KR20170022072A - 발광소자 패키지 - Google Patents
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- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 80
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000000071 blow moulding Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
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Abstract
실시예는 발광소자 패키지에 관한 것으로서, 기판; 상기 기판 상에 배치된 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임; 상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임의 상하면에 배치된 도금층; 상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결된 발광소자; 및 상기 발광소자를 둘러싸는 몰딩부를 포함하고, 상기 도금층은 니켈(Ni)을 포함하는 제1 도금층; 및 상기 제1 도금층과 연결되어 상기 도금층의 최외곽에 배치되고, 금(Au)을 포함하는 제2 도금층을 포함한다.
Description
실시예는 발광소자 패키지에 관한 것이다.
반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)나 레이저 다이오드(Laser Diode; LD)와 같은 발광 소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색, 백색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 갖는다.
따라서, 발광 다이오드는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
발광소자는 사파이어 등으로 이루어진 기판 위에 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물이 형성되고, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 상에 각각 제1 전극과 제2 전극이 배치된다.
발광소자 패키지는 패키지 몸체에 제1 전극과 제2 전극이 배치되고, 패키지 몸체의 바닥 면에 발광소자가 배치되며 제1 전극 및 제2 전극과 전기적으로 연결된다.
발광소자 패키지는 리드 프레임 상에 금속의 도금층이 배치되고, 도금층에 발광소자를 접착시키기 위한 접착제가 도포된다. 상기 접착제는 일정 시간이 경과하면 접착력이 떨어져 발광소자가 리드 프레임 상으로부터 들뜨게 됨으로써 발광소자 패키지의 내구성과 신뢰성이 크게 저하되는 문제점이 있다.
실시예는 발광소자 패키지의 내구성과 신뢰성을 향상시키고자 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 실시예는 기판; 상기 기판 상에 배치된 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임; 상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임의 상하면에 배치된 도금층; 상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결된 발광소자; 및 상기 발광소자를 둘러싸는 몰딩부를 포함하고, 상기 도금층은 니켈(Ni)을 포함하는 제1 도금층; 및 상기 제1 도금층과 연결되어 상기 도금층의 최외곽에 배치되고, 금(Au)을 포함하는 제2 도금층을 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다.
상기 제1 도금층의 두께는 1.0㎛ 내지 3.0㎛일 수 있다.
상기 제2 도금층의 두께는 0.01㎛ 내지 0.07㎛일 수 있다.
상기 발광소자와 상기 도금층 사이에는 접착부재가 배치될 수 있다.
상기 발광소자는 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임과, 제1 전선 및 제2 전선으로 연결될 수 있다.
상기 발광소자 및 상기 도금층과 상기 몰딩부 사이에 실리콘 산화막이 배치될 수 있다.
상기 실리콘 산화막이 상기 제1 전선 및 제2 전선에 코팅될 수 있다.
상기 도금층 상에 상기 발광소자와 이격되어 배치되는 리플렉터를 더 포함할 수 있다.
상기 도금층 및 상기 리플렉터와, 상기 몰딩부 사이에 실리콘 산화막이 배치될 수 있다.
상기 실리콘 산화막의 두께는 0.01㎛ 내지 0.03㎛일 수 있다.
상술한 바와 같은 실시예에 의하면, 도금층에 접착부재에 의해 접착된 발광소자가 접착부재가 경화되는 과정에서 접착력이 떨어져 도금층으로부터의 발광소자가 들뜨는 것을 방지함으로써 발광소자 패키지의 내구성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 A-A' 단면도이다.
도 3은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 도금층의 구조를 나타낸 도면이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 5a와 도 5b는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 도금층을 적용한 발광소자 패키지의 시간에 따른 광속 변화율을 나타낸 그래프이다.
도 6은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 영상 표시장치의 일실시예를 나타낸 분해사시도이다.
도 7은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 조명 장치의 일실시예를 나타낸 분해사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A' 단면도이다.
도 3은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 도금층의 구조를 나타낸 도면이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 5a와 도 5b는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 도금층을 적용한 발광소자 패키지의 시간에 따른 광속 변화율을 나타낸 그래프이다.
도 6은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 영상 표시장치의 일실시예를 나타낸 분해사시도이다.
도 7은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 조명 장치의 일실시예를 나타낸 분해사시도이다.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly) 접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한, 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1의 A-A' 단면도이다.
본 실시예에 따른 발광소자 패키지(100A)는 기판(110), 제1 리드 프레임(121)과 제2 리드 프레임(122), 도금층(130), 발광소자(150), 몰딩부(160)를 포함한다.
실시예에서 기판(110)은 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있고 패키지 몸체로 작용할 수 있으며, 발광소자(150)에서 발생되는 열을 외부로 배출시킬 수 있도록 열전도성 기판으로 구비될 수 있다.
또한, 기판(110) 상에는 제1 리드 프레임(121) 및 제2 리드 프레임(122)이 배치되는데, 후술할 발광소자(150)에 형성되는 제1 전극패드 및 제2 전극패드(미도시)와 각각 대응되도록 형성되어 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 전극패드(미도시)와 제2 전극패드(미도시)는 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
그리고, 제1 리드 프레임(121)과 제2 리드 프레임(122)은 서로 전기적으로 분리되며, 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결된 발광소자(150)에 전원을 공급해 준다. 여기서, 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임은 발광소자(150)에서 방출된 빛을 반사시킬 수도 있다.
제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임은 구리 등의 도전성 물질로 이루어질 수 있으며, 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임의 상면에 도금층(130)이 배치될 수 있다.
도 3은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 도금층의 구조를 나타낸 도면이다.
발광소자 패키지의 리드 프레임에 도금되는 도금층을 살펴보면, 종래의 도금층은 도금층의 수직방향으로 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 금(Au) 순으로 적층되는 구조였으나, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 도금층(130)은 리드 프레임을 중심으로 상하 대칭으로 배치되고, 제1 도금층(131), 제1 도금층(131)과 연결되어 도금층(130)의 최외곽에 배치되는 제2 도금층(132)을 포함한다.
그리고, 제1 도금층(131)은 니켈(Ni)을 포함할 수 있으며, 제2 도금층(132)은 금(Au)을 포함할 수 있다.
제1 도금층(131)은 제2 도금층(132)보다 두껍게 형성될 수 있고, 니켈(Ni)을 포함하는 제1 도금층(131)의 두께는 1.0㎛ 내지 3.0㎛일 수 있으며, 금(Au)을 포함하는 제2 도금층(132)의 두께는 0.01㎛ 내지 0.07㎛일 수 있다.
니켈(Ni)을 포함하는 제1 도금층의 두께가 1.0㎛보다 얇게 형성되면, 도금층의 강도가 약해질수 있으므로 도금층의 강도와 내식성을 고려하여, 제1 도금층의 두께가 결정될 수 있다.
이와 같이 제1 도금층을 형성한 뒤, 후처리 도금으로 제2 도금층이 형성될 수 있는데, 실시예에서는 황부식을 방지하지 위해 금(Au)을 포함하는 제2 도금층이 제1 도금층 상에 배치될 수 있다.
제2 도금층의 두께가 0.01㎛보다 얇으면 황부식을 방지하는데 한계가 있고, 0.07㎛보다 두꺼워지면 패키지를 제작하는 비용이 증가하기 때문에 제2 도금층의 두께는 황부식을 방지할 수 있으면서, 패키지의 제작비용을 절감할 수 있는 최소한의 두께로 형성될 수 있다.
도 4는 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 2와 도 4를 참조하면, 도전층 상에 발광소자가 연결되어 고정될 수 있도록 발광소자와 도금층 사이에는 접착부재(155)가 배치되어 솔더링될 수 있는데, 발광소자(150)의 제1 전극패드와 제1 리드 프레임의 사이와, 제2 전극 패드와 제2 리드 프레임의 사이에 각각 배치될 수 있다.
여기서, 접착부재(155)는 Au 또는 Sn 그리고 Sn/Ag, Sn/Cu, Sn/Zn, Sn/Zn/Bi, Sn/Zn/Bi, Sn/Ag/Cu, Sn/Ag/Bi의 무연 솔더(Lead-free solder) 및 High lead 와 eutectic의 유연 솔더(Lead solder) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
그리고, 접착부재(155)의 두께(BLT : Bonding Layer Thickness)가 너무 얇으면 제1 리드 프레임(121) 및 제2 리드 프레임(122)과 발광소자(150) 간을 접착해 줌과 동시에 버퍼층(Buffer Layer)의 역할을 해 줄 수 없고, 접착부재(155)의 두께가 두껍게 구비되면 접착력이 불안정하게 된다.
따라서, 접착부재의 두께는 제1 리드 프레임(121) 및 제2 리드 프레임(122)과 발광소자(150) 간을 접착해 줌과 동시에 버퍼층(Buffer Layer)의 역할을 해 줄 수 있도록 형성될 수 있다.
한편, 도금층 상에는 리플렉터(115)가 배치될 수 있는데, 리플렉터(115)는 도금층에 배치된 발광소자(150)의 가장자리에서 이격되어 제1 리드 프레임(121) 및 제2 리드 프레임(122) 상에 배치될 수 있다. 여기서, 리플렉터(115)는 발광소자(150)로부터 방출되는 빛을 발광소자 패키지의 전면(도 2와 도 4에서 윗 방향)으로 반사시켜 휘도를 증가시킬 수 있다.
그리고, 몰딩부(160)는 발광소자(150)를 보호하도록 발광소자를 둘러싸 발광소자(150)의 둘레에 배치될 수 있고, 발광소자(150)로부터 방출되는 빛의 진로를 변경하여 렌즈로 작용할 수 있다. 몰딩부(160) 내에는 형광체가 포함되어 발광소자(150)로부터 방출되는 제1 파장 영역의 빛에 의하여 여기되어 제2 파장 영역의 빛을 방출할 수도 있다.
또한, 몰딩부(160)는 도시된 바와 같이 발광소자(150)와 대응하는 영역의 일부가 함몰된 돔(dome) 타입으로 이루어지거나, 발광소자 패키지의 광출사각을 조절하기 위하여 다른 형상으로 배치될 수도 있다.
도시되지는 않았으나, 발광소자(150) 위에는 형광체층이 위치할 수 있으며, 형광체층은 컨포멀 코팅(conformal coating) 방식의 일정한 두께로 배치되어 일정한 두께로 배치될 수 있으며, 형광체층의 작용은 상술한 몰딩부(160) 내에 형광체가 배치되는 경우와 동일할 수 있다.
발광소자(150)는 플립 칩(Flip Chip)으로 구비될 수 있으며, 기판의 상부에 수직으로 플립칩 본딩되어 배치될 수 있다.
또한, 발광소자 패키지에 안착되는 발광소자(150)는 수직형 발광소자나 수평형 발광소자로 배치될 수도 있다. 본 실시예에서는, 발광소자(150)의 제1 전극패드 및 제2 전극패드(미도시)가 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임에 각각 제1 전선(151)과 제2 전선(152)으로 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 전선 및 제2 전선은 도전성 물질로 이루어질 수 있으며, 지름 0.8 내지 1.6 밀리미터 정도의 금(Au)으로 이루어질 수 있다. 전선의 두께가 너무 얇으면 외력에 의하여 절단될 수 있으며, 너무 두꺼우면 재료비가 증가하고 발광소자에서 방출되는 빛이 진행에 장애물이 될 수 있다.
한편, 도금층과 발광소자 사이에 배치되는 접착부재가 경화할 때, 도금층의 제2 도금층이 접착부재의 경화를 저해하게 됨으로써 접착부재의 접착력이 크게 저하되는 문제점이 있다. 이를 방지하기 위하여, 도 2와 도 4에 굵은 실선으로 표시된 바와 같이, 발광소자 및 도금층과 몰딩부 사이에는 실리콘 산화막(140)이 배치될 수 있으며, 실리콘 산화막(140)은 SiO2 등으로 이루어질 수 있고, 실리콘 산화막의 두께는 0.01㎛ 내지 0.03㎛일 수 있다.
그리고, 실리콘 산화막(140)은 제1 전선(151)과 제2 전선(152)에도 코팅되어 전선의 부식을 방지할 수도 있다.
또한, 실리콘 산화막(140)은 도금층(130) 및 리플렉터(115)와, 몰딩부(160) 사이에 배치될 수 있다.
이와 같이 실리콘 산화막이 도금층과, 도금층에 배치된 발광소자와, 리플렉터에 배치됨으로써, 도금층에 접착부재에 의해 접착된 발광소자가 접착부재가 경화되는 과정에서 접착력이 떨어져 발광소자가 도금층으로부터 들뜨는 것을 방지할 수 있고, 발광소자에서 발생하는 열로 인해 리플렉터와 몰딩부 사이가 들뜨는 것을 방지할 수 있어 발광소자 패키지의 내구성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 5a와 도 5b는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 도금층을 적용한 발광소자 패키지의 시간에 따른 광속 변화율을 나타낸 그래프이다.
발광소자 패키지의 사용 중 시간에 따른 광속 변화율은 일정 범위 내에서 유지되어야 발광소자 패키지의 신뢰성을 확보할 수 있는데, 종래의 도금층이 적용된 발광소자 패키지의 광속 변화율은 특정 시간동안 일정 범위보다 크게 나타난다.
도 5a와 도 5b를 참고하면, 금(Au)을 포함하는 제3 도금층의 두께가 0.05㎛일 때, 1,000시간 동안 시간에 따른 발광소자 패키지의 광속 변화율은 97.23% 내지 120.26%로 측정되고, 표준편차(STDEV)는 336시간이 경과했을 때 5.14%가 최대치이다. 반면, 종래의 도금층이 구리(Cu), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 금(Au) 순으로 적층되는 구조에서는 발광소자 패키지의 광속 변화율은 100.00% 내지 125.47%로 측정되고, 표준편차(STDEV)가 336시간이 경과했을 때 8.88%로, 본 실시예에 따른 발광소자 패키지의 도금층을 적용한 발광소자 패키지의 시간에 따른 광속 변화율이 적게 측정되고 이로 인해 신뢰성이 높아질 수 있음을 알 수 있다.
본 실시예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 도금층에서 팔라듐(Pd)을 제거함에 따라 도금층을 제작하는데 드는 비용을 절감할 수 있고, 발광소자 패키지의 신뢰성과 내구성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시예는 상술한 실시 예들에 기재된 반도체 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
이하에서는 상술한 발광소자 또는 발광소자 패키지가 배치된 조명 시스템의 일실시예로서, 백라이트 유닛과 조명 장치를 설명한다.
도 6은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 영상 표시장치의 일실시예를 나타낸 분해사시도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 영상표시장치(900)는 광원 모듈과, 바텀 커버(910) 상의 반사판(920)과, 상기 반사판(920)의 전방에 배치되며 상기 광원모듈에서 방출되는 빛을 영상표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(940)과, 상기 도광판(940)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(950)와 제2 프리즘시트(960)와, 상기 제2 프리즘시트(960)의 전방에 배치되는 패널(970)과 상기 패널(970)의 전반에 배치되는 컬러필터(980)를 포함하여 이루어진다.
광원 모듈은 회로 기판(930) 상의 발광소자 패키지(935)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(930)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광소자 패키지(935)는 상술한 바와 같다.
영상표시장치는 도 5에 도시된 에지(edge) 타입의 백라이트 유닛 뿐만 아니라, 직하 타입의 백라이트 유닛이 사용될 수도 있다.
상술한 영상표시장치에 사용되는 발광소자 패키지는, 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임의 표면 등에 실리콘 산화막이 형성되어 외부로부터 수분이나 공기의 침투가 방지되어 내구성과 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 7은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 조명 장치의 일실시예를 나타낸 분해사시도이다.
본 실시예에 따른 조명 장치는 커버(1100), 광원 모듈(1200), 방열체(1400), 전원 제공부(1600), 내부 케이스(1700), 소켓(1800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(1300)와 홀더(1500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있고, 광원 모듈(1200)은 상술한 실시예들에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.
커버(1100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(1100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.
커버(1100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(1100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(1100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.
커버(1100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(1100)는 외부에서 상기 광원 모듈(1200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(1100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.
광원 모듈(1200)은 상기 방열체(1400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 광원 모듈(1200)로부터의 열은 상기 방열체(1400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(1200)은 발광소자 패키지(1210), 연결 플레이트(1230), 커넥터(1250)를 포함할 수 있다. 발광소자 패키지(1210)는 상술한 실시예들에 도시된 바와 같으며, 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임의 표면 등에 실리콘 산화막이 형성되어 외부로부터 수분이나 공기의 침투가 방지되어 내구성과 신뢰성이 향상될 수 있다.
부재(1300)는 상기 방열체(1400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 발광소자 패키지(1210)들과 커넥터(1250)이 삽입되는 가이드홈(1310)들을 갖는다. 가이드홈(1310)은 상기 발광소자 패키지(1210)의 기판 및 커넥터(1250)와 대응된다.
부재(1300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 부재(1300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(1300)는 상기 커버(1100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(1200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(1100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
부재(1300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(1200)의 연결 플레이트(1230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(1400)와 상기 연결 플레이트(1230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(1300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(1230)와 상기 방열체(1400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(1400)는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(1600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.
홀더(1500)는 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)의 수납홈(1719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(1700)의 상기 절연부(1710)에 수납되는 상기 전원 제공부(1600)는 밀폐된다. 홀더(1500)는 가이드 돌출부(1510)를 갖는다. 가이드 돌출부(1510)는 상기 전원 제공부(1600)의 돌출부(1610)가 관통하는 홀을 갖는다.
전원 제공부(1600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(1200)로 제공한다. 전원 제공부(1600)는 상기 내부 케이스(1700)의 수납홈(1719)에 수납되고, 상기 홀더(1500)에 의해 상기 내부 케이스(1700)의 내부에 밀폐된다. 상기 전원 제공부(1600)는 돌출부(1610), 가이드부(1630), 베이스(1650), 연장부(1670)를 포함할 수 있다.
상기 가이드부(1630)는 상기 베이스(1650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(1630)는 상기 홀더(1500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(1650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(1200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(1200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 연장부(1670)는 상기 베이스(1650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(1670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(1800)에 전기적으로 연결될 수 있다.
내부 케이스(1700)는 내부에 상기 전원 제공부(1600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(1600)가 상기 내부 케이스(1700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100A, 100B : 발광소자 패키지
110 : 기판
115 : 리플렉터 121 : 제1 리드 프레임
122 : 제2 리드 프레임 130 : 도금층
140 : 실리콘 산화막 150 : 발광소자
151 : 제1 전선 152 : 제2 전선
155 : 접착부재 160 : 몰딩부
115 : 리플렉터 121 : 제1 리드 프레임
122 : 제2 리드 프레임 130 : 도금층
140 : 실리콘 산화막 150 : 발광소자
151 : 제1 전선 152 : 제2 전선
155 : 접착부재 160 : 몰딩부
Claims (10)
- 기판;
상기 기판 상에 배치된 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임;
상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임의 상하면에 배치된 도금층;
상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결된 발광소자; 및
상기 발광소자를 둘러싸는 몰딩부를 포함하고,
상기 도금층은
니켈(Ni)을 포함하는 제1 도금층; 및
상기 제1 도금층과 연결되어 상기 도금층의 최외곽에 배치되고, 금(Au)을 포함하는 제2 도금층을 포함하는 발광소자 패키지. - 제1 항에 있어서, 상기 제1 도금층의 두께는 1.0㎛ 내지 3.0㎛인 발광소자 패키지.
- 제1 항에 있어서, 상기 제2 도금층의 두께는 0.01㎛ 내지 0.07㎛인 발광소자 패키지.
- 제1 항에 있어서, 상기 발광소자와 상기 도금층 사이에는 접착부재가 배치되는 발광소자 패키지.
- 제1 항에 있어서, 상기 발광소자는 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임과, 제1 전선 및 제2 전선으로 연결되는 발광소자 패키지.
- 제1 항에 있어서, 상기 발광소자 및 상기 도금층과 상기 몰딩부 사이에 실리콘 산화막이 배치되는 발광소자 패키지.
- 제5 항 또는 제6 항에 있어서, 상기 실리콘 산화막이 상기 제1 전선 및 제2 전선에 코팅되는 발광소자 패키지.
- 제1 항에 있어서, 상기 발광소자 패키지는
상기 도금층 상에 상기 발광소자와 이격되어 배치되는 리플렉터를 더 포함하는 발광소자 패키지. - 제8 항에 있어서, 상기 도금층 및 상기 리플렉터와, 상기 몰딩부 사이에 실리콘 산화막이 배치되는 발광소자 패키지.
- 제6 항에 있어서, 상기 실리콘 산화막의 두께는 0.01㎛ 내지 0.03㎛인 발광소자 패키지.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170022072A true KR20170022072A (ko) | 2017-03-02 |
| KR102532362B1 KR102532362B1 (ko) | 2023-05-16 |
Family
ID=58426678
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150116589A KR102532362B1 (ko) | 2015-08-19 | 2015-08-19 | 발광소자 패키지 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102532362B1 (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006319109A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用リードフレームおよびそれを用いた半導体装置用パッケージとその製造方法 |
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| JP2013254871A (ja) * | 2012-06-07 | 2013-12-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| AMND | Amendment | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant |