KR20170022349A - light emitting device package - Google Patents

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Abstract

An embodiment relates to a light emitting device package which forms shapes of a cavity and a light emitting device arranged in the cavity to be similar to each other to improve light efficiency. According to an embodiment of the present invention, the light emitting device package comprises: a body including a cavity having a circular upper surface; and a polygonal light emitting device arranged in the cavity, and having an upper surface surrounded with at least six lines.

Description

발광 소자 패키지{light emitting device package}A light emitting device package

실시 예는 광 효율이 향상된 발광 소자 패키지에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device package with improved light efficiency.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류가 인가되면 광을 방출하는 발광 소자 중 하나이다. 발광 다이오드는 저전압으로 고효율의 광을 방출할 수 있어 에너지 절감 효과가 뛰어나다. 최근, 발광 다이오드의 휘도 문제가 크게 개선되어, 액정 표시 장치의 백라이트 유닛(Backlight Unit), 전광판, 표시기, 가전 제품 등과 같은 각종 기기에 적용되고 있다.A light emitting diode (LED) is one of light emitting devices that emits light when current is applied. Light emitting diodes are capable of emitting light with high efficiency at low voltage, thus saving energy. In recent years, the problem of luminance of a light emitting diode has been greatly improved, and it has been applied to various devices such as a backlight unit of a liquid crystal display device, a display board, a display device, and a home appliance.

발광 다이오드는 N형 반도체층, 활성층, 및 P형 반도체층으로 구성된 발광 구조물의 일 측에 N형 전극과 P형 전극이 배치된 구조일 수 있다. N형 전극 및 P형 전극은 각각 N형 패드 및 P형 패드와 전기적으로 연결된다. 그리고, 본딩층을 이용하여 N형 패드 및 P형 패드를 리드 프레임에 연결하거나 인쇄 회로 기판 등에 실장할 수 있다.The light emitting diode may have a structure in which an N-type electrode and a P-type electrode are disposed on one side of a light emitting structure including an N-type semiconductor layer, an active layer, and a P-type semiconductor layer. The N-type electrode and the P-type electrode are electrically connected to the N-type pad and the P-type pad, respectively. The N-type pad and the P-type pad can be connected to the lead frame or mounted on a printed circuit board by using the bonding layer.

상기와 같은 발광 다이오드는 디스플레이용 광원, 자동차용 광원 및 조명용 광원으로 사용될 수 있으며, 발광 다이오드와 형광체를 이용하여 백색 광을 방출하는 발광 다이오드 패키지를 형성할 수 있다. 이 때, 발광 다이오드는 패키지 몸체 내에 배치되며 전극 분리 영역을 통해 분리된 제 1, 제 2 리드 프레임과 와이어 본딩 방식에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting diode may be used as a light source for a display, a light source for a vehicle, and a light source for an illumination, and a light emitting diode package that emits white light using a light emitting diode and a phosphor may be formed. At this time, the light emitting diode may be electrically connected to the first and second lead frames disposed in the package body and separated through the electrode separation region by a wire bonding method.

일반적인 발광 소자 패키지는 캐비티를 포함하는 몸체와 캐비티 내에 배치된 발광 소자를 포함한다. 그리고, 발광 소자를 덮도록 캐비티 내에 몰딩 부재가 채워진다.A typical light emitting device package includes a body including a cavity and a light emitting element disposed in the cavity. Then, the molding member is filled in the cavity so as to cover the light emitting element.

그런데, 일반적인 발광 소자 패키지는 발광 소자의 측면과 몸체 내측면 사이의 간격의 편차가 크고, 발광 소자의 측면과 몸체의 내측면 사이의 간격이 좁은 영역에서 광의 전반사가 발생할 수 있다. 즉, 발광 소자 패키지에서 광이 방출될 때, 지향각에 따라 색 편차가 발생하여 발광 소자 패키지의 품질이 저하될 수 있다.However, a general light emitting device package has a large deviation in the distance between the side surface of the light emitting device and the inner side surface of the body, and may cause total reflection of light in a region where the distance between the side surface of the light emitting device and the inner surface of the body is narrow. That is, when light is emitted from the light emitting device package, a color deviation may occur depending on the directional angle, and the quality of the light emitting device package may be deteriorated.

실시 예는 발광 소자의 형태를 변경하여 광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device package capable of improving the light efficiency by changing the shape of the light emitting device.

실시 예의 발광 소자 패키지는 상부면이 원형인 캐비티를 포함하는 몸체; 및 상기 캐비티 내에 배치되며, 상부면이 6개 이상의 선분으로 둘러싸인 다각형의 발광 소자를 포함한다.The light emitting device package of the embodiment includes a body including a cavity whose top surface is circular; And a polygonal light emitting element disposed in the cavity, the upper surface of which is surrounded by at least six line segments.

다른 실시 예의 발광 소자 패키지는 상부면이 원형인 캐비티를 포함하는 몸체; 및 상기 캐비티 내에 배치되며, 상부면이 원형인 발광 소자를 포함하며, 상기 발광 소자의 측면과 상기 몸체 내측면 사이의 간격이 모두 동일하다.A light emitting device package according to another embodiment includes a body including a cavity whose top surface is circular; And a light emitting element disposed in the cavity and having a top surface in a circular shape, wherein a distance between a side surface of the light emitting element and an inner surface of the body is all the same.

또 다른 실시 예의 발광 소자 패키지는 상부면이 6개 이상의 선분으로 둘러싸인 다각형인 캐비티를 포함하는 몸체; 및 상기 캐비티 내에 배치되며, 상부면이 상기 캐비티와 동일한 다각형인 발광 소자를 포함한다.A light emitting device package according to another embodiment includes a body including a cavity having a polygonal shape whose upper surface is surrounded by at least six line segments; And a light emitting element which is disposed in the cavity and whose upper surface is the same polygon as the cavity.

상기 캐비티와 상기 발광 소자가 상부면이 n(n은 6개 이상의 자연수) 개의 선분으로 둘러싸인 육각형인 경우, 상기 발광 소자 상부면의 n개의 꼭지점 중 선택된 하나의 꼭지점과 상기 캐비티 상부면의 n개의 꼭지점 중 가장 인접한 꼭지점을 서로 연결하는 가상의 n개의 연결선의 한 점에서 만난다.In the case where the cavity and the light emitting device are hexagons surrounded by n (n is a natural number of 6 or more) line segments on the upper surface, a vertex of a selected one of n vertices of the upper surface of the light emitting device and n vertexes At one point of the imaginary n connection lines connecting the closest vertices of the two.

본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지는 다음과 같은 효과가 있다.The light emitting device package of the embodiment of the present invention has the following effects.

첫째, 캐비티의 상부면이 원형인 경우, 캐비티 내에 배치되는 발광 소자의 상부면이 6개 이상의 선분으로 둘러싸인 형태로 이루어져, 발광 소자의 측면과 몸체 내측면 사이의 간격 균일도를 향상시킬 수 있다.First, when the upper surface of the cavity is circular, the upper surface of the light emitting device disposed in the cavity is surrounded by at least six line segments, so that the uniformity of the gap between the side surface of the light emitting device and the inner surface of the body can be improved.

둘째, 발광 소자와 캐비티의 형태가 동일하여 발광 소자의 측면과 몸체 내측면 사이의 간격 균일도를 향상시킬 수 있다.Secondly, since the shapes of the light emitting element and the cavity are the same, the uniformity of the gap between the side surface of the light emitting element and the inner surface of the body can be improved.

도 1a는 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지의 평면도이다.
도 1b는 도 1a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다.
도 2는 도 1a의 발광 소자의 단면도이다.
도 3은 상부면이 사각형인 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 평면도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명 다른 실시 예의 발광 소자 패키지의 평면도이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 또 다른 실시 예의 발광 소자 패키지의 평면도이다.
1A is a plan view of a light emitting device package of an embodiment of the present invention.
1B is a cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG. 1A.
2 is a cross-sectional view of the light emitting device of FIG.
3 is a plan view of a light emitting device package including a light emitting device having a square top surface.
4A and 4B are plan views of a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.
5A to 5D are plan views of a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예를 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명 실시 예를 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 실시 예의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.While the invention is susceptible to various modifications and alternative forms, specific embodiments thereof are shown by way of example in the drawings and will herein be described in detail. It should be understood, however, that the embodiments of the present invention are not intended to be limited to the specific embodiments but include all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the embodiments.

제 1, 제 2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 실시 예의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제 2 구성 요소는 제 1 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제 1 구성 요소도 제 2 구성 요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.Terms including ordinals, such as first, second, etc., may be used to describe various elements, but the elements are not limited to these terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the embodiments, the second component may be referred to as a first component, and similarly, the first component may also be referred to as a second component. And / or < / RTI > includes any combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.

어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, . On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명 실시 예를 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to limit the embodiments of the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

실시 예의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiments, in the case where one element is described as being formed "on or under" another element, the upper (upper) or lower (lower) or under are all such that two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like or corresponding elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description thereof will be omitted.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예의 발광 소자 패키지를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the light emitting device package of the embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1a는 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지의 평면도이며, 도 1b는 도 1a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다. 그리고, 도 2는 도 1a의 발광 소자의 단면도이다.1A is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG. 1A. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 1A.

도 1a, 도 1b 및 도 2와 같이, 실시 예의 발광 소자 패키지는 캐비티(100a)를 포함하는 몸체(100), 캐비티(100a) 내에 배치된 발광 소자(140)를 포함하며, 발광 소자(140)는 캐비티 하부에 배치된 전극 부재(120)와 전기적으로 연결된다. 도면에서는 발광 소자(140)가 와이어를 통해 전극 부재(120)와 연결된 것을 도시하였으나, 발광 소자(140)가 칩 스케일 패키지인 경우, 발광 소자(140)의 전극이 직접 전극 부재(120)와 연결될 수 있다.1A, 1B, and 2, the light emitting device package of the embodiment includes a body 100 including a cavity 100a, a light emitting device 140 disposed in the cavity 100a, a light emitting device 140, Is electrically connected to the electrode member 120 disposed under the cavity. Although the light emitting device 140 is connected to the electrode member 120 through wires in the drawing, when the light emitting device 140 is a chip scale package, the electrode of the light emitting device 140 is directly connected to the electrode member 120 .

몸체(100)는 실리콘(silicon), 실리콘 카바이드(silicon carbide; SiC), 질화 알루미늄(aluminum nitride; AlN), 폴리프탈아마이드(poly phthalamide; PPA), 에폭시 몰딩 화합물(Epoxy Molding Compound; EMC), 고분자 액정(Liquid Crystal Polymer) 등에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이를 한정하지는 않는다. 몸체(100)는 사출, 에칭 등의 방법으로 형성될 수 있다.The body 100 may be formed of one or more materials selected from the group consisting of silicon, silicon carbide (SiC), aluminum nitride (AlN), polyphthalamide (PPA), epoxy molding compound (Liquid Crystal Polymer), and the like. However, the present invention is not limited thereto. The body 100 may be formed by a method such as injection or etching.

몸체(100)가 전도성을 갖는 물질로 형성되는 경우, 몸체(100)의 내측면에는 절연막(미도시)이 더 형성되어, 몸체(100)와 발광 소자(140)가 전기적으로 연결되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 도면에서는 몸체(100)의 상부 가장자리가 사각형인 것을 도시하였으나, 몸체(100)의 상부 가장자리는 다각형이거나, 곡면이나 곡면을 갖는 원형일 수도 있다. When the body 100 is formed of a conductive material, an insulating film (not shown) is further formed on the inner surface of the body 100 to prevent the body 100 from being electrically connected to the light emitting device 140 . Although the top edge of the body 100 is shown as being square in the figure, the top edge of the body 100 may be polygonal, or may be circular with a curved or curved surface.

몸체(100)의 내측면에는 반사 부재(미도시)가 형성되어 발광 소자(140)에서 방출되는 광을 반사시켜 발광 소자 패키지 외부로 방출되는 광의 효율을 향상시킬 수 있다. 이 때, 반사 부재(미도시)는 몸체(100) 내측 표면에 반사 물질이 코팅되어 형성되거나, 몸체(100)가 반사 물질로 이루어질 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.A reflective member (not shown) may be formed on the inner surface of the body 100 to reflect light emitted from the light emitting device 140, thereby improving the efficiency of light emitted to the outside of the light emitting device package. In this case, the reflective member (not shown) may be formed by coating a reflective material on the inner surface of the body 100, or the reflective body may be formed of a reflective material.

캐비티(100a)는 몸체(100)의 상부면이 개방된 형상으로, 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있다 이 때, 캐비티(100a)의 상부 형상은 원형이다. 그리고, 캐비티(100a)에 의해 노출된 몸체(100)의 바닥면에는 발광 소자(140)가 배치될 수 있다.The cavity 100a may be formed in a cup shape, a concave shape, or the like, with the upper surface of the body 100 being opened. In this case, the upper shape of the cavity 100a is circular. The light emitting device 140 may be disposed on the bottom surface of the body 100 exposed by the cavity 100a.

그런데, 상술한 바와 같이, 일반적으로 발광 소자(140)의 형태와 캐비티(100a)의 상부면의 형태가 상이하므로, 발광 소자(140)와 몸체(100)의 내측면 사이의 거리가 부분적으로 상이하다. 따라서, 발광 소자(140)와 몸체(100)의 내측면 사이의 간격이 좁은 영역에서 광의 전반사가 발생하며, 발광 소자(140)에서 방출되는 광이 몸체(100)의 내측면에서 반사되어 다시 발광 소자(140)로 흡수되어 광 효율이 저하되는 문제가 발생할 수 있다.Since the shape of the light emitting element 140 and the shape of the upper surface of the cavity 100a differ from each other in general, the distance between the light emitting element 140 and the inner surface of the body 100 is partially different, Do. The light emitted from the light emitting device 140 is reflected by the inner side of the body 100 and then emitted again to the light emitting element 140. [ The light may be absorbed by the device 140 and the light efficiency may be lowered.

본 발명 실시 예는 상기 문제를 방지하기 위해, 캐비티(100a)의 상부면이 원형인 경우 발광 소자(140)는 상부면이 6개의 선분으로 둘러싸인 육각형 형태이다. 즉, 캐비티(100a)의 형태와 발광 소자(140)의 형태를 유사하게 형성하여, 발광 소자(140)와 몸체(100)의 내측면 사이의 간격 균일도를 향상시킬 수 있다.In order to prevent the above problem, the embodiment of the present invention has a hexagonal shape in which the upper surface of the light emitting device 140 is surrounded by six line segments when the upper surface of the cavity 100a is circular. That is, the shape of the cavity 100a and the shape of the light emitting device 140 may be similar to each other, thereby improving the uniformity of the gap between the light emitting device 140 and the inner surface of the body 100. [

도 3은 상부면이 사각형인 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 평면도이며, 하기 표 1 및 표 2는 도 1a 및 도 3의 발광 소자 패키지에 있어서, 발광 소자의 측면과 몸체 내측면 사이의 간격을 비교한 표이다.FIG. 3 is a plan view of a light emitting device package including a light emitting device having a quadrangular top surface, and Tables 1 and 2 show the light emitting device package of FIGS. 1A and 3, .

표 1과 같이, 상부면이 원형인 캐비티(100a)의 반지름이 975㎛인 경우, 발광 소자(140)가 사각형인 일반적인 발광 소자 패키지는 발광 소자(140)의 측면과 몸체(100) 내측면 사이의 간격 중 가장 좁은 간격(d1)과 가장 넓은 간격(d2)의 편차가 크다. 반면에, 본 발명과 같이 발광 소자(140)가 육각형인 경우, 발광 소자(140)의 측면과 몸체(100) 내측면 사이의 간격 중 가장 좁은 간격(d1)과 가장 넓은 간격(d2)의 편차가 감소한다.A general light emitting device package having a quadrangular shape of the light emitting device 140 is formed between the side surface of the light emitting device 140 and the side surface in the body 100 The largest gap d1 between the narrowest interval d2 and the widest gap d2 is large. On the other hand, when the light emitting device 140 is hexagonal as in the present invention, the difference between the narrowest distance d1 and the widest distance d2 among the gaps between the side surface of the light emitting device 140 and the inner side surface of the body 100 .


