KR20170029550A - 더 균일한 에지 퍼지를 갖는 기판 지지부 - Google Patents

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KR20170029550A
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Abstract

본원에서 기판 지지부들의 실시예들이 제공된다. 몇몇 실시예들에서, 기판 지지부는: 기판을 지지하기 위한 제 1 플레이트 - 제 1 플레이트는 제 1 플레이트의 후면 상에 복수의 퍼지 가스 채널들을 가짐 -; 제 1 플레이트 아래에 배치되고 제 1 플레이트를 지지하는 제 2 플레이트; 및 제 1 플레이트를 둘러싸고 제 2 플레이트 위에 배치되는 에지 링을 포함하고, 복수의 퍼지 가스 채널들은 중앙 부분의 단일 유입구로부터 제 1 플레이트의 둘레의 복수의 배출구들로 연장되며, 복수의 퍼지 가스 채널들은 실질적으로 동일한 유동 컨덕턴스(flow conductance)를 갖는다.

Description

더 균일한 에지 퍼지를 갖는 기판 지지부{SUBSTRATE SUPPORT WITH MORE UNIFORM EDGE PURGE}
[0001] 본 개시물의 실시예들은 일반적으로, 반도체 프로세싱 장비에 관한 것이다.
[0001] 에지 퍼징은, 금속 화학 기상 증착(MCVD) 및 금속 원자 층 증착(MALD) 챔버들에서 수행되는 프로세스들에서, 가열기 표면 에지를 보호하고 기판의 후면 상에서의 증착을 방지하는 데에 유용하다. 본 발명자들은, 에지 퍼지 가스의 주입에서의 불-균일성이 증착 불-균일성으로 이어질 것이라는 것을 관찰하였다. 따라서, 본 발명자들은, 현재의 MCVD 및 MALD 기판 지지부들이 그들의 에지 퍼징 불-균일성 측면에서 차선책이라고 믿는다. 예컨대, 본 발명자들은 종래의 기판 지지부들이 약 17% 범위의 에지 퍼지 불-균일성을 가질 수 있다는 것을 관찰하였다.
[0002] 그러므로, 본 발명자들은 더 균일한 에지 퍼지를 갖는 기판 지지부들의 실시예들을 제공하였다.
[0003] 본원에서 기판 지지부들의 실시예들이 제공된다. 몇몇 실시예들에서, 기판 지지부는: 기판을 지지하기 위한 제 1 플레이트 - 제 1 플레이트는 제 1 플레이트의 후면 상에 복수의 퍼지 가스 채널들을 가짐 -; 제 1 플레이트 아래에 배치되고 제 1 플레이트를 지지하는 제 2 플레이트; 및 제 1 플레이트를 둘러싸고 제 2 플레이트 위에 배치되는 에지 링을 포함하고, 복수의 퍼지 가스 채널들은 중앙 부분의 단일 유입구로부터 제 1 플레이트의 둘레의 복수의 배출구들로 연장되며, 복수의 퍼지 가스 채널들은 실질적으로 동일한 유동 컨덕턴스(flow conductance)를 갖는다.
[0004] 몇몇 실시예들에서, 프로세스 챔버는: 내측 용적을 정의하는 챔버 본체; 내측 용적에 프로세스 가스를 제공하기 위한 하나 또는 그 초과의 가스 유입구들; 및 내측 용적 내에서 하나 또는 그 초과의 가스 유입구들에 대향하여(opposite) 배치되는 기판 지지부를 포함하고, 기판 지지부는: 기판을 지지하기 위한 제 1 플레이트 - 제 1 플레이트는 제 1 플레이트의 후면 상에 복수의 퍼지 가스 채널들을 가짐 -; 제 1 플레이트 아래에 배치되고 제 1 플레이트를 지지하는 제 2 플레이트; 및 제 1 플레이트를 둘러싸고 제 2 플레이트 위에 배치되는 에지 링을 포함하며, 복수의 퍼지 가스 채널들은 중앙 부분의 단일 유입구로부터 제 1 플레이트의 둘레의 복수의 배출구들로 연장되고, 복수의 퍼지 가스 채널들은 실질적으로 동일한 유동 컨덕턴스를 갖는다.
