체층(26)에 대응되는 게이트절연층(28) 상부에는 게이트전극(30)이 형성되고, 게이트전극(30) 상부의 제1기판(20) 전면에는 층간절연층(32)이 형성되는데, 층간절연층(32) 및 게이트절연층(28)은 반도체층(26)의 소스영역 및 드레인영역을 각각 노출하는 제1 및 제2콘택홀을 포함한다. A
반도체층(26)에 대응되는 층간절연층(32) 상부에는 서로 이격되는 소스전극(34) 및 드레인전극(36)이 형성되는데, 소스전극(34) 및 드레인전극(36)은 각각 제1 및 제2콘택홀을 통하여 반도체층(26)의 소스영역 및 드레인영역에 연결된다.A
여기서, 반도체층(26), 게이트전극(30), 소스전극(34) 및 드레인전극(36)은 화소트랜지스터(Tp)를 구성한다. Here, the
그리고, 제1기판(20) 상부의 비표시영역(NDA)에는, 표시영역(DA)의 화소트랜지스터(Tp)와 유사하게, 차광층(52), 버퍼층(24), 반도체층(54), 게이트절연층(28), 게이트전극(56), 층간절연층(32), 소스전극(58) 및 드레인전극(60)이 순차적으로 형성되고, 반도체층(54), 게이트전극(56), 소스전극(58) 및 드레인전극(60)은 센싱트랜지스터(Ts)를 구성한다. The
화소트랜지스터(Tp) 및 센싱트랜지스터(Ts) 상부에는 보호층(38)이 형성되는데, 보호층(38)은 화소트랜지스터(Tp)의 소스전극(34)을 노출하는 제3콘택홀을 포함한다. A
보호층(38) 상부의 표시영역(DA)에는 제1전극(40)이 형성되는데, 제1전극(40)은 제3콘택홀을 통하여 소스전극(34)에 연결된다. A
보호층(38) 상부에는 제1전극(40)의 가장자리를 덮는 뱅크층(42)이 형성되는데, 뱅크층(42)은 제1전극(40)의 중앙을 노출하는 개구부를 포함한다. A
뱅크층(42)의 개구부를 통하여 노출되는 제1전극(40) 상부에는 발광층(44)이 형성되는데, 발광층(44)은 빛을 방출한다. A
발광층(44) 상부의 제1기판(20) 전면에는 제2전극(46)이 형성된다. A second electrode (46) is formed on the entire surface of the first substrate (20) above the light emitting layer (44).
여기서, 제1전극(40), 발광층(44) 및 제2전극(46)은 발광다이오드(De)를 구성한다. Here, the
이러한 유기발광다이오드 표시장치(10)는, 비표시영역(NDA)의 센싱트랜지스터(Ts)를 이용하여 주변조도를 감지하고, 감지된 주변조도에 따라 표시영역(DA)의 발광다이오드(De)의 구동전압을 조절하여 출력휘도를 변경시킨다. The organic light emitting diode display 10 senses the ambient illuminance using the sensing transistor Ts of the non-display area NDA and detects the ambient illuminance of the light emitting diode De of the display area DA according to the sensed ambient illuminance. The driving voltage is adjusted to change the output luminance.
센싱트랜지스터(Ts)의 반도체층(54)으로 입사되는 빛의 양에 따라 센싱트랜지스터(Ts)의 오프전류(off-current)가 변화하므로, 이러한 오프전류를 측정하여 주변조도를 감지할 수 있다.The off-current of the sensing transistor Ts changes according to the amount of light incident on the
그런데, 센싱트랜지스터(Ts)는 게이트전극(56)이 반도체층(54) 상부에 형성되는 탑게이트(top gate) 타입이므로, 외부광이 게이트전극(56), 소스전극(58), 드레인전극(60) 등에 의하여 차단되어 반도체층(54)으로 입사되기 어렵고, 그 결과 센싱트랜지스터(Ts)의 감지 정확도가 저하되는 문제가 있다. Since the sensing transistor Ts is a top gate type in which the
또한, 발광다이오드(De)는 제1전극(40)은 반사율이 높고 제2전극(46)은 투과율이 높은 상부발광(top emission) 타입이므로, 외부광이 제1전극(40)에 의하여 차단되어 반도체층(54)으로 입사되기 어렵고, 그 결과 센싱트랜지스터(Ts)의 감지 정확도가 저하되는 문제가 있다.Since the
그리고, 발광다이오드(De)로부터 방출되는 내부광이 다양한 광경로를 통하여 반도체층(54)으로 입사되고, 그 결과 센싱트랜지스터(Ts)의 감지 정확도가 저하되는 문제가 있다.The internal light emitted from the light emitting diode De is incident on the
예를 들어, 제1 내지 제5외부광(EL1 내지 EL5)이 센싱트랜지스터(Ts)로 입사되는 경우, 제1 내지 제3외부광(EL1 내지 EL3)은 게이트전극(56), 소스전극(58), 드레인전극(60)에 의하여 반사되어 반도체층(54)에 도달하지 못하고, 제4 및 제5외부광(EL4, EL5)만이 반도체층(54)으로 입사되므로, 센싱트랜지스터(Ts)의 수광량이 감소하고 감지 정확도가 저하된다. For example, when the first to fifth external lights EL1 to EL5 are incident on the sensing transistor Ts, the first to third external lights EL1 to EL3 are applied to the
그리고, 발광다이오드(De)가 제1 내지 제5내부광(IL1 내지 IL5)을 방출하는 경우, 제1내부광(IL1)은 전면으로 방출되어 영상표시에 이용되고, 제2 및 제3내부광(IL2, IL3)은 측면으로 방출되어 소멸되지만, 제4 및 제5내부광(IL4, IL5)은 굴절, 반사 등에 의한 다양한 광경로를 통하여 반도체층(54)으로 입사되므로, 센싱트랜지스터(Ts)가 오작동하고 센싱트랜지스터(Ts)의 감지 정확도가 저하된다. When the light emitting diode De emits the first to fifth internal lights IL1 to IL5, the first internal light IL1 is emitted to the front and used for image display, and the second and third internal lights IL1, The fourth and fifth internal light sources IL4 and IL5 are incident on the
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 제시된 것으로, 센싱트랜지스터 주위에 반사패턴을 형성하여 센싱트랜지스터에 입사되는 외부광의 광량을 증가시키고 내부광의 광량을 감소시킴으로써, 센싱트랜지스터의 감지 정확도가 개선되고 소비전력이 절감되고 시인성이 개선되는 유기발광다이오드 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve such a problem, and it is an object of the present invention to provide a semiconductor light emitting device and a method of manufacturing the same, in which a reflection pattern is formed around a sensing transistor to increase the amount of external light incident on the sensing transistor, And an organic light-emitting diode display device in which the visibility is improved.
위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명은, 영상을 표시하는 표시영역과 상기 표시영역을 둘러싸는 비표시영역을 포함하는 기판과, 상기 기판 상부의 상기 표시영역에 배치되는 화소트랜지스터와, 상기 기판 상부의 상기 비표시영역에 배치되는 센싱트랜지스터와, 상기 화소트랜지스터 및 상기 센싱트랜지스터 상부에 배치되고, 상기 표시영역에 인접한 상기 센싱트랜지스터의 일측에 배치되는 제1홈을 포함하는 보호층과, 상기 센싱트랜지스터와 마주보는 상기 제1홈의 제1측벽 또는 상기 센싱트랜지스터에 인접한 상기 제1홈의 제2측벽 상부에 배치되는 제1반사패턴과, 상기 보호층 상부의 상기 표시영역에 형성되는 발광다이오드를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a display device including a substrate including a display region for displaying an image and a non-display region surrounding the display region, a pixel transistor disposed in the display region above the substrate, A protection layer disposed on the pixel transistor and the sensing transistor and including a first groove disposed on one side of the sensing transistor adjacent to the display region; A first reflection pattern disposed on a first sidewall of the first groove facing the transistor or on a second sidewall of the first groove adjacent to the sensing transistor, and a light emitting diode formed on the display region above the protection layer, And an organic light emitting diode (OLED) display device.
그리고, 상기 발광다이오드는 상기 보호층 상부에 순차적으로 배치되는 제1전극, 발광층 및 제2전극을 포함하고, 상기 제1반사패턴은 상기 제1전극과 동일층, 동일물질로 이루어질 수 있다.The light emitting diode includes a first electrode, a light emitting layer, and a second electrode sequentially disposed on the protective layer, and the first reflective pattern may be formed of the same layer and the same material as the first electrode.
또한, 상기 제1반사패턴은, 상기 제1홈의 상기 제1측벽 상부에 배치되고, 상기 보호층 상부로 연장되어 상기 제1전극에 연결될 수 있다.The first reflection pattern may be disposed on the first sidewall of the first groove, and may extend to an upper portion of the protection layer to be connected to the first electrode.
