KR20170023033A - Deposition method capable of controlling process temperature - Google Patents

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안경준
정성훈
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Abstract

The present invention relates to a deposition method and, more specifically, to a deposition method which facilitates temperature control of a deposition process to obtain an advantage in low temperature deposition, which increases cooling efficiency of a sample, a deposition target, to enable deposition of high quality, and which can uniformly deposit a side surface and an edge portion of the sample.

Description

공정 온도 조절이 가능한 증착 방법{Deposition method capable of controlling process temperature}[0001] The present invention relates to a deposition method capable of controlling a process temperature,

본 발명은 증착 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 증착 공정의 온도 조절이 용이하여 저온 증착에 유리하며, 증착 대상인 샘플의 냉각효율을 증대시켜 고품질의 증착이 가능하며, 샘플의 측면과 모서리부분을 균일하게 증착할 수 있는 증착 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a deposition method, and more particularly, to a method for depositing a thin film on a substrate, which is advantageous for low-temperature deposition due to easy temperature control of a deposition process, And more particularly, to a deposition method capable of uniform deposition.

저온 증착은 상대적으로 저온에서 고품질의 박막을 증착할 수 있는 기술로써 최근 플렉시블 디스플레이나 태양 전지의 박막층, 전자 소자의 전자파(EMI) 차폐층의 증착에 적용하고자 하는 노력이 활발하다.Low-temperature deposition is a technique for depositing a high-quality thin film at a relatively low temperature. Recently, efforts have been made to apply it to the deposition of a flexible display, a thin film layer of a solar cell, and an EMI shielding layer of an electronic device.

일반적으로 저온 증착을 위해서는 쿨링척(cooling chuck)에 점착성 시트를 이용하여 샘플을 부착한 후, 쿨링척 내부에 냉각수를 흘려 샘플을 냉각하게 되는데 이 점착성 시트는 진공 챔버 내부의 온도 증가로 쉽게 열 변형을 일으키므로 샘플이 쿨링 척에 밀착되지 못하여 냉각효과가 낮아지는 문제점이 있다.Generally, for low-temperature deposition, a sample is attached to a cooling chuck using a sticky sheet, and cooling water is supplied to the inside of the cooling chuck to cool the sample. The sticky sheet is easily heated So that the sample can not be brought into close contact with the cooling chuck, thereby lowering the cooling effect.

이렇게 냉각효과가 낮아질 경우 저온 증착이 수행될 수 없으며, 증착층의 두께 불균형 및 샘플의 열 손상이 발생한다.When the cooling effect is lowered, the low temperature deposition can not be performed, and the thickness unevenness of the deposition layer and the thermal damage of the sample occur.

또한, 증착을 위한 플라즈마가 지속적으로 샘플을 향하여 형성될 경우, 증착속도는 증가할 수 있으나 플라즈마에 의한 열로 인해 저온 증착이 이루어질 수 없어 고품질의 증착층을 형성할 수 없는 문제점이 있다.Further, when the plasma for deposition is continuously formed toward the sample, the deposition rate may increase, but the low temperature deposition can not be performed due to the heat due to the plasma, so that there is a problem that a high quality deposition layer can not be formed.

본 발명은 상술한 문제점들을 해결하기 위해 안출된 것으로 본 발명의 목적은 전극 주변에서 형성되는 플라즈마의 방향을 조절하여 공정 온도를 제어함으로써 저온 증착을 수행할 수 있는 증착 방법을 제공하는 데 있다.It is an object of the present invention to provide a deposition method capable of performing low temperature deposition by controlling a process temperature by adjusting a direction of a plasma formed around an electrode.

또한, 본 발명의 목적은 샘플의 냉각효율을 높여 고품질의 증착층을 형성할 수 있는 증착 방법을 제공하는 데 있다.It is another object of the present invention to provide a deposition method capable of forming a high-quality deposition layer by increasing the cooling efficiency of a sample.

*또한, 본 발명의 목적은 샘플과 쿨링척 간의 절연을 유지하여 샘플의 전기적 손상을 방지할 수 있는 증착 방법을 제공하는 데 있다.It is another object of the present invention to provide a deposition method capable of preventing electrical damage of a sample by maintaining insulation between a sample and a cooling chuck.

또한, 본 발명의 목적은 샘플의 전체 면에 고른 증착층을 형성할 수 있는 증착 방법을 제공하는 데 있다.It is also an object of the present invention to provide a deposition method capable of forming a uniform deposition layer on the entire surface of a sample.

본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 원통형 전극을 갖는 진공 챔버를 이용하여 증착 대상물인 샘플에 증착을 수행하는 증착 방법으로서, 상기 샘플을 온도 조절이 가능한 샘플 거치대에 거치하고, 상기 샘플 거치대를 상기 진공 챔버 내부에 위치시키는 단계; 및 상기 원통형 전극에 전원을 공급하여 상기 원통형 전극 표면을 길이방향으로 감싸는 트랙형상의 플라즈마(이하, '트랙 플라즈마'라 함)가 형성되게 하고, 상기 트랙 플라즈마가 형성된 방향으로 증착물질이 비산시켜 상기 샘플에 증착층이 증착되게 하는 단계;를 포함하고, 상기 트랙 플라즈마 중, 상기 원통형 전극의 길이방향으로 나란한 두 개의 선형 구간 플라즈마는 각각 상기 원통형 전극의 중심선을 중심으로 소정의 각도를 이루며 형성되게 하는 것을 특징으로 하는 증착 방법을 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a deposition method for depositing a sample on an object to be deposited using a vacuum chamber having a cylindrical electrode, the method comprising: placing the sample on a sample holder capable of temperature control; Positioning the vacuum chamber within the vacuum chamber; (Hereinafter, referred to as a track plasma) for supplying power to the cylindrical electrode and wrapping the surface of the cylindrical electrode in the longitudinal direction, and a deposition material is scattered in a direction in which the track plasma is formed, And a deposition layer deposited on the sample, wherein two linear segment plasma in the longitudinal direction of the cylindrical electrode are formed at a predetermined angle around the center line of the cylindrical electrode, And a deposition method.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 소정의 각도는 10도 내지 180도 사이의 소정 각도이다.In a preferred embodiment, the predetermined angle is a predetermined angle between 10 and 180 degrees.