발광 소자 형태Type of light emitting device 원형 캐비티 반지름(㎛)Circular Cavity Radius (㎛) 간격(㎛)Spacing (탆) d1: d2
d1: d2
가장 좁은 간격(d1)The narrowest interval (d1) 가장 넓은 간격(d2)The widest spacing (d2) 일반적인 발광 소자 패키지Typical light emitting device package 사각형Square 975975 339339 525525 1:1.551: 1.55 본 발명의 발광 소자 패키지The light emitting device package 육각형hexagon 975975 417417 491491 1:1.171: 1.17

그리고, 하기 표 2와 같이, 원형 캐비티(100a)의 반지름이 1200㎛으로 커지면, 본 발명의 발광 소자(140)의 측면과 몸체(100) 내측면 사이의 간격 중 가장 좁은 간격(d1)과 가장 넓은 간격(d2)의 편차가 더 감소한다.When the radius of the circular cavity 100a is increased to 1200 占 퐉 as shown in Table 2 below, the distance d1 between the side of the light emitting device 140 of the present invention and the inner side surface of the body 100, The deviation of the wide interval d2 is further reduced.


발광 소자 형태Type of light emitting device 원형 캐비티 반지름(㎛)Circular Cavity Radius (㎛) 간격(㎛)Spacing (탆) d1: d2
d1: d2
가장 좁은 간격(d1)The narrowest interval (d1) 가장 넓은 간격(d2)The widest spacing (d2) 일반적인 발광 소자 패키지Typical light emitting device package 사각형Square 12001200 564564 750750 1:1.331: 1.33 본 발명의 발광 소자 패키지The light emitting device package 육각형hexagon 12001200 642642 716716 1:1.111: 1.11

즉, 본 발명은 캐비티(100a)의 상부면이 원형인 경우, 발광 소자(140)의 상부면을 육각형으로 형성하여 발광 소자(140)와 몸체(100) 내측면 사이의 가장 좁은 간격(d1)과 가장 넓은 간격(d2)의 편차를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 발광 소자(140)의 측면과 몸체(100) 내측면 사이의 간격 균일도가 향상되어, 발광 소자 패키지에서 방출되는 광의 균일도가 향상되어 지향각에 따른 색 편차를 감소시킬 수 있다.That is, according to the present invention, when the upper surface of the cavity 100a is circular, the upper surface of the light emitting device 140 is formed in a hexagonal shape so that the narrowest distance d1 between the light emitting device 140 and the inner surface of the body 100, And the widest gap d2 can be reduced. Accordingly, the uniformity of the distance between the side surface of the light emitting device 140 and the inner side surface of the body 100 is improved, and the uniformity of the light emitted from the light emitting device package is improved, thereby reducing the color deviation according to the directional angle.

특히, 발광 소자(140)의 측면과 몸체(100) 내측면 사이의 간격이 너무 좁은 경우, 발광 소자(140)에서 방출된 광이 몸체(100) 내측면에서 전반사되어 다시 발광 소자(140)로 흡수되어 광 효율이 저하될 수 있다. 따라서, 발광 소자(140)의 측면과 몸체(100) 내측면 사이의 가장 좁은 간격(d1)은 150㎛보다는 넓은 것이 바람직하다.Particularly, when the distance between the side surface of the light emitting device 140 and the side surface of the body 100 is too narrow, the light emitted from the light emitting device 140 is totally reflected on the inner side surface of the body 100, And the light efficiency may be lowered. Therefore, it is preferable that the narrowest distance d1 between the side surface of the light emitting element 140 and the inner side surface of the body 100 is wider than 150 m.

또한, 그리고, 발광 소자(140)의 측면과 몸체(100) 내측면 사이의 간격이 너무 넓은 경우에는 발광 소자 패키지의 소형화가 어려우며 제조 비용이 증가한다. 따라서, 발광 소자(140)의 측면과 몸체(100) 내측면 사이의 가장 넓은 간격(d2)은 2000㎛보다는 좁은 것이 바람직하다.In addition, when the distance between the side surface of the light emitting device 140 and the inner side surface of the body 100 is too wide, it is difficult to miniaturize the light emitting device package and the manufacturing cost increases. Therefore, it is preferable that the widest distance d2 between the side surface of the light emitting device 140 and the inner side surface of the body 100 is narrower than 2000 占 퐉.

이 때, 지향각별 색 편차를 감소시키기 위해 가장 좁은 간격(d1)과 가장 넓은 간격(d2)의 비는 1:1.2 이내인 것이 바람직하다. 따라서, 발광 소자(140)의 측면과 몸체(100) 내측면 사이의 가장 좁은 간격(d1)은 150㎛ 내지 700㎛인 것이 바람직하며, 발광 소자(140)의 측면과 몸체(100) 내측면 사이의 가장 넓은 간격(d2)은 150㎛ 내지 840㎛인 것이 바람직하다. In this case, it is preferable that the ratio of the narrowest distance d1 to the widest distance d2 is 1: 1.2 or less in order to reduce the color deviation of each directional angle. It is preferable that the narrowest distance d1 between the side surface of the light emitting device 140 and the inner side surface of the body 100 is between 150 mu m and 700 mu m and between the side surface of the light emitting device 140 and the inside surface of the body 100 It is preferable that the widest distance d2 of the protrusions is 150 mu m to 840 mu m.

