KR20170030874A - 원자층 증착장치 - Google Patents

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KR20170030874A
KR20170030874A KR1020150128335A KR20150128335A KR20170030874A KR 20170030874 A KR20170030874 A KR 20170030874A KR 1020150128335 A KR1020150128335 A KR 1020150128335A KR 20150128335 A KR20150128335 A KR 20150128335A KR 20170030874 A KR20170030874 A KR 20170030874A
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박성현
신인철
이근우
김경준
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주식회사 케이씨텍
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Abstract

표면파 플라즈마를 이용하여 고밀도 플라즈마를 발생시킬 수 있는 원자층 증착장치가 개시된다. 원자층 증착장치는, 프로세스 챔버, 상기 프로세스 챔버 내부에 구비되고, 복수의 기판이 원형으로 배치되어서 안착되는 서셉터, 상기 서셉터 상부에 구비되어서 상기 기판에 증착가스를 제공하는 가스공급부 및 상기 가스공급부에 구비되어서 표면파 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부를 포함하여 구성된다.

Description

원자층 증착장치{ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS}
본 발명은 표면파 플라즈마를 이용하여 플라즈마 밀도를 증가시킬 수 있는 원자층 증착장치에 관한 것이다.
최근 반도체 제조 공정에서 반도체 소자의 집적도가 높아짐에 따라 미세가공의 요구가 증가하고 있다. 즉, 미세 패턴을 형성하고, 하나의 칩 상에 셀들을 고도로 집적시키기 위해서는 박막 두께 감소 및 고유전율을 갖는 새로운 물질개발 등을 이루어야 한다. 특히, 기판 표면에 단차가 형성되어 있는 경우 표면을 원만하게 덮어주는 단차도포성(step coverage) 및 웨이퍼 내 균일성(within wafer uniformity)의 확보는 매우 중요하다. 이와 같은 요구사항을 충족시키기 위해 원자층 단위의 미소한 두께를 가지는 박막을 형성하는 방법인 원자층 증착(atomic layer deposition, ALD) 방법이 제안되고 있다.
ALD공정은 기판 표면에서 반응물질의 표면 포화 반응(surface saturated reaction)에 의한 화학적 흡착(chemi-sorption)과 탈착(desorption) 과정을 이용하여 단원자층을 형성하는 방법으로, 원자층 수준에서 막 두께의 제어가 가능한 박막 증착 방법이다.
ALD 공정은 두 가지 이상의 소스가스를 각각 교대로 유입시키고, 각 소스가스의 유입 사이에 불활성 기체인 퍼지가스를 유입시킴으로써 소스가스들이 기체 상태에서 혼합되는 것을 방지한다. 즉, 하나의 소스가스가 기판 표면에 화학적으로 흡착(chemical adsorption)된 상태에서 후속하여 다른 하나의 소스가스가 반응함으로써 기판 표면에 한 층의 원자층이 생성된다. 그리고, 이와 같은 공정을 한 주기로 하여 원하는 두께의 박막이 형성될 때까지 반복한다. 여기서, 소스가스는 기판 표면에서만 화학적 흡착과 화학 반응이 일어나 하나의 원자층이 완전히 형성될 때까지 다른 표면 반응이 일어나지 않도록 억제되어야 한다.
최근, 고집적화, 고속화에 대한 요구로 인해 반도체 소자의 디자인 룰이 점점 미세화되고, 또한 반도체 기판이 대형화됨에 따라 원자층 증착장치에서도 미세화 및 대형화에 대응하는 것이 요구되고 있다. 그런데 기존의 플라즈마 처리 장치의 경우, 생성되는 플라즈마의 전자 온도(electron temperature)가 높기 때문에 반도체 소자에 플라즈마 손상이 발생하고, 또한, 플라즈마의 고밀도 영역이 한정적으로 발생되기 때문에, 대형 반도체 기판을 고속으로 처리하는 것이 어려웠다.
한편, 기존의 플라즈마 소스 중 이온 입자는 박막의 증착을 위한 준비로서 기판의 표면을 전처리하기 위해 이용되거나, 박막의 화학적 성질 및 구조를 변경하기 위해 이용된다. 또는 이온 입자는 막에서 전하 축적을 제거하거나 표면을 세정하기 위해 이용될 수 있다. 이러한 특징들에도 불구하고, 이온 입자는 큰 에너지를 갖기 때문에 표면을 손상시키거나 증착되는 막을 손상시킬 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 고밀도 플라즈마를 기판 전체 영역에 대해서 균일하게 발생시킬 수 있는 원자층 증착장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 전자 온도가 높아서 기판 및 반도체 소자에 손상이 발생하는 것을 방지할 수 있는 원자층 증착장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따르면, 원자층 증착장치는, 프로세스 챔버, 상기 프로세스 챔버 내부에 구비되고, 복수의 기판이 원형으로 배치되어서 안착되는 서셉터, 상기 서셉터 상부에 구비되어서 상기 기판에 증착가스를 제공하는 가스공급부 및 상기 가스공급부에 구비되어서 표면파 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부를 포함하여 구성된다.
일 측에 따르면, 상기 플라즈마 발생부는, 상기 가스공급부 상부에 구비되는 도파관, 상기 도파관의 일측에 구비되어서 상기 도파관 내부로 상기 기판에 대해서 평행한 방향으로 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 출력부 및 상기 도파관 내부에 구비되는 유전체를 포함할 수 있다. 그리고 상기 가스공급부는, 상기 기판에 증착가스 중 소스가스를 제공하는 제1 소스부, 상기 기판에 상기 증착가스 중 반응가스를 제공하는 제2 소스부 및 상기 기판에 상기 증착가스 중 퍼지가스를 제공하는 복수의 퍼지부를 포함하고, 상기 플라즈마 발생부는, 상기 제1 소스부 및 상기 제2 소스부 중 적어도 일측에 구비될 수 있다. 예를 들어, 상기 플라즈마 발생부는 상기 제1 소스부 상에 구비되는 제1 발생부와 상기 제2 소스부 상에 구비되는 제2 발생부를 포함하고, 상기 마이크로파 출력부는 상기 제1 발생부와 상기 제2 발생부에 각각 구비될 수 있다. 또는, 상기 플라즈마 발생부는 상기 제1 소스부 상에 구비되는 제1 발생부와 상기 제2 소스부 상에 구비되는 제2 발생부를 포함하고, 상기 마이크로파 출력부는 상기 제1 발생부와 상기 제2 발생부에 양측 모두에 마이크로파를 발생시키도록 구비될 수 있다. 또한, 상기 가스공급부는 탑 배기부를 더 포함하고, 상기 탑 배기부는 상기 제1 소스부와 상기 제2 소스부 및 상기 복수의 퍼지부 사이에 구비되어서 상기 기판에서 배기가스를 흡입하여 배출시킬 수 있다.
일 측에 따르면, 상기 도파관은 금속 재질로 형성될 수 있다. 그리고 상기 가스공급부는 상기 플라즈마 발생부와 연통되도록 윈도우가 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 윈도우는 상기 도파관 내부와 연통되는 개구, 샤워헤드, 복수의 슬릿 중 어느 하나의 형태를 가질 수 있다. 또한, 상기 도파관 내부에서 상기 유전체와 상기 가스공급부 사이에 상기 증착가스가 유입되는 가스 버퍼부가 형성될 수 있다.
한편, 상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예들에 따르면, 원자층 증착장치는, 프로세스 챔버, 상기 프로세스 챔버 내부에 구비되고, 복수의 기판이 원형으로 배치되어서 안착되는 서셉터, 상기 서셉터 상부에 구비되고, 상기 기판에 증착가스 중 소스가스를 제공하는 제1 소스부와, 상기 증착가스 중 반응가스를 제공하는 제2 소스부와, 상기 증착가스 중 퍼지가스를 제공하는 복수의 퍼지부를 포함하는 가스공급부 및 상기 제1 소스부와 상기 제2 소스부에 각각 구비되어서 표면파 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부를 포함하여 구성된다.