[0005] 몇몇 실시예들에서, 기판 지지부는: 기판을 지지하기 위한 제 1 플레이트 - 제 1 플레이트는 제 1 플레이트의 후면 상에 배치된 복수의 퍼지 가스 채널들을 가짐 -; 제 1 플레이트 아래에 배치되고 제 1 플레이트를 지지하는 제 2 플레이트; 및 제 1 플레이트를 둘러싸고 제 2 플레이트 위에 배치되는 에지 링을 포함하고, 복수의 퍼지 가스 채널들은 중앙 부분의 단일 유입구로부터 제 1 플레이트의 둘레의 복수의 배출구들로 연장되며, 복수의 퍼지 가스 채널들은 실질적으로 동일한 유동 컨덕턴스를 갖고, 중앙 부분에서의 복수의 퍼지 가스 채널들의 제 1 단면적은, 둘레에서의 복수의 퍼지 가스 채널들의 제 2 단면적보다 더 크며, 제 1 플레이트의 둘레 및 에지 링은, 이들 사이에, 초킹된 유동 경로(choked flow path)를 정의한다.
[0006] 본 개시물의 다른 그리고 추가적인 실시예들은 이하에서 설명된다.
[0007] 첨부된 도면들에 도시된 본 발명의 예시적 실시예들을 참조하여, 앞서 간략히 요약되고 이하에서 더 상세하게 논의되는 본 개시물의 실시예들이 이해될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시물의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하는데, 이는 본 개시물이, 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0008] 도 1은, 본 개시물의 몇몇 실시예들에 따른 기판 지지부와 함께 사용하기에 적합한 프로세스 챔버의 개략도를 도시한다.
[0009] 도 2는, 본 개시물의 몇몇 실시예들에 따른 기판 지지부의 부분의 후면도를 도시한다.
[0010] 도 3은, 본 개시물의 몇몇 실시예들에 따른 기판 지지부의 등각 단면도를 도시한다.
[0011] 도 4는, 본 개시물의 몇몇 실시예들에 따른 기판 지지부의 측단면도를 도시한다.
[0012] 이해를 용이하게 하기 위하여, 가능하면, 도면들에 공통되는 동일한 엘리먼트들을 나타내기 위해, 동일한 참조번호들이 사용되었다. 도면들은 실척대로 도시된 것은 아니며, 명료함을 위해 단순화될 수 있다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들은, 추가적인 언급 없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있다.
[0013] 개선된 퍼지 가스 유동을 제공하는 기판 지지부들이 본원에서 제공된다. 본 발명의 기판의 실시예들은, 프로세싱되는 기판 주변의 퍼지 가스 유동의 균일성을 개선하고, 따라서 증착 균일성을 개선한다. 본 개시물의 범위를 제한하려고 의도되는 것은 아니지만, 본원에서 개시되는 본 발명의 기판 지지부는, 예컨대, 200, 300 또는 450mm 직경의 기판들 등을 프로세싱하기에 적합한 CVD 프로세스 챔버들과 같은, 선택적으로 무선 주파수(RF) 능력을 갖는, 화학 기상 증착(CVD)을 위해 구성된 프로세스 챔버들에서 특히 유리할 수 있다.
[0014] 도 1은, 본 개시물의 몇몇 실시예들에 따른, 가열기를 갖는 기판 지지부와 함께 사용하기에 적합한 프로세스 챔버(100)를 도시한다. 프로세스 챔버(100)는, 하나 또는 그 초과의 기판 프로세스들, 예컨대, 화학 기상 증착(CVD), 물리 기상 증착(PVD), 원자 층 증착(ALD), 등과 같은 증착 프로세스를 수행하기에 적합한 임의의 프로세스 챔버일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 프로세스 챔버는 CVD 프로세스 챔버이다. 프로세스 챔버는, 캘리포니아 주 산타 클라라 소재의 Applied Materials, Inc.에서 입수 가능한 CENTURA®, PRODUCER®, 또는 ENDURA® 클러스터 툴들 중 하나와 같은 클러스터 툴의 일부, 또는 독립형 프로세스 챔버일 수 있다.