다시 도 2를 참조하면, 캐비티(100a) 내에 배치된 발광 소자(140)는 기판(141) 상에 배치된 발광 구조물(142)을 포함하며, 발광 구조물(142)로만 이루어질 수 있다. 발광 구조물(142)은 제 1 반도체층(142a), 제 2 반도체층(142b), 활성층(142c), 제 1 전극(142d) 및 제 2 전극(142e)을 포함하여 이루어진다.Referring again to FIG. 2, the light emitting device 140 disposed in the cavity 100a includes the light emitting structure 142 disposed on the substrate 141, and may include only the light emitting structure 142. Referring to FIG. The light emitting structure 142 includes a first semiconductor layer 142a, a second semiconductor layer 142b, an active layer 142c, a first electrode 142d, and a second electrode 142e.

제 1 반도체층(142a)은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제 1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제 1 반도체층(142a)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체일 수 있으며, Si, Ge, Sn 등 과 같은 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first semiconductor layer 142a may be formed of a compound semiconductor such as a group III-V element, a group II-VI element, or the like, and may be doped with a first conductivity type dopant. For example, the first semiconductor layer 142a may be a semiconductor having a composition formula of InxAlyGa1-x-yN (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? , Sn, and the like may be doped.

활성층(142b)은 제 1 반도체층(142a) 및 제 2 반도체층(142c)으로부터 제공되는 전자(electron)와 정공(hole)의 재결합(recombination) 과정에서 발생하는 에너지에 의해 광을 생성할 수 있다. 활성층(142b)은 반도체 화합물, 예를 들어, 3족-5족, 2족-6족의 화합물 반도체일 수 있으며, 단일 우물 구조, 다중우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다. 활성층(142b)이 양자우물구조인 경우에는 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1-a-bN (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 양자우물구조를 가질 수 있다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질일 수 있다.The active layer 142b can generate light by energy generated in the recombination process of electrons and holes provided from the first semiconductor layer 142a and the second semiconductor layer 142c . The active layer 142b may be a compound semiconductor of a semiconductor compound, for example, a Group 3-V-5 or a Group 2-VI-6 compound semiconductor, and may be a single well structure, a multi-well structure, a quantum- (Quantum Dot) structure or the like. In the case where the active layer 142b is a quantum well structure, a well layer having a composition formula of InxAlyGa1-x-yN (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1, 0? A? 1, 0? B? 1, 0? A + b? 1). The well layer may be a material having a band gap lower than the energy band gap of the barrier layer.

제 2 반도체층(142c)은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제 2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제 2 반도체층(142c)은 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체일 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second semiconductor layer 142c may be formed of a compound semiconductor such as a group III-V, a group II-VI, or the like, and the second conductive dopant may be doped. For example, the second semiconductor layer 142c may be a semiconductor having a composition formula of InxAlyGa1-x-yN (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? , A p-type dopant such as Ca, Sr, Ba, or the like can be doped.

도면에서는 하나의 발광 소자(140)를 도시하였으나, 발광 소자 패키지가 두 개 이상의 발광 소자(140)를 포함하는 경우, 몸체(100)는 분리된 두 개의 캐비티(100a)를 포함하여 이루어져, 발광 소자(140)가 캐비티(100a)에 각각 배치될 수 있다. 상기와 같은 발광 소자(140)는 자외선, 적색, 녹색, 청색, 백색 중 선택된 적어도 하나의 빛을 방출할 수 있다. Although a single light emitting device 140 is shown in the drawing, when the light emitting device package includes two or more light emitting devices 140, the body 100 includes two separated cavities 100a, (140) may be respectively disposed in the cavity (100a). The light emitting device 140 may emit at least one light selected from ultraviolet light, red light, green light, blue light, and white light.

그리고, 제 1 반도체층(142a)과 제 1 전극(142d)이 전기적으로 접속되며, 제 2 반도체층(142c)과 제 2 전극(142e)이 전기적으로 접속되어, 제 1, 제 2 전극(142d, 142e)이 와이어를 통해 전극 부재와 연결될 수 있다. 이 때, 제 1, 제 2 전극(142d, 142e)은 투명 전도성 산화막(Tranparent Conductive Oxide; TCO) 또는 불투명 금속으로 형성될 수 있다.The first semiconductor layer 142a and the first electrode 142d are electrically connected to each other and the second semiconductor layer 142c and the second electrode 142e are electrically connected to each other so that the first and second electrodes 142d And 142e can be connected to the electrode member through the wire. In this case, the first and second electrodes 142d and 142e may be formed of a transparent conductive oxide (TCO) or an opaque metal.

투명 전도성 산화막은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx 및 NiO 등에서 선택될 수 있다. 그리고, 불투명 금속은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 등에서 선택될 수 있다. 또한, 제 1, 제 2 전극(142d, 142e)은 투명 전도성 산화막과 불투명 금속이 혼합된 하나 또는 복수 개의 층으로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.The transparent conductive oxide film may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (AGZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide), IZON (IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx and NiO. The opaque metal may be selected from Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au and Hf. The first and second electrodes 142d and 142e may be formed of one or a plurality of layers of a mixture of a transparent conductive oxide film and an opaque metal. However, the present invention is not limited thereto.