일 측에 따르면, 상기 플라즈마 발생부는, 상기 제1 소스부와 상기 제2 소스부를 덮도록 구비되는 도파관, 상기 도파관의 일측에 구비되어서 상기 도파관 내부로 상기 기판에 대해서 평행한 방향으로 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 출력부 및 상기 도파관 내부에 구비되는 유전체를 포함할 수 있다. 그리고 상기 플라즈마 발생부는 상기 제1 소스부 상에 구비되는 제1 발생부와 상기 제2 소스부 상에 구비되는 제2 발생부를 포함하고, 상기 마이크로파 출력부는 상기 제1 발생부와 상기 제2 발생부에 각각 구비될 수 있다. 또는, 상기 플라즈마 발생부는 상기 제1 소스부 상에 구비되는 제1 발생부와 상기 제2 소스부 상에 구비되는 제2 발생부를 포함하고, 상기 마이크로파 출력부는 상기 제1 발생부와 상기 제2 발생부에 양측 모두에 마이크로파를 발생시키도록 구비될 수 있다.
일 측에 따르면, 상기 가스공급부는 상기 플라즈마 발생부와 연통되도록 윈도우가 형성되고, 상기 윈도우는 상기 도파관 내부와 연통되는 개구, 샤워헤드, 복수의 슬릿 중 어느 하나의 형태를 가질 수 있다. 또한, 상기 도파관 내부에서 상기 유전체와 상기 가스공급부 사이에 상기 증착가스가 유입되는 가스 버퍼부가 형성될 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예는 아래의 효과 중 하나 이상을 가질 수 있다.
이상에서 본 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 표면파 플라즈마(surface wave plasma, SWP)를 이용하여 고밀도 플라즈마를 기판 전체 영역에 대해서 균일하게 발생시킬 수 있고, 그에 따라 반응성을 증가시키고 막질을 향상시킬 수 있다.
또한, 표면파 플라즈마를 이용하면 전자 온도를 낮추어서 기판 및 반도체 소자에 데미지가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장치의 모식도이다.
도 2는 도 1의 원자층 증착장치에서 가스공급부의 평면도이다.
도 3은 도 1의 원자층 증착장치에서 플라즈마 발생부의 모식도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생부의 모식도이다.
이하, 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면 상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 실시예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 실시예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 실시예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
이하에서는 도 1 내지 도 3을 참고하여 실시예들에 따른 원자층 증착장치에 대해서 상세하게 설명한다. 참고적으로, 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장치(10)의 모식도이고, 도 2는 도 1의 원자층 증착장치(10)에서 가스공급부(13)의 평면도이다. 그리고 도 3은 도 1의 원자층 증착장치(10)에서 플라즈마 발생부(15)의 모식도이고, 도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생부(15)의 모식도이다.
도면을 참고하면, 원자층 증착장치(10)는 기판(1)을 수용하여 공정이 수행되는 공간을 제공하는 프로세스 챔버(11)와, 복수의 기판(1)이 안착되는 서셉터(12)와, 기판(1)에 증착가스를 제공하기 위한 가스공급부(13) 및 가스공급부(13)에 구비되어서 표면파 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부(15)를 포함하여 구성된다.
본 실시예에서 증착 대상이 되는 기판(1)은 반도체 장치용 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 기판(1)은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치용으로 사용하는 유리를 포함하는 투명 기판일 수 있으며, 대면적 기판일 수 있다.
본 실시예에 따른 원자층 증착장치(10)는 복수의 기판(1)을 수용하여 원자층 증착공정이 수행되며, 원형의 서셉터(12) 표면에서 서셉터(12)의 원주 방향을 따라 등간격으로 복수의 기판(1)이 배치된다. 예를 들어, 서셉터(12)에는 6장의 기판(1)이 동시에 안착될 수 있다. 그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 서셉터(12)에 안착되는 기판(1)의 수는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.
가스공급부(13)는 서셉터(12) 상부 또는 프로세스 챔버(11)의 상측에 구비되어서 프로세스 챔버(11)의 상면을 형성한다. 또한, 가스공급부(13)는 기판(1)에 증착가스 중 소스가스를 제공하는 제1 소스부(131)와 기판(1)에 반응가스를 제공하는 제2 소스부(132) 및 퍼지가스를 제공하는 퍼지부(133, 134)를 포함하여 구성된다. 예를 들어, 가스공급부(13)는 제1 소스부(131)와 제2 소스부(132) 사이에 2개의 퍼지부(133, 134)가 배치되어서, 기판(1)의 회전 방향을 따라 제1 소스부(131)와 제2 소스부(132)가 서로 교번적으로 배치될 수 있다. 또한, 제1 소스부(131), 제2 소스부(132) 및 퍼지부(133, 134)는 부채꼴 형상을 갖는 샤워헤드일 수 있다. 그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 샤워헤드 형태 이 외에도 다양한 형태를 가질 수 있다. 또한, 제1 소스부(131), 제2 소스부(132) 및 퍼지부(133, 134)는 부채꼴 이외에도 원형이나 삼각형 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 그리고 제1 소스부(131), 제2 소스부(132) 및 퍼지부(133, 134)의 크기 역시 도면에 의해 한정되지 않고 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 제1 소스부(131)와 제2 소스부(132)가 대략 동일한 크기를 갖는 것으로 예시하였으나, 제1 소스부(131)의 크기가 더 크게 형성되는 것도 가능하다. 물론, 제2 소스부(132)의 크기를 더 크게 형성하는 것도 가능하다.
제1 소스부(131), 제2 소스부(132) 및 퍼지부(133, 134) 사이 사이에는 기판(1)에서 배기가스를 흡입하여 배출시키기 위한 탑 배기부(135)가 배치된다. 예를 들어, 탑 배기부(135)는 소정의 슬릿 또는 개구일 수 있다.
한편, 증착가스의 반응성을 높여서 박막의 품질을 향상시키기 위해서 증착가스를 플라즈마화 시킬 수 있다. 이를 위해서 가스공급부(13)에 플라즈마 발생부(15)가 구비된다. 플라즈마 발생부(15)는 가스공급부(13) 상에 구비되며, 표면파 플라즈마(surface wave plasma, SWP)를 발생시킨다. 상세하게는, 플라즈마 발생부(15)는 제1 소스부(131)와 제2 소스부(132)에 구비되어서, 소스가스와 반응가스를 플라즈마화 시킬 수 있다.
플라즈마 발생부(15)는 도파관(151)과, 도파관(151) 내부로 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 출력부(152) 및 도파관(151) 내부에 구비되는 유전체(153)를 포함하여 구성된다. 플라즈마 발생부(15)는 금속 재질의 도파관(151) 내부에 마이크로파를 발생시키면, 도파관(151) 내부에서 마이크로파가 증폭되면서 증착가스를 플라즈마화 시키게 된다.
도파관(151)은 제1 소스부(131)와 제2 소스부(132)를 덮는 형태로 형성되고, 내부에 마이크로파가 기판(1)에 대해서 평행하게 발생 및 진행될 수 있도록 빈 공간이 형성된다. 그리고 도파관(151) 내부에서 가스공급부(13)와의 사이에는 유전체(153)가 구비된다.
유전체(153)와 가스공급부(13)의 윈도우(302) 사이에는 일정 간격 이격되어서, 그 내부로 증착가스가 공급되어서 플라즈마화 되는 가스 버퍼부(301)가 형성된다. 가스 버퍼부(301)의 일측에는 증착가스를 공급하는 공급원(14)이 구비된다.
여기서, 윈도우(302)라 함은, 기판(1)에 증착가스 및 플라즈마 발생부(15)에 의해서 플라즈마 상태로 여기된 증착가스를 제공하는 부분으로, 기판(1)에 증착가스 및 플라즈마를 제공할 수 있도록 개구된 부분을 의미한다. 또한, 윈도우(302)는 단순히 개구뿐만 아니라 복수의 홀이 형성된 분사판이나 분사노즐, 샤워헤드 중 어느 하나의 형태를 가질 수 있다.