[0015] 몇몇 실시예들에서, 프로세스 챔버(100)는 일반적으로, 챔버 본체(102), 기판(108)을 지지하기 위한 기판 지지부(103), 및 하나 또는 그 초과의 프로세스 가스들을 챔버 본체(102)의 내측 용적(119)에 제공하기 위한 하나 또는 그 초과의 가스 유입구들(예컨대, 샤워헤드(101))을 포함할 수 있다.
[0016] 몇몇 실시예들에서, 챔버 본체(102)는, 기판(108)이 프로세스 챔버(100)에 제공되고 프로세스 챔버(100)로부터 제거되는 것을 허용하기 위해, 하나 또는 그 초과의 개구부들(하나의 개구부(109)가 도시됨)을 포함할 수 있다. 개구부(109)는, 개구부(109)를 통한 챔버 본체(102)의 내측 용적(119)에 대한 액세스를 선택적으로 제공하기 위해, 슬릿 밸브(110) 또는 다른 메커니즘을 통해 선택적으로 밀봉될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 기판 지지부(103)는, 개구부(109)를 통해 챔버의 안과 밖으로 기판들을 이송하기에 적합한 (도시된 바와 같은) 하부 포지션과 프로세싱에 적합한 선택 가능한 상부 포지션 사이에서 기판 지지부(103)의 포지션을 제어할 수 있는 리프트 메커니즘(117)에 커플링될 수 있다. 프로세스 포지션은 특정 프로세스에 대해 프로세스 균일성을 최대화하기 위해 선택될 수 있다. 상승된 프로세싱 포지션들 중 적어도 하나에 있을 때, 기판 지지부(103)는, 대칭적인 프로세싱 영역을 제공하기 위해 개구부(109) 위에 배치될 수 있다.
[0017] 하나 또는 그 초과의 가스 유입구들(예컨대, 샤워헤드(101))은, 프로세스 챔버(100)에서 프로세스들을 수행하기 위해 하나 또는 그 초과의 프로세스 가스들을 제공하기 위한 제 1 가스 소스(128)에 커플링될 수 있다. 샤워헤드(101)가 도시되었지만, 프로세스 챔버(100)의 측벽들 상에 또는 천장에 배치된, 또는 원하는 대로 프로세스 챔버(100)에 가스들을 제공하기에 적합한 다른 위치들, 예컨대, 챔버 본체(102)의 베이스, 기판 지지부(103)의 둘레, 등에 배치된 유입구들 또는 노즐들과 같은 부가적인 또는 대안적인 가스 유입구들이 제공될 수 있다.
[0018] 몇몇 실시예들에서, 프로세스 챔버(100)는, 예컨대, 챔버 본체(102)의 내측 용적(119)을 배기부(130)와 유체적으로(fluidly) 커플링하는 하나 또는 그 초과의 개구부들(138)을 통해, 프로세스 가스들, 퍼지 가스들, 프로세싱 부산물들, 등을 프로세스 챔버(100)로부터 제거하기 위해 펌프(126)에 커플링된 배기부(130)를 더 포함한다. 몇몇 실시예들에서, 배기부(130)는 챔버 본체(102)의 벽들 주위에 배치될 수 있고, 추가적으로 상부 배기부(132)와 하부 배기부(134)로 분할될 수 있으며, 배기부(130)를 통한 펌프(126)로의 프로세스 가스들의 유동 등을 제어하기 위해(예컨대, 비대칭적인 펌프 구성으로 인한, 기판 위의, 프로세스 챔버의 프로세싱 영역으로부터 배기부(130)로의 방위각적으로 더 균일한 유동을 제공하기 위해) 상부 배기부(132)와 하부 배기부(134) 사이에 하나 또는 그 초과의 개구부들(136)이 배치될 수 있다.
