TW202341341A - 用於改善半導體處理操作的邊緣均勻度之邊緣環 - Google Patents

Abstract

本文係揭露一種具有流導（flow conductance）特徵部之改良式邊緣環。邊緣環之流導特徵部為添加至邊緣環的特徵部，其可調整在邊緣環局部區域中流動之氣體的流導。流導特徵部可以調整流導以補償半導體晶圓上、邊緣環上以及腔室中可能影響局部區域中之氣體流動的特徵部。取決於所需效果，流導可以增加、降低或進行調整。

Description

用於改善半導體處理操作的邊緣均勻度之邊緣環

本文係關於用於改善半導體製程操作之邊緣均勻度的邊緣環。

吾人通常需要在處理操作期間保護半導體晶圓的邊緣以防止在半導體晶圓的邊緣及/或底側上發生不希望的沉積或蝕刻。一種用於提供此類邊緣保護的技術是業內通常稱之為「排除環」或「邊緣環」的技術。典型邊緣環的特點是在環形結構的中間有一個開口，其尺寸略小於要使用之半導體晶圓的直徑，使得當邊緣環放在半導體晶圓上並置中放置時，邊緣環的內邊緣與半導體晶圓的外邊緣有少量重疊。

在一些實施方式中，可以提供一種與直徑為D厚度為T之晶圓一起使用的邊緣環，其包含具有外底表面的外部分以及具有頂表面、內底表面以及內邊緣的內部分。外底表面界定了第一參考平面，其係與外底表面的至少一部份共平面。內底表面界定了第二參考平面，第二參考平面係與第一參考平面平行，且與內底表面的至少一部份重合。內底表面係介於第一參考平面與頂表面之間。內底表面與第一參考平面係至少相距距離T。內邊緣係具有小於D的標稱內徑。邊緣環係包含下列者其中之一：(a)位於內部份內之凸部，其具有介於第一參考平面以及第二參考平面之間的凸部底表面；(b)懸垂部，其材料位於以邊緣環為中心的圓形區域內，且其具有等於該標稱內徑的直徑；或(c) (a)與(b)兩者。

在邊緣環的一些實施方式中，內部分可以具有一或多個凹部，該一或多個凹部中的各者在第二參考平面及頂表面之間具有凹部底表面。

在邊緣環的一些實施方式中，內部份具有三個凹部。

在邊緣環的一些實施方式中，該一或多個凹部中的各者開始於內部分的內邊緣處並延伸朝向內部分之外邊緣。

在邊緣環的一些實施方式中，該一或多個凹部中之各凹部底表面係與第二參考平面相距至少10µm。

在邊緣環的一些實施方式中，該一或多個凹部中的各者具有弧形外邊緣。

在邊緣環的一些實施方式中，該一或多個凹部中的各者可以具有直線外邊緣。

在邊緣環的一些實施方式中，該內部分具有一或多個成角度的扇形，於其中內邊緣介於圓型區域及內部分的外邊緣之間。

在邊緣環的一些實施方式中，內部分可具有三個成角度的扇形。

在邊緣環的一些實施方式中，在一或多個成角度的扇形中之各者處的內邊緣係介於圓型區域以及與圓型區域同心且直徑為D的參考圓之間。

在邊緣環的一些實施方式中，在一或多個成角度的扇形中之各者處的內邊緣可以是弧形。

在邊緣環的一些實施方式中，在一或多個成角度的扇形中之各者處的內邊緣可以是直線。

在邊緣環的一些實施方式中，凸部底表面可以在第一參考平面上方至少300µm。

在邊緣環的一些實施方式中，懸垂部具有作為圓型區域之弦的懸垂內邊緣。

在邊緣環的一些實施方式中，懸垂部可以是扇形的。

在邊緣環的一些實施方式中，懸垂部可以是U形的。

在邊緣環的一些實施方式中，懸垂部可以在第一參考平面及第二參考平面之間具有懸垂部底表面。

在邊緣環的一些實施方式中，內邊緣可以具有在D的95%及99.9%範圍內的標稱內徑。

在邊緣環的一些實施方式中，邊緣環可以由陶瓷材料製成。

在邊緣環的一些實施方式中，邊緣環可進一步包含複數指狀物，其中每一指狀物具有基部、由基部所支撐之徑向向內延伸部、以及用以相對於該向內延伸部旋轉的滾輪，且每一指狀物之基部係與外底表面連接。

在邊緣環的一些實施方式中，D可以是大約300mm。

在邊緣環的一些實施方式中，T可以是大約775um。

在下面的描述中，闡述了許多具體細節以提供對所呈現實施例的透徹理解。可於沒有這些具體細節的一些或全部之情況下實踐所揭示的實施例。在其他情況下，並不詳細敘述熟知之製程操作，以免不必要地模糊所揭露之實施例。且雖然將會同特定實施例來敘述所揭露之實施例，但吾人應理解特定實施例並不意欲限制所揭露之實施例。

在一些半導體製程操作中，邊緣環可用於幫助控制靠近處理中之半導體晶圓之外邊緣的氣流。如前所述，這種邊緣環可具有尺寸略小於晶圓直徑的內部開口，以便當邊緣環置中且放置在半導體晶圓上時與晶圓重疊例如毫米或更小的一點小數量。邊緣環可以例如由支撐晶圓的基座來支撐，使得邊緣環不直接擱置在半導體晶圓上。可以從支撐邊緣環之基座中的孔口引入惰性吹掃氣體，例如氬氣、氮氣或其他惰性氣體或對半導體製程氣體不反應的氣體，以流入邊緣環和基座之間的間隙中。接著吹掃氣體可以流過此間隙，經過半導體晶圓的邊緣，然後經由邊緣環底側與半導體晶圓頂部之間的間隙而被徑向向內導引朝向半導體晶圓的中心。

一些邊緣環還可以充當承載環，其可以在晶圓放置和/或傳送操作期間支撐半導體晶圓。在一些此種邊緣環中，複數個（例如三個）指狀物可以從沿著邊緣環外周邊的位置徑向向內延伸。指狀物係位於邊緣環的底側且與邊緣環的表面間隔開，邊緣環的表面在處理操作期間係擱置在支撐邊緣環的基座上。指狀物乃向內延伸至位於圓形區域內的點，圓形區域的直徑係與要由其支撐的晶圓相同。因此，當晶圓置中在邊緣環下方且指尖位於晶圓下方時，將邊緣環向上提升將使指尖接觸晶圓的底側並從下方支撐晶圓，從而允許藉由邊緣環的進一步向上移動來提升晶圓。基座又可以在其上表面中具有凹槽或插孔，其尺寸係設計成當將邊緣環和半導體晶圓放置在基座上時允許指狀物（以及任何相關聯的支撐結構）下降到其中。凹槽或插孔便允許指狀物及其支撐結構降低到支撐半導體晶圓之基座的表面之下，從而允許邊緣環下降到通常支撐半導體晶圓之基座的表面，並擱置在該表面上或靠近該表面。