그리고, 본 실시예에서는 도파관(151) 내부에 가스 버퍼부(301)가 형성되어서 증착가스를 제공하는 것으로 예시하였으나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 가스 버퍼부(301)가 가스공급부(13)에 형성되는 것도 가능하다. 이 경우, 유전체(153)는 가스공급부(13)와 플라즈마 발생부(15)가 결합되는 위치에 구비되고, 가스 버퍼부(301)가 가스공급부(13)에 형성됨에 따라, 플라즈마는 가스공급부(13)의 가스 버퍼부(301) 내부 또는 가스공급부(13)와 기판(1) 사이에서 발생할 수 있다.
마이크로파 출력부(152)는 소정 크기의 마이크로파를 도파관(151) 내부로 발생시킨다. 또한, 마이크로파 출력부(152)는 기판(1)에 대해서 평행하게 마이크로파를 발생시킬 수 있도록 도파관(151)의 측부에 구비된다.
여기서, 플라즈마 발생부(15)는 제1 소스부(131)와 제2 소스부(132)에 각각 도파관(151)이 구비되고, 도 3에 도시한 바와 같이, 각각의 도파관(151)에 대해서 마이크로파 출력부(152)가 구비될 수 있다.
또는, 도 4에 도시한 바와 같이, 플라즈마 발생부(15)는 제1 소스부(131)와 제2 소스부(132)에 각각 도파관(151)이 구비되고, 2개의 도파관(151)에 모두에 마이크파를 발생시키도록 마이크로파 출력부(152)가 구비되는 것도 가능하다.
한편, 본 실시예에서는 소스가스와 반응가스를 모두 플라즈마화 시키는 것으로 예시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 반응가스만을 플라즈마화 시키도록 플라즈마 발생부(15)가 구비되는 것도 가능하다.
또한, 상술한 실시예에서는 가스공급부(13)를 각각 1개의 제1 소스부(131)와 제2 소스부(132) 및 2개의 퍼지부(133, 134)를 포함하는 4개의 영역으로 구성되는 것을 예시하였으나, 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 각각 2개 이상의 제1 소스부(131)와 제2 소스부(132) 및 4개 이상의 퍼지부(133, 134)를 포함하는 8개 이상의 영역으로 구성되는 것도 가능하다. 이와 같이 8개 이상의 영역을 갖는 가스공급부(13)에서도 각각의 소스부에 플라즈마 발생부(15)가 구비될 수 있다.
본 실시예들에 따르면, 표면파 플라즈마를 이용함으로써 고밀도의 플라즈마를 기판(1) 전체 영역에 대해서 균일하게 발생시킬 수 있다. 또한, 고밀도 플라즈마를 제공함으로써 증착가스의 반응성을 증가시키고 박막의 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 표면파 플라즈마를 이용하면 전자 온도를 낮출 수 있으므로, 기판(1) 및 박막이 이온 입자에 의해서 데미지가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.
1: 기판
10: 원자층 증착장치
11: 프로세스 챔버
12: 서셉터
13: 가스공급부
131: 제1 소스부
132: 제2 소스부
133, 134: 퍼지부
135: 탑 배기부
14: 공급원
15: 플라즈마 발생부
151: 도파관
152: 마이크로파 출력부
153: 유전체
301: 가스 버퍼부
302: 윈도우

Claims (16)

  1. 프로세스 챔버;
    상기 프로세스 챔버 내부에 구비되고, 복수의 기판이 원형으로 배치되어서 안착되는 서셉터;
    상기 서셉터 상부에 구비되어서 상기 기판에 증착가스를 제공하는 가스공급부; 및
    상기 가스공급부에 구비되어서 표면파 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부;
    를 포함하는 원자층 증착장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생부는,
    상기 가스공급부 상부에 구비되는 도파관;
    상기 도파관의 일측에 구비되어서 상기 도파관 내부로 상기 기판에 대해서 평행한 방향으로 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 출력부; 및
    상기 도파관 내부에 구비되는 유전체;
    를 포함하는 원자층 증착장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 가스공급부는,
    상기 기판에 증착가스 중 소스가스를 제공하는 제1 소스부;
    상기 기판에 상기 증착가스 중 반응가스를 제공하는 제2 소스부; 및
    상기 기판에 상기 증착가스 중 퍼지가스를 제공하는 복수의 퍼지부;
    를 포함하고,
    상기 플라즈마 발생부는, 상기 제1 소스부 및 상기 제2 소스부 중 적어도 일측에 구비되는 원자층 증착장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생부는 상기 제1 소스부 상에 구비되는 제1 발생부와 상기 제2 소스부 상에 구비되는 제2 발생부를 포함하고,
    상기 마이크로파 출력부는 상기 제1 발생부와 상기 제2 발생부에 각각 구비되는 원자층 증착장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생부는 상기 제1 소스부 상에 구비되는 제1 발생부와 상기 제2 소스부 상에 구비되는 제2 발생부를 포함하고,
    상기 마이크로파 출력부는 상기 제1 발생부와 상기 제2 발생부에 양측 모두에 마이크로파를 발생시키도록 구비되는 원자층 증착장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 가스공급부는 탑 배기부를 더 포함하고,
    상기 탑 배기부는 상기 제1 소스부와 상기 제2 소스부 및 상기 복수의 퍼지부 사이에 구비되어서 상기 기판에서 배기가스를 흡입하여 배출시키는 원자층 증착장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 도파관은 금속 재질로 형성되는 원자층 증착장치.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 가스공급부는 상기 플라즈마 발생부와 연통되도록 윈도우가 형성되는 원자층 증착장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 윈도우는 상기 도파관 내부와 연통되는 개구, 샤워헤드, 복수의 슬릿 중 어느 하나의 형태를 갖는 원자층 증착장치.
  10. 제2항에 있어서,
    상기 도파관 내부에서 상기 유전체와 상기 가스공급부 사이에 상기 증착가스가 유입되는 가스 버퍼부가 형성되는 원자층 증착장치.
  11. 프로세스 챔버;
    상기 프로세스 챔버 내부에 구비되고, 복수의 기판이 원형으로 배치되어서 안착되는 서셉터;
    상기 서셉터 상부에 구비되고, 상기 기판에 증착가스 중 소스가스를 제공하는 제1 소스부와, 상기 증착가스 중 반응가스를 제공하는 제2 소스부와, 상기 증착가스 중 퍼지가스를 제공하는 복수의 퍼지부를 포함하는 가스공급부; 및
    상기 제1 소스부와 상기 제2 소스부에 각각 구비되어서 표면파 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부;
    를 포함하는 원자층 증착장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생부는,
    상기 제1 소스부와 상기 제2 소스부를 덮도록 구비되는 도파관;
    상기 도파관의 일측에 구비되어서 상기 도파관 내부로 상기 기판에 대해서 평행한 방향으로 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 출력부; 및
    상기 도파관 내부에 구비되는 유전체;
    를 포함하는 원자층 증착장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생부는 상기 제1 소스부 상에 구비되는 제1 발생부와 상기 제2 소스부 상에 구비되는 제2 발생부를 포함하고,
    상기 마이크로파 출력부는 상기 제1 발생부와 상기 제2 발생부에 각각 구비되는 원자층 증착장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생부는 상기 제1 소스부 상에 구비되는 제1 발생부와 상기 제2 소스부 상에 구비되는 제2 발생부를 포함하고,
    상기 마이크로파 출력부는 상기 제1 발생부와 상기 제2 발생부에 양측 모두에 마이크로파를 발생시키도록 구비되는 원자층 증착장치.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 가스공급부는 상기 플라즈마 발생부와 연통되도록 윈도우가 형성되고,
    상기 윈도우는 상기 도파관 내부와 연통되는 개구, 샤워헤드, 복수의 슬릿 중 어느 하나의 형태를 갖는 원자층 증착장치.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 도파관 내부에서 상기 유전체와 상기 가스공급부 사이에 상기 증착가스가 유입되는 가스 버퍼부가 형성되는 원자층 증착장치.
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