[0019] 기판 지지부(103)는 일반적으로, 상부에 기판(108)을 지지하기 위한 제 1 플레이트(105) 및 제 1 플레이트(105)를 지지하도록 구성된 제 2 플레이트(가열기 플레이트)(106)를 포함한다. 기판 지지 샤프트(107)는 제 2 플레이트(106)를 지지한다. 몇몇 실시예들에서, 하나 또는 그 초과의 가열 엘리먼트들(118)이 제 2 플레이트(106) 내에 내장될(embedded) 수 있거나 리세싱될(recessed) 수 있으며, 따라서, 제 2 플레이트(106)가 가열기로서 기능하는 것을 허용한다. 전력 소스(111)는 기판 지지 샤프트(107) 내에 배치된 도관(113)을 통해 가열 엘리먼트(118)에 전력을 제공할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 가열 엘리먼트들(118)은 제 2 플레이트(106) 내에 내장될 수 있거나 리세싱될 수 있으며, 제 2 플레이트(106)에 걸쳐서 다수의 가열 구역들이 존재하도록 구성될 수 있다.
[0020] 퍼지 가스(예컨대, 아르곤과 같은 불활성 가스)는 제 2 가스 소스(114)에 의해 도관(116)을 통해 기판(108)의 후면(122)에 제공된다. 몇몇 실시예들에서, 도관(116)은 기판 지지 샤프트(107)의 중앙 개구부 내에 또는 측벽에 배치된다. 하나 또는 그 초과의 도관들(이하에서 설명됨)은 기판(108)의 에지 근처에 퍼지 가스를 전달하기 위해 제공된다.
[0021] 도 2는, 본 개시물의 몇몇 실시예들에 따른 제 1 플레이트(105)의 후면을 도시한다. 몇몇 실시예들에서, 제 1 플레이트(105)는 유리하게, 종래의 기판 지지부들과 비교하여, 제 1 플레이트(105)의 둘레를 빠져나가는 퍼지 가스들의 더 균일한 분배를 제공할 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 복수의 퍼지 가스 채널들(204A, 204B)은 제 1 플레이트(105)의 중앙 부분의 단일 유입구(203)로부터 제 1 플레이트(105)의 둘레의 복수의 배출구들(205)로 퍼질(spread) 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 퍼지 가스 채널들(204A, 204B)은 복수의 통로들을 통해 복수의 배출구들(205)로 재귀적으로(recursively) 퍼질 수 있다.
[0022] 몇몇 실시예들에서, 복수의 퍼지 가스 채널들은 실질적으로 동일한 유동 컨덕턴스를 가질 수 있다. 본원에서 사용되는 바와 같이, 실질적으로 동등한, 또는 실질적으로 동일한이라는 용어는, 서로 약 10퍼센트 이내라는 것을 의미한다. 실질적으로 동등한 또는 실질적으로 동일한이라는 용어들은, 상기 정의된 바와 같이, 본 개시물의 다른 양태들, 예컨대, 도관(또는 채널) 길이, 유동 길이, 단면적, 유량, 등을 설명하는 데에 사용될 수 있다.
[0023] 몇몇 실시예들에서, 복수의 퍼지 가스 채널들은 실질적으로 동일한 유동 길이를 가질 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 복수의 퍼지 가스 채널들은 그곳을 따른 동등한 포지션을 따라 실질적으로 동일한 단면적을 가질 수 있다(예컨대, 단면적은 각각의 통로의 길이를 따라 변할 수 있지만, 복수의 퍼지 가스 채널들의 각각의 채널은 실질적으로 동등한 방식으로 변할 것이다). 몇몇 실시예들에서, 복수의 퍼지 가스 채널들은 제 1 플레이트(105)를 중심으로 대칭적으로 배열될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 복수의 퍼지 가스 채널들(204A) 각각의 제 1 단면적은 복수의 퍼지 가스 채널들(204B) 각각의 제 2 단면적보다 더 크다. 제 1 플레이트(105)의 둘레 근처의 감소된 단면적의 결과로서, 초킹된 유동 조건이 생성된다. 따라서, 퍼지 가스는 실질적으로 동등한 유량으로 모든 배출구들(205)을 빠져나간다.
[0024] 예컨대, 몇몇 실시예들에서, 기판 지지 샤프트(107)의 도관(116)과 정렬되기 위해, 단일 유입구(203)가 정상부 플레이트의 중앙 근처에 제공된다. 단일 유입구(203)로부터, 복수의 퍼지 가스 채널들은 교번하며(alternatingly) 방사상 외측으로 그리고 정상부 플레이트(그리고 일반적으로, 기판 지지부)와 공통 중심을 갖는 반경의 원호(arc)를 따라서 연장된다. 매번 퍼지 가스 채널이 방사상 외측으로 연장될 때마다, 퍼지 가스 채널은 마지막 방사상 외측으로 연장되는 채널들이 제 1 플레이트(105)를 빠져 나올 때까지 원호의 중간과 교차한다.
[0025] 예컨대, 몇몇 실시예들에서, 제 1 아치형(arcuate) 퍼지 가스 채널의 중심과 교차하는 방사상 외측으로 연장되는 단일 퍼지 가스 채널이 제공된다. 제 1 아치형 퍼지 가스 채널은 약 180도의 원호 길이를 가질 수 있다. 제 1 아치형 퍼지 가스 채널의 단부들은, 한 쌍의 방사상 외측으로 연장되는 퍼지 가스 채널들의 각각의 단부들과 교차하며, 결과적으로, 제 1 아치형 퍼지 가스 채널의 단부들은 한 쌍의 제 2 아치형 퍼지 가스 채널들과 각각 교차한다. 한 쌍의 제 2 아치형 퍼지 가스 채널들 각각은 약 90도의 원호 길이를 가질 수 있다. 한 쌍의 제 2 아치형 퍼지 가스 채널들 각각의 단부들은, 4개의 방사상 외측으로 연장되는 퍼지 가스 채널들의 각각의 단부들과 교차하며, 결과적으로, 제 2 아치형 퍼지 가스 채널들의 단부들은 4개의 제 3 아치형 퍼지 가스 채널들과 각각 교차한다. 4개의 제 3 아치형 퍼지 가스 채널들 각각은 약 45도의 원호 길이를 가질 수 있다. 4개의 제 3 아치형 퍼지 가스 채널들 각각의 단부들은, 8개의 방사상 외측으로 연장되는 퍼지 가스 채널들의 각각의 단부들과 교차하며, 결과적으로, 제 3 아치형 퍼지 가스 채널들의 단부들은 8개의 제 4 아치형 퍼지 가스 채널들과 각각 교차한다. 8개의 제 4 아치형 퍼지 가스 채널들 각각은 약 22.5도의 원호 길이를 가질 수 있다. 8개의 제 4 아치형 퍼지 가스 채널들 각각의 단부들은, 16개의 방사상 외측으로 연장되는 퍼지 가스 채널들의 각각의 단부들과 교차하며, 결과적으로, 제 4 아치형 퍼지 가스 채널들의 단부들은 제 1 플레이트(105)의 외측 에지와 각각 교차하여 배출구들(205)을 형성한다.
[0026] 도 2에 도시된 바와 같이, 진공 그루브들(grooves)(202)이 또한, 제 1 플레이트(105) 내에 기계가공된다(machined). 진공 그루브들(202)을 제 1 플레이트(105)의 정상부 상의 복수의 채널들(도 3에서 306)과 유체적으로 커플링하기 위해, 개구부들(201)이 제 1 플레이트(105)를 통해 연장된다. 진공 척킹 공급부(도시되지 않음)는, 기판(108)이 제 1 플레이트(105)의 정상에 위치될 때 기판을 척킹하기 위해, 진공 그루브들(202)과 연통한다(communicate). 제 1 플레이트(105)는 또한, 리프트 핀들(도시되지 않음)이 통과하여 기판(108)을 제 1 플레이트(105)로부터 상승시키고 제 1 플레이트(105) 상으로 하강시키는 것을 허용하기 위해 복수의 리프트 핀 홀들(206)을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 그리고 도 2에 도시된 바와 같이, 모든 진공 그루브들(202)은 복수의 퍼지 가스 채널들(204A, 204B)의 제 1 아치형 퍼지 가스 채널의 방사상 내측으로 배치되며, 유리하게, 다양한 채널들의 어레인지먼트 및 기계가공을 간략화하고, 복수의 퍼지 가스 채널들(204A, 204B)의 대칭적인 어레인지먼트를 용이하게 하며, 이는 더 균일한 퍼지 가스 유동을 제공한다.
[0027] 도 3은, 본 개시물의 몇몇 실시예들에 따른 기판 지지부(103)의 등각 단면도를 도시한다. 도 3에서 볼 수 있는 바와 같이, 도관(302)은 일 단부에서 진공 척킹 공급부(303)에 커플링되고, 대향하는 단부에서는 진공 그루브들(202) 내로 개방된다. 진공 그루브들(202)은, 제 1 플레이트(105) 상에 위치된 기판(108)을 척킹하기 위해, 개구부들(201)을 통해 제 1 플레이트(105)의 정상부 상의 복수의 채널들(306)과 연통한다. 몇몇 실시예들에서, 제 1 플레이트(105)는, 기판(108)이 제 1 플레이트(105) 상에 위치될 때 기판의 후면 상에서의 입자 생성을 방지하기 위해, 복수의 접촉 패드들(304)(예컨대, 사파이어 볼들)을 포함할 수 있다.
[0028] 도 4는, 제 1 및 제 2 플레이트들(105, 106)의 둘레의 측단면도를 도시한다. 몇몇 실시예들에서, 기판 지지부(103)는 제 2 플레이트(106) 위에 배치되고 제 1 플레이트(105)를 둘러싸는 에지 링(402)을 포함할 수 있다. 에지 링(402)은, 배출구들(205) 밖으로 유동하는 퍼지 가스들이, 도 4에서 화살표들에 의해 표시된 바와 같이, 제 1 플레이트(105)와 에지 링(402) 사이를 유동하는 것을 허용하기 위해, 제 1 플레이트(105)로부터 이격된다. 몇몇 실시예들에서, 제 1 플레이트(105)의 둘레는 에지 링(402)의 내측 부분에 대응하도록, 그리고, 제 2 플레이트(106)의 정상부 표면과 함께, 제 1 플레이트(105)의 둘레와 에지 링(402) 사이에 환형 채널을 정의하도록 성형된다. 환형 채널은, 제 1 플레이트(105)의 둘레와, 제 1 플레이트(105)의 상부 표면으로 연장되는, 에지 링(402)의 내측 부분 사이에 정의된 갭에 유체적으로 커플링되고, 프로세스 챔버에 설치되었을 때, 프로세스 챔버의 내측 용적(예컨대, 도 1에 도시된 프로세스 챔버(100)의 내측 용적(119)) 내로 개방된다. 몇몇 실시예들에서, 에지 링(402) 및 제 1 플레이트(105)의 둘레는, 적어도 갭 내에서, 초킹된 유동 경로를 정의한다. 결과적으로, 기판(108)을 둘러싸는, 퍼지 가스의 더 균일한 유동이 달성된다.
[0029] 따라서, 개선된 퍼지 가스 균일성을 제공할 수 있는 기판 지지부들의 실시예들이 본원에서 제공되었다. 본 발명의 기판 지지부는, 프로세싱되는 기판 주변의 퍼지 가스 유동의 균일성을 개선할 수 있고, 따라서 증착 균일성을 개선할 수 있다.
[0030] 전술한 내용은 본 개시물의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시물의 다른 그리고 추가적인 실시예들은 본 개시물의 기본 범위를 벗어나지 않고 안출될 수 있다.

Claims (12)

  1. 기판 지지부로서,
    기판을 지지하기 위한 제 1 플레이트 - 상기 제 1 플레이트는 상기 제 1 플레이트의 후면 상에 복수의 퍼지 가스 채널들을 가짐 -;
    상기 제 1 플레이트 아래에 배치되고 상기 제 1 플레이트를 지지하는 제 2 플레이트; 및
    상기 제 1 플레이트를 둘러싸고 상기 제 2 플레이트 위에 배치되는 에지 링을 포함하고, 상기 복수의 퍼지 가스 채널들은 중앙 부분의 단일 유입구로부터 상기 제 1 플레이트의 둘레의 복수의 배출구들로 연장되며, 상기 복수의 퍼지 가스 채널들은 실질적으로 동일한 유동 컨덕턴스(flow conductance)를 갖는,
    기판 지지부.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 퍼지 가스 채널들은 상기 중앙 부분에서의 제 1 단면적, 및 상기 둘레에서의 제 2 단면적을 갖는,
    기판 지지부.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 둘레에서, 초킹된 유동 조건(choked flow condition)을 생성하기 위해, 상기 제 2 단면적은 상기 제 1 단면적 미만인,
    기판 지지부.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 에지 링은, 상기 제 1 플레이트와 상기 에지 링 사이에 유동 경로를 생성하기 위해, 상기 제 1 플레이트로부터 이격되는,
    기판 지지부.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 플레이트의 둘레는 상기 에지 링의 내측 부분에 대응하도록 성형되는,
    기판 지지부.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 에지 링과 상기 제 1 플레이트의 둘레는, 상기 에지 링과 상기 제 1 플레이트의 둘레 사이에, 초킹된 유동 경로를 정의하는,
    기판 지지부.
  7. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 플레이트는, 복수의 가열 구역들을 제공하기 위해, 상기 제 2 플레이트에 내장된(embedded) 복수의 가열 엘리먼트들을 포함하는,
    기판 지지부.
  8. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 퍼지 가스 채널들은 상기 복수의 배출구들로 재귀적으로(recursively) 퍼지는(spread),
    기판 지지부.
  9. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 플레이트는,
    상기 후면 상에 배치된 하나 또는 그 초과의 진공 그루브들(grooves);
    상기 제 1 플레이트의 정상부 상에 형성된 복수의 채널들; 및
    상기 하나 또는 그 초과의 진공 그루브들을 상기 복수의 채널들에 유체적으로(fluidly) 커플링하기 위해, 상기 제 1 플레이트를 통해 배치된 하나 또는 그 초과의 개구부들을 더 포함하는,
    기판 지지부.
  10. 프로세스 챔버로서,
    내측 용적을 정의하는 챔버 본체;
    상기 내측 용적에 프로세스 가스를 제공하기 위한 하나 또는 그 초과의 가스 유입구들; 및
    상기 내측 용적 내에서 상기 하나 또는 그 초과의 가스 유입구들에 대향하여(opposite) 배치된 기판 지지부 - 상기 기판 지지부는 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에서 정의된 바와 같음 - 를 포함하는,
    프로세스 챔버.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 프로세스 가스를 상기 하나 또는 그 초과의 가스 유입구들에 제공하기 위한 제 1 가스 소스; 및
    퍼지 가스를 상기 복수의 퍼지 가스 채널들에 제공하기 위한 제 2 가스 소스를 더 포함하는,
    프로세스 챔버.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 플레이트는,
    상기 후면 상에 배치된 하나 또는 그 초과의 진공 그루브들;
    상기 제 1 플레이트의 정상부 상에 형성된 복수의 채널들; 및
    상기 하나 또는 그 초과의 진공 그루브들을 상기 복수의 채널들에 유체적으로 커플링하기 위해, 상기 제 1 플레이트를 통해 배치된 하나 또는 그 초과의 개구부들을 더 포함하고, 그리고
    상기 기판 지지부의 정상에 배치된 기판을 척킹하기 위해 상기 하나 또는 그 초과의 진공 그루브들에 커플링된 진공 척킹 공급부(vacuum chucking supply)를 더 포함하는,
    프로세스 챔버.
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