그리고, 상기 기판 상부에는 차광층 및 버퍼층이 순차적으로 배치되고, 상기 센싱트랜지스터는 상기 차광층에 대응되는 상기 버퍼층 상부에 순차적으로 배치되는 반도체층, 게이트절연층, 게이트전극, 층간절연층, 소스전극 및 드레인전극을 포함하고, 상기 층간절연층, 상기 게이트절연층 및 상기 버퍼층 중 적어도 하나는 상기 제1홈을 포함할 수 있다.The sensing transistor includes a semiconductor layer sequentially disposed on the buffer layer corresponding to the light-shielding layer, a gate insulating layer, a gate electrode, an interlayer insulating layer, a source electrode And a drain electrode, and at least one of the interlayer insulating layer, the gate insulating layer, and the buffer layer may include the first groove.
그리고, 상기 유기발광다이오드 표시장치는, 상기 센싱트랜지스터에 대응되는 상기 보호층 상부에 배치되는 제2반사패턴을 더 포함할 수 있다. The organic light emitting diode display may further include a second reflection pattern disposed on the protection layer corresponding to the sensing transistor.
또한, 상기 유기발광다이오드 표시장치는, 상기 제1홈 주위의 상기 보호층에 배치되는 돌출부를 더 포함할 수 있다.In addition, the organic light emitting diode display may further include a protrusion disposed on the protective layer around the first groove.
그리고, 상기 제1반사패턴은, 상기 돌출부의 양측벽 및 상면 상부에 배치되거나, 상기 제1홈의 상기 제1측벽에 인접한 상기 돌출부의 일측벽 및 상면 상부에 배치되거나, 상기 제1홈의 상기 제1측벽에 인접한 상기 돌출부의 일측벽 상부에 배치될 수 있다.The first reflective pattern may be disposed on both side walls of the protrusion and on an upper surface of the protrusion or on one side wall and upper surface of the protrusion adjacent to the first side wall of the first groove, And may be disposed on one side wall of the protrusion adjacent to the first side wall.
또한, 상기 보호층은 상기 센싱트랜지스터의 타측에 배치되는 제2홈을 더 포함하고, 상기 센싱트랜지스터와 마주보는 상기 제2홈의 제1측벽 상부에는 제3반사패턴이 배치될 수 있다.In addition, the protective layer may further include a second groove disposed on the other side of the sensing transistor, and a third reflective pattern may be disposed on the first sidewall of the second groove facing the sensing transistor.
그리고, 상기 제1반사패턴은, 상기 제1홈의 상기 제2측벽 상부에 배치되고, 상기 보호층 상부로 연장되어 상기 센싱트랜지스터의 일부 또는 전부를 덮을 수 있다.The first reflection pattern may be disposed on the second sidewall of the first groove, and may extend over the protection layer to cover a part or all of the sensing transistor.
또한, 상기 센싱트랜지스터는 다수개가 일렬로 배치되고, 상기 보호층은 상기 센싱트랜지스터 사이에 배치되는 제3홈을 더 포함하고, 상기 제3홈의 제1 및 제2측벽 상부에는 각각 제4 및 제5반사패턴이 배치될 수 있다.The sensing transistor further includes a plurality of sensing transistors arranged in a line, and the protection layer further includes a third groove disposed between the sensing transistors, and upper and lower sides of the third and fourth sidewalls, respectively, 5 reflection patterns may be disposed.
본 발명은, 센싱트랜지스터 주위에 반사패턴을 형성하여 센싱트랜지스터에 입사되는 외부광의 광량을 증가시키고 내부광의 광량을 감소시킴으로써, 센싱트랜지스터의 감지 정확도가 개선되고 유기발광다이오드 표시장치의 소비전력이 절감되고 시인성이 개선되는 효과를 갖는다. According to the present invention, by forming a reflection pattern around a sensing transistor to increase the amount of external light incident on the sensing transistor and reduce the amount of internal light, the sensing accuracy of the sensing transistor is improved and the power consumption of the organic light emitting diode display is reduced The visibility is improved.
도 1은 종래의 유기발광다이오드 표시장치의 단면도.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 평면도.
도 3은 도 2의 절단선 III-III에 따른 단면도.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 단면도.
도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 단면도.
도 6은 본 발명의 제4실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 평면도.
도 7은 도 6의 절단선 VII-VII에 따른 단면도.
도 8은 본 발명의 제5실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 단면도.
도 9는 본 발명의 제6실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 평면도.
도 10은 본 발명의 제7실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 평면도.
1 is a sectional view of a conventional organic light emitting diode display.
2 is a plan view showing an organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view taken along line III-III in Fig. 2;
4 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display device according to a second embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display device according to a third embodiment of the present invention.
6 is a plan view showing an organic light emitting diode display device according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line VII-VII of FIG. 6. FIG.
FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display device according to a fifth embodiment of the present invention. FIG.
9 is a plan view showing an organic light emitting diode display device according to a sixth embodiment of the present invention.
10 is a plan view showing an organic light emitting diode display device according to a seventh embodiment of the present invention.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치 및 그 구동방법을 설명한다. An organic light emitting diode display and a driving method thereof according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 평면도이고, 도 3은 도 2의 절단선 III-III에 따른 단면도이다. FIG. 2 is a plan view showing an organic light emitting diode display according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III of FIG.
도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)는, 서로 마주보며 이격되는 제1 및 제2기판(120, 180)과, 제1 및 제2기판(120, 180) 사이의 씰층(182)을 포함하는데, 제1 및 제2기판(120, 180)은 다수의 화소영역(미도시)을 이용하여 영상을 표시하는 표시영역(DA)과, 표시영역(DA)을 둘러싸는 비표시영역(NDA)을 포함한다.2 and 3, the organic light emitting
그리고, 제1기판(120) 내면의 표시영역(DA)의 각 화소영역에는, 화소트랜지스터(Tp)와 빛을 방출하는 발광다이오드(De)가 형성되고, 제1기판(120) 내면의 비표시영역(NDA)에는 센싱트랜지스터(Ts)가 형성된다. A pixel transistor Tp and a light emitting diode De that emits light are formed in each pixel region of the display area DA on the inner surface of the
예를 들어, 표시영역(DA) 양측의 비표시영역(NDA)에 다수의 센싱트랜지스터(Ts)가 일렬로 배치될 수 있으며, 다수의 센싱트랜지스터(Ts)는 전기적으로 독립된 소자로 작동하거나, 소스전극(158)이 서로 연결되고 드레인전극(160)이 서로 연결되어 전기적으로 병렬연결된 소자로 작동할 수 있다. For example, a plurality of sensing transistors Ts may be arranged in a row in a non-display area NDA on both sides of the display area DA, and the plurality of sensing transistors Ts may operate as electrically independent elements, The electrodes 158 are connected to each other and the
그리고, 표시영역(DA)에 인접한 다수의 센싱트랜지스터(Ts)의 일측에는 평면적으로 일직선 형태를 갖는 제1홈(162)이 형성되고, 센싱트랜지스터(Ts)와 마주보는 제1홈(162)의 제1측벽에는 제1반사패턴(164)이 형성된다.A
구체적으로, 제1기판(120) 상부의 표시영역(DA)에는 차광층(122)이 형성되고, 차광층(122) 상부의 제1기판(120) 전면에는 버퍼층(124)이 형성되는데, 차광층(122)은 후속공정에서 형성되는 반도체층(126)으로 입사되는 빛을 차단하는 역할을 하며, 반사율이 상대적으로 높은 물질(예를 들어, 금속물질)로 이루어질 수 있다. A
차광층(122)에 대응되는 버퍼층(124) 상부에는 반도체층(126)이 형성되고, 반도체층(126) 상부의 제1기판(120) 전면에는 게이트절연층(128)이 형성되는데, 반도체층(124)은 순수 반도체물질로 이루어지고 중앙에 위치하는 액티브영역과, 불순물 반도체물질로 이루어지고 액티브영역의 좌우에 위치하는 소스영역 및 드레인영역을 포함한다.A
반도체층(126)에 대응되는 게이트절연층(128) 상부에는 게이트전극(130)이 형성되고, 게이트전극(130) 상부의 제1기판(120) 전면에는 층간절연층(132)이 형성되는데, 층간절연층(132) 및 게이트절연층(128)은 반도체층(126)의 소스영역 및 드레인영역을 각각 노출하는 제1 및 제2콘택홀을 포함한다. A
반도체층(126)에 대응되는 층간절연층(132) 상부에는 서로 이격되는 소스전극(134) 및 드레인전극(136)이 형성되는데, 소스전극(134) 및 드레인전극(136)은 각각 제1 및 제2콘택홀을 통하여 반도체층(126)의 소스영역 및 드레인영역에 연결된다.A
여기서, 반도체층(126), 게이트전극(130), 소스전극(134) 및 드레인전극(136)은 화소트랜지스터(Tp)를 구성한다. Here, the
그리고, 제1기판(120) 상부의 비표시영역(NDA)에는, 표시영역(DA)의 화소트랜지스터(Tp)와 유사하게, 차광층(152), 버퍼층(124), 반도체층(154), 게이트절연층(128), 게이트전극(156), 층간절연층(132), 소스전극(158) 및 드레인전극(160)이 순차적으로 형성되고, 반도체층(154), 게이트전극(156), 소스전극(158) 및 드레인전극(160)은 센싱트랜지스터(Ts)를 구성한다. The
여기서, 센싱트랜지스터(Ts) 하부의 차광층(152)은 외부광을 반사하여 반도체층(154)으로 입사시키는 역할을 하며, 반사율이 상대적으로 높은 물질(예를 들어, 금속물질)로 이루어질 수 있다. The
화소트랜지스터(Tp) 및 센싱트랜지스터(Ts) 상부에는 보호층(138)이 형성되는데, 보호층(138)은 화소트랜지스터(Tp)의 소스전극(134)을 노출하는 제3콘택홀과, 표시영역(DA)에 인접한 센싱트랜지스터(Ts)의 일측의 층간절연층(132)을 노출하는 제1홈(162)을 포함한다. A
보호층(138) 상부의 표시영역(DA)에는 제1전극(140)이 형성되는데, 제1전극(140)은 제3콘택홀을 통하여 소스전극(134)에 연결된다. A
그리고, 보호층(138) 상부의 비표시영역(NDA)에는 제1반사패턴(164)이 형성되는데, 제1반사패턴(164)은, 센싱트랜지스터(Ts)와 마주보는 제1홈(162)의 제1측벽 상부와, 제1홈(162)에 인접한 보호층(138) 상부에 형성되어 제1전극(140)에 연결되며, 공정추가 없이 제1전극(140)과 동일층, 동일물질로 이루어질 수 있다. A first
제1반사패턴(164)은 입사되는 외부광을 센싱트랜지스터(Ts)의 반도체층(154)으로 반사시키는 역할을 하는 것으로, 제1홈(162)의 제1측벽이 하부의 층간절연층(132)과 이루는 경사각은 90도보다 작은 값에서 제1홈(162) 및 반도체층(154)의 위치에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The
보호층(138) 상부에는 제1전극(140)의 가장자리와 제1반사패턴(164)을 덮는 뱅크층(142)이 형성되는데, 뱅크층(142)은 제1전극(140)의 중앙을 노출하는 개구부를 포함한다. A
뱅크층(142)의 개구부를 통하여 노출되는 제1전극(140) 상부에는 발광층(144)이 형성되는데, 발광층(144)은 적, 녹, 청색의 빛을 방출할 수 있다. A
발광층(144) 상부의 제1기판(120) 전면에는 제2전극(146)이 형성된다. A
여기서, 제1전극(140), 발광층(144) 및 제2전극(146)은 발광다이오드(De)를 구성한다. Here, the
이러한 유기발광다이오드 표시장치(110)에서는, 센싱트랜지스터(Ts)의 반도체층(154)으로 입사되는 빛의 양에 따라 센싱트랜지스터(Ts)의 오프전류(off-current)가 변화하므로, 이러한 오프전류를 측정하여 주변조도를 감지할 수 있다.In this organic light emitting
이때, 센싱트랜지스터(Ts)가 게이트전극(156)이 반도체층(154) 상부에 형성되는 탑게이트(top gate) 타입이고, 발광다이오드(De)가 제1전극(140)은 반사율이 높고 제2전극(146)은 투과율이 높은 상부발광(top emission) 타입이지만, 외부광이 제1반사패턴(164)에 의하여 반사되어 반도체층(154)으로 입사되므로, 센싱트랜지스터(Ts)의 감지 정확도가 개선된다. In this case, the sensing transistor Ts is of the top gate type in which the gate electrode 156 is formed on the semiconductor layer 154, the
그리고, 발광다이오드(De)로부터 방출되는 내부광이 제1반사패턴(164)에 의하여 차단되어 반도체층(154)으로 입사되지 않으므로, 센싱트랜지스터(Ts)의 감지 정확도가 개선된다.Since the internal light emitted from the light emitting diode De is blocked by the
예를 들어, 제1 내지 제7외부광(EL1 내지 EL7)이 센싱트랜지스터(Ts)로 입사되는 경우, 제1 내지 제3외부광(EL1 내지 EL3)은 게이트전극(156), 소스전극(158), 드레인전극(160)에 의하여 반사되어 반도체층(154)에 도달하지 못하지만, 제4 및 제5외부광(EL4, EL5)은 반도체층(154)으로 직접 입사되고, 제6외부광(EL6)은 제1반사패턴(164)에 의하여 반사되어 반도체층(154)으로 입사되고, 제7외부광(EL7)은 제1반사패턴(164) 및 차광층(152)에 의하여 반사되어 반도체층(154)으로 입사되므로, 센싱트랜지스터(Ts)의 수광량이 증가하고 감지 정확도가 개선된다. For example, when the first to seventh external lights EL1 to EL7 are incident on the sensing transistor Ts, the first to third external lights EL1 to EL3 are electrically connected to the gate electrode 156, the source electrode 158 The fourth and fifth external lights EL4 and EL5 are directly incident on the semiconductor layer 154 and the sixth external light EL6 Is reflected by the
그리고, 발광다이오드(De)가 제1 내지 제5내부광(IL1 내지 IL5)을 방출하는 경우, 제1내부광(IL1)은 전면으로 방출되어 영상표시에 이용되고, 제2 및 제3내부광(IL2, IL3)은 측면으로 방출되어 소멸되고, 제4 및 제5내부광(IL4, IL5)은 제1반사패턴(164)에서의 반사에 의하여 차단되어 반도체층(154)으로 입사되지 않으므로, 센싱트랜지스터(Ts)의 오작동이 방지되고 감지 정확도가 개선된다. When the light emitting diode De emits the first to fifth internal lights IL1 to IL5, the first internal light IL1 is emitted to the front and used for image display, and the second and third internal lights IL1, Since the fourth and fifth internal light beams IL4 and IL5 are blocked by the reflection of the
이에 따라 유기발광다이오드 표시장치(110)는, 감지 정확도가 개선된 비표시영역(NDA)의 센싱트랜지스터(Ts)를 이용하여 주변조도를 감지하고, 감지된 주변조도에 따라 표시영역(DA)의 발광다이오드(De)의 구동전압을 조절하여 출력휘도를 변경시킴으로써, 소비전력이 절감되고 시인성이 개선된다. Accordingly, the organic light emitting
제1실시예에서는 제1홈(162)이 보호층(138)에 형성되어 층간절연층(132)을 노출하지만, 다른 실시예에서는 제1홈(162)이 보호층(138), 층간절연층(132), 게이트절연층(128), 버퍼층(124)에 형성되어 제1기판(120)을 노출할 수 있으며, 이 경우 제1홈(162)의 제1측벽에 형성되는 제1반사패턴(164)의 깊이에 따라 외부광의 집광량을 조절할 수 있다.The
그리고, 제1실시예에서는 제1반사패턴(164)이 제1전극(140)에 연결되지만, 다른 실시예에서는 제1반사패턴(164) 및 제1전극(140)이 서로 이격되는 독립적인 패턴일 수 있다.Although the
한편, 다른 실시예에서는 센싱트랜지스터(Ts) 상부에 반사패턴을 추가하여 센싱트랜지스터(Ts)의 감지 정확도를 더 개선할 수 있는데, 이를 도면을 참조하여 설명한다. Meanwhile, in another embodiment, the sensing accuracy of the sensing transistor Ts can be further improved by adding a reflection pattern on the sensing transistor Ts, which will be described with reference to the drawings.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 단면도로서, 제1실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다. FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display according to a second embodiment of the present invention, and a description of the same parts as those of the first embodiment will be omitted.
도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(210)는, 서로 마주보며 이격되는 제1 및 제2기판(220, 280)과, 제1 및 제2기판(220, 280) 사이의 씰층(282)을 포함하는데, 제1 및 제2기판(220, 280)은 다수의 화소영역(미도시)을 이용하여 영상을 표시하는 표시영역(DA)과, 표시영역(DA)을 둘러싸는 비표시영역(NDA)을 포함한다.4, the organic light emitting
그리고, 제1기판(220) 내면의 표시영역(DA)의 각 화소영역에는, 화소트랜지스터(Tp)와 빛을 방출하는 발광다이오드(De)가 형성되고, 제1기판(220) 내면의 비표시영역(NDA)에는 센싱트랜지스터(Ts)가 형성된다. A pixel transistor Tp and a light emitting diode De that emits light are formed in each pixel region of the display area DA on the inner surface of the first substrate 220, A sensing transistor Ts is formed in the region NDA.
그리고, 표시영역(DA)에 인접한 센싱트랜지스터(Ts)의 일측에는 평면적으로 일직선 형태를 갖는 제1홈(262)이 형성되고, 센싱트랜지스터(Ts)와 마주보는 제1홈(262)의 제1측벽에는 제1반사패턴(264)이 형성되며, 센싱트랜지스터(Ts)의 상부에는 센싱트랜지스터(Ts)를 가리는 제2반사패턴(266)이 형성된다.A
구체적으로, 제1기판(220) 상부의 표시영역(DA)에는, 차광층(222), 버퍼층(224), 반도체층(226), 게이트절연층(228), 게이트전극(230), 층간절연층(232), 소스전극(234) 및 드레인전극(236)이 순차적으로 형성되고, 반도체층(226), 게이트전극(230), 소스전극(234) 및 드레인전극(236)은 화소트랜지스터(Tp)를 구성한다. Specifically, a
그리고, 제1기판(220) 상부의 비표시영역(NDA)에는, 표시영역(DA)의 화소트랜지스터(Tp)와 유사하게, 차광층(252), 버퍼층(224), 반도체층(254), 게이트절연층(228), 게이트전극(256), 층간절연층(232), 소스전극(258) 및 드레인전극(260)이 순차적으로 형성되고, 반도체층(254), 게이트전극(256), 소스전극(258) 및 드레인전극(260)은 센싱트랜지스터(Ts)를 구성한다. The
여기서, 센싱트랜지스터(Ts) 하부의 차광층(252)은 외부광을 반사하여 반도체층(254)으로 입사시키는 역할을 하며, 반사율이 상대적으로 높은 물질(예를 들어, 금속물질)로 이루어질 수 있다. The
화소트랜지스터(Tp) 및 센싱트랜지스터(Ts) 상부에는 보호층(238)이 형성되는데, 보호층(238)은 표시영역(DA)에 인접한 센싱트랜지스터(Ts)의 일측의 층간절연층(232)을 노출하는 제1홈(262)을 포함한다. A
보호층(238) 상부의 표시영역(DA)에는 제1전극(240)이 형성되고, 보호층(238) 상부의 비표시영역(NDA)에는 제1 및 제2반사패턴(264, 266)이 형성된다.The
제1반사패턴(264)은, 센싱트랜지스터(Ts)와 마주보는 제1홈(262)의 제1측벽 상부와, 제1홈(262)에 인접한 보호층(238) 상부에 형성되어 제1전극(240)에 연결되며, 제1전극(240)과 동일층, 동일물질로 이루어질 수 있다. The
그리고, 제2반사패턴(266)은 센싱트랜지스터(Ts)를 완전히 덮도록 형성되며, 제1전극(240)과 동일층, 동일물질로 이루어질 수 있다.The second
보호층(238) 및 제1전극(240) 상부에는 뱅크층(242), 발광층(244), 제2전극(246)이 형성되고, 제1전극(240), 발광층(244) 및 제2전극(246)은 발광다이오드(De)를 구성한다. A
이러한 유기발광다이오드 표시장치(210)에서는, 센싱트랜지스터(Ts)의 반도체층(254)으로 입사되는 빛의 양에 따라 센싱트랜지스터(Ts)의 오프전류(off-current)가 변화하므로, 이러한 오프전류를 측정하여 주변조도를 감지할 수 있다.In this organic light emitting
이때, 센싱트랜지스터(Ts)가 게이트전극(256)이 반도체층(254) 상부에 형성되는 탑게이트(top gate) 타입이고, 발광다이오드(De)가 제1전극(240)은 반사율이 높고 제2전극(246)은 투과율이 높은 상부발광(top emission) 타입이지만, 외부광이 제1반사패턴(264)에 의하여 반사되어 반도체층(254)으로 입사되므로, 센싱트랜지스터(Ts)의 감지 정확도가 개선된다. The sensing transistor Ts is of the top gate type in which the
그리고, 발광다이오드(De)로부터 방출되는 내부광이 제1 및 제2반사패턴(264, 266)에 의하여 차단되어 반도체층(254)으로 입사되지 않으므로, 센싱트랜지스터(Ts)의 감지 정확도가 개선된다.Since the internal light emitted from the light emitting diode De is blocked by the first and
예를 들어, 제1 내지 제7외부광(EL1 내지 EL7)이 센싱트랜지스터(Ts)로 입사되는 경우, 제1 내지 제5외부광(EL1 내지 EL5)은 제2반사패턴(266)에 의하여 반사되어 반도체층(254)에 도달하지 못하지만, 제6외부광(EL6)은 제1반사패턴(264)에 의하여 반사되어 반도체층(254)으로 입사되고, 제7외부광(EL7)은 제1반사패턴(264) 및 차광층(252)에 의하여 반사되어 반도체층(254)으로 입사되므로, 센싱트랜지스터(Ts)의 수광량이 증가하고 감지 정확도가 개선된다. For example, when the first to seventh external lights EL1 to EL7 are incident on the sensing transistor Ts, the first to fifth external lights EL1 to EL5 are reflected by the
그리고, 발광다이오드(De)가 제1 내지 제5내부광(IL1 내지 IL5)을 방출하는 경우, 제1내부광(IL1)은 전면으로 방출되어 영상표시에 이용되고, 제2 및 제3내부광(IL2, IL3)은 측면으로 방출되어 소멸되고, 제4 및 제5내부광(IL4, IL5)은 제1 및 제2반사패턴(264, 266)에서의 반사에 의하여 차단되어 반도체층(254)으로 입사되지 않으므로, 센싱트랜지스터(Ts)의 오작동이 방지되고 감지 정확도가 개선된다. When the light emitting diode De emits the first to fifth internal lights IL1 to IL5, the first internal light IL1 is emitted to the front and used for image display, and the second and third internal lights IL1, The fourth and fifth internal light beams IL4 and IL5 are blocked by the reflection at the first and
이에 따라 유기발광다이오드 표시장치(210)는, 감지 정확도가 개선된 비표시영역(NDA)의 센싱트랜지스터(Ts)를 이용하여 주변조도를 감지하고, 감지된 주변조도에 따라 표시영역(DA)의 발광다이오드(De)의 구동전압을 조절하여 출력휘도를 변경시킴으로써, 소비전력이 절감되고 시인성이 개선된다. Accordingly, the organic light emitting
제1실시예와 마찬가지로, 제2실시예에도 제1홈(262) 및 제1반사패턴(264)의 깊이에 따른 외부광의 집광량 조절과, 독립적인 패턴 형태의 제1반사패턴(264) 및 제1전극(240)을 적용할 수 있다.As in the first embodiment, in the second embodiment, the amount of condensation of the external light according to the depths of the
한편, 다른 실시예에서는 보호층(338)에 돌출부를 형성하여 센싱트랜지스터(Ts)의 감지 정확도를 더 개선할 수 있는데, 이를 도면을 참조하여 설명한다. Meanwhile, in another embodiment, the detection accuracy of the sensing transistor Ts can be further improved by forming a protrusion on the
도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 단면도로서, 제1실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다. 5 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display device according to a third embodiment of the present invention, and a description of the same parts as those of the first embodiment will be omitted.
도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제3실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(310)는, 서로 마주보며 이격되는 제1 및 제2기판(320, 380)과, 제1 및 제2기판(320, 380) 사이의 씰층(382)을 포함하는데, 제1 및 제2기판(320, 380)은 다수의 화소영역(미도시)을 이용하여 영상을 표시하는 표시영역(DA)과, 표시영역(DA)을 둘러싸는 비표시영역(NDA)을 포함한다.5, the organic light emitting
그리고, 제1기판(320) 내면의 표시영역(DA)의 각 화소영역에는, 화소트랜지스터(Tp)와 빛을 방출하는 발광다이오드(De)가 형성되고, 제1기판(320) 내면의 비표시영역(NDA)에는 센싱트랜지스터(Ts)가 형성된다. A pixel transistor Tp and a light emitting diode De that emits light are formed in each pixel region of the display area DA on the inner surface of the
그리고, 표시영역(DA)에 인접한 센싱트랜지스터(Ts)의 일측에는 평면적으로 일직선 형태를 갖는 제1홈(362)이 형성되고, 제1홈(362) 주위의 보호층(338)에는 돌출부(368)가 형성되고, 센싱트랜지스터(Ts)와 마주보는 제1홈(362)의 제1측벽에는 제1반사패턴(364)이 형성된다.A
구체적으로, 제1기판(120) 상부의 표시영역(DA)에는, 차광층(322), 버퍼층(324), 반도체층(326), 게이트절연층(328), 게이트전극(330), 층간절연층(332), 소스전극(334) 및 드레인전극(336)이 순차적으로 형성되고, 반도체층(326), 게이트전극(330), 소스전극(334) 및 드레인전극(336)은 화소트랜지스터(Tp)를 구성한다. Specifically, a
그리고, 제1기판(320) 상부의 비표시영역(NDA)에는, 표시영역(DA)의 화소트랜지스터(Tp)와 유사하게, 차광층(352), 버퍼층(324), 반도체층(354), 게이트절연층(328), 게이트전극(356), 층간절연층(332), 소스전극(358) 및 드레인전극(360)이 순차적으로 형성되고, 반도체층(354), 게이트전극(356), 소스전극(358) 및 드레인전극(360)은 센싱트랜지스터(Ts)를 구성한다. The
여기서, 센싱트랜지스터(Ts) 하부의 차광층(352)은 외부광을 반사하여 반도체층(354)으로 입사시키는 역할을 하며, 반사율이 상대적으로 높은 물질(예를 들어, 금속물질)로 이루어질 수 있다. Here, the light-
화소트랜지스터(Tp) 및 센싱트랜지스터(Ts) 상부에는 보호층(338)이 형성되는데, 보호층(338)은 표시영역(DA)에 인접한 센싱트랜지스터(Ts)의 일측의 층간절연층(332)을 노출하는 제1홈(362)과, 제1홈(362)에 인접한 위치에서 보호층(338) 상면보다 상부로 돌출되는 돌출부(368)를 포함한다. A
돌출부(368)는 보호층(338)과 동일층, 동일물질로 이루어질 수 있으며, 이 경우 반투과마스크를 이용하여 제1홈(362) 및 돌출부(368)를 포함하는 보호층(338)를 한번의 마스크공정으로 형성할 수 있다.The
보호층(338) 상부의 표시영역(DA)에는 제1전극(340)이 형성되고, 보호층(338) 상부의 비표시영역(NDA)에는 제1반사패턴(364)이 형성된다.A
제1반사패턴(364)은, 센싱트랜지스터(Ts)와 마주보는 제1홈(362)의 제1측벽 상부와, 제1홈(362)에 인접한 돌출부(368)의 측벽 및 상면 상부와, 돌출부(368) 이외의 보호층(338) 상부에 형성되어 제1전극(340)에 연결되며, 제1전극(340)과 동일층, 동일물질로 이루어질 수 있다. The
보호층(338) 및 제1전극(340) 상부에는 뱅크층(342), 발광층(344), 제2전극(346)이 형성되고, 제1전극(340), 발광층(344) 및 제2전극(346)은 발광다이오드(De)를 구성한다. A
이러한 유기발광다이오드 표시장치(310)에서는, 센싱트랜지스터(Ts)의 반도체층(354)으로 입사되는 빛의 양에 따라 센싱트랜지스터(Ts)의 오프전류(off-current)가 변화하므로, 이러한 오프전류를 측정하여 주변조도를 감지할 수 있다.In this organic light emitting
이때, 센싱트랜지스터(Ts)가 게이트전극(356)이 반도체층(354) 상부에 형성되는 탑게이트(top gate) 타입이고, 발광다이오드(De)가 제1전극(340)은 반사율이 높고 제2전극(346)은 투과율이 높은 상부발광(top emission) 타입이지만, 외부광이 제1반사패턴(364)에 의하여 반사되어 반도체층(354)으로 입사되므로, 센싱트랜지스터(Ts)의 감지 정확도가 개선된다. In this case, the sensing transistor Ts is of the top gate type in which the
특히, 제1반사패턴(364)이 제1홈(362)의 제1측벽에 인접한 돌출부(368)의 측벽에도 형성되므로, 제1반사패턴(364)의 깊이가 실질적으로 커지게 되어 제1반사패턴(364)에서의 외부광의 집광량을 증가시킬 수 있으며, 센싱트랜지스터(Ts)의 감지 정확도가 더 개선된다.In particular, since the first
그리고, 발광다이오드(De)로부터 방출되는 내부광이 제1반사패턴(364)에 의하여 차단되어 반도체층(354)으로 입사되지 않으므로, 센싱트랜지스터(Ts)의 감지 정확도가 개선된다.Since the internal light emitted from the light emitting diode De is blocked by the
특히, 제1반사패턴(364)이 발광다이오드(De)에 인접한 돌출부(368)의 측벽에도 형성되므로, 제1반사패턴(364)에서의 내부광의 차단량을 증가시킬 수 있으며, 센싱트랜지스터(Ts)의 감지 정확도가 더 개선된다. In particular, since the
예를 들어, 제1 내지 제7외부광(EL1 내지 EL7)이 센싱트랜지스터(Ts)로 입사되는 경우, 제1 내지 제3외부광(EL1 내지 EL3)은 게이트전극(356), 소스전극(358), 드레인전극(360)에 의하여 반사되어 반도체층(354)에 도달하지 못하지만, 제4 및 제5외부광(EL4, EL5)은 반도체층(354)으로 직접 입사되고, 제6외부광(EL6)은 제1반사패턴(364)에 의하여 반사되어 반도체층(354)으로 입사되고, 제7외부광(EL7)은 제1반사패턴(364) 및 차광층(352)에 의하여 반사되어 반도체층(354)으로 입사되므로, 센싱트랜지스터(Ts)의 수광량이 증가하고 감지 정확도가 개선된다. For example, when the first to seventh external lights EL1 to EL7 are incident on the sensing transistor Ts, the first to third external lights EL1 to EL3 are electrically connected to the
그리고, 발광다이오드(De)가 제1 내지 제5내부광(IL1 내지 IL5)을 방출하는 경우, 제1내부광(IL1)은 전면으로 방출되어 영상표시에 이용되고, 제2 및 제3내부광(IL2, IL3)은 측면으로 방출되어 소멸되고, 제4 및 제5내부광(IL4, IL5)은 제1반사패턴(364)에서의 반사에 의하여 차단되어 반도체층(354)으로 입사되지 않으므로, 센싱트랜지스터(Ts)의 오작동이 방지되고 감지 정확도가 개선된다. When the light emitting diode De emits the first to fifth internal lights IL1 to IL5, the first internal light IL1 is emitted to the front and used for image display, and the second and third internal lights IL1, The fourth and fifth internal light beams IL4 and IL5 are blocked by the reflection at the
이에 따라 유기발광다이오드 표시장치(310)는, 감지 정확도가 개선된 비표시영역(NDA)의 센싱트랜지스터(Ts)를 이용하여 주변조도를 감지하고, 감지된 주변조도에 따라 표시영역(DA)의 발광다이오드(De)의 구동전압을 조절하여 출력휘도를 변경시킴으로써, 소비전력이 절감되고 시인성이 개선된다. Accordingly, the organic light emitting
제1실시예와 마찬가지로, 제3실시예에도 제1홈(362) 및 제1반사패턴(364)의 깊이에 따른 외부광의 집광량 조절과, 독립적인 패턴 형태의 제1반사패턴(364) 및 제1전극(340)을 적용할 수 있다.As in the first embodiment, in the third embodiment, the condensation amount of external light is controlled by the depth of the
그리고, 제3실시예에서는 제1반사패턴(364)이 제1홈(362)의 제1측벽 상부, 돌출부(368)의 양측벽 및 상면 상부, 보호층(338) 상부에 형성되어 제1전극(340)에 연결되지만, 다른 실시예에서는 제1반사패턴(364)이 제1홈(362)의 제1측벽 상부와 제1홈(362)의 제1측벽에 인접한 돌출부(368)의 일측벽 및 상면 상부에만 형성되거나, 제1홈(362)의 제1측벽 상부와 제1홈(362)의 제1측벽에 인접한 돌출부(368)의 일측벽 상부에만 형성되어, 제1반사패턴(364) 및 제1전극(340)이 서로 이격되는 독립적인 패턴일 수 있다.In the third embodiment, the
한편, 다른 실시예에서는 센싱트랜지스터(Ts)의 양측에 제1 및 제2홈 및 제1 및 제3반사패턴을 형성하여 센싱트랜지스터(Ts)의 감지 정확도를 더 개선할 수 있는데, 이를 도면을 참조하여 설명한다. In another embodiment, the sensing accuracy of the sensing transistor Ts can be further improved by forming the first and second grooves and the first and third reflection patterns on both sides of the sensing transistor Ts. .
도 6은 본 발명의 제4실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 평면도이고, 도 7은 도 6의 절단선 VII-VII에 따른 단면도로서, 제1실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다. FIG. 6 is a plan view showing an OLED display according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a cross-sectional view taken along a line VII-VII in FIG. 6, It is omitted.
도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제4실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(410)는, 서로 마주보며 이격되는 제1 및 제2기판(420, 480)과, 제1 및 제2기판(420, 480) 사이의 씰층(482)을 포함하는데, 제1 및 제2기판(420, 480)은 다수의 화소영역(미도시)을 이용하여 영상을 표시하는 표시영역(DA)과, 표시영역(DA)을 둘러싸는 비표시영역(NDA)을 포함한다.6 and 7, the organic light emitting
그리고, 제1기판(420) 내면의 표시영역(DA)의 각 화소영역에는, 화소트랜지스터(Tp)와 빛을 방출하는 발광다이오드(De)가 형성되고, 제1기판(420) 내면의 비표시영역(NDA)에는 센싱트랜지스터(Ts)가 형성된다. A pixel transistor Tp and a light emitting diode De for emitting light are formed in each pixel region of the display area DA on the inner surface of the
그리고, 센싱트랜지스터(Ts)의 양측에는 각각 평면적으로 일직선 형태를 갖는 제1 및 제2홈(462, 470)이 형성되고, 센싱트랜지스터(Ts)와 마주보는 제1홈(462)의 제1측벽에는 제1반사패턴(464)이 형성되고, 센싱트랜지스터(Ts)와 마주보는 제2홈(470)의 제1측벽에는 제3반사패턴(472)이 형성된다.First and
구체적으로, 제1기판(420) 상부의 표시영역(DA)에는, 차광층(422), 버퍼층(424), 반도체층(426), 게이트절연층(428), 게이트전극(430), 층간절연층(432), 소스전극(434) 및 드레인전극(436)이 순차적으로 형성되고, 반도체층(426), 게이트전극(430), 소스전극(434) 및 드레인전극(436)은 화소트랜지스터(Tp)를 구성한다. Specifically, a light shielding layer 422, a
그리고, 제1기판(420) 상부의 비표시영역(NDA)에는, 표시영역(DA)의 화소트랜지스터(Tp)와 유사하게, 차광층(452), 버퍼층(424), 반도체층(454), 게이트절연층(428), 게이트전극(456), 층간절연층(432), 소스전극(458) 및 드레인전극(460)이 순차적으로 형성되고, 반도체층(454), 게이트전극(456), 소스전극(458) 및 드레인전극(460)은 센싱트랜지스터(Ts)를 구성한다. The
여기서, 센싱트랜지스터(Ts) 하부의 차광층(452)은 외부광을 반사하여 반도체층(454)으로 입사시키는 역할을 하며, 반사율이 상대적으로 높은 물질(예를 들어, 금속물질)로 이루어질 수 있다. The
화소트랜지스터(Tp) 및 센싱트랜지스터(Ts) 상부에는 보호층(438)이 형성되는데, 보호층(438)은 센싱트랜지스터(Ts)의 양측의 층간절연층(432)을 노출하는 제1 및 제2홈(462, 470)을 포함한다. A
보호층(438) 상부의 표시영역(DA)에는 제1전극(440)이 형성되고, 보호층(438) 상부의 비표시영역(NDA)에는 제1 및 제3반사패턴(464, 472)이 형성된다.The
제1반사패턴(464)은, 센싱트랜지스터(Ts)와 마주보는 제1홈(462)의 제1측벽 상부와, 제1홈(462)에 인접한 보호층(438) 상부에 형성되어 제1전극(440)에 연결되며, 제1전극(440)과 동일층, 동일물질로 이루어질 수 있다. The
그리고, 제3반사패턴(472)은 센싱트랜지스터(Ts)와 마주보는 제2홈(470)의 제1측벽 상부에 형성되며, 제1전극(440)과 동일층, 동일물질로 이루어질 수 있다.The third
보호층(438) 및 제1전극(440) 상부에는 뱅크층(442), 발광층(444), 제2전극(446)이 형성되고, 제1전극(440), 발광층(444) 및 제2전극(446)은 발광다이오드(De)를 구성한다. A
이러한 유기발광다이오드 표시장치(410)에서는, 센싱트랜지스터(Ts)의 반도체층(454)으로 입사되는 빛의 양에 따라 센싱트랜지스터(Ts)의 오프전류(off-current)가 변화하므로, 이러한 오프전류를 측정하여 주변조도를 감지할 수 있다.In this organic light emitting
이때, 센싱트랜지스터(Ts)가 게이트전극(456)이 반도체층(454) 상부에 형성되는 탑게이트(top gate) 타입이고, 발광다이오드(De)가 제1전극(440)은 반사율이 높고 제2전극(446)은 투과율이 높은 상부발광(top emission) 타입이지만, 외부광이 제1 및 제3반사패턴(464, 472)에 의하여 반사되어 반도체층(454)으로 입사되므로, 센싱트랜지스터(Ts)의 감지 정확도가 개선된다. The sensing transistor Ts is of the top gate type in which the
그리고, 발광다이오드(De)로부터 방출되는 내부광이 제1반사패턴(464)에 의하여 차단되어 반도체층(454)으로 입사되지 않으므로, 센싱트랜지스터(Ts)의 감지 정확도가 개선된다.Since the internal light emitted from the light emitting diode De is blocked by the
예를 들어, 제1 내지 제9외부광(EL1 내지 EL9)이 센싱트랜지스터(Ts)로 입사되는 경우, 제1 내지 제3외부광(EL1 내지 EL3)은 게이트전극(456), 소스전극(458), 드레인전극(460)에 의하여 반사되어 반도체층(454)에 도달하지 못하지만, 제4 및 제5외부광(EL4 및 EL5)은 반도체층(454)으로 직접 입사되고, 제6 및 제8외부광(EL6 및 EL8)은 각각 제1 및 제3반사패턴(464, 472)에 의하여 반사되어 반도체층(454)으로 입사되고, 제7 및 제9외부광(EL7 및 EL9)은 제1 및 제3반사패턴(464, 472)과 차광층(452)에 의하여 반사되어 반도체층(454)으로 입사되므로, 센싱트랜지스터(Ts)의 수광량이 증가하고 감지 정확도가 개선된다. For example, when the first to ninth external lights EL1 to EL9 are incident on the sensing transistor Ts, the first to third external lights EL1 to EL3 are applied to the
그리고, 발광다이오드(De)가 제1 내지 제5내부광(IL1 내지 IL5)을 방출하는 경우, 제1내부광(IL1)은 전면으로 방출되어 영상표시에 이용되고, 제2 및 제3내부광(IL2, IL3)은 측면으로 방출되어 소멸되고, 제4 및 제5내부광(IL4, IL5)은 제1반사패턴(464)에서의 반사에 의하여 차단되어 반도체층(454)으로 입사되지 않으므로, 센싱트랜지스터(Ts)의 오작동이 방지되고 감지 정확도가 개선된다. When the light emitting diode De emits the first to fifth internal lights IL1 to IL5, the first internal light IL1 is emitted to the front and used for image display, and the second and third internal lights IL1, The fourth and fifth internal light beams IL4 and IL5 are blocked by the reflection at the
이에 따라 유기발광다이오드 표시장치(410)는, 감지 정확도가 개선된 비표시영역(NDA)의 센싱트랜지스터(Ts)를 이용하여 주변조도를 감지하고, 감지된 주변조도에 따라 표시영역(DA)의 발광다이오드(De)의 구동전압을 조절하여 출력휘도를 변경시킴으로써, 소비전력이 절감되고 시인성이 개선된다. Accordingly, the organic light emitting
제1실시예와 마찬가지로, 제4실시예에도 제1 및 제2홈(462, 470)과 제1 및 제3반사패턴(464, 472)의 깊이에 따른 외부광의 집광량 조절과, 독립적인 패턴 형태의 제1반사패턴(464) 및 제1전극(440)을 적용할 수 있다.As in the first embodiment, in the fourth embodiment, the amount of condensation of external light according to the depths of the first and
그리고, 제4실시예에서는 제1 및 제2홈(462, 470)의 양단이 가로방향의 홈에 의하여 연결되고, 제1 및 제3반사패턴(464, 472)의 양단이 가로방향의 반사패턴에 의하여 연결되는 것을 예로 들었지만, 다른 실시예에서는 제1 및 제2홈(462, 470)과 제1 및 제3반사패턴(464, 472)이 서로 연결되지 않고 독립적으로 형성될 수도 있다.In the fourth embodiment, both ends of the first and
한편, 다른 실시예에서는 제1반사패턴(464)을 제1홈의 제2측벽에 형성하여 센싱트랜지스터(Ts)의 감지 정확도를 개선할 수 있는데, 이를 도면을 참조하여 설명한다. Meanwhile, in another embodiment, the
도 8은 본 발명의 제5실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 단면도로서, 제1실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다. 8 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display device according to a fifth embodiment of the present invention, and a description of the same parts as those of the first embodiment will be omitted.
도 8에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제5실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(510)는, 서로 마주보며 이격되는 제1 및 제2기판(520, 580)과, 제1 및 제2기판(520, 580) 사이의 씰층(582)을 포함하는데, 제1 및 제2기판(520, 580)은 다수의 화소영역(미도시)을 이용하여 영상을 표시하는 표시영역(DA)과, 표시영역(DA)을 둘러싸는 비표시영역(NDA)을 포함한다.8, the organic light emitting
그리고, 제1기판(520) 내면의 표시영역(DA)의 각 화소영역에는, 화소트랜지스터(Tp)와 빛을 방출하는 발광다이오드(De)가 형성되고, 제1기판(520) 내면의 비표시영역(NDA)에는 센싱트랜지스터(Ts)가 형성된다. A pixel transistor Tp and a light emitting diode De that emits light are formed in each pixel region of the display area DA on the inner surface of the
그리고, 센싱트랜지스터(Ts)의 양측에는 각각 평면적으로 일직선 형태를 갖는 제1 및 제2홈(562, 570)이 형성되고, 센싱트랜지스터(Ts)에 인접한 제1홈(562)의 제2측벽에는 제1반사패턴(564)이 형성되고, 센싱트랜지스터(Ts)와 마주보는 제2홈(570)의 제1측벽에는 제3반사패턴(572)이 형성된다.First and
구체적으로, 제1기판(520) 상부의 표시영역(DA)에는, 차광층(522), 버퍼층(524), 반도체층(526), 게이트절연층(528), 게이트전극(530), 층간절연층(532), 소스전극(534) 및 드레인전극(536)이 순차적으로 형성되고, 반도체층(526), 게이트전극(530), 소스전극(534) 및 드레인전극(536)은 화소트랜지스터(Tp)를 구성한다. Specifically, a
그리고, 제1기판(520) 상부의 비표시영역(NDA)에는, 표시영역(DA)의 화소트랜지스터(Tp)와 유사하게, 차광층(552), 버퍼층(524), 반도체층(554), 게이트절연층(528), 게이트전극(556), 층간절연층(532), 소스전극(558) 및 드레인전극(560)이 순차적으로 형성되고, 반도체층(554), 게이트전극(556), 소스전극(558) 및 드레인전극(560)은 센싱트랜지스터(Ts)를 구성한다. The
여기서, 센싱트랜지스터(Ts) 하부의 차광층(552)은 외부광을 반사하여 반도체층(554)으로 입사시키는 역할을 하며, 반사율이 상대적으로 높은 물질(예를 들어, 금속물질)로 이루어질 수 있다. The
화소트랜지스터(Tp) 및 센싱트랜지스터(Ts) 상부에는 보호층(538)이 형성되는데, 보호층(538)은 센싱트랜지스터(Ts)의 양측의 층간절연층(532)을 노출하는 제1 및 제2홈(562, 570)을 포함한다. A
보호층(538) 상부의 표시영역(DA)에는 제1전극(540)이 형성되고, 보호층(538) 상부의 비표시영역(NDA)에는 제1 및 제3반사패턴(564, 572)이 형성된다.The
제1반사패턴(564)은, 센싱트랜지스터(Ts)에 인접한 제1홈(562)의 제2측벽 상부 형성되며, 제1전극(540)과 동일층, 동일물질로 이루어질 수 있다. 즉, 제4실시예에서는 센싱트랜지스터(Ts)와 마주보는 제1홈(462)의 제1측벽 상부에 제1반사패턴(464)이 형성되는 반면, 제5실시예에서는 제1홈(562)의 제1측벽과 마주보고 센싱트랜지스터(Ts)에 인접한 제1홈(562)의 제2측벽 상부에 제1반사패턴(564)이 형성된다. The first
그리고, 제3반사패턴(572)은 센싱트랜지스터(Ts)와 마주보는 제2홈(570)의 제1측벽 상부에 형성되며, 제1전극(540)과 동일층, 동일물질로 이루어질 수 있다.The third
보호층(538) 및 제1전극(540) 상부에는 뱅크층(542), 발광층(544), 제2전극(546)이 형성되고, 제1전극(540), 발광층(544) 및 제2전극(546)은 발광다이오드(De)를 구성한다. A
이러한 유기발광다이오드 표시장치(510)에서는, 센싱트랜지스터(Ts)의 반도체층(554)으로 입사되는 빛의 양에 따라 센싱트랜지스터(Ts)의 오프전류(off-current)가 변화하므로, 이러한 오프전류를 측정하여 주변조도를 감지할 수 있다.In this organic light emitting
이때, 센싱트랜지스터(Ts)가 게이트전극(556)이 반도체층(554) 상부에 형성되는 탑게이트(top gate) 타입이고, 발광다이오드(De)가 제1전극(540)은 반사율이 높고 제2전극(546)은 투과율이 높은 상부발광(top emission) 타입이지만, 외부광이 제3반사패턴(572)에 의하여 반사되어 반도체층(554)으로 입사되므로, 센싱트랜지스터(Ts)의 감지 정확도가 개선된다. At this time, the sensing transistor Ts is of the top gate type in which the
그리고, 발광다이오드(De)로부터 방출되는 내부광이 제1반사패턴(564)에 의하여 차단되어 반도체층(554)으로 입사되지 않으므로, 센싱트랜지스터(Ts)의 감지 정확도가 개선된다.Since the internal light emitted from the light emitting diode De is blocked by the
예를 들어, 제1 내지 제7외부광(EL1 내지 EL7)이 센싱트랜지스터(Ts)로 입사되는 경우, 제1 내지 제3외부광(EL1 내지 EL3)은 게이트전극(556), 소스전극(558), 드레인전극(560)에 의하여 반사되어 반도체층(554)에 도달하지 못하지만, 제4 및 제5외부광(EL4 및 EL5)은 반도체층(554)으로 직접 입사되고, 제6외부광(EL6)은 제3반사패턴(572)에 의하여 반사되어 반도체층(554)으로 입사되고, 제7외부광(EL7 및 EL9)은 제3반사패턴(572)과 차광층(552)에 의하여 반사되어 반도체층(554)으로 입사되므로, 센싱트랜지스터(Ts)의 수광량이 증가하고 감지 정확도가 개선된다. For example, when the first to seventh external lights EL1 to EL7 are incident on the sensing transistor Ts, the first to third external lights EL1 to EL3 are electrically connected to the
그리고, 발광다이오드(De)가 제1 내지 제5내부광(IL1 내지 IL5)을 방출하는 경우, 제1내부광(IL1)은 전면으로 방출되어 영상표시에 이용되고, 제2 및 제3내부광(IL2, IL3)은 측면으로 방출되어 소멸되고, 제4 및 제5내부광(IL4, IL5)은 제1반사패턴(564)에서의 반사에 의하여 차단되어 반도체층(554)으로 입사되지 않으므로, 센싱트랜지스터(Ts)의 오작동이 방지되고 감지 정확도가 개선된다. When the light emitting diode De emits the first to fifth internal lights IL1 to IL5, the first internal light IL1 is emitted to the front and used for image display, and the second and third internal lights IL1, The fourth and fifth internal light beams IL4 and IL5 are blocked by the reflection at the
이에 따라 유기발광다이오드 표시장치(510)는, 감지 정확도가 개선된 비표시영역(NDA)의 센싱트랜지스터(Ts)를 이용하여 주변조도를 감지하고, 감지된 주변조도에 따라 표시영역(DA)의 발광다이오드(De)의 구동전압을 조절하여 출력휘도를 변경시킴으로써, 소비전력이 절감되고 시인성이 개선된다. Accordingly, the organic light emitting
제1실시예와 마찬가지로, 제5실시예에도 제1 및 제2홈(562, 570)과 제1 및 제3반사패턴(564, 572)의 깊이에 따른 외부광의 집광량 조절을 적용할 수 있다.The condensing amount adjustment of the external light according to the depths of the first and
제5실시예에서는 제1반사패턴(564)이 제1홈(562)의 제2측벽 상부에만 형성되어 센싱트랜지스터(Ts)를 노출하는 것을 예로 들었지만, 다른 실시예에서는, 제2실시예와 유사하게, 제1반사패턴(564)이 센싱트랜지스터(Ts)에 대응되는 보호층(538) 상부로 연장되어 센싱트랜지스터(Ts)의 일부 또는 전부를 덮도록 형성될 수 있다.In the fifth embodiment, the
한편, 다른 실시예에서는 다수의 센싱트랜지스터(Ts) 사이에 홈 및 반사패턴을 추가하여 센싱트랜지스터(Ts)의 감지 정확도를 개선할 수 있는데, 이를 도면을 참조하여 설명한다. Meanwhile, in another embodiment, it is possible to improve the sensing accuracy of the sensing transistor Ts by adding a groove and a reflection pattern between a plurality of sensing transistors Ts, which will be described with reference to the drawings.
도 9 및 도 10은 각각 본 발명의 제6 및 제7실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 평면도로서, 제1실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다. FIGS. 9 and 10 are plan views illustrating the organic light emitting diode display device according to the sixth and seventh embodiments of the present invention, respectively, and description of the same parts as those of the first embodiment will be omitted.
도 9에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제6실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(610)는, 다수의 화소영역(미도시)을 이용하여 영상을 표시하는 표시영역(DA)과, 표시영역(DA)을 둘러싸는 비표시영역(NDA)을 포함한다.9, the organic light emitting
그리고, 표시영역(DA)의 각 화소영역에는, 화소트랜지스터(Tp)와 빛을 방출하는 발광다이오드가 형성되고, 비표시영역(NDA)에는 센싱트랜지스터(Ts)가 형성된다. A pixel transistor Tp and a light emitting diode for emitting light are formed in each pixel region of the display region DA and a sensing transistor Ts is formed in the non-display region NDA.
그리고, 표시영역(DA)에 인접한 센싱트랜지스터(Ts)의 일측에는 평면적으로 일직선 형태를 갖는 제1홈(662)이 형성되고, 센싱트랜지스터(Ts) 사이에는 제1홈(662)에 수직으로 연결되는 제3홈(674)이 형성된다. A
도시하지는 않았지만, 센싱트랜지스터(Ts)와 마주보는 제1홈(662)의 제1측벽 상부에는 제1반사패턴이 형성되고, 제3홈(674)의 제1 및 제2측벽 상부에는 각각 제4 및 제5반사패턴이 형성된다.Although not shown, a first reflection pattern is formed on the first sidewall of the
이러한 유기발광다이오드 표시장치(610)에서는, 센싱트랜지스터(Ts)의 반도체층으로 입사되는 빛의 양에 따라 센싱트랜지스터(Ts)의 오프전류(off-current)가 변화하므로, 이러한 오프전류를 측정하여 주변조도를 감지할 수 있다.In this organic light emitting
이때, 센싱트랜지스터(Ts)가 게이트전극이 반도체층 상부에 형성되는 탑게이트(top gate) 타입이고, 발광다이오드가 제1전극은 반사율이 높고 제2전극은 투과율이 높은 상부발광(top emission) 타입이지만, 외부광이 제1, 제4 및 제5반사패턴에 의하여 반사되어 센싱트랜지스터(Ts)의 반도체층으로 입사되므로, 센싱트랜지스터(Ts)의 감지 정확도가 개선된다. At this time, the sensing transistor Ts is a top gate type in which a gate electrode is formed on the semiconductor layer, and the light emitting diode has a top emission type having a high reflectance and a high efficiency having a high transmissivity However, since the external light is reflected by the first, fourth, and fifth reflection patterns and is incident on the semiconductor layer of the sensing transistor Ts, the sensing accuracy of the sensing transistor Ts is improved.
그리고, 발광다이오드로부터 방출되는 내부광이 제1반사패턴에 의하여 차단되어 센싱트랜지스터(Ts)의 반도체층으로 입사되지 않으므로, 센싱트랜지스터(Ts)의 감지 정확도가 개선된다.Since the internal light emitted from the light emitting diode is blocked by the first reflection pattern and is not incident on the semiconductor layer of the sensing transistor Ts, the sensing accuracy of the sensing transistor Ts is improved.
도 10에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제7실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(710)는, 다수의 화소영역(미도시)을 이용하여 영상을 표시하는 표시영역(DA)과, 표시영역(DA)을 둘러싸는 비표시영역(NDA)을 포함한다.10, the organic light emitting
그리고, 표시영역(DA)의 각 화소영역에는, 화소트랜지스터(Tp)와 빛을 방출하는 발광다이오드가 형성되고, 비표시영역(NDA)에는 센싱트랜지스터(Ts)가 형성된다. A pixel transistor Tp and a light emitting diode for emitting light are formed in each pixel region of the display region DA and a sensing transistor Ts is formed in the non-display region NDA.
그리고, 센싱트랜지스터(Ts)의 양측에는 각각 평면적으로 일직선 형태를 갖는 제1 및 제2홈(762, 770)과 이 형성되고, 센싱트랜지스터(Ts) 사이에는 제1 및 제2홈(762, 770)에 수직으로 연결되는 제3홈(774)이 형성된다. First and
도시하지는 않았지만, 센싱트랜지스터(Ts)와 마주보는 제1홈(762)의 제1측벽 상부에는 제1반사패턴이 형성되고, 센싱트랜지스터(Ts)와 마주보는 제2홈(70)의 제1측벽 상부에는 제3반사패턴이 형성되고, 제3홈(774)의 제1 및 제2측벽 상부에는 각각 제4 및 제5반사패턴이 형성된다.Although not shown, a first reflection pattern is formed on the first sidewall of the
이러한 유기발광다이오드 표시장치(710)에서는, 센싱트랜지스터(Ts)의 반도체층으로 입사되는 빛의 양에 따라 센싱트랜지스터(Ts)의 오프전류(off-current)가 변화하므로, 이러한 오프전류를 측정하여 주변조도를 감지할 수 있다.In the organic light emitting
이때, 센싱트랜지스터(Ts)가 게이트전극이 반도체층 상부에 형성되는 탑게이트(top gate) 타입이고, 발광다이오드가 제1전극은 반사율이 높고 제2전극은 투과율이 높은 상부발광(top emission) 타입이지만, 외부광이 제1, 제3, 제4 및 제5반사패턴에 의하여 반사되어 센싱트랜지스터(Ts)의 반도체층으로 입사되므로, 센싱트랜지스터(Ts)의 감지 정확도가 개선된다. At this time, the sensing transistor Ts is a top gate type in which a gate electrode is formed on the semiconductor layer, and the light emitting diode has a top emission type having a high reflectance and a high efficiency having a high transmissivity However, since the external light is reflected by the first, third, fourth, and fifth reflection patterns and is incident on the semiconductor layer of the sensing transistor Ts, the sensing accuracy of the sensing transistor Ts is improved.
그리고, 발광다이오드로부터 방출되는 내부광이 제1반사패턴에 의하여 차단되어 센싱트랜지스터(Ts)의 반도체층으로 입사되지 않으므로, 센싱트랜지스터(Ts)의 감지 정확도가 개선된다.Since the internal light emitted from the light emitting diode is blocked by the first reflection pattern and is not incident on the semiconductor layer of the sensing transistor Ts, the sensing accuracy of the sensing transistor Ts is improved.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It can be understood that
110: 유기발광다이오드 표시장치
Tp: 화소트랜지스터
De: 발광다이오드
Ts: 센싱트랜지스터
162: 제1홈
164: 제1반사패턴110: organic light emitting diode display device Tp: pixel transistor
De: Light emitting diode Ts: Sensing transistor
162: first groove 164: first reflection pattern
Claims (10)
상기 기판 상부의 상기 표시영역에 배치되는 화소트랜지스터와;
상기 기판 상부의 상기 비표시영역에 배치되는 센싱트랜지스터와;
상기 화소트랜지스터 및 상기 센싱트랜지스터 상부에 배치되고, 상기 표시영역에 인접한 상기 센싱트랜지스터의 일측에 배치되는 제1홈을 포함하는 보호층과;
상기 센싱트랜지스터와 마주보는 상기 제1홈의 제1측벽 또는 상기 센싱트랜지스터에 인접한 상기 제1홈의 제2측벽 상부에 배치되는 제1반사패턴과;
상기 보호층 상부의 상기 표시영역에 형성되는 발광다이오드
를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
A substrate including a display region for displaying an image and a non-display region surrounding the display region;
A pixel transistor disposed in the display region above the substrate;
A sensing transistor disposed in the non-display region above the substrate;
A protective layer disposed on the pixel transistor and the sensing transistor and including a first groove disposed on one side of the sensing transistor adjacent to the display region;
A first reflective pattern disposed on a first sidewall of the first groove facing the sensing transistor or on a second sidewall of the first groove adjacent to the sensing transistor;
A light emitting diode formed in the display region above the protective layer,
And an organic light emitting diode (OLED) display device.
상기 발광다이오드는 상기 보호층 상부에 순차적으로 배치되는 제1전극, 발광층 및 제2전극을 포함하고,
상기 제1반사패턴은 상기 제1전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 유기발광다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
The light emitting diode includes a first electrode, a light emitting layer, and a second electrode sequentially disposed on the protective layer,
Wherein the first reflective pattern is formed of the same material and the same material as the first electrode.
상기 제1반사패턴은, 상기 제1홈의 상기 제1측벽 상부에 배치되고, 상기 보호층 상부로 연장되어 상기 제1전극에 연결되는 유기발광다이오드 표시장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the first reflective pattern is disposed on the first sidewall of the first groove and extends over the protection layer to be connected to the first electrode.
상기 기판 상부에는 차광층 및 버퍼층이 순차적으로 배치되고,
상기 센싱트랜지스터는 상기 차광층에 대응되는 상기 버퍼층 상부에 순차적으로 배치되는 반도체층, 게이트절연층, 게이트전극, 층간절연층, 소스전극 및 드레인전극을 포함하고,
상기 층간절연층, 상기 게이트절연층 및 상기 버퍼층 중 적어도 하나는 상기 제1홈을 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
A light-shielding layer and a buffer layer are sequentially disposed on the substrate,
Wherein the sensing transistor includes a semiconductor layer, a gate insulating layer, a gate electrode, an interlayer insulating layer, a source electrode, and a drain electrode sequentially disposed on the buffer layer corresponding to the light shielding layer,
Wherein at least one of the interlayer insulating layer, the gate insulating layer, and the buffer layer includes the first groove.
상기 센싱트랜지스터에 대응되는 상기 보호층 상부에 배치되는 제2반사패턴을 더 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
And a second reflective pattern disposed on the protection layer corresponding to the sensing transistor.
상기 제1홈 주위의 상기 보호층에 배치되는 돌출부를 더 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
And a protrusion disposed in the protective layer around the first groove.
상기 제1반사패턴은,
상기 돌출부의 양측벽 및 상면 상부에 배치되거나,
상기 제1홈의 상기 제1측벽에 인접한 상기 돌출부의 일측벽 및 상면 상부에 배치되거나,
상기 제1홈의 상기 제1측벽에 인접한 상기 돌출부의 일측벽 상부에 배치되는 유기발광다이오드 표시장치.
The method according to claim 6,
The first reflective pattern may be formed by patterning,
Disposed on both side walls and an upper surface of the protrusion,
A first sidewall of the first groove and an upper surface of the first sidewall and the upper surface of the projection adjacent to the first sidewall of the first groove,
Wherein the protrusion is disposed on one side wall of the protrusion adjacent to the first side wall of the first groove.
상기 보호층은 상기 센싱트랜지스터의 타측에 배치되는 제2홈을 더 포함하고,
상기 센싱트랜지스터와 마주보는 상기 제2홈의 제1측벽 상부에는 제3반사패턴이 배치되는 유기발광다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the protection layer further includes a second groove disposed on the other side of the sensing transistor,
And a third reflective pattern is disposed on an upper portion of the first sidewall of the second groove facing the sensing transistor.
상기 제1반사패턴은, 상기 제1홈의 상기 제2측벽 상부에 배치되고, 상기 보호층 상부로 연장되어 상기 센싱트랜지스터의 일부 또는 전부를 덮는 유기발광다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first reflection pattern is disposed on the second sidewall of the first groove and extends over the protection layer to cover a part or all of the sensing transistor.
상기 센싱트랜지스터는 다수개가 일렬로 배치되고,
상기 보호층은 상기 센싱트랜지스터 사이에 배치되는 제3홈을 더 포함하고,
상기 제3홈의 제1 및 제2측벽 상부에는 각각 제4 및 제5반사패턴이 배치되는 유기발광다이오드 표시장치.
9. The method according to any one of claims 1 to 8,
A plurality of the sensing transistors are arranged in a line,
Wherein the protective layer further comprises a third groove disposed between the sensing transistors,
And fourth and fifth reflective patterns are disposed on the first and second sidewalls of the third groove, respectively.
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