바람직한 실시예에 있어서, 원통형 전극의 내부에는 트랙형상의 N극 마그넷과 트랙형상의 S극 마그넷이 서로 원주방향으로 이격되어 구비되고, 상기 트랙 플라즈마는 상기 N극 마그넷과 상기 S극 마그넷 간에 발생하는 자기장의 내측을 따라 형성되며, 상기 N극 마그넷과 상기 S극 마그넷을 상기 원통형 전극의 중심선을 중심으로 소정의 각도 회동시켜, 상기 선형 구간 플라즈마들이 상기 원통형 전극의 외주를 따라 회동하며 증착이 수행되게 한다.In a preferred embodiment, a track-shaped N-pole magnet and a track-shaped S-pole magnet are spaced apart from each other in the circumferential direction within the cylindrical electrode, and the track plasma is generated between the N-pole magnet and the S- Wherein the N-pole magnet and the S-pole magnet are rotated about a center line of the cylindrical electrode by a predetermined angle so that the linear region plasmas are rotated along the outer periphery of the cylindrical electrode, do.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 샘플 거치대는 상기 진공 챔버 내부에서 일 방향으로 이동하거나 왕복이동하며 상기 샘플에 증착층이 증착되게 한다.In a preferred embodiment, the sample holder moves or reciprocates in one direction within the vacuum chamber and deposits a deposition layer on the sample.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 샘플은 소정의 높이를 갖는 다각형의 샘플이고 측면 모서리가 상기 샘플 거치대가 이동하는 방향을 향하도록 상기 샘플 거치대에 거치된다.In a preferred embodiment, the sample is a sample of a polygon having a predetermined height and is mounted on the sample holder such that the side edge faces the direction in which the sample holder is moved.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 N극 마그넷과 상기 S극 마그넷은 상기 선형 구간 플라즈마가 이동하는 샘플을 향하도록 회동한다.In a preferred embodiment, the N-pole magnet and the S-pole magnet are rotated so as to face the sample through which the linear region plasma moves.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 원통형 전극은 상기 진공 챔버 내부에서 서로 나란하게 복수 개로 이격되어 구비된다.In a preferred embodiment, the cylindrical electrodes are spaced apart from each other in parallel within the vacuum chamber.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 원동형 전극들 중, 외측에 위치하는 적어도 어느 하나의 원통형 전극은 다른 원통형 전극들보다 상기 선형 구간 플라즈마들이 이루는 각도가 작다.In a preferred embodiment of the present invention, at least one of the cylindrical electrodes has a small angle formed by the linear region plasma than the other cylindrical electrodes.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 샘플을 상기 샘플 거치대에 거치하는 과정은, 온도조절이 가능한 쿨링척(cooling chuck) 상에 쿨링 어댑터(cooling adaptor)를 적층하여 상기 샘플 거치대를 준비하는 단계; 및 필름상에 상기 샘플을 부착한 후, 상기 필름을 상기 쿨링 어댑터 상에 부착하거나, 상기 필름을 상기 쿨링 어댑터 상에 부착한 후, 상기 샘플을 상기 필름상에 부착하여, 상기 샘플을 상기 샘플 거치대에 거치하는 단계;를 포함한다.In a preferred embodiment, the step of mounting the sample on the sample holder includes: preparing the sample holder by laminating a cooling adapter on a cooling chuck capable of temperature control; And attaching the sample onto the film, attaching the film to the cooling adapter, or attaching the film to the cooling adapter, then attaching the sample to the film, and attaching the sample to the sample holder In the second direction.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 쿨링 어댑터의 상면은 곡면으로 이루어진다.In a preferred embodiment, the upper surface of the cooling adapter is curved.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 쿨링 어댑터의 상면은 원통면 또는 구면으로 이루어진다.In a preferred embodiment, the upper surface of the cooling adapter comprises a cylindrical surface or a spherical surface.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 쿨링 어댑터의 상면 폭은 상기 필름의 폭보다 작다.In a preferred embodiment, the top surface width of the cooling adapter is smaller than the width of the film.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 쿨링 어댑터의 상면 넓이는 상기 필름의 넓이보다 작다.In a preferred embodiment, the top surface of the cooling adapter is smaller than the width of the film.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 필름을 상기 쿨링 어댑터의 상면에 부착한 이후에, 가압 블럭을 이용하여 상기 필름의 모서리부분을 하부로 가압하여 상기 필름이 상기 쿨링 어댑터의 상면에 밀착되게 하는 단계;를 더 포함한다.In a preferred embodiment, after attaching the film to the upper surface of the cooling adapter, pressurizing the edge of the film downward using a pressing block to bring the film into close contact with the upper surface of the cooling adapter .

바람직한 실시예에 있어서, 상기 쿨링 어댑터의 상면에는 서로 연결되어 연통되는 복수의 그루브(groove)가 형성된다.In a preferred embodiment, a plurality of grooves are formed on the upper surface of the cooling adapter so as to be connected to each other.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 필름을 상기 쿨링 어댑터의 상면에 부착한 이후에, 상기 그루브 내부의 공기를 배기하여 상기 필름이 상기 쿨링 어댑터의 상면에 밀착되게 하는 단계를 더 포함한다.In a preferred embodiment, after the film is attached to the upper surface of the cooling adapter, exhausting the air inside the groove causes the film to be brought into close contact with the upper surface of the cooling adapter.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 필름을 상기 쿨링 어댑터 상에 부착하기 이전에, 상기 쿨링 어댑터 상에 절연층을 코팅하거나 부착하는 단계를 더 포함한다.In a preferred embodiment, the method further comprises coating or adhering an insulating layer on the cooling adapter prior to attaching the film to the cooling adapter.

또한, 본 발명은 상기 증착 방법으로 전차파 차폐층이 증착된 회로 소자를 더 제공한다.In addition, the present invention further provides a circuit element in which the electric wave shielding layer is deposited by the above-mentioned vapor deposition method.

또한, 본 발명은 상기 증착 방법으로 증착된 증착층을 갖는 디스플레이 패널을 더 제공한다.The present invention further provides a display panel having a vapor deposition layer deposited by the vapor deposition method.

또한, 본 발명은 상기 증착 방법으로 증착된 증착층을 갖는 터치 패널을 더 제공한다.The present invention further provides a touch panel having a deposited layer deposited by the deposition method.

또한, 본 발명은 상기 증착 방법으로 증착된 증착층을 갖는 LED 소자를 더 제공한다.The present invention further provides an LED device having a vapor deposition layer deposited by the vapor deposition method.

또한, 본 발명은 상기 증착 방법으로 증착된 증착층을 갖는 태양전지패널을 더 제공한다.The present invention further provides a solar cell panel having a vapor deposition layer deposited by the vapor deposition method.

본 발명은 다음과 같은 우수한 효과를 가진다.The present invention has the following excellent effects.

먼저, 본 발명의 증착 방법에 의하면, 원통형 전극 주변에서 두 개의 선형 구간 플라즈마가 소정의 각도를 이루며 형성되게 하여, 플라즈마가 직접적으로 샘플을 향하지 않게 할 수 있으므로 저온 증착이 가능한 장점이 있다.First, according to the deposition method of the present invention, since two linear section plasmas are formed at a predetermined angle around the cylindrical electrode, the plasma can be prevented from directly directing to the sample, which is advantageous in low temperature deposition.

또한, 본 발명의 증착 방법에 의하면, 원통형 전극 내부의 마그넷을 회동시켜 플라즈마가 바라보는 방향을 가변할 수 있으므로 공정 온도의 조절이 용이한 장점이 있다.Further, according to the deposition method of the present invention, since the direction of the plasma can be changed by rotating the magnet inside the cylindrical electrode, the process temperature can be easily controlled.

또한, 본 발명의 증착 방법에 의하면, 쿨링 어댑터를 이용하여 샘플에서 발생하는 열을 효과적으로 쿨링척으로 전달하여 제거할 수 있으므로 냉각효율을 높여 고품질의 증착층을 형성할 수 있는 장점이 있다.In addition, according to the deposition method of the present invention, since heat generated in a sample can be effectively transferred to and removed from a cooling chuck by using a cooling adapter, it is possible to form a high quality deposition layer by increasing cooling efficiency.

또한, 본 발명의 증착 방법에 의하면, 샘플과 쿨링척 간의 절연을 유지하여 샘플의 전기적 손상을 방지할 수 있는 장점이 있다.According to the deposition method of the present invention, it is possible to maintain the insulation between the sample and the cooling chuck, thereby preventing electrical damage to the sample.

또한, 본 발명의 증착 방법에 의하면, 샘플의 모서리가 이동방향을 향하게 하고, 증착물질을 샘플의 모서리를 향해 비산시켜, 샘플의 상면뿐만 아니라 측면에도 고른 증착층을 형성할 수 있는 장점이 있다.In addition, according to the deposition method of the present invention, the edge of the sample is directed to the moving direction, and the evaporation material is scattered toward the edge of the sample, so that a uniform deposition layer can be formed on the side surface as well as on the upper surface of the sample.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 방법의 흐름도,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 방법 중, 샘플을 거치하는 과정을 설명하기 위한 도면,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 방법에 이용되는 쿨링 어댑터를 보여주는 도면,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 방법에 이용되는 쿨링 어댑터의 상면을 보여주는 도면,
도 5는 도 4에 도시한 쿨링 어댑터의 상면의 다른 예를 보여주는 도면,
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 방법에 이용되는 필름을 보여주는 도면,
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 방법에 이용되는 절연층을 설명하기 위한 도면,
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 방법에 이용되는 원통형 전극을 보여주는 도면,
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 방법에서 플라즈마가 형성되는 방향을 설명하기 위한 도면,
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 방법에서 샘플의 움직임과 마그넷의 회동을 설명하기 위한 도면,
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 방법에서 샘플의 부착형태를 설명하기 위한 도면이다.1 is a flow diagram of a deposition method according to an embodiment of the present invention,
FIG. 2 is a view for explaining a process of mounting a sample in a deposition method according to an embodiment of the present invention;
FIG. 3 illustrates a cooling adapter used in a deposition method according to an embodiment of the present invention; FIG.
FIG. 4 is a top view of a cooling adapter used in a deposition method according to an embodiment of the present invention; FIG.
5 is a view showing another example of the top surface of the cooling adapter shown in Fig. 4,
6 is a view showing a film used in a deposition method according to an embodiment of the present invention,
7 is a view for explaining an insulating layer used in a deposition method according to an embodiment of the present invention,
FIG. 8 is a view showing a cylindrical electrode used in a deposition method according to an embodiment of the present invention;
9 is a view for explaining a direction in which a plasma is formed in a deposition method according to an embodiment of the present invention,
10 is a view for explaining movement of a sample and rotation of a magnet in a deposition method according to an embodiment of the present invention,
11 is a view for explaining a deposition form of a sample in a deposition method according to an embodiment of the present invention.

본 발명에서 사용되는 용어는 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어를 선택하였으나, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있는데 이 경우에는 단순한 용어의 명칭이 아닌 발명의 상세한 설명 부분에 기재되거나 사용된 의미를 고려하여 그 의미가 파악되어야 할 것이다.Although the terms used in the present invention have been selected as general terms that are widely used at present, there are some terms selected arbitrarily by the applicant in a specific case. In this case, the meaning described or used in the detailed description part of the invention The meaning must be grasped.

이하, 첨부한 도면에 도시된 바람직한 실시예들을 참조하여 본 발명의 기술적 구성을 상세하게 설명한다.Hereinafter, the technical structure of the present invention will be described in detail with reference to preferred embodiments shown in the accompanying drawings.

그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타낸다.However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

본 발명의 일 실시예에 따른 증착 방법은 저온 증착 공정을 통해 샘플에 고품질의 증착층을 형성할 수 있는 방법이다.A deposition method according to an embodiment of the present invention is a method capable of forming a high-quality deposition layer on a sample through a low-temperature deposition process.

또한, 상기 샘플은 예를 들면, 디스플레이 패털, 터치 패널, LED소자(패널), 태양전지패널, 회로 소자등일 수 있고, 상기 증착층은 전극층, 반사 방지층, 보호층, 전자파 차폐층일 수 있다.In addition, the sample may be, for example, a display panel, a touch panel, an LED element (panel), a solar battery panel, a circuit element, or the like, and the vapor deposition layer may be an electrode layer, an antireflection layer, a protective layer and an electromagnetic wave shielding layer.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 방법은 먼저, 상기 샘플(10)을 샘플 거치대(100)에 거치한다(S1000).Referring to FIG. 1, a deposition method according to an embodiment of the present invention first mounts the sample 10 on a sample holder 100 (S1000).

또한, 상기 샘플(10)은 진공 챔버(200)의 외부 대기공간에서 상기 샘플 거치대(100)에 거치되는 것이 바람직하다. In addition, it is preferable that the sample 10 is mounted on the sample holder 100 in the external atmosphere space of the vacuum chamber 200.

이는 상기 진공 챔버(200)의 내부에서 샘플을 거치할 경우, 상기 진공 챔버(200) 내부가 오염되는 것을 방지하기 위함이다.This is to prevent the inside of the vacuum chamber 200 from being contaminated when the sample is mounted in the vacuum chamber 200.

다만, 상기 샘플 거치대(100)가 상기 진공 챔버(200) 외부로 분리되어 이탈될 수 없는 경우, 상기 샘플(10)은 상기 진공 챔버(200) 내부에서 상기 샘플 거치대(100)에 거치될 수 있다.However, if the sample holder 100 can not be detached from the vacuum chamber 200, the sample 10 may be mounted on the sample holder 100 inside the vacuum chamber 200 .

또한, 상기 샘플 거치대(100)는 상기 샘플(10)을 상기 진공 챔버(200) 내부에서 지지하는 역할 이외에 상기 샘플(10)을 냉각하여 온도 조절을 수행하기 위한 역할을 겸한다.The sample holder 100 serves to support the sample 10 inside the vacuum chamber 200 and also to control the temperature by cooling the sample 10.

도 2를 참조하여 상기 샘플(10)을 거치하는 과정(S1000)을 더욱 상세하게 설명하면, 먼저, 쿨링척(110) 상에 쿨링 어댑터(120)를 적층하여 샘플 거치대(100)를 준비한다.Referring to FIG. 2, the process of mounting the sample 10 (S1000) will be described in more detail. First, a sample holder 100 is prepared by stacking a cooling adapter 120 on a cooling chuck 110.

또한, 상기 쿨링척(110,cooling chuck)은 온도 조절이 가능한 플레이트로써 내부에 냉각 유체가 흐를 수 있는 유로(111)가 구비되고, 상기 샘플(10)이 거치되었을 때, 상기 샘플(10)을 냉각하는 역할을 한다.The cooling chuck 110 is a temperature controllable plate and has a channel 111 through which a cooling fluid can flow. When the sample 10 is mounted, the sample 10 is cooled Cooling.

다만, 상기 유로(111)에 가열 유체가 공급될 경우, 상기 쿨링척(110)은 상기 샘플(10)을 가열하는 기능을 수행할 수도 있다.However, when the heating fluid is supplied to the flow path 111, the cooling chuck 110 may perform the function of heating the sample 10.

또한, 이 가열하는 기능은 증착초기 단계에서 상기 샘플(10)을 소정의 증착 온도로 가열하기 위해 이용될 수 있다.This heating function can also be used to heat the sample 10 to a predetermined deposition temperature in an initial stage of deposition.

또한, 상기 쿨링 어댑터(120)는 상기 쿨링척(110)의 상부에 적층되고, 상면에 상기 샘플(10)이 올려진다.Further, the cooling adapter 120 is stacked on the cooling chuck 110, and the sample 10 is placed on the upper surface.

또한, 상기 쿨링 어댑터(120)는 상기 샘플(10)의 열을 상기 쿨링척(110)으로 전달하여 상기 샘플(10)이 냉각되게 소정의 열 전달 매체이다.The cooling adapter 120 is a predetermined heat transfer medium for transferring the heat of the sample 10 to the cooling chuck 110 so that the sample 10 is cooled.

또한, 상기 쿨링 어댑터(120)는 상기 쿨링척(110)의 상면에 부착되어 고정 적층되는 것이 바람직하나, 안정적으로 위치 유지가 가능할 경우에는 부착되지 않고 올려질 수 있다.The cooling adapter 120 is preferably attached to the upper surface of the cooling chuck 110 so as to be fixedly laminated. However, if the cooling adapter 120 can stably maintain the position, the cooling adapter 120 can be lifted without being attached.

또한, 도 3을 참조하면, 상기 쿨링 어댑터(120)는 상면이 소정의 곡률(R)을 갖는 곡면으로 이루어진다.Referring to FIG. 3, the cooling adapter 120 has a curved surface having a predetermined curvature R on its upper surface.

또한, 상기 쿨링 어댑터(120)는 상면이 도 4에 도시한 바와 같이 사각형으로 이루어질 수 있고, 도 5에 도시한 바와 같이 상면이 원형인 쿨링 어댑터(120a)로 제공될 수 있다.4, the upper surface of the cooling adapter 120 may be rectangular, and may be provided with a cooling adapter 120a whose top surface is circular, as shown in FIG.

다만, 상기 쿨링 어댑터(120)의 상면은 소정의 곡면을 가져야 한다.However, the upper surface of the cooling adapter 120 must have a predetermined curved surface.

또한, 상기 쿨링 어댑터(120)의 상면은 도 3에 도시한 바와 같이 원통을 길이방향으로 잘라놓은 원통면일 수 있고, 구의 소정부분을 사각형 또는 원형으로 잘라놓은 구면으로 이루어질 수 있다.As shown in FIG. 3, the upper surface of the cooling adapter 120 may be a cylindrical surface cut in a longitudinal direction of the cylinder, or may be a spherical surface formed by cutting a predetermined portion of a sphere into a square shape or a circular shape.

즉, 상기 쿨링 어댑터(120)의 가로 방향 단면은 형상에 한정이 없으나 상면은 원통면이나 구면인 곡면으로 구성되어야 한다.That is, the cross-section of the cooling adapter 120 in the transverse direction is not limited in shape, but the upper surface should be a cylindrical surface or a curved surface that is a spherical surface.

다음, 상기 샘플(10)을 필름(130) 상에 부착한다(S1200).Next, the sample 10 is attached on the film 130 (S1200).

또한, 상기 필름(130)은 상기 샘플(10)을 상기 쿨링 어댑터(120) 상에 부착하기 위한 점착성 필름이다.The film 130 is a tacky film for attaching the sample 10 on the cooling adapter 120.

또한, 도 6을 참조하면, 상기 필름(130)에는 상기 샘플(10)의 전기적 연결라인(11)이 하부로 노출될 수 있도록 복수의 연결라인 노출홈(131)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 6, a plurality of connection line exposure grooves 131 may be formed in the film 130 so that the electrical connection lines 11 of the sample 10 may be exposed downward.

또한, 상기 연결라인 노출홈(131)은 상기 샘플(10)의 면적보다는 작으며, 상기 샘플(10)의 하면 가장자리가 상기 연결라인 노출홈(131)의 가장자리 상부에 부착되어 고정될 수 있게 한다.The connecting line exposed groove 131 is smaller than the area of the sample 10 and the lower edge of the sample 10 can be attached and fixed to the upper edge of the connecting line exposed groove 131 .

또한, 도 3을 참조하면, 상기 쿨링 어댑터(120)의 상면은 상기 필름(130)에 의해 전체가 덮혀야 하며, 이를 위해, 상기 쿨링 어댑터(120)의 폭(w1)과 길이(w2)는 상기 필름(130)의 폭과 길이보다 작아야 한다.3, the upper surface of the cooling adapter 120 must be entirely covered with the film 130. To this end, the width w1 and the length w2 of the cooling adapter 120 Should be smaller than the width and length of the film 130.

다시 말해서, 상기 쿨링 어댑터(120)의 상면 면적은 상기 필름(130)의 면적보다 작야야 한다.In other words, the upper surface area of the cooling adapter 120 should be smaller than the area of the film 130.

다음, 상기 샘플(10)이 부착된 필름(130)을 상기 쿨링 어댑터(120) 상에 부착하여 상기 샘플(10)의 거치를 완료한다(S1300).Next, a film 130 with the sample 10 attached thereto is mounted on the cooling adapter 120 to complete the mounting of the sample 10 (S1300).

또한, 도 2에서는 상기 샘플(10)을 상기 필름(130)에 먼저 부착한 뒤, 상기 필름(130)을 상기 쿨링 어댑터(120)의 상면에 부착하는 것으로 도시하였으나, 상기 쿨링 어댑터(120)의 상면에 상기 필름(130)을 먼저 부착한 뒤, 상기 샘플(10)을 상기 필름(130) 상에 부착할 수도 있다.2 shows that the sample 130 is first attached to the film 130 and then the film 130 is attached to the upper surface of the cooling adapter 120. However, The film 130 may be first attached to the upper surface, and then the sample 10 may be adhered to the film 130.

또한, 도 7을 참조하면, 상기 샘플(10)이 부착된 필름(130)을 상기 쿨링 어댑터(120)에 부착하기 이전에 상기 쿨링 어댑터(120) 상에 절연층(150)을 형성할 수 있으며, 상기 절연층(150)은 상기 쿨링 어댑터(120) 상에 코팅되거나 절연필름의 형태로 부착되어 형성될 수 있다.7, the insulating layer 150 may be formed on the cooling adapter 120 before the film 130 with the sample 10 attached thereto is attached to the cooling adapter 120 The insulating layer 150 may be coated on the cooling adapter 120 or attached in the form of an insulating film.

또한, 상기 절연층(150)은 상기 샘플(10)과 상기 쿨링 어댑터(120)가 서로 전기적으로 절연되게 하여 증착 공정 중에 상기 샘플(10)이 전기적 손상을 받지 않도록 하는 역할을 한다.The insulating layer 150 may electrically isolate the sample 10 and the cooling adapter 120 from each other to prevent the sample 10 from being electrically damaged during the deposition process.

다음, 가압 블럭(140)을 이용하여 상기 필름(130)의 가장자리 부분을 하부로 가압하고, 상기 필름(130)이 상기 쿨링 어댑터(120)의 상면에 밀착되게 한다(S1400).Next, the edge of the film 130 is pressed downward by using the pressing block 140 so that the film 130 is brought into close contact with the upper surface of the cooling adapter 120 (S1400).

또한, 상기 가압 블럭(140)은 바 형, 사각 고리형, 링 형으로 제작될 수 있으며, 수직단면은 사각형인 것이 바람직하다.Further, the pressing block 140 may be formed in a bar shape, a square ring shape, or a ring shape, and the vertical section is preferably a square shape.

또한, 상기 쿨링 어댑터(120)는 상기 필름(130)이 상기 가압 블럭(140)에 의해 가압되었을 때, 상기 필름(130)이 상기 쿨링 어댑터(120)의 측면을 부분적으로 덮으며, 장력이 유지될 수 있도록 소정의 높이(h)를 가지는 것이 바람직하다.The cooling adapter 120 is configured such that when the film 130 is pressed by the pressing block 140, the film 130 partially covers the side surface of the cooling adapter 120, It is preferable to have a predetermined height h.

또한, 도 3을 참조하면, 상기 쿨링 어댑터(120)는 상면에 복수의 그루브(121,groove)가 형성될 수 있다. Referring to FIG. 3, a plurality of grooves 121 may be formed on the upper surface of the cooling adapter 120.

또한, 상기 그루브(121)들은 상기 쿨링 어댑터(120)의 상면에 소정의 깊이로 파인 홈으로써 서로 연결되어 연통되며, 도 4에 도시한 바와 같이 격자모형으로 형성될 수 있다.In addition, the grooves 121 are connected to each other by a groove having a predetermined depth on the upper surface of the cooling adapter 120, and may be formed in a lattice pattern as shown in FIG.

그러나 상기 그루브들(121)의 모양은 특별한 제약이 없으며, 상기 쿨링 어댑터(120)의 상면 전체에 고루 퍼져 있고, 서로 연통되어 있다면 충분하다.However, the shape of the grooves 121 is not particularly limited, and it is sufficient that the grooves 121 are uniformly distributed over the entire upper surface of the cooling adapter 120 and are in communication with each other.

다음, 상기 그루브들(121) 내부의 공개를 배기하여(S1500), 상기 필름(130)이 상기 쿨링 어댑터(120)의 상면에 더욱 밀착되게 한다.Next, the inside of the grooves 121 is exhausted (S1500), and the film 130 is further brought into close contact with the upper surface of the cooling adapter 120.

또한, 도시하지는 않았으나, 상기 쿨링 어댑터(120)에는 상기 그루브들(121)의 공기를 배기하기 위한 배기라인이 형성될 수 있다.Further, although not shown, an exhaust line for exhausting the air of the grooves 121 may be formed in the cooling adapter 120.

따라서, 본 발명의 증착 방법에 의하면, 상기 샘플(10)을 상기 샘플 거치대(100)에 밀착시켜 거치할 수 있으므로 냉각효율을 향상시켜 고품질의 증착층을 증착할 수 있는 장점이 있다.Therefore, according to the deposition method of the present invention, since the sample 10 can be closely attached to the sample holder 100, it is possible to deposit the high quality deposition layer by improving the cooling efficiency.

다음, 상기 샘플 거치대(100)를 상기 진공 챔버(200) 내부에 위치시킨다(S2000).Next, the sample holder 100 is placed inside the vacuum chamber 200 (S2000).

또한, 상기 진공 챔버(200)는 증착을 위한 진공공간을 제공하며 내부에 플라즈마 형성을 위한 원통형 전극(300)이 구비된다.In addition, the vacuum chamber 200 provides a vacuum space for deposition, and a cylindrical electrode 300 for plasma formation is provided therein.

또한, 상기 원통형 전극(300)은 상기 진공 챔버(200) 내부에 가로방향으로 나란하게 복수 개로 구비될 수 있다.In addition, the cylindrical electrodes 300 may be provided in the vacuum chamber 200 in parallel in the lateral direction.

또한, 도 8을 참조하면, 상기 원통형 전극(300)의 내부에는 트랙형상의 N극 마그넷(310)과 상기 N형 마그넷(310)과 소정거리 이격되어 위치하는 S극 마그넷(320)이 구비된다.8, a track-shaped N-pole magnet 310 and an S-pole magnet 320 spaced apart from the N-type magnet 310 by a predetermined distance are provided in the cylindrical electrode 300 .

또한, 상기 N극 마그넷(310)과 상기 S극 마그넷(320)은 상기 원통형 전극(300)의 원주 방향으로 소정거리 이격된다.The N-pole magnet 310 and the S-pole magnet 320 are spaced apart from each other by a predetermined distance in the circumferential direction of the cylindrical electrode 300.

또한, 상기 N극 마그넷(310)에서 상기 S극 마그넷(320)을 향해 자기장(f)이 고리형으로 발생한다.Also, a magnetic field (f) is annularly generated from the N-pole magnet (310) toward the S-pole magnet (320).

또한, 상기 자기장(f)은 내측 공간에 플라즈마(P)가 구속되어 형성되게 하는 역할을 한다.In addition, the magnetic field f serves to constrain the plasma P in the inner space.

즉, 상기 플라즈마(P)는 상기 N극 마그넷(310)과 상기 S극 마그넷(320)이 형성하는 자기장(f)에 의해 상기 원통형 전극(300)을 길이방향으로 감싸는 트랙형상의 플라즈마(이하, '트랙 플라즈마'라 함)로 형성된다.That is, the plasma P is generated by a magnetic field f formed by the N-pole magnet 310 and the S-pole magnet 320 to form a track-shaped plasma (hereinafter referred to as a " 'Track plasma').

또한, 상기 트랙 플라즈마(P)는 상기 원통형 전극(300)의 길이방향으로 양측에 두 개의 선형 구간 플라즈마(P1,P2)와 상기 선형 구간 플라즈마들(P1,P2)의 양단을 잇는 두 개의 곡선 구간 플라즈마(P3,P4)로 구분될 수 있다.The track plasma P includes two linear section plasmas P1 and P2 on both sides in the longitudinal direction of the cylindrical electrode 300 and two curved sections P1 and P2 connecting both ends of the linear section plasmas P1 and P2. And plasma (P3, P4).

즉, 도 9를 참조하면, 상기 원통형 전극(300)을 단면을 보았을 때, 상기 선형 구간 플라즈마들(P1,P2)은 상기 원통형 전극(300)이 중심선(c)을 중심으로 소정의 각도(θ) 이격되어 형성된다.9, when the cross section of the cylindrical electrode 300 is viewed, the linear interval plasmas P1 and P2 are formed such that the cylindrical electrode 300 has a predetermined angle? .

또한, 상기 N극 마그넷(310)과 상기 S극 마그넷(320)은 상기 원통형 전극(300) 내부에서 회동이 가능하다.The N-pole magnet 310 and the S-pole magnet 320 are rotatable within the cylindrical electrode 300.

즉, 상기 선형 구간 플라즈마들(P1,P2)은 상기 원통형 전극(300)의 외주를 따라 회동하며 증착물질을 비산시킬 수 있다.That is, the linear interval plasmas P1 and P2 may rotate along the outer periphery of the cylindrical electrode 300 and scatter the deposition material.

또한, 상기 소정의 각도(θ)는 10도 내지 180도 사이의 소정의 각도일 수 있으며, 이 각도는 상기 N극 마그넷(310)과 상기 S극 마그넷(320)이 상기 원통형 전극(300) 내부에 설치될 때, 결정되며 설치 후에는 변화되지 않는다.The predetermined angle may be a predetermined angle between 10 degrees and 180 degrees and the angle may be set such that the N pole magnet 310 and the S pole magnet 320 are disposed inside the cylindrical electrode 300 And is not changed after installation.

즉, 상기 N극 마그넷(310)과 상기 S극 마그넷(320)은 상기 원통형 전극(300) 내부에서 상대적 위치는 고정된 채 회동만이 가능하다.That is, the N-pole magnet 310 and the S-pole magnet 320 can only be rotated while the relative position is fixed within the cylindrical electrode 300.

또한, 상기 원통형 전극(300)이 복수 개로 구비될 경우, 원통형 전극들 중, 외측에 위치하는 두 개의 원통형 전극들 중, 적어도 어느 하나는 상기 선형 구간 플라즈마들(P1,P2)의 각도가 다른 원통형 전극들의 각도보다 작을 수 있다.When the plurality of cylindrical electrodes 300 are provided, at least one of the two cylindrical electrodes located outside of the cylindrical electrodes may be a cylindrical shape having different angles of the linear region plasmas P1 and P2. May be less than the angle of the electrodes.

이는, 상기 샘플(10)이 상기 진공 챔버(200) 내부에서 이동하며 증착될 때, 초기 증착 단계 또는 후기 증착 단계에서는 증착속도를 빠르게 수행하고 나머지 증착 단계에서는 증착속도를 느리게 하여 상기 샘플(10)이 플라즈마에 의해 받는 데미지를 최소화하기 위함이다.This is because, when the sample 10 is moved and deposited in the vacuum chamber 200, the deposition rate is rapidly performed in the initial deposition step or the later deposition step, and the deposition rate is slowed in the remaining deposition step, This is to minimize the damage caused by the plasma.

다음, 상기 원통형 전극(300)에 전원이 공급되고, 상기 트랙 플라즈마(P)가 향하는 방향으로 증착물질(m)이 비산되며 상기 샘플(10)에 증착층이 형성된다.Next, power is supplied to the cylindrical electrode 300, the deposition material m is scattered in the direction of the track plasma P, and a deposition layer is formed on the sample 10.

또한, 상기 샘플 거치대(100)는 상기 진공 챔버(200) 내부에서 일방향으로 이동하거나 왕복이동하며 상기 샘플(10)에 증착층이 형성되게 할 수 있다.In addition, the sample holder 100 may move in one direction or reciprocate within the vacuum chamber 200 to form a deposition layer on the sample 10.

또한, 상기 N극 마그넷(310)과 상기 S극 마그넷(310)은 상기 원통형 전극(300) 내부에서 회동하며 증착물질의 비산 방향 및 비산 량을 조절할 수 있다.In addition, the N-pole magnet 310 and the S-pole magnet 310 rotate within the cylindrical electrode 300 to adjust the scattering direction and scattering amount of the evaporation material.

또한, 상기 선형 구간 플라즈마들(P1,P2)이 어느 한 방향을 바라보며 위치가 고정되지 않으므로 열이 국소부분에서 집중되지 않게 하여 저온 증착이 가능하게 한다.In addition, since the positions of the linear region plasmas P1 and P2 are not fixed in one direction, heat is not concentrated in the local region, thereby enabling low-temperature deposition.

또한, 도 10을 참조하면, 상기 N극 마그넷(310)과 상기 S극 마그넷(310)은 상기 선형 구간 플라즈마(P1,P2) 중, 어느 하나의 선형 구간 플라즈마가 상기 샘플(10)이 이동하는 방향을 향하도록 회동할 수 있다. 10, the N-pole magnet 310 and the S-pole magnet 310 are arranged such that any one of the linear section plasma P1 and the linear section plasma P2 moves the sample 10 As shown in Fig.

이는 상기 샘플(10)의 상면뿐만 아니라 측면에도 고른 높이의 증착층을 형성하기 위함이다.This is to form a vapor-deposited layer of uniform height on the top surface as well as on the side surface of the sample 10.

또한, 도 10을 참조하면, 상기 샘플(10)은 소정의 높이(t)를 갖는 다각형의 샘플일 수 있고, 모서리(e) 부분이 상기 진공 챔버(200) 내부에서 이동방향(a)을 향하도록 상기 필름(130)에 부착될 수 있다.10, the sample 10 may be a sample of a polygon having a predetermined height t, and a portion of the edge e may be moved in the vacuum chamber 200 toward the moving direction a. To the film 130, as shown in FIG.

즉, 상기 샘플(10)의 모서리(e) 부분을 향해 증착물질(m)이 비스듬히 비산하므로 상기 샘플(10)은 상면뿐만 아니라 측면까지 고르게 증착될 수 있는 효과가 있다.That is, since the evaporation material m is scattered toward the edge (e) of the sample 10, the sample 10 can be uniformly deposited not only on the upper surface but also on the side surface.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명은 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation in the present invention. Various changes and modifications will be possible.

100:샘플 거치대 110:쿨링척
120:쿨링 어댑터 121:그루브
130:필름 140:가압블럭
150:절연층 200:진공 챔버
300:원통형 전극 310:N극 마그넷
320:S극 마그넷100: Sample holder 110: Cooling chuck
120: Cooling adapter 121: Groove
130: Film 140: Pressure block
150: insulating layer 200: vacuum chamber
300: Cylindrical electrode 310: N pole magnet
320: S pole magnet

Claims (3)

전자파 차폐층이 증착된 회로 소자로서,
상기 전자파 차폐층은 회로 소자를 필름에 부착하여 진공 챔버 내부의 샘플 거치대 상에 거치한 후, 증착에 의해 형성되되,
상기 샘플 거치대의 상면 넓이는 상기 필름의 넓이보다 작고, 상기 필름의 모서리부분은 상기 샘플 거치대의 상면에 접촉하지 않는 부분이며, 상기 필름은 모서리부분이 가압 블럭에 무게에 의해 가압됨으로써, 상기 샘플 거치대의 상면 전체를 덮으며 밀착되게 한 후, 상기 전자파 차폐층을 증착에 의해 형성한 것을 특징으로 하는 전자파 차폐층이 증착된 회로 소자.
As a circuit element on which an electromagnetic wave shielding layer is deposited,
The electromagnetic wave shielding layer is formed by depositing a circuit element on a film, placing it on a sample holder in a vacuum chamber,
Wherein the upper surface of the sample holder is smaller than the width of the film and the edge portion of the film is not in contact with the upper surface of the sample holder and the edge of the film is pressed against the pressing block by weight, Wherein the electromagnetic wave shielding layer is formed by evaporation after covering the entire top surface of the electromagnetic shielding layer.
증착층이 증착된 패널으로서,
상기 증착층은 패널을 필름에 부착하여 진공 챔버 내부의 샘플 거치대 상에 거치한 후, 증착에 의해 형성되되,
상기 샘플 거치대의 상면 넓이는 상기 필름의 넓이보다 작고, 상기 필름의 모서리부분은 상기 샘플 거치대의 상면에 접촉하지 않는 부분이며, 상기 필름은 모서리부분이 가압 블럭에 무게에 의해 가압됨으로써, 상기 샘플 거치대의 상면 전체를 덮으며 밀착되게 한 후, 상기 증착층을 증착에 의해 형성한 것을 특징으로 하는 증착층이 증착된 패널.
As a panel on which a vapor deposition layer is deposited,
The deposition layer is formed by depositing a panel on a film, placing it on a sample holder inside a vacuum chamber,
Wherein the upper surface of the sample holder is smaller than the width of the film and the edge portion of the film is not in contact with the upper surface of the sample holder and the edge of the film is pressed against the pressing block by weight, Wherein the vapor deposition layer is formed by vapor deposition after the vapor deposition layer is formed to cover the entire upper surface of the vapor deposition layer.
증착층이 증착된 LED 소자로서,
상기 증착층은 LED 소자를 필름에 부착하여 진공 챔버 내부의 샘플 거치대 상에 거치한 후, 증착에 의해 형성되되,
상기 샘플 거치대의 상면 넓이는 상기 필름의 넓이보다 작고, 상기 필름의 모서리부분은 상기 샘플 거치대의 상면에 접촉하지 않는 부분이며, 상기 필름은 모서리부분이 가압 블럭에 무게에 의해 가압됨으로써, 상기 샘플 거치대의 상면 전체를 덮으며 밀착되게 한 후, 상기 증착층을 증착에 의해 형성한 것을 특징으로 하는 증착층이 증착된 LED 소자.An LED element on which a vapor deposition layer is deposited,
The deposition layer may be formed by depositing an LED element on a film, placing it on a sample holder in a vacuum chamber,
Wherein the upper surface of the sample holder is smaller than the width of the film and the edge portion of the film is not in contact with the upper surface of the sample holder and the edge of the film is pressed against the pressing block by weight, Wherein the vapor deposition layer is formed by vapor deposition after the vapor deposition layer is formed to cover the entire upper surface of the vapor deposition layer.
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