本發明人確定，在某些半導體製程中，例如用於接收指狀物之凹槽或插孔的特徵部可能是邊緣環的一部分（或者當晶圓和邊緣環放置在基座上時與晶圓或邊緣環底側流體連通的其他類似凹穴或空隙空間），該特徵部有時會從半導體製程操作的一個階段捕獲少量的製程氣體，然後在半導體製程操作的後續階段可能會不希望地釋放出這些氣體。在某些情況下，此類保留和稍後釋放的製程氣體可能會局部抑製或干擾（或可能不希望地增強，取決於所討論的特定製程）在半導體製程操作的後續階段中執行的沉積或蝕刻製程，從而導致覆蓋在凹槽或插孔上之晶圓邊緣附近的不均勻性增加。

本發明人還意識到位於晶圓本身上的特徵部也可能導致局部邊緣不均勻性。例如，半導體晶圓通常沿其周邊具有凹口或平坦邊緣，用來作為參考框架以允許由不同工具可靠地判定出半導體晶圓的旋轉方向。這種指示性的特徵部允許相對於特定參考/座標系統而判定出半導體晶圓的旋轉方向。一旦獲得此資訊，便可以接著將半導體晶圓旋轉一計算量以便將半導體晶圓與期望的參考/座標系統對準。然而，通常從半導體晶圓的邊緣向內延伸一毫米或兩毫米的凹口實際上可以與邊緣環相互作用以提供一個小的局部區域，於其中邊緣環與半導體晶圓之間的流導比起在大部分的邊緣環周圍或邊緣環周圍所有其他位置處之間的流導高。本發明人又發現，如此會導致來自邊緣環和基座之間區域的吹掃氣體有局部升高的徑向向內流速。因此，穿過半導體晶圓邊緣並朝向晶圓中心的吹掃氣體流速可以沿著半導體晶圓邊緣在覆蓋可能存在於晶圓上之一或多個凹口的位置處升高。有些晶圓係具有平面而不是凹口，但是對於此類晶圓也可以觀察到類似的效果（儘管可能沿著晶圓外周的較大部分展開）。

本發明人已經識別出導致潛在的晶圓不均勻性的問題，確定可以藉由修改邊緣環的結構來減輕甚至消除這種不均勻性，使得當使用時與晶圓重疊的邊緣環底側相對於形成邊緣環之標稱底側的表面具有凸部及/或凹部的區域，當存在晶圓時，邊緣環係與晶圓徑向重疊。此種地區或區域允許對邊緣環底側與晶圓頂部之間之間隙中的流導進行局部調節，以增加或減少在該位置處徑向向內流動之吹掃氣體的量。本發明人還確定，藉由修改邊緣環的圓形內邊緣以便具有該內邊緣相對於邊緣環之內邊緣所在的圓而徑向向內或向外移動的區域（其經定位以便與特徵部（例如晶圓凹口及/或基座中之凹槽或插孔）對齊）。此種實施方式的進一步細節將在下文中參照附圖更詳細地討論。

圖1描繪了根據本揭露內容之例示邊緣環100的平面圖。邊緣環100具有外部分106和內部分104。內部分104具有內邊緣108。內邊緣108可界定了以環中心軸112為中心的實質圓形開口110。圓形開口110具有直徑114。直徑114略小於半導體晶圓102的直徑。在所示例子中係顯示出例示半導體晶圓102的輪廓。例如，半導體晶圓102可以具有大約300mm的直徑。在此例中，圓形開口110的直徑114小於300mm。當用於處理300mm的半導體晶圓時，直徑114可以介於297-299.5mm之間（吾人應當理解，圖1並未按比例繪製）。

邊緣環100可具有流導特徵部。流導特徵部可用於調整半導體晶圓102與邊緣環100之內部分104之重疊部分間之間隙的流導。流導特徵部可放置在特定位置以修改半導體晶圓102周圍之相應區域中的流導。如圖1的例子所示，邊緣環100具有四個放置流導特徵部的位置。前三個位置均在相應的區段122處，第四個位置在凹口區段118處。每個區段122可具有第一類型的流導特徵部，而凹口區段118可具有第二類型的流導特徵部，從而允許調整邊緣環的徑向流導以適應不同位置的不同吹掃氣體流速需求。凹口區段118可以定位成與邊緣環100將一起使用之半導體晶圓102的凹口120對齊。區段122可以類似地大致上位於基座（未顯示）中的凹槽或插孔上方，這些凹槽或插孔係設計為接收連接到邊緣環100的指狀物或類似結構。指狀物（未顯示，但參見圖2-1和2-3）和類似結構可以藉由連接螺釘116而附接到邊緣環100。

圖2-1顯示將半導體晶圓102保持在基座124上方之升高位置的邊緣環100的透視圖。半導體晶圓102係由利用連接螺釘連接到邊緣環100的邊緣環特徵部156所支持。在本實施例中，邊緣環特徵部156為具有滾輪164的指狀物158。在本實施例中，有三個邊緣環特徵部156。在一些實施例中，可以有單個邊緣環特徵部156。在一些實施例中，可以有兩個或更多個邊緣環特徵部156附接至邊緣環100。基座124可具有一或多個插孔162。基座124具有多個插孔162以匹配邊緣環特徵部156的數量。在所示的例子中，邊緣環100具有三個邊緣環特徵部156且基座124具有三個插孔162。如上所述，插孔162有時可以在半導體製程操作期間捕獲少量製程氣體。這種捕獲的氣體可能會在半導體製程操作的後續階段中意外釋放，並成為晶圓不均勻性的來源。基座124也可具有多個端口163。端口163可用於在晶圓處理期間將例如吹掃氣體的氣體輸送到邊緣環的底側。

圖2-2顯示了邊緣環100在基座124上方處於降低位置時的透視圖。當邊緣環100從升高位置降低到降低位置時，如圖2-1所示，邊緣環特徵部156便降低到基座124上相對應的插孔162中。藉由在每個邊緣環特徵部156具有插孔162，邊緣環100可以將半導體晶圓102降低到基座上124，然後繼續下降，以便最終也停留在基座上，同時略微保持在半導體晶圓102上方。

圖2-3顯示例示邊緣環特徵部156的近視圖，指狀物158具有滾輪164。指狀物158具有基部160。基部160支撐從基部徑向向內延伸的細長結構162。滾輪164由細長結構162支撐，使得滾輪能夠相對於細長結構旋轉。在所示例子中，滾輪164乃藉由銷166附接至細長結構162。指狀物158係配置用以在邊緣環100朝向基座124降低時裝配到插孔162中。

圖3顯示邊緣環100的橫剖面圖。該橫剖面圖顯示邊緣環與半導體晶圓102之外邊緣136重疊。半導體晶圓102係放置在基座124上。邊緣環100具有內部分104、外部分106和頂表面142。內部分104具有內邊緣108。通常，邊緣環100的內邊緣108係在半導體晶圓外邊緣136的內部，即邊緣環100的內邊緣108係位於由半導體晶圓外邊緣136所界定的圓內。但此可能有例外；例如，在晶圓凹口處（未顯示），半導體晶圓的外邊緣可以是在邊緣環100之內邊緣108的內部。如前所述，由內邊緣108所界定之圓形開口的直徑係具有小於處理中之半導體晶圓102之直徑的標稱直徑。內部分104具有內底表面130，而外部分106具有外底表面128。內底表面130的高度係高於外底表面128。在一些實施例中，內底表面130和外底表面128之間的高度差便是半導體晶圓102的厚度。在一些實施例中，內底表面130的高度可以是大於半導體晶圓102的厚度且高於外底表面128之高度的距離。在另外一些實施例中，內底表面130和外底表面128之間的高度差可以小於半導體晶圓102的厚度。對於直徑為300毫米的晶圓，其晶圓厚度例如可以是大約750µm。

圖3亦顯示出第一參考平面132、第二參考平面134以及頂部參考平面144。第一參考平面132與外底表面128的至少大部分共平面。第二參考平面134平行於第一參考平面且與內底表面130的至少大部分重合。頂部參考面144與頂表面142的最高部分重合且平行於第一參考平面132。

圖5-1、5-2和6-1至6-6顯示流導特徵部的例示，其係位於晶圓502之凹口520上方的邊緣環500上。當在半導體晶圓處理期間使用邊緣環時，半導體晶圓的凹口區域係被邊緣環最小程度地覆蓋，意即，晶圓在凹口處的外邊緣比晶圓在晶圓的其他部分中的外邊緣更徑向靠近邊緣環的內邊緣。因此，在吹掃操作期間，凹口周圍的區域通常較少受阻並且具有比邊緣環內周緣周圍的其他位置更高的流導。與半導體晶圓之圓周周圍的其他區域相比，高流導可以允許更多的吹掃氣體在凹口周圍的區域中徑向向內流動。

圖4顯示半導體晶圓的凹口周圍區域中的流導與半導體晶圓周邊周圍之其他區域中的流導的比較。每一圖中顯示的是基座524上之半導體晶圓502上方的邊緣環500的橫剖面圖。上面的圖顯示了邊緣環500下方的半導體晶圓502在非凹口位置處沿著晶圓圓周的橫剖面圖，而下面的圖則顯示半導體晶圓502在邊緣環500下方之凹口520處的橫剖面圖。每個視圖顯示較高流導區域570和較低流導區域572。環繞圓周，比起在邊緣環500之內邊緣508和半導體晶圓502之外邊緣536之間有著較小的徑向距離情況下的凹口520處之較高流導率區域570，在邊緣環500之內邊緣508與半導體晶圓502之外邊緣536之間有較大徑向距離的情況，其較高流導區域570因此較小。由於在凹口520處的較高流導區域570較大，所以與半導體晶圓圓周周圍的其他區域相比，通常在此區域中存在較高的流導而允許更多的吹掃氣體徑向向內流動。邊緣環中的流導特徵部可用於降低半導體晶圓凹口周圍區域中的流導。藉由使用流導特徵部來降低流導，可以調整晶圓凹口周圍的流導，使得吹掃之後留在凹口區域中的氣體量與圍繞半導體晶圓圓周的其他區域中剩餘的氣體量一致。

可用於降低晶圓凹口所在位置附近的流導的一例示流導特徵部為懸垂部。如本文所用的術語，懸垂部指的是從與邊緣環的內邊緣大致同心且同徑向的圓徑向向內延伸的邊緣環部分。因此，懸垂部可導致邊緣環的凹口區段中的內邊緣比通常圍繞內邊緣之大部分或全部其餘部分的內邊緣更靠近晶圓中心軸，從而延長了從晶圓的凹口特徵部流出之吹掃氣體在到達邊緣環的內邊緣之前可以遵循的最短流動路徑。藉由延長該流動路徑的長度，可以降低流動路徑的流導，從而抵消晶圓凹口區域增加的流導。

圖5-1和5-2顯示了具有流導特徵部的兩個例示邊緣環500的平面圖。每個視圖中的流導特徵部為懸垂部538。圖5-1和5-2中的邊緣環500具有內部分504和外部分506。此處亦顯示具有凹口520之半導體晶圓502的輪廓。與內邊緣到半導體晶圓502中心的標稱距離相比，每一圖中的懸垂特徵部538均導致邊緣環之凹口區段518處的內邊緣508在該區域中更接近晶圓502的中心。這用於延長吹掃氣體在從晶圓之凹口區域徑向向內流動到邊緣環之內邊緣時所遵循的徑向流動路徑，從而降低該區域的流導，以抵消導致晶圓凹口區域所增加的流導，並有助於均衡吹掃氣體在凹口區域的流速與邊緣環圓周周圍的標稱吹掃氣體流速。

圖5-1顯示了邊緣環500之懸垂部538的第一例示。圖5-1中的懸垂特徵部538為邊緣環500的一部分，其位於大致與邊緣環的內邊緣共徑向且同心的參考圓以及該參考圓的弦之間。圖5-1中的懸垂特徵部538可能因此被描述為弦形。這種懸垂特徵部可能比需要的大，但可能較不易損壞，本身不太可能成為不均勻性的來源，並且更能容忍晶圓中之凹口特徵部相對於邊緣環的角度未對準。在所示的實施例中，弦剛好在半導體晶圓502之凹口520的徑向向內處。凹口區段518處之邊緣環500的內邊緣508為垂直於邊緣環之半徑的直線，其穿過凹口520並且也在半導體晶圓的整個凹口520內部。然而，吾人應當理解，可以使用不具有直線特徵部的類似懸垂特徵部，例如，直線可以由恆定或可變半徑曲線代替，該曲線在邊緣環的弧形邊緣之間緩慢從懸垂特徵部的任一側過渡到懸垂特徵部的內邊緣部分。在某些實施方式中，此類懸垂特徵部可能非常微妙——例如，具有弦寬（從懸垂特徵部的內邊緣到由邊緣環的內邊緣標稱界定的圓來測量）小於1mm，例如0.8mm、0.75mm、0.7mm、0.65mm等的弦形懸垂特徵部可能足以提供足夠的流導調節以抵消在一些情況下由晶圓凹口導致的任何增加的流導。

圖5-2顯示邊緣環500之懸垂部分538的第二例示。圖5-2之懸垂部分538係遵循晶圓凹口520的形狀並且通常是扇形或三角形。類似於圖5-1中的例子，邊緣環500的內邊緣508係在參考圓的徑向向內處，參考圓通常與邊緣環的內邊緣共徑向且同心。然而，與圖5-1的弦相比，扇形通常遵循半導體晶圓502之凹口520的形狀，儘管從凹口520向外偏移，使得存在了圍繞凹口區域延伸而與晶圓重疊一最小重疊量（例如一毫米左右）的邊緣環區域。與圖5-1中的弦形懸垂部相比，扇形懸垂部538可能對流導具有更有限的影響，因此與弦形懸垂部相比，提供了更局部化的流導調節方法。在一些實施例中，懸垂部538可以是U形的，U形的彎曲底部徑向向內指向邊緣環的中心。

可用於補償晶圓凹口附近存在之增加的流導的另一例示流導特徵部為凸部，其為邊緣環內部分的底表面上相對於邊緣環內部分的大部分底表面「凸起」的區域。因此，凸部所在之邊緣環底表面與晶圓之間的間隙將小於晶圓與邊緣環內部分之大部分的其餘底表面之間的間隙。凸部與晶圓之間的流導因此低於晶圓與內部分之大部分的其餘底表面之間的流導。此類凸部可以單獨使用，也可以與懸垂特徵部結合使用。凸部的例示在下面關於幾個附圖進行討論。

圖6-1至6-5為具有流導特徵部之邊緣環500的橫剖面圖，該流導特徵部係位於半導體晶圓502之凹口520上方。在所示例子中，半導體晶圓502位於基座524上。在每一個視圖中係顯示出與大部分之外底表面528共平面的第一參考平面532、第二參考平面534以及頂部參考平面544。如上所述，第二參考平面534與大部分的內底表面重合且平行於第一參考平面532。頂部參考平面544係與頂表面542的最高部分重合且平行於第一參考平面532。

圖6-1顯示了具有懸垂部538的邊緣環500。在所示的實施例中，懸垂部538徑向向內局部地延伸邊緣環500的內部分504，將內邊緣508向內移動，使得懸垂部中的內邊緣比起在圍繞邊緣環500之大部分或全部其餘部分的內邊緣更靠近邊緣環的中心。根據所需的流導，懸垂部538可以延長或縮短。

圖6-2顯示具有懸垂部538和凸部546的邊緣環500。相對於邊緣環500之其餘部分，圖6-2中的凸部546係由較暗陰影區域指出。凸部546具有凸部底表面548。底表面548係介於第一參考平面532和第二參考平面534之間，從而將邊緣環500之底表面的一部分定位得更靠近半導體晶圓502的頂表面526。凸部底表面548可以位於半導體晶圓502的頂表面526和第二參考平面534之間的任何位置。藉由具有凸部546，邊緣環500和半導體晶圓502之間的間隙便縮小，從而降低該區域中的流導。凸部底表面548越靠近晶圓502，凸部底表面548與半導體晶圓502之間的間隙越小。凸部底表面548與半導體晶圓502之間的間隙越小，在那個區域的流導便越低。在所示實施例中，凸部546係從懸垂部538延伸穿過內部分504到內部分504和外部分506之間的邊界507。邊界507也可以稱為內部分504的外邊緣或外部分506的內邊緣。

圖6-3顯示了具有懸垂部538和凸部546之邊緣環500的另一實施例。在本實施例中，凸部546係從懸垂部538延伸到內部分504中。與之前的實施例不同，凸部538在途中便停止進入內部分504。在一些實施例中，凸部538可以只是內邊緣508和邊界507之間之內部分504的一部分。在一些實施例中，凸部可以不延伸到內部分504的內邊緣508。在這些實施例中，凸部係從內邊緣508開始徑向向外。

圖6-4顯示具有凸部546之流導特徵部的邊緣環500的又一例示，其用於半導體晶圓502之凹口520上。凸部546係從邊緣環500的標稱底表面向外延伸，使得凸部546的底表面548位於半導體晶圓502之頂表面536和第二參考平面534之間。凸部546係從內邊緣508延伸穿過內部分504到達內部分504和外部分506之間的邊界507。在所示例子中，邊緣環500不具有先前例示中所示的懸垂部。因此，流導僅藉由降低凸部546之底表面548與半導體晶圓502之頂表面526之間的間隙來修改。

圖6-5顯示具有凸部546之流導特徵部的邊緣環500的又一例示，其用於半導體晶圓502之凹口520上。類似於圖6-4中的例示，在此例中，凸部係向外延伸，使得凸部546之底表面548位於半導體晶圓502之頂表面526及第二參考平面534之間。在此例中，凸部546係從內邊緣508延伸穿過內部分504而朝向外部分506。凸部546在延伸到內部分和外部分506之間的邊界507之前，在途中便停止進入內部分504。在一些實施例中，凸部546可以是內邊緣508和邊界507之間之內部分504的一部分。凸部546的該部分可以設計成在晶圓502的凹口520上方的區域中產生期望的流導。

雖然上面討論的流導特徵部可用於降低邊緣環局部區域中的流導，例如，以抵消由於例如晶圓凹口的特徵部而可能存在的流導增加，第二種類型的流導特徵部可用於局部增加流導以便增加圍繞邊緣環圓周之特定區域中的吹掃氣體流速。一般而言，此類流導特徵部可用於邊緣環上可能需要在基座中存在凹槽或插孔的特徵部（例如指狀物）所在的位置。這樣的凹槽或插孔可以捕獲抵抗邊緣環提供之標準吹掃氣流而不被吹掃掉的氣體。第二種類型的流導特徵部可以增加這些區域中的流導，從而允許局部增加吹掃氣流，這可以起到更有效地移除捕獲氣體的作用，從而防止這種捕獲氣體在較長時間內緩慢洩漏且可能會干擾後續的處理操作。第二種類型的流導特徵部的例示包含邊緣環內部分之底表面中的凹部、沿著邊緣環之內邊緣的切口部或其組合。

圖7描繪了具有三個特徵部區段722之例示邊緣環700的平面圖。在一些實施例中，可以存在單個特徵部區段。在一些實施例中，可以有兩個或更多個特徵部區段。例如，這樣的實施方式可以用於在基座中存在三個以外的凹槽或插孔的情況。

邊緣環700具有外部分706和內部分704。內部分704具有內邊緣708。內邊緣708可以界定以環中心軸712為中心的大致圓形開口710。此處顯示出具有外邊緣736的半導體晶圓702。內部分704之內邊緣708係位在半導體晶圓702之外邊緣736的內部。如參考圖1所討論的，區段722具有位於邊緣環700下方的特徵部，當邊緣環放置在基座的頂部時，可能需要在基座中存在凹槽或插孔以容納此等特徵部。這樣的凹槽或插孔可能會捕獲或容納製程氣體，這些氣體之後可能會緩慢洩漏並可能干擾使用其他氣體的後續處理操作。因此可能希望為邊緣環的局部區域提供更高的流導以提高這些區域的吹掃率。如果在這些區域中將吹掃速率維持在「默認」吹掃速率，則從凹槽或插孔中洩漏的製程氣體可能會導致半導體晶圓702上圍繞區段722的局部處理不均勻性增加。上面討論的流導特徵部可以位於這些區段中，以提高這些區域中的吹掃氣體流速，從而允許更方便地移除捕獲的製程氣體。

如前所述，可以使用的一種類型的流導特徵部為凹部（未顯示）。這種流導特徵部通常從內部分704的底表面切下。區段722突顯了邊緣環700中可以經修改以結合流導特徵部的區域。在所示的實施例中，區段722以及隨之的流導特徵部（即凹部）乃具有弧形外邊緣。在本實施例中，弧形邊緣係遵循與邊緣環700同心的圓弧。在一些實施例中，凹部可具有直線外邊緣。在一些實施例中，凹部可以從內邊緣708穿過內部分704到達內部分704和外部分706之間的邊界707。邊界707為內部分外邊緣與外部分內邊緣相交的地方且可以稱為內部分外邊緣或外部分內邊緣。在一些實施例中，凹部可以僅覆蓋內部分704徑向向外延伸的部分。在這些實施例中，凹部可以延伸到邊界707和內部分704之內邊緣708兩者的其中之一或都不延伸。

圖8-1到圖8-3顯示了邊緣環700的三個橫剖面區域，每一區域都具有例示凹部750。每一圖都顯示了具有外部分706、內部分704和頂表面742的邊緣環700。內部分704與外部分706相交於邊界707處。內部分704具有內底表面730和內邊緣708。外部分706具有外底表面728。第一參考平面732與大部分的外底表面728共平面。第二參考平面734與大部分的內底表面730重合且平行於第一參考平面732。頂部參考平面744與頂表面742的最高部分重合且平行於第一參考平面732。第二參考平面734係介於第一參考平面732和頂部參考平面744之間。每一圖中所顯示的是基座724上的半導體晶圓702。半導體晶圓702具有外邊緣736和頂表面726。在每一圖中，晶圓外邊緣736係在內部分704之內邊緣708的徑向向外處，亦即內部分704的內邊緣708位於由晶圓外邊緣736所界定的圓內。

圖8-1顯示凹部750的第一例示。凹部750為已經從邊緣環700之內部分704移除材料的區域，從而產生凹部底表面752。凹部底表面752可以在第二參考平面734和頂部參考平面744之間的任何位置。在一些實施方式中，凹部底表面752可以與第二參考平面734相距至少10μm。在一些實施方式中，凹部底表面752可以與第二參考平面734相距高達200μm的距離。凹部750抬高了邊緣環700局部區域中的底表面，而在邊緣環700底表面的一部分與晶圓頂表面726之間產生更大的間隙。間隙擴大可能導致該區域中的流導增加，因此可以促進更高的吹掃氣體流速，從而更有效地吹掃在凹部750周圍之區域中的任何製程氣體。通常，凹部底表面752越靠近頂部參考平面744，流導越高。如圖8-1所示，凹部可以從內邊緣708延伸到邊界707。

圖8-2顯示邊緣環700上之凹部750的第二例示。類似於圖8-1，將凹部底表面752升高，使得它位於第二參考平面734和頂部參考平面744之間。在所示例子中，凹部750係從內邊緣708延伸並朝向外部分706。然而，不同於圖8-1的例子，凹部在到達內部分704和外部分706之間的邊界707之前結束。在所示的實施例中，雖然凹部750在邊界707之前結束，但凹部750仍然延伸超過晶圓外邊緣736。在一些實施例中，凹部750可以更短，使得晶圓外邊緣736位於整個凹部750的徑向外側，即，晶圓外邊緣736比凹部的外邊緣更遠離邊緣環700的中心。通常，凹部延伸的徑向距離越長，流導越高。因此，在本實施例中產生的流導可能小於在圖8-1所示實施例中產生的流導。

圖8-3顯示邊緣環750上之凹部750的第三例示。與之前的例示類似，凹部750具有凹部底表面752。凹部底表面752乃升高了邊緣環700在局部區域中的底表面並且介於在第二參考平面734和頂部參考平面744之間。在所示的實施例中，凹部750係徑向地容納在邊緣環700的內部分704內且不延伸到邊界707也不延伸到內邊緣708。在一些實施例中，凹部750可一直徑向延伸到邊界707但不延伸到內部分704的內邊緣708。凹部750可跨越內邊緣708和邊界707之間的內部分704的任何徑向部分。

凹部為可用於增加邊緣環特定區域中之流導的流導特徵部的一個例子。流導特徵部的另一個例子是切口部。切口部為邊緣環之內部分的材料被移除的部分。一般而言，切口部具有位於參考圓之外的內邊緣，該參考圓通常與邊緣環的內邊緣共徑向且同心。在一些實施例中，切口部處的內邊緣仍然保持在半導體晶圓的外邊緣之內。切口部減少了氣體必須在邊緣環和半導體晶圓之間行進的距離，從而與沒有流導特徵部之邊緣環的區段相比增加了這些區域中的流導。

圖9描繪了具有三個切口部954的另一個例示邊緣環900的平面圖。在一些實施例中，可以有單個切口部。在一些實施例中，可以有兩個或更多個切口部。例如，這樣的實施方式可以用於在基座中存在三個以外的凹槽或插孔的情況。

圖中所示為半導體晶圓902。邊緣環900具有外部分906和內部分904。內部分904具有內邊緣908。半導體晶圓902具有參考圓960，該參考圓通常與以環中心軸912為中心的邊緣環900的內邊緣908共徑向且同心，即，參考圓960係與內邊緣908同心而非三個切口部954中每一個的一部分。在三個切口部954的每一個中，內部分904的內邊緣908係被徑向向外移動，使得內邊緣介於參考圓960以及內部分904與外部分906之間的邊界907之間。如上圖所描述的，邊界907是內部分外邊緣與外部分內邊緣相交的地方。在所示的實施例中，切口部954為與環中心軸912成角度的扇形區。切口部954處的內邊緣908為弧形。在一些實施例中，切口部954處的內邊緣908可以是直線。該弧形形狀可小於5度。在一些實施例中，弧形可以介於5度和10度之間。在又一些其他實施例中，弧形可以大於10度。在一些實施例中，切口部可以是矩形（未顯示）。

如圖9所示，切口部954處的內邊緣908乃相對於非切口部區域朝著外部分906徑向向外移動。在所示實施例中，在每一切口部954處的內邊緣908乃大致位於參考圓960和邊界907之間的中間。在本實施例中，切口部954處的內邊緣908係保持在晶圓外邊緣936的徑向內部，即每一切口部的內邊緣908係位於與晶圓外邊緣同心且同徑向的圓內。吾人應該注意的是，所示例子在尺寸上有所放大，以便更清晰地查看；此等切口和晶圓重疊可以比所示的小得多，例如，切口的徑向深度可以是一毫米左右。在一些實施方式中，此類切口的徑向深度可小於一毫米，例如小於0.9毫米、小於0.8毫米、小於0.7毫米、小於0.6毫米、小於0.5毫米、小於0.4毫米、小於0.3毫米等。在一些實施例中，切口部954可以讓內邊緣908更靠近參考圓960，使得切口部處的內邊緣比晶圓外邊緣936更接近參考圓960。在一些其他實施例中，切口部954可以讓內邊緣908更靠近邊界907，使得內邊緣在晶圓外邊緣936上方或略微徑向位於晶圓外邊緣936的內部。

圖10-1和10-2顯示了邊緣環900上之例示切口部954的橫剖面圖。在圖10-1中，邊緣環900具有單一流導特徵部，即切口部。圖10-2的例子在邊緣環900上具有兩個流導特徵部，切口部954和凹部950。在兩個圖中，邊緣環900具有外部分906、內部分904和頂表面942。內部分904在邊界907處與外部分906相交。邊界907可稱為內部分904的外邊緣或外部分906的內邊緣。內部分904具有內底表面930和內邊緣908。外部分906具有外底表面928。第一參考平面932與大部分的外底表面928共平面。第二參考平面934與大部分的內底表面930重合且平行於第一參考平面932。頂部參考平面944係與頂表面942的最高部分重合且平行於第一參考平面932。每一圖中所顯示的是基座924上的半導體晶圓902。半導體晶圓902具有外邊緣936。在每一圖中，外邊緣936係位於內部分904之內邊緣908的徑向外側。

圖10-1的橫剖面圖顯示了邊緣環900的切口部954。切口部954後面是沒有流導特徵部的邊緣環900，也就是沒有任何切口部的正常邊緣環，如圖中較暗的陰影區域所示。切口部954使得內邊緣908更靠近邊緣環900的外部分906，以減少邊緣環900在半導體晶圓902之局部區域上方的懸垂。如圖9所示，切口部954可徑向向內延伸，使得移除的材料減少，或者可徑向向外延伸，使得移除的材料更多。例如，切口部954可以移除該區域中的內部分904，留下在晶圓外邊緣上方或略微位於晶圓外邊緣內部的內邊緣908。

在所示的實施例中，內底表面930並未改變並且保持與邊緣環900之其餘部分相同的高度。因此，在本實施例中係藉由切口部954來減少邊緣環900的懸垂而不是藉由改變內底表面930與半導體晶圓902之頂表面926之間的間隙來改變該區域中的流導。

在圖10-2的實施例中，邊緣環900具有切口部954和凹部950。與之前的實施例不同，此處修改邊緣環900在半導體晶圓902上方的懸垂量以及邊緣環900之底表面與半導體晶圓902之頂表面926之間的間隙兩者以改變該區域中的流導。可以將切口部954製成使得在切口部954處之內部分904的內邊緣908大約在未修改之內部分的內邊緣與邊界907之間的中間。在所示的實施例中，切口部954的內邊緣908係位於晶圓外邊緣936的徑向內部。取決於期望的流導，吾人可以將切口部954做得更深，例如切口部處的內邊緣可以移動更靠近外部分906，或做得更淺，例如切口部處的內邊緣可以移動遠離外部分906。在一些實施例中，切口部954可以朝著外部分906做得更深。在一些實施例中，切口部954可以做得更淺，使得內邊緣908更靠近半導體晶圓902的中心（未顯示）。凹部950係將凹部底表面952升高而遠離晶圓頂表面926。凹部底表面952乃介於頂部參考平面944和第二參考平面934之間。凹部950可以參照圖8-1到8-3所描述的那樣修改。

為了幫助進一步理解並提供額外的洞察力，圖11中顯示了 多個例示凹部和凸部。圖11提供了在邊緣環1100之內部分1104上的四個例示凹部和四個凸部；這些流導特徵部係並排放置以進行比較。第一凹部1180為關於圖8-3所討論之實施例的例示。第二凹部1182為圖8-1所示之凹部750的例示的透視圖。第三凹部1184是圖8-3所示之例示凹部750的透視圖。第四凹部1186是圖8-2中所示的例示凹部750的透視圖。第一凸部1190是關於圖6-5所討論之實施例的例示。第二凸部1192是圖6-4中所示之凸部546實例的透視圖。第三凸部1194是關於圖6-5討論之實施例的另一個例子。第四凸部1196是圖6-5中所示之例示凸部546的透視圖。

回到圖1，每個區段122可位於相應特徵部之上，例如圖2中所示的特徵部156。區段122可延伸通過圓周區域或圓弧扇區，圓周區域或圓弧扇區可根據所需的特定流導特性而變化，例如，如三個不同尺寸的特徵部區段所示。在所示例子中，區段122是邊緣環100之內部分的環形扇區。在一些實施例中，區段122可以是延伸至內邊緣108的矩形。

類似地，凹口區段118位於半導體晶圓102的凹口120上方。凹口區段118可以延伸通過圓周區域或圓弧扇區，圓周區域或圓弧扇區可以根據所需的特定流導特性而變化，例如，如兩個不同大小的特徵部區段所示。在所示例子中，凹口區段122是邊緣環100內部分的環形扇區。在一些實施例中，區段122可以是延伸至內邊緣108的矩形。

具有本文所討論之特徵部的邊緣環可以由例如陶瓷的材料製成，例如氧化鋁、氮化鋁、氧化矽、氮化矽、石英、或其他耐化學腐蝕且以其他方式適用於半導體處理環境的材料。

在一些實施方式中，本文討論之邊緣環可用於包含控制器的系統或系統的一部分。圖12描繪了例示晶圓處理室1201。所示腔室1201乃具有多個晶圓處理站1221，每個處理站均具有噴淋頭1223和基座1224。在每一晶圓處理站1221中為相應的邊緣環1200和半導體晶圓1202。晶圓處理室1201係具有晶圓處理器1273，例如旋轉分度器、傳送帶或晶圓處理機器人，其可用於在站點之間傳送晶圓。連接到晶圓處理室的是例示控制器1274。控制器1274係具有一或多個處理器1278和記憶體1276，其可以與電子設備整合以用於控制邊緣環1200和/或晶圓處理器的操作，以將晶圓放置和/或對準在邊緣環上。根據製程要求和/或系統類型，控制器1274可以程式化以控制本文所揭露之任何製程，例如用於控制晶圓在邊緣環上的放置和對準的製程，以及其他本文未討論的製程或參數，例如製程氣體的輸送、溫度設定（例如加熱和/或冷卻）、壓力設定、真空設定、功率設定、射頻（RF）產生器設定、RF 匹配電路設定、頻率設定、流速設定、流體輸送設定、位置和操作設定、傳送晶圓進出腔室及其他傳送工具以及/或連接到特定系統或與特定系統相接的負載鎖。

廣義而言，控制器可定義為具有用以接收指令、發出指令、控制操作、使清洗操作得以進行、使端點測量得以進行、及達成類似功能之各種積體電路、邏輯、記憶體、及∕或軟體之電子設備。積體電路可包括儲存程式指令之韌體形式之晶片、數位信號處理器（DSP）、定義為特殊應用積體電路（ASIC）之晶片、及∕或一或更多微處理器、或執行程式指令（例如軟體）之微控制器。程式指令可為以各種單獨設定（或程式檔案）之形式通訊至控制器的指令，其定義了用以在半導體晶圓上、或對半導體晶圓、或對系統實行特定處理之操作參數。在一些實施例中，操作參數可以是由製程工程師定義之配方的一部分，以在製造下列一或多個的期間完成一或多個處理步驟：層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路以及/或晶圓之晶粒。

在一些實施方式中，控制器可以是電腦的一部份或是耦合至電腦，而電腦則是整合至系統、耦合至系統或與系統聯網，或前述的組合。例如，控制器可以位於「雲端」或者是晶圓廠電腦主機系統的全部或一部分，如此可以允許對晶圓處理的遠端存取。該電腦可以啟動對系統進行遠端存取，以監控製造操作的當前進度、檢查過去製造操作的歷史、檢查來自多個製造操作的趨勢或性能指標、改變當前製程的參數、設定製程步驟以接續當前製程、或開始新的製程。在一些例子中，遠端電腦（例如伺服器）可以透過網路向系統提供製程配方，該網路可以包含區域網路或網際網路。遠端電腦可以包含使用者介面，而使得能夠對參數及/或設定進行輸入或程式化，然後將參數及/或設定從遠端電腦傳送到系統。在一些例子中，控制器接收數據形式的指令，其為在一或多個操作期間要執行的每個製程步驟指定參數。吾人應理解，參數係針對於欲進行製程的類型以及控制器用以與之相接或控制的工具類型。因此如上所述，可以例如透過包含被聯網在一起並朝著共同目的（例如本文中所描述的處理和控制）而工作的一或多個離散控制器來分佈控制器。用於此種目的之分佈式控制器的例子為腔室中的一或多個積體電路，其與遠端（例如在平台等級或作為遠端電腦的一部分）的一或多個積體電路進行通信，這些積體電路相結合以控制腔室中的製程。

非限制性地，根據本揭露內容之例示邊緣環可以安裝在半導體處理工具中或者是半導體處理工具的一部份，該工具係具有電漿蝕刻室或模組、沉積室或模組、旋轉清洗室或模組、金屬電鍍室或模組、清潔室或模組、斜面邊緣蝕刻室或模組、物理氣相沉積（PVD）室或模組、化學氣相沉積（CVD）室或模組、原子層沉積（ALD）室或模組、原子層蝕刻（ALE）室或模組、離子植入室或模組、徑跡室或模組、以及可以與半導體晶圓製造及/或生產中相關聯或用於其中之任何其他半導體處理系統。

如上所述，取決於工具要執行的一或多個製程步驟，控制器可以與下列一或多個通信：其他工具電路或模組、其他工具組件、叢集工具、其他工具介面、相鄰工具、鄰近工具、位於工廠各處之工具、主電腦、另一控制器或在半導體製造工廠中用於將晶圓容器往返工具位置及/或裝載埠之材料運輸的工具。

吾人應當理解，如果在本文中使用「對於一或多個＜項目＞中的每個＜項目＞」、「一或多個＜項目＞中的每個＜項目＞」等短語，其係包含單一項目群和多項目群，即「對於…每個」的短語在程式語言中係用於指代任何項目群中的每個項目。例如，如果所引用項目的總體為單一項目，則「每個」將僅指代該單一項目（雖然事實上字典中對「每個」的定義經常是將該用語定義為指「兩個或多個物品中的每一個」），並不意味著必須至少有兩個這樣的項目。類似地，用語「集合」或「子集」本身不應被視為必然包含複數個項目——吾人應當理解，集合或子集可以僅包含一個成員或多個成員（除非上下文表明並非如此）。 結論

儘管為了清楚理解的目的已經對前述實施例進行了一些詳細描述，但是顯然可以在所附申請專利範圍的範圍內實施某些變更和修改。吾人應注意有許多實施該等實施例之製程、系統及設備的不同方式。因此，該等實施例係視為說明性而非限制性，且該等實施例對本文給出之細節並未有任何限制。

100:邊緣環 102:半導體晶圓 104:內部分 106:外部分 108:內邊緣 110:圓形開口 112:環中心軸 114:直徑 116:連接螺釘 118:凹口區段 120:凹口 122:區段 124:基座 128:外底表面 130:內底表面 132:第一參考平面 134:第二參考平面 136:外邊緣 142:頂表面 144:頂部參考平面 156:特徵部 158:指狀物 160:基部 162:插孔 163:端口 166:銷 500:邊緣環 502:晶圓 504:內部分 506:外部分 507:邊界 508:內邊緣 518:凹口區段 520:凹口 524:基座 526:頂表面 528:外底表面 532:第一參考平面 534:第二參考平面 536:外邊緣 538:懸垂部 542:頂表面 544:頂部參考平面 546:凸部 548:凸部底表面 570:較高流導區域 572:較低流導區域 700:邊緣環 702:半導體晶圓 704:內部分 706:外部分 707:邊界 708:內邊緣 710:圓形開口 712:環中心軸 722:部分 724:基座 726:頂表面 728:外底表面 730:內底表面 732:第一參考平面 734:第二參考平面 736:外邊緣 742:頂表面 744:頂部參考平面 750:凹部 752:凹部底表面 900:邊緣環 902:半導體晶圓 904:內部分 906:外部分 907:邊界 908:內邊緣 912:環中心軸 924:基座 926:頂表面 928:外底表面 930:內底表面 932:第一參考平面 934:第二參考平面 936:外邊緣 942:頂表面 944:頂部參考平面 950:凹部 952:凹部底表面 954:切口部 960:參考圓 1100:邊緣環 1104:內部分 1180:第一凹部 1182:第二凹部 1184:第三凹部 1186:第四凹部 1190:第一凸部 1192:第二凸部 1194:第三凸部 1196:第四凸部 1200:邊緣環 1201:晶圓處理室 1202:半導體晶圓 1221:晶圓處理站 1223:噴淋頭 1224:基座 1273:晶圓處理器 1274:控制器 1276:記憶體 1278:處理器

圖1顯示例示邊緣環的一平面圖。

圖2-1和2-2顯示例示邊緣環的透視圖，例示邊緣環具有例示指狀物處於例示基座上方的不同位置。

圖2-3顯示圖2-1之圓形區域中的指狀物的詳細視圖。

圖3為例示基座上之半導體晶圓上方之例示邊緣環的橫剖面圖。

圖4顯示在例示半導體晶圓上之例示邊緣環的流導。

圖5-1和5-2為具有例示懸垂部之例示邊緣環的平面圖。

圖6-1為具有例示懸垂部之例示邊緣環的橫剖面圖。

圖6-2和6-3為具有例示懸垂部和例示凸部之例示邊緣環的橫剖面圖。

圖6-4和6-5為具有例示凸部之例示邊緣環的橫剖面圖。

圖7為具有例示特徵部區段位置之例示邊緣環的平面圖。

圖8-1、8-2和8-3為具有例示凹部之例示邊緣環的橫剖面圖。

圖9為具有例示切口部之例示邊緣環的平面圖。

圖10-1為具有例示切口部之例示邊緣環的橫剖面圖。

圖10-2為具有例示切口部和例示凹部之例示邊緣環的橫剖面圖。

圖11顯示例示凹部和例示凸部。

圖12描繪了例示晶圓處理室。

100:邊緣環

102:半導體晶圓

104:內部分

106:外部分

108:內邊緣

110:圓形開口

112:環中心軸

114:直徑

116:連接螺釘

118:凹口區段

120:凹口

122:區段

Claims (22)

1. 一種與直徑為D厚度為T之晶圓一起使用的邊緣環，其包含： 一外部分，具有一外底表面；以及 一內部分，具有一頂表面、一內底表面以及一內邊緣， 其中： 該外底表面界定了一第一參考平面，該第一參考平面係與該外底表面的至少一部份共平面； 該內底表面界定了一第二參考平面，該第二參考平面係與該第一參考平面平行，且與該內底表面的至少一部份重合； 該內底表面係介於該第一參考平面與該頂表面之間； 該內底表面與該第一參考平面係至少相距一距離T； 該內邊緣係具有一小於D的標稱內徑；以及 該邊緣環係包含下列者其中之一： a) 位於該內部分內之一凸部，具有介於該第一參考平面以及該第二參考平面之間的一凸部底表面； b) 一懸垂部，其材料位於以該邊緣環為中心的一圓形區域內，且其具有等於該標稱內徑的一直徑；或 c) a)與b)兩者。
2. 如請求項1之與直徑為D厚度為T之晶圓一起使用的邊緣環，其中該內部分具有一或多個凹部，該一或多個凹部中的各者在該第二參考平面及該頂表面之間具有一凹部底表面。
3. 如請求項2之與直徑為D厚度為T之晶圓一起使用的邊緣環，其中該內部分具有三個凹部。
4. 如請求項2之與直徑為D厚度為T之晶圓一起使用的邊緣環，其中該一或多個凹部中的該各者開始於該內部分的該內邊緣處並延伸朝向該內部分之一外邊緣。
5. 如請求項2之與直徑為D厚度為T之晶圓一起使用的邊緣環，其中該一或多個凹部中之該凹部底表面中之各者係與該第二參考平面相距至少10µm。
6. 如請求項2之與直徑為D厚度為T之晶圓一起使用的邊緣環，其中該一或多個凹部中的該各者具有一弧形外邊緣。
7. 如請求項2之與直徑為D厚度為T之晶圓一起使用的邊緣環，其中該一或多個凹部中的該各者具有直線外邊緣。
8. 如請求項1之與直徑為D厚度為T之晶圓一起使用的邊緣環，其中該內部分具有一或多個成角度的扇形，於其中該內邊緣介於該圓型區域及該內部分之一外邊緣之間。
9. 如請求項8之與直徑為D厚度為T之晶圓一起使用的邊緣環，其中該內部分具有三個成角度的扇形。
10. 如請求項8之與直徑為D厚度為T之晶圓一起使用的邊緣環，其中在該一或多個成角度的扇形中之各者處的該內邊緣係介於該圓型區域以及與該圓型區域同心且直徑為D的一參考圓之間。
11. 如請求項8之與直徑為D厚度為T之晶圓一起使用的邊緣環，其中在該一或多個成角度的扇形中之各者處的該內邊緣為一弧形。
12. 如請求項8之與直徑為D厚度為T之晶圓一起使用的邊緣環，其中在該一或多個成角度的扇形中之各者處的該內邊緣為直線。
13. 如請求項1之與直徑為D厚度為T之晶圓一起使用的邊緣環，其中該凸部底表面係位於該第一參考平面上方至少300µm。
14. 如請求項1之與直徑為D厚度為T之晶圓一起使用的邊緣環，其中該懸垂部具有作為該圓型區域之一弦的一懸垂內邊緣。
15. 如請求項1之與直徑為D厚度為T之晶圓一起使用的邊緣環，其中該懸垂部為扇形。
16. 如請求項1之與直徑為D厚度為T之晶圓一起使用的邊緣環，其中該懸垂部為U形。
17. 如請求項1之與直徑為D厚度為T之晶圓一起使用的邊緣環，其中該懸垂部在該第一參考平面及該第二參考平面之間具有一懸垂部底表面。
18. 如請求項1之與直徑為D厚度為T之晶圓一起使用的邊緣環，其中該內邊緣具有在D的95%及99.9%範圍內的一標稱內徑。
19. 如請求項1之與直徑為D厚度為T之晶圓一起使用的邊緣環，其中該邊緣環係由一陶瓷材料所製成。
20. 如請求項1之與直徑為D厚度為T之晶圓一起使用的邊緣環，其中更包含複數指狀物，其中： 該每一指狀物具有一基部、由該基部所支撐之一徑向向內延伸部、以及用以相對於該向內延伸部旋轉的一滾輪，以及 該每一指狀物之該基部係與該外底表面連接。
21. 如請求項1之與直徑為D厚度為T之晶圓一起使用的邊緣環，其中D為約300mm。
22. 如請求項1之與直徑為D厚度為T之晶圓一起使用的邊緣環，其中T為約775µm。

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