상기와 같은 발광 소자(140)의 형태는 용이하게 변경 가능하며, 발광 소자(140)와 전극 부재(120)의 전기적인 연결 역시 다양한 방법으로 이루어질 수 있다.The shape of the light emitting device 140 may be easily changed, and the electrical connection between the light emitting device 140 and the electrode member 120 may be performed by various methods.

그리고, 발광 소자(140) 상에 몰딩 부재(110)가 형성되며, 몰딩 부재(110)는 발광 소자(140)를 덮도록 캐비티(100a) 내에 채워질 수 있다. 몰딩 부재(110)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 투광성의 수지를 포함할 수 있다. 또한, 도시하지는 않았으나, 몰딩 부재(110)에는 형광체 또는 확산제가 선택적으로 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 형광체는 YAG 계열, 실리케이트(Silicate) 계열, 또는 TAG 계열의 형광 물질을 포함할 수 있다.The molding member 110 may be formed on the light emitting device 140 and the molding member 110 may be filled in the cavity 100a to cover the light emitting device 140. [ The molding member 110 may include a light-transmitting resin such as epoxy or silicon. Further, although not shown, the molding member 110 may be selectively doped with a fluorescent material or a diffusing agent, but the present invention is not limited thereto. The phosphor may include a YAG-based, a silicate-based, or a TAG-based fluorescent material.

그리고, 도시하지는 않았으나, 몰딩 부재(110)를 덮도록 몰딩 부재(110) 상에 광학 렌즈가 더 형성될 수 있으며, 광학 렌즈는 오목한 렌즈 형상, 볼록한 렌즈 형상, 일정 부분이 오목하고 다른 부분이 볼록한 형상의 렌즈를 포함할 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.Further, although not shown, an optical lens may be further formed on the molding member 110 so as to cover the molding member 110. The optical lens may have a concave lens shape, a convex lens shape, a convex lens shape, , But is not limited thereto.

한편, 도면에서는 발광 소자(140)의 상부면이 육각형인 것을 도시하였으나, 발광 소자(140)의 상부면은 원형과 유사하도록 7개 이상의 선분으로 둘러싸인 다각형일 수 있다.Although the upper surface of the light emitting device 140 is shown as a hexagonal shape in the drawing, the upper surface of the light emitting device 140 may be a polygonal shape surrounded by seven or more line segments so as to have a circular shape.

도 4a 및 도 4b는 본 발명 다른 실시 예의 발광 소자 패키지의 평면도이다.4A and 4B are plan views of a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.

도 4a와 같이, 캐비티(100a)의 상부면이 원형인 경우, 발광 소자(140)의 상부면은 팔각형으로 이루어지거나, 도 4b와 같이 발광 소자(140)는 십이각형으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 발광 소자(140)의 측면과 몸체(100) 내측면 사이의 간격(d1, d2) 편차가 더 감소할 수 있다.As shown in FIG. 4A, when the upper surface of the cavity 100a is circular, the upper surface of the light emitting device 140 may be octagonal, or the light emitting device 140 may be a twin triangle as shown in FIG. 4B. In this case, the deviation (d1, d2) between the side surface of the light emitting element 140 and the inside surface of the body 100 can be further reduced.

도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 또 다른 실시 예의 발광 소자 패키지의 평면도이다.5A to 5D are plan views of a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 발광 소자(140)의 상부면과 캐비티(100a)의 상부면은 동일한 형태이다.In the light emitting device package according to another embodiment of the present invention, the upper surface of the light emitting device 140 and the upper surface of the cavity 100a are the same.

구체적으로, 캐비티(100a)와 발광 소자(140)의 상부면은 동일한 개수의 선분으로 이루어진 다각형이다. 특히, 캐비티(100a)의 모서리의 각도가 좁을수록 발광 소자(140)에서 방출되는 광이 외부로 방출되지 못하고 모서리에서 맴도는 현상이 발생할 수 있다. 따라서, 캐비티(100a)의 모서리는 일정 각도 이상인 것이 바람직하며, 이를 위해, 캐비티(100a) 및 발광 소자(140)의 상부면은 모서리가 적어도 120° 이상인 육각형인 것이 바람직하다.Specifically, the upper surface of the cavity 100a and the upper surface of the light emitting device 140 are polygons formed by the same number of line segments. Particularly, as the angle of the corner of the cavity 100a becomes narrower, the light emitted from the light emitting device 140 may not be emitted to the outside, and a phenomenon may occur in the corner. Therefore, it is preferable that the corner of the cavity 100a is a certain angle or more. To this end, the cavity 100a and the upper surface of the light emitting device 140 are preferably hexagonal having an angle of at least 120 degrees.

즉, 도 5a와 같이, 발광 소자(140)와 캐비티(100a)의 상부면은 육각형으로 형성될 수 있다. 이 경우, 발광 소자(140) 상부면의 6개의 꼭지점 중 선택된 하나의 꼭지점과 캐비티(100a) 상부면의 6개의 꼭지점 중 가장 인접한 꼭지점을 서로 연결하는 가상의 연결선이 6개가 존재하며, 6개의 가상의 연결선은 한 점에서 만난다.That is, as shown in FIG. 5A, the upper surface of the light emitting device 140 and the cavity 100a may be formed in a hexagonal shape. In this case, there are six virtual connection lines connecting the vertexes of the selected one of the six vertexes of the upper surface of the light emitting device 140 and the vertexes closest to the six vertexes of the upper surface of the cavity 100a, The connection line of the device meets at one point.

그리고, 도 5b와 같이 발광 소자(140)와 캐비티(100a)의 상부면은 팔각형 또는 도 5c와 같이, 발광 소자(140)와 캐비티(100a)의 상부면은 십이각형으로 형성될 수 있다. As shown in FIG. 5B, the upper surface of the light emitting device 140 and the cavity 100a may be octagonal, or the upper surface of the cavity 100a may be formed to have a diagonal shape, as shown in FIG. 5C.

상기와 같이, 발광 소자(140)의 상부면을 이루는 선분의 개수가 증가할수록 가장 좁은 간격(d1)과 가장 넓은 간격(d2)의 비가 1:1에 근접해진다.As described above, the ratio of the narrowest distance d1 to the widest distance d2 approaches 1: 1 as the number of line segments forming the upper surface of the light emitting device 140 increases.

더욱이, 도 5d와 같이, 발광 소자(140)와 캐비티(100a)의 상부면이 모두 원형으로 이루어진 경우, 발광 소자(140)의 측면과 몸체(100a) 내측면 사이의 간격(d)이 모두 동일하다. 따라서, 가장 좁은 간격(d1)과 가장 넓은 간격(d2)의 비는 1:1이다. 이 때, 발광 소자(140)의 측면과 몸체(100a) 내측면 사이의 간격(d)은 150㎛ 내지 2000㎛이다.5D, when the light emitting device 140 and the upper surface of the cavity 100a are both circular, the distance d between the side surface of the light emitting device 140 and the inside surface of the body 100a is all the same Do. Therefore, the ratio of the narrowest distance d1 to the widest distance d2 is 1: 1. At this time, the distance d between the side surface of the light emitting element 140 and the inside surface of the body 100a is 150 mu m to 2000 mu m.

이 경우, 발광 균일도가 향상되고 지향각에 따른 색 편차를 효율적으로 감소시킬 수 있다. 한편, 도시하지는 않았으나, 발광 소자(140)와 캐비티(100a)의 상부면이 모두 타원형으로 형성될 수도 있다.In this case, the uniformity of light emission is improved and the color deviation according to the directivity angle can be effectively reduced. Although not shown, both the light emitting device 140 and the upper surface of the cavity 100a may be formed in an elliptical shape.

상술한 바와 같이, 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지는 캐비티(100a)의 상부면이 원형인 경우, 캐비티(100a) 내에 배치되는 발광 소자(140)는 상부면이 6개 이상의 선분으로 둘러싸인 다각형 구조로 형성되어, 발광 소자(140)의 측면과 몸체(100) 내측면 사이의 간격 균일도를 향상시킬 수 있다. 또한, 발광 소자(140)와 캐비티(100a)의 상부면이 동일한 형태로 이루어져, 발광 소자(140)와 몸체(100) 내측면 사이의 간격 균일도를 향상시킬 수 있다.As described above, in the light emitting device package of the embodiment of the present invention, when the upper surface of the cavity 100a is circular, the light emitting device 140 disposed in the cavity 100a has a polygonal structure in which the upper surface is surrounded by six or more line segments So that the uniformity of the gap between the side surface of the light emitting device 140 and the side surface of the body 100 can be improved. The light emitting device 140 and the cavity 100a are formed in the same shape so that the uniformity of the gap between the light emitting device 140 and the inner side surface of the body 100 can be improved.

한편, 상기와 같은 발광 소자 패키지는 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등의 광학 부재를 더 포함하여 이루어져 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또한, 실시 예의 발광 소자는 표시 장치, 조명 장치, 지시 장치에 더 적용될 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package may further include an optical member such as a light guide plate, a prism sheet, and a diffusion sheet, and may function as a backlight unit. Further, the light emitting element of the embodiment can be further applied to a display device, a lighting device, and a pointing device.

이 때, 표시 장치는 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 광학 시트, 디스플레이 패널, 화상 신호 출력 회로 및 컬러 필터를 포함할 수 있다. 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.At this time, the display device may include a bottom cover, a reflector, a light emitting module, a light guide plate, an optical sheet, a display panel, an image signal output circuit, and a color filter. The bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit.

반사판은 바텀 커버 상에 배치되고, 발광 모듈은 광을 방출한다. 도광판은 반사판의 전방에 배치되어 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하고, 광학 시트는 프리즘 시트 등을 포함하여 이루어져 도광판의 전방에 배치된다. 디스플레이 패널은 광학 시트 전방에 배치되고, 화상 신호 출력 회로는 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하며, 컬러 필터는 디스플레이 패널의 전방에 배치된다. The reflector is disposed on the bottom cover, and the light emitting module emits light. The light guide plate is disposed in front of the reflection plate to guide light emitted from the light emitting module forward, and the optical sheet includes a prism sheet or the like and is disposed in front of the light guide plate. The display panel is disposed in front of the optical sheet, and the image signal output circuit supplies an image signal to the display panel, and the color filter is disposed in front of the display panel.

그리고, 조명 장치는 기판과 실시 예의 발광 소자 패키지를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열부 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 더욱이 조명 장치는, 램프, 해드 램프, 또는 가로등 등을 포함할 수 있다.The lighting device may include a light source module including a substrate and a light emitting device package of the embodiment, a heat dissipation unit for dissipating heat of the light source module, and a power supply unit for processing or converting an electrical signal provided from the outside, have. Further, the lighting device may include a lamp, a head lamp, or a street lamp or the like.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 실시 예의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. It will be clear to those who have knowledge.

100: 몸체 100a: 캐비티
110: 몰딩 부재 120: 전극 부재
140: 발광 소자 141: 기판
142: 발광 구조물 142a: 제 1 반도체층
142b: 활성층 142c: 제 2 반도체층
142d: 제 1 전극 142e: 제 2 전극
100: Body 100a: Cavity
110: molding member 120: electrode member
140: light emitting element 141: substrate
142: light emitting structure 142a: first semiconductor layer
142b: active layer 142c: second semiconductor layer
142d: first electrode 142e: second electrode

Claims (11)

상부면이 원형인 캐비티를 포함하는 몸체; 및
상기 캐비티 내에 배치되며, 상부면이 6개 이상의 선분으로 둘러싸인 다각형의 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지.
A body including a cavity whose top surface is circular; And
And a polygonal light emitting element disposed in the cavity and having an upper surface surrounded by at least six line segments.
제 1 항에 있어서,
상기 발광 소자 측면과 상기 몸체 내측면 사이의 간격 중 가장 좁은 간격은 150㎛ 내지 700㎛인 발광 소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein a distance between the light emitting device side and the inner side surface of the body is 150 mu m to 700 mu m.
제 1 항에 있어서,
상기 발광 소자 측면과 상기 몸체 내측면 사이의 간격 중 가장 넓은 간격은 150㎛ 내지 840㎛인 발광 소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein a widest interval between the light emitting device side and the inner side surface of the body is 150 占 퐉 to 840 占 퐉.
제 1 항에 있어서,
상기 발광 소자의 측면과 상기 몸체 내측면 사이의 간격 중 가장 좁은 간격과 가장 넓은 간격 비는 1:1을 초과하며 1:1.2 이하인 발광 소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the narrowest interval and the widest spacing ratio of the distance between the side surface of the light emitting element and the inner side surface of the body are more than 1: 1 and not more than 1: 1.2.
상부면이 원형인 캐비티를 포함하는 몸체; 및
상기 캐비티 내에 배치되며, 상부면이 원형인 발광 소자를 포함하며,
상기 발광 소자의 측면과 상기 몸체 내측면 사이의 간격이 모두 동일한 발광 소자 패키지.
A body including a cavity whose top surface is circular; And
A light emitting element disposed in the cavity and having a top surface in a circular shape,
Wherein a gap between the side surface of the light emitting device and the inside surface of the body is the same.
제 5 항에 있어서,
상기 간격은 150㎛ 내지 2000㎛인 발광 소자 패키지.
6. The method of claim 5,
Wherein the interval is 150 占 퐉 to 2000 占 퐉.
상부면이 6개 이상의 선분으로 둘러싸인 다각형인 캐비티를 포함하는 몸체; 및
상기 캐비티 내에 배치되며, 상부면이 상기 캐비티와 동일한 다각형인 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지.
A body including a cavity whose top surface is a polygon surrounded by at least six line segments; And
And a light emitting element which is disposed in the cavity and whose upper surface is the same polygon as the cavity.
제 7 항에 있어서,
상기 캐비티와 상기 발광 소자가 상부면이 n(n은 6개 이상의 자연수) 개의 선분으로 둘러싸인 육각형인 경우,
상기 발광 소자 상부면의 n개의 꼭지점 중 선택된 하나의 꼭지점과 상기 캐비티 상부면의 n개의 꼭지점 중 가장 인접한 꼭지점을 서로 연결하는 가상의 n개의 연결선의 한 점에서 만나는 발광 소자 패키지.
8. The method of claim 7,
When the cavity and the light emitting element are hexagons surrounded by n (n is a natural number of 6 or more) line segments on the upper surface,
Wherein the light emitting device package meets at a point of imaginary n connecting lines connecting vertexes of a selected one of n vertexes of the upper surface of the light emitting device and vertexes of the n vertices of the upper surface of the cavity.
제 7 항에 있어서,
상기 발광 소자 측면과 상기 몸체 내측면 사이의 간격 중 가장 좁은 간격은 150㎛ 내지 700㎛인 발광 소자 패키지.
8. The method of claim 7,
Wherein a distance between the light emitting device side and the inner side surface of the body is 150 mu m to 700 mu m.
제 7 항에 있어서,
상기 발광 소자 측면과 상기 몸체 내측면 사이의 간격 중 가장 넓은 간격은 150㎛ 내지 840㎛인 발광 소자 패키지.
8. The method of claim 7,
Wherein a widest interval between the light emitting device side and the inner side surface of the body is 150 占 퐉 to 840 占 퐉.
제 7 항에 있어서,
상기 발광 소자의 측면과 상기 몸체 내측면 사이의 간격 중 가장 좁은 간격과 가장 넓은 간격 비는 1:1을 초과하며 1:1.2 이하인 발광 소자 패키지.
8. The method of claim 7,
Wherein the narrowest interval and the widest spacing ratio of the distance between the side surface of the light emitting element and the inner side surface of the body are more than 1: 1 and not more than 1: 1